KR102136397B1 - 나노실버 투명전극 필름의 제조방법 및 이로부터 제조된 나노실버 투명전극 필름 - Google Patents

나노실버 투명전극 필름의 제조방법 및 이로부터 제조된 나노실버 투명전극 필름 Download PDF

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Abstract

본 발명은 제1 기재필름의 상면에 나노실버 에멀젼을 코팅하여 나노실버 전극층을 형성하고, 제2 기재필름의 상면에 광 경화형 전사 코팅액을 코팅하여 고분자 투명 코팅층을 형성한 후, 상기 제1 기재필름과 제2 기재필름의 코팅된 면이 서로 마주 보도록 합지한 다음,
전사 코팅액을 경화하여 합지된 두 필름을 박리시켜 상기 제1 기재필름 상에 형성된 나노실버 전극층이 제2 기재필름 상에 전사되도록 하여 나노실버 투명전극 필름을 제조함으로써, 낮은 표면저항과 헤이즈(Haze), 높은 투과율, 박리력 및 내마모성 특성이 뛰어난 신규의 전사방식 투명전극 필름을 제공할 수 있는, 나노실버 투명전극 필름의 제조방법 및 이로부터 제조된 나노실버 투명전극 필름에 관한 것이다.

Description

나노실버 투명전극 필름의 제조방법 및 이로부터 제조된 나노실버 투명전극 필름{Method for preparing transparent electrode film with nano silver and the transparent electrode film with nano silver prepared thereby}
본 발명은 제1 기재필름의 상면에 나노실버 에멀젼을 코팅하여 나노실버 전극층을 형성하고, 제2 기재필름의 상면에 광 경화형 전사 코팅액을 코팅하여 고분자 투명 코팅층을 형성한 후, 상기 제1 기재필름과 제2 기재필름의 코팅된 면이 서로 마주 보도록 합지한 다음,
상기 전사 코팅액을 경화하여 합지된 두 필름을 박리시켜 상기 제1 기재필름 상에 형성된 나노실버 전극층이 제2 기재필름 상에 전사되도록 하여 나노실버 투명전극 필름을 제조함으로써, 낮은 표면저항과 헤이즈(Haze), 높은 투과율, 박리력 및 내마모성 특성이 뛰어난 신규의 전사방식 투명전극 필름을 제공할 수 있는, 나노실버 투명전극 필름의 제조방법 및 이로부터 제조된 나노실버 투명전극 필름에 관한 것이다.
나노실버 에멀젼을 활용하여 유연성 기재 필름 위에 코팅을 통해 형성된 투명전극 필름의 경우, 상부에 돌출되어 코팅된 나노실버 전극층의 보호를 위해 추가적으로 보호 코팅을 더 해줘야 하는 문제가 있으며, 이로 인해 투명전극의 저항값이 떨어지는 단점이 있다.
이를 해소하기 위해 별도로 준비된 유연성 기재필름 상에 전사를 위한 고분자 투명 코팅을 실시하고 그 위에 나노실버가 코팅된 다른 기재필름 면을 합지한 후, 전사 코팅액을 경화하여 합지된 두 필름을 박리시키면 기재필름 상에 전사된 신규의 투명전극 필름을 확보할 수 있다.
이렇게 제조된 투명전극 필름의 전극층은 기재필름 상에 돌출되어 있는 요철 형태로 존재하지 않고 전사코팅 층 사이에 위치하게 되어 전사 코팅층의 보호를 받게 되므로 추가적인 보호 코팅 없이 외부의 충격에도 문제없고, 낮은 헤이즈 값을 가지며 안정된 표면저항 특성을 갖는 장점이 있다.
대한민국 등록특허 10-1675201(등록일자 2016.11.04) 대한민국 공개특허 10-2016-0111850(공개일자 2016.09.27) 대한민국 등록특허 10-1913282(등록일자 2018.10.24)
본 발명은 제1 기재필름의 상면에 나노실버 에멀젼을 코팅하여 나노실버 전극층을 형성하고, 제2 기재필름의 상면에 광 경화형 전사 코팅액을 코팅하여 고분자 투명 코팅층을 형성한 후, 상기 제1 기재필름과 제2 기재필름의 코팅된 면이 서로 마주 보도록 합지한 다음,
상기 전사 코팅액을 경화하여 합지된 두 필름을 박리시켜 상기 제1 기재필름 상에 형성된 나노실버 전극층이 제2 기재필름 상에 전사되도록 하여 나노실버 투명전극 필름을 제조함으로써, 낮은 표면저항과 헤이즈(Haze), 높은 투과율, 박리력 및 내마모성 특성이 뛰어난 신규의 전사방식 투명전극 필름을 제공할 수 있는, 나노실버 투명전극 필름의 제조방법 및 이로부터 제조된 나노실버 투명전극 필름을 제공하고자 하는 것을 발명의 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여,
본 발명은 제1 기재필름의 상면에 나노실버 에멀젼을 코팅한 후 경화시켜 나노실버 전극층을 형성하는 단계(S10)와,
제2 기재필름의 상면에 광 경화형 전사 코팅액을 코팅하여 고분자 투명 코팅층을 형성하는 단계(S20)와,
상기 제1 기재필름과 제2 기재필름의 코팅된 면이 서로 마주 보도록 합지하는 단계(S30)와,
상기 합지된 상태의 제1 기재필름과 제2 기재필름을 광 경화 처리하는 단계(S40)와,
상기 제1 기재필름과 제2 기재필름을 박리시키는 단계(S50)를 포함하여,
상기 제1 기재필름의 나노실버 전극층이 상기 고분자 투명 코팅층과 고분자 투명 코팅층 사이에 전사되어, 상기 나노실버 전극층과 고분자 투명 코팅층이 이루는 면이 평면을 이루도록 투명전극 필름이 제조되는 것을 특징으로 하는 나노실버 투명전극 필름의 제조방법을 제공한다.
또한 상기 제조방법을 통해 제조되어, 낮은 표면저항과 헤이즈(Haze), 높은 투과율, 박리력 및 내마모성 특성이 뛰어난 신규의 전사방식 투명전극 필름을 제공한다.
본 발명에서 제시되는 나노실버 투명전극 필름의 제조방법을 통해, 낮은 표면저항과 헤이즈(Haze), 높은 투과율, 박리력 및 내마모성 특성이 뛰어난 전사방식 나노실버 투명전극 필름을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 나노실버 투명전극 필름 제조방법에 따른 전체 공정도.
도 2는 본 발명의 제1 기재필름과 제2 기재필름을 이용한 나노실버 투명전극 필름의 제조과정을 도시한 도면.
도 3은 몰드로 사용된 전사 후 투명전극 필름(a)과 전사 전극 필름(b)의 이미지.
이하, 본 발명에 따른 기술 구성에 대한 구체적인 내용을 도면과 함께 살펴보도록 한다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이,
본 발명에 따른 나노실버 투명전극 필름 제조방법은,
제1 기재필름(10)의 상면에 나노실버 에멀젼을 코팅한 후 경화시켜 나노실버 전극층(101)을 형성하는 단계(S10)와,
제2 기재필름(20)의 상면에 광 경화형 전사 코팅액을 코팅하여 고분자 투명 코팅층(201)을 형성하는 단계(S20)와,
상기 제1 기재필름(10)과 제2 기재필름(20)의 코팅된 면이 서로 마주 보도록 합지하는 단계(S30)와,
상기 합지된 상태의 제1 기재필름(10)과 제2 기재필름(20)을 광 경화 처리하는 단계(S40)와,
상기 제1 기재필름(10)과 제2 기재필름(20)을 박리시키는 단계(S50)를 포함하여,
상기 제1 기재필름(10)의 나노실버 전극층(101)이 상기 고분자 투명 코팅층(201)과 고분자 투명 코팅층(201) 사이에 전사되어, 상기 나노실버 전극층(101)과 고분자 투명 코팅층(201)이 이루는 면이 평면을 이루도록 투명전극 필름(1)이 제조되는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 기재필름의 상면에 코팅되는 나노실버 에멀젼은 최종 제품의 광학적, 전기적 특성에 맞도록 배합을 조정하여 제조된 코팅액을 사용한다. 특히, 광 투과율 및 헤이즈 특성, 표면저항 특성을 고려한 배합이 필요하며 하기와 같은 기본 배합을 전제로 최종 제품의 물성에 맞게 제조한다.
더욱 상세하게는,
나노실버 40.0 ~ 59.8 wt%와,
바인더 및 촉매 0.1 ~ 3.0 wt%와,
분산성 및 습윤성 증가 기능의 첨가제 0.1 ~ 5.0 wt%와,
수 분산액 40.0 ~ 59.8 wt%로 구성된 것을 사용한다.
상기 나노실버의 입자 크기는 1 ~ 500 nm 범위를 갖는다.
이때 에멀젼의 저장 안정성 확보 및 표면저항 특성 확보를 위해 2종 이상의 크기를 가지는 나노실버를 함께 분산하여 사용할 수 있다.
상기 바인더 및 촉매는 나노실버의 부착성 확보를 위해 필요하며, 바인더와 촉매의 적용 배합비율은 중량비 기준으로 1 : 0.５~ 1.5이다.
나노실버의 함량 대비 바인더 및 촉매 사용량이 0.1 wt% 미만으로 적은 경우에는 유리한 표면저항을 구현할 수는 있으나 기재필름과의 부착성이 나오지 않는 문제가 발생하게 되며, 3.0 wt%를 초과하는 조건에서는 좋은 부착성을 구현할 수는 있으나 원하는 표면저항을 구현하지 못하고, 경화 이후 전사 공정에서 원활한 박리 특성을 구현할 수 없는 문제가 발생할 수 있다.
상기 바인더의 구체적인 예로는, 멜라닌 가교제(cross-linker)와 아민으로 치환된 톨루엔 설포닉산(Amine blocked toluene sulfonic acid)의 혼합물로서, 상기 멜라닌 가교제(cross-linker)는 헥사메톡시메틸멜라닌(Hexa methoxymethyl melamine)이고, 상기 아민으로 치환된 톨루엔 설포닉산(Amine blocked toluene sulfonic acid)은 P-톨루엔설포닉산(p-toluenesulfonic acid; PTSA), 도데실벤젠설포닉산(dodecyl benzene sulfonic acid; DDBSA) 또는 디노닐나프탈렌디설포닉산(dinonyl naphthalene disulfonic acid, DNNDSA) 중 선택되는 어느 1종 이상인 것을 사용한다.
상기 첨가제는 나노실버의 분산 안전성 및 습윤성 증가를 위한 첨가제로서,
구체적인 예로는, 실리콘 폴리에테르 글라이콜 블록 폴리머 또는 아미노-부탄올(amino-butanol) 중 선택되는 어느 1종 또는 2종인 것을 사용한다.
상기 실리콘 폴리에테르 글라이콜 블록 폴리머는 옥타메틸사이클로테트라실록산(octamethylcyclotetrasiloxane) 또는 데카메틸사이클로펜타실록산(decamethylcyclopenta siloxane)이며, 상기 아미노-부탄올(amino-butanol)은 2-아미노-1-부탄올(2-amino-1- butanol), 1-아미노-2-부탄올(1-amino-2-butanol), 4-아미노-1-부탄올(4-amino-1-butanol), 2-아미노-3-메틸-1-부탄올(2-amino-3-methyl-1-butanol) 또는 2-아미노-2-에틸-1,3-프로판다이올(2-amino-2-ethyl-1,3-propanediol) 중 선택되는 어느 1종 이상인 것을 사용한다.
상기 수분산액의 구체적인 예로는, 폴리에테르 실록산(polyethersiloxane)과 증류수를 혼합하여 조성된 것을 사용한다.
상기 성분 구성 및 배합비를 통해 제조된 나노실버 에멀젼은 원활한 성능 확보 및 전사 특성 구현을 위해 경화 후 기준으로 1 ~ 10 ㎛ 이내의 적절한 코팅 두께를 갖도록 코팅해 주어야 한다.
상기 코팅 두께가 1 ㎛ 미만인 경우는 광학 특성의 구현에는 유리하나 원하는 표면저항의 확보가 어려우며, 전사시켰을 때에도 원하는 표면저항 특성 구현이 되지 않는 문제가 있으며, 10 ㎛를 초과하게 되는 경우에는 표면저항 확보에는 유리하나 광학 특성의 구현이 원활하지 않으며, 전사 시에도 필요 이상의 전사 코팅 두께를 구현해야 하는 문제가 발생하게 된다.
상기 성분 구성 및 배합비를 통해 제조된 나노실버 에멀젼은 제1 기재필름에 코팅 후에 상온 ~ 100 ℃ 조건에서 1 ~ 10 분간의 열 건조를 통해 용매를 건조시키고, 150 ℃ 조건에서 1 ~ 5 분간 열 경화한다.
이때 원활한 전사 및 박리 특성의 구현을 위해서는 열 경화 시간의 조절을 통해 나노실버 에멀젼의 경화도를 30 ~ 70 % 수준으로 맞춰준다.
상기 나노실버 에멀젼의 경화도가 30 % 미만인 경우에는 에멀젼 층의 부착성이 나빠져 취급상 쉽게 묻어나오는 등의 문제가 발생하게 되며, 70 %를 초과하게 되는 경우에는 전사 공정 시에 박리 특성이 나빠지는 문제가 나타날 수 있다.
상기 제2 기재필름 상에 코팅하여 고분자 투명 코팅층을 형성하는 전사 코팅액의 경우, 전사 공정에서 제2 기재필름과의 부착성 및 제1 코팅 기재에서의 전사 및 박리 특성을 고려하여 광 경화형의 아크릴레이트 수지 배합을 적용한다.
제1 기재필름 상에 코팅된 나노실버 전극층에 대한 전사특성을 가지기 위해서는 배합되는 아크릴레이트의 경화 수축율 및 나노실버와의 부착특성을 고려하여야 하며, 이를 위해 실란 커플링제를 사용할 수 있다.
상기 실란 커플링제의 사용은 S50 단계의 경화 후 박리 특성을 저해하지 않는 선에서 아크릴레이트 함량의 0.1 ~ 3.0 wt% 이내의 함량으로 적용하는 것이 바람직하다. 만약 실란 커플링제의 함량이 0.1 wt% 미만이라면 나노실버와의 부착성 확보가 부족하여 원하는 전사 특성을 확보하기 어렵고, 3.0 wt%를 초과하는 경우라면 전사 후, 박리 특성 구현이 되지 않는 문제가 발생할 수 있다.
이렇게 제조된 전사 코팅액은 제1 기재필름 상의 나노실버 전극층에 대한 원활한 전사 공정을 위해 경화 후 기준으로 5 ~ 20 ㎛ 이내의 적절한 코팅 두께를 갖도록 코팅해 주어야 한다.
상기 코팅 두께가 5 ㎛ 미만인 경우, 제1 기재필름 상의 나노실버 전극층과의 간섭이 발생하여 원활한 전사 및 박리 특성이 구현되지 못하는 문제가 있으며, 20 ㎛를 초과하게 되는 경우에는 코팅층의 수축으로 인한 제2 기재필름의 변형이 발생할 수 있으며, 비경제적이라는 문제가 있다.
상기 제2 기재필름 상에 코팅된 전사 코팅액은 제1 기재필름과의 합지를 통해 광 경화를 시키게 되는데, 이때 광량은 일반적인 광 경화 기준을 따르게 되며 예컨대 100 ~ 1,000 mJ/㎠의 광량일 수 있다.
상기 광량이 100 mJ/㎠ 미만이라면, 제대로된 경화가 발생하지 않아 전사 및 박리 특성이 구현되지 않는 문제가 발생하며, 1,000 mJ/㎠를 초과하는 광량이라면, 과도한 에너지로 인해 코팅층이 노화가 발생할 수 있고, 박리 특성도 나빠지는 문제가 발생할 수 있다.
상기 제1 기재필름 및 제2 기재필름은 투명성과 유연성을 가지는 Polyimide film, Polyethylene terephthalate film, Polycarbonate film을 포함하는 고분자 필름 또는 유리기판 중 선택되는 것을 사용하며, 최종 적용제품에 따라 제1 기재필름과 제2 기재필름은 같거나 다른 기재필름을 적용할 수 있다.
상기 나노실버 투명전극 필름 제조에 있어, 제1 기재필름과 제2 기재필름 간의 원활한 박리를 위하여 다음의 처리를 한다.
첫째. 나노실버 코팅층을 형성하는 나노실버 에멀젼의 경화도를 낮춘다.
둘째. 경화된 나노실버 코팅층에 강한 에너지를 조사하여 전극층 표면의 활성도를 낮추거나 또는 없애 준다.
셋째. 상기 첫째 및 둘째 과정을 함께 처리한다.
더욱 상세하게는,
상기 S10 단계의 나노실버 에멀젼 경화도를 일반적인 열 경화 조건인 95 % 이상에서 30 ~ 70 % 까지 낮추거나,
상기 S10 단계의 경화된 나노실버 전극층(101)에 자외선(UV) 파장의 광 또는 적외선(IR) 파장의 광을 10 ~ 50 J/㎠ 강도로 강하게 조사하여 상기 나노실버 전극층(101) 표면의 활성도를 떨어뜨리거나,
또는
상기 S10 단계의 나노실버 에멀젼 경화도를 30 ~ 70 % 까지 낮춘 후 경화시켜 형성된 나노실버 전극층(101)에 자외선(UV) 파장의 광 또는 적외선(IR) 파장의 광을 10 ~ 50 J/㎠ 강도로 강하게 조사하여 상기 나노실버 전극층(101) 표면의 활성도를 떨어뜨린다.
도 3은 상기 방법으로 전사된 후의 투명전극 필름(제1 기재필름)과 전사 전극 필름(제2 기재필름)의 표면 이미지를 나타낸 것이다.
전사 후 투명전극 필름에는 나노실버 전극 코팅층이 제2 기재필름 상의 전사 코팅층으로 전사되어 전극층 라인이 불규칙적으로 끊어져 보이며, 제1 기재필름 상의 전극층을 전사시킨 전사 전극필름에는 제2 기재필름 상에서 전사된 전극층이 뚜렷하게 존재하는 것을 확인할 수 있다.
이하, 실시예를 통해 본 발명에 대한 기술 구성을 좀 더 구체적으로 살펴보도록 한다.
125 미크론 두께의 PET Film 상에 나노실버 에멀젼을 코팅하여 경화시킴으로써 전사를 위한 나노실버 전극층을 가지는 몰드 필름을 만들고, 별도의 188 미크론 두께의 PET Film 상에 광 경화형 아크릴레이트 전사 코팅액을 도포한 후, 상기 몰드의 나노실버 전극 층 면을 상기 전사 코팅액 층에 합지한 후, 광 경화를 시키고 이후에 박리공정을 통해 나노실버 전극층이 전사된 투명전극 필름을 제조한다.
상기 실시예 1과 동일한 과정을 거쳐 제조하되, 몰드의 나노실버 에멀젼 층의 경화도를 70 %로 낮춰 몰드용 투명전극 필름을 제조한다.
상기 실시예 1과 동일한 과정을 거쳐 제조하되, 몰드의 나노실버 전극 코팅층 면에 자외선(UV) 파장의 광을 50 J/㎠로 조사하여 전극층의 표면 활성도를 떨어뜨려 투명전극 필름을 제조한다.
상기 실시예 1과 동일한 과정을 거쳐 제조하되, 나노실버 에멀젼 층의 경화도를 70 %를 낮춘 후, 몰드의 나노실버 전극 코팅층 면에 자외선(UV) 파장의 광을 50 J/㎠로 조사하여 전극층의 표면 활성도를 떨어뜨려 투명전극 필름을 제조한다.
[비교예 1]
PET Film 상에 나노실버 에멀젼을 코팅하여 경화시키고, 이렇게 만들어진 투명전극 필름의 전극층 상부에 별도의 광 경화형 투명 보호 코팅 처리하여 전극층을 보호하는 방법으로 투명전극 필름을 제조한다.
상기 실시예 1 내지 4와, 비교예 1에 따라 제조된 투명전극 필름의 표면저항과 투과율, 헤이즈 및 내마모성에 대한 평가 결과를 살펴보면 다음과 같다.
1. 투과율/헤이즈(Haze)
Nippon Denshoku사의 NDH-5000 Hazemeter를 이용하여 5회 반복 측정 후 평균값을 취한다.
2. 표면저항
Loresta사의 MCP-T610, 4프로브 표면저항 측정기를 이용하여 5회 반복 측정 후 평균값을 취한다.
3. 박리력
합지 후, 경화한 두 필름을 수동으로 벌려서 떨어뜨린 후, 전사된 전극층의 표면저항 측정 및 박리 강도의 정도를 구분하여 확인한다.
4. 내마모성
지우개를 이용하여 약 1kg의 압력으로 5회 문지른 다음, 전사된 전극필름의 외관 및 표면저항 변화를 확인한다.
구분 실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 비교예 1
TT(%) 78 85 87 87 85
Haze(%) 5.0 2.3 2.1 2.0 3.0
표면저항
(Ω/□)
2000
150
120
50
50
박리력 × ○ ○ ◎ -
내마모성 △ ○ ○ ◎ ×
본 발명은 제1 기재필름의 상면에 나노실버 에멀젼을 코팅하여 나노실버 전극층을 형성하고, 제2 기재필름의 상면에 광 경화형 전사 코팅액을 코팅하여 고분자 투명 코팅층을 형성한 후, 상기 제1 기재필름과 제2 기재필름의 코팅된 면이 서로 마주 보도록 합지한 다음, 전사 코팅액을 경화하여 합지된 두 필름을 박리시켜 상기 나노실버 전극층이 제2 기재필름 상에 전사되도록 하여 나노실버 투명전극 필름을 제조함으로써, 낮은 표면저항과 헤이즈(Haze), 높은 투과율, 박리력 및 내마모성 특성이 뛰어난 신규의 전사방식 투명전극 필름을 제공할 수 있는, 나노실버 투명전극 필름을 제공할 수 있어 산업상 이용 가능성이 크다.
10 : 제1 기재필름 20 : 제2 기재필름
101: 나노실버 전극층 201: 고분자 투명 코팅층

Claims (12)

  1. 제1 기재필름(10)의 상면에
    나노실버 40.0 ~ 59.8 wt%와, 바인더 및 촉매 0.1 ~ 3.0 wt%와, 분산성 및 습윤성 증가의 첨가제 0.1 ~ 5.0 wt%와, 수 분산액 40.0 ~ 59.8 wt%로 구성된 나노실버 에멀젼을 코팅하되, 경화 후 기준으로 1 ~ 10 ㎛의 코팅 두께를 갖도록 코팅한 후, 상온 ~ 100 ℃ 조건에서 1 ~ 10 분간의 열 건조를 통해 용매를 건조 시키고, 30 ~ 70 %의 경화도를 갖도록 150 ℃ 조건에서 1 ~ 5 분간 열 경화 처리하여 기재필름 상에 돌출되어 있는 요철형태를 이루는 나노실버 전극층(101)을 형성하는 단계(S10)와,

    제2 기재필름(20)의 상면에
    아크릴레이트 함량의 97.0 ~ 99.9 wt%와, 실란 커플링제 0.1 ~ 3.0 wt%로 구성된광 경화형 아크릴레이트 투명 전사 코팅액을 코팅하되, 경화 후 기준으로 5 ~ 20 ㎛의 코팅 두께를 갖도록 코팅하여 고분자 투명 코팅층(201)을 형성하는 단계(S20)와,

    상기 제1 기재필름(10)과 제2 기재필름(20)의 코팅된 면이 서로 마주 보도록 합지하여 상기 요철형태를 이루는 나노실버 전극층(101)이 고분자 투명 코팅층(201) 사이에 위치하도록 형성하는 단계(S30)와,

    상기 합지된 상태의 제1 기재필름(10)과 제2 기재필름(20)을 100 ~ 1,000 mJ/㎠의 세기로 광 경화 처리하는 단계(S40)와,

    상기 코팅된 면이 서로 합지되어 경화된 제1 기재필름(10)과 제2 기재필름(20)을 박리시키는 단계(S50)를 포함하여,

    상기 제1 기재필름(10)의 나노실버 전극층(101)이 상기 고분자 투명 코팅층(201)과 고분자 투명 코팅층(201) 사이에 전사되어, 상기 나노실버 전극층(101)과 고분자 투명 코팅층(201)이 이루는 면이 평면을 이루도록 투명전극 필름(1)이 제조되는 것을 특징으로 하는 나노실버 투명전극 필름의 제조방법.
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  7. 청구항 1에 있어서,
    나노실버 전극층(101)은 자외선(UV) 파장의 광 또는 적외선(IR) 파장의 광을 10 ~ 50 J/㎠ 강도로 강하게 조사하여 전극층 표면의 활성도를 떨어뜨린 것을 특징으로 하는 나노실버 투명전극 필름 제조방법.
  8. 청구항 1에 있어서,
    나노실버 전극층(101)은 경화도를 30 ~ 70 %로 낮춘 나노실버 에멀젼을 코팅하고 경화시켜 전극층을 형성한 후, 상기 전극층에 자외선(UV) 파장의 광 또는 적외선(IR) 파장의 광을 10 ~ 50 J/㎠ 강도로 강하게 조사하여 전극층 표면의 활성도를 떨어뜨린 것을 특징으로 하는 나노실버 투명전극 필름 제조방법.
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