WO2010001591A1 - 透明導電性転写版の製造方法、透明導電性転写版、透明導電性転写版を用いた透明導電性基材の製造方法、透明導電性基材、および透明導電性基材を用いた成形体 - Google Patents

透明導電性転写版の製造方法、透明導電性転写版、透明導電性転写版を用いた透明導電性基材の製造方法、透明導電性基材、および透明導電性基材を用いた成形体 Download PDF

Info

Publication number
WO2010001591A1
WO2010001591A1 PCT/JP2009/003025 JP2009003025W WO2010001591A1 WO 2010001591 A1 WO2010001591 A1 WO 2010001591A1 JP 2009003025 W JP2009003025 W JP 2009003025W WO 2010001591 A1 WO2010001591 A1 WO 2010001591A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
transparent conductive
substrate
transfer plate
support
electrically conductive
Prior art date
Application number
PCT/JP2009/003025
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
柿原康男
京藤倫久
鈴木教一
Original Assignee
戸田工業株式会社
フジコピアン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 戸田工業株式会社, フジコピアン株式会社 filed Critical 戸田工業株式会社
Priority to EP09773169A priority Critical patent/EP2302645A1/en
Priority to US13/001,496 priority patent/US8846182B2/en
Priority to CN200980122716.6A priority patent/CN102067245A/zh
Priority to JP2010518917A priority patent/JP5510320B2/ja
Publication of WO2010001591A1 publication Critical patent/WO2010001591A1/ja

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073Shielding materials
    • H05K9/0094Shielding materials being light-transmitting, e.g. transparent, translucent
    • H05K9/0096Shielding materials being light-transmitting, e.g. transparent, translucent for television displays, e.g. plasma display panel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/914Transfer or decalcomania
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/22Nonparticulate element embedded or inlaid in substrate and visible
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y10T428/24612Composite web or sheet
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24843Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] with heat sealable or heat releasable adhesive layer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24893Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including particulate material
    • Y10T428/24909Free metal or mineral containing

Abstract

【課題】低抵抗で高透過率な耐モアレ性に優れた透明導電性基材を特別な装置を用いることなく容易に作成することが出来、さらには広範な基材に適用できる透明導電性基材の製造方法、ならびに、十分な光学的透明性及び電磁波シールド性を有し、且つ、成形加工が容易な透明導電性基材及びその製造方法、さらに透明導電性成形体を提供する。 【解決手段】自己組織化膜を形成可能な金属微粒子分散溶液を支持体上に塗布、乾燥させた後、加熱処理及び/又は化学処理を行うか、又は金属微粒子前駆体溶液を支持体上に塗布、乾燥させた後、還元析出させるかをして、低抵抗でかつ高透過率な耐モアレ性に優れた導電性ランダムネットワーク構造を有する透明導電性膜を支持体上に予め形成させた後、基材と支持体とを貼り合せ、基材上に透明導電性膜を直接に転写するか、または接着層又は粘着層を介在させて転写することで、広範な基材に低抵抗でかつ高透過率な耐モアレ性に優れた透明導電性基材を容易に製造することが出来る。

Description

透明導電性転写版の製造方法、透明導電性転写版、透明導電性転写版を用いた透明導電性基材の製造方法、透明導電性基材、および透明導電性基材を用いた成形体
 本発明は、低抵抗でかつ高透過率及び耐モアレ性に優れた導電性ランダムネットワーク構造を有する透明導電性基材、透明導電性基材の製造方法、及び透明導電性基材の製造に使用する透明導電性転写版、透明導電性転写版の製造方法に関する。また、本発明は、視認性を有した電磁波シールド材であって、透明導電性基材を用いた成形体に関するものである。
 透明導電性基材は帯電防止膜、タッチパネルや太陽電池の透明電極、電磁波シールド材などとして用いられている。中でも各所で検討が盛んに行われている電磁波シールド材は、家電用品、携帯電話、パソコン、テレビをはじめとした電子機器から放出された多種多様な電磁波を抑制する目的に用いられている。特にプラズマディスプレイや液晶ディスプレイなどのフラットパネルディスプレイからの電磁波は装置の誤作動や長時間被爆することによる人体への影響が懸念されており、これら電磁波を抑制するために、電磁波発生源からの影響を取り除く手段を大別すると次の2つに分けられる。(1)電磁波の発生が抑制されるように電子回路を改良設計する(2)電磁波発生源を電磁波シールド材で覆う方法がある。(1)の方法で電磁波が抑制されるのであれば,余計な部材が増えることがなくより好ましいが、電磁波の発生源を特定し、さらに回路の改良設計を行う煩雑な作業を行うよりは(2)の方法を用いる方がより効率的で好ましい場合も多く、電磁波シールド材が検討されている。
 上記(2)における電磁波シールド材用途の透明導電性基材の製造方法として、いつくかの方法が提案されている。例えば、格子状の金属配線を形成する方法がある。この方法は銅などの金属箔を、フォトリソグラフィープロセスを用いて格子状の金属配線に形成させる方法である(例えば特許文献1参照)。しかし、フォトリソグラフィープロセスでは煩雑な操作が必要であり、装置も特殊であり高コストになる。また、めっき触媒であるPd微粒子を基材上に塗布した後、めっきするプロセスが開示されているが(例えば特許文献2参照)、めっき液の管理などが必要になり、やはり操作が煩雑になるとともに環境負荷的に課題が残る。さらに、金属微粒子より印刷用インキを調製し、スクリーン印刷により基材上に印刷し、加熱処理することで、格子状の金属配線を形成し、透明導電性基材を作成する方法も開示されている(例えば特許文献3参照)。しかし、印刷による金属配線幅ではディスプレイの今後の高解像度化に対応できるに十分な狭い金属配線幅に対応できるかどうかに課題が残る。
 ところで、フラットパネルディスプレイなどに上記格子状の金属配線を有する透明導電性基材を用いた場合には、「耐モアレ特性」が重要になる。これは点または線が幾何学的に規則正しく分布したものを重ね合わせた時に生じる斑紋であり、具体的にはディスプレイを見た時に縞模様が見えてしまう現象である。そのため、金属配線部分が上記のような格子状ではなく、例えばランダムなネットワーク形状を有しているものの方が望ましいことが指摘されている。フォトリソグラフィーや印刷を用いずに、上記のような金属配線がランダムなネットワーク形状を有した透明導電性基材の作成法として、金属微粒子の分散溶液を基材上に塗布、乾燥させ、金属微粒子の自己組織化現象を利用したランダムネットワーク構造を形成させる方法が開示されている(例えば特許文献4参照)。この作成法はコスト面や環境負荷の面で優れた方法と言える。
 また、上記の電磁波シールド材としては、アルミニウム、銅、鉄などの金属箔、ポリエステル繊維を銅やニッケルでめっきした導電布、ステンレスや銅の金属ワイヤーを透明基材上に格子状に配置した金属シールドスクリーン、銀フィラーを含む導電性ペーストを基材上に格子状に印刷した透明導電性基材、ITO(インジウムと錫の酸化物)を基材に蒸着積層させた透明導電性基材などが挙げられる。
 一方、最近では電磁波シールド性の他に、被遮蔽物の外側からの視認性も要求されてきている。これは、電子機器を組み立てた後の内部に組み込まれた基材や配線を電子機器の筐体の外側から目視による確認検査を行うなどの要求が出てきたためである。
 前記要求に対して、透明性樹脂で作成された筐体を用い、筐体に上述した電磁波シールド材のうち光学的透明性のある電磁波シールド材を貼り付け、視認性を確保する手法がとられている。
 光学的透明性を有する電磁波シールド材としては、例えばポリエステル繊維を銅やニッケルでめっきした導電布、ステンレスや銅の金属ワイヤーを透明基材上に格子状に配置した金属シールドスクリーン、銀フィラーを含む導電性ペーストを基材上に格子状に印刷した透明導電性基材、ITOを基材に蒸着積層させた透明導電性基材などが挙げられる。
 さらに、コストダウンを志向した場合、電子機器の筐体を作成した後に電磁波シールド材を貼付するよりも、筐体の材料となる透明樹脂基材に電磁波シールド性を付与した透明樹脂基材を作成し、次いで、透明樹脂基材を成形加工することで筐体を作成するほうが工業的により好ましいことは明らかである。
 しかしながら、前述した筐体の材料となる透明樹脂基材の代わりに、前述した電磁波シールド材を成形加工するか、成形用透明樹脂に前述した電磁波シールド材を付着又は積層させて、次いで、筐体を成形加工により作成すると、筐体の角の折り曲げ部分に問題が生じ、困難であった。
 金属シールドスクリーンや銀フィラーを含む導電性ペーストを基材上に格子状に印刷した透明導電性基材を用いた場合には、折り曲げ部分において金属線や銀フィラーの配線部に断線が生じてしまう。断線が生じ、筐体全体における通電が困難になると、接地を取る場合に各通電部分に接地をとる必要があり、又は全体が通電するように通電部分同士を橋渡しするような二次的処理が必要になってしまう。
 また、ITOを基材に蒸着した透明導電性基材の場合、折り曲げ部分のITO薄膜に亀裂が生じ、筐体全体における通電が取れなくなってしまう。
 一方、金属微粒子で構成されランダムな網目状構造を持つ透明導電性膜が開示されている(特許文献5及び6)。透明導電性膜は高い光学的透明性と高導電性を有しているため、視認性の優れた電磁波シールド材として用いることが期待できる。
特開2001-217589号公報 特開2005-203484号公報 国際公開第2005/115070号パンフレット 特開2006-32197号公報 特表2005-530005号公報 特開2007-234299号公報
 ところで、上記の自己組織化現象を利用する方法では、乾燥とともに金属微粒子が集合しランダムネットワークを形成するが、十分に低い抵抗を得るためにはその後に加熱処理や化学処理が必要になる。これは、一般に金属微粒子は微粒子化することで低温焼結が進むことが報告されているが、金属微粒子同士の合一を防ぎ、分散溶液中での分散安定性を維持するために付加されている有機分散剤を加熱処理や化学処理により除去する必要があるためである。また、金属微粒子の分散溶液に用いられる有機溶剤は一般に樹脂をよく溶解するものを用いることが多いため、透明導電性膜を積層させる基材に耐薬品性のある基材を使用しない場合には、処理中に劣化することも懸念される。さらに、金属微粒子と基材との接着性を考慮すると基材上に予め接着層や粘着層を塗布しておく必要があるが、塗布することにより基材の表面性が変化し、自己組織化を妨げることも懸念される。
 このように、金属微粒子の自己組織化を利用した透明導電性基材の作成法は、フォトリソグラフィー法やめっき法、印刷法に比べて耐モアレ性に優れた透明導電性基材を容易に作成することが出来る方法ではあるが、使用可能な基材が耐熱性、耐薬品性のある基材に限定され、さらに接着剤・粘着剤塗布後の表面性についても考慮する必要があり、未だ課題が残る。
 さらに、昨今、視認性の要求度が益々高くなり、この要求に答えることが出来る十分な光学的透明性を有する電磁波シールド材としては、金属シールドスクリーン、銀フィラーを含む導電性ペーストを基材上に格子状に印刷した透明導電性基材又はITOを蒸着積層した透明導電性基材などに限定される。
 しかしながら、透明性及び導電性の優れた透明導電性膜を形成させるために用いる有機溶剤、及び導電性を向上させるための加熱及び/又は化学的処理のいずれにも耐久性がある基材は限定されてしまい、容易に成形加工が可能で、安価な基材上に透明導電性膜を積層させ、透明導電性基材を得ることが困難である場合が多く課題が残る。
 また、従来の電磁波シールド材や透明導電性基材では、十分な光学的透明性及び電磁波シールド性を有しているが、容易に成形加工し、筐体が作成出来るものはなかった。
 本発明の目的は、低抵抗でかつ高透過率であり、耐モアレ性に優れた透明導電性基材を特別な装置を用いることなく容易に作成することが出来、さらには広範な基材に適用できる透明導電性基材の製造方法、透明導電性基材、及びそれらに使用する透明導電性転写版の製造方法、透明導電性転写版を提供することである。さらに耐久性の高い透明導電性基材を提供することである。
 本発明の他の目的は、十分な光学的透明性及び電磁波シールド性を有し、成形加工が容易な透明導電性基材と透明導電性成形体を提供することである。
 本発明は、自己組織化膜を形成可能な金属微粒子分散溶液を、耐熱性及び/又は耐薬品性を有する支持体に塗布し乾燥させた後、加熱処理及び/又は化学処理を行い、低抵抗でかつ高透過率及び耐モアレ性に優れた導電性ランダムネットワーク構造を有する透明導電性膜を支持体上に形成させることを特徴とする透明導電性転写版の製造方法である(本発明1)。
 また、本発明は、自己組織化膜を形成可能な金属微粒子の前駆体である金属塩の溶液を、耐熱性及び/又は耐薬品性を有する支持体に塗布し乾燥させた後、金属微粒子の前駆体を加熱又は紫外線照射又は還元性ガスにより還元析出させ、低抵抗でかつ高透過率及び耐モアレ性に優れた導電性ランダムネットワーク構造を有する透明導電性膜を支持体上に形成させることを特徴とする透明導電性転写版の製造方法である(本発明2)。
 また、本発明は、前記支持体に前記金属微粒子分散溶液又は前記金属塩の溶液を塗布するに先立ち、前記支持体に表面処理を施す本発明1又は本発明2に記載の透明導電性転写版の製造方法である(本発明3)。
 また、本発明は、本発明1から本発明3の何れかに記載の透明導電性転写版の製造方法により得られる透明導電性転写版である(本発明4)。
 また、本発明は、本発明4に記載の透明導電性転写版の透明導電性膜を有する面と基材の一面とを対向させ、前記透明導電性転写版と前記基材とを圧着又は熱圧着させ、前記透明導電性膜を前記基材に転写させた後、前記支持体を剥離することを特徴とする透明導電性基材の製造方法である(本発明5)。
 また、本発明は、本発明4に記載の透明導電性転写版の透明導電性膜を有する面と基材の一面の少なくともいずれか一面に接着層又は粘着層又はカップリング剤層又は有機物ゲル層を形成後、前記透明導電性転写版と前記基材とを圧着又は熱圧着させ、前記透明導電性膜を前記基材に転写させた後、前記支持体を剥離することを特徴とする透明導電性基材の製造方法である(本発明6)。
 また、本発明は、本発明5又は本発明6に記載の透明導電性基材の製造方法により得られる透明導電性基材である(本発明7)。
 また、本発明は、前記透明導電性膜は、基材に埋没するか、基材及び接着層中、基材及び粘着層中、基材及びカップリング剤層中、基材及び有機物ゲル層中に埋没するか、基材には埋没しないで、いずれかの層中に単独に埋没して、前記透明導電性膜の表面と前記基材又は接着層又は粘着層又はカップリング剤層又は有機物ゲル層の表面とが同一平面である本発明7に記載の透明導電性基材である(本発明8)。
 また、本発明は、前記基材が熱可塑性樹脂基材である本発明7に記載の透明導電性基材である(本発明9)。
 また、本発明は、前記金属微粒子が、Au、Ag、Cu、Ni、Co、Fe、Cr、Zn、Al、Sn、Pd、Ti、Ta、W、Mo、In、Pt、Ruから選ばれる又は前記金属を二種以上含む合金である本発明9記載の透明導電性基材である(本発明10)。
 また、本発明は、前記接着層又は粘着層が熱可塑性樹脂からなる接着剤又は粘着剤である本発明9又は10記載の透明導電性基材である(本発明11)。
 また、本発明は、前記熱可塑性樹脂基材がアクリル、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、アモルファスポリエチレンテレフタレート、ABS、ポリスチレンおよびそれらの積層基材から選ばれる樹脂基材である本発明9~11の何れかに記載の透明導電性基材である(本発明12)。
 また、本発明は、本発明9~12の何れかに記載の透明導電性基材を成形して成る透明導電性成形体である(本発明13)。
 本発明の透明導電性転写版の製造方法を用いることで、低抵抗でかつ高透過率及び耐モアレ性に優れた導電性ランダムネットワーク構造を有する透明導電性膜が支持体上に形成された透明導電性転写版を、特別な装置を用いることなく容易に作成することができる。特に透明導電性膜の形成に適した支持体を選択することで、十分な加熱処理及び又は化学処理が可能となり、低抵抗でかつ高透過率及び耐モアレ性に優れた透明導電性膜を形成させることができる。
 また本発明の透明導電性基材の製造方法は、透明導電性転写版を製造した後、この透明導電性転写版上の透明導電性膜を基材に転写させて製造するので、基材が特定の基材に限定されることがなく、低抵抗でかつ高透過率及び耐モアレ性に優れた透明導電性基材を特別な装置を用いることなく容易に作成することができる。これらにより広範な基材を用いた性能に優れる透明導電性基材を容易に製造することができる。
 また本発明の透明導電性基材は、透明導電性膜が基材に埋没するか、基材及び接着層中、基材及び粘着層中、基材及びカップリング剤層中、基材及び有機物ゲル層中に埋没するか、基材には埋没しないで、いずれかの層中に単独に埋没しているので透明導電性膜の微細なランダムネットワークの強度が保たれ、耐久性に優れる。
 また本発明に係る透明導電性基材は、十分な光学的透明性を有し、さらに成形加工が容易であるため、電磁波シールド性と視認性を有した電子機器などの筐体を、容易に成形加工することが出来る。
本発明に係る透明導電性基材の透明導電性膜と基材との関係を示す断面図である。 本発明に係る透明導電性転写版上に基材を圧着した際の、基材と透明導電性膜と支持体との関係を示す断面図である。 本発明に係る透明導電性基材のフロー図である。 本発明に係る透明導電性基材を真空成形機にセットした図である。 本発明に係る透明導電性基材を真空成形機を用いて成形した図である。 本発明に係る成形前後の抵抗の測定点の図である。
符号の説明
 1、11:透明導電性膜
 2:基材
 3、5、6、15:透明導電性基材
 4、9、13:接着層又は粘着層又はカップリング剤層又は有機物ゲル層
 7:透明導電性膜の表面
 8:基材の表面
 10、12:支持体
14 熱可塑性樹脂基材
16 真空成形機
 本発明の透明導電性基材の製造方法は、支持体上に透明導電性膜を積層した転写版を作成する工程と、転写版の透明導電性膜を所望の基材に転写し透明導電性基材を作成する工程とを含む。
 本発明で使用する支持体とは、転写版に使用するものであって、厚み1~200μm程度の樹脂フィルム等をいう。基材とは、被転写基材を意味し、転写版における支持体とは区別される厚み1μm~10mmの範囲の樹脂フィルム、樹脂板、ガラス等をいう。
 最初に金属微粒子分散溶液を支持体上に塗布、乾燥させ、その後に加熱処理及び化学処理又はいずれかの処理を行い、又は金属微粒子前駆体溶液を支持体上に塗布、乾燥させた後、金属微粒子前駆体を加熱又は紫外線照射又は還元性ガスにより還元析出させ、十分な低抵抗性、高透過率性及び耐モアレ性を有する透明導電性膜を支持体上に積層した転写版を作成する。
 その後に、所望の基材と前記転写版とを張り合わせ、加熱処理及び加圧処理又はいずれかの処理方法により転写版から透明導電性膜を所望の基材上に転写した後、転写版の支持体を剥離することで、低抵抗性、高透過率性、耐モアレ性を有する透明導電性基材を得ることが出来る。
 所望の基材に透明導電性膜を転写するに際し、所望の基材と透明導電性膜との間に、接着層、粘着層、カップリング剤層又は有機物ゲル層(以下、接着層等と呼ぶ)を介在させてもよい。所望の基材の表面及び/又は転写版の表面に、接着層又は粘着層又はカップリング剤層又は粘着性のある有機物ゲル層などを付与し、所望の基材と転写版とを張り合わせ、加熱処理及び加圧処理又はいずれかの処理を行い、又は紫外線硬化型の接着層では紫外線照射する方法により転写版から透明導電性膜を所望の基材上に転写する。その後、転写版の支持体を剥離することで、前記接着層等を介し、基材上に低抵抗性、高透過率性、耐モアレ性を有する透明導電性膜を積層した透明導電性基材を得ることが出来る。
 なお、本発明においては、接着層は、常温では接着力をもたないが、加熱することで接着力を生じる層をいう。粘着層は、常温で接着力を有する層をいう。
 図1は、本発明に係る透明導電性基材の透明導電性膜と基材との関係を示す断面図である。前記透明導電性基材は、図1(a)に示すように透明導電性膜1を基材2中にホットプレス等を使って完全に埋め込んだ透明導電性基材3、図1(b)に示すように接着層等4及び基材2中にホットプレス等を使って透明導電性膜1を埋め込んだ透明導電性基材5、図1(c)に示すように本発明4の透明導電性転写版を使って接着層等4に透明導電性膜1を埋め込んだ透明導電性基材6とすることができる。いずれの透明導電性基材3、5、6とも、透明導電性膜1は基材2又は接着層等4に完全に埋め込まれており、透明導電性膜1の表面7と基材2の表面8、又は透明導電性膜1の表面7と接着層等4の表面9とが同一平面となっているので、透明導電性膜1の微細なランダムネットワークの強度が保たれ、耐久性に優れ好ましい。
 金属微粒子分散溶液又は金属微粒子前駆体溶液は、支持体上へ塗布、乾燥後に、金属微粒子又は金属微粒子前駆体溶液が自己組織化現象によりランダムネットワーク構造を形成し、積層基材を加熱処理及び化学処理またはいずれかの処理、又は金属微粒子前駆体を熱又は光又は化学的に還元析出させ、低抵抗、高透過率、耐モアレ性に優れた透明導電性膜を形成するものであればいずれの金属微粒子分散溶液又は金属微粒子前駆体溶液を用いても良い。例えば、特開2007-234299号公報、特表2005-530005号公報および特開平10-312715号公報を参考に調製した金属微粒子分散溶液又は金属微粒子前駆体溶液を用いることが出来る。
 金属微粒子分散液又は金属微粒子前駆体溶液に含まれる金属微粒子は、Au、Ag、Cu、Ni、Co、Fe、Cr、Zn、Al、Sn、Pd、Ti、Ta、W、Mo、In、Pt、Ruなどの金属微粒子又は金属合金微粒子又は金属酸化物微粒子又は金属硫化物微粒子、又は炭素を含む炭素微粒子又はカーボンナノチューブやフラーレン、カーボンナノホーンなどの所謂ナノカーボン材料、又は珪素を含む珪素微粒子又は珪素と他金属との珪素合金微粒子、珪素酸化物微粒子又は珪素炭化物微粒子、珪素窒化物微粒子を用いることができる(これら炭素および珪素材料も本発明において金属微粒子の範疇とする)。高導電性を得る観点からは、好ましくはAu、Ag、Cuを1種類以上含む金属微粒子分散溶液又は金属微粒子前駆体溶液を用いるのが良い。耐酸化性及び経済的な観点からはAgを用いることがより好ましい。
 転写版の支持体には、耐熱性、耐薬品性に優れる材料を用いる。本発明に係る透明導電性転写版の製造方法は、金属微粒子分散溶液を支持体上に塗布、乾燥させ、その後に加熱処理及び化学処理又はいずれかの処理を行う、又は金属微粒子前駆体溶液を支持体上に塗布、乾燥させた後、金属微粒子前駆体を加熱又は紫外線照射又は還元性ガスにより還元析出させることで、十分な低抵抗性、高透過率性及び耐モアレ性を有する透明導電性膜を支持体上に形成させるので、転写版の支持体はこれら操作、処理に耐え得るものでなければならない。支持体の材料の選択が不適切で、十分な加熱処理、化学処理、紫外線照射処理、還元性ガスにより還元析出処理が行なうことができないときには、十分な低抵抗性、高透過率性及び耐モアレ性を有する透明導電性膜を得ることはできない。例えば、金属微粒子分散液又は金属微粒子前駆体溶液が有機溶剤を含む場合には、耐溶剤性を有する支持体とする必要がある。金属微粒子分散液又は金属微粒子前駆体溶液を支持体に塗布し乾燥させた後、塩酸水溶液に浸漬させるような場合は耐酸性を有する支持体とする必要があり、さらにその後加熱処理する場合には、支持体の材料として耐酸性と共に耐熱性を有する材料を選択する必要がある。支持体の材料としては、具体的にはガラス、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイド等を用いることが出来る。また転写時の操作性等を考慮すれば支持体は、柔軟性を有する樹脂が好ましい。支持体は繰り返し使用することもできる。支持体の厚みは、1~200μm程度のものが使用できる。さらに好ましくは、50~150μmの範囲がよい。
 透明導電性膜を形成する際及び転写操作の際に、透明導電性膜が破壊されずスムーズに転写されるように、転写版の支持体上に予め表面処理を施すことが好ましい。表面処理はシリコーン系高分子やフッ素系高分子などのいわゆるプライマーを塗布する場合や、支持体表面をコロナ処理やプラズマ処理により粗化する方法、酸、アルカリ処理による洗浄を用いることが出来る。上記表面処理は金属微粒子あるいは金属微粒子前駆体の自己組織化現象を妨げない程度に処理する。例えば、支持体への塗布液の濡れ性が悪い場合は、濡れ性を改良するように支持体表面の改質を行うが、余り濡れ性を良くしすぎると自己組織化現象により導電性膜が緻密に成りすぎ、透明性が損なわれる場合がある。
 金属微粒子分散溶液又は金属微粒子前駆体溶液の支持体上への塗布方法は、スピンコーターやバーコーター、ダイコーター、ディッピングコーター、スプレーコートなどいわゆる一般的な支持体上へのコーティング処理を行う時に用いる一般的な塗布手法を用いることが出来る。
 金属微粒子分散溶液を支持体上に塗布、乾燥させた後の加熱処理の温度は、支持体の材料によって異なるが、十分に低抵抗な導電性膜を形成するためには、100~300℃の範囲が好ましい。より好ましくは100~200℃である。
 金属微粒子分散溶液を支持体上に塗布、乾燥させた後の化学処理としては、金属微粒子中に含まれる分散剤や樹脂などを取り除く性質及び金属微粒子同士の焼結を促進する作用のある有機溶剤及び無機酸又は有機酸中に浸漬させる。これにより低抵抗性、高透過率性、耐モアレ性を有する透明導電性膜を得ることができる。有機溶剤としてはメタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類などが好ましい。無機酸としては塩酸、硝酸などが好ましく、有機酸としてはギ酸、酢酸などが好ましい。
 加熱処理および化学処理は、いずれか一方または組み合わせても良い。
 金属微粒子前駆体を還元する場合には、加熱又は紫外線や放射線などの光照射又は還元性ガスの手法を組み合わせて行うことも出来る。
 透明導電性膜の導電性部位をより機能化する目的で、触媒性を有する金属又は金属酸化物、金属硫化物などの微粒子を付加することも出来る。又は耐候性又は耐薬品性、酸化還元電位から来る劣化を防ぐために、導電性部の表面をめっきすることも出来る。
 上記方法により転写版として作成される透明導電性膜の特性は、塗布する支持体の種類、処理方法によっても変化するが、表面抵抗は100Ω/□以下、透過率60%以上の範囲になることが好ましい。より好ましくは、表面抵抗は30Ω/□以下、透過率70%以上である。特に本発明5又は6で製造される透明導電性基材(本発明7)の場合、表面抵抗は20Ω/□以下、好ましくは10Ω/□以下の範囲になることが好ましい。表面抵抗が100Ω/□より大きいと電磁波シールド特性として十分とは言えず、透過率が60%未満であると、画像デバイスではより強い光源が必要であったり、解像度が悪化するなどの問題が懸念される。表面抵抗の下限値に特に制限はないが、通常は0.01Ω/□程度である。
 転写版に形成された透明導電性膜を転写する基材は、各用途によって広範に選択することが出来る。例えば、ガラス、ポリエチレンテレフタレート(PET)、アモルファスポリエチレンテレフタレート(A-PET)、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイドの他、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ABS、Si基材、多孔質セラミックスなどが例示される。
 所望の基材に透明導電性膜を転写するに際し、透明導電性膜を転写したい基材の表面及び/又は転写版の表面に塗布する接着層又は粘着層に相当する樹脂又はカップリング剤層又は粘着性のある有機物ゲル層としては以下のものが例示される。
 接着層としては、種々の熱可塑性樹脂からなる接着剤、硬化型接着剤が使用可能であり、熱可塑性樹脂としては、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ(N-ビニルカルバゾール)、ポリビニルピロリドン、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、塩素化ポリプロピレン、ウレア、セルロース、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレタン、フェノール樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂およびこれらの共重合体からなる群の少なくとも1つ、及び又はこれらいずれか混合物などが例示される。
 熱硬化型接着剤としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂やビスフェノールF型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂などのエポキシ系樹脂、ポリイソプレン、ポリ-1,2-ブタジエン、ポリイソブテン、ポリブテンなどのジエン系樹脂、エチルアクリレート、ブチルアクリレート、2-エチルヘキシルアクリレート、t-ブチルアクリレートなどからなるポリアクリル酸エステル共重合体、ポリビニルアセテート、ポリビニルプロピオネートなどのポリエステル系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、EVAなどのポリオレフィン系樹脂を用いることができる。
 紫外線硬化型樹脂接着剤としては、アクリル樹脂系を代表する広く市販品の接着剤を用いることができる。
 粘着層としては、アクリル系粘着剤をはじめ種々の粘着剤が使用可能であり、アクリル酸ブチル、アクリル酸エチル、2-エチルヘキシルアクリレート等の低Tgモノマーを主モノマーとし、アクリル酸、メタクリル酸、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、アクリルアミド、アクリロニトリル等の官能基モノマーと共重合することで得られたアクリル共重合体をイソシアネート系、メラミン系、エポキシ系等公知の架橋剤にて、架橋することにより得ることができる。
 有機ゲル層は有機ゲルよりなり、有機ゲルとしては、イオン性液体、アセトニトリル、N,N-ジメチルホルムアミド、プロピレンカーボネート、γ-ブチロラクトンなどに高分子ゲル化剤あるいは低分子ゲル化剤を加えてゲル化した有機ゲルを用いることができる。
 転写する方法は熱プレス機、ロールラミネーター、サーマルヘッドを備えた熱転写機などを用いて、加熱及び/又は加圧により転写した後、転写版の支持体を剥離させる方法、転写版と所望の基材とを張り合わせた後、紫外線を照射し、樹脂を硬化させ、転写版の支持体を剥離する方法などを用いることができる。
 次に、本発明9に記載の透明導電性基材について説明する。基本的には本発明1~3に記載の方法で透明導電性転写版を製造し、透明導電性転写版の透明導電性膜を有する面及び基材の一面の少なくともいずれか一面に、必要により、接着層等を形成した後、前記透明導電性転写版と前記基材とを貼り合せ、前記透明導電性膜を前記基材に転写し、その後、前記支持体を剥離することにより透明導電性基材が製造される。
 具体的に、図3を用いて透明導電性基材の製造方法の概略を説明する。図3の(A)に示す通り、本発明1~3に記載の方法で、金属微粒子で構成される網目状構造物から成る透明導電性膜11用塗布液を支持体12上へ塗布した後、乾燥させる。あるいは、金属微粒子で構成される網目状構造物からなる透明導電性膜11を支持体上に印刷した後、乾燥させる方法でもよい。
 用いる支持体12は、本発明1~3の製造方法で使用される上述の材料が使用できるが、本発明9の転写工程を考慮した場合には樹脂支持体がより好ましい。例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリイミド(PI)、などが好ましい。
 上述した方法により金属微粒子で構成された網目状構造からなる透明導電性膜11を基材上に形成させ、次に、透明導電性膜11を所望の熱可塑性樹脂基材14上に転写させるため、透明導電性膜11を被覆するように接着層等13を形成する(図3(B))。
 本発明9における接着層及び粘着層としては、前述した接着層及び粘着層を用いることができる。
また、接着層等には添加剤として紫外線吸収剤、着色顔料、帯電防止剤、酸化防止剤、シランカップリング剤等も適宜、必要に応じて使用することができる。
 接着層等の形成方法としては、上記の接着層等の材料を有機溶剤又は水に溶解あるいは水に分散し粘度を調整したコーティング剤を作成し、グラビヤコーティング、スピンコーティングなど従来公知のコーティング法により塗布乾燥する方法を用いることができる。接着層等の厚みは好ましくは0.5~50μm、さらに好ましくは1~30μmである。接着層等の厚みが0.5μm未満では熱可塑性樹脂基材14との密着性が低く好ましくない。また、接着層等の厚みが50μmよりも厚いと透明性が低下するため好ましくない。
 接着層等は、透明導電性膜が形成された基材上に設ける代わりに熱可塑性樹脂基材の一面に設けておいてもよい。
 透明導電性膜の転写方法としては、透明導電性膜11および接着層等13が積層された支持体の接着層等の表面と熱可塑性樹脂基材14表面とを対向させて、接合する(図3(C))。必要に応じて加熱処理、加圧処理などを行ってもよい。
 本発明9における熱可塑性樹脂基材としては、各種熱可塑性樹脂なる樹脂基材が使用可能であるが、中でもアクリル、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、アモルファスポリエチレンテレフタレート、ABS、ポリスチレンおよびそれらの積層基材から選ばれる樹脂基材を用いることが好適である。熱可塑性樹脂基材の厚みは特に限定されるものではないが、成形加工を施す場合は、50μm~10mmの厚みが好ましい。
 次いで、支持体12を剥離して、透明導電性膜11を接着層等13を介して基材に加熱及び/又は加圧により転写させる(図3(D))。
 本発明9の有機樹脂基材を用いた透明導電性基材は、真空成形法、圧空成形法、プレス成形法などの成形法により容易に成形加工が可能となり、本発明13の透明導電性成形体を得ることが出来る。さらに、本発明9の透明導電性基材は、必要であれば接着層等を介して、予め成形された成形体表面に透明導電性基材を貼り付けて付与することも可能である。さらには、透明導電性転写版と熱可塑性樹脂基材を重ね合せたものを上記の成形法で成形し、支持体を剥離することで、透明導電性成形体を得ることができる。
 さらには、射出成形機に透明導電性転写版の接着層側を内側にして挿入して、熱可塑性樹脂を射出成形し、金型より成形物を取り出し後、支持体を剥離することにより透明導電性成形体を得ることができる。また、射出成形機に透明導電性基材の接着層側を内側にして挿入して熱可塑性樹脂を射出成形することにより透明導電性成形体を得ることができる。
<銀微粒子1の調製>
 硝酸銀40g、ブチルアミン37.9g、メタノール200mLを加え、1時間攪拌しA液を調製した。別にイソアスコルビン酸62.2gを取り、水400mLを加え攪拌して溶解し、続いてメタノール200mLを加えB液を調製した。B液をよく攪拌しA液をB液に1時間20分かけて滴下した。滴下終了後、3時間30分攪拌を継続した。攪拌終了後、30分間静置し固形物を沈降させた。上澄みをデカンテーションにより取り除いた後、新たに水500mLを加え、攪拌、静置、デカンテーションにより上澄み液を取り除いた。この精製操作を3回繰り返した。沈降した固形物を40℃の乾燥機中で乾燥し、水分を除去した。さらに、得られた銀微粒子20gとDISPERBYK-106(ビッグケミージャパン社製)0.2gをメタノール100mLと純水5mLの混合溶液中に混合し、1時間混合した後に、純水100mLを加えて、スラリーをろ過した後、40℃の乾燥機中で乾燥させて、銀微粒子1を得た。銀微粒子は電子顕微鏡による観察から一次粒子の平均粒子径が60nmであった。
<金属微粒子分散溶液1の調製>
 特開2007-234299号公報を参考に調製を行った。すなわち、含フッ素溶剤(HCFC-225caとHCFC-225cbの混合物(商品名:AK-225、旭硝子製))6.1gと1-ブトキシ-2-プロパノール0.14gとトルエン0.75gとBYK-410(ビッグケミージャパン社製)14.6mgとソルビタンモノオレート6.4mgを混合した。次に銀微粒子1を0.38g加えて出力100Wの超音波分散機で5分間処理した。次に、純水1.8gを加えて出力100Wの超音波分散機で5分間処理し、金属微粒子分散溶液1を調製した。
<金属微粒子分散溶液2の調製>
 特表2005-530005号公報を参考に調製を行った。すなわち、銀微粒子1を4g、トルエン30g、BYK-410(ビッグケミージャパン社製)0.2gを混合し、出力180Wの超音波分散機で1.5分間分散化処理を行い、純水15gを添加し、得られた乳濁液を出力180Wの超音波分散機で30秒間分散処理を行い、金属微粒子分散溶液2を調製した。
<金属微粒子前駆体溶液1の調製>
 特開平10-312715号公報を参考に調製を行った。すなわち、純水25g、アセトニトリル25g、イソプロパノール変性エタノール50g、フロン系陰イオン界面活性剤(住友3M社製、FC-93)0.01g、乳酸銀5gを良く混合して金属微粒子前駆体溶液1を調製した。
 実施例1:
 表面にコロナ処理を施し表面性を最適化したPET樹脂支持体上に、金属微粒子分散溶液1をスピンコーターにより塗布した後、乾燥させることで支持体上に金属微粒子がランダムネットワーク状に繋がった透明導電性転写版(以下転写版と呼ぶ)を作成した。さらに、導電性部位の導電性を向上させるため、大気中70℃で30秒の間熱処理を施し、さらにギ酸蒸気を含む雰囲気中で、70℃で30分熱処理し、透明導電性基材を作成するための転写版を作成した。転写版の表面抵抗は2Ω/□、透過率は80%であった。表面抵抗は三菱化学株式会社製「ロレスターGP」(型番:MCP-T600)を用いて、試料の3点を測定し、その平均値を表面抵抗とした。透過率は日本電色工業株式会社製「ヘイズメーター NDH2000」を用いて、試料の全光線透過率を3点測定し、その平均値を透過率とした。
 転写版とアクリル系樹脂接着層を塗布した市販のアクリル樹脂基材とを、熱プレス機(110℃、20kgf/cm)を用いて熱圧着し転写版から透明導電性膜を基材に転写し、支持体を剥離し、透明導電性基材を得た。表面抵抗は2Ω/□、透過率は80%であった。
 実施例2:
 表面にコロナ処理を施したPET樹脂支持体上に、金属微粒子分散溶液2をバーコーターによりに塗布した後、乾燥させることで支持体上に金属微粒子がランダムネットワーク状に繋がった転写版を作成した。さらに、導電性部位の導電性を向上させるため、転写版をアセトン及び1%の塩酸水溶液に各々5分間浸漬し、乾燥後、大気中150℃で30秒の間加熱処理を施し透明導電性基材を作成するための転写版を作成した。転写版の表面抵抗は10Ω/□、透過率は86%であった。
 転写版とアクリル系樹脂接着層を塗布したポリカーボネート樹脂基材とを、熱プレス機(110℃、20kgf/cm)を用いて熱圧着し転写版から透明導電性膜を基材に転写し、支持体を剥離し、透明導電性基材を得た。表面抵抗は10Ω/□、透過率は86%であった。
 実施例3:
 表面にコロナ処理を施しポリイミド樹脂支持体上に、金属微粒子前駆体溶液1をスプレー噴射により塗布した後、乾燥させた。次に紫外線を照射し金属微粒子を還元析出させた後、水洗及びアセトン洗浄を行い、支持体上に金属微粒子がランダムネットワーク状に繋がった転写版を作成した。さらに、導電性部位の導電性を向上させるため、大気中200℃で1時間加熱処理を施し透明導電性基材を作成するための転写版を作成した。転写版の表面抵抗は40Ω/□であった。
 転写版とアクリル系樹脂接着層を塗布した市販のポリカーボネート樹脂基材とを、ロールラミネーター(110℃、20kgf/cm)を用いて熱圧着し転写版から透明導電性膜を基材に転写し、支持体を剥離し、透明導電性基材を得た。表面抵抗は40Ω/□、透過率は75%であった。
 実施例4:
 ポリイミド樹脂支持体を用い実施例1の方法で転写版を作成した。転写版の表面抵抗は2Ω/□、透過率は80%であった。
 転写版とアクリル系モノマー接着剤を塗布したポリプロピレン樹脂基材を、ロールラミネーター(110℃、20kgf/cm)を用いて熱圧着し転写版から透明導電性膜を基材に転写し、支持体を剥離し、透明導電性基材を得た。表面抵抗は2Ω/□、透過率は80%であった。
 実施例5:
 実施例2の方法で転写版を作成した。転写版の表面抵抗は2Ω/□、透過率は80%であった。
 多孔質の酸化チタンの基材の表面にチタン系カップリング剤を塗布した基材を作成した。酸化チタン基材と転写版とを、チタン系カップリング剤を挟む位置で張り合わせた後、100℃で30分加熱し、支持体を剥離し、透明導電性基材を得た。表面抵抗は2Ω/□であった。
 実施例6:
 実施例2の方法で転写版を作成した。転写版の表面抵抗は10Ω/□、透過率は86%であった。
 多孔質の酸化チタンの基材の表面にゲル化剤を加えてゲル化したイオン性液体(イミダゾリウム系)を塗布した基材を作成した。基材と転写版とを、張り合わせ80℃で30分間加熱した後、支持体を剥離し、イオン性液体を内包する透明導電性基材を得た。表面抵抗は10Ω/□であった。
 実施例7:
 表面にコロナ処理を施したPET支持体上に、金属微粒子分散溶液2をバーコーターにより塗布した後、乾燥させることで支持体上に金属微粒子がランダムネットワーク状に繋がった転写版を作成した。
 さらに、導電性部位の導電性を向上させるため、転写版をアセトン及び1%の塩酸水溶液に各々5分間浸漬し、乾燥後、大気中150℃で30秒の間加熱処理を施した。
 転写版の透明導電性膜側に下記の接着層コーティング液1を乾燥膜厚が3μmとなるよう塗布し、100℃の温度で5分乾燥させて接着層が積層された転写版を作成した。
 さらに、厚さ1mmのガラス基材表面に転写版の接着層が形成された面を対向させ、ホットラミネーター(大成ラミネーター製、大成ファーストラミネーターVAII-700)を用いて180℃で熱圧接し、室温に下がるまで放置した後、支持体を剥離して透明導電性基材を得た。透明導電性基材の表面抵抗は10Ω/□、透過率は81%であった。
 <接着層コーティング液1>
 ポリビニルブチラール樹脂(積水化学製、エスレックBL-2)15gをイソプロパノール85gに溶解させて接着層コーティング液1を作成した。
 実施例8:
 実施例7と同様に透明導電性基材を作成するため接着層を塗布する前の転写版を作成した。転写版の透明導電性膜側に下記の接着層コーティング液2を膜厚が4μmとなるよう塗布し、接着層が積層された転写版を作成した。
 さらに、厚さ1mmのガラス基材表面に転写版の接着層が形成された面を対向させ、ラミネーター(フジプラ製、ラミパッカーLPV6507)を用いて室温で圧接し、高圧水銀ランプを用いて200mj/cmの紫外光を照射後、支持体を剥離して透明導電性基材を得た。透明導電性基材の表面抵抗は10Ω/□、透過率は80%であった。
 <接着層コーティング液2>
 ウレタンアクリレート50gとヒドロキシブチルアクリレート48gと1‐ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン2gを混合攪拌し、接着層コーティング液2を作成した。
 実施例9:
 接着層コーティング液として接着層コーティング液3を使用した以外は実施例7と同様に接着層が積層された転写版を作成した。
 さらに、厚さ125μmのPET基材表面に転写版の接着層が形成された面を対向させ、前記のホットラミネーターを用いて180℃で熱圧接し、室温に下がるまで放置した後、支持体を剥離して透明導電性基材を得た。透明導電性基材の表面抵抗は10Ω/□、透過率は81%であった。
 <接着層コーティング液3>
 アクリル樹脂(三菱レイヨン製、ダイヤナールBR-83)8.5gとポリエステル樹脂(東洋紡製、バイロン200)1.5gをトルエン75gとメチルエチルケトン15gに溶解させて接着層コーティング液3を作成した。
 実施例10:
 接着層コーティング液として接着層コーティング液3を使用した以外は実施例7と同様に接着層が積層された転写版を作成した。
 さらに、厚さ125μmのポリエチレンナフタレート樹脂基材表面に転写版の接着層が形成された面を対向させ、前記のホットラミネーターを用いて180℃で熱圧接し、室温に下がるまで放置した後、支持体を剥離して透明導電性基材を得た。透明導電性基材の表面抵抗は10Ω/□、透過率は72%であった。
 実施例11:
 表面にシリコン離型処理を施したPET支持体上に、金属微粒子分散溶液2をバーコーターにより塗布した後、乾燥させることで支持体上に金属微粒子がランダムネットワーク状に繋がった転写版を作成した。
 さらに、導電性部位の導電性を向上させるため、転写版をアセトン及び1%の塩酸水溶液に各々5分間浸漬し、乾燥後、大気中150℃で30秒の間加熱処理を施した。
 転写版の透明導電性膜側に下記の粘着層コーティング液1を乾燥膜厚が15μmとなるよう塗布し、100℃の温度で5分乾燥させて粘着層が積層された転写版を作成した。
 さらに、厚さ1mmのガラス基材表面に転写版の粘着層が形成された面を対向させ、ラミネーター(フジプラ製、ラミパッカーLPV6507)を用いて室温で圧接した後、支持体を剥離して透明導電性基材を得た。透明導電性基材の表面抵抗は10Ω/□、透過率は81%であった。
 <粘着層コーティング液1>
 ブチルアクリレートとヒドロキシブチルアクリレートの共重合体30gとトリレンジイソシアネートのイソシアヌレート体1gを酢酸エチル69gに溶解させて粘着層コーティング液1を作成した。
 比較例1:
 ポリカーボネート樹脂支持体上に金属微粒子分散溶液1をスピンコーターにて塗布した後、乾燥させたところ、金属微粒子分散溶液1に含まれている有機溶剤によって支持体の一部が溶解し、不十分なネットワーク構造が生成した。続いて、支持体をアセトン浴に浸漬したところ、導電性部位が支持体上から剥げ落ちてしまい、転写版が作成できなかった。
 比較例2:
 アクリル樹脂支持体上に金属微粒子分散溶液2をバーコーターにて塗布した後、乾燥させた。続いて、支持体をアセトン浴に浸漬したところ、支持体が一部溶解し、導電性部位が支持体上から剥げ落ちてしまい、転写版が作成できなかった。
 比較例3:
 多孔質酸化チタン支持体上に金属微粒子分散溶液1をスピンコーターにて塗布した後、乾燥させたところ、多孔質中に金属微粒子分散溶液1の一部が浸透し、十分な導電性ネットワークが形成されなかった。
 支持体を200℃で1時間加熱した後に抵抗を測定したところ測定できないほど高抵抗であった。
<透明導電性膜の形成法>
 厚み100μmのPET支持体上に前記銀微粒子分散溶液2を、バーコーターを用いてコーティングした。続いて、大気中で自然乾燥させることで、銀微粒子が自己組織化現象により網目状構造物を形成した。次に、150℃で2分間加熱した後、アセトン及び1N塩酸にそれぞれ浸漬した後、150℃で5分間加熱乾燥させ、銀微粒子を含む網目状構造物を形成した。銀微粒子を含む網目状構造物からなる透明導電性膜を支持体上に形成し転写版を作成した。透明導電性膜の表面の全光線透過率は85%、表面抵抗は4.5Ω/□であった。
<接着層コーティング液4の調製法>
 塩化ビニル-酢酸ビニル共重合体樹脂(ユニオンカーバイド社製、VAGH)20gをトルエン40gとメチルエチルケトン40gに溶解させて接着層コーティング液1を作成した。
 実施例12:
 接着層コーティング液として接着層コーティング液4を使用し、上述した方法により作成した支持体上に透明導電性膜側に接着層コーティング液4を乾燥膜厚が3μmとなるよう塗布し、100℃の温度で5分乾燥させて接着層が積層された転写版を作成した。
 次いで、厚さ300μmのA-PET樹脂基材表面に前記転写版の接着層が形成された面を対向させ、前記のホットラミネーターを用いて180℃で熱圧接し、室温に下がるまで放置した後、支持体を剥離して透明導電性基材を作成した。
 透明導電性基材を真空成形装置により真空成形することで、箱型形状に成形された透明導電性成形物を得た。成形体のA-B間の表面抵抗は4.6Ω/□、透過率は80%であった。成形後のAA-BB間の表面抵抗は5.2Ω/□であり、成形体の屈曲した部分であっても導通が著しく悪化するという現象は見られなかった。
 実施例13:
真空成形をプレス成形に変更した以外は実施例12と同様の方法により、箱型形状に成形された透明導電性成形体を得た。成形体のA-B間の表面抵抗は4.6Ω/□、透過率は80%であった。成形後のAA-BB間の表面抵抗は5.4Ω/□であり、成形体の屈曲した部分であっても導通が著しく悪化するという現象は見られなかった。
 実施例14:
 A-PET樹脂基材を厚さ300μmのポリカーボネート樹脂基材に変更した以外は実施例12と同様の方法により、箱型形状に成形された透明導電性成形体を得た。成形体のA-B間の表面抵抗は4.6Ω/□、透過率は81%であった。成形後のAA-BB間の抵抗は5.4Ωであり、成形体の屈曲した部分であっても導通が著しく悪化するという現象は見られなかった。
 実施例15:
 A-PET樹脂基材を厚さ1mmのABS樹脂基材に変更した以外は実施例12と同様の方法により、箱型形状に成形された透明導電性成形体を得た。成形体のA-B間の表面抵抗は4.6Ω/□、透過率は78%であった。成形後のAA-BB間の表面抵抗は5.3Ω/□であり、成形体の屈曲した部分であっても導通が著しく悪化するという現象は見られなかった。
 実施例16:
 A-PET樹脂基材を厚さ125μmのアクリル樹脂基材に変更した以外は実施例12と同様の方法により、箱型形状に成形された透明導電性成形体を得た。成形体のA-B間の表面抵抗は4.6Ω/□、透過率は81%であった。成形後のAA-BB間の表面抵抗は5.2Ωであり、成形体の屈曲した部分であっても導通が著しく悪化するという現象は見られなかった。
 比較例4:
 市販の透明導電性PETフィルム(ITOの膜厚:140nm、表面抵抗:45Ω/□)をプレス成形装置によりプレス成形し箱型形状の成形体を得た。成形前のA-B間の表面抵抗は32Ω/□であったが、成形後のAA-BB間の表面抵抗は測定できないほど高くなり、導通が著しく悪化した。
 比較例5:
 市販の金属細線がメッシュ状に形成された透明導電性PETフィルムをプレス成形装置によりプレス成形し、箱型形状の成形体を得た。成形前のA-B間の表面抵抗は0.1Ω/□であったが、成形後のAA-BB間の表面抵抗は測定できないほど高くなり、導通が著しく悪化した。AA-BB間の稜線部を観察すると金属細線の断線が確認された。
 本発明に係る透明導電性基材は、低抵抗でかつ高透過率であり、耐モアレ性に優れ、本発明に係る透明導電性基材の製造方法は、特別な装置を用いることなく容易に作成することが可能であり、さらには広範な基材に適用できるので、本発明に係る透明導電性基材を電磁波シールド材などとして好適に使用することができる。
 本発明に係る透明導電性基材とその製造方法、さらに透明導電性成形体は、視認性および電磁波シールド性に優れ、成形加工して使用する電磁波シールド材として好適である。

Claims (13)

  1.  自己組織化膜を形成可能な金属微粒子分散溶液を、耐熱性及び/又は耐薬品性を有する支持体に塗布し乾燥させた後、加熱処理及び/又は化学処理を行い、低抵抗でかつ高透過率及び耐モアレ性に優れた導電性ランダムネットワーク構造を有する透明導電性膜を支持体上に形成させることを特徴とする透明導電性転写版の製造方法。
  2.  自己組織化膜を形成可能な金属微粒子の前駆体である金属塩の溶液を、耐熱性及び/又は耐薬品性を有する支持体に塗布し乾燥させた後、金属微粒子の前駆体を加熱又は紫外線照射又は還元性ガスにより還元析出させ、低抵抗でかつ高透過率及び耐モアレ性に優れた導電性ランダムネットワーク構造を有する透明導電性膜を支持体上に形成させることを特徴とする透明導電性転写版の製造方法。
  3.  前記支持体に前記金属微粒子分散溶液又は前記金属塩の溶液を塗布するに先立ち、前記支持体に表面処理を施す請求項1又は請求項2に記載の透明導電性転写版の製造方法。
  4.  請求項1から請求項3の何れかに記載の透明導電性転写版の製造方法により得られる透明導電性転写版。
  5.  請求項4に記載の透明導電性転写版の透明導電性膜を有する面と基材の一面とを対向させ、前記透明導電性転写版と前記基材とを圧着又は熱圧着させ、前記透明導電性膜を前記基材に転写させた後、前記支持体を剥離することを特徴とする透明導電性基材の製造方法。
  6.  請求項4に記載の透明導電性転写版の透明導電性膜を有する面と基材の一面の少なくともいずれか一面に接着層又は粘着層又はカップリング剤層又は有機物ゲル層を形成後、前記透明導電性転写版と前記基材とを圧着又は熱圧着させ、前記透明導電性膜を前記基材に転写させた後、前記支持体を剥離することを特徴とする透明導電性基材の製造方法。
  7.  請求項5又は請求項6に記載の透明導電性基材の製造方法により得られる透明導電性基材。
  8.  前記透明導電性膜は、基材に埋没するか、基材及び接着層中、基材及び粘着層中、基材及びカップリング剤層中、基材及び有機物ゲル層中に埋没するか、基材には埋没しないで、いずれかの層中に単独に埋没して、前記透明導電性膜の表面と前記基材又は接着層又は粘着層又はカップリング剤層又は有機物ゲル層の表面とが同一平面である請求項7に記載の透明導電性基材。
  9.  前記基材が熱可塑性樹脂基材である請求項7に記載の透明導電性基材。
  10.  前記金属微粒子が、Au、Ag、Cu、Ni、Co、Fe、Cr、Zn、Al、Sn、Pd、Ti、Ta、W、Mo、In、Pt、Ruから選ばれる又は前記金属を二種以上含む合金である請求項9記載の透明導電性基材。
  11.  前記接着層又は粘着層が熱可塑性樹脂からなる接着剤又は粘着剤である請求項9又は10記載の透明導電性基材。
  12.  前記熱可塑性樹脂基材がアクリル、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、アモルファスポリエチレンテレフタレート、ABS、ポリスチレンおよびそれらの積層基材から選ばれる樹脂基材である請求項9~11の何れかに記載の透明導電性基材。
  13.  請求項9~12の何れかに記載の透明導電性基材を成形して成る透明導電性成形体。
PCT/JP2009/003025 2008-07-04 2009-06-30 透明導電性転写版の製造方法、透明導電性転写版、透明導電性転写版を用いた透明導電性基材の製造方法、透明導電性基材、および透明導電性基材を用いた成形体 WO2010001591A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP09773169A EP2302645A1 (en) 2008-07-04 2009-06-30 Transparent electrically conductive transfer plate and production method therefor, transparent electrically conductive base, method for producing transparent electrically conductive base using transparent electrically conductive transfer plate, and molded article using transparent electrically conductive base
US13/001,496 US8846182B2 (en) 2008-07-04 2009-06-30 Process for producing transparent conductive transfer plate, transparent conductive transfer plate, process for producing transparent conductive substrate using the transparent conductive transfer plate, transparent conductive substrate, and molded product using the transparent conductive substrate
CN200980122716.6A CN102067245A (zh) 2008-07-04 2009-06-30 透明导电性转印版的制造方法、透明导电性转印版、利用透明导电性转印版的透明导电性基材的制造方法、透明导电性基材以及利用透明导电性基材的成型体
JP2010518917A JP5510320B2 (ja) 2008-07-04 2009-06-30 成形用の透明導電性基材、その製造方法およびそれを用いた成形体

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008-175560 2008-07-04
JP2008175560 2008-07-04
JP2009-098298 2009-04-14
JP2009098298 2009-04-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010001591A1 true WO2010001591A1 (ja) 2010-01-07

Family

ID=41465698

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2009/003025 WO2010001591A1 (ja) 2008-07-04 2009-06-30 透明導電性転写版の製造方法、透明導電性転写版、透明導電性転写版を用いた透明導電性基材の製造方法、透明導電性基材、および透明導電性基材を用いた成形体

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8846182B2 (ja)
EP (1) EP2302645A1 (ja)
JP (1) JP5510320B2 (ja)
KR (1) KR20110025914A (ja)
CN (1) CN102067245A (ja)
TW (1) TW201009853A (ja)
WO (1) WO2010001591A1 (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010182648A (ja) * 2009-02-09 2010-08-19 Toda Kogyo Corp 透明導電性基板、色素増感型太陽電池用透明導電性基板及び透明導電性基板の製造方法
EP2273354A1 (en) * 2009-07-08 2011-01-12 Chimei InnoLux Corporation Conductive plate and touch panel including the same
JP2011235634A (ja) * 2010-04-13 2011-11-24 Chiyoda Gravure Corp 転写材およびこの転写材を用いた成型品の製造方法
JP2011249036A (ja) * 2010-05-24 2011-12-08 Dainippon Printing Co Ltd 導電性基板の製造方法
JP2012243281A (ja) * 2011-05-24 2012-12-10 Innovation & Infinity Global Corp タッチパネルに適用される透明導電構造及びその製造方法
JP2015532669A (ja) * 2012-08-16 2015-11-12 シーマ ナノテック イスラエル リミテッド 透明な導電性コーティングを調製するためのエマルション
JP2016502227A (ja) * 2013-07-30 2016-01-21 エルジー・ケム・リミテッド 熱融着転写を用いた柔軟埋込型電極フィルムの製造方法
JP2017016241A (ja) * 2015-06-29 2017-01-19 プロマティック株式会社 電極フィルムの製造方法、電極フィルムを備えたタッチパネルセンサ、及び貼り合せ装置
WO2021112075A1 (ja) * 2019-12-03 2021-06-10 タツタ電線株式会社 電磁波シールドフィルム
WO2022190336A1 (ja) * 2021-03-12 2022-09-15 株式会社 東芝 透明電極およびその作製方法、ならびに透明電極を用いた電子デバイス
JP7482240B2 (ja) 2021-03-12 2024-05-13 株式会社東芝 透明電極およびその作製方法、ならびに透明電極を用いた電子デバイス

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI374379B (en) 2007-12-24 2012-10-11 Wintek Corp Transparent capacitive touch panel and manufacturing method thereof
US20100043863A1 (en) 2008-03-20 2010-02-25 Miasole Interconnect assembly
US8912429B2 (en) * 2008-03-20 2014-12-16 Hanergy Holding Group Ltd. Interconnect assembly
US20110197947A1 (en) 2008-03-20 2011-08-18 Miasole Wire network for interconnecting photovoltaic cells
US9061344B1 (en) 2010-05-26 2015-06-23 Apollo Precision (Fujian) Limited Apparatuses and methods for fabricating wire current collectors and interconnects for solar cells
US10026859B2 (en) 2010-10-04 2018-07-17 Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. Small gauge wire solar cell interconnect
US8951824B1 (en) * 2011-04-08 2015-02-10 Apollo Precision (Fujian) Limited Adhesives for attaching wire network to photovoltaic cells
JP5813875B2 (ja) 2011-08-24 2015-11-17 イノバ ダイナミックス, インコーポレイテッド パターン化された透明導体および関連する製造方法
CN103210350B (zh) 2011-10-03 2019-06-18 日立化成株式会社 导电图案的形成方法、导电图案基板和触摸面板传感器
CN102707847A (zh) * 2012-02-01 2012-10-03 南京点面光电有限公司 一种在电容式触摸屏上制备透明导电层的方法
CN102723126B (zh) * 2012-05-09 2015-10-21 南昌欧菲光科技有限公司 一种基于随机网格的图形化透明导电薄膜
CN102722279A (zh) * 2012-05-09 2012-10-10 崔铮 金属网格导电层及其具备该导电层的触摸面板
JP2014001266A (ja) * 2012-06-15 2014-01-09 Canon Inc ポリエステル成形体およびその製造方法
US20140097003A1 (en) * 2012-10-05 2014-04-10 Tyco Electronics Amp Gmbh Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components
TWI524825B (zh) * 2012-10-29 2016-03-01 財團法人工業技術研究院 碳材導電膜的轉印方法
US20140170427A1 (en) * 2012-12-13 2014-06-19 Carestream Health, Inc. Anticorrosion agents for transparent conductive film
WO2015016532A1 (ko) * 2013-07-30 2015-02-05 주식회사 엘지화학 열 융착 전사를 이용한 유연 매립형 전극 필름의 제조 방법
CN103474132B (zh) * 2013-09-16 2015-12-23 宁波东旭成新材料科技有限公司 一种用于触摸屏的导电膜及其制造方法
CN104021879B (zh) * 2013-09-18 2017-02-01 天津工业大学 碳纳米管柔性透明导电薄膜的制备方法
TW201520840A (zh) * 2013-11-26 2015-06-01 Henghao Technology Co Ltd 觸控面板的形成方法
CN103985433A (zh) * 2014-05-06 2014-08-13 东莞市纳利光学材料有限公司 碳纳米管导电薄膜及其制备方法
CN105084301A (zh) * 2014-05-16 2015-11-25 上海蓝沛新材料科技股份有限公司 在特种产品基材表面制备内嵌式微纳级别金属线条的方法
CN103996457B (zh) * 2014-05-29 2018-11-20 京东方科技集团股份有限公司 银纳米线薄膜及其制备方法、阵列基板、显示装置
EP3177677A1 (en) 2014-08-07 2017-06-14 SABIC Global Technologies B.V. Conductive multilayer sheet for thermal forming applications
CN104575701B (zh) * 2014-12-17 2017-01-11 张家港康得新光电材料有限公司 高分子透明导电膜及其制备方法
CN104553137A (zh) * 2014-12-31 2015-04-29 河北科技大学 柔性吸波织物及其应用
CN106956530B (zh) * 2015-01-18 2019-06-21 昇印光电(昆山)股份有限公司 一种印刷薄膜
JP6587695B2 (ja) * 2015-12-03 2019-10-09 日本曹達株式会社 導電膜付き基材
CN106873840B (zh) * 2017-02-16 2019-10-08 业成科技(成都)有限公司 单片式触控面板结构及其制造方法
KR102089637B1 (ko) * 2017-09-26 2020-03-16 동우 화인켐 주식회사 금속 나노 와이어를 포함하는 투명 도전성 접착제 필름 및 그 제조방법
EP3974490B1 (en) * 2020-09-29 2024-01-17 UPM Raflatac Oy Linerless label
CN114961149A (zh) * 2021-07-31 2022-08-30 上海资恒装饰材料有限公司 一种带有抗静电保护的防霉型理化板

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10312715A (ja) 1997-05-13 1998-11-24 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 透明導電膜およびその製造方法
JP2001155542A (ja) * 1999-11-26 2001-06-08 Fuji Photo Film Co Ltd 導電性組成物、転写用導電性フィルム、およびパターン化された導電層の形成方法
JP2001217589A (ja) 2000-02-03 2001-08-10 Mitsui Chemicals Inc 積層体およびそれを用いた電磁波シールド
JP2005203484A (ja) 2004-01-14 2005-07-28 Morimura Chemicals Ltd 導電回路装置および導電回路装置の製造方法
JP2005530005A (ja) 2002-06-13 2005-10-06 ナノパウダーズ インダストリーズ リミテッド 導電性及び透明性を有するナノ被覆物及びナノインクの製造方法、並びにこの製造方法により製造されるナノ粉末被覆物及びインク
WO2005115070A1 (ja) 2004-05-24 2005-12-01 Gunze Limited 電磁波シールド材及びその製造方法
JP2006012737A (ja) * 2004-06-29 2006-01-12 Tdk Corp 透明導電層が付与された物体、及び転写用導電性フィルム
JP2006032197A (ja) 2004-07-20 2006-02-02 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明2層膜とその製造方法
WO2006129766A1 (ja) * 2005-06-02 2006-12-07 Toppan Printing Co., Ltd. 電磁波遮蔽積層体およびその製造方法。
JP2007227906A (ja) * 2006-01-25 2007-09-06 Toray Ind Inc 導電性基板およびその製造方法
JP2007234299A (ja) 2006-02-28 2007-09-13 Asahi Glass Co Ltd 透明導電膜の製造方法、透明導電膜および塗布液

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7601406B2 (en) * 2002-06-13 2009-10-13 Cima Nanotech Israel Ltd. Nano-powder-based coating and ink compositions

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10312715A (ja) 1997-05-13 1998-11-24 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 透明導電膜およびその製造方法
JP2001155542A (ja) * 1999-11-26 2001-06-08 Fuji Photo Film Co Ltd 導電性組成物、転写用導電性フィルム、およびパターン化された導電層の形成方法
JP2001217589A (ja) 2000-02-03 2001-08-10 Mitsui Chemicals Inc 積層体およびそれを用いた電磁波シールド
JP2005530005A (ja) 2002-06-13 2005-10-06 ナノパウダーズ インダストリーズ リミテッド 導電性及び透明性を有するナノ被覆物及びナノインクの製造方法、並びにこの製造方法により製造されるナノ粉末被覆物及びインク
JP2005203484A (ja) 2004-01-14 2005-07-28 Morimura Chemicals Ltd 導電回路装置および導電回路装置の製造方法
WO2005115070A1 (ja) 2004-05-24 2005-12-01 Gunze Limited 電磁波シールド材及びその製造方法
JP2006012737A (ja) * 2004-06-29 2006-01-12 Tdk Corp 透明導電層が付与された物体、及び転写用導電性フィルム
JP2006032197A (ja) 2004-07-20 2006-02-02 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明2層膜とその製造方法
WO2006129766A1 (ja) * 2005-06-02 2006-12-07 Toppan Printing Co., Ltd. 電磁波遮蔽積層体およびその製造方法。
JP2007227906A (ja) * 2006-01-25 2007-09-06 Toray Ind Inc 導電性基板およびその製造方法
JP2007234299A (ja) 2006-02-28 2007-09-13 Asahi Glass Co Ltd 透明導電膜の製造方法、透明導電膜および塗布液

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010182648A (ja) * 2009-02-09 2010-08-19 Toda Kogyo Corp 透明導電性基板、色素増感型太陽電池用透明導電性基板及び透明導電性基板の製造方法
EP2273354A1 (en) * 2009-07-08 2011-01-12 Chimei InnoLux Corporation Conductive plate and touch panel including the same
JP2011235634A (ja) * 2010-04-13 2011-11-24 Chiyoda Gravure Corp 転写材およびこの転写材を用いた成型品の製造方法
JP2011249036A (ja) * 2010-05-24 2011-12-08 Dainippon Printing Co Ltd 導電性基板の製造方法
JP2012243281A (ja) * 2011-05-24 2012-12-10 Innovation & Infinity Global Corp タッチパネルに適用される透明導電構造及びその製造方法
JP2015532669A (ja) * 2012-08-16 2015-11-12 シーマ ナノテック イスラエル リミテッド 透明な導電性コーティングを調製するためのエマルション
JP2016502227A (ja) * 2013-07-30 2016-01-21 エルジー・ケム・リミテッド 熱融着転写を用いた柔軟埋込型電極フィルムの製造方法
JP2017016241A (ja) * 2015-06-29 2017-01-19 プロマティック株式会社 電極フィルムの製造方法、電極フィルムを備えたタッチパネルセンサ、及び貼り合せ装置
WO2021112075A1 (ja) * 2019-12-03 2021-06-10 タツタ電線株式会社 電磁波シールドフィルム
US11647619B2 (en) 2019-12-03 2023-05-09 Tatsuta Electric Wire & Cable Co., Ltd. Electromagnetic wave shielding film
WO2022190336A1 (ja) * 2021-03-12 2022-09-15 株式会社 東芝 透明電極およびその作製方法、ならびに透明電極を用いた電子デバイス
JPWO2022190336A1 (ja) * 2021-03-12 2022-09-15
JP7482240B2 (ja) 2021-03-12 2024-05-13 株式会社東芝 透明電極およびその作製方法、ならびに透明電極を用いた電子デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2010001591A1 (ja) 2011-12-15
US8846182B2 (en) 2014-09-30
TW201009853A (en) 2010-03-01
EP2302645A1 (en) 2011-03-30
CN102067245A (zh) 2011-05-18
KR20110025914A (ko) 2011-03-14
US20110143077A1 (en) 2011-06-16
JP5510320B2 (ja) 2014-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5510320B2 (ja) 成形用の透明導電性基材、その製造方法およびそれを用いた成形体
JP5093301B2 (ja) 電磁波シールド材、及びその製造方法
US8067084B2 (en) Electromagnetic-wave shielding and light transmitting plate, manufacturing method thereof, and display panel
JP2002123182A (ja) プラズマディスプレイパネル用前面板及びその製造方法
JP4582033B2 (ja) 転写用導電性フィルム及びそれを用いた透明導電層が付与された物体
JP5636118B2 (ja) 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
WO2010119838A1 (ja) 透明樹脂箔及びその製造方法、並びに該透明樹脂箔を用いた電磁波シールド材
JP7151437B2 (ja) 3次元曲面状の積層基板及びその製造方法
JP4666961B2 (ja) 透明導電層が付与された物体、及び転写用導電性フィルム
KR20170045669A (ko) 도전체, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 소자
JP5606687B2 (ja) 透明樹脂箔の製造方法、並びに該透明樹脂箔を用いた電磁波シールド材の製造方法
JP5163081B2 (ja) めっきパターン部材の製造方法
JP6188392B2 (ja) 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP2008042021A (ja) 光透過性電磁波シールド性窓材の製造方法、その製造装置、及び光透過性電磁波シールド性窓材、
JP4459016B2 (ja) 電磁波シールド材及びその製造方法
TWI774675B (zh) 導電材料、連接構造體及連接構造體之製造方法
JP4662751B2 (ja) 透明面状発熱体及びその製造方法
JP2014099294A (ja) 基材の製造方法、基材、および基材を用いた成形体
JP2010010461A (ja) ディスプレイ装置用複合フィルタ
JP6345075B2 (ja) 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP2021196766A (ja) 導電インク、及び当該導電インクを用いたタッチパネル
JPH11233991A (ja) 剥離除去可能な電磁波シールド性接着フィルムおよび該接着フィルムを用いた電磁波遮蔽構成体、ディスプレイ
JP2008177222A (ja) ディスプレイ用光学フィルタ、これを備えたディスプレイ及びプラズマディスプレイパネル
JPH11191690A (ja) 電磁波シールド性接着フィルムおよび該接着フィルムを用いた電磁波遮蔽構成体、ディスプレイ
JPWO2015105121A1 (ja) バックコンタクト方式の太陽電池モジュールの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200980122716.6

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09773169

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2010518917

Country of ref document: JP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20107028177

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2009773169

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13001496

Country of ref document: US