CN104662619A - 利用热压焊接转移来制造柔性嵌入式电极膜的方法 - Google Patents

利用热压焊接转移来制造柔性嵌入式电极膜的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104662619A
CN104662619A CN201480002490.7A CN201480002490A CN104662619A CN 104662619 A CN104662619 A CN 104662619A CN 201480002490 A CN201480002490 A CN 201480002490A CN 104662619 A CN104662619 A CN 104662619A
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductive pattern
substrate
release
pattern layer
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201480002490.7A
Other languages
English (en)
Inventor
朴正岵
辛富建
金在镇
李钟炳
郑镇美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Corp
Original Assignee
LG Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Chemical Co Ltd filed Critical LG Chemical Co Ltd
Priority claimed from PCT/KR2014/006751 external-priority patent/WO2015016532A1/ko
Publication of CN104662619A publication Critical patent/CN104662619A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
    • H05K3/207—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern using a prefabricated paste pattern, ink pattern or powder pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B17/00—Insulators or insulating bodies characterised by their form
    • H01B17/56—Insulating bodies
    • H01B17/62—Insulating-layers or insulating-films on metal bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/08—Several wires or the like stranded in the form of a rope
    • H01B5/10—Several wires or the like stranded in the form of a rope stranded around a space, insulating material, or dissimilar conducting material
    • H01B5/102—Several wires or the like stranded in the form of a rope stranded around a space, insulating material, or dissimilar conducting material stranded around a high tensile strength core
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/16—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive material in insulating or poorly conductive material, e.g. conductive rubber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0129—Thermoplastic polymer, e.g. auto-adhesive layer; Shaping of thermoplastic polymer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0364—Conductor shape
    • H05K2201/0376—Flush conductors, i.e. flush with the surface of the printed circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09681—Mesh conductors, e.g. as a ground plane
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/06—Lamination
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/15—Position of the PCB during processing
    • H05K2203/1545—Continuous processing, i.e. involving rolls moving a band-like or solid carrier along a continuous production path

Abstract

本发明涉及一种埋入型柔性电极薄膜的制造方法以及由此制造出的埋入型柔性电极薄膜，所述制造方法包括：1)制备离型基底；2)在所述离型基底上形成导电图形层；3)在所述导电图形层上布置转移基底，然后进行热和压力层压，使得在所述离型基底上形成的所述导电图形层被插入或埋入所述转移基底的表面；以及4)将所述离型基底与所述导电图形层彼此分开。

Description

利用热压焊接转移来制造柔性嵌入式电极膜的方法
技术领域
本发明涉及一种利用热层压转移来制造埋入型柔性电极膜的方法。
背景技术
随着近来电子电器行业的进步，已经开发出了多种家用电器和电子产品。由于趋向于更精巧的电子产品，正在持续进行深入的研究，以满足减小此类电子产品的尺寸和厚度的技术需求。
电路板包括用于将电子器件电连接的电路导线、电子器件以及半导体封装。尽管传统的电路板由形成在绝缘板上的金属布线图形构成，当绝缘板上的电路导线在同一平面上交叉时，在电路导线之间可能发生短路。因此，电路板通常包括被电绝缘的多层电路图形。
然而，在电路板上形成多层电路图形必须通过一系列复杂过程实现，从而在制造过程中会招致布线缺陷。另外，在电路板上形成许多复杂的导线必然地需要具有更小的线宽。由于电线宽度的减小，其横截面积减小，从而引起高电阻、低功效和热生成的问题。为解决这些问题，正在设计降低电阻率、减小电线长度或增大电线高度(厚度)的方法。
然而，需要大量的努力和时间来开发具有与常用的金属材料如铜、铝或银一样低的电阻率的材料。
在目前的电极形成技术中，氧化铟锡(ITO)非常有用。然而，导电金属氧化物ITO主要包含的铟，由于其高脆性，不适用于引入要求柔性的塑料板的柔性电极。相应地，为解决使用ITO的电极的问题，使用碳纳米管或导电聚合物材料的制造技术正在研究中，而且仍处于研究阶段，因此实际的产品开发所必需的制造工艺进展需要更多时间。
在各种电子器件中，通过短的电线长度设计电阻电路实际上是难以实施的。此外，就工艺而言，难以增大电线的高度，并且牵涉到断线问题和电线之间的电短路问题。
解决这些问题的可选方案包括利用填埋工艺形成金属布线图形的技术。例如，韩国专利No.10-0957487公开了一种制造被埋入薄膜中的电极电路形式的塑料电极的方法，包括：利用具有设计图形的模具通过印刷工艺形成负片图案，用导电材料选择性地填充负片的凹陷部分，去除形成在凹处以外的部分的导电材料，然后进行选择性湿镀，将透明导电材料沉积在用于电流散布层的整个区域。然而，由于包括图形雕刻、用导电材料选择性填充雕刻部(凹处)以及形成导电薄膜的多个过程，此种技术较复杂，并且难以从雕刻部分以外的部分完全地去除导电材料，也不可避免地在每个单独过程产生缺陷。
另外，韩国专利No.10-1191865公开了一种制造柔性导电薄膜的方法，包括在电路板上形成牺牲层、形成金属电极布线图形、涂敷可固化聚合物以及选择性地去除牺牲层以从电路板上将具有电极丝的可固化聚合物层剥离。然而，由于外加涂布和固化可固化聚合物以及湿剥离的复杂工艺，此种技术是有问题的。而且，在牺牲层的湿剥离过程中，牺牲层的曝光区在薄膜的横向上很小，从而湿溶解速度会降低，使得扩大大面积导电薄膜变得更糟。
因此，本发明的发明人提出一种利用简单工艺制造将导电图形埋入其中的柔性薄膜的方法。
发明内容
技术问题
因此，考虑到现有技术中遇到的问题，完成了本发明，本发明的目的是提供一种利用简单工艺制造将导电图形埋入其中的柔性电极薄膜的方法，以及由此制造出的埋入型柔性电极薄膜。
技术方案
为了实现以上目的，本发明提供一种埋入型柔性电极薄膜的制造方法，包括：1)制备离型基底；2)在所述离型基底上形成导电图形层；3)在所述导电图形层上布置转移基底，然后进行热和压力层压，使得在所述离型基底上形成的所述导电图形层嵌入或埋入所述转移基底的表面；以及4)将所述离型基底与所述导电图形层彼此分开。
另外，本发明提供一种通过上述方法制造的埋入型柔性电极薄膜，包括：基底薄膜；在所述基底薄膜的表面上形成的雕刻部分或凹处；以及埋入所述雕刻部分或凹处的导电图形，其中，所述导电图形具有相互连接的网状。
有益效果
根据本发明，所述埋入型柔性电极薄膜的制造方法能够使微细的导电图形嵌入或埋入塑料薄膜，从而容易地形成低电阻率的导线，而没有对金属导线的高度的限制。
在本发明所述的埋入型柔性电极薄膜的制造方法中，利用热和压力层压进行转移工艺，从而实现简单工艺并有效地制造出大面积塑料电极薄膜。
根据本发明，所述埋入型柔性电极薄膜以这样的方式配置：将微细的导电图形嵌入或埋入塑料薄膜中，从而防止取决于微细图形的纵横比增大而发生的图形破坏或短路，带来优异的耐久性。另外，能够表现出优异的粘着性，使得薄膜中导电材料的残渣的表面污染被最小化，从而显现高透过率和优异电阻值，并完全地消除导电层与基底之间的平面差(level difference)的产生。因此，本发明的电极薄膜能够有效地用于柔性显示器和触控屏的电极板、用于显示器的透明板的辅助电极、太阳能电池的负极板以及柔性印刷电路板(FPCB)。
附图说明
图1图示性地示出了本发明所述的埋入型柔性电极薄膜的制造工艺；
图2示出了实例1中蚀刻工艺之后保留在离型基底上的A1图形的光学显微镜图像；
图3示出了实例1中最终制造出的埋入型电极薄膜的光学显微镜图像；
图4示出了实例1中最终制造出的埋入型电极薄膜的电子显微镜图像；
图5示出了实例1中最终制造出的埋入型电极薄膜的整体图像和特写图像；
图6示出了对比例1中使用银纳米颗粒溶液通过溶液法制造的埋入型电极薄膜的电子显微镜图像(网格图形的线宽为1.5μm，高度为1μm，网格间距为40μm)；
图7示出了显示对比例1中用纳米颗粒填充银图形的雕刻部后图形的突出部分中的平面差的电子显微镜图像(网格图形的线宽为5μm，高度为0.5μm，网格间距为300μm)；
图8示出了显示对比例1中利用溶液法将银纳米颗粒选择性地填充雕刻部所得的导电图形中在图形的突出部分上的不希望有的导电残渣的光学显微镜图像和电子显微镜图像((左)网格图形线宽为1.5μm，高度为1μm，网格间距为40μm；(右)网格图形线宽为5μm，高度为0.5μm，网格间距为300μm)。
具体实施方式
下文中，将给出本发明的详细描述。
本发明提出一种埋入型柔性电极薄膜的制造方法，包括：1)制备离型基底；2)在所述离型基底上形成导电图形层；3)在所述导电图形层上布置转移基底，然后进行热和压力层压，使得所述在离型基底上形成的导电图形层插入或埋入转移基底表面；以及4)将离型基底与导电图形层彼此分开。
图1示意性地示出了本发明所述的埋入型柔性电极薄膜的制造方法。
离型基底可以是具有离型性能(releasability)的基底，或涂有离型剂的基础基底。
对该基础基底没有特别限制，但是可以包括玻璃基底，塑料基底，诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚砜(PSF)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)或环烯烃聚合物(COP)，以及金属基底，诸如STS板、铝板或铜板。
基础基底的厚度没有特别限制，但是，考虑到基于卷对卷的连续工艺的制造特性，优选地设置为40～400μm。
离型剂赋予离型基底离型性。也就是说，使离型基底具有适当低表面能的界面，以使得能够将离型基底和在后面的步骤4中在离型基底上形成的导电图形分开。离型剂可以包括聚合物材料和单体材料，优选地包括聚合物材料，所述聚合物材料包含基于硅的化合物(诸如聚二甲基硅氧烷(PDMS)衍生物、n-烷基化合物(饱和烷基化合物))、基于氟的化合物(诸如全氟聚醚(PEPE)或Teflon(聚四氟乙烯：PTFE)。当使用包含上述聚合物材料的离型剂，离型剂可以作为基础基底单独起作用。如此，用作基础基底的离型剂厚度与基础基底的厚度无关。
除了包含上述聚合物材料的离型剂之外，作为单体材料有用的是用于表面改性的基于硅烷的氟化合物，例如，全氟烷基硅烷、偏氟烷基硅烷或基于硅烷的烃类化合物(烷基或烷氧基硅烷)，使得通过降低板的表面能赋予板表面离型性。这是因为在基底表面自然存在或有意引入的羟基(-OH)与硅烷基团(R-Si-X3，R＝氟化合物、烷基，X＝用烷基、烷氧基和卤化物中的任何一个取代的化合物)反应，因此，基底表面氟化、碳氢化，从而降低板的表面能以赋予离型性。
聚合物离型剂需要如涂覆、固化或干燥过程，单体离型剂需要涂布和干燥，当基底没有羟基团时，通过用氧化薄膜涂布、UV臭氧处理或氧等离子体处理有意地将羟基引入基底的表面上，以便赋予优异的离型性。
离型剂不限于以上所列的几种材料，根据工艺性能和离型性能(或剥离强度)可以适当地选择。
不论聚合物离型剂的种类或用于表面处理的基于硅烷的化合物，用离型剂涂布基础基底都可以使用涂布工艺进行，诸如旋涂、棒涂、滚涂或喷涂，可以用热风干燥在50到150℃进行干燥和固化离型剂。如此，干燥时间可以根据空气量变化，但优选地设为1min～8hr。
当用离型剂涂布基础基底时，涂布厚度可以考虑到与导电图形层的剥离强度来调整。
当离型层太薄时，离型基底与目标塑料板很难均匀接触，因此不能在整个区域发生完全图形转移，会在局布区域形成没有发生图形转移的部分。与此相反，当离型基底的离型层太厚时，根据施加的压力和温度，转移工艺之后会发生具有导电图形层埋入其中的塑料薄膜的厚度偏差，或者导电图形没有一致地埋入塑料基底的顶部，但转移的图形部分地埋入或全部插入整个薄膜的一部分，从而图形的埋藏程度根据基底的位置不同，不合意地导致不均匀的平整度。
当使用聚合物离型剂时，优选地进行涂布工艺以形成厚度为0.01～10mm的薄膜。如果厚度落入以上范围之外，将会降低转移图形的一致性。
在目标板的熔融转移工艺中，具有预定厚度的离型层在包括导电图形层的离型基底与目标塑料板之间起到辅助一致接触的作用。作为离型层，有用的是由聚二甲基硅氧烷或全氟聚醚组成的具有低杨氏模量的聚合物层。
在本发明的优选实施方案中，用聚二甲基硅氧烷旋涂PET板。
在步骤2)中，导电图形层形成在如上所述的具有离型性的离型基底上。
导电图形层可以包含金属，诸如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)或铂(Pt)，或其合金，并且可以包含氧化物和金属混合的电极材料，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌铝(AZO)、锌铟锡氧化物(IZTO)、氧化锌铝-银-氧化锌铝(AZO-Ag-AZO)、氧化铟锌-银-氧化铟锌(IZO-Ag-IZO)、氧化铟锡-银-氧化铟锡(ITO-Ag-ITO)、锌铟锡氧化物-银-锌铟锡氧化物(IZTO-Ag-IZTO)。
形成导电图形层的工艺可以包括但不必限制于，例如，诸如光刻、喷墨、凹版印刷、印刻或平版印刷的印刷、电镀、真空沉积、热沉积、溅射和e-电子束沉积(e-beam deposition)。
对导电图形层的线宽没有特别限制，但可以为50nm～20μm。
另外，对导电图形层的厚度(高度)没有特别限制，但是可以为5nm～5μm。
导电图形层的厚度(高度)可以根据图形的线宽和应用器件的电气性能(导电性和电阻率)变化。
本发明所述的埋入型柔性电极薄膜是减小了线宽的高效能的电极结构。简单地说，根据图形的纵横比(即，图形的线宽与高度的比)决定制造工艺的难度。然而，图形的纵横比对制造工艺难度上的影响取决于图形结构。
图形结构可以具有相互连接的网状或可以由单独、分离的单线构成或由这些线形成的导线构成。在本发明中，图形结构优选具有相互连接的网状。
关于具有相互连接的网状的导线，即使当转移图形的纵横比如2以上略高时，导电图形层也是相互连接的，由于目标基底和包含金属、金属氧化物和离型剂的基底之间的一致接触，目标基底的表面熔融，以及由于层间热膨胀系数的差别导致的热压，通过优化熔化转移工艺从而将最终转移和埋藏的图形的变形降到最低。
另一方面，当包含单独、不连接的单线或由这些线构成的导线的图形结构的纵横比为2以上时，在离型层上的导电图形在熔融转移时以一倾斜角度埋藏于目标基底中。
特别地，与在典型的纳米压印工艺中的平板的平行接触、压紧和加热不同，由于形成了具有相互连接的网状的导电图形，本发明中利用基于辊压印的连续工艺的热层压转移工艺根据图形的纵横比，可以以预定的倾斜度使导线图形的倾斜埋藏最小化。
当在离型基底上形成导电图形层时，为了在后面的步骤4)中将离型基底从转移基底上剥离或移除，离型基底与导电图形层之间的剥离强度可以由多种因素控制，其中包括导电图形层的结构的几何形状和厚度、转移工艺的温度和压力以及目标基底的性能。
特别地，离型基底与导电图形层之间的剥离强度被认为是制造工艺中的关键参数，但是它非常依赖于在离型基底上形成导电图形的工艺。
尽管本发明不限制形成导电图形的工艺，当使用可溶液加工的导电胶或有机金属衍生物以及纳米颗粒分散墨水在离型基底上进行导电图形的直接印刷工艺时，剥离强度对制造工艺的影响不明显。
然而，当在离型基底上的金属薄膜上通过沉积形成光致抗蚀图以及利用蚀刻工艺形成导电图形时，即使剥离强度很低，干法蚀刻工艺在整体工艺上影响不大，但湿法蚀刻工艺可能造成图形在蚀刻过程中被剥离。因此，要求预定值以上的剥离强度。事实上，干法蚀刻需要昂贵的设备如真空机械，因此，考虑到经济上有利的制造工艺，湿法蚀刻更有效。因此，湿法蚀刻工艺需要在离型层与导电图形之间达到不引起图形剥离的程度的最小粘合强度。
当将PDMS用作离型剂时，未处理时表现出约为320N/m的剥离强度。进一步，当加入约1wt％的量的不参与PDMS固化反应的材料(如硬脂酸)时，会导致剥离强度降低约60％(200N/m)。之所以这样的原因被认为是由于硬脂酸的存在，PDMS薄膜表面未反应的PDMS残余物的浓度增加。
另外，可以调整PDMS离型层的固化时间以由此改变PDMS离型层的界面的表面性能，从而控制剥离强度。
为了增强PDMS离型层的剥离强度，可以在PDMS表面上进行UV臭氧处理或大气氧等离子体处理，从而可以使剥离强度增大最大200％以上。
在本发明的优选实施方案中，当剥离强度为300～500N/m时，按预期进行转移工艺。如果剥离强度小于300N/m，在湿法蚀刻时图形部分地剥离。与此相反，如果剥离强度超过500N/m，转移工艺之后会遗留一部分图形。
在本发明的实施方案中，在使用卷对卷工艺转移导电图形时，在包含导电图形的离型层中还可以设置保护膜，以防止图形污染并保护图形。保护膜的剥离强度优选低于导电图形与离型基底之间的剥离强度。
在本发明中，如下进行了剥离强度测试：形成包含堆叠并固化的PDMS离型薄膜(60μm)和Al箔的测试样品，以180℃将层状薄膜从测试样品上剥离，并测试薄膜的每单位宽度的力。为此，使用Lloyd instrument 1000张力计作为测量装置，用500N的荷重元以50mm/min的离型速度进行测量。尽管实际使用的PDMS离型膜与Al箔的厚度与用于测量的测试样品的厚度稍有不同，为了实验便利仍用上述标准测量剥离强度以确定PDMS与Al之间界面上的剥离强度。更具体地说，制造宽度为30mm、最小长度为100mm的测试样品用于测试，然后除了最初的25mm剥离以外，测量在75mm剥离测试中的剥离强度。
在步骤3)中，通过热和压力层压将离型基底与转移基底堆叠，从而将导电图形层从离型基底上转移到转移基底的表面。
在步骤3中，转移基底优选为塑料基底。
塑料基底可以包括选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯砜(polyethylene sulfone)(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺(PI)、乙烯-乙酸乙烯酯(EVA)、无定形聚对苯二甲酸乙二醇酯(APET)、聚对苯二甲酸丙二醇酯(PPT)、聚对苯二甲酸乙二醇酯丙三醇(polyethylene terephthalate glycerol)(PETG)、聚二亚甲基对苯二甲酸环己二醇酯(PCTG)、改性三醋酸纤维素(TAC)、环烯烃聚合物(COP)、环烯烃共聚物(COC)、双环戊二烯聚合物(DCPD)、环戊二烯聚合物(CPD)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、硅树脂、氟树脂以及改性环氧树脂中的至少一种。
转移工艺之后，转移基底从离型基底上分离，然后利用固化工艺(诸如热固化、UV固化、微波固化或IR固化)固化以适应聚合物的性能。
在本发明的实施方案中，当转移基底包括热塑性树脂时，应用UV以增加转移基底的可固化性。
在步骤3中，进行热和压力层压以堆叠具有导电图形层的离型基底和转移基底。
更具体地说，在步骤3中，通过热和压力层压将离型基底与转移基底堆叠，将从转移基底的表面相当于几个微米的厚度的转移基底熔融，然后将在离型基底上的导电图形中的空的空间用该熔融的转移基底填充，从而将导电图形层插入或埋入转移基底的表面。
热和压力层压条件可以根据塑料基底的种类变化，但优选包括80～300℃和1～100mm/s。
尽管这些条件在优选实施方案中限制性地公开，可以基于塑料基底的热性质与热传递性质对他们作如下说明。关于典型的热塑性聚合物，聚合物的加工在高于聚合物的玻璃化转变温度(Tg)约100～200℃的温度下进行，聚合物表面的熔融温度可以根据聚合物薄膜的种类、厚度以及界面能进行变化，但是相比聚合物本体的熔融性能稍低一些，使得可以在低于典型聚合物加工温度的温度下进行表面熔融转移。至于透明聚合物基底，由于在制造工艺中涉及的塑化剂的加入或拉伸过程，聚合物薄膜的性能在200℃以上会劣化。所以，前述条件在熔融转移时是优选的。
在本发明的另一个实施方案中，在稍低温度下额外地进行预热目标基底，从而增大转移速率，由此提高工艺效率，降低转移温度，从而最小化薄膜固有物理性能的改变。
对热和压力层压工艺没有特别限制，但在本发明的优选实施方案中，使用圆柱形辊进行热层压。最终，通过与转移基底的热和压力层压，在离型基底上形成的导电图形被转移，从而被插入或埋入转移基底的表面中。
步骤4)是从其中具有插入或埋入的导电图形层的转移基底上剥离或移除离型基底的过程。
为此，在离型基底与导电图形之间的剥离强度通过调整离型剂的组分与量以及导电图形的组分与密度(填充分数)被适当地控制。
因此，对分离离型基底的工艺没有特别限制，可以应用任何物理工艺。
在本发明的实施方案中，当平面堆叠几何体受到热层压然后剥落时，用氮气枪轻扫其接缝，由于其间的低表面能，从而可以轻易地剥离离型基底和目标板。在典型的利用卷对卷工艺的连续工艺中，离型基底与埋入导电图形的基底轧辊型缝彼此分开，从而可以物理地实现分离。
在本发明的另一个实施方案中，为了将离型基底与导电图形层彼此完全分开，在步骤2)之前可以在离型基底上进一步形成牺牲层。
牺牲层可以包括聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或可溶于水或含水醇类溶剂(诸如聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇或羧甲基化纤维素)的光致抗蚀剂(PR)以及可溶于有机溶剂(诸如丙酮、乙酸乙酯、甲醇、乙醇、氯仿、二氯甲烷、己烷、苯或乙醚)的聚合物，由此可以容易地用有机溶剂去除。此外，牺牲层可以包括可光降解聚合物，如聚己酸内酯或聚乳酸。
当在离型基底上形成牺牲层时，步骤4)可以包括通过溶于水或有机溶剂或通过光降解只移除牺牲层。
为了在移除牺牲层的过程中使损坏柔性板的可能性被最小化，有机溶剂可以包括但不限于诸如甲醇或乙醇的低级醇。
在本发明的埋入型柔性电极薄膜的制造方法中，当转移基底包括热塑性树脂时，在步骤4)中离型基底的分离之后，可以进一步在加入以提高转移基底的可固化性的固化剂的存在下，通过UV照射或额外的热处理，进行埋入型导电薄膜的固化。
在本发明的埋入型柔性电极薄膜的制造方法中，当应用上述的利用热和压力层压的转移工艺时，由于导电图形形成于具有可控的离型性的基底上并且通过物理热层压引导图形在目标基底的插入和掩埋，工艺可以变得简单，因此，相比于包括诸如图形雕刻、用导电材料选择性填充雕刻部(凹处)以及形成导电薄膜的多种工艺的现有技术，本工艺可以使得大面积塑料电极薄膜的非常有效的制造。
在现有工艺中，生产埋入型电极薄膜时，很难用导电材料选择性地只填充图形的雕刻部或凹处。另外，在形成导电薄膜时，即使通过利用导电颗粒的溶液法和金属薄膜的真空沉积，也很难用导电材料选择性填充图形凹处以与图形的突出部齐平。
在对比例1中，当通过用银(Ag)纳米颗粒(平均粒度～50nm，购自ANPCo.Ltd.)溶液选择性地填充图形凹处来制造埋入型电极时，即使以图形的0.1的低纵横比(图6)，也很难用导电溶液实现均匀填充，由于干燥后溶剂的蒸发引起的体积收缩，在突出部与填充的导电薄膜之间不可避免地出现平面差(图7)。当进行烧结工艺以增强导电性时，此平面差会进一步增大。如图8所示，当导电材料或薄膜残余物遗留在不希望的区域(即，图形的突出部处)，就显示应用(如触摸感应器)中的透明电极而言，可见性较差，从而引起产品质量劣化(图8)。另外在真空沉积工艺中，选择性填充在技术上较为困难，可以以这样的方式进行：整体地打磨沉积薄膜使得导电层的突出部被研磨，但是这种工艺会造成残渣遗留，不期望地导致不良品，并且很难控制突出部与导电层齐平。
图形突出部与用导电层形成的凹处之间的平面差在大部分装置中会引起许多问题，这样的装置使用基于导电图形的辅助电极和透明电极作为上下电极。根据产品的制造工艺、结构以及其中的工作原理会不同地产生这些问题。简单地说，对于电流驱动装置，在垂直于装置方向的电短路会造成不良驱动，而对于通过电容和电压变化驱动的传感器产品，当在上下电极之间插入介电材料时，由于平面差形成的空气层会导致在导电层凹处产生气泡。这样致使不能根据导电薄膜的位置调整电容，主要引起显示器的可见性变差。
本发明提出了一种通过前述方法制造的埋入型柔性电极薄膜，其中将导电图形埋入柔性塑料基底中。
更具体地说，本发明提出了一种埋入型柔性电极薄膜，包括：基底膜、在所述基底膜的表面上形成的雕刻部或凹处；以及埋入雕刻部或凹处的导电图形，其中，所述导电图形具有相互连接的网状。
如本文所用，“埋入型”电极薄膜是指这样配置的电极薄膜：在基底膜的表面上形成的雕刻部或逆向图形化的凹处用导电图形材料填充。
基底膜优选为塑料基底，可以包括选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺(PI)、乙烯-乙酸乙烯酯(EVA)、无定形聚对苯二甲酸乙二醇酯(APET)、聚对苯二甲酸丙二醇酯(PPT)、聚对苯二甲酸乙二醇酯丙三醇(PETG)、聚二亚甲基对苯二甲酸环己二醇酯(PCTG)、改性三醋酸纤维素(TAC)、环烯烃聚合物(COP)、环烯烃共聚物(COC)、双环戊二烯聚合物(DCPD)、环戊二烯聚合物(CPD)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、硅树脂、氟树脂以及改性环氧树脂中的至少一种。
导电图形可以包括金属，诸如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)或铂(Pt)，或其合金，并且可以包括氧化物和金属混合的电极材料，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌铝(AZO)、锌铟锡氧化物(IZTO)、氧化锌铝-银-氧化锌铝(AZO-Ag-AZO)、氧化铟锌-银-氧化铟锌(IZO-Ag-IZO)、氧化铟锡-银-氧化铟锡(ITO-Ag-ITO)、锌铟锡氧化物-银-锌铟锡氧化物(IZTO-Ag-IZTO)。
导电图形的线宽没有特别限制，但可以为50nm～20μm。
导电图形的厚度(高度)没有特别限制，但可以为5nm～5μm。
关于具有窄线宽的导电图形，会发生高电阻、低功效和热生成的问题。通常为了达到解决这些问题的目的，已经尝试增加导电图形的厚度，但这会导致破坏图形的问题。
本发明所述的埋入型柔性电极薄膜配置为将微细的导电图形埋入在塑料基底膜表面上形成的凹处，从而不会发生取决于微细图形的纵横比的增大的图形破坏或短路的问题，从而显现出优异的耐久性。
所以，当形成具有高纵横比的微细图形时，本发明所述的埋入型柔性电极薄膜是非常有利的。
另外，本发明所述的埋入型柔性电极薄膜配置为将微细导电图形嵌入或埋入塑料薄膜中，从而显现出高粘着性，无电极电路的电短路，并使得薄膜的表面污染被最小化，从而带来高透过率与优异的电阻值。本发明的电极薄膜能够有效地用于柔性显示器和触摸屏的电极板、显示器的透明板的辅助电极、太阳能电池的负极板以及FPCB。
通过下面描述以举例说明的实例可以对发明获得更好的理解，但这些实例不能解释为对本发明范围的限制。
<实例1>
将厚度为180μm的PET基底用5mm厚的聚二甲基硅氧烷(PDMS)(SYLGARD 184，购自Dow Corning Corp.)溶液(混合比1:9)涂布，然后在70℃下固化6小时，从而制备离型基底。利用e-电子束沉积机(基准压力：8×10-7托，工作压力：5×10-5托，)将150nm厚的Al箔沉积在离型基底的离型表面上。
使用AZ1518光致抗蚀剂，进行涂布、干燥、掩模曝光和显影，从而在Al沉积膜上形成图形。
形成的光致抗蚀图经过湿蚀刻(磷酸类Al蚀刻溶液)或干蚀刻(ICP-RIE)从而形成Al电极图形。基于通过光学显微镜的观察，如图2所示形成Al电极图形。
在Al电极图形上，放置250μm EVA(乙烯乙酸乙烯酯)膜(袋复合膜(Pouch laminating film)，购自GMP Ltd.)，然后在堆叠温度为130℃、堆叠速度为2mm/s的条件下进行热层压。
随后，剥离或移除离型基底，从而制造出其中插入或埋入导电图形的柔性导电埋入型电极薄膜。通过光学显微镜与电子显微镜观察此电极薄膜，结果如图3和图4所示。
<实例2>
以实例1中相同的方式制造柔性导电埋入型电极薄膜，不同之处在于，用1～5wt％的稀释的氟化硅烷(OPTOOLTM，购自Daikin Industries,LTD.)溶液旋转涂布180μm厚的PET基底，然后在120℃下干燥30min，从而制备出离型基底。
<对比例1>
利用光刻工艺和干蚀刻工艺，制造出由石英构成的母型模，分别具有1.5μm线宽、1μm高度和40μm网格间距的网格图形(图6)和线宽为5μm、高度为0.5μm和网格间距为300μm的网格图形。用1～5wt％的稀释的氟化硅烷(OPTOOLTM，购自Daikin Industries,LTD.)溶液旋转涂布石英图形基底，然后在120℃下干燥30min，以用于离型处理，使用涂布旋转工艺(500rpm,30sec)在图形表面涂布UV固化PUA(聚氨酯丙烯酸酯)(SRM04，购自Minuta Technology Co.Ltd.)，并堆叠180μm厚的PET基底，接着进行UV照射(100W cm-2,120sec)以进行固化和离型，从而复制图形。接着，将Ag纳米颗粒(平均粒度～50nm以下，购自ANP Co.Ltd.)溶液分配在图形表面上，然后用Teflon棒对纳米颗粒溶液进行刮扫，用这种方式使得在图形突出部上的Ag纳米颗粒残余物被最小化。此外，选择性地填充图形凹处，然后在120℃在干燥10min，从而制造出埋入型电极。

Claims (15)

1.一种制造埋入型柔性电极薄膜的方法，包括：
1)制备离型基底；
2)在所述离型基底上形成导电图形层；
3)在所述导电图形层上布置转移基底，然后进行热和压力层压，使得所述在离型基底上形成的导电图形层被插入或埋入所述转移基底的表面；以及
4)将所述离型基底与所述导电图形层彼此分开。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述离型基底为用离型剂涂布的基础基底。
3.如权利要求2所述的方法，其中，所述基础基底的厚度为40～400μm。
4.如权利要求2所述的方法，其中，所述离型剂包含聚二甲基硅氧烷衍生物、n-烷基化合物或基于氟的化合物。
5.如权利要求2所述的方法，其中，所述离型剂为聚合物离型剂，涂布该离型剂以形成厚度为0.1～10mm的薄膜。
6.如权利要求1所述的方法，其中，在2)中，所述导电图形层的线宽为50nm～20μm。
7.如权利要求1所述的方法，其中，在2)中，所述导电图形层的厚度为5nm～5μm。
8.如权利要求1所述的方法，其中，在2)中，所述导电图形层具有相互连接的网状。
9.如权利要求1所述的方法，其中，在3)中，所述转移基底为塑料基底。
10.如权利要求1所述的方法，其中，在3)中，所述热和压力层压在80～300℃和1～100mm/s的条件下进行。
11.如权利要求1所述的方法，进一步包括在2)之前在所述离型基底上形成牺牲层。
12.如权利要求1所述的方法，其中，当所述转移基底包含热塑性树脂时，在4)中分离所述离型基底之后进一步进行应用UV光。
13.一种埋入型柔性电极薄膜，通过权利要求1所述的方法制造并包括：
基底薄膜；
在所述基底薄膜的表面上形成的雕刻部或凹处；以及
埋入所述雕刻部或凹处的导电图形，
其中，所述导电图形具有相互连接的网状。
14.如权利要求13所述的埋入型柔性电极薄膜，其中，所述导电图形的线宽为50nm～20μm。
15.如权利要求13所述的埋入型柔性电极薄膜，其中，所述导电图形的厚度为5nm～5μm。
CN201480002490.7A 2013-07-30 2014-07-24 利用热压焊接转移来制造柔性嵌入式电极膜的方法 Pending CN104662619A (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2013-0090393 2013-07-30
KR20130090393 2013-07-30
KR1020140093169A KR20150014857A (ko) 2013-07-30 2014-07-23 열 융착 전사를 이용한 유연 매립형 전극 필름의 제조 방법
KR10-2014-0093169 2014-07-23
PCT/KR2014/006751 WO2015016532A1 (ko) 2013-07-30 2014-07-24 열 융착 전사를 이용한 유연 매립형 전극 필름의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104662619A true CN104662619A (zh) 2015-05-27

Family

ID=52571625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480002490.7A Pending CN104662619A (zh) 2013-07-30 2014-07-24 利用热压焊接转移来制造柔性嵌入式电极膜的方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20150216057A1 (zh)
JP (1) JP2016502227A (zh)
KR (1) KR20150014857A (zh)
CN (1) CN104662619A (zh)
TW (1) TW201521984A (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108695015A (zh) * 2017-04-07 2018-10-23 新亚集团控股有限公司 透明导电膜及电子设备和制造方法
CN108803930A (zh) * 2018-06-07 2018-11-13 京东方科技集团股份有限公司 压力感应模组及其制作方法、电子设备
CN109077713A (zh) * 2018-07-23 2018-12-25 华中科技大学 一种人体表皮生理电极传感器的制备方法
CN110113887A (zh) * 2019-06-13 2019-08-09 东莞市润盈电子有限公司 一种覆铜玻璃基板及其制作方法
CN111816365A (zh) * 2019-04-10 2020-10-23 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 将导电聚合物转移至柔性衬底上的方法及柔性电极
WO2020233160A1 (zh) * 2019-05-17 2020-11-26 青岛理工大学 一种嵌入式金属网格柔性透明电极的制造方法及其应用
CN112410729A (zh) * 2020-11-09 2021-02-26 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种超薄液态金属薄膜及制备方法和应用
CN112614627A (zh) * 2020-12-29 2021-04-06 南京国博电子股份有限公司 一种具有高导电覆盖率的柔性透明电极及其制备方法
CN112888185A (zh) * 2020-12-30 2021-06-01 江苏新澄瑞材料科技有限公司 一种柔性电路的制备方法及产品和应用
CN114171257A (zh) * 2021-12-13 2022-03-11 西安交通大学 一种柔性透明电极及其制备方法
CN116614957A (zh) * 2023-03-23 2023-08-18 深圳大学 柔性电路板和柔性电路的制备方法及可穿戴式电子设备
CN117328139A (zh) * 2023-09-14 2024-01-02 西安交通大学 一种柔性透明铌酸钾钠基无铅铁电单晶薄膜及其制备方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017117256A1 (en) * 2015-12-30 2017-07-06 The Regents Of The University Of Michigan Transparent and flexible conductors made by additive processes
KR101938882B1 (ko) * 2016-01-08 2019-01-16 동우 화인켐 주식회사 필름 터치 센서 및 이의 제조 방법
US10572089B2 (en) 2017-07-12 2020-02-25 Mind Technology Development Limited Sensing film with an integrated structure
KR101958094B1 (ko) * 2017-07-03 2019-07-04 고려대학교 산학협력단 투명 전극 구조물의 형성 방법
EP3695237A4 (en) 2017-10-11 2020-12-30 New Asia Group Holdings Limited DETECTION FILM WITH INTEGRATED STRUCTURE
EP3562278A1 (de) * 2018-04-25 2019-10-30 Siemens Aktiengesellschaft Herstellen einer leiterbahnstruktur auf einer trägerplatte
CN109002236B (zh) * 2018-07-20 2022-08-23 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性触摸屏、其制作方法及显示装置
KR102447097B1 (ko) * 2018-08-28 2022-09-23 주식회사 엘지화학 매립형 전극 기판 및 이의 제조방법
KR102152101B1 (ko) * 2018-11-02 2020-09-07 진영글로벌 주식회사 차량 전장용 디바이스
KR102136397B1 (ko) * 2019-12-23 2020-07-21 주식회사 도프 나노실버 투명전극 필름의 제조방법 및 이로부터 제조된 나노실버 투명전극 필름
KR102389501B1 (ko) * 2020-03-17 2022-04-25 한국기계연구원 나노 구조를 포함하는 패턴화된 투명 도전체 및 그 제조 방법
CN112509747B (zh) * 2020-10-14 2022-07-08 青岛理工大学 一种基于低电压驱动液膜嵌入式电喷射3d打印的柔性透明导电薄膜制造方法
KR20220085201A (ko) * 2020-12-15 2022-06-22 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치
WO2023168496A1 (en) * 2022-03-10 2023-09-14 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Transferrable electrode for printed electronics
KR102456445B1 (ko) * 2022-06-20 2022-10-19 주식회사 도프 높은 전사 효율, 전기전도성 및 광투과율을 동시에 갖는 전사방식 투명전극 필름 제조방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070122684A1 (en) * 2005-11-25 2007-05-31 Min-Kyu Song Membrane-electrode assembly for fuel cell, method of producing same, and fuel cell system comprising same
CN101789278A (zh) * 2010-03-18 2010-07-28 上海交通大学 自支撑复合质子导电膜及其制备方法
CN102067245A (zh) * 2008-07-04 2011-05-18 户田工业株式会社 透明导电性转印版的制造方法、透明导电性转印版、利用透明导电性转印版的透明导电性基材的制造方法、透明导电性基材以及利用透明导电性基材的成型体
KR20120024177A (ko) * 2010-09-06 2012-03-14 (주)엘지하우시스 도전성 패턴 전사 필름 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 도전성 패턴 전사 필름을 이용한 도전성 패턴 전사 방법
CN102971806A (zh) * 2010-07-02 2013-03-13 富士胶片株式会社 导电层转印材料及触控式面板
KR20130026870A (ko) * 2011-09-06 2013-03-14 엘지이노텍 주식회사 투명 전극이 형성된 기판 제조 방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69218344T2 (de) * 1991-11-29 1997-10-23 Hitachi Chemical Co Ltd Herstellungsverfahren für eine gedruckte Schaltung
CN101557927B (zh) * 2006-12-27 2014-10-22 日立化成株式会社 凹版和使用该凹版的带有导体层图形的基材
KR20100127767A (ko) * 2008-01-30 2010-12-06 다우 코닝 코포레이션 프린팅 가능한 전자소자용 박리 코팅으로서의 유리질 실리콘계 경질 코팅의 용도
JPWO2011090034A1 (ja) * 2010-01-19 2013-05-23 国立大学法人京都大学 導電膜及びその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070122684A1 (en) * 2005-11-25 2007-05-31 Min-Kyu Song Membrane-electrode assembly for fuel cell, method of producing same, and fuel cell system comprising same
CN102067245A (zh) * 2008-07-04 2011-05-18 户田工业株式会社 透明导电性转印版的制造方法、透明导电性转印版、利用透明导电性转印版的透明导电性基材的制造方法、透明导电性基材以及利用透明导电性基材的成型体
CN101789278A (zh) * 2010-03-18 2010-07-28 上海交通大学 自支撑复合质子导电膜及其制备方法
CN102971806A (zh) * 2010-07-02 2013-03-13 富士胶片株式会社 导电层转印材料及触控式面板
KR20120024177A (ko) * 2010-09-06 2012-03-14 (주)엘지하우시스 도전성 패턴 전사 필름 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 도전성 패턴 전사 필름을 이용한 도전성 패턴 전사 방법
KR20130026870A (ko) * 2011-09-06 2013-03-14 엘지이노텍 주식회사 투명 전극이 형성된 기판 제조 방법

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108695015A (zh) * 2017-04-07 2018-10-23 新亚集团控股有限公司 透明导电膜及电子设备和制造方法
CN108803930A (zh) * 2018-06-07 2018-11-13 京东方科技集团股份有限公司 压力感应模组及其制作方法、电子设备
CN109077713A (zh) * 2018-07-23 2018-12-25 华中科技大学 一种人体表皮生理电极传感器的制备方法
CN111816365B (zh) * 2019-04-10 2022-04-19 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 将导电聚合物转移至柔性衬底上的方法及柔性电极
CN111816365A (zh) * 2019-04-10 2020-10-23 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 将导电聚合物转移至柔性衬底上的方法及柔性电极
WO2020233160A1 (zh) * 2019-05-17 2020-11-26 青岛理工大学 一种嵌入式金属网格柔性透明电极的制造方法及其应用
US11551833B2 (en) 2019-05-17 2023-01-10 Qingdao university of technology Manufacturing method of embedded metal mesh flexible transparent conductive film and application thereof
CN110113887A (zh) * 2019-06-13 2019-08-09 东莞市润盈电子有限公司 一种覆铜玻璃基板及其制作方法
CN112410729A (zh) * 2020-11-09 2021-02-26 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种超薄液态金属薄膜及制备方法和应用
CN112410729B (zh) * 2020-11-09 2022-12-06 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种超薄液态金属薄膜及制备方法和应用
CN112614627A (zh) * 2020-12-29 2021-04-06 南京国博电子股份有限公司 一种具有高导电覆盖率的柔性透明电极及其制备方法
CN112888185A (zh) * 2020-12-30 2021-06-01 江苏新澄瑞材料科技有限公司 一种柔性电路的制备方法及产品和应用
CN114171257A (zh) * 2021-12-13 2022-03-11 西安交通大学 一种柔性透明电极及其制备方法
CN116614957A (zh) * 2023-03-23 2023-08-18 深圳大学 柔性电路板和柔性电路的制备方法及可穿戴式电子设备
CN117328139A (zh) * 2023-09-14 2024-01-02 西安交通大学 一种柔性透明铌酸钾钠基无铅铁电单晶薄膜及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150014857A (ko) 2015-02-09
US20150216057A1 (en) 2015-07-30
TW201521984A (zh) 2015-06-16
JP2016502227A (ja) 2016-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104662619A (zh) 利用热压焊接转移来制造柔性嵌入式电极膜的方法
Khan et al. High‐performance flexible transparent electrode with an embedded metal mesh fabricated by cost‐effective solution process
Suh et al. Maskless fabrication of highly robust, flexible transparent Cu conductor by random crack network assisted Cu nanoparticle patterning and laser sintering
TWI611433B (zh) 導電圖型之製造方法及導電圖型形成基板
CN105453001B (zh) 将电子部件粘结到图案化纳米线透明导体
US20120279762A1 (en) Composition for forming stretchable conductive pattern, method of producing the stretchable conductive pattern using the composition, and electronic device including stretchable conductive electrode
US10737433B2 (en) Tools and methods for forming semi-transparent patterning masks
Jang et al. A three-dimensional metal grid mesh as a practical alternative to ITO
Beltrão et al. A review on in‐mold electronics technology
Wan et al. Facile patterning of silver nanowires with controlled polarities via inkjet-assisted manipulation of interface adhesion
CN108885515A (zh) 对金属互连结构具有增强粘附性的纳米线接触垫
KR100957487B1 (ko) 플라스틱 전극필름 제조방법
EP3317724B1 (en) Self-aligning metal patterning based on photonic sintering of metal nanoparticles
Cai et al. Highly-facile template-based selective electroless metallization of micro-and nanopatterns for plastic electronics and plasmonics
KR20140008607A (ko) 희생 기판을 이용한 금속 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법 및 이에 의해 제조된 금속 배선이 함입된 유연 기판
JP2007110054A (ja) パターン形成方法およびパターン形成ずみ基板
Liang et al. Femtosecond Laser Patterning Wettability‐Assisted PDMS for Fabrication of Flexible Silver Nanowires Electrodes
US10092928B2 (en) Process for the manufacture of a component comprising a stack of a functional layer on a composite film
Kang et al. High-resolution and high-conductive electrode fabrication on a low thermal resistance flexible substrate
WO2015016532A1 (ko) 열 융착 전사를 이용한 유연 매립형 전극 필름의 제조 방법
KR101588290B1 (ko) 나노 물질 패턴의 제조방법
Woo et al. Ultraclean contact transfer of patterned Ag electrodes by thermal release tape for transparent conductive electrode
Oh et al. Various metallic nano-sized patterns fabricated using an Ag ink printing technique
JP5562283B2 (ja) グラフェンを主成分とする透明導電膜を備えた透明導電物とその製造方法
Hwang et al. Review on dry film photoresist-based patterning of Ag nanowire flexible electrodes for wearable electronics

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20150527