WO2010113367A1 - 接合体及びその製造方法 - Google Patents

接合体及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2010113367A1
WO2010113367A1 PCT/JP2009/071657 JP2009071657W WO2010113367A1 WO 2010113367 A1 WO2010113367 A1 WO 2010113367A1 JP 2009071657 W JP2009071657 W JP 2009071657W WO 2010113367 A1 WO2010113367 A1 WO 2010113367A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
anisotropic conductive
conductive film
substrate
electrode region
resist
Prior art date
Application number
PCT/JP2009/071657
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
朋之 石松
幸男 山田
Original Assignee
ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 filed Critical ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社
Priority to KR1020117022571A priority Critical patent/KR101253642B1/ko
Priority to CN2009801585185A priority patent/CN102379166A/zh
Publication of WO2010113367A1 publication Critical patent/WO2010113367A1/ja
Priority to US13/242,712 priority patent/US8330052B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09145—Edge details
    • H05K2201/09154—Bevelled, chamferred or tapered edge
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/099—Coating over pads, e.g. solder resist partly over pads
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H05K3/323—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49126—Assembling bases
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49144—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. by metal fusion
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base

Definitions

  • the present invention relates to a joined body in which a substrate and a wiring material are connected via an anisotropic conductive film, and a method for manufacturing the same.
  • the wiring in the wiring material may exist in a bare state.
  • a short circuit occurs due to disconnection or contamination (dust) or the like entering the exposed wiring portion.
  • a method of protecting the exposed wiring portion using a sealant has been proposed, but since a sealing device is separately required, it costs more, In general, it is not used.
  • Patent Document 1 proposes a method of protecting the exposed wiring and preventing disconnection by inserting an insulating protective layer (resist layer) in the FPC into the inside of the display panel and pressing it. It has been put into practical use by some panel manufacturers. However, in this technique, when the insulating protective layer enters the inside of the display panel, the flow of the anisotropic conductive adhesive is blocked, a short circuit occurs, or the presence of the insulating protective layer. There was a problem that the connection part could not be sufficiently pressurized during the pressure bonding, resulting in poor connection.
  • an insulating protective layer resist layer
  • Patent Document 2 proposes a method of covering the wiring exposed portion of the TAB component by extending and pasting the ACF tape to the solder resist portion of the TAB component.
  • the ACF tape that protrudes from the connection part between the display panel and the TAB component is difficult to transfer heat from the heat tool, and the ACF tape is completely uncured, so that it is durable such as bending. There was a problem of being inferior.
  • an object of the present invention is to provide a joined body that suppresses the occurrence of poor connection, has excellent conduction reliability, and has good durability, and a method for manufacturing the joined body.
  • Means for solving the problems are as follows. That is, ⁇ 1> A method for producing a joined body in which a substrate and a wiring material are connected via an anisotropic conductive film, On the first electrode region formed on the substrate, the anisotropic conductive film has one end protruding toward the outside of the substrate from the inner end of the chamfered portion of the substrate, and the chamfering.
  • the anisotropic conductive film is heated and pressurized from the wiring material side, the anisotropic conductive film is melted and flowed to the resist region side, thereby covering the second electrode region,
  • the positioning step provides a gap between one end of the anisotropic conductive film and the end of the resist region located at the boundary between the second electrode region and forms a wiring exposed portion in the second electrode region
  • Any one of the items ⁇ 1> to ⁇ 2>, wherein the projecting width of the anisotropic conductive film from the inner end of the chamfered portion of the substrate is 0% to 50% of the width of the anisotropic conductive film. It is the manufacturing method of the conjugate
  • the anisotropic conductive film has a minimum melt viscosity of 5.0 ⁇ 10 1 Pa ⁇ s to 1.0 ⁇ 10 5 Pa ⁇ s and a thickness of the terminal in the first electrode region and the second The method for producing a joined body according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 3>, wherein the total height of the terminals in the electrode region is 120% to 400%.
  • the anisotropic conductive film has an insulating layer containing an insulating resin, and a conductive layer containing the insulating resin and conductive particles.
  • the minimum melt viscosity of the insulating layer is 5.0 ⁇ 10 1 Pa ⁇ s to 1.0 ⁇ 10 5 Pa ⁇ s, and the minimum melt viscosity of the conductive layer is 10 than the minimum melt viscosity of the insulating layer.
  • FIG. 1A is a schematic diagram (part 1) illustrating an example of a positional relationship by a positioning step in the method for manufacturing a joined body according to the present invention.
  • FIG. 1B is a schematic diagram (part 2) illustrating an example of a positional relationship by a positioning step in the method for manufacturing a joined body according to the present invention.
  • FIG. 1C is a schematic diagram (part 3) illustrating an example of a positional relationship by a positioning step in the method for manufacturing a joined body according to the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic view showing an example of a joined body produced by the method for producing a joined body of the present invention.
  • FIG. 3A is a schematic diagram showing a positional relationship Z1 before pressure bonding.
  • FIG. 3B is a schematic diagram illustrating a positional relationship Z2 before pressure bonding.
  • FIG. 3C is a schematic diagram illustrating the positional relationship Z3 before pressure bonding.
  • FIG. 3D is a schematic diagram illustrating a positional relationship Z4 before pressure bonding.
  • FIG. 3E is a schematic diagram illustrating a positional relationship Z5 before press bonding.
  • FIG. 3F is a schematic diagram showing a positional relationship Z6 before pressure bonding.
  • FIG. 3G is a schematic diagram showing the positional relationship Z7 before pressure bonding.
  • FIG. 4A is a schematic diagram showing the post-compression positional relationship Z1.
  • FIG. 4B is a schematic diagram showing the post-compression positional relationship Z2.
  • FIG. 4C is a schematic diagram showing the post-compression positional relationship Z3.
  • FIG. 4D is a schematic diagram showing a post-compression positional relationship Z4.
  • FIG. 4E is a schematic diagram showing a post-compression positional relationship Z5.
  • FIG. 4F is a schematic diagram showing a post-compression positional relationship Z6.
  • FIG. 4G is a schematic diagram showing the post-compression positional relationship Z7.
  • FIG. 5A is a cross-sectional photograph of a joined body having a post-compression positional relationship of Z1.
  • FIG. 5B is a cross-sectional photograph of a joined body in which the positional relationship after pressure bonding is Z2.
  • FIG. 5C is a cross-sectional photograph of a joined body in which the positional relationship after pressure bonding is Z4.
  • FIG. 5D is a cross-sectional photograph of a joined body in which the positional relationship after pressure bonding is Z5.
  • the method for manufacturing a bonded body according to the present invention is a method for manufacturing a bonded body in which a substrate and a wiring material are connected via an anisotropic conductive film, and includes at least a positioning step and an electrode connecting step, Furthermore, other processes appropriately selected as necessary are included.
  • the positioning step on the first electrode region formed on the substrate, the one end of the anisotropic conductive film protrudes toward the outside of the substrate from the inner end of the chamfered portion of the substrate. And after being arranged in any of the states located at the inner end of the chamfered portion, The second electrode region in a wiring board having a resist region formed on the wiring material and partially covered with a resist layer, and a second electrode region not covered with the resist layer; In this step, an end portion of the resist region located at the boundary is placed on the chamfered portion of the substrate.
  • the substrate is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose.
  • the substrate is chamfered along the edge thereof, and has an edge from the inner end of the chamfered portion toward the outer end of the chamfered portion (outer edge of the substrate).
  • region is formed in the said board
  • a wiring board is formed on one side of the wiring material.
  • the wiring board has a resist region and a second electrode region, and the resist region is a part of the wiring board, and the wiring board is covered with a resist layer (for example, a solder resist layer).
  • the second electrode region is a region not covered with the resist layer on the wiring board.
  • the structure may be a single layer structure or a laminated structure.
  • the anisotropic conductive film is made of an insulating resin layer containing conductive particles.
  • the conductive particles are not particularly limited, and those used in conventional anisotropic conductive adhesives can be used.
  • metal particles having a diameter of 1 to 50 ⁇ m or metal-coated resin particles Can be used.
  • the metal particles include nickel, cobalt, copper and the like.
  • the metal-coated resin particles include true spherical particles plated with one or more of nickel, cobalt, copper and the like.
  • particles whose outermost surface is coated with gold or palladium may be used.
  • insulating resin in the said insulating resin layer there is no restriction
  • the acrylic resin is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose.
  • the epoxy resin and the acrylic resin may contain a thermoplastic resin such as a phenoxy resin, a polyurethane resin, or a polyester resin, as necessary.
  • a curing agent suitable for each resin is used for the epoxy resin and the acrylic resin.
  • the curing agent used for the epoxy resin is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose.
  • anionic curing agents represented by organic amines such as imidazole and triethylamine, onium salts examples include cationic curing agents represented by sulfonium salts, aluminum chelating agents, organic acids, and the like.
  • the curing agent used for the acrylic resin is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, dicumyl peroxide, t-butyl peroxide, dilauroyl peroxide, dibenzoyl peroxide And organic peroxides thereof, and derivatives thereof.
  • thermal curing or photocuring can be appropriately selected.
  • the minimum melt viscosity is preferably 5.0 ⁇ 10 1 to 1.0 ⁇ 10 5 Pa ⁇ s, and 1.0 ⁇ 10 2 to 1 0.0 ⁇ 10 4 Pa ⁇ s is more preferable.
  • the minimum melt viscosity is less than 5.0 ⁇ 10 1 Pa ⁇ s, when the reel-shaped product is produced by winding the anisotropic conductive film on a reel, the anisotropy is caused by tightening.
  • the conductive film may protrude and cause blocking, and if it exceeds 1.0 ⁇ 10 5 Pa ⁇ s, the anisotropic conductive film is removed when the substrate and the wiring material are connected by heating and pressurization.
  • the minimum melt viscosity can be measured using, for example, a melt viscometer (“HAAKE RheoStress RS-150”; manufactured by Thermo Fisher Scientific), and the measurement conditions include, for example, a heating rate of 10 ° C./min. , Frequency 1 Hz, applied pressure 1 N, and measurement temperature 30 to 180 ° C.
  • a melt viscometer (“HAAKE RheoStress RS-150”; manufactured by Thermo Fisher Scientific)
  • the thickness is preferably 120 to 400%, more preferably 150 to 300% of the total height of the terminal in the first electrode region and the terminal in the second electrode region.
  • the anisotropic conductive film may not be sufficiently filled between the terminals of the substrate and the wiring member, and when the thickness exceeds 400%.
  • the anisotropic conductive film cannot be sufficiently eliminated, and a connection failure occurs or a displacement occurs until the wiring material is pushed in. May occur and misalignment may occur.
  • the anisotropic conductive film When the anisotropic conductive film has a laminated structure, the anisotropic conductive film preferably has at least an insulating layer containing an insulating resin and a conductive layer containing an insulating resin and conductive particles. In this case, since the wiring exposed portion is covered with the insulating layer that does not contain the conductive particles, occurrence of a short circuit can be suppressed.
  • the minimum melt viscosity of the insulating layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose, but is preferably 5.0 ⁇ 10 1 to 1.0 ⁇ 10 5 Pa ⁇ s, 1.0 ⁇ 10 2 to 4.0 ⁇ 10 4 Pa ⁇ s is more preferable.
  • the minimum melt viscosity is less than 5.0 ⁇ 10 1 Pa ⁇ s, when the reel-shaped product is produced by winding the anisotropic conductive film on a reel, the anisotropy is caused by tightening.
  • the conductive film may protrude and cause blocking, and if it exceeds 1.0 ⁇ 10 5 Pa ⁇ s, the anisotropic conductive film is removed when the substrate and the wiring material are connected by heating and pressurization. Insufficient exclusion may cause a connection failure.
  • the insulating resin and the conductive particles in the conductive layer are not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose.
  • the anisotropic conductive film has a single-layer structure. Similar ones can be used.
  • limiting in particular as the minimum melt viscosity of the said conductive layer Although it can select suitably according to the objective, It is larger than the minimum melt viscosity of the said insulating layer, and it is more preferable that it is 10 times or more larger.
  • the minimum melt viscosity of the conductive layer is 10 times or more the minimum melt viscosity of the insulating layer, the flow of the conductive particles can be suppressed, and the occurrence of a short circuit due to particle clogging can be reduced.
  • the thicknesses of the insulating layer and the conductive layer are not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose.
  • the sum of these thicknesses (total thickness) is the terminal in the first electrode region and the thickness of the conductive layer.
  • the total height of the terminals in the second electrode region is preferably 120 to 400%, more preferably 150 to 300%. If the total thickness is less than 120% of the total height, the anisotropic conductive film may not be sufficiently filled between the terminals of the substrate and the wiring material, and exceeds 400%. And, when connecting the substrate and the wiring material by heating and pressurization, the anisotropic conductive film cannot be sufficiently eliminated, a connection failure occurs, or until the wiring material is pushed in Misalignment may occur due to misalignment.
  • an anisotropic conductive film 20 is formed on the first electrode region 12 formed on the substrate 10, and one end (B) is inside the chamfered portion of the substrate 10. It arrange
  • a resist region 32 ⁇ / b> A located at the boundary between the resist region 32 ⁇ / b> A covered with the resist layer 34 and the second electrode region 32 ⁇ / b> B not covered with the resist layer 34.
  • the chamfered portion inner end (A) of the substrate, the end portion (C) of the resist region 32A, one end (B) of the anisotropic conductive film 20, and the substrate It arrange
  • the positions of B and D may be exchanged and arranged in the order of A, C, D, and B. 1B, from the left side in FIG.
  • protrusion width variety from the chamfering part inner side edge of the said board
  • variety of the said anisotropic conductive film -50% is preferable, and 0-30% is more preferable.
  • the protruding width is less than 0%, that is, when one end of the anisotropic conductive film is positioned inside the chamfered portion inner end of the substrate, the substrate after bonding the substrate and the wiring member The protrusion of the anisotropic conductive film may not reach the resist layer in the wiring board, and the second electrode region (wiring exposed portion) may not be protected.
  • the protruding width exceeds 50%, the anisotropic conductive film may not be sufficiently adhered to the substrate.
  • the anisotropic conductive film 20 has one end (B) at the inner end (A of the chamfered portion of the substrate 10). You may arrange in the state located in. In this case, from the left side in FIG. 1C, the chamfered portion inner end (A) of the substrate and one end (B) of the anisotropic conductive film 20 are located at the same position, and the end portion (C) of the resist region 32A, and It arrange
  • a gap is provided between one end of the anisotropic conductive film and an end portion of the resist region located at a boundary between the second electrode region, and a wiring exposed portion is formed in the second electrode region. May be formed. That is, as shown in FIGS. 1B and 1C, the second electrode region is formed by disposing one end (B) of the anisotropic conductive film 20 and the end (C) of the resist region 32A apart from each other. A gap is formed between the wiring 32B and the wiring exposed portion N.
  • the anisotropic conductive film can be sufficiently pressurized in the electrode connection step described later, and the occurrence of poor connection can be suppressed. This is advantageous.
  • the electrode connecting step the heated and pressurized anisotropic conductive film 20 is melted and flows toward the resist region 32A, and enters the lower side of the resist layer 34. It is covered with an anisotropic conductive film 20.
  • the anisotropic conductive film is heated and pressurized from the wiring material side, and the anisotropic conductive film is melted and flowed to the resist region side, thereby forming the second electrode region. Covering and electrically connecting the first electrode region and the second electrode region.
  • the heating varies depending on the type of the insulating resin and the curing agent, and is generally performed at a connection time of 10 seconds or less and a pressure of 2 to 6 MPa.
  • the anisotropic conductive film melts and flows toward the resist region, and the second electrode region is completely covered.
  • the first electrode region and the second electrode region are electrically connected, and the substrate and the wiring material are connected.
  • FIG. 2 in the electrode connecting step, the heated and pressurized anisotropic conductive film 20 is melted, flows toward the resist region 32 ⁇ / b> A, and enters the lower side of the resist layer 34.
  • the second electrode region 32B is completely covered, there is no wiring exposed portion, and occurrence of a short circuit due to contamination of foreign matters (contamination) is prevented.
  • the joined body of the present invention is a joined body in which a substrate and a wiring material are connected via an anisotropic conductive film, and the anisotropic body is formed on a first electrode region formed on the substrate.
  • the conductive film has one end protruding from the inner end of the chamfered portion of the substrate toward the outside of the substrate,
  • the second electrode region in a wiring board having a resist region formed on the wiring material and partially covered with a resist layer, and a second electrode region not covered with the resist layer; An end portion of the resist region located at the boundary is provided on the chamfered portion of the substrate, and the second electrode region is covered with the anisotropic conductive film.
  • the end portion (C) of the resist region 32A is on the chamfered portion of the substrate (from the chamfered portion inner end (A) to the chamfered portion outer end (D). )). For this reason, conduction reliability is high and durability, such as bending strength, is also excellent. That is, when the end portion (C) of the resist region 32A is located on the inner side of the chamfered portion inner end (A) than the chamfered portion inner end (A), it is anisotropic due to the presence of the resist layer 34 at the time of manufacturing the joined body.
  • the conductive conductive film 20 cannot be sufficiently pressurized, which may cause connection failure.
  • the anisotropic conductive film 20 is also projected to the outside of the substrate 10 accordingly.
  • the heat of the heat tool is not transmitted to the anisotropic conductive film 20 located outside the substrate 10, it becomes a completely uncured state and may be inferior in durability such as bending. .
  • anisotropic conductive films T1 to T5 50 parts by mass of phenoxy resin (“PKHC”; manufactured by Sakai Kogyo Co., Ltd.), 45 parts by mass of radical polymerizable resin (“EB-600”; manufactured by Daicel-Cytec), silane coupling agent (“KBM-503”; Shin-Etsu Chemical) Kogyo Co., Ltd.) 2 parts by mass, an adhesive containing 3 parts by mass of hydrophobic silica (“AEROSIL 972”; EVONIK) as a thickener, and 3 parts by mass of a reaction initiator (“Perhexa C”; manufactured by NOF Corporation)
  • conductive particles (“AUL704”; manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) are dispersed so as to have a particle density of 5,000 particles / mm 2, and are molded, and the thicknesses thereof are 8 ⁇ m, 10 ⁇ m, and 15 ⁇ m, respectively. , 30 ⁇ m and
  • Production Example 9 Two-layer anisotropic conductive film D1
  • the insulating layer (NCF) molded to a thickness of 10 ⁇ m without adding the conductive particles and the adhesive prepared in Production Example 7 containing 6 parts by mass of hydrophobic silica were molded to a thickness of 5 ⁇ m.
  • the laminated conductive layer (ACF) was bonded using a laminator to obtain a two-layer anisotropic conductive film D1 having a thickness of 15 ⁇ m.
  • melt viscosity The melt viscosity of the obtained anisotropic conductive films T1 to T5, V1 to V3, and D1 was measured. First, each anisotropic conductive film was overlapped to produce a sheet having a thickness of 300 ⁇ m. Next, for the obtained sheet, using a melt viscometer (“HAAKE RheoStress RS-150”; manufactured by Thermo Fisher Scientific), the heating rate was 10 ° C./min, the frequency was 1 Hz, the applied pressure was 1 N, and the measurement temperature range was 30 The melt viscosity was measured under the condition of ⁇ 180 ° C. The results are shown in Table 1.
  • anisotropic conductive films T1 to T5, V1 to V3, and D1 were slit to a width of 1.5 mm and wound to 50M and 100M, respectively.
  • Example 1 Fabrication of joined body- ITO coated glass as the substrate (evaluation base material, full surface ITO coating, glass thickness 0.7 mm, chamfering 0.3 mm, terminal height 4,000 mm (0.4 ⁇ m), and COF (evaluation as the wiring material) Bonding was performed with a base material for use, 50 ⁇ m P, Cu 8 ⁇ mt (terminal height 8 ⁇ m) -Sn plating, solder resist: PI system, PI 38 ⁇ mt-S'perflex base material).
  • a base material for use 50 ⁇ m P, Cu 8 ⁇ mt (terminal height 8 ⁇ m) -Sn plating, solder resist: PI system, PI 38 ⁇ mt-S'perflex base material.
  • anisotropic conductive films T2 to T5 V1 slit on the ITO coating glass as the substrate 10 as the anisotropic conductive film 20 to a width of 1.5 mm.
  • ⁇ V2 and D1 were each temporarily attached, and COF as the wiring member 30 was temporarily fixed thereon (the positioning step).
  • the anisotropic conductive film 20 was heated and pressurized from the COF 30 side under conditions of 190 ° C., 4 MPa, and 10 seconds using a heat tool of 1.5 mm width and a buffer material of 100 ⁇ mt Teflon (registered trademark). Then, the anisotropic conductive film 20 is melted and allowed to flow toward the resist region 32A, the second electrode region 32B is covered, and the first electrode region 12 and the second electrode region 32B are electrically connected. (The electrode connecting step), a joined body was obtained.
  • Example 1 (Comparative Example 1) -Fabrication of joined body- In Example 1, a bonded body was produced in the same manner as in Example 1 except that the anisotropic conductive films T1 and V3 obtained in Production Example 1 were used as the anisotropic conductive film.
  • Example 2 (Example 2 and Comparative Example 2) Using the anisotropic conductive film T3, according to the positional relationships Z1 to Z7, the joined body was formed in the same manner as in Example 1 except that the positional relationship of the ITO coating glass, COF, and anisotropic conductive film T3 was changed. Produced.
  • Example 2 -Bending test- About each joined body produced in Example 2 and Comparative Example 2, the COF was fixed in a state where the solder resist in the COF was bent 180 ° so as to wrap around the back surface of the glass. Next, the portion swelled by bending was pressed against a stainless steel stage at a constant speed (200 mm / sec) using a tensile compression tester (“Tensilon RTG-1210”; manufactured by A & D Co., Ltd.). . After repeating this operation 20 times, the COF was returned to the original state, and the conduction resistance was measured. The results are shown in Table 2.
  • Example 2 and Comparative Example 2 were subjected to cross-sectional polishing along the terminals, and the positional relationship after pressure bonding was confirmed.
  • the cross-sectional photographs are shown in FIGS. 5A to 5D.
  • S / R represents a solder resist
  • ACF represents an anisotropic conductive film
  • Glass represents ITO coating glass.
  • FIGS. 5A to 5D it was found that the positional relationships of Z1, Z2, Z4, and Z5 are shown.
  • the method for producing a joined body of the present invention can be suitably used for producing a joined body that suppresses the occurrence of poor connection, has excellent conduction reliability, and has good durability.
  • the joined body of the present invention has excellent conduction reliability and durability.

Abstract

　本発明の接合体の製造方法は、基板上に形成された第一の電極領域上に、異方性導電フィルムを、その一端が前記基板の面取部内側端よりも前記基板の外側へ向けて突出した状態、及び前記面取部内側端に位置した状態のいずれかで配置した後、配線材上に形成され、かつその一部がレジスト層に被覆されたレジスト領域と、前記レジスト層に被覆されていない第二の電極領域とを有する配線板における、前記第二の電極領域との境界に位置する前記レジスト領域の端部を、前記面取部上に配置する位置決め工程と、前記配線材側から前記異方性導電フィルムを加熱及び加圧し、溶融させて前記レジスト領域側へ流動させることにより、前記第二の電極領域を被覆し、前記第一の電極領域と前記第二の電極領域とを電気的に接続する電極接続工程とを含む。

Description

接合体及びその製造方法
　本発明は、異方性導電フィルムを介して、基板と配線材とが接続されてなる接合体及びその製造方法に関する。
　従来より、ＬＣＤパネル、ＰＤＰパネル等の基板と、ＦＰＣ、ＣＯＦ、ＴＣＰ等の配線材とを、異方性導電フィルムを用いて接続する際、前記配線材に形成されたレジスト層の位置によっては、前記配線材における配線が、剥き出し状態で存在することがある。この状態で、前記配線材を折り曲げて使用すると、断線したり、剥き出し状態の配線部に、コンタミ（ゴミ）等が入り込んで、ショートが発生するという問題があった。
　この問題を解決するため、例えば、封止剤を用いて、前記剥き出し状態の配線部を保護する方法が提案されているが、封止用の装置が別途必要となる他、コストがかかるため、一般的には使用されていないのが現状である。
　これに対し、例えば、特許文献１には、ＦＰＣにおける絶縁保護層（レジスト層）を、表示パネルの内側まで潜り込ませて圧着することにより、剥き出した配線を保護して断線を防止する方法が提案されており、一部のパネル製造メーカーで実用化されている。
　しかし、この技術においては、前記絶縁保護層が、前記表示パネルの内側に入り込むことにより、異方性導電接着剤の流動が塞き止められ、ショートが発生したり、前記絶縁保護層の存在により、圧着時に、接続部を充分に加圧することができず、接続不良が発生してしまうという問題があった。
　また、特許文献２には、ＴＡＢ部品のソルダーレジスト部まで、ＡＣＦテープを延長して貼り付けることにより、ＴＡＢ部品の配線露出部を被覆する方法が提案されている。
　しかし、この技術においては、表示パネルとＴＡＢ部品との接続部からはみ出したＡＣＦテープには、ヒートツールからの熱が伝わり難く、ＡＣＦテープが完全未硬化状態となるため、折曲げ等の耐久性に劣るという問題があった。
特開２００２－３５８０２６号公報 特開２００３－６６４７９号公報
　本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、接続不良の発生を抑制し、導通信頼性に優れ、しかも耐久性が良好な接合体及びその製造方法を提供することを目的とする。
　前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
　＜１＞　異方性導電フィルムを介して、基板と配線材とが接続されてなる接合体の製造方法であって、
　基板上に形成された第一の電極領域上に、前記異方性導電フィルムを、その一端が前記基板の面取部内側端よりも前記基板の外側へ向けて突出した状態、及び前記面取部内側端に位置した状態のいずれかで配置した後、
　前記配線材上に形成され、かつその一部がレジスト層に被覆されたレジスト領域と、前記レジスト層に被覆されていない第二の電極領域とを有する配線板における、前記第二の電極領域との境界に位置する前記レジスト領域の端部を、前記基板の面取部上に配置する位置決め工程と、
　前記配線材側から前記異方性導電フィルムを加熱及び加圧し、該異方性導電フィルムを溶融させて前記レジスト領域側へ流動させることにより、前記第二の電極領域を被覆し、前記第一の電極領域と前記第二の電極領域とを電気的に接続する電極接続工程と、
を少なくとも含むことを特徴とする接合体の製造方法である。
　＜２＞　位置決め工程が、異方性導電フィルムの一端と、第二の電極領域との境界に位置するレジスト領域の端部とに間隙を設け、前記第二の電極領域に配線露出部を形成する前記＜１＞に記載の接合体の製造方法である。
　＜３＞　異方性導電フィルムにおける、基板の面取部内側端からの突出幅が、該異方性導電フィルムの幅の０％～５０％である前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の接合体の製造方法である。
　＜４＞　異方性導電フィルムの最低溶融粘度が、５．０×１０１Ｐａ・ｓ～１．０×１０５Ｐａ・ｓであり、厚みが、第一の電極領域における端子及び第二の電極領域における端子の合計高さの１２０％～４００％である前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の接合体の製造方法である。
　＜５＞　異方性導電フィルムが、絶縁性樹脂を含む絶縁層と、前記絶縁性樹脂及び導電性粒子を含む導電層とを有してなり、
　前記絶縁層の最低溶融粘度が、５．０×１０１Ｐａ・ｓ～１．０×１０５Ｐａ・ｓであり、前記導電層の最低溶融粘度が、前記絶縁層の最低溶融粘度よりも１０倍以上大きい前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の接合体の製造方法である。
　＜６＞　異方性導電フィルムを介して、基板と配線材とが接続されてなる接合体であって、
　基板上に形成された第一の電極領域上に、前記異方性導電フィルムを、その一端が前記基板の面取部内側端から前記基板の外側へ向けて突出した状態で有し、
　前記配線材上に形成され、かつその一部がレジスト層に被覆されたレジスト領域と、前記レジスト層に被覆されていない第二の電極領域とを有する配線板における、前記第二の電極領域との境界に位置する前記レジスト領域の端部を、前記基板の面取部上に有し、
　前記第二の電極領域が前記異方性導電フィルムで被覆されてなることを特徴とする接合体である。
　本発明によると、従来における前記諸問題を解決でき、接続不良の発生を抑制し、導通信頼性に優れ、しかも耐久性が良好な接合体及びその製造方法を提供することができる。
図１Ａは、本発明の接合体の製造方法における、位置決め工程による位置関係の一例を示す概略図（その１）である。 図１Ｂは、本発明の接合体の製造方法における、位置決め工程による位置関係の一例を示す概略図（その２）である。 図１Ｃは、本発明の接合体の製造方法における、位置決め工程による位置関係の一例を示す概略図（その３）である。 図２は、本発明の接合体の製造方法により製造された接合体の一例を示す概略図である。 図３Ａは、圧着前位置関係Ｚ１を示す概略図である。 図３Ｂは、圧着前位置関係Ｚ２を示す概略図である。 図３Ｃは、圧着前位置関係Ｚ３を示す概略図である。 図３Ｄは、圧着前位置関係Ｚ４を示す概略図である。 図３Ｅは、圧着前位置関係Ｚ５を示す概略図である。 図３Ｆは、圧着前位置関係Ｚ６を示す概略図である。 図３Ｇは、圧着前位置関係Ｚ７を示す概略図である。 図４Ａは、圧着後位置関係Ｚ１を示す概略図である。 図４Ｂは、圧着後位置関係Ｚ２を示す概略図である。 図４Ｃは、圧着後位置関係Ｚ３を示す概略図である。 図４Ｄは、圧着後位置関係Ｚ４を示す概略図である。 図４Ｅは、圧着後位置関係Ｚ５を示す概略図である。 図４Ｆは、圧着後位置関係Ｚ６を示す概略図である。 図４Ｇは、圧着後位置関係Ｚ７を示す概略図である。 図５Ａは、圧着後位置関係がＺ１である接合体の断面写真である。 図５Ｂは、圧着後位置関係がＺ２である接合体の断面写真である。 図５Ｃは、圧着後位置関係がＺ４である接合体の断面写真である。 図５Ｄは、圧着後位置関係がＺ５である接合体の断面写真である。
（接合体の製造方法）
　本発明の接合体の製造方法は、異方性導電フィルムを介して、基板と配線材とが接続されてなる接合体の製造方法であって、位置決め工程と、電極接続工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて適宜選択した、その他の工程を含む。
＜位置決め工程＞
　前記位置決め工程は、基板上に形成された第一の電極領域上に、前記異方性導電フィルムを、その一端が前記基板の面取部内側端よりも前記基板の外側へ向けて突出した状態、及び前記面取部内側端に位置した状態のいずれかで配置した後、
　前記配線材上に形成され、かつその一部がレジスト層で被覆されたレジスト領域と、前記レジスト層で被覆されていない第二の電極領域とを有する配線板における、前記第二の電極領域との境界に位置する前記レジスト領域の端部を、前記基板の面取部上に配置する工程である。
－基板－
　前記基板としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ガラス製のＬＣＤ基板（ＬＣＤパネル）、ガラス製のＰＤＰ基板（ＰＤＰパネル）、ガラス製の有機ＥＬ基板（有機ＥＬパネル）などが挙げられる。
　前記基板には、その縁に沿って面取りが施されており、面取部内側端から面取部外側端（前記基板の外縁）へ向けて、エッジを有している。
　また、前記基板には、前記面取部内側端よりも前記基板の内側に、第一の電極領域が形成されている。
－配線材－
　前記配線材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＦＰＣ、ＣＯＦ、ＴＣＰなどが挙げられる。
　前記配線材には、その片面に、配線板が形成されている。
　前記配線板は、レジスト領域と第二の電極領域とを有してなり、前記レジスト領域は、前記配線板の一部であって、該配線板がレジスト層（例えば、ソルダーレジスト層）で被覆された領域であり、前記第二の電極領域は、前記配線板における前記レジスト層で被覆されていない領域である。
－異方性導電フィルム－
　前記異方性導電フィルムは、その構造、大きさ、厚みなどについては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
　前記構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
　前記異方性導電フィルムが単層構造である場合、該異方性導電フィルムは、導電性粒子を含有する絶縁性樹脂層からなる。
　前記導電性粒子としては、特に制限はなく、従来の異方性導電接着剤に用いられているものを利用することができ、例えば、粒子の直径が１～５０μｍの金属粒子又は金属被覆樹脂粒子を使用することができる。
　前記金属粒子としては、ニッケル、コバルト、銅等が挙げられる。それらの表面酸化を防ぐ目的で、表面に金、パラジウムをコーティングした粒子を用いてもよい。さらに、表面に金属突起や有機物で絶縁皮膜を施したものを用いてもよい。
　前記金属被覆樹脂粒子としては、ニッケル、コバルト、銅等の１種以上でメッキを施した真球状の粒子が挙げられる。同様に、最外表面に金、パラジウムをコーティングした粒子を用いてもよい。さらに、表面に金属突起や有機物で絶縁皮膜を施したものを用いてもよい。
　前記絶縁性樹脂層における絶縁性樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などが挙げられる。
　前記エポキシ樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
　前記アクリル樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、エポキシアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、テトラメチレングリコールテトラアクリレート、２－ヒドロキシ－１，３－ジアクリロキシプロパン、２，２－ビス[４－（アクリロキシメトキシ）フェニル]プロパン、２，２－ビス[４－（アクリロキシエトキシ）フェニル]プロパン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデカニルアクリレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ウレタンアクリレートなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
　また、前記アクリレートをメタクリレートにしたものが挙げられ、これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
　また、前記エポキシ樹脂及び前記アクリル樹脂には、必要に応じて、フェノキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂等の熱可塑性樹脂を含んでいていもよい。
　また、前記エポキシ樹脂及び前記アクリル樹脂には、それぞれの樹脂に適応した硬化剤が使用される。
　前記エポキシ樹脂に使用される硬化剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、イミダゾール、トリエチルアミン等の有機アミン類に代表されるアニオン系硬化剤、オニウム塩、スルホニウム塩、アルミニウムキレート剤、有機酸等に代表されるカチオン系硬化剤が挙げられる。
　前記アクリル樹脂に使用される硬化剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ジクミルパーオキサイド、ｔ－ブチルパーオキサイド、ジラウロイルパーオキサイド、ジベンゾイルパーオキサイド等の有機過酸化物、及びそれらの誘導体が挙げられる。
　前記絶縁性樹脂の硬化方法としては、熱硬化あるいは光硬化を適宜選択することができる。
　前記異方性導電フィルムが単層構造である場合、その最低溶融粘度が、５．０×１０１～１．０×１０５Ｐａ・ｓであるのが好ましく、１．０×１０２～１．０×１０４Ｐａ・ｓがより好ましい。
　前記最低溶融粘度が、５．０×１０１Ｐａ・ｓ未満であると、前記異方性導電フィルムをリールに巻き取ったリール状の製品を製造した場合に、巻締まりにより、前記異方性導電フィルムがはみ出してブロッキングを生ずることがあり、１．０×１０５Ｐａ・ｓを超えると、加熱及び加圧により、前記基板と前記配線材とを接続する際、前記異方性導電フィルムを充分に排除することができず、接続不具合が発生することがある。
　前記最低溶融粘度は、例えば、溶融粘度計（「ＨＡＡＫＥ　ＲｈｅｏＳｔｒｅｓｓ　ＲＳ－１５０」；Ｔｈｅｒｍｏ　Ｆｉｓｈｅｒ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて測定することができ、その測定条件としては、例えば、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚ、加圧力１Ｎ、及び測定温度３０～１８０℃で行うことができる。
　また、前記厚みとしては、前記第一の電極領域における端子及び前記第二の電極領域における端子の合計高さの１２０～４００％が好ましく、１５０～３００％がより好ましい。
　前記厚みが、前記合計高さの１２０％未満であると、前記基板及び前記配線材の端子間に、前記異方性導電フィルムを充分に充填することができないことがあり、４００％を超えると、加熱及び加圧により、前記基板と前記配線材とを接続する際、前記異方性導電フィルムを充分に排除することができず、接続不具合が発生したり、前記配線材を押し込むまでにズレが生じて、ミスアライメントが発生することがある。
　前記異方性導電フィルムが積層構造である場合、該異方性導電フィルムは、絶縁性樹脂を含む絶縁層と、絶縁性樹脂及び導電性粒子を含む導電層とを少なくとも有するのが好ましい。この場合、前記導電性粒子を含まない前記絶縁層で、配線露出部を被覆するので、ショートの発生を抑制することができる。
　前記絶縁層における前記絶縁性樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記異方性導電フィルムが単層構造である場合と同様のものを使用することができる。
　前記絶縁層の最低溶融粘度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５．０×１０１～１．０×１０５Ｐａ・ｓが好ましく、１．０×１０２～４．０×１０４Ｐａ・ｓがより好ましい。
　前記最低溶融粘度が、５．０×１０１Ｐａ・ｓ未満であると、前記異方性導電フィルムをリールに巻き取ったリール状の製品を製造した場合に、巻締まりにより、前記異方性導電フィルムがはみ出してブロッキングを生ずることがあり、１．０×１０５Ｐａ・ｓを超えると、加熱及び加圧により、前記基板と前記配線材とを接続する際、前記異方性導電フィルムを充分に排除することができず、接続不具合が発生することがある。
　前記導電層における、前記絶縁性樹脂及び前記導電性粒子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記異方性導電性フィルムが単層構造である場合と同様のものを使用することができる。
　前記導電層の最低溶融粘度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記絶縁層の最低溶融粘度よりも大きいことが好ましく、１０倍以上大きいことがより好ましい。
　前記導電層の最低溶融粘度が、前記絶縁層の最低溶融粘度の１０倍以上であると、前記導電性粒子の流動を抑制することができ、粒子詰まりによるショートの発生を低減することができる。
　前記絶縁層及び前記導電層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、これらの厚みの和（総厚み）が、前記第一の電極領域における端子及び前記第二の電極領域における端子の合計高さの１２０～４００％であるのが好ましく、１５０～３００％がより好ましい。
　前記総厚みが、前記合計高さの１２０％未満であると、前記基板及び前記配線材の端子間に、前記異方性導電フィルムを充分に充填することができないことがあり、４００％を超えると、加熱及び加圧により、前記基板と前記配線材とを接続する際、前記異方性導電フィルムを充分に排除することができず、接続不具合が発生したり、前記配線材を押し込むまでにズレが生じて、ミスアライメントが発生することがある。
　ここで、前記位置決め工程において決定される、前記基板、前記異方性導電フィルム、及び前記配線材の位置関係の一例を、図面を用いて説明する。
　図１Ａ及び図１Ｂに示すように、まず、基板１０上に形成された第一の電極領域１２上に、異方性導電フィルム２０を、その一端（Ｂ）が、基板１０の面取部内側端（Ａ）よりも基板１０の外側へ向けて突出した状態で配置する。次いで、配線材３０に形成された配線板３２における、レジスト層３４により被覆されたレジスト領域３２Ａと、レジスト層３４に被覆されていない第二の電極領域３２Ｂとの境界に位置する、レジスト領域３２Ａの端部（Ｃ）を、基板１０の面取部上（面取部内側端（Ａ）から面取部外側端（Ｄ）の間）に配置する。
　その結果、図１Ａでは、図１Ａ中、左側から、基板の面取部内側端（Ａ）、レジスト領域３２Ａの端部（Ｃ）、異方性導電フィルム２０の一端（Ｂ）、及び基板の面取部外側端（Ｄ）の順に配置される。なお、図１Ａの態様においては、ＢとＤとの位置を入れ替え、Ａ、Ｃ、Ｄ、及びＢの順に配置してもよい。
　また、図１Ｂでは、図１Ｂ中、左側から、基板の面取部内側端（Ａ）、異方性導電フィルム２０の一端（Ｂ）、レジスト領域３２Ａの端部（Ｃ）、及び基板の面取部外側端（Ｄ）の順に配置される。
　前記異方性導電フィルムにおける、前記基板の面取部内側端からの突出幅としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記異方性導電フィルムの幅の０～５０％が好ましく、０～３０％がより好ましい。
　前記突出幅が０％未満、即ち、前記異方性導電フィルムの一端が、前記基板の面取部内側端よりも内側に位置する場合には、前記基板と前記配線材との接合後の前記異方性導電フィルムのはみ出しが、前記配線板におけるレジスト層まで届かず、前記第二の電極領域（配線露出部）を保護することができないことがある。一方、前記突出幅が、５０％を超えると、前記基板に前記異方性導電フィルムを充分に貼り付けることができないことがある。
　また、図１Ｃに示すように、基板１０上に形成された第一の電極領域１２上に、異方性導電フィルム２０を、その一端（Ｂ）が、基板１０の面取部内側端（Ａ）に位置した状態で配置してもよい。この場合、図１Ｃ中、左側から、基板の面取部内側端（Ａ）と異方性導電フィルム２０の一端（Ｂ）とが同じ位置に、そしてレジスト領域３２Ａの端部（Ｃ）、及び基板の面取部外側端（Ｄ）の順に配置される。
　更に、前記位置決め工程は、前記異方性導電フィルムの一端と、前記第二の電極領域との境界に位置するレジスト領域の端部とに間隙を設け、前記第二の電極領域に配線露出部を形成してもよい。即ち、図１Ｂ及び図１Ｃに示すように、異方性導電フィルム２０の一端（Ｂ）と、レジスト領域３２Ａの端部（Ｃ）とが離間して配置されることにより、第二の電極領域３２Ｂとに間隙が生じ、配線露出部Ｎが形成される。この場合、前記異方性導電フィルムの上面にレジスト層が配置されないので、後述する電極接続工程において、異方性導電フィルムを充分に加圧することができ、接続不良の発生を抑制することができる点で、有利である。
　なお、電極接続工程において、加熱及び加圧された異方性導電フィルム２０が、溶融してレジスト領域３２Ａ側へ流動し、レジスト層３４の下側に入り込むことにより、前記配線露出部Ｎは、異方性導電フィルム２０により被覆される。
＜電極接続工程＞
　前記電極接続工程は、前記配線材側から前記異方性導電フィルムを加熱及び加圧し、該異方性導電フィルムを溶融させて前記レジスト領域側へ流動させることにより、前記第二の電極領域を被覆し、前記第一の電極領域と前記第二の電極領域とを電気的に接続する工程である。
　前記加熱は、前記絶縁性樹脂や前記硬化剤の種類によって異なり、一般的には、接続時間１０秒間以下、圧力２～６ＭＰａで行われる。
　前記電極接続工程により、前記異方性導電フィルムが加熱及び加圧されると、前記異方性導電フィルムが溶融して前記レジスト領域側へ流動し、前記第二の電極領域が完全に被覆される。その結果、前記第一の電極領域と前記第二の電極領域とが電気的に接続され、前記基板と前記配線材とが接続される。
　ここで、前記電極接続工程後の状態の一例を、図面を用いて説明する。
　図２に示すように、前記電極接続工程において、加熱及び加圧された異方性導電フィルム２０が溶融し、レジスト領域３２Ａ側へ流動し、レジスト層３４の下側へ入り込む。その結果、第二の電極領域３２Ｂが完全に被覆されて、配線露出部が存在せず、異物（コンタミ）の混入によるショートの発生が防止される。
（接合体）
　本発明の接合体は、異方性導電フィルムを介して、基板と配線材とが接続されてなる接合体であって、基板上に形成された第一の電極領域上に、前記異方性導電フィルムを、その一端が前記基板の面取部内側端から前記基板の外側へ向けて突出した状態で有し、
　前記配線材上に形成され、かつその一部がレジスト層に被覆されたレジスト領域と、前記レジスト層に被覆されていない第二の電極領域とを有する配線板における、前記第二の電極領域との境界に位置する前記レジスト領域の端部を、前記基板の面取部上に有し、前記第二の電極領域が前記異方性導電フィルムで被覆されてなる。
　なお、前記基板、前記配線材、及び前記基板などの詳細については、上述した通りである。
　本発明の前記接合体においては、図２に示すように、レジスト領域３２Ａの端部（Ｃ）が、基板の面取部上（面取部内側端（Ａ）から面取部外側端（Ｄ）の間）に位置する。このため、導通信頼性が高く、折曲げ強度等の耐久性にも優れる。
　即ち、レジスト領域３２Ａの端部（Ｃ）が、面取部内側端（Ａ）よりも、基板１０の内側に位置する場合、前記接合体の製造時において、レジスト層３４の存在により、異方性導電フィルム２０を充分に加圧することができず、接続不良が発生する原因となることがある。また、レジスト領域３２Ａの端部（Ｃ）が、基板の面取部外側端（Ｄ）よりも、外側に位置する場合、異方性導電フィルム２０も、それに合わせて基板１０の外側に突出させて接合するが、このとき、基板１０の外側に位置する異方性導電フィルム２０には、ヒートツールの熱が伝わらないため、完全未硬化状態となり、折曲げ等の耐久性に劣ることがある。
　以下、実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
（製造例１～５：異方性導電フィルムＴ１～Ｔ５）
　フェノキシ樹脂（「ＰＫＨＣ」；巴工業社製）５０質量部、ラジカル重合性樹脂（「ＥＢ－６００」；ダイセル・サイテック社製）４５質量部、シランカップリング剤（「ＫＢＭ－５０３」；信越化学工業社製）２質量部、増粘剤として疎水性シリカ（「ＡＥＲＯＳＩＬ９７２」；ＥＶＯＮＩＫ社製）３質量部、及び反応開始剤（「パーヘキサＣ」；日本油脂社製）３質量部を含む接着剤中に、導電性粒子（「ＡＵＬ７０４」；積水化学工業社製）を、粒子密度が５，０００個/ｍｍ２となるよう分散させて、これを成形し、それぞれ厚みが、８μｍ、１０μｍ、１５μｍ、３０μｍ、及び３５μｍの異方性導電フィルムＴ１～Ｔ５を得た。
（製造例６～８：異方性導電フィルムＶ１～Ｖ３）
　フェノキシ樹脂（「ＰＫＨＣ」；巴工業社製）５０質量部、ラジカル重合性樹脂（「ＥＢ－６００」；ダイセル・サイテック社製）４５質量部、シランカップリング剤（「ＫＢＭ－５０３」；信越化学工業社製）２質量部、及び反応開始剤（「パーヘキサＣ」；日本油脂社製）３質量部を含む接着剤に、増粘剤として疎水性シリカ（「ＡＥＲＯＳＩＬ９７２」；ＥＶＯＮＩＫ社製）を、それぞれ０質量部、６質量部、及び９質量部添加し、導電性粒子（「ＡＵＬ７０４」；積水化学工業社製）を、粒子密度が５,０００個/ｍｍ２となるよう分散させて、厚み１５μｍの異方性導電フィルムＶ１～Ｖ３を得た。
（製造例９：二層構造の異方性導電フィルムＤ１）
　製造例１において、前記導電性粒子を添加しないで、厚み１０μｍに成形した絶縁層（ＮＣＦ）と、製造例７で調製した、疎水性シリカを６質量部含有する接着剤を、厚み５μｍに成形した導電層（ＡＣＦ）とを、ラミネータを用いて貼り合わせて、厚み１５μｍの二層構造の異方性導電フィルムＤ１を得た。
－溶融粘度の測定－
　得られた異方性導電フィルムＴ１～Ｔ５、Ｖ１～Ｖ３、及びＤ１について、溶融粘度を測定した。
　まず、各異方性導電フィルムを重ね合わせて、厚み３００μｍのシートを作製した。次いで、得られたシートについて、溶融粘度計（「ＨＡＡＫＥ　ＲｈｅｏＳｔｒｅｓｓ　ＲＳ－１５０」；Ｔｈｅｒｍｏ　Ｆｉｓｈｅｒ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚ、加圧力１Ｎ、及び測定温度範囲３０～１８０℃の条件で、溶融粘度を測定した。結果を表１に示す。
　次いで、前記異方性導電フィルムＴ１～Ｔ５、Ｖ１～Ｖ３、及びＤ１について、１．５ｍｍ幅にスリットし、５０Ｍ及び１００Ｍに巻き取った製品を、それぞれ作製した。
－はみ出し試験－
　得られた１００Ｍリール品に、常温環境下にて、５０ｇの重りをぶら下げて、異方性導電フィルムの膜強度試験を行った。そして、２４時間経過後に、リールから異方性導電フィルムを最後まで引き出すことができたものを「ＯＫ」とし、途中で巻き締まりによる異方性導電フィルムのはみ出しにより、正常に引き出すことができなかったものを「ＮＧ」とし、下記基準に基づいて評価した。結果を表１に示す。
〔評価基準〕
　◎：１００Ｍ品及び５０Ｍ品のいずれも「ＯＫ」である。
　○：１００Ｍ品は「ＮＧ」であるが、５０Ｍ品は「ＯＫ」である。
　次に、ＩＴＯコーティングガラス、ＣＯＦ、及び異方性導電フィルムの位置関係を、Ｚ１～Ｚ７に従って、接合体を製造した。
　前記位置関係Ｚ１～Ｚ７においては、ＩＴＯコーティングガラスとＣＯＦとの圧着前において、ＩＴＯコーティングガラスの面取部内側端（Ａ）、異方性導電フィルムの一端（Ｂ）、ＣＯＦにおけるソルダーレジスト領域の端部（Ｃ）、及びＩＴＯコーティングガラスの面取部外側端（Ｄ）が、図中、左側から以下の順に位置する。
〔圧着前位置関係〕
　Ｚ１（比較例；図３Ａ）：Ｂ、Ａ、Ｃ、Ｄ
　Ｚ２（実施例；図３Ｂ）：Ａ、Ｃ、Ｂ、Ｄ
　Ｚ３（実施例；図３Ｃ）：Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ
　Ｚ４（比較例；図３Ｄ）：Ｃ、Ａ、Ｂ、Ｄ
　Ｚ５（比較例；図３Ｅ）：Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｃ
　Ｚ６（実施例；図３Ｆ）：Ａ＝Ｂ、Ｃ、Ｄ
　Ｚ７（比較例；図３Ｇ）：Ａ、Ｄ、Ｃ、Ｂ
（実施例１）
－接合体の作製－
　前記基板としてのＩＴＯコーティングガラス（評価用基材、全表面ＩＴＯコート、ガラス厚０．７ｍｍ、面取り０．３ｍｍ、端子高さ４，０００Å（０．４μｍ）と、前記配線材としてのＣＯＦ（評価用基材、５０μｍＰ、Ｃｕ８μｍｔ（端子高さ８μｍ）－Ｓｎメッキ、ソルダーレジスト：ＰＩ系、ＰＩ３８μｍｔ－Ｓ’ｐｅｒｆｌｅｘ基材）との接合を行った。
　まず、前記位置関係Ｚ３（図３Ｃ参照）に従い、基板１０としてのＩＴＯコーティングガラス上に、異方性導電フィルム２０として、１．５ｍｍ幅にスリットされた、異方性導電フィルムＴ２～Ｔ５、Ｖ１～Ｖ２、及びＤ１をそれぞれ仮貼りし、その上に配線材３０としてのＣＯＦを仮固定した（前記位置決め工程）。
　次いで、ヒートツール１．５ｍｍ幅で、緩衝材１００μｍｔテフロン（登録商標）を用いて、１９０℃、４ＭＰａ、１０秒間の条件で、ＣＯＦ３０側から異方性導電フィルム２０を加熱及び加圧した。そして、異方性導電フィルム２０を溶融させて、レジスト領域３２Ａ側へ流動させ、第二の電極領域３２Ｂを被覆し、第一の電極領域１２と第二の電極領域３２Ｂとを電気的に接続し（前記電極接続工程）、接合体を得た。
（比較例１）
－接合体の作製－
　実施例１において、異方性導電フィルムとして、製造例１で得られた異方性導電フィルムＴ１及びＶ３を用いた以外は、実施例１と同様にして、接合体を作製した。
（実施例２及び比較例２）
　異方性導電フィルムＴ３を用い、前記位置関係Ｚ１～Ｚ７に従って、ＩＴＯコーティングガラス、ＣＯＦ、及び異方性導電フィルムＴ３の位置関係を変えた以外は、実施例１と同様にして、接合体を作製した。
　得られた接合体について、ＩＴＯコーティングガラスとＣＯＦとの圧着後における、ＩＴＯコーティングガラスの面取部内側端（Ａ）、異方性導電フィルムの一端（Ｂ）、ＣＯＦにおけるソルダーレジスト領域の端部（Ｃ）、及びＩＴＯコーティングガラスの面取部外側端（Ｄ）の位置関係を確認し、下記位置関係（図中、左側からの配置順）に基づいて評価した。結果を表１及び表２に示す。
〔圧着後位置関係〕
　Ｚ１（比較例；図４Ａ）：Ｂ、Ａ、Ｃ、Ｄ
　Ｚ２（実施例；図４Ｂ）：Ａ、Ｃ、Ｂ、Ｄ
　Ｚ３（比較例；図４Ｃ）：Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ
　Ｚ４（比較例；図４Ｄ）：Ｃ、Ａ、Ｂ、Ｄ
　Ｚ５（比較例；図４Ｅ）：Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｃ
　Ｚ６（比較例；図４Ｆ）：Ａ＝Ｂ、Ｃ、Ｄ
　Ｚ７（比較例；図４Ｇ）：Ａ、Ｄ、Ｃ、Ｂ
－導通抵抗試験－
　得られた各接合体について、デジタルマルチメータ（「デジタルメルチメータ７５５５」；横河電機社製）を用いて、４端子法にて電流１ｍＡを流したときの導通抵抗値を測定した。結果を表１及び表２に示す。
－ショート試験－
　実施例１～２及び比較例１～２において、ＩＴＯコーティングガラスを、素ガラス（評価用基材、ガラス厚０．７ｍｍ、面取り０．３ｍｍ）に、それぞれ変えて接合体を作製した。
　得られた接合体における素ガラスの面取部に、粒子径０．２μｍのＮｉ粉末を振りかけ、ペンシルシェイカーで３０秒間振動を与えた後、端子間に１５Ｖの電圧を印加し、絶縁抵抗を測定し、下記基準に基づいて評価した。結果を表１及び表２に示す。
〔評価基準〕
　○：ショート（短絡）未発生
　×：ショート発生
－折曲げ試験－
　実施例２及び比較例２で作製した各接合体について、ＣＯＦにおけるソルダーレジストが、ガラス背面に回り込むように、１８０°折り曲げた状態にて、ＣＯＦを固定した。
　次いで、折り曲げにより膨らんだ部分を、引張圧縮試験機（「テンシロンＲＴＧ－１２１０」；（株）エー・アンド・ディー製）を用いて、一定速度（２００ｍｍ／ｓｅｃ）でステンレス製ステージに圧し付けた。この作業を２０回繰り返し行った後、ＣＯＦを元の状態に戻して、導通抵抗を測定した。結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１より、圧着前位置関係がＺ３であり、かつ圧着後位置関係がＺ２である本発明の接合体は、導通信頼性が良好であることが判った。
　異方性導電フィルムＶ１は、最低溶融粘度が低いため、ブロッキングが発生し易く、はみ出し試験では、１００Ｍ品の評価が「ＮＧ」であった。
　異方性導電フィルムＴ１は厚みが薄いため、また、異方性導電フィルムＶ３は、最低溶融粘度が高いため、異方性導電フィルムＴ１及びＶ３の一端（Ｂ）が、ＣＯＦにおけるソルダーレジスト領域の端部（Ｃ）まで流動する量が少なく、圧着後位置関係がＺ３となり、配線露出部が存在し、ショートが発生した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２より、圧着前位置関係が、Ｚ２、Ｚ３及びＺ６であると、圧着後位置関係がＺ２となり、導通信頼性に優れ、折曲げ試験の結果にも優れることが判った。
　一方、圧着前位置関係が、Ｚ１、Ｚ４、Ｚ５及びＺ７であると、異方性導電フィルムＴ３を用いても、圧着後位置関係が、Ｚ１及びＺ３～Ｚ７のいずれかとなった。
　圧着後位置関係が、Ｚ１、Ｚ３、Ｚ５及びＺ６の場合、ＣＯＦ配線が露出しているため、ショートが発生しただけでなく、折曲げ試験でも強度不足でＣＯＦ配線の断線が発生し、導通不良が発生した。
　また、圧着後位置関係がＺ４である場合、ＣＯＦにおけるソルダーレジスト層が、ＩＴＯコーティングガラス上に存在するため、これが段差となって、圧着時に接続部に充分な圧力が加わらず、導通不良が発生した。
　更に、圧着後位置関係がＺ７である場合、ＣＯＦにおけるソルダーレジスト層に貼り付けられた異方性導電フィルムＴ３には、ヒートツールの熱が加わらないため、完全未硬化状態であり、折曲げ試験にて、配線を補強しきれずに断線が発生し、導通不良となった。
　また、実施例２及び比較例２で得られた接合体について、端子に沿って断面研磨を行い、圧着後の位置関係を確認した。その断面写真を、図５Ａ～図５Ｄに示す。
　なお、図中、Ｓ／Ｒは、ソルダーレジストを表し、ＡＣＦは、異方性導電フィルムを表し、Ｇｌａｓｓは、ＩＴＯコーティングガラスを表す。
　図５Ａ～図５Ｄでは、それぞれ、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ４、及びＺ５の位置関係を示していることが判った。
　本発明の接合体の製造方法は、接続不良の発生を抑制し、導通信頼性に優れ、しかも耐久性が良好な接合体の製造に好適に使用可能である。本発明の接合体は、優れた導通信頼性及び耐久性を有する。
　　１０　　　　基板
　　１２　　　　第一の電極領域
　　２０　　　　異方性導電フィルム
　　３０　　　　配線材
　　３２　　　　配線板
　　３２Ａ　　　レジスト領域
　　３２Ｂ　　　第二の電極領域
　　３４　　　　レジスト層
 
 

Claims (6)

  1. 　異方性導電フィルムを介して、基板と配線材とが接続されてなる接合体の製造方法であって、
    　前記基板上に形成された第一の電極領域上に、前記異方性導電フィルムを、その一端が前記基板の面取部内側端よりも前記基板の外側へ向けて突出した状態、及び前記面取部内側端に位置した状態のいずれかで配置した後、
    　前記配線材上に形成され、かつその一部がレジスト層に被覆されたレジスト領域と、前記レジスト層に被覆されていない第二の電極領域とを有する配線板における、前記第二の電極領域との境界に位置する前記レジスト領域の端部を、前記基板の面取部上に配置する位置決め工程と、
    　前記配線材側から前記異方性導電フィルムを加熱及び加圧し、該異方性導電フィルムを溶融させて前記レジスト領域側へ流動させることにより、前記第二の電極領域を被覆し、前記第一の電極領域と前記第二の電極領域とを電気的に接続する電極接続工程と、
    を少なくとも含むことを特徴とする接合体の製造方法。
  2. 　位置決め工程が、異方性導電フィルムの一端と、第二の電極領域との境界に位置するレジスト領域の端部とに間隙を設け、前記第二の電極領域に配線露出部を形成する請求項１に記載の接合体の製造方法。
  3. 　異方性導電フィルムにおける、基板の面取部内側端からの突出幅が、該異方性導電フィルムの幅の０％～５０％である請求項１から２のいずれかに記載の接合体の製造方法。
  4. 　異方性導電フィルムの最低溶融粘度が、５．０×１０１Ｐａ・ｓ～１．０×１０５Ｐａ・ｓであり、厚みが、第一の電極領域における端子及び第二の電極領域における端子の合計高さの１２０％～４００％である請求項１から３のいずれかに記載の接合体の製造方法。
  5. 　異方性導電フィルムが、絶縁性樹脂を含む絶縁層と、前記絶縁性樹脂及び導電性粒子を含む導電層とを有してなり、
    　前記絶縁層の最低溶融粘度が、５．０×１０１Ｐａ・ｓ～１．０×１０５Ｐａ・ｓであり、前記導電層の最低溶融粘度が、前記絶縁層の最低溶融粘度よりも１０倍以上大きい請求項１から３のいずれかに記載の接合体の製造方法。
  6. 　異方性導電フィルムを介して、基板と配線材とが接続されてなる接合体であって、
    　前記基板上に形成された第一の電極領域上に、前記異方性導電フィルムを、その一端が前記基板の面取部内側端から前記基板の外側へ向けて突出した状態で有し、
    　前記配線材上に形成され、かつその一部がレジスト層に被覆されたレジスト領域と、前記レジスト層に被覆されていない第二の電極領域とを有する配線板における、前記第二の電極領域との境界に位置する前記レジスト領域の端部を、前記基板の面取部上に有し、
    　前記第二の電極領域が前記異方性導電フィルムで被覆されてなることを特徴とする接合体。
PCT/JP2009/071657 2009-03-31 2009-12-25 接合体及びその製造方法 WO2010113367A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020117022571A KR101253642B1 (ko) 2009-03-31 2009-12-25 접합체 및 그 제조 방법
CN2009801585185A CN102379166A (zh) 2009-03-31 2009-12-25 接合体及其制造方法
US13/242,712 US8330052B2 (en) 2009-03-31 2011-09-23 Joined structure and method for producing the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-085577 2009-03-31
JP2009085577A JP5140816B2 (ja) 2009-03-31 2009-03-31 接合体及びその製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US13/242,712 Continuation US8330052B2 (en) 2009-03-31 2011-09-23 Joined structure and method for producing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010113367A1 true WO2010113367A1 (ja) 2010-10-07

Family

ID=42823915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2009/071657 WO2010113367A1 (ja) 2009-03-31 2009-12-25 接合体及びその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8330052B2 (ja)
JP (1) JP5140816B2 (ja)
KR (1) KR101253642B1 (ja)
CN (2) CN105282994B (ja)
TW (1) TWI462205B (ja)
WO (1) WO2010113367A1 (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013206765A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk ダイボンド用導電性ペースト及び該導電性ペーストによるダイボンド方法
JP6177642B2 (ja) * 2013-09-26 2017-08-09 デクセリアルズ株式会社 接続フィルム、接続構造体、接続構造体の製造方法、接続方法
KR102217559B1 (ko) 2014-03-10 2021-02-19 엘지전자 주식회사 세탁기의 제어 장치 및 그의 방법
JP2016178225A (ja) * 2015-03-20 2016-10-06 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接続構造体、異方性導電接続方法、及び異方性導電接着剤
JP7386773B2 (ja) * 2015-03-20 2023-11-27 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接着剤、接続構造体、異方性導電接続方法、及び接続構造体の製造方法
JP6715052B2 (ja) * 2016-03-25 2020-07-01 デクセリアルズ株式会社 接続構造体の製造方法
CN105974695B (zh) * 2016-07-01 2019-05-31 深圳市华星光电技术有限公司 异方性导电胶膜及其贴附方法
CN113534522A (zh) * 2016-12-23 2021-10-22 群创光电股份有限公司 显示设备
KR20190040245A (ko) * 2016-12-28 2019-04-17 가부시키가이샤후지쿠라 배선체 어셈블리, 배선 기판, 및 터치 센서
JP2018133331A (ja) * 2017-02-15 2018-08-23 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接続構造体、異方性導電接続構造体の製造方法、異方性導電フィルム、及び異方性導電ペースト
JP6431572B2 (ja) * 2017-07-12 2018-11-28 デクセリアルズ株式会社 接続フィルム、接続フィルムの製造方法、接続構造体、接続構造体の製造方法及び接続方法
CN111602473A (zh) * 2018-01-15 2020-08-28 Pi-克瑞斯托株式会社 柔性基板、电子器件、电子器件的制造方法
CN108366487A (zh) * 2018-01-30 2018-08-03 业成科技（成都）有限公司 电路板接合结构及电路板接合方法
JP2020034756A (ja) 2018-08-30 2020-03-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102543443B1 (ko) * 2019-03-08 2023-06-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 연성 인쇄 회로 기판의 제조 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001119116A (ja) * 1999-10-15 2001-04-27 Nec Kagoshima Ltd 液晶表示装置の接続構造
JP2007041389A (ja) * 2005-08-04 2007-02-15 Nec Lcd Technologies Ltd 表示装置及びその製造方法
JP2007053331A (ja) * 2005-08-12 2007-03-01 Samsung Electronics Co Ltd テープ配線基板と、それを用いたテープパッケージ及び平板表示装置
WO2007074652A1 (ja) * 2005-12-26 2007-07-05 Hitachi Chemical Company, Ltd. 接着剤組成物、回路接続材料及び回路部材の接続構造
JP2007193275A (ja) * 2006-01-23 2007-08-02 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置及びその製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2657429B2 (ja) * 1990-04-09 1997-09-24 株式会社ミクロ技術研究所 基板の回路実装方法及びその方法に使用する回路基板
JP2710716B2 (ja) * 1991-09-17 1998-02-10 信越ポリマー株式会社 ヒートシールコネクタ
US5428190A (en) * 1993-07-02 1995-06-27 Sheldahl, Inc. Rigid-flex board with anisotropic interconnect and method of manufacture
JP2000002882A (ja) * 1998-06-16 2000-01-07 Toshiba Electronic Engineering Corp 液晶表示装置及びその製造方法
US6449836B1 (en) * 1999-07-30 2002-09-17 Denso Corporation Method for interconnecting printed circuit boards and interconnection structure
JP3792554B2 (ja) 2001-03-26 2006-07-05 シャープ株式会社 表示モジュール及びフレキシブル配線板の接続方法
JP2003066479A (ja) 2001-08-27 2003-03-05 Takatori Corp 液晶パネルへのｔａｂ部品の圧着方法
JP2004266236A (ja) * 2003-01-09 2004-09-24 Sony Chem Corp 基板素片とその基板素片を用いた複合配線板
US7378596B2 (en) * 2003-04-18 2008-05-27 Ibiden Co., Ltd. Rigid-flex wiring board
JP5004654B2 (ja) * 2007-05-16 2012-08-22 パナソニック株式会社 配線基板の接続方法および配線基板構造
JP5311772B2 (ja) * 2007-06-27 2013-10-09 デクセリアルズ株式会社 接着フィルム
US8178789B2 (en) * 2007-07-17 2012-05-15 Ibiden Co., Ltd. Wiring board and method of manufacturing wiring board
JP5186157B2 (ja) * 2007-08-24 2013-04-17 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム及びそれを用いた接続構造体の製造方法
JP2009135388A (ja) * 2007-10-30 2009-06-18 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001119116A (ja) * 1999-10-15 2001-04-27 Nec Kagoshima Ltd 液晶表示装置の接続構造
JP2007041389A (ja) * 2005-08-04 2007-02-15 Nec Lcd Technologies Ltd 表示装置及びその製造方法
JP2007053331A (ja) * 2005-08-12 2007-03-01 Samsung Electronics Co Ltd テープ配線基板と、それを用いたテープパッケージ及び平板表示装置
WO2007074652A1 (ja) * 2005-12-26 2007-07-05 Hitachi Chemical Company, Ltd. 接着剤組成物、回路接続材料及び回路部材の接続構造
JP2007193275A (ja) * 2006-01-23 2007-08-02 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20120055703A1 (en) 2012-03-08
CN105282994A (zh) 2016-01-27
JP2010199527A (ja) 2010-09-09
CN102379166A (zh) 2012-03-14
US8330052B2 (en) 2012-12-11
CN105282994B (zh) 2021-05-11
KR101253642B1 (ko) 2013-04-11
KR20110120355A (ko) 2011-11-03
TW201036078A (en) 2010-10-01
TWI462205B (zh) 2014-11-21
JP5140816B2 (ja) 2013-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5140816B2 (ja) 接合体及びその製造方法
KR101085722B1 (ko) 접속 필름, 및 접합체 및 그 제조 방법
US8247697B2 (en) Anisotropic conductive film, joined structure and method for producing the joined structure
JP5690648B2 (ja) 異方性導電フィルム、接続方法及び接続構造体
JP4079281B2 (ja) 異方導電性組成物
JP5690637B2 (ja) 異方性導電フィルム、接続方法及び接続構造体
TWI826476B (zh) 各向異性導電膜及其製造方法以及連接結構體的製造方法
KR20150023072A (ko) 이방성 도전 필름, 접합체 및 접속 방법
KR102161430B1 (ko) 이방성 도전 필름, 접속 방법, 및 접합체
WO2012137754A1 (ja) 異方性導電フィルム、接合体の製造方法、及び接合体
WO2006017037A1 (en) Connection method of conductive articles, and electric or electronic component with parts connected by the connection method
JP5695881B2 (ja) 電子部品の接続方法及び接続構造体
JP5972564B2 (ja) 接続方法、接続構造体、異方性導電フィルム及びその製造方法
KR100777255B1 (ko) 이방성 도전 필름 및 이를 이용한 전자부품의 실장방법
JP5315031B2 (ja) 異方性導電フィルム、並びに、接合体及びその製造方法
JP6505423B2 (ja) 実装体の製造方法、及び異方性導電フィルム
JP6271048B2 (ja) 異方性導電フィルム、接続方法、及び接合体
WO2014156930A1 (ja) 回路部材の接続方法、及び接合体
WO2022168972A1 (ja) 接続体の製造方法，接続体
JP2011211245A (ja) 接続構造体の製造方法及び接続構造体並びに接続方法
JP4720814B2 (ja) 配線板の接続方法
JP2016177917A (ja) 回路接続材料、及び接続方法
JP2008098303A (ja) 配線板、配線板接続体およびその製造方法
WO2015133211A1 (ja) 接続構造体、接続構造体の製造方法、及び回路接続材料

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200980158518.5

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09842718

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20117022571

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 09842718

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1