CN114171257A - 一种柔性透明电极及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种柔性透明电极及其制备方法,包括热压反揭的导电聚合物、嵌入其中的金属网格及聚合物柔性衬底。本发明能够实现制备工艺简单可扩展,制备成本低廉的柔性透明电极。该柔性透明电极具有优良的导电能力、透过性能、机械稳定性和环境稳定性。本发明所得到的复合透明电极表面粗糙度极低,可以提升有机电致发光二极管的效率和可挠性,达到实用化的要求。
Description
技术领域
本发明属于柔性光电子器件技术领域,具体涉及一种柔性透明电极及其制备方法。
背景技术
柔性有机发光二极管(OLED)近年来由于其高亮度、低消耗、广视角、高灵活性等优点,近年来开始蓬勃发展。柔性透明电极是柔性OLED的关键组成部分,其担负着载流子(电子或空穴)注入和器件基底的作用,需要具有优良的导电性和透光性、平整的表面、优良的机械稳定性和环境稳定性。目前应用最广泛的柔性透明电极是氧化铟锡(ITO),它具有透射率和电导率高、膜性能均匀、表面粗糙度低等优点。
但是ITO自身固有的缺陷严重显著了其在柔性发光器件领域的应用。1)In是稀缺资源,原材料的不断消耗,导致全球铟的供应日趋紧张及ITO成本的逐渐升高。2)ITO导电膜的沉积工艺通常需要较高的工艺温度(150~300℃)。然而,高温退火不适于耐热性差的柔性聚合物衬底。低的衬底温度和高的沉积速率会降低Sn掺杂剂的活性,导致在柔性聚合物衬底上沉积的ITO的微观结构存在缺陷。整体上,ITO复杂苛刻的生产工艺无法与柔性聚合物衬底兼容,其脆性、日益升高的成本及化学不稳定性均不适于未来柔性光电产品的发展。为了满足柔性光电器件的发展需求,开发新型的柔性透明电极以取代ITO是柔性光电子产业发展的重要方向。
近年来,微米/亚微米尺度金属网格在柔性透明电极领域得到了越来越广泛的应用。由于金属材料导电能力强的特点,微米/亚微米尺度金属网格特变适用于大面积、低成本、高导电能力柔性透明电极的构筑。粗糙度大和导电层附着力差是金属网格柔性透明电极在光电子器件应用中面临的两个关键问题。通常的金属网格多浮凸于柔性衬底表面。一方面,金属网格结构在柔性衬底表面剧烈的结构起伏通常使电极表面的粗糙度显著增大。在光电器件应用中,高粗糙度容易导致光电器件短路失效,显著降低器件的效率和稳定性。另一方面,浮凸结构金属网格与表面的粘附力较弱,在柔性器件机械变形过程中容易脱落失效,降低了器件的机械稳定性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足,提供一种柔性透明电极及其制备方法,具有优良的导电能力、透过性能、机械稳定性和环境稳定性。该制备方法具有加工成本低、可实现大面积制备等特点。
本发明采用以下技术方案:
本发明的另一技术方案是,
与现有技术相比,本发明至少具有以下有益效果:
本发明一种柔性透明电极的制备方法,因为金属材料电导率高、耐变形能力强,并且微米级网格结构对可见光波段透过率高,所以金属网络成为了优秀的柔性透明电极材料。本发明提出的热压反揭导电聚合物工艺一方面可在金属网络表面制备极其平整的缓冲层,另一方面热压也会使金属网络嵌入聚合物衬底,改善其表面起伏。在两种效应的共同作用下,本发明得到了表面平整、机械稳定性高、导电性高、透光性高的导电聚合物与金属网络复合柔性透明电极。将其应用与柔性光电器件,如有机电致发光二极管,可显著降低器件制备中短路点出现的可能,提升器件的效率。
进一步的,在100~120℃,10~20min退火可以有效去除导电聚合物薄膜中液相成分,并且不会损害导电聚合物导电能力。
进一步的,热压处理的温度为140~160℃,压强为10~15MPa,时间为45~90min条件下,衬底聚合物可发生良好的塑性变形,从金属网络空隙中挤出,充分与导电聚合物接触,使二者产生良好的结合力,通过二者间较强的结合,成功将导电聚合物揭下。
进一步的,聚合物衬底为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜或聚酰亚胺薄膜具有可见光透过率高,耐弯折变形能力好,在高温作用下塑性变形能力强的特点,便于作为透明电极衬底,并且利于从金属网络中热压挤出,实现与导电聚合物的良好接触。。
进一步的,所制备金属材料,导电能力强,制备成网络后在保证可见光透过良好的同时,方阻极低,并且耐变形能力优越。
进一步的,所选导电聚合物具有良好的可见光透过能力,并且成膜能力良好,成膜质量高,可对金属网络实现良好的覆盖与保护,增强整体平整性。
进一步的,旋涂的速度为500~800rpm,时间为30~60s,可制备厚度合适,薄膜质量均一的导电聚合物薄膜,厚度合适,保证了薄膜对与可见光良好的透过,而均一的薄膜质量保证了后续热压过程薄膜受力均匀,有利于薄膜顺利反揭。
一种柔性透明电极,其金属网络在微米级,具有良好的电流传输能力,通过热压反揭导电聚合物,将金属网络嵌入聚合物衬底,并将导电聚合物覆盖其上,使电极表面起伏和粗糙度极低,有利于后续高效器件制备,并极大的提升了网络对于衬底的粘附性。
进一步的,通过可见光透过率、方阻、表面均方粗糙度测试,所得电极透过率为80%~95%,方阻为0.1~2Ω/sq,表面均方粗糙度为2.0~2.5nm。透过率为80%~95%保证了光电器件良好的出光效果,方阻0.1~2Ω/sq保证了电极对于电流极佳的传输能力,降低了载流子传输的能量损失,表面均方粗糙度2.0~2.5nm,表明电极表面起伏极低,这使得电极短路点很少,有效降低了器件漏电流损失,为制备高效器件奠定了基础。
综上所述,本发明通过制备金属网络以及热压反揭导电聚合物的方式,制备了一种良好可见光透过、良好电流传输能力以及表面粗糙度极低的透明电极薄膜,为实现高效柔性光电器件奠定了基础。
下面通过附图和实施例,对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为导电聚合物反揭到随机金属网格表面制备柔性透明电极示意图;
图2为导电聚合物和随机金属网格柔性透明电极实物照片;
图3为导电聚合物和随机金属网格柔性透明电极表面AFM扫面结果其中,(a)为2-D测试结果,(b)为3-D测试结果;
图4为导电聚合物和随机金属网格柔性透明电极和商用柔性ITO电极耐弯折性测试的结果图,其中,(a)为凸弯折,(b)为凹弯折;
图5为导电聚合物和随机金属网格柔性透明电极制备OLED实物照片。
图6为导电聚合物和随机金属网格柔性透明电极和商用柔性ITO电极制备OLED结果其中,(a)为电流密度-电压曲线,(b)为亮度-电压曲线,(c)为电流效率曲线,(d)为功率效率曲线。
具体实施方式
下面将对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明中,如果没有特别的说明,本文所提到的所有实施方式以及优选实施方法可以相互组合形成新的技术方案。
本发明中,如果没有特别的说明,本文所提到的所有技术特征以及优选特征可以相互组合形成新的技术方案。
本发明中,如果没有特别的说明,百分数(%)或者份指的是相对于组合物的重量百分数或重量份。
本发明中,如果没有特别的说明,所涉及的各组分或其优选组分可以相互组合形成新的技术方案。
本发明中,除非有其他说明,数值范围“a~b”表示a到b之间的任意实数组合的缩略表示,其中a和b都是实数。例如数值范围“6~22”表示本文中已经全部列出了“6~22”之间的全部实数,“6~22”只是这些数值组合的缩略表示。
本发明所公开的“范围”以下限和上限的形式,可以分别为一个或多个下限,和一个或多个上限。
本发明中,本文中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合,并且包括这些组合。
本发明中,除非另有说明,各个反应或操作步骤可以顺序进行,也可以按照顺序进行。优选地,本文中的反应方法是顺序进行的。
除非另有说明,本文中所用的专业与科学术语与本领域熟练人员所熟悉的意义相同。此外,任何与所记载内容相似或均等的方法或材料也可应用于本发明中。
请参阅图1,本发明提供了一种柔性透明电极,包括导电聚合物、金属网格和聚合物衬底。
金属网格为微米级,设置在聚合物衬底上,在金属网格上利用热压反揭法制备得到透明的导电聚合物,得到金属网格嵌入聚合物衬底的结构并被导电聚合物覆盖,制备的柔性透明电极在350~800nm的可见光区内的透过率为80%~95%,方阻为0.1~2Ω/sq,表面均方粗糙度为2.0~2.5nm。
热压反揭法具体为:
在玻璃衬底上涂布厚度为50~100nm的导电聚合物,在100~120℃条件下干燥10~20分钟,使透明导电聚合物膜干燥;然后将附着于聚合物衬底表面的金属网格覆盖在制备的导电聚合物表面,使金属网格与导电聚合物接触;采用热压工艺将金属网格和导电聚合物压合,使导电聚合物与金属网格紧密贴合,从玻璃衬底表面反揭到金属网格表面,得到柔性透明电极。
热压工艺的温度为120~160℃,压强为10~15MPa,时间为45~90min。
金属网格材料为Ag,Cu,Au,Al的单体或合金的一种。
聚合物衬底为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜、聚酰亚胺(PI)薄膜一种。
导电聚合物为PEDOT:PSS,型号为PH1000,PH500,4083。
以微米级随机金属网格和导电聚合物为基础,具有微米级结构远大于可见光波段波长,使其在整个可见光波段都具有稳定的透过率,同时金属网格本身超高的导电能力已给予所制备的透明电极极小的方阻。金属网格嵌入聚合物衬底的结构并被导电聚合物覆盖,导电聚合物表面形貌继承玻璃衬底,极低的降低电极表面粗糙度,极大的降低了所制备的光电子器件短路失效的风险,并且可以增加金属网格在聚合物衬底的结合力,防止在弯折变形过程中剥离失效。
本发明一种柔性透明电极的制备方法,包括以下步骤:
S1、采用丙酮、乙醇和去离子水清洗衬底聚合物衬底和玻璃衬底;
S2、在聚合物衬底表面制备金属网格电极;
制备方法包括但不限于:激光直写、喷墨打印、滚筒印刷、掩膜和金属沉积技术。
S3、在玻璃衬底表面旋涂或刮涂导电聚合物,在120℃退火10min得到厚度50~100nm的导电聚合物薄膜;
S4、将步骤S2制备的金属网格电极覆盖在步骤S3制备的导电聚合物薄膜上,金属网格与导电聚合物接触,利用平板硫化机,通过玻璃热压附着金属网格的聚合物衬底,热压温度140~160℃,压强10~15MPa,热压时间45~90min;
S5、热压结束后,导电聚合物被反揭到金属网格表面,形成上至下依次为导电聚合物、金属网格和聚合物衬底的透明电极。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中的描述和所示的本发明实施例的组件可以通过各种不同的配置来布置和设计。因此,以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围,而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1
基于PEDOT:PSS和随机Ag网格透明电极制备高效柔性发光器件
在PET衬底上制作随机金属网格,用150w的超声波清洗机在乙醇中清洗15分钟,然后用去离子水清洗1分钟;
用Mayer棒将丙烯酸树脂刮涂在PET衬底上;湿丙烯酸树脂的厚度为25μm,由Mayer棒的螺距控制;
然后在25℃和25%的相对湿度条件下,将带有湿丙烯酸树脂薄膜的衬底干燥6小时,同时在涂层上自发形成裂纹图案;
通过电阻加热蒸镀将Ag沉积在裂纹模板上,蒸发速率为0.1nm/s,Ag的最终厚度为100nm;
之后将薄膜浸入三氯甲烷5分钟以溶解丙烯酸树脂,在PET衬底上留下Ag随机金属网格。
PEDOT:PSS的转移
PEDOT:PSS经过12小时的超声分散后,在玻璃衬底上以800rpm旋涂60秒,并在120℃下退火10分钟制备成薄膜;
PET上的Ag网格覆盖在PEDOT:PSS薄膜上在160℃,12.5Mpa下热压45分钟,取出冷却后,PEDOT:PSS薄膜转移到随机金属网格表面,制成柔性透明电极,热压反揭PEDOT:PSS和Ag网格复合透明电极结构如图1所示。
制备后的柔性透明电极方阻为10.5Ω/sq,透过率为82.5%,展现了良好的导电能力和可见光透过能力实物照片如图2所示。
利用原子力显微镜(AFM)对所制备的PEDOT:PSS和随机Ag网格透明电极表面形貌进行了测试,结果如图3所示。可以明显看出,电极表面极为平整,表面均方粗糙度只有2.5nm。
利用弯折寿命测试测试制备PEDOT:PSS和随机Ag网格复合透明电极和目前市场上常见的同衬底厚度柔性ITO电极的耐弯折变形能力,弯折曲率半径为3mm,弯折频率为1Hz,弯折次数为10000次,结果如图4所示,其中图4(a)所示为金属一侧凸向弯折,图4(b)所示为金属一侧凹向弯折。从结果可以看出无论是在凸向变形,还是凹向变形中,所制备PEDOT:PSS和随机Ag网格复合透明电极的方阻随弯折次数增加都很小,展现出良好的耐弯折变形能力,而目前商用柔性ITO在经历10000次弯折后则出现了较大的方阻增加,体现了其不耐弯折的特点。
针对PEDOT:PSS和随机Ag网格复合透明电极具有极高平整度和耐弯折能力的特点,利用其制备柔性OLED,器件结构自下而上依次为:透明电极,5nm厚HAT-CN空穴注入层,45nm厚NPB空穴传输层,20nm厚CBP掺杂7%Ir(ppy)2(acac)作为发射层,45nm厚TPBi电子传输层,120nm厚度LiF/Al阴极。
所制备器件展现了绝佳的柔性和发光能力,柔性OLED实物照片如图5所示,可以看出器件在对折后依然可以稳定工作,展现了良好的耐弯折能力。
将所制备PEDOT:PSS和随机Ag网格复合透明电极基柔性OLED与相同衬底厚度商用柔性ITO电极所制备的同结构柔性OLED进行对比,商用ITO方阻为15.5Ω/sq,透过率为83.0%,二者器件结果如图6所示。可以看出PEDOT:PSS和随机Ag网格复合透明电极所制备器件具有更高的电流效率和功率效率,展现了更好的器件结果,这一点是由其平整表面导致的极低的短路电流和更高的光耦合输出效率所致。
实施例2
基于PEDOT:PSS和规则Cu网格透明电极
在PET衬底上制作规则正方形金属网格;
用150w的超声波清洗机在乙醇中清洗15分钟,然后用去离子水清洗1分钟;
将光刻胶(正胶)旋涂其上,通过规则图形掩膜进行曝光,随后利用显影液去除曝光后的光刻胶,得到良好的规则图形模板,所选规则图形为正方形网格,线宽为1μm,线距为200μm;
通过电子束蒸镀将Cu沉积在模板上,蒸发速率为0.1nm/s,Cu的最终厚度为1μm;
之后将薄膜浸入丙酮5分钟以溶解光刻胶,在PET衬底上留下Cu规则金属网格;
PEDOT:PSS的转移;
PEDOT:PSS经过12小时的超声分散后,在玻璃衬底上以800rpm旋涂60秒,并在120℃下退火10分钟制备成薄膜,PET上的Cu网格覆盖在PEDOT:PSS薄膜上在160℃,10Mpa下热压45分钟。
取出冷却后,PEDOT:PSS薄膜转移到金属网格表面,制成柔性透明电极,制备后的柔性透明电极方阻为0.1Ω/sq,透过率为95%,展现了良好的导电能力和可见光透过能力。
利用原子力显微镜(AFM)对所制备的PEDOT:PSS和Cu网格透明电极表面形貌进行了测试,电极表面极为平整,均方粗糙度只有2.5nm。
利用弯折寿命测试测试了所制备PEDOT:PSS和Cu网格透明电极和目前市场上常见的同衬底厚度柔性ITO电极的耐弯折变形能力,弯折曲率半径为3mm,弯折频率为1Hz,弯折次数为10000次,无论是在凸向变形,还是凹向变形中,所制备PEDOT:PSS和Cu网格透明电极的方阻随弯折次数增加都很小,展现出良好的耐弯折变形能力,而目前商用柔性ITO在经历10000次弯折后则出现了较大的方阻增加,体现了其不耐弯折的特点。
实施例3基于PEDOT:PSS和规则六边形Au网格透明电极
在PET衬底上制作金属网格;
用150w的超声波清洗机在乙醇中清洗15分钟,然后用去离子水清洗1分钟;
将光刻胶(正胶)旋涂其上,通过规则图形掩膜进行曝光,随后利用显影液去除曝光后的光刻胶,得到良好的规则图形模板,所选规则图形为六边形,线宽为1μm,六边形边长为200μm;
通过电子束蒸镀将Au沉积在模板上,蒸发速率为0.1nm/s,Au的最终厚度为1μm;
之后将薄膜浸入丙酮5分钟以溶解光刻胶,在PET衬底上留下Au规则金属网格;
PEDOT:PSS的转移;
PEDOT:PSS经过12小时的超声分散后,在玻璃衬底上以500rpm旋涂30秒,并在100℃下退火20分钟制备成薄膜,PET上的Ag网格覆盖在PEDOT:PSS薄膜上在160℃,10Mpa下热压45分钟。
取出冷却后,PEDOT:PSS薄膜转移到金属网格表面,制成柔性透明电极,制备后的柔性透明电极方阻为0.1Ω/sq,透过率为88%,展现了良好的导电能力和可见光透过能力。
利用原子力显微镜(AFM)对所制备的PEDOT:PSS和Au网格透明电极表面形貌进行了测试,电极表面极为平整,均方粗糙度只有2.0nm。
利用弯折寿命测试测试了所制备PEDOT:PSS和Au网格透明电极和目前市场上常见的同衬底厚度柔性ITO电极的耐弯折变形能力,弯折曲率半径为3mm,弯折频率为1Hz,弯折次数为10000次,无论是在凸向变形,还是凹向变形中,所制备PEDOT:PSS和Au网格透明电极的方阻随弯折次数增加都很小,展现出良好的耐弯折变形能力,而目前商用柔性ITO在经历10000次弯折后则出现了较大的方阻增加,体现了其不耐弯折的特点。
实施例4
基于PEDOT:PSS和规则Al网格透明电极在PI衬底上制作规则Al金属网格;
用150w的超声波清洗机在乙醇中清洗15分钟,然后用去离子水清洗1分钟;
将光刻胶(正胶)旋涂其上,通过规则图形掩膜进行曝光,随后利用显影液去除曝光后的光刻胶,得到良好的规则图形模板,所选规则图形为正方形网格,线宽为1μm,线距为200μm;
通过电子束蒸镀将Cu沉积在模板上,蒸发速率为0.1nm/s,Al的最终厚度为1μm;
之后将薄膜浸入丙酮5分钟以溶解光刻胶,在PET衬底上留下Al规则金属网格;
PEDOT:PSS的转移;
PEDOT:PSS经过12小时的超声分散后,在玻璃衬底上以800rpm旋涂60秒,并在120℃下退火10分钟制备成薄膜,PI上的Al网格覆盖在PEDOT:PSS薄膜上在160℃,15Mpa下热压90分钟。
取出冷却后,PEDOT:PSS薄膜转移到Al规则网格表面,制成柔性透明电极,制备后的柔性透明电极方阻为0.5Ω/sq,透过率为92%,展现了良好的导电能力和可见光透过能力。
利用原子力显微镜(AFM)对所制备的PEDOT:PSS和Al网格透明电极表面形貌进行了测试,电极表面极为平整,均方粗糙度只有2.0nm。
利用弯折寿命测试测试了所制备PEDOT:PSS和Al网格透明电极和目前市场上常见的同衬底厚度柔性ITO电极的耐弯折变形能力,弯折曲率半径为3mm,弯折频率为1Hz,弯折次数为10000次,无论是在凸向变形,还是凹向变形中,所制备PEDOT:PSS和Al网格透明电极的方阻随弯折次数增加都很小,展现出良好的耐弯折变形能力,而目前商用柔性ITO在经历10000次弯折后则出现了较大的方阻增加,体现了其不耐弯折的特点。
实施例5
基于PEDOT:PSS和规则Cu/Ag合金透明电极
在PET衬底上制作随机金属网格;
用150w的超声波清洗机在乙醇中清洗15分钟,然后用去离子水清洗1分钟;
通过滚筒印刷的方法,将Cu/Ag合金油墨涂覆于PET衬底表面,随后在100℃退火15min得到正方形规则网格,线宽为5μm,线距为100μm;
PEDOT:PSS的转移;
PEDOT:PSS经过12小时的超声分散后,在玻璃衬底上以800rpm旋涂60秒,并在120℃下退火10分钟制备成薄膜,PET上的Cu/Ag合金网格覆盖在PEDOT:PSS薄膜上在160℃,12.5Mpa下热压45分钟。
取出冷却后,PEDOT:PSS薄膜转移到金属网格表面,制成柔性透明电极,制备后的柔性透明电极方阻为0.1Ω/sq,透过率为95%,展现了良好的导电能力和可见光透过能力。
利用原子力显微镜(AFM)对所制备的PEDOT:PSS和Cu/Ag合金网格透明电极表面形貌进行了测试,电极表面极为平整,均方粗糙度只有2.1nm。
利用弯折寿命测试测试了所制备PEDOT:PSS和Cu/Ag合金网格透明电极和目前市场上常见的同衬底厚度柔性ITO电极的耐弯折变形能力,弯折曲率半径为3mm,弯折频率为1Hz,弯折次数为10000次,无论是在凸向变形,还是凹向变形中,所制备PEDOT:PSS和Cu/Ag合金网格透明电极的方阻随弯折次数增加都很小,展现出良好的耐弯折变形能力,而目前商用柔性ITO在经历10000次弯折后则出现了较大的方阻增加,体现了其不耐弯折的特点。
综上所述,本发明一种柔性透明电极及其制备方法具有以下特点:
1)通过热压将导电聚合物转移至金属网格层上,增加了金属网格与衬底的结合力,提高了金属网格基透明电极的耐弯折能力,极大的提高了光电器件的耐变形能力;
2)通过热压将导电聚合物转移至金属网格层上,降低了所制备的复合柔性透明电极的表面粗糙度,有利于防止柔性光电子器件短路失效,极大的提高了光电器件的器件效率。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种柔性透明电极的制备方法,其特征在于,在聚合物衬底表面制备金属网格电极;在玻璃衬底表面旋涂或刮涂导电聚合物,经退火处理得到厚度50~100nm的导电聚合物;采用热压工艺将金属网格电极覆盖在导电聚合物上,再将导电聚合物反揭到金属网格的表面形成复合透明电极。
2.根据权利要求1所述柔性透明电极的制备方法,其特征在于,退火处理的温度为100~120℃,时间为10~20min。
3.根据权利要求1所述柔性透明电极的制备方法,其特征在于,热压处理的温度为140~160℃,压强为10~15MPa,时间为45~90min。
4.根据权利要求1所述柔性透明电极的制备方法,其特征在于,聚合物衬底为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜或聚酰亚胺薄膜。
5.根据权利要求1所述柔性透明电极的制备方法,其特征在于,金属网格的材料为Ag,Cu,Au,Al的单体或合金的一种。
6.根据权利要求1所述柔性透明电极的制备方法,其特征在于,导电聚合物为PEDOT:PSS。
7.根据权利要求1所述柔性透明电极的制备方法,其特征在于,采用激光直写、喷墨打印、滚筒印刷、掩膜或金属沉积方法在聚合物衬底表面制备金属网格电极。
8.根据权利要求1所述柔性透明电极的制备方法,其特征在于,旋涂的速度为500~800rpm,时间为30~60秒。
9.根据权利要求1至8中任一项所述柔性透明电极的制备方法制备的柔性透明电极,其特征在于,包括金属网格,金属网格为微米级结构,设置在聚合物衬底上,在金属网格上利用热压反揭法制备透明的导电聚合物,得到金属网格嵌入聚合物衬底的结构并被导电聚合物覆盖。
10.根据权利要求9所述的柔性透明电极,其特征在于,复合透明电极在350~800nm的可见光区内的透过率为80%~95%,方阻为0.1~2Ω/sq,表面均方粗糙度为2.3~2.5nm。
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