TWI524825B - 碳材導電膜的轉印方法 - Google Patents

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Description

碳材導電膜的轉印方法
本發明係關於碳材導電膜，更特別關於其轉印方法。
隨著平面顯示器、觸控面板、太陽光電、及下世代軟性電子產品開發日益蓬勃，透明導電膜材料的市場亦隨之大幅成長。然而ITO價格昂貴、來源有限、且撓曲性較差，其替代材料的開發已成為近年來研發重點之一。由於奈米碳管(CNT)具備高長徑比、高導電性、良好之機械強度、及耐化性等特性，在透明導電膜應用上極具潛力。相較於ITO，CNT組成之透明導電膜具有更佳之可撓性、耐候性、製程便利性、及自然色調等優點。
形成奈米碳管導電膜的製程方式大致為噴霧塗佈(spray coating)、狹縫模具式塗佈(Slot-die Coating)、微凹版印刷式塗佈(Micro-gravure Coating)、浸潤式塗佈(Dip Coating)、旋轉式塗佈(Spin Coating)、真空過濾(vacuum filtration)、或逐層組裝(layer-by-layer)。然而前述製程僅有狹縫模具式塗佈、微凹版印刷式塗佈、與噴霧塗佈符合大面積生產與量產性。奈米碳管分散液之製備上仍以水溶液系統為主，主要透過添加分散劑以協助奈米碳管分散於水中，其分散之奈米碳管濃度相對較高。分散劑以十二烷基苯磺酸鈉(sodium dodecylbenzene sulfonate，SDBS)與十二烷基硫酸鈉(sodium dodecyl sulfate，SDS)具有較佳之分散特性。若只採用N-甲基咯烷酮(N-Methyl-2-pyrrolidone， NMP)、三氯甲烷、二氯甲烷等有機溶劑直接分散奈米碳管，則分散濃度過低而不易應用狹縫模具式塗佈或微凹版印刷式塗佈製備奈米碳管導電膜。另一方面，有機溶劑會化學侵蝕部分高分子基材，且過多有機溶劑的使用也會有環境安全的疑慮。
在奈米碳管塗佈成膜的製程中，分散液與基材的匹配性也是關鍵之一。由於奈米碳管分散液其表面張力與表面能受限於所選擇之分散液系統，對於表面能較低之基材如聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate，PMMA)、聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、聚丙烯(Polypropylene，PP)、聚乙烯(polyethylene，PE)、聚二甲基矽氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)、聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethene，PTFE)等，則難以塗佈方式形成奈米碳管導電膜。此外，目前僅有噴霧塗佈可能形成奈米碳材導電膜於非平面基材上，但仍面臨塗佈均勻性與材料利用率偏低等問題。綜上所述，目前亟需新的方法形成碳材導電膜於不同基材上。
本發明一實施例提供一種碳材導電膜的轉印方法，包括：提供第一基材；形成無機氧化層於第一基材之表面上，無機氧化層之總表面能介於30 mJ/m2至75mJ/m2之間，且無機氧化層表面之色散成份表面能與總表面能之比值介於0.4至0.8之間；將碳材分散液塗佈於無機氧化層上；烘乾碳材分散液，以形成碳材導電膜於無機氧化層上；將碳材 導電膜浸入溶劑中，以分離碳材導電膜與無機氧化層；以及將第二基材與分離之碳材導電膜貼合，使碳材導電膜轉印至第二基材上。
首先如第1圖所示，形成無機氧化層13於第一基材11之表面上。第一基材11之材質並無特殊限制，只要能形成無機氧化層13於其上，並能忍受後續製程條件即可。在本發明一實施例中，形成無機氧化層13之方法為濕式製程，比如將無機氧化物粒子之分散液塗佈於第一基材11之表面後烘乾，且無機氧化物粒子係溶劑相之溶膠。在此實施例中，無機氧化物粒子之尺寸介於2nm至200nm之間。若無機氧化物粒子尺寸過大，則因表面粗糙度過大而會影響奈米碳材之塗佈成膜特性，不易形成均勻之碳材導電膜。在本發明另一實施例中，形成無機氧化層13之方法為乾式製程，比如蒸鍍沉積、濺鍍沉積、化學氣相沉積法、或物理氣相沉積法。無機氧化物層13之組成可為氧化矽、氧化鋯、氧化鋁、氧化錫、氧化鈦、氧化鋅、或上述之組合。不論採用何種製程，最後形成之無機氧化層13的總表面能介於30 mJ/m2至75mJ/m2之間，且色散成份表面能與總表面能之比值介於0.4至0.8之間。關於總表面能與色散成份表面能之定義詳見Journal of Achievements in Materials and Manufacturing Engineering,24,137-145(2007)，並利用Owens-Wendt所提出之幾何平均法進行固體表面能之計算。若無機氧化層13之總表面能過低，將無法形成碳材導 電膜於其上。若無機氧化層13之色散成份表面能與總表面能之比值過低(即色散成份表面能過低)，則無法以浸潤溶劑的方式剝離形成於無機氧化層13上的碳材導電膜。若無機氧化層13之色散成份表面能與總表面能之比值過高(即色散成份表面能過高)，亦無法以浸潤溶劑的方式剝離形成於無機氧化層13上的碳材導電膜。
接著如第2圖所示，將碳材分散液塗佈於無機氧化層13上，並烘乾碳材分散液，以形成碳材導電膜15於無機氧化層13。上述碳材分散液之碳材可為奈米碳管、石墨烯、氧化石墨烯、還原之氧化石墨烯、石墨烯奈米帶、或上述之組合。在本發明一實施例中，碳材分散液之碳材濃度介於0.01wt%至1.0wt%之間。若碳材分散液之碳材濃度過高，則不易形成完全均勻分散之分散液。若碳材分散液之碳材濃度過低，則在需形成一定厚度或導電特性之碳材導電膜條件下，必須以塗佈較厚的濕膜或是多層塗佈的方式達成，但容易面臨因乾燥過程乾燥速率不均而導致非均勻成膜之問題。將碳材分散液塗佈於無機氧化層13上之方法可為線棒塗佈、噴霧塗佈、狹縫模具式塗佈、微凹版印刷式塗佈、浸潤式塗佈、旋轉式塗佈、或其他常見的塗佈方式。在本發明一實施例中，烘乾碳材分散液之溫度介於30℃至180℃，且烘乾時間介於10秒至2小時。在本發明另一實施例中，烘乾碳材分散液之溫度介於60℃至140℃，且烘乾時間介於30秒至1小時。若烘乾步驟之溫度過低及/或時間過短，則無法烘乾碳材分散液以形成碳材導電膜 15。若烘乾步驟之溫度過高及/或時間過長，會使碳材導電膜15與無機氧化層13的作用力過大，而無法以浸潤溶劑的方式剝離形成於無機氧化層13上的碳材導電膜15。
接著如第3圖所示，將第一基材11、無機氧化層13、及碳材導電膜15之多層結構浸入溶劑中，以分離碳材導電膜15與無機氧化層13。在本發明一實施例中，溶劑可為水、醇類、或其他常見之極性溶劑。
接著如第4圖所示，將第二基材17置於碳材導電膜15上，使第二基材17與碳材導電膜15貼合，以完成碳材導電膜15之轉印步驟。在本發明一實施例中，第二基材17可為玻璃、塑膠、或合成樹脂如聚乙烯對苯二甲酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚乙烯、聚二甲基矽氧烷、或聚四氟乙烯。在本發明一實施例中，第二基材17可為非平面基材如曲面基材。值得注意的是，形成於非平面之第二基材17上的碳材導電膜15具有均勻厚度。
在本發明另一實施例中，進一步施加黏著層19於碳材導電膜15之表面上。如第5圖所示，碳材導電膜15係夾設於第二基材17與黏著層19之間。雖然第5圖中的黏著層19係形成於碳材導電膜15的所有表面上，但黏著層19亦可只形成於碳材導電膜15的部份表面上(即點膠)，端視需要而定。黏著層19可為光固化膠如3M公司之LOCA-2175、EAS-1616與Dow Corning之UV-SIL 400等、熱固化膠如購自漢克股份有限公司之水膠RZ-570、水氣固化膠如Dow Corning之矽膠-9176L、或感壓膠如3M公司 之OCA-8142、8262等。
接著如第6圖所示，將第三基材21貼合至黏著層19上，且貼合方式可為熱壓合、真空貼合、或類似方法。接著固化黏著層19，其固化方式可為光固化、熱固化、水氣固化、或壓力固化，端視黏著層19之型態而定。最後將第二基材17移除，即將碳材導電層15轉印至第三基材21上。與第二基材17一樣，第三基材21可為非平面基材如曲面基材，且形成於非平面之第三基材21上的碳材導電膜15具有均勻厚度。
上述轉印製程可進一步應用於連續製程如卷對卷(roll to roll)製程或其他連續製程以大量生產。可以理解的是，形成於第一基材11上的無機氧化層13可重複使用。與習知技藝中先形成碳材導電膜於基材上，再蝕刻移除基材以得碳材導電膜的方法相比，本發明的方法不但較簡單也較省時。
為了讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉數實施例配合所附圖示，作詳細說明如下：
【實施例】
本發明實施例使用之奈米碳管為經純化之單層奈米碳管(Single-walled carbon nanotube，SWNT)，其製備方法為飄浮觸媒化學氣相沉積法，請見台灣專利I306834。奈米碳管分散液之製備取SWNT、十二烷基苯磺酸鈉(sodium dedocylbenzene sulfonate)及去離子水以重量比 0.1/0.2/100.0方式混合，並以超音波振盪器(Sonicator 3000，購自Misonix)進行振盪分散十分鐘即可得SWNT分散液。
基材之表面能則分別利用純水與二碘甲烷進行接觸角之量測，並利用Owens-Wendt所提出之幾何平均法進行固體表面能之計算，公式如式1：
基材的表面能(γ)由極性成分表面能(polar surface energy，γP)與色散成分表面能(dispersive surface energy，γD)所組成。純水色散成分表面能及極性成分表面能分別為21.8、51.0 mJ/m2，而二碘甲烷的色散成分表面能及極性成分表面能分別為48.5、2.3 mJ/m2。
導電碳材導電膜之片電阻的量測係利用四點探針電阻計(LORESTA-GP，購自Mitsubishi Chemical Co.)。
實施例1
取1.0克之溶劑相SiO2溶膠(IPA-ST，固含量30至31 wt%，粒徑為10~15 nm，溶劑為異丙醇，購自Nissan Chemical)加入14.0克乙醇，得到固含量為~2.0wt%之SiO2分散液。取厚度為188 μm之聚乙烯對苯二甲酸酯(PET，購自Toyobo之A4300)為第一基材。將SiO2分散液以塗佈機(ZA2300/ZEHNTNER)配合線棒(RDS Coating Rod #4)將其塗佈於第一基材上，再置於100℃之循環烘箱烘乾，並進行接觸角量測與表面能之計算，其結果如第1表所示。
第1表
接著取0.5 g之SWNT分散液並以前述塗佈製程塗佈於表面具有SiO2層之基材上，再置於循環烘箱以不同溫度與時間進行烘乾，其詳細烘乾條件與所形成之奈米碳管導電膜的片電阻(原始片電阻)如第2表所示。
準備截面積大於奈米碳管導電膜之容器並填充去離子水，將表面塗佈有奈米碳管導電膜之基材緩慢浸入去離子水中。在烘乾溫度介於60℃至140℃之間時，奈米碳管導電膜會因水的表面張力由基材表面剝離而懸浮於去離子水之表面，其剝離與否如第2表所示。由實驗可知，若烘烤溫度過高(比如介於160℃至200℃)，則奈米碳管導電膜將無法由SiO2之表面剝離。
最後再以PET膜(厚度為188 μm，購自Toyobo之A4300)作為第二基材，與去離子水液面上的奈米碳管導電膜進行貼附，即完成奈米碳管導電膜之轉印。為確認奈米碳管導電膜是否由SiO2層完全剝離，也量測沉浸於水槽後之表面具有SiO2層之第一基材的片電阻(經剝離程序後之片電阻)。如第2表所示，烘乾溫度介於60℃至140℃之間的奈米碳管導電膜自SiO2層上完全剝離，因此第一基材表面之片電阻極大。至於烘乾溫度低於60℃或是高於140℃的奈米碳管導電膜將無法由SiO2層上剝離，因此第一基材表面仍具有奈米碳管導電膜而具有低片電阻。
實施例2
與實施例1類似，唯一差別在於將溶劑相SiO2溶膠改為不同粒徑之溶劑相SiO2溶膠(IPA-ST-L，固含量30~31 wt%，粒徑為40~50 nm，溶劑為異丙醇，購自Nissan Chemical)。至於後續基材的選擇、線棒塗佈SiO2溶膠的製程、及線棒塗佈SWNT分散液的製程均與實施例1類似。實施例2中表面塗佈有SiO2層之第一基材，其接觸角與計算之表面能如第1表所示。最後形成的奈米碳管導電膜之片電阻(原始片電阻)為430 Ω/□，如第3表所示。將此塗佈有奈米碳管導電膜之基材緩慢浸入去離子水，其剝離情形如第3表所示。經沉浸程序後之表面具有SiO2層之第一基材，其片電阻(經剝離程序後之片電阻)亦整理於第3表。
實施例3
與實施例1類似，唯一差別在將溶劑相SiO2溶膠改為另一溶劑相SiO2溶膠(MEK-ST，固含量30~31 wt%，粒徑為10~15 nm，溶劑為丁酮，購自Nissan Chemical)。至於後續基材的選擇、線棒塗佈SiO2溶膠的製程、及線棒塗佈SWNT分散液的製程均與實施例1類似。實施例3中表面塗佈有SiO2層之第一基材，其接觸角與計算之表面能如第1表所示。最後形成的奈米碳管導電膜之片電阻(原始片電阻)為420 Ω/□，如第3表所示。將此塗佈有奈米碳管導電膜之基材緩慢浸入去離子水，其剝離情形如第3表所示。經沉浸程序後之表面具有SiO2層之第一基材，其片電阻(經剝離程序後之片電阻)亦整理於第3表。
實施例4
與實施例1類似，唯一差別在將溶劑相SiO2溶膠改為另一溶劑相SiO2溶膠(MEK-AC-2101，固含量30~31 wt%， 粒徑為10~15 nm，溶劑為丁酮，購自Nissan Chemical)。至於後續基材的選擇、線棒塗佈SiO2溶膠的製程、及線棒塗佈SWNT分散液的製程均與實施例1類似。實施例4中表面塗佈有SiO2層之第一基材，其接觸角與計算之表面能如第1表所示。最後形成的奈米碳管導電膜之片電阻(原始片電阻)為425 Ω/□，如第3表所示。將此塗佈有奈米碳管導電膜之基材緩慢浸入去離子水，其剝離情形如第3表所示。經沉浸程序後之表面具有SiO2層之第一基材，其片電阻(經剝離程序後之片電阻)亦整理於第3表。
實施例5
與實施例1類似，唯一差別在將溶劑相SiO2溶膠改為溶劑相ZrO2溶膠(OZ-S30K，固含量30 wt%，粒徑為10 nm，溶劑為丁酮，購自Nissan Chemical)。至於後續基材的選擇、線棒塗佈ZrO2溶膠的製程、及線棒塗佈SWNT分散液的製程均與實施例1類似。實施例5中表面塗佈有ZrO2層之第一基材，其接觸角與計算之表面能如第1表所示。最後形成的奈米碳管導電膜之片電阻(原始片電阻)為430 Ω/□，如第3表所示。將此塗佈有奈米碳管導電膜之基材緩慢浸入去離子水，其剝離情形如第3表所示。經沉浸程序後之表面具有ZrO2層之第一基材，其片電阻(經剝離程序後之片電阻)亦整理於第3表。
實施例6
與實施例1類似，唯一差別在將溶劑相SiO2溶膠改為 水相ZrO2溶膠(30B，固含量30 wt%，粒徑為10至20 nm，溶劑為水，購自Nissan Chemical)。至於後續基材的選擇、線棒塗佈ZrO2溶膠的製程、及線棒塗佈SWNT分散液的製程均與實施例1類似。實施例6中表面塗佈有ZrO2層之第一基材，其接觸角與計算之表面能如第1表所示。最後形成的奈米碳管導電膜之片電阻(原始片電阻)為550 Ω/□，如第3表所示。將此塗佈有奈米碳管導電膜之基材緩慢浸入去離子水，其剝離情形如第3表所示。經沉浸程序後之表面具有ZrO2層之第一基材，其片電阻(經剝離程序後之片電阻)亦整理於第3表。
比較例1
與實施例1類似，差別在省略線棒塗佈溶劑相SiO2溶膠的製程，直接將SWNT分散液塗佈於PET基材上，再以不同溫度烘乾。至於後續基材的選擇與線棒塗佈SWNT分散液的製程均與實施例1類似。比較例1中PET基材之接觸角與計算之表面能如第1表所示。最後形成的奈米碳管導電膜之片電阻(原始片電阻)為1100 Ω/□，如第3表所示。將此塗佈有奈米碳管導電膜之基材緩慢浸入去離子水，未觀察到剝離現象如第3表所示。經沉浸程序後之第一基材，其片電阻(經剝離程序後之片電阻)亦整理於第3表。由比較例1可知，若直接形成奈米碳管導電膜於第一基材上，無法以沉浸溶劑的方法剝離奈米碳管導電膜，更不可能將附著於第一基材上的奈米碳管導電膜轉印至另一基材上。
比較例2
與實施例1類似，唯一差別在將溶劑相SiO2溶膠改為水相SiO2溶膠(ST-N，固含量20 wt%，粒徑為10至15 nm，溶劑為水，購自Nissan Chemical)。至於後續基材的選擇、線棒塗佈SiO2溶膠的製程、及線棒塗佈SWNT分散液的製程均與實施例1類似。比較例2中表面塗佈有SiO2層之第一基材，其接觸角與計算之表面能如第1表所示。最後形成的奈米碳管導電膜之片電阻(原始片電阻)為430 Ω/□，如第3表所示。將此塗佈有奈米碳管導電膜之基材緩慢浸入去離子水，未觀察到剝離現象如第3表所示。經沉浸程序後之表面具有SiO2層之第一基材，其片電阻(經剝離程序後之片電阻)亦整理於第3表。由比較例2可知，若無機氧化層之色散成份/總表面能比值過低(0.37)，則無法以沉浸溶劑的方法剝離形成於無機氧化層上的奈米碳管導電膜，更不可能將附著於第一基材上的奈米碳管導電膜轉印至另一基材上。
比較例3
與實施例1類似，唯一差別在將溶劑相SiO2溶膠改為另一溶劑相的SiO2溶膠(DMAc-ST，固含量30 wt%，粒徑為10至15 nm，溶劑為N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)，購自Nissan Chemical)。至於後續基材的選擇、線棒塗佈SiO2溶膠的製程、及線棒塗佈SWNT分散液的製程均與實施例1類似。比較例3中表面塗佈有SiO2層之第一基材，其接觸角與計算之表面能如第1表所示。最後形成的奈米碳管 導電膜之片電阻(原始片電阻)為450 Ω/□，如第3表所示。將此塗佈有奈米碳管導電膜之基材緩慢浸入去離子水，未觀察到剝離現象如第3表所示。經沉浸程序後之表面具有SiO2層之第一基材，其片電阻(經剝離程序後之片電阻)亦整理於第3表。由比較例3可知，若無機氧化層之色散成份/總表面能比值過高(0.83)，則無法以沉浸溶劑的方法剝離形成於無機氧化層上的奈米碳管導電膜，更不可能將附著於第一基材上的奈米碳管導電膜轉印至另一基材上。
實施例7
與實施例1類似，唯一差別在第二基材由PET膜改為聚碳酸酯。剝離之奈米碳管導電膜亦能有效貼附於其上而完成奈米碳管導電膜的轉印。
實施例8
與實施例1類似，唯一差別在第二基材由PET膜改為聚乙烯膜。剝離之奈米碳管導電膜亦能有效貼附於其上而完成奈米碳管導電膜的轉印。
實施例9
與實施例1類似，唯一差別在第二基材由PET膜改為聚甲基丙烯酸甲酯。剝離之奈米碳管導電膜亦能有效貼附於其上而完成奈米碳管導電膜的轉印。
實施例10
與實施例1類似，唯一差別在第二基材由PET膜改為圓柱形玻璃瓶。剝離之奈米碳管導電膜亦能有效貼附於其上而完成奈米碳管導電膜的轉印。
實施例11
與實施例1類似，唯一差別在第二基材由PET膜改為氟素離型膜(FFR-1602，購自頎鑫企業)，經分離之奈米碳管導電膜亦能有效貼附於第二基材上，即完成奈米碳管導電膜的第一次轉印(將奈米碳管導電膜由第一基材轉印至第二基材)。接著在貼附於第二基材上的奈米碳管導電膜的 表面上塗佈UV膠(3M公司之LOCA-2175)，經80℃烘乾移除UV膠所含的溶劑後，將第三基材(聚碳酸酯板材)貼合至UV膠。接著以UV曝光機照射UV膠以固化UV膠，再撕除第二基材(氟素離型膜)，即完成奈米碳管導電膜之第二次轉印(將奈米碳管導電膜由第二基材轉印至第三基材)。
實施例12
與實施例11類似，唯一差別在將黏著劑由UV膠改為水膠(RZ-570，購自漢克股份有限公司)。在貼附於第二基材上之奈米碳管導電膜的表面塗佈水膠後，將第三基材(聚碳酸酯板材)貼合至水膠，再以100℃烘乾固化水膠。最後撕除第二基材(氟素離型膜)，即完成奈米碳管導電膜之第二次轉印(將奈米碳管導電膜由第二基材轉印至第三基材)。
雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
11‧‧‧第一基材
13‧‧‧無機氧化層
15‧‧‧碳材導電膜
17‧‧‧第二基材
19‧‧‧黏著層
21‧‧‧第三基材
第1至4圖係本發明一實施例中，將碳材導電膜由第一基材轉印至第二基材的示意圖；以及第5至7圖係本發明一實施例中，將碳材導電膜由第二基材轉印至第三基材的示意圖。
11‧‧‧第一基材
13‧‧‧無機氧化層
15‧‧‧碳材導電膜

Claims (13)

  1. 一種碳材導電膜的轉印方法，包括：提供一第一基材；形成一無機氧化層於該第一基材之表面上，該無機氧化層之總表面能介於30 mJ/m2至75mJ/m2之間，且該無機氧化層表面之色散成份表面能與總表面能之比值介於0.4至0.8之間；將一碳材分散液塗佈於該無機氧化層上；烘乾該碳材分散液，以形成一碳材導電膜於該無機氧化層上；將該碳材導電膜浸入一溶劑中，以分離該碳材導電膜與該無機氧化層；以及將一第二基材與分離之該碳材導電膜貼合，使該碳材導電膜轉印至該第二基材上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之碳材導電膜的轉印方法，其中形成該無機氧化層於該第一基材之表面上之步驟包括：將一無機氧化物粒子之分散液塗佈於該第一基材之表面，其中該無機氧化物粒子係溶劑相之溶膠；以及烘乾該無機氧化物粒子之分散液以形成該無機氧化層。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之碳材導電膜的轉印方法，其中該無機氧化物粒子之尺寸介於2nm至200nm之間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之碳材導電膜的轉印方法，其中形成該無機氧化層於該第一基材之表面上之步驟 包括蒸鍍沉積、濺鍍沉積、化學氣相沉積法、或物理氣相沉積法。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之碳材導電膜的轉印方法，其中該無機氧化物層包括氧化矽、氧化鋯、氧化鋁、氧化錫、氧化鈦、氧化鋅、或上述之組合。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之碳材導電膜的轉印方法，其中該碳材分散液之碳材包括奈米碳管、石墨烯、氧化石墨烯、還原氧化石墨烯、石墨烯奈米帶、或上述之組合。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之碳材導電膜的轉印方法，其中該碳材分散液之碳材濃度介於0.01wt%至1.0wt%之間。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之碳材導電膜的轉印方法，其中該第二基材包括玻璃、塑膠、或合成樹脂。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之碳材導電膜的轉印方法，其中該合成樹脂包括聚乙烯對苯二甲酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚乙烯、聚二甲基矽氧烷、或聚四氟乙烯。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之碳材導電膜的轉印方法，其中該第二基材包括一非平面基材。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之碳材導電膜的轉印方法，更包括：施加一黏著層於該碳材導電膜之表面上，其中該碳材導電膜係夾設於該第二基材與該黏著層之間； 將一第三基材貼合至該黏著層後固化該黏著層，使該碳材導電膜轉印至該第三基材上；以及移除該第二基材。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之碳材導電膜的轉印方法，其中固化該黏著層之步驟包括熱固化、光固化、水氣固化、或壓力固化。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之碳材導電膜的轉印方法，其中該第三基材包括一非平面基材。
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