WO2005107335A1

WO2005107335A1 - 良溶媒及び貧溶媒を含有するワニス

Info

Publication number: WO2005107335A1
Application number: PCT/JP2005/008118
Authority: WO
Inventors: Taku Kato; Takuji Yoshimoto; Go Ono
Original assignee: Nissan Chemical Industries, Ltd.
Priority date: 2004-04-30
Filing date: 2005-04-28
Publication date: 2005-11-10
Also published as: EP1773102A1; KR101197492B1; US9251923B2; CN1961615B; CN1961615A; KR20070015548A; EP1773102A4; TWI399415B; EP1773102B1; US20070205400A1; JP4662073B2; TW200604304A; JPWO2005107335A1

Abstract

　分子量２００～１０００の有機化合物又は分子量２００～５０万のオリゴマー若しくはポリマーからなる基質と、良溶媒及び良溶媒よりも少なくとも２０°C低い沸点（７６０ｍｍＨｇ下）を有する貧溶媒を含む溶剤とを含有し、基質が溶剤中に溶解しているワニス。このワニスから作製された薄膜は、異物がほとんど発生しないため、電子デバイス用薄膜及びその他の技術分野の薄膜として好適に利用できる。

Description

明細書

良溶媒及び貧溶媒を含有するワニス

技術分野

[0001] 本発明は、良溶媒及び貧溶媒を含有するワニスに関する。

背景技術

[0002] 有機化合物、特にポリマー及びオリゴマーを電子デバイス材料として用いる場合、薄膜として使用されることが多い。例として、絶縁膜、電荷輸送性膜、保護膜及び平坦化膜が挙げられる。

有機エレクト口ルミネッセンス（以下、 ELと略す)素子においては、正孔輸送層（バッファ層）、電荷注入層に、ポリマー及びオリゴマー等カゝらなる電荷輸送性薄膜が使用されている（例えば、特許文献 1参照)。

[0003] 電荷輸送性薄膜は、均一で凹凸の無い薄膜であることが要求される。薄膜の凹凸は、ダークスポットの発生や、陽極と陰極との短絡による素子特性の低下を促し、有機 EL素子の生産時に歩留まりの低下を引き起こす原因となる。この凹凸は、材料の凝集によって起こると考えられ、薄膜中のある一部分が隆起又は沈降して薄膜の均一性が減少することに起因していると考えられる。

[0004] 一方、薄膜中に非常に微細な粒子が発生する場合もある。この粒子発生原因も材料の凝集によるものと考えられる。この材料が微細な粒子状に凝集したものを異物と呼ぶ。異物の発生も上述のような悪影響を素子に与える。一般的な有機 EL素子の有機層の厚さは、わず力 200〜1000nmであり、異物の存在は、陽極と陰極との間で電気短絡の直接的な原因となり、素子にとって深刻な問題となる。

[0005] 異物の問題を解決するために、使用する材料をその他の材料に替える方法が考えられる力十分な素子特性が得られない場合が多ぐ材料の選定に多大な試行錯誤を必要とする。

この異物の問題は、電子デバイス用薄膜に限らず、薄膜を使用するその他の技術

ヽても重要である。

以上のような理由から、異物の存在しない薄膜、及びその作製方法の開発が望まれている。

[0006] 特許文献 1 :特開 2002— 151272号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0007] 本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、電子デバイス用薄膜及びその他の技術分野の薄膜に好適に利用できる、薄膜を作製した場合に異物がほとんど発生しないワニス、並びに異物がほとんど存在しない薄膜、及びその作製方法を提供することを目的とする。

また、本発明は、電子デバイス用途として、異物のほとんど存在しない電荷輸送性薄膜を備える有機 EL素子を提供することを他の目的とする。

課題を解決するための手段

[0008] 本発明者らは、上記目的を達成するため、これまで、均一で異物の無い薄膜を与える方法としては研究の行われて、な、溶媒組成に関して鋭意検討を重ねた結果、驚くべきことに、ワニスの溶媒組成によって、異物の発生を格段に抑制できることを知見し、異物がほとんど存在しな、薄膜を与えるワニスを見出した。

具体的には、良溶媒及び良溶媒よりも少なくとも 20°C低い沸点（760mmHg下)を有する貧溶媒の組み合わせとすることにより、薄膜中の異物の発生を効果的に抑制できることを見出し、本発明を完成した。

[0009] すなわち、本発明は、以下の〔1〕〜〔16〕の発明を提供する。

〔1〕分子量 200〜 1000の有機化合物又は分子量 200〜50万のオリゴマー若しくはポリマー力なる基質と、良溶媒及び良溶媒よりも少なくとも 20°C低い沸点（760m mHg下)を有する貧溶媒を含む溶剤を含有し、前記基質が前記溶剤中に溶解して V、ることを特徴とするワニス。

〔2〕前記基質が、電荷輸送性モノマー、若しくは数平均分子量 200〜50万の電荷輸送性オリゴマー若しくはポリマーからなる電荷輸送物質、又はこの電荷輸送物質及び電子受容性ドーパント物質若しくは正孔受容性ドーパント物質力なる電荷輸送性有機材料である〔1〕の電荷輸送性ワニス。

〔3〕前記電荷輸送物質が、共役単位を有する電荷輸送性モノマー又は共役単位を有する数平均分子量 200〜5000の電荷輸送性オリゴマーであり、かつ、単一の前記共役単位が連続して、る、又は相異なる 2種以上の前記共役単位が任意の順序の組み合わせで連続して、る〔2〕の電荷輸送性ワニス。

〔4〕前記共役単位が、置換若しくは非置換、かつ、 2〜4価の、ァ-リン、チォフェン、ジチイン、フラン、ピロール、ェチニレン、ビニレン、フエ二レン、ナフタレン、アントラセン、イミダゾール、ォキサゾール、ォキサジァゾール、キノリン、キノキザリン、シローノレ、シリコン、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、フエ二レンビニレン、フノレ才レン、カノレノゾール、トリアリールァミン、金属—若しくは無金属—フタロシアニン、及び金属—若しくは無金属—ポルフィリンカも選ばれる少なくとも 1種である〔3〕の電荷輸送性ヮ- ス。

[5] 前記電荷輸送物質が、一般式（1)で表されるオリゴァ-リン誘導体、又は一般式（1)の酸ィ匕体であるキノンジィミン誘導体であることを特徴とする〔3〕の電荷輸送性ワニス。

[化 1]

R

RHA— NH B—N十 R³

〔式中、

R²及び R³はそれぞれ独立して水素、水酸基、ハロゲン基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、リン酸エステル基、エステル基、チォエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノォキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチォ基、ァシル基又はスルホン基を示し、 A及び Bは、それぞれ独立して、一般式（2)又は（3)で表される二価の基を示す。

[化 2]

(式中、 R⁴〜R^Uはそれぞれ独立して水素、水酸基、ハロゲン基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、リン酸エステル基、エステル基、チォエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノォキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチォ基、ァシル基又はスルホン基を示し、 m及び nは、それぞれ独立して、 1以上の整数で、 m+n≤20を満足する。 ) ₀〕〔6〕前記電荷輸送物質が、一般式 (4)で表されるオリゴァ-リン誘導体、又は一般式 (4)の酸ィ匕体であるキノンジィミン誘導体であることを特徴とする〔5〕の電荷輸送性ワニス。

[化 3] )

(式中、〜、 m, nは、上記と同じ意味を示す。 )

〔7〕前記電子受容性ドーパント物質が一般式 (5)で表されるスルホン酸誘導体であることを特徴とする〔²〕〜〔⁶〕の、ずれかの電荷輸送性ワニス。

[化 4]

(式中、 Dはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フエナントレン環又は複素環を表し、 R¹²及び R¹³は、それぞれ独立して、カルボキシル基又はヒドロキシル基を表す。）

〔8〕前記電子受容性ドーパント物質が一般式 (6)で表されるスルホン酸誘導体であることを特徴とする〔²〕〜〔⁶〕の、ずれかの電荷輸送性ワニス。

(式中、 R"〜R¹⁸はそれぞれ独立して水素原子、非置換若しくは置換の一価炭化水素基又はハロゲン原子を示し、 Xは単結合、 0、 S又は NHを示し、 Aは水素原子、ハロゲン原子、 0、 S、 S (O)基、 S (0 )基、又は、非置換若しくは置換基が結合した N、

2

Si、 P、 P (O)基、又は、一価以上で非置換若しくは置換の炭化水素基を示す。 yは A の価数と等しぐ 1≤ を満足する整数でぁり、は1, 4一べンゾジォキサン骨格のうちベンゼン環部分に結合したスルホン酸基数を示し、 l≤x≤4である。 )

〔9〕〔1〕のワニスを使用して作製されることを特徴とする薄膜。

〔10〕〔2〕〜〔8〕の、ずれかの電荷輸送性ワニスを使用して作製されることを特徴とする電荷輸送性薄膜。

〔11〕固形分 1. 0%の電荷輸送性ワニス力も作製され、 KLA— Tencor社製表面異物検査装置 Surf scan (商標） 6220を用いて、 0. 5 mまでの異物を 80%の捕獲率で検出できる条件で測定したディフエタト数が、 30nmの膜厚の場合に 100以下であることを特徴とする〔10〕の電荷輸送性薄膜。

〔12〕〔 10〕又は〔 11〕の電荷輸送性薄膜を備える有機エレクト口ルミネッセンス素子

〔13〕前記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層又は正孔輸送層である〔12〕の有機ェレクト口ルミネッセンス素子。

〔14〕〔1〕のワニスを使用することを特徴とする薄膜の作製方法。

〔15〕〔2〕〜〔8〕のいずれかの電荷輸送性ワニスを使用することを特徴とする電荷輸送性薄膜の作製方法。

〔16〕固形分 1. 0%の電荷輸送性ワニス力も作製され、 KLA— Tencor社製表面異物検査装置 Surf scan (商標） 6220を用いて、 0. 5 mまでの異物を 80%の捕獲率で検出できる条件で測定したディフエタト数が、 30nmの膜厚の場合に 100以下であることを特徴とする電荷輸送性薄膜。

発明の効果

[0010] 本発明のワニスを用いることにより、平坦ィ匕性及び均一性が高ぐ異物の発生が著しく抑制された薄膜を再現性よく得ることができる。

これは、本発明者らによる有機 EL素子の電荷輸送性薄膜における異物の定量により証明された。これまで電荷輸送性薄膜の異物の評価は、個人差が生じやすい目視による顕微鏡観察や、原子間力顕微鏡 (AFM)あるいは電子顕微鏡 (SEM)など、基板のごく一部の観察に限られ、基板全体の異物を定量的に評価してきたとは言い難ぐ客観性に乏しいものであった。実際に、電荷輸送性薄膜を使用して有機 EL 素子を製造する際に、基板の一部分における異物の発生は少なくても、基板全体では異物の発生が多、場合、製造の歩留まりの低下力生産効率が著しく低下してしまつ。

本発明者らは、異物の発生を半定量的に、かつ、大面積の基板で評価するため、 KLA—Tencor社製表面異物検査装置 Surf scan (商標） 6220を使用して異物の定量を実施した。この測定により、本発明のワニスにより得られた薄膜が、平坦化性及び均一性が高ぐ異物の発生が著しく抑制された膜であることが確認された。

[0011] 本発明のワニスは、水を含まない有機溶媒を用いて簡便に製造できる。このワニスは、スピンコート法、印刷法、インクジェット法又はスプレー法など種々のウエットプロセスでの成膜が可能であり、安価で、かつ、良好な歩留まりで基板上に薄膜を形成し得る。

有機 EL素子に使用される電荷輸送性ワニスの塗布方法では、素子の歩留まり、生産効率の点からスピンコート法よりも印刷法、インクジェット法又はスプレー法などが工業的プロセスとして現実性が高い。本発明の電荷輸送性ワニスは、これら工業的プロセスに対応し、再現性良ぐ信頼性の高い電荷輸送性薄膜を得ることができる。

[0012] また、異物の極めて少ない電荷輸送性薄膜は、有機 EL素子に使用した場合、優れた電気短絡防止効果を発揮する。この効果は、有機 ELにおけるノッシブマトリクスの場合、特に有効である。ノッシブマトリクスは、異物によって引き起こされる電気短絡が原因で、画像表示ライン 1列全ての発光特性が変化してしまう表示欠陥を起こし易いモードだ力である。

本発明の電荷輸送性ワニスを使用して得た電荷輸送性薄膜は、外部からの異物が原因で発生する電気短絡を防止するのと同時に、薄膜自体の異物が非常に少ないことから、電気短絡が非常に発生しにくい。このため、本発明はパッシブマトリクスのみならず、アクティブマトリクス作製にも当然効果を発揮する。さらに本発明の電荷輸送性薄膜を使用することにより、有機 EL素子の工業化において、歩留まり及び生産効率の高いデバイスを安定的に製造することが可能となる。

[0013] また、本発明の電荷輸送性薄膜は、 EL素子の正孔注入層又は正孔輸送層に用いた場合、従来の電荷輸送性薄膜に比べ、平坦化性及び均一性に優れた薄膜の形成が可能であり、 ITO電極の凹凸ゃ電極上に存在する異物によって引き起こされる電極の短絡を著しく抑制できる。

したがって、本発明の電荷輸送性ワニスを用いることにより、 EL素子の発光開始電圧の低下、電流効率の向上、素子の長寿命化が達成され、安価で生産効率の高い EL素子を歩留まり良ぐ作製することが可能である。

[0014] さらに、本発明の電荷輸送性ワニスカゝら得られた電荷輸送性薄膜は、様々な塗布方法で種々の基板に塗布して成膜が可能であることから、コンデンサ電極保護膜、帯電防止膜、ガスセンサ、温度センサ、湿度センサ、圧力センサ、光センサ、放射線センサ、イオンセンサ、バイオセンサ、又はフィールドェミッショントランジスタセンサに利用される有機膜;一次電池、二次電池、燃料電池、太陽電池又はポリマー電池に利用される有機膜;電磁シールド膜、紫外線吸収膜、ガスバリア膜、光情報記録媒体、又は光集積回路に利用される有機膜への応用も有用である。

図面の簡単な説明

[0015] [図 1]実施例 1のワニスをシリコンウェハ上に成膜、焼成した電荷輸送性薄膜の表面異物検査測定結果を示す図である。

[図 2]比較例 1のワニスをシリコンウェハ上に成膜、焼成した電荷輸送性薄膜の表面異物検査測定結果を示す図である。

[図 3]比較例 2のワニスをシリコンウェハ上に成膜、焼成した電荷輸送性薄膜の表面異物検査測定結果を示す図である。 [図 4]比較例 3のワニスをシリコンウェハ上に成膜、焼成した電荷輸送性薄膜の表面異物検査測定結果を示す図である。

発明を実施するための最良の形態

[0016] 以下、本発明についてさらに詳しく説明する。

本発明に係るワニスは、分子量 200〜1000の有機化合物又は分子量 200〜50万のオリゴマー若しくはポリマー力もなる基質と、良溶媒及び良溶媒よりも少なくとも 20 °C低!ヽ沸点（760mmHg下)を有する貧溶媒を含む溶剤を含有し、基質が溶剤中に溶解しているものである。

また、このワニスのうち、基質が、電荷輸送性モノマー又は数平均分子量 200〜50 万の電荷輸送性オリゴマー若しくはポリマー力もなる電荷輸送物質、又はこの電荷輸送物質及び電子受容性ドーパント物質若しくは正孔受容性ドーパント物質力なる電荷輸送性有機材料であるものは、電荷輸送性ワニスである。

[0017] ここで電荷輸送性とは、導電性と同義であり、正孔輸送性、電子輸送性、正孔及び電子の両電荷輸送性のいずれかを意味する。本発明の電荷輸送性ワニスは、それ自体に電荷輸送性があるものでもよぐワニスを使用して得られる固体膜に電荷輸送 '性があるものでもよい。

電荷輸送性ワニスの製造法は、特には限定されない。一般的には、各材料を混合すること〖こより製造できる。

[0018] 本発明で用いる有機化合物、オリゴマー又はポリマーは、溶剤に溶解するものであれば、特に限定されない。

本発明で用いる電荷輸送性モノマー、電荷輸送性オリゴマー又はポリマーも、溶剤に溶解するものであれば、特に限定されないが、少なくとも一種類の共役単位が連続した構造であることが望ま、。

[0019] 共役単位とは電荷を輸送できる原子、芳香環、共役基であれば良ぐ特に限定されるものではないが、好ましくは置換若しくは非置換で 2〜4価のァ-リン基、チォフェン基、フラン基、ピロール基、ェチ-レン基、ビ-レン基、フエ-レン基、ナフタレン基、ォキサジァゾール基、キノリン基、シロール基、シリコン原子、ピリジン基、フエ-レンビ二レン基、フルオレン基、力ルバゾール基、トリアリールアミン基、金属若しくは無金属—フタロシアニン基、金属―若しくは無金属―ポルフィリン基が挙げられる。

[0020] ここで上記共役単位の置換基の具体例としては、それぞれ独立して水素、水酸基、ハロゲン基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、リン酸エステル基、エステル基、チォエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノォキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチォ基、ァシル基及びスルホン基等が挙げられ、これらの官能基に対してさらにいずれかの官能基が置換されて、てもよ、。

[0021] 一価炭化水素基の具体例としては、メチル基、ェチル基、プロピル基、ブチル基、 t ブチル基、へキシル基、ォクチル基、デシル基等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロへキシル基等のシクロアルキル基；ビシクロへキシル基等のビシクロアルキル基；ビュル基、 1 プロぺ-ル基、 2—プロぺ-ル基、イソプロぺ-ル基、 1ーメチルー 2 プロべ-ル基、 1又は 2又は 3 ブテュル基、へキセ -ル基等のァルケ-ル基；フェニル基、キシリル基、トリル基、ビフヱ-ル基、ナフチル基等のァリール基；ベンジル基、フエ-ルェチル基、フエ-ルシクロへキシル基等のァラルキル基などや、これらの一価炭化水素基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基などで置換されたものを例示することができる。

[0022] オルガノォキシ基の具体例としては、アルコキシ基、ァルケ-ルォキシ基、ァリールォキシ基などが挙げられ、これらのアルキル基、アルケニル基、ァリール基としては、先に例示した基と同様のものが挙げられる。

オルガノアミノ基の具体例としては、フエニルァミノ基、メチルァミノ基、ェチルァミノ基、プロピルアミノ基、ブチルァミノ基、ペンチルァミノ基、へキシルァミノ基、へプチルァミノ基、ォクチルァミノ基、ノ-ルァミノ基、デシルァミノ基、ラウリルアミノ基等のァルキルアミノ基；ジメチルァミノ基、ジェチルァミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルァミノ基、ジペンチルァミノ基、ジへキシルァミノ基、ジヘプチルァミノ基、ジォクチルアミノ基、ジノ -ルァミノ基、ジデシルァミノ基等のジアルキルアミノ基；シクロへキシルアミノ基、モルホリノ基などが挙げられる。

[0023] オルガノシリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、トリェチルシリル基、トリプロビルシリル基、トリブチルシリル基、トリペンチルシリル基、トリへキシルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、へキシルジメチルシリル基、ォクチルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基などが挙げられる。

オルガノチォ基の具体例としては、メチルチオ基、ェチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、へキシルチオ基、へプチルチオ基、ォクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、ラウリルチオ基などのアルキルチオ基が挙げられる。

[0024] ァシル基の具体例としては、ホルミル基、ァセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソプチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ベンゾィル基等が挙げられる。

アルキル基、アルコキシ基、チォアルキル基、アルキルアミノ基、オルガノシロキシ基、オルガノシリル基などにおける炭素数は特に限定されるものではないが、一般に炭素数 1〜20、好ましくは 1〜8である。

好ましい置換基としては、フッ素、スルホン酸基、置換若しくは非置換のオルガノォキシ基、アルキル基、オルガノシリル基等が挙げられる。

共役単位が連結して形成される共役鎖は、環状である部分を含んで、てもよ、。

[0025] 電荷輸送性モノマーの分子量は、 200〜 1000である。

電荷輸送性ポリマーの数平均分子量は、 5000〜50万である。数平均分子量が 50 万を超えると溶剤に対する溶解性が低すぎて使用に適さな、可能性が高、。

電荷輸送性オリゴマーの数平均分子量は、材料の揮発の抑制及び電荷輸送性発現のために、下限として通常 200以上、好ましくは 400以上であり、また溶解性向上のために、上限として通常 5000以下、好ましくは 2000以下である。さらに、好ましくは、分子量分布のない電荷輸送性オリゴマーであり、その分子量は材料の揮発の抑制及び電荷輸送性発現という点から、下限として通常 200以上、好ましくは 400以上であり、また溶解性向上という点から、上限として通常 5000以下、好ましくは 2000以下である。

なお、数平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー (ポリスチレン換算）による測定値である。

[0026] 電荷輸送物質としては、高溶解性及び高電荷輸送性を示すとともに、適切なイオン化ポテンシャルを有していることから、特に、一般式（1)で表されるオリゴァ-リン誘導体、又はその酸ィ匕体であるキノンジィミン誘導体を用いることが好ましい。オリゴァン誘導体に関してはヒドラジンによる還元操作を行うとさらに望ましい。

[化 6]

(式中、

及び R³はそれぞれ独立して水素、水酸基、ハロゲン基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、リン酸エステル基、エステル基、チォエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノォキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチォ基、ァシル基又はスルホン基を示し、 A及び Bはそれぞれ独立に下記一般式（2)又は（3)で表される二価の基である。

[0028] [化 7]

(式中、 R⁴〜R^Uはそれぞれ独立して水素、水酸基、ハロゲン基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、リン酸エステル基、エステル基、チォエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノォキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチォ基、ァシル基又はスルホン基を示し、 m及び nはそれぞれ独立に 1以上の整数で、 m+n≤20を満足する。 )

[0029] なお、キノンジィミン体とは、その骨格中に、下記式で示される部分構造を有する化合物を意味する。 [0030] [ィ匕 8]

(式中、 R⁴〜R⁶は上記と同じ。）

[0031] この場合、の具体例としては、先に共役単位上の置換基で述べたものと同様の置換基が挙げられ、これらの置換基は、さらにその他の任意の置換基で置換されていてもよい。

さらに分子内の π共役系をなるベく拡張させた方が、得られる電荷輸送性薄膜の電荷輸送性が向上することから、特に、一般式 (4)で表されるオリゴァ-リン誘導体、又はその酸ィ匕体であるキノンジィミン誘導体を用いることが好まし、。

[0032] [化 9]

(式中、〜、 m, nは、上記と同じ意味を示す。 )

[0033] 一般式（1)及び (4)において、 m+nは、良好な電荷輸送性を発揮させるという点力も 4以上であることが好ましぐ溶媒に対する溶解性の確保するという点から 16以下であることが好ましい。

これらの電荷輸送物質は 1種類のみを使用してもよく、また 2種類以上の物質を組み合わせて使用しても良!、。

このような化合物の具体例としては、フエ-ルテトラァ-リン、フエ-ルペンタァ-リン

、テトラァ-リン (ァ-リン 4量体）、ォクタァ-リン (ァ-リン 8量体)等の有機溶媒に可溶なオリゴァ-リン誘導体が挙げられる。

[0034] なお、これらの電荷輸送性オリゴマーの合成法としては、特に限定されないが、オリゴァ-リン合成法（ブレティン'ォブ ·ケミカル ·ソサエティ ·ォブ ·ジャパン（Bulletin of Chemical Society of Japan) , 1994年、第 67卷、 p. 1749— 1752、及びシンセテイツク 'メタルズ（Synthetic Metals)、米国、 1997年、第 84卷、 p. 119— 120参照）や、ォリゴチォフェン合成法（例えば、ヘテロサイクルズ（Heterocycles)、 1987年、第 26卷、 p. 939— 942、及びへテロサイクルズ（Heterocycles)、 1987年、第 26卷、 p. 179 3 - 1796参照）などが挙げられる。

[0035] 本発明の電荷輸送性ワニスには、電荷輸送物質を用いる態様に加え、上述した電荷輸送物質と電荷受容性ドーパント物質とからなる電荷輸送性有機材料を用いることもできる。なお、電荷輸送性有機材料は、溶剤によって溶解すれば特に限定されない。

ここで、電荷受容性ドーパント物質としては、正孔輸送性物質に対しては電子受容性ドーパント物質を、電子輸送性物質に対しては正孔受容性ドーパント物質を用いることができ、、ずれも高、電荷受容性を有することが望ま、。

さらに、電荷輸送性オリゴァ-リンが一般的に正孔輸送性を示すことから、電荷受容性ドーパント物質としては、電子受容性ドーパント物質を用いることが好ま、。

[0036] 電子受容性ドーパントの具体例としては、ベンゼンスルホン酸、トシル酸、カンファスルホン酸、ヒドロキシベンゼンスルホン酸、 5—スルホサリチル酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸のような有機強酸、 7, 7, 8, 8—テトラシァノキノジメタン（TCNQ)、 2, 3—ジクロロ一 5, 6—ジシァノー 1, 4—ベンゾキノン（DDQ)のような酸化剤が挙げられる力これに限定されるものではない。

これらの電子受容性ドーパント物質は 1種類のみを使用してもよぐまた 2種類以上の物質を組み合わせて使用しても良、。

[0037] 本発明にお、ては、電荷輸送物質、電荷受容性ドーパント物質の両者とも非晶質固体であることが好ましいが、少なくとも一方の物質として結晶性固体を使用する必要がある場合、電荷輸送性ワニスを成膜した後、非晶質固体性を示す材料を用いることが好ましい。

特に、電荷輸送物質又は電荷受容性ドーパント物質の少なくとも一方が、結晶性固体の場合、少なくとも一方の物質はランダムな分子間相互作用を有する物質であることが好ましぐ電荷受容性ドーパントとして低分子化合物を使用する場合、例えば、同一分子内に 3種類以上の異なった極性官能基を持つ化合物が良い。

このような化合物としては、特に限定されるものではなぐ例えば、タイロン、ジヒドロキシベンゼンスルホン酸、一般式（5)で示されるスルホン酸誘導体が挙げられるが、特に一般式（5)で示されるスルホン酸誘導体が好ま Uヽ。このスルホン酸誘導体の具体例としては、スルホサリチル酸誘導体、例えば、 5—スルホサリチル酸などが挙げられる。

[0038] [化 10]

(式中、 Dはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フエナントレン環又は複素環を表し、 R¹²及び R¹³は、それぞれ独立して、カルボキシル基若しくはヒドロキシル基を表す。）

また、一般式 (6)で示されるスルホン酸誘導体も好適に用いることができる。

[化 11]

2

[0040] 電荷受容性ドーパント物質は電荷輸送物質 1に対し、下限として通常 0. 01、好ましくは 0. 2、上限は電荷輸送物質と電荷受容性ドーパント物質が溶剤に完全に溶解している限り特に限定されないが、好ましくは 10の質量比でカ卩える。

[0041] 良溶媒とは、基質をよく溶解する有機溶剤 (高溶解性溶剤)であり、具体例としては、 N, N—ジメチルホルムアミド（153°C)、 N, N—ジメチルァセトアミド（165°C)、 N— メチルピロリドン（202°C)、 1, 3 ジメチルー 2 イミダゾリジノン（225°C)及びジメチルスルホキシド（189°C)、 N シクロへキシル 2 ピロリジノン（284°C)等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの良溶媒の中でも、 N, N ジメチルァセトアミド（165°C)、 1, 3 ジメチルー 2—イミダゾリジノン（225°C)が好ましぐ 1 , 3 ジメチル— 2—イミダゾリジノン（225°C)がより好ましい。なお、括弧内の数値は、 760mmHg下の沸点を示し、以降、同様に記す。

ワニスに使用する溶剤全体に対する良溶媒の含有割合は、特に限定されないが、通常、 1〜90重量％の割合である。良溶媒によって基質が溶解することが好ましい。

[0042] 貧溶媒とは、ワニスの表面張力、極性、沸点、粘度等を調整して基材への濡れ性を向上させ、焼成時に膜の平坦性を付与するための有機溶剤である。さらに、貧溶媒の添加には、スピンコート、インクジェット、印刷及びスプレー法などのウエットプロセスに対応させたワニスを調整するという目的もある。

[0043] 貧溶媒の具体例を下記に挙げるが、これらに限定されるものではない。

芳香族炭化水素としては、ベンゼン（80°C)、トルエン（li e)、ェチルベンゼン（1 36°C)、p キシレン（138°C)、 o キシレン（138°C)、スチレン（145°C)等が挙げられる。

ケトン類としては、アセトン（56°C)、メチルェチルケトン（80°C)、メチルイソプロピルケトン（94°C)、ジェチルケトン（102°C)、メチルイソブチルケトン（117°C)、メチルノ一マルブチルケトン（127°C)、シクロへキサノン（155°C)、ェチルノーマルアミルケトン（167°C)等が挙げられる。

エステル類としては、酢酸ェチル（77°C)、酢酸イソプロピルケトン（85°C)、酢酸ノ一マルプロピル（101°C)、酢酸イソブチル（116°C)、酢酸ノーマルブチル（125°C)、酢酸ノーマルアミル（142°C)、カプロン酸メチル（151°C)、酢酸 2 メチルペンチル（162°C)、乳酸ノーマルブチル（186°C)等が挙げられる。

[0044] グリコールエステル、グリコールエーテル類としては、エチレングリコールジメチルェ一テル（85°C)、プロピレングリコールモノメチルエーテル（119°C)、エチレングリコールモノメチルエーテル（124°C)、プロピレングリコールモノェチルエーテル（132°C) 、エチレングリコーノレモノェチノレエーテル（136°C)、エチレングリコーノレモノイソプロピルエーテル（144°C)、エチレングリコールメチルエーテルアセテート（145°C)、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（146°C)、エチレングリコーノレェチルエーテルアセテート（156°C)、ジエチレングリコールジメチルエーテル（162°C)、プロピレングリコールモノブチルエーテル（170°C)、エチレングリコーノレモノブチノレエ一テル（171°C)、ジエチレングリコールジェチルエーテル（188°C)、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル（189°C)、ジエチレングリコールモノメチルエーテル（19 4°C)、ジプロピレングリコールモノェチルエーテル（198°C)、ジエチレングリコールモノエチルエーテル（202°C)、トリエチレングリコールジメチルエーテル（216°C)、ジェチレングリコールモノェチルエーテルアセテート（217°C)、ジエチレングリコール（24 4°C)等が挙げられる。

[0045] アルコール類としては、メタノール (65°C)、エタノール (78°C)、イソプロパノール（8 2°C)、 tert—ブタノール（83°C)、ァリルアルコール（97°C)、ノーマルプロパノール（ 97°C)、 2—メチルー 2 ブタノール（102°C)、イソブタノール（108°C)、ノーマルブタノール（117°C)、 2—メチルー 1ーブタノール（130°C)、 1 ペンタノール（137°C) 、 2—メチルー 1 ペンタノール（148°C)、 2 ェチルへキサノール（185°C)、 1ーォクタノール（196°C)、エチレングリコール（197°C)、へキシレングリコール（198°C)、トリメチレングリコール（214°C)、 1ーメトキシー 2 ブタノール（135°C)、シクロへキサノール（161°C)、ジアセトンアルコール（166°C)、フルフリルアルコール（170°C)、テトラヒドロフルフリルアルコール（178°C)、プロピレングリコール（187°C)、ベンジルァルコール（205°C)、 1, 3 ブタンジオール（208°C)等が挙げられる。

[0046] フエノール類としては、ァ-ソール（154°C)、フエノール（182°C)、 m—クレゾ一ル（ 202°C)等が挙げられる。

エーテル類及びカルボン酸類としては、イソプロピルエーテル（68°C)、 1,4ージォキサン（10 、酢酸（117°C)、 y—ブチルラクトン（204°C)等が挙げられる。

これらの貧溶媒の中でも、ケトン類、グリコールエーテル類、アルコール類が好ましく、グリコールエーテル類、アルコール類がより好ましい。

[0047] ワニスに使用する溶剤全体に対する貧溶媒の含有割合は、特に限定されないが、通常、 1〜90重量％、好ましくは 1〜50重量％の割合である。

ただし、良溶媒に貧溶媒を混合したときに、均一な溶液とならず、分液またはエマルシヨン状態となってしまう良溶媒及び貧溶媒の組み合わせは、好ましくな!/、。

そのような組み合わせの例としては、良溶媒 N, N ジメチルァセトアミド、貧溶媒ノ一マルペンタン、ノーマルへキサン、ノーマルオクタン及びシクロへキサン等の組み合わせが挙げられる。

[0048] 本発明では、良溶媒及び良溶媒よりも少なくとも 20°C低、沸点（760mmHg下）を有する貧溶媒を使用する。好適な溶媒組成としては、 N—メチルピロリドン（202°C)とエチレングリコールモノブチルエーテル（171°C)、 N, N ジメチルホルムアミド（153

3 ジメチルー 2 イミダゾリジノン（225°C

)とイソブタノール（108°C)、 1, 3 ジメチルー 2 イミダゾリジノン（225°C)とシクロへキサノール（161°C)、 1, 3 ジメチルー 2 イミダゾリジノン（225°C)とプロピレングリコールモノェチルエーテル（132°C)等が挙げられる力これらに限定されるものではない。

これらの溶媒組成の中でも、 1, 3 ジメチル一 2—イミダゾリジノン（225°C)とイソブタノール（108°C)、 1, 3 ジメチルー 2 イミダゾリジノン（225°C)とシクロへキサノール（161°C)、 1, 3 ジメチルー 2 イミダゾリジノン（225°C)とプロピレングリコールモノエチルエーテル（132°C)が好ましぐ 1, 3 ジメチルー 2 イミダゾリジノン（225°C )とシクロへキサノール（161°C)がより好ましい。

[0049] 一方、好ましくない溶媒組成としては、 N, N—ジメチルァセトアミド（165°C)と 2 フエノキシエタノール（237°C)、 1, 3 ジメチルー 2 イミダゾリジノン（225°C)とジェチレンダリコール（244°C)等が挙げられる。これらは、良溶媒の沸点よりも高い貧溶媒を使用しており、異物の発生を抑制することが困難な溶媒組成である。

[0050] 本発明のワニスを基材上に塗布し、溶剤を蒸発させることにより、塗膜を形成できる。塗布方法としては、特に限定されるものではないが、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り、スプレー法及びインクジェット法等が挙げられ、各々均一な成膜が可能である。

溶剤の蒸発法としては、特に限定されるものではないが、ホットプレート、プロキシミティホットプレートやオーブンなどを用いて、適切な雰囲気下、即ち大気、窒素等の不活性ガス、又は真空中で蒸発を行い、均一な成膜面を有する薄膜が得られる。焼成温度としては、溶剤を蒸発できる温度であれば、特に限定されないが、 40〜2 50°Cが好ましい。また、薄膜の高平坦化性及び高均一性を発現させるため、又は基材上で反応を進行させるために、成膜時に 2段階以上の温度変化をつけてもょ、。

[0051] 薄膜の異物は、半定量的に、かつ、大面積の基板で評価するため、 KLA— Tenco r社製表面異物検査装置 Surf scan (商標） 6220を使用して定量される。この測定により、薄膜の平坦化性及び均一性、並びに異物の発生を観察することができる。本発明の電荷輸送性ワニスを用いることで、平坦化性及び均一性に優れ、異物の発生が著しく抑制された薄膜を得ることができるが、異物の発生という点では、特に、固形分 1. 0%の電荷輸送性ワニスから作製され、 KLA— Tencor社製表面異物検査装置 Surf scan (商標） 6220を用いて、 0. 5 mまでの異物を 80%の捕獲率で検出できる条件で測定したディフタト数が、 30nmの膜厚の場合に 100以下である薄膜が好適である。本発明の電荷輸送性ワニスを用いることで、上記ディフエタト数を満たす薄膜を容易に得ることができ、固形分 3. 0%というより異物が出やすい固形分濃度のワニスを用いた場合でも、上記測定条件下におけるディフエタト数 100以下 (膜厚 30 nm)の薄膜が得られることもある。薄膜の作製はクラス 100のクリーンルーム内で、異物の測定はクラス 1のクリーンルーム内で行う。

なお、ウェハに照射されたレーザーが、ウェハ上のディフエタト (異物やムラ）で反射された場合、その光の角度及び強度は、ディフエタトの無いウェハで反射されたそれと異なっている。この異なる角度及び強度を有する光を検出器で観察するのが、表面異物検査装置の基本原理であるが、この反射光の検出は基本的には確率論であつて、上記「80%の捕獲率」とは、ウェハ上のディフエタトを少なくとも 80%は観察できることを意味している（すなわち、残りの 20%は捕捉することができないかも知れない領域である)。

[0052] 本発明の電荷輸送性ワニス (電荷輸送性薄膜)を使用する OLED素子の作製方法、使用材料としては、下記のものが挙げられる力これに限定されるものではない。使用する電極基板は、洗剤、アルコール、純水等による液体洗浄を予め行って浄化しておき、陽極基板では使用直前にオゾン処理、酸素プラズマ処理等の表面処理を行うことが好ましい。ただし陽極材料が有機物を主成分とする場合、表面処理は行わなくともよい。

[0053] 正孔輸送性ワニスを OLED素子に使用する場合は、以下の方法により薄膜を形成すればよい。

すなわち、正孔輸送性ワニスを上記の塗布方法により陽極基板に塗布し、陽極上に正孔輸送性薄膜を作製する。これを真空蒸着装置内に導入し、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極金属を順次蒸着して OLED素子とする。発光領域をコントロールするために任意の層間にキャリアブロック層を設けてもよ、。

陽極材料としては、インジウム錫酸ィ匕物 (ITO)、インジウム亜鉛酸化物 (IZO)に代表される透明電極が挙げられ、平坦化処理を行ったものが好ましい。高電荷輸送性を有するポリチォフェン誘導体や、ポリア-リン類を用いることもできる。

[0054] 正孔輸送層を形成する材料としては、例えば、（トリフエ-ルァミン)ダイマー誘導体

(TPD)、 ( a—ナフチルジフエ-ルァミン）ダイマー（ α NPD)、 [ (トリフエ-ルアミン）ダイマー]スピロダイマー（Spiro— TAD)等のトリアリールアミン類、 4, 4，， 4"ートリス [3—メチルフエ-ル（フエ-ル）ァミノ]トリフエ-ルァミン（m— MTDATA)、 4, 4， , 4" -トリス [ 1-ナフチル（フエ-ル）ァミノ]トリフエ-ルァミン（ 1— ΤΝΑΤΑ)等のスタ一バーストアミン類； 5, 5 "—ビス {4 [ビス（4 メチルフエ-ル）ァミノ]フエ-ル} —2, 2' : 5 ' , 2"ターチォフェン（ΒΜΑ—3Τ)等のオリゴチォフェン類が挙げられる。

[0055] 発光層を形成する材料としては、例えば、トリス（8 キノリノラート)アルミニウム (III)

(Alq )、ビス（8 キノリノラート）亜鉛 (II) (Znq )、ビス（2—メチルー 8 キノリノラート

3 2

) (p—フエ-ルフエノラート）アルミニウム（III) (BAlq)、 4, 4，一ビス（2,2 ジフエ-ルビュル)ビフエニル (DPVBi)等が挙げられる。なお、上述した正孔輸送層を形成する材料又は下記電子輸送層を形成する材料と発光性ドーパントとを共蒸着することによって発光層を形成してもよい。この場合、発光性ドーパントとしては、キナクリドン、ルブレン、クマリン 540、 4— (ジシァノメチレン） 2—メチル 6— (p ジメチルァミノスチリル） 4H ピラン（DCM)、トリス（2—フエ-ルビリジン)イリジウム（III) (lr(ppy ) )及び（1, 10 フエナント口リン）—トリス（4, 4, 4 トリフルォロ 1— (2 チェ-

3

ル）ブタン 1, 3 ジオナート）ユーロピウム（III) (Eu(TTA) phen)等が挙げられ

3

る。

[0056] 電子輸送層を形成する材料としては、例えば、 Alq、 BAlq、 DPVBi、（2— (4—ビ

3

フエ-ル）ー5—（4 t—ブチルフエ-ル）—1, 3, 4 ォキサジァゾール）（PBD)、トリアゾール誘導体 (TAZ)、バソクプロイン (BCP)、シロール誘導体等が挙げられる。電子注入層を形成する材料としては、例えば、酸化リチウム (Li 0)、酸化マグネシ

2

ゥム（MgO)、アルミナ（Al O )、フッ化リチウム（LiF)、フッ化マグネシウム（MgF )、

2 3 2 フッ化ストロンチウム（SrF )、 Liq、 Li(acac)、酢酸リチウム、安息香酸リチウム等が

2

挙げられる。

陰極材料としては、例えば、アルミニウム、マグネシウム銀合金、アルミニウムーリチウム合金、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等が挙げられる。

キャリアブロック層を形成する材料としては、例えば、 PBD、 TAZ、 BCP等が挙げられる。

[0057] 電子輸送性ワニスを OLED素子に使用する場合は、以下の方法により薄膜を形成すればよい。

すなわち、電子輸送性ワニスを上記の塗布方法により陰極基板に塗布し、陰極基板上に電子輸送性薄膜を作製する。これを真空蒸着装置内に導入し、上記と同様の材料を用いて電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層を形成した後、陽極材料をスパッタリング等の方法により成膜して OLED素子とする。

[0058] 本発明の電荷輸送性ワニスを用いた PLED素子の作製方法としては、以下の方法が挙げられるが、これに限定されるものではない。

OLED素子作製で行った正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の真空蒸着操作の代わりに、発光性電荷輸送性高分子層を形成することで、本発明の電荷輸送性ワニスカゝらなる電荷輸送性薄膜を含む PLED素子を作製することができる。

[0059] 具体的には、 OLED素子と同様の方法で陽極基板上に正孔輸送性薄膜を作製し、その上部に発光性電荷輸送性高分子層を形成し、さらに陰極電極を蒸着して PLE D素子とする。

あるいは、 OLED素子と同様の方法により陰極基板上に電子輸送性薄膜を作製し、その上部に発光性電荷輸送性高分子層を形成し、さらに、スパッタリング、蒸着、スピンコート等の方法により陽極電極を作製して PLED素子とする。

[0060] 使用する陰極及び陽極材料としては OLED素子で例示した材料と同様のものが使用できる。洗浄処理、表面処理も、 OLED素子で説明した処理法と同様に行うことができる。

発光性電荷輸送性高分子層の形成法としては、発光性電荷輸送性高分子材料又はこれに発光性ドーパントを加えた材料に対し、溶剤を加えて溶解又は分散し、正孔注入層を予め形成した電極基板に塗布した後に、溶剤を蒸発させて成膜する方法が挙げられる。

発光性電荷輸送性高分子材料としては、例えば、ポリ（9, 9ージアルキルフルォレン）（PDAF)等のポリフルオレン誘導体、ポリ（2—メトキシー 5—（2，ーェチルへキソキシ） 1, 4 フエ-レンビ-レン）（MEH— PPV)等のポリフエ-レンビ-レン誘導体、ポリ（3—アルキルチオフェン）（PAT)などのポリチォフェン誘導体、ポリビ-ルカルバゾール（PVCz)等が挙げられる。

[0061] 溶剤としては、トルエン、キシレン、クロ口ホルム等が挙げられ、溶解又は均一分散法としては、例えば、攪拌、加熱攪拌、超音波分散等の方法が挙げられる。

塗布方法としては、特に限定されるものではなぐ例えば、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、インクジェット法、スプレー法、刷毛塗り等が挙げられ、窒素、アルゴン等の不活性ガス下で塗布することが望ましい。

溶剤の蒸発法としては、例えば、不活性ガス下又は真空中、オーブン又はホットプレートで加熱する方法が挙げられる。

実施例

[0062] 以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではな、。

[実施例 1]

式（7)に示すフエニルテトラァ-リン（以下 PTAと略す）は、ブレティン ·ォブ *ケミカル.ソサエティ.ォブ.ジャパン（Bulletin of Chemical Society of Japan)、 1994年、第 6 7卷、 P.1749— 1752に従って、 p—ヒドロキシジフエ-ルァミンと p—フエ-レンジアミンとから合成した (収率 85%)。

[0063] [化 12]

[0064] 得られた PTA 0. 0500g (0. 1130mmol)と、式（8)に示す 5—スノレホサリチノレ酸

(5 - SSA) (和光純薬社品） 0. 0986g (0. 4520mmol)とを窒素雰囲気下、 1, 3— ジメチル— 2—イミダゾリジノン（DMI) 5. 8846gに完全に溶解させた。

[0065] [化 13]

[0066] 得られた溶液にシクロへキサノール（c— HexOH) 8. 8268gを加えて攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した（固形分 1. 0%)。

図 1に実施例 1のワニスを、シリコンウェハ上にて成膜、焼成した電荷輸送性薄膜の表面異物検査測定結果を示す。

[0067] [比較例 1]

実施 f列 1と同様に、 PTA 0. 0500g (0. 1130mmol)と、 5— SSA 0. 0986g (0 . 4520mmol)とを窒素雰囲気下、 N, N-ジメチルァセトアミド (DMAc)5. 8846gに完全に溶解させた。

得られた溶液に c—HexOH 8. 8268gをカ卩えて攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した（固形分 1. 0%)。図 2に比較例 1のワニスをシリコンウェハ上にて成膜、焼成した電荷輸送性薄膜の表面異物検査測定結果を示す。

[0068] [比較例 2]

実施 f列 1と同様に、 PTA 0. 0500g (0. 1130mmol)と、 5— SSA 0. 0986g (0 . 4520mmol)とを窒素雰囲気下、 DMAc 5. 8846gに完全に溶解させた。

得られた溶液に 2—フエノキシエタノール（2— PhEt) 8. 8268gを加えて攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した（固形分 1. 0%)。図 3に比較例 2のワニスをシリコンウェハ上に成膜、焼成した電荷輸送性薄膜の表面異物検査測定結果を示す。

[0069] [比較例 3]

実施 f列 1と同様に、 PTA 0. 0500g (0. 1130mmol)と、 5— SSA 0. 0986g (0 . 4520mmol)とを窒素雰囲気下、 DMI 5. 8846gに完全に溶解させた。

得られた溶液にジエチレングリコール (DEG) 8. 8268gをカ卩えて攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した（固形分 1. 0%)。図 4に比較例 3のワニスをシリコンウェハ上にて成膜、焼成した電荷輸送性薄膜の表面異物検査測定結果を示す。

[0070] [実施例 2]

実施 f列 1と同様に、 PTA 0. 1000g (0. 2260mmol)と、 5— SSA 0. 1972g (0 . 9040mmol)とを窒素雰囲気下、 DMI 4. 1775gに完全に溶解させた。

得られた溶液に c—HexOH 6. 2662gをカ卩えて攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した（固形分 3. 0%)。

[0071] [実施例 3]

実施 f列 1と同様に、 PTA 0. 1000g (0. 2260mmol)と、 5— SSA 0. 1972g (0 . 9040mmol)とを窒素雰囲気下、 N—メチルピロリドン（NMP) 4. 1775gに完全に溶解させた。

[0072] [比較例 4]

実施 f列 1と同様に、 PTA 0. 1000g (0. 2260mmol)と、 5— SSA 0. 1972g (0 . 9040mmol)とを窒素雰囲気下、 DMAc 4. 1775gに完全に溶解させた。

[0073] [実施例 4]

得られた溶液にプロピレングリコールモノェチルエーテル（PGME) 8. 8268gを加えて攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した (固形分 1. 0%)。

[0074] [実施例 5]

得られた溶液にプロピレングリコールモノェチルエーテル（PGME) 8. 8268gを加え攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した (固形分 1. 0%)。

[0075] [実施例 6]

実施 f列 1と同様に、 PTA 0. 0500g (0. 1130mmol)と、 5— SSA 0. 0986g (0 . 4520mmol)とを窒素雰囲気下、 DMI 1. 471 lgに完全に溶解させた。

得られた溶液に c—HexOH 13. 2403gを加えて攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した（固形分 1. 0%)。

[0076] [実施例 7]

実施 f列 1と同様に、 PTA 0. 0500g (0. 1130mmol)と、 5— SSA 0. 0986g (0 . 4520mmol)とを窒素雰囲気下、 DMI 10. 2980gに完全に溶解させた。

得られた溶液に c— HexOH 4. 4134gをカ卩えて攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した（固形分 1. 0%)。

[0077] [実施例 8]

実施 f列 1と同様に、 PTA 0. 0500g (0. 1130mmol)と、 5— SSA 0. 0986g (0 . 4520mmol)とを窒素雰囲気下、 DMI 4. 4134gに完全に溶解させた。

得られた溶液に c— HexOH 10. 2980gを加えて攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した（固形分 1. 0%)。

[0078] [比較例 5]

実施 f列 1と同様に、 PTA O. 0500g (0. 1130mmol)と、 5— SSA 0. 0986g (0. 4520mmol)とを窒素雰囲気下、 DMAc 5. 8846gに完全に溶解させた。

得られた溶液にシクロへキサノン (CHN) 8. 8268gをカ卩ぇ攪拌し、電荷輸送性ヮ- スを調製した (固形分 1. 0%)。 [0079] [比較例 6]

実施 f列 1と同様に、 PTAO.0500g(0. 1130mmol)と、 5— SSAO.0986g(0. 4520mmol)とを窒素雰囲気下、 DMAc 5.8846gに完全に溶解させた。

得られた溶液にエチレングリコールモノプロピルエーテル（EGMPE) 8.8268gを加え攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した (固形分 1.0%)。

[0080] [比較例 7]

得られた溶液に 2—メチル— 1—ペンタノール（2MelPeOH)8.8268gを加え攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した（固形分 1.0%)。

[0081] [実施例 10]

得られた溶液にエチレングリコールメチルエーテルアセテート（EGMEA) 8.8268 gを加え攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した (固形分 1.0%)。

[0082] [実施例 11]

得られた溶液に酢酸— n—ァミル (MPeEst)8.8268gを加え攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した（固形分 1.0%)。

[0083] [実施例 12]

得られた溶液に 1—ペンタノール（lPeOH)8.8268gを加え攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した（固形分 1.0%)。

[0084] [比較例 8]

実施 f列 1と同様に、 PTA 0.0500g(0. 1130mmol)と、 5— SSA 0.0986g(0 .4520mmol)とを窒素雰囲気下、 1, 3—ジメチルー 2—イミダゾリジノン（DMI) 14. 7114gに完全に溶解させ、電荷輸送性ワニスを調製した（固形分 1. 0%)。

[0085] [比較例 9]

実施 f列 1と同様に、 PTA 0. 0500g (0. 1130mmol)と、 5— SSA 0. 0986g (0 . 4520mmol)とを窒素雰囲気下、 N—メチルピロリドン（NMP) 14. 7114gに完全に溶解させ、電荷輸送性ワニスを調製した（固形分 1. 0%)。

[0086] [比較例 10]

実施 f列 1と同様に、 PTA 0. 0500g (0. 1130mmol)と、 5— SSA 0. 0986g (0 . 4520mmol)とを窒素雰囲気下、 N, N—ジメチルァセトアミド（DMAc) 14. 7114 gに完全に溶解させ、電荷輸送性ワニスを調製した（固形分 1. 0%)。

[0087] [比較例 11]

実施 f列 1と同様に、 PTA O. 0500g (0. 1130mmol)と、 5— SSA 0. 0986g (0. 4520mmol)とに窒素雰囲気下、シクロへキサノール (c— HexOH)14. 7114gをカロえた。 PTAは c— HexOHに全く溶解せず、固形分が分散した電荷輸送性ワニスを調製した (理論固形分 1. 0%)。

[0088] [比較例 12]

実施 f列 1と同様に、 PTA O. 0500g (0. 1130mmol)と、 5— SSA 0. 0986g (0. 4520mmol)とに窒素雰囲気下、メタノール (MeOH)14. 7114gを加えた。 PTAは MeOHに全く溶解せず、固形分が分散した電荷輸送性ワニスを調製した (理論固形分 1. 0%)。

[0089] [比較例 13]

実施 f列 1と同様に、 PTA O. 0500g (0. 1130mmol)と、 5— SSA 0. 0986g (0. 4520mmol)とに窒素雰囲気下、グリセリン (Gly)14. 7114gを加えた。 PTAは Gly に全く溶解せず、固形分が分散した電荷輸送性ワニスを調製した (理論固形分 1. 0 %)。

[0090] [比較例 14]

実施 f列 1と同様に、 PTA O. 0500g (0. 1130mmol)と、 5— SSA 0. 0986g (0. 4520mmol)とに窒素雰囲気下、メタノール (MeOH) 10. 2980gとシクロへキサノール（c— HexOH) 4. 4134g (MeOH : c— HexOH = 7 : 3)を加えた。 PTAは MeOH ： c -HexOH = 7： 3の混合溶媒に全く溶解せず、固形分が分散した電荷輸送性ヮニスを調製した (理論固形分 1. 0%)。

[0091] [比較例 15]

実施 f列 1と同様に、 PTA O. 0500g (0. 1130mmol)と、 5— SSA O. 0986g (0. 4520mmol)とに窒素雰囲気下、メタノール (MeOH) 10. 2980gとグリセリン（Gly) 4. 4134g (MeOH : Gly= 7 : 3)をカ卩えた。 PTAは MeOH : Gly= 7 : 3の混合溶媒に全く溶解せず、固形分が分散した電荷輸送性ワニスを調製した (理論固形分 1. 0 %)。

[0092] 各々の電荷輸送性薄膜は、 40分間オゾン洗浄を行ったシリコンウェハ上に、各ヮ- スをスピンコート法により塗布し、空気中 200°Cで 60分間焼成を行って 30nmの薄膜とした。シリコンウェハは、クラス 100のクリーンルーム中で開封し、焼成も一貫してタリーンルーム内で行った。なお、シリコンウェハには、直径 6インチ、 Nタイプ、低効率 5 〜7 Q cm、方位（100)、厚みが 625 ± 25nmの規格品を使用した。

膜厚は、日本真空技術社製表面形状測定装置 DEKTAK3STを、 Ipは、理研計器社製光電子分光装置 AC— 2を使用して測定した。異物の定量は、 KLA-T encor社製表面異物検査装置 Surf scan (商標） 6220を使用して測定した。

[0093] 表面異物検査は、クラス 1のクリーンルーム内で行った。表面異物検査装置は 0. 5 mまでの異物を 80%の捕獲率で検出し、そのサイズを測定、カウントする条件とした。レーザービームには、アルゴンイオンレーザーを使用し、直径 90 mの円に焦点を合わせ、基板表面に対して通常の入射で直接パスを高速でスキャンした (なお、 K LA—Tencor社製表面異物検査装置 Surf scan (商標） 6220において、これ以外のスキャン法を採用することはできない)。レーザービームが基板上の異物を照らすと、光が入射点力ゝら全方向に散乱し、この散乱光が光学系に収集され、低ノイズ光電子増倍管に導かれて倍増後、デジタル化される。

デジタルィ匕された異物は、 0. 5〜0. 6、 0. 6〜0. 7、 0. 7〜0. 8、 0. 8〜0. 9、 0. 9〜1. 0、 1. 0〜3. 0、 3. 0〜5. 0、 5. 0〜28. に分類され、各々のカウン卜の合計が測定できる。なお、異物をカウントできる上限はディフエタト数が 30000と設定した。ディフエタト数は上述した通り、厳密には光学補正された数値であることから、異物以外の基板上の傷なども収集してしまう。そこで、表面異物検査は、基板上の傷などの影響に細心の注意を払って行、、傷由来のデータは除!、た。

[0094] 表 1に実施例 1及び比較例 1 3の表面異物検査測定の結果を示す。

実施例 1は、混合溶媒の組成が良溶媒と良溶媒よりも少なくとも 20°C低い沸点（76 OmmHg下）を有する貧溶媒とで構成された系であり、良溶媒の DMIの沸点が 225 °Cで、貧溶媒の c— HexOHの沸点が 161°Cである。

一方、比較例 1は、混合溶媒の組成が良溶媒とほぼ同じ沸点（760mmHg下）を有する貧溶媒とで構成された系であり、良溶媒の DMAcの沸点が 165°Cで、貧溶媒の c HexOHの沸点が 161°Cである。

また、比較例 2及び 3は、混合溶媒の組成が良溶媒と良溶媒よりも高沸点（760mm Hg下）の貧溶媒とで構成された系であり、比較例 2は良溶媒の DMAcの沸点が 165 °Cで、貧溶媒の 2— PhEtの沸点が 237°C、比較例 3は良溶媒の DMIの沸点が 225 °Cで、貧溶媒の DEGの沸点が 244°Cである。

[0095] 図 1及び図 2では、ディフエタトが抑制されて、異物の少ない極めて良好な電荷輸送性薄膜が得られた。これらは固形分 1%の例であり、基準としてディフタト数が 100

CO

以下の場合を良好な薄膜表面とした。

ここで、図 1及び図 2を比較すると、図 1 (実施例 1)の方が異物を抑制できていることが分かる。これに対して、図 3及び図 4では、ディフエタト数が上限の 30000を超える結果となった。このような電荷輸送性薄膜上の異物は、有機 EL素子とした場合、電気短絡の原因となり、歩留まりと生産効率の低下を促す要因となる。

[0096] [表 1]

ディフエクトサイズ分布（/i m)

O. 5 -0. 6 O. 6 -0. 7 O. 7 -0. 8 O. 8 -0. 9 O. 9 - 1 . O 1 . 0-3. O 3. 0-5. O πΤ 実施例 1 8 7 6 2 2 18 8 8 59 比較例 1 21 t o 8 6 2 50 22 104 223 比較例 2 1647 1574 1344 1245 1016 8057 3864 1 1253 30000 比較例 3 2827 2294 1922 1648 1280 1 1739 4194 4096 30000 [0097] 表 2に実施例 2、 3及び比較例 4の表面異物検査測定の結果を示す。これらは固形分 3%の例であり、より異物が出やすい条件で実施した。ここでは、基準としてディフェクト数が 300以下の場合を良好な薄膜表面とした。

実施例 2、 3及び比較例 4は、良溶媒の沸点のみを変えて調製したワニスである。実施例 2は、良溶媒に沸点が 225°Cの DMIを、実施例 3は、良溶媒に沸点が 202°Cの NMPを、比較例 4は、良溶媒に沸点が 165°Cの DMAcを選択した。各々の混合溶媒の貧溶媒としては沸点が 161°Cの c— HexOHを選択し、固定した。

表 2に示されるように、良溶媒の沸点が大きくなり、貧溶媒の沸点とのコントラストが大きい溶媒組成の方が、基板上のディフエタトの抑制に効果的であり、より良好な薄膜表面が得られることがわかる。

[0098] このようなディフタト数の傾向は、基板上のワニスが蒸発するときに低沸点な溶媒が先に蒸発し、高沸点な溶媒が後力蒸発する機構によるものと考えられる。溶質に対して貧溶媒の有機溶剤が後から蒸発する溶媒組成であると、溶質の析出、凝集を促進し、異物の出現、及びディフエタト数の増加を招くと考えられる。

[0099] [表 2]

[0100] 表 3に実施例 1, 4, 5及び比較例 1の表面異物検査測定の結果を示す。

ここでは、これまでに示した c— HexOH以外の貧溶媒でも良好な薄膜表面を与えるかどうかを検討した。

実施例 4及び 5は貧溶媒に沸点が 132°Cの PGMEを選択した。表 3に示されるように、貧溶媒の種類が変わったとしても、良好な薄膜表面が得られることがわ力る。

[0101] [表 3] 良'' 貧; ¾ ί媒

名称沸点名称沸点

実施例 1 DMI 225°C c-HexOH 1 61 °C

実施例 4 DMAc 165°C PGME 1 32°C

実施例 5 DMI 225°C PGME 1 32°C

[0102] 表 4に実施例 1, 6, 7, 8の表面異物検査測定の結果を示す。

実施例 1では、良好な薄膜表面を得られたことを先に示した。これまでに示した良溶媒と貧溶媒の溶媒組成比は全て良溶媒：貧溶媒が 4： 6 (wt%)であったため、この溶媒組成比以外の組成比でも良好な薄膜表面を与えるかどうかを検討した。

実施例 6は良溶媒:貧溶媒が 1 : 9、実施例 7は良溶媒:貧溶媒が 7 : 3、実施例 8は良溶媒:貧溶媒が 3 : 7として、ワニスを調製した。表 4に示したように、混合溶媒組成比が変わったとしても、良好な薄膜表面が得られることがわかる。

[0103] [表 4]

[0104] 表 5に実施例 9〜11、及び比較例 5〜7の表面異物検査測定の結果を示す。

これまで、良溶媒と貧溶媒との混合溶媒において、 760mmHg下で、良溶媒の沸点が貧溶媒よりも高、溶媒組成が表面異物検査測定の結果、良好な薄膜表面を得られることを示してきた。そこで、良溶媒と貧溶媒との沸点の差（Δ )が実際に X°C離

T

れていると異物の抑制に効果的である力、閾値を明確ィ匕するために検討を行った。

[0105] 実施例 9〜11は、良溶媒に沸点力 165°Cの DMAcを選択し、貧溶媒にそれぞれ、沸点が 145°Cの EGMEA ( A = 20°C)、 142°Cの MPeEst ( Δ = 23°C)、 137°Cの τ τ

IPeOH ( Δ = 28°C)を選択し、混合溶媒とした。比較例 5〜7は良溶媒に沸点力 165°Cの DMAcを選択し、貧溶媒にそれぞれ、沸点が 148°Cの 2MelPeOH ( A = 17°C)、 155°Cの CHN ( Δ = 10°C)、 150°Cの E

GMPE ( Δ = 15°C)を選択し、混合溶媒とした。なお、貧溶媒は良溶媒である DMA cの沸点 165°Cを固定化したときに、 Δ 力 10,15,17,20,23,28°Cとなる溶媒を選択した。このとき、前述したように、良溶媒と混合しない貧溶媒であるノーマルペンタン、ノーマルへキサン、ノーマルオクタン、ノーマルノナンおよびシクロへキサン等は選択しなかった。

[0106] 表 5に示したように、実施例 9〜： L 1ではディフエタト数が低ぐ非常に異物の少ない薄膜表面が得られていた。一方、比較例 5〜7ではディフエタト数が大幅に上昇し、異物が多い薄膜表面となった。これは、良溶媒の沸点に貧溶媒の沸点を近づけすぎたことに起因していると考える。良溶媒と貧溶媒との沸点の差（Δ )が小さいと、基板を焼成する時に良溶媒と貧溶媒とがほぼ同時に蒸発していくため、貧溶媒が局在化した箇所力溶質由来の異物が出現すると考えられる。

実施例 12の結果と併せて考えると、良溶媒と貧溶媒との沸点の差 Δ 力 17°Cでは異物が発生し、 20°Cでは異物を抑制できることから、異物の出現を抑制できる良溶媒と貧溶媒との沸点差の閾値は 20°Cであること見出した。

[0107] [表 5]

表 6に、比較例 8〜 10の電荷輸送性ワニスから得られた薄膜表面の表面異物検査測定の結果を示す。比較例 8〜： L0は ΡΤΑと SSAにとつての良溶媒のみで構成された例である。

表 6の結果から、良溶媒のみの電荷輸送性ワニス力得られた薄膜表面の異物は比較的に少ないことか分力つた。しかし、良溶媒のみで構成されている電荷輸送性ヮニスは、焼成前あるいは焼成時のレべリング効果が低ぐ均一な成膜表面とならずにモャムラが出現した。モャムラは目視で確認できるほどのムラであり、特にエッジ部分に出現場所が集中していた。このモャムラは表面異物検査測定でディテクトされるため、合計で 200〜300程度のディフエタトとして確認された。異物が出現しなくても、均一で平坦化性の高、薄膜表面を得るためには、レべリング機能を有した貧溶媒の添加をすることが効果的であり、この例として実施例 1あるいは 4などが挙げられる。

[0109] [表 6]

[0110] 表 7に、比較例 11〜 15の電荷輸送性ワニス力も得られた薄膜表面の表面異物検查測定の結果を示す。比較例 11〜13は、 PTAにとつての貧溶媒のみで構成された例である。比較例 14, 15は、 PTAにとつての貧溶媒を 2種類混合した溶媒で構成された例である。

表 7の結果から、貧溶媒のみの電荷輸送性ワニス力得られた薄膜表面の異物は非常に多ぐ測定限界を越える異物が確認された。

また、本発明のワニスは、固形分が有機溶媒に完全に溶解していることを前提としているが、固形分の一方が溶解していない系の場合、薄膜表面のラフネスが著しく大きくなることがわ力つた。

なお、表面異物検査測定のディフエタト範囲でディテクトすることができな、ほど大ヽ異物が目視で多数確認された。

[0111] さらに、実施例 1のように PTAと SSA (ホストとァクセプター）が完全に有機溶媒に溶解している系では、溶解した状態でドーピングされており、成膜が容易で均一且つ平坦性の高い電荷輸送性薄膜を得ることができるが、比較例 11 13のように SSAが溶解しても PTAが溶解していない系の場合、溶液中でホストとァクセプターとのドービングが進行せず、成膜性が悪化し、均一且つ平坦化性の高い電荷輸送性薄膜を得ることができない。

特に、比較例 11の c— HexOHを電荷輸送性ワニスの溶媒に選択した場合、 c— H exOHの融点が 21 25°Cであり、融点以下になると固化してしまい、ハンドリング性および保存安定性が悪ぐ実際のプロセスに適合できる可能性が著しく低い。

[0112] また、 2種類の貧溶媒の混合溶媒を導電性ワニスの溶媒組成として選択した比較例 14, 15でも、比較例 11 13と同様に薄膜表面のラフネスが著しく大きくなることがわかった。なお、表面異物検査測定のディフエタト範囲でディテクトすることができないほど大きい異物が目視で多数確認された。したがって、混合溶媒を用いる場合、溶質に対しての良溶媒を少なくとも 1種用いる必要があることがわ力つた。

[0113] [表 7]

[0114] [実施例 12]

実施例 1の電荷輸送性ワニスを用、て ITO付きガラス基板上に 30nmの正孔輸送性薄膜を形成した後、真空蒸着装置内に導入し、 a— NPD Alq LiF、及び Alを

3

順次蒸着した。膜厚は、それぞれ 40nm 60nm 0. 5nm lOOnmとして、それぞれ 8 X 10— ⁴Pa以下の圧力となって力も蒸着操作を行った。その際の蒸着レートは LiF以外の材料については 0. 3 0. 4nmZs、また LiFについては 0. 02 0. 04nm/s とした。一連の蒸着操作は全ての層を蒸着するまで真空下で行った。導電率は ITO 付きガラス基板上に正孔輸送性薄膜を形成した後、真空蒸着装置内に導入し、 A1を lOOnm蒸着し、膜厚 30nm、 lOOmAZcm²通電時の電流電圧特性から算出した

[0115] [実施例 13]

実施例 4の電荷輸送性ワニスを使用した以外は、実施例 12と同様にして、 OLED 素子を作製し、特性を評価した。

[実施例 14]

実施例 5の電荷輸送性ワニスを使用した以外は、実施例 12と同様にして、 OLED 素子を作製し、特性を評価した。

[0116] [比較例 16]

比較例 1の電荷輸送性ワニスを使用した以外は、実施例 12と同様にして、 OLED 素子を作製し、特性を評価した。

[比較例 17]

比較例 2の電荷輸送性ワニスを使用した以外は、実施例 12と同様にして、 OLED 素子を作製し、特性を評価した。

[比較例 18]

比較例 3の電荷輸送性ワニスを使用した以外は、実施例 12と同様にして OLED素子を作製し、特性を評価した。

[0117] [比較例 19]

ITOガラス基板を 40分間オゾン洗浄した後、真空蒸着装置内に導入し、真空蒸着装置内で ITOガラス基板上に銅フタロシアニン (CuPC)を 30nm蒸着した。蒸着後、実施例 12に記載の方法と同条件で a—NPD、 Alq、 LiF、 Alを順次蒸着した。得ら

3

れた OLED素子の特性を評価した。

[0118] [比較例 20]

ポリエチレンジォキシチォフェンポリスチレンスノレホン酸水溶液をスピンコート法により ITOガラス基板上に塗布し、空気中 120°C1時間焼成し、 30nmの薄膜を得た。この薄膜を用いて、実施例 12に記載の方法を用いて OLED素子を作製し、 OLED の素子特性を評価した。

[0119] 表 8に実施例 12〜14及び比較例 16〜20の OLED素子の特性、 Ip、導電率を示す。 OLED素子の特性は、発光開始電圧あるいは lOmAZcm²及び 50mAZcm² を閾値とした時の電圧、輝度、発光効率を示した。

なお、 OLED素子の特性は、有機 EL発光効率測定装置 (EL1003、プレサイスゲージ社製)を使用して測定した。

[0120] 電気短絡の原因となる基板上の異物は本発明の電荷輸送性薄膜の場合、発光効率に顕著に現れる。異物が発生した場合、異物の部分で電荷集中が起こり、電流が注入されることで発光効率が低下する。すなわち、異物が少ない電荷輸送性薄膜では発光効率が良、ことがわ力つて、る。

[0121] [表 8]

[0122] OLED素子の特性において、ディフエタト数が抑制された薄膜を用いた実施例 12 は、ディフエタト数が非常に多い薄膜を用いた比較例 17及び 18よりも発光効率が約 2〜3cdZA程度向上した。なお、実施例 12の OLED素子の発光面は均一発光していたのに対して、比較例 17及び 18の発光面は不均一発光であった。

また、貧溶媒に PGMEを用いて混合溶媒としたワニス力も作成した薄膜の OLED 素子である実施例 13及び 14も均一発光であった。

ドライプロセスにおヽて、通常使用される正孔輸送性材料である CuPCを使用した比較例 19及びポリエチレンジォキシチォフェンポリスチレンスルホン酸を使用した比較例 20の OLED素子特性は、 lOmAZcm²及び 50mAZcm²の閾値において、本発明の電荷輸送性薄膜を使用した場合よりも低発光効率となった。

Claims

請求の範囲

[1] 分子量 200〜 1000の有機化合物又は分子量 200〜50万のオリゴマー若しくはポリマーからなる基質と、良溶媒及び良溶媒よりも少なくとも 20°C低い沸点（760mmH g下)を有する貧溶媒を含む溶剤を含有し、前記基質が前記溶剤中に溶解して!/ヽることを特徴とするワニス。

[2] 前記基質が、電荷輸送性モノマー、若しくは数平均分子量 200〜50万の電荷輸送性オリゴマー若しくはポリマー力なる電荷輸送物質、又はこの電荷輸送物質及び電子受容性ドーパント物質若しくは正孔受容性ドーパント物質力なる電荷輸送性有機材料である請求項 1記載の電荷輸送性ワニス。

[3] 前記電荷輸送物質が、共役単位を有する電荷輸送性モノマー又は共役単位を有する数平均分子量 200〜5000の電荷輸送性オリゴマーであり、かつ、単一の前記共役単位が連続して、る、又は相異なる 2種以上の前記共役単位が任意の順序の組み合わせで連続している請求項 2記載の電荷輸送性ワニス。

[4] 前記共役単位が、置換若しくは非置換、かつ、 2〜4価の、ァ-リン、チォフェン、ジチイン、フラン、ピロ一ノレ、ェチ-レン、ビ-レン、フエ二レン、ナフタレン、アントラセン、イミダゾール、ォキサゾール、ォキサジァゾール、キノリン、キノキザリン、シロール、シリコン、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、フエ二レンビニレン、フノレ才レン、力ノレノゾ一ル、トリアリールァミン、金属—若しくは無金属—フタロシアニン、及び金属—若しくは無金属ポルフィリンカ選ばれる少なくとも 1種である請求項 3記載の電荷輸送性ワニス。

[5] 前記電荷輸送物質が、一般式（1)で表されるオリゴァ-リン誘導体、又は一般式（1 )の酸ィ匕体であるキノンジィミン誘導体であることを特徴とする請求項 3記載の電荷輸送性ワニス。

[化 1]

〔式中、

R²及び R³はそれぞれ独立して水素、水酸基、ハロゲン基、アミノ基、シラノール基、チオール基、力ルポキシル基、スルホン酸基、リン酸基、リン酸エステル基、エステル基、チォエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノォキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチォ基、ァシル基又はスルホン基を示し、 A及び Bは、それぞれ独立して、一般式（2)又は（3)で表される二価の基を示す。

[化 2]

(式中、 R⁴〜R^Uはそれぞれ独立して水素、水酸基、ハロゲン基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、リン酸エステル基、エステル基、チォエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノォキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチォ基、ァシル基又はスルホン基を示し、 m及び nは、それぞれ独立して、 1以上の整数で、 m+n≤20を満足する。 ) ₀〕前記電荷輸送物質が、一般式 (4)で表されるオリゴァ-リン誘導体、又は一般式 (4 )の酸ィ匕体であるキノンジィミン誘導体であることを特徴とする請求項 5記載の電荷輸送性ワニス。

[化 3] )

(式中、 R'〜R⁷、 m, nは、上記と同じ意味を示す。 )

前記電子受容性ドーパント物質が一般式（5)で表されるスルホン酸誘導体であることを特徴とする請求項 2〜6のいずれ力 1項に記載の電荷輸送性ワニス。

[化 4]

前記電子受容性ドーパント物質が一般式 (6)で表されるスルホン酸誘導体であることを特徴とする請求項 2〜6のいずれ力 1項に記載の電荷輸送性ワニス。

[化 5]

(式中、 R¹⁴〜R¹⁸はそれぞれ独立して水素原子、非置換若しくは置換の一価炭化水素基又はハロゲン原子を示し、 Xは単結合、 0、 S又は NHを示し、 Aは水素原子、ハロゲン原子、 0、 S、 S (O)基、 S (0 )基、又は、非置換若しくは置換基が結合した N、

2

[9] 請求項 1記載のワニスを使用して作製されることを特徴とする薄膜。

[10] 請求項 2〜8のいずれかに記載の電荷輸送性ワニスを使用して作製されることを特徴とする電荷輸送性薄膜。

[11] 固形分 1. 0%の電荷輸送性ワニスから作製され、

KLA— Tencor社製表面異物検査装置 Surfscan (商標） 6220を用いて、 0. 5 mまでの異物を 80%の捕獲率で検出できる条件で測定したディフエタト数力 30nm の膜厚の場合に 100以下であることを特徴とする請求項 10記載の電荷輸送性薄膜 [12] 請求項 10又は 11記載の電荷輸送性薄膜を備える有機エレクト口ルミネッセンス素子。

[13] 前記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層又は正孔輸送層である請求項 12記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。

[14] 請求項 1記載のワニスを使用することを特徴とする薄膜の作製方法。

[15] 請求項 2〜8の、ずれかに記載の電荷輸送性ワニスを使用することを特徴とする電荷輸送性薄膜の作製方法。

[16] 固形分 1. 0%の電荷輸送性ワニスから作製され、

KLA— Tencor社製表面異物検査装置 Surfscan (商標） 6220を用いて、 0. 5 mまでの異物を 80%の捕獲率で検出できる条件で測定したディフエタト数力 30nm の膜厚の場合に 100以下であることを特徴とする電荷輸送性薄膜。