WO2006054647A1

WO2006054647A1 - 射出成形装置、射出成形方法及び射出成形金型

Info

Publication number: WO2006054647A1
Application number: PCT/JP2005/021128
Authority: WO
Inventors: Kazuo Inoue
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority date: 2004-11-18
Filing date: 2005-11-17
Publication date: 2006-05-26
Also published as: US7559761B2; US20070298137A1; CN101018657A; JP4593572B2; JPWO2006054647A1

Description

明細書

射出成形装置、射出成形方法及び射出成形金型

技術分野

[0001] 本発明は、内孔が形成された榭脂成形品を成形するための射出成形装置、射出成形方法及び射出成形金型に関する。

背景技術

[0002] 一般に光ディスクの基板は射出成形法で作製される。この基板は一般に熱可塑性榭脂によって成形される。射出成形法に用いる金型の一例を図 16に示す。図 16において、符号 101は固定側金型であり、符号 102は可動側金型である。

[0003] 固定側金型 101の中央部には、溶融樹脂の流入口となるスプルブッシュ 103が配設されており、このスプルブッシュ 103と固定側鏡面盤 105との間にスタンパホルダ一 104が配設されている。固定側鏡面盤 105の表面には、凹凸による情報が入れられたスタンパ 106が配設されており、このスタンパ 106はスタンパホルダー 104と外周リング 107によって固定側鏡面盤 105に固定されている。固定側鏡面盤 105は固定側基盤 108に固定されている。

[0004] 可動側金型 102には、金型中央部力ェジェクタピン 109、カットパンチ 110、ェジェクタ 111、可動側固定ブッシュ 112及び可動側鏡面盤 113がこの順で配設されている。カットパンチ 110は、突き出ることにより、光ディスク基板に内孔を形成する働きがある。ェジェクタ 111は、成形された基板を可動側金型 102から離型させる働きがある。ェジェクタピン 109は、内孔として光ディスク基板カゝら分離されたスプル部を押し出す働きがある。可動側固定ブッシュ 112は、ェジェクタ 111が可動側鏡面盤 113 と直接接触しないようにすることで、可動側鏡面盤 113の磨耗を防ぐ働きがある。可動側鏡面盤 113は可動側基盤 114に固定されて、る。

[0005] 固定側金型 101の最外周には固定側突き当てリング 115があり、可動側金型 102 の最外周には可動側突き当てリング 116がある。固定側突き当てリング 115と可動側突き当てリング 116とが嵌合することで中心位置出しが行われるようになつて、る。

[0006] 図 17 (a) (b)は基板の内孔を形成する様子を示したものである。図 17 (a)は固定側金型 101と可動側金型 102とを閉じ、スプル孔カも溶融榭脂を金型内に流入させるときの状態を示している。そして、その樹脂が溶融状態にあるときに図 17 (b)に示すように、カットパンチ 110をェジェクタピン 109との相対位置を保ったままスプルブッシュ 103に嵌合する。このように嵌合させることによって、光ディスク基板に内孔を形成するようにしている。

[0007] 一方、特許文献 1には、基板に内孔を形成する際に、固定側金型の部材を摺動させて可動側金型の部材の方に突き出し、スプルブッシュをェジェクタに嵌合させることが開示されている。

[0008] また、特許文献 2には、可動側金型のカットパンチを凹んだ形状に形成する一方、スプルブッシュを突き出した形状に形成し、カットパンチをスプルブッシュに嵌合させることが開示されている。

[0009] また、基板に内孔を形成するのに部材同士を嵌合させないものもある。例えば特許文献 3には、光ディスク基板とスプルとが薄膜状の連結部で連結されており、榭脂が固化した後、光ディスク基板を離型させるときにェジェクタスリーブを突き出すことにより、連結部を切断させてスプルを光ディスク基板力切り離すことが記載されてヽる。

[0010] 特許文献 1や特許文献 2の方法のように、榭脂が溶融状態のときに 2つの部材を嵌合させるものでは、両部材間の合わせ目に溶融樹脂が入り込むため、この合わせ目に応じたバリが発生することになる。この場合、内孔を形成するための雄部材 '雌部材を固定側金型と可動側金型のどちら側に設けるかによつて、図 18 (a)または図 18 (b)のように内孔のどちら側の端部にノリが生じるかが決まる。また、特許文献 3の場合では、図 18 (c)に示すように内孔の中央部分にバリを生じる。

[0011] ノリを取り除く方法としては、カッターで切断する方法が特許文献 4に、ガスパーナ一で溶断する方法が特許文献 5に、紫外線光で分解する方法が特許文献 6に記載されている。

[0012] また光ディスク基板を成形する技術ではな!/、が、バリに関連する技術として特許文献 7が挙げられる。この特許文献 7には、榭脂成形品の裏側面を形成する金型 (例えば上型)から高圧エアーをキヤビティ内に供給し、この高圧エアーによって榭脂成形品を下型に押し付けることによって榭脂成形品の表側面にヒケが発生しないようにする榭脂成形品の製造方法が開示されている。この特許文献 7には、前記高圧エアーを流入させる隙間の厚さを規定することで、この隙間への溶融樹脂の流入を防止し、ノリの発生を防止できることが記載されて、る。

特許文献 1：特許第 1944425号明細書

特許文献 2：特開 2002— 240101号公報

特許文献 3：特許第 2071462号明細書

特許文献 4：特開平 4— 235006号公報

特許文献 5：特開昭 59— 196212号公報

特許文献 6：特開平 6— 99581号公報

特許文献 7：特開 2005 - 28731号公報

[0013] 特許文献 4、 5、 6のようにバリを取り除く工程を設けるとしても、ノリが完全に取り切れず、し力もそのノリの一部が基板の搬送中等に取れて、異物となって基板に付着してしまう虞がある。特に、榭脂成形品の一例としての光ディスク基板の場合、異物が付着すると信号品質を低下させるという問題が生ずる。また、光ディスク基板を貼合せる際にノリが嚙み込んで光ディスクの厚さの精度を低下させると、う問題もある。また、一般にバリは一周の中でばらつきがあるため、ノリが内孔近傍にある場合には、このノリのある基板を用いて光ディスクを作製すると、ドライブ装置にセットした際に偏芯が大きくなると、う問題もある。

[0014] またバリを取り除くためには工程が増えるという課題もある。し力も、バリ取り精度によっては、内孔の寸法に影響を与える虡もある。

[0015] そこで、問題となるバリが生じる金型部材同士の隙間を狭くしてその隙間に榭脂が入りにくいようにすることも考えられるが、この場合、金型部材同士の嵌合がきつくなるため金型の組立分解を伴うメンテナンスが困難になるという課題が生じる。また、バリが生じる金型部材の少なくとも一方が他の部材と摺動する場合には、金型部材の磨耗が著しくなるという課題も生ずる。

発明の開示

[0016] 本発明は、カゝかる課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、榭脂成形品に内孔を形成する際に、後力取り除力なければならない程度のバリの発生を抑止することにある。

[0017] そこで、本発明は、第 1金型と第 2金型との間に形成されるキヤビティ内に溶融榭脂を射出して、内孔が貫通形成された榭脂成形品を成形する成形装置を前提として、前記第 1金型及び第 2金型の一方に設けられる可動部と、前記第 1金型及び前記第 2金型の少なくとも一方に前記キヤビティ内に連通可能に設けられたガス通路と、前記ガス通路に連通するガス配管に設けられる開閉弁と、制御器とを備え、前記可動部は、溶融榭脂を射出するときの通常位置と、前記内孔が形成される位置で前記ガス通路力流出したガスが流入可能な間隙が相手金型との間に残るように前記キヤビティ内に進出した進出位置との間を移動可能に構成されており、前記制御器は、前記溶融樹脂の射出に応じて、前記可動部の移動制御と前記開閉弁の開閉制御を行うように構成されている。

[0018] また本発明は、第 1金型と第 2金型との間に形成されたキヤビティ内に溶融榭脂を射出して内孔が貫通形成された榭脂成形品を成形する方法を前提として、前記金型の少なくとも一方に前記キヤビティ内に連通可能にガス通路が設けられるとともに、前記金型の一方に可動部が設けられた前記第 1金型及び前記第 2金型を使用し、前記可動部は、溶融榭脂を射出するときの通常位置と、前記内孔が形成される位置で前記ガス通路力流出したガスが流入可能な間隙が相手金型との間に残るように前記キヤビティ内に進出した進出位置との間を移動可能に構成されており、前記キヤビティ内に溶融榭脂を射出した後、前記可動部を進出位置まで移動させ、前記間隙にガスを流入させる。

[0019] また本発明は、第 1金型と第 2金型とを有し、この金型間に内孔を有する榭脂成形品を成形するためのキヤビティが設けられる金型を前提として、前記第 1金型及び第 2金型の一方に設けられる可動部と、前記第 1金型及び前記第 2金型の少なくとも一方に、前記キヤビティ内に連通可能に設けられたガス通路とを備え、前記可動部は、溶融榭脂を射出するときの通常位置と、前記内孔が形成される位置で前記ガス通路力流出したガスが流入可能な間隙が相手金型との間に残るように前記キヤビティ内に進出した進出位置との間を移動可能に構成されている。

[0020] 本発明では、前記可動部が進出位置に移動すると榭脂成形品における内孔の縁部に相当するところで相手側の金型との間に間隙が形成される。そして、ガス通路を通してこの間隙にガスが流入し、このガスにより間隙内の溶融樹脂が押し出されることになる。このため間隙内に存在している溶融樹脂が内孔に向力つて移動するので、榭脂成形品の内孔にバリが形成されないようなる。したがって、本発明によれば、ノリ取り工程を設けなくても榭脂成形品の内孔近傍のノリを無くすことができる。その結果、ノリが異物として付着するのを抑制することができる。また後からバリを取るものではないので、榭脂成形品の品質を安定させることができる。

図面の簡単な説明

[図 1]本発明の実施形態 1に係る射出成形金型を示す断面図である。

[図 2]本発明の実施形態 1に係る射出成形装置の構成を概略的に示す図である。

[図 3]本発明の実施形態 1に係る射出成形装置のその他の構成を示す図 2相当図である。

圆 4]前記射出成形金型を拡大して部分的に示す断面図である。

[図 5]前記射出成形金型によって成形された光ディスク基板を示す断面図である。

[図 6]本発明の実施形態 1に係る射出成形装置のその他の構成を示す図 2相当図である。

[図 7]本発明の実施形態 3に係る射出成形金型を示す図 4相当図である。

[図 8]本発明の実施形態 4に係る射出成形金型を示す図 4相当図である。

[図 9]本発明の実施形態 4の別の態様に係る射出成形金型を示す図 4相当図である

[図 10]本発明の実施形態 5に係る射出成形金型を示す図 4相当図である。

[図 11]本発明の実施形態 5の別の態様に係る射出成形金型を示す図 4相当図である。

[図 12]本発明の実施形態 6に係る射出成形金型を示す図 4相当図である。

[図 13]本発明の実施形態 7に係る射出成形金型を示す図 4相当図である。

[図 14]本発明の実施形態 8に係る射出成形金型を示す図 4相当図である。

[図 15]本発明の実施形態 9に係る射出成形金型を示す図 4相当図である。

[図 16]従来の光ディスク基板用金型を示す断面図である。 [図 17] (a)溶融榭脂を射出するときの従来の光ディスク基板用金型を部分的に示す断面図であり、 (b)光ディスク基板に内孔を形成するときの同光ディスク基板用金型の断面図である。

[図 18] (a)〜 (c)従来の射出成形装置によって成形された光ディスク基板を示す断面図である。

発明を実施するための最良の形態

[0022] 以下、本発明を実施するための最良の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。

[0023] (実施の形態 1)

図 1は、本発明に係る射出成形装置の一実施形態に設けられる射出成形金型の要部を概略的に示す断面図である。また図 2は射出成形装置 50の構成を概略的に示す図である。この射出成形装置 50は、光ディスク用の基板を成形するためのものであり、この光ディスク基板 56は中心に孔（内孔） 56aが設けられた円形平板状の榭脂成形品である。

[0024] 図 1及び図 2に示すように、射出成形装置 50は、内孔 56aが形成された光ディスク基板 56を成形するための射出成形金型 52を備えている。この射出成形金型 52は、第 1金型の一例としての固定側金型 1と、第 2金型の一例としての可動側金型 2とを備えており、これら両金型 1, 2間には円板状のキヤビティ 54が形成されている。

[0025] 前記固定側金型 1は、固定側基盤 10と、固定側鏡面盤 6と、スプルブッシュ 3と、固定側固定ブッシュ 4と、スタンパホルダー 5と、外周リング 9と、スタンパ 8とを備えている。スプルブッシュ 3は固定側金型 1の中央部に配置されている。このスプルブッシュ 3には、溶融樹脂の流入口となるスプル孔 3aが形成されている。このスプル孔 3aは、キヤビティ 54に向力うにしたがって断面積が大きくなる形状に形成されていて、スプルブッシュ 3の内側端面には、スプル孔 3aの下流端を含む範囲に凹部 3bが形成されている。スプルブッシュ 3の外径は光ディスク基板 56の内孔径と略同一に形成されている。スプル孔 3aには、図外の溶融榭脂供給装置から溶融樹脂が供給される。

[0026] スプルブッシュ 3の外側には固定側固定ブッシュ 4、スタンパホルダー 5、固定側鏡面盤 6が順次設けられている。この固定側鏡面盤 6は固定側基盤 10に固定されている。そして、固定側基盤 10及び固定側鏡面盤 6の中央部には、前記キヤビティ 54内へ連通される貫通孔が形成されて、る。

[0027] 固定側鏡面盤 6の内側表面には、凹凸による情報が入れられたスタンノ ¾が配設されている。スタンパ 8は、中央部に配設されるスタンパホルダー 5と外周部に配設される外周リング 9とによって固定側鏡面盤 6に固定されている。

[0028] 固定側固定ブッシュ 4は、円筒状に形成された円筒部 4aと、この円筒部 4aの基端部に設けられた鍔部 4bとを備えている。固定側固定ブッシュ 4の円筒部 4aは、前記固定側基盤 10及び固定側鏡面盤 6の貫通孔に嵌め込まれている。この円筒部 4aの先端部（内端部）力^タンパホルダー 5の端部（内端部）と一致して、る。スプルブッシュ 3は、固定側固定ブッシュ 4に嵌め込まれており、これによりスプルブッシュ 3は固定ブッシュ 4に保持されて!、る。スプルブッシュ 3は固定側固定ブッシュ 4から取り外せることができるので、このスプルブッシュ 3のみを交換可能となって!/、る。

[0029] 固定側基盤 10には、ガス通路 7が設けられている。このガス通路 7の外端部は、固定側基盤 10の側面力も突出していて、この外端部は外部のガス配管 60 (図 2参照）に接続可能に構成されている。ガス通路 7は、固定側基盤 10の中央部まで延びていて、スプルブッシュと 3と固定側固定ブッシュ 4の円筒部 4aとの間のすき間 62に連通している。このすき間 62には、ガス通路 7を通して高圧のガスが流入するようになっている。このすき間 62は、固定側固定ブッシュ 4の円筒部 4aの長さ方向の全体に亘って形成されていて、ガス通路 7は、このすき間 62を通してキヤビティ 54内と連通している。

[0030] 一方、前記可動側金型 2は、ェジェクタピン 11と、可動部の一例としてのカットパンチ 12と、ェジヱクタ 13と、可動側固定ブッシュ 14と、可動側鏡面盤 15と、可動側基盤 16とを備えており、これらカットパンチ 12、ェジェクタ 13、可動側固定ブッシュ 14及び可動側鏡面盤 15は、可動側金型 2の中央部力も順次配置されて、る。

[0031] 前記ェジェクタピン 11及びカットパンチ 12は、スプルブッシュ 3に対向する位置に設けられている。スプルブッシュ 3とカットパンチ 12は外径がほぼ等しいので、スプルブッシュ 3と固定側固定ブッシュ 4の間のすき間 62は、カットパンチ 12の外周面に対向する位置となっている。 [0032] カットパンチ 12は、溶融樹脂がキヤビティ 54内に射出されるときの通常位置と、この通常位置からスプルブッシュ 3に向かってキヤビティ 54内に進出する進出位置との間で移動可能に構成されてヽる。

[0033] 前記通常位置では、カットパンチ 12の内端面は、本実施形態 1では例えば可動側固定ブッシュ 14及び可動側鏡面盤 15の内面と面一の状態となっている。このため、通常位置にあるカットパンチ 12とスプルブッシュ 3とは、光ディスク基板 56の厚み相当の間隔をお、て配置されて、る。

[0034] カットパンチ 12の内端面には、その外周部を残して凹部 12aが形成されている。力ットパンチ 12にはピン孔が形成されていて、このピン孔内に前記ェジェクタピン 11が配設されている。ェジェクタピン 11は、前記凹部 12aよりも奥に引っ込んでいる。

[0035] 前記カットパンチ 12は、ェジヱクタ 13に対して摺動する摺動部材として構成されている。カットパンチ 12は、通常位置力も進出位置まで進出することにより、光ディスク基板 56に内孔 56aを形成する機能を有する。

[0036] カットパンチ 12が進出位置に進出した状態では、このカットパンチ 12の凹部 12aと前記スプルブッシュ 3の凹部 3bとが対向し、これら凹部 12a, 3b間に空間が形成される。この空間内には、光ディスク基板 56から内孔 56aとして分離されたスプル部 64が収納される（図 4参照)。

[0037] またカットパンチ 12が進出位置にあるときには、凹部 12aの周囲のカットパンチ 12 の内側端面と、凹部 3bの周囲のスプルブッシュ 3の内側端面との間に、所定の幅の間隙 66 (ガス流出間隙）が形成されている。この間隙 66は、キヤビティ 54内における光ディスク基板 56の内孔 56aの周面に繋がる位置に形成される。本実施形態 1では、スプルブッシュ 3の内側端面がスタンパ 8の内面とほぼ面一になつているので、前記間隙 66は光ディスク基板 56の内孔 56aにおける厚み方向端部に配置される。

[0038] カットパンチ 12がこの進出位置に進出した時点では、この間隙 66内に溶融樹脂が存在している。すなわち、このときキヤビティ 54内の溶融榭脂は、凹部 12a, 3b内のスプル部 64と、カットパンチ 12外側の光ディスク基板 56とが間隙 66内の薄肉状の榭脂で繋がっている。したがって、この状態で溶融樹脂が固まってしまうと光ディスク基板 56の内孔 56aに円環状のバリができることになるが、後述するように溶融樹脂が固まる前にこの間隙 66内に高圧のガスを流入させることにより、間隙 66内の溶融榭脂を排除することによってバリが形成されな、ようにして、る。

[0039] カットパンチ 12が通常位置力も進出位置まで移動するときには、前記ェジェクタピン 11がカットパンチ 12と一体となって移動するようになって!/、る。ェジェクタピン 11は進出位置にあるカットパンチ 12に対して摺動するようになつている。ェジェクタピン 11 は、カットパンチ 12から突出することにより、内孔 56aとして光ディスク基板 56から分離されたスプル部 64を押出し、可動側金型 2から離型させる機能を有する。

[0040] 前記ェジクタ 13は、内端面が可動側鏡面盤 15と面一の状態に配設される一方、可動側固定ブッシュ 14に対して摺動するようになつている。ェジェクタ 13は、可動側固定ブッシュ 14から突出することにより、キヤビティ 54内で成形された光ディスク基板 56を可動側金型 2から離型させる機能を有する。可動側固定ブッシュ 14は、ェジエタタ 13が可動鏡面盤 15に直接接触しな、ようにすることで、可動側鏡面盤 15の磨耗を防ぐ機能を有する。可動側鏡面盤 15は可動側基盤 16に固定されている。

[0041] 固定側金型 1の最外周には固定側突き当てリング 17があり、可動側金型 2の最外周には可動側突き当てリング 18があり、この固定側突き当てリング 17と可動側突き当てリング 18が嵌合することで固定側金型 1と可動側金型 2の中心位置出しが行われる。

[0042] 図 2は本実施の形態に係る射出成形装置 50の全体構成を概略的に示す図である。同図に示すように、本射出成形装置 50は、射出成形金型 52に接続されるガス配管 60に設けられる開閉弁の一例としての電磁バルブ 22と、制御器 70と、タンク 21と、昇圧機 20とを備えている。

[0043] 昇圧機 20は、配管を介してガス供給源 19に接続されている。このガス供給源 19からガスが供給されるようになっている。そして、ガス供給源 19から供給された低圧力のガスは、昇圧機 20で所定の圧力まで上げられてタンク 21に貯蔵される。

[0044] タンク 21とガス通路との間のガス配管 60に前記電磁バルブ 22が設けられている。

電磁バルブ 22が開放されることによって、タンク 21内の高圧のガスがガス通路 7に流出する。

[0045] 前記制御器 70には、圧力制御回路 23と成形機制御回路 24とが含まれている。成形機制御回路 24は、射出成形金型 52を駆動制御する。圧力制御回路 23は、成形機制御回路 24力もの信号に従って電磁バルブ 22の開閉制御を行う。具体的に、圧力制御回路 23は、成形機制御回路 24から出力される信号にしたがい、高圧ガスを供給する開始時間と、供給を継続する継続時間とを算出し、電磁バルブ 22に電気信号を送り高圧ガスの流れを制御する。

[0046] 次に図 1に示した金型 52の一部を詳細に表した図 4を用いて、本実施形態での金型 52内で光ディスク基板 56に内孔 56aを形成する方法について説明する。射出成形金型 52を閉じたときには、カットパンチ 12は通常位置（図 4において破線で示す）にある。この状態でスプル孔 3aを通してキヤビティ 54内に溶融樹脂が注入される。そして、榭脂が射出されて力も所定時間の間は、キヤビティ 54内の榭脂は溶融状態にあり、この所定時間内に図 4に示すように、カットパンチ 12をスプルブッシュ 3と接触する手前まで中抜き矢印の方向に前進させる。これにより光ディスク基板 56に内孔 5 6aが形成されることになる。この際、カットパンチ 12に連動してェジェクタピン 11を力ットパンチ 12との相対位置を保持したまま移動させる。これは榭脂が固化した後に光ディスク基板 56から分離されたスプル部 64をェジェクタピン 11で押し出すストロークを短くすることにより、カットパンチ 12のピン孔中の樹脂が折れる恐れを無くすためである。

[0047] カットパンチ 12を所定位置まで前進させることにより、図 4に実線で示すように、スプルブッシュ 3の内側端面とカットパンチ 12の内端面との間にわずかなガス流出間隙 6 6が形成された進出位置となる。このスプルブッシュ 3における凹部 3bの外側の内側端面と、カットパンチ 12における凹部 12aの外側の内端面とは、それぞれ平坦な環状面となっている。このスプルブッシュ 3とカットパンチ 12との間の間隙幅は、 0. lm m以下であるのが好ましぐ 10 μ m以上で且つ 50 μ m以下であるのがより好ましい。

[0048] 次に、電磁弁 22を開放すると、タンク 21内の高圧ガスは、ガス配管 60及びガス通路 7を通してスプルブッシュ 3と固定側固定ブッシュ 4との間の環状のすき間 62に導入される。図 4の下向きの矢印で示すように、この高圧ガスは、このすき間 62をキヤビティ 54に向力つて流れた後、このすき間 62から前記ガス流出間隙 66に流出するので、この高圧ガスによってすき間 62の流出口近傍にある溶融樹脂が押し退けられる。これにより、溶融榭脂は基板側およびスプル部側に移動してガス流出間隙 66から押し出しされる。この結果、榭脂が固化したときには、光ディスク基板 56の内孔 56a にバリが形成されなくなる。

[0049] 溶融樹脂の移動量は、榭脂圧とガス圧との影響を受ける。すなわち、榭脂の移動は、榭脂圧とガス圧とが釣り合ったところで停止する。なお、図 4は高圧ガスをキヤビティ 54内に流出させて、光ディスク基板 56がスプル部 64と完全に分離された状態を示している。

[0050] このように内孔 56aが形成された光ディスク基板 56を構成する榭脂からスプル部 64 を構成する榭脂が完全に分離された状態で固化させた後、光ディスク基板 56を金型 52から取り出す。すなわち、可動側金型 2を移動させて固定側金型 1から離間させ、このとき固定側固定ブッシュ 4とスタンパホルダー 5との間からエアーを吹き出させるとともに、ェジェクタ 13と可動側固定ブッシュ 14との間からもエアーを吹き出させ、かつ、ェジェクタピン 11およびェジェクタ 13を突き出して、それぞれ、スプル部 64と光ディスク基板 56をそれぞれ離型させ、スプル部 64と光ディスク基板 56を取り出す。

[0051] 背景技術として挙げた特許文献 7に記載された方法では、高圧ガスによって榭脂成形品を下型に押し付けることで製品のヒケを防止しており、それに合わせて高圧エア一が流通する隙間の厚さを規定することで、この隙間への溶融樹脂の流入を防止し、ノリの発生を防止するものである。この方法では、製品のヒケを防止するために必要な高圧エアーが流通する隙間があることに起因して製品にバリが発生するのを防止しようとするものである。これに対し、本発明は、榭脂成形品に孔を形成するのに起因するバリが発生するのを防止しょうとする点で相違している。

[0052] ここで、ポリカーボネート榭脂を用いた成形テストの結果について説明する。このテストでは、外径 120mm、厚さ 1. 2mmのブルーレイディスク用の榭脂基板を作製する条件下で行った。この成形テストにおいて、金型 52内に流出する高圧ガスを適正な条件下とした場合、榭脂基板の内孔 56a近傍の形状は図 5に示すように内孔 56a の端部および中央部にバリが全くな、ことが実験的に確かめられた。

[0053] 光ディスクでは、その榭脂基板の外径や内孔径が規格等で決められてヽる。そして、ガス流出間隙 66内に流出させる高圧ガス量を規定することによって、光ディスク基板 56の内孔 56aにヒケもバリもでき難いようになっている。すなわち、高圧ガスの金型 52内への流出量は内孔 56aの内周面を形成している溶融榭脂を少し押し戻す程度でいい。したがってガス量は僅かでよい。また、高圧ガスの圧力は溶融樹脂の圧力（榭脂圧)より僅かに高い程度がよぐガス圧が高すぎたりガス量が多すぎると、内孔 56 aを形成している溶融榭脂を押しすぎてしまい、その結果、内孔 56a近傍に凹みや気泡ができてしまう。反対に、ガス圧が低すぎたりガス量が少なすぎると、間隙 66の間にある溶融樹脂が硬化する前に榭脂を十分に押し戻すことができず、その結果として内孔 56aにバリを発生させることになる。また、ガス圧が高すぎると、すき間 62から流出するガス量の周方向ばらつきが生じやすくなる。すなわち、すき間 62の幅が周方向に一定でない場合には、ガス圧が高すぎると、すき間 62の幅の大きなところからより多くのガスが流出することとなって周方向のばらつきが大きくなる。またガス圧が高すぎる場合には、流出時間を一定に設定してもショット間でガス量のばらつきが生じ易くなる。

[0054] このような観点力ガス圧及びガス量の最適化を図ることにより、榭脂のヒケもバリも生じに《なると考えられる。そして検討の結果、間隙 66内に流出させる高圧ガスの圧力は溶融樹脂の圧力 (榭脂圧）に対して 2%以上 15%以下、好ましくは 5%以上 1 0%以下だけ高いのが良好であることが分かった。このときのガス流出時間は、 0. 05 秒以上で且つ 1秒以下、好ましくは 0. 1秒以上で且つ 0. 5秒以下であることが分かつた o

[0055] キヤビティ 54内の榭脂圧は、図 1のようなコア押し機構がない射出成形装置 50では成形装置 50の型締力によってキヤビティ 54内の樹脂に作用する圧力に等しくなる。またコア押し機構がある成形装置では、金型に圧縮をかける前であれば型締力によつて榭脂にかかる圧力に等しくなる一方、金型に圧縮をかけた後であればこの圧縮力によって榭脂にかかる圧力に等しくなる。すなわち、榭脂圧は、型締カ又は圧縮力を光ディスク基板 56となる榭脂成形品の環状平面の面積で除したものに等しくなると考えられる。

[0056] 例えば、光ディスク基板 56を成形するときの榭脂圧は、以下のようにして求めることができる。すなわち、光ディスク基板 56は外径が 120mm、内径が 15mmなので、型締カ又は圧縮力を受けることになる溶融樹脂の面積 (片面）は、

(6 X 6 -0. 75 X 0. 75) X π = 111. 33 [cm²]

となる。そして、型締力が 98kNの場合には、榭脂圧は、

98 [kN] / (l l l . 33 X 10"⁴[m²] )

= 8. 8 X 10³[kN/m²]

= 8. 8 [MPa]

となる。

[0057] 光ディスク基板 56の内孔 56aの形状を安定させるためには、キヤビティ 54内に導入される高圧ガスの圧力がショットごとに変動しな、ようにするのが好まし、。この高圧ガスの圧力は、例えば設定値（目標値）に対して ± 5%以内での変動に抑えるのが好ましい。そのため、射出成形装置 50は、ガス圧を所定範囲に維持するガス圧力調整手段を備えるのが好ましい。

[0058] 例えば図 3に示すようにこのガス圧力調整手段には、タンク 21内の圧力を計測する圧力検出器の一例としての圧力計 25と、この圧力計 25による測定結果に応じてタンク内圧力を制御する圧力制御回路 23とが含まれる。そして、圧力計 25による測定圧力に応じた信号が圧力制御回路 23に入力されるようにし、圧力制御回路 23は、測定圧力が所定値よりも低下したときに、昇圧機 20を作動させる信号を出力するように構成すればよい。そして、昇圧機 20の駆動によってタンク 21内の圧力が一定範囲内に維持されるように制御することができる。ここでの所定値は、設定値より 5%以内だけ小さい値を意味している。

[0059] 電磁バルブ 22から高圧ガスの流出する間隙 66 (スプルブッシュ 3と固定側固定ブッシュ 4の間のすき間 62の端部）までの距離は、ガス配管 60の内径が例えば 6mmの場合において、 lm以下、より好ましくは 0. 5m以下であるのがよい。そうすれば高圧ガスの応答速度を向上させることができる。すなわち、前記距離が長いとガス配管 60 内にある高圧ガスの量が多くなるため、高圧ガスが流出する間隙 66からの榭脂の移動量が大きくなり、高圧ガスによって榭脂が押され過ぎるために内孔 56aに凹みが生じる虞がある。なお、ガス配管 60の内径が 6mmで長さが lmの場合、管内容積は 28 . 3cm³となる。 [0060] 例えば高圧ガスとして空気を用い、電磁バルブ 22から高圧ガスの流出間隙 66までの距離を 0. 5mとし、外径 120mm、内径 15mm、板厚 1. 1mmの光ディスク基板 56 をポリカーボネート榭脂で成形した。溶融樹脂の射出時間は 0. 1秒とし、溶融樹脂がキヤビティ 54内に充填された後 0. 05秒経過してから型締カ 196kNで 0. 1秒間圧縮を行い、その後、型締カを 98kNに保持した。カットパンチ 12は溶融樹脂の充填後 0 . 2秒経過して力も進出位置に前進させ、カットパンチ 12が完全に前進して停止してから、高圧ガスとして圧力 9. 5MPaの圧縮エアーを 0. 3秒間流出させた。このときのスプルブッシュ 3とカットパンチ 12との間の間隙幅は、 20 mであった。この条件下で行った成形テストでは、光ディスク基板 56の内孔 56aにおける高圧ガス流出側の端部に半径 0. 1mm以下の丸みが形成され、ヒケゃバリは発生しな力つた。

[0061] 以上説明したように、本実施形態では、固定側金型 1のガス通路 7を通してスプルブッシュ 3及びカットパンチ 12間のガス流出間隙 66に高圧のガスが流入し、このガスによりガス流出間隙 66内の溶融樹脂が押し出されることになる。このためガス流出間隙 66内に存在して、る溶融樹脂が内孔 56aに向力つて移動するので、光ディスク用基板の内孔 56aにバリが形成されないようなる。したがって、光ディスク基板 56が成形された後で、取り除く必要のあるバリが発生するのを抑止することができる。しかも、ノリ取り精度の影響がなくなるので、光ディスク基板 56を貼合せたときの厚み精度を向上させることができる。また、製造工程中にバリの一部が取れて光ディスク基板 56 上に異物として付着するのを回避できるので、この基板が用いられる光ディスクの信号品質を向上することができる。さらに内孔 56aの偏心を抑止できるので、ドライブ装置にセットした際にトラッキング制御を安定させることができる。

[0062] ここで、本実施の形態 1の特徴について、以下に説明する。

[0063] (1)本実施形態の射出成形装置では、前記制御器は、前記開閉弁を所定時間だけ開放する。したがって、ガスがガス配管を通してキヤビティ内に所定量だけ送り込まれるようにできるので、榭脂量の移動量を効果的に制御することができる。

[0064] (2)本実施形態の射出成形装置は、光ディスク基板を成形するためのものである。

本実施形態では、バリ取り精度の影響がなくなるので、光ディスク基板を貼り合わせたときの厚み精度を向上することができる。また製造工程中にバリの一部が取れて光ディスク基板上に異物として付着するのを回避できるので、この基板が用いられる光ディスクの信号品質を向上することができる。さらに内孔の偏心を抑止できるので、ドライブ装置にセットした際にトラッキング制御を安定させることができる。

[0065] (3)本実施形態の射出成形装置では、前記制御器は、前記開閉弁を所定時間だけ開放する。したがって、ガスがガス配管を通してキヤビティ内に所定量だけ送り込まれるようにできるので、榭脂量の移動量を効果的に制御することができる。

[0066] (4)本実施形態の射出成形装置では、前記制御器は、前記開閉弁を 0. 05秒以上で、かつ 1秒以下の時間だけ開放する。したがって、榭脂成形品にヒケゃバリができ難くすることができる。

[0067] (5)本実施形態の射出成形装置では、前記ガス配管には、前記開閉弁よりも上流側にタンクが設けられ、前記タンク内の圧力は、溶融状態にある榭脂圧に対して 2% 以上で、かつ 15%以下に設定されている。このような設定にすることにより、ガス通路カゝら流出したガスによってキヤビティ内で溶融状態にある榭脂を押圧して、榭脂を移動させることができる。

[0068] (6)本実施形態の射出成形装置では、前記タンクの下流側におけるガス配管の長さは lm以下である。したがて、ガスの応答速度を上げることができる。

[0069] (7)本実施形態の射出成形装置では、前記間隙の幅は、 10 μ m以上で、かつ 50 m以下に設定されている。したがって、前記間隙内に流出したガスによってこの間隙内の溶融榭脂を間隙の外まで効率的に移動させることができる。

[0070] (8)本実施形態の射出成形装置では、前記間隙は、前記榭脂成形品の内孔の周面に対応する位置、またはそれよりも前記内孔の中心寄りに配置される。したがって、内孔の周面を形成する溶融榭脂を間隙内に流出したガスによって効果的に押すことがでさる。

[0071] (9)本実施形態の射出成形装置では、前記間隙は、前記内孔における貫通方向の端部に配置される。したがって、内孔の端部を形成する溶融榭脂を間隙内に流出したガスで押すことができる。このため、内孔端部の溶融樹脂がガスに押圧されて引つ込むので、金型の合わせ面が内孔の端部に形成される場合であっても、その合わせ面に起因したバリが生じに《することができる。 [0072] (10)本実施形態の射出成形装置では、前記ガス通路は、スプルブッシュとこのスプルブッシュを保持する固定ブッシュとの間のすき間を通して前記間隙に連通するように構成されている。したがって、ガス通路をキヤビティ内までつながるように形成しなくてもガス通路が前記すき間を通してキヤビティ内に連通するように構成することができる。

[0073] (11)本実施形態の射出成形装置では、前記制御部は、前記開閉弁を開放するときのガス圧を所定範囲に維持する制御を行う。したがって、開閉弁を開放する毎に前記間隙内に流出するガスの圧力を安定させることができるので、このガスによって押される溶融樹脂の移動量を安定させることができる。

[0074] (12)本実施形態の射出成形装置では、前記制御部は、前記ガス圧を目標値に対して 5%の範囲内に維持する。したがって、溶融榭脂の移動によって生ずる内孔の凹み等を許容範囲内に確実に抑えることができる。

[0075] (13)本実施形態の射出成形装置では、前記ガス配管における前記開閉弁よりも上流側に配置されるタンクと、前記タンク内の圧力を検出する圧力検出器と、前記タンク内の圧力を上げるための昇圧機とが設けられ、前記制御器は、前記圧力検出器の検出圧力に応じて前記昇圧機を駆動する。したがって、開閉弁を開放するときのタンク内の圧力を確実に所定範囲に維持することができる。

[0076] (14)本実施形態による射出成形方法では、前記ガスは、空気又は窒素である。

[0077] (15)本実施形態による射出成形方法では、前記ガスを所定時間だけ流出させる。したがって、ガスがガス通路を通してキヤビティ内に所定量だけ送り込まれるようにできるので、榭脂量の移動量を効果的に制御することができる。

[0078] (16)本実施形態による射出成形方法では、溶融状態にある榭脂圧に対して 2%以上で、かつ 15%以下の圧力でガスを流出させる。したがって、ガス通路から流出したガスによってキヤビティ内で溶融状態にある榭脂を押圧して、榭脂を移動させることができる。

[0079] (17)本実施形態による射出成形方法では、前記間隙の幅は、 10 μ m以上で、かつ 50 /z m以下に設定されている。したがって、前記間隙内に流出したガスによってこの間隙内の溶融榭脂を間隙の外まで効率的に移動させることができる。 [0080] (18)本実施形態による射出成形方法では、光ディスク基板を成形する。

[0081] 射出成形金型は、複数の部材によって構成されるため、部材間の継ぎ目の部分に隙間がある。このような金型を用いて射出成形する場合でも、コンパクトディスク（CD) のように低密度の光ディスクの基板のように表面の凹凸が相対的に大きなものでは、溶融樹脂の粘度が高く且つ力ける圧力が低くても基板上に所望の凹凸を形成することができるため、部材間の隙間に溶融樹脂が入り込みに《なり、ノリは生じにくい。例えば、直径 120mm、厚さ 1. 2mmの CDのポリカーボネート製基板を射出成形するには、例えば、最高榭脂温度 320°C、金型温度 70°C、最大射出速度 150mmZs 、最高型締カ 196kN、タクト 4秒とすることができる。

[0082] これに対し、例えば波長 400nm台の短波長の光に対応した高密度の光ディスクの榭脂基板のように表面に微小の凹凸を形成しなければならないものでは、金型内での溶融樹脂の粘度がより低く且つ高流動状態で高圧をかける必要がある。このように高密度光ディスクの榭脂基板の成形時のように溶融樹脂の粘度が低、状態で高圧をかける場合には、部材間の隙間に溶融樹脂が入り込みやすくなり、バリが大きくなる傾向にある。例えば、直径 120mm、厚さ 1. 1mmのブルーレイディスク（BD)のポリカーボネート製基板を射出成形するには、例えば、最高榭脂温度 380°C、金型温度 120°C、最大射出速度 200mmZs、最高型締カ 196kN、タクト 6秒にする必要がある。

[0083] このように CDの基板を成形する場合に比べ、 BDの基板を成形する場合には、榭脂温度及び金型温度を高くする必要があり、基板 56の内孔 56aにバリが生じやすい。し力しながら、本実施形態のように、スプル部 64から内孔 56aに繋がる溶融樹脂の薄肉部を高圧のガスによって分割し、その一方を内孔 56a側に押し戻すことにより、高榭脂温度及び高金型温度の条件下であってもバリが発生しないようにすることができる。

[0084] なお、図 3に示す態様おいては、電磁バルブ 22の開閉制御と昇圧機 20の作動制御を一つの圧力制御回路 23で行った力電磁バルブ 22の開閉制御と昇圧機 20の作動制御とを別の制御回路で行うようにしても構わな、。

[0085] また、本実施形態 1ではスプルブッシュ 3と固定側固定ブッシュ 4の間のすき間 62が光ディスク基板 56の内孔径と略同じ位置に形成される構成とした力これに限られるものではなぐ例えば光ディスク基板 56の内孔径よりも中心寄り、即ちスプルブッシュ 3の外径及び固定側固定ブッシュ 4の内径を光ディスク基板 56の内孔径よりも小さくしてもいい。

[0086] また、本実施形態 1では、昇圧機 20を設ける構成とした力図 6に示すように、ガスボンベのような高圧のガスが封入されたガス供給源 19を用いる場合には、昇圧機 20 を省略することも可能である。この場合において、タンクを省略することも可能である。

[0087] また、本実施形態 1では、スプルブッシュ 3と固定側固定ブッシュ 4の間のすき間 62 をガスが流れる構成とした力これに代え、スプルブッシュ 3と固定側固定ブッシュ 4との境界面に孔を形成し、この孔内にガスを流す構成にしてもよい。この孔は境界面に周方向に間隔をお、て複数設けるのが好まし、。

[0088] また、本実施形態 1では、ガスとして空気を使用する例について、説明したが、これに代え、ガスとして窒素を使用してもよい。

[0089] (実施の形態 2)

本発明の第 2実施形態では、実施形態 1におけるタンク 21よりも容量の小さなタンク 21が使用され、電磁バルブ 22の開閉制御が実施形態 1と異なっている。射出成形装置 50としては図 3に示す構成のものが使用されている。なお、ここでは、実施形態 1と異なる部分についてのみ説明し、その他の部分の説明は省略する。

[0090] 実施形態 1では、高圧ガスの圧力を略一定に保ち、電磁バルブ 22の開閉時間によつて間隙 66に流出するガス量を制御するようにした力実施形態 2では、高圧ガスを貯蔵するタンク 21の大きさを制限し、電磁バルブ 22を開く直前のタンク 21のガス貯蔵量とガス圧力とを略一定にするとともに、電磁バルブ 22の開放した後は電磁バルブ 22を閉じるまでタンク 21にはガスの供給を行わないようにしている。そして、電磁バルブ 22を長く開放しつづけることで、高圧ガスの圧力が溶融樹脂の樹脂圧よりも低下するようなタンク容量に設定されている。すなわち、高圧ガスがガス流出間隙 66内の溶融榭脂を移動させることのできる圧力でいる時間をタンク 21の容量と電磁バルブ 22を開く直前のタンク内のガス圧とで制限するものである。なお、射出成形金型 52 は実施形態 1と同様の構成である。 [0091] 図 4に示すように、カットパンチ 12がスプルブッシュ 3の手前の進出位置まで前進したときには、その信号を圧力制御回路 23が成形機制御回路 24から受信する。そして、圧力制御回路 23は電磁バルブ 22に電磁バルブ 22を開く信号を送信する。これにより、電磁バルブ 22が開くと、タンク 21に貯蔵されていた高圧ガスは、ガス配管 60及びガス通路 7を通ってガス流出間隙 66から流出し始める。これによりガス圧が徐々に低下する。そして、予め設定された所定時間が経過すると圧力制御回路 23が電磁バルブ 22を閉じる信号を出力し、電磁バルブ 22が閉じられる。この間、昇圧機 20は作動せず、タンク 21へのガスの流入はない。

[0092] 前記予め設定された時間とは、ガス流出間隙 66から流出する高圧ガスの圧力が溶融榭脂の榭脂圧よりも低下する時間より長い時間であり、実験等によって予め得られている時間である。本実施形態 2では、タンク 21の容量が小さぐしかも電磁バルブ 2 2の開放時は昇圧機 20を駆動しな、ため、タンク内のガスが金型内に流れ込むのに伴い、ガス流出間隙 66内に流入するガス圧が低下する。

[0093] そして、電磁バルブ 22が閉じられた後に圧力制御回路 23は昇圧機 20を作動させる。タンク 21内の圧力が設定値になれば圧力計 25からの信号を受けて圧力制御回路 23は昇圧機 20の作動を終了する。これにより、ショットごとに同じガス圧のガスを流出させることができる。

[0094] タンク 21を含む高圧ガスの流通系統の容量、即ちタンク 21からキヤビティ 54内 66 までの容積は 30cm³以下が好ましぐ 20cm³以下であるのがより好ましい。すなわち、ガス量が多いとガス流出間隙 66からの榭脂の移動量が大きくなり、光ディスク基板 56の内孔 56aに凹みが生じたり気泡が生じたりする恐れがある。また、高圧ガスの圧力が高すぎるとガス流出間隙 66から流出するガス量に周内ばらつきが生じやすくなり、流出時間を一定に設定してもショット間でガス量がばらつきやすくなる。反対にガス量が少ないと、ガス流出間隙 66からの榭脂の移動量が少なく内孔 56aにバリが発生する。このためタンク 21を含む高圧ガスの流通系統の容量は少なくとも 5cm³必要である。なお、ガス配管 60の内径は 6mmとしている。

[0095] 本実施形態 2では、ガス流出間隙 66から流出する高圧ガスの圧力は榭脂圧に対して 2%以上で且つ 10%以下が好ましぐ 3%以上で且つ 8%以下であるのがより好ましい。

[0096] 実施形態 1ではタンク 21の容量が大きくガス流出間隙 66から流出するガスの圧力はタンク 21内の圧力に等しいが、本実施形態 2ではタンク 21の容量が小さぐこのタンク 21の容積と電磁バルブ 22からキヤビティ 54までの系統内の容積が同じであれば、タンク内の圧力は実施形態 1の場合の 2倍にする必要がある。

[0097] スプルブッシュ 3とカットパンチ 12とのガス流出間隙 66の幅は、 0. 1mm以下であるのが好ましぐ 10 μ m以上で且つ 50 μ m以下であるのがより好ましい。

[0098] ガスとして空気を使用し、本実施形態 2の射出成形装置 50により、光ディスク基板 5 6の成形テストを行った。この成形テストでは、ガスは空気とし、タンク 21を含む高圧ガスの流通系統内の容量を 20cm³とし、最大圧力を 9. 3MPaとして、外径 120mm、内径 15mm、板厚 1. 1mmの光ディスク基板 56をポリカーボネート榭脂で成形した。溶融樹脂の射出時間は 0. 1秒とし、溶融樹脂が充填された後 0. 05秒経過してから型締カ 196kNで 0. 1秒間圧縮を行い、その後、型締カを 98kNに保持した。カットパンチ 12は溶融樹脂の射出後 0. 2秒経過して力も進出位置に前進させた。この成形テストでは、高圧ガスが流出する近傍の内孔 56aに半径 0. 1mm以下の丸みが形成された。

[0099] ここで、本実施の形態 2の特徴について、以下に説明する。

[0100] (1)本実施形態の射出成形装置では、前記ガス配管には、前記開閉弁よりも上流側にタンクが設けられており、前記タンクは、前記開閉弁を開放することによってガスの圧力が榭脂圧よりも低下するような容量を有している。この態様では、開閉弁を開放すると、ガスの圧力が榭脂圧よりも低い圧力まで次第に低下するので、その時点でガスが溶融榭脂を押し戻すことができなくなる。このため、ガス圧が榭脂圧よりも低下するまでに前記間隙内に流入するガス量をタンクの容量によって規定することができることになる。この結果、開閉弁の開放時間を精度良く制御する必要がなくなり、制御を簡素化することができる。

[0101] (2)本実施形態の射出成形装置では、前記開閉弁の開放前における前記タンク内の圧力は、溶融状態にある榭脂圧に対して 2%以上で、かつ 10%以下に設定され、前記タンクを含め、前記キヤビティ内までガスの流れる流通系統の容積は、 5cm³以上で、かつ 30cm³以下に設定されている。したがって、開閉弁を開放することによつてガス圧が榭脂圧よりも確実に低下するようにすることができる。

[0102] (3)本実施形態の射出成形方法では、前記ガスを前記キヤビティ内に流出させたときに、その圧力が榭脂圧よりも低下する。この態様では、ガスの圧力が榭脂圧よりも低い圧力まで次第に低下するので、その時点でガスが溶融榭脂を押し戻すことができなくなる。このため、ガスをキヤビティ内に流出させる時間を精度よく制御する必要がなくなるので、制御を簡素化することができる。

[0103] なお、本実施形態 2ではスプルブッシュ 3と固定側固定ブッシュ 4の間のすき間 62 が光ディスク基板 56の内孔 56aの周面位置と略同じ位置に形成される構成としたが、これに限られるものではなぐ例えば光ディスク基板 56の内孔 56aの周面位置よりも内側、即ちスプルブッシュ 3の外径及び固定側固定ブッシュ 4の内径を光ディスク基板 56の内孔径よりも小さくしても、、。

[0104] (実施の形態 3)

図 7は、本発明の第 3実施形態に係る射出成形装置に適用される射出成形金型 52 の要部を示している。本実施形態 3では、スプルブッシュ 3、固定側固定ブッシュ 4及びカットパンチ 12が、実施形態 1におけるものと異なっている。なお、ここでは、実施形態 1と異なる部分についてのみ説明し、その他の部分の説明は省略する。

[0105] 固定側固定ブッシュ 4の円筒部 4aは、環状に形成されているが、円筒部 4aの外側部における内端面がスタンパホルダー 5と面一の状態に構成される一方、円筒部 4a の内側部 4cが外側部力カットパンチ 12に向かってキヤビティ 54内に延出されている。そして、固定側固定ブッシュ 4の内側部 4cにおける先端面は、環状の平面状に形成されている。この固定側固定ブッシュ 4の内側部 4cによって、光ディスク基板 56 の内孔 56aの略半分が形成される。固定側固定ブッシュ 4の内側部 4cがその外側部力も滑らかな曲線状に延出されることにより、光ディスク基板 56の内孔 56aにおける一方（図 7における上側）の端部が丸みを帯びる形状に成形されるようになっている。

[0106] スプルブッシュ 3の外側部 3cは、固定側固定ブッシュ 4と同様にカットパンチ 12に向かって延出されている。そして、このスプルブッシュ 3の外側部 3cの先端面は、固定側固定ブッシュ 4の内側部 4cにおける先端面と面一の状態の環状に形成されている。

[0107] カットパンチ 12は、固定側固定ブッシュ 4の内側部 4cの外径と略同一の外径に構成されている。そして、カットパンチ 12が進出位置に進出すると、スプルブッシュ 3の外側部 3c、固定側固定ブッシュ 4の内側部 4c及びカットパンチ 12における凹部 12a の外周部に囲まれたガス流出間隙 66が環状間隙として形成される。すなわち、光デイスク基板 56の厚み方向の中間部にガス流出間隙 66が形成される。したがって、高圧のガスを流出させたとき、それによつて内孔 56aに凹みが生ずるとしても、その凹みは光ディスク基板 56の厚み方向の中間部となる。

[0108] 図 7に破線で示すように、溶融榭脂を射出するときにはカットパンチ 12とェジェクタピン 11は通常位置にある。これにより、榭脂がキヤビティ 54内に充填されやすくなつている。そして、榭脂が未だ溶融状態にある射出からの所定時間の経過時に、カットパンチ 12とェジェクタピン 11とが同じ位置関係を保ったまま図 7に示す中抜き矢印の方向に前進する。カットパンチ 12はスプルブッシュ 3と固定側固定ブッシュ 4の手前で停止する。これにより、カットパンチ 12と、スプルブッシュ 3及び固定側固定ブッシュ 4 との間にガス流出間隙 66が残される。

[0109] その後、図 7に下向きの矢印で示すように、ガス通路 7から流れてきた高圧ガスがスプルブッシュ 3と固定側固定ブッシュ 4の間のすき間 62を通ってガス流出間隙 66に流出させる。そうすると、このガス流出間隙 66内の溶融樹脂が押し出される。榭脂が固化したときには光ディスク基板 56の内孔 56aにはバリが発生していない。

[0110] ガス流出間隙 66の幅は 0. 1mm以下であるのが好ましぐ 10 m以上で且つ 50 m以下であるのがより好ましい。この場合、ガスにより生ずる内孔 56aの凹みは半径 0 . 1mm以下となる。

[0111] 本実施形態 3のように、ガス流出間隙 66が互いに向かい合った平面部によって囲まれ、このガス流出間隙 66に直接高圧ガスが吹き出される構成となっていると、ガス流出間隙 66内にある溶融榭脂がまず高圧ガスで押し出されることになるので、榭脂の移動量を制御しやすくすることができる。

[0112] 本実施形態 3では、成形された光ディスク基板 56のェジヱクタ 13側の内孔 56aの端部も丸く形成された。これはカットパンチ 12が突き出る方向に作動することにより、カットパンチ 12とェジェクタ 13との間に入り込もうとする榭脂を追、出す方向に力が働くことと、内孔 56aの端部に位置する榭脂に十分な圧力が加わらず、十分な圧力が加わった箇所の榭脂より収縮量が大きくなることがその理由と考えられる。

[0113] 本実施形態 3では、内孔 56aにおける光ディスク基板 56の厚み方向の中間部に凹みができる場合があるものの、内孔 56aの端部にはノリやヒケが発生しない。このため、光ディスクドライブにセットされたときに行われる光ディスクの芯出しのように内孔 5 6aの端部が支持される場合等には、内孔 56aの中間部に存在する凹みが影響を与えることはない。したがって、光ディスクの信号品質を向上することができる。

[0114] ここで、本実施の形態 3の特徴について、以下に説明する。

[0115] (1)本実施形態では、前記キヤビティ内に流出したガスが直接前記間隙内に流入するように構成されている。したがって、キヤビティ内に流出したガスがキヤビティ内の他の場所を通ることなく前記間隙内に流入するので、キヤビティ内に流出するガス流量と溶融樹脂の移動量との相間がよくなる。この結果、溶融樹脂の移動量を精度よく帘 U御することができる。

[0116] (実施の形態 4)

図 8は、本発明の第 4実施形態に係る成形装置に適用される射出成形金型 52の要部を示している。本実施形態 4では、実施形態 1と異なり、カットパンチ 12の内端面が平坦面に構成されている。なお、ここでは、実施形態 1と異なる部分についてのみ説明し、その他の部分の説明は省略する。

[0117] カットパンチ 12の内端面に凹部 12aが形成されていない。つまり、スプルブッシュ 3 またはカットパンチ 12の少なくとも一方に凹みがあれば、カットパンチ 12が前進する際にスプル部 64として押し除ける榭脂の容積を確保できる。

[0118] スプルブッシュ 3と固定側固定ブッシュ 4との間のすき間 62は、光ディスク基板 56の内孔 56aの内径、即ちカットパンチ 12の外径と同じ力、もしくはそれよりも小さい径に形成されるのが望ましい。そして、ガス流出間隙 66が互いに向かい合った平面部によって囲まれていると、この間隙 66内にある溶融榭脂がまず高圧ガスで押し出されることになるので、榭脂の移動量を制御しやすくすることができる。

[0119] 本実施形態 4においても、スプルブッシュ 3とカットパンチ 12の間のガス流出間隙 6 6に流出した高圧ガスによって溶融樹脂が押し戻され、ガス圧の減少とともに榭脂が冷却固化する。したがって、光ディスク基板 56の内孔 56aの端部に丸みが形成され、ノリを生じさせない。

[0120] ガス流出間隙 66の幅は 0. 1mm以下であるのが好ましぐ 10 m以上で且つ 50 m以下であるのがより好ましい。この場合、ガスにより生ずる内孔 56aの凹みは半径 0 . 1mm以下となる。

[0121] なお、本実施形態 4ではスプルブッシュ 3の内側端面に平面状の外周部を残して凹部 3bを形成する構成としたが、図 9に示すようにスプルブッシュ 3には外周部を残すことなく凹部 3bが形成される構成としてもょヽ。この場合でも同様の効果が得られる。

[0122] (実施の形態 5)

図 10は、本発明の第 5実施形態に係る成形装置に適用される射出成形金型 52の要部を示している。本実施形態 5では、実施形態 1と異なり、スプルブッシュ 3が固定側固定ブッシュ 4よりも引っ込んだ配置となっている。なお、ここでは、実施形態 1と異なる部分についてのみ説明し、その他の部分の説明は省略する。

[0123] スプルブッシュ 3の内側端面は、平面状に形成されて!、る。つまり、スプルブッシュ 3 の内側端面に凹部 3bが形成されていない。そして、この内側端面は、固定側固定ブッシュ 4の内側端面よりもカットパンチ 12から離れる方向に引っ込んでいる。したがつて、カットパンチ 12が進出位置まで前進したとしても、実施形態 1のようにスプルブッシュ 3との間の間隙が僅かな幅になることはない。

[0124] しかしながら、カットパンチ 12と固定側固定ブッシュ 4との間に僅かな幅の間隙 66 が形成される。したがって、スプルブッシュ 3と固定側固定ブッシュ 4の間のすき間 62 を通ってきた高圧ガスは、密度の低いスプル部 64周囲の溶融榭脂を圧縮しながら固定側固定ブッシュ 4とカットパンチ 12との間の間隙 66に到達する。そして高圧ガスは、内孔 56aの端部に位置する榭脂を光ディスク基板 56側に押し込む。ガス圧の減少と共に榭脂が冷却固化し、この内孔 56aの端部に丸みが形成され、ノリを生じさせない。

[0125] これと反対側の内孔 56aの端部では、カットパンチ 12とェジェクタ 13との隙間に溶融した樹脂が入り込む方向と反対方向にカットパンチ 12が移動し、かつ、この隙間付近では榭脂に十分な圧力が力からないため密度が低くなるため、収縮が大きく丸みが生じる。

[0126] 固定側固定ブッシュ 4とカットパンチ 12との間隙 66は 0. 1mm以下であるのが好ましぐ 10 m以上で 50 m以下であるのがより好ましい。この場合、固定側固定ブッシュ 4側の内孔 56aの端部における丸みは半径 0. 1mm以下となる。

[0127] なお、図 10ではスプルブッシュ 3の外径を基板の内孔 56aの径と略同一、すなわちカットパンチ 12の外径と略同一としている力図 11に示すように、それより小さくしても構わない。この場合、スプルブッシュ 3と固定側固定ブッシュ 4とで形成されるすき間 62の位置が基板の内孔 56aよりも中心寄りの位置に形成されることになる。この場合でも、高圧ガスがスプル部 64の周囲を通過して間隙 66に到達するので、間隙 66 内の榭脂を基板 56側に押出すことができる。

[0128] また、図 11に示すように、カットパンチ 12の内端面における端部や固定側固定ブッシュ 4の内端面における端部を面取りしてもいい。この場合には、固定側固定ブッシュ 4とカットパンチ 12との間の間隙 66が広くならないようにするために、カットパンチ 1 2が固定側固定ブッシュ 4の内側まで入り込むようにする必要がある。

[0129] (実施の形態 6)

図 12は、本発明の第 6実施形態に係る成形装置に適用される射出成形金型 52の要部を示している。本実施形態 6では、実施形態 1と異なり、ガス通路 7が可動側金型 2に設けられている。なお、ここでは、実施形態 1と異なる部分についてのみ説明し、その他の部分の説明は省略する。

[0130] 実施形態 1では、固定側金型 1にスプルブッシュ 3と固定側固定ブッシュ 4とが設けられていたが、本実施形態 6ではこれと異なり、固定側固定ブッシュ 4が省略されている。そして、スプルブッシュ 3は、光ディスク基板 56の内孔 56aよりも大きな外径を有している。

[0131] 可動側金型 2のカットパンチ 12は、外筒部 12aと内筒部 12bの 2つの部材カもなり、 2重構造とされている。そして、ガス通路 7は、可動側基盤 16に形成されていて、内筒部 12bと外筒部 12aの間のすき間 74に連通している。したがって、ガス通路 7を通して流れる高圧のガスが、外筒部 12aと内筒部 12bの間の環状のすき間 74を流れるようになっている。

[0132] 外筒部 12a、内筒部 12b及びェジェクタピン 11は固定側金型 1と可動側金型 2とが閉じて、溶融榭脂を射出するときには、図 12に示す破線の位置にある。そして、榭脂の射出が終わると、外筒部 12a、内筒部 12bおよびェジェクタピン 11がこの位置関係を保持したまま中抜き矢印の方向に前進し、図 12に示すように、外筒部 12aと内筒部 12bはスプルブッシュ 3の手前で停止する。この状態で、外筒部 12aと内筒部 12b の間のすき間 74を流れてきた高圧ガスがスプルブッシュ 3とカットパンチ 12との間のガス流出間隙 66に流出する。これにより、溶融樹脂が移動するため、内孔 56aにバリが発生しなくなる。

[0133] 固定側固定ブッシュ 4とカットパンチ 12との間の間隙 66は、 0. 1mm以下であるのが好ましぐ 10 μ m以上で且つ 50 μ m以下であるのがより好ましい。この場合、ガスにより生ずる内孔 56aの凹みは半径 0. 1mm以下となる。

[0134] ここで、本実施の形態 6の特徴について、以下に説明する。

[0135] (1)本実施形態では、前記可動部は、外筒部と内筒部とによって構成され、前記ガス通路は、外筒部と内筒部との間のすき間を通して前記間隙に連通するように構成されている。したがって、ガス通路をキヤビティ内までつながるように形成しなくてもガス通路が前記すき間を通してキヤビティ内に連通するように構成することができる。

[0136] (実施の形態 7)

図 13は、本発明の第 7実施形態に係る成形装置に適用される射出成形金型 52の要部を示している。本実施形態 7では、実施形態 1と異なり、カットパンチ 12が通常位置にあるときにはェジェクタ 13よりも引っ込んでいる。なお、ここでは、実施形態 1と異なる部分についてのみ説明し、その他の部分の説明は省略する。

[0137] 固定側固定ブッシュ 4の円筒部 4aは、環状に形成されているが、その外側部がスタンパホルダー 5と面一の状態に構成される一方、内側部 4cが外側部力もカットパンチ 12に向力つてキヤビティ 54内に延出されている。そして、固定側固定ブッシュ 4の内側部 4cにおける先端面は、ェジクタ 13の内端面の近傍に位置する環状の平面状に形成されている。この固定側固定ブッシュ 4の内側部 4cによって、光ディスク基板 5 6の内孔 56aのほぼ全体が形成される。固定側固定ブッシュ 4の内側部 4cがその外側部から滑らかな曲線状に延出されることにより、光ディスク基板 56の内孔 56aにおける一方（図 13における上側）の端部が丸みを帯びる形状に成形されるようになっている。

[0138] スプルブッシュ 3は、固定側固定ブッシュ 4と同様にカットパンチ 12に向力つて延出されている。そして、このスプルブッシュ 3の先端面（内側端面）は、固定側固定ブッシュ 4の内側部における先端面と面一の状態の環状に形成されている。なお、スプルブッシュ 3の先端面には凹部 3bが形成されていない。

[0139] カットパンチ 12は、固定側固定ブッシュ 4の外径よりも大きな外径を有しており、内端面に形成された凹部 12aは、固定側固定ブッシュ 4における内側部 4cの外径とほぼ同じ内径を有している。そして、カットパンチ 12が通常位置にあるときには、図 13 に破線で示すように、内端面における凹部 12aの外側の外側部がェジェクタ 13 (可動側鏡面盤 15)よりも引っ込んだ状態に設定されている。このようにカットパンチ 12が引っ込んで!/、ることで、スプルブッシュ 3や固定側固定ブッシュ 4が光ディスク基板 56 の厚み程度突き出て、ても、キヤビティ 54内に榭脂が流入可能となって！/、る。

[0140] 榭脂が射出され終わると、カットパンチ 12とェジェクタピン 11はこの位置関係を保持した状態で中抜き矢印の方向に前進し、固定側固定ブッシュ 4の手前で停止する。このとき、カットパンチ 12の外側部における内端面力ェジェクタ 13の内端面とほぼ同じ平面上になる位置で停止させるようにする。これにより、光ディスク基板 56の内孔 56a近傍が平坦になる。

[0141] 高圧ガスは、ガス通路 7を通ってスプルブッシュ 3と固定側固定ブッシュ 4との間のすき間 62からキヤビティ 54内に流出する。このときキヤビティ 54内の榭脂は溶融状態にあるので、高圧ガスが吹き出すことよつてこの榭脂は、カットパンチ 12の凹部 12a 内に位置するスプル部 64と、固定側固定ブッシュ 4の外側にある光ディスク基板 56とに分離され、光ディスク基板 56の内孔 56aの端部を形成する榭脂が光ディスク基板 5 6側に押し出されることとなる。ガス圧が減少すると共に樹脂が冷却固化し、この内孔 56aの端部に丸みが形成さる、ノリは生じない。

[0142] 固定側固定ブッシュ 4とカットパンチ 12との間の間隙 66は、 0. 1mm以下であるのが好ましぐ 10 μ m以上で且つ 50 μ m以下であるのがより好ましい。この場合、ガスにより生ずる内孔 56a端部の凹みは半径 0. 1mm以下となる。

[0143] なお、本実施形態 7では、カットパンチ 12の凹部 12aの内径を光ディスク基板 56の内孔径と略同一としたが、内孔径より小さくても、。

[0144] (実施の形態 8)

図 14は、本発明の第 8実施形態に係る成形装置に適用される射出成形金型 52の要部を示している。本実施形態 8では、実施形態 7と異なり、高圧ガスが可動側金型 2内を流れるようになつている。なお、ここでは、実施形態 7と異なる部分についてのみ説明し、その他の部分の説明は省略する。

[0145] 本実施形態 8では、固定側固定ブッシュ 4が省略されて、る。そして、スプルブッシュ 3は、光ディスク基板 56の内孔位置よりも大きな外径を有している。スプルブッシュ 3は、カットパンチ 12に向かってキヤビティ 54内に延出されている。そして、キヤビティ 54内に延出されたスプルブッシュ 3の先端部では外周部が切除されていて、このスプルブッシュ 3の先端部は光ディスク基板 56の内孔 56aに対応した外径に形成されている。スプルブッシュ 3の先端面は、ェジェクタ 13の内端面の近傍に位置する環状の平面状に形成されて！、る。

[0146] カットパンチ 12は、外筒部 12aと内筒部 12bの 2つの部材カもなり、 2重構造とされている。そして、ガス通路 7は、可動側基盤 16に形成されていて、内筒部 12bと外筒部 12aの間のすき間 74に連通している。したがって、ガス通路 7を通して流れる高圧のガス力外筒部 12aと内筒部 12bの間の環状のすき間 74を流れるようになつている

[0147] 外筒部 12aは、固定側固定ブッシュ 4の外径よりも大きな外径を有しており、内筒部 12bは、スプルブッシュ 3における内周部の外径とほぼ同じ内径を有している。そして、カットパンチ 12が通常位置にあるときには、図 14に破線で示すように、外筒部 12a の内端面がェジヱクタ 13 (可動側鏡面盤 15)よりも引っ込んだ状態に設定されている。このようにカットパンチ 12が引っ込んでいることで、スプルブッシュ 3が光ディスク基板 56の厚み程度突き出ていても、キヤビティ 54内に樹脂が流入可能となっている。

[0148] 榭脂が射出され終わると、外筒部 12a、内筒部 12b及びェジヱクタピン 11は、この位置関係を保ったまま中抜き矢印の方向に前進し、図 14に実線で示すようにスプルブッシュ 3の手前で停止する。その後、榭脂が溶融状態にあるときに、高圧ガスが外筒部 12aと内筒部 12bの間のすき間 74を通ってキヤビティ 54内に流出する。高圧ガスは密度の低いスプル部 64周囲の榭脂を圧縮しながらスプルブッシュ 3と外筒部 12 aとの間隙 66に到達し、内孔 56a端部の榭脂を光ディスク基板 56側に押し出す。その後ガス圧が減少すると共に樹脂が冷却固化し、内孔 56a端部に丸みが形成され、ノリは生じない。

[0149] カットパンチ 12の外筒部 12aとスプルブッシュ 3との間隙 66は、 0. 1mm以下であるのが好ましぐ 10 μ m以上で且つ 50 μ m以下であるのがより好ましい。この場合、ガスにより生ずる内孔 56aの凹みは半径 0. 1mm以下となる。

[0150] この構成の場合、光ディスク基板 56が内孔 56a近傍で平坦面となるには、外筒部 1 2aが進出位置にある状態で外筒部 12aとェジェクタピン 11とが基板と面する高さは略同一にすることが好ましい。

[0151] なお、本実施形態 8では、光ディスク基板 56の内孔径に相当するスプルブッシュ 3 の先端部における外径力外筒部 12aの内径と略同一とした力スプルブッシュ 3と外筒部 12aとは直接当らな、ため、外筒部 12aの内径をスプルブッシュ 3の先端部における外径よりも小さくしても構わない。

[0152] (実施の形態 9)

図 15は、本発明の第 9実施形態に係る成形装置に適用される射出成形金型 52の要部を示している。本実施形態 9では、実施形態 8と異なり、カットパンチ 12が 1つの部材カもなつていて、カットパンチ 12の内端面には凹部 12aが形成されている。そしてこの凹部 12aの外周部は環状の平坦面となっている。なお、ここでは、実施形態 8 と異なる部分についてのみ説明し、その他の部分の説明は省略する。

[0153] ガス通路 7は、カットパンチ 12とェジェクタ 13との間のすき間 74に連通しており、このすき間 74を高圧ガスが流れて、キヤビティ 54内に流出するようになっている。

[0154] ェジヱクタ 13及びカットパンチ 12は、固定側金型 1と可動側金型 2とが閉じられるときの通常位置では、図 15に破線で示すように、可動側固定ブッシュ 14 (可動側鏡面盤 15)よりも引っ込んでいる。これにより溶融榭脂を射出してもキヤビティ 54内に流入できるようになつている。 [0155] 榭脂が射出され終わると、カットパンチ 12及びェジヱクタ 13は、この位置関係を保つたまま中抜き矢印の方向に前進し、図 15に実線で示すようにスプルブッシュ 3の手前で停止する。その後、榭脂が溶融状態にあるときに、高圧ガス力カットパンチ 12とェジェクタ 13とのすき間 74から流出して榭脂を移動させ、光ディスク基板 56をスプル部 64から完全に分離させる。そして、ガス圧が減少すると共に樹脂が冷却固化し、内孔 56aの端部に丸みが形成され、ノリが生じな!/ヽ。

[0156] カットパンチ 12とスプルブッシュ 3との間隙 66は、 0. 1mm以下であるのが好ましぐ 10 μ m以上で且つ 50 μ m以下であるのがより好ましい。この場合、ガスにより生ずる内孔 56aの凹みは半径 0. 1mm以下となる。

[0157] この構成の場合、光ディスク基板 56が内孔 56a近傍で平坦面となるには、カットパンチ 12が進出位置にある状態でカットパンチ 12とェジェクタ 13とが基板と面する高さは略同一にすることが好ましい。

[0158] 本実施形態 9では、カットパンチ 12の外径が、内孔 56aに相当するスプルブッシュ 3 の先端部における外径と略同一とした力それよりも小さくしても構わない。

[0159] 実施形態 1〜9の説明では可動側金型 2のカットパンチ 12が移動可能な可動部として構成された例について説明した力これに代え、固定側金型 1のスプルブッシュ 3 が移動可能な可動部としても構成されて、ても構わなヽ。

[0160] ここで、本実施の形態 9の特徴について、以下に説明する。

[0161] (1)本実施形態では、前記ガス通路は、前記可動部とェジクタとの間のすき間を通して前記間隙に連通するように構成されている。したがって、ガス通路をキヤビティ内までつながるように形成しなくてもガス通路が前記すき間を通してキヤビティ内に連通するように構成することができる。

産業上の利用可能性

[0162] 本発明は、光ディスク用基板を含め、内孔が形成された射出成形品を成形するための射出成形装置、成形方法及び金型に利用することが可能である。

Claims

請求の範囲

[1] 第 1金型と第 2金型との間に形成されるキヤビティ内に溶融榭脂を射出して、内孔が貫通形成された榭脂成形品を成形する成形装置であって、

前記第 1金型及び第 2金型の一方に設けられる可動部と、

前記第 1金型及び前記第 2金型の少なくとも一方に前記キヤビティ内に連通可能に設けられたガス通路と、

前記ガス通路に連通するガス配管に設けられる開閉弁と、

制御器とを備え、

前記可動部は、溶融榭脂を射出するときの通常位置と、前記内孔が形成される位置で前記ガス通路力流出したガスが流入可能な間隙が相手金型との間に残るように前記キヤビティ内に進出した進出位置との間を移動可能に構成されており、前記制御器は、前記溶融樹脂の射出に応じて、前記可動部の移動制御と前記開閉弁の開閉制御を行うように構成されている射出成形装置。

[2] 前記制御器は、前記開閉弁を 0. 05秒以上で、かつ 1秒以下の時間だけ開放する請求項 1に記載の射出成形装置。

[3] 前記ガス配管には、前記開閉弁よりも上流側にタンクが設けられ、

前記タンク内の圧力は、溶融状態にある榭脂圧に対して 2%以上で、かつ 15%以下に設定されている請求項 1に記載の射出成形装置。

[4] 前記開閉弁の開放前における前記タンク内の圧力は、溶融状態にある榭脂圧に対して 2%以上で、かつ 10%以下に設定され、

前記タンクを含め、前記キヤビティ内までガスの流れる流通系統の容積は、 5cm³以上で、かつ 30cm³以下に設定されている請求項 3に記載の射出成形装置。

[5] 前記間隙の幅は、 10 m以上で、かつ 50 m以下に設定されている請求項 1に記載の射出成形装置。

[6] 前記間隙は、前記榭脂成形品の内孔の周面に対応する位置、またはそれよりも前記内孔の中心寄りに配置される請求項 1に記載の射出成形装置。

[7] 前記間隙は、前記内孔における貫通方向の端部に配置される請求項 1に記載の射出成形装置。

[8] 前記間隙は、前記内孔における貫通方向の中間部に配置される請求項 1に記載の射出成形装置。

[9] 前記キヤビティ内に流出したガスが直接前記間隙内に流入するように構成されて、る請求項 1に記載の射出成形装置。

[10] 前記ガス通路は、スプルブッシュとこのスプルブッシュを保持する固定ブッシュとの間のすき間を通して前記間隙に連通するように構成されて、る請求項 1に記載の射出成形装置。

[11] 前記可動部は、外筒部と内筒部とによって構成され、

前記ガス通路は、外筒部と内筒部との間のすき間を通して前記間隙に連通するように構成されて!ヽる請求項 1に記載の射出成形装置。

[12] 前記ガス通路は、前記可動部とェジクタとの間のすき間を通して前記間隙に連通するように構成されて、る請求項 1に記載の射出成形装置。

[13] 前記ガス配管における前記開閉弁よりも上流側に配置されるタンクと、

前記タンク内の圧力を検出する圧力検出器と、

前記タンク内の圧力を上げるための昇圧機とが設けられ、

前記制御器は、前記圧力検出器の検出圧力に応じて前記昇圧機を駆動する請求項 1に記載の射出成形装置。

[14] 第 1金型と第 2金型との間に形成されたキヤビティ内に溶融榭脂を射出して内孔が貫通形成された榭脂成形品を成形する方法であって、

前記金型の少なくとも一方に前記キヤビティ内に連通可能にガス通路が設けられるとともに、前記金型の一方に可動部が設けられた前記第 1金型及び前記第 2金型を使用し、

前記可動部は、溶融榭脂を射出するときの通常位置と、前記内孔が形成される位置で前記ガス通路力流出したガスが流入可能な間隙が相手金型との間に残るように前記キヤビティ内に進出した進出位置との間を移動可能に構成されており、前記キヤビティ内に溶融榭脂を射出した後、前記可動部を進出位置まで移動させ、前記間隙にガスを流入させる射出成形方法。

[15] 前記ガスは、空気又は窒素である請求項 14に記載の射出成形方法。

[16] 前記ガスを所定時間だけ流出させる請求項 14に記載の射出成形方法。

[17] 溶融状態にある榭脂圧に対して 2%以上で、かつ 15%以下の圧力でガスを流出させる請求項 14に記載の射出成形方法。

[18] 前記ガスを前記キヤビティ内に流出させたときに、その圧力が榭脂圧よりも低下する請求項 14に記載の射出成形方法。

[19] 前記間隙の幅は、 10 m以上で、かつ 50 m以下に設定されている請求項 14に記載の射出成形方法。

[20] 第 1金型と第 2金型とを有し、この金型間に内孔を有する榭脂成形品を成形するためのキヤビティが設けられる金型であって、

前記第 1金型及び第 2金型の一方に設けられる可動部と、

前記第 1金型及び前記第 2金型の少なくとも一方に、前記キヤビティ内に連通可能に設けられたガス通路とを備え、

前記可動部は、溶融榭脂を射出するときの通常位置と、前記内孔が形成される位置で前記ガス通路力流出したガスが流入可能な間隙が相手金型との間に残るように前記キヤビティ内に進出した進出位置との間を移動可能に構成されてヽる射出成形金型。