TWI774675B - 導電材料、連接構造體及連接構造體之製造方法 - Google Patents

導電材料、連接構造體及連接構造體之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種可於相對低溫下進行導電連接，且即便於相對低溫下進行導電連接亦可提高導通可靠性之導電性粒子。
本發明之導電性粒子具備：導電性粒子本體，其具有導電部；及絕緣性粒子，其配置於上述導電性粒子本體之表面上；上述導電性粒子本體於上述導電部之外表面具有複數個突起，上述絕緣性粒子之玻璃轉移溫度未達100℃，且上述絕緣性粒子於在滿足溫度100℃~160℃及壓力60MPa~80MPa之壓縮條件的至少一個壓縮條件下被壓縮時，能夠以壓縮後之上述絕緣性粒子於壓縮方向上之粒徑之最大值相對於壓縮後之上述絕緣性粒子於與壓縮方向正交之方向上之粒徑之最大值的比成為0.7以下之方式變形。

Description

導電材料、連接構造體及連接構造體之製造方法
本發明係關於一種例如可用於電極間之電性連接之導電性粒子。又，本發明係關於一種使用上述導電性粒子之導電材料、連接構造體及連接構造體之製造方法。
眾所周知有各向異性導電膏及各向異性導電膜等各向異性導電材料。關於該等各向異性導電材料，黏合劑樹脂中分散有導電性粒子。又，作為導電性粒子，有時使用在導電性粒子本體之表面附著有絕緣性粒子之導電性粒子(附絕緣性粒子之導電性粒子)。
為了獲得各種連接構造體，上述各向異性導電材料例如使用於軟性印刷基板與玻璃基板之連接(FOG(Film on Glass，鍍膜玻璃))、半導體晶片與軟性印刷基板之連接(COF(Chip on Film，薄膜覆晶))、半導體晶片與玻璃基板之連接(COG(Chip on Glass，玻璃覆晶))、以及軟性印刷基板與玻璃環氧基板之連接(FOB(Film on Board，鍍膜板))等。
作為上述導電性粒子之一例，下述專利文獻1中揭示有於導電性粒子之表面之至少一部分存在樹脂粒子之絕緣化導電性粒子(附絕緣性粒子之導電性粒子)。上述樹脂粒子係聚合性成分之共聚物，該聚合性成分至少包含(甲基)丙烯酸烷基酯與多元(甲基)丙烯酸酯。上述多元(甲基)丙烯酸酯係各(甲基)丙烯醯基互相經由3個以上之碳原子鍵結而成之化合物。又，專利文獻1中記載有上述樹脂粒子之玻璃轉移溫度亦可為180℃以下之情況。專利文獻1之實施例及比較例中記載有玻璃轉移溫度為108℃、113℃、115℃、134℃、及200℃以上之樹脂粒子。 下述專利文獻2中揭示有具備導電性粒子、與附著於該導電性粒子之外側之複數個絕緣粒子的絕緣被覆導電粒子(附絕緣性粒子之導電性粒子)。上述導電性粒子之平均粒徑為1～10 μm。上述絕緣粒子包含第1絕緣粒子及玻璃轉移溫度低於該第1絕緣粒子之第2絕緣粒子。專利文獻2中記載有第2絕緣粒子之玻璃轉移溫度亦可為80～120℃之情況。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2012-72324號公報 [專利文獻2]日本專利特開2014-17213號公報
[發明所欲解決之問題] 利用上述各向異性導電材料，例如於將半導體晶片之電極與玻璃基板之電極進行電性連接時，於玻璃基板上配置包含導電性粒子之各向異性導電材料。其次，將半導體晶片進行積層，並進行加熱及加壓。藉此，使各向異性導電材料硬化，並經由導電性粒子將電極間電性連接，而獲得連接構造體。 關於該連接構造體之製作，對於低溫下之熱壓接之要求增高。但是，先前之導電性粒子(附絕緣性粒子之導電性粒子)於在低溫下進行熱壓接時，有連接電阻增高而導通可靠性降低之情況。 本發明之目的在於提供一種可於相對低溫下進行導電連接，且即便於相對低溫下進行導電連接亦可提高導通可靠性之導電性粒子。 又，本發明提供一種使用上述導電性粒子之導電材料、連接構造體及連接構造體之製造方法。 [解決問題之技術手段] 根據本發明之較廣之形態，提供一種導電性粒子，其具備：導電性粒子本體，其具有導電部；及絕緣性粒子，其配置於上述導電性粒子本體之表面上；並且上述導電性粒子本體於上述導電部之外表面具有複數個突起，上述絕緣性粒子之玻璃轉移溫度未達100℃，上述絕緣性粒子於在滿足溫度100℃～160℃及壓力60 MPa～80 MPa之壓縮條件的至少一個壓縮條件下被壓縮時，能夠以壓縮後之上述絕緣性粒子於壓縮方向上之粒徑之最大值相對於壓縮後之上述絕緣性粒子於與壓縮方向正交之方向上之粒徑之最大值的比成為0.7以下之方式變形。 於本發明之導電性粒子之某特定之形態中，於上述導電性粒子本體之表面上配置有複數個上述絕緣性粒子。 於本發明之導電性粒子之某特定之形態中，上述絕緣性粒子之平均粒徑相對於上述突起之平均高度的比超過0.5。 於本發明之導電性粒子之某特定之形態中，上述絕緣性粒子於在溫度100℃及壓力60 MPa下被壓縮時，能夠以壓縮後之上述絕緣性粒子於壓縮方向上之粒徑之最大值相對於壓縮後之上述絕緣性粒子於與壓縮方向正交之方向上之粒徑之最大值的比成為0.7以下之方式變形。 於本發明之導電性粒子之某特定之形態中，上述絕緣性粒子於在滿足溫度100℃～160℃及壓力60 MPa～80 MPa之壓縮條件的至少一個壓縮條件下被壓縮時，能夠以壓縮後之上述絕緣性粒子於壓縮方向上之粒徑之最大值成為壓縮前之上述突起之平均高度以下之方式變形。 於本發明之導電性粒子之某特定之形態中，上述絕緣性粒子於在溫度100℃及壓力60 MPa下被壓縮時，能夠以壓縮後之上述絕緣性粒子於壓縮方向上之粒徑之最大值成為壓縮前之上述突起之平均高度以下之方式變形。 於本發明之導電性粒子之某特定之形態中，上述導電性粒子係用於藉由在120℃以下進行熱壓接而進行導電連接。 根據本發明之較廣之形態，提供一種導電材料，其包含上述導電性粒子與黏合劑樹脂。 於本發明之導電材料之某特定之形態中，上述導電材料於100℃下之黏度為1000 Pa・s以上且5000 Pa・s以下。 根據本發明之較廣之形態，提供一種連接構造體，其具備：第1連接對象構件，其於表面具有第1電極；第2連接對象構件，其於表面具有第2電極；及連接部，其將上述第1連接對象構件與上述第2連接對象構件進行連接；並且上述連接部之材料為上述導電性粒子或包含上述導電性粒子與黏合劑樹脂之導電材料，上述第1電極與上述第2電極係利用上述導電性粒子之上述導電性粒子本體而進行電性連接。 根據本發明之較廣之形態，提供一種連接構造體之製造方法，其具備如下步驟：於表面具有第1電極之第1連接對象構件與表面具有第2電極之第2連接對象構件之間配置上述導電性粒子，或配置包含上述導電性粒子與黏合劑樹脂之導電材料；及藉由在上述絕緣性粒子之玻璃轉移溫度以上且160℃以下進行熱壓接而進行導電連接。 於本發明之連接構造體之製造方法之某特定之形態中，於上述絕緣性粒子之玻璃轉移溫度以上且120℃以下進行熱壓接。 [發明之效果] 本發明之導電性粒子具備：導電性粒子本體，其具有導電部；及絕緣性粒子，其配置於上述導電性粒子本體之表面上；並且上述導電性粒子本體於上述導電部之外表面具有複數個突起，上述絕緣性粒子之玻璃轉移溫度未達100℃，上述絕緣性粒子於在滿足溫度100℃～160℃及壓力60 MPa～80 MPa之壓縮條件的至少一個壓縮條件下被壓縮時，能夠以壓縮後之上述絕緣性粒子於壓縮方向上之粒徑之最大值相對於壓縮後之上述絕緣性粒子於與壓縮方向正交之方向上之粒徑之最大值的比成為0.7以下之方式變形，因此可於相對低溫下進行導電連接，且即便於相對低溫下進行導電連接亦可提高導通可靠性。
以下，對本發明進行詳細說明。 (導電性粒子) 本發明之導電性粒子具備導電性粒子本體與絕緣部。上述導電性粒子本體具有導電部。上述絕緣部配置於上述導電性粒子本體之表面上。於本發明之導電性粒子中，上述導電性粒子本體於上述導電部之外表面具有複數個突起。於本發明之導電性粒子中，上述絕緣部之玻璃轉移溫度未達100℃。於本發明之導電性粒子中，上述絕緣部為絕緣性粒子。於本發明之導電性粒子中，上述絕緣性粒子於在滿足溫度100℃～160℃及壓力60 MPa～80 MPa之壓縮條件的至少一個壓縮條件下被壓縮時，能夠以壓縮後之上述絕緣性粒子於壓縮方向上之粒徑之最大值相對於壓縮後之上述絕緣性粒子於與壓縮方向正交之方向上之粒徑之最大值的比成為0.7以下之方式變形。於本發明中，於將導電性粒子本體稱為導電性粒子之情形時，可將具備絕緣部之導電性粒子稱為附絕緣部之導電性粒子。由於絕緣部為絕緣性粒子，故而附絕緣部之導電性粒子為附絕緣性粒子之導電性粒子。 本發明由於具備上述構成，故而即便於相對低溫下進行導電連接亦可提高導通可靠性。 於本發明中，即便為了於導電連接時排除位於導電性粒子本體與電極之間之絕緣部，而於例如120℃以下進行熱壓接，亦可良好地排除絕緣部。結果可使電極與導電性粒子本體良好地接觸，而可降低電極間之連接電阻。本發明可提高電極間之導通可靠性。 於本發明中，不僅降低絕緣部之玻璃轉移溫度重要，導電性粒子本體於導電部之外表面具有複數個突起亦重要。例如，即便絕緣部之玻璃轉移溫度未達100℃，但若導電性粒子本體於導電部之外表面不具有複數個突起，則亦難以充分地提高導通可靠性。認為其原因在於，於熱壓接時之溫度為絕緣部之玻璃轉移溫度以下之情形時，絕緣部不易變柔軟，因此絕緣部不易從導電性粒子本體脫離。另一方面，認為若導電性粒子本體於導電部之外表面具有複數個突起，則該突起可排除絕緣部，而可使電極與導電性粒子本體良好地接觸，因此可充分地提高導通可靠性。於本發明中，發現將降低絕緣部之玻璃轉移溫度之構成與導電性粒子本體於導電部之外表面具有複數個突起之構成組合極其重要。 就藉由低溫下之熱壓接進一步提高導通可靠性之觀點而言，上述絕緣部之玻璃轉移溫度較佳為未達95℃，更佳為未達90℃，進而較佳為未達85℃，進而較佳為未達80℃，進而更佳為未達75℃，尤佳為未達70℃。 就有效地抑制導電連接前之絕緣部之過度之脫離及過度之變形之觀點而言，上述絕緣部之玻璃轉移溫度較佳為30℃以上，更佳為35℃以上，進而較佳為40℃以上，進而較佳為45℃以上，進而更佳為50℃以上，尤佳為55℃以上。 再者，於本說明書中，上述玻璃轉移溫度可使用動態黏彈性測定(TA Instruments公司製造之「ARES-G2」)等進行測定。 於本發明之導電性粒子中，上述絕緣部為絕緣性粒子。上述絕緣部可為絕緣層，亦可為絕緣性粒子。上述絕緣層可被覆上述導電性粒子本體之表面。上述絕緣性粒子可附著於上述導電性粒子本體之表面。就進一步提高導電連接時之絕緣部之排除性而進一步提高導通可靠性之觀點而言，上述絕緣部較佳為絕緣性粒子。就進一步提高導通可靠性之觀點而言，較佳為於上述導電性粒子本體之表面上配置有複數個上述絕緣性粒子。 又，於導電性粒子本體之表面上，上述絕緣部可為單層，亦可為多層，亦可於配置於絕緣性粒子本體之表面上之絕緣性粒子之外側配置其他絕緣性粒子。 上述突起之平均高度較佳為0.001 μm以上，更佳為0.05 μm以上，且較佳為0.9 μm以下，更佳為0.2 μm以下。若上述突起之平均高度為上述下限以上及上述上限以下，則連接電阻有效地降低。
上述突起之高度表示連結導電性粒子本體之中心與突起之前端的線(圖1所示之虛線DL1)上之從假定不存在突起之情形時之導電部之假想線(圖1所示之虛線DL2)上(假定不存在突起之情形時之球狀之導電性粒子本體之外表面上)至突起之前端為止之距離。即，表示圖1中從虛線DL1與虛線DL2之交點起至突起之前端為止之距離。
就進一步提高導通可靠性之觀點而言，上述絕緣性粒子之平均粒徑相對於上述突起之平均高度的比(絕緣性粒子之平均粒徑/突起之平均高度)較佳為超過0.5，更佳為超過2.0。就抑制絕緣性粒子之意外之脫離、進一步提高絕緣可靠性之觀點而言，上述比(絕緣性粒子之平均粒徑/突起之平均高度)較佳為4.0以下，更佳為3.0以下。
上述絕緣性粒子之平均粒徑表示數量平均粒徑。絕緣性粒子之平均粒徑係藉由利用電子顯微鏡或光學顯微鏡對任意50個絕緣性粒子進行觀察，並算出平均值而求出。
於本發明之導電性粒子中，上述絕緣性粒子於在滿足溫度100℃~160℃及壓力60MPa~80MPa之壓縮條件之至少1個壓縮條件(較佳為滿足溫度100℃~120℃及壓力60MPa~80MPa之壓縮條件之至少1個壓縮條件)下被壓縮時，能夠以壓縮後之上述絕緣性粒子之壓縮方向(例如鉛直方向)上之粒徑之最大值(L1)相對於壓縮後之上述絕緣性粒子之與壓縮方向正交之方向(例如水平方向)上之粒徑之最大值(L2)的比(L1/L2)成為0.7以下之方式變形。就進一步提高導通可靠性之觀點而言，較佳為上述絕緣性粒子於在滿足溫度100℃~160℃及壓力60MPa~80MPa之壓縮條件之至少1個壓縮條件(較佳為滿足溫度100℃~120℃及壓力60MPa~80MPa之壓縮條件之至少1個壓縮條件)下被壓縮時，能夠以壓縮後之上述絕緣性粒子之壓縮方向(例如鉛直方向)上之粒徑之最大值(L1)相對於壓縮後之上述絕緣性粒子之與壓縮方向正交之方向(例如水平方向)上之粒徑之最大值(L2)的比(L1/L2)成為0.7以下之方式變形。就進一步提高導通可靠性之觀點而言，較佳為上述絕緣性粒子於在滿足溫度100℃～160℃及壓力60 MPa～80 MPa之壓縮條件之至少1個壓縮條件(較佳為滿足溫度100℃～120℃及壓力60 MPa～80 MPa之壓縮條件之至少1個壓縮條件)下被壓縮時，能夠以壓縮後之上述絕緣性粒子之壓縮方向(例如鉛直方向)上之粒徑之最大值(L1)相對於壓縮後之上述絕緣性粒子之與壓縮方向正交之方向(例如水平方向)上之粒徑之最大值(L2)的比(L1/L2)成為0.5以下之方式變形，更佳為以成為0.3以下之方式變形。上述粒徑之最大值係粒徑成為最大之部分之粒徑。 於本發明中，無需於溫度100℃～160℃及壓力60 MPa～80 MPa之所有壓縮條件下能夠以上述比(L1/L2)為上述上限以下之方式變形。但是，較佳為於溫度100℃～120℃及壓力60 MPa～80 MPa之所有壓縮條件下能夠以上述比(L1/L2)為上述上限以下之方式變形，更佳為於溫度100℃～160℃及壓力60 MPa～80 MPa之所有壓縮條件下能夠以上述比(L1/L2)為上述上限以下之方式變形。又，較佳為於在溫度100℃及壓力60 MPa之壓縮條件被壓縮時，能夠以上述比(L1/L2)為上述上限以下之方式變形。 再者，於本說明書中，所謂上述「變形」亦包括絕緣性粒子崩解之情況。 就進一步提高導通可靠性之觀點而言，上述絕緣性粒子於在滿足溫度100℃～160℃及壓力60 MPa～80 MPa之壓縮條件之至少1個壓縮條件(較佳為滿足溫度100℃～120℃及壓力60 MPa～80 MPa之壓縮條件之至少1個壓縮條件)下被壓縮時，較佳為能夠以壓縮後之上述絕緣性粒子之壓縮方向(例如鉛直方向)上之粒徑之最大值成為壓縮前之上述突起之平均高度以下之方式變形，更佳為能夠以壓縮後之上述絕緣性粒子之壓縮方向(例如鉛直方向)上之粒徑之最大值成為壓縮前之上述突起之平均高度之1.0倍以下之方式變形。 於本發明中，無需於溫度100℃～160℃及壓力60 MPa～80 MPa之所有壓縮條件下能夠以上述壓縮後之上述絕緣性粒子於壓縮方向上之粒徑之最大值為上述上限以下之方式變形。其中，較佳為於溫度100℃～120℃及壓力60 MPa～80 MPa之所有壓縮條件下能夠以上述壓縮後之上述絕緣性粒子於壓縮方向上之粒徑之最大值為上述上限以下之方式變形，更佳為於溫度100℃～160℃及壓力60 MPa～80 MPa之所有壓縮條件下能夠以上述壓縮後之上述絕緣性粒子於壓縮方向上之粒徑之最大值為上述上限以下之方式變形。又，較佳為於在溫度100℃及壓力60 MPa之壓縮條件被壓縮時，能夠以上述壓縮後之上述絕緣性粒子於壓縮方向上之粒徑之最大值為上述上限以下之方式變形。 對上述絕緣性粒子進行壓縮時之溫度較佳為100℃以上，且較佳為160℃以下，更佳為150℃以下，進而較佳為140℃以下，尤佳為120℃以下。對上述絕緣性粒子進行壓縮時之壓力較佳為60 MPa以上，且較佳為80 MPa以下，更佳為70 MPa以下。 就進一步提高絕緣可靠性之觀點而言，由上述絕緣部(絕緣層或絕緣性粒子)被覆之部分之面積於上述導電性粒子本體之總表面積中所占之被覆率較佳為65%以上，更佳為70%以上，進而較佳為超過70%，尤佳為75%以上，最佳為80%以上。就進一步提高導通可靠性之觀點而言，上述被覆率較佳為99%以下，更佳為98%以下，進而較佳為95%以下。上述被覆率亦可為100%以下。 由上述絕緣性粒子被覆之部分之面積於上述導電性粒子本體之總表面積中所占之被覆率係藉由如下方式求出。 藉由利用掃描型電子顯微鏡(SEM)之觀察，對例如20個導電性粒子進行觀察，求出導電性粒子中之導電性粒子本體之被覆率(%)(亦稱為附著率(%))。上述被覆率係由絕緣部被覆之部分於導電性粒子本體之表面積中所占之合計面積(投影面積)。 具體而言，於絕緣部為絕緣性粒子之情形時，上述被覆率意指於利用掃描型電子顯微鏡(SEM)沿一方向對導電性粒子進行觀察之情形時，觀察圖像中之導電性粒子本體之表面之外周緣部分之圓內之絕緣部於導電性粒子本體之表面之外周緣部分之圓內之總面積中所占之合計面積。 上述導電性粒子之平均粒徑較佳為0.5 μm以上，更佳為1 μm以上，進而較佳為3 μm以上，且較佳為500 μm以下，更佳為100 μm以下，進而較佳為50 μm以下，尤佳為20 μm以下。若導電性粒子之平均粒徑為上述下限以上及上述上限以下，則於使用導電性粒子將電極間連接之情形時，導電性粒子本體與電極之接觸面積充分地增大，且於形成導電部時不易形成凝聚之導電性粒子。又，經由導電性粒子本體而連接之電極間之間隔不會變得過大，且導電部不易從基材粒子之表面剝離。進而，於上述導電性粒子之平均粒徑較大(超過10 μm且為50 μm以下)之情形時，與上述導電性粒子之平均粒徑較小(1 μm以上且10 μm以下)之情形相比，能夠於低壓及低溫度下進行安裝，因此可將上述導電性粒子適宜地用於相機模組等半導體裝置模組。 上述導電性粒子之平均粒徑表示數量平均粒徑。導電性粒子之平均粒徑係藉由利用電子顯微鏡或光學顯微鏡對任意50個導電性粒子進行觀察，並算出平均值而求出。 上述導電性粒子可適宜地用於藉由在160℃以下進行熱壓接而進行導電連接，可更適宜地用於藉由在120℃以下進行熱壓接而進行導電連接，可進而適宜地用於藉由在110℃以下進行熱壓接而進行導電連接，可尤其適宜地用於藉由在100℃以下進行熱壓接而進行導電連接。 上述導電性粒子係適宜地分散於黏合劑樹脂中，以獲得導電材料。 其次，一面參照圖式，一面對本發明之具體之實施形態進行說明。 圖1係表示本發明之第1實施形態之導電性粒子的剖視圖。 圖1所示之導電性粒子1具備導電性粒子本體2、與複數個絕緣性粒子3。 導電性粒子本體2具有基材粒子11、配置於基材粒子11之表面上之導電部12、及複數個芯物質13。導電部12為導電層。導電部12與基材粒子11相接。導電部12覆蓋基材粒子11之表面。導電性粒子本體2係基材粒子11之表面由導電部12被覆之被覆粒子。導電性粒子本體2於表面具有導電部12。 導電性粒子本體2於導電部12之外表面具有複數個突起。導電部12於外表面具有複數個突起。複數個芯物質13配置於基材粒子12之表面上。複數個芯物質13嵌入至導電部12內。芯物質13配置於突起之內側。導電部12被覆複數個芯物質13。利用複數個芯物質13使導電部12之外表面隆起，而形成突起。 絕緣性粒子3係配置於導電性粒子本體2之表面上。複數個絕緣性粒子3與導電性粒子本體2之表面接觸，並附著於導電性粒子本體2之表面。複數個絕緣性粒子3與導電性粒子本體2中之導電部12之外表面接觸，並附著於導電部12之外表面。 圖2係表示本發明之第2實施形態之導電性粒子的剖視圖。 圖2所示之導電性粒子1A具備導電性粒子本體2A、與複數個絕緣性粒子3。 對於導電性粒子1與導電性粒子1A而言，導電性粒子本體2與導電性粒子本體2A不同。 導電性粒子本體2A具有基材粒子11、配置於基材粒子11之表面上之導電部12A、及複數個芯物質13。 於導電性粒子1與導電性粒子1A中，導電部12與導電部12A不同。整個導電部12A於基材粒子11側具有第1導電部12AA，於與基材粒子11側相反之側具有第2導電部12AB。於導電性粒子1中形成有1層構造之導電部12，相對於此，於導電性粒子1A中形成有具有第1導電部12AA及第2導電部12AB之2層構造之導電部12A。第1導電部12AA與第2導電部12AB係作為獨立之導電部而形成。 第1導電部12AA配置於基材粒子11之表面上。於基材粒子11與第2導電部12AB之間配置有第1導電部12AA。第1導電部12AA與基材粒子11相接。第2導電部12AB與第1導電部12AA相接。因此，於基材粒子11之表面上配置有第1導電部12AA，於第1導電部12AA之外表面上配置有第2導電部12AB。 導電性粒子本體2A於導電部12A之外表面具有複數個突起。導電部12A於外表面具有複數個突起。複數個芯物質13配置於基材粒子12之表面上。複數個芯物質13嵌入至導電部12A及第1導電部12AA內。導電部12A及第1導電部12AA被覆複數個芯物質13。利用複數個芯物質13使導電部12A、第1導電部12AA及第2導電部12AB之外表面隆起，而形成突起。 絕緣性粒子3係配置於導電性粒子本體2A之表面上。 芯物質亦可不與基材粒子相接。芯物質亦可配置於第1導電部之外表面上。第1導電部之外表面之形狀亦可為球狀。 圖3係表示本發明之第3實施形態之導電性粒子的剖視圖。 圖3所示之導電性粒子1B具備導電性粒子本體2B、與複數個絕緣性粒子3。 對於導電性粒子1與導電性粒子1B而言，導電性粒子本體2與導電性粒子本體2B不同。 導電性粒子本體2B具有基材粒子11、與配置於基材粒子11之表面上之導電部12B。導電性粒子本體2B不具有芯物質。 對於導電性粒子本體2與導電性粒子本體2B而言，不同之處在於有無芯物質，結果導電部不同。導電性粒子1中使用芯物質13，且以被覆芯物質13之方式形成導電部12，相對於此，導電性粒子1B中未使用芯物質而形成導電部12B。 導電部12B具有第1部分、與厚度大於該第1部分之第2部分。導電性粒子本體2B於導電部12B之外表面具有複數個突起。導電部12B於外表面具有複數個突起。除複數個突起以外之部分為導電部12B之上述第1部分。複數個突起為導電部12B之厚度較厚之上述第2部分。 絕緣性粒子3係配置於導電性粒子本體2B之表面上。 圖4係表示絕緣部為絕緣層之情形時之導電性粒子的剖視圖。 圖4所示之導電性粒子1C具備導電性粒子本體2、與絕緣層3C。 對於導電性粒子1與導電性粒子1C而言，絕緣性粒子3與絕緣層3C不同。 於導電性粒子1C中，絕緣層3C係配置於導電性粒子本體2之表面上。絕緣層3C與導電性粒子本體2之表面接觸，且被覆導電性粒子本體2之表面。複數個絕緣層3C與導電性粒子本體2中之導電部12之外表面接觸，且被覆導電部12之外表面。於導電部12之存在突起之部分之表面上配置有絕緣層3C。亦於導電部12之不存在突起之部分之表面上配置有絕緣層3C。配置於導電部12之存在突起之部分之表面上的絕緣層3C、與配置於導電部12之不存在突起之部分之表面上的絕緣層3C相連。 導電性粒子1C與導電性粒子1、1A、1B相比，有導通可靠性降低之傾向。 絕緣部較佳為絕緣性粒子或絕緣層。就進一步提高導通可靠性之觀點而言，絕緣部較佳為絕緣性粒子。就進一步提高絕緣可靠性之觀點而言，絕緣部較佳為絕緣層。於本發明之導電性粒子中，絕緣部為絕緣性粒子。 以下，對導電性粒子及絕緣性粒子等之其他詳細內容進行說明。再者，於以下之說明中，「(甲基)丙烯酸」意指「丙烯酸」與「甲基丙烯酸」之一者或兩者，「(甲基)丙烯酸酯」意指「丙烯酸」與「甲基丙烯酸」之一者或兩者。 [導電性粒子本體] 上述導電性粒子本體於導電部之外表面具有突起。該突起較佳為複數個。多數情況下於利用導電性粒子本體而連接之電極之表面形成有氧化覆膜。藉由使用於導電部之外表面具有突起之導電性粒子，並藉由將導電性粒子配置並壓接於電極間，可利用突起有效地排除上述氧化覆膜。因此，電極與導電部進一步確實地接觸，電極間之連接電阻進一步降低。進而，於電極間之連接時，利用導電性粒子本體之突起可將導電性粒子本體與電極之間之絕緣部有效地排除。又，於本發明中，絕緣部之玻璃轉移溫度較低，因此可有效地排除絕緣部。 上述導電性粒子本體具有導電部。上述導電部較佳為導電層。上述導電性粒子本體可為具有基材粒子與配置於基材粒子之表面上之導電部的導電性粒子，亦可為整體為導電部之金屬粒子。就降低成本、提高導電性粒子本體之柔軟性而進一步提高電極間之導通可靠性之觀點而言，較佳為具有基材粒子與配置於基材粒子之表面上之導電部的導電性粒子本體。 基材粒子： 作為上述基材粒子，可列舉樹脂粒子、除金屬粒子以外之無機粒子、有機無機混合粒子及金屬粒子等。上述基材粒子較佳為除金屬粒子以外之基材粒子，更佳為樹脂粒子、除金屬粒子以外之無機粒子或有機無機混合粒子。上述基材粒子亦可為芯殼粒子。 上述基材粒子較佳為由樹脂所形成之樹脂粒子。於使用導電性粒子將電極間連接時，於將導電性粒子配置於電極間後進行壓接，藉此壓縮導電性粒子。若基材粒子為樹脂粒子，則於上述壓接時導電性粒子本體容易變形，而導電性粒子本體與電極之接觸面積增大。因此，電極間之導通可靠性進一步提高。 作為上述樹脂粒子之材料，可適宜地使用各種樹脂。作為上述樹脂粒子之材料，例如可列舉：聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚異丁烯、聚丁二烯等聚烯烴樹脂；聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸甲酯等丙烯酸系樹脂；聚對苯二甲酸烷二酯、聚碳酸酯、聚醯胺、苯酚甲醛樹脂、三聚氰胺甲醛樹脂、苯胍𠯤甲醛樹脂、脲甲醛樹脂、酚系樹脂、三聚氰胺樹脂、苯胍𠯤樹脂、脲樹脂、環氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、飽和聚酯樹脂、聚碸、聚苯醚、聚縮醛、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚碸、及使1種或者2種以上之具有乙烯性不飽和基之各種聚合性單體進行聚合而獲得之聚合物等。 由於可設計並合成具有適合於導電材料之任意之壓縮時之物性的樹脂粒子，且可將基材粒子之硬度容易地控制為適當範圍，故而上述樹脂粒子之材料較佳為使1種或2種以上之具有複數個乙烯性不飽和基之聚合性單體進行聚合而成之聚合物。 於使具有乙烯性不飽和基之聚合性單體進行聚合而獲得上述樹脂粒子之情形時，作為上述具有乙烯性不飽和基之聚合性單體，可列舉非交聯性之單體與交聯性之單體。 作為上述非交聯性之單體，例如可列舉：苯乙烯、α-甲基苯乙烯等苯乙烯系單體；(甲基)丙烯酸、順丁烯二酸、順丁烯二酸酐等含羧基之單體；(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸鯨蠟酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸異𦯉酯等(甲基)丙烯酸烷基酯化合物；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸甘油酯、聚氧乙烯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含氧原子之(甲基)丙烯酸酯化合物；(甲基)丙烯腈等含腈基之單體；甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚、丙基乙烯基醚等乙烯基醚化合物；乙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、月桂酸乙烯酯、硬脂酸乙烯酯等酸乙烯酯化合物；乙烯、丙烯、異戊二烯、丁二烯等不飽和烴；(甲基)丙烯酸三氟甲酯、(甲基)丙烯酸五氟乙酯、氯乙烯、氟乙烯、氯苯乙烯等含鹵素之單體等。 作為上述交聯性之單體，例如可列舉：四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、甘油三(甲基)丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)四亞甲基二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等多官能(甲基)丙烯酸酯化合物；(異)氰尿酸三烯丙酯、偏苯三甲酸三烯丙酯、二乙烯基苯、鄰苯二甲酸二烯丙酯、二烯丙基丙烯醯胺、二烯丙基醚、γ-(甲基)丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、三甲氧基烯丙基苯乙烯、乙烯基三甲氧基矽烷等含矽烷之單體等。 藉由公知方法使上述具有乙烯性不飽和基之聚合性單體進行聚合，藉此可獲得上述樹脂粒子。作為該方法，例如可列舉：於自由基聚合起始劑之存在下進行懸浮聚合之方法；以及使用非交聯之種粒子使自由基聚合起始劑與單體一起膨潤並進行聚合之方法等。 於上述基材粒子為除金屬粒子以外之無機粒子或有機無機混合粒子之情形時，關於作為上述基材粒子之材料之無機物，可列舉二氧化矽、氧化鋁、鈦酸鋇、氧化鋯及碳黑等。上述無機物較佳為並非金屬。作為由上述二氧化矽所形成之粒子，並無特別限定，例如可列舉藉由在使具有2個以上之水解性之烷氧基矽烷基之矽化合物進行水解而形成交聯聚合物粒子後，視需要進行焙燒而獲得之粒子。作為上述有機無機混合粒子，例如可列舉利用經交聯之烷氧基烯丙基聚合物與丙烯酸系樹脂所形成之有機無機混合粒子等。 上述有機無機混合粒子較佳為具有芯、與配置於該芯之表面上之殼的芯殼型之有機無機混合粒子。上述芯較佳為有機芯。上述殼較佳為無機殼。就有效地降低電極間之連接電阻之觀點而言，上述基材粒子較佳為具有有機芯、與配置於上述有機芯之表面上之無機殼的有機無機混合粒子。 作為上述有機芯之材料，可列舉上述樹脂粒子之材料等。 作為上述無機殼之材料，可列舉作為上述基材粒子之材料所列舉之無機物。上述無機殼之材料較佳為二氧化矽。上述無機殼較佳為藉由在上述芯之表面上利用溶膠凝膠法將金屬烷氧化物製成殼狀物後將該殼狀物焙燒而形成。上述金屬烷氧化物較佳為矽烷烷氧化物。上述無機殼較佳為由矽烷烷氧化物所形成。 於上述基材粒子為金屬粒子之情形時，關於作為該金屬粒子之材料之金屬，可列舉銀、銅、鎳、矽、金及鈦等。其中，上述基材粒子較佳為並非金屬粒子。 導電部： 作為上述導電部之材料之金屬並無特別限定。於導電性粒子整體為導電部之金屬粒子之情形時，作為該金屬粒子之材料之金屬，並無特別限定。作為上述金屬，例如可列舉金、銀、鈀、銅、鉑、鋅、鐵、錫、鉛、鋁、鈷、銦、鎳、鉻、鈦、銻、鉍、鉈、鍺、鎘、矽及該等之合金等。又，作為上述金屬，可列舉摻錫之氧化銦(ITO)及焊錫等。由於電極間之連接電阻進一步降低，故而較佳為包含錫之合金、鎳、鈀、銅或金，較佳為鎳或鈀。 又，由於可有效地提高導通可靠性，故而上述導電部及上述導電部之外表面部分較佳為包含鎳。包含鎳之導電部100重量%中之鎳之含量較佳為10重量%以上，更佳為50重量%以上，進而較佳為60重量%以上，進而較佳為70重量%以上，尤佳為90重量%以上。上述包含鎳之導電部100重量%中之鎳之含量可為97重量%以上，亦可為97.5重量%以上，亦可為98重量%以上。 再者，多數情況下導電部之表面因氧化而存在羥基。一般而言，由鎳所形成之導電部之表面因氧化而存在羥基。可於此種具有羥基之導電部之表面(導電性粒子本體之表面)經由化學鍵而配置絕緣部。 上述導電部可由1層所形成。導電部亦可由複數層所形成。即，導電部亦可具有2層以上之積層構造。於導電部由複數層所形成之情形時，最外層較佳為金層、鎳層、鈀層、銅層或包含錫與銀之合金層，更佳為金層。於最外層為該等較佳之導電部之情形時，電極間之連接電阻進一步降低。又，於最外層為金層之情形時，耐腐蝕性進一步提高。 於上述基材粒子之表面形成導電部之方法並無特別限定。作為形成導電部之方法，例如可列舉：藉由無電解鍍覆所進行之方法、藉由電鍍所進行之方法、藉由物理蒸鍍所進行之方法、以及將金屬粉末或者包含金屬粉末與黏合劑之糊劑塗佈於基材粒子之表面的方法等。由於導電部之形成簡便，故而較佳為藉由無電解鍍覆所進行之方法。作為上述藉由物理蒸鍍所進行之方法，可列舉真空蒸鍍、離子鍍覆及離子濺鍍等方法。 上述導電部之厚度較佳為0.005 μm以上，更佳為0.01 μm以上，且較佳為10 μm以下，更佳為1 μm以下，進而較佳為0.3 μm以下。若導電部之厚度為上述下限以上及上述上限以下，則可獲得充分之導電性，且導電性粒子不會變得過硬，於電極間之連接時導電性粒子充分地變形。 於上述導電部由複數層所形成之情形時，最外層之導電層之厚度較佳為0.001 μm以上，更佳為0.01 μm以上，且較佳為0.5 μm以下，更佳為0.1 μm以下。若上述最外層之導電層之厚度為上述下限以上及上述上限以下，則藉由最外層之導電層所進行之被覆變得均勻，耐腐蝕性充分地提高，且電極間之連接電阻充分地降低。 上述導電部之厚度例如可藉由使用穿透式電子顯微鏡(TEM)對導電性粒子或附絕緣性粒子之導電性粒子之剖面進行觀察而測定。 芯物質： 作為形成上述突起之方法，可列舉：於使芯物質附著於基材粒子之表面後，藉由無電解鍍覆而形成導電部之方法；以及藉由無電解鍍覆於基材粒子之表面形成導電部後使芯物質附著，進而藉由無電解鍍覆形成導電部之方法等。作為形成上述突起之其他方法，可列舉：於基材粒子之表面上形成第1導電部後，於該第1導電部上配置芯物質，繼而形成第2導電部的方法；以及於在基材粒子之表面上形成導電部(第1導電部或第2導電部等)之中途階段添加芯物質之方法等。又，為了形成突起，亦可使用如下方法等：不使用上述芯物質，藉由無電解鍍覆於基材粒子形成導電部後，使鍍覆物質於導電部之表面上析出成突起狀，進而藉由無電解鍍覆形成導電部。 作為於上述基材粒子之外表面上配置芯物質之方法，例如可列舉：於基材粒子之分散液中添加芯物質，並藉由例如凡得瓦耳力使芯物質積體並附著於基材粒子之表面的方法；以及向添加有基材粒子之容器中添加芯物質，並藉由容器之基於旋轉等之機械作用使芯物質附著於基材粒子之表面的方法等。由於容易控制所附著之芯物質之量，故而較佳為使芯物質積體並附著於分散液中之基材粒子之表面的方法。 上述芯物質之材料並無特別限定。上述芯物質之材料之莫氏硬度較佳為較高。 作為上述芯物質之材料之具體例，可列舉鈦酸鋇(莫氏硬度4.5)、鎳(莫氏硬度5)、二氧化矽(silica、莫氏硬度6～7)、氧化鈦(莫氏硬度7)、氧化鋯(莫氏硬度8～9)、氧化鋁(莫氏硬度9)、碳化鎢(莫氏硬度9)及金剛石(莫氏硬度10)等。上述無機粒子較佳為鎳、二氧化矽、氧化鈦、氧化鋯、氧化鋁、碳化鎢或金剛石，更佳為二氧化矽、氧化鈦、氧化鋯、氧化鋁、碳化鎢或金剛石，進而較佳為氧化鈦、氧化鋯、氧化鋁、碳化鎢或金剛石，尤佳為氧化鋯、氧化鋁、碳化鎢或金剛石。上述芯物質之材料之莫氏硬度較佳為4以上，更佳為5以上，進而較佳為6以上，進而較佳為7以上，尤佳為7.5以上。 上述芯物質之形狀並無特別限定。芯物質之形狀較佳為塊狀。作為芯物質，例如可列舉粒子狀之塊、複數個微小粒子凝聚而成之凝聚塊、及不定形之塊等。 上述芯物質之平均直徑(平均粒徑)較佳為0.001 μm以上，更佳為0.05 μm以上，且較佳為0.9 μm以下，更佳為0.2 μm以下。若上述芯物質之平均直徑為上述下限以上及上述上限以下，則電極間之連接電阻有效地降低。 上述芯物質之「平均直徑(平均粒徑)」表示數量平均直徑(數量平均粒徑)。芯物質之平均直徑係藉由利用電子顯微鏡或光學顯微鏡對任意50個芯物質進行觀察並算出平均值而求出。 (絕緣部) 於本發明之導電性粒子中，上述絕緣部為絕緣性粒子。作為上述絕緣部之材料，可列舉聚烯烴化合物、(甲基)丙烯酸酯聚合物、(甲基)丙烯酸酯共聚物、嵌段聚合物、熱塑性樹脂、熱塑性樹脂之交聯物、熱硬化性樹脂及水溶性樹脂等。上述絕緣部之材料可僅使用1種，亦可將2種以上併用。 作為上述聚烯烴化合物，可列舉聚乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物及乙烯-丙烯酸酯共聚物等。作為上述(甲基)丙烯酸酯聚合物，可列舉聚(甲基)丙烯酸甲酯、聚(甲基)丙烯酸十二烷基酯及聚(甲基)丙烯酸硬脂酯等。作為上述嵌段聚合物，可列舉聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯酸酯共聚物、SB型苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物、及SBS型苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物、以及該等之氫化物等。作為上述熱塑性樹脂，可列舉乙烯基聚合物及乙烯基共聚物等。作為上述熱硬化性樹脂，可列舉環氧樹脂、酚系樹脂及三聚氰胺樹脂等。作為上述熱塑性樹脂之交聯，可列舉聚乙二醇甲基丙烯酸酯、烷氧基化三羥甲基丙烷甲基丙烯酸酯或烷氧基化季戊四醇甲基丙烯酸酯等之導入。作為上述水溶性樹脂，可列舉聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚丙烯醯胺、聚乙烯基吡咯啶酮、聚環氧乙烷及甲基纖維素等。又，聚合度之調整亦可使用鏈轉移劑。作為鏈轉移劑，可列舉硫醇或四氯化碳等。 上述絕緣部之材料係以絕緣部之玻璃轉移溫度成為未達100℃之方式適當選擇。 上述導電部之表面及絕緣部之表面亦可分別由具有反應性官能基之化合物所被覆。導電部之表面與絕緣部之表面可不直接化學鍵結，亦可藉由具有反應性官能基之化合物間接地進行化學鍵結。於導電部之外表面導入羧基後，該羧基亦可經由聚伸乙基亞胺等高分子電解質而與絕緣部之表面之官能基進行化學鍵結。 (導電材料) 本發明之導電材料包含上述導電性粒子、與黏合劑樹脂。上述導電性粒子較佳為分散至黏合劑樹脂中而使用，較佳為分散至黏合劑樹脂中作為導電材料而使用。上述導電材料較佳為各向異性導電材料。上述導電材料較佳為用於電極間之電性連接。上述導電材料較佳為電路連接用導電材料。 上述黏合劑樹脂並無特別限定。作為上述黏合劑樹脂，使用公知之絕緣性之樹脂。上述黏合劑樹脂較佳為包含熱塑性成分(熱塑性化合物)或硬化性成分，更佳為包含硬化性成分。作為上述硬化性成分，可列舉光硬化性成分及熱硬化性成分。上述光硬化性成分較佳為包含光硬化性化合物及光聚合起始劑。上述熱硬化性成分較佳為包含熱硬化性化合物及熱固化劑。 作為上述黏合劑樹脂，例如可列舉乙烯系樹脂、熱塑性樹脂、硬化性樹脂、熱塑性嵌段共聚物及彈性體等。上述黏合劑樹脂可僅使用1種，亦可將2種以上併用。 作為上述乙烯系樹脂，例如可列舉乙酸乙烯酯樹脂、丙烯酸系樹脂及苯乙烯樹脂等。作為上述熱塑性樹脂，例如可列舉聚烯烴樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物及聚醯胺樹脂等。作為上述硬化性樹脂，例如可列舉環氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂及不飽和聚酯樹脂等。再者，上述硬化性樹脂亦可為常溫硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂或濕氣硬化型樹脂。上述硬化性樹脂亦可與硬化劑併用。作為上述熱塑性嵌段共聚物，例如可列舉苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物之氫化物及苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物之氫化物等。作為上述彈性體，例如可列舉苯乙烯-丁二烯共聚合橡膠及丙烯腈-苯乙烯嵌段共聚合橡膠等。 上述導電材料除上述導電性粒子及上述黏合劑樹脂以外，亦可包含例如填充劑、增量劑、軟化劑、塑化劑、聚合觸媒、硬化觸媒、著色劑、抗氧化劑、熱穩定劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、潤滑劑、抗靜電劑及阻燃劑等各種添加劑。 就進一步提高導通可靠性之觀點而言，上述導電材料於100℃下之黏度較佳為1000 Pa・s以上，更佳為2000 Pa・s以上。就進一步提高絕緣可靠性之觀點而言，上述導電材料於100℃下之黏度較佳為5000 Pa・s以下，更佳為4000 Pa・s以下。 上述黏度例如可使用E型黏度計(東機產業公司製造之「TVE22L」)等於100℃及5 rpm之條件下進行測定。 本發明之導電材料可用作導電膏及導電膜等。於本發明之導電材料為導電膜之情形時，亦可於包含導電性粒子之導電膜積層不包含導電性粒子之膜。上述導電膏較佳為各向異性導電膏。上述導電膜較佳為各向異性導電膜。 於上述導電材料100重量%中，上述黏合劑樹脂之含量較佳為10重量%以上，更佳為30重量%以上，進而較佳為50重量%以上，尤佳為70重量%以上，且較佳為99.99重量%以下，更佳為99.9重量%以下。若上述黏合劑樹脂之含量為上述下限以上及上述上限以下，則有效率地將導電性粒子本體配置於電極間，利用導電材料而連接之連接對象構件之連接可靠性進一步提高。 於上述導電材料100重量%中，上述導電性粒子之含量較佳為0.01重量%以上，更佳為0.1重量%以上，且較佳為80重量%以下，更佳為60重量%以下，進而較佳為40重量%以下，尤佳為20重量%以下，最佳為10重量%以下。若上述導電性粒子之含量為上述下限以上及上述上限以下，則電極間之導通可靠性進一步提高。 (連接構造體) 藉由使用上述導電性粒子或使用包含上述導電性粒子與黏合劑樹脂之導電材料，將連接對象構件進行連接，可獲得連接構造體。 上述連接構造體具備第1連接對象構件、第2連接對象構件、及將第1、第2連接對象構件進行連接之連接部，上述連接部之材料較佳為上述導電性粒子或包含上述導電性粒子與黏合劑樹脂之導電材料。上述連接部較佳為由上述導電性粒子所形成，或由包含上述導電性粒子與黏合劑樹脂之導電材料所形成。於使用導電性粒子之情形時，連接部本身為導電性粒子。 上述第1連接對象構件較佳為表面具有第1電極。上述第2連接對象構件較佳為表面具有第2電極。上述第1電極與上述第2電極較佳為利用上述導電性粒子中之上述導電性粒子本體進行電性連接。 上述連接構造體可經過如下步驟而獲得：於上述第1連接對象構件與上述第2連接對象構件之間配置上述導電性粒子或配置上述導電材料；及藉由進行熱壓接而進行導電連接。於上述熱壓接時，較佳為加熱至上述絕緣部之玻璃轉移溫度以上。 圖5係模式性地表示使用圖1所示之導電性粒子之連接構造體的剖視圖。 圖5所示之連接構造體51具備第1連接對象構件52、第2連接對象構件53、及將第1、第2連接對象構件52、53進行連接之連接部54。連接部54係由包含導電性粒子1之導電材料所形成。較佳為上述導電材料具有熱硬化性，連接部54係藉由使導電材料熱硬化而形成。再者，於圖5中，導電性粒子1係為了圖示之方便而簡略地表示。除導電性粒子1以外，亦可使用導電性粒子1A、1B。 第1連接對象構件52於表面(上表面)具有複數個第1電極52a。第2連接對象構件53於表面(下表面)具有複數個第2電極53a。第1電極52a與第2電極53a係利用1個或複數個導電性粒子1中之導電性粒子本體2(於圖中未示出符號)進行電性連接。因此，第1、第2連接對象構件52、53係利用導電性粒子本體2進行電性連接。 上述連接構造體之製造方法並無特別限定。作為連接構造體之製造方法之一例，可列舉於第1連接對象構件與第2連接對象構件之間配置上述導電材料而獲得積層體後，對該積層體進行加熱及加壓之方法等。上述熱壓接之壓力較佳為40 MPa以上，更佳為60 MPa以上，且較佳為90 MPa以下，更佳為70 MPa以下。上述熱壓接之加熱之溫度較佳為80℃以上，更佳為100℃以上，且較佳為140℃以下，更佳為120℃以下。 作為上述連接對象構件，具體而言，可列舉：半導體晶片、電容器及二極體等電子零件；以及印刷基板、軟性印刷基板、玻璃環氧基板及玻璃基板等電路基板等電子零件等。上述連接對象構件較佳為電子零件。上述導電性粒子較佳為用於電子零件中之電極之電性連接。 作為設置於上述連接對象構件之電極，可列舉金電極、鎳電極、錫電極、鋁電極、銀電極、SUS電極、銅電極、鉬電極及鎢電極等金屬電極。於上述連接對象構件為軟性印刷基板之情形時，上述電極較佳為金電極、鎳電極、錫電極或銅電極。於上述連接對象構件為玻璃基板之情形時，上述電極較佳為鋁電極、銅電極、鉬電極或鎢電極。再者，於上述電極為鋁電極之情形時，可為僅由鋁所形成之電極，亦可為於金屬氧化物層之表面積層有鋁層之電極。作為上述金屬氧化物層之材料，可列舉摻雜有3價金屬元素之氧化銦及摻雜有3價金屬元素之氧化鋅等。作為上述3價金屬元素，可列舉Sn、Al及Ga等。 以下，列舉實施例及比較例對本發明具體地進行說明。本發明並非僅限於以下之實施例。 (實施例1) (1)導電性粒子之製作 準備粒徑為3.0 μm之二乙烯基苯共聚物樹脂粒子(基材粒子A、積水化學工業公司製造之「Micropearl SP-203」)。於使用超音波分散器使上述基材粒子A10重量份分散至包含5重量%之鈀觸媒液之鹼溶液100重量份中之後，對溶液進行過濾，藉此提取基材粒子A。繼而，將基材粒子A添加至二甲胺硼烷1重量%溶液100重量份中，使基材粒子A之表面活化。於將表面經活化之基材粒子A充分地水洗後，添加蒸餾水500重量份使該基材粒子A分散，藉此獲得分散液。其次，歷時3分鐘將氧化鋁粒子漿料(平均粒徑152 nm)1 g添加至上述分散液中，而獲得包含附著有芯物質之基材粒子之懸浮液。 又，準備包含硫酸鎳0.35 mol/L、二甲胺硼烷1.38 mol/L及檸檬酸鈉0.5 mol/L之鎳鍍覆液(pH值8.5)。 一面將所獲得之懸浮液於60℃下進行攪拌，一面將上述鎳鍍覆液緩慢滴加至懸浮液中進行無電解鍍鎳。其後，藉由對懸浮液進行過濾而提取粒子，並藉由進行水洗、乾燥而將鎳-硼導電層(厚度0.15 μm)配置於基材粒子A之表面，從而獲得表面為導電層之導電性粒子A。於導電部之外表面之總表面積100%中，有突起之部分之表面積為70%。 (2)絕緣性粒子之製作 向安裝有4口可分離式蓋、攪拌葉、三通活栓、冷凝管及溫度探針之5000 mL可分離式燒瓶中添加包含蒸餾水4000 ml、乙醇900 ml、甲基丙烯酸甲酯3.3 mol、甲基丙烯酸十三烷基酯4.1 mol、酸性磷醯氧基聚氧乙二醇甲基丙烯酸酯0.5 mmol、及2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)0.3 mmol之單體組合物後，於250 rpm下進行攪拌，並於氮氣環境下於60℃下進行5小時聚合。反應結束後，進行冷凍乾燥，而獲得表面具有源自酸性磷醯氧基聚氧乙二醇甲基丙烯酸酯之P-OH基的絕緣性粒子(平均粒徑374 nm)。 (3)附絕緣性粒子之導電性粒子之製作 使上述中所獲得之絕緣性粒子分別於超音波照射下分散於蒸餾水中，獲得絕緣性粒子之10重量%水分散液。使所獲得之導電性粒子A10 g分散於蒸餾水500 mL中，添加絕緣性粒子之10重量%水分散液1 g，並於室溫下攪拌8小時。於利用3 μm之篩網過濾器過濾後，進而利用甲醇進行洗淨、乾燥，而獲得導電性粒子(附絕緣性粒子之導電性粒子)。 (4)導電材料(各向異性導電膏)之製作 調配所獲得之導電性粒子(附絕緣性粒子之導電性粒子)7重量份、雙酚A型苯氧基樹脂25重量份、茀型環氧樹脂4重量份、酚系酚醛清漆型環氧樹脂30重量份及SI-60L(三新化學工業公司製造)，進行3分鐘消泡及攪拌，藉此獲得各向異性導電膏。 (5)連接構造體之製作 準備上表面形成有L/S為10 μm/20 μm之IZO(Indium Zinc Oxide，氧化銦鋅)電極圖案(第1電極、電極表面之金屬之維氏硬度100 Hv)之透明玻璃基板。又，準備下表面形成有L/S為10 μm/20 μm之Au電極圖案(第2電極、電極表面之金屬之維氏硬度50 Hv)的半導體晶片。 將所獲得之各向異性導電膏以厚度成為30 μm之方式塗佈於上述透明玻璃基板上，而形成各向異性導電膏層。其次，將上述半導體晶片以電極彼此對向之方式積層於各向異性導電膏層上。其後，一面以各向異性導電膏層之溫度成為100℃之方式調整加熱加壓頭之溫度，一面將加壓加熱頭載置於半導體晶片之上表面，施加60 MPa之壓力並使各向異性導電膏層於100℃下硬化，而獲得連接構造體。又，將製作連接構造體時之溫度及壓力變更為如下述表1所示，而獲得連接構造體。 (實施例2) 將製作絕緣性粒子時所使用之甲基丙烯酸十三烷基酯變更為甲基丙烯酸硬脂酯，以及如下述表1所示般設定絕緣性粒子之平均粒徑，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性粒子(附絕緣性粒子之導電性粒子)、各向異性導電膏及連接構造體。 (實施例3) 將製作絕緣性粒子時所使用之甲基丙烯酸十三烷基酯變更為甲基丙烯酸十二烷基酯，以及如下述表1所示般設定絕緣性粒子之平均粒徑，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性粒子(附絕緣性粒子之導電性粒子)、各向異性導電膏及連接構造體。 (實施例4) 將製作絕緣性粒子時所使用之甲基丙烯酸十三烷基酯變更為甲基丙烯酸辛酯，以及如下述表1所示般設定絕緣性粒子之平均粒徑，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性粒子(附絕緣性粒子之導電性粒子)、各向異性導電膏及連接構造體。 (實施例5) 將製作絕緣性粒子時所使用之甲基丙烯酸十三烷基酯變更為甲基丙烯酸戊酯，以及如下述表1所示般設定絕緣性粒子之平均粒徑，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性粒子(附絕緣性粒子之導電性粒子)、各向異性導電膏及連接構造體。 (實施例6) 將製作導電性粒子時所使用之氧化鋁粒子漿料之平均粒徑變更為102 nm，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性粒子(附絕緣性粒子之導電性粒子)、各向異性導電膏及連接構造體。 (實施例7) 將製作導電性粒子時所使用之氧化鋁粒子漿料之平均粒徑變更為308 nm，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性粒子(附絕緣性粒子之導電性粒子)、各向異性導電膏及連接構造體。 (實施例8) 將製作導電性粒子時所使用之氧化鋁粒子漿料變更為鎳粒子漿料(平均粒徑154 nm)，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性粒子(附絕緣性粒子之導電性粒子)、各向異性導電膏及連接構造體。 (實施例9) 將絕緣性粒子之平均粒徑變更為156 nm，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性粒子(附絕緣性粒子之導電性粒子)、各向異性導電膏及連接構造體。 (實施例10) 將絕緣性粒子之平均粒徑變更為511 nm，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性粒子(附絕緣性粒子之導電性粒子)、各向異性導電膏及連接構造體。 (實施例11) 將基材粒子A之平均粒徑變更為10 μm，以及如下述表2所示般設定絕緣性粒子之平均粒徑，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性粒子(附絕緣性粒子之導電性粒子)、各向異性導電膏及連接構造體。 (實施例12) 將基材粒子A之平均粒徑變更為10 μm，將製作導電性粒子時所使用之氧化鋁粒子漿料變更為鎳粒子漿料(平均粒徑154 nm)，以及如下述表2所示般設定絕緣性粒子之平均粒徑，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性粒子(附絕緣性粒子之導電性粒子)、各向異性導電膏及連接構造體。 (實施例13) 將基材粒子A之平均粒徑變更為20 μm，將製作導電性粒子時所使用之氧化鋁粒子漿料之平均粒徑變更為457 nm，以及如下述表2所示般設定絕緣性粒子之平均粒徑，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性粒子(附絕緣性粒子之導電性粒子)、各向異性導電膏及連接構造體。 (實施例14) 將基材粒子A之平均粒徑變更為20 μm，將製作導電性粒子時所使用之氧化鋁粒子漿料變更為鎳粒子漿料之平均粒徑461 nm，以及如下述表2所示般設定絕緣性粒子之平均粒徑，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性粒子(附絕緣性粒子之導電性粒子)、各向異性導電膏及連接構造體。 (比較例1) 將製作絕緣性粒子時所使用之甲基丙烯酸酯全部變更為甲基丙烯酸甲酯，以及如下述表2所示般設定絕緣性粒子之平均粒徑，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性粒子(附絕緣性粒子之導電性粒子)、各向異性導電膏及連接構造體。 (比較例2) 將製作絕緣性粒子時所使用之甲基丙烯酸十三烷基酯變更為甲基丙烯酸丁酯，以及如下述表2所示般設定絕緣性粒子之平均粒徑，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性粒子(附絕緣性粒子之導電性粒子)、各向異性導電膏及連接構造體。 (比較例3) 於製作導電性粒子時未使用氧化鋁粒子漿料，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性粒子(附絕緣性粒子之導電性粒子)、各向異性導電膏及連接構造體。 (比較例4) 將基材粒子A之平均粒徑變更為10 μm，於製作導電性粒子時未使用氧化鋁粒子漿料，以及如下述表2所示般設定絕緣性粒子之平均粒徑，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性粒子(附絕緣性粒子之導電性粒子)、各向異性導電膏及連接構造體。 (比較例5) 將基材粒子A之平均粒徑變更為20 μm，於製作導電性粒子時未使用氧化鋁粒子漿料，以及如下述表2所示般設定絕緣性粒子之平均粒徑，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性粒子(附絕緣性粒子之導電性粒子)、各向異性導電膏及連接構造體。 (評價) (1)導電材料(各向異性導電膏)之黏度 使用E型黏度計(東機產業公司製造之「TVE22L」)於100℃及5 rpm之條件下測定各向異性導電膏之黏度。 (2)壓縮時之絕緣性粒子之變形量 使用FIB-SEM(Focussed Ion Beam-Scanning Electron Microscopes，聚焦離子束-掃描式電子顯微鏡)複合裝置，而觀察所獲得之連接構造體之薄膜切片之SEM圖像。於所獲得之連接構造體中，測定夾於導電性粒子與透明玻璃基板之間之10個絕緣性粒子之變形量(上述比L1/L2)，並求出測定值之平均值。 (3)導通可靠性(上下之電極間) 分別藉由四端子法測定藉由與實施例1相同之方法所製作之20個連接構造體之上下電極間之連接電阻。再者，可根據電壓＝電流×電阻之關係測定流通一定之電流時之電壓，藉此求出連接電阻。根據下述基準判定導通可靠性。 [導通可靠性之判定基準] ○○：連接電阻為2.0 Ω以下 ○：連接電阻超過2.0 Ω且為3.0 Ω以下 △：連接電阻超過3.0 Ω且為5.0 Ω以下 ×：連接電阻超過5.0 Ω (4)絕緣可靠性(於橫向上相鄰之電極間) 對於上述(3)導通可靠性之評價中所獲得之20個連接構造體，利用測試機測定電阻，藉此對相鄰之電極間有無漏電進行評價。根據下述基準判定絕緣性。 [絕緣可靠性之判定基準] ○○：電阻值為108 Ω以上之連接構造體之個數之比率為80%以上 ○：電阻值為108 Ω以上之連接構造體之個數之比率為70%以上且未達80% △：電阻值為108 Ω以上之連接構造體之個數之比率為60%以上且未達70% ×：電阻值為108 Ω以上之連接構造體之個數之比率未達60% 將結果示於下述表1、2。 [表1]
Figure 106116423-A0304-0001
 [表2]
Figure 106116423-A0304-0002
1、1A、1B、1C‧‧‧導電性粒子2、2A、2B‧‧‧導電性粒子本體3‧‧‧絕緣性粒子3C‧‧‧絕緣層11‧‧‧基材粒子12、12A、12B‧‧‧導電部12AA‧‧‧第1導電部12AB‧‧‧第2導電部13‧‧‧芯物質51‧‧‧連接構造體
52:第1連接對象構件
52a:第1電極
53:第2連接對象構件
53a:第2電極
54:連接部
DL1:虛線
DL2:虛線
圖1係表示本發明之第1實施形態之導電性粒子的剖視圖。 圖2係表示本發明之第2實施形態之導電性粒子的剖視圖。 圖3係表示本發明之第3實施形態之導電性粒子的剖視圖。 圖4係表示絕緣部為絕緣層之情形時之導電性粒子的剖視圖。 圖5係模式性地表示使用圖1所示之導電性粒子之連接構造體的剖視圖。

Claims (10)

  1. 一種導電材料，其係包含導電性粒子與黏合劑樹脂之導電材料，上述導電性粒子具備：導電性粒子本體，其具有導電部；及絕緣性粒子，其配置於上述導電性粒子本體之表面上；上述導電性粒子本體於上述導電部之外表面具有複數個突起；上述絕緣性粒子之玻璃轉移溫度未達100℃，上述絕緣性粒子於在滿足溫度100℃~160℃及壓力60MPa~80MPa之壓縮條件的至少一個壓縮條件下被壓縮時，能夠以壓縮後之上述絕緣性粒子於壓縮方向上之粒徑之最大值相對於壓縮後之上述絕緣性粒子於與壓縮方向正交之方向上之粒徑之最大值的比成為0.7以下之方式變形，上述導電材料於100℃下之黏度為1000Pa‧s以上且5000Pa‧s以下。
  2. 如請求項1之導電材料，其於上述導電性粒子本體之表面上配置有複數個上述絕緣性粒子。
  3. 如請求項2之導電材料，其中上述絕緣性粒子之平均粒徑相對於上述突起之平均高度的比超過0.5。
  4. 如請求項1至3中任一項之導電材料，其中上述絕緣性粒子於在溫度100℃及壓力60MPa下被壓縮時，能夠以壓縮後之上述絕緣性粒子於壓縮 方向上之粒徑之最大值相對於壓縮後之上述絕緣性粒子於與壓縮方向正交之方向上之粒徑之最大值的比成為0.7以下之方式變形。
  5. 如請求項1至3中任一項之導電材料，其中上述絕緣性粒子於在滿足溫度100℃~160℃及壓力60MPa~80MPa之壓縮條件的至少一個壓縮條件下被壓縮時，能夠以壓縮後之上述絕緣性粒子於壓縮方向上之粒徑之最大值成為壓縮前之上述突起之平均高度以下之方式變形。
  6. 如請求項5之導電材料，其中上述絕緣性粒子於在溫度100℃及壓力60MPa下被壓縮時，能夠以壓縮後之上述絕緣性粒子於壓縮方向上之粒徑之最大值成為壓縮前之上述突起之平均高度以下之方式變形。
  7. 如請求項1至3中任一項之導電材料，其中上述導電材料用於藉由在120℃以下進行熱壓接而進行導電連接。
  8. 一種連接構造體，其具備：第1連接對象構件，其於表面具有第1電極，第2連接對象構件，其於表面具有第2電極，及連接部，其將上述第1連接對象構件與上述第2連接對象構件進行連接；並且上述連接部之材料為如請求項1至7中任一項之導電材料，上述第1電極與上述第2電極係利用上述導電性粒子中之上述導電性粒子本體而進行電性連接。
  9. 一種連接構造體之製造方法，其具備如下步驟：於表面具有第1電極之第1連接對象構件與表面具有第2電極之第2連接對象構件之間，配置如請求項1至7中任一項之導電材料；及藉由在上述絕緣性粒子之玻璃轉移溫度以上且160℃以下進行熱壓接而進行導電連接。
  10. 如請求項9之連接構造體之製造方法，其係於上述絕緣性粒子之玻璃轉移溫度以上且120℃以下進行熱壓接。
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