JPWO2013002033A1 - 弾性波素子およびそれを用いた弾性波装置 - Google Patents

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Abstract

ＳＡＷ素子１のＩＤＴ電極５は、第１バスバー２１Ａから第２バスバー２１Ｂ側へ延び、先端が複数の第２電極指２３Ｂの先端と複数の第１ギャップ２４Ａを介して対向する複数の第１ダミー電極２５Ａと、第２バスバー２１Ｂから第１バスバー２１Ａ側へ延び、先端が複数の第１電極指２３Ａの先端と複数の第２ギャップ２４Ｂを介して対向する複数の第２ダミー電極２５Ｂとを有する。複数の第１ギャップ２４Ａおよび複数の第２ギャップ２４Ｂは、ＳＡＷの伝搬方向に対して互いに同一側に傾斜して配列されている。第１ギャップ２４Ａの並び方向および第２ギャップ２４Ｂの並び方向のＳＡＷの伝搬方向に対する傾斜角度をそれぞれ第１角度θＡ、第２角度θＢとしたときに、１０°≦θＡ≦２６°、１０°≦θＢ≦２６°である。

Description

本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）素子等の弾性波素子およびそれを用いた弾性波装置に関する。
圧電基板と、圧電基板の主面上に設けられたＩＤＴ（InterDigital Transducer）電極（励振電極）とを有する弾性波素子が知られている。ＩＤＴ電極は、一対の櫛歯電極を有している。各櫛歯電極は、例えば、弾性波の伝搬方向に延びるバスバーと、バスバーから弾性波の伝搬方向に直交する方向に延びる複数の電極指とを有しており、一対の櫛歯電極は、複数の電極指が互いに噛み合うように（互いに交差するように）配置される。また、各バスバーから他方のバスバー側へ延び、その先端が他方のバスバーから延びる複数の電極指の先端とギャップを介して対向するダミー電極をさらに有するＩＤＴ電極も知られている。
また、圧電基板として水晶基板やＬｉＮｂＯ３基板等を利用する弾性波素子では、そのインピーダンス特性において、いわゆる横モードのスプリアスが生じることがあることも知られている。
特許文献１では、ダミー電極を有するＩＤＴ電極において、交差部（一対の櫛歯電極の複数の電極指が互いに交差する範囲）をＳＡＷの伝搬方向に対して斜めに傾斜させることにより、横モードのスプリアスを抑制することができることを開示している。
特許文献２では、ダミー電極を有するＩＤＴ電極において、２本のバスバーの互いに対向する縁部を伝搬方向に対して傾斜させることにより、横モードのスプリアスを抑制することができることを開示している。また、特許文献２では、その傾斜角度を変化させて複数の弾性波素子を試作し、その評価結果に基づいて、当該傾斜角度は１８°〜７２°が好ましいとしている。また、特許文献２では、その図１１において、特許文献１と同様に、交差部が伝搬方向に対して斜めに形成されたＩＤＴ電極も開示している。
特許文献１および２のように、交差部を伝搬方向に対して傾斜させると、電極指の先端とダミー電極の先端とのギャップも弾性波の伝搬方向に対して傾斜して配列され、弾性波が本来伝搬しようとする範囲に入り込んでいくことになる。従って、弾性波がギャップにおいて散乱しやすく、ひいては、伝搬損失が生じやすい。しかし、特許文献１および２は、いずれもスプリアスの抑制に着目しているものの、このような伝搬損失の発生については着目していない。
また、特許文献２では、バスバーの縁部の傾斜角度を変化させた試作および評価において、交差部の形状（複数のギャップの配列の傾斜角度）がどのようであったのか、一切言及されていない。また、特許文献２の図３および図５の比較から推測するに、複数の試作において、交差部の形状は正方形のままである。すなわち、特許文献２は、複数のギャップの配列の傾斜角度については、好適な数値範囲について何らの知見も示していない。
従って、伝搬損失を抑制できる弾性波素子および弾性波装置が提供されることが望まれる。
特開昭５８−１４３６２０号公報 特開２０００−２８６６６３号公報
本発明の一態様の弾性波素子は、圧電基板と、該圧電基板の上面に位置するＩＤＴ電極と、を有し、該ＩＤＴ電極は、弾性波の伝搬方向に交差する方向において互いに対向する第１バスバーおよび第２バスバーと、前記第１バスバーから前記第２バスバー側へ延びた複数の第１電極指と、前記第２バスバーから前記第１バスバー側へ延び、前記複数の第１電極指と前記伝搬方向において隣接する部分を有する複数の第２電極指と、前記第１バスバーから前記第２バスバー側へ延び、先端が前記複数の第２電極指の先端と複数の第１ギャップを介して対向する複数の第１ダミー電極と、前記第２バスバーから前記第１バスバー側へ延び、先端が前記複数の第１電極指の先端と複数の第２ギャップを介して対向する複数の第２ダミー電極と、を有し、前記ＩＤＴ電極の前記伝搬方向の所定範囲において、前記複数の第１ギャップのうち互いに隣接する前記第１ギャップ同士の配列方向を第１方向としたときに、該第１方向は前記伝搬方向に対して傾斜し、前記複数の第２ギャップのうち互いに隣接する前記第２ギャップ同士の配列方向を第２方向としたときに、該第２方向は前記伝搬方向に対して前記第１方向が傾斜する側と同じ側に傾斜し、前記第１方向の前記伝搬方向に対する傾斜角度を第１角度θＡとし、前記第２方向の前記伝搬方向に対する傾斜角度を第２角度θＢとしたときに、前記第１角度θＡと前記第２角度θＢとが、
１０°≦θＡ≦２６°
１０°≦θＢ≦２６°
の範囲にある。
本発明の一態様の弾性波素子は、圧電基板と、該圧電基板の上面に位置するＩＤＴ電極と、を有し、該ＩＤＴ電極は、弾性波の伝搬方向に交差する方向において互いに対向する第１バスバーおよび第２バスバーと、前記第１バスバーから前記第２バスバー側へ延びた複数の第１電極指と、前記第２バスバーから前記第１バスバー側へ延び、前記複数の第１電極指と前記伝搬方向において隣接する部分を有する複数の第２電極指と、前記第１バスバーから前記第２バスバー側へ延び、先端が前記複数の第２電極指の先端と複数の第１ギャップを介して対向する複数の第１ダミー電極と、前記第２バスバーから前記第１バスバー側へ延び、先端が前記複数の第１電極指の先端と複数の第２ギャップを介して対向する複数の第２ダミー電極と、互いに隣接する前記第１電極指と前記第１ダミー電極との間に、かつ前記伝搬方向に見て前記第１ギャップの少なくとも一部を塞ぐ位置にあり、前記第１電極指および前記第１ダミー電極の少なくとも一方に接続された第１付加電極と、互いに隣接する前記第２電極指と前記第２ダミー電極との間に、かつ前記伝搬方向に見て前記第２ギャップの少なくとも一部を塞ぐ位置にあり、前記第２電極指および前記第２ダミー電極の少なくとも一方に接続された第２付加電極と、を有し、前記ＩＤＴ電極の前記伝搬方向の所定範囲において、前記複数の第１ギャップのうち互いに隣接する前記第１ギャップ同士の配列方向を第３方向としたときに、該第３方向は前記伝搬方向に対して傾斜し、前記複数の第２ギャップのうち互いに隣接する前記第２ギャップ同士の配列方向を第４方向としたときに、該第４方向は前記伝搬方向に対して前記第３方向が傾斜する側と同一側に傾斜し、前記第３方向の前記伝搬方向に対する傾斜角度を第３角度θＣとし、前記第４方向の前記伝搬方向に対する傾斜角度を第４角度θＤとしたときに、前記第３角度θＣと前記第４角度θＤとが、
６°≦θＣ≦２６°
６°≦θＤ≦２６°
の範囲にある。
本発明の一態様に係る弾性波装置は、上記いずれかの弾性波素子と、該弾性波素子が実装された回路基板と、を有する。
上記の構成によれば、ＩＤＴ電極のＳＡＷの伝搬方向における所定範囲において、電極指とダミー電極との間の間隔であるギャップの配列方向を前記伝搬方向に対して所定の角度としたことによって、弾性波素子の伝搬損失を抑制できる。
図１（ａ）は本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ素子の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の領域Ｉｂの拡大図、図１（ａ）のIｃ−Iｃ線における断面図である。 図２（ａ）〜図２（ｅ）は図１のＳＡＷ素子の製造方法を説明する、図１（ｃ）に対応する断面図である。 図１のＳＡＷ素子を適用したＳＡＷ装置の例を示す断面図である。 図４（ａ）〜図４（ｄ）は横モードのスプリアスの抑制に係る効果を示す図である。 比較例および実施例の最大位相を示す図である。 実施例におけるギャップ長Ｇ毎の最大位相比率を示す図である。 図７（ａ）〜図７（ｃ）は比較例の構成および最大位相比率を示す図である。 第２の実施形態に係るＳＡＷ素子の要部を示す平面図である。 第３の実施形態に係るＳＡＷ素子の要部を示す平面図である。 第４の実施形態に係るＳＡＷ素子の要部を示す平面図である。 第５の実施形態に係るデュプレクサの要部を模式的に示す平面図である。 図１２（ａ）〜図１２（ｃ）は図１１のデュプレクサの作用を説明する図である。 第６の実施形態に係るデュプレクサの要部を模式的に示す平面図である。 図１４（ａ）〜図１４（ｃ）は第７の実施形態に係るＳＡＷ素子を説明する図である。 第８の実施形態に係るＳＡＷ素子の要部を示す平面図である。 図１６（ａ）〜図１６（ｃ）は反射器における電極指の設定方法を説明する図である。
以下、本発明の実施形態に係るＳＡＷ素子およびＳＡＷ装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
第２の実施形態以降において、既に説明された実施形態の構成と同一または類似する構成については、既に説明された実施形態と同一の符号を付し、説明を省略することがある。
＜第１の実施形態＞
（ＳＡＷ素子の構成および製造方法）
図１（ａ）は本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ素子１の要部の平面図である。図１（ｂ）は図１（ａ）の領域Ｉｂの拡大図である。図１（ｃ）は図１（ａ）のIｃ−Iｃ線における断面図である。
なお、ＳＡＷ素子１は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下では、便宜的に、直交座標系ｘｙｚを定義するとともに、ｚ方向の正側を上方として、上面、下面等の用語を用いるものとする。
ＳＡＷ素子１は、図１（ａ）に示すように、基板３と、基板３の上面３ａに設けられたＩＤＴ電極５および反射器７とを有している。また、ＳＡＷ素子１は、図１（ｃ）に示すように、ＩＤＴ電極５および反射器７上に設けられた付加膜９と、上面３ａを付加膜９の上から覆う保護層１１とを有している。なお、ＳＡＷ素子１は、この他にも、ＩＤＴ電極５に信号の入出力を行うための配線等を有していてもよい。
基板３は、圧電基板によって構成されている。例えば、基板３は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板によって構成されている。より好適には、基板３は、１２８°±１０°Ｙ−ＸカットのＬｉＮｂＯ３基板もしくは０°±１０°Ｙ−ＸカットのＬｉＮｂＯ３基板によって構成されている。その他、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）単結晶なども使用できる。基板３の平面形状および各種寸法は適宜に設定されてよい。一例として、基板３の厚み（ｚ方向）は、０．２ｍｍ〜０．５ｍｍである。
ＩＤＴ電極５は、図１（ａ）に示すように、第１櫛歯電極１３Ａおよび第２櫛歯電極１３Ｂを有している。なお、以下では、第１櫛歯電極１３Ａおよび第２櫛歯電極１３Ｂを単に櫛歯電極１３といい、これらを区別しないことがある。また、第１櫛歯電極１３Ａに係る構成等については、「第１バスバー２１Ａ」等のように、「第１」および「Ａ」を付すことがあり、第２櫛歯電極１３Ｂに係る構成等については、「第２バスバー２１Ｂ」等のように、「第２」および「Ｂ」を付すことがあり、また、「第１」、「第２」、「Ａ」、および「Ｂ」を省略することがある。
各櫛歯電極１３は、図１（ａ）に示すように、互いに対向する２本のバスバー２１と、各バスバー２１から他のバスバー２１側へ延びる複数の電極指２３と、複数の電極指２３の間において各バスバー２１から他のバスバー２１側へ延びる複数のダミー電極２５と、を有している。そして、１対の櫛歯電極１３は、複数の電極指２３が互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。
ＳＡＷは、複数の電極指２３に直交する方向において伝搬する。従って、基板３の結晶方位を考慮したうえで、２本のバスバー２１は、ＳＡＷを伝搬させたい方向に交差する方向において互いに対向するように配置され、複数の電極指２３は、ＳＡＷを伝搬させたい方向に対して直交する方向に延びるように形成される。
なお、ＳＡＷの伝搬方向は複数の電極指２３の向き等によって規定されるが、本実施形態では、便宜的に、ＳＡＷの伝搬方向を基準として、複数の電極指２３の向き等を説明することがある。
また、直交座標系ｘｙｚは、ｘ軸が電極指２３に直交し（ＳＡＷの伝搬方向に平行であり）、ｙ軸が電極指２３に平行であり、ｚ軸がＩＤＴ電極５に直交するように定義されているものとする。すなわち、直交座標系ｘｙｚは、基板３の外形ではなく、ＩＤＴ電極５の外形（ＳＡＷの伝搬方向）を基準として定義されているものとする（図１０参照）。
バスバー２１は、例えば、概ね一定の幅で直線状に延びる長尺状に形成されており、ＳＡＷの伝搬方向（ｘ方向）に対して傾斜している。従って、バスバー２１の互いに対向する側の縁部２１ａは、直線状であり、また、伝搬方向に傾斜している。バスバー２１（縁部２１ａ）の傾斜角度は、例えば、２本のバスバー２１間において互いに同一である。
複数の電極指２３は、概ね一定の幅で直線状に延びる長尺状に形成されており、ＳＡＷの伝搬方向に概ね一定の間隔で配列されている。一対の櫛歯電極１３の複数の電極指２３は、そのピッチ（繰り返し間隔）ｐ（図１（ｃ）。例えば、電極指２３の中心間距離）が、例えば、共振させたい周波数でのＳＡＷの波長λの半波長と同等となるように設けられている。波長λ（２ｐ）は、例えば、１．５μｍ〜６μｍである。各電極指２３の幅ｗ１（図１（ｃ））は、ＳＡＷ素子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定され、例えば、ピッチｐに対して０．４ｐ〜０．７ｐである。
複数の電極指２３の長さ（先端の位置）は、例えば、互いに同一とされている。また、上述のように、２本のバスバー２１の縁部２１ａ（電極指２３の根元位置）は、伝搬方向に傾斜する、互いに平行な直線状である。従って、複数の第１電極指２３Ａの先端を結ぶ線および複数の第２電極指２３Ｂの先端を結ぶ線は、伝搬方向に傾斜する、互いに平行な直線状であり、ひいては、複数の電極指２３の交差範囲（交差幅Ｗ（図１（ａ））の範囲）は、平行四辺形に形成されている。これによって、いわゆる横モードのスプリアスの発生が抑制される。
複数のダミー電極２５は、例えば、概ね一定の幅で直線状に延びる長尺状に形成されており、複数の電極指２３間の中央に配置されている（複数の電極指２３と同一のピッチで配列されている）。そして、一方の櫛歯電極１３のダミー電極２５の先端は、他方の櫛歯電極１３の電極指２３の先端とギャップ２４を介して対向している。ダミー電極２５の幅（ｘ方向）は、例えば、電極指２３と同等である。複数のダミー電極２５の長さ（ｙ方向）は、例えば、互いに同一である。
複数のギャップ２４の配列は、伝搬方向に対して傾斜している。第１ギャップ２４Ａの配列方向を第１方向としたときに、第１方向の伝搬方向に対する傾斜角度（第１角度θＡ）は所定範囲の角度とされている。また、第２ギャップ２４Ｂの配列方向を第２方向としたときに、第２方向の伝搬方向に対する傾斜角度（第２角度θＢ）も所定範囲の角度とされている。第１角度θＡと第２角度θＢとは、例えば、互いに同一であり、また、バスバー２１の傾斜角度と同一である（ギャップ２４の配列と縁部２１ａとは平行である。）。角度θの好ましい範囲については後述する。
ギャップ長Ｇ（ギャップ２４のｙ方向の長さ）は、例えば、複数のギャップ長Ｇ間において互いに同一である。ギャップ長Ｇは、例えば、０．１０μｍ〜０．５２μｍである。また、弾性波の波長をλとするとギャップ長Ｇは、例えば、０．１λ〜０．６λである。なお、ギャップ長Ｇのより好ましい範囲については後述する。
なお、角度θは、例えば、図１（ｂ）に示すように、ギャップ２４の中央位置を基準として、隣接する２つのギャップ２４毎に定義もしくは測定される。ただし、本実施形態のように、複数のギャップ長Ｇが互いに同一の場合においては、電極指２３の先端やダミー電極２５の先端など、適宜な位置が基準とされてよい。複数のギャップ長Ｇが互いに同一の場合は、電極指２３の先端などを基準としても角度θの測定結果は変わらないからである。また、本実施形態のように、複数のギャップ２４が直線状に配列されている場合においては、図１（ａ）に示すように、複数のギャップ２４を結ぶ線ＬとＳＡＷの伝搬方向との角度により、角度θが定義もしくは測定されてよく、この場合において、一般には、ギャップ長Ｇは、ＩＤＴ電極５のｘ方向の大きさに比較して小さいから、適宜な位置が基準とされてよい。すなわち、ギャップ長Ｇのばらつきは無視することができる。
ＩＤＴ電極５は、例えば、金属によって形成されている。この金属としては、例えば、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金（Ａｌ合金）が挙げられる。Ａｌ合金は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金である。なお、ＩＤＴ電極５は、複数の金属層から構成されてもよい。ＩＤＴ電極５の各種寸法は、ＳＡＷ素子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。一例として、ＩＤＴ電極５の厚みｅ（図１（ｃ））は、５０ｎｍ〜４００ｎｍである。
なお、ＩＤＴ電極５は、基板３の上面３ａに直接配置されていてもよいし、別の部材を介して基板３の上面３ａに配置されていてもよい。別の部材は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、あるいはこれらの合金等からなる。このようにＩＤＴ電極５を別の部材を介して基板３の上面３ａに配置する場合は、別の部材の厚みはＩＤＴ電極５の電気特性に殆ど影響を与えない程度の厚み（例えば、Ｔｉの場合はＩＤＴ電極５の厚みの５％の厚み）に設定される。
ＩＤＴ電極５によって基板３に電圧が印加されると、基板３の上面３ａ付近において上面３ａに沿ってｘ方向に伝搬するＳＡＷが誘起される。また、ＳＡＷは、電極指２３と電極指２３の非配置領域（隣接する電極指２３間の長尺状の領域）との境界において反射する。そして、電極指２３のピッチｐを半波長とする定在波が形成される。定在波は、当該定在波と同一周波数の電気信号に変換され、電極指２３によって取り出される。このようにして、ＳＡＷ素子１は、共振子もしくはフィルタとして機能する。
反射器７は、格子状に形成されている。すなわち、反射器７は、ＳＡＷの伝搬方向に交差する方向において互いに対向する第３バスバー２７Ｃおよび第４バスバー２７Ｄ（以下、単に「バスバー２７」といい、両者を区別しないことがある。）と、これらバスバー２７間においてＳＡＷの伝搬方向に直交する方向に延びる複数の第３電極指２９とを有している。
バスバー２７は、例えば、概ね一定の幅で直線状に延びる長尺状に形成されており、ＳＡＷの伝搬方向に平行に配置されている。２本のバスバー２７間の距離は、例えば、ＩＤＴ電極５の２本のバスバー２１間の距離と概ね同一である。
また、複数の第３電極指２９は、概ね一定の幅で直線状に延びる長尺状に形成されており、ＩＤＴ電極５の電極指２３と概ね同等のピッチで配列されている。第３電極指２９の幅は、例えば、電極指２３の幅と概ね同等である。
反射器７は、例えば、ＩＤＴ電極５と同一の材料によって形成されるとともに、ＩＤＴ電極５と同等の厚みに形成されている。
保護層１１は、例えば、基板３の上面３ａの概ね全面に亘って設けられており、付加膜９が設けられたＩＤＴ電極５および反射器７を覆うとともに、上面３ａのうちＩＤＴ電極５および反射器７から露出する部分を覆っている。保護層１１の上面３ａからの厚みＴ（図１（ｃ））は、ＩＤＴ電極５および反射器７の厚みｅよりも大きく設定されている。例えば、厚みＴは、厚みｅよりも１００ｎｍ以上厚く、２００ｎｍ〜１５００ｎｍである。また、例えば、厚みＴは、別の観点では、ＳＡＷの波長λに対して０．２λ〜０．５λである。
保護層１１は、絶縁性を有する材料からなる。好適には、保護層１１は、温度が上昇すると弾性波の伝搬速度が速くなるＳｉＯ２などの材料によって形成されており、これによってＳＡＷ素子１の温度の変化による電気特性の変化を小さく抑えることができる。具体的には、以下のとおりである。
基板３の温度が上昇すると、基板３におけるＳＡＷの伝搬速度が遅くなり、また、基板３の熱膨張によってピッチｐが大きくなる。その結果、共振周波数が低くなり、所望の特性が得られないおそれがある。しかし、保護層１１が設けられていると、ＳＡＷは、基板３だけでなく、保護層１１においても伝搬する。そして、保護層１１は、温度が上昇すると弾性波の伝搬速度が速くなる材料（ＳｉＯ２）によって形成されていることから、基板３および保護層１１を伝搬するＳＡＷ全体としては、温度上昇による速度の変化が抑制されることになる。なお、保護層１１は、ＩＤＴ電極５を腐食等から保護することにも寄与する。
保護層１１の表面は、大きな凹凸がないようにしておくことが望ましい。基板３上を伝搬するＳＡＷの伝搬速度は保護層１１の表面の凹凸に影響を受けて変化するため、保護層１１の表面に大きな凹凸が存在すると、製造された各ＳＡＷ素子１の共振周波数に大きなばらつきが生じることとなる。したがって、保護層１１の表面を平坦にしておけば、各ＳＡＷ素子の共振周波数が安定化する。具体的には、保護層１１の表面の平坦度を、基板３上を伝搬するＳＡＷの波長の１％以下とすることが望ましい。
付加膜９は、ＩＤＴ電極５および反射器７の電気特性を向上させるためのものである。付加膜９は、例えば、ＩＤＴ電極５および反射器７の上面の全面に亘って設けられている。付加膜９は、電極指２３の長手方向（ｙ方向）に直交する断面形状が、例えば、概ね矩形とされている。ただし、付加膜９の断面形状は、台形やドーム状とされてもよい。付加膜９の厚さｔ（図１（ｃ））は、付加膜９が保護層１１を露出しない範囲で適宜に設定されてよい。例えば、付加膜９の厚さは、ＳＡＷの波長λに対して０．０１λ〜０．４λである。
付加膜９を構成する材料は、ＩＤＴ電極５、反射器７、および保護層１１を構成する材料とは音響インピーダンスが異なる材料である。音響インピーダンスの相違は、ある程度以上であることが好ましく、例えば、１５ＭＲａｙｌ以上、より好ましくは２０ＭＲａｙｌ以上であることが好ましい。
このような材料としては、例えば、ＩＤＴ電極５がＡｌ（音響インピーダンス：１３．５ＭＲａｙｌ）によって構成され、保護層１１がＳｉＯ２（１２．２ＭＲａｙｌ）によって構成されている場合には、ＷＣ（１０２．５ＭＲａｙｌ）、ＴｉＮ（５６．０ＭＲａｙｌ）、ＴａＳｉＯ２（４０．６ＭＲａｙｌ）、Ｔａ２Ｏ５（３３．８ＭＲａｙｌ）、Ｗ５Ｓｉ２（６７．４ＭＲａｙｌ）が挙げられる。
ＩＤＴ電極５がＡｌによって構成され、保護層１１がＳｉＯ２によって構成されている場合においては、これらの音響インピーダンスが近いことから、電極指２３と電極指２３の非配置領域（隣接する電極指２３間の長尺状の領域）との境界が音響的に曖昧になり、当該境界における反射係数が低下する。その結果、ＳＡＷの反射波が十分に得られず、所望の特性が得られないおそれがある。しかし、ＩＤＴ電極５および保護層１１の材料とは音響インピーダンスが異なる材料によって形成された付加膜９がＩＤＴ電極５の上面に設けられることにより、電極指２３と電極指２３の非配置領域との境界における反射係数が高くなり、所望の特性が得られやすくなる。
なお、付加膜９の材料は、ＩＤＴ電極５、反射器７、および保護層１１の材料よりも弾性波の伝搬速度が遅いことが好ましい。伝搬速度が遅いことによって、振動分布が付加膜９に集中しやすく、電極指２３と電極指２３の非配置位置との境界における反射係数が実効的に高くなる。
このような材料としては、例えば、ＩＤＴ電極５がＡｌ（伝搬速度：５０２０ｍ／ｓ）によって構成され、保護層１１がＳｉＯ２（５５６０ｍ／ｓ）によって構成されている場合には、ＴａＳｉＯ２（４４３８ｍ／ｓ）、Ｔａ２Ｏ５（４３５２ｍ／ｓ）、Ｗ５Ｓｉ２（４４６５ｍ／ｓ）が挙げられる。なお、ＩＤＴ電極５等の材料よりも弾性波の伝搬速度が遅い材料は、ＩＤＴ電極５等の材料よりも音響インピーダンスが小さい材料よりも、音響インピーダンスが大きい材料の方が選択の自由度が高いと思われる。
図２（ａ）〜図２（ｅ）は、ＳＡＷ素子１の製造方法の概要を説明する、製造工程毎の図１（ｃ）に対応する断面図である。製造工程は、図２（ａ）から図２（ｅ）まで順に進んでいく。なお、各種の層は、プロセスの進行に伴って形状等が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いることがあるものとする。
図２（ａ）に示すように、まず、基板３の上面３ａ上には、ＩＤＴ電極５および反射器７となる導電層１５、ならびに付加膜９となる付加層１７が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学的気相堆積）法等の薄膜形成法によって、上面３ａ上に導電層１５が形成される。次に、同様の薄膜形成法によって、付加層１７が形成される。
付加層１７が形成されると、図２（ｂ）に示すように、付加層１７および導電層１５をエッチングするためのマスクとしてのレジスト層１９が形成される。具体的には、ネガ型もしくはポジ型の感光性樹脂の薄膜が適宜な薄膜形成法によって形成され、フォトリソグラフィー法等によってＩＤＴ電極５および反射器７等の非配置位置において薄膜の一部が除去される。
次に、図２（ｃ）に示すように、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）等の適宜なエッチング法によって、付加層１７および導電層１５のエッチングを行う。これによって、付加膜９が設けられたＩＤＴ電極５および反射器７が形成される。その後、図２（ｄ）に示すように、適宜な薬液を用いることによって、レジスト層１９は除去される。
そして、図２（ｅ）に示すように、スパッタリング法もしくはＣＶＤ法等の適宜な薄膜形成法によって保護層１１となる薄膜が形成される。この時点においては、保護層１１となる薄膜の表面には、ＩＤＴ電極５等の厚みに起因して凹凸が形成されている。そして、必要に応じて化学機械研磨等によって表面が平坦化され、図１（ｃ）に示すように、保護層１１が形成される。なお、保護層１１は、平坦化の前もしくは後において、後述するパッド３９（図３）等を露出させるために、フォトリソグラフィー法等によって一部が除去されてもよい。
上述した工程は、ダイシングされることにより基板３となる母基板に対して行われる。そして、保護層１１の形成後、必要に応じて他の部材（例えば後述するカバー３３）が形成され、その後、母基板がダイシングされることにより、ＳＡＷ素子１が作製される。
（ＳＡＷ装置の構成）
図３は、上述したＳＡＷ素子１を適用したＳＡＷ装置５１の例を示す断面図である。
ＳＡＷ装置５１は、例えば、フィルタもしくはデュプレクサを構成している。ＳＡＷ装置５１は、ＳＡＷ素子３１と、ＳＡＷ素子３１が実装される回路基板５３とを有している。
ＳＡＷ素子３１は、例えば、いわゆるウェハレベルパッケージのＳＡＷ素子として構成されている。ＳＡＷ素子３１は、上述したＳＡＷ素子１と、基板３のＳＡＷ素子１側を覆うカバー３３と、カバー３３を貫通する端子３５と、基板３のＳＡＷ素子１とは反対側を覆う裏面部３７とを有している。
カバー３３は、樹脂等によって構成されており、ＳＡＷの伝搬を容易化するための振動空間３３ａをＩＤＴ電極５および反射器７の上方（ｚ方向の正側）に構成している。基板３の上面３ａ上には、ＩＤＴ電極５と接続された配線３８と、配線３８に接続されたパッド３９とが形成されている。端子３５は、パッド３９上において形成され、ＩＤＴ電極５と電気的に接続されている。裏面部３７は、例えば、特に図示しないが、温度変化等によって基板３表面にチャージされた電荷を放電するための裏面電極と当該裏面電極を覆う保護層とを有している。
回路基板５３は、例えば、いわゆるリジッド式のプリント配線基板によって構成されている。回路基板５３の実装面５３ａには、実装用パッド５５が形成されている。
ＳＡＷ素子３１は、カバー３３側を実装面５３ａに対向させて配置される。そして、端子３５と実装用パッド５５は、半田５７によって接着される。その後、ＳＡＷ素子３１は封止樹脂５９によって封止される。
図４（ａ）〜図４（ｄ）は、ＳＡＷ素子１における、横モードのスプリアスの抑制に係る効果を説明する図である。具体的には、図４（ａ）および図４（ｂ）は、比較例のＳＡＷ素子のインピーダンス特性を示し、図４（ｃ）および図４（ｄ）は、ＳＡＷ素子１のインピーダンス特性を示している。比較例は、角度θが０°のＳＡＷ素子である。
なお、図４は、後述する比較例および実施例に係る実験に基づくものである。具体的には、図４（ａ）および図４（ｂ）は、ギャップ長Ｇが０．３６μｍのときの比較例（θ＝０°）のインピーダンス特性を例示し、図４（ｃ）および図４（ｄ）は、ギャップ長Ｇが０．３６μｍで角度θが１０°の実施例のインピーダンス特性を例示している。
図４（ａ）〜図４（ｄ）において、横軸は周波数ｆを示している。図４（ａ）および図４（ｃ）において、縦軸はインピーダンスの絶対値｜Ｚ｜を示し、図４（ｂ）および図４（ｄ）において、縦軸はインピーダンスＺの位相αを示している。
図４（ａ）および図４（ｃ）に示されるように、ＳＡＷ素子１においては、インピーダンスの絶対値｜Ｚ｜が極小となる共振点と、インピーダンスの絶対値｜Ｚ｜が極大となる反共振点とが現れる。また、図４（ｂ）および図４（ｄ）に示されるように、共振点と反共振点との間においては、インピーダンスの位相αが最大位相αmaxとなる。
そして、比較例（図４（ａ）および図４（ｂ））では、共振点と反共振点との間において、インピーダンスの絶対値｜Ｚ｜および位相αを示す線が波打っている。すなわち、高次の横モードによるスプリアスが生じている。一方、実施形態においては、高次の横モードによるスプリアスの発生が抑制されている。
このように、ギャップ２４の配列がＳＡＷの伝搬方向に対して角度θで傾斜することにより、スプリアスの発生が抑制される。これは高次の横モードの波のｙ方向の位置（位相）がｘ方向の位置に応じて互いにずれることによるものと考えられる。
（角度θおよびギャップ長Ｇの好ましい範囲）
ＳＡＷ素子１において、角度θ等を適切に設定すると、スプリアスの抑制の効果だけでなく、伝搬損失の抑制の効果も奏される。以下では、その効果を実施例において示すとともに、主として伝搬損失の抑制の観点から、角度θ等の好ましい範囲を説明する。
角度θおよびギャップ長Ｇが互いに異なる複数のＳＡＷ素子（比較例および実施例のＳＡＷ素子）を作製し、そのインピーダンス等を測定した。
複数の比較例および複数の実施例の設定は以下のとおりである。
角度θ：０°〜３０°まで２°刻みで変化（１６種類）
ギャップ長Ｇ：０．２５μｍ、０．３６μｍ、０．４５μｍおよび０．５８μｍ（４種類）、
なお、ギャップ長Ｇが０．２５μｍもしくは０．３６μｍ、かつ角度θが２８°もしくは３０°の４種類ついては、ＳＡＷ素子の作製は行っていないが、後述する検討内容から理解されるように、角度θおよびギャップ長Ｇの好ましい範囲の検討に影響はない。
また作製したＳＡＷ素子は、隣接する第１ギャップ２４Ａ同士の第１角度θＡはＩＤＴ電極５の全範囲において等しくした。隣接する第２ギャップ２４Ｂ同士の第２角度θＢもＩＤＴ電極５の全範囲において等しくし、かつ第２角度θＢを第１角度θＡと等しくした。
以上のように、４種類の比較例（θ＝０°）および５６種類の実施例について、ＳＡＷ素子の作製およびインピーダンス特性の測定を行った。
比較例および実施例に共通する条件を以下に示す。
基板３：１２６°ＹＸ−ＬｉＮｂＯ３基板
導電層１５（ＩＤＴ電極・反射器）：
材料：Ａｌ−Ｃｕ合金
ただし、基板３と導電層１５との間には６ｎｍのＴｉからなる下地層あり。
厚さｅ（Ａｌ−Ｃｕ合金層）：１４１ｎｍ
付加膜：
材料：Ｔａ２Ｏ５
厚さｔ：９０ｎｍ
保護層：
材料：ＳｉＯ２
厚さＴ：６００ｎｍ
ＩＤＴ電極の電極指：
ピッチｐ：０．９２μｍ
Ｄｕｔｙ（ｗ１／ｐ）：０．５
本数：２５０本
交差幅Ｗ：４６μｍ
ダミー電極長さ：４μｍ
反射器の電極指の本数：３０本
比較例および実施例における伝搬損失の評価は、最大位相αmax（図４（ｄ）参照）に基づいて行う。伝搬損失と最大位相αmaxとは相関があり、伝搬損失が小さいほど、最大位相αmaxは大きくなる。損失０の理想状態では、最大位相αmaxは９０（°）となる。
図５は、比較例および実施例の最大位相αmaxを示す図である。横軸は角度θ（°）を示し、縦軸は最大位相αmax（°）を示している。プロットされた点は、比較例および実施例の角度θおよび最大位相αmaxを示し、ギャップ長Ｇ毎に線で結ばれている。
（角度θの好ましい範囲）
４種類のギャップ長Ｇの全てにおいて、θ＝０°からθ＝６°までθを大きくしていくと最大位相αmaxが小さくなっていき、伝搬損失が大きくなっていることがわかる。しかし、θ＝６°からさらにθを大きくしていくと、一転、最大位相αmaxが大きくなっていき、伝搬損失が小さくなっていることがわかる。
θ＝１０°になると、θ＝０°のときよりも最大位相αmaxを大きくすることができる。一方、図４（ａ）〜図４（ｄ）に示すように、θ＝０°からθ＝１０°にすることによって、横モードによるスプリアスも抑制できている。すなわち、伝搬損失の抑制と高次の横モードによるスプリアスの抑制とが両立されている。
θ＝１０°からさらにθを大きくしていくと、さらに最大位相αmaxが大きくなり、θ＝１２°〜１６°付近で最大位相αmaxが最大となっている。従って、θ＝１２°〜１６°付近で、最も伝搬損失の抑制とスプリアスの抑制とが両立できている。
さらにθを大きくしていくと、最大位相αmaxは低下していく。ただし、θ＝２６°までなら、θ＝０°よりも最大位相αmaxを大きくすることができる。
以上のとおり、角度θは、１０°≦θ≦２６°であると、伝搬損失の抑制とスプリアスの抑制とを両立でき、好ましい。また、より好ましい範囲としては、１２°≦θ≦１６°が挙げられる。
（ギャップ長Ｇの好ましい範囲）
図５に示されるように、ギャップ長Ｇが０．２５μｍ、０．３６μｍ、０．４５μｍと大きくなっても、最大位相αmaxに大きな差は見られない。特に上述した角度θの好ましい範囲では、ギャップ長Ｇによって最大位相αmaxに大きな差は見られない。一方、ギャップ長Ｇが０．５８μｍになると、最大位相αmaxは、他のギャップ長Ｇのときに比較して、大きく低下する。
図６は、実施例における、ギャップ長Ｇ毎の最大位相比率を示す図である。図６において、横軸はギャップ長Ｇを波長λに対する比率で示し、縦軸は最大位相比率を示している。
最大位相比率は、ギャップ長Ｇが最小（０．２５μｍ）の実施例の最大位相αmaxを基準最大位相α０とし、αmax／α０により算出したものである（ギャップ長Ｇが０．２５μｍの場合は最大位相比率は１）。なお、図６は、θ＝１２°の場合を例示している。
この図に示されるように、ギャップ長Ｇが０．２８λ付近を境界として、最大位相比率が高く、伝搬損失の抑制効果が良好な領域と、当該領域に比較して、最大位相比率が低く、伝搬損失の抑制効果が低下する領域とに分かれている。
ここで、図７（ｂ）および図７（ｃ）に示す、交差幅が変化するアポダイズ共振子（他の比較例のＳＡＷ素子）における、図６と同様の図を図７（ａ）に示す。これらの比較例のＳＡＷ素子は、横モードのスプリアスの抑制を目的とするものである。
図７（ｂ）および図７（ｃ）に示される比較例のＳＡＷ素子は、実施例のＳＡＷ素子と静電容量が概ね同等となるように、電極指の本数が３００本とされている。その他の条件については、電極指の長さ以外は、実施例の条件と同一である。なお、図７（ｂ）および図７（ｃ）のＳＡＷ素子において、最大交差幅は５５μｍであり、最小交差幅は１１μｍである。
図７（ａ）において、矩形の点Ｐ１は、図７（ｂ）の比較例における最大位相比率を示し、三角の点Ｐ２は、図７（ｃ）の比較例における最大位相比率を示している。なお、ギャップ長Ｇが０．２５μｍのときにおいては、点Ｐ１とＰ２とは重なっている。
図７（ａ）に示されるように、これらの比較例においては、ギャップ長Ｇの増大に伴って徐々に（線形に）最大位相比率が低下している。すなわち、これらの比較例においては、実施例のような、ある長さのギャップ長Ｇを境にして最大位相比率が急激に低下するような現象は生じていない。
従って、実施例とこれらの比較例とは、いずれも横モードのスプリアスを抑制するが、ギャップ長Ｇが伝搬損失に及ぼす影響が互いに異なることがわかる。
以上のとおり、ギャップ長Ｇは、０．２８λ以下であることが好ましく、また、当該上限値には、臨界的意義が認められる。ギャップ長Ｇの下限値は、伝搬損失の抑制の観点からは、小さければ小さいほどよいことになるが、実際には、ギャップ長Ｇが小さすぎると、製造誤差等により電極指２３とダミー電極２５とが短絡するおそれがあることから、０．１μｍ以上であることが好ましい。従って、ギャップ長Ｇ（μｍ）は、０．１≦Ｇ≦０．２８λであることが好ましい。
以上説明したように、複数の第１ギャップ２４Ａが、伝搬方向に対して傾斜する方向に配列され、複数の第２ギャップ２４Ｂが、伝搬方向に対して第１ギャップ２４Ａの配列が傾斜する側と同一側へ傾斜する方向に配列され、角度θが好ましい範囲（１０°≦θ≦２６°）とされていることにより、横モードのスプリアスを抑制しつつ、伝搬損失の抑制を図ることができる。
さらに、ギャップ長Ｇ（μｍ）が好ましい範囲（０．１≦Ｇ≦０．２８λ）とされることにより、ギャップ長Ｇの変化が最大位相αmaxに及ぼす影響が少なくなり、その結果、製造誤差等によってインピーダンス特性にばらつきが生じることも抑制される。
また、第１の実施形態においては、複数の第１ギャップ２４Ａに係る複数の第１角度θＡは互いに同一であり、複数の第２ギャップ２４Ｂに係る複数の第２角度θＢは互いに同一であり、かつ複数の第１角度θと複数の第２角度θとは互いに同一である。
従って、構成が簡素であり、上述した角度θやギャップ長Ｇの影響の予測が容易である。その結果、設計が容易化される。また、交差幅Ｗが一定となるから、図７に例示した比較例に比較して、同一の静電容量を得るための最大交差幅を短くすることができる。すなわち、縦横比を小さくすることができる。その結果、ＩＤＴ電極の中心への電力集中を緩和することができ、耐電力性が向上する。
第１バスバー２１Ａの第２バスバー２１Ｂ側の縁部２１ａは、伝搬方向に延びるよりも第１ギャップ２４Ａの配列に対して平行になるように、伝搬方向に対して、複数の第１ギャップ２４Ａが傾斜する側と同一側へ傾斜して延びている。第２バスバー２１Ｂの第１バスバー２１Ａ側の縁部２１ａも同様である。
従って、後述する第３の実施形態（図９）等に比較して、バスバー２１と電極指２３の交差範囲との距離を均一かつ短くすることができる。その結果、電気抵抗を小さくしつつ交差範囲に均等に電圧を印加することができる。なお、縁部２１ａは、好ましくは複数のギャップ２４の配列と平行であるが、正確に平行でなくてもよい。縁部２１ａが、ＳＡＷの伝搬方向に延びる場合に比較して、ギャップ２４の配列に対して平行になっていれば、上記の効果は多少なりとも奏される。
また、第１の実施形態では、上記のような角度θの設定、ギャップ長Ｇの設定もしくはバスバー２１の形状設定等が、ＩＤＴ電極５の、ＳＡＷの伝搬方向の全体に亘ってなされている。従って、後述する第２の実施形態（図８）等との比較において、上述した種々の効果が最大限に発揮される。
＜第２の実施形態＞
図８は、第２の実施形態に係るＳＡＷ素子２０１の要部を示す平面図である。
ＳＡＷ素子２０１のＩＤＴ電極２０５では、ＳＡＷの伝搬方向（ｘ方向）の一部の範囲（範囲Ｒ１）のみにおいて、ギャップ２４の角度θ、ギャップ長Ｇもしくはバスバーの形状等に関する上述した好ましい条件が満たされている。
例えば、範囲Ｒ１においては、複数の第１ギャップ２４Ａは、伝搬方向に対して傾斜する方向に配列され、複数の第２ギャップ２４Ｂは、伝搬方向に対して第１ギャップ２４Ａの配列が傾斜する側と同一側へ傾斜する方向に配列されている。そして、図１（ｃ）に例示したように定義される、互いに隣接する第１ギャップ２４Ａのその並び方向の伝搬方向に対する傾斜角度θおよび互いに隣接する第２ギャップ２４Ｂのその並び方向の伝搬方向に対する傾斜角度θは、１０°≦θ≦２６°である。
そして、範囲Ｒ１以外の範囲（Ｒ２およびＲ３）においては、例えば、上記の角度θの条件は満たされていない。図８では、第１ギャップ２４Ａの配列および第２ギャップ２４Ｂの配列が、伝搬方向に対して互いに逆側に傾斜している場合を例示している。
第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様に、スプリアスの抑制効果および伝搬損失抑制の効果が得られる。また、第２の実施形態は、第１の実施形態のＩＤＴ電極と、交差幅が変化するＩＤＴ電極もしくは角度θが上述した好ましい範囲にないＩＤＴ電極等とを組み合わせることになるから、それぞれのＩＤＴ電極の長所を取り入れつつ、全体として見たときに所望の特性が得られるようにバランス化させて、より好適なＩＤＴ電極を実現することも期待される。
なお、図１（ｂ）に示したように、複数のギャップ２４の並び方向の特定には少なくとも２つのギャップ２４が必要である。また、第１ギャップ２４Ａと第２ギャップ２４Ｂとは、伝搬方向の位置が互いにずれている（交互となっている。）。従って、複数の第１ギャップ２４Ａの並び方向と、複数の第２ギャップ２４Ｂの並び方向とが、伝搬方向の同一範囲において、伝搬方向に対して同一側に傾斜しているか否かの判定には、少なくとも、２つの第１ギャップ２４Ａおよび当該２つの第１ギャップ２４Ａの間に位置する１つの第２ギャップ２４Ｂおよびそれに隣接する１つの第２ギャップ２４Ｂが必要である。換言すれば、範囲Ｒ１の最小の大きさは、４本の電極指２３に亘る範囲である。
＜第３の実施形態＞
図９は、第３の実施形態に係るＳＡＷ素子３０１の要部を示す平面図である。
ＳＡＷ素子３０１のＩＤＴ電極３０５では、バスバー３２１（縁部３２１ａ）は、複数のギャップ２４の配列に対して平行になっておらず、より具体的には、ＳＡＷの伝搬方向（ｘ方向）に平行となっている。なお、これに伴い、複数のダミー電極３２５は、互いに長さが異なっている。
第３の実施形態においても、第１の実施形態と同様に、スプリアスの抑制効果および伝搬損失抑制の効果が得られる。また、第３の実施形態は、従来のＩＤＴ電極と同様のバスバー３２１を有するから、設計変更が少なくて済むことが期待される。
なお、第１の実施形態に係るＳＡＷ素子１は、第３の実施形態に係るＳＡＷ素子３０１に比べて、ダミー電極２５が短くなっている分、ＳＡＷ素子の電気抵抗を小さくすることができる。
＜第４の実施形態＞
図１０は、第４の実施形態に係るＳＡＷ素子４０１の要部を示す平面図である。
ＳＡＷ素子４０１は、まず、反射器の形状が第１の実施形態と相違する。すなわち、ＳＡＷ素子４０１の反射器４０７は、バスバー４２７がギャップ２４の配列と平行になっている。より具体的には、バスバー４２７は、ＩＤＴ電極５のバスバー２１と概ね同一直線上に位置している。そして、これらバスバー２１および４２７の、電極指側およびその反対側の縁部（２１ａ、２１ｂ、４２７ａおよび４２７ｂ）も、複数のギャップ２４の配列に平行に概ね同一直線上に位置している。
このように、反射器４０７の各バスバー４２７の他のバスバー４２７側の縁部４２７ａが、伝搬方向に対して傾斜していることにより、反射器４０７において横モードのスプリアスが発生することが抑制される。さらに、縁部４２７ａが複数のギャップ２４の配列と平行になっていることにより、高次の横モードの波をずらす効果にＩＤＴ電極５と反射器４０７との間で連続性が確保され、スプリアス抑制の効果の予測が容易となったり、振動モードの過度の変更が抑制され、伝搬損失が抑制されたりすることが期待される。
また、ＳＡＷ素子４０１においては、基板４０３は、バスバー２１およびバスバー４２７の内側の縁部２１ａおよび４２７ａに対して平行に延びる外縁（ダイシングライン）を有している。従って、基板３の小型化が図られる。
なお、バスバー４２７の縁部４２７ａおよび４２７ｂは、ギャップ２４の配列に正確に平行となっている必要はなく、伝搬方向に延びる場合に比較して、ギャップ２４の配列に対して平行になっていれば、上記の効果が多少なりとも奏される。同様に、基板４０３の外縁は、バスバー２１の縁部２１ｂもしくはバスバー４２７の縁部４２７ａに対して正確に平行となっている必要はなく、伝搬方向に延びる場合に比較して、これら縁部に対して平行になっていればよい。
＜第５の実施形態＞
図１１は、第５の実施形態に係るデュプレクサ５００の要部を模式的に示す平面図である。なお、図１１には便宜上デュプレクサ５００の送信側素子と受信側素子のうち送信側素子の部分のみ示している。
デュプレクサ５００は、点線で示すダイシングラインＤＬを外縁とする基板５０３（第１の実施形態の基板３に相当）を有している。そして、基板５０３において、図１１では不図示の複数のＩＤＴ電極５および反射器７等が設けられることにより、複数のＳＡＷ素子５０１が設けられている。複数のＳＡＷ素子５０１（ＩＤＴ電極５）は、配線３８により直列接続や並列接続等の方式で接続され、ラダー型ＳＡＷフィルタを構成している。配線３８の端部に位置する円形は外部接続パッド３９である。
なお、デュプレクサ５００全体が一のＳＡＷ素子として捉えられてもよいし、デュプレクサ５００に含まれる一部のＳＡＷ素子５０１（例えば３つのＳＡＷ素子５０１）が一のＳＡＷ素子と捉えられてもよい。
図１２（ａ）は、図１１の領域XIIａを拡大して示す模式図である。
デュプレクサ５００のＳＡＷ素子５０１は、第４の実施形態のＩＤＴ電極５および反射器４０７を有している。すなわち、ＩＤＴ電極５および反射器４０７全体として、平行四辺形に形成されている。そして、図１２（ａ）に示す範囲においては、複数（３つ）のＳＡＷ素子５０１が、バスバー２１およびバスバー４２７（図１０参照）外側の縁部２１ｂおよび４２７ｂを互いに平行に隣接させるようにして、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向に一列に配列されている。また、これらのＳＡＷ素子５０１は、互いに直列に接続されている。なお、３つのＳＡＷ素子５０１は、一のＳＡＷ素子がその静電容量が保たれるように３つに分割されたものと捉えられてもよい。また、隣接するＳＡＷ素子５０１同士のバスバーは、両ＳＡＷ素子５０１の間において共通化されてもよい。この場合は、第１ギャップ２４Ａの配列方向と第２ギャップ２４Ｂの配列方向を平行にし、隣接するＳＡＷ素子５０１の第１ギャップ２４Ａ同士を平行にすることで、隣接するＳＡＷ素子５０１の間に無駄なスペースが殆どなくすことができ、デュプレクサ５００の小型化に供することができる。
図１２（ｂ）および図１２（ｃ）を参照して、デュプレクサ５００の作用を説明する。図１２（ｂ）は、比較例に係るＳＡＷ素子の図１２（ａ）に相当する平面図である。
図１２（ｂ）に示す比較例に係るＳＡＷ素子は、図７（ｂ）に示した比較例と同様に交差幅が変化するものであり、交差範囲は、ＳＡＷの伝搬方向および当該伝搬方向に直交する方向を対角線方向とする菱形に形成されている。そして、図１２（ａ）のＳＡＷ素子５０１と同様に、比較例のＳＡＷ素子は、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向に一列に配列されている。
図１２（ａ）と図１２（ｂ）との比較から理解されるように、図１２（ｂ）の比較例においては、ＳＡＷ素子間に無駄なスペースＳＰが生じている。
図１２（ｃ）は、図１２（ａ）において３つのＳＡＷ素子５０１を囲む点線ＲＬ１と、図１２（ｂ）において比較例の３つのＳＡＷ素子を囲む点線ＲＬ２とを重ねて示す平面図である。なお、図１２（ａ）の３つのＳＡＷ素子５０１および図１２（ｂ）の３つのＳＡＷ素子とは、静電容量が互いに同一である。
図１２（ｃ）に示されように、本実施形態における点線ＲＬ１で囲まれる領域の面積は、比較例における点線ＲＬ２で囲まれる領域の面積よりも小さい。これは、上述したように、比較例においては無駄なスペースＳＰが生じていることが影響している。なお、比較例のＳＡＷ素子においては、交差幅が変化することから（交差幅が狭くなる領域があることから）、容量を確保するために、電極指の本数を増加させるなどする必要があることも影響している。
以上のとおり、本実施形態のデュプレクサでは、第１バスバー２１Ａの第２バスバー２１Ｂとは反対側の縁部２１ａは、伝搬方向（ｘ方向）に延びるよりも第１ギャップ２４Ａの配列に対して平行になるように、伝搬方向に対して、複数の第１ギャップ２４Ａが傾斜する側と同一側へ傾斜して延びている。第２バスバー２１Ｂについても同様である。そして、複数のＩＤＴ電極５が伝搬方向に直交する方向（ｙ方向）に配列されている。
従って、図１２を参照して説明したように、無駄なスペースＳＰの発生を抑制して、デュプレクサ５００の小型化を図ることができる。なお、第４の実施形態のＩＤＴ電極５および反射器４０７に代えて、第１の実施形態のＩＤＴ電極５および反射器７を伝搬方向に直交する方向に配列しても、無駄なスペースＳＰの発生は抑制される。すなわち、反射器は、平行四辺形でなくてもよい。
＜第６の実施形態＞
図１３は、第６の実施形態に係るデュプレクサ６００の要部を模式的に示す平面図である。
デュプレクサ６００は、ダイシングラインＤＬの位置のみが第５の実施形態のデュプレクサ５００と相違する。具体的には、デュプレクサ６００において、ダイシングラインＤＬの一部は、第４の実施形態（図１０）と同様に、図１３では不図示の複数のギャップ２４の配列方向、バスバー２１の縁部２１ａおよび２１ｂ等に対して平行に延びている。
従って、第５の実施形態よりも、さらにデュプレクサ６００の小型化を図ることができる。なお、ダイシングラインＤＬは、ギャップ２４の配列に正確に平行となっている必要はなく、伝搬方向に延びる場合に比較して、ギャップ２４の配列に対して平行になっていれば、上記の効果が多少なりとも奏される。
＜第７の実施形態＞
図１４（ａ）は、第７の実施形態に係るＳＡＷ素子７０１の要部を示す一部拡大平面図である。
ＳＡＷ素子７０１においては、第１ダミー電極２５Ａの先端部の側方から第１ギャップ２４Ａ側へ突出する第１付加電極７２６Ａが設けられている。第１付加電極７２６Ａは、第１ダミー電極２５Ａに隣接する第１電極指２３Ａにも接続されている。なお、特に図示しないが、第２ギャップ２４Ｂ側においても同様に、付加電極７２６が設けられている。
そして、範囲Ｒ２４において示すように、ＳＡＷの伝搬方向に見ると、ギャップ２４は、少なくとも一部が、付加電極７２６によって塞がれている。従って、ＳＡＷのギャップ２４における散乱が抑制される。
図１４（ｂ）は、本実施形態に係る実施例の最大位相αmaxを示す、図５と同様の図であり、点線Ｌｎ０は、付加電極７２６がない場合の最大位相αmaxを示し、実線Ｌｎ１は、付加電極７２６がある場合の最大位相αmaxを示している。
なお、点線Ｌｎ０は、ギャップ長Ｇが０．２５μｍのものであり、図５に示したものと同一のデータに基づいている。また、実線Ｌｎ１は、ギャップ長Ｇが０．３０μｍのものであり、また、付加電極７２６以外の条件は、図５の実施例と同様である。
この図に示されるように、実線Ｌｎ１で示される本実施形態の実施例は、点線Ｌｎ０で示される第１の実施形態の実施例に比較して、ギャップ長Ｇが大きくなっているにも関わらず、概ね最大位相αmaxが大きくなっている。すなわち、付加電極７２６が設けられることにより、伝搬損失の抑制が好適になされている。
図５に基づいて角度θの好適な範囲を導いたのと同様の手法により、図１４に基づいて角度θの好適な範囲を導いた。なお、作製したＳＡＷ素子７０１において、隣接する第１ギャップ２４Ａ同士の第３角度θＣはＩＤＴ電極５の全範囲において等しくした。隣接する第２ギャップ２４Ｂ同士の第４角度θＤもＩＤＴ電極５の全範囲において等しくし、かつ第４角度θＤを第３角度θＣと等しくした。角度θ（第３角度θＣおよび第４角度θＤ）の好適な範囲は、６°≦θ≦２６°であり、より好ましくは、８°≦θ≦２０°である。
なお、付加電極７２６は、ギャップ長Ｇを塞いで伝搬損失を抑制するから、換言すれば、ギャップ長Ｇの上限値を大きくすることを可能とするから、図５および図６に基づくギャップ長Ｇの好ましい範囲は、本実施形態においても好ましい範囲である。また、本実施形態では、さらに広い範囲をギャップ長Ｇの好ましい範囲とすることが可能である。
（第７の実施形態の変形例）
図１４（ｃ）は、第７の実施形態の変形例の要部を示す一部拡大平面図である。
この変形例においては、付加電極７２８は、電極指２３の側方から突出している。この場合においても、ＳＡＷの伝搬方向に見て、ギャップ２４の少なくとも一部が塞がれていることから、伝搬損失が抑制される。
このように、付加電極は、ＳＡＷの伝搬方向において互いに隣接する電極指２３とダミー電極２５との間に、かつＳＡＷの伝搬方向に見てギャップ２４の少なくとも一部を塞ぐ位置にあり、電極指２３およびダミー電極２５の少なくとも一方に接続されていれば、その形状等は適宜に設定されてよい。
＜第８の実施形態＞
図１５は、第８の実施形態に係るＳＡＷ素子８０１の要部を示す平面図である。
ＳＡＷ素子８０１においては、複数のＩＤＴ電極５が、ＳＡＷの伝搬方向に対して、複数のギャップ２４の配列が傾斜する側と同一側に傾斜する方向に配列されている。好ましくは、複数のＩＤＴ電極５のギャップ２４の角度θは互いに同一であり、また、複数のＩＤＴ電極５はその角度θで伝搬方向に傾斜して配列されている。さらに好ましくは、複数のＩＤＴ電極５間において、交差幅は互いに同一である。そして、複数のＩＤＴ電極５および反射器７は、いわゆるダブルモード型ＳＡＷフィルタを構成している。
このようなダブルモード型ＳＡＷフィルタにおいても、複数のギャップ２４が伝搬方向に対して傾斜する方向に配列されることにより、横モードのスプリアスの発生が抑制される。
＜反射器の電極指の本数設定＞
上述の実施形態においては、共振点および反共振点付近におけるスプリアスに着目して、複数の電極指２３の交差範囲がＳＡＷの伝搬方向に対して斜めに延在する構成を提案した。以下では、共振点および反共振点よりも高周波側に離れた位置におけるスプリアスに着目し、その改善方法について説明する。
図１６（ａ）および図１６（ｂ）は、実施例もしくは比較例のように、ＩＤＴ電極（５等）および反射器（７等）よりも厚い保護層１１が設けられたＳＡＷ素子におけるインピーダンス特性を示す、図４（ｃ）および図４（ｄ）と同様の図である。ただし、図１６（ａ）および図１６（ｂ）は、横軸の範囲が図４（ｃ）および図４（ｄ）よりも広くされている。
領域Ｍは、共振点および反共振点が現れることが意図されていた領域（主共振の領域）である。一方、領域Ｓは、意図していなかった共振点および反共振点が現れた領域（スプリアスの領域）である。スプリアスは、主共振の周波数に対して、高周波側に離れた周波数において生じている。
このようなスプリアスが生じると、種々の不都合が生じる。例えば、ＳＡＷ素子が携帯電話機において無線通信用の信号のフィルタリングに利用されている場合において、無線ＬＡＮの通信周波数がスプリアスの周波数に一致してしまい、携帯電話機の無線通信を阻害するおそれがある。
なお、このようなスプリアスは、ＩＤＴ電極および反射器よりも厚い保護層１１を設けたときに生じる可能性が高く、保護層１１を設けない場合においては生じる可能性が極めて低い。
本発明者は、鋭意検討の結果、反射器（７等）における電極指（２９）の本数を適切に設定することによって、このようなスプリアスを抑制できることを見出した。具体的には、以下のとおりである。
反射器の電極指の本数が互いに異なる複数のＳＡＷ素子を試作して、そのインピーダンス特性を測定した。ＳＡＷ素子の条件は、以下のとおりである。なお、以下では、参考のために、第１の実施形態等の符号を付している。
基板３：０°ＹＸ−ＬｉＮｂＯ３基板
導電層１５（ＩＤＴ電極・反射器）：
材料：Ａｌ−Ｃｕ合金
ただし、基板３と導電層１５との間には６ｎｍのＴｉからなる下地層あり。
厚さｅ（Ａｌ−Ｃｕ合金層）：１４９ｎｍ
付加膜９：
材料：Ｔａ２Ｏ５
厚さｔ：９１ｎｍ
保護層１１：
材料：ＳｉＯ２
厚さＴ：７６０ｎｍ
ＩＤＴ電極の電極指：
ピッチｐ：１．０１μｍ
Ｄｕｔｙ（ｗ１／ｐ）：０．５
本数：３００本
ダミー電極の長さ：４．４μｍ
反射器における電極指の本数ｎ：２，４，６，８，１０，１２，１４，１６，１８または２０本
なお、反射器における電極指の本数ｎは、１つの反射器における本数である。ＳＡＷ素子は、ＳＡＷの伝搬方向の両側に反射器を有し、合計では、２ｎ本の電極指を有している。
図１６（ｃ）は、測定結果を示す図である。横軸は、反射器の電極指の本数ｎを示し、縦軸は、最大位相αmax（図４（ｄ）参照）を示している。紙面左側の縦軸の目盛は、主共振（領域Ｍ）の最大位相αmaxの値を示し、紙面右側の縦軸の目盛は、スプリアス（領域Ｓ）の最大位相αmaxの値を示している。実線ＬＳは、スプリアスの最大位相αmaxの測定結果を示し、点線ＬＭは、主共振の最大位相αmaxの測定結果を示している。なお、主共振とはＳＡＷ素子に起こる共振のうち共振点のインピーダンスが最も小さくなっている共振のことをいう。
スプリアスの最大位相αmaxは、概ね、反射器の電極指の本数が少なくなるほど、小さくなっている（スプリアスに関してＳＡＷ素子の特性は向上する）。一方、主共振の最大位相αmaxは、反射器の電極指の本数が少なくなっても、あまり変化は見られない。ただし、反射器の電極指の本数が６本よりも少なくなると、主共振の最大位相αmaxは、小さくなる（主共振に関してＳＡＷ素子の特性は低下する）。
この結果から、反射器の電極指の本数は、主共振の最大位相αmaxが低下しない範囲において、極力少なくすることが好ましいことが分かる。
本発明者は、このような結果が得られた理由を以下のように考察した。ＳＡＷ素子においては、主共振を発生させる振動モードの弾性波Ｉと、スプリアスを発生させる振動モードの弾性波IIとが生じている。また、弾性波IIは、弾性波Ｉに比較して、反射器の電極指における反射率が低い。従って、反射器の電極指の本数が６本の場合は、弾性波Ｉは、反射器によって全反射され、弾性波IIは、反射器によって全反射されずに一部が反射器の外側へ漏れる。そして、電極指の本数を６本よりも多くした場合は、弾性波Ｉは、６本の場合と同様に反射器によって全反射されるから、最大位相αmaxは変化せず、その一方、弾性波IIは、６本のときよりも反射される量が多くなるから、最大位相αmaxが大きくなる。
有限要素法によって弾性波Ｉおよび弾性波IIの１本の電極指に対する反射率Γを算出すると、弾性波Ｉは約１４％、弾性波IIは１％未満であった。また、この計算結果から、弾性波Ｉが全反射する電極指の最小本数は７本（≒１００％／１４％）であり、実験結果の６本と概ね一致する。従って、上記の考察は、概ね正しいものと考えられる。なお、計算値の７本と実験値の６本との差は１本であり、これは、計算精度や加工精度等が影響しているものと考えられる。
以上の検討結果から、主共振の最大位相αmaxを大きく確保しつつ、スプリアスを小さくする観点において、反射器の電極指の本数は、［｛１００（％）／（弾性波Ｉの反射率Γ）（％）｝（小数点以下四捨五入）±１］であることが最も好ましい。なお、一般には、反射器の本数ｎは、多いほどよいと考えられ、例えば、図１に示したような１ポート共振子では３０〜４０本、縦結合ダブルモード型ＳＡＷフィルタでは５０〜１００本とされている。
上記のように反射器の電極指の本数を設定することによる効果は、実施形態のように交差範囲が斜めに形成されているＳＡＷ素子だけでなく、交差範囲がＳＡＷの伝搬方向に平行な長方形のＳＡＷ素子や、図７に例示したようなアポタイズが施されたＳＡＷ素子においても奏されると考えられる。
本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
上記の実施形態は、適宜に組み合わされてよい。例えば、第７の実施形態の付加電極は、第１の実施形態だけでなく、第２〜第６および第８の実施形態に設けられてもよい。また、例えば、第８の実施形態のダブルモード型ＳＡＷフィルタを構成するＩＤＴ電極は、第１の実施形態のＩＤＴ電極に限定されず、第２または第３の実施形態（図８、図９）のＩＤＴ電極であってもよいし、また、例えば、第８の実施形態のダブルモード型ＳＡＷフィルタの反射器は、第１の実施形態の反射器であってもよい。また、例えば、第５の実施形態（図１１）のように弾性波の伝搬方向に直交する方向に配列される複数のＩＤＴ電極は、カスケード接続される２以上のダブルモード型ＳＡＷフィルタであってもよいし、ダブルモード型ＳＡＷフィルタおよびその入力側等に接続される共振子であってもよい。
弾性波素子は、（狭義の）ＳＡＷ素子に限定されない。例えば、保護層（１１）の厚さが比較的大きい（例えば０．５λ〜２λ）、いわゆる弾性境界波素子（ただし、広義のＳＡＷ素子に含まれる。）であってもよい。なお、弾性境界波素子においては、振動空間（３３ａ）の形成は不要であり、ひいては、カバー３３等も不要である。
弾性波素子は、ウェハレベルパッケージのものに限定されない。例えば、ＳＡＷ素子は、カバー３３および端子３５等を有さず、基板３の上面３ａ上のパッド３９と、回路基板５３の実装用パッド５５とが半田５７によって直接接着されてもよい。そして、ＳＡＷ素子１（保護層１１）と回路基板５３の実装面５３ａとの隙間によって振動空間が形成されてよい。また、ウェハレベルパッケージの弾性波素子も、端子が設けられず、実装用パッド５５に配置された半田ボールにパッド３９が当接する構成とされるなど、種々の構成とされてよい。
複数のギャップは、互いの大きさが異なっていてもよい。また、隣接する２つのギャップの並び方向の伝搬方向に対する傾斜角度θは、互いに同一でなくてもよい。すなわち、複数のギャップは、若干ジグザグするように配列されていてもよい。また、角度θは、第１ギャップと第２ギャップとにおいて互いに同一でなくてもよい。
弾性波素子において、保護層１１および付加膜９は必須の要件ではない。また、保護層は、腐食防止のみを目的として設けられ、電極指の厚みよりも薄くされてもよい。
電極（電極指）の材料は、ＡｌおよびＡｌを主成分とする合金に限定されず、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｔｉであってもよい。保護層の材料は、ＳｉＯ２に限定されず、例えば、ＳｉＯ２以外の酸化珪素であってもよい。
付加電極は、ギャップに対して伝搬方向の両側に配置される必要はなく、一方のみに配置されてもよい。また、ダミー電極の側方から突出する付加電極は、電極指に接続されていなくてもよい。付加電極の形状は種々変形可能であり、例えば、付加電極は、ギャップ側の縁部が凹となるような形状とされてもよい。
１…ＳＡＷ素子（弾性波素子）、３…基板（圧電基板）、３ａ…上面、５…ＩＤＴ電極（電極）、２１…バスバー、２３…電極指、２５…ダミー電極、２７…補助電極

Claims (12)

  1. 圧電基板と、
    該圧電基板の上面に位置するＩＤＴ電極と、
    を有し、
    該ＩＤＴ電極は、
    弾性波の伝搬方向に交差する方向において互いに対向する第１バスバーおよび第２バスバーと、
    前記第１バスバーから前記第２バスバー側へ延びた複数の第１電極指と、
    前記第２バスバーから前記第１バスバー側へ延び、前記複数の第１電極指と前記伝搬方向において隣接する部分を有する複数の第２電極指と、
    前記第１バスバーから前記第２バスバー側へ延び、先端が前記複数の第２電極指の先端と複数の第１ギャップを介して対向する複数の第１ダミー電極と、
    前記第２バスバーから前記第１バスバー側へ延び、先端が前記複数の第１電極指の先端と複数の第２ギャップを介して対向する複数の第２ダミー電極と、
    を有し、
    前記ＩＤＴ電極の前記伝搬方向の所定範囲において、
    前記複数の第１ギャップのうち互いに隣接する前記第１ギャップ同士の配列方向を第１方向としたときに、該第１方向は前記伝搬方向に対して傾斜し、
    前記複数の第２ギャップのうち互いに隣接する前記第２ギャップ同士の配列方向を第２方向としたときに、該第２方向は前記伝搬方向に対して前記第１方向が傾斜する側と同じ側に傾斜し、
    前記第１方向の前記伝搬方向に対する傾斜角度を第１角度θＡとし、前記第２方向の前記伝搬方向に対する傾斜角度を第２角度θＢとしたときに、前記第１角度θＡと前記第２角度θＢとが、
    １０°≦θＡ≦２６°
    １０°≦θＢ≦２６°
    の範囲にある
    弾性波素子。
  2. 前記第１角度θＡは、隣接する前記第１ギャップ同士のすべてにおいて同一であり、前記第２角度θＢは、隣接する前記第２ギャップ同士のすべてにおいて同一であり、かつ前記第１角度θＡと前記第２角度θＢとが同一である
    請求項１に記載の弾性波素子。
  3. 圧電基板と、
    該圧電基板の上面に位置するＩＤＴ電極と、
    を有し、
    該ＩＤＴ電極は、
    弾性波の伝搬方向に交差する方向において互いに対向する第１バスバーおよび第２バスバーと、
    前記第１バスバーから前記第２バスバー側へ延びた複数の第１電極指と、
    前記第２バスバーから前記第１バスバー側へ延び、前記複数の第１電極指と前記伝搬方向において隣接する部分を有する複数の第２電極指と、
    前記第１バスバーから前記第２バスバー側へ延び、先端が前記複数の第２電極指の先端と複数の第１ギャップを介して対向する複数の第１ダミー電極と、
    前記第２バスバーから前記第１バスバー側へ延び、先端が前記複数の第１電極指の先端と複数の第２ギャップを介して対向する複数の第２ダミー電極と、
    互いに隣接する前記第１電極指と前記第１ダミー電極との間に、かつ前記伝搬方向に見て前記第１ギャップの少なくとも一部を塞ぐ位置にあり、前記第１電極指および前記第１ダミー電極の少なくとも一方に接続された第１付加電極と、
    互いに隣接する前記第２電極指と前記第２ダミー電極との間に、かつ前記伝搬方向に見て前記第２ギャップの少なくとも一部を塞ぐ位置にあり、前記第２電極指および前記第２ダミー電極の少なくとも一方に接続された第２付加電極と、
    を有し、
    前記ＩＤＴ電極の前記伝搬方向の所定範囲において、
    前記複数の第１ギャップのうち互いに隣接する前記第１ギャップ同士の配列方向を第３方向としたときに、該第３方向は前記伝搬方向に対して傾斜し、
    前記複数の第２ギャップのうち互いに隣接する前記第２ギャップ同士の配列方向を第４方向としたときに、該第４方向は前記伝搬方向に対して前記第３方向が傾斜する側と同一側に傾斜し、
    前記第３方向の前記伝搬方向に対する傾斜角度を第３角度θＣとし、前記第４方向の前記伝搬方向に対する傾斜角度を第４角度θＤとしたときに、前記第３角度θＣと前記第４角度θＤとが、
    ６°≦θＣ≦２６°
    ６°≦θＤ≦２６°
    の範囲にある
    弾性波素子。
  4. 前記第３角度θＣは、隣接する前記第１ギャップ同士のすべてにおいて同一であり、前記第４角度θＤは、隣接する前記第２ギャップ同士のすべてにおいて同一であり、かつ前記第３角度θＣと前記第４角度θＤとが同一である
    請求項３に記載の弾性波素子。
  5. 弾性波の波長をλ（μｍ）としたときに、前記複数の第１ギャップおよび前記複数の第２ギャップの前記伝搬方向に直交する方向のギャップ長Ｇ（μｍ）が、前記所定範囲において、
    ０．１≦Ｇ≦０．２８λ
    の範囲にある
    請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波素子。
  6. 前記所定範囲において、
    前記第１バスバーの前記第２バスバー側の縁部は、前記第１ギャップの配列方向に対して平行になるように前記伝搬方向に対して傾斜し、
    前記第２バスバーの前記第１バスバー側の縁部は、前記第２ギャップの配列方向に対して平行になるように前記伝搬方向に対して傾斜している
    請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波素子。
  7. 前記所定範囲は、前記ＩＤＴ電極の前記伝搬方向の全体である
    請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波素子。
  8. 前記ＩＤＴ電極に対して前記伝搬方向において隣接する反射器をさらに有し、
    該反射器は、
    前記伝搬方向に交差する方向において互いに対向する、前記第１バスバー側の第３バスバーおよび前記第２バスバー側の第４バスバーと、
    前記第３バスバーおよび前記第４バスバーを結ぶように延びる複数の第３電極指と、
    を有し、
    前記第３バスバーの前記第４バスバー側の縁部は、前記第１ギャップの配列方向に対して平行になるように前記伝搬方向に対して傾斜し、
    前記第４バスバーの前記第３バスバー側の縁部は、前記第２ギャップの配列方向に対して平行になるように前記伝搬方向に対して傾斜している
    請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波素子。
  9. 前記第１バスバーの前記第２バスバーとは反対側の第１外側縁部は、前記第１ギャップの配列方向に対して平行になるように前記伝搬方向に対して傾斜し、
    前記第２バスバーの前記第１バスバーとは反対側の第２外側縁部は、前記第２ギャップの配列方向に対して平行になるように前記伝搬方向に対して傾斜し、
    複数の前記ＩＤＴ電極が前記伝搬方向に直交する方向に配列されている
    請求項７に記載の弾性波素子。
  10. 前記伝搬方向に対して、前記複数の第１ギャップおよび前記複数の第２ギャップの配列が傾斜する側と同じ側に傾斜する方向に複数の前記ＩＤＴ電極が配列されたダブルモード型ＳＡＷフィルタである
    請求項１〜９のいずれか１項に記載の弾性波素子。
  11. 前記ＩＤＴ電極に対して前記伝搬方向において隣接する反射器と、前記ＩＤＴ電極および前記反射器を覆うようにして前記圧電基板の上面に位置している、前記ＩＤＴ電極および前記反射器よりも厚みの大きい保護層とをさらに有し、
    前記反射器は、
    前記伝搬方向に交差する方向において互いに対向する、前記第１バスバー側の第３バスバーおよび前記第２バスバー側の第４バスバーと、
    前記第３バスバーおよび前記第４バスバーを結ぶように延びる複数の第３電極指と、
    を有し、
    前記ＩＤＴ電極において主共振を発生させる弾性波の反射率をΓ（％）としたときに、前記第３電極指の本数が、｛１００（％）／Γ（％）±１｝の範囲である請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波素子。
  12. 請求項１〜１１のいずれか１項に記載の弾性波素子と、
    該弾性波素子が実装された回路基板と、
    を有する弾性波装置。
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Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9048807B2 (en) * 2010-03-18 2015-06-02 University Of Maine System Board Of Trustees Surface acoustic wave resonator with an open circuit grating for high temperature environments
US20130320813A1 (en) 2012-06-04 2013-12-05 Tdk Corporation Dielectric device
US8981627B2 (en) * 2012-06-04 2015-03-17 Tdk Corporation Piezoelectric device with electrode films and electroconductive oxide film
US10153748B2 (en) 2013-10-31 2018-12-11 Kyocera Corporation Acoustic wave element, filter element, and communication device
WO2015098756A1 (ja) * 2013-12-26 2015-07-02 株式会社村田製作所 弾性波装置及びフィルタ装置
US10333494B2 (en) 2014-12-24 2019-06-25 Qorvo Us, Inc. Simplified acoustic RF resonator parallel capacitance compensation
CN107210730B (zh) * 2015-01-27 2020-10-30 京瓷株式会社 滤波器、分波器以及通信装置
CN107636961B (zh) 2015-06-22 2021-02-23 株式会社村田制作所 弹性波滤波器装置
US10574203B2 (en) 2015-07-28 2020-02-25 Qorvo Us, Inc. Bonded wafers and surface acoustic wave devices using same
JP6530494B2 (ja) * 2015-08-31 2019-06-12 京セラ株式会社 弾性表面波素子
CN108292913B (zh) * 2015-12-25 2021-08-31 株式会社村田制作所 弹性波装置
US10128814B2 (en) * 2016-01-28 2018-11-13 Qorvo Us, Inc. Guided surface acoustic wave device providing spurious mode rejection
US10084427B2 (en) 2016-01-28 2018-09-25 Qorvo Us, Inc. Surface acoustic wave device having a piezoelectric layer on a quartz substrate and methods of manufacturing thereof
JPWO2017188342A1 (ja) * 2016-04-27 2019-03-22 京セラ株式会社 弾性波素子および通信装置
US10581156B2 (en) 2016-05-04 2020-03-03 Qorvo Us, Inc. Compensation circuit to mitigate antenna-to-antenna coupling
US10581403B2 (en) 2016-07-11 2020-03-03 Qorvo Us, Inc. Device having a titanium-alloyed surface
JP2018037719A (ja) * 2016-08-29 2018-03-08 株式会社村田製作所 弾性波装置
US11050412B2 (en) 2016-09-09 2021-06-29 Qorvo Us, Inc. Acoustic filter using acoustic coupling
US11095266B2 (en) * 2016-10-07 2021-08-17 Qorvo Us, Inc. Slanted apodization for acoustic wave devices
US11165413B2 (en) 2017-01-30 2021-11-02 Qorvo Us, Inc. Coupled resonator structure
US11165412B2 (en) 2017-01-30 2021-11-02 Qorvo Us, Inc. Zero-output coupled resonator filter and related radio frequency filter circuit
US10873318B2 (en) 2017-06-08 2020-12-22 Qorvo Us, Inc. Filter circuits having acoustic wave resonators in a transversal configuration
US11206007B2 (en) 2017-10-23 2021-12-21 Qorvo Us, Inc. Quartz orientation for guided SAW devices
US11152913B2 (en) 2018-03-28 2021-10-19 Qorvo Us, Inc. Bulk acoustic wave (BAW) resonator
DE102018118005A1 (de) * 2018-07-25 2020-01-30 RF360 Europe GmbH SAW-Vorrichtung mit einem geneigten Resonator
DE102018118003A1 (de) * 2018-07-25 2020-01-30 RF360 Europe GmbH SAW-Vorrichtung mit einem geneigten Resonator
DE102018130144A1 (de) * 2018-11-28 2020-05-28 RF360 Europe GmbH Elektroakustischer Resonator und HF-Filter
DE102018130141A1 (de) * 2018-11-28 2020-05-28 RF360 Europe GmbH Elektroakustischer Resonator und HF-Filter
SG10201911416RA (en) 2018-12-03 2020-07-29 Skyworks Solutions Inc Acoustic Wave Device With Transverse Spurious Mode Suppression
JP7411334B2 (ja) * 2019-03-20 2024-01-11 太陽誘電株式会社 弾性波共振器
DE102019111320A1 (de) * 2019-05-02 2020-11-05 RF360 Europe GmbH Geneigter akustischer Wandler mit verbesserter elektroakustischer Kopplung
US11146247B2 (en) 2019-07-25 2021-10-12 Qorvo Us, Inc. Stacked crystal filter structures
DE102019129514B4 (de) * 2019-10-31 2021-11-18 RF360 Europe GmbH Elektroakustischer Resonator mit reduzierten Transversalmoden, RF-Filter und Filterkomponente
US11757430B2 (en) 2020-01-07 2023-09-12 Qorvo Us, Inc. Acoustic filter circuit for noise suppression outside resonance frequency
US11146245B2 (en) 2020-01-13 2021-10-12 Qorvo Us, Inc. Mode suppression in acoustic resonators
US11146246B2 (en) 2020-01-13 2021-10-12 Qorvo Us, Inc. Phase shift structures for acoustic resonators
US11632097B2 (en) 2020-11-04 2023-04-18 Qorvo Us, Inc. Coupled resonator filter device
US11575363B2 (en) 2021-01-19 2023-02-07 Qorvo Us, Inc. Hybrid bulk acoustic wave filter
CN117713735A (zh) * 2023-12-11 2024-03-15 锐石创芯(重庆)科技有限公司 弹性波装置、射频前端模组和弹性波装置的制备方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63184411A (ja) * 1986-09-26 1988-07-29 Toshiba Corp 弾性表面波装置
WO1996010293A1 (fr) * 1994-09-29 1996-04-04 Seiko Epson Corporation Dispositif a ondes acoustiques de surface
JPH08265088A (ja) * 1995-03-23 1996-10-11 Murata Mfg Co Ltd 表面波共振子フィルタ
JPH11205079A (ja) * 1998-01-19 1999-07-30 Nec Corp 弾性表面波デバイス用の圧電基板および弾性表面波デバイスの製作方法ならびに弾性表面波デバイス
JP2000286663A (ja) * 1999-01-27 2000-10-13 Hitachi Ltd 弾性表面波素子
JP2002314365A (ja) * 2001-04-17 2002-10-25 Hitachi Ltd 所望の比帯域を有する弾性表面波共振子およびその製造方法。
WO2006109591A1 (ja) * 2005-04-08 2006-10-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性波素子
JP2008035220A (ja) * 2006-07-28 2008-02-14 Kyocera Corp 弾性表面波装置及び通信装置
WO2009075088A1 (ja) * 2007-12-11 2009-06-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. 表面波装置及びデュプレクサ
JP2009219045A (ja) * 2008-03-12 2009-09-24 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 弾性波共振子及び弾性波デバイス
JP2011097237A (ja) * 2009-10-28 2011-05-12 Kyocera Corp 弾性表面波装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58143620A (ja) 1982-02-22 1983-08-26 Toshiba Corp 弾性表面波共振器
JP3487772B2 (ja) * 1998-03-11 2004-01-19 富士通株式会社 弾性表面波フィルタ
US6346761B1 (en) 1999-01-27 2002-02-12 Hitachi Denshi Kabushiki Kaisha Surface acoustic wave device capable of suppressing spurious response due to non-harmonic higher-order modes
JP3863712B2 (ja) * 2000-09-06 2006-12-27 株式会社日立製作所 弾性表面波共振器
KR100979952B1 (ko) * 2006-02-16 2010-09-03 파나소닉 주식회사 탄성 표면파 디바이스, 및 이를 이용한 탄성 표면파 필터와 안테나 공용기, 및 이를 이용한 전자 기기
EP2128982B1 (en) * 2007-03-27 2019-01-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave device
CN101821944B (zh) * 2007-10-18 2012-12-26 株式会社村田制作所 弹性表面波谐振器以及梯型滤波器

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63184411A (ja) * 1986-09-26 1988-07-29 Toshiba Corp 弾性表面波装置
WO1996010293A1 (fr) * 1994-09-29 1996-04-04 Seiko Epson Corporation Dispositif a ondes acoustiques de surface
JPH08265088A (ja) * 1995-03-23 1996-10-11 Murata Mfg Co Ltd 表面波共振子フィルタ
JPH11205079A (ja) * 1998-01-19 1999-07-30 Nec Corp 弾性表面波デバイス用の圧電基板および弾性表面波デバイスの製作方法ならびに弾性表面波デバイス
JP2000286663A (ja) * 1999-01-27 2000-10-13 Hitachi Ltd 弾性表面波素子
JP2002314365A (ja) * 2001-04-17 2002-10-25 Hitachi Ltd 所望の比帯域を有する弾性表面波共振子およびその製造方法。
WO2006109591A1 (ja) * 2005-04-08 2006-10-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性波素子
JP2008035220A (ja) * 2006-07-28 2008-02-14 Kyocera Corp 弾性表面波装置及び通信装置
WO2009075088A1 (ja) * 2007-12-11 2009-06-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. 表面波装置及びデュプレクサ
JP2009219045A (ja) * 2008-03-12 2009-09-24 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 弾性波共振子及び弾性波デバイス
JP2011097237A (ja) * 2009-10-28 2011-05-12 Kyocera Corp 弾性表面波装置

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