CN102067245A - 透明导电性转印版的制造方法、透明导电性转印版、利用透明导电性转印版的透明导电性基材的制造方法、透明导电性基材以及利用透明导电性基材的成型体 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种透明导电性基材的制造方法，该制造方法不使用特别的装置即可简单地制成低阻抗、高透过率且抗龟纹性良好的透明导电性基材，并进一步地，适用于广泛的基材；以及一种具有足够的光学透明性和电磁波屏蔽性、并容易成型加工的透明导电性基材及其制造方法，以及一种透明导电性成型体。本发明将能够形成自组织化膜的金属微粒子分散溶液涂布于支持体上并干燥后，进行加热处理和/或化学处理，或者，将金属微粒子前驱体溶液涂布于支持体上并干燥后使其还原析出，使支持体上预先形成了具有低阻抗、高透过率以及良好抗龟纹性的导电性随机网络结构的透明导电性膜，之后，将基材和支持体互相贴合，将透明导电性膜直接转印到基材上，或者，通过粘接层或粘合层来转印，能够在广泛的基材上简单地制造低阻抗、高透过率、抗龟纹性良好的透明导电性基材。

Description

透明导电性转印版的制造方法、透明导电性转印版、利用透明导电性转印版的透明导电性基材的制造方法、透明导电性基材以及利用透明导电性基材的成型体

技术领域

本发明涉及具有低阻抗、高透过率以及良好抗龟纹性的导电性随机网络结构的透明导电性基材、透明导电性基材的制造方法以及用于透明导电性基材的制造中的透明导电性转印版、透明导电性转印版的制造方法。此外，本发明还涉及作为具有可视性的电磁波屏蔽材料的、使用了透明导电性基材的成型体。

背景技术

透明导电性基材作为带电防止膜、接触面板、太阳能电池的透明电极或电磁波屏蔽材料等使用。其中在各领域被广泛讨论的电磁波屏蔽材料，其目的是用于抑制从以家电制品、移动电话、计算机、电视机为代表的电器所放出的各种电磁波。尤其是来自等离子显示器或液晶显示器等平板显示器的电磁波，因装置的错误运行或长时间接受辐射而对人体产生的影响令人堪忧，为了抑制这些电磁波，消除来自电磁波发生源的影响，其手段大致分为以下两种：(1)改良电子电路的设计，抑制电磁波的发生；(2)使用电磁波屏蔽材料覆盖电磁波发生源。如果采用方法(1)能够抑制电磁波的话，则不需要增加不必要的部件，是理想之策，但与确定电磁波的发生源进而进行电路的改良设计这种繁琐的工作相比，使用方法(2)多数情况下更有效率更理想，因此展开了对电磁波屏蔽材料的研究。

针对上述(2)中用于电磁波屏蔽材料的透明导电性基材的制造方法，人们提出了多种方案。例如，有形成网格状的金属配线的方法。该方法是将铜等金属，利用光刻工艺形成网格状的金属配线的方法(例如参照专利文献1)。然而，在光刻工艺中需要繁琐的操作，装置也特殊，使得成本高。此外，虽然公开了将电镀催化剂Pd微粒子涂布在基材上后进行电镀的工艺(例如参照专利文献2)，需要进行电镀液的管理等，不仅操作繁琐，同时也存在对环境造成负担的问题。进一步地，公开了利用金属微粒子来调制印刷用墨水，通过丝网印刷印刷在基材上，通过加热处理形成网格状的金属配线，制作透明导电性基材的方法(例如参照专利文献3)。然而，在由印刷所得的金属配线宽度是否能适合为对应今后显示屏的高分辨率化所需的十分狭窄的金属配线宽度这一问题上仍然存在问题。

然而，平板显示器等中使用具有上述网格状的金属配线的透明导电性基材的情况下，“抗龟纹特性”变得重要。这是将点或线等按几何学规则分布所得的图案重合时产生的斑纹，具体地为观看显示屏时看到条纹图案的现象。因此，有人指出金属配线部分不是上述的网格状，而是具有例如随机的网络形状更为理想。现有专利(例如参照专利文献4)公开了不使用光刻或印刷，制作上述具有随机的网络形状的透明导电性基材的金属配线的方法，将金属微粒子的分散溶液涂布于基材上并使之干燥，形成利用金属微粒子的自组织化现象的随机网络结构的方法。可以说该制作方法在成本方面和环境负担方面都是较优秀的方法。

此外，作为上述的电磁波屏蔽材料，可以为铝、铜、铁等金属箔、将聚酯纤维利用铜或镍电镀的导电布、将不锈钢或铜的金属线以网格状配置于透明基材上的金属屏蔽屏、将含有银填料的导电性涂料以网格状印刷于基材上的透明导电性基材、以及将ITO(铟和锡的氧化物)气相沉积于基材上的透明导电性基材等。

另一方面，最近除了电磁波屏蔽性之外，还开始要求被屏蔽物外侧的可视性。这是因为出现了从电器框体的外侧通过目视来对组装于内部的基材和配线在电器组装完成后进行确认检查的要求。

对于上述要求，采用由透明性树脂制造的框体，在框体上贴附上述电磁波屏蔽材料中具有光学透明性的电磁波屏蔽材料，来确保可视性的方法。

作为具有光学透明性的电磁波屏蔽材料，例如可以是：将聚酯纤维利用铜或镍电镀后的导电布、将不锈钢或铜的金属线以网格状配置于透明基材上的金属屏蔽屏、将含有银填料的导电涂料以网格状印刷于基材上的透明导电性基材、将ITO气相沉积于基材上的透明导电性基材等。

显然，在以降低成本为目标时，与在制成电器的框体后再贴附电磁波屏蔽材料相比，在作为框体的材料的透明树脂基材上生成附以电磁波屏蔽性的透明树脂基材，然后，通过对透明树脂基材进行成型加工来制成框体的方法在工业上为优选方案。

然而，作为用以替代上述框体材料的透明树脂基材，如果对上述电磁波屏蔽材料进行成型加工，或者在成型用透明树脂上粘接或者层叠上述电磁波屏蔽材料，然后通过成型加工制成框体，则会在框体的角的弯曲部分产生问题，存在困难。

在使用将金属屏蔽屏，或者将含有银填料的导电性涂料以网格状印刷于基材上的透明导电性基材的情况下，在弯曲部分金属线或者银填料的配线部上发生断线。发生断线，框体整体的通电困难时，在接地的情况下需要分别对各通电部分接地，或者进行二次处理来桥接通电部分之间使得全体可以通电。

此外，在将ITO气相沉积在基材上的透明导电基材的情况下，弯曲部分的ITO薄膜上产生龟裂，框体不能整体通电。

另一方面，现有专利(专利文献5和6)公开了具有由金属微粒子构成的随机的网孔状结构的透明导电性膜。由于透明导电性膜具有较高的光学透明性和高导电性，有希望作为优良的可视性电磁波屏蔽材料使用。

专利文献1：日本专利特开2001-217589号公报

专利文献2：日本专利特开2005-203484号公报

专利文献3：国际专利公开第2005/115070号手册

专利文献4：日本专利特开2006-32197号公报

专利文献5：日本专利特表2005-530005号公报

专利文献6：日本专利特开2007-234299号公报

发明内容

然而，在利用上述自组织化现象的方法中，在干燥的同时，金属微粒子集合形成随机网络，但为了得到足够低的阻抗，需要在之后进行加热处理或化学处理。这是因为，虽然有报告称一般地金属微粒子由于微粒子化低温烧结会更进一步，但需要通过加热处理或化学处理除去附加的有机分散剂用于防止金属微粒子的结合、维持分散溶液中的分散稳定性。此外，由于在金属微粒子的分散溶液中使用的有机溶剂一般多为树脂完全溶解所得物，在不使用具有耐药品性的基材作为层叠透明导电性膜的基材的情况下，有在处理中劣化的担忧。进一步地，若考虑金属微粒子与基材的粘接性，需要预先在基材上涂布粘接层和粘合层，但由于涂布而使基材的表面性质发生变化，有妨碍自组织化的担忧。

如上，利用金属微粒子的自组织化的透明导电性基材的制作方法，虽然相比光刻法、电镀法或印刷法，是能够简单地制作抗龟纹性良好的透明导电性基材的方法，但可使用的基材限定于具有耐热性、耐药品性的基材，进一步地，需要考虑涂布粘接剂、粘合剂后的表面性，现在仍存在问题。

进一步地，当今，对可视性的要求越来越高，作为能够满足该要求的具有足够的光学透明性的电磁波屏蔽材料，限定于金属屏蔽屏、将含有银填料的导电性涂料以网格状印刷于基材上的透明导电性基材或者对ITO施以气相沉积的透明导电性基材等。

然而，用于形成良好的透明性和导电性的透明导电性膜的有机溶剂，和用以提高导电性的加热和/或化学处理，上述任一项都限定具有耐久性的基材，在可简单成型加工的同时，在廉价的基材上层叠透明导电性膜来得到透明导电性基材，困难的情况较多，存在着问题。

此外，现有的电磁波屏蔽材料或透明导电性基材虽然具有足够的光学透明性和电磁波屏蔽性，却不易加工成型制成框体。

本发明的目的在于：提供一种透明导电性基材的制造方法、透明导电性基材以及用于两者的透明导电性转印版的制造方法和透明导电性转印版，其中该透明导电性基材的制造方法不使用特别的装置即可简单地制成低阻抗、高透过率且抗龟纹性良好的透明导电性基材，并进一步地，适用于广泛的基材。并且提供具有高耐久性的透明导电性基材。

本发明的其它目的是：提供具有足够的光学透明性和电磁波屏蔽性、容易成型加工的透明导电性基材和透明导电性成型体。

本发明为一种透明导电性转印版的制造方法，其特征在于：将能够形成自组织化膜的金属微粒子分散溶液涂布于具有耐热性和/或耐药品性的支持体并干燥后，进行加热处理和/或化学处理，使支持体上形成具有低阻抗、高透过率以及良好抗龟纹性的导电性随机网络结构的透明导电性膜(本发明1)。

本发明为一种透明导电性转印版的制造方法，其特征在于：将能够形成自组织化膜的金属微粒子的前驱体的金属盐的溶液，涂布于具有耐热性和/或耐药品性的支持体并干燥后，通过加热、紫外线照射或者还原性气体使金属微粒子的前驱体还原析出，使支持体上形成具有低阻抗、高透过率以及良好抗龟纹性的导电性随机网络结构的透明导电性膜(本发明2)。

此外，本发明为如本发明1或者本发明2中记载的透明导电性转印版的制造方法，其特征在于：在所述支持体上涂布所述金属微粒子分散溶液或者所述金属盐的溶液之前，对所述支持体施以表面处理(本发明3)。

此外，本发明为一种透明导电性转印版，该透明导电性转印版为通过本发明1至发明3的其中之一所记载的透明导电性转印版的制造方法所得(本发明4)。

此外，本发明为一种透明导电性基材的制造方法，其特征在于：使具有本发明4所记载的透明导电性转印版的透明导电性膜的面和基材一面相对，将所述透明导电性转印版和所述基材压接或者热压接，在将所述透明导电性膜转印到所述基材上后，剥离所述支持体(本发明5)。

此外，本发明为一种透明导电性基材的制造方法，其特征在于：在具有本发明4所记载的透明导电性转印版的透明导电性膜的面和基材一面中的至少一面上形成粘接层、粘合层、耦合剂层或有机物胶层后，将所述透明导电性转印版和所述基材压接或者热压接，在将所述透明导电性膜转印到所述基材上后，剥离所述支持体(本发明6)。

此外，本发明为一种透明导电性基材，该透明导电性基材为通过本发明5或本发明6所记载的透明导电性基材的制造方法所得(本发明7)。

此外，本发明为如本发明7中记载的透明导电性基材，其中，所述透明导电性膜或者埋入基材中，或者埋入基材和粘接层中、基材和粘合层中、基材和耦合剂层中、基材和有机物胶层中，或者不埋入基材中而单独埋入任一层中，所述透明导电性膜的表面和所述基材或粘接层或粘合层或耦合剂层或有机物胶层的表面为同一平面(本发明8)。

此外，本发明为如本发明7中记载的透明导电性基材，其中，所述基材为热可塑性树脂基材(本发明9)。

此外，本发明为如本发明9中记载的透明导电性基材，其中，所述金属微粒子为从Au、Ag、Cu、Ni、Co、Fe、Cr、Zn、Al、Sn、Pd、Ti、Ta、W、Mo、In、Pt、Ru中选出的或者含有两种以上所述金属的合金(本发明10)。

此外，本发明为如本发明9或10中记载的透明导电性基材，其中，所述粘接层或粘合层为由热可塑性树脂形成的粘接剂或粘合剂(本发明11)。

此外，本发明为如本发明9～11中的任一项所记载的透明导电性基材，其中，所述热可塑性树脂基材为从丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚氯乙烯、非结晶化聚对苯二甲酸乙二醇酯、ABS、聚苯乙烯以及它们的层叠基材中选出的树脂基材(本发明12)。

此外，本发明为一种透明导电性成型体，该透明导电性成型体由将本发明9～12中的任一项所记载的透明导电性基材成型所得(本发明13)。

通过使用本发明的透明导电性转印版的制造方法，不使用特别的装置即可简单地制成在支持体上形成具有低阻抗、高透过率且抗龟纹性良好的导电性的随机网络结构的透明导电性膜的透明导电性转印版。尤其是通过选择适合于形成透明导电性膜的支持体，使充分的加热处理和化学处理变得可能，能够形成低阻抗、高透过率且抗龟纹性良好的透明导电性膜。

此外本发明的透明导电性基材的制造方法中，由于在制造了透明导电性转印版后，将该透明导电性转印版上的透明导电性膜转印到基材上来制造，基材不限定于特定的基材，不使用特别的装置即可简单地制成低阻抗、高透过率且抗龟纹性良好的导电性的透明导电性基材。由此能够简单地制造利用广泛的基材的性能良好的透明导电性基材。

此外本发明的透明导电性基材中，由于透明导电性膜或者埋入基材中，或者埋入基材和粘接层中、基材和粘合层中、基材和耦合剂层中、基材和有机物胶层中，或者不埋入基材中而单独埋入任一层中，因此透明导电性膜的细微的随机网络的强度能够保持，有良好的耐久性。

此外本发明的透明导电性基材，由于具有足够的光学透明性，进一步地容易成型加工，因而能够简单地成型加工成具有电磁波屏蔽性和可视性的电器等的框体。

附图说明

图1是显示本发明的透明导电性基材的透明导电性膜和基材的关系的截面图。

图2是显示本发明的透明导电性中央部上压接基材时的、基材与透明导电性膜与支持体的关系的截面图。

图3是本发明的透明导电性基材的流程图。

图4是本发明的透明导电性基材设置于真空成型机中的图。

图5是本发明的透明导电性基材使用真空成型机来成型的图。

图6是本发明中成型前后的阻抗的测定点的图。

1、11：透明导电性膜

2：基材

3、5、6、15：透明导电性基材

4、9、13：粘接层、粘合层、耦合剂层或有机物胶层

7：透明导电性膜的表面

8：基材的表面

10、12：支持体

14：热可塑性树脂基材

16：真空成型机

具体实施方式

本发明的透明导电性基材的制造方法包括：在支持体上层叠透明导电性膜制作转印版的工程、以及将转印版的透明导电性膜转印到期望的基材上制作透明导电性基材的工程。

本发明中使用的支持体是指用于转印版的，厚度为1～200μm左右的树脂薄膜。基材是指被转印的基材，为不同于转印版中的支持体的、厚度为1μm～10mm范围的树脂薄膜、树脂板、玻璃等。

开始时，将金属微粒子分散溶液涂布在支持体上，使其干燥，之后进行加热处理和化学处理或者其中之一的处理，或者，开始将金属微粒子前驱体溶液涂布在支持体上，使其干燥后，对金属微粒子前驱体进行加热、或紫外线照射或通过还原性气体使其还原析出，来制成支持体上层叠了具有足够低的阻抗性、高透过率性和抗龟纹性的透明导电性膜的转印版。

之后，将期望的基材和上述转印版互相贴合，通过加热处理和化学处理或者其中之一的处理将透明导电性膜从转印版转印到期望的基材上后，通过剥离转印版的支持体，能够得到具有低阻抗性、高透过率性和抗龟纹性的透明导电性基材。

在期望的基材上转印透明导电性膜时，在期望的基材和透明导电性膜之间，使存在粘接层、粘合层、耦合剂层或有机物胶层(下面称之为粘接层等)。在期望的基材的表面和/或转印版的表面上，附上粘接层、粘合层、或耦合剂层或具有粘合性的有机物胶层，将期望的基材和转印版贴合，通过进行加热处理和化学处理或者其中之一的处理，或者对于紫外线硬化型的粘接层通过照射紫外线的方法，将透明导电性膜从转印版转印到期望的基材上。之后，通过剥离转印版的支持体，通过上述粘接层等，能够得到基材上层叠了具有足够低的阻抗性、高透过率性和抗龟纹性的透明导电性膜的透明导电性基材。

并且，在本发明中，粘接层是指在常温下不具有粘接力，但通过加热产生粘接力的层。粘合层是指常温下具有粘接力的层。

图1是显示本发明透明导电性基材的透明导电性膜和基材关系的截面图。所述透明导电性基材可以是如图1(a)所示的将透明导电性膜1利用热压等完全埋入基材2中的透明导电性基材3、如图1(b)所示的将透明导电性膜1利用热压等埋入粘接层等4和基材2中的透明导电性基材5、如图1(c)所示的使用本发明4的透明导电性转印版在粘接层等4中埋入透明导电性膜1的透明导电性基材6。透明导电性基材3、5、6中的任一个，透明导电性膜1都完全地埋入基材2或者粘接层等4中，透明导电性膜1的表面7和基材2的表面8、或透明导电性膜1的表面7和粘接层等4的表面9为同一平面，所以透明导电性膜1的细微的随机网络的强度得到保持，具有良好的耐久性。

金属微粒子分散溶液或者金属微粒子前驱体溶液只需满足：涂布到支持体上，干燥后，金属微粒子或金属微粒子前驱体溶液由于自组织化现象形成随机网络结构，对层叠基材进行加热处理和化学处理或者其中之一的处理，或者用热、或光或化学方式使金属微粒子前驱体还原析出，形成低阻抗、高透过率且抗龟纹性良好的透明导电性膜，即可使用任意的金属微粒子分散溶液或金属微粒子前驱体溶液。例如，可以使用参考日本专利特开2007-234299号公报、日本专利特表2005-530005号公报和日本专利特开平10-312715号公报调制的金属微粒子分散溶液或者金属微粒子前驱体溶液。

金属微粒子分散液或者金属微粒子前驱体溶液中所含的金属微粒子，可以使用Au、Ag、Cu、Ni、Co、Fe、Cr、Zn、Al、Sn、Pd、Ti、Ta、W、Mo、In、Pt、Ru等的金属微粒子、金属合金微粒子、金属氧化物微粒子或金属硫化物微粒子、或者含碳的碳微粒子或碳纳米管、富勒烯、碳纳米角等所谓纳米碳材料、含硅的硅微粒子或硅与其它金属的硅合金微粒子、硅氧化物微粒子、硅碳化物微粒子或硅氮化物微粒子(这些碳和硅材料在本发明中也属于金属微粒子的范畴)。从获得高导电性的观点，优选使用含有Au、Ag、Cu一种以上的金属微粒子分散溶液或金属微粒子前驱体溶液。从抗氧化和经济的观点，更优选使用Ag。

作为转印版的支持体，使用耐热性、耐药品性良好的材料。由于本发明的透明导电性转印版的制造方法为将金属微粒子分散溶液涂布在支持体上，使其干燥，之后进行加热处理和化学处理或者其中之一的处理，或者，将金属微粒子前驱体溶液涂布在支持体上，使其干燥后，对金属微粒子前驱体进行加热、紫外线照射或通过还原性气体使其还原析出，在支持体上形成具有足够低的阻抗性、高透过率性和抗龟纹性的透明导电性膜，因此转印版的支持体必须能够耐受这些操作、处理。如果支持体的材料的选择不合适，不能进行充足的加热处理、化学处理、紫外线照射处理、通过还原性气体的还原析出处理时，不能得到具有足够低的阻抗性、高透过率性和抗龟纹性的透明导电性膜。例如，金属微粒子分散液或者金属微粒子前驱体溶液含有有机溶剂的情况下，需为具有耐溶剂性的支持体。在将金属微粒子分散液或者金属微粒子前驱体溶液涂布于支持体上并干燥后，浸渍于盐酸水溶液的情况下，需为具有耐酸性的支持体，进一步地，在之后进行加热处理的情况下，需要选择同时具有耐酸性和耐热性的材料作为支持体的材料。作为支持体的材料，具体的可以使用玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚苯硫醚等。此外如果考虑转印时的操作性等，支持体优选为具有柔软性的树脂。支持体也可反复使用。支持体的厚度，可以为1～200μm。进一步地优选为50～150μm的范围。

在形成透明导电性膜时和转印操作时，为了使透明导电性膜不被破坏地平滑地转印，优选预先在转印版的支持体上施以表面处理。表面处理可以为涂布硅系高分子或氟系高分子等所谓底漆、通过电晕处理或等离子处理将支持体表面粗化的方法、通过酸、碱处理的清洗。上述表面处理是在不妨碍金属微粒子或者金属微粒子前驱体自组织化现象的程度下的处理。例如，在支持体上涂布液的润湿性不佳的情况下，为了改善润湿性，进行支持体表面的改性，但存在润湿性过度时自组织化现形成的导电性膜过密，损害透明性的情况。

金属微粒子分散溶液或者金属微粒子前驱体溶液涂布到支持体上的方法，可以使用旋涂机、棒式涂布机、模缝涂布机、浸涂机或喷涂机等所谓的进行对一般的支持体上的涂布处理时使用的一般的涂布方法。

将金属微粒子分散溶液涂布于支持体上、干燥后的加热处理的温度，由支持体的材料不同而相异，为了形成阻抗足够低的导电性膜，优选为100～300℃的范围。尤其优选为100～200℃。

作为将金属微粒子分散溶液涂布于支持体上、干燥后的化学处理，将其浸渍于具有除去金属微粒子中所含的分散剂或树脂等性质的以及促进金属微粒子相互之间的烧结作用的有机溶剂以及无机酸或者有机酸中。由此可得到具有低阻抗性、高透过率性、抗龟纹性的透明导电性膜。作为有机溶剂等优选为甲醇、乙醇、异丙醇等的醇类、丙酮、甲基乙基酮等的酮类等。作为无机酸优选为盐酸、硝酸等，作为有机酸优选为蚁酸、醋酸等。

加热处理和化学处理可以为其中之一或者组合。

还原金属微粒子前躯体的情况下，也可以组合加热、紫外线、放射线等的光照射或者还原性气体方法来进行。

为了使透明导电性膜的导电性部位更加功能化，也可以附加具有催化剂性质的金属或者金属氧化物、金属硫化物等微粒子。此外为了防止耐候性、耐药品性或氧化还原电位带来的劣化，也可以对导电性部位的表面进行电镀。

通过上述方法作为转印版来制成的透明导电性膜的特性，根据涂布的支持体的种类、处理方法而变化，但优选为表面阻抗100Ω/□以下、透过率为60％以上的范围。尤其优选为表面阻抗30Ω/□以下、透过率为70％以上。尤其由本发明5或6制造的透明导电性基材(本发明7)的情况下，优选为表面阻抗20Ω/□以下、尤其优选为为10Ω/□以下。若表面阻抗大于100Ω/□则作为电磁波屏蔽特性并不能说其足够，若透过率达不到60％，有或者图像设备中需要更强的光源，或者解析度恶化等问题的担忧。表面阻抗的下限值并没有特别的限制，但通常为0.01Ω/□左右。

转印在转印版上形成的透明导电性膜的基材，可以根据各种用途广泛地选择。例如，例如除了玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、非结晶化聚对苯二甲酸乙二醇酯(A-PET)、聚萘二甲酸、聚酰胺、聚酰亚胺、聚苯硫醚之外，还有聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚碳酸酯、丙烯酸树脂、ABS、硅基材、多孔陶瓷等。

在期望的基材上转印透明导电性膜时，作为要转印透明导电性膜的基材的表面和/或涂布于转印版的表面的相对于粘接层或粘合层的树脂或者耦合剂层或者具有粘合性的有机物胶层，如以下例子所示。

作为粘接层，可以使用各种热可塑性树脂所形成的粘接剂、硬化型粘接剂，作为热可塑性树脂，例如为聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸丁酯、聚酯、聚砜、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯醇缩醛、聚苯醚、聚丁二烯、聚(N-乙烯基咔唑)、聚乙烯吡咯烷酮、烃类树脂、酮树脂、苯氧基树脂、聚酰胺、氯化聚丙烯、尿素、纤维素、醋酸乙烯、ABS树脂、聚氨酯、酚醛树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂、醇酸树脂、环氧树脂、硅树脂以及它们的共聚物所形成的群的至少之一种、以及/或者它们其中的某种的混合物等。

作为热硬化型粘接剂，可以使用双酚A型环氧树脂、双酚F环氧树脂、酚醛环氧树脂等的环氧系树脂，聚异戊二烯、聚-1，2-丁二烯、聚异丁烯、聚丁烯等的双烯系树脂，丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、2-乙基已酯、丙烯酸叔丁酯等所形成的丙烯酸酯共聚物，聚乙烯醋酸酯、聚乙烯丙酸酯等聚酯系树脂，聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、EVA等的聚烯烃系树脂。

作为紫外线硬化型的粘接剂，可以使用以丙烯酸树脂系为代表的广泛的市贩的粘接剂。

作为粘合层，可以使用以丙烯酸酯系粘合剂为代表的各种粘合剂，可以将丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯、2-乙基已酯等的低Tg单体作为主要单体，通过与丙烯酸、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸羟乙酯、丙烯酸羟乙酯、丙烯酰胺、丙烯腈等的官能团单体共聚所得到的丙烯酸酯共聚物，将其通过异氰酸酯系、三聚氰胺系、环氧系等已知的交联剂来交联而得到。

有机胶层由有机胶所形成，作为有机胶，可以使用在离于性液体、乙腈、N，N-二甲基甲酰胺、碳酸丙二酯、γ-丁内酯等中添加高分子胶化剂或者低分子胶化剂来胶化后的有机胶。

转印方法使用热模压机、辊压机、具有热敏头的热转印机等，可以使用通过加热和/或加压转印后，剥离转印版的支持体的方法，或将转印版和期望的基材贴合后，照射紫外线使树脂硬化，剥离转印版的方法等。

下面，针对本发明9中记载的透明导电性基材进行说明。基本上，是利用本发明1～3中记载的方法制造透明导电性转印版，在透明导电性转印版具有透明导电性膜的一面和基材的一面其中的至少一面上，根据需要形成粘接层后，将上述透明导电性转印版和上述基材贴合，将所述透明导电性膜转印到上述基材上，之后，通过剥离上述支持体来制造透明导电性基材。

具体地，利用图3对透明导电性基材的制造方法的概略进行说明。如图3的(A)所示，利用本发明1～3中记载的方法，用涂布液将由微粒子所构成的网孔状构造物所形成的透明导电性膜11涂布于支持体12上后，使其干燥。或者也可以是将由金属微粒子所构成的网孔状构造物所形成的透明导电性膜11印刷于支持体上后，使其干燥的方法。

使用的支持体12，可以使用本发明1～3的制造方法中所使用的上述材料，考虑到本发明9的转印工序的情况，优选使用树脂支持体。例如优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸(PEN)、聚酰亚胺(PI)等。

通过上述方法在基材上形成由金属微粒子构成的网孔状构造所形成的透明导电性膜11，接着，为了将透明导电性膜11转印到期望的热可塑性树脂基材14上，形成粘接层13使其覆盖透明导电性膜11(图3(B))。

作为本发明9中的粘接层和粘合层，可以使用上述的粘接层和粘合层。

此外，粘接层中可以根据需要合适地使用紫外线吸收剂、染色颜料、带电防止剂、抗氧化剂、硅烷偶联剂等作为添加剂。

作为形成粘接层的方法，可以将上述的粘接层等的材料溶解于有机溶剂或水中，或者分散于水中，制成粘度调整后的涂布剂，通过凹版涂布、旋涂等现有技术中公知的涂布方法来涂布和干燥。粘接层等的厚度优选为0.5～50μm，进一步地优选为1～30μm。粘接层等的厚度不足0.5μm时与热可塑性树脂基材14的密封性低因而不佳。此外，若粘接层等的厚度比50μm厚时，由于透明度降低，也不适宜。

粘接层等也可以设置于热可塑性树脂基材的一面上，而不是设置于形成了透明导电性膜的基材上。

作为透明导电性膜的转印方法，使层叠了透明导电性膜11和粘接层等13的支持体的粘接层等的表面与热可塑性树脂基材14的表面相对并接合(图3(C))根据需要也可进行加热处理、加压处理等。

作为本发明9中的热可塑性树脂基材，可以使用各种热可塑性树脂形成的树脂基材，其中从丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚氯乙烯、非结晶化聚对苯二甲酸乙二醇酯、ABS、聚苯乙烯以及它们的层叠基材中选出的树脂基材尤为适合。热可塑性树脂基材的厚度并无特别限制，在实施成型加工的情况下，优选为50μm～10mm的厚度。

然后，剥离支持体12，将透明导电性膜11通过粘接层等13利用加热和/或加压转印到基材上(图3(D))。

使用本发明9的有机树脂基材的透明导电性基材，可通过真空成型法、压力成形法、模压成型法等的成型方法简单地成型加工，得到本发明13的透明导电性成型体。进一步地，本发明9的透明导电性基材，也可以根据需要通过粘接层等，将透明导电性膜贴附于预先成型的成型体表面来使其粘接。进一步地，将透明导电性转印版和热可塑性树脂基材重合所得物利用上述的成型方法成型，通过剥离支持体，可以获得透明导电性成型体。

进一步地，可以在注射成型机中，以透明导电性转印版的粘接层侧为内侧来插入，将热可塑性树脂注射成型，从金属模具中取出成型物后，通过剥离支持体得到透明导电性成型体。此外，可以通过在注射成型机中，以透明导电性基材的粘接层侧为内侧来插入，将热可塑性树脂注射成型得到透明导电性成型体。

<银微粒子1的调制>

加入硝酸银40g、丁胺37.9g、甲醇200mL，搅拌1小时，调制成A液。另外，取异抗坏血酸62.2g，加入水400mL并搅拌溶解，然后加入甲醇200mL，调制成B液。将B液充分搅拌，将A液用1小时20分钟滴下到B液中。滴下完成后，持续搅拌3小时30分钟。搅拌完成后，静置30分钟使固体物沉降。通过倾析除去上层清液后，重新加入水500mL，搅拌，静置，再通过倾析除去上层清液。重复该精制操作3次。将沉降的固体物在40℃的干燥机中干燥，除去水分。进一步地，将所得到的银微粒子20g和DISPERBYK-106(日本毕克化学公司制)0.2g混合于甲醇100mL和纯水5mL的混合液中，混合1小时后，加入纯水100mL，将浆液过滤后，在40℃的干燥机中干燥，获得银微粒子1。通过电子显微镜观察，银微粒子原始粒子的平均粒子径为60nm。

<金属微粒子分散溶液1的调制>

参考日本专利特开2007-234299号公报进行调制。即，将含氟溶剂(HCFC-225ca与HCFC-225cb的混合物(商品名：AK-255、日本旭硝子公司制))6.1g、1-丁氧基-2-丙醇0.14g、甲苯0.75g、BYK-410(日本毕克公司制)14.6mg和山梨糖醇酐单油酸酯6.4mg混合。接着加入0.38g银微粒子1，利用输出功率100W的超声波分散机处理5分钟。然后，加入纯水1.8g，利用输出功率100W的超声波分散机处理5分钟，调制成金属微粒子分散溶液1。

<金属微粒子分散溶液2的调制>

参考日本专利特表2005-530005号公报进行调制。即，将4g银微粒子1、甲苯30g、BYK-410(日本毕克公司制)0.2g混合，利用输出功率180W的超声波分散机进行1.5分钟分散化处理，添加纯水15g，将所得到的乳浊液利用输出功率180W的超声波分散机进行30秒分散处理，调制成金属微粒子分散溶液2。

<金属微粒子前驱体溶液1的调制>

参考日本专利特开平10-312715号公报进行调制。即，将纯水25g、乙腈25g、异丙醇变性乙醇50g、氟利昂系阴离子表面活性剂(住友3M公司制，FC-93)0.01g和乳酸银5g充分混合，调制成金属微粒子前驱体溶液1。

实施例1：

在表面上施以电晕处理使表面性优化的PET树脂支持体上，利用旋涂机涂布金属微粒子分散溶液1后，通过使其干燥在支持体上制成金属微粒子以随机网络状连接的透明导电性转印版(下面称为转印版)。进一步地，为了提高导电性部位的导电性，在大气中以70℃进行30秒的热处理，进一步地在含有蚁酸蒸汽的气氛中，以70℃进行30分钟的热处理，制成用于制作透明导电性基材的转印版。转印版的表面阻抗为2Ω/□，透过率为80％。表面阻抗使用日本三菱化学公司制“Loresta-GP”(型号：MCP-T600)测量样品的三个点，将其平均值作为表面阻抗。透过率使用日本电色工业公司制“浊度仪NDH2000”测量样品上三点的全光线透过率，将其平均值作为透过率。

使用热模压机(110℃、20kgf/cm²)将转印版和涂布了丙烯酸酯系树脂粘接层的市销丙烯酸树脂基材进行热压接，将透明导电性膜从转印版转印到基材，剥离支持体，获得透明导电性基材。表面阻抗为2Ω/□，透过率为80％。

实施例2：

在表面上施以电晕处理的PET树脂支持体上，将金属微粒子分散溶液2利用棒式涂布机涂布后，通过使其干燥在支持体上制成金属微粒子以随机网络状连接的转印版。进一步，为了提高导电性部位的导电性，将转印版分别浸渍于丙酮和1％的盐酸水溶液中5分钟，干燥后，在大气中以150℃进行30秒的热处理，制成用于制作透明导电性基材的转印版。转印版的表面阻抗为10Ω/□，透过率为86％。

将转印版和涂布了丙烯酸酯系树脂粘接层的聚碳酸酯树脂基材使用热模压机(110℃、20kgf/cm²)来热压接，将透明导电性膜从转印版转印到基材，剥离支持体，获得透明导电性基材。表面阻抗为10Ω/□，透过率为86％。

实施例3：

在表面上施以电晕处理的聚酰亚胺树脂支持体上，将金属微粒子前驱体溶液1通过喷雾喷射涂布后，使其干燥。然后，照射紫外线将金属微粒子还原析出后，进行水洗和丙酮清洗，在支持体上制成金属微粒子以随机网络状连接的转印版。进一步，为了提高导电性部位的导电性，在大气中以200℃进行1小时的热处理，制成用于制作透明导电性基材的转印版。转印版的表面阻抗为40Ω/□。

将转印版和涂布了丙烯酸酯系树脂粘接层的市销的聚碳酸酯树脂基材使用辊压机(110℃、20kgf/cm²)来热压接，将透明导电性膜从转印版转印到基材，剥离支持体，获得透明导电性基材。表面阻抗为40Ω/□，透过率为75％。

实施例4：

使用聚酰亚胺树脂支持体通过实施例1的方法制成转印版。转印版的表面阻抗为2Ω/□，透过率为80％。

将转印版和涂布了丙烯酸酯系单体粘接层的聚丙烯树脂基材使用辊压机(110℃、20kgf/em²)来热压接，将透明导电性膜从转印版转印到基材，剥离支持体，获得透明导电性基材。表面阻抗为2Ω/□，透过率为80％。

实施例5：

通过实施例2的方法制成转印版。转印版的表面阻抗为2Ω/□，透过率为80％。

在多孔质的氧化钛基材表面涂布钛系耦合剂，制成基材。将氧化钛基材和转印版在夹着钛系耦合剂的位置贴合，之后在100℃下加热30分钟，剥离支持体，获得透明导电性基材。表面阻抗为2Ω/□。

实施例6：

通过实施例2的方法制成转印版。转印版的表面阻抗为10Ω/□，透过率为86％。

在多孔质的氧化钛基材表面涂布加入胶化剂胶化后的离子液体(咪唑系)，制成基材。将基材和转印版贴合，在80℃下加热30分钟后，剥离支持体，获得内部包含离子液体的透明导电性基材。表面阻抗为10Ω/□。

实施例7：

在表面上施以电晕处理的PET支持体上，将金属微粒子分散溶液2利用棒式涂布机涂布后，通过使其干燥在支持体上制成金属微粒子以随机网络状连接的转印版。

进一步，为了提高导电性部位的导电性，将转印版分别浸渍于丙酮和1％的盐酸水溶液中5分钟，干燥后，在大气中以150℃进行30秒的加热处理。

在转印版的透明导电性膜侧上涂布下述的粘接层涂布液1使得干燥膜厚为3μm，在100℃的温度下干燥5分钟，制成层叠了粘接层的转印版。

进一步地，使形成了转印版粘接层的面朝向厚度1mm的玻璃基材表面，利用热压膜机(日本大成压膜机公司制，大成快速压膜机VAII-700)，在180℃下热压接，放置直到冷却到室温后，剥离支持体，获得透明导电性基材。透明导电性基材的表面阻抗为10Ω/□，透过率为81％。

<粘接层涂布液1>

将聚乙烯醇缩丁醛树脂(日本积水化学公司制，S-LEC BL-2)15g溶解于异丙醇85g中，制成粘接层涂布液1。

实施例8：

与实施例7相同，为了制作透明导电性基材，制成涂布粘接层前的转印版。在转印版的透明导电性膜侧上涂布下述的粘接层涂布液2，膜厚为4μm，制成层叠了粘接层的转印版。

进一步地，使形成了转印版粘接层的面朝向厚度1mm的玻璃基材表面，利用压膜机(日本Fujipla公司制，Lamipacker LPV6507)，在室温下热压接，利用高压汞灯照射200mj/cm²的紫外线后，剥离支持体，获得透明导电性基材。透明导电性基材的表面阻抗为10Ω/□，透过率为80％。

<粘接层涂布液2>

将聚氨酯50g、羟基丁基丙烯酸酯48g、1-羟基环己基苯基甲酮2g混合搅拌，制成粘接层涂布液2。

实施例9：

除了使用粘接层涂布液3作为粘接层涂布液以外，其它和实施例7相同，制成层叠了粘接层的转印版。

进一步地，使形成了转印版粘接层的面朝向厚度125μm的PET基材表面，利用上述的热压膜机在180℃下热压接，放置直到冷却到室温后，剥离支持体，获得透明导电性基材。透明导电性基材的表面阻抗为10Ω/□，透过率为81％。

<粘接层涂布液3>

将丙烯酸树脂(日本三菱丽阳制，DIANAL BR-83)8.5g和聚酯树脂(日本东洋纺公司制，Vylon200)1.5g溶解于甲苯75g和甲基乙基酮15g中，制成粘接层涂布液3。

实施例10：

除了使用粘接层涂布液3作为粘接层涂布液以外，其它和实施例7相同，制成层叠了粘接层的转印版。

进一步地，使形成了转印版粘接层的面朝向厚度125μm的聚邻苯二甲酸酯树脂基材表面，利用上述的热压膜机在180℃下热压接，放置直到冷却到室温后，剥离支持体，获得透明导电性基材。透明导电性基材的表面阻抗为10Ω/□，透过率为72％。

实施例11：

在表面上施以硅脱模处理的PET支持体上，将金属微粒子分散溶液2利用棒式涂布机涂布后，通过使其干燥在支持体上制成金属微粒子以随机网络状连接的转印版。

进一步，为了提高导电性部位的导电性，将转印版分别浸渍于丙酮和1％的盐酸水溶液中5分钟，干燥后，在大气中以150℃进行30秒的加热处理。

在转印版的透明导电性膜侧上涂布下述的粘合层涂布液1使得干燥膜厚为15μm，在100℃的温度下干燥5分钟，制成层叠了粘合层的转印版。

进一步地，使形成了转印版粘接层的面朝向厚度1mm的玻璃基材表面，利用压膜机(日本Fujipla公司制，Lamipacker LPV6507)，在室温下热压接后，剥离支持体，获得透明导电性基材。透明导电性基材的表面阻抗为10Ω/□，透过率为81％。

<粘合层涂布液1>

丙烯酸丁酯和羟基丁基丙烯酸酯的共聚物30g，和甲苯二异氰酸酯的异氰脲酸酯体1g溶解于乙酸乙酯69g中，制成粘合层涂布液1。

比较例1：

在聚碳酸酯树脂支持体上通过旋涂机涂布金属微粒子分散溶液1后，使其干燥时，由于金属微粒子分散溶液1所含的有机溶剂溶解一部分支持体，生成了不完整的网络结构。然后，将支持体浸渍于丙酮液时，导电性部位从支持体上剥落，没能制成转印版。

比较例2：

在丙烯酸树脂支持体上通过棒式涂布机涂布金属微粒子分散溶液2后，使其干燥。然后，将支持体浸渍于丙酮液时，支持体的一部分溶解，导电性部位从支持体上剥落，没能制成转印版。

比较例3：

在多孔质氧化钛支持体上通过旋涂机涂布金属微粒子分散溶液1后，使其干燥时，金属微粒子分散溶液1的一部分浸透到多孔质中，没能形成有足够的导电性的网络。

将支持体在200℃下加热1小时后测定阻抗时，阻抗高到无法测量的程度。

<透明导电性膜的形成方法>

在厚度100μm的PET支持体上，通过棒式涂布机涂布上述银微粒子分散溶液2。然后，通过在大气中使其自然干燥，由银微粒子的自组织化现象形成网孔状构造物。接着，在150℃下加热2分钟，分别浸渍于丙酮和1N盐酸中后，在150℃下加热干燥5分钟，形成含有银微粒子的网孔状构造物。在支持体上形成由含有银微粒子的网孔状构造物所形成的透明导电性膜，制成转印版。透明导电性膜的表面的全光线透过率为85％，表面阻抗为4.5Ω/□。

<粘接层涂布液4的调制方法>

氯乙烯-醋酸乙烯共聚物树脂(美国联合碳化物公司制，VAGH)20g溶解于甲苯40g和甲基乙基酮40g中，制成粘接层涂布液1。

实施例12：

使用粘接层涂布液4作为粘接层涂布液，通过上述方法生成的支持体上透明导电性膜侧涂布粘接层涂布液4使得干燥膜厚为3μm，在100℃的温度下干燥5分钟，制成层叠了粘接层的转印版。

接着，使形成了上述转印版粘接层的面朝向厚度300μm的A-PET树脂基材表面，利用上述的热压膜机在180℃下热压接，放置直到冷却到室温后，剥离支持体，制成透明导电性基材。

通过真空成型装置对透明导电性基材真空成型，获得成型为箱型形状的透明导电性成型物。成型体的A-B之间的阻抗为4.6Ω/□，透过率为80％。成型后的AA-BB之间的表面阻抗为5.2Ω/□，即使存在成型体的弯曲部分，也未发现导通显著恶化的现象。

实施例13：

除了将真空成型改为压制成型外，使用和实施例12相同的方法，获得成型为箱型形状的透明导电性成型体。成型体的A-B之间的阻抗为4.6Ω/□，透过率为80％。成型后的AA-BB之间的表面阻抗为5.4Ω/□，即使存在成型体的弯曲部分，也未发现导通显著恶化的现象。

实施例14：

除了将A-PET树脂基材改为厚度300μm的聚碳酸酯树脂基材外，使用和实施例12相同的方法，获得成型为箱型形状的透明导电性成型体。成型体的A-B之间的阻抗为4.6Ω/□，透过率为81％。成型后的AA-BB之间的阻抗为5.4Ω，即使存在成型体的弯曲部分，也未发现导通显著恶化的现象。

实施例15：

除了将A-PET树脂基材改为厚度1mm的ABS树脂基材外，使用和实施例12相同的方法，获得成型为箱型形状的透明导电性成型体。成型体的A-B之间的阻抗为4.6Ω/□，透过率为78％。成型后的AA-BB之间的表面阻抗为5.3Ω/□，即使存在成型体的弯曲部分，也未发现导通显著恶化的现象。

实施例16：

除了将A-PET树脂基材改为厚度125μm的丙烯酸树脂基材外，使用和实施例12相同的方法，获得成型为箱型形状的透明导电性成型体。成型体的A-B之间的阻抗为4.6Ω/□，透过率为81％。成型后的AA-BB之间的表面阻抗为5.2Ω/□，即使存在成型体的弯曲部分，也未发现导通显著恶化的现象。

比较例4：

将市销的透明导电性PET膜(ITO的膜厚：140nm，表面阻抗45Ω/□)利用压制成型装置获得压制成型的箱型形状的成型体。成型前的A-B之间的表面阻抗为32Ω/□，但成型后的AA-BB之间的表面阻抗变高到无法测量的程度，导通显著恶化。

比较例5：

将由市销的金属细线形成网状的透明导电性PET膜通过压制成型装置来压制成型，获得箱型形状的成型体。成型前的A-B之间的表面阻抗为0.1Ω/□，但成型后的AA-BB之间的表面阻抗变高到无法测量的程度，导通显著恶化。观察AA-BB之间的脊线部分可以确认到金属细线的断线。

产业上的可使用性

本发明的透明导电性基材，阻抗低透过率高，抗龟纹性良好，本发明的透明导电性基材的制造方法，能够不使用特别的装置即可简单地制成，进一步地适用于广泛的基材，因此，本发明的透明导电性基材可以适用于电磁波屏蔽材料等。

本发明的透明导电性基材和其制造方法，以及透明导电性成型体，可视性和电磁波屏蔽性良好，适合于作为成型加工使用的电磁波屏蔽材料使用。

Claims (13)

1.一种透明导电性转印版的制造方法，其特征在于，

将能够形成自组织化膜的金属微粒子分散溶液涂布于具有耐热性和/或耐药品性的支持体并干燥后，进行加热处理和/或化学处理，在支持体上形成具有低阻抗、高透过率以及良好抗龟纹性的导电性随机网络结构的透明导电性膜。

2.一种透明导电性转印版的制造方法，其特征在于，

将能够形成自组织化膜的金属微粒子的前驱体的金属盐的溶液，涂布于具有耐热性和/或耐药品性的支持体并干燥后，通过加热、紫外线照射或者还原性气体使金属微粒子的前驱体还原析出，在支持体上形成具有低阻抗、高透过率以及良好抗龟纹性的导电性随机网络结构的透明导电性膜。

3.如权利要求1或权利要求2中记载的透明导电性转印版的制造方法，其特征在于，

在所述支持体上涂布所述金属微粒子分散溶液或者所述金属盐的溶液之前，对所述支持体施以表面处理。

4.一种透明导电性转印版，该透明导电性转印版为由权利要求1至权利要求3中任何一项所记载的透明导电性转印版的制造方法制得。

5.一种透明导电性基材的制造方法，其特征在于，

使具有权利要求4所记载的透明导电性转印版的透明导电性膜的面与基材一面相对，将所述透明导电性转印版和所述基材压接或者热压接，在将所述透明导电性膜转印到所述基材上后，剥离所述支持体。

6.一种透明导电性基材的制造方法，其特征在于，

在具有权利要求4所记载的透明导电性转印版的透明导电性膜的面和基材一面中的至少一面上形成粘接层、粘合层、耦合剂层或有机物胶层后，将所述透明导电性转印版和所述基材压接或者热压接，在将所述透明导电性膜转印到所述基材上后，剥离所述支持体。

7.一种透明导电性基材，该透明导电性基材由权利要求5或权利要求6所记载的透明导电性基材的制造方法制得。

8.如权利要求7中记载的透明导电性基材，其中，所述透明导电性膜或者埋入基材中，或者埋入基材和粘接层中、基材和粘合层中、基材和耦合剂层中或基材和有机物胶层中，或者不埋入基材中而单独埋入任一层中，所述透明导电性膜的表面和所述基材或粘接层或粘合层或耦合剂层或有机物胶层的表面为同一平面。

9.如权利要求7中记载的透明导电性基材，其中，所述基材为热可塑性树脂基材。

10.如权利要求9中记载的透明导电性基材，其中，所述金属微粒子为从Au、Ag、Cu、Ni、Co、Fe、Cr、Zn、Al、Sn、Pd、Ti、Ta、W、Mo、In、Pt、Ru中选出的或者含有两种以上所述金属的合金。

11.如权利要求9或10中记载的透明导电性基材，其中，所述粘接层或粘合层为由热可塑性树脂形成的粘接剂或粘合剂。

12.如权利要求9～11中的任何一项所记载的透明导电性基材，其中，所述热可塑性树脂基材为从丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚氯乙烯、非结晶化聚对苯二甲酸乙二醇酯、ABS、聚苯乙烯以及它们的层叠基材中选出的树脂基材。

13.一种透明导电性成型体，该透明导电性成型体由将权利要求9～12中的任何一项所记载的透明导电性基材成型制得。

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