WO2006109591A1 - 弾性波素子 - Google Patents

弾性波素子 Download PDF

Info

Publication number
WO2006109591A1
WO2006109591A1 PCT/JP2006/306811 JP2006306811W WO2006109591A1 WO 2006109591 A1 WO2006109591 A1 WO 2006109591A1 JP 2006306811 W JP2006306811 W JP 2006306811W WO 2006109591 A1 WO2006109591 A1 WO 2006109591A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electrode
acoustic wave
electrode finger
gap
wave device
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/306811
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hajime Kando
Original Assignee
Murata Manufacturing Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co., Ltd. filed Critical Murata Manufacturing Co., Ltd.
Priority to JP2007512905A priority Critical patent/JP4650488B2/ja
Priority to EP06730759.5A priority patent/EP1871006B1/en
Priority to CN2006800040661A priority patent/CN101116244B/zh
Publication of WO2006109591A1 publication Critical patent/WO2006109591A1/ja
Priority to US11/843,776 priority patent/US7501916B2/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/125Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14517Means for weighting
    • H03H9/14529Distributed tap
    • H03H9/14532Series weighting; Transverse weighting
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H03H9/0047Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks
    • H03H9/0066Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically parallel
    • H03H9/0071Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically parallel the balanced terminals being on the same side of the tracks
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/0222Details of interface-acoustic, boundary, pseudo-acoustic or Stonely wave devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02559Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02858Means for compensation or elimination of undesirable effects of wave front distortion
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02881Means for compensation or elimination of undesirable effects of diffraction of wave beam
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/125Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14517Means for weighting
    • H03H9/1452Means for weighting by finger overlap length, apodisation
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/125Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14544Transducers of particular shape or position
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to an acoustic wave device used for, for example, a resonator or a bandpass filter, and more particularly to an acoustic wave device having an improved IDT electrode structure having a plurality of electrode fingers.
  • elastic wave elements have been widely used for resonators, bandpass filters, and the like.
  • the elastic wave element a surface acoustic wave element using a surface acoustic wave, a boundary acoustic wave element using a boundary acoustic wave, and the like are known.
  • first and second solid layers are laminated, and at least one regular IDT electrode (interface) is formed at the interface between the first solid layer and the second solid layer.
  • a boundary acoustic wave resonator in which a digital electrode is arranged is shown.
  • an IDT electrode having a plurality of electrode fingers is usually used to excite boundary acoustic waves and surface acoustic waves.
  • Patent Document 2 discloses a surface acoustic wave element having a weighted IDT electrode.
  • FIG. 18 is a schematic plan view showing the electrode structure of the surface acoustic wave device described in Patent Document 2. As shown in FIG.
  • the surface acoustic wave element 101 is a filter element using surface acoustic waves, and has an input terminal IN and an output terminal OUT.
  • the first and second filters are formed on the piezoelectric substrate by forming the illustrated electrode structure.
  • the first filter has a weighted IDT electrode 102 for excitation and a normal IDT electrode 103 for reception.
  • the second filter has a normal-type excitation IDT electrode 104 and a weighted IDT electrode 105 for reception.
  • One of the weighted IDT electrodes 102 and 105 is weighted to have a minimum phase characteristic, and the other is weighted to have a maximum phase characteristic.
  • the weighting is performed by the cross width weighting method. Therefore, for example, when the electrode fingers 102a and 102b adjacent to each other in the ID T electrode 102 are taken as an example, The gap 102c provided at the tip and the gap 102d provided on the electrode finger 102b are provided at different positions in the direction orthogonal to the force surface wave propagation direction, that is, the direction in which the electrode fingers 102a and 102b extend.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 2004-236285
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-260543
  • the regular IDT electrode is disposed at the boundary between the first and second solid layers.
  • a method of applying cross width weighting to IDT electrodes has been widely used in order to obtain desired filter characteristics and resonance characteristics.
  • An object of the present invention is to provide an acoustic wave device having a structure that makes it possible to obtain even better resonance characteristics and filter characteristics in view of the current state of the prior art described above.
  • an acoustic wave device including a piezoelectric body and at least one IDT electrode, wherein the IDT electrodes are adjacent to each other in the acoustic wave propagation direction and connected to different potentials.
  • a second electrode finger, and a gap is provided on the outer side in the electrode finger length direction at the tip of each of the first and second electrode fingers, and a side edge of the first electrode finger is provided.
  • a convex portion is formed on at least one of the gap and the electrode finger length direction, which is located outside the tip end of the electrode finger of 1, and is elastic.
  • a wave element is provided.
  • the electrode finger in which the gap extending adjacent to the convex portion in the elastic wave propagation direction is positioned on the tip side of the electrode finger is The electrode is thinned as it goes to the tip of the finger.
  • the distance between the outer peripheral edge of the first electrode finger and the outer peripheral edge of the second electrode finger adjacent to the first electrode finger is: Almost constant Yes.
  • the first and second electrode fingers are arranged !, and the acoustic wave propagates through the gap across the portion.
  • the effective propagation distance in this case and the effective propagation distance in the portion where the first and second electrode fingers are provided in the portion other than the gap are substantially equal to each other.
  • the part is formed.
  • the convex portion is a gap provided at a tip of one electrode finger of the first and second electrode fingers. It is formed so as to protrude from the side edge on the opposite side toward the gap.
  • the convex portion has a trapezoidal planar shape, and the lower base of the trapezoid is configured by a side edge of the electrode finger on which the convex portion is formed.
  • the inner angle formed by the side connecting the upper and lower bases of the trapezoid and the lower base is less than 90 °
  • a position along the electrode finger length direction of the middle point of the lower bottom of the convex portion is a gap of the tip of the other electrode finger.
  • the electrode finger length direction center position is substantially equal to the electrode finger length direction, and the length of the lower base is made larger than the gap width which is a dimension along the electrode finger length direction of the gap.
  • the length of the upper base is made smaller than the gap width.
  • the convex portion is not particularly limited! / ⁇ may be configured to have an isosceles trapezoidal planar shape. .
  • the convex portion has a plurality of corner portions, and the plurality of corner portions are rounded.
  • the planar shape of the convex portion is formed by a curved line excluding the bottom side connected to the side edge of the electrode finger and the bottom side. It has a shape with an outer periphery!
  • the position along the electrode finger length direction of the middle point of the bottom of the convex portion extends the gap in the electrode finger direction. Equally divide the line and the electrode finger in the same length direction, and the length of the bottom side is the gap. The width is larger than the width.
  • the convex portion is also formed on the other of the first and second electrode fingers. That is, the electrode finger length direction position of the convex portion formed on the other of the first and second electrode fingers is the electrode of the gap provided at the tip of the electrode finger on one of the first and second electrode fingers. It is provided at a position that is substantially the same as the position along the finger length direction.
  • the IDT electrode is subjected to cross width weighting.
  • a surface acoustic wave or a boundary acoustic wave is used as the elastic wave.
  • the surface acoustic wave device is used by using the surface acoustic wave, and the elastic wave is generated by using the boundary acoustic wave.
  • a boundary wave device can be provided.
  • the acoustic wave device further includes a medium layer provided so as to cover at least one IDT electrode provided on the piezoelectric substrate, and the density of the IDT electrode
  • the density is equal to or higher than the density of the piezoelectric substrate and the medium layer, and the ratio between the density of the IDT electrode and the density of the medium layer is greater than 1.22.
  • a medium layer is laminated so as to cover at least one IDT electrode provided on the piezoelectric substrate, and the IDT electrode
  • the density is greater than the density of the piezoelectric substrate and the medium layer, and the density ratio between the IDT electrode and the higher one of the density of the piezoelectric substrate and the density of the medium layer is set higher than 1.22. ing.
  • the IDT electrodes are adjacent to each other in the acoustic wave propagation direction, and have first and second electrode fingers connected to different potentials. Gaps are formed on the outer sides of the tips, respectively, and at the side edges of the first electrode fingers, the gaps are located on the outer sides of the tips of the second electrode fingers in the length direction of the electrode fingers. At least one of the equal position and the position at the side edge of the second electrode finger at the outer side of the tip end of the first electrode finger and the gap in the length direction of the electrode finger.
  • the convex portion is formed at the position of, as is clear from the description of the embodiment described later, the elasticity It is possible to compensate for a phase shift between a portion where a gap exists during wave propagation and a portion where it exists! / ⁇ . As a result, the resonance characteristics and filter characteristics can be improved.
  • the IDT electrode is weighted with cross width, in addition to improving the characteristics by weighting the cross width, it is possible to improve the resonance characteristics and the filter characteristics more effectively by forming the convex portions. It becomes possible.
  • the electrode finger In the electrode finger positioned on the outer side of the tip of the electrode finger adjacent to and adjacent to the convex portion in the elastic wave propagation direction, the electrode finger becomes gradually thinner toward the tip of the electrode finger. If it is, the distance between the gradually narrowed electrode finger portion and the convex portion is made sufficiently large. Therefore, power durability can be improved more effectively. When the distance between the outer peripheries between the first electrode finger and the second electrode finger is substantially constant, there is almost no portion where the electric field concentrates, and the power durability can be further improved. it can.
  • the effective distance of propagation of the acoustic wave propagating through the gap and the first and second electrode fingers are provided in the portion where the first and second electrode fingers are disposed.
  • the convex portion is formed so that the effective distance through which the elastic wave propagates is substantially equal to the portion other than the gap and the portion other than the gap, the above-described phase of the elastic wave The shift can be compensated more effectively.
  • the side edge of the convex portion is inclined obliquely.
  • the planar shape of the convex portion is a trapezoid or the like, the boundary wave propagating from the side edge of the convex portion toward the gap is refracted when propagating outward from the side edge, and the gap portion Can be effectively focused on.
  • the convex portion has a trapezoidal planar shape, the lower base of the trapezoid is formed by the side edges of the electrode fingers, and the angle formed between the side and the lower base connecting the upper and lower bases of the trapezoid is If the angle is less than 90 °, the elastic wave is refracted and propagated in the direction of the gap. For this reason, it is possible to effectively suppress the diffraction loss in the gap, thereby further effectively improving the resonance characteristics and the filter characteristics.
  • the position along the electrode finger length direction of the middle point of the bottom of the convex portion is the other gap.
  • the position is approximately equal, and the lower bottom length force is larger than the gap width which is the dimension along the electrode length direction of the gap.
  • the inertial wave refracting at the side edge of the convex portion passes through the gap without being affected by the electrode at the tip of the gap so that it is more effective.
  • it is possible to suppress diffraction loss and thereby improve the resonance characteristics and filter characteristics more effectively.
  • the convex portion has an isosceles trapezoidal shape
  • the propagation state of the elastic wave on both sides of the gap in the electrode finger length direction can be made equal, and the resonance characteristics and the filter characteristics can be further improved. It can be.
  • planar shape of the convex portion is a planar shape having a base connected to the side edge of the electrode finger and an outer peripheral edge formed by a curve excluding the base. In case! Even so, it is possible to compensate for a phase shift between a portion where a gap exists during propagation of elastic waves and a portion where the gap does not exist.
  • the phase shift when the elastic wave propagates through the IDT electrode is more effective. It is possible to make it smaller.
  • a high-density metal such as Au, Cu or Ag
  • the difference between the acoustic impedance of the IDT electrode and the acoustic impedance of the piezoelectric substrate and the medium layer becomes large, and the metallization of the IDT electrode Elasticity in the part and non-metallized part
  • the sound speed ratio of the boundary wave increases. In general, when the sound velocity ratio of the boundary acoustic wave increases, the above-described phase shift and diffraction loss are likely to occur.
  • the phase shift is compensated by the formation of the convex portion, even in a boundary acoustic wave device having such a large density ratio, the resonance characteristics and the filter characteristics are effectively deteriorated due to the phase shift. It is possible to suppress it.
  • the acoustic wave device in any case where a surface acoustic wave is used as an elastic wave or a boundary acoustic wave is used, a good resonance characteristic or A surface acoustic wave device and a boundary acoustic wave device that can realize filter characteristics can be provided.
  • boundary acoustic waves it is preferable that the acoustic velocity of the boundary acoustic waves is lower than the acoustic velocity of the upper and lower medium layers in order to reduce propagation loss of the boundary acoustic waves.
  • Such a condition makes the IDT electrode heavier. That is, it can be achieved by increasing the density of the IDT electrode.
  • the density force of the IDT electrode When the ratio of the density of the piezoelectric substrate and the density of the medium layer is higher than 1.22, the effect of the present invention is further improved while reducing the propagation loss. Remarkably can be obtained.
  • Fig. 1 is a schematic plan sectional view showing an electrode structure of a boundary acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention. It is a plane sectional view showing typically.
  • FIG. 2 is a front sectional view of the boundary acoustic wave device according to the first embodiment shown in FIG.
  • FIG. 3 is a schematic plan view for explaining problems of a conventional boundary acoustic wave device.
  • Fig. 4 shows the boundary acoustic wave wave propagating through the IDT electrode in a conventional boundary acoustic wave device. It is a typical top view for explaining a field.
  • FIG. 5 (a) is a schematic plan view showing the propagation path of a boundary acoustic wave for explaining the effect of the convex portion in the boundary acoustic wave element of the embodiment
  • FIG. 5 (b) shows the IDT electrode
  • FIG. 6 is a schematic plan view for explaining the wavefront of a propagating elastic boundary wave.
  • FIG. 6 is a schematic plan view for explaining the refraction phenomenon of boundary acoustic waves propagating outward from the side edges of the protrusions in the boundary acoustic wave device of the embodiment shown in FIG. It is a figure.
  • FIG. 7 is a schematic partially cutaway plan view for explaining a modification of the boundary acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic partially cutaway plan view for explaining another modified example of the boundary acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIGS. 9 (a) and 9 (b) are schematic plan views showing other modifications of the boundary acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 10 is a schematic plan view showing an electrode structure of a boundary acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a diagram showing filter characteristics of the boundary acoustic wave device of the second exemplary embodiment.
  • Figure 12 shows the filter characteristics of a conventional boundary acoustic wave device prepared for comparison.
  • FIG. 13 is a diagram showing the phase characteristics and impedance characteristics of the conventional boundary acoustic wave device prepared for comparison with the second embodiment and the impedance characteristics on the S 11 side.
  • FIG. 14 is a partially cutaway plan view for explaining an IDT electrode of a boundary acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a schematic partially cutaway plan view for explaining a modification of the IDT electrode of the boundary acoustic wave device of the third exemplary embodiment.
  • FIG. 16 is a schematic plan view for explaining the dimensional relationship of electrode fingers in an experimental example of the boundary acoustic wave device of the third exemplary embodiment.
  • FIG. 17 shows the positions of the boundary acoustic wave device of the third embodiment and the conventional boundary acoustic wave device. It is a figure which shows a phase characteristic and an impedance characteristic.
  • FIG. 18 is a schematic plan view showing an electrode structure of a conventional surface acoustic wave element. Explanation of symbols
  • FIG. 2 is a front sectional view of the boundary acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • (a) is a schematic plan sectional view showing an electrode structure of the boundary acoustic wave device, and (b) is a schematic plan view showing an enlarged main part thereof.
  • the boundary acoustic wave element 1 includes a piezoelectric substrate 2, an IDT electrode 3 formed on the upper surface 2 a of the piezoelectric substrate 2, reflectors 4 and 5, an IDT electrode 3, and reflectors 4 and 4. And a medium layer 6 provided to cover 5.
  • the IDT electrode 3 is formed at the interface between the piezoelectric substrate 2 and the medium layer 6.
  • the piezoelectric substrate 2 is formed of a LiNbO substrate.
  • pressure is applied to the piezoelectric substrate 2 to form a LiNbO substrate.
  • the electric substrate 2 is composed of another piezoelectric single crystal substrate such as a LiTaO substrate or a quartz substrate. Alternatively, it may be constituted by a piezoelectric ceramic substrate. Above LiNbO substrate power
  • the density of the piezoelectric substrate 2 is 4.64 g / cm 3 .
  • the medium layer 6 is made of SiO in this embodiment, and its density is 2.2 gZcm 3 .
  • the material constituting the medium layer 6 is not limited to SiO, but other insulating materials such as SiN
  • the medium layer 6 is constituted by the above.
  • the IDT electrode 3 and the reflectors 4 and 5 can be made of an appropriate metal or alloy such as Ag. In the present embodiment, the IDT electrode 3 and the reflectors 4 and 5 are made of Au. A preferred combination of the material constituting the IDT electrode 3 and the material constituting the piezoelectric substrate 2 and the medium layer 6 will be described later.
  • the IDT electrode 3 is provided with a pair of bus bars 3a and 3b extending in the boundary acoustic wave propagation direction.
  • a plurality of first electrode fingers 31 and a plurality of second electrode fingers 32 are alternately arranged in the boundary acoustic wave propagation direction.
  • the first and second electrode fingers 31, 32 are extended in a direction orthogonal to the boundary acoustic wave propagation direction.
  • One end of the plurality of first electrode fingers 31 is connected to the second bus bar 3a, and the other end is extended to the second bus bar 3b side.
  • a gap 33 is disposed at the tip of the plurality of electrode fingers 31.
  • a dummy electrode finger 34 is provided so as to face the electrode finger 31 through the gap 33. The dummy electrode fingers 34 are connected to the bus bar 3b.
  • one end of the plurality of second electrode fingers 32 is connected to the bus bar 3b, and the other end is extended to the first bus bar 3a side.
  • a gap 35 is disposed at the tip of the second electrode finger 32.
  • a dummy electrode finger 36 is arranged so as to face the second electrode finger 32 through the gap 35. The dummy electrode fingers 36 are connected to the bus bar 3a.
  • the first comb-like electrode having the plurality of first electrode fingers 31 and the bus bar 3a, and the second electrode having the plurality of second electrode fingers 32 and the bus bar 3b.
  • the IDT electrode 3 is composed of the comb-shaped electrodes. In the IDT electrode 3, the plurality of first electrode fingers 31 and the plurality of second electrode fingers 32 are interleaved.
  • the positions of the gaps 33, 35 along the length direction of the electrode fingers 31, 32 are clear. Is changed along the direction of boundary acoustic wave propagation.
  • the adjacent first and second electrode fingers 31 , 32 are overlapped in the boundary acoustic wave propagation direction, that is, the width of the intersection is weighted so that the crossover width, which is the dimension of the crossover region, changes in the boundary acoustic wave propagation direction.
  • the specific width of the cross width weighting is determined at the design stage in order to obtain resonance characteristics by the IDT electrode 3.
  • the reflectors 4 and 5 in the present embodiment are grating reflectors in which both ends of a plurality of electrode fingers are short-circuited.
  • the reflectors 4 and 5 are arranged on both sides of the IDT electrode 3 in the boundary acoustic wave propagation direction.
  • An open reflector that is not short-circuited at both ends may be disposed as the reflector.
  • the boundary acoustic wave device 1 of the present embodiment is characterized in that the convex portion 11 is located at a position facing the gap 35 or the gap 33 on the side edges of the first and second electrode fingers 3 1, 32 of the IDT electrode 3. , 12 or protrusions 13 and 14 are provided. This will be explained more specifically with reference to Fig. 1 (b).
  • FIG. 1 (b) the portion where the first electrode finger 31 and the second electrode finger 32 are adjacent to each other is shown enlarged.
  • convex portions 13 and 14 are provided on the side edges of the second electrode finger 32.
  • the convex portion 13 is provided so that a partial force of the side edge 32 a of the electrode finger 32 protrudes toward the gap 33 disposed at the tip of the first electrode finger 31.
  • the positions along the length direction of the electrode fingers 31 and 32 of the convex portion 13 are substantially equal to the positions along the electrode finger length direction of the gap 33.
  • the positions along the length direction of the electrode fingers 31, 32 are the same, but the degree described in the present invention is not impaired. If so, they are not necessarily equal!
  • the convex portion 13 has an isosceles trapezoidal planar shape, and the portion connected to the side edge 32a corresponds to the lower base of the equiangular trapezoid, and the tip of the convex portion 13 On the side, it has an upper base 13b.
  • the upper base 13b and the lower base 13a are joined together by the sides 13c and 13d inclined so as to form an inner angle ⁇ with respect to the lower base 13a.
  • Center force in the electrode finger length direction of the lower base 13a is aligned with the center of the gap 33 in the electrode finger length direction.
  • the electrode finger length direction that bisects the gap 33 in the electrode finger length direction The position coincides with the midpoint of the lower base 13a along the electrode finger length direction in the electrode finger length direction. Since it is an equiangular trapezoid, the inner angle a is less than 90 °.
  • the dimension along the electrode finger length direction of the gap 33 is defined as the gap width G, and the maximum dimension along the electrode finger length of the convex portion 13, that is, the convex portion 13
  • the dimension along the electrode finger length direction of the lower base 13 a is W
  • the protrusion height of the convex part 13 that is, the dimension from the side 32 a of the electrode finger 32 to the upper base 13 b that is the tip of the convex part 13.
  • the protrusion height of the convex part 13 is assumed to be H.
  • FIG. 3 is a schematic plan view for explaining the propagation path of the boundary acoustic wave in such a conventional elastic boundary acoustic wave element.
  • cross width weighting is applied to suppress transverse mode spurious and the like.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing an enlarged main part of the IDT electrode to which the cross width is weighted, and corresponds to FIG. 1 (b) shown in the above embodiment.
  • an elastic wave element 121 similar to the boundary acoustic wave element 1 of the above embodiment is configured, except that the convex portions 11 to 14 are not provided.
  • the first electrode finger 131 and the second electrode finger 132 are adjacent to each other in the boundary acoustic wave propagation direction.
  • the gear 133 is located at the tip. In this portion, the boundary acoustic wave propagates as indicated by arrows X1 and X2, for example.
  • the boundary acoustic wave passes from the second electrode finger 132 through the first electrode finger 131 and then to the second electrode finger 132.
  • the boundary acoustic wave propagating from the second electrode finger 132 passes through the gap 133 and reaches the next second electrode finger 132 as indicated by an arrow X2.
  • the sound velocity of the boundary acoustic wave when passing through the electrode fingers 131 and 132 is different from the sound velocity in a portion where the electrode fingers 131 and 132 are not present.
  • the sound velocity of the elastic boundary wave at the electrode fingers 131 and 132 is Vm, and there is no electrode finger! ⁇
  • the sound velocity of the elastic boundary wave at the piezoelectric substrate surface is V
  • s is the width of the electrode elements 131 and 132, L
  • the self-placement pitch of the electrode elements 131 and 132 is P
  • S P—: L.
  • the time T1 for the boundary acoustic wave to reach from point A1 to point B1 in Fig. 3 is
  • T2 L / Vs + 2-S / Vs formula (2)
  • Tl—T2 L (lZVm—lZVs) Equation (3)
  • the arrival time difference represented by is generated when propagating through a portion where the gap 133 does not exist and when propagating through a region where the gap 133 exists. For this reason, in the conventional boundary acoustic wave element 121, a phase shift occurs in the boundary acoustic wave propagating through the IDT electrode based on the above time difference between when the gap passes through the gap and when the gap does not pass through the gap. I helped.
  • FIG. 4 is a schematic plan view for explaining the wavefront of the boundary acoustic wave propagating through the IDT electrode in the conventional boundary acoustic wave device.
  • the boundary acoustic wave excited by the IDT has a wavefront formed along the shape of the electrode finger of the IDT.
  • the boundary acoustic wave element 121 when the electrode finger has a linear shape, the first electrode finger 131 connected to one potential and the second electrode finger 132 connected to the other potential are used.
  • a plane wave is excited and propagated.
  • the boundary acoustic wave is diffracted on both sides of the gap 133 in the electrode finger length direction at the tip of the first electrode finger 131, The wave front will be disturbed. That is, it is considered that the disturbance of the wave front may cause deterioration of resonance characteristics and filter characteristics.
  • FIG. 5 (a) is a view corresponding to FIG. 3 shown for the conventional example, and shows the same part as the part shown in FIG. 1 (b).
  • an arrow extends from the point C1 on the side edge of the second electrode finger 32 to the point D1 on the side edge of the next second electrode finger 32 beyond the first electrode finger 31.
  • boundary acoustic waves propagate as indicated by X3 and the case where boundary acoustic waves propagate as indicated by arrow X4 in the part where gap 33 is provided will be described as an example.
  • the boundary acoustic wave propagation path indicated by the arrow X4 the boundary acoustic wave passes through the gap 33 from the point C2, which is the midpoint of the bottom 13a of the convex portion 13 connected to the side edge of the electrode finger 32.
  • it reaches the convex portion 14 provided on the side edge of the next second electrode finger 32, and reaches the point D2, which is the midpoint of the lower base 14a of the convex portion 14.
  • the sound velocity of the boundary acoustic wave of the portion where the electrode finger is provided is Vm
  • the elastic boundary wave of the portion where the elastic boundary wave is not provided is Vs
  • the width is L
  • the electrode finger pitch is P
  • S P-L.
  • the time T3 for the boundary acoustic wave to reach from the point C1 to the point D1 is equal to T1 in the case of Equation (1) shown for the conventional example.
  • the time T4 for the boundary acoustic wave to reach the point D2 from the point C2 is as follows.
  • T4 (L / Vs + 2-H / Vm + 2- (S-H) / Vs Equation (4)
  • H LZ 2
  • the difference in arrival time can be made substantially equal.
  • the range force that H is substantially equal to L Z2 is deviated, that is, as long as the convex portions 13 and 14 are provided, the propagation of the boundary acoustic wave that passes through the gap 33 regardless of the dimension of the protruding height H. Since the state of the road can be brought close to the state of the propagation path of the boundary acoustic wave in the absence of the gap 33, the present invention can compensate for the phase shift and improve the resonance characteristics. it can.
  • FIG. 5 (b) is a schematic plan view for explaining the wavefront when the boundary acoustic wave propagates through the IDT electrode in the embodiment.
  • the inner angle heel which is the angle with respect to the lower base 13a of the side sides 13c, 13d, is less than 90 °,
  • the boundary acoustic wave propagates in a direction inclined toward the center of the gap 33.
  • FIG. 6 is a schematic plan view showing a state of refraction at the side edge 13c of the boundary acoustic wave in which the side edge 13c of the convex portion 13 propagates toward the gap.
  • the boundary acoustic wave reaching the side edge 13c of the convex portion 13 reaches the side edge 13c having an angle with respect to the traveling direction of the boundary acoustic wave and is refracted. This occurs because the boundary boundary wave propagation velocity VI in the part where the electrode exists is different from the velocity V2 of the boundary acoustic wave propagating in the part where the electrode is not, and follows Snell's law.
  • the convex portions 13 and 14 are tapered on the side surfaces from the side edges of the electrode fingers provided with the convex portions 13 and 14 toward the tips of the convex portions 13 and 14. It is desirable to be attached. That is, the planar shape is an isosceles trapezoid. It is preferable that the above-described taper is attached to the aspect like the convex portion 13 so that the diffraction loss can be effectively suppressed.
  • the convex portions 11 and 12 provided on the first electrode finger 31 side also operate in the same manner as the convex portions 13 and 14. . Therefore, in the boundary acoustic wave device 1 of the present embodiment, the gaps 33 and 35 are provided on the IDT electrode 3 subjected to the cross width weighting by forming the convex portions 11 to 14! Therefore, it is possible to suppress the deterioration of the characteristics based on the phase shift between the boundary acoustic wave propagating through the part and the boundary acoustic wave propagating through the other part.
  • the convex portions 11 and 12 are also directed to the upper bottom side by applying a taper to the side surface, thereby suppressing the diffraction loss in the same manner as described above. be able to.
  • the convex portions 13 and 14 are formed so that the side edge force of the second electrode finger 32 on the gap 33 side also protrudes toward the gap 33 side.
  • convex portions 13A and 14A may be provided on the side edge of the second electrode finger 32 opposite to the side facing the gap 33.
  • the convex portion in the present invention is a side edge of the first electrode finger or the second electrode finger and is opposite to the side facing the gap provided at the tip of the second and first electrode fingers. At the side edge, it may be provided so as to protrude toward the opposite side of the gap.
  • FIG. 8 is a schematic plan view for showing still another modified example of the boundary acoustic wave device according to the embodiment.
  • the convex portion 13 is provided on the side edge of the second electrode finger 32 on the gap 33 side so as to face the gap 33.
  • the second electrode finger 32 in the pair of the second electrode fingers 32 is not provided with the convex portion 14 protruding toward the gap 33 side. That is, only one of the protrusions 13 and 14 in the above embodiment may be provided.
  • only one of the convex portions 11 and 12 may be provided for the first electrode finger.
  • the electrode finger length direction outer side of each tip of the first electrode finger 31 and the second electrode finger 32 The force at which the gap is provided is located on the outer side of the tip of the second electrode finger 32 at the side edge of the first electrode finger 31 and is extended in the length direction of the gap and the electrode finger.
  • the side edge of the second electrode finger 23 it is located outside the tip end of the first electrode finger 31! /, The gap and the electrode finger length direction, etc.
  • the convex part should just be formed in at least one position.
  • FIGS. 9 (a) and 9 (b) are schematic plan views for explaining still another modification of the acoustic wave device of the present invention.
  • the convex portions 11 to 14 have the shape of an isosceles trapezoid, but the shape of the convex portion is not limited to this. That is, as shown in FIG. 9 (a), rectangular convex portions 13B and 14B may be formed, and as shown in FIG. 9 (b), substantially semicircular convex portions 13C and 14C are formed. Also good.
  • a semicircular shape is formed by being surrounded by a portion continuous with the side edge of the second electrode finger 32, a portion continuous with the side edge, and an arc-shaped portion. .
  • at least a part of the outer peripheral edge portion may be provided with a curved convex portion.
  • a planar convex portion surrounded by a linear portion that continues to the side edge of the electrode finger and a curved outer peripheral edge portion may be provided.
  • the dimension along the electrode finger length direction of the convex portion is gradually reduced as it is directed from the side edge of the electrode finger provided with the convex portion to the tip of the electrode finger. Since the taper is attached as described above, it is possible to suppress the diffraction loss of the undesired elastic boundary wave as in the case of the above embodiment.
  • the piezoelectric substrate 2 is composed of a LiNbO substrate, and its density is
  • medium layer 6 is made of SiO, and 2.2 gZcm 3 .
  • the DT electrode 4 is made of Au, and its density is 19.3 gZcm 3 .
  • the acoustic impedance difference between them becomes large.
  • the boundary acoustic wave element 1 the acoustic velocity ratio of the boundary acoustic wave between the medium layer 6 and the IDT electrode causes the above-described phase shift and diffraction loss. That is, when the difference in acoustic impedance is large, the effects of the above-described phase shift, distortion, and scattering will be noticeable. Therefore, when the acoustic impedance ratio is large, it is desirable that the characteristics can be further improved by forming the convex portions on the electrode fingers according to the present invention.
  • Cu and a density of 8. 93gZcm 3 if the density is to form an IDT electrode of Au is 19. 3gZcm 3, the density ratio SiO increases, the actual
  • the piezoelectric substrate 2 is one medium, a medium layer made of SiO.
  • the effect of the present invention can be further expected. It is out.
  • the IDT electrode must be formed of a single-layer metal film made of only Au or Cu.
  • the metal film constituting the IDT electrode may be an adhesion layer or a diffusion noria layer vertically. Alternatively, it may be composed of a multilayer metal film in which a Ni layer, a NiCr layer, or a T ring is laminated.
  • a NiCrZAuZNiCr multilayer film is preferably used as an example of the IDT electrode.
  • the main electrode layer a structure in which an A1 layer and an Au layer are stacked and an adhesion layer and a barrier layer are further stacked, for example, a thickness ratio of 100: 10: 10: 55: 10 of TiZAlZTiZNiZAuZNi.
  • a laminated structure can also be used suitably.
  • the density ratio between A1 and SiO is small, but Au and Si
  • the medium layer 6 has a force SiN layer composed of only SiO.
  • Another insulating material layer such as a SiN layer may be laminated on the 02 layer.
  • the number of stacked layers is not particularly limited.
  • FIGS. 13 (a) and 13 (b) show the phase characteristics, resonance characteristics, and impedance characteristics on the S11 side of the boundary acoustic wave filter element of the above embodiment.
  • the present invention is applied to a 1-port boundary acoustic wave device in which one IDT electrode 3 and reflectors 4 and 5 on both sides of the IDT electrode 3 are provided. It can be applied to various elastic boundary wave devices and surface acoustic wave devices.
  • FIG. 10 is a schematic plan view showing an electrode structure of a boundary acoustic wave filter element as the second embodiment of the present invention.
  • the first and second resonator type filter units 53 and 54 are connected to the input terminal 52.
  • the resonator type filter units 53 and 54 are connected to first and second output terminals 57 and 58 via 1-port boundary wave resonators 55 and 56, respectively.
  • the boundary acoustic wave filter unit 53 and the boundary acoustic wave filter unit 54 are formed so that the phase of the flowing signal is inverted by 180 degrees, and therefore, the boundary acoustic wave having a balance-unbalance conversion function.
  • a filter is configured.
  • the first and second resonator type filter units 53 and 54 are respectively provided with three IDTs 53a to 53 that are arranged along the boundary wave propagation direction. 53c, 54a-54c. Between IDTs 53a to 53c and 54a to 54c, IDTs 53b and 54b in the center are subjected to cross width weighting. Further, in the IDTs 53b and 54b weighted with the cross width, a convex portion facing the gap is formed as in the above embodiment. In addition, reflectors 53d and 53e are disposed on both sides of the IDTs 53a to 53c. Similarly, reflectors 54d and 54e are disposed on both sides of the boundary wave propagation direction of IDTs 54a to 54c.
  • the first and second 1-port boundary wave resonators 55 and 56 also have IDT electrodes 55a and 56a that are subjected to cross width weighting.
  • the IDT 55a and 56a also implement the above-described implementation. Convex parts are formed as in the form.
  • the reflectors 55b, 55c, 56b, and 56c are placed in the boundary wave propagation directions J of the IDTs 55a and 55b.
  • the boundary acoustic wave device 51 of the present embodiment was manufactured with the following specifications.
  • a ⁇ ⁇ —X-cut propagation LiNbO substrate with a thickness of 350 ⁇ m was prepared as the piezoelectric substrate.
  • the unit of thickness of each layer is nm.
  • the second medium layer 6 ⁇ m thick SiO was formed so as to cover the electrode structure.
  • the number of electrode fingers in IDTs 53a to 53c and 54a to 54c was 6.5 to Z 10.5 to Z6.5, respectively (along the boundary wave propagation direction).
  • the number of reflector electrode fingers was 15 each.
  • the IDT electrodes 53a to 53c and 54a to 54c have an electrode finger crossing width of 25 and an opening width of 25.4.
  • IDTs 53b and 54b are weighted so that the crossing width at the center of the boundary acoustic wave propagation direction is 25 mm and the both ends are 20 mm.
  • the IDT electrodes 55a and 56a are weighted so that the crossing width of the electrode fingers at the center of the elastic boundary wave propagation direction is 30 and the crossing width is 12 at both ends.
  • FIGS. 11 and 12 show the filter characteristics of the boundary acoustic wave element of the second embodiment manufactured as described above and the filter characteristics of the boundary acoustic wave filter element of the conventional example prepared for comparison.
  • the boundary acoustic wave device of the above embodiment has a minimum insertion loss in the passband of 0.2 dB compared to the conventional boundary acoustic wave filter device. It can be seen that this can be improved and that the flatness of the filter characteristics in the passband can be effectively achieved.
  • the gap is provided by the formation of the convex portion, and the boundary acoustic wave propagating through the portion and the gap are provided. This is thought to be due to the suppression of the phase shift caused by the elastic boundary wave.
  • FIG. 14 shows an elastic wave element according to the third embodiment of the present invention. It is a fragmentary top view which shows the shape of the IDT electrode used with a child.
  • the first electrode finger 61 and the second electrode finger 62 are adjacent to each other in the surface acoustic wave propagation direction.
  • convex portions 63 and 64 are provided on the side edges of the first electrode finger 61.
  • the second electrode finger 62 has a gap G on the outer side of the tip of the electrode finger. However, as the second electrode finger 62 goes to the tip, the width-direction dimension of the tip portion is reduced. ing.
  • the convex portions 63 and 64 provided on the second electrode finger 62 are formed on the side edge of the first electrode finger 61 with the gap G and the length of the electrode finger located outside the tip of the second electrode finger 62. It is set at the same position! Therefore, as described above, the distance between the convex portions 63 and 64 and the second electrode finger 62 is reduced by narrowing the tip end force of the second electrode finger 62 toward the front end. It can be made large enough. Therefore, power durability can be improved.
  • the IDT electrode 70 includes a first electrode finger 71 having convex portions 73 and 74 provided on the side edges, and a second electrode finger 72. And have.
  • the electrode material is provided! I will do it.
  • the tip force of the second electrode finger 72 is made narrower as it goes to the tip, so that the power durability can be improved as in the case of the IDT electrode 60.
  • the distance r between the first electrode finger 71 and the second electrode finger 72, which is just the tip of the second electrode finger 72, is made almost constant. ing. That is, the distance!: Between the first and second electrode fingers 71 and 72 connected to different potentials is substantially constant. Accordingly, an electric field is uniformly applied between the first and second electrode fingers 71 and 72, and the power durability due to the electric field concentration is more unlikely to occur.
  • a 15 ° Y-cut X-propagation LiNbO substrate is used as the elastic wave device of the third embodiment.
  • a thick SiO film is laminated as a medium layer.
  • a boundary acoustic wave device was produced.
  • the IDT electrode is composed of AlCuZTiZNiZAuZNiZTi in this order from top to bottom.
  • OnmZ 1 OnmZ 1 Onm / 160 nm / 1 Onm / 1 Onm The laminated structure was used.
  • the number of electrode fingers in the IDT electrode was 50, and the number of electrode fingers in each reflector was 51.
  • the IDT electrode 60 has an electrode finger crossing width of 30 ⁇ and an opening width of 30.6 ⁇ .
  • the IDT electrode has a crossing width of 30 at the center of the IDT electrode.
  • the dimensions of the first and second electrode fingers 71 and 72 are set to G, TL, TW, SL, SW1, and SW2, respectively. 3 ⁇ 4 £ as shown in Table 1 below.
  • the protrusions 63 and 64 as shown in FIG. 15 are not provided on the first electrode finger, the tip of the second electrode finger is not thinned, and the width of the electrode finger
  • a conventional boundary acoustic wave device having the same configuration except that the directional dimension is substantially constant was fabricated.
  • the size of the gap G is 0.6 m.
  • the electrostatic breakdown voltage of the boundary acoustic wave device of the conventional example was measured, it was 173V.
  • the boundary acoustic wave device according to the first embodiment was prepared in the same manner as in the third embodiment except that was made equal to the dimension L.
  • the electrostatic breakdown voltage was as low as 130V. Therefore, as in the third embodiment, the electrostatic breakdown voltage can be effectively increased by narrowing the tip of the second electrode finger as it goes to the tip. It can be seen that can be increased.
  • the electrostatic breakdown voltage is equivalent to that of the boundary acoustic wave device of the third embodiment, but as is clear from FIG.
  • a ripple appears on the phase characteristic curve between the resonance point and the anti-resonance point.
  • the anti-resonance resistance is increased according to the third embodiment, and therefore, the impedance ratio, that is, the mountain-valley ratio can be increased. Therefore, when a band-pass filter is configured, the insertion loss is good. In addition, it can be seen that the pass band can be expanded because the sharpness of the edge of the pass band is improved.
  • the boundary acoustic wave device has been described.
  • the present invention provides a surface acoustic wave device using a surface acoustic wave, such as a surface acoustic wave resonator or an elastic table.
  • the present invention can also be applied to a surface wave filter element.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

 共振特性やフィルタ特性が改善された弾性波素子を提供する。  圧電基板上に少なくとも1つのIDT電極3が形成されており、IDT電極3が、弾性波伝搬方向において隣り合っている。第1,第2の電極指31,32を有し、第1,第2の電極指31,32の内の少なくとも一方の電極指32の側縁部に凸部13,14が形成されており、該凸部13,14の電極指の長さ方向に沿う位置が、第1,第2の電極指の他方の電極指31の先端に設けられたギャップ33の該電極指長さ方向に沿う位置と略等しい位置とされている、弾性波素子。

Description

明 細 書
弾性波素子
技術分野
[0001] 本発明は、例えば共振子や帯域フィルタなどに用いられる弾性波素子に関し、特 に、複数の電極指を有する IDT電極の構造が改良された弾性波素子に関する。 背景技術
[0002] 従来、共振子や帯域フィルタなどに、弾性波素子が広く用いられている。弾性波素 子としては、弾性表面波を利用した弾性表面波素子や、弾性境界波を利用した弾性 境界波素子などが知られて 、る。
[0003] 下記の特許文献 1には、第 1,第 2の固体層が積層されており、第 1の固体層と第 2 の固体層との界面に少なくとも 1つの正規型の IDT電極 (インターデジタル電極)が 配置された弾性境界波共振子が示されて ヽる。この種の弾性境界波素子や弾性表 面波素子では、通常、弾性境界波や弾性表面波を励振するために、複数本の電極 指を有する IDT電極が用いられて 、る。
[0004] また、下記の特許文献 2には、重み付けが施された IDT電極を有する弾性表面波 素子が開示されている。図 18は、特許文献 2に記載の弾性表面波素子の電極構造 を示す模式的平面図である。
[0005] 弾性表面波素子 101は、弾性表面波を利用したフィルタ素子であり、入力端子 IN と出力端子 OUTとを有する。また、圧電基板上に、第 1,第 2のフィルタが図示の電 極構造を形成することにより構成されている。ここでは、第 1のフィルタは、重み付けが 施された励振用の IDT電極 102と、正規型の受信用の IDT電極 103とを有する。他 方、第 2のフィルタは、正規型の励振用の IDT電極 104と、重み付けが施された受信 用の IDT電極 105と有する。重み付けが施された IDT電極 102, 105の内の一方が 最小位相特性を有するように重み付けされており、他方は最大位相特性を有するよう に重み付けされている。
[0006] なお、上記重み付けは、交叉幅重み付け法により行われており、従って、例えば ID T電極 102における隣り合つている電極指 102a, 102bを例にとると電極指 102aの 先端に設けられたギャップ 102cと、電極指 102bに設けられたギャップ 102dと力 表 面波伝搬方向に直交する方向、すなわち電極指 102a, 102bが延びる方向におい て異なる位置に設けられて 、る。
特許文献 1:特開 2004— 236285号公報
特許文献 2:特開 2004 - 260543号公報
発明の開示
[0007] 上記のように、特許文献 1に記載の弾性境界波素子では、正規型の IDT電極が第 1,第 2の固体層の境界に配置されていた。そして、特許文献 2に記載のように、弾性 表面波素子や弾性境界波素子では、所望とするフィルタ特性や共振特性を得るため に、 IDT電極に交叉幅重み付けを施す方法が広く用いられてきて 、る。
[0008] し力しながら、従来の、弾性境界波素子や弾性表面波素子では、重み付けが施さ れた IDT電極を用いたとしても、なお十分な共振特性やフィルタ特性を得ることは困 難であり、特性のより一層の向上が望まれている。
[0009] 本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、より一層良好な共振特性ゃフ ィルタ特性を得ることを可能とする構造を備えた弾性波素子を提供することにある。
[0010] 本発明によれば、圧電体と少なくとも 1つの IDT電極とを備える弾性波素子であつ て、前記 IDT電極が、弾性波伝搬方向において隣り合っており、異なる電位に接続 される第 1,第 2の電極指を有し、前記第 1,第 2の電極指の各先端の電極指長さ方 向外側にはギャップがそれぞれ設けられており、前記第 1の電極指の側縁にお!ヽて、 前記第 2の電極指の先端外側に位置して ヽる前記ギャップと電極指長さ方向にお!ヽ て等しい位置と、前記第 2の電極指の側縁において、前記第 1の電極指の先端外側 に位置して 、る前記ギャップと電極指長さ方向にぉ 、て等 、位置との少なくとも一 方の位置に凸部が形成されていることを特徴とする、弾性波素子が提供される。 本発明に係る弾性波素子のある特定の局面では、前記凸部に対して弾性波伝搬 方向にお ヽて隣接して ヽる前記ギャップが電極指先端側に位置されて ヽる当該電極 指は、電極指先端にいくに連れて細くされている。
本発明の弾性波素子の他の特定の局面では、前記第 1の電極指の外周縁と、第 1 の電極指に隣接している第 2の電極指の外周縁との間の距離が、ほぼ一定とされて いる。
[0011] 本発明に係る弾性波素子のさらに他の特定の局面では、第 1,第 2の電極指が配 置されて!、る部分にぉ 、て前記ギャップを通って弾性波が伝搬する場合の実効伝搬 距離と、第 1,第 2の電極指が設けられている部分において前記ギャップ以外の部分 にお 、て弾性波が伝搬する場合の実効伝搬距離とが略等しくなるように前記凸部が 形成されている。
[0012] 本発明に係る弾性波素子の他の特定の局面では、前記凸部が、前記第 1,第 2の 電極指の一方の電極指において、他方の電極指の先端に設けられたギャップに対 向して 、る側の側縁から該ギャップに向けて突出するように形成されて 、る。
[0013] 本発明に係る弾性波素子では、好ましくは、前記凸部が台形の平面形状を有し、 前記台形の下底が該凸部が形成されている電極指の側縁により構成されており、台 形の上底と下底とを結ぶ側辺と、下底との成す内角が 90° 未満の角度とされている
[0014] 本発明に係る弾性波素子のさらに別の特定の局面では、前記凸部の前記下底の 中点の電極指長さ方向に沿う位置が、前記他方の電極指の先端のギャップの該電 極指長さ方向中心位置と電極指長さ方向において略等しい位置にあり、前記下底の 長さが、前記ギャップの電極指長さ方向に沿う寸法であるギャップ幅よりも大きくされ ており、前記上底の長さが該ギャップ幅よりも小さくされている。
[0015] 本発明に係る弾性波素子のある限定的な局面では、上記凸部は特に限定されるわ けではな!/ヽが、等角台形の平面形状を有するように構成されて ヽる。
[0016] 本発明に係る弾性波素子のさらに別の特定の局面によれば、前記凸部が複数の 角部を有し、該複数の角部が丸められている。
[0017] 本発明に係る弾性波素子のさらに別の特定の局面では、前記凸部の平面形状が、 前記電極指の側縁に連ねられている底辺と、底辺を除いて曲線により形成された外 周縁とを有する形状とされて!/、る。
[0018] 本発明に係る弾性波素子のさらに他の特定の局面では、前記凸部の底辺の中点 の電極指長さ方向に沿う位置が、前記ギャップを電極指さ方向にぉ 、て二等分する 線と電極指の長さ方向において略等しい位置にあり、前記底辺の長さが、前記ギヤッ プ幅よりも大きくされている。
[0019] 本発明に係る弾性波素子の別の特定の局面では、上記凸部は、第 1,第 2の電極 指の他方にも形成されている。すなわち、第 1,第 2の電極指の内の他方に形成され た凸部の電極指長さ方向位置が、第 1,第 2の電極指の一方において電極指先端に 設けられたギャップの電極指長さ方向に沿う位置と略等 、位置に設けられて 、る。
[0020] 本発明に係る弾性波素子のさらに別の特定の局面では、前記 IDT電極に交叉幅 重み付けが施されている。
[0021] 本発明に係る弾性波素子では弾性波として、弾性表面波や弾性境界波が用いら れ、弾性表面波を利用することにより弾性表面波素子を、弾性境界波を利用すること により弾性境界波素子を提供することができる。
本発明に係る弾性波素子のさらに他の特定の局面では、前記圧電基板上に設けら れた少なくとも 1つの前記 IDT電極を被覆するように設けられた媒質層をさらに備え、 前記 IDT電極の密度が、前記圧電基板の密度及び前記媒質層の密度以上とされて おり、かつ前記 IDT電極の密度と、前記媒質層の密度との比が、 1. 22よりも大きくさ れている。
[0022] 本発明に係る弾性波素子のさらに別の特定の局面では、前記圧電基板上に設けら れた少なくとも 1つの IDT電極を被覆するように媒質層が積層されており、前記 IDT 電極の密度が、圧電基板の密度及び前記媒質層の密度以上であり、かつ IDT電極 と、圧電基板の密度及び媒質層の密度の内の高い方の密度との密度比が 1. 22より も大きくされている。
[0023] (発明の効果)
本発明に係る弾性波素子では、 IDT電極が、弾性波伝搬方向において隣り合って おり、異なる電位に接続される第 1,第 2の電極指を有し、第 1,第 2の電極指の先端 外側にそれぞれギャップが形成されており、前記第 1の電極指の側縁において、前 記第 2の電極指の先端外側に位置して ヽるギャップと電極指長さ方向にお!ヽて等し い位置と、前記第 2の電極指の側縁において、前記第 1の電極指の先端外側に位置 して 、るギャップと電極指長さ方向にぉ 、て等 、位置との少なくとも一方の位置に 、凸部が形成されているため、後述の実施形態の説明から明らかなように、上記弾性 波の伝搬に際してのギャップが存在して 、る部分と、存在して!/ヽな 、部分との間での 位相ずれを補償することが可能となる。そのため、共振特性やフィルタ特性を改善す ることが可能となる。特に、 IDT電極に交叉幅重み付が施されている場合、交叉幅重 み付けによる特性の改善に加えて、上記凸部の形成により共振特性やフィルタ特性 をより一層効果的に改善することが可能となる。
[0024] 前記凸部に対して弾性波伝搬方向にぉ 、て隣接して 、る前記ギャップ力 電極指 先端外側に位置している当該電極指において、電極指先端にいくにつれて次第に 電極指が細くされている場合には、次第に細くされている電極指部分と凸部との間の 距離が十分な大きさとされる。従って、耐電力性をより効果的に高めることができる。 第 1の電極指と第 2の電極指との間の外周縁間の距離がほぼ一定とされている場 合には、電界が集中する部分がほとんどなくなり、耐電力性をより一層高めることがで きる。
本発明に係る弾性波素子において、第 1,第 2の電極指が配置されている部分に おいて前記ギャップを伝搬する弾性波の伝搬する実効距離と、第 1,第 2の電極指が 設けられて 、る部分にぉ 、て前記ギャップ以外の部分にお!、て弾性波が伝搬する 実効距離とが略等しくなるように凸部が形成されている場合には、弾性波の上述した 位相ずれをより効果的に補償することが可能となる。
[0025] 凸部が、第 1の電極指において、上記ギャップ力もの側縁からギャップに向けて突 出するように形成されて ヽる場合には、上記凸部の側縁が斜め方向に傾斜されて ヽ る、例えば凸部の平面形状が台形等の場合には、該凸部の側縁からギャップに向か つて伝搬する境界波が側縁から外側に伝搬した際に屈折し、ギャップ部分に効果的 に集中され得る。
[0026] 凸部が台形の平面形状を有し、台形の下底が電極指の側縁により構成されており 、台形の上底と下底とを結ぶ側辺と下底との成す角度が 90° 未満の角度とされてい る場合には、弾性波がギャップの内側方向に屈折して伝搬されることになる。そのた め、ギャップにおける回折損を効果的に抑制することが可能となり、それによつて共振 特性やフィルタ特性をより一層効果的に改善することができる。
[0027] 凸部の下底の中点の電極指長さ方向に沿う位置が、他方のギャップを電極指長さ
Figure imgf000008_0001
、て二等分する線と電極指長さ方向にお 、て略等 、位置にあり、下底の 長さ力 ギャップの電極長さ方向に沿う寸法であるギャップ幅よりも大きくされており、 上底の長さがギャップ幅よりも小さくされている場合には、凸部の側縁で屈折する弹 性波がギャップ先端の電極の影響をあまり受けずにギャップを通過するため、より効 果的に回折損を抑制することが可能になり、それによつて共振特性やフィルタ特性を より一層効果的に改善することができる。
[0028] 凸部が等角台形の形状を有する場合には、ギャップの電極指長さ方向両側におけ る弾性波の伝搬状態を等しくすることができ、共振特性やフィルタ特性をより一層良 好とすることができる。
[0029] 凸部が複数の角部を有し、該複数の角部が丸められている場合においても、弾性 波の伝搬に際してのギャップが存在して 、る部分と、存在して!/ヽな 、部分との間での 位相ずれを補償することが可能となる。
[0030] また同様に、凸部の平面形状が、電極指の側縁に連ねられている底辺と、該底辺 部を除!ヽて、曲線により形成された外周縁とを有する平面形状である場合にお!ヽても 、弾性波の伝搬に際してのギャップが存在している部分と、存在していない部分との 間での位相ずれを補償することが可能となる。
[0031] 凸部の底辺の中点の電極指長さ方向に沿う位置力 ギャップを電極指長さ方向に ぉ 、て二等分する線と電極指長さ方向にお!、て略等 、位置にあり、上記底辺の長 さ力 ギャップ幅よりも大きくされている場合には、凸部における縁部の接線が電極指 の側縁の法線と角度を持つ領域で屈折する弾性波がギャップ先端の電極の影響を あまり受けずにギャップを通過するため、より効果的に回折損を抑制することが可能 になり、それによつて共振特性やフィルタ特性をより一層効果的に改善することがで きる。
[0032] また、第 1,第 2の電極指の他方にも凸部が設けられている場合には、本発明に従 つて、弾性波が IDT電極を伝搬する際の位相ずれをより効果的に小さくすることが可 能となる。 IDT電極に Au、 Cuまたは Agなどの密度の大きな金属を用いた場合には 、 IDT電極の音響インピーダンスと、圧電基板及び媒質層における音響インピーダン スとの差が大きくなり、また、 IDT電極のメタライズ部と非メタライズ部とにおける弾性 境界波の音速比が大きくなる。一般に、弾性境界波の音速比が大きくなると、上述し た位相ずれや回折損が生じやすくなる。しかしながら、本発明では、上記凸部の形成 により、位相ずれが補償されるため、このような密度比が大きい弾性境界波装置であ つても、位相ずれによる共振特性やフィルタ特性の劣化を効果的に抑制することが可 能となる。
[0033] IDT電極に交叉幅重み付が施されている場合には、交叉幅重み付けにより所望と する共振特性やフィルタ特性を得ることができ、しかも本発明に従って、弾性波の位 相ずれを補償することができ、それによつて良好な共振特性やフィルタ特性を得るこ とがでさる。
[0034] 本発明に係る弾性波素子では、弾性波として弾性表面波が用いられてもよぐ弾性 境界波が用いられてもよぐいずれの場合においても、本発明に従って、良好な共振 特性やフィルタ特性を実現し得る弾性表面波素子や弾性境界波素子が提供され得 る。そして、弾性境界波の場合には、弾性境界波の伝搬損失を低減するために弾性 境界波の音速が上下の媒質層の音速よりも低くされていることが好ましい。このような 状態は IDT電極を重くする。すなわち、 IDT電極の密度を大きくすることにより達成さ れ得る。しかしながら密度が大きくなるとメタライズ部とスペース部の音響特性インピ 一ダンスの差が大きくなるので、電極指先端ギャップでの回折や、実効伝搬距離の 違いによる弾性境界波の位相のずれが大きくなり、特性への悪影響が大きくなるとい う傾向がある。特に IDT電極の密度力 圧電基板の密度と媒質層の密度の内高い方 の密度との比が 1. 22以上とされている場合には、伝搬損失を低減しつつ、本発明 の効果をより顕著に得ることができる。
図面の簡単な説明
[0035] [図 1]図 1 (a)は、本発明の第 1の実施形態の弾性境界波素子の電極構造を示す模 式的平面断面図、(b)は (a)の要部を模式的に示す平面断面図である。
[図 2]図 2は、図 1に示した第 1の実施形態の弾性境界波素子の正面断面図である。
[図 3]図 3は、従来の弾性境界波素子の問題点を説明するための模式的平面図であ る。
[図 4]図 4は、従来の弾性境界波素子における IDT電極を伝搬する弾性境界波の波 面を説明するための模式的平面図である。
[図 5]図 5 (a)は、実施形態の弾性境界波素子における凸部の作用効果を説明する ための弾性境界波の伝搬経路を示す模式的平面図及び (b)は該 IDT電極を伝搬す る弾性境界波の波面を説明するための模式的平面図である。
[図 6]図 6は、図 5に示した実施形態の弾性境界波素子において、凸部の側縁から外 側に向力つて伝搬する弾性境界波の屈折現象を説明するための模式的平面図であ る。
圆 7]図 7は、第 1の実施形態の弾性境界波素子の変形例を説明するための模式的 部分切欠平面図である。
圆 8]図 8は、第 1の実施形態の弾性境界波素子の他の変形例を説明するための模 式的部分切欠平面図である。
[図 9]図 9 (a) , (b)は、第 1の実施形態の弾性境界波素子の他の変形例を示す各模 式的平面図である。
[図 10]図 10は、本発明の第 2の実施形態に係る弾性境界波素子の電極構造を示す 模式的平面図である。
[図 11]図 11は、第 2の実施形態の弾性境界波素子のフィルタ特性を示す図である。 圆 12]図 12は、比較のために用意した従来の弾性境界波素子のフィルタ特性を示 す図である。
[図 13]図 13は、第 2の実施形態及び比較のために用意した従来の弾性境界波素子 の位相特性及びインピーダンス特性並びに S 11側におけるインピーダンス特'性を示 す図である。
[図 14]図 14は、本発明の第 3の実施形態の弾性境界波素子の IDT電極を説明する ための部分切欠平面図である。
[図 15]図 15は、第 3の実施形態の弾性境界波素子の IDT電極の変形例を説明する ための模式的部分切欠平面図である。
[図 16]図 16は、第 3の実施形態の弾性境界波素子の実験例における電極指の寸法 関係を説明するための模式的平面図である。
[図 17]図 17は、第 3の実施形態の弾性境界波素子及び従来の弾性境界波素子の位 相特性及びインピーダンス特性を示す図である。
[図 18]図 18は、従来の弾性表面波素子の電極構造を示す模式的平面図である。 符号の説明
1…弾性境界波素子
2…圧電基板
2a…上面
3"'IDT電極
3a, 31?· ··ノくスノ ー
4…反射器
5…反射器
11〜14…凸部
13a…下底
13b…上底
13c, 13d…側辺
13 A, 14Α· ··凸部
13C, 14C…凸部
13D, 14D…凸部
31· ··第 1の電極指
32· ··第 2の電極指
33· ··ギャップ
34· ··ダミー電極指
35· ■·ギャップ
36· ··ダミー電極指
51 -弾性境界波素子
52· · '·入力端子
53, 54…弾性境界波フィルタ部
53a〜53c- "IDT電極
53d, 53e…反射器 54a〜54c"'IDT電極
54b, 54c…反射器
54d, 54e…反射器
55a, 56a- "IDT電極
55b, 55c…反射器
55, 56…弾性境界波共振子
57, 58…出力端子
60- IDT電極
61· ··第 1の電極指
62· ··第 2の電極指
63, 64· ··凸部
70- IDT電極
71· ··第 1の電極指
72…第 2の電極指
73, 74· ··凸部
発明を実施するための最良の形態
[0037] 以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明 を明らかにする。
[0038] (本発明の第 1の実施形態の構造)
図 2は、本発明の第 1の実施形態に係る弾性境界波素子の正面断面図であり、図 1
(a)は該弾性境界波素子の電極構造を示す模式的平面断面図であり、 (b)はその要 部を拡大して示す模式的平面図である。
[0039] 図 2に示すように弾性境界波素子 1は、圧電基板 2と、圧電基板 2の上面 2aに形成 された IDT電極 3と、反射器 4, 5と IDT電極 3及び反射器 4, 5を被覆するように設け られた媒質層 6とを有する。
[0040] すなわち、 IDT電極 3は、圧電基板 2と、媒質層 6との界面に形成されている。
[0041] 本実施形態では、圧電基板 2は、 LiNbO基板により形成されている。もっとも、圧
3
電基板 2は、 LiTaO基板や水晶基板のような他の圧電単結晶基板により構成されて もよぐ或いは圧電セラミック基板により構成されても良い。上記 LiNbO基板力 なる
3
圧電基板 2の密度は、 4. 64g/cm3である。
[0042] 他方、媒質層 6は、本実施形態では、 SiOからなり、その密度は 2. 2gZcm3である
2
。なお、媒質層 6を構成する材料は SiOに限定されず、 SiNなどの他の絶縁性材料
2
により媒質層 6が構成されて 、てもよ 、。
[0043] IDT電極 3及び反射器 4, 5は、 Agなどの適宜の金属もしくは合金により構成され 得る。本実施形態では、 IDT電極 3及び反射器 4, 5は Auからなる。なお、 IDT電極 3を構成する材料と圧電基板 2及び媒質層 6を構成する材料との好ましい組み合わ せについては後述する。
[0044] 図 1 (a)に示すように、 IDT電極 3では弾性境界波伝搬方向に延びる一対のバスバ 一 3a, 3bが備えられている。複数本の第 1の電極指 31と、複数本の第 2の電極指 32 とが、弾性境界波伝搬方向において交互に配置されている。第 1,第 2の電極指 31, 32は、弾性境界波伝搬方向と直交する方向に延ばされている。そして、複数本の第 1の電極指 31の一端は第 2のバスバー 3aに連ねられており、他端が第 2のバスバー 3b側に延ばされている。複数本の電極指 31の先端にはギャップ 33が配置されてい る。そして、ギャップ 33を介して電極指 31と対向するように、ダミー電極指 34が設け られている。ダミー電極指 34は、バスバー 3bに連ねられている。
[0045] 他方、複数本の第 2の電極指の 32の一端は、バスバー 3bに連ねられており、他端 は第 1のバスバー 3a側に延ばされている。そして、第 2の電極指 32の先端には、ギヤ ップ 35が配置されている。ギャップ 35を介して、第 2の電極指 32と対向するようにダミ 一電極指 36が配置されている。ダミー電極指 36は、バスバー 3aに連ねられている。
[0046] 本実施形態では、上記複数本の第 1の電極指 31とバスバー 3aとを有する第 1の櫛 歯状電極と、複数本の第 2の電極指 32とバスバー 3bとを有する第 2の櫛歯状電極と により、 IDT電極 3が構成されている。また、 IDT電極 3では、上記複数本の第 1の電 極指 31と、複数本の第 2の電極指 32とが間挿し合っている。
[0047] 図 1 (a)力も明らかなように、複数本の第 1の電極指 31, 32を有する IDT電極 3では 、電極指 31, 32の長さ方向に沿う上記ギャップ 33, 35の位置が、弾性境界波伝搬 方向に沿って変化されている。言い換えれば、隣り合つている第 1,第 2の電極指 31 , 32が弾性境界波伝搬方向において重なり合つている部分、すなわち、交叉領域の 寸法である交叉幅が弾性境界波伝搬方向にお!、て変化するように交叉幅重み付け が施されている。
[0048] 交叉幅重み付けは、 IDT電極 3により共振特性を得るために設計段階でその具体 的な態様が定められて 、る。
[0049] 他方、本実施例での反射器 4, 5は、それぞれ複数本の電極指の両端を短絡してな るグレーティング反射器である。反射器 4, 5は、 IDT電極 3の弾性境界波伝搬方向 両側に配置されている。なお、反射器としては両端を短絡していないオープン反射 器を配置してもよい。
[0050] 本実施形態の弾性境界波素子 1の特徴は、上記 IDT電極 3の第 1,第 2の電極指 3 1, 32の側縁においてギャップ 35またはギャップ 33に臨む位置に、凸部 11, 12また は凸部 13, 14が設けられていることにある。これを、図 1 (b)を参照してより具体的に 説明する。
[0051] 図 1 (b)では、第 1の電極指 31と第 2の電極指 32とが隣り合つている部分が拡大し て示されている。ここでは、第 2の電極指 32の側縁に凸部 13, 14が設けられている。 凸部 13は、電極指 32の側縁 32aの一部力も第 1の電極指 31の先端に配置されてい るギャップ 33に向力つて突出するように設けられている。この凸部 13の電極指 31, 3 2の長さ方向に沿う位置は、上記ギャップ 33の電極指長さ方向に沿う位置と略等しく されている。
なお、凸部 13の位置とギャップ 33の位置関係については、電極指 31, 32の長さ 方向に沿う位置が等しくされていることが最も好ましいが、本発明で述べる効果を損 なわな 、程度であれば、必ずしも等しくされて!/ヽなくてもよ!ヽ。
[0052] 本実施形態では、上記凸部 13は、等角台形の平面形状を有し、側縁 32aに連ねら れている部分が等角台形の下底に相当し、凸部 13の先端側に、上底 13bを有する。 上底 13bと下底 13aとが、下底 13aに対して内角 αを成すように傾斜された側辺 13c , 13d【こより結 ί れて!ヽる。
[0053] 下底 13aの電極指長さ方向中心力 ギャップ 33の電極指長さ方向中心と一致され ている。言い換えれば、ギャップ 33を電極指長さ方向に二等分する電極指長さ方向 位置と、前記下底 13aの電極指長さ方向に沿う中点とが電極指長さ方向において一 致されている。なお、等角台形であるため、上記内角 aは 90° 未満とされている。
[0054] なお、以下の説明にお 、ては、ギャップ 33の電極指長さ方向に沿う寸法をギャップ 幅 Gとし、凸部 13の電極指長さに沿う最大寸法、すなわち、凸部 13の場合は下底 13 aの電極指長さ方向に沿う寸法を W、凸部 13の突出高さ、すなわち、電極指 32の側 辺 32aから凸部 13の先端である上底 13bまでの寸法を凸部 13の突出高さ Hとするこ ととする。
[0055] (従来の弾性境界波素子における問題点と第 1の実施形態の弾性境界波素子にお ける凸部を設けたことによる効果)
従来、交叉幅重み付けが施された IDT電極を用いた弾性境界波素子や弾性表面 波素子が前述したように知られていた。図 3は、このような従来の弾'性境界波素子に おける弾性境界波の伝搬経路を説明するための模式的平面図である。従来の弾性 境界波素子では、横モードスプリアスなどを抑制するために交叉幅重み付が施され ている。図 3は、交叉幅重み付が施されている IDT電極の要部を拡大して示す模式 的平面図であり、上記実施形態において示した図 1 (b)に相当する図である。
[0056] いま、凸部 11〜14が設けられていないことを除いては、上記実施形態の弾性境界 波素子 1と同様の弾性波素子 121が構成されていることとする。そして、弾性波素子 121において、第 1の電極指 131と、第 2の電極指 132とが、弾性境界波伝搬方向に おいて隣り合っており、交叉幅重み付けにより、第 1の電極指 131の先端には、ギヤッ プ 133が位置しているとする。この部分においては、弾性境界波は、例えば、矢印 X 1, X2で示すように伝搬する。
[0057] 矢印 XIで示す伝搬経路では、弾性境界波は、第 2の電極指 132から、第 1の電極 指 131を通過し、次に第 2の電極指 132に至る。他方、ギャップ 133が設けられてい る部分では、第 2の電極指 132から伝搬してきた弾性境界波は矢印 X2で示すように ギャップ 133を通過し、次の第 2の電極指 132に至ることとなる。
[0058] 他方、電極指 131, 132を通過する際の弾性境界波の音速と、電極指 131, 132 が存在しない部分における音速とは異なる。いま、電極指 131, 132における弾性境 界波の音速を Vm、電極指が存在しな!ヽ圧電基板面における弾性境界波の音速を V sとし、電極旨 131, 132の幅を L、電極旨 131, 132の酉己置ピッチを P、 S = P—: Lと する。この場合、矢印 XIで示すように弾性境界波が図 3の点 A1から点 B1まで到達 する時間 T1は、
Tl =L/Vm+ 2- S/Vs 式(1)
で表わされる。
[0059] 他方、ギャップ 133が存在する部分において、弾性境界波が点 A2からギャップ 13 3を通過し、図 3の点 B2に至るまでの時間 T2は、
T2=L/Vs + 2- S/Vs 式(2)
で表わされること〖こなる。
[0060] すなわち、 Tl—T2=L (lZVm— lZVs) 式(3)
で表わされる到達時間差が、ギャップ 133が存在しない部分を伝搬する場合と、ギヤ ップ 133が存在する領域を伝搬する場合とで生じることとなる。そのため、従来の弾 性境界波素子 121では、 IDT電極を伝搬する弾性境界波において、ギャップを通過 する場合と、ギャップを通過しない場合との上記時間差に基づき、位相ずれが生じ、 共振特性が十分でな力つた。
[0061] また、図 4は、上記従来の弾性境界波素子における IDT電極を伝搬する弾性境界 波の波面を説明するための模式的平面図である。
[0062] IDTで励振される弾性境界波は、 IDTの電極指の形状に沿って波面が形成される 。弾性境界波素子 121において、電極指が直線状の形状を有する場合、一方の電 位に接続される第 1の電極指 131と、他方の電位に接続される第 2の電極指 132とに より、平面波が励振され、伝搬することとなる。図 4に矢印 Zl, Z2で示すように、例え ば、第 1の電極指 131の先端に位置して 、るギャップ 133の電極指長さ方向両側に おいては、弾性境界波が回折し、波面に乱れを生じることとなる。すなわち、この波面 の乱れにより、共振特性やフィルタ特性の劣化が生じるおそれがあると考えられる。
[0063] これに対して、上記実施形態の弾性境界波素子 1では、図 1 (b)で示したように、第 2の電極指 32において、凸部 13, 14がギャップ 33に向かって突出するように設けら れて ヽたため、上記 IDT電極内を伝搬する境界波の位相ずれを抑制することができ 、それによつて共振特性の改善が図られる。これを、図 5 (a)を参照して説明する。 [0064] 図 5 (a)は、従来例について示した図 3に相当する図であり、また図 1 (b)に示した 部分と同じ部分を示す。
[0065] 図 5 (a)において、第 2の電極指 32の側縁の点 C1から第 1の電極指 31を超えて、 次の第 2の電極指 32の側縁の点 D1に至る矢印 X3で示すように弾性境界波が伝搬 する場合と、ギャップ 33が設けられて ヽる部分を矢印 X4で示すように弾性境界波が 伝搬する場合を例にとって説明する。なお、矢印 X4で示す弾性境界波の伝搬路で は、弾性境界波は、電極指 32の側縁に連なりあっている凸部 13の下底 13aの中点 である点 C2から、ギャップ 33を超えて、次の第 2の電極指 32の側縁に設けられた凸 部 14に至り、該凸部 14の下底 14aの中点である点 D2に至る。
[0066] この場合、従来例の場合と同様に、電極指が設けられている部分の弾性境界波の 音速を Vm、弾性境界波が設けられていない部分の弾性境界波を Vs、電極指の幅 を L、電極指の配置ピッチを P、 S = P—Lとする。矢印 X3で示すように弾性境界波が 点 C1から点 D1まで到達する時間 T3は、従来例について示した式(1)の場合の T1 と等しくなる。
[0067] 他方、点 C2から点 D2に弾性境界波が到達する時間 T4は、凸部 13, 14の突出高 さを Hとした場合、
T4= (L/Vs + 2-H/Vm+ 2- (S-H) /Vs 式(4)
で表わされる。
[0068] 従って、突出部の高さ Hが H=LZ2 式(5)とされている場合、式(1)と式 (4
)から明らかなように、矢印 X3, X4で伝搬する弾性境界波の到達時間が一致するこ とがわかる。
[0069] よって、上記実施形態では、上記凸部 13, 14の突出高さ Hは、好ましくは H=LZ 2と等しくされる。もっとも、 Hは、 LZ2と等しくされることが好ましいものの、 LZ2と若 干異なっていても、上記到達時間の差をほぼ等しくすることができる。さらに、 Hが L Z2と略等しい範囲力もずれていたとしても、すなわち、凸部 13, 14が設けられる限り 、その突出高さ Hの寸法にかかわらず、ギャップ 33を通過する弾性境界波の伝搬路 の状況を、ギャップ 33が存在しな 、部分の弾性境界波の伝搬路の状況に近づけるこ とができるため、本発明に従って、位相ずれを補償し、共振特性の改善を図ることが できる。
[0070] すなわち、図 5 (a)から明らかなように、矢印 X3で示す弾性境界波の伝搬路と、矢 印 X4で示す弾性境界波の伝搬路とを比較した場合、凸部 13, 14が設けられている ことにより、ギャップ 33を通過する弾性境界波の伝搬路の状態が、矢印 X3で示す弾 性境界波の伝搬路に近づけられることとなり、それによつて本発明に従って、共振特 性の改善を図ることができる。
[0071] また、図 5 (b)は、上記実施形態における弾性境界波の IDT電極を伝搬する際の 波面を説明するための模式的平面図である。図 5 (b)から明らかなように、等角台形 力もなる凸部 13では、側辺 13c, 13dの下底 13aに対する角度である内角ひが 90° 未満であるため、図 5 (b)の矢印 X5で示すように弾性境界波はギャップ 33の中央側 に向力つて傾斜された方向に伝搬する。
[0072] 図 6を用いてより詳細にこの現象を説明する。図 6は凸部 13の側縁 13cがギャップ に向けて伝搬する弾性境界波の側縁 13cにおりる屈折の様子を表す模式的平面図 である。凸部 13の側縁 13cに到達した弾性境界波は、弾性境界波の進行方向に対 して角度を持つ側縁 13cに達し屈折する。これは電極が存在する部分の弾性境界波 の伝搬速度 VIと、電極がな 、部分を伝搬する弾性境界波の速度 V2が異なるために 生じ、スネルの法則に従う。
[0073] 特に、上記凸部 13の側縁 13cからギャップに向けて境界波が矢印で示すように伝 搬する場合には、凸部内を伝搬している境界波と側縁 13cに対する法線との成す角 度を θ 1としたときに、側縁 13cから外側に伝搬してきた弾性境界波と上記法線との なす角度を Θ 2としたときに、 sin Θ /sin Θ 2=VlZV2の関係が成立する。ここで、 VI及び V2は、それぞれ、凸部内を伝搬している弾性境界波の音速及び側縁 13cか ら外側に伝搬してきた弾性境界波の音速を示す。そして、図 6に示すように弾性境界 波が側縁 13cから外側に屈折して伝搬した場合、音速が高められるとともに、弾性境 界波がギャップ側に向力つて進行するため、回折損を低減することができる。それに よって共振特性が改善される。よって、好ましくは、本実施形態のように、凸部 13, 14 は、凸部 13, 14が設けられている電極指の側縁から凸部 13, 14の先端に向けて側 面にテーパーが付けられていることが望ましい。すなわち、平面形状が等角台形の 凸部 13のように、局面に上記テーパーが付けられていることにより上記回折損の抑 制が効果的に図ることができ、好ましい。
[0074] なお、上記実施形態における凸部 13, 14の作用効果を説明したが、第 1の電極指 31側に設けられた凸部 11, 12も、凸部 13, 14と同様に作用する。従って、本実施 形態の弾性境界波素子 1では、上記凸部 11〜14の形成により、交叉幅重み付けが 施された IDT電極 3にお!/、て、ギャップ 33やギャップ 35が設けられて!/、る部分を伝搬 する弾性境界波と、それ以外の部分を伝搬する弾性境界波との位相ずれに基づく特 性の劣化を抑制することが可能となる。
[0075] また、凸部 11, 12についても凸部 13, 14と同様に、下底から上底側に向力つて側 面にテーパーを付けることにより、上記と同様に回折損の抑制を図ることができる。
[0076] (第 1の実施形態の変形例)
第 1の実施形態の弾性境界波素子 1では、第 2の電極指 32のギャップ 33側の側縁 力もギャップ 33側に向力つて突出するように凸部 13, 14が形成されていた力 図 7に 示すように、第 2の電極指 32のギャップ 33に臨む側とは反対側の側縁に凸部 13A, 14Aを設けてもよい。この場合においても、図 7の矢印 X6で示すように、点 El, F1 間を弾性境界波が伝搬する場合と、矢印 X7で示すように、点 E2, F2間を弾性境界 波が伝搬する場合の伝搬状態が近づけられ、上記実施形態と同様の効果が得られ る。すなわち、本発明における上記凸部は、第 1の電極指または第 2の電極指の側縁 であって、第 2,第 1の電極指の先端に設けられたギャップに臨む側とは反対側の側 縁において、該ギャップとは反対側に向かって突出するように設けられていてもよい。
[0077] また、図 8には、上記実施形態の弾性境界波素子のさらに他の変形例を示すため の模式的平面図である。ギャップ 33に臨むように、第 2の電極指 32のギャップ 33側 の側縁に凸部 13が設けられている。もっとも、この変形例では、第 2の電極指 32の対 の第 2の電極指 32では、ギャップ 33側に突出した凸部 14は設けられていない。すな わち、上記実施形態における凸部 13, 14の内、一方の凸部のみが設けられていても よい。第 1の電極指についても、上記と同様に、凸部 11, 12の内一方のみが設けら れてもよい。
すなわち、第 1の電極指 31及び第 2の電極指 32の各先端の電極指長さ方向外側 には、ギャップがそれぞれ設けられている力 第 1の電極指 31の側縁において、第 2 の電極指 32の先端外側に位置して 、るギャップと電極指長さ方向にぉ 、て等 、位 置と、他方、第 2の電極指 23の側縁においては、前記第 1の電極指 31の先端外側に 位置して!/、るギャップと電極指長さ方向にぉ 、て等 、位置との、少なくとも一方の 位置に凸部が形成されておればよい。
[0078] 図 9 (a)及び (b)は、本発明の弾性波素子におけるさらに他の変形例を説明するた めの各模式的平面図である。上記実施形態では、凸部 11〜14は、等角台形の形状 を有していたが、凸部の形状はこれに限定されるものではない。すなわち、図 9 (a)に 示すように、矩形の凸部 13B, 14Bを形成してもよぐ図 9 (b)に示すように、略半円 形の凸部 13C, 14Cを形成してもよい。半円形の凸部 13C, 14Cでは、第 2の電極 指 32の側縁に連なる部分と、該側縁に連なる部分と円弧状の部分とで囲まれて、半 円形の形状が形成されている。このように、外周縁部分の少なくとも一部が曲線状の 凸部を設けてもよい。
[0079] すなわち、電極指の側縁に連なる直線状部分と、曲線状の外周縁部分とで囲まれ た平面形状の凸部を設けてもよい。
[0080] この場合においても、凸部の該凸部が設けられている電極指の側縁から電極指の 先端に向力つて、凸部の電極指長さ方向に沿う寸法が徐々に小さくなるようにテーパ 一が付けられることになるため、上記実施形態の場合と同様に、所望でない弾性境 界波の回折損の抑制を図ることが可能となる。
[0081] (本発明が有効に適用される密度比)
上記実施形態では、圧電基板 2が LiNbO基板により構成されており、その密度は
3
4. 64gZcm3であり、媒質層 6は SiOからなり、 2. 2gZcm3である。これに対して、 I
2
DT電極 4は Auからなり、その密度は 19. 3gZcm3である。このように、 IDT電極 3の 密度は、圧電基板 2の密度や媒質層 6の密度よりも十分に大きい場合には、これらの 間の音響インピーダンス差が大きくなる。他方、弾性境界波素子 1では、媒質層 6と I DT電極との弾性境界波の音速比が、前述した位相ずれや回折損の原因ともなって いる。すなわち、音響インピーダンスの差が大きい場合には、上述した位相ずれ、回 折損及び散乱による影響が顕著に現れることとなる。 [0082] 従って、上記音響インピーダンス比が大きい場合には、本発明に従って、上記凸部 を電極指に形成することにより、特性をより一層改善することができ、望ましい。
[0083] 本願発明者の知見によれば、 SiO ZIDT
2 電極 Z圧電基板の積層構造により弾性 境界波素子を構成した場合、 IDT電極として、密度が 2. 69gZcm3である A1を用い た場合、密度比が 2. 69/2. 2= 1. 22と小さいため、抑制改善効果が小さいことが 確かめられた。他方、密度が 8. 93gZcm3である Cuや、密度が 19. 3gZcm3である Auにより IDT電極を形成した場合、 SiOに対する密度比が大きくなるため、上記実
2
施形態のように、共振特性を著しく改善し得ることが確かめられた。
[0084] よって、 IDT電極の密度と媒質層 6との密度の比が 1. 22よりも大きい場合に、本発 明の効果がより大きくなる。従って、圧電基板 2を一方の媒質、 SiOからなる媒質層
2
を他方の媒質とした場合、双方の媒質の内密度が高い方の媒質の密度に対する ID T電極の密度の比が 1. 22よりも大きい場合に、本発明の効果をより一層期待するこ とがでさる。
[0085] なお、 IDT電極は、 Auや Cuのみカゝらなる単層の金属膜で形成される必要は必ず しもなぐ IDT電極を構成する金属膜としては、上下に密着層や拡散ノリア層として N i層、 NiCr層、または T環などを積層した積層金属膜により構成されてもよい。例え ば、 IDT電極の一例として、 NiCrZAuZNiCrの積層膜が好適に用いられる。
[0086] また、主電極層として、 A1層と、 Au層とを積層し、かつ密着層やバリア層をさらに積 層した構造、例えば TiZAlZTiZNiZAuZNiを 100対 10対 10対 55対 10の厚み 割合で積層した構造も好適に用いられ得る。 A1と SiOの密度比は小さいが、 Auと Si
2
Oの密度比が大きいため本発明の効果が得られる。
2
[0087] なお、上記実施形態では、媒質層 6は SiOのみ力も構成されていた力 SiN層を Si
2
02層に他の絶縁性材料層、例えば SiN層を積層してもよい。また、これらの積層構 造を媒質層 6を形成する場合、積層数についても特に限定されず、例えば、 SiO /
2
SiN/SiOなどの 3層構造以上の積層構造を用いてもょ ヽ。
2
[0088] 図 13 (a) , (b)に、上記実施形態の弾性境界波フィルタ素子の位相特性、共振特 性、並びに S11側におけるインピーダンス特性を示す。
同じ電極材料を用いた場合、図 13 (a)に示す従来例では、弾性境界波素子の共 振インピーダンス Zrと半共振インピーダンス Zaとの比である 20 X (log | Za | —log
10
I Zr I ) dBは、従来例では 59. 8dBであったのに対し、上記実施形態では、 64. 7
10
dBと高められることが確かめられた。
[0089] (第 2の実施形態)
第 1の実施形態では、 1つの IDT電極 3と、 IDT電極 3の両側の反射器 4, 5が設け られた 1ポート型の弾性境界波素子に適用した例を示したが、本発明は、様々な弾 性境界波素子や弾性表面波素子に適用することができる。
[0090] 図 10は、本発明の第 2の実施形態としての弾性境界波フィルタ素子の電極構造を 示す模式的平面図である。図 10に示すように、本実施形態の弾性境界波素子 51で は、入力端子 52に、第 1,第 2の共振子型フィルタ部 53, 54が接続されている。共振 子型フィルタ部 53, 54は、 1ポート型境界波共振子 55, 56を介して、それぞれ、第 1 ,第 2の出力端子 57, 58に接続されている。
[0091] 弾性境界波フィルタ部 53と、弾性境界波フィルタ部 54とは、流れる信号の位相が 1 80度反転するように形成されており、従って、平衡ー不平衡変換機能を有する弾性 境界波フィルタが構成されて 、る。
[0092] 第 2の実施形態の弾性境界波素子 51では、第 1,第 2の共振子型フィルタ部 53, 5 4は、それぞれ、境界波伝搬方向に沿って配置された 3個の IDT53a〜53c, 54a〜 54cを有する。 IDT53a〜53c及び 54a〜54cの間、中央の IDT53b, 54bには交叉 幅重み付けが施されている。また、交叉幅重み付けされている IDT53b, 54bにおい て、上記実施形態と同様にギャップに臨む凸部が形成されている。なお、 IDT53a〜 53cの両側には、反射器 53d, 53eが配置されている。同様に、 IDT54a〜54cの境 界波伝搬方向両側には、反射器 54d, 54eが配置されている。
[0093] なお、第 1,第 2の 1ポート型の境界波共振子 55, 56もまた、交叉幅重み付けが施 された IDT電極 55a, 56aを有し、この IDT55a, 56aにおいても、上記実施形態と同 様に凸部が形成されている。また、 IDT55a, 55bのそれぞれの境界波伝搬方向両 佃 Jに ίま、反射器 55b, 55c, 56b, 56c力酉己置されて!ヽる。
本実施形態の弾性境界波素子 51を、以下の仕様で作製した。
[0094] 圧電基板として、厚さ 350 μ mの Υ— Xカット伝搬の LiNbO基板を用意し、 Al/Ti ZNiZAuZNiの 5層積層構造の電極を形成し、図 10に示した電極構造を作製した 。この場合、各層の厚みは、 AlZTiZNiZAuZNi= 100ZlOZlOZ55ZlOとし た。なお、各層の厚みの単位は nmである。
[0095] 第 2の媒質層として、厚さ 6 μ mの SiOを上記電極構造を被覆するように形成した。
2
[0096] また、 IDT53a〜53c, 54a〜54cにおける電極指の対数は、それぞれ、 6. 5対 Z 10. 5対 Z6. 5対 (境界波伝搬方向に沿って)とした。反射器の電極指の本数は各 1 5本とした。 IDT電極 53a〜53c, 54a〜54cにおける電極指交叉幅は 25え、開口幅 は 25. 4えとした。また、重み付けについては、 IDT53b, 54bにおいては、弾性境界 波伝搬方向中央部の交叉幅を 25えとし、両端部分を 20えとなるように交叉幅重み 付が施した。また、境界波共振子 55, 56においては、 IDT電極 55a, 56aの弾性境 界波伝搬方向中央部の電極指交叉幅が 30え、両端が交叉幅は 12えとなるように交 叉幅重み付を施した。
[0097] また、 λ = 1. 6 111とし、]^= 0. 4 111、3 = 0. 4 111、ギャップ幅0 = 0. 3 mとし た。さらに、ギャップに臨むように、第 1 ,第 2の電極指の双方に、第 1の実施形態と同 様に凸部を形成し、凸部の突出高さを 0. 2 μ ι,下底の長さを 0. 65 mとした。
[0098] 上記等角台形の凸部を設けな力つたことを除いては上記と同様にして構成された 従来例に相当する弾性境界波素子を同様にして作製した。図 11及び図 12は、上記 のようにして作製された第 2の実施形態の弾性境界波素子のフィルタ特性及び比較 のために用意した従来例の弾性境界波フィルタ素子のフィルタ特性を示す。
[0099] 図 11及び図 12から明らかなように、従来の相当の弾性境界波フィルタ素子に比べ て、上記実施形態の弾性境界波素子によれば、通過帯域における最小挿入損失を 0. 2dBに改善することができ、さらに通過帯域のフィルタ特性の平坦ィ匕を効果的に 図り得ることがわかる。これは、第 1の実施形態と同様に、上記凸部の形成によりギヤ ップが設けられて 、る部分を伝搬する弾性境界波と、ギャップが設けられて 、な!/、部 分を伝搬する弾性境界波による位相ずれの抑制が図られたことによると考えられる。
[0100] 上記実施形態では、 IDT電極 3の第 1の電極指 31及び第 2の電極指 32の幅は、凸 部 13, 14が設けられている部分を除いてほぼ一定とされていた力 IDT電極の幅方 向寸法は適宜変形することができる。図 14は、本発明の第 3の実施形態の弾性波素 子で用いられる IDT電極の形状を示す部分平面図である。図 14に示す IDT電極 60 では、第 1の電極指 61と第 2の電極指 62とが弾性表面波伝搬方向において隣接し 合っている。ここでは、第 1の電極指 61の側縁に、凸部 63, 64が設けられている。
[0101] 他方、第 2の電極指 62は、その電極指の先端外側にギャップ Gを有するが、第 2の 電極指 62は、先端にいくに連れて、先端部分の幅方向寸法が細くされている。第 2 の電極指 62に設けられた凸部 63, 64は、第 1の電極指 61の側縁において、第 2の 電極指 62の先端外側に位置されて ヽるギャップ Gと、電極指長さ方向にお!、て等し い位置に設けられている。従って、上記のように、第 2の電極指 62の先端部分力 先 端にいくに連れて細くされていることにより、凸部 63, 64と、第 2の電極指 62との間の 間隔を十分な大きさとすることができる。従って、耐電力性を高めることができる。
[0102] また、図 15に示す第 3の実施形態の変形例では、 IDT電極 70は、側縁に凸部 73, 74が設けられた第 1の電極指 71と、第 2の電極指 72とを有する。なお、図 15では、 電極指が存在する部分と、電極指間の非メタライズ部分との把握を容易とするために 、電極材料が設けられて!/ヽる部分に斜線ハッチングを付して示すこととする。
[0103] ここでも、第 2の電極指 72の先端力 先端にいくに連れて細くされているため、 IDT 電極 60の場合と同様に、耐電力性を高めることができる。カロえて、 IDT電極 70では、 第 2の電極指 72の先端部分が細くされているだけでなぐ第 1の電極指 71と第 2の電 極指 72との間の距離 rがほぼ一定とされている。すなわち、異なる電位に接続される 第 1,第 2の電極指 71, 72間の距離!:がほぼ一定とされている。従って、第 1,第 2の 電極指 71, 72間において電界が均一に加わることになり、電界集中による耐電力性 の低下がより一層生じ難い。
[0104] 次に、図 14に示した第 3の実施形態の IDT電極を用いた場合に、耐電力性が高め られることを、具体的な実験例に基づき、かつ図 16及び図 17を併せて参照して説明 する。
上記第 3の実施形態の弾性波素子として、 15° Yカット X伝搬の LiNbO基板上に
3
、後述する IDT電極 60を形成し、し力る後、厚み の SiO膜を媒質層として積層
2
してなる弾性境界波素子を作製した。
[0105] IDT電極の構成は、 AlCuZTiZNiZAuZNiZTiを上から順にこの順序で、 15 OnmZ 1 OnmZ 1 Onm/ 160nm/ 1 Onm/ 1 Onmとなる膜厚で積層した構造を用 いた。
また、 IDT電極の弾性境界波伝搬方向両側には、反射器を配置した。 IDT電極に おける電極指の対数は 50対、各反射器における電極指の本数は 51本とした。また、 IDT電極 60における電極指交差幅は 30 λ、開口幅は 30. 6 λとし、 IDT電極では、 IDT電極の中央における交差幅が 30えとされ、弾性波伝搬方向両端部分において 電極指交差幅が 12えとなるように交差幅重み付けを施した。なお、 λ = 3. 369 とした。
[0106] この弾性境界波素子において、図 16に模式的に示すように、第 1,第 2の電極指 7 1, 72の各部分の寸法を G、 TL、 TW、 SL、 SW1及び SW2を下記の表 1に示すよう に ¾ £した。
[0107] [表 1]
Figure imgf000025_0001
[0108] このようにして得られた第 3の実施形態の弾性波素子の静電破壊耐圧を測定したと ころ、 165Vであった。
また、比較のために、図 15に示したような凸部 63, 64が第 1の電極指に設けられて おらず、第 2の電極指の先端が細くされておらず、電極指の幅方向寸法がほぼ一定 とされていることを除いては同様に構成された従来例の弾性境界波素子を作製した 。この従来例の弾性境界波素子では、ギャップ Gの寸法は 0. 6 mとした。従来例の 弾性境界波素子の静電破壊耐圧を測定したところ、 173Vであった。
[0109] 他方、上記第 3の実施形態に対し、第 2の電極指の先端が次第に細くされていない ことを除いては、上記第 3の実施形態と同様にして、すなわち上記寸法 TL及び TW を、上記寸法 Lと等しくしたことを除いては、上記第 3の実施形態と同様にして、第 1の 実施形態に係る弾性境界波素子を用意した。この第 1の実施形態に従って構成され た弾性境界波素子では、静電破壊耐圧は 130Vと低カゝつた。従って、上記第 3の実 施形態のように、第 2の電極指の先端部分を、先端にいくに連れて細くすることにより 、静電破壊耐圧を効果的に高めることができ、耐電力性を高め得ることがわかる。
[0110] なお、上記第 3の実施形態の弾性境界波素子及び上記従来例の弾性境界波素子 のインピーダンス 周波数特性及び位相 周波数特性を測定した。結果を図 17に 示す。
前述したように、従来例の弾性境界波素子では、静電破壊耐圧は、上記第 3の実 施形態の弾性境界波素子と同等であつたが、図 17から明らかなように、上記従来例 では、共振点と反共振点との間において、位相特性曲線上に少な力 ずリップルが 表われていることがわ力る。
[0111] これに対して、上記第 3の実施形態では、リップルが少なくされていることがわかる。
さら〖こ、反共振抵抗が、上記第 3の実施形態によれは高められ、従って、インピーダ ンス比すなわち山谷比を大きくすることができるので帯域通過フィルタを構成した場 合には挿入損失を良化することができ、また通過帯域のエッジ部の急峻性が良化す るので通過帯域を拡げ得ることがわかる。
[0112] なお、上記第 1〜第 3の実施形態では、弾性境界波素子につき説明したが、本発 明は、弾性表面波を利用した弾性表面波素子、例えば弾性表面波共振子や弾性表 面波フィルタ素子にも適用することができる。

Claims

請求の範囲
[1] 圧電体と少なくとも 1つの IDT電極とを備える弾性波素子であって、
前記 IDT電極が、弾性波伝搬方向において隣り合っており、異なる電位に接続さ れる第 1,第 2の電極指を有し、
前記第 1,第 2の電極指の各先端の電極指長さ方向外側にはギャップがそれぞれ 設けられており、
前記第 1の電極指の側縁にお!、て、前記第 2の電極指の先端外側に位置して 、る 前記ギャップと電極指長さ方向にぉ ヽて等 ヽ位置と、
前記第 2の電極指の側縁にお 、て、前記第 1の電極指の先端外側に位置して!/、る 前記ギャップと電極指長さ方向にぉ ヽて等 、位置との少なくとも一方の位置に凸部 が形成されていることを特徴とする、弾性波素子。
[2] 前記凸部に対して弾性波伝搬方向にぉ 、て隣接して 、る前記ギャップが電極指先 端側に位置されて ヽる当該電極指は、電極指先端に ヽくにつれて細くされて ヽる、 請求項 1に記載の弾性波素子。
[3] 前記第 1の電極指の外周縁と、第 1の電極指に隣接している第 2の電極指の外周 縁との間の距離が、ほぼ一定とされていることを特徴とする請求項 2に記載の弾性波 素子。
[4] 第 1,第 2の電極指が配置されている部分において前記ギャップを通って弾性波が 伝搬する場合の実効伝搬距離と、第 1,第 2の電極指が設けられている部分におい て前記ギャップ以外の部分において弾性波が伝搬する場合の実効伝搬距離とが略 等しくなるように前記凸部が形成されている、請求項 1〜3のいずれか 1項に記載の 弾性波素子。
[5] 前記凸部が、前記第 1,第 2の電極指の一方の電極指において、他方の電極指の 先端に設けられたギャップに対向している側の側縁から該ギャップに向けて突出する ように形成されて 、る、請求項 1〜4の 、ずれか 1項に記載の弾性波素子。
[6] 前記凸部が台形の平面形状を有し、前記台形の下底が該凸部が形成されている 電極指の側縁により構成されており、台形の上底と下底とを結ぶ側辺と、下底との成 す内角が 90° 未満の角度である、請求項 1〜5のいずれか 1項に記載の弾性波素 子。
[7] 前記凸部の前記下底の中点の電極指長さ方向に沿う位置が、前記他方の電極指 の先端のギャップの該電極指長さ方向中心位置と電極指長さ方向において略等しい 位置にあり、前記下底の長さが、前記ギャップの電極指長さ方向に沿う寸法であるギ ヤップ幅よりも大きくされており、前記上底の長さが該ギャップ幅よりも小さくされてい る、請求項 6に記載の弾性波素子。
[8] 前記凸部が、等角台形の平面形状を有する、請求項 7に記載の弾性波素子。
[9] 前記凸部が複数の角部を有し、該複数の角部が丸められていることを特徴とする、 請求項 6〜8のいずれか 1項に記載の弾性波素子。
[10] 前記凸部の平面形状が、前記電極指の側縁に連ねられている底辺と、底辺を除い て曲線により形成された外周縁とを有する形状である、請求項 1〜5のいずれ力 1項 記載の弾性波素子。
[11] 前記凸部の底辺の中点の電極指長さ方向に沿う位置が、前記ギャップを電極指長 さ方向にぉ 、て 2等分する線と電極指長さ方向にぉ 、て略等 、位置にあり、前記 底辺の長さが、前記ギャップ幅よりも大きくされている、請求項 10に記載の弾性波素 子。
[12] 前記凸部が、前記該 1,第 2の電極指の他方にも形成されている、請求項 1〜11の いずれか 1項に記載の弾性波素子。
[13] 前記 IDT電極に交叉幅重み付けが施されている、請求項 1〜12のいずれか 1項に 記載の弾性波素子。
[14] 前記弾性波として弾性表面波が用いられている、請求項 1〜13のいずれか 1項に 記載の弾性波素子。
[15] 前記弾性波として弾性境界波が用いられている、請求項 1〜13のいずれか 1項に 記載の弾性波素子。
[16] 前記圧電基板上に設けられた少なくとも 1つの前記 IDT電極を被覆するように設け られた媒質層をさらに備え、前記 IDT電極の密度が、前記圧電基板の密度及び前記 媒質層の密度以上とされており、かつ前記 IDT電極の密度と、前記媒質層の密度と の比が、 1. 22よりも大きくされている、請求項 14または 15に記載の弾性波素子。 前記圧電基板上に設けられた少なくとも 1つの IDT電極を被覆するように媒質層が 積層されており、前記 IDT電極の密度が、圧電基板の密度及び前記媒質層の密度 以上であり、かつ IDT電極の密度と、圧電基板の密度及び媒質層の密度の内の高 い方の密度との密度比が 1. 22よりも大きくされている、請求項 15に記載の弾性波素 子。
PCT/JP2006/306811 2005-04-08 2006-03-31 弾性波素子 WO2006109591A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007512905A JP4650488B2 (ja) 2005-04-08 2006-03-31 弾性波素子
EP06730759.5A EP1871006B1 (en) 2005-04-08 2006-03-31 Elastic wave element
CN2006800040661A CN101116244B (zh) 2005-04-08 2006-03-31 弹性波元件
US11/843,776 US7501916B2 (en) 2005-04-08 2007-08-23 Elastic wave device having an electrode finger with a side edge projection

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005112273 2005-04-08
JP2005-112273 2005-04-08

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US11/843,776 Continuation US7501916B2 (en) 2005-04-08 2007-08-23 Elastic wave device having an electrode finger with a side edge projection

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2006109591A1 true WO2006109591A1 (ja) 2006-10-19

Family

ID=37086870

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2006/306811 WO2006109591A1 (ja) 2005-04-08 2006-03-31 弾性波素子

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7501916B2 (ja)
EP (1) EP1871006B1 (ja)
JP (1) JP4650488B2 (ja)
KR (1) KR100884209B1 (ja)
CN (1) CN101116244B (ja)
WO (1) WO2006109591A1 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008035525A1 (fr) * 2006-09-22 2008-03-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Dispositif de filtre d'ondes acoustiques de surface de type à résonateur à couplage longitudinal
WO2008126614A1 (ja) 2007-03-27 2008-10-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性波素子
JP2010028517A (ja) * 2008-07-22 2010-02-04 Murata Mfg Co Ltd 弾性波装置の製造方法及び弾性波装置
JP2012109671A (ja) * 2010-11-15 2012-06-07 Murata Mfg Co Ltd 弾性波素子及びラダー型フィルタ
WO2013002033A1 (ja) * 2011-06-28 2013-01-03 京セラ株式会社 弾性波素子およびそれを用いた弾性波装置
WO2015098756A1 (ja) * 2013-12-26 2015-07-02 株式会社村田製作所 弾性波装置及びフィルタ装置
WO2017188342A1 (ja) * 2016-04-27 2017-11-02 京セラ株式会社 弾性波素子および通信装置
US20210313961A1 (en) * 2018-12-12 2021-10-07 RF360 Europe GmbH Electo acoustic resonator with suppressed transversal gap mode ecvitation and reduced transversal modes

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101796727B (zh) * 2007-08-14 2016-04-27 太阳诱电株式会社 弹性边界波装置
WO2009133655A1 (ja) * 2008-04-30 2009-11-05 株式会社村田製作所 弾性境界波装置
US7939989B2 (en) * 2009-09-22 2011-05-10 Triquint Semiconductor, Inc. Piston mode acoustic wave device and method providing a high coupling factor
US8294331B2 (en) 2009-09-22 2012-10-23 Triquint Semiconductor, Inc. Acoustic wave guide device and method for minimizing trimming effects and piston mode instabilities
JP2011135469A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Murata Mfg Co Ltd 弾性波装置
DE102010005596B4 (de) 2010-01-25 2015-11-05 Epcos Ag Elektroakustischer Wandler mit verringerten Verlusten durch transversale Emission und verbesserter Performance durch Unterdrückung transversaler Moden
DE102010053674B4 (de) 2010-12-07 2017-08-24 Snaptrack Inc. Elektroakustischer Wandler
JP5936393B2 (ja) * 2011-03-07 2016-06-22 トライクイント・セミコンダクター・インコーポレイテッドTriQuint Semiconductor,Inc. トリミング効果とピストンモードでの不安定性を最小化する音響波導波装置および方法
CN105284047B (zh) * 2013-05-29 2018-10-12 株式会社村田制作所 弹性波装置
EP3022841A1 (en) 2013-07-18 2016-05-25 Epcos AG Electroacoustic transducer with improved suppression of unwanted modes
US9419585B2 (en) * 2013-08-22 2016-08-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave filter device and duplexer
DE102018130141A1 (de) * 2018-11-28 2020-05-28 RF360 Europe GmbH Elektroakustischer Resonator und HF-Filter

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6129531U (ja) * 1984-07-26 1986-02-22 株式会社東芝 弾性表面波素子
JPH0567938A (ja) * 1991-09-09 1993-03-19 Hitachi Ltd 弾性表面波装置
JPH06164297A (ja) * 1992-02-12 1994-06-10 Kokusai Electric Co Ltd 弾性表面波共振子
JPH0666130U (ja) * 1993-02-23 1994-09-16 株式会社明電舎 弾性表面波共振子
WO1998052279A1 (fr) * 1997-05-12 1998-11-19 Hitachi, Ltd. Dispositif a onde elastique
JP2003209458A (ja) * 2001-03-04 2003-07-25 Kazuhiko Yamanouchi 弾性表面波基板及び弾性表面波機能素子

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2346204C3 (de) * 1973-09-13 1980-06-12 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Wandler für Füter oder Verzögerungsleitungen nach dem Oberflächenwellenprinzip
JPS5829624Y2 (ja) * 1977-10-14 1983-06-29 三洋電機株式会社 表面弾性波励振・受信用トランスジユ−サ
JPS5797215A (en) * 1980-12-08 1982-06-16 Seiko Epson Corp Surface acoustic wave device
JPS60144013A (ja) * 1984-01-05 1985-07-30 Oki Electric Ind Co Ltd インタ−デイジタル型表面弾性波変換器
JPS6181014A (ja) * 1984-09-28 1986-04-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表面弾性波デバイス
JPH05335879A (ja) * 1992-05-28 1993-12-17 Fujitsu Ltd 弾性表面波素子
JPH0644232U (ja) * 1992-11-17 1994-06-10 三洋電機株式会社 弾性表面波装置
JPH06350383A (ja) * 1993-06-04 1994-12-22 Kokusai Electric Co Ltd 弾性表面波共振子
EP1239588A2 (en) * 2001-03-04 2002-09-11 Kazuhiko Yamanouchi Surface acoustic wave substrate and surface acoustic wave functional element
DE10135871B4 (de) * 2001-07-24 2012-10-25 Epcos Ag Wandler für Oberflächenwellen mit verbesserter Unterdrückung störender Anregung
JP3945363B2 (ja) * 2001-10-12 2007-07-18 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP3815424B2 (ja) * 2002-11-08 2006-08-30 株式会社村田製作所 弾性境界波装置
JP4127170B2 (ja) * 2003-01-07 2008-07-30 株式会社村田製作所 表面波装置
EP1928089A3 (en) * 2003-02-10 2009-01-14 Murata Manufacturing Co. Ltd. Boundary acoustic wave device
JP4391754B2 (ja) 2003-02-26 2009-12-24 正樹 小林 Sawフィルタ
JP2004343259A (ja) * 2003-05-13 2004-12-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6129531U (ja) * 1984-07-26 1986-02-22 株式会社東芝 弾性表面波素子
JPH0567938A (ja) * 1991-09-09 1993-03-19 Hitachi Ltd 弾性表面波装置
JPH06164297A (ja) * 1992-02-12 1994-06-10 Kokusai Electric Co Ltd 弾性表面波共振子
JPH0666130U (ja) * 1993-02-23 1994-09-16 株式会社明電舎 弾性表面波共振子
WO1998052279A1 (fr) * 1997-05-12 1998-11-19 Hitachi, Ltd. Dispositif a onde elastique
JP2003209458A (ja) * 2001-03-04 2003-07-25 Kazuhiko Yamanouchi 弾性表面波基板及び弾性表面波機能素子

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7479855B2 (en) 2006-09-22 2009-01-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Longitudinally-coupled-resonator-type elastic wave filter device
WO2008035525A1 (fr) * 2006-09-22 2008-03-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Dispositif de filtre d'ondes acoustiques de surface de type à résonateur à couplage longitudinal
CN101595641B (zh) * 2007-03-27 2013-05-08 株式会社村田制作所 弹性波元件
WO2008126614A1 (ja) 2007-03-27 2008-10-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性波素子
JPWO2008126614A1 (ja) * 2007-03-27 2010-07-22 株式会社村田製作所 弾性波素子
JP5024373B2 (ja) * 2007-03-27 2012-09-12 株式会社村田製作所 弾性波素子
US8390400B2 (en) 2007-03-27 2013-03-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic wave element having an electrode finger with a protrusion
JP2010028517A (ja) * 2008-07-22 2010-02-04 Murata Mfg Co Ltd 弾性波装置の製造方法及び弾性波装置
JP2012109671A (ja) * 2010-11-15 2012-06-07 Murata Mfg Co Ltd 弾性波素子及びラダー型フィルタ
JPWO2013002033A1 (ja) * 2011-06-28 2015-02-23 京セラ株式会社 弾性波素子およびそれを用いた弾性波装置
WO2013002033A1 (ja) * 2011-06-28 2013-01-03 京セラ株式会社 弾性波素子およびそれを用いた弾性波装置
US9319023B2 (en) 2011-06-28 2016-04-19 Kyocera Corporation Acoustic wave element and acoustic wave device using same
USRE47991E1 (en) 2011-06-28 2020-05-12 Kyocera Corporation Acoustic wave element and acoustic wave device using same
WO2015098756A1 (ja) * 2013-12-26 2015-07-02 株式会社村田製作所 弾性波装置及びフィルタ装置
US10447240B2 (en) 2013-12-26 2019-10-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave device and filter device
WO2017188342A1 (ja) * 2016-04-27 2017-11-02 京セラ株式会社 弾性波素子および通信装置
JPWO2017188342A1 (ja) * 2016-04-27 2019-03-22 京セラ株式会社 弾性波素子および通信装置
US10833649B2 (en) 2016-04-27 2020-11-10 Kyocera Corporation Acoustic wave element and communication apparatus
US20210313961A1 (en) * 2018-12-12 2021-10-07 RF360 Europe GmbH Electo acoustic resonator with suppressed transversal gap mode ecvitation and reduced transversal modes
US11876504B2 (en) * 2018-12-12 2024-01-16 Rf360 Singapore Pte. Ltd. Electro acoustic resonator with suppressed transversal gap mode excitation and reduced transversal modes
US20240162884A1 (en) * 2018-12-12 2024-05-16 Rf360 Singapore Pte. Ltd. Electro acoustic resonator with suppressed transversal gap mode excitation and reduced transversal modes

Also Published As

Publication number Publication date
US7501916B2 (en) 2009-03-10
US20070296528A1 (en) 2007-12-27
JPWO2006109591A1 (ja) 2008-10-30
KR20070104653A (ko) 2007-10-26
CN101116244B (zh) 2010-08-25
CN101116244A (zh) 2008-01-30
KR100884209B1 (ko) 2009-02-18
EP1871006A1 (en) 2007-12-26
EP1871006A4 (en) 2009-06-17
EP1871006B1 (en) 2017-07-19
JP4650488B2 (ja) 2011-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2006109591A1 (ja) 弾性波素子
JP5024373B2 (ja) 弾性波素子
WO2021060523A1 (ja) 弾性波装置及びフィルタ装置
US10009009B2 (en) Elastic wave device including electrode fingers with elongated sections
JP4670956B2 (ja) 縦結合共振子型弾性波フィルタ装置
JP4631972B2 (ja) 弾性波フィルタ装置
JP7231015B2 (ja) 弾性波装置
JP2014187568A (ja) 弾性波装置
JP6777221B2 (ja) 弾性波装置
WO2007108269A1 (ja) 弾性波共振子
JP7499624B2 (ja) 弾性表面波素子
WO2017086004A1 (ja) 弾性波装置及びその製造方法
JP3587354B2 (ja) 横結合共振子型表面波フィルタ及び縦結合共振子型表面波フィルタ
WO2019059208A1 (ja) 弾性波フィルタ装置及びマルチプレクサ
JPWO2020184466A1 (ja) 弾性波装置
JP4665965B2 (ja) 弾性境界波装置
WO2023002823A1 (ja) 弾性波装置
JP7544147B2 (ja) 弾性波装置及びラダー型フィルタ
CN113196656A (zh) 弹性波装置
JP5141776B2 (ja) 弾性波共振子、ラダー型フィルタ及びデュプレクサ
JP2011041082A (ja) 一ポート型弾性波共振子及び弾性波フィルタ装置
WO2023048256A1 (ja) 弾性波装置
JP2008103954A (ja) 弾性表面波素子片
CN116647204A (zh) 一种声表面波谐振器及滤波器

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007512905

Country of ref document: JP

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2006730759

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006730759

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200680004066.1

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11843776

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020077020693

Country of ref document: KR

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: RU

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2006730759

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 11843776

Country of ref document: US