TWI425893B - 銅配線圖案形成方法以及該方法所使用的氧化銅粒子分散液 - Google Patents

銅配線圖案形成方法以及該方法所使用的氧化銅粒子分散液 Download PDF

Info

Publication number
TWI425893B
TWI425893B TW097140335A TW97140335A TWI425893B TW I425893 B TWI425893 B TW I425893B TW 097140335 A TW097140335 A TW 097140335A TW 97140335 A TW97140335 A TW 97140335A TW I425893 B TWI425893 B TW I425893B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
copper
copper oxide
oxide
composition
particles
Prior art date
Application number
TW097140335A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200930186A (en
Inventor
Hideo Nakako
Kazunori Yamamoto
Youichi Machii
Yasushi Kumashiro
Shunya Yokozawa
Yoshinori Ejiri
Katsuyuki Masuda
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Publication of TW200930186A publication Critical patent/TW200930186A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI425893B publication Critical patent/TWI425893B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/102—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by bonding of conductive powder, i.e. metallic powder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H01B1/026—Alloys based on copper
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4867—Applying pastes or inks, e.g. screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/105—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by conversion of non-conductive material on or in the support into conductive material, e.g. by using an energy beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/03—Metal processing
    • H05K2203/0315—Oxidising metal
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1131—Sintering, i.e. fusing of metal particles to achieve or improve electrical conductivity
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1157—Using means for chemical reduction
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12181—Composite powder [e.g., coated, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

銅配線圖案形成方法以及該方法所使用的氧化銅粒子分散液
本發明是關於一種使用具有氧化銅表面的奈米(nano)粒子的銅配線圖案(pattern)形成方法以及該方法所使用的氧化銅粒子分散液。
就低能量(energy)、低成本(cost)、高產量(throughput)、按需(on-demand)生產等優勢點而言，有望利用印刷法來形成配線圖案。此目的是藉由如下方式而實現：使用含有金屬元素的油墨漿料(ink paste)，並利用印刷法來形成圖案後，對所印刷的配線圖案賦予金屬傳導性。
先前，在上述目的下，一直是使用將薄片(flake)狀的銀或銅與有機溶劑、固化劑、觸媒等一併混合於熱塑性樹脂或熱固性樹脂黏合劑(binder)中而成的漿料。該金屬漿料的使用方法為：利用分配器(dispenser)或絲網印刷(screen print)將該金屬漿料塗佈於對象物上，於常溫下進行乾燥，或加熱至150℃左右而使黏合劑樹脂固化，而製成導電性被膜。以此種方式獲得的導電性被膜的體積電阻率亦是取決於製膜條件，而為10-6 Ω．m～10-7 Ω．m的範圍，其與金屬銀或銅的體積電阻率16×10-9 Ω．m、17×10-9 Ω．m相比為10～100倍的值，而是金屬銀或銅的導電性無論如何也無法企及的值。此種先前的由銀、銅漿料所形成的導電性被膜的導電性低的原因在於：在由銀、銅漿料所獲得的導電性被膜內，僅金屬粒子的一部分發生物理性接觸，接觸點少，而且接觸點處存在接觸電阻；以及一部分銀粒子間殘存有黏合劑而妨礙銀粒子的直接接觸。另外，先前的銀漿料中，銀粒子為粒徑1μm～100μm的薄片狀，故原理上無法印刷出線寬等同於或小於薄片狀銀粒子的粒徑的配線。另外，就配線的微細化或對噴墨(ink jet)法的應用的觀點而言，謀求使用粒徑為小於或等於100nm的粒子的油墨，就這些方面而言，先前的銀漿料並不適於形成微細的配線圖案。
克服這些銀或銅漿料的缺點的方法，是正在研究使用金屬奈米粒子的配線圖案形成方法，已確立了使用金或銀奈米粒子的方法(例如，參照日本專利特開2004-273205號公報、日本專利特開2003-203522號公報)。具體而言，利用含有金或銀奈米粒子的分散液實施極微細的電路圖案的描繪，然後實施金屬奈米粒子相互的燒結，藉此在所獲得的燒結體型配線層中可形成配線寬以及配線間的間隙(space)為5μm～50μm、體積固有電阻率為小於或等於1×10-8 Ω．m的配線。然而，使用金或銀之類的貴金屬奈米粒子時，由於材料自身昂貴，故此超精細(fine)印刷用分散液的製作單價亦變高，在作為通用品而廣泛普及的方面存在較大的經濟障礙。另外，對於銀奈米粒子而言，隨著配線寬以及配線間的間距變窄，由電遷移(electromigration)引起的電路間的絕緣下降的缺點成了問題。
微細配線形成用的金屬奈米粒子分散液，期待利用電遷移少、且與金或銀相比材料自身的單價亦相當便宜的銅。銅粒子與貴金屬相比具有容易被氧化的性質，故使用在提高分散性之目的以外具有抗氧化作用的表面處理劑。在此種目的下，使用的是具有與銅表面相互作用的取代基的高分子或具有長鏈烷基的表面處理劑(例如，參照日本專利第3599950號、日本專利特開2005-081501號公報)。
表1表示利用低分子表面處理劑對粒子表面進行一分子層處理(單分子膜包覆)時的理論處理劑量。對於粒徑為100nm的粒子而言，處理劑所占的比例達到8vol%(體積百分比)的量。而且，若粒子的粒徑變小則表面處理劑的比例變多，尤其在使銅具有抗氧化性的表面處理等中是使用較此計算中所使用的分子更大的分子，因而表面處理劑所占的比例更大。現狀為，為了除去該大量含有的表面處理劑而必需極大的能量，難以在小於或等於200℃進行燒結。而且，由於無法充分除去的表面處理劑或起因於體積收縮所引起的裂縫(crack)，而有在低溫下銅粒子無法實現低電阻化的問題。
此處，按銅粒子為單一粒徑、圓球狀，銅的密度為8.96g/cm3 ，表面處理劑的分子量為240g/mol，表面處理劑的最小包覆面積為330m2 /g，表面處理劑的密度為1g/cm3 ，來進行計算。
本發明之目的在於提供一種幾乎不使用銅粒子的耐氧化及分散所必需的表面處理劑、使用電遷移少且材料自身的單價便宜的銅粒子、抑制裂縫的產生、低電阻的銅配線圖案形成方法以及該方法所使用的氧化銅粒子分散液。
本發明者等人對如上所述的缺點進行了詳細研究，結果得出如下結論，銅粒子的耐氧化、分散所必需的表面處理劑會導致燒結溫度的高溫化、由裂縫引起的斷線或高電阻化，必須採用不使用表面處理劑的方法，本發明者等人對此方法進行了潛心研究，結果發現，具有氧化銅表面的銅系粒子不使用分散劑就可分散。然而，氧化銅粒子為絕緣體，必須在配線圖案形成後利用還原而復原為金屬銅。尤其，為了防止還原後的再氧化而必須在還原的同時進行燒結，本發明者等人對適於在還原的同時進行燒結的還原方法進行了研究，結果發現，利用原子狀氫進行的還原較為有效，並且發現了將上述方法加以組合而獲得的新的低電阻導體圖案形成法，從而完成了本發明。
(1)一種銅配線圖案形成方法，其特徵在於包括：使用分散有具有氧化銅表面的銅系粒子的分散液，於基板上形成任意圖案的步驟；以及利用原子狀氫將上述圖案中的銅系粒子的氧化銅表面進行還原而復原為銅，並使還原所生成的銅金屬粒子彼此燒結的步驟。
此處，在本說明書中，上述所謂「銅系粒子」，是指殼(shell)部由氧化銅而核(core)部由其他材料構成的粒子，或整體由氧化銅單獨構成的粒子。
(2)如(1)所述之銅配線圖案形成方法，其中上述原子狀氫是使氫或含有氫的化合物在經加熱的觸媒體表面分解而生成的原子狀氫。
(3)如(1)或(2)所述之銅配線圖案形成方法，其中於上述形成任意圖案的步驟中，利用選自噴墨、絲網印刷、轉印印刷、膠版印刷(offset print)、噴印(jet printing)法、分配器、刮刀式塗佈機(comma coater)、狹縫塗佈機(slit coater)、模塗佈機(die coater)、以及凹版塗佈機(gravure coater)所組成的群組中的任意一種來形成圖案。
(4)如(1)至(3)中任一項所述之銅配線圖案形成方法，其中上述分散液中的具有氧化銅表面的銅系粒子的數量平均粒徑為1nm～100nm，該氧化銅表面的組成是由氧化亞銅、氧化銅、或這些物質的混合物所形成，以及上述分散液更含有表面處理劑，該表面處理劑的濃度為小於或等於1wt%(重量百分比)。
(5)如(4)所述之銅配線圖案形成方法，其中上述銅系粒子中，氧化銅表面的組成與除此以外的核部分的組成可相同或不同，核部分的組成是由金屬銅、氧化亞銅、氧化銅、或這些物質的混合物所形成。
(6)一種氧化銅粒子分散液，其分散有具有氧化銅表面的銅系粒子，該氧化銅粒子分散液的特徵在於，上述具有氧化銅表面的銅系粒子的數量平均一次粒徑為1nm～100nm，上述氧化銅表面的組成是由氧化亞銅、氧化銅、或這些物質的混合物所形成，以及該氧化銅粒子分散液更含有表面處理劑，該表面處理劑的濃度為小於或等於1wt%。
(7)如(6)所述之氧化銅粒子分散液，其中於上述銅系粒子中，氧化銅表面的組成與氧化銅表面以外的核部分的組成可相同或不同，該核部分的組成是由金屬銅、氧化亞銅、氧化銅、或這些物質的混合物所形成。
[發明效果]
根據本發明，可提供一種因幾乎不使用銅粒子的耐氧化、分散所必需的表面處理劑，而可形成容易進行煅燒、不產生裂縫、且低電阻的圖案，並且較先前的貴金屬漿料更為便宜，且可抑制電遷移的銅配線圖案形成方法、以及適用於該方法的氧化銅粒子分散液。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
本發明的銅配線圖案形成方法的特徵在於包括：使用分散有具有氧化銅表面的銅系粒子的分散液，於基板上形成任意圖案的步驟；以及利用原子狀氫將上述圖案中的銅系粒子的氧化銅成分進行還原而復原為銅，並使還原所生成的銅金屬粒子彼此燒結的步驟。以下，就本發明的銅配線圖案形成方法的各步驟加以說明。
＜於基板上形成任意圖案的步驟＞
該步驟是使用分散有具有氧化銅表面的銅系粒子的分散液，在基板上形成任意圖案的步驟。首先，就基板加以說明。
[基板]
本發明的銅配線圖案形成方法中所使用的基板的材質具體可列舉：聚醯亞胺(polyimide)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate)、聚醚碸(polyether sulfone)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)、聚醯胺醯亞胺(polyamide-imide)、聚醚醚酮(polyether ether ketone)、聚碳酸酯(polycarbonate)、液晶聚合物(polymer)、環氧樹脂(epoxy resin)、酚樹脂(phenol resin)、氰酸酯樹脂(cyanate ester resin)、纖維強化樹脂、無機粒子填充樹脂、聚烯烴(polyolefin)、聚醯胺(polyamide)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚丙烯(polypropylene)、交聯聚乙烯(polyvinyl)樹脂、玻璃(glass)、陶瓷(ceramics)等。
另外，於本發明中，在還原、燒結的步驟中，若使用後述的熱絲化學氣相沈積(Hot Wire-Chemical Vapor Deposition，HW-CVD)，則無須在高溫下進行處理，故可使用耐熱性低的基板等，對所使用的基板的制約少。
[分散液]
本發明的銅配線圖案形成方法中用於形成配線圖案的分散液，是分散有具有氧化銅表面的銅系粒子的分散液。以下，就該分散液加以詳細說明。
(銅系粒子)
本發明中分散液所含的銅系粒子，較好的是不會因自重而快速沈降的程度的粒徑，就此觀點而言，數量平均一次粒徑較好的是1nm～500nm。另外，該粒徑亦受到配線的描繪方法或配線寬的限制。使用噴墨印刷時，為了使噴嘴(nozzle)不被堵塞，粒徑必須為小於或等於100nm。另外，粒徑亦必須等同於或小於目標配線寬或配線間的間隔。根據以上內容，具體而言，本發明的銅系粒子較好的是數量平均一次粒徑為1nm～100nm，更好的是數量平均一次粒徑為5nm～80nm，特別好的是數量平均一次粒徑為10nm～50nm。
本發明中所使用的銅系粒子具有氧化銅表面，該氧化銅表面的組成較好的是由氧化亞銅、氧化銅、或這些物質的混合物所形成。其理由如下。亦即，金屬的表面上所露出的金屬元素是處於在該表面側金屬鍵被切斷的狀態，是處於能量較高的狀態。因此，金屬的表面具有高的表面能量，具有金屬表面的粒子無法穩定地分散而發生凝聚。尤其是對於比表面積大的奈米粒子而言，此種現象顯著。另一方面，在表面具有作為絕緣體的氧化銅時，與金屬粒子相比表面能量較小而容易分散，因此用少量的分散劑就可分散，若選用分散媒或粒子則即便不使用分散劑亦可分散。
另外，利用本發明中所使用的HW-CVD而產生的原子狀氫還原能力高，可於低溫下將氧化銅還原為銅，並可使用氧化銅粒子或表面為氧化銅的核殼(core-shell)粒子，而無須對銅粒子表面施予用以抗氧化的保護劑。
另一方面，銅系粒子中，氧化銅表面的組成與該氧化銅表面以外的核部的組成可相同亦可不同，核部分的組成較好的是由金屬銅、氧化亞銅、氧化銅、或這些物質的混合物所形成。
製備含有上述粒子的分散液時所使用的分散媒例如可使用：丙酮(acetone)、甲基乙基酮(methyl ethyl ketone)、γ-丁內酯(butyrolactone)、環己酮(cyclohexanone)等酮系溶劑，二甲基乙醯胺(dimethyl acetamide)、N-甲基吡咯烷酮(methyl pyrrolidone)、丙二醇單乙醚等極性溶劑或甲苯(toluene)、十四烷(tetradecane)等烴系溶劑。
另外，在製備分散液時亦可使用表面處理劑。然而，由於使用表面處理劑會有上述弊病，故較好的是使表面處理劑的使用量為最小限度，具體而言，表面處理劑的使用量較好的是小於1wt%，更好的是小於0.5wt%，視情況可完全不使用表面處理劑。除此之外，分散劑亦與表面處理劑相同，若會妨礙燒結則較好的是儘可能少量地使用。
上述銅系粒子的分散可使用超聲波分散機、珠磨機(beads-mill)等媒體分散機，均質攪拌機(homomixer)或Silverson攪拌機等空蝕(cavitation)攪拌裝置，Altemizer等對向碰撞法，Clear SS5等超薄膜高速旋轉式分散機，自轉公轉式攪拌機等來進行。
上述分散液中的上述粒子的濃度較好的是1wt%～70wt%，更好的是5wt%～60wt%，特別好的是10wt%～50wt%。
[任意配線圖案的形成]
使用上述分散液於基板上形成任意配線圖案的方法，可利用先前以來塗佈油墨所使用的印刷或塗敷。描繪配線圖案時，可使用上述塗佈液，並可使用選自噴墨、絲網印刷、轉印印刷、膠版印刷、噴印法、分配器、刮刀式塗佈機、狹縫塗佈機、模塗佈機、噴墨塗佈機以及凹版塗佈機所組成的群組中的任意一種。
使用上述塗佈液完成配線圖案的形成後，於與分散媒的揮發性相對應的溫度下進行乾燥。此時，本發明的銅系粒子由於表面為氧化銅，故無須如金屬銅粒子般在除去氧氣的環境下進行乾燥。
[利用原子狀氫的還原～燒結]
對利用銅系粒子形成了配線圖案的基板進行乾燥後，利用原子狀氫對該基板進行還原處理。產生原子狀氫的方法可列舉：使氫或含有氫的化合物於經加熱的觸媒體表面分解而生成原子狀氫的方法，亦即熱絲CVD法(觸媒化學氣相成長法)。以下，以利用熱絲CVD法的方法為例加以說明。
圖2是示意性表示熱絲法原子狀氫處理裝置10的腔室(chamber)內部的圖。熱絲法原子狀氫處理裝置10具有：將來自外部的氣體(gas)導入至腔室內部的氣體導入口12、用以使自氣體導入口12導入的氣體擴散至內部的淋氣頭(shower head)14、與外部的減壓泵(pump)連接的排氣口16、保持供於還原的基板30的基板保持部18、調節基板保持部18之溫度的溫度調節機20、經由配線32與外部的電源連接且藉由通電而發熱的觸媒體22、以及位於觸媒體22與基板30之間且將由觸媒體22所產生的輻射熱遮蔽的擋板(shutter)24。
在對配線圖案形成後的基板進行還原、燒結時，於基板保持部18上設置(set)基板30後，將裝置內減壓至小於或等於1×10-3 Pa並將系統內的空氣排出。接著，自氣體導入口12將氫氣、氨氣(ammonia)、肼氣(hydrazine)等含有氫的原料氣體送入至用以使腔室內的氣體擴散的淋氣頭14。對位於淋氣頭14與基板30間的觸媒體22通電並加熱至高溫，由此，原料氣體藉由觸媒體22的觸媒作用發生分解而生成原子狀氫。該原子狀氫到達基板30的配線圖案後，將配線圖案內的氧化銅粒子還原，並進行燒結。另外，在加熱至高溫的觸媒體22與基板30間，藉由具有不阻斷氣體的空隙的擋板24，而使基板30不直接接受來自觸媒體22的輻射熱。該處理過程中，若基板30不直接接受來自觸媒體22的輻射熱、或若不加熱保持部(holder)18，則該基板30的溫度會逐漸下降至小於或等於50℃，但即使在此種低溫下亦可在還原的同時將所還原的銅粒子間燒結。由於圖案形成所使用的氧化銅粒子不含表面處理劑，故可將由原子狀氫處理所引起的處理時的體積收縮抑制在最低限度，結果經處理的銅圖案顯示出高導電性。另外，原子狀氫處理時的基板溫度為小於或等於50℃，非常低，因此即便是塑膠(plastic)基板亦可將伴隨著處理而產生的基板的變形或變色抑制在最低限度。
用以生成原子狀氫的含有氫的化合物除上述氨氣、肼氣以外，可使用甲烷氣體(methane gas)，其中較好的是氨氣、肼氣。
另外，為了由氫或上述化合物產生原子狀氫而使用的觸媒體除鎢(tungsten)以外，可使用鉬(molybdenum)。
此種觸媒體除製成如上所述絲狀以外，可製成圓筒狀、板狀、棉狀的形狀。
在上述處理時對觸媒體進行加熱，其加熱溫度較好的是800℃～3300℃，更好的是1000℃～2500℃，尤其好的是1200℃～2000℃。若是如上所述的鎢絲，則可藉由通電而發熱。
如上所述，燒結可在還原的同時進行，故無須對配線圖案形成後的基板進行用以燒結的加熱。
利用以上的本發明的銅配線圖案形成方法，可製造出抑制裂縫的產生、且低電阻的銅導體配線。
＜氧化銅粒子分散液＞
本發明的氧化銅粒子分散液分散有具有氧化銅表面的銅系粒子，其特徵在於：上述具有氧化銅表面的銅系粒子的數量平均一次粒徑為1nm～100nm；上述氧化銅表面的組成是由氧化亞銅、氧化銅、或這些物質的混合物所形成；以及該氧化銅粒子分散液更含有表面處理劑，該表面處理劑的濃度為小於或等於1wt%。
另外，在上述銅系粒子中，氧化銅表面的組成與該氧化銅表面以外的核部分的組成可相同亦可不同，核部分的組成較好的是由金屬銅、氧化亞銅、氧化銅、或這些物質的混合物所形成。
本發明的氧化銅粒子分散液適用於上述本發明的銅配線圖案形成方法，與本發明的銅配線圖案形成方法相結合，可製造出抑制裂縫的產生、且低電阻的銅導體配線。其詳細內容與本發明的銅配線圖案形成方法中的分散液的說明相同，故省略說明。
實施例
以下，利用實施例對本發明加以具體說明，但本發明並不限定於以下實施例。
[實施例1] (氧化銅分散液的製備)
將10wt%的數量平均一次粒徑為50nm的氧化銅粒子(氧化銅，製品名：NanoTek CuO，C.I.KASEI股份有限公司製造)加入至γ-丁內酯中，並照射超聲波20min而獲得氧化銅分散液。另外，該分散液中未添加表面處理劑。
(氧化銅粒子塗佈基板的製作)
使用間隙(gap)為150μm的敷料器(applicator)將上述分散液塗佈於具有圖1所示的銅箔圖案(圖1的影線(hatching)部分)的聚醯亞胺基板(商品名：MCF5000I，日立化成工業股份有限公司製造)10上，並於100℃的加熱板(hot plate)上乾燥20min，再次重複進行塗佈及乾燥，而獲得氧化銅粒子塗佈基板。
(利用原子狀氫的還原～燒結)
將所獲得的氧化銅粒子塗佈基板設置於圖2所示的結構的熱絲法原子狀氫處理裝置中，於氫為50ml/min、鎢絲溫度為1500℃、壓力為4Pa、承載台(stage)溫度(基板保持部的溫度)為40℃的條件下進行20min處理，停止對鎢絲通電及通氫，冷卻10min後回到常壓而取出經處理的粒子塗佈基板。於是如圖3A及圖3B所示，處理前呈黑色的粒子塗佈物在處理後變為紅銅色。圖3A及圖3B是對氧化銅粒子塗佈基板的表面進行拍攝的照片，圖3A表示還原前，圖3B表示還原後。另外，圖3B中，符號50表示被還原的部分，符號52表示由於夾具的接觸而未被還原的部分。
圖4表示處理後(還原後)的顯微鏡照片，由圖4可知，該經處理的粒子塗佈物為無裂紋的均質膜。利用聚焦離子束(Focused Ion Beam，FIB)對處理後的塗佈膜進行切削加工並對剖面進行掃描式離子顯微鏡(scanning ion microscope，SIM)觀察，結果膜厚為2μm。於處理後的粒子塗佈基板中利用測試機(tester)(CD800a，三和電氣計器股份有限公司)測定圖1的同心圓狀電極間的電阻，結果電極間的距離為1mm及2mm時電阻分別為0.0Ω、0.1Ω。另外，還原前的測定中，電極間的電阻均為測定極限或超過測定極限，亦即不導通。
[實施例2] (銅粒子分散液的製備)
於丙酮中加入氧化銅試劑(關東化學製造)，一邊進行攪拌一邊以10Hz頻率照射30min波長為1064nm的UV-YAG雷射(laser)。對由此所生成的黑色液體以12000rpm進行10min離心分離，使粗粒形成沈澱而除去，從而獲得數量平均一次粒徑為100nm的表面由氧化銅包覆的銅粒子的分散液。
(氧化銅包覆銅粒子塗佈基板的製作)
將所獲得的分散液濃縮而製作5wt%的濃縮液，並使用間隙為150μm的敷料器將上述濃縮液塗佈於具有圖1的銅箔圖案的聚醯亞胺基板(商品名：MCF5000I，日立化成工業股份有限公司製造)上，於氮氣環境下於100℃的加熱板上乾燥10min，反覆進行7次該塗佈及乾燥，而獲得氧化銅包覆銅粒子的塗佈基板。
(利用原子狀氫的還原～燒結)
使用與實施例1相同的方法利用熱絲法原子狀氫處理裝置對所獲得的銅粒子塗佈基板進行處理，結果處理前呈黑色的粒子塗佈物變為銅色(圖5A及圖5B)。圖5A及圖5B是對氧化銅粒子塗佈基板的表面進行拍攝的照片，圖5A表示還原前，圖5B表示還原後。另外，於圖5B中，符號50表示被還原的部分，符號52表示由於夾具的接觸而未被還原的部分。利用FIB對處理後的塗佈膜進行切削加工並對剖面進行SIM觀察，結果膜厚為2μm。於處理後的粒子塗佈基板中利用四探針法微小電阻測定裝置(Loresta MCP-T610，三菱化學股份有限公司製造)來測定圖1的同心圓狀電極間的電阻，結果電極間的距離為1mm及2mm時電阻分別為9.6×10-3 Ω、3.6×10-2 Ω，若換算體積電阻則為2.4×10-8 Ω．m、9.1×10-8 Ω．m。另外，還原前的測定中，電極間的電阻均為測定極限或超過測定極限，亦即不導通。
[實施例3]
利用噴墨印刷裝置將實施例2中所用的銅奈米粒子的12wt%溶液進行印刷，而獲得藉由噴墨印刷使銅奈米粒子塗佈膜形成為矩形圖案的試樣。圖6A是對所獲得的試樣的表面進行拍攝的照片，該圖中，符號54表示銅箔電極，符號56表示噴墨印刷所得的銅奈米粒子塗佈膜。使用與實施例1相同的方法利用熱絲法原子狀氫處理裝置對該利用噴墨印刷法所製作的銅粒子塗佈基板進行處理，結果處理前呈黑色的粒子塗佈物變為銅色。圖6B是對處理後(還原後)的試樣的表面進行拍攝的照片。利用FIB對處理後的塗佈膜進行切削加工並對剖面進行SIM觀察，結果膜厚為3μm。於處理後的粒子塗佈基板中利用測試機(CD800a，三和電氣計器股份有限公司)來測定銅箔電極間(電極間距離：5mm)的電阻，結果為3.8Ω(體積電阻為5×10-6 Ω．m)。另外，還原前的測定中，電極間的電阻均為測定極限或超過測定極限，亦即不導通。
[比較例1]
使用間距為100μm的敷料器，將含有表面處理(抗氧化處理)劑、數量平均一次粒徑為小於或等於3nm的銅粒子(Cu1T，ULVAC股份有限公司)30wt%甲苯分散液，塗佈於與實施例1相同的基板上，於氮氣流下於100℃的加熱板上乾燥5min，再次重複進行塗佈及乾燥，而獲得銅粒子塗佈基板。圖7A是對所獲得的銅粒子塗佈基板的表面進行拍攝的照片。在與實施例1相同的條件下利用熱絲法原子狀氫處理裝置對該銅粒子塗佈基板進行處理。處理前呈黑色的粒子塗佈物(圖7A)，在處理後變化成薄片狀的容易剝離的銅光澤物(圖7B)。圖7B中，符號50表示被還原的部分，符號52表示由於夾具的接觸而未被還原的部分。
圖8表示處理後(還原後)的顯微鏡照片，顯微鏡觀察可知，處理後的粒子塗佈物中出現了大大小小的裂縫。電極間的電阻在還原前、還原後均為測定極限或超過測定極限而不導通。另外，利用真空乾燥機於30℃下對該研究中所使用的具有表面處理劑的銅粒子分散液進行5小時乾燥，對經乾燥的粒子進行碳分測定，結果檢測出21.25wt%的碳。雖然表面處理劑的種類不明，但若假設所檢測出的碳是來源於表面處理劑的亞甲基而進行計算，則相對於金屬銅含有大於或等於38wt%的表面處理劑。
[比較例2]
於常壓氫氣流中將實施例2中所使用的氧化銅包覆銅粒子的塗佈基板加熱至200度，進行1小時處理。處理結果為，黑色的氧化銅包覆銅粒子的塗佈物變為焦棕色。電極間的電阻在還原前、還原後均為測定極限或超過測定極限而不導通。
將以上的實施例1～實施例3、以及比較例1的結果示於下述表2中。
由表2可知，實施例1～實施例3中，可獲得不產生裂縫、且低電阻的銅導體配線。相對於此，比較例1中，產生了裂縫而且不導通。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10．．．熱絲法原子狀氫處理裝置
12．．．氣體導入口
14．．．淋氣頭
16．．．排氣口
18．．．基板保持部
20．．．溫度調節機
22．．．觸媒體
24．．．擋板
30．．．基板
32．．．配線
50．．．被還原的部分
52．．．由於夾具的接觸而未被還原的部分
54．．．銅箔電極
56．．．噴墨印刷所得的銅奈米粒子塗佈膜
圖1是表示設置於聚醯亞胺基板上的電極的結構的示意圖。
圖2是表示熱絲法原子狀氫處理裝置的示意圖。
圖3A是表示實施例1的利用熱絲法原子狀氫處理裝置進行還原處理前的氧化銅粒子塗佈基板的外觀的圖式代用照片。
圖3B表示還原後是表示實施例1的利用熱絲法原子狀氫處理裝置進行還原處理後的氧化銅粒子塗佈基板的外觀的圖式代用照片。
圖4是表示氧化銅粒子塗佈物處理後的光學顯微鏡像(200倍)的圖。
圖5A是表示實施例2的利用熱絲法原子狀氫處理裝置進行還原處理前的銅粒子塗佈基板的外觀的圖式代用照片。
圖5B是表示實施例2的利用熱絲法原子狀氫處理裝置進行還原處理後的銅粒子塗佈基板的外觀的圖式代用照片。
圖6A是表示實施例3的利用熱絲法原子狀氫處理裝置進行處理前的銅粒子塗佈基板的外觀的圖式代用照片。
圖6B是表示實施例3的利用熱絲法原子狀氫處理裝置進行處理後的銅粒子塗佈基板的外觀的圖式代用照片。
圖7A是表示比較例1的利用熱絲法原子狀氫處理裝置進行處理前的銅粒子塗佈基板的外觀的圖式代用照片。
圖7B是表示比較例1的利用熱絲法原子狀氫處理裝置進行處理後的銅粒子塗佈基板的外觀的圖式代用照片。
圖8是表示比較例1的銅粒子塗佈物處理後的光學顯微鏡像(200倍)的圖。
50．．．被還原的部分
52．．．由於夾具的接觸而未被還原的部分

Claims (7)

  1. 一種銅配線圖案形成方法，其特徵在於包括：使用分散有具有氧化銅表面的銅系粒子的分散液，於基板上形成任意圖案的步驟；以及利用原子狀氫對上述圖案中的銅系粒子的氧化銅表面進行還原而復原為銅，並使還原所生成的銅金屬粒子彼此燒結的步驟，其中上述分散液中的具有氧化銅表面的銅系粒子的數量平均粒徑為1nm~100nm，該氧化銅表面的組成是由氧化亞銅、氧化銅、或這些物質的混合物所形成，以及上述分散液更含有表面處理劑，該表面處理劑的濃度為小於或等於1wt%(重量百分比)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之銅配線圖案形成方法，其中上述原子狀氫是使氫或含有氫的化合物在經加熱的觸媒體表面分解而生成的原子狀氫。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之銅配線圖案形成方法，其中於上述形成任意圖案的步驟中，利用選自噴墨、絲網印刷、轉印印刷、膠版印刷、噴印法、分配器、刮刀式塗佈機、狹縫塗佈機、模塗佈機以及凹版塗佈機所組成的群組中的任意一種來形成圖案。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之銅配線圖案形成方法，其中上述銅系粒子中，氧化銅表面的組成與該氧化銅表面以外的核部分的組成可相同或不同，核部分的 組成是由金屬銅、氧化亞銅、氧化銅、或這些物質的混合物所形成。
  5. 一種氧化銅粒子分散液，其分散有具有氧化銅表面的銅系粒子，此氧化銅粒子分散液的特徵在於，上述具有氧化銅表面的銅系粒子的數量平均一次粒徑為1nm~100nm，上述氧化銅表面的組成是由氧化亞銅、氧化銅、或這些物質的混合物所形成，以及該氧化銅粒子分散液更含有表面處理劑，該表面處理劑的濃度為小於或等於1wt%。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之氧化銅粒子分散液，其中上述銅系粒子中，氧化銅表面的組成與該氧化銅表面以外的核部分的組成可相同或不同，該核部分的組成是由金屬銅、氧化亞銅、氧化銅、或這些物質的混合物所形成。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之氧化銅粒子分散液，其中上述銅系粒子的濃度為1wt%~70wt%。
TW097140335A 2007-10-22 2008-10-21 銅配線圖案形成方法以及該方法所使用的氧化銅粒子分散液 TWI425893B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007273779 2007-10-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200930186A TW200930186A (en) 2009-07-01
TWI425893B true TWI425893B (zh) 2014-02-01

Family

ID=40579448

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097140335A TWI425893B (zh) 2007-10-22 2008-10-21 銅配線圖案形成方法以及該方法所使用的氧化銅粒子分散液

Country Status (8)

Country Link
US (2) US20100233011A1 (zh)
EP (1) EP2204824A4 (zh)
JP (1) JP5067426B2 (zh)
KR (1) KR101120743B1 (zh)
CN (1) CN101836268B (zh)
MY (1) MY154259A (zh)
TW (1) TWI425893B (zh)
WO (1) WO2009054343A1 (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY159795A (en) * 2009-09-16 2017-01-31 Hitachi Chemical Co Ltd Process for making printing ink
CN102498238B (zh) 2009-09-16 2015-04-22 日立化成工业株式会社 金属铜膜及其制造方法、金属铜图案及使用了其的导体布线、金属铜凸块、导热路径、粘合材料及液状组合物
JP5660368B2 (ja) * 2010-07-06 2015-01-28 日立化成株式会社 Ｃｕパターン付基板の製造方法及びそれにより得られるＣｕパターン付基板
JP5544324B2 (ja) * 2011-03-24 2014-07-09 富士フイルム株式会社 銅配線の形成方法および配線基板の製造方法
JP5544323B2 (ja) * 2011-03-24 2014-07-09 富士フイルム株式会社 銅配線の形成方法および配線基板の製造方法
JP2013008907A (ja) * 2011-06-27 2013-01-10 Hitachi Chem Co Ltd 導電性ペースト用酸化銅粉末、導電性ペースト用酸化銅粉末の製造方法、導電性ペースト及びこれを用いて得られる銅配線層
CN103733277B (zh) * 2011-08-03 2017-03-01 日立化成株式会社 组合物套剂、导电性基板及其制造方法以及导电性粘接材料组合物
TW201339279A (zh) * 2011-11-24 2013-10-01 Showa Denko Kk 導電圖型形成方法及藉由光照射或微波加熱的導電圖型形成用組成物
KR101633013B1 (ko) * 2012-12-31 2016-06-24 주식회사 아모그린텍 연성인쇄회로기판
WO2017150043A1 (ja) * 2016-03-03 2017-09-08 三井金属鉱業株式会社 銅張積層板の製造方法
KR102344403B1 (ko) * 2016-03-11 2021-12-29 가부시키가이샤 니콘 미스트 발생장치, 성막장치, 미스트 발생 방법, 성막 방법, 및 디바이스 제조 방법
TWI660789B (zh) * 2016-10-25 2019-06-01 財團法人金屬工業研究發展中心 微粒成形裝置及其微粒成形方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004119686A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Harima Chem Inc 微細配線パターンの形成方法
WO2004103043A1 (ja) * 2003-05-16 2004-11-25 Harima Chemicals, Inc. 銅微粒子焼結体型の微細形状導電体の形成方法、該方法を応用した銅微細配線ならびに銅薄膜の形成方法
WO2005122230A1 (ja) * 2004-06-07 2005-12-22 Kyushu Institute Of Technology 銅表面の処理方法及び銅パターン配線形成方法、並びに該方法を用いて作成された半導体装置
JP2006210872A (ja) * 2004-12-28 2006-08-10 Kyushu Institute Of Technology 銅パターン配線形成方法及び該方法を用いて作成された半導体装置、並びにナノ銅金属粒子
JP2006269119A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Furukawa Electric Co Ltd:The 焼結助剤を添加した金属酸化物粒子等の高周波電磁波照射による還元・相互融着方法及びそれを用いた各種電子部品と金属酸化物粒子等の焼成用材料

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8110247B2 (en) * 1998-09-30 2012-02-07 Optomec Design Company Laser processing for heat-sensitive mesoscale deposition of oxygen-sensitive materials
TWI289488B (en) * 2003-10-20 2007-11-11 Harima Chemicals Inc Fine metal particles, fine metal oxide particles in the form of dried-up powder, and use of the same
US20070193026A1 (en) * 2006-02-23 2007-08-23 Chun Christine Dong Electron attachment assisted formation of electrical conductors

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004119686A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Harima Chem Inc 微細配線パターンの形成方法
WO2004103043A1 (ja) * 2003-05-16 2004-11-25 Harima Chemicals, Inc. 銅微粒子焼結体型の微細形状導電体の形成方法、該方法を応用した銅微細配線ならびに銅薄膜の形成方法
KR20060021310A (ko) * 2003-05-16 2006-03-07 하리마 카세이 가부시키가이샤 동 미립자 소결체형의 미세 형상 도전체의 형성 방법, 그방법을 응용한 동미세 배선 및 동박막의 형성 방법
US20060210705A1 (en) * 2003-05-16 2006-09-21 Daisuke Itoh Method for forming fine copper particle sintered product type of electric conductor having fine shape, method for forming fine copper wiring and thin copper film using said method
WO2005122230A1 (ja) * 2004-06-07 2005-12-22 Kyushu Institute Of Technology 銅表面の処理方法及び銅パターン配線形成方法、並びに該方法を用いて作成された半導体装置
US20070187812A1 (en) * 2004-06-07 2007-08-16 Akira Izumi Method for processing copper surface, method for forming copper pattern wiring and semiconductor device manufactured using such method
JP2006210872A (ja) * 2004-12-28 2006-08-10 Kyushu Institute Of Technology 銅パターン配線形成方法及び該方法を用いて作成された半導体装置、並びにナノ銅金属粒子
JP2006269119A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Furukawa Electric Co Ltd:The 焼結助剤を添加した金属酸化物粒子等の高周波電磁波照射による還元・相互融着方法及びそれを用いた各種電子部品と金属酸化物粒子等の焼成用材料

Also Published As

Publication number Publication date
EP2204824A4 (en) 2011-03-30
TW200930186A (en) 2009-07-01
KR20100057091A (ko) 2010-05-28
KR101120743B1 (ko) 2012-03-22
JPWO2009054343A1 (ja) 2011-03-03
CN101836268A (zh) 2010-09-15
US20130295276A1 (en) 2013-11-07
MY154259A (en) 2015-05-29
EP2204824A1 (en) 2010-07-07
JP5067426B2 (ja) 2012-11-07
CN101836268B (zh) 2013-09-18
WO2009054343A1 (ja) 2009-04-30
US20100233011A1 (en) 2010-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI425893B (zh) 銅配線圖案形成方法以及該方法所使用的氧化銅粒子分散液
US9676969B2 (en) Composition set, conductive substrate and method of producing the same, and conductive adhesive composition
EP2248399B1 (en) Printed electronics
KR101247431B1 (ko) 구리 도체막 및 그 제조방법, 도전성 기판 및 그 제조방법, 구리 도체 배선 및 그 제조방법, 및 처리액
JP2012214898A (ja) 銀コート銅粉及びその製造法、該銀コート銅粉を含有する導電性ペースト、導電性接着剤、導電性膜、及び電気回路
US10533098B2 (en) Conductive filler, method for producing same, conductive paste and method for producing conductive paste
JP2011142052A (ja) 銅導体インク及び導電性基板及びその製造方法
WO2014054618A1 (ja) 銀ハイブリッド銅粉とその製造法、該銀ハイブリッド銅粉を含有する導電性ペースト、導電性接着剤、導電性膜、及び電気回路
JP5446097B2 (ja) 導電性基板及びその製造方法
JP2012174374A (ja) 導電性塗膜の製造方法及び導電性塗膜
JP2015214722A (ja) 銅微粒子焼結体と導電性基板の製造方法
JP5495044B2 (ja) 緻密な金属銅膜の製造方法及びそれに用いる液状組成物、それから得られる緻密な金属銅膜、導体配線、熱伝導路、接合体
JP5286846B2 (ja) 導電性基板及びその製造方法、並びに銅配線基板及びその製造方法
KR20220100256A (ko) 코어-쉘 형태의 전이금속 나노 입자-은 이 결합한 그래핀 복합체 및 이를 이용한 인쇄전자용 잉크.
JP2012174375A (ja) 導電性塗膜の製造方法及び導電性塗膜
JP5354037B2 (ja) 導電性基板の製造方法
JP2009218497A (ja) 導電性基板及びその製造方法、並びに銅配線基板及びその製造方法
Shirakawa et al. Fine-pitch copper wiring formed in a platingless process using ultra-fine inkjet and oxygen pump
KR20170133658A (ko) 구리나노잉크 및 레이저 소결법을 이용하는 투명 전자파 차폐 필름 제조방법
JP2021001294A (ja) フレキシブル電子部品用ペースト、フレキシブル電子部品用硬化膜、及びフレキシブル電子部品

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees