WO2010052871A1 - 電子装置の製造方法および電子装置 - Google Patents

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terminal
solder
resin
electronic device
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和布浦徹
二階堂広基
前島研三
石村陽二
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住友ベークライト株式会社
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    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
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    • H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
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    • H01L2924/013—Alloys
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    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
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    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10674—Flip chip
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    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10954—Other details of electrical connections
    • H05K2201/10977—Encapsulated connections
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    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0736—Methods for applying liquids, e.g. spraying
    • H05K2203/074—Features related to the fluid pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1189—Pressing leads, bumps or a die through an insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
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Abstract

第一電子部品の第一の端子と、第二電子部品の第二の端子とを、半田を用いて接合して、該第一電子部品と該第二電子部品とを電気的に接続する電子装置の製造方法であって、該第一の端子と該第二の端子との間に、フラックス作用を有する樹脂層を配置して、前記第一電子部品、前記第二電子部品、前記樹脂層とを含む積層体を得る工程と、該第一の端子と該第二の端子とを、半田接合させる半田接合工程と、加圧流体により前記積層体を加圧しながら、該樹脂層を硬化させる加圧硬化工程と、を行う電子装置の製造方法が提供される。

Description

電子装置の製造方法および電子装置
　本発明は、電子装置の製造方法および電子装置に関する。
　半導体装置は、支持体の端子と被着体の端子とを、例えば、半導体素子の端子と他の半導体素子の端子、半導体素子の端子と基板の端子、又は基板の端子と他の基板の端子とを、半田を用いて接合して、支持体と被着体とを電気的に接続する工程を行うことにより製造される。
　このとき、半田を用いて接合を行った後の支持体と被着体との間には、隙間ができるので、樹脂の硬化物で隙間を埋める必要がある。従来は、半田を用いて接合した後に、支持体と被着体との間の隙間に、流動性の熱硬化性樹脂を流し込み、次いで、樹脂を硬化することにより、支持体と被着体との間の隙間を埋めていた。
　ところが、近年は、以下のような方法が実施されるようになった。
　まず、半田を用いて接合する前に、支持体と被着体との間に、フラックスを含有する樹脂層を配置する。次いで、半田の融点以上の温度で加熱して、半田接合を行う。さらに、樹脂層の硬化を行うことにより、半田接合工程と、支持体と被着体との隙間を埋める。
　例えば、特開平３－１８４６９５号公報（特許文献１）には、エポキシ樹脂を主成分として含有し、有機酸又は有機酸塩及びはんだ粒子を含有する半田ペーストが開示されている。また、特開２００１－３１１００５号公報（特許文献２）には、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ジアリルフタレート系樹脂、およびベンゾシクロブテン系樹脂から選ばれる少なくとも一種の熱硬化性樹脂、及びフラックス成分を含む組成物を、シート状に成形したことを特徴とする熱硬化性樹脂シートが開示されている。
特開平３－１８４６９５号公報（特許請求の範囲） 特開２００１－３１１００５号公報（特許請求の範囲）
　しかしながら、特許文献１～２に示すような従来技術を使用した場合には、硬化後の樹脂層の硬化物中に、空隙（ボイド）が発生するという問題があった。
　本発明によれば、第一電子部品の第一の端子と、第二電子部品の第二の端子とを、半田を用いて接合して、該第一電子部品と該第二電子部品とを電気的に接続する電子装置の製造方法であって、
　該第一の端子と該第二の端子との間に、フラックス作用を有する樹脂層を配置して、前記第一電子部品、前記第二電子部品、前記樹脂層とを含む積層体を得る工程と、
　該第一の端子と該第二の端子とを、半田接合させる半田接合工程と、
　加圧流体により前記積層体を加圧しながら、該樹脂層を硬化させる加圧硬化工程と、
を行う電子装置の製造方法が提供される。
　ここで、本発明では、半田接合工程を実施した後、加圧硬化工程を実施してもよく、また、半田接合工程の前に加圧硬化工程を実施してもよい。さらには、半田接合工程と、加圧硬化工程とを同時に実施してもよい。
　この構成の発明によれば、第一電子部品、第二電子部品、樹脂層とを含む積層体を加圧流体により加圧しているため、樹脂層の硬化物中に空隙が発生し難く接続信頼性の高い電子装置の製造方法を提供することができる。
　本発明によれば、接続信頼性の高い電子装置の製造方法が提供される。
　上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
本発明の第一実施形態の電子装置の製造方法の形態例を示す模式的な断面図である。 本発明の第一実施形態の電子装置の製造方法の形態例を示す模式的な断面図である。 本発明の第一実施形態の電子装置の製造方法の形態例を示す模式的な断面図である。 本発明の第一実施形態の電子装置の製造方法の形態例を示す模式的な断面図である。 本発明の第一実施形態の電子装置の製造方法の形態例を示す模式的な断面図である。 本発明の第一実施形態の電子装置の製造方法の形態例を示す模式的な断面図である。 本発明の第二実施形態の電子装置の製造方法に係る加圧硬化工程及び半田接合工程の形態例を示す模式的な断面図である。 本発明の第二実施形態の電子装置の製造方法に係る加圧硬化工程及び半田接合工程の形態例を示す模式的な断面図である。 本発明の第二実施形態の電子装置の製造方法に係る加圧硬化工程及び半田接合工程の形態例を示す模式的な断面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
（第一実施形態）
　本発明の電子装置の製造方法の概要について説明する。
　本実施形態の電子装置の製造方法は、支持体１（第一電子部品）の第一の端子３と、被着体（第二電子部品）２の第二の端子４とを、半田５を用いて接合して、該支持体１と該被着体２とを電気的に接続する電子部品の製造方法であって、
　該第一の端子３と該第二の端子４との間に、フラックス作用を有する樹脂層６を配置して、前記支持体１、前記被着体２、前記樹脂層６とを含む積層体を得る工程と、
　該第一の端子３と該第二の端子４とを、半田接合させる半田接合工程と、
　加圧流体により前記積層体を加圧しながら、該樹脂層６を硬化させる加圧硬化工程と、
を含む。
　次に、図１～６を参照して、本実施形態の電子装置の製造方法について説明する。
　本実施形態では、半田接合工程を実施した後、加圧硬化工程を実施する。
　図１中、支持体１は、第一の端子３と、半田５を有しており、第一の端子３上には、半田５がメッキされている。また、被着体２は、第二の端子４を有している。そして、後の工程で、第一の端子３と、第二の端子４とが、半田５を用いて接合されることにより、支持体１と被着体２とが電気的に接続される。
　先ず、第一の端子３及び半田５が存在する側の支持体１の表面を、フラックス作用を有する樹脂層６で覆うことにより、第一の端子３と第二の端子４との間に、樹脂層６を配置する（樹脂層配置工程）。
　次いで、図２に示すように、第一の端子３上に第二の端子４が来るように、位置合わせをし、次いで、図３に示すように、第二の端子４を、樹脂層６にめり込ませ、第二の端子４の先端が、半田５に接触するように、支持体１と被着体２の間の距離を調節する（位置合わせ工程）。
　次いで、支持体１、被着体２及び樹脂層６を、半田５の融点以上の温度で加熱することにより、半田５を溶融させつつ、第一の端子３と第二の端子４の距離を短くし、第一の端子３と第二の端子４との間に、接合部を形成させて、半田接合を行う（図４）。このことにより、第一の端子３と第二の端子４とが、半田５により接合される（半田接合工程）。
　次いで、図５に示すように、支持体１、被着体２及び樹脂層６を、加熱オーブン（容器）８中に設置し、加圧流体の導入口９より、加圧流体１０を導入して、加熱オーブン８内を、加圧流体１０で加圧しながら、すなわち、支持体１、被着体２及び樹脂層６からなる積層体を加圧流体１０で加圧しながら、樹脂層６の硬化温度以上の温度で加熱することにより、樹脂層６を硬化させる（加圧硬化工程）。このことにより、図６に示すように、樹脂層は、樹脂層６の硬化物となり、第一の端子３と第二の端子４とが半田５を用いて接合されており、且つ、支持体１と被着体２との間が、樹脂層６の硬化物により埋められたものが得られる。
　なお、前記積層体は、加熱オーブン８内に配置されたヒータにより加熱されることとなる。
　このように、本発明の第一実施形態の電子装置の製造方法は、電子装置の製造方法における支持体１の第一の端子３と、被着体２の第二の端子４とを、半田５を用いて接合して、支持体１と被着体２とを電気的に接続する工程として、樹脂層配置工程と、位置合わせ工程と、半田接合工程と、加圧硬化工程とを順に行う電子装置の製造方法である。
　本発明の第一実施形態の電子装置の製造方法に係る支持体１及び被着体２としては、表１に示す組み合わせが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　支持体１又は被着体２として用いられる基板としては、フレキシブル基板、リジット基板、セラミック基板等が挙げられる。
　本発明の第一実施形態の電子装置の製造方法に係る支持体１は、第一の端子３を有するが、第一の端子３の形状は、特に制限されず、半田接合工程により、半田接合が行える形状であればよく、例えば、凸状のものや、凹状のものが挙げられる。また、第一の端子３材質は、特に制限されず、金、銅、ニッケル、パラジウム、アルミニウムが挙げられる。
　本発明の第一実施形態の電子装置の製造方法に係る被着体２は、第二の端子４を有するが、第二の端子４の形状は、特に制限されず、半田接合工程により、半田接合が行える形状であればよく、例えば、凸状のものや、凹状のものが挙げられる。また、第二の端子の材質は、特に制限されず、金、銅、ニッケル、パラジウム、アルミニウムが挙げられる。
　本発明の第一実施形態の電子装置の製造方法において、第一の端子３と第二の端子４との接合に用いられる半田５としては、特に制限されず、錫、銀、鉛、亜鉛、ビスマス、インジウム及び銅からなる群から選択される少なくとも２種以上を含む合金等が挙げられる。これらのうち、錫、銀、鉛、亜鉛及び銅からなる群から選択される少なくとも２種以上を含む合金が好ましい。本発明の第一実施形態の電子装置の製造方法に係る半田の融点は、１１０～２５０℃、好ましくは１７０～２３０℃である。
　図１～図６に示す形態例では、半田５が、端子にメッキされている半田メッキである旨を示したが、本発明の第一実施形態の電子装置の製造方法では、半田５は、半田ボールや半田ペーストを利用して形成した半田バンプ等であってもよい。
　また、図１～図６に示す形態例では、第一の端子３上に半田５が設けられている形態を示したが、第二の端子４上に半田５が設けられていてもよいし、第一の端子３及び第二の端子４上にそれぞれ半田５が設けられていてもよい。
　また、図１～図６に示す形態例では、第一の端子３及び第二の端子４の数が２個である旨示したが、本発明の第一実施形態の半導体製造装置において、第一の端子３及び第二の端子４の数は、特に制限されない。
　本発明の第一実施形態の電子装置の製造方法に係る樹脂層配置工程は、半田５を用いて接合される第一の端子３と第二の端子４との間に、フラックス作用を有する樹脂層６を配置する工程である。
　樹脂層配置工程に係るフラックス作用を有する樹脂層６は、特に制限されず、半導体装置の製造において、支持体１と被着体２との隙間を埋めるために用いられる熱硬化性の樹脂組成物により形成されている。
　樹脂層配置工程に係るフラックス作用を有する樹脂層６の１００～２００℃における最低溶融粘度は、好ましくは１～１００００Ｐａ・ｓ、特に好ましくは１～１０００Ｐａ・ｓ、さらに特に好ましくは１～５００Ｐａ・ｓである。フラックス作用を有する樹脂層６の１００～２００℃における最低溶融粘度が１Ｐａ・ｓ以上であることで、樹脂層６中でのボイドの発生自体を抑制できる。
　一方で、フラックス作用を有する樹脂層６の１００～２００℃における最低溶融粘度が１００００Ｐａ・ｓ以下であることで、樹脂層６を構成する樹脂組成物が流動し、樹脂層６中で発生したボイドを埋めることができる。これにより、樹脂層６の硬化物中でのボイドの発生を抑制できる。
　最低溶融粘度は、例えば、粘弾性測定装置であるレオメーターを用いて、フィルム状態のサンプルに１０℃／分の昇温速度で、周波数１Ｈｚのずり剪断を与えて測定される。
　樹脂層配置工程に係るフラックス作用を有する樹脂層６は、半田接合の際に、半田５の表面の酸化被膜を除去する作用を有する樹脂層である。樹脂層６が、フラックス作用を有することにより、半田接合工程において、半田５の表面を覆っている酸化被膜が除去されるので、半田接合を行うことができる。樹脂層６がフラックス作用を有するためには、樹脂層６が、フラックス作用を有する化合物を含有する必要がある。樹脂層６に含有されるフラックス作用を有する化合物としては、半田接合に用いられるものであれば、特に制限されないが、カルボキシル基又はフェノール性水酸基のいずれか、あるいは、カルボキシル基及びフェノール性水酸基の両方を備える化合物が好ましい。
　樹脂層６中のフラックス作用を有する化合物の配合量は、１～３０重量％が好ましく、３～２０重量％が特に好ましい。樹脂層６中のフラックス作用を有する化合物の配合量が、上記範囲であることにより、樹脂層６のフラックス活性を向上させることができるとともに、樹脂層６中に、熱硬化性樹脂と未反応のフラックス作用を有する化合物が残存するのが防止される。なお、未反応のフラックス作用を有する化合物が残存すると、マイグレーションが発生する。
　また、熱硬化性樹脂の硬化剤として作用する化合物の中には、フラックス作用も有する化合物がある（以下、このような化合物を、フラックス活性硬化剤とも記載する。）。例えば、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、脂肪族ジカルボン酸、芳香族ジカルボン酸等は、フラックス作用も有している。本発明では、このような、フラックスとしても作用し、熱硬化性樹脂の硬化剤としても作用するようなフラックス活性硬化剤を、熱硬化性樹脂の硬化剤として含有する樹脂層６は、フラックス作用を有する樹脂層である。
　なお、カルボキシル基を備えるフラックス作用を有する化合物とは、分子中にカルボキシル基が１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。また、フェノール性水酸基を備えるフラックス作用を有する化合物とは、分子中にフェノール性水酸基が１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。また、カルボキシル基及びフェノール性水酸基を備えるフラックス作用を有する化合物とは、分子中にカルボキシル基及びフェノール性水酸基がそれぞれ１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。
　これらのうち、カルボキシル基を備えるフラックス作用を有する化合物としては、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。
　カルボキシル基を備えるフラックス作用を有する化合物に係る脂肪族酸無水物としては、無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物ポリセバシン酸無水物等が挙げられる。
　カルボキシル基を備えるフラックス作用を有する化合物に係る脂環式酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。
　カルボキシル基を備えるフラックス作用を有する化合物に係る芳香族酸無水物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテート等が挙げられる。
　カルボキシル基を備えるフラックス作用を有する化合物に係る脂肪族カルボン酸としては、下記一般式（１）で示される化合物や、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸等が挙げられる。
　　　ＨＯＯＣ－（ＣＨ２）ｎ－ＣＯＯＨ　　　（１）
（式（１）中、ｎは、０以上２０以下の整数を表す。）
　カルボキシル基を備えるフラックス作用を有する化合物に係る芳香族カルボン酸としては、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレーニト酸、ピロメリット酸、メリット酸、トリイル酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、サリチル酸、２，３－ジヒドロキシ安息香酸、２，４－ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５－ジヒドロキシ安息香酸）、２，６－ジヒドロキシ安息香酸、３，５－ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸（３，４，５－トリヒドロキシ安息香酸）、１，４－ジヒドロキシ－２－ナフトエ酸、３，５－ジヒドロキシ－２－ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられる。
　これらのカルボキシル基を備えるフラックス作用を有する化合物のうち、フラックス作用を有する化合物が有する活性度、樹脂層の硬化時におけるアウトガスの発生量、及び硬化後の樹脂層の弾性率やガラス転移温度等のバランスが良い点で、前記一般式（１）で示される化合物が好ましい。そして、前記一般式（１）で示される化合物のうち、式（１）中のｎが３～１０である化合物が、硬化後の樹脂層における弾性率が増加するのを抑制することができるとともに、支持体１と被着体２の接着性を向上させることができる点で、特に好ましい。
　前記一般式（１）で示される化合物のうち、式（１）中のｎが３～１０である化合物としては、例えば、ｎ＝３のグルタル酸（ＨＯＯＣ－（ＣＨ２）３－ＣＯＯＨ）、ｎ＝４のアジピン酸（ＨＯＯＣ－（ＣＨ２）４－ＣＯＯＨ）、ｎ＝５のピメリン酸（ＨＯＯＣ－（ＣＨ２）５－ＣＯＯＨ）、ｎ＝８のセバシン酸（ＨＯＯＣ－（ＣＨ２）８－ＣＯＯＨ）及びｎ＝１０のＨＯＯＣ－（ＣＨ２）１０－ＣＯＯＨ等が挙げられる。
　フェノール性水酸基を備えるフラックス作用を有する化合物としては、フェノール類が挙げられ、具体的には、例えば、フェノール、ｏ－クレゾール、２，６－キシレノール、ｐ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｏ－エチルフェノール、２，４－キシレノール、２，５キシレノール、ｍ－エチルフェノール、２，３－キシレノール、メジトール、３，５－キシレノール、ｐ－ターシャリブチルフェノール、カテコール、ｐ－ターシャリアミルフェノール、レゾルシノール、ｐ－オクチルフェノール、ｐ－フェニルフェノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＦ、ビフェノール、ジアリルビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＡ、トリスフェノール、テトラキスフェノール等のフェノール性水酸基を含有するモノマー類、フェノールノボラック樹脂、ｏ－クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＦノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等が挙げられる。
　上述したようなカルボキシル基又はフェノール性水酸基のいずれか、あるいは、カルボキシル基及びフェノール性水酸基の両方を備える化合物は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂との反応で三次元的に取り込まれる。
　そのため、硬化後のエポキシ樹脂の三次元的なネットワークの形成を向上させるという観点からは、フラックス作用を有する化合物としては、フラックス作用を有し且つエポキシ樹脂の硬化剤として作用する化合物、すなわち、フラックス活性硬化剤が好ましい。フラックス活性硬化剤としては、例えば、１分子中に、エポキシ樹脂に付加することができる２つ以上のフェノール性水酸基と、フラックス作用（還元作用）を示す芳香族に直接結合した１つ以上のカルボキシル基とを備える化合物が挙げられる。このようなフラックス活性硬化剤としては、２，３－ジヒドロキシ安息香酸、２，４－ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５－ジヒドロキシ安息香酸）、２，６－ジヒドロキシ安息香酸、３，４－ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５－トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体；１，４－ジヒドロキシ－２－ナフトエ酸、３，５－ジヒドロキシ－２－ナフトエ酸、３，７－ジヒドロキシ－２－ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体；フェノールフタリン；及びジフェノール酸等が挙げられ、これらは１種単独又は２種以上を組み合わせでもよい。
　なかでも、接続信頼性および樹脂層６を膜状に成形する際の膜成形性の観点から、フェノールフタリンが好ましい。
　また、フラックス作用を有する樹脂層６中、フラックス活性硬化剤の配合量は、１～３０重量％が好ましく、３～２０重量％が特に好ましい。樹脂層中のフラックス活性硬化剤の配合量が、上記範囲であることにより、樹脂層６のフラックス活性を向上させることができるとともに、樹脂層６中に、熱硬化性樹脂と未反応のフラックス活性硬化剤が残存するのが防止される。なお、未反応のフラックス活性硬化剤が残存すると、マイグレーションが発生する可能性がある。
　フラックス作用を有する樹脂層６の厚みは、半田接合工程を行った後の支持体１と被着体２との距離により、適宜選択される。
　図１～図６に示す形態例では、樹脂層６で、支持体１の表面を覆うことにより、第一の端子３と第二の端子４との間に樹脂層６を配置する旨を示したが、本発明の第一実施形態の電子装置の製造方法では、樹脂層６で、被着体２の表面を覆うことにより、第一の端子３と第二の端子４との間に樹脂層６を配置してもよい。
　樹脂層配置工程において、第一の端子３と第二の端子４との間にフラックス作用を有する樹脂層６を配置する方法としては、例えば、
１．フラックス作用を有する化合物を含有する樹脂組成物をフィルム状に成形した樹脂フィルムを用意し、この樹脂フィルムを、支持体１又は被着体２にラミネートする方法、
２．フラックス作用を有する化合物を含有する液状の樹脂組成物を用意し、この液状の樹脂組成物を、支持体１又は被着体２の表面に塗布する方法、
３．フラックス作用を有する化合物を含有する樹脂組成物が溶剤に溶解又は分散されている樹脂ワニスを用意し、この樹脂ワニスを、支持体１又は被着体２の表面に塗布し、次いで、樹脂ワニス中の溶剤を揮発させる方法、
が挙げられる。なお、方法２に係る液状の樹脂組成物は、溶剤を含有しない。
　本発明の第一実施形態の電子装置の製造方法に係る位置合わせ工程は、半田５を用いて接合される第一の端子３と第二の端子４との平面方向（図２では、左右方向及び紙面の表裏方向）の位置を合わせる工程である。
　図１～図６に示す形態例では、第一の端子３上に第二の端子４が来るように、位置合わせをした後、第二の端子４を、樹脂層６にめり込ませ、第二の端子４の先端が、半田５に接触するように、支持体１と被着体２の間の距離を調節する旨を示したが、本発明の第一実施形態の電子装置の製造方法に係る位置合わせ工程では、接合されるべき第一の端子と第二の端子との平面方向の位置関係を合わせばよいので、必ずしも第一の端子と第二の端子とが接触している必要はなく、第一の端子と第二の端子とが離れていてもよい。
　本発明の第一実施形態の電子装置の製造方法に係る位置合わせ工程において、位置合わせをした後、第二の端子４を、樹脂層６にめり込ませる場合は、支持体１、被着体２及び樹脂層６を、５０～１５０℃で加熱しながら、第二の端子４を、樹脂層６にめり込ませることもできる。
　本発明の第一実施形態の電子装置の製造方法に係る半田接合工程は、
（１－Ｉ）第二の端子４が半田５に接触しない状態で、支持体１、被着体２及び樹脂層６を、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度で加熱する。そして、第一の端子３と第二の端子４の距離を短くすることにより、半田５を用いて第一の端子３と第二の端子４とを半田接合する工程
又は
（１－ＩＩ）あらかじめ、第一の端子３と第二の端子４とを半田５を介して接触させて、支持体１、被着体２及び樹脂層６を、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度で加熱することにより、半田５を用いて第一の端子３と第二の端子４とを半田接合する工程
である。
（１－ＩＩ）では、第一の端子３と第二の端子４とが接触した状態から、第一の端子３と第二の端子４と間の距離がさらに短くなるようにプレス板等で支持体１、被着体２及び樹脂層６を加圧してもよい。
　半田接合工程において、支持体１、被着体２及び樹脂層６の加熱温度は、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度であればよく、半田５及び端子３，４を構成する金属により、適宜選択されるが、通常、１１０～２５０℃、好ましくは１７０～２３０℃である。半田接合工程において、支持体１、被着体２及び樹脂層６を含む積層体の加熱時間は、半田５の種類により、適宜選択されるが、通常、１～１２０秒、好ましくは１～３０秒である。
　なお、半田５及び端子３，４を構成する金属の組み合わせによっては、半田５の融点より低い温度であっても、端子を構成する金属が、半田へ拡散し、合金を形成するので、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる。そこで、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度、及び半田５及び端子３，４を構成する金属の組み合わせについて述べる。
（ａ）第一の端子３及び第二の端子４のそれぞれ上に半田５が設けられている場合、半田５が溶融することにより、半田接合されるので、半田５及び端子３，４を構成する金属の種類に関わらず、半田接合を行うためには、支持体１、被着体２及び樹脂層６を半田の融点以上の温度に加熱しなければならない。そのため、（ａ）の場合、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度とは、半田の融点以上の温度を指す。
（ｂ）第一の端子３及び第二の端子４のうち、いずれか一方上にのみ半田５が設けられており、他方上には半田５が設けられていない場合であって、且つ、半田の融点以上の温度でないと、半田５が設けられていない方の端子を構成する金属が、半田と合金を形成しない場合、半田接合するためには、支持体１、被着体２及び樹脂層６を半田５の融点以上の温度に加熱しなければならない。そのため、（ｂ）の場合、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度とは、半田５の融点以上の温度を指す。（ｂ）の場合の具体例としては、半田として錫９６．５／銀３．５半田（融点２２１℃）がメッキされている銅製の第一の端子と、半田がメッキされていない銅製の第二の端子とを接合する場合、錫９６．５／銀３．５半田と銅は、錫９６．５／銀３．５半田の融点以上の温度でないと、錫９６．５／銀３．５半田と銅の合金を形成しないので、錫９６．５／銀３．５半田の融点以上の温度が、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度である。
（ｃ）第一の端子３及び第二の端子４のうちいずれか一方上にのみ半田５が設けられており、他方上には半田５が設けられていない場合であって、半田５の融点より低い温度で、半田５が設けられていない方の端子を構成する金属が、半田に拡散して半田と合金を形成する場合、支持体１、被着体２及び樹脂層６の加熱温度が、半田５の融点より低い温度であっても、半田接合が可能になる。そのため、（ｃ）の場合、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度とは、半田５が設けられていない側の端子を構成する金属が、半田に拡散して、半田と合金を形成する温度以上の温度を指す。（ｃ）の場合の具体例としては、半田として錫９６．５／銀３．５半田（融点２２１℃）がメッキされている銅製の第一の端子と、半田がメッキされていない金製の第二の端子とを接合する場合、金は、錫９６．５／銀３．５の融点より低い温度でも、錫９６．５／銀３．５半田中に拡散して、金と錫９６．５／銀３．５半田の合金を形成するので、金が錫９６．５／銀３．５半田に拡散して金と錫９６．５／銀３．５半田の合金の形成が起こる温度以上の温度が、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度である。そして、半田として錫９６．５／銀３．５半田がメッキされている銅製の第一の端子３と、半田がメッキされていない金製の第二の端子４とを接合する場合、２５℃程度以上であれば、金の半田５への拡散が起こり、半田接合が可能になるが、接合時間を考慮すると、半田接合の際の支持体１、被着体２及び樹脂層６の加熱温度は、１１０～２５０℃が好ましい。
　半田接合工程では、半田５及び端子３，４を構成する金属の組み合わせが上記（ａ）又は（ｂ）の場合、（１－Ｉ）支持体１、被着体２及び樹脂層６を、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度、つまり、半田の融点以上の温度で加熱しつつ、第一の端子３と第二の端子４の距離を短くする。この場合、支持体１と被着体２との距離を短くすることにより、第一の端子３と第二の端子４の距離を短くするが、支持体１と被着体２との間には、硬化前の樹脂層６があるため、樹脂層６を上下方向から圧縮しながら、支持体１と被着体２との距離を短くして、第一の端子３と第二の端子４の距離を短くすることになる。このときの樹脂層６を圧縮する際の圧縮圧力は、０．０１～１０ＭＰａ、好ましくは０．０５～５ＭＰａである。なお、樹脂層６を圧縮する際の圧縮圧力は、圧縮される部分の樹脂層６の単位面積当たりの荷重である。
　また、半田接合工程では、半田及び端子を構成する金属の組み合わせが上記（ｃ）の場合、位置合わせ工程で、第一の端子３と第二の端子４とを半田５を介して接触させておけば、（１－ＩＩ）支持体１、被着体２及び樹脂層６を、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度で加熱することで、半田を有しない方の端子を構成する金属が、半田中に拡散して合金を形成するので、第一の端子３と第二の端子４の距離を短くしなくても、半田接続が可能となる。例えば、樹脂層６の圧縮を行わないような半田リフロー装置で、加熱することにより、半田接合を行うことができる。なお、半田接合工程では、半田と端子を構成する金属の組み合わせが上記（ｃ）の場合に、（１－Ｉ）支持体１、被着体２及び樹脂層６を、半田５の融点以上の温度で加熱しつつ、第一の端子３と第二の端子４の距離を短くすることにより、半田接合を行うこともできる。そして、半田と端子を構成する金属の組み合わせが上記（ｃ）の場合、半田接合工程で、（１－ＩＩ）の方法で半田接合を行うことにより、支持体のひずみを生じ難くできるので、硬化物中に空隙（ボイド）が発生し難くなり、また、（１－Ｉ）の方法で半田接合を行うことにより、半田接合をより確実に行うことができる。そのため、半田及び端子を構成する金属の組み合わせが上記（ｃ）の場合、半田接合工程では、適宜、半田接合の方法を選択することができる。
　なお、半田接合工程での加熱温度が、樹脂層６の硬化温度より高いと、半田接合工程でも、樹脂層６の一部が硬化する。
　本発明の第一実施形態の電子装置の製造方法に係る加圧硬化工程は、加圧流体により支持体１、被着体２及び樹脂層６を含む積層体を加圧しながら、支持体１、被着体２及び樹脂層６を含む積層体を、樹脂層６の硬化温度以上の温度で加熱して、樹脂層６を硬化する工程である。
　ここで、支持体１、被着体２及び樹脂層６を含む積層体の雰囲気の圧力が、大気圧より加圧力分だけ高くなるので、支持体１、被着体２及び樹脂層６を含む積層体は、加圧流体により、少なくとも、積層体の上面側、両側面側から均等に直接、加圧されることとなる。
　加圧硬化工程に係る加圧流体とは、前記積層体を加圧するために用いられる流体の意味であり、特に制限されないが、例えば、窒素ガス、アルゴンガス、空気等の気体が好ましく、安価な点で、空気が特に好ましい。また、加圧硬化工程に係る加圧流体として、液体を用いることもできる。
　加圧硬化工程において、加圧流体で支持体１、被着体２及び樹脂層６を含む積層体を加圧する際の加圧力、すなわち、図５に示す加熱オーブン内の圧力は、０．１～１０ＭＰａ、好ましくは０．５～５ＭＰａである。加圧硬化工程において、加圧流体で支持体１、被着体２及び樹脂層６を含む積層体を加圧する際の加圧力が０．１ＭＰａ以上であることで、樹脂層６中にボイドが発生しても、加圧によりボイドをつぶして樹脂層６により埋めることができ、樹脂層６の硬化物中に空隙（ボイド）が発生し難くなる。また、樹脂層６中にボイドが発生すること自体も抑制することができる。
　一方、支持体１、被着体２及び樹脂層６を含む積層体を加圧する際の加圧力を１０ＭＰａ以下とすることで、積層体を加圧する装置、たとえば図５に示す加熱オーブンの大型化、複雑化を防止できる。
　なお、本明細書において、加圧流体で加圧するとは、支持体１、被着体２及び樹脂層６を含む積層体の雰囲気の圧力を、大気圧より加圧力分だけ高くすることを指す。
　すなわち、加圧力１０ＭＰａとは、大気圧よりも、積層体にかかる圧力が１０ＭＰａ大きいことを示す。
　加圧硬化工程において、支持体１、被着体２及び樹脂層６を含む積層体の加熱温度は、樹脂層６の硬化温度以上の温度であればよく、適宜選択されるが、通常１００～２５０℃、好ましくは１５０～２００℃である。加圧硬化工程において、支持体１、被着体２及び樹脂層６を含む積層体の加熱時間は、樹脂層６の種類により、適宜選択されるが、通常、０．５～３時間、好ましくは１～２時間である。
　加圧硬化工程において、加圧流体により加圧しながら、樹脂層６を硬化させる方法としては、例えば、圧力容器内に、加熱する処理対象物（加圧硬化工程では、支持体１、被着体２及び樹脂層６を含む積層体）を設置し、次いで、圧力容器（容器）内に、加圧流体を導入して圧力容器内の内圧を大気圧よりも高くし、積層体を加圧流体で加圧しながら、処理対象物を加熱する方法、更に、具体的には、加熱オーブン中に、処理対象物を設置し、加熱オーブン内に加圧用のガスを導入して、加熱オーブン内の内圧を大気圧よりも高くし、積層体をガスで加圧しながら、加熱オーブンで処理対象物を加熱する方法が挙げられる。
　加圧硬化工程を行い得られる樹脂層６の硬化物の硬化率は、好ましくは８０％以上、特に好ましくは９０～１００％である。加圧硬化工程を行い得られる樹脂層６の硬化物の硬化率は、半田接合工程及び加圧硬化工程での加熱温度及び加熱時間を、適宜選択することにより、調節される。なお、本発明の第一実施形態の電子装置の製造方法において、加圧硬化工程を行い得られる樹脂層６の硬化物の硬化率は、以下の手順により求められる。
（ｉ）加熱処理を行っていない樹脂層６（つまり、樹脂層配置工程で、第一の端子３と第二の端子４に配置される樹脂層）を、示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用いて、測定温度範囲２５～３００℃、昇温速度：１０℃／分の測定条件で加熱し、その時の発熱量Ａ１を測定する。（ｉｉ）半田接合工程及び加圧硬化工程と同じ熱履歴（加熱温度、加熱時間）を加えた樹脂層６を用意し、それを同様の測定方法にて加熱し、その時の発熱量Ｂ１を測定する。
（ｉｉｉ）硬化率Ｃ１（％）を、下記式（２）により算出する。
　　　Ｃ１（％）＝｛（Ａ１－Ｂ１）／Ａ１｝×１００ 　　　（２）
（第二実施形態）
　次に、本発明の第二実施形態の電子部品の製造方法について説明する。
　本発明の第二実施形態の電子装置の製造方法は、支持体１の第一の端子３と、被着体２の第二の端子４とを、半田５を用いて接合して、該支持体１と該被着体２とを電気的に接続する電子装置の製造方法であって、
　接合される該第一の端子３と該第二の端子４との間に、フラックス作用を有する樹脂層６を配置する樹脂層配置工程と、
　接合される該第一の端子３と該第二の端子４との位置合わせを行う位置合わせ工程と、
　加圧流体により加圧しながら、該樹脂層６を硬化させる加圧硬化工程と、
　該第一の端子３と該第二の端子４とを、半田接合させる半田接合工程と、
を順に行う電子装置の製造方法である。
　本発明の第二実施形態の電子装置の製造方法に係る支持体１、第一の端子３、被着体２、第二の端子４、半田５、フラックス作用を有する樹脂層６、樹脂層配置工程及び位置合わせ工程は、本発明の第一実施形態の電子装置の製造方法に係る支持体１、第一の端子３、被着体２、第二の端子４、半田５、フラックス作用を有する樹脂層６、樹脂層配置工程及び位置合わせ工程と同様なので、説明を省略し、以下では、本発明の第二実施形態の電子装置の製造方法に係る加圧硬化工程及び半田接合工程について、図７～図９を参照して説明する。図７～図９は、本発明の第二実施形態の電子装置の製造方法に係る加圧硬化工程及び半田接合工程の形態例を示す模式的な断面図である。
　図７に示すように、樹脂層配置工程及び位置合わせ工程を行った後の支持体１、被着体２及び樹脂層６を、加熱オーブン８内に設置し、加圧流体の導入口９より、加圧流体１０を導入して、加熱オーブン８内を、加圧流体１０で加圧し、支持体１、被着体２及び樹脂層６を、樹脂層６の硬化温度以上の温度で加熱することにより、樹脂層６を硬化させる（加圧硬化工程）。このことにより、樹脂層６は硬化して、樹脂層の硬化物となる（図８）。
　次いで、図９に示すように、支持体１、被着体２及び樹脂層６の硬化物を、半田５の融点以上の温度で加熱しつつ、第一の端子３と第二の端子４の距離を短くし、第一の端子３と第二の端子４との間に、接合部を形成させて、半田接合を行う。このことにより、第一の端子３と第二の端子４とが、半田により接合される（半田接合工程）。そして、半田接合工程では、樹脂層６の硬化物は、半田５の融点以上の温度で加熱されることになるので、硬化率又は加熱温度によっては更に硬化される。
　このように、本発明の第二実施形態の電子装置の製造方法は、電子装置の製造方法における支持体１の第一の端子３と、被着体２の第二の端子４とを、半田５を用いて接合して、支持体１と被着体２とを電気的に接続する工程として、樹脂層配置工程と、位置合わせ工程と、加圧硬化工程と、半田接合工程とを順に行う電子装置の製造方法である。
　本発明の第二実施形態の電子装置の製造方法に係る加圧硬化工程は、加圧流体により加圧しながら、支持体１、被着体２及び樹脂層６を、樹脂層６の硬化温度以上の温度で加熱して、樹脂層６の全部又は一部を硬化させて、樹脂層６の硬化を行う工程である。
　加圧硬化工程を行い得られる樹脂層６の硬化物の硬化率は、半田接合工程での加熱温度及び加熱時間により、あるいは、半田接合工程の後に、後述する非加圧硬化工程を行うか否かにより、適宜選択される。半田接合工程の後に、後述する非加圧硬化工程を行う場合、加圧硬化工程を行い得られる樹脂層６の硬化物の硬化率は、好ましくは１～９０％、特に好ましくは５～６０％、更に好ましくは１０～５０％である。また、半田接合工程の後に、後述する非加圧硬化工程を行わない場合、加圧硬化工程を行い得られる樹脂層６の硬化物の硬化率は、好ましくは８０％以上、特に好ましくは９０～１００％である。そして、加圧硬化工程では、支持体１、被着体２及び樹脂層６の加熱温度及び加熱時間を、適宜選択することにより、加圧硬化工程を行い得られる樹脂層６の硬化物の硬化率を調節することができる。なお、本発明の第二実施形態の電子装置の製造方法において、加圧硬化工程を行い得られる樹脂層６の硬化物の硬化率は、以下の手順により求められる。
（ｉ）加熱処理を行っていない樹脂層６（つまり、樹脂層配置工程で、第一の端子３と第二の端子４との間に配置される樹脂層６）を、示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用いて、測定温度範囲２５～３００℃、昇温速度：１０℃／分の測定条件で加熱し、その時の発熱量Ａ２を測定する。（ｉｉ）加圧硬化工程と同じ熱履歴（加熱温度、加熱時間）を加えた樹脂層６を用意し、それを同様の測定方法にて加熱し、その時の発熱量Ｂ２を測定する。（ｉｉｉ）硬化率Ｃ２（％）を、下記式（３）により算出する。
　Ｃ２（％）＝｛（Ａ２－Ｂ２）／Ａ２｝×１００ 　　　（３）
　加圧硬化工程において、支持体１、被着体２及び樹脂層６の加熱温度及び加熱時間は、上記のように、樹脂層６の硬化物の硬化率をどの程度にするかにより、適宜選択されるが、加熱温度は、樹脂層６の硬化温度以上の温度であればよく、通常、１００～２５０℃、好ましくは１５０～２００℃であり、加熱時間は、通常、０．５～１８０分、好ましくは０．５～６０分、特に好ましくは１～３０分である。
　加圧硬化工程に係る加圧流体は、第一実施形態の加圧硬化工程に係る加圧流体と同様である。
　加圧硬化工程において、加圧流体で支持体１、被着体２及び樹脂層６を含む積層体を加圧する際の加圧力は、０．１～１０ＭＰａ、好ましくは０．５～５ＭＰａである。加圧硬化工程において、加圧流体で支持体１、被着体２及び樹脂層６を含む積層体を加圧する際の加圧力を０．１ＭＰａ以上とすることで、樹脂層６中にボイドが発生しても、加圧によりボイドをつぶして樹脂層６により埋めることができ、樹脂層６の硬化物中に空隙（ボイド）が発生し難くなる。また、樹脂層６中にボイドが発生すること自体も抑制することができる。
一方、加圧流体で支持体１、被着体２及び樹脂層６を含む積層体を加圧する際の加圧力を１０ＭＰａ以下とすることで、積層体を加圧する装置、たとえば図５に示す加熱オーブンの大型化、複雑化を防止できる。
　加圧硬化工程において、加圧流体により加圧しながら、樹脂層６を硬化する方法は、第一実施形態の加圧硬化工程において、加圧流体により加圧しながら、樹脂層６を硬化する方法と同様である。
　本発明の第二実施形態の電子装置の製造方法に係る半田接合工程は、
（２－Ｉ）第二の端子４が半田５に接触しない状態で支持体１、被着体２及び加圧硬化工程で硬化された樹脂層６の硬化物を含む積層体を、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度で加熱しつつ、第一の端子３と第二の端子４の距離を短くすることにより、半田５を用いて第一の端子３と第二の端子４とを半田接合する工程である。
又は
（２－ＩＩ）第一の端子３と第二の端子４とを半田５を介して接触させて、支持体１、被着体２及び加圧硬化工程で硬化された樹脂層６の硬化物を含む積層体を、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度で加熱することにより、半田５を用いて第一の端子３と第二の端子４とを半田接合する工程である。
（２－ＩＩ）では、第一の端子３と第二の端子４とが接触した状態から、第一の端子３と第二の端子４と間の距離がさらに短くなるようにプレス板等で支持体１、被着体２及び樹脂層６を加圧してもよい。
　なお、以下では、半田接合工程において、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度、及び半田５及び端子を構成する金属の組み合わせ（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、第一実施形態の半田接合工程の説明と同様である。
　半田接合工程において、支持体１、被着体２及び加圧硬化工程により硬化された樹脂層６の硬化物の加熱温度は、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度であり、且つ、半田接合工程後の樹脂層６の硬化物の硬化率が目的値以上になる範囲で、適宜選択されるが、通常、１１０～２５０℃、好ましくは１７０～２３０℃である。半田接合工程において、支持体１、被着体２及び加圧硬化工程により硬化された樹脂層６の硬化物の加熱時間は、半田５の種類及び半田接合工程を行い得られる樹脂層６の硬化物の硬化率が目的値以上になる範囲で、適宜選択されるが、通常、１秒～２０分、好ましくは６０秒～１５分である。
　半田接合工程では、半田５及び端子を構成する金属の組み合わせが上記（ａ）又は（ｂ）の場合、（２－Ｉ）支持体１、被着体２及び加圧硬化工程で硬化された樹脂層６の硬化物を、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度、つまり、半田の融点以上の温度で加熱しつつ、第一の端子３と第二の端子４の距離を短くする。この場合、支持体１と被着体２との距離を短くすることにより、第一の端子３と第二の端子４の距離を短くするが、支持体１と被着体２との間には、加圧硬化工程により硬化された樹脂層６の硬化物があるため、加圧硬化工程により硬化された樹脂層６の硬化物を上下方向から圧縮しながら、支持体１と被着体２との距離を短くして、第一の端子３と第二の端子４の距離を短くすることになる。このときの加圧硬化工程により硬化された樹脂層６の硬化物を圧縮する際の圧縮圧力は、０．０１～１０ＭＰａ、好ましくは０．０５～５ＭＰａである。なお、樹脂層６を圧縮する際の圧縮圧力は、圧縮させる部分の樹脂層６の単位面積当たりの荷重である。
　また、半田接合工程では、半田５と端子を構成する金属の組み合わせが上記（ｃ）の場合、位置合わせ工程で、第一の端子３と第二の端子４とを半田５を介して接触させておけば、（２－ＩＩ）支持体１、被着体２及び加圧硬化工程で硬化された樹脂層６の硬化物を、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度で加熱することで、半田５を有しない方の端子を構成する金属が、半田５中に拡散して合金を形成するので、第一の端子３と第二の端子４の距離を短くしなくても、半田接続が可能となる。例えば、樹脂層６の硬化物の圧縮を行わないような半田リフロー装置で、加熱することにより、半田接合を行うことができる。なお、半田接合工程では、半田５と端子を構成する金属の組み合わせが上記（ｃ）の場合に、（２－Ｉ）支持体１、被着体２及び加圧硬化工程で硬化された樹脂層６の硬化物を、半田５の融点以上の温度で加熱しつつ、第一の端子３と第二の端子４の距離を短くすることにより、半田接合を行うこともできる。そして、半田５及び端子を構成する金属の組み合わせが上記（ｃ）の場合、半田接合工程で、（２－ＩＩ）の方法で半田接合を行うことにより、支持体１のひずみが生じ難くなるので、硬化物中に空隙（ボイド）が発生し難くなり、また、（２－Ｉ）の方法で半田接合を行うことにより、半田接合をより確実に行うことができる。そのため、半田５及び端子を構成する金属の組み合わせが上記（ｃ）の場合、半田接合工程では、適宜、半田接合方法を選択することができる。
　半田接合工程を行い得られる樹脂層６の硬化物の硬化率は、好ましくは３０％以上、特に好ましくは６０％以上である。なお、本発明の第二実施形態の電子装置の製造方法において、半田接合工程を行い得られる樹脂層６の硬化物の硬化率は、以下の手順により求められる。
（ｉ）加熱処理を行っていない樹脂層６（つまり、樹脂層配置工程で、第一の端子３と第二の端子４に配置される樹脂層６）を、示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用いて、測定温度範囲２５～３００℃、昇温速度：１０℃／分の測定条件で加熱し、その時の発熱量Ａ３を測定する。
（ｉｉ）加圧硬化工程及び半田接合工程と同じ熱履歴（加熱温度、加熱時間）を加えた樹脂層６を用意し、それを同様の測定方法にて加熱し、その時の発熱量Ｂ３を測定する。（ｉｉｉ）硬化率Ｃ３（％）を、下記式（４）により算出する。
　　　Ｃ３（％）＝｛（Ａ３－Ｂ３）／Ａ３｝×１００ 　　　（４）
　本発明の第二実施形態の電子装置の製造方法では、必要に応じて半田接合工程の後に、半田接合工程を行い得られる樹脂層６の硬化物中の未硬化分を、大気圧雰囲気下等の非加圧雰囲気下で加熱することにより硬化させて、樹脂層６の硬化物の硬化率を高くする非加圧硬化工程を行うことができ、好ましくは樹脂層６の硬化物の硬化率を９０％以上とすることができる。
（第三実施形態）
　本発明の第三実施形態の電子装置の製造方法は、支持体１の第一の端子３と、被着体２の第二の端子４とを、半田５を用いて接合して、該支持体１と該被着体２とを電気的に接続する電子装置の製造方法であって、
　接合される該第一の端子３と該第二の端子４との間に、フラックス作用を有する樹脂層６を配置する樹脂層配置工程と、
　接合される該第一の端子３と該第二の端子４との位置合わせを行う位置合わせ工程と、
　加圧流体により加圧しながら、該樹脂層６を硬化させる第一加圧硬化工程と、　該第一の端子３と該第二の端子４とを、半田接合させる半田接合工程と、
　加圧流体により加圧しながら、該第一加圧硬化工程で硬化させた該樹脂層６を更に硬化させる第二加圧硬化工程と、
を順に行う電子装置の製造方法である。
　本発明の第三実施形態の電子装置の製造方法に係る支持体１、第一の端子３、被着体２、第二の端子４、半田５、フラックス作用を有する樹脂層６、樹脂層配置工程及び位置合わせ工程は、本発明の第一実施形態の電子装置の製造方法に係る支持体１、第一の端子３、被着体２、第二の端子４、半田５、フラックス作用を有する樹脂層６、樹脂層配置工程及び位置合わせ工程と同様なので、説明を省略し、以下では、本発明の第三実施形態の電子装置の製造方法に係る第一加圧硬化工程、半田接合工程及び第二加圧硬化工程について説明する。
　本発明の第三実施形態の電子装置の製造方法は、電子装置の製造方法における支持体１の第一の端子３と、被着体２の第二の端子４とを、半田５を用いて接合して、支持体１と被着体２とを電気的に接続する工程として、樹脂層配置工程と、位置合わせ工程と、第一加圧硬化工程と、半田接合工程と、第二加圧硬化工程とを順に行う電子装置の製造方法である。つまり、本発明の第三実施形態の電子装置の製造方法は、半田接合より先に樹脂層６の加圧硬化を行った場合に、得られる樹脂層６の硬化物の硬化率が低かったために、半田接合を行っても、樹脂層６の硬化率が目的とする硬化率より低くなってしまうようなとき、あるいは、樹脂層６の硬化物の硬化率を更に高くしたいときに、半田接合工程後に、更に、加圧流体により加圧しながら樹脂層６を硬化させる工程を行うことにより、樹脂層６を目的とする硬化率まで加圧下で硬化させる形態である。
　このようにすることで、樹脂層６の硬化物中に発生するボイドを確実に抑制できる。
　本発明の第三実施形態の電子装置の製造方法に係る第一加圧硬化工程は、加圧流体により加圧しながら、支持体１、被着体２及び樹脂層６を、樹脂層６の硬化温度以上の温度で加熱して、樹脂層６の一部を硬化させて、樹脂層６の硬化を行う工程である。
　本発明の第三実施形態の電子装置の製造方法では、第一加圧硬化工程を行い得られる樹脂層６の硬化物の硬化率は、適宜選択されるが、好ましくは１～９０％、好ましくは５～６０％、更に好ましくは１０～５０％である。そして、第一加圧硬化工程では、支持体１、被着体２及び樹脂層６の加熱温度及び加熱時間を、適宜選択することにより、第一加圧硬化工程を行い得られる樹脂層６の硬化物の硬化率を調節することができる。なお、本発明の第三実施形態の電子装置の製造方法において、第一加圧硬化工程を行い得られる樹脂層６の硬化物の硬化率は、本発明の第二実施形態の電子装置の製造方法において、加圧硬化工程を行い得られる樹脂層６の硬化物の硬化率の求め方と同様の方法で求められる。
　第一加圧硬化工程において、支持体１、被着体２及び樹脂層６の加熱温度及び加熱時間は、上記のように、樹脂層６の硬化物の硬化率をどの程度にするかにより、適宜選択されるが、加熱温度は、樹脂層６の硬化温度以上の温度であればよく、通常、１００～２５０℃、好ましくは１５０～２００℃であり、加熱時間は、通常、０．５～６０分、好ましくは１～３０分である。
　第一加圧硬化工程に係る加圧流体は、第一実施形態の加圧硬化工程に係る加圧流体と同様である。
　第一加圧硬化工程において、加圧流体で支持体１、被着体２及び樹脂層６を含む積層体を加圧する際の加圧力は、０．１～１０ＭＰａ、好ましくは０．５～５ＭＰａである。第一加圧硬化工程において、加圧流体で支持体１、被着体２及び樹脂層６を含む積層体を加圧する際の加圧力を０．１ＭＰａ以上とすることで、樹脂層６中にボイドが発生しても、加圧によりボイドをつぶして樹脂層６により埋めることができ、樹脂層６の硬化物中に空隙（ボイド）が発生し難くなる。また、樹脂層６中にボイドが発生すること自体も抑制することができる。
　一方、加圧流体で支持体１、被着体２及び樹脂層６を含む積層体を加圧する際の加圧力を１０ＭＰａ以下とすることで、積層体を加圧する装置、たとえば図５に示す加熱オーブンの大型化、複雑化を防止できる。
　第一加圧硬化工程において、加圧流体により加圧しながら、樹脂層６を硬化する方法は、第一実施形態の加圧硬化工程において、加圧流体により加圧しながら、樹脂層６を硬化する方法と同様である。
　本発明の第三実施形態の電子装置の製造方法に係る半田接合工程は、
（３－Ｉ）第二の端子４が半田５に接触しない状態で、支持体１、被着体２及び第一加圧硬化工程で硬化された樹脂層６の硬化物を含む積層体を、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度で加熱しつつ、第一の端子３と第二の端子４の距離を短くすることにより、半田５を用いて第一の端子３と第二の端子４とを半田接合する工程である。
又は（３－ＩＩ）第一の端子３と第二の端子４とを半田５を介して接触させて、支持体１、被着体２及び第一加圧硬化工程で硬化された樹脂層６の硬化物を含む積層体を、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度で加熱することにより、半田５を用いて第一の端子３と第二の端子４とを半田接合する工程である。
（３－ＩＩ）では、第一の端子３と第二の端子４とが接触した状態から、第一の端子３と第二の端子４と間の距離がさらに短くなるようにプレス板等で支持体１、被着体２及び樹脂層６を加圧してもよい。
　なお、半田接合工程において、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度、及び半田５及び端子を構成する金属の組み合わせ（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、第一実施形態の半田接合工程の説明と同様である。
　半田接合工程において、支持体１、被着体２及び第一加圧硬化工程を行い得られた樹脂層６の硬化物の加熱温度は、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度であればよく、適宜選択されるが、通常、１１０～２５０℃、好ましくは１７０～２３０℃である。半田接合工程において、支持体１、被着体２及び第一加圧硬化工程を行い得られた樹脂層６の硬化物の加熱時間は、半田の種類により、適宜選択されるが、通常、１秒～２０分、好ましくは６０秒～１５分である。
　半田接合工程では、半田５及び端子を構成する金属の組み合わせが上記（ａ）又は（ｂ）の場合、（３－Ｉ）支持体１、被着体２及び第一加圧硬化工程で硬化された樹脂層６の硬化物を、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度、つまり、半田５の融点以上の温度で加熱しつつ、第一の端子３と第二の端子４の距離を短くする。この場合、支持体１と被着体２との距離を短くすることにより、第一の端子３と第二の端子４の距離を短くするが、支持体１と被着体２との間には、第一加圧硬化工程を行い得られた樹脂層６の硬化物があるため、第一加圧硬化工程を行い得られた樹脂層６の硬化物を上下方向から圧縮しながら、支持体１と被着体２との距離を短くして、第一の端子３と第二の端子４の距離を短くすることになる。このときの樹脂層６を圧縮する際の圧縮圧力は、０．０１～１０ＭＰａ、好ましくは０．１～１ＭＰａである。なお、樹脂層６を圧縮する際の圧縮圧力は、圧縮させる部分の樹脂層６の単位面積当たりの荷重である。
　また、半田接合工程では、半田５と端子を構成する金属の組み合わせが上記（ｃ）の場合、位置合わせ工程で、第一の端子３と第二の端子４とを半田５を介して接触させておけば、（３－ＩＩ）支持体１、被着体２及び第一加圧硬化工程で硬化された樹脂層６の硬化物を、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度で加熱することで、半田５を有しない方の端子を構成する金属が、半田５中に拡散して合金を形成するので、第一の端子３と第二の端子４の距離を短くしなくても、半田５接続が可能となる。例えば、樹脂層６の硬化物の圧縮を行わないような半田５リフロー装置で、加熱することにより、半田接合を行うことができる。なお、半田接合工程では、半田５及び端子を構成する金属の組み合わせが上記（ｃ）の場合に、（３－Ｉ）支持体１、被着体２及び第一加圧硬化工程で硬化された樹脂層６の硬化物を、半田５の融点以上の温度で加熱しつつ、第一の端子３と第二の端子４の距離を短くすることにより、半田接合を行うこともできる。そして、半田５と端子を構成する金属の組み合わせが上記（ｃ）の場合、半田接合工程で、（３－ＩＩ）の方法で半田接合を行うことにより、支持体１のひずみが生じ難いので、硬化物中に空隙（ボイド）が発生し難くなり、また、（３－Ｉ）の方法で半田接合を行うことにより、半田接合をより確実に行うことができる。そのため、半田５と端子を構成する金属の組み合わせが上記（ｃ）の場合、半田接合工程では、適宜、半田接合方法を選択することができる。
　本発明の第三実施形態の電子装置の製造方法に係る第二加圧硬化工程は、加圧流体により加圧しながら、支持体１、被着体２及び第一加圧硬化工程を行い得られた樹脂層６の硬化物を、樹脂層６の硬化温度以上の温度で加熱して、第一加圧硬化で硬化させた樹脂層６を更に硬化する工程である。
　第二加圧硬化工程において、支持体１、被着体２及び第一加圧硬化工程を行い得られた樹脂層６の硬化物の加熱温度は、樹脂層６の硬化温度以上の温度であればよく、適宜選択されるが、通常、１００～２５０℃、好ましくは１５０～２００℃である。第二加圧硬化工程において、支持体１、被着体２及び第一加圧硬化工程を行い得られた樹脂層６の硬化物の加熱時間は、樹脂層６の種類により、適宜選択されるが、通常、０．５～３時間、好ましくは１～２時間である。
　第二加圧硬化工程に係る加圧流体は、第一実施形態の加圧硬化工程に係る加圧流体と同様である。
　第二加圧硬化工程において、加圧流体で支持体１、被着体２及び第一加圧硬化工程を行い得られた樹脂層６の硬化物を加圧する際の加圧力は、０．１～１０ＭＰａ、好ましくは０．５～５ＭＰａである。第二加圧硬化工程において、加圧流体で支持体１、被着体２及び樹脂層６を含む積層体を加圧する際の加圧力を０．１ＭＰａ以上とすることで、樹脂層６中にボイドが発生しても、加圧によりボイドをつぶして樹脂層６により埋めることができ、樹脂層６の硬化物中に空隙（ボイド）が発生し難くなる。また、樹脂層６中にボイドが発生すること自体も抑制することができる。
　一方、加圧流体で支持体１、被着体２及び樹脂層６を含む積層体を加圧する際の加圧力を１０ＭＰａ以下とすることで、積層体を加圧する装置、たとえば図５に示す加熱オーブンの大型化、複雑化を防止できる。
　第二加圧硬化工程において、加圧流体により加圧しながら、第一加圧硬化工程を行い得られた樹脂層６の硬化物を硬化する方法は、第一実施形態の加圧硬化工程において、加圧流体により加圧しながら、樹脂層６を硬化する方法と同様である。
　第二加圧硬化工程を行い得られる樹脂層６の硬化物の硬化率は、好ましくは８０％以上、特に好ましくは９０～１００％である。なお、本発明の第三実施形態の電子装置の製造方法において、第二加圧硬化工程を行い得られる樹脂層６の硬化物の硬化率は、以下の手順により求められる。
（ｉ）加熱処理を行っていない樹脂層６（つまり、樹脂層配置工程で、第一の端子３と第二の端子４に配置される樹脂層６）を、示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用いて、測定温度範囲２５～３００℃、昇温速度：１０℃／分の測定条件で加熱し、その時の発熱量Ａ４を測定する。（ｉｉ）第一加圧硬化工程、半田接合工程及び第二加圧硬化工程と同じ熱履歴（加熱温度、加熱時間）を加えた樹脂層６を用意し、それを同様の測定方法にて加熱し、その時の発熱量Ｂ４を測定する。（ｉｉｉ）硬化率Ｃ４（％）を、下記式（５）により算出する。
　Ｃ４（％）＝｛（Ａ４－Ｂ４）／Ａ４｝×１００ 　　　（５）
（第四実施形態）
　本発明の第四実施形態の電子装置の製造方法は、支持体１の第一の端子３と、被着体２の第二の端子４とを、半田５を用いて接合して、該支持体１と該被着体２とを電気的に接続する電子装置の製造方法であって、
　接合される該第一の端子３と該第二の端子４との間に、フラックス作用を有する樹脂層６を配置する樹脂層配置工程と、
　接合される該第一の端子３と該第二の端子４との位置合わせを行う位置合わせ工程と、
　加圧流体により、支持体１、被着体２，樹脂層６を含む積層体を加圧しながら、該第一の端子３と該第二の端子４との半田接合と、該樹脂層６の硬化を同時に行う半田接合兼加圧硬化工程と、
を順に行う電子装置の製造方法である。
　本発明の第四実施形態の電子装置の製造方法に係る支持体１、第一の端子３、被着体２、第二の端子４、半田５、フラックス作用を有する樹脂層６、樹脂層配置工程及び位置合わせ工程は、本発明の第一実施形態の電子装置の製造方法に係る支持体１、第一の端子３、被着体２、第二の端子４、半田５、フラックス作用を有する樹脂層６、樹脂層配置工程及び位置合わせ工程と同様なので、説明を省略し、以下では、本発明の第四実施形態の電子装置の製造方法に係る半田接合兼加圧硬化工程について説明する。
　本発明の第四実施形態の電子装置の製造方法は、電子装置の製造方法における支持体１の第一の端子３と、被着体２の第二の端子４とを、半田５を用いて接合して、該支持体１と該被着体２とを電気的に接続する工程として、樹脂層配置工程と、位置合わせ工程と、半田接合兼加圧硬化工程とを順に行う電子装置の製造方法である。
　本発明の第四実施形態の電子装置の製造方法に係る半田接合兼加圧硬化工程は、
（４－ＩＩＩ）第二の端子４が半田５に接触しない状態で、加圧流体により支持体１、被着体２及び樹脂層６を含む積層体を加圧しながら、支持体１、被着体２及び樹脂層６を、樹脂層６の硬化温度以上の温度で加熱して、樹脂層６の硬化を行う。この硬化過程の途中で、樹脂層６の硬化のための加圧雰囲気中で、支持体１、被着体２及び樹脂層６を、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度で前記積層体を加熱しながら圧縮する。圧縮により、第一の端子３と第二の端子４の距離を短くし、第一の端子３と第二の端子４との半田接合と、樹脂層６の加圧硬化とを同時に行う工程、
又は
（４－ＩＶ）第一の端子３と第二の端子４とを半田５を介して接触させて、加圧流体により加圧しながら、支持体１、被着体２及び樹脂層６を、樹脂層６の加圧硬化及び第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度で加熱する。これにより、第一の端子３と第二の端子４との半田接合と、樹脂層６の加圧硬化とを同時に行う工程である。
（４－ＩＶ）では、第一の端子３と第二の端子４とが接触した状態から、第一の端子３と第二の端子４と間の距離がさらに短くなるように加圧雰囲気下で、プレス板等を使用して支持体１、被着体２及び樹脂層６を加圧してもよい。
　なお、半田接合兼加圧硬化工程において、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度、及び半田５及び端子を構成する金属の組み合わせ（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、第一実施形態の半田接合工程の説明と同様である。
　半田接合兼加圧硬化工程に係る加圧流体は、第一実施形態の加圧硬化工程に係る加圧流体と同様である。また半田接合兼加圧硬化工程において、加圧流体により加圧しながら、半田接合するとともに、樹脂層６を硬化する方法は、第一実施形態の加圧硬化工程において、加圧流体により加圧しながら、樹脂層６を硬化する方法と同様である。
　半田接合兼加圧硬化工程において、加圧流体で支持体１、被着体２及び樹脂層６を含む積層体を加圧する際の加圧力は、０．１～１０ＭＰａ、好ましくは０．５～５ＭＰａである。半田接合兼加圧硬化工程において、加圧流体で支持体１、被着体２及び樹脂層６を加圧する際の加圧力を０．１ＭＰａ以上とすることで、樹脂層６中にボイドが発生しても、加圧によりボイドをつぶして樹脂層６により埋めることができ、樹脂層６の硬化物中に空隙（ボイド）が発生し難くなる。また、樹脂層６中にボイドが発生すること自体も抑制することができる。
　一方で、半田接合兼加圧硬化工程において、加圧流体で支持体１、被着体２及び樹脂層６を加圧する際の加圧力を１０ＭＰａ以下とすることで、積層体を加圧する装置、たとえば図５に示す加熱オーブンの大型化、複雑化を防止できる。
　半田接合兼加圧硬化工程では、半田５及び端子を構成する金属の組み合わせが上記（ａ）又は（ｂ）の場合、（４－ＩＩＩ）加圧流体により加圧しながら、支持体１、被着体２及び樹脂層６を、樹脂層６の硬化温度以上の温度で加熱して、樹脂層６の硬化を行いつつ、その硬化過程の途中で、樹脂層６の硬化のための加圧雰囲気中で、支持体１、被着体２及び樹脂層６を、第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上、つまり、半田５の融点以上の温度で加熱しながら圧縮して、第一の端子３と第二の端子４の距離を短くする操作を行う。この場合、加圧流体により加圧しながら、支持体１、被着体２及び樹脂層６を、樹脂層６の硬化温度以上の温度で加熱して、樹脂層６の硬化を行う際の加熱温度は、樹脂層６の硬化温度以上であればよく、通常、１００～２５０℃、好ましくは１５０～２００℃であり、また、加熱時間は、樹脂層６の種類により適宜選択されるが、通常、３秒～１２０分、好ましくは１０秒～９０分である。また、その硬化過程の途中で、樹脂層６の硬化のための加圧雰囲気中で、支持体１、被着体２及び樹脂層６を、半田５の融点以上の温度で加熱しながら圧縮して、支持体１と被着体２との距離を短くすることにより、第一の端子３と第二の端子４の距離を短くする操作を行うが、支持体１と被着体２との間には、樹脂層６があるため、樹脂層６を上下方向から圧縮しながら、支持体１と被着体２との距離を短くして、第一の端子３と第二の端子４の距離を短くすることになる。このときの樹脂層６を圧縮する際の圧縮圧力は、０．０１～１０ＭＰａ、好ましくは０．１～１ＭＰａである。なお、樹脂層６を圧縮する際の圧縮圧力は、圧縮される部分の樹脂層６の単位面積当たりの荷重である。
　また、半田接合兼加圧硬化工程では、半田５及び端子を構成する金属の組み合わせが上記（ｃ）の場合、位置合わせ工程で、第一の端子３と第二の端子４とを半田５を介して接触させておけば、（４－ＩＶ）加圧流体により加圧しながら、支持体１、被着体２及び樹脂層６を、樹脂層６の硬化及び第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度で加熱することで、半田５を有しない方の端子を構成する金属が、半田５中に拡散して合金を形成するので、第一の端子３と第二の端子４の距離を短くしなくても、半田５接続が可能となり、且つ樹脂層６の加圧硬化も可能となる。この場合、加圧流体により加圧しながら、支持体１、被着体２及び樹脂層６を、樹脂層６の硬化及び第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度で加熱する際の加熱温度は、樹脂層６の硬化温度以上であり、且つ第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上であればよく、通常、１１０～２５０℃、好ましくは１７０～２３０℃であり、また、加熱時間は、樹脂層６の種類により適宜選択されるが、通常、３秒～１２０分、好ましくは１０秒～９０分である。例えば、加熱オーブン中に、位置合わせをして、第一の端子３と第二の端子４を接触させた支持体１、被着体２及び樹脂層６を設置し、次いで、加熱オーブン内を、加圧流体で加圧しながら、樹脂層６の硬化及び第一の端子３と第二の端子４との半田接合が可能となる温度以上の温度で加熱することで、半田接合及び樹脂層６の加圧硬化を行うことができる。位置あわせした後、加熱オーブンに入れるまえに、支持体１、被着体２及び樹脂層６を加熱しながら、第二の端子４を樹脂層６にめり込ませてもよい。第二の端子４が半田５に接触するように、支持体１と被着体２の間の距離を調節した方が好ましい。第二の端子４の先端が、半田５に接触していることにより、半田接合兼樹脂加圧硬化工程において、樹脂層の溶融粘度が高い場合でも、確実に半田接合することができる。位置合わせをした後、第二の端子４を、樹脂層６にめり込ませる場合は、支持体１、被着体２及び樹脂層６を加熱しながら、第二の端子４を、樹脂層６にめり込ませることもできる。加熱する温度は、特に限定されるものではないが、４０～２５０℃が好ましく、６０～１８０℃が特に好ましい。加熱温度を上記範囲とすることで、後述する、半田接合兼樹脂加圧硬化工程で、樹脂層の流動性を確保することができるため、半田表面の酸化膜を効率的に除去することができる。
位置合わせをした後、第二の端子４を、樹脂層６にめり込ませる場合は、支持体１、被着体２及び樹脂層６を圧縮しながら、第二の端子４を、樹脂層６にめり込ませることもできる。圧縮する圧力は、特に限定されるものではないが、０．００１～１０ＭＰａが好ましく、０．０１～１ＭＰａが特に好ましい。圧縮圧力を上記範囲とすることで、第一の端子３上の半田５と第二の端子４の接触面積を確保することができるため、後述する、半田接合兼樹脂加圧硬化工程で、半田接合を確実に行うことができる。
　さらに、前述の加熱および圧縮を併用しても良い。加熱と圧縮を併用することにより、第二の端子４を樹脂層６にめり込ませることが容易となり、確実に第一の端子３上の半田５と第二の端子４を接触することができる。
なお、半田接合兼加圧硬化工程では、半田５及び端子を構成する金属の組み合わせが上記（ｃ）の場合に、（４－ＩＩＩ）加圧流体により加圧しながら、支持体１、被着体２及び樹脂層６を、樹脂層６の硬化温度以上の温度で加熱して、樹脂層６の硬化を行いつつ、その硬化過程の途中で、樹脂層６の硬化のための加圧雰囲気中で、支持体１、被着体２及び樹脂層６を、半田５の融点以上の温度で加熱しながら圧縮して、第一の端子３と第二の端子４の距離を短くすることにより、半田接合及び樹脂の加圧硬化を行うこともできる。そして、半田５と端子を構成する金属の組み合わせが上記（ｃ）の場合、半田接合兼加圧硬化工程で、（４－ＩＶ）の方法で半田接合を行うことにより、支持体１のひずみが生じ難くなるので、硬化物中に空隙（ボイド）が発生し難くなり、また、（４－ＩＩＩ）の方法で半田接合を行うことにより、半田接合をより確実に行うことができる。そのため、半田５と端子を構成する金属の組み合わせが上記（ｃ）の場合、半田接合兼加圧硬化工程では、適宜、（ＩＩＩ）又は（ＩＶ）の方法を選択することができる。
　半田接合兼加圧硬化工程において、加圧流体により加圧しながら、半田接合させると同時に、樹脂層６を硬化させる方法としては、例えば、図７において、加圧流体１０を導入して、加熱オーブン８内を加圧しながら、加熱オーブン８中で、支持体１、被着体２及び樹脂層６とを加熱する過程の途中で、加熱オーブン８内に設置されたプレス機で、被着体２の上から荷重を負荷する方法が挙げられる。具体的には、加熱オーブン８中に、プレス機を設置し、このプレス機に、支持体１、被着体２及び樹脂層６を取り付ける。次いで、加圧流体１０を導入して、加熱オーブン８内を加圧する。そして、加圧流体１０で加圧しながら、加熱オーブン８の内の温度を樹脂層６の硬化温度以上の温度、例えば、１８０℃で、例えば、６０分間加熱して、樹脂層６の硬化を行っている間に、例えば、１８０℃加圧雰囲気下での加熱開始後１０分後に、１８０℃加圧雰囲気中で、加熱オーブン８内に設置されたプレス機で、プレス面の温度を半田５の融点以上の温度、例えば、２３０℃にして、例えば、１５秒間被着体２の上から荷重を負荷して、半田５接続を行う方法が挙げられる。つまり、半田接合兼加圧硬化工程において、加圧流体により加圧しながら、半田接合させると同時に、樹脂層６を硬化させるとは、樹脂層６の硬化を行っている過程のどこかで、加熱加圧雰囲気下のままで、半田接合を行うことが挙げられる。
例えば、以下の（ｄ）～（ｆ）ような例示が挙げられる。
（ｄ）積層体を加圧流体により加圧しながら、半田５と第二の端子４が半田接合可能な温度まで昇温し、所定時間、たとえば、５分～１８０分間その温度を保持することにより、半田５と第二の端子４を半田接合させるとともに樹脂層６の硬化と空隙の排除を行う。
（ｅ）積層体を加圧流体により加圧しながら、半田５と第二の端子４が半田接合可能な温度まで昇温し、所定時間、たとえば３秒～１０分間その温度以上を保持することにより、半田５と第二の端子４を半田接合させ、次に、積層体を加圧流体により加圧しながら、樹脂層６が硬化する温度まで降温し、所定時間、たとえば５分～１８０分間その温度を保持することにより、樹脂層６の硬化と空隙の排除を行う。
（ｆ）積層体を加圧流体により加圧しながら、樹脂層６が硬化する温度まで昇温し、所定時間、たとえば、５分～１８０分間その温度を保持することにより、樹脂層６の硬化と空隙の排除を行い、次に、積層体を加圧流体により加圧しながら、半田５と第二の端子４が、半田接合可能な温度まで昇温し、所定時間、たとえば、３秒～１０分間その温度以上を保持することにより、半田５と第二の端子４を半田接合させる。
　前記（ｅ）および（ｆ）においては、半田５と第二の端子４の半田接合と樹脂層６の硬化および空隙の排除が、各々行われるように記載したが、半田５と第二の端子４の半田接合と樹脂層６の硬化および空隙の排除は並行して行われていても良い。
　加圧流体としては、上述した各実施形態と同様のものが使用できるが、例えば、窒素ガス、アルゴンガス、空気等のガスが好ましく、安価であり、支持体１および被着体２の酸化を防止することができる非酸化性ガス、たとえば、窒素ガスが特に好ましい。
　半田接合兼加圧硬化工程を行い得られる樹脂層６の硬化物の硬化率は、好ましくは８０％以上、特に好ましくは９０～１００％である。なお、本発明の第四実施形態の電子装置の製造方法において、半田接合兼加圧硬化工程を行い得られる樹脂層６の硬化物の硬化率は、以下の手順により求められる。
（ｉ）加熱処理を行っていない樹脂層６（つまり、樹脂層配置工程で、第一の端子３と第二の端子４に配置される樹脂層６）を、示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用いて、測定温度範囲２５～３００℃、昇温速度：１０℃／分の測定条件で加熱し、その時の発熱量Ａ５を測定する。（ｉｉ）半田接合兼加圧硬化工程と同じ熱履歴（加熱温度、加熱時間）を加えた樹脂層６を用意し、それを同様の測定方法にて加熱し、その時の発熱量Ｂ５を測定する。（ｉｉｉ）硬化率Ｃ５（％）を、下記式（６）により算出する。
　Ｃ５（％）＝｛（Ａ５－Ｂ５）／Ａ５｝×１００ 　　　（６）
　本発明の第一実施形態の電子装置の製造方法では、加圧硬化工程において、加圧流体で加圧しながら、樹脂層６を硬化させることにより、樹脂層６中の空隙（ボイド）が、押し潰されるようにして、樹脂の硬化が進行するので、硬化物中に空隙（ボイド）が発生し難くなる。硬化物中でのボイドの発生を抑制できるため、電子装置を半田融点以上に加熱した場合、隣接する端子同士が短絡したり、ボイドを起点として膨れが生じてしまうことが抑制される。
　さらには、ボイドを起点として、樹脂層６中にクラックが発生してしまうことも防止できる。
　更に、加圧硬化工程では、加圧流体により、支持体１、被着体２及び樹脂層６を含む積層体に、全方向から均等に圧力が加えられるため、樹脂層６の溶融物が、支持体１と被着体２との隙間から周囲へブリードするのを防ぐことができる。
　また、第一実施形態では、樹脂層６を硬化させる前段で第一の端子３と、第二の端子４とを半田接合しているため、第二端子４への半田５の濡れ広がりが硬化した樹脂層６により抑制されてしまうことが防止される。
　同様に、本発明の第二実施形態の電子装置の製造方法、本発明の第三実施形態の電子装置の製造方法、本発明の第四実施形態の電子装置の製造方法においても、積層体を加圧流体で加圧しながら、樹脂層６の硬化を行うので、樹脂層６中の空隙（ボイド）が、押し潰されるようにして、樹脂の硬化が進行するので、硬化物中に空隙（ボイド）が発生し難くなり、また、加圧流体により、支持体１、被着体２及び樹脂層６に、全方向から均等に圧力が加えられるため、樹脂層６の溶融物が、支持体１と被着体２との隙間から周囲へブリードするのを防ぐことができる。
　第二実施形態では、第一の端子３と第二の端子４との位置あわせを行った後、樹脂層６を硬化させ、第一の端子３と、第二の端子４とを半田接合しているため、第一の端子３と第二の端子４と位置ずれしてしまうことを確実に防止できる。
　また、第二実施形態のように、半田接合前に樹脂層６を硬化させることで半田接合を行う際に、樹脂層６内で発泡がおき、ボイドが発生することを防止できる。
　第三実施形態では、樹脂層６を加圧しながらある程度硬化させた後、半田接合を行い、再度樹脂層６を加圧しながら硬化させているので、第二端子４への半田５の濡れ広がりを確保しつつ、ボイドの発生を抑制できる。
　さらに、第四実施形態のように、樹脂層６を加圧加熱しながら、第一の端子３と第二の端子４とを接合する際にも加圧することでも、第二端子４への半田５の濡れ広がりを確保しつつ、ボイドの発生を抑制できる。
　第四実施形態のように樹脂層６の硬化と、第一の端子３と第二の端子４との接合を同時に実施することで製造時間を短縮することができる。
　また、第四実施形態では、第一の端子３と第二の端子４とを接合する際に、積層体を加圧している。加圧することで樹脂層６の密度を高めて、体積を低減させることにより、第一の端子３および第二の端子４とが圧着する方向に力を作用させることが可能となる。さらに、第一の端子３および第二の端子４とを接合する際に、流体により積層体を加圧することで、樹脂層６の発泡による樹脂流動が抑制でき、第一の端子３および第二の端子４間のずれを低減させることができる。
　なお、上述した第一実施形態～第四実施形態では、樹脂層６の硬化の際に流体により積層体４を加圧している。積層体をプレス板等で挟んで加圧する場合には、樹脂層６でのボイドの発生は抑制できないが、流体で積層体を加圧することで、樹脂層６の上下左右から圧力がかかり、ボイドの発生が抑制されるのである。
（樹脂層６）
　次に、本発明の第一～第四実施形態の電子装置の製造方法で用いるフラックス作用を有する樹脂層６を形成する樹脂組成物について説明する。なお、各成分は、一種類の化合物としてもよいし、複数の化合物を組み合わせて用いてもよい。
　フラックス作用を有する樹脂層６を形成する樹脂組成物（以下、本発明に係る樹脂組成物とも記載する。）は、フラックス作用を有する化合物及び熱硬化性樹脂を含有する。なお、本発明に係る樹脂組成物は、フラックス作用を有する化合物として、熱硬化性樹脂の硬化剤としても作用するフラックス活性硬化剤を含有することもできる。
　本発明に係る樹脂組成物は、固体状の樹脂組成物であっても、液状の樹脂組成物であってもよい。
　本発明に係る樹脂組成物に含有される熱硬化性樹脂としては、特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂等が挙げられ、これらの中でも、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性等に優れることから、好適に用いられる。
　本発明に係る樹脂組成物に含有されるエポキシ樹脂は、室温で固形のエポキシ樹脂と、室温で液状のエポキシ樹脂のうち、いずれでもよいし、これらの両方でもよい。本発明に係る樹脂組成物が、エポキシ樹脂を含有することにより、樹脂層６の溶融挙動の設計の自由度をさらに高めることができる。
　本発明に係る樹脂組成物に含有されるエポキシ樹脂のうち、室温で固形のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、３官能エポキシ樹脂、４官能エポキシ樹脂等が挙げられる。さらに具体的には、固形３官能エポキシ樹脂とクレゾールノボラック型エポキシ樹脂との双方を含むものが挙げられ、これらは１種単独又は２種以上の組み合わせであってもよい。
　本発明に係る樹脂組成物に含有されるエポキシ樹脂のうち、室温で液状のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂およびビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは１種単独又は２種以上の組み合わせでもよい。室温で液状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは１５０～３００であり、より好ましくは１６０～２５０であり、更に好ましくは１７０～２２０である。これにより、樹脂層６の硬化物における収縮率が大きくなるのを防止して、半導体装置の反りが生じるのを確実に防止することができるとともに、ポリイミド樹脂との反応性が低下するのが確実に防止される。
　本発明に係る樹脂組成物中、熱硬化性樹脂の配合量は、樹脂組成物の構成材料の２５～７５重量％が好ましく、４５～７０重量％が特に好ましい。樹脂組成物中の熱硬化性樹脂の配合量が上記範囲にあることにより、熱硬化性樹脂を硬化させる際に、良好な硬化性が得られると共に、樹脂層６の良好な溶融挙動の設計が可能となる。
　また、本発明に係る樹脂組成物中には、フラックス作用を有する化合物以外の硬化剤が含まれているのが好ましい。これにより、熱硬化性樹脂の硬化性をより向上させることができる。
　本発明に係る樹脂組成物に含有される硬化剤としては、特に限定されず、例えば、フェノール類、アミン類、チオール類が挙げられる。本発明に係る樹脂組成物が熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を含有する場合は、硬化剤は、好ましくはフェノール類である。本発明に係る樹脂組成物が熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を含有する場合に、硬化剤がフェノール類であることにより、樹脂層６において、エポキシ樹脂との良好な反応性を得ることができ、さらには、この樹脂層６中に含まれるエポキシ樹脂の硬化時の低寸法変化および硬化後の適切な物性（例えば、耐熱性、耐湿性等）を得ることができる。
　本発明に係る樹脂組成物が熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を含有する場合に、硬化剤として含有されるフェノール類としては、特に限定されないが、エポキシ樹脂と反応し得る官能基を２以上有するものが好ましい。これにより、樹脂層６におけるエポキシ樹脂の硬化物の特性（例えば、耐熱性、耐湿性等）の向上を図ることができる。
　このようなエポキシ樹脂と反応し得る官能基を２以上有するフェノール類としては、具体的には、例えば、ビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＡ、ジアリルビスフェノールＡ、ビフェノール、ビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＦ、トリスフェノール、テトラキスフェノール、フェノールノボラック類、クレゾールノボラック類等が挙げられ、中でも、フェノールノボラック類およびクレゾールノボラック類が好ましい。これにより、樹脂層６の溶融粘度を好適なものとすることができ、エポキシ樹脂との反応性を向上させることができる。さらに、樹脂層６におけるエポキシ樹脂の硬化物の特性（例えば、耐熱性、耐湿性等）をより優れたものとすることができる。
　本発明に係る樹脂組成物に含有される硬化剤として、フェノールノボラック類を用いる場合、本発明に係る樹脂組成物中、硬化剤の配合量は、樹脂組成物の構成材料の５～３０重量％が好ましく、１０～２５重量％が特に好ましい。樹脂組成物中の硬化剤の配合量が上記範囲にあることにより、樹脂層６において、熱硬化性樹脂を確実に硬化させることができる共に、樹脂層６中において、熱硬化性樹脂と未反応の硬化剤が残存するのが防止され、この残存物が存在することによるマイグレーションの発生を好適に防止することができる。
　なお、本発明に係る樹脂組成物に含有される熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である場合、フェノールノボラック樹脂の配合量は、エポキシ樹脂に対する当量比で規定されてもよい。具体的には、エポキシ樹脂に対するフェノールノボラック類の当量比は、０．５～１．２であるのが好ましく、０．６～１．１であるのが特に好ましく、０．７～０．９８であるのが更に好ましい。エポキシ樹脂に対するフェノールノボラック樹脂の配合量が上記範囲にあることにより、樹脂層６において、熱硬化性樹脂を確実に硬化させることができる共に、樹脂層６中において、熱硬化性樹脂と未反応の硬化剤が残存するのが防止され、この残存物が存在することによるマイグレーションの発生を好適に防止することができる。
　本発明に係る樹脂組成物は、さらに、上述した硬化剤の他、硬化促進剤として、例えば、融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物を含有することができる。これにより、樹脂層６の硬化を確実に行うことができ、半導体装置の信頼性を高めることができる。このような融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物としては、２－フェニルヒドロキシイミダゾール、２－フェニル－４－メチルヒドロキシイミダゾール等が挙げられる。なお、イミダゾール化合物の融点の上限に特に制限はなく、例えば、樹脂層６の硬化の際の加熱温度に応じて適宜設定される。
　本発明に係る樹脂組成物が、硬化促進剤として、このようなイミダゾール化合物を含有する場合、樹脂組成物中の硬化剤の配合量は、樹脂組成物の構成材料の０．００５～１０重量％が好ましく、０．０１～５重量％が特に好ましい。樹脂組成物中の硬化剤の配合量が上記範囲にあることにより、熱硬化性樹脂の硬化促進剤としての機能をさらに効果的に発揮させて、樹脂層６において、熱硬化性樹脂の硬化性を向上させることができる共に、樹脂層６中において、半田５が溶融する温度において樹脂層６の溶融粘度が高くなり過ぎず、良好な半田接合体を得ることができる。
　なお、上述したような硬化促進剤は、１種単独又は２種類以上の組み合わせでもよい。
　また、本発明に係る樹脂組成物は、フラックス作用を有する化合物及び熱硬化性樹脂の他に、カップリング剤や、フラックス作用を有する化合物の活性を高めるためのフラックス活性剤や、樹脂の相溶性、安定性、作業性等の各種特性を向上させるための各種添加剤を適宜含有してもよい。
　本発明に係る樹脂組成物が、カップリング剤を含有することにより、樹脂層６の支持体１および被着体２への密着性をさらに高めることができる。
　カップリング剤としては、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤のようなシランカップリング剤等が挙げられ、これらは１種単独又は２種以上を組み合わせでもよい。
　本発明に係る樹脂組成物中、シランカップリング剤の配合量は、樹脂組成物の構成材料の０．０１～５重量％が好ましい。
　本発明に係る樹脂組成物が、液状の場合には、本発明に係る樹脂組成物を、そのまま、支持体１又は被着体２に塗布することができる。また、本発明に係る樹脂組成物が、固体状の場合は、本発明に係る樹脂組成物を、溶剤に溶解又は分散させて、樹脂ワニスにして、この樹脂ワニスを支持体１又は被着体２に塗布することができる。
　本発明に係る樹脂組成物を樹脂ワニスにして用いる場合、溶剤としては、特に限定されないが、上述したような樹脂組成物の構成材料に対して、不活性なものが好ましく、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ＤＩＢＫ (ジイソブチルケトン)、シクロヘキサノン、ＤＡＡ（ジアセトンアルコール）等のケトン類、ベンゼン
、キシレン、トルエン等の芳香族炭化水素類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ－ブチルアルコール等のアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ＢＣＳＡ（ブチロセルソルブアセテート）等のセロソルブ系、ＮＭＰ（Ｎ－メチル－２－ピロリドン）、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＢＥ（ニ塩基酸エステル）、ＥＥＰ（３－エトキシプロピオン酸エチル）、ＤＭＣ（ジメチルカーボネート）等が挙げられる。また、樹脂ワニス中、溶剤の含有量は、溶媒に混合した固形成分の含有量が１０～６０重量％となる量が好ましい。
　また、本発明に係る樹脂組成物をフィルム状に成形して、フィルム状樹脂層６にし、このフィルム状樹脂層６を支持体１又は被着体２にラミネートする等により、樹脂層６配置工程を行うこともできる。本発明に係る樹脂組成物をフィルム状に成形して用いる場合、本発明に係る樹脂組成物は、フラックス作用を有する化合物及び熱硬化性樹脂の他に、更に、フィルム形成性樹脂を含有するのが好ましい。本発明に係る樹脂組成物が、フィルム形成性樹脂を含有することにより、フィルム状の樹脂層６を確実にフィルム状のものとすることができる。
　このようなフィルム形成性樹脂としては、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン、ポリプロピレン、スチレン－ブタジエン－スチレン共重合体、スチレン－エチレン－ブチレン－スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン－アクリル酸共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン等が挙げられ、その中でも、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂が好ましい。(メタ)アクリル系樹脂またはフェノキシ樹脂を適用することにより、フィルム形成性と支持体１および被着体２に対する密着性を両立することができる。フィルム形成樹脂は、１種単独又は２種以上の組み合わせでもよい。
　なお、フィルム形成性樹脂において、（メタ）アクリル系樹脂とは、（メタ）アクリル酸及びその誘導体の重合体、あるいは（メタ）アクリル酸及びその誘導体と他の単量体との共重合体を意味する。ここで、（メタ）アクリル酸などと表記するときは、アクリル酸又はメタクリル酸を意味する。
　フィルム形成性樹脂として用いられるアクリル系樹脂としては、具体的には、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ブチル、ポリアクリル酸－２－エチルヘキシル等のポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸ブチル等のポリメタクリル酸エステル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリアクリルアミド、アクリル酸ブチル－アクリル酸エチル－アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン－アクリル酸共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン共重合体、アクリロニトリル－スチレン共重合体、メタクリル酸メチル－スチレン共重合体、メタクリル酸メチル－アクリロニトリル共重合体、メタクリル酸メチル－α－メチルスチレン共重合体、アクリル酸ブチル－アクリル酸エチル－アクリロニトリル－２－ヒドロキシエチルメタクリレート－メタクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル－アクリル酸エチル－アクリロニトリル－２－ヒドロキシエチルメタクリレート－アクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル－アクリロニトリル－２－ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、アクリル酸ブチル－アクリロニトリル－アクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル－アクリル酸エチル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エチル－アクリロニトリル－Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド共重合体等が挙げられる。中でも、アクリル酸ブチル－アクリル酸エチル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エチル－アクリロニトリル－Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミドが好ましい。
　なお、フィルム形成性樹脂として用いられるアクリル系樹脂として、ニトリル基、エポキシ基、水酸基、カルボキシル基等の官能基を有する単量体を共重合させてなる（メタ）アクリル系樹脂を用いることにより、フィルム状の樹脂層６の支持体１および被着体２への密着性、および熱硬化性樹脂等との相溶性を向上させることができる。このような（メタ）アクリル系樹脂において、前記官能基を有する単量体の使用量は特に限定されないが、（メタ）アクリル系樹脂の全重量に対し、０．１～５０ｍｏｌ％程度であることが好ましく、０．５～４５ｍｏｌ％程度であるのがより好ましく、１～４０ｍｏｌ％程度であるのがさらに好ましい。かかる範囲内に設定することにより、支持体１および被着体２の密着性を優れたものとしつつ、フィルム状の樹脂層６の粘着力が強くなりすぎるのを好適に防止して、作業性の向上を図ることができる。
　前記アクリル系樹脂の重量平均分子量は、例えば１０００以上１００万以下であり、３０００以上９０万以下が好ましい。前記アクリル系樹脂の重量平均分子量が上記範囲にあることにより、樹脂組成物の成膜性をさらに向上させることができるとともに硬化時の流動性を確保することが可能となる。
　また、フィルム形成性樹脂として、フェノキシ樹脂を用いる場合、その数平均分子量は５０００～１５０００のフェノキシ樹脂が好ましい。かかる数平均分子量のフェノキシ樹脂を用いることにより、フィルム状の樹脂層６の流動性を抑制し、フィルム状の樹脂層６の厚みを均一なものとすることができる。
　フェノキシ樹脂の骨格は、特に限定されるものではないが、例えば、ビスフェノールＡタイプ、ビスフェノールＦタイプ、ビフェニル骨格タイプ等が挙げられる。これらの中でも、飽和吸水率が１％以下であるフェノキシ樹脂であるのが好ましい。これにより、フィルム状の樹脂層６に起因する発泡や剥離などの発生を抑制することができる。
　なお、飽和吸水率は、フェノキシ樹脂を２５μｍ厚のフィルムに加工し、１００℃雰囲気中で１時間乾燥（絶乾状態）し、さらに、そのフィルムを４０℃９０％ＲＨ雰囲気の恒温高湿層に放置し、重量変化を２４時間おきに測定し、重量変化が飽和した時点の重量を用いて、下記式（７）により算出することができる。
　飽和吸水率（％）＝｛（飽和した時点の重量－絶乾時点の重量）／絶乾時点の重量｝×１００　　　（７）
　また、フィルム形成性樹脂として、ポリイミド樹脂を用いる場合、ポリイミド樹脂としては、繰り返し単位中にイミド結合を持つものが挙げられる。このようなポリイミド樹脂としては、例えば、ジアミンと酸二無水物を反応させ、得られたポリアミド酸を加熱、脱水閉環することにより得られるものが挙げられる。ジアミンとしては、芳香族ジアミンである、３，３’－ジメチル－４，４’ジアミノジフェニル、４，６－ジメチル－ｍ－フェニレンジアミン、２，５－ジメチル－ｐ－フェニレンジアミン、シロキサンジアミンである、１，３－ビス（３－アミノプロピル）－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン等が挙げられ、これらは１種単独又は２種以上の組み合わせでもよい。また、酸二無水物としては、３，３，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸、ピロメリット酸二無水物、４，４’－オキシジフタル酸二無水物等が挙げられる。なお、このようなポリイミド樹脂は、後述する溶剤に可溶なものでも、不溶なものでもよいが、溶剤に可溶なものが好ましい。ポリイミド樹脂が溶剤に可溶であることにより、溶液材料に含まれる構成材料との相溶解性が向上することから、取り扱いに優れる。特に、シロキサン変性ポリイミド樹脂は、様々な溶媒に溶かすことができるため好適に用いられる。
　また、フィルム形成性樹脂は、市販品であってもよい。
　更に、本発明に係る樹脂組成物をフィルム状に成形して用いる場合、本発明に係る樹脂組成物は、効果を損ねない範囲で、各種可塑剤、安定剤、無機フィラー、帯電防止剤や顔料等の添加剤が含有することができる。
　本発明に係る樹脂組成物をフィルム状に成形して用いる場合、本発明に係る樹脂組成物中、フィルム形成性樹脂の配合量は、樹脂組成物の構成材料の５～４５重量％が好ましい。本発明に係る樹脂組成物中のフィルム形成性樹脂の配合量が上記範囲にあることにより、フィルム状の樹脂層６の成膜性低下を抑制しつつ、硬化後のフィルム状の樹脂層６における弾性率の増加を抑制することができる。その結果、フィルム状の樹脂層６と支持体１および被着体２の密着性をさらに向上させることができる。更に、フィルム状の樹脂層６の溶融粘度の増加を抑制することができる。
　本発明に係る樹脂組成物をフィルム状に成形して用いる場合、本発明に係る樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含有し、そのような熱硬化性樹脂としては、特に限定されるものではないが、エポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂は、エポキシ基を有するモノマー、オリゴマーおよびポリマーのいずれかをいう。エポキシ樹脂の具体例としては、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；ハイドロキノン型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；スチルベン型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂；トリアジン核含有エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂；ナフトール型エポキシ樹脂、およびフェニレンおよび／またはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレンおよび／またはビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂、その他３官能以上のエポキシ樹脂等が挙げられる。
　本発明に係る樹脂組成物をフィルム状に成形して用いる場合で、本発明に係る樹脂組成物がエポキシ樹脂を含有する場合、本発明に係る樹脂組成物に含有されるエポキシ樹脂の含有量は、特に限定されるものではないが、１０～９０重量％が好ましく、２０～８０重量％が特に好ましい。樹脂組成物に含有されるエポキシ樹脂の含有量が上記範囲にあることにより、フィルム状の樹脂層６の硬化後の低い線膨張係数と靭性を両立することができる。
　本発明に係る樹脂組成物をフィルム状に成形して用いる場合で、本発明に係る樹脂組成物がエポキシ樹脂を含有する場合、本発明に係る樹脂組成物に含有されるエポキシ樹脂の軟化点は、フィルム形成性樹脂との相溶性を有するものであれば、特に限定されるものではないが、４０～１００℃が好ましく、５０～９０℃が特に好ましい。上記下限値以上とすることで、フィルム状の樹脂層６のタック性を低減することができるため、フィルム状の樹脂層６の作業性を向上することができる。また、上記上限値以下とすることで、フィルム状の樹脂層６の溶融粘度の上昇を抑えることができる。
　本発明に係る樹脂組成物をフィルム状に成形して用いる場合で、本発明に係る樹脂組成物がエポキシ樹脂を含有する場合、本発明に係る樹脂組成物は、特に限定されるものではないが、硬化剤を含有することが好ましい。このような硬化剤は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであればよく、適宜選択されてる。具体的には、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、メタキシレリレンジアミン、などの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン、ｍ－フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルフォン、などの芳香族ポリアミン、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジドなどを含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、などの脂肪族酸無水物、無水トリトメット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸、などの芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル（フェニレン、ビフェニレン骨格を含む）樹脂、ナフトールアラルキル（フェニレン、ビフェニレン骨格を含む）樹脂、トリフェノールメタン樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、ビス（モノまたはジｔ－ブチルフェノール）プロパン、メチレンビス（２－プロペニル）フェノール、プロピレンビス（２－プロペニル）フェノール、ビス[（２－プロペニルオキシ）フェニル]メタン、ビス[（２－プロペニルオキシ）フェニル]プロパン、４,４'－（１－メチルエチリデン）ビス[２－（２－プロペニル）フェノール]、４,４'－（１－メチルエチリデン）ビス[２－（１－フェニルエチル）フェノール]、４,４'－（１－メチルエチリデン）ビス[２－メチルー６－ヒドロキシメチルフェノール]、４,４'－（１－メチルエチリデン）ビス[２－メチル－６－（２－プロペニル）フェノール]、４,４'－（１－メチルテトラデシリデン）ビスフェノールなどのフェノール系硬化剤等が挙げられる。
　本発明に係る樹脂組成物をフィルム状に成形して用いる場合で、本発明に係る樹脂組成物がエポキシ樹脂を含有する場合、本発明に係る樹脂組成物中、硬化剤の含有量は、エポキシ樹脂のエポキシ当量と硬化剤の当量比を計算して求められる。硬化剤がフェノール樹脂の場合、エポキシ樹脂のエポキシ当量と硬化剤の官能基の当量比は、０．５～１．５が好ましく、０．７～１．３が特に好ましい。上記範囲とすることで、フィルムの耐熱性と保存性を両立することができる。
　本発明に係る樹脂組成物をフィルム状に成形して用いる場合で、本発明に係る樹脂組成物がエポキシ樹脂を含有する場合、本発明に係る樹脂組成物は、硬化促進剤を含有してもよい。このような硬化促進剤は、エポキシ樹脂と硬化剤との硬化反応を促進させるものであればよく、適宜選択される。具体的には、イミダゾール類、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン等のアミン系触媒、トリフェニルホスフィンやテトラ置換ホスホニウムと多官能フェノール化合物との塩等のリン化合物が挙げられる。これらの中でも、フィルム状の樹脂層６の速硬化性、保存性、半導体素子上のアルミパッド腐食性を両立するイミダゾール類、リン化合物が好ましい。
　本発明に係る樹脂組成物をフィルム状に成形して用いる場合で、本発明に係る樹脂組成物がエポキシ樹脂を含有する場合、本発明の樹脂組成物中、硬化促進剤の含有量は、０．００１～１０重量％が好ましく、０．０１～５重量％が特に好ましい。上記範囲とすることで、フィルム状の樹脂層６の速硬化性および保存性、硬化後の物性のバランスを保つことが可能となる。
　硬化促進剤としてのイミダゾール類としては、融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物が好ましく、例えば２－フェニルヒドロキシイミダゾール、２－フェニル－４－メチルヒドロキシイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール等が挙げられる。
　硬化促進剤としてのリン化合物の中でも、フィルム状の樹脂層６の速硬化性、半導体素子のアルミパッドへの腐食性、さらにはフィルム状の樹脂層６の保存性により優れる、テトラ置換ホスホニウムと多官能フェノール化合物との塩が特に好ましい。
　テトラ置換ホスホニウムと多官能フェノール化合物との塩は、単なる混合物ではなく、塩構造、超分子構造等の構造を有する化合物である。テトラ置換ホスホニウムと多官能フェノール化合物との塩のテトラ置換ホスホニウムは、フィルムの硬化性と保存性のバランスから、アルキル基や芳香族化合物がリン原子に４つ配位している化合物が好ましい。
　テトラ置換ホスホニウムの置換基は、特に限定されるものではなく、互いに同一であっても異なっていてもよく、置換又は無置換のアリール基やアルキル基を置換基として有するテトラ置換ホスホニウムイオンが、熱や加水分解に対して安定であり好ましい。具体的にテトラ置換ホスホニウムとしては、テトラフェニルホスホニウム、テトラトリルホスホニウム、テトラエチルフェニルホスホニウム、テトラメトキシフェニルホスホニウム、テトラナフチルホスホニウム、テトラベンジルホスホニウム、エチルトリフェニルホスホニウム、ｎ－ブチルトリフェニルホスホニウム、２－ヒドロキシエチルトリフェニルホスホニウム、トリメチルフェニルホスホニウム、メチルジエチルフェニルホスホニウム、メチルジアリルフェニルホスホニウム、テトラ－ｎ－ブチルホスホニウム等が例示でき、これらの中でもテトラフェニルホスホニウムがフィルムの速硬化性と保存性のバランスから好ましい。
　テトラ置換ホスホニウムと多官能フェノール化合物との分子化合物の多官能フェノール化合物とは、フェノール性の水酸基を有するもので少なくともその１つの水酸基の水素が外れてフェノキシド型の化合物となっているものであり、具体的には、ヒドロキシベンゼン化合物、ビフェノール化合物、ビスフェノール化合物、ヒドロキシナフタレン化合物、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂等が挙げられる。
　多官能フェノール化合物としては、例えば、ビス（４－ヒドロキシ－３，５－ジメチルフェニル）メタン（通称テトラメチルビスフェノールＦ）、４，４’－スルホニルジフェノール及び、４，４’－イソプロピリデンジフェノール（通称ビスフェノールＡ）、ビス（４－ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２－ヒドロキシフェニル）メタン、（２－ヒドロキシフェニル）（４－ヒドロキシフェニル）メタン及びこれらの内ビス（４－ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２－ヒドロキシフェニル）メタン、（２－ヒドロキシフェニル）（４－ヒドロキシフェニル）メタンの３種の混合物（例えば、本州化学工業（株）・製、ビスフェノールＦ－Ｄ）等のビスフェノール類、１，２－ベンゼンジオール、１，３－ベンゼンジオール、１，４－ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、１，２，４－ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、１，６－ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、２，２’－ビフェノール、４，４’－ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられるが、速硬化性と保存性のバランスに優れる１，２－ジヒドロキシナフタレン、４，４’－スルホニルジフェノールが好ましい。
　本発明に係る樹脂組成物をフィルム状に成形して用いる場合、このようなフィルム状の樹脂層６は、例えば、フラックス作用を有する化合物及び熱硬化性樹脂と、必要に応じて、フィルム形成性樹脂や、その他の成分とを溶剤中に溶解させてフィルム状の樹脂層６形成用材料（液状材料）を調製し、その後、このフィルム状の樹脂層６形成用材料を、ポリエステルシート等の剥離処理が施された基材上に塗布し、所定の温度で、溶剤を除去し、乾燥させることにより得られる。
　なお、フィルム状の樹脂層６形成用材料の調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ＤＩＢＫ (ジイソブチルケトン)
、シクロヘキサノン、ＤＡＡ（ジアセトンアルコール）等のケトン類、ベンゼン、キシレン、トルエン等の芳香族炭化水素類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ－ブチルアルコール等のアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ＢＣＳＡ（ブチロセルソルブアセテート）等のセロソルブ系、ＮＭＰ（Ｎ－メチル－２－ピロリドン）、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＢＥ（ニ塩基酸エステル）、ＥＥＰ（３－エトキシプロピオン酸エチル）、ＤＭＣ（ジメチルカーボネート）等が挙げられる。
　また、フィルム状の樹脂層６の厚さ（平均）は、特に限定されないが、３～１００μｍ程度であるのが好ましく、５～５０μｍ程度であるのがより好ましい。
　本発明は、以下のような発明に基づくものである。
［１］　支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子とを、半田を用いて接合して、該支持体と該被着体とを電気的に接続する電子部品の製造方法であって、
　接合される該第一の端子と該第二の端子との間に、フラックス作用を有する樹脂層を配置する樹脂層配置工程と、
　接合される該第一の端子と該第二の端子との位置合わせを行う位置合わせ工程と、
　該第一の端子と該第二の端子とを、半田接合させる半田接合工程と、
　加圧流体により加圧しながら、該樹脂層を硬化させる加圧硬化工程と、
を順に行うことを特徴とする電子部品の製造方法。
［２］　支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子とを、半田を用いて接合して、該支持体と該被着体とを電気的に接続する電子部品の製造方法であって、
　接合される該第一の端子と該第二の端子との間に、フラックス作用を有する樹脂層を配置する樹脂層配置工程と、
　接合される該第一の端子と該第二の端子との位置合わせを行う位置合わせ工程と、
　加圧流体により加圧しながら、該樹脂層を硬化させる加圧硬化工程と、
　該第一の端子と該第二の端子とを、半田接合させる半田接合工程と、
を順に行うことを特徴とする電子部品の製造方法。
［３］　支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子とを、半田を用いて接合して、該支持体と該被着体とを電気的に接続する電子部品の製造方法であって、
　接合される該第一の端子と該第二の端子との間に、フラックス作用を有する樹脂層を配置する樹脂層配置工程と、
　接合される該第一の端子と該第二の端子との位置合わせを行う位置合わせ工程と、
　加圧流体により加圧しながら、該樹脂層を硬化させる第一加圧硬化工程と、
　該第一の端子と該第二の端子とを、半田接合させる半田接合工程と、
　加圧流体により加圧しながら、該第一加圧硬化工程で硬化させた該樹脂層を更に硬化させる第二加圧硬化工程と、
を順に行うことを特徴とする電子部品の製造方法。
［４］　支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子とを、半田を用いて接合して、該支持体と該被着体とを電気的に接続する電子部品の製造方法であって、
　接合される該第一の端子と該第二の端子との間に、フラックス作用を有する樹脂層を配置する樹脂層配置工程と、
　接合される該第一の端子と該第二の端子との位置合わせを行う位置合わせ工程と、
　加圧流体により加圧しながら、該第一の端子と該第二の端子との半田接合と、該樹脂層の硬化を同時に行う半田接合兼加圧硬化工程と、
を順に行うことを特徴とする電子部品の製造方法。
［５］　前記加圧流体がガスであることを特徴とする［１］～［４］いずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
［６］　前記加圧流体が空気であることを特徴とする［１］～［５］いずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
［７］　処理対象物を圧力容器内に設置し、該圧力容器内を前記加圧流体により加圧しながら、該処理対象物を加熱することにより、前記加圧硬化工程、前記第一加圧硬化工程、前記第二加圧硬化工程又は前記半田接合兼加圧硬化工程を行うことを特徴とする［１］～［４］いずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
［８］　前記加圧硬化工程、前記第一加圧硬化工程、前記第二加圧硬化工程又は前記半田接合兼加圧硬化工程において、前記加圧流体の加圧力が、０．１～１０ＭＰａであることを特徴とする［１］～［７］いずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
［９］　前記樹脂層配置工程において配置される前記樹脂層の１００～２００℃における最低溶融粘度が１～１０００Ｐａ・ｓであることを特徴とする［１］～［８］いずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
［１０］　前記樹脂層が、熱硬化性樹脂を含むことを特徴とする［１］～［９］いずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
［１１］　前記樹脂層が、少なくとも１つ以上のフェノール性水酸基を有する樹脂（Ａ）と、その硬化剤として作用する樹脂（Ｂ）と、を含むことを特徴とする請求項［１］～［１０］いずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
［１２］［１］～［１１］のいずれか１項に記載の製造方法により製造されることを特徴とする電子部品。
　以下、本発明を実施例および比較例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（支持体）
　支持体としては、回路パターンが形成された回路基板（コア材として、住友ベークライト(株)社製、品番ＥＬＣ－４７８５ＧＳ、熱膨張係数（Ｔｇ以下）ＸＹ方向：１１ｐｐｍ、Ｚ方向：１６ｐｐｍ）を用い、回路基板には第一の端子上に半田５バンプ（Ｓｎ９６．５Ａｇ３．５）が形成されたものを使用した。
（被着体）
　被着体としては、被着体の第二の端子にＡｕバンプを有する半導体チップ（サイズ縦１５×横１５×厚さ０．７２５ｍｍ）を使用した。
　なお、上記の支持体の第一の端子と被着体の第二の端子の数は、１００組であった。
　[実施例１]
（フィルム状樹脂層の作製）
　エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂ＥＯＣＮ－１０２０７０（日本化薬（株）社製）４５重量部と、フェノールノボラック樹脂としてＰＲ－５３４６７（住友ベークライト（株）社製）１０重量部と、アクリルゴムとしてＳＧ－７０８－６（ナガセケムテックス（株）社製）２０重量部と、アクリルポリマーとしてＵＣ－３９００（東亞合成（株）社製）１０重量部と、フラックス作用を有する化合物としてフェノールフタリン（東京化成（株）社製）１５重量部と、シランカップリング剤としてＫＢＭ－３０３（信越シリコーン（株）社製）０．５重量部と、イミダゾール化合物として２Ｐ４ＭＺ（四国化成（株）社製）０．０１重量部と、をアセトンに溶解し、ワニス状の樹脂組成物を作製した。
　上記で得られたワニス状の樹脂組成物を、ポリエステルシート（基材）にコンマコータを用いて塗布し、上記アセトンが揮発する温度１００℃で３分間乾燥させて、基材上に形成された厚み３５μｍのフィルム状樹脂層（ａ）を得た。
（電子装置の作製）
　基材上に形成されたフィルム状の樹脂層（ａ）を、回路基板の半田５バンプが形成された面に、ロールラミネーターを用い、温度：１２０℃、速度５０ｃｍ／分の条件でラミネートし、次いで、基材を剥離した（樹脂層配置工程）。
　次に、回路基板の第一の端子と半導体チップの第二の端子が対向するように位置合わせし、フリップチップボンダー（澁谷工業（株）社製 ＤＰ－２００）により８０℃、０．０５ＭＰａで、７秒間加熱圧縮を行い、積層体を得た（位置合わせ工程）。
　次に、平板プレス機（（株）システム開発 社製 ＭＳＡ－２）により２３０℃、０．２ＭＰａで、５秒間、積層体を加熱圧縮し、回路基板の半田バンプ（第一の端子）と半導体チップのＡｕバンプ（第二の端子）を接合した（半田接合工程）。
　次に、市販の加圧対応型オーブンにおいて空気によりオーブンの内部を加圧力０．５ＭＰａで加圧しつつ（積層体を０．５ＭＰａで加圧しつつ）、１８０℃、６０分間加熱し（加圧硬化工程（１））、電子装置を作製した。
（電子装置の評価）
　実施例１で得られた電子装置について、以下の評価を行った。評価項目を内容と共に示し、得られた結果を表１に示す。
１．導通接続の測定
　得られた電子装置について、任意に選択した隣接する２箇所の半田接合部の接続抵抗を、デジタルマルチメータにより測定した。次いで、他に９点、隣接する２箇所の半田接合部を任意に選択し、同様に、接続抵抗を測定し、合計１０点の導通接続の測定を行った。各符号は、以下の通りである。
　○：１０点全てで導通が取れた場合
　×：１点でも導通不良があった場合
２．支持体と被着体の間の硬化物中のマイクロボイドの有無
　得られた電子装置を切断し、硬化物の断面を研磨した。次いで、支持体、被着体及び隣接する２つの半田接合部で囲まれた部分を、任意に１０箇所選択し、各部分のマイクロボイドの有無を金属顕微鏡にて観察した。各符号は、以下の通りである。
　○：１０箇所全てでマイクロボイドが観察されなかった場合
　×：１箇所でもマイクロボイドが観察された場合
　[実施例２]
（電子装置の作製および評価）
　半田接合工程における加熱圧縮時間を５秒から１５秒に変更した以外は、実施例１と同様に電子装置を作製し、評価を実施した。
　[実施例３]
（電子装置の作製および評価）
　半田接合工程における加熱圧縮時間を５秒から１１５秒に変更した以外は、実施例１と同様に電子装置を作製し、評価を実施した。
　[実施例４]
（フィルム状樹脂層の作製）
　エポキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂ＥＰＩＣＬＯＮ－８４０Ｓ（大日本インキ化学（株）社製）４５重量部と、フェノールノボラック樹脂としてＰＲ－５３４６７（住友ベークライト（株）社製）１５重量部と、フェノキシ樹脂としてＹＰ－５０（東都化成（株）社製）２５重量部と、フラックス作用を有する化合物としてフェノールフタリン（東京化成（株）社製）１５重量部と、シランカップリング剤としてＫＢＭ－３０３（信越シリコーン（株）社製）０．５重量部と、イミダゾール化合物として２Ｐ４ＭＺ（四国化成（株）社製）０．０１重量部と、をアセトンに溶解し、ワニス状の樹脂組成物を作製した。
　上記で得られたワニス状の樹脂組成物を、ポリエステルシート（基材）にコンマコータを用いて塗布し、上記アセトンが揮発する温度１００℃で３分間乾燥させて、基材上に形成された厚み３５μｍのフィルム状樹脂層（ｂ）を得た。
（電子装置の作製および評価）
　樹脂層配置工程において、フィルム状樹脂層（ａ）に代えて、フィルム状樹脂層（ｂ）を用いた以外は、実施例２と同様に電子装置を作製し、評価を実施した。
　[実施例５]
（フィルム状樹脂層の作製）
　実施例４と同様の方法で、フィルム状樹脂層（ｂ）を得た。
（電子装置の作製および評価）
　基材上に形成されたフィルム状樹脂層（ｂ）を、回路基板の半田５バンプが形成された面に、ロールラミネーターを用い、温度：１２０℃、速度５０ｃｍ／分の条件でラミネートし、次いで、基材を剥離した（樹脂層配置工程）。
　回路基板の第一の端子と半導体チップの第二の端子が対向するように位置合わせし、フリップチップボンダー（澁谷工業（株）社製 ＤＰ－２００）により８０℃、０．０５ＭＰａで、７秒間加熱圧縮を行い、積層体を得た（位置合わせ工程）。
　次に、市販の加圧対応型オーブンにおいて空気によりオーブンの内部を加圧力０．５ＭＰａで加圧しつつ（積層体を０．５ＭＰａで加圧しつつ）、１８０℃、６０分間加熱した（加圧硬化工程）。
　次いで、平板プレス機（（株）システム開発 社製 ＭＳＡ－２）により２３０℃、０．２ＭＰａで、１５秒間積層体を加熱圧縮し、半田接合を行い（半田接合工程）、電子装置を作製した。
　次いで、実施例１と同様の評価を実施した。
　[実施例６]
（フィルム状樹脂層の作製）
　実施例４と同様の方法で、フィルム状樹脂層（ｂ）を得た。
（電子装置の作製および評価）
　基材上に形成されたフィルム状樹脂層（ｂ）を、回路基板の半田５バンプが形成された面に、ロールラミネーターを用い、温度：１２０℃、速度５０ｃｍ／分の条件でラミネートし、次いで、基材を剥離した。
　回路基板の第一の端子と半導体チップの第二の端子が対向するように位置合わせし、フリップチップボンダー（澁谷工業（株）社製 ＤＰ－２００）により８０℃、０．０５ＭＰａで、７秒間で加熱圧縮を行い、積層体を得た（位置合わせ工程）。
　次に、市販の加圧対応型オーブンにおいて空気によりオーブンの内部を加圧力０．５ＭＰａで加圧しつつ（積層体を０．５ＭＰａで加圧しつつ）、１２０℃、５分間加熱した（第一加圧硬化工程）。
　次いで、平板プレス機（（株）システム開発 社製 ＭＳＡ－２）により２３０℃、０．２ＭＰａで、１５秒間積層体を加熱圧縮し、半田接合を行った（半田接合工程）。
　次いで、第一加圧硬化工程で用いた市販の加圧対応型オーブンにおいて空気によりオーブンの内部を加圧力０．５ＭＰａで加圧しつつ（積層体を０．５ＭＰａで加圧しつつ）、１８０℃、６０分間加熱し（第二加圧硬化工程）、電子装置を作製した。
　次いで、実施例１と同様の評価を実施した。
　[実施例７]
（フィルム状樹脂層の作製）
　実施例４と同様の方法で、フィルム状樹脂層（ｂ）を得た。
（電子装置の作製および評価）
　基材上に形成されたフィルム状樹脂層（ｂ）を、回路基板の半田５バンプが形成された面に、ロールラミネーターを用い、温度：１２０℃、速度５０ｃｍ／分の条件でラミネートし、次いで、基材を剥離した。
　回路基板の第一の端子と半導体チップの第二の端子が対向するように位置合わせし、フリップチップボンダー（澁谷工業（株）社製 ＤＰ－２００）により８０℃、０．０５ＭＰａで、７秒間加熱圧縮を行い、積層体を得た（位置合わせ工程）。
　次に、市販の加圧対応型オーブン内に平板プレス機を設置し、平板プレス機に、前記積層体を取り付け、空気によりオーブンの内部を加圧力０．５ＭＰａに加圧しつつ（積層体を０．５ＭＰａで加圧しつつ）、１８０℃で加熱を開始した。そして、１８０℃での加熱開始後、５分経過した時点で、１８０℃、加圧力０．５ＭＰａの加圧雰囲気中、加圧対応型オーブン内に設置した平板プレス機で、プレス面の温度を２３０℃にして、０．２ＭＰａで、１５秒間加熱圧縮を行った。そして、その後も、１８０℃、加圧力０．５ＭＰａの加圧雰囲気下での加熱を続け、１８０℃での加熱開始から６０分間加熱を行い（半田接合兼加圧硬化工程）、電子装置を作製した。
　次いで、実施例１と同様の評価を実施した。
　なお、表１では、半田接合を２３０℃、０．２ＭＰａ、１５秒で実施していると記載しているが、この半田接合工程中にも、樹脂層の硬化は進んでいる。
　[実施例８]
（液状の樹脂組成物の作製）
　エポキシ樹脂としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂ＥＸＡ－８３０ＬＶＰ（大日本インキ化学（株）社製）７０重量部と、フェノールノボラック樹脂としてＰＲ－５３４６７（住友ベークライト（株）社製）２０重量部と、フラックス作用を有する化合物としてフェノールフタリン（東京化成（株）社製）１０重量部と、イミダゾール化合物として２Ｐ４ＭＺ（四国化成（株）社製）０．５重量部と、を３本ロールで混合し液状の樹脂組成物（ｃ）を作製した。
（電子装置の作製および評価）
　フィルム状樹脂層（ｂ）を、回路基板の半田５バンプが形成された面にラミネートすることに代えて、回路基板の半田５バンプが形成された面に、液状の樹脂組成物（ｃ）を厚さ３５μｍになるように塗布し、樹脂層を形成させたこと以外は、実施例２と同様に電子装置を作製し、評価を実施した。
　[実施例９]
（樹脂ワニスの作製）
　エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂ＥＯＣＮ－１０２０－７０（日本化薬（株）社製）５０重量部と、フェノールノボラック樹脂としてＰＲ－５３４６７（住友ベークライト（株）社製）２５重量部と、フラックス作用を有する化合物としてフェノールフタリン（東京化成（株）社製）２５重量部と、イミダゾール化合物として２Ｐ４ＭＺ（四国化成（株）社製）０．２重量部とを、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテートに溶解し固形分濃度８０％のワニスを作製し、得られたワニスを３本ロールで混合し樹脂ワニス（ｄ）層を作製した。
（電子装置の作製および評価）
　フィルム状樹脂層（ｂ）を、回路基板の半田５バンプが形成された面にラミネートすることに代えて、回路基板の半田５バンプバンプが形成された面に、樹脂ワニス（ｄ）を厚さ３５μｍになるように塗布し、さらに、１００℃、１０分乾燥して溶剤を揮発させて、樹脂層を形成させたこと以外は、実施例２と同様に電子装置を作製し、評価を実施した。
　[実施例１０]
（フィルム状樹脂層の作製）
　実施例１と同様の方法で、フィルム状樹脂層（ａ）を得た。
（電子装置の作製および評価）
　基材上に形成されたフィルム状樹脂層（ａ）を、回路基板の半田５バンプが形成された面に、ロールラミネーターを用い、温度：１２０℃、速度５０ｃｍ／分の条件でラミネートし、次いで、基材を剥離した（樹脂層配置工程）。
　回路基板の第一の端子と半導体チップの第二の端子が対向するように位置合わせし、フリップチップボンダー（澁谷工業（株）社製 ＤＰ－２００）により８０℃、０．０５ＭＰａで、７秒間加熱圧縮を行い、積層体を得た（位置合わせ工程）。
　次に、市販の加圧対応型オーブンにおいて空気によりオーブンの内部を加圧力０．５ＭＰａで加圧しつつ（積層体を０．５ＭＰａで加圧しつつ）、１８０℃、６０分間加熱した（加圧硬化工程）。
　次いで、リフロー装置（株式会社大和製作所製ＮＲＹ３２５－５Ｚ）を用いて加熱して、半田接合を行い（半田接合工程）、電子装置を作製した。つまり、圧縮せずに加熱して、半田接合を行った。このとき、加熱条件は、１５０～１８０℃で９０秒間、次いで、２２０℃で４５秒間であった。
　次いで、実施例１と同様の評価を実施した。
　[実施例１１]
（フィルム状樹脂層の作製）
　実施例１と同様の方法で、フィルム状樹脂層（ａ）を得た。
（電子装置の作製および評価）
　基材上に形成されたフィルム状の樹脂層（ａ）を、回路基板の半田バンプが形成された面に、ロールラミネーターを用い、温度：１２０℃、速度５０ｃｍ／分の条件でラミネートし、次いで、基材を剥離した（樹脂層配置工程）。
　次に、回路基板の第一の端子と半導体チップの第二の端子が対向するように位置合わせし、フリップチップボンダー（澁谷工業（株）社製 ＤＰ－２００）により８０℃、０．０５ＭＰａで、７秒間加熱圧縮を行い、積層体を得た（位置合わせ工程）。
　次に、市販の加圧対応型オーブンにおいて空気によりオーブンの内部を加圧力０．５ＭＰａで加圧しつつ（積層体を０．５ＭＰａで加圧しつつ）、２３０℃、６０分間加熱し（半田接合および樹脂加圧硬化工程）、電子装置を作製した。
　[実施例１２]
（フィルム状樹脂層の作製）
　実施例１と同様の方法で、フィルム状樹脂層（ａ）を得た。
（電子装置の作製および評価）
　基材上に形成されたフィルム状の樹脂層（ａ）を、回路基板の半田バンプが形成された面に、ロールラミネーターを用い、温度：１２０℃、速度５０ｃｍ／分の条件でラミネートし、次いで、基材を剥離した（樹脂層配置工程）。
　次に、回路基板の第一の端子と半導体チップの第二の端子が対向するように位置合わせし、フリップチップボンダー（澁谷工業（株）社製 ＤＰ－２００）により８０℃、０．０５ＭＰａで、７秒間加熱圧縮を行い積層体を得た（位置合わせ工程）。
　次に、市販の加圧対応型オーブンにおいて空気によりオーブンの内部を加圧力０．５ＭＰａで加圧しつつ（積層体を０．５ＭＰａで加圧しつつ）、２３０℃、０．５分間加熱し、その後、加圧力０．５ＭＰａで加圧しつつ（積層体を０．５ＭＰａで加圧しつつ）、１８０℃、６０分間加熱し（半田接合および樹脂加圧硬化工程）、電子装置を作製した。
　[比較例１]
（フィルム状樹脂層の作製）
　実施例１と同様の方法で、フィルム状樹脂層（ａ）を得た。
（電子装置の作製および評価）
　基材上に形成されたフィルム状の樹脂層（ａ）を、回路基板の半田バンプが形成された面に、ロールラミネーターを用い、温度：１２０℃、速度５０ｃｍ／分の条件でラミネートし、次いで、基材を剥離した。
　次に、回路基板の第一の端子と半導体チップの第二の端子が対向するように位置合わせし、フリップチップボンダー（澁谷工業（株）社製 ＤＰ－２００）により８０℃、０．０５ＭＰａで、７秒間加熱圧縮を行った。
　次に、平板プレス機（（株）システム開発 社製 ＭＳＡ－２）により２３０℃、０．２ＭＰａで、５秒間加熱圧縮し、回路基板の半田バンプと半導体チップのＡｕバンプを接合した（半田接合）。
　次に、市販のオーブン中で、大気圧下（非加圧硬化、加圧流体により加圧を行わず、加圧力：０ＭＰａ）で、１８０℃、６０分間加熱し、電子装置を作製した。　次いで、実施例１と同様の評価を実施した。
　[比較例２]
（電子装置の作製および評価）
　半田接合における加熱圧縮時間を５秒から１５秒に変更した以外は、比較例１と同様に電子装置を作製し、評価を実施した。
　[比較例３]
（電子装置の作製および評価）
　半田接合における加熱圧縮時間を５秒から１１５秒に変更した以外は、比較例１と同様に電子装置を作製し、評価を実施した。
　[比較例４]
（フィルム状樹脂層の作製）
　実施例４と同様の方法で、フィルム状樹脂層（ｂ）を得た。
（電子装置の作製および評価）
　基材上に形成されたフィルム状樹脂層（ｂ）を、回路基板の半田バンプが形成された面に、ロールラミネーターを用い、温度：１２０℃、速度５０ｃｍ／分の条件でラミネートし、次いで、基材を剥離した。
　回路基板の第一の端子と半導体チップの第二の端子が対向するように位置合わせし、フリップチップボンダー（澁谷工業（株）社製 ＤＰ－２００）により８０℃、０．０５ＭＰａで、７秒間加熱圧縮を行った。
　次に、市販のオーブン中で、大気圧下（非加圧硬化、加圧流体により加圧を行わず、加圧力：０ＭＰａ）で、１８０℃、６０分間加熱した。
　次いで、平板プレス機（（株）システム開発 社製 ＭＳＡ－２）により２３０℃、０．２ＭＰａで、１５秒間加圧圧縮し、半田接合を行い、電子装置を作製した。
　次いで、実施例１と同様の評価を実施した。
　[比較例５]
（フィルム状樹脂層の作製）
　実施例１と同様の方法で、フィルム状樹脂層（ａ）を得た。
（電子装置の作製および評価）
　基材上に形成されたフィルム状樹脂層（ａ）を、回路基板の半田バンプが形成された面に、ロールラミネーターを用い、温度：１２０℃、速度５０ｃｍ／分の条件でラミネートし、次いで、基材を剥離した。
　回路基板の第一の端子と半導体チップの第二の端子が対向するように位置合わせし、フリップチップボンダー（澁谷工業（株）社製 ＤＰ－２００）により８０℃、０．０５ＭＰａで、７秒間加熱圧縮を行った。
　次に、市販のオーブン中で、大気圧下（非加圧硬化、加圧流体により加圧を行わず、加圧力：０ＭＰａ）で、１８０℃、６０分間加熱した。
　次いで、リフロー装置（株式会社大和製作所製ＮＲＹ３２５－５Ｚ）を用いて加熱して、半田接合を行い、電子装置を作製した。つまり、圧縮せずに加熱して、半田接合を行った。このとき、加熱条件は、１５０～１８０℃で９０秒間、次いで、２２０℃で４５秒間であった。
　次いで、実施例１と同様の評価を実施した。
　[比較例６]
　積層体を加圧せずに、半田接合および樹脂硬化工程を実施した点以外は、実施例１１と同様である。
　[比較例７]
　積層体を加圧せずに、半田接合および樹脂硬化工程を実施した点以外は、実施例１２と同様である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 １）加熱条件１：１５０～１８０℃で９０秒、次いで、２２０℃で４５秒
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
 １）加熱条件１：１５０～１８０℃で９０秒、次いで、２２０℃で４５秒
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　実施例１～１２では、いずれも、導通接続が良好であり、また、マイクロボイドの発生がなかった。
　これに対し、比較例１～７では、マイクロボイドが発生し、導通不良が発生していた。
　また、実施例４、６，７の電子装置と実施例５の電子装置を比較すると、実施例４、６，７の電子装置の方が実施例５の電子装置に比べ、半田の濡れ広がりが良好であることがわかった。
　また、実施例４～７の電子装置は、上述したマイクロボイドの有無の測定では、いずれもマイクロボイド無しとされたが、すべての端子間のマイクロボイドの有無を確認したところ、実施例４の電子装置では、非常に小さなマイクロボイドの発生が確認できた。実施例５～７の電子装置では、いずれもマイクロボイドは発生していなかった。ただし、実施例４で確認されたマイクロボイドは、比較例１～７で確認されたものよりも小さく、実用上問題とはならない大きさであった。また、実施例４で確認されたマイクロボイドの数も比較例１～７よりも少なく、実用上問題とならない。
　また、実施例１～１２において、樹脂層を硬化させる際の樹脂層の加圧力を０．５ＭＰａとしたが、加圧力を１０ＭＰａとした場合であっても、同様の効果が得られた。
　さらに、実施例１～１２はいずれもフラックス作用を有する樹脂層がエポキシ樹脂を含むものであったが、エポキシ樹脂にかえて他の熱硬化性樹脂（オキセタン樹脂等）を含むものであった場合にも、実施例１～１２と同様、ボイドの発生を抑制することができることが確認された。
　なお、上述した実施例１～１２で使用した樹脂層の１００℃～２００℃における最低溶融粘度は、２Ｐａ・ｓであった。
　最低溶融粘度は、粘弾性測定装置であるレオメーターを用いて、フィルム状態のサンプルに１０℃／分の昇温速度で、周波数１Ｈｚのずり剪断を与えて測定した。
　なお、樹脂層が液状の樹脂組成物の場合には、溶剤を乾燥させてフィルム状にして測定をおこなった。
　[実施例１３]
（フィルム状樹脂層の作製）
　エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂ＥＯＣＮ－１０２０７０（日本化薬（株）社製）４５重量部と、フェノールノボラック樹脂としてＰＲ－５３４６７（住友ベークライト（株）社製）１５重量部と、フェノキシ樹脂として、ＹＰ－５０（東都化成（株）社製）を１５重量部と、フラックス作用を有する化合物としてフェノールフタリン（東京化成（株）社製）１５重量部と、シランカップリング剤としてＫＢＭ－３０３（信越シリコーン（株）社製）１．０重量部と、イミダゾール化合物として２Ｐ４ＭＺ（四国化成（株）社製）０．０５重量部とをアセトンに溶解し、さらに、フィラー（アドマテックス社製、ＳＥ６０５０、平均粒径２μｍ）を１０重量部添加して、ワニス状の樹脂組成物を作製した。
　上記で得られたワニス状の樹脂組成物を、ポリエステルシート（基材）にコンマコータを用いて塗布し、上記アセトンが揮発する温度１００℃で３分間乾燥させて、基材上に形成された厚み３５μｍのフィルム状樹脂層を得た。
（電子装置の作製）
　基材上に形成されたフィルム状の樹脂層を使用して、実施例１と同様に電子装置を作製した。
（電子装置の評価）
　実施例１で得られた電子装置について、実施例１と同様の評価を行った。
　[実施例１４]
（フィルム状樹脂層の作製）
実施例１３の樹脂層において、フィラー（アドマテックス社製、ＳＥ６０５０、平均粒径２μｍ）を添加して、ワニス状の樹脂組成物の添加量を３０重量部とした点以外は、実施例１３と同様の樹脂層を作製した。
　その後、実施例１３と同様に電子装置を作製し、実施例１と同様の評価を行った。
　[実施例１５]
（フィルム状樹脂層の作製）
実施例１３の樹脂層において、フィラー（アドマテックス社製、ＳＥ６０５０、平均粒径２μｍ）を添加して、ワニス状の樹脂組成物の添加量を６０重量部とした点以外は、実施例１３と同様の樹脂層を作製した。
　その後、実施例１３と同様に電子装置を作製し、実施例１と同様の評価を行った。
実施例１３～１５で使用した樹脂層の組成を表６に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　実施例１３で使用した樹脂層の１００℃～２００℃における最低溶融粘度は、５Ｐａ・ｓであった。実施例１４で使用した樹脂層の１００℃～２００℃における最低溶融粘度は、１００Ｐａ・ｓであった。実施例１５で使用した樹脂層の１００℃～２００℃における最低溶融粘度は、３３００Ｐａ・ｓであった。
　最低溶融粘度は、粘弾性測定装置であるレオメーターを用いて、フィルム状態のサンプルに１０℃／分の昇温速度で、周波数１Ｈｚのずり剪断を与えて測定した。
　実施例１３～１５では、いずれも、マイクロボイドおよび導通不良が発生しなかった。
　また、実施例１３～１５のように、実施例１に比べ最低溶融粘度が高い樹脂層を使用した方が、マイクロボイドの発生をより確実に抑制できることが確認された。

Claims (11)

  1. 　第一電子部品の第一の端子と、第二電子部品の第二の端子とを、半田を用いて接合して、該第一電子部品と該第二電子部品とを電気的に接続する電子装置の製造方法であって、
    　前記第一の端子または第二の端子上に前記半田が設けられており、
    　該第一の端子と該第二の端子との間に、フラックス作用を有する樹脂層を配置して、前記第一電子部品、前記第二電子部品、前記樹脂層とを含む積層体を得る工程と、
    　該第一の端子と該第二の端子とを、半田接合させる半田接合工程と、
    　加圧流体により前記積層体を加圧しながら、該樹脂層を硬化させる加圧硬化工程と、
    を行う電子装置の製造方法。
  2. 　請求項１に記載の電子装置の製造方法において、
    　前記加圧硬化工程を実施した後、再度加圧流体により、前記積層体を加圧しながら、前記樹脂層をさらに、硬化させる電子装置の製造方法。
  3. 　請求項１または２に記載の電子装置の製造方法において、
    　前記加圧流体により、前記積層体を加圧しながら、前記第一の端子と第二の端子とを半田接合させるとともに、前記樹脂層を硬化させ、前記半田接合工程と、前記加圧硬化工程とを実施する電子装置の製造方法。
  4. 　請求項１乃至３のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
    　前記加圧硬化工程では、前記積層体を容器内に設置し、前記容器内に前記加圧流体を導入し、前記積層体を加圧する電子装置の製造方法。
  5. 　請求項１乃至４のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
    　前記加圧流体が気体である電子装置の製造方法。
  6. 　請求項５に記載の電子装置の製造方法において、
    　前記加圧流体が空気である電子装置の製造方法。
  7. 　請求項１乃至６のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
    　前記加圧硬化工程では、前記加圧流体により、０．１ＭＰａ以上、１０ＭＰａ以下の圧力を前記積層体に加圧する電子装置の製造方法。
  8. 　請求項１乃至７のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
    　前記樹脂層の１００～２００℃における最低溶融粘度が１～１００００Ｐａ・ｓである電子装置の製造方法。
  9. 　請求項１乃至８のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
    　前記樹脂層は熱硬化性樹脂を含む電子装置の製造方法。
  10. 　前記樹脂層が、少なくとも１つ以上のフェノール性水酸基を有する樹脂（Ａ）と、その硬化剤として作用する樹脂（Ｂ）と、を含むことを特徴とする請求項１～９いずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
  11. 　請求項１～１０のいずれか１項に記載の製造方法により製造されることを特徴とする電子装置。
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