WO2005039824A1 - マルチワイヤソー - Google Patents

マルチワイヤソー

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Publication number
WO2005039824A1
WO2005039824A1 PCT/JP2004/015705 JP2004015705W WO2005039824A1 WO 2005039824 A1 WO2005039824 A1 WO 2005039824A1 JP 2004015705 W JP2004015705 W JP 2004015705W WO 2005039824 A1 WO2005039824 A1 WO 2005039824A1
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WO
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wire
slurry
workpiece
cutting
temperature
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/015705
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Takafumi Kawasaki
Hirozoh Tsuruta
Hirokazu Nishida
Seiichi Mimura
Masayuki Hamayasu
Hisashi Tominaga
Original Assignee
Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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Priority to EP04792847.8A priority patent/EP1685927B1/en
Priority to US10/540,020 priority patent/US7306508B2/en
Publication of WO2005039824A1 publication Critical patent/WO2005039824A1/ja
Priority to NO20053153A priority patent/NO326031B1/no

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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/007—Use, recovery or regeneration of abrasive mediums
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00—Other grinding machines or devices
    • B24B27/06—Grinders for cutting-off
    • B24B27/0633—Grinders for cutting-off using a cutting wire
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • B28D5/045—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/10—Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working

Definitions

  • the present invention relates to a multi-wire saw used in cutting silicon ingots for producing wafers for semiconductors and solar cells.
  • the multi-wire saw when supplying slurry to the wire, a large amount of slurry is discharged in a tense shape from above the wire. Of the supplied slurry, only a very small amount adheres to the wire, and most of the slurry falls below the wire, so the dropped-off slurry passes through the drain drawn from the floor of the calorific chamber, and the slurry passes through. It is collected in the storage tank. That is, most of the slurry is only being circulated from the slurry storage tank, which is not used for cutting silicon ingots, to the slurry storage tank via the slurry supply path and the discharge mechanism.
  • the processing chamber is kept under negative pressure in order to evacuate reaction-generated hydrogen and the like, so the water contained in the slurry evaporates during such a slurry supply / circulation process.
  • the slurry used is high temperature, the evaporation of water becomes remarkable, the viscosity of the slurry to be supplied or circulated becomes high, or the wire is inserted into the silicon ingot at the inlet portion and the cutting interface is cut off. If the slurry is not introduced into the system, the excess slurry dries and solidifies. A change in slurry viscosity leads to a reduction in processing quality (wafer thickness variation, occurrence of soaking).
  • Patent Document 1 Patent No. 3187296
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-47850
  • Patent Document 3 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-343525 Disclosure of the invention
  • a conventional cutting method using a fixed abrasive wire and a slurry containing free abrasive grains uses the fixed wire as a medium for transporting the free abrasive grains, and the amount of introduction of the free abrasive grains to the cutting interface is uncertain.
  • it has the function of simultaneously acting on fixed abrasive grains and lapping cutting of silicon ingots. The so-called increase in the number of blades in cutting is expected, and the cutting efficiency is increased to reduce the apparent cutting resistance.
  • the cutting waste is clogged at the cutting interface, and a part of the alkaline solution is used to dissolve the cutting waste, so the alkaline solution is cut. Work on the face is reduced.
  • agglomerated swarf may cause micro cracks in the cut surface.
  • the alkaline solution selectively acts to expand such cracks, and the cut surface is roughened.
  • the discharge resistance of swarf contributes to the increase of the cutting resistance, and as a result, the warpage of the wafer, the thickness unevenness, and the minute unevenness are generated.
  • a slurry containing abrasive grains and several mass% basic substances and having a pH of 12 or more is heated and supplied to the cutting interface to cut the ingot while pressing it against a bare wire, thereby reducing the cutting resistance. It is a part of what can be done.
  • the temperature for heating the slurry is preferably 65 ° C to 95 ° C. In order to obtain such an effect of reducing the cutting resistance, it is important to control the temperature of the slurry introduced or introduced at the cutting interface to a predetermined temperature.
  • the conventional cutting method also has the following problems.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a multi-wire cable capable of reducing the cutting resistance and reducing the variation when cutting a silicon ingot.
  • the present invention suppresses the change in viscosity of the slurry and the drying and solidification of the slurry in the inlet portion where the wire is inserted into the silicon ingot, thereby maintaining the high processing quality and preventing the breakage of the wire. It aims at providing a wire saw.
  • the present invention is an inexpensive apparatus configuration that increases the utilization efficiency of slurry, is easy to control the slurry temperature, can extend the life of the rotating roller, and has workability such as cleaning and wire laying. ⁇ To provide a multi-wire saw.
  • the present invention is for multi-wire soldering which cuts the workpiece while supplying the slurry containing alkali or mixed acid to the cutting interface between the workpiece and the wire, thereby storing and heating the slurry.
  • a constant temperature bath for maintaining the temperature in the vicinity of the workpiece fixed to the stage at the predetermined temperature, and a wire heating mechanism for heating the wire to the predetermined temperature. It is a wire saw
  • a slurry discharge unit for discharging the slurry, and at least the slurry discharge unit
  • a processing chamber for covering the workpiece, and a humidity adjusting mechanism for adjusting the humidity in the processing chamber to a preset humidity.
  • a multi-wire saw for cutting a workpiece while supplying slurry to a wire traveling between a plurality of rollers is provided on the upstream side of a portion where the workpiece is to be cut. And a slurry supply mechanism having a slurry discharge portion provided between the roller and the portion for cutting the workpiece, the slurry discharged from the slurry discharge portion being along the side surface of the workpiece.
  • a multi-wire saw characterized in that the wire is supplied with slurry by moving.
  • the present invention provides a slurry that supplies abrasive slurry to a wire traveling between a plurality of rollers.
  • a multi-wire saw for cutting a workpiece it has a storage portion for storing the slurry,
  • the multi-wire saw is characterized in that a slurry supply mechanism for supplying slurry to the wire by passing the wire through the inside of the storage portion is provided upstream of a portion where the workpiece is cut.
  • the cutting process can be performed while maintaining the alkaline slurry at a desired high temperature, the variation in the reaction rate associated with the location of the cutting interface between the workpiece and the slurry is suppressed. Variation in cutting resistance is reduced, and saw marks, uneven wafer thickness, etc. are suppressed. You can ff.
  • the humidity in the processing chamber can be adjusted to the set humidity by the humidity control mechanism, breakage of the wire can be prevented while maintaining high processing quality.
  • the use efficiency of the slurry can be enhanced with an inexpensive apparatus configuration, the temperature control of the slurry can be facilitated, the life of the rotating roller can be extended, and the workability such as cleaning 'wire laying operation can be improved. be able to.
  • FIG. 1 is an external view of a multi-wire cable according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a partial external view of a multi-wire cable according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 3 is a view showing a structure of a wire heating mechanism of a multi-wire cable according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is an external view of a multi-wire cable according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 5 is a partial external view of a multi-wire cable according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 6 is a view for explaining a cutting step of a workpiece by a multi-wire cable according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a flowchart of humidity adjustment according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 8 is a graph showing slurry viscosity in a slurry storage tank according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 9 is an external view of a multi-wire cable according to Embodiment 4 of the present invention.
  • FIG. 10 is a partial external view of a multi-wire cable according to Embodiment 4 of the present invention.
  • FIG. 11 is a view for explaining a cutting step of the object by a multi-wire cable according to Embodiment 4 of the present invention.
  • FIG. 12 is a partial external view of a multi-wire cable according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 13 is an external view of a multi-wire cable according to Embodiment 6 of the present invention.
  • FIG. 14 is a partial external view of a multi-wire cable according to Embodiment 6 of the present invention.
  • FIG. 15 is a view for explaining a cutting step of the object by a multi-wire cable according to Embodiment 6 of the present invention.
  • FIG. 16 is a partial external view of a multi-wire cable according to Embodiment 7 of the present invention.
  • FIG. 17 is a view on arrow X in FIG.
  • FIG. 18 is a view for explaining a side wall portion in a slurry supply mechanism of a multi-wire slot according to an eighth embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is an external view of a multi-wire cable according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a partial external view of the multi-wire cable according to the first embodiment.
  • the multi-wire cable according to the first embodiment includes a base 1, a frame 2 erected on the upper surface of the base 1, a workpiece support mechanism 4 for supporting the workpiece 3 so as to be movable in the processing direction, A wire feeding mechanism 6 for feeding the wire 5 to the portion to be cut by being drawn into the workpiece 3 and a slurry feeding mechanism 8 for feeding the slurry 7 to the cutting interface between the workpiece 3 and the wire 5 are provided.
  • the base 1 is configured with a flat plate force that supports the multi-wire saw.
  • the frame 2 is a box, and is provided with a side plate 9 facing the operator.
  • the workpiece support mechanism 4 is movably supported with respect to the frame 2 and a stage 11 for fixing the workpiece 3 via the dummy plate 10, and is fixed to the stage 11 in a processing direction.
  • a stage movable mechanism 12 for pushing down the stage 11 while carrying a load, and a thermostatic bath 13 surrounding the periphery of the stage 11 are provided.
  • a constant temperature chamber 13 is a force chamber 14 surrounded by four side walls 14 protruding in front of four sides of the frame 2 and the frame 2 and a front wall 15 facing the frame 2 and continuing to the front side of the side wall 14. Is equipped. Further, as shown in FIG.
  • the constant temperature bath 13 is measured by an indoor thermometer 17 for measuring the temperature in the pressure chamber 16, a heating plate 18 for heating the inside of the processing chamber 16, and an indoor temperature gauge 17.
  • a chamber temperature regulator 19 is provided to adjust the power supplied to the heating plate 18 so that the temperature in the processing chamber is the optimum temperature of the slurry 7 based on the temperature.
  • the wire feeding mechanism 6 is fitted to two motors (not shown) provided on the base 1, a delivery rotation shaft 20 and a take-up rotation shaft 21 respectively connected to the shafts of the motors, and a delivery rotation shaft 20.
  • the wire take-up bobbin 22 from which the wire 5 is taken out and the wire take-up bobbin 23 for taking up the wire 5 fitted to the take-up rotary shaft 21 and taken back from the processing chamber 16 from the wire take-out bobbin 22 Mains supported by frame 2 with wire 5 fed out A plurality of guide pulleys 25 for traveling and guiding to the roller 24, a plurality of guide pulleys 26 for traveling and guiding the wire 5 returned from the main roller 24 to the wire winding bobbin 23 therebetween, and And a tension control roller 43 for controlling the tension of the wire 5.
  • the wire feeding mechanism 6 is rotatably supported vertically to the frame 2 and is parallel to the main roller 24 with a plurality of grooves formed on the outer peripheral surface at equal intervals, and parallel to the main roller 24.
  • a plurality of grooves are formed at equal intervals on the outer circumferential surface of the frame 2 and a sub-roller 27 is provided.
  • a bobbin heater 28 as a wire heating mechanism is incorporated in the wire feeding bobbin 22.
  • an infrared heater which can be additionally provided in the vicinity of the main roller 24 and capable of irradiating the wire 5 with infrared rays or a warm water tank where the wire 5 passes hot water in front of the main roller 24 can be applied. There is no limitation to these as long as the wire 5 can be heated.
  • the slurry supply mechanism 8 stores the adjusted and supplied slurry 7 and the slurry 7 collected and returned by the slurry pan 29 of the processing chamber 16 and controls the temperature of the slurry 7 to an optimum temperature.
  • the storage tank 30 with the heating mechanism, the pump 31 for delivering the slurry 7 from the storage tank 30 with the heating mechanism, and the slurry 7 delivered from the pump 31 pass through it to keep the temperature of the slurry 7 at the optimum temperature.
  • the heat insulating pipe 32 is fed to the processing chamber 16 while the slurry is being fed, and the slurry discharge section 33 is adapted to discharge the slurry 7 fed via the heat retention pipe 32 toward the wire 5.
  • the storage tank 30 with heating mechanism includes a slurry storage tank 34, a heater 53 for heating the slurry that surrounds and heats the slurry storage tank 34, and the slurry in the slurry storage tank 34. And a temperature controller 37 for adjusting the heating conditions of the slurry heating heater 35 based on the measured temperature of the slurry 7.
  • the heater for heating the slurry is not limited to the above as long as it can heat the slurry 7, such as a throwing heater, a ribbon heater, or a hot water heater, in addition to the force using a heating wire.
  • the heat insulating pipe 32 is a pipe 38 through which the slurry 7 can pass, a heater 39 for slurry heat wound around the side wall surface, and a pipe 38 projecting into the pipe 38 to measure the temperature of the slurry 7. Based on the temperature of the thermometer 40 and the temperature of the slurry 7 in the rope 38, the heater 39 for maintaining the slurry is maintained. And a temperature controller 41 for controlling the temperature condition.
  • a ribbon heater is used as the heater 39.
  • the present invention is not limited to the above as long as the slurry 7 in the pipe 38 can be kept warm, for example, by flowing warm water to the outside of the double pipe. .
  • the wafer 3 is cut by using the multi-wire saw according to the first embodiment to produce a wafer.
  • a polycrystalline silicon ingot (hereinafter referred to as an ingot) is used as the workpiece 3 at this time. Its outer shape is a 150 mm square prism with a length of 25 mm.
  • the ingot is fixed via a glass dummy 10 on a stainless steel base plate 44 with an adhesive such as epoxy resin, and the base plate 44 is mechanically fixed to the stage 11.
  • the wire 5 used here is formed of a hard steel wire (piano wire), and its thickness is about 0. 06-0. 25 mm.
  • the wire may be made of an alloy such as a nickel-chromium alloy or an iron-queck alloy, a high melting point metal such as tungsten or molybdenum, or a bundle of polyamide fibers.
  • the wire 5 is fed out from the wire feeding bobbin 22, traveled and guided by the guide pulley 25 to change the traveling direction, and fed out to the furthest groove of the main roller 24. Then, while making contact with the inside of the groove, the groove is drawn out to the groove at the foremost side of the sub roller 27, and along the groove, the sub roller 27 is rotated counterclockwise by a half turn. From there, the force in front of the main roller 24 is also delivered to the second groove, and along the groove, the main roller 24 is rotated counterclockwise by a half turn. By repeating these operations, it is possible to provide a plurality of wires 5 spirally wound at a desired pitch between the main roller 24 and the sub roller 27.
  • the wire 5 fed from the sub roller 27 to the innermost groove of the main roller 24 is wound around the wire winding bobbin 23 while being guided by the guide pulley 26.
  • the wire pitch of the winding of the main roller 24 and the sub-roller 27 is equal to the cutting pitch of the ingot, and the number of winding is arbitrarily determined according to the number of wafers cut out from the ingot.
  • the slurry 7 contains an alkali or mixed acid, the components of which consist of abrasive grains, basic substances and liquid components.
  • the granules it is possible to cite, for example, carbon dioxide, cerium oxide, diamond, boron nitride, aluminum oxide, zirconium oxide, silicon dioxide and the like as long as it is generally used as an abrasive. it can. Also, these can be used alone or in combination of two or more. Compounds that can be used for such granules are commercially available, and specifically, as the carbon dioxides, GC (Green Silicon Carbide) and C (Black Silicon Carbide) (Fujimi Corp.
  • the average particle size of the granules is not particularly limited, but preferably 1 ⁇ m to 60 ⁇ m, more preferably 5 ⁇ m to 20 ⁇ m.
  • the content of the granules is not particularly limited, but is preferably 20% by mass to 50% by mass with respect to the total mass of the slurry 7.
  • any substance which acts as a base in the slurry 7 may, for example, be an alkali metal hydroxide such as lithium hydroxide, sodium hydroxide or potassium hydroxide.
  • alkaline earth hydroxides such as magnesium hydroxide, calcium hydroxide and barium hydroxide.
  • these can be used individually or in combination of 2 or more types.
  • alkali metal hydroxides are preferable from the viewpoint of reactivity with silicon ingots.
  • the content of the basic substance is not less than 3.5% by mass and not more than 20% by mass with respect to the total mass of liquid components in the slurry 7.
  • water a known coolant and a mixture thereof can be used.
  • water used here one having a low impurity content is preferable, but it is not limited thereto. Specifically, pure water, ultra pure water, spring water, industrial water, etc. may be mentioned.
  • the content of water is not particularly limited, but is preferably 10% by mass to 75% by mass based on the total mass of the slurry 7.
  • the coolant may be any coolant generally used as a cutting aid mixture containing moisturizers, lubricants, mildewproofing agents, viscosity modifiers such as polyethylene glycol, benzotriazole, oleic acid and the like. .
  • Such coolants are commercially available, and specifically Are, for example, trade names Rika Martinol (manufactured by Rika Shoji Co., Ltd.), Luna Coolant (manufactured by Daichi Chemical Industry Co., Ltd.), and the like.
  • the content of the coolant is not particularly limited, but is preferably 0% by mass to 50% by mass with respect to the total mass of the slurry 7.
  • the slurry 7 having such a constitution can be prepared by mixing the respective components in a desired ratio.
  • the method of mixing each component is optional, and can be performed, for example, by stirring with a wing stirrer. Moreover, it is arbitrary about the mixing order of each component. Further, the prepared slurry 7 may be subjected to further treatment such as filtration treatment, ion exchange treatment and the like for the purpose of purification and the like.
  • the slurry 7 has a strong basicity. Therefore, the silicon ingot cutting interface is weakened by the reaction as shown in the equation (1) and lapped by a shell.
  • the temperature of the slurry 7 for promoting the chemical reaction between the slurry 7 and the ingot is preferably in the range of 65 ° C-95 ° C. If the temperature of slurry 7 is too low, the reaction resistance is not sufficiently reduced because the reaction is not activated, and if it is too high, the water necessary for the reaction is caused by evaporation of the slurry liquid component (mainly water content). And cutting resistance increases, which is not preferable.
  • the slurry 7 thus prepared is stored in a slurry storage tank 34 and heated to raise the temperature of the slurry 7 to 65 ° C-95 ° C.
  • the temperature-controlled slurry 7 is discharged from the slurry protrusion 33 while the temperature of the slurry 7 is kept at 65 ° C.-95 ° C. in the heat retaining pipe 32.
  • the slurry 7 adheres to the wire 5 located below the slurry discharge portion 33 and is introduced to the cutting interface of the ingot and the wire 5.
  • the ingot is processed by contacting, pressing, and sliding the ingot pushed downward by the workpiece support mechanism 4 and the wire 5 with slurry.
  • the temperature of the air in the processing chamber 16 is controlled to be 65 ° C-95 ° C.
  • the temperature of the wire 5 is also heated to 65 ° C-95 ° C.
  • the temperature of each of the slurry 7, the wire 5 and the air of the pressure chamber 16 is controlled to be 80.degree.
  • the remaining part of slurry 7 discharged from the slurry discharge unit 33 and dropped from the ingot and the wire 5 is collected by the slurry receiving plate 29 and separated from impurities (silicon chips etc.), After being regenerated, it is returned to the slurry storage tank 34 via the slurry recovery drain pipe 46.
  • composition of slurry 7 4 parts by mass of sodium hydroxide solution is dissolved in 46 parts by mass of water to form a basic aqueous solution, and this aqueous solution and 50 parts by mass of coolant (manufactured by Daichi Chemical Industrial Co., Ltd.) , Luna Coolant # 691) mixed.
  • coolant manufactured by Daichi Chemical Industrial Co., Ltd.
  • GC # 1200 Luna Coolant # 691
  • the pH of the resulting slurry 7 at 25 ° C. was 13.9.
  • a wafer was manufactured by cutting (150 mm square, 25 mm long).
  • the cutting conditions were: wire diameter: 0.1 mm, cutting margin: 0.13 mm, cutting pitch: 0.39 mm, cutting speed: 0.35 mm Z minutes, wire traveling speed: 600 mZ minutes, and slurry temperature was 80 ° C. .
  • the ingot was similarly cut at a slurry temperature of 25 ° C.
  • the amount of deflection of the wire 5 was measured as an index indicating the magnitude of the cutting resistance.
  • Table 1 When cutting resistance is generated at the cutting interface between the traveling wire 5 and the ingot during cutting, the wire 5 is bent in the ingot feeding direction. Since this deflection is proportional to the magnitude of the cutting resistance, it is possible to know the magnitude of the cutting resistance by measuring the amount of wire deflection during the cutting process. In other words, a large deflection means that the wire 5 at the cutting interface has a delay in the cutting direction (z direction), which means that the desired cutting speed can not be obtained.
  • the cutting process can be performed while maintaining the temperatures of the slurry and the object at a desired value, it is possible to extremely reduce saw marks with small thickness unevenness. While maintaining high wafer quality, the amount of wire deflection, ie, cutting resistance, can be significantly reduced.
  • FIG. 4 is an external view of a wire heating mechanism of a multi-wire cable according to a second embodiment of the present invention.
  • the multi-wire system of the second embodiment is different from the first embodiment in the wire heating mechanism, and the others are the same, so the description of the same parts will be omitted.
  • the wire heating mechanism comprises two pulleys 25a and 25b separated by a desired length of wire 5 among a plurality of guide pulleys 25 for guiding the wire 5 between the wire feeding bobbin 22 and the main roller 24 and the guide pulleys 25a and 25b. And a power supply 42 for supplying a voltage between the two pulleys 25a, 25b.
  • the pulleys 25 a, 25 b are electrically conductive and can be conducted between the pulleys 25 a, 25 b and the wire 5.
  • the wire feeding bobbin 22 and the wire winding bobbin 23 have insulating properties to electrically float the wire 5.
  • This wire heating mechanism can generate Joule heat to heat the wire 5 by applying an electric current to the wire 5 between the pulleys 25a, 25b.
  • the amount of current I ( ⁇ ) flowing through the wire 5 can also be obtained from the equation (5) for the necessary heat quantity Q force.
  • the wire can be easily heated using a commercially available general-purpose voltage source or battery. Also, the heating temperature of the wire can be easily controlled by changing the power supply voltage.
  • FIG. 4 is an external view of a multi-wire cable according to a third embodiment of the present invention
  • FIG. 5 is a partial external view of the multi-wire cable according to the third embodiment
  • FIG. 6 is a diagram for explaining a cutting step of the object by the multi-wire cable according to the third embodiment.
  • the multi-wire cable according to the third embodiment is provided with a base 1 and a frame erected on the upper surface of the base 1.
  • a slurry supply mechanism 8A for supplying the slurry 7 to the cutting interface between the workpiece 3 and the wire 5 is provided.
  • the base 1 is also configured with a flat plate force that supports the multi-wire saw.
  • the frame 2 is made of a box and is provided with a side plate 9 facing the operator.
  • the workpiece support mechanism 4 is movably supported with respect to the frame 2 and a stage 11 for fixing the workpiece 3 through the dummy plate 10, and is fixed to the stage 11 in a processing direction.
  • a stage movable mechanism 12 for pressing down the stage 11 while carrying a load, and a processing chamber 16 for surrounding the stage 11 are provided.
  • the processing chamber 16 is surrounded by four side walls 14 protruding in front of the frame 2 and the four sides of the frame 2 and a front wall 15 facing the frame 2 and continuing to the front side of the side wall 14.
  • a discharge port 45 for discharging the atmosphere in the processing chamber 16 (including a gas generated at the time of cutting and processing, such as hydrogen) is provided.
  • a slurry collection drain pipe 46 is connected to the slurry saucer 29 of the processing chamber 16. Further, a humidity control mechanism 47 for adjusting the humidity in the processing chamber 16 to the set humidity is attached to the ceiling surface of the power chamber 16.
  • the humidity control mechanism 47 includes a humidifier 49 for generating water vapor 48, a hygrometer 50 for measuring humidity, and a humidifier 49 based on a comparison result of the set humidity and the processing chamber 16 humidity.
  • the control unit 51 is provided to operate and stop the machine. For this reason, the humidity in the processing chamber 16 can be adjusted by the humidity adjustment mechanism 47.
  • the humidifying device 49 used herein is not particularly limited as long as it can generate the water vapor 48, and examples thereof include an ultrasonic humidifying device and a heater humidifying device.
  • the wire feeding mechanism 6 includes two motors (not shown) provided on the base 1, a delivery rotation shaft 20 and a take-up rotation shaft 21 respectively connected to the shafts of the motors, and a delivery rotation shaft 20.
  • a wire take-up bobbin 23 for fitting the wire 5 into the wire feeding bobbin 22 for feeding the wire 5 and a winding take-up shaft 21 for taking up the wire 5 returned from the processing chamber 16;
  • a plurality of guide pulleys 25 for guiding the wire 5 fed from 22 to the main roller 24 supported by the frame 2 and a plurality of wires for guiding the wire 5 returned from the main roller 24 to the wire winding bobbin 23 between them
  • Guide pulley 26 and the draft A tension control roller 43 is provided to control the tension of the wire 5 guided by the inner pulleys 25 and 26.
  • the wire feeding mechanism 6 is rotatably supported vertically to the frame 2 and the main roller 24 having a plurality of grooves formed at equal intervals on the outer peripheral surface, and the frame 2 parallel to the main roller 24.
  • a plurality of grooves are formed at equal intervals on the outer peripheral surface, and a sub-roller 27 is provided.
  • the slurry supply mechanism 8 A is a slurry storage tank for storing the slurry 7 collected by the slurry 7 supplied to the wire 5 and the slurry saucer 29 of the pressure chamber 16 and returned through the slurry recovery drain pipe 46.
  • the pump 34 for delivering the slurry 7 from the slurry storage tank 34, the pipe 32A through which the slurry 7 delivered from the pump 31 is sent to the processing chamber 16, and the pipe 32A And a slurry discharge unit 33 for discharging the sent slurry 7 toward the wire 5.
  • the slurry discharge portion 33 is disposed in the processing chamber 16 above the portion between the sub roller 27 disposed upstream of the portion where the workpiece 3 is to be cut and the portion where the workpiece 3 is to be cut. There is.
  • the slurry storage tank 34 may be disposed in the processing chamber 16, it may be disposed outside the processing chamber 16 because the amount of slurry storage is limited and the structure in the processing chamber 16 is complicated. Is desirable.
  • the wafer 3 is cut by using the multi-wire saw of the third embodiment to produce a wafer.
  • a polycrystalline silicon ingot (hereinafter referred to as an ingot) is used as the workpiece 3 at this time.
  • This ingot is fixed via a glass dummy 10 on a stainless steel base plate 44 with an adhesive that also functions as epoxy resin, and the base plate 44 is mechanically fixed to the stage 11.
  • the wire 5 is spirally wound between the main roller 24 and the sub roller 27.
  • the wire 5 used here is formed of a hard steel wire (piano wire) and has a thickness of about 0.060 to 25 mm.
  • a hard steel wire piano wire
  • an alloy of nickel-chromium alloy or iron-nickel alloy, high-melting metal such as tungsten or molybdenum, or a bundle of polyamide fibers may be used.
  • the wire 5 is fed from the wire feeding bobbin 22, and the traveling pulley 25 is guided by the guiding pulley 25. Change the traveling direction, and feed it to the groove on the foremost side of the main roller 24. Then, while making contact with the inside of the groove, the groove is drawn out to the groove at the foremost side of the sub roller 27, and along the groove, the sub roller 27 is rotated counterclockwise by a half turn. From there, the force in front of the main roller 24 is also delivered to the second groove, and along the groove, the main roller 24 is rotated counterclockwise by a half turn. By repeating these operations, it is possible to provide a plurality of wires 5 spirally wound at a desired pitch between the main roller 24 and the sub roller 27.
  • the wire 5 fed from the sub roller 27 to the innermost groove of the main roller 24 is wound around the wire winding bobbin 23 while being guided by the guide pulley 26.
  • the wire pitch of the winding of the main roller 24 and the sub-roller 27 is equal to the cutting pitch of the ingot, and the number of winding is arbitrarily determined according to the number of wafers cut out from the ingot.
  • the wire supply mechanism 6 when the wire supply mechanism 6 is driven, the wire 5 travels at a predetermined speed in a predetermined direction while maintaining a constant tension by the tension control opening 43.
  • the main roller 24 and the sub roller 27 synchronously rotate at a rotational speed corresponding to the traveling speed of the wire 5.
  • the wires 5 are guided along the grooves of the main roller 24 and the sub-roller 27, so that the rows of the wires 5 are disposed under constant tension while traveling in parallel below the stage 11. It will be.
  • the ingot serving as the workpiece supporting mechanism 4 force receiving member 3 is pushed toward the wire 5, the ingot is brought into contact with the traveling wire 5 and pressed. At this time, as shown in FIG.
  • the humidity (relative humidity) in the processing chamber 16 is reduced by releasing the water vapor 48 from the humidity control mechanism 47 into the processing chamber 16. It is kept close to the saturated vapor pressure.
  • step 101 the setting humidity input to the control device 51 is read, and the process proceeds to step 102.
  • step 102 the humidity in the pressure chamber 16 measured by the hygrometer 50 is read, and the process proceeds to step 103.
  • step 103 the controller 51 determines whether the measured humidity in the processing chamber 16 is within the set range. If the measured humidity in the pressure chamber 16 is lower than the set range, the determination is negative and the routine proceeds to step 104 where humidification by the humidifying device 49 is started. On the other hand, if the measured humidity in the chamber 16 is higher than the set range in step 103, the determination is affirmative and the process proceeds to step 105, where the humidification by the humidifier 49 is stopped.
  • the humidity in the processing chamber 16 it is desirable to adjust the humidity in the processing chamber 16 to 95-99%. If the humidity is too low, the amount of evaporation of the water contained in the slurry 7 is increased and the viscosity of the slurry 7 is increased, which may generate a mark. Also, if the humidity is too high, the water vapor 48 released into the processing chamber 16 drops as water droplets and is collected by the slurry receiver 29 and the slurry 7 in the slurry storage tank 34 is diluted to lower the viscosity. When the viscosity of the slurry 7 decreases, the amount of the slurry 7 falling off the wire 5 may increase, and the cutting efficiency may decrease.
  • the viscosity change of the slurry 7 is extremely small and the wire 5 is a workpiece.
  • the slurry 7 does not dry and solidify at the inlet portion inserted into the silicon ingot as 3. Therefore, breakage of the wire can be prevented while maintaining high processing quality.
  • a mechanism for adjusting the viscosity while supplying water to the slurry storage tank 34 becomes unnecessary, and the viscosity management of the slurry becomes easy.
  • the portion between the sub-roller 27 arranged upstream of the portion to be cut of the workpiece 3 and the portion to be cut the workpiece 3 is located above
  • the force at which the spiral discharge portion 33 is disposed is not limited to this.
  • the slurry 7 discharged from the slurry discharge unit 33 moves along the side surface of the workpiece 3 and is supplied to the wire 5 in proximity to the upstream sidewall surface of the portion where the workpiece 3 is to be cut. It may be arranged.
  • the humidity control mechanism 47 may be disposed outside the pressure chamber 16, and the water vapor 48 may be released from the humidity control mechanism 47 into the processing chamber 16 through piping or the like.
  • a forced convection fan or the like may be provided in the processing chamber 16 according to the third embodiment so that the humidity in the processing chamber 16 becomes uniform.
  • a heater for heating the slurry may be provided which surrounds and heats the slurry storage tank 34.
  • a heater for heating the slurry is not limited as long as it can heat the slurry 7, but heating wires, throwing heaters, ribbon heaters, hot water heaters and the like can be mentioned.
  • FIG. 9 is an external view of a multi-wire cable according to a fourth embodiment of the present invention
  • FIG. FIG. 20 is a partial external view of a multi-wire cable according to a fourth embodiment
  • FIG. 11 is a view for explaining a cutting step of the object by the multi-wire cable according to the fourth embodiment.
  • a multi-wire cable comprises a base 1, a frame 2 erected on the upper surface of the base 1, a workpiece support mechanism 4 for supporting the workpiece 3 so as to be movable in the processing direction, A wire feeding mechanism 6 for feeding the wire 5 to the portion to be cut by inserting into the workpiece 3 and a slurry feeding mechanism 8 B for feeding the slurry 7 to the cutting interface between the workpiece 3 and the wire 5 are provided.
  • the base 1 is also configured with a flat plate force that supports the multi-wire saw.
  • the frame 2 is made of a box and is provided with a side plate 9 facing the operator.
  • the workpiece support mechanism 4 is movably supported with respect to the frame 2 and a stage 11 for fixing the workpiece 3 through the dummy plate 10, and is fixed to the stage 11 with a force in the processing direction.
  • a stage movable mechanism 12 for pressing down the stage 11 while carrying a load, and a processing chamber 16 for surrounding the stage 11 are provided.
  • the processing chamber 16 is surrounded by four side walls 14 protruding in front of the frame 2 and the four sides of the frame 2 and a front wall 15 facing the frame 2 and continuing to the front side of the side wall 14.
  • the wire feeding mechanism 6 includes two motors (not shown) provided on the base 1, a delivery rotation shaft 20 and a take-up rotation shaft 21 respectively connected to the shafts of the motors, and a delivery rotation shaft 20.
  • a wire take-up bobbin 23 for fitting the wire 5 into the wire feeding bobbin 22 for feeding the wire 5 and a winding take-up shaft 21 for taking up the wire 5 returned from the processing chamber 16;
  • a plurality of guide pulleys 25 for guiding the wire 5 fed from 22 to the main roller 24 supported by the frame 2 and a plurality of wires for guiding the wire 5 returned from the main roller 24 to the wire winding bobbin 23 between them
  • a tension control roller 43 for controlling the tension of the wire 5 guided by the inner pulleys 25, 26.
  • the wire feeding mechanism 6 is rotatably supported vertically to the frame 2 and the main roller 24 having a plurality of grooves formed at equal intervals on the outer peripheral surface, and the frame 2 parallel to the main roller 24.
  • a plurality of grooves are formed at equal intervals on the outer peripheral surface, and a sub-roller 27 is provided.
  • the slurry supply mechanism 8 B is provided with a slurry storage tank 34 for storing the slurry 7 collected by the slurry 7 supplied to the wire 5 and the slurry pan 29 of the pressure chamber 16 and returned through the slurry recovery drain pipe 46.
  • a slurry discharge unit 33 for discharging the slurry 7 toward the wire 5.
  • the slurry discharge portion 33 is, as shown in FIG. 10, an upper portion between the sub-roller 27 provided on the upstream side of the portion where the force receiving object 3 is cut and the portion where the force receiving object 3 is cut.
  • the discharged slurry 7 is installed so as to move along the side surface of the workpiece 3 (close to the upstream sidewall surface of the portion where the workpiece 3 is to be cut).
  • the slurry 7 is supplied to the wafer 5 by the slurry discharge unit 33, the slurry 7 is discharged from the slurry discharge unit 33 in, for example, a curtain shape.
  • the discharged slurry 7 flows down along the side surface of the workpiece 3.
  • the slurry 7 is moved to the intersection of the wire 5 and the workpiece 3 without moisture evaporation and contacts the wire 5
  • the slurry 7 is carried by the wire 5 to the cutting interface of the object 3.
  • the viscosity of the slurry 7 is always constant because the slurry 7 always flows at the side surface of the object 3 to be etched, in particular, at the intersection between the traveling wire 5 and the object 3.
  • the wafer 3 is cut by using the multi-wire saw of the fourth embodiment to produce a wafer.
  • a polycrystalline silicon ingot (hereinafter referred to as an ingot) is used as the workpiece 3 at this time.
  • This ingot is fixed via a glass dummy 10 on a stainless steel base plate 44 with an adhesive that also functions as epoxy resin, and the base plate 44 is mechanically fixed to the stage 11.
  • the wire 5 is spirally wound between the main roller 24 and the sub roller 27.
  • the wire 5 used here is formed of a hard steel wire (piano wire) and has a thickness of about 0.060 to 25 mm.
  • an alloy of nickel-chromium alloy or iron-nickel alloy, high-melting metal such as tungsten or molybdenum, or a bundle of polyamide fibers may be used.
  • the wire 5 is fed out from the wire feeding bobbin 22, traveled and guided by the guide pulley 25 to change the traveling direction, and fed out to the furthest groove of the main roller 24.
  • the wire 5 fed from the sub roller 27 to the innermost groove of the main roller 24 is wound around the wire winding bobbin 23 while being guided by the guide pulley 26.
  • the wire pitch of the winding of the main roller 24 and the sub-roller 27 is equal to the cutting pitch of the ingot, and the number of winding is arbitrarily determined according to the number of wafers cut out from the ingot.
  • the wire supply mechanism 6 when the wire supply mechanism 6 is driven, the wire 5 travels at a predetermined speed in a predetermined direction while maintaining a constant tension by the tension control opening 43.
  • the main roller 24 and the sub roller 27 synchronously rotate at a rotational speed corresponding to the traveling speed of the wire 5.
  • the wires 5 are guided along the grooves of the main roller 24 and the sub-roller 27, so that the rows of the wires 5 are disposed under constant tension while traveling in parallel below the stage 11. It will be.
  • the ingot serving as the workpiece supporting mechanism 4 force receiving member 3 is pushed toward the wire 5, the ingot is brought into contact with the traveling wire 5 and pressed. At this time, as shown in FIG.
  • the traveling interface of the ingot cuts the interface of the ingot. Taken to Then, the bonding of silicon atoms is broken by the lapping action or chemical action of the slurry 7, and the ingot is cut.
  • slurry recovery drain pipe 46 the remaining portion of slurry 7 discharged from slurry discharge unit 33 and dropped from the ingot and wire 5 is collected by slurry receiver 29, separated from impurities (silicon chips etc.) and regenerated, It is returned to the slurry storage tank 34 via the slurry recovery drain pipe 46.
  • the concentration of sodium hydroxide is 4 mass. Cut a silicon ingot (150 mm square, 25 mm long) under conditions of a cutting speed of 0.53 mmz and a wire traveling speed of 600 mZ using a slurry of 80% and a piano wire wire of 0.1 mm diameter (The wire breakage was negative). As a result of observing the inlet portion where the wire was inserted into the silicon ingot after cutting, adhesion of solidified slurry was not observed. When the silicon ingot is cut using a conventional multi-wire saw and the wire breakage occurs after about 1 hour (cutting length about 21 mm), a large amount of solidified slurry adheres to the inlet The
  • the slurry 7 since the slurry 7 always flows at the intersection of the traveling wire 5 and the ingot as the force receiving object 3, the slurry 7 is dried and solidified. There is nothing to do. As a result, the resistance to the movement of the wire 5 can be reduced, and in turn the wire breakage which significantly reduces the productivity can be prevented.
  • FIG. 12 is a partial external view of a multi-wire cable according to a fifth embodiment.
  • the slurry supply mechanism 8C includes the sheet member 52 attached to the side surface of the workpiece 3.
  • the other configuration is the same as that of the fourth embodiment.
  • a material which does not react with the slurry 7 or which has a very low ability to react with the material may be used, for example, a slurry containing a strongly alkaline substance such as sodium hydroxide and the like.
  • a slurry containing a strongly alkaline substance such as sodium hydroxide and the like.
  • polyethylene, polypropylene, methyl pentene resin, fluorine resin, natural rubber, styrene rubber, butyl rubber, ethylene ′ propylene rubber and the like can be mentioned.
  • the sheet member 52 is preferably smaller than the hardness of the workpiece 3 from the viewpoint of cutting efficiency.
  • the cutting site of the load 3 may be a high temperature of about 100 ° C. due to the resistance to the movement of the wire 5 or the like, the sheet member 52 having the above-described material strength may be attached. It is preferable to use a thermoplastic adhesive having a glass transition temperature of 100 ° C. or higher.
  • the side surface of the force receiving material 3 is Since it is not etched, the dimensional change of the workpiece 3 can be suppressed as much as possible.
  • the slurry discharger 33 is installed above the space between the sub roller 27 and the portion to be processed of the workpiece 3. If the force can be moved along the side of the workpiece 3 to make contact with the wire 5, it is not limited to the upper side.
  • the slurry discharge unit 33 may be installed on the side or below between the sub-roller 27 and the portion where the workpiece 3 is to be cut, and the slurry 7 may be discharged toward the side surface of the workpiece 3 Good.
  • the amount of water in the slurry 7 is made constant so that the composition of the slurry 7 discharged is also constant.
  • a moisture control mechanism, a temperature control mechanism for keeping the temperature of the slurry 7 constant, and a stirring mechanism for preventing the precipitation and condensation of the slurry may be provided.
  • the slurry 7 is used at a high temperature of about 65-95 ° C.
  • the composition changes due to the evaporation of water, so it is desirable to provide a water control mechanism.
  • the evaporation amount of water per unit time is previously determined, it is sufficient to supply water to the slurry storage tank 34 at a constant rate, so the adjustment of the amount of water in the slurry 7 can be made easier. .
  • the slurry 7 is moved along the side of the workpiece 3 to supply the slurry 7, and the wire 7 is directly coated with the slurry 7 to supply the slurry 7.
  • the slurry 7 may be introduced to the cutting interface of the workpiece 3 in combination.
  • the slurry 7 directly applied to the wire 5 and supplied is mainly used to cut the workpiece 3, and the slurry 7 moving along the side surface of the workpiece 3 is such that the wire 5 is inserted into the workpiece 3. It is preferable to use as an auxiliary means to prevent the solidification of the slurry 7 at the inlet portion. Therefore, it is preferable to minimize the flow rate of the slurry 7 moving along the side surface of the workpiece 3.
  • FIG. 13 is an external view of a multi-wire cable according to a sixth embodiment of the present invention
  • FIG. 14 is a partial external view of the multi-wire cable according to the sixth embodiment.
  • FIG. 15 shows the sixth embodiment. It is a figure for demonstrating the cutting process of a covering material by multi-wire cable.
  • a multi-wire cable includes a base 1, a frame 2 erected on the upper surface of the base 1, a workpiece support mechanism 4 for supporting the workpiece 3 so as to be movable in the processing direction, A wire feeding mechanism 6 for feeding the wire 5 to the portion to be cut by inserting into the workpiece 3 and a slurry feeding mechanism 8D for feeding the slurry 7 to the cutting interface between the workpiece 3 and the wire 5 are provided.
  • the base 1 is also configured with a flat plate force that supports the multi-wire saw.
  • the frame 2 is made of a box and is provided with a side plate 9 facing the operator.
  • the workpiece support mechanism 4 is movably supported with respect to the frame 2 and a stage 11 for fixing the workpiece 3 via the dummy plate 10, and is fixed to the stage 11 in a processing direction.
  • a stage movable mechanism 12 for pressing down the stage 11 while carrying a load, and a processing chamber 16 for surrounding the stage 11 are provided.
  • the processing chamber 16 is surrounded by four side walls 14 protruding in front of the frame 2 and the four sides of the frame 2 and a front wall 15 facing the frame 2 and continuing to the front side of the side wall 14.
  • the wire feeding mechanism 6 includes two motors (not shown) provided on the base 1, a delivery rotation shaft 20 and a take-up rotation shaft 21 respectively connected to the shafts of the motors, and a delivery rotation shaft 20.
  • a wire take-up bobbin 23 for fitting the wire 5 into the wire feeding bobbin 22 for feeding the wire 5 and a winding take-up shaft 21 for taking up the wire 5 returned from the processing chamber 16;
  • a plurality of guide pulleys 25 for guiding the wire 5 fed from 22 to the main roller 24 supported by the frame 2 and a plurality of wires for guiding the wire 5 returned from the main roller 24 to the wire winding bobbin 23 between them
  • a tension control roller 43 for controlling the tension of the wire 5 guided by the inner pulleys 25, 26.
  • the wire feeding mechanism 6 is rotatably supported vertically to the frame 2 and the main roller 24 having a plurality of grooves formed at equal intervals on the outer peripheral surface, and the frame 2 parallel to the main roller 24.
  • a plurality of grooves are formed at equal intervals on the outer peripheral surface, and a sub-roller 27 is provided.
  • the slurry supply mechanism 8D is used for drawing a plurality of wires for drawing the wire 5 into the liquid tube 53 and pulling the wire 5 out of the liquid tube 53 and guiding it to the workpiece 3 as a container for storing the slurry 7.
  • the rollers 54a, 54b, 54c, 54d are provided.
  • the liquid bath 53 is disposed between the sub-roller 27 located upstream of the cutting portion of the workpiece 3 and the cutting portion of the force receiving member 3, and the stirring mechanism 55 for stirring the slurry 7 is used. Have at the bottom.
  • the wafer 3 is cut by using the multi-wire saw of the sixth embodiment to produce a wafer.
  • a polycrystalline silicon ingot (hereinafter referred to as an ingot) is used as the workpiece 3 at this time.
  • This ingot is fixed via a glass dummy 10 on a stainless steel base plate 44 with an adhesive that also functions as epoxy resin, and the base plate 44 is mechanically fixed to the stage 11.
  • the wire feeding mechanism 6 When the wire feeding mechanism 6 is driven, the wire 5 travels at a predetermined speed in a predetermined direction while maintaining a constant tension by the tension control roller 43. At this time, the main roller 24 and the sub roller 27 synchronously rotate at a rotational speed corresponding to the traveling speed of the wire 5.
  • the wire 5 traveling between the main roller 24 and the sub roller 27 enters the liquid tank 53 via the wire drawing roller 54a, and is sequentially guided by the wire drawing rollers 54b and 54c to It is delivered from the tank 53 to the outside. Since the slurry 7 is contained in the liquid tank 53, the wire 5 is guided in the liquid tank 53 to supply the slurry 7 to the wire 5.
  • the slurry 7 attached to the wire 5 is carried to the cutting interface of the ingot by the movement of the wire 5. Then, the bonding of silicon atoms is broken by the lapping action and chemical action of the slurry 7, and the ingot is cut.
  • the slurry storage for collecting the amount of slurry 7 introduced to the cutting interface of the ingot Slurry storage ⁇ Stirring tank, and the amount of slurry 7 introduced to the cutting interface of ingot A mechanism to supply 53 is installed.
  • a wire for wire routing is provided in a liquid tank 53 containing a slurry having a viscosity of 150 mPa's (25.degree. C., 57.1 [s- 1 ] in shear rate).
  • a slurry having a viscosity of 150 mPa's (25.degree. C., 57.1 [s- 1 ] in shear rate).
  • the wire 5 is configured to pass through the inside of the liquid tank 53 disposed on the upstream side of the cut portion of the force receiving object 3.
  • An appropriate amount of the slurry 7 is attached to the slurry 5 delivered from the liquid tank 53, waste of the slurry is saved, the utilization efficiency of the slurry is improved, and the manufacturing cost can be suppressed.
  • a large flow rate * for supplying and circulating a large amount of slurry 7 * a high power slurry supply mechanism is unnecessary, and the apparatus becomes inexpensive.
  • the wire 5 with the appropriate amount of the slurry 7 attached travels in the processing chamber 16, scattering of the slurry 7 can be minimized.
  • the slurry composition can be accurately controlled, and the slurry 7 in a state that is not different from the state initially adjusted can be continuously supplied to the cutting interface of the workpiece 3, so wafer thickness variation, saw marks (scratch) Occurrence is suppressed and processing quality is improved.
  • the excess slurry 7 does not adhere to the sub roller 27 on the side closer to the liquid tank 53, and the roller groove wears. It is possible to suppress the shortening of life span due to
  • a temperature control mechanism (not shown) for keeping the temperature constant if necessary, and a filter (not shown) for removing chips of the load 3 are provided in the liquid tank 53. You may provide. It is preferable that the liquid tank 53 be disposed in the vicinity of the cutting portion of the object 3.
  • FIG. 16 is a partial external view of a multi-wire cable according to a seventh embodiment
  • FIG. 17 is a view on arrow X in FIG.
  • the multi-wire system of the seventh embodiment is different from the sixth embodiment in the slurry supply mechanism, and the other parts are the same, so the description of the same parts will be omitted.
  • the slurry supply mechanism 8E is provided with a liquid tank 53A that contains the slurry 7 and has a stirring mechanism 55.
  • Slit-shaped passage holes 57a and 57b are respectively provided in two side wall portions 56a and 56b facing each other among the side surface portions of.
  • the positions where the passage holes 57a and 57b are provided are positions below the liquid level of the slurry 7 when the slurry 7 is accommodated in the liquid reservoir 53A.
  • the row of wires 7 formed by being bridged between the main roller 24 and the sub-roller 27 is arranged to pass through the slit-like passage holes 57a, 57b. , Is guided in the slurry 7 as it passes through the liquid bath 53A.
  • the wire 5 enters the liquid tank 53A through one of the passage holes 57a. At this time, since the slurry 7 is contained in the liquid bath 53 A, the wire 5 comes in contact with the slurry 7 and the slurry 7 is supplied to the wire 5.
  • the wire 5 to which the slurry 7 adheres is delivered to the outside of the liquid bath 53A from the passage hole 57b of the opposite side wall 56b, and the slurry 7 is carried to the cutting interface of the object 3 by the movement of the wire 5.
  • the wire 5 does not travel on the wire drawing rollers 54a, 54b, 54c, 54d, so that the utilization efficiency of the slurry can be further improved.
  • wire laying work is reduced and workability is improved.
  • the liquid tank 53A may be provided with a stirring mechanism 55, a temperature control mechanism (not shown) for keeping the temperature constant, and removal of ingot chips as necessary. You may set up filters (not shown).
  • the present invention is not limited to this, and the wire 5 can be guided to the slurry 7 in the liquid bath 53A. If possible, it may be provided on any side surface. For example, a roller for disposing the cutting position of the workpiece 3 above the liquid bath 53A and changing the direction in the liquid bath 53A is provided, and after entering from the side surface portion 56a, the work 3 is penetrated from the liquid bath 53A. You may be guided.
  • Embodiment 8 FIG.
  • the multi-wire cable of the eighth embodiment is different from the seventh embodiment in the slurry supply mechanism. Since the other components are the same, the description of the same components will be omitted.
  • FIG. 18 is a view for explaining a side wall portion in a slurry supply mechanism 8F of a multi-wire solenoid according to Embodiment 8 of the present invention
  • FIG. 18 (A) shows a closed state
  • FIG. 18 (B) shows an open state. It is a figure for demonstrating a state.
  • the side wall portion 56c of the liquid tank 53A and the side wall portion (not shown) opposed thereto are provided with an openable member 60 provided with a notch portion 59.
  • the openable member 60 is composed of an upper side wall member 6 la having a notch 59 and a lower side wall member 61 b fixed to the liquid tank 53A.
  • the notch 59 forms the passage hole 57c.
  • the workability is improved because the wire 5 does not need to be passed through the passage holes 57c each time the preparatory work of spirally winding the wire 5 around the main roller 24 and the sub roller 27.
  • the upper side wall member 61a may be removed and the wire 5 may only be passed through the notch 59.
  • the upper side wall member 6 la is closed again to form the passage hole 57c, the slurry 7 is supplied to the liquid tank 53A, and thereafter the workpiece is processed as described in the seventh embodiment. You may cut 3.
  • the processing accuracy of the contact surface of each of the upper side wall member 61a, the lower side wall member 6 lb and the liquid tank 53A is secured, or a soft force wedge member (polytetra fluoro ethylene resin etc.)
  • a soft force wedge member polytetra fluoro ethylene resin etc.

Abstract

　この発明に係るワイヤソーは、被加工物とワイヤとの切断界面にアルカリまたは混酸を含むスラリを供給しながら前記被加工物を切断するマルチワイヤソーであって、前記スラリを貯蔵加熱するための加熱機構付貯蔵タンクと、前記加熱機構付貯蔵タンクから前記ワイヤが前記被加工物に繰り込まれる手前の位置までポンプにより送出された前記スラリを所定の温度に維持しながら搬送する保温パイプと、ステージに固定された前記被加工物の近傍の温度を前記所定の温度に維持する恒温槽と、前記ワイヤを前記所定の温度に加熱するワイヤ加熱機構とを備えている。その結果、シリコンインゴット切断加工時の切断抵抗が低減されるとともにそのばらつきが小さくなり、高品質のウエハを高効率・低コストで得ることができる。

Description

明 細 書
マルチワイヤソー
技術分野
[0001] 本発明は、半導体用および太陽電池用のウェハを製造するために、シリコンインゴ ットを切断する際に使用するマルチワイヤソーに関する。
背景技術
[0002] 従来からシリコンインゴットの切断には、小さい切断代および均一な厚さで切断する ことや一度に多数枚のウェハに切断することができるマルチワイヤソ一が用いられて いる。このマルチワイヤソーを用いたシリコンインゴットの切断は、走行するワイヤにシ リコンインゴットを押し付けつつ、その切断界面に砥粒を含むスラリを導入することに よって行われている（例えば、特許文献 1参照)。
このようなワイヤを用いたシリコンインゴットの切断においては、ワイヤによるインゴッ トの切断の進行に伴ってスラリの温度が上昇し、ワイヤソ一のローラが伸縮したりする 。インゴットの加工条件が変化するためインゴットの加工精度を一定に保持することが できなくなる。そのため、スラリを冷却してカ卩ェ精度を確保しょうとしている（例えば、 特許文献 2参照)。
[0003] しかし、近年はシリコンインゴットの切断に対して高いウェハ品質を維持すると共に 、切断代や切断ピッチを小さくして、ウェハ加工費を削減することが要求されている。 切断代を小さくするには、ワイヤ径を小さくすればよいが、その分ワイヤの破断強度 が低下するため、ワイヤに掛カる張力を小さくする必要がある。インゴットの切断は圧 力転写であるラッピング作用で行われているので、ワイヤの張力を小さくすると、切断 速度が遅くなり、ワイヤの変位 (橈み）が大きくなる。ワイヤの変位 (橈み）が大きくなる と、切断方向と直交する方向におけるワイヤの変位も大きくなり、ウェハの反り、厚さ むら、微小な凹凸（ソーマーク）が発生し、ウェハの品質が低下する。このようなワイヤ 橈みを小さくするために、切断速度の遅延に応じてシリコンインゴットの送り速度を低 下させると、切断効率を低下させることになる。ワイヤの送り速度を高めて、切断速度 の遅延を補ってシリコンインゴットの送り速度を高くすると、切断界面での砲粒の分散 不良に対するマージンがなくなり、張力の突発的な上昇によってワイヤの破断が発生 する。したがって、高いウェハ品質を維持すると共に、シリコンインゴットの切断代や 切断ピッチを小さくするためには、切断抵抗を低減することが必要である。
そこで、固定砲粒ワイヤと、遊離砲粒を含むスラリ又は濃度が 2%以下の KOHアル カリ溶液とを用いてシリコンインゴットを切断する方法が提案されている（例えば、特許 文献 3参照)。
[0004] 一方、マルチワイヤソーでは、スラリをワイヤに供給する際に、ワイヤの上方から力 一テン状に大量のスラリを吐出している。供給したスラリのうちワイヤに付着するのは 極少量であり、スラリの大部分はワイヤの下方に脱落するので、脱落したスラリは、カロ ェ室床部から引き出されたドレインを経由して、スラリ貯蔵タンクに回収されている。 すなわち大部分のスラリはシリコンインゴットの切断に使用されることなぐスラリ貯蔵タ ンクからスラリ供給経路及び吐出機構を介してスラリ貯蔵タンクに循環されているだけ である。通常、マルチワイヤソーでは、反応生成した水素などを排気するために加工 室内が負圧状態に保持されているため、このようなスラリの供給'循環過程において スラリ中に含まれる水分が蒸発する。特に、使用するスラリが高温であると、水分の蒸 発が顕著になって、供給'循環するスラリ粘度が高くなつたり、ワイヤがシリコンインゴ ットに挿入される入口部分にぉ ヽて切断界面に導入されな 、余剰なスラリが乾燥、固 化したりする。スラリ粘度の変化は、加工品質の低下（ウェハ厚さのばらつき、ソーマ ークの発生）を招く。また、ワイヤがシリコンインゴットに挿入される入口部分に固化し たスラリが蓄積すると、ワイヤとの間に抵抗を持つようになったり、ワイヤとシリコンイン ゴットとの切断界面に固化したスラリの破片をかみ込んだりして、やがてはワイヤの破 断を引き起こす恐れがある。加工中にワイヤの破断を引き起こすと、加工が中断され るば力りではなぐ加工中のシリコンインゴットが無駄になる。加工に復帰するために、 シリコンインゴット取り出し作業、清掃作業、ワイヤ張り作業などの工数が発生し、生 産性が著しく低下する。
[0005] 特許文献 1 :特許第 3187296号公報
特許文献 2：特開平 8-47850号公報
特許文献 3：特開 2000-343525号公報 発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0006] 固定砥粒ワイヤと遊離砥粒を含むスラリとを用いる従来の切断方法は、遊離砥粒を 運搬する媒体として固定ワイヤを使用し、遊離砥粒の切断界面への導入量の不確定 さを低減して平均的な遊離砥粒導入量を増やすとともに、固定砥粒を同時に作用さ せてシリコンインゴットをラッピング切断する作用を持つ。切断におけるいわゆる刃数 の増大が見込め、切断効率を上昇させて見かけ上の切断抵抗を下げている。しかし ながら、裸のワイヤを用いる場合に比べ、切断屑や遊離砲粒の排出が困難になり、 切断界面における液中の切断屑や遊離砲粒濃度が高くなつて、切断界面における スラリ粘度が高くなるという問題がある。また、固定砲粒ワイヤは非常に高価であり、こ れを使用することは著しく経済性を欠 、て 、る。
固定砥粒ワイヤとアルカリ溶液とを用いる従来の切断方法では、切断屑が切断界 面で目詰まりを起こし、この切断屑の溶解にアルカリ溶液の一部が使用されてしまう ため、アルカリ溶液の切断面への働きが低下する。また、凝集した切断屑は切断面 に微小なクラックを与えることがある力 アルカリ溶液はこのようなクラックを拡大するよ うに選択的に働き、切断面を荒らすことになる。切断屑の排出抵抗は、切断抵抗の増 大に寄与し、結果的にウェハの反り、厚さむら、微小な凹凸を発生させる。アルカリ溶 液の十分な働きを得るには、ワイヤの送り速度、シリコンインゴット送り速度を大幅に 低下させる必要があり、切断効率の著しい低下を招く。
そこで、砥粒および数質量％の塩基性物質を含有し、 pHが 12以上のスラリを加熱 して切断界面に供給して、インゴットを裸のワイヤに押し付けつつ切断した結果、切 断抵抗を低減することができることが分力つた。特に、スラリの加熱温度としては 65°C 一 95°Cが好ましいことが分力ゝつた。このような切断抵抗を低減する効果を得るために は、切断界面に導入されるか又は導入されたスラリ温度を所定の温度に制御すること が重要である。
[0007] 特許文献 2に開示される従来の切断方法では、スラリ貯蔵タンクにおいてスラリの温 度を調整しているが、スラリ貯蔵タンクからスラリ吐出部までスラリを運搬する間にスラ リの温度が下がったり、ワイヤにスラリが塗布されたときにワイヤに吸熱されたり、ワイ ャに塗布されたスラリがインゴットと接触したときにインゴットに吸熱されたりして、スラリ とインゴットとの化学反応箇所でスラリの温度が下がるという問題があった。このような スラリの温度低下により、インゴットとスラリとの化学反応界面の箇所によって化学反 応速度が異なる現象が生じ、結果として切断抵抗のばらつきを生じ、ソーマーク、ゥ ェハ厚さむらが発生する。
[0008] また、従来の切断方法では以下に示すような課題もあった。
( 1 )大量のスラリを供給 ·循環するため、大流量 ·大電力のスラリ供給機構が必要で あり、装置が高価になる。
(2)循環中に組成の変化 (水分ゃ砥粒の減少、液体成分の相分離）によって、イン ゴット切断界面に導入されるスラリ中の砥粒量の減少やスラリ粘度の変化を生じやす ぐ加工品質のばらつきが発生する。
(3)加工室内でのスラリの飛散が大きぐ加工室の汚れが大きいため、操業後の清 掃工数が大きくなる。
(4)スラリの温度管理においても、切断に寄与せずに大量に循環するスラリの温度 を制御しなければならず、切断界面に導入するスラリの温度制御の応答性が劣る。ま た、タンク内で次々に回収されてくる大量のスラリを攪拌しても砥粒の均一分散性が 悪ぐ不均一なままワイヤに塗布され、加工品質の低下（ウェハ厚さばらつき、ソーマ ーク (傷)の発生など）を招く。
[0009] 本発明は、上記の課題を鑑みてなされたものであり、シリコンインゴット切断加工時 の切断抵抗を低減するとともにそのばらつきを小さくすることのできるマルチワイヤソ 一を提供することを目的とする。
また、本発明は、スラリの粘度変化やワイヤがシリコンインゴットに挿入される入口部 分におけるスラリの乾燥、固化を抑制して、高い加工品質を維持し且つワイヤの破断 を防止することのできるマルチワイヤソーを提供することを目的とする。
さらに、本発明は、スラリの利用効率が高ぐ安価な装置構成であり、スラリ温度制 御が容易であり、回転ローラの寿命長期化が可能であり且つ清掃'ワイヤ張り作業な どの作業性がょ ヽマルチワイヤソーを提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 [0010] 本発明は、被加工物とワイヤとの切断界面にアルカリまたは混酸を含むスラリを供 給しながら前記被加工物を切断するマルチワイヤソ一にお ヽて、前記スラリを貯蔵カロ 熱するための加熱機構付貯蔵タンクと、前記加熱機構付貯蔵タンクから前記ワイヤが 前記被加工物に繰り込まれる手前の位置までポンプにより送出された前記スラリを所 定の温度に維持しながら搬送する保温パイプと、ステージに固定された前記被加工 物の近傍の温度を前記所定の温度に維持する恒温槽と、前記ワイヤを前記所定の 温度に加熱するワイヤ加熱機構と、を備えることを特徴とするマルチワイヤソーである
[0011] また、本発明は、複数のローラ間で走行するワイヤにスラリを供給しながら被加工物 を切断するマルチワイヤソ一において、前記スラリを吐出するためのスラリ吐出部と、 少なくとも前記スラリ吐出部と前記被加工物とを覆う加工室と、前記加工室内の湿度 を設定湿度に調節するための湿度調節機構と、を備えて 、ること特徴とするマルチヮ ィャソ一である。
[0012] また、本発明は、複数のローラ間で走行するワイヤにスラリを供給しながら被加工物 を切断するマルチワイヤソ一にお ヽて、前記被加工物を切断する部位の上流側に設 けられた前記ローラと前記被加工物を切断する部位との間に設けられたスラリ吐出部 を有するスラリ供給機構を備え、前記スラリ吐出部から吐出されたスラリが前記被加工 物の側面に沿って移動することによって、前記ワイヤにスラリを供給することを特徴と するマルチワイヤソーである。
[0013] さらに、本発明は、複数のローラ間で走行するワイヤに砥粒を含むスラリを供給しな 力 被加工物を切断するマルチワイヤソ一において、前記スラリを収容する収容部を 有し、前記収容部内を前記ワイヤが通過することで、前記ワイヤにスラリが供給される スラリ供給機構を、前記被加工物が切断される部位の上流に設けたことを特徴とする マルチワイヤソーである。
発明の効果
[0014] 本発明によれば、アルカリ性スラリを所望の高い温度に維持しながら切断加工を行 うことができるので、被加工物とスラリとの切断界面の場所に伴う反応速度のばらつき が抑制され、切断抵抗のばらつきが低減され、ソーマーク、ウェハ厚みむらなどを抑 ff¾することができる。
また、本発明によれば、湿度調節機構により加工室内の湿度を設定湿度に調節す ることができるので、高い加工品質を維持しつつ、ワイヤの破断を防止することができ る。
さらに、本発明によれば、安価な装置構成でスラリの利用効率を高め、スラリの温度 制御を容易にし、回転ローラの寿命長期化を可能とし且つ清掃'ワイヤ張り作業など の作業性を向上させることができる。
図面の簡単な説明
[図 1]本発明の実施の形態 1に係るマルチワイヤソ一の外観図である。
[図 2]本発明の実施の形態 1に係るマルチワイヤソ一の部分外観図である。
[図 3]本発明の実施の形態 2に係るマルチワイヤソ一のワイヤ加熱機構の構造を示す 図である。
[図 4]本発明の実施の形態 3に係るマルチワイヤソ一の外観図である。
[図 5]本発明の実施の形態 3に係るマルチワイヤソ一の部分外観図である。
[図 6]本発明の実施の形態 3に係るマルチワイヤソ一による被カ卩ェ物の切断工程を説 明するための図である。
[図 7]本発明の実施の形態 3に係る湿度調節のフローチャートである。
[図 8]本発明の実施の形態 3に係るスラリ貯蔵タンク内のスラリ粘度を示すグラフであ る。
[図 9]本発明の実施の形態 4に係るマルチワイヤソ一の外観図である。
[図 10]本発明の実施の形態 4に係るマルチワイヤソ一の部分外観図である。
[図 11]本発明の実施の形態 4に係るマルチワイヤソ一による被カ卩ェ物の切断工程を 説明するための図である。
[図 12]本発明の実施の形態 5に係るマルチワイヤソ一の部分外観図である。
[図 13]本発明の実施の形態 6に係るマルチワイヤソ一の外観図である。
[図 14]本発明の実施の形態 6に係るマルチワイヤソ一の部分外観図である。
[図 15]本発明の実施の形態 6に係るマルチワイヤソ一による被カ卩ェ物の切断工程を 説明するための図である。 [図 16]本発明の実施の形態 7に係るマルチワイヤソ一の部分外観図である。
[図 17]図 16における X矢視図である。
[図 18]本実施の形態 8に係るマルチワイヤソ一のスラリ供給機構における側壁部を説 明する図である。
発明を実施するための最良の形態
[0016] 実施の形態 1.
図 1は、本発明の実施の形態 1に係わるマルチワイヤソ一の外観図である。図 2は、 実施の形態 1のマルチワイヤソ一の部分外観図である。
実施の形態 1に係るマルチワイヤソ一は、ベース 1と、ベース 1の上面に立設するフ レーム 2と、被加工物 3を加工方向に移動可能なように支持する被加工物支持機構 4 と、被加工物 3に繰り込んで被切断箇所にワイヤ 5を供給するワイヤ供給機構 6と、被 加工物 3とワイヤ 5との切断界面にスラリ 7を供給するスラリ供給機構 8とを備えている 。ベース 1はマルチワイヤソーを支持する平盤力 構成されている。フレーム 2は、箱 力 なり、作業者に向力つて正対する側板 9が設けられている。
[0017] 被加工物支持機構 4は、被加工物 3をダミー板 10を介して固定するステージ 11と、 フレーム 2に対して移動可能に支持され、加工方向に向力つてステージ 11に所定の 荷重をカ卩えながらステージ 11を押し下げるステージ可動機構 12と、ステージ 11の周 囲を囲繞する恒温槽 13とを備えている。恒温槽 13は、フレーム 2とフレーム 2の 4辺 手前に突設された 4つの側壁 14とフレーム 2に対向し側壁 14の前辺に連なる前壁 1 5とで囲まれた力卩ェ室 16を備えている。恒温槽 13はさらに図 2に示すように力卩ェ室 1 6内の温度を計測する室内温度計 17と、加工室 16内を加熱する熱板 18と、室内温 度計 17で計測された温度に基づき加工室温度がスラリ 7の最適な温度になるように 熱板 18へ供給する電力を調整する室温度調整器 19とを備えている。
[0018] ワイヤ供給機構 6は、ベース 1に備えられた図示しない 2台のモータと、そのモータ の軸にそれぞれ連結された繰り出し回転軸 20および巻き取り回転軸 21と、繰り出し 回転軸 20に嵌合し、ワイヤ 5が繰り出されるワイヤ繰り出しボビン 22と、巻き取り回転 軸 21に嵌合し、加工室 16から戻されてきたワイヤ 5を巻き取るワイヤ巻き取りボビン 2 3と、ワイヤ繰り出しボビン 22から繰り出されたワイヤ 5をフレーム 2に支持されたメイン ローラ 24まで走行案内する複数の案内プーリ 25と、メインローラ 24からワイヤ巻き取 りボビン 23まで戻されるワイヤ 5をその間で走行案内する複数の案内プーリ 26と、案 内プーリ 25、 26で案内されるワイヤ 5の張力を制御する張力制御ローラ 43とを備え ている。
[0019] さらに、ワイヤ供給機構 6は、フレーム 2に対して垂直に回転支持され、外周表面に 複数の溝が等間隔に形成されているメインローラ 24と、メインローラ 24に並行になる ようにフレーム 2に対して回転支持され、外周表面に複数の溝が等間隔に形成され て!、るサブローラ 27とを備えて 、る。
さらに、ワイヤ供給機構 6は、ワイヤ加熱機構としてのボビン加熱ヒータ 28がワイヤ 繰り出しボビン 22内に内蔵されている。このワイヤ加熱機構としては、他にメインロー ラ 24の近傍に備えられ、ワイヤ 5に赤外線などを照射できる赤外線ヒータまたはメイン ローラ 24の手前でワイヤ 5が温水を通過する温水槽なども適用できる力 ワイヤ 5を 加熱することができるものであればこれらに限定されるものではない。
[0020] スラリ供給機構 8は、調整された後供給されたスラリ 7および加工室 16のスラリ受皿 29で回収されて戻されたスラリ 7を貯蔵し、そのスラリ 7の温度を最適な温度に制御す る加熱機構付貯蔵タンク 30と、加熱機構付貯蔵タンク 30からスラリ 7を送出するボン プ 31と、ポンプ 31から送出されたスラリ 7がその中を通ってスラリ 7の最適な温度に保 温されながら加工室 16まで送液される保温パイプ 32と、保温パイプ 32を経由して送 られてきたスラリ 7をワイヤ 5に向けて吐出するスラリ吐出部 33とを備えている。
[0021] 加熱機構付貯蔵タンク 30は、図 2に示すようにスラリ貯蔵タンク 34と、スラリ貯蔵タン ク 34の周囲を囲んで加熱するスラリ加熱用ヒータ 35と、スラリ貯蔵タンク 34内のスラリ 7の温度を計測する温度計 36と、計測されたスラリ 7の温度に基づいてスラリ加熱用ヒ ータ 35の加熱条件を調整する温度調節器 37とを備えている。このスラリ加熱用ヒー タ 35として電熱線を用いている力 他に投げ込みヒータ、リボンヒータ、温水ヒータな どスラリ 7を加熱することができるものであればこれらに限定されるものではない。
[0022] 保温パイプ 32は、図 2に示すようにスラリ 7が通過できるパイプ 38と、その側壁面に 巻き付けられたスラリ保温用ヒータ 39と、パイプ 38内に突出してスラリ 7の温度を計測 する温度計 40と、ノィプ 38内のスラリ 7の温度に基づいてスラリ保温用ヒータ 39の保 温条件を制御する温度調節器 41とを備えている。この保温用ヒータ 39としてリボンヒ ータを用いている力 他に 2重管の外側に管に温水を流すなどパイプ 38内のスラリ 7 の保温ができるものであればこれらに限定されるものではない。
[0023] 次に、実施の形態 1のマルチワイヤソーを用いて被力卩ェ物 3を切断してウェハを作 製することを説明する。
このときの被加工物 3として多結晶シリコンインゴット（以下、インゴットと称する。）を 用いる。その外形は 150mm角で長さ 25mmの角柱である。このインゴットは、ガラス 製のダミー 10を介してステンレス製のベースプレート 44上にエポキシ榭脂などからな る接着剤で固定され、ベースプレート 44はステージ 11に機械的に固定される。
[0024] 次に、ワイヤをメインローラ 24とサブローラ 27との間に螺旋状に巻き付ける。なお、 ここで用いるワイヤ 5は硬鋼線 (ピアノ線)から形成され、その太さは 0. 06-0. 25m m程度のものが使用される。他にワイヤとしては、ニッケルクロム合金または鉄-ッケ ル合金などの合金、タングステンまたはモリブデンなどの高融点金属またはポリアミド 繊維を束ねたものから構成されて 、てもよ 、。
まず、ワイヤ 5をワイヤ繰り出しボビン 22から繰り出し、案内プーリ 25により走行案内 して走行方向を変更し、メインローラ 24の一番手前の溝まで繰り出す。そしてこの溝 内を接しながらサブローラ 27の一番手前の溝まで繰り出し、その溝内に沿ってサブ口 ーラ 27を半周分反時計方向に周回させる。そこからメインローラ 24の手前力も 2番目 の溝まで繰り出し、その溝内に沿ってメインローラ 24を半周分反時計方向に周回さ せる。これらの操作を繰り返してメインローラ 24とサブローラ 27との間に所望のピッチ でらせん状に張られた複数のワイヤ 5を設けることができる。
さらに、サブローラ 27からメインローラ 24の一番奥側の溝まで繰り出されたワイヤ 5 は案内プーリ 26に案内されながらワイヤ巻き取りボビン 23に巻き取られる。メインロー ラ 24およびサブローラ 27の卷きつけのワイヤピッチはインゴットの切断ピッチに等しく 、また巻きつけ回数はインゴットから切り出すウェハの枚数に応じて任意に決められ る。
[0025] 次に、インゴットを切断するときに用いるスラリ 7を説明する。このスラリ 7は、アルカリ または混酸を含み、その成分は砥粒、塩基性物質および液体成分からなる。 砲粒としては、一般的に研磨材として用いられるものであればよぐ例えば、炭化ケ ィ素、酸化セリウム、ダイヤモンド、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム 、二酸ィ匕ケィ素を挙げることができる。また、これらを単独で又は二種以上を組み合 わせて用いることができる。このような砲粒に用いることのできる化合物は巿販されて おり、具体的には炭化ケィ素としては、商品名 GC (Green Silicon Carbide)およ び C (Black Silicon Carbide) ( (株）フジミインコーポレーテッド社製）、酸化アルミ -ゥムとしては、商品名 FO (Fujimi Optical Emery)ゝ A (Regular Fused Ali mina)、 WA (White Fused Alumina)および PWA (Platelet CalcinedAlumi na) ( (株)フジミインコーポレーテッド社製)等が挙げられる。
砲粒の平均粒子径は、特に限定されるものではないが、好ましくは 1 μ m— 60 μ m 、より好ましくは 5 μ m— 20 μ mである。また、砲粒の含有量は、特に限定されるもの ではないが、スラリ 7全体の質量に対して、好ましくは 20質量％— 50質量％である。
[0026] また、塩基性物質としては、スラリ 7中で塩基として作用する物質であればよぐ例え ば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸ィ匕カリウム等のアルカリ金属水酸ィ匕物、 水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム等のアルカリ土類水酸化物 を挙げることができる。また、これらを単独で又は二種以上を組み合わせて用いること ができる。これらの中でも、シリコンインゴットとの反応性の観点から、アルカリ金属水 酸ィ匕物が好ましい。
塩基性物質の含有量は、スラリ 7中の液体成分全体の質量に対して、 3. 5質量％ 以上な!/、し 20質量％以下である。
[0027] また、スラリ 7の液体成分としては、水、公知のクーラントおよびこれらの混合物を用 いることができる。ここで用いる水としては、不純物含有量の少ないものが好ましいが 、これに限定されるものではない。具体的には、純水、超純水、巿水、工業用水等が 挙げられる。水の含有量は、特に限定されるものではないが、スラリ 7全体の質量に 対して、好ましくは 10質量％— 75質量％である。
また、クーラントとしては、保湿剤、潤滑剤、防鲭剤、粘度調整剤、例えば、ポリェチ レンダリコール、ベンゾトリァゾール、ォレイン酸等を含む切断補助混合液として一般 的に用いられるものであればよい。このようなクーラントは巿販されており、具体的に は商品名リカマルチノール (理化商会社製)、ルナクーラント (大智化学産業社製)等 が挙げられる。クーラントの含有量は、特に限定されるものではないが、スラリ 7全体 の質量に対して、好ましくは 0質量％— 50質量％である。
[0028] このような構成のスラリ 7は、各成分を所望の割合で混合することにより調製すること ができる。各成分を混合する方法は任意であり、例えば、翼式撹拌機で撹拌すること により行うことができる。また、各成分の混合順序についても任意である。更に、精製 などの目的で、調製されたスラリ 7にさらなる処理、例えば、濾過処理、イオン交換処 理等を行ってもよい。
[0029] このスラリ 7は、強塩基性を有している。そのためシリコンインゴット切断界面は、式（ 1)に示すような反応によって脆弱化されると共に、砲粒によってラッピングされる。
Si+4H 0→Si(OH) +2H (1)
2 4 2
このスラリ 7とインゴットとの化学反応を促進させるスラリ 7の温度は、 65°C— 95°Cの 範囲であることが好ましい。スラリ 7の温度が低過ぎる場合には、反応が活性化されな いため切断抵抗が十分に低減されず、高過ぎる場合には、スラリ液体成分 (主に水 分)の蒸発によって反応に必要な水分が不足し、切断抵抗が増大してしまい好ましく ない。
[0030] このように調製されたスラリ 7はスラリ貯蔵タンク 34内に貯蔵し、加熱して 65°C— 95 °Cにスラリ 7の温度を上昇させる。このように温度調整されたスラリ 7は保温パイプ 32 内をスラリ 7の温度が 65°C— 95°Cに保温されながらスラリ突出部 33から吐出される。 このスラリ吐出部 33の下方に位置しているワイヤ 5にスラリ 7は付着し、インゴットとワイ ャ 5の切断界面に導き入れられる。被加工物支持機構 4により下方へ押し下げられる インゴットとスラリ付きのワイヤ 5とが接触、加圧、摺動されることでインゴットが加工さ れる。また、加工室 16の空気の温度が 65°C— 95°Cになるように制御される。さらに、 ワイヤ 5の温度も 65°C— 95°Cになるように加熱される。このとき、スラリ 7の最適な温 度、例えば 80°Cの場合、スラリ 7、ワイヤ 5および力卩ェ室 16の空気のそれぞれの温度 を 80°Cになるように制御する。
[0031] また、スラリ吐出部 33から吐出されてインゴットおよびワイヤ 5から下に落下したスラ リ 7の残部は、スラリ受皿 29で回収され、不純物（シリコンの切り屑など）と分離され、 再生された後、スラリ回収ドレイン管 46を介してスラリ貯蔵タンク 34に戻される。
[0032] スラリ 7の組成の具体例として、 4質量部の水酸ィ匕ナトリウムを 46質量部の水に溶解 して塩基性水溶液とし、この水溶液と 50質量部のクーラント（大智化学産業社製、ル ナクーラント # 691)とを混合した。この混合溶液に、 100質量部の SiC砥粒 (フジミィ ンコーポレーテッド社製、 GC # 1200、平均粒子径約 10 m)を更にカ卩えて攪拌し、 スラリ 7を調整した。得られたスラリ 7の 25°Cにおける pHは 13. 9であった。
[0033] 次に、得られたスラリ 7を用いて、下記に示す切断条件で多結晶シリコンのインゴット
(150mm角、 25mm長）を切断してウェハを作製した。
切断条件は、それぞれワイヤ径が 0. lmm,切断代が 0. 13mm,切断ピッチが 0. 39mm,切断速度が 0. 35mmZ分、ワイヤ走行速度が 600mZ分、スラリ温度が 80 °Cであった。比較例としてスラリ温度を 25°Cとして同様にインゴットを切断した。
その際、切断抵抗の大きさを表わす指標として、ワイヤ 5のたわみ量を測定した。結 果を表 1に示す。切断加工時に、走行するワイヤ 5とインゴットとの切断界面に切断抵 抗が生じると、ワイヤ 5がインゴット送り方向にたわむ。このたわみは切断抵抗の大きさ に比例するので、切断加工中のワイヤたわみ量を測定することで、切断抵抗の大小 を知ることができる。換言すれば、たわみが大きいということは、切断界面でのワイヤ 5 に切断方向（z方向）の遅れがでるということであり、所望の切断速度が得られないこと になる。
次に、得られたウェハを水で洗浄し、乾燥させた後、ウェハの厚さむらを評価した。 さらに、ウェハ表面のソーマークの有無を目視にて評価した。これらの結果を表 1に 示す。
[0034] [表 1] 項目 実施例 比較例
水酸化ナトリウム 水酸化ナトリウム 塩基性溶液の溶質
4重量部 1重量部
水 46重量部 49重量部
クーラント 50重量部
砥粒 1 00重量部
スラリ温度 80°C 25°C
ワイヤたわみ量
Omm Ό . ， mm
(切削抵抗）
ウェハ厚さムラ
5 m 1 0 // m
(平均値）
ソ一マーク
ほとんど観察されず 随所に観察される
(目視）
[0035] 表 1から明らかなように、 80°Cの温度にスラリ 7を制御することにより厚さむらが小さく 、ソーマークがないという高いウェハ品質を維持すると共に、ワイヤたわみ量、即ち、 切断抵抗を大幅に低減することができた。
[0036] このように本実施の形態 1によれば、スラリおよび被カ卩ェ物の温度を所望の値に維 持しながら切断加工ができるので、厚さむらが小さぐソーマークが極めて少ないとい う高いウェハ品質を維持すると共に、ワイヤたわみ量、即ち、切断抵抗を大幅に低減 することができる。
[0037] 実施の形態 2.
図 4は、本発明の実施の形態 2に係るマルチワイヤソ一のワイヤ加熱機構の外観図 である。実施の形態 2のマルチワイヤソ一は、実施の形態 1とワイヤ加熱機構が異な つていて、その他は同様であるので同様な部分の説明は省略する。
このワイヤ加熱機構は、ワイヤ繰り出しボビン 22からメインローラ 24の間でワイヤ 5 を案内する複数の案内プーリ 25のうち、所望の長さワイヤ 5が走行できるだけ離れた 2個のプーリ 25a、 25bとこの 2つのプーリ 25a、 25bの間に電圧を供給する電源 42と を備えている。このプーリ 25a、 25bは導電性を有していて、プーリ 25a、 25bとワイヤ 5の間で導通することができる。なお、ワイヤ繰り出しボビン 22、ワイヤ巻き取りボビン 23はワイヤ 5を電気的に浮かすために絶縁性を有して 、る。 このワイヤ加熱機構は、プーリ 25a、 25b間のワイヤ 5に電流を流すことにより、ジュ 一ル熱を発生してワイヤ 5を加熱することができる。
[0038] この実施の形態 2で使用したワイヤ 5は、抵抗 R= 28. 3 ( Ω /πι)、直径 D = 0. 1 (m m)のピアノ線であり、ワイヤ送り速度は v= 10 (mZs)、プーリ間距離は L = 0. 4 (m) とし、以下ワイヤ 5をト T= 60 (Κ)昇温するのに必要な電圧を求める。
ワイヤ 5の微小部分 Δ χがプーリ間を通過するのに必要な時間 t (sec)は式（2)から 求めることができる。
t = L/v=0. 04 [sec] (2)
さらに、プーリ間に存在するワイヤ 5の質量 W(g)は、ワイヤ比重を A= 7. 8 (g/cm 2)として、式（3)から求めることができる。
W= Dソ 4) 'L'A=0. 025 [g] (3)
そこで昇温に必要な熱量 Q (J)は、ワイヤ比熱を C = 0. 5 (jZgK)として式 (4)から 求めることができる。
Q= AT-C-W=0. 74ϋ] (4)
このときにワイヤ 5に流れる電流量 I (Α)は、必要な熱量 Q力も式（5)から求めること ができる。
I= (Q/Rt) 1 2= 1. 3 [A] (5)
そこでプーリ間に印加しなければならないプーリ間電圧 V(V)は式 (6)のようになる
V=IR= 14[V] (6)
[0039] このように本実施の形態 2によれば、市販の汎用電圧源や電池などを使用して容易 にワイヤを加熱することができる。また、ワイヤの加熱温度は、電源電圧の変更によつ て容易に制御することができる。
[0040] 実施の形態 3.
図 4は、本発明の実施の形態 3に係るマルチワイヤソ一の外観図であり、図 5は、実 施の形態 3のマルチワイヤソ一の部分外観図である。また、図 6は、実施の形態 3の マルチワイヤソ一による被カ卩ェ物の切断工程を説明するための図である。
実施の形態 3に係るマルチワイヤソ一は、ベース 1と、ベース 1の上面に立設するフ レーム 2と、被加工物 3を加工方向に移動可能なように支持する被加工物支持機構 4 と、被加工物 3に繰り込んで被切断箇所にワイヤ 5を供給するワイヤ供給機構 6と、被 加工物 3とワイヤ 5との切断界面にスラリ 7を供給するスラリ供給機構 8Aとを備えてい る。ベース 1はマルチワイヤソーを支持する平盤力も構成されている。フレーム 2は、 箱からなり、作業者に向力つて正対する側板 9が設けられている。
[0041] 被加工物支持機構 4は、被加工物 3をダミー板 10を介して固定するステージ 11と、 フレーム 2に対して移動可能に支持され、加工方向に向力つてステージ 11に所定の 荷重をカ卩えながらステージ 11を押し下げるステージ可動機構 12と、ステージ 11の周 囲を囲繞する加工室 16とを備えている。加工室 16は、フレーム 2とフレーム 2の 4辺 手前に突設された 4つの側壁 14とフレーム 2に対向し側壁 14の前辺に連なる前壁 1 5とで囲まれている。図 5に示すように加工室 16の天井面には、加工室 16内の雰囲 気 (切断加工時に発生するガス、例えば水素などを含む）を排出するための排出口 4 5が設けられ、加工室 16のスラリ受皿 29には、スラリ回収ドレイン管 46が接続されて いる。さらに力卩ェ室 16の天井面には、加工室 16内の湿度を設定湿度に調節するた めの湿度調節機構 47が取り付けられている。この湿度調節機構 47は、水蒸気 48を 発生させるための加湿装置 49と、湿度を測定するための湿度計 50と、設定湿度と測 定された加工室 16内湿度との比較結果から加湿装置 49の作動 ·停止を行う制御装 置 51とを備えている。このため、湿度調節機構 47により加工室 16内の湿度が調節 可能となっている。ここで用いられる加湿装置 49としては、水蒸気 48を発生すること ができるものであれば特に限定されないが、例えば、超音波式加湿装置やヒータ式 加湿装置などを挙げることができる。
[0042] ワイヤ供給機構 6は、ベース 1に備えられた図示しな 、2台のモータと、そのモータ の軸にそれぞれ連結された繰り出し回転軸 20および巻き取り回転軸 21と、繰り出し 回転軸 20に嵌合し、ワイヤ 5が繰り出されるワイヤ繰り出しボビン 22と、巻き取り回転 軸 21に嵌合し、加工室 16から戻されてきたワイヤ 5を巻き取るワイヤ巻き取りボビン 2 3と、ワイヤ繰り出しボビン 22から繰り出されたワイヤ 5をフレーム 2に支持されたメイン ローラ 24まで走行案内する複数の案内プーリ 25と、メインローラ 24からワイヤ巻き取 りボビン 23まで戻されるワイヤ 5をその間で走行案内する複数の案内プーリ 26と、案 内プーリ 25、 26で案内されるワイヤ 5の張力を制御する張力制御ローラ 43とを備え ている。
さらに、ワイヤ供給機構 6は、フレーム 2に対して垂直に回転支持され、外周表面に 複数の溝が等間隔に形成されているメインローラ 24と、メインローラ 24に並行になる ようにフレーム 2に対して回転支持され、外周表面に複数の溝が等間隔に形成され て!、るサブローラ 27とを備えて 、る。
[0043] スラリ供給機構 8Aは、ワイヤ 5に供給されるスラリ 7および力卩ェ室 16のスラリ受皿 29 で回収され、スラリ回収ドレイン管 46を介して戻されたスラリ 7を貯蔵するスラリ貯蔵タ ンク 34と、スラリ貯蔵タンク 34からスラリ 7を送出するポンプ 31と、ポンプ 31から送出 されたスラリ 7がその中を通って加工室 16まで送液されるパイプ 32Aと、パイプ 32A を経由して送られてきたスラリ 7をワイヤ 5に向けて吐出するスラリ吐出部 33とを備え ている。このスラリ吐出部 33は、加工室 16内であって、被加工物 3を切断する部位の 上流側に配置されたサブローラ 27と被加工物 3を切断する部位との間の上方に配置 されている。スラリ貯蔵タンク 34は、加工室 16内に配置してもよいが、スラリ貯蔵量が 制限されることや、加工室 16内の構造が複雑になることから、加工室 16外に配置す ることが望ましい。
[0044] 次に、実施の形態 3のマルチワイヤソーを用いて被力卩ェ物 3を切断してウェハを作 製することを説明する。
このときの被加工物 3として多結晶シリコンインゴット（以下、インゴットと称する。）を 用いる。このインゴットは、ガラス製のダミー 10を介してステンレス製のベースプレート 44上にエポキシ榭脂など力もなる接着剤で固定され、ベースプレート 44はステージ 11に機械的に固定される。
[0045] 次に、ワイヤ 5をメインローラ 24とサブローラ 27との間に螺旋状に巻き付ける。なお 、ここで用いるワイヤ 5は硬鋼線 (ピアノ線)から形成され、その太さは 0. 06-0. 25 mm程度のものが使用される。他にワイヤとしては、ニッケルクロム合金または鉄-ッ ケル合金などの合金、タングステンまたはモリブデンなどの高融点金属またはポリアミ ド繊維を束ねたもの力も構成されて 、てもよ 、。
まず、ワイヤ 5をワイヤ繰り出しボビン 22から繰り出し、案内プーリ 25により走行案内 して走行方向を変更し、メインローラ 24の一番手前の溝まで繰り出す。そしてこの溝 内を接しながらサブローラ 27の一番手前の溝まで繰り出し、その溝内に沿ってサブ口 ーラ 27を半周分反時計方向に周回させる。そこからメインローラ 24の手前力も 2番目 の溝まで繰り出し、その溝内に沿ってメインローラ 24を半周分反時計方向に周回さ せる。これらの操作を繰り返してメインローラ 24とサブローラ 27との間に所望のピッチ でらせん状に張られた複数のワイヤ 5を設けることができる。
さらに、サブローラ 27からメインローラ 24の一番奥側の溝まで繰り出されたワイヤ 5 は案内プーリ 26に案内されながらワイヤ巻き取りボビン 23に巻き取られる。メインロー ラ 24およびサブローラ 27の卷きつけのワイヤピッチはインゴットの切断ピッチに等しく 、また巻きつけ回数はインゴットから切り出すウェハの枚数に応じて任意に決められ る。
[0046] このようなマルチワイヤソ一において、ワイヤ供給機構 6を駆動させると、張力制御口 ーラ 43によって一定の張力が維持されながら、ワイヤ 5が一定方向に所定の速度で 走行する。このとき、メインローラ 24およびサブローラ 27が、ワイヤ 5の走行速度に応 じた回転速度で同期回転する。加工室 16内では、ワイヤ 5が、メインローラ 24および サブローラ 27の溝に沿って案内されているため、ステージ 11の下方で、ワイヤ 5の列 が平行に走行しながら一定の張力で配置されることになる。ここで被加工物支持機構 4力 被力卩ェ物 3としてのインゴットをワイヤ 5に向けて押し下げることによって、インゴ ットが、走行するワイヤ 5と接触し、押し付けられる。このとき図 6に示すように、スラリ 7 力 スラリ吐出部 33から吐出され、走行するワイヤ 5に供給されると、走行するワイヤ 5 によってインゴットの切断界面に運ばれる。そして、スラリ 7のラッピング作用やィ匕学的 作用によってシリコン原子の結合が分断され、インゴットが切断される。
[0047] このような切断加工過程において、図 5に示されるように、湿度調節機構 47から水 蒸気 48が加工室 16内に放出されることによって、加工室 16内の湿度 (相対湿度）が 飽和蒸気圧に近い状態に保持される。
この湿度調節機構 47による加工室 16内の湿度調節について、図 7を参照しつつ 説明する。まず、マルチワイヤソ一が作動中であることを確認すると、ステップ 101に おいて、制御装置 51に入力された設定湿度の読み取りが行われ、ステップ 102に進 む。ステップ 102では、湿度計 50により測定された力卩ェ室 16内の湿度の読み取りが 行われ、ステップ 103に進む。ステップ 103では、測定された加工室 16内の湿度が 設定範囲内にある力否力が、制御装置 51よって判定される。測定された力卩ェ室 16 内の湿度が設定範囲内よりも低い場合は、判定が否定されてステップ 104に進み、 加湿装置 49による加湿が開始される。一方、ステップ 103において、測定されたカロェ 室 16内の湿度が設定範囲内よりも高い場合は、判定が肯定されてステップ 105に進 み、加湿装置 49による加湿が停止される。
[0048] ここで、加工室 16内の湿度は 95— 99%に調節することが望ましい。湿度が低過ぎ ると、スラリ 7中に含まれる水分の蒸発量が増大してスラリ 7の粘度が高くなるため、ソ 一マークを発生させることがある。また、湿度が高過ぎると、加工室 16内に放出され た水蒸気 48が水滴となってスラリ受皿 29で回収され、スラリ貯蔵タンク 34内のスラリ 7 が希釈されて粘度が低下する。スラリ 7の粘度が低下すると、ワイヤ 5から脱落するス ラリ 7の量が増大し、切断効率が低下することがある。
[0049] この実施の形態 3に係るマルチワイヤソ一において、 46質量部の水と、 4質量部の 水酸化ナトリウムと、 50質量部のプロピレングリコールと、 100質量部の砲粒（平均粒 径 10 mの炭化チタン）とを含むスラリを用いて、加工室 16内の湿度 98%、温度 80 °Cの条件で、シリコンインゴットの切断加工実験を行った。スラリ貯蔵タンク 34内のス ラリを所定時間（0、 2、 4及び 7時間）毎に採取し、回転粘度計 (ブルックフィールド社 製、プログラマブルレオメータ DV— III)を用いて、ずり速度 57. 6 [s— 、 25°Cにおける 粘度を測定した。結果を図 8に示す。
図 8から明らかなように、湿度が飽和蒸気圧に近い状態に保持された加工室 16内 においてインゴットの切断加工を行うと、スラリ 7に含まれる水分の蒸発が抑制される ため、スラリ 7の粘度は、ほぼ一定に保持される。これに対して、加湿を行わない従来 のマルチワイヤソー (力卩ェ室内の湿度約 70%)では、切断加工開始から 2時間でスラ リ 7の粘度が大きく上昇した。
[0050] また、この実施の形態 3に係るマルチワイヤソ一において、水酸化ナトリウム濃度が 4質量0 /0である 80°Cのスラリと、 0. 1mm径のピアノ線ワイヤとを用いて、加工室内の 湿度 98%、切断速度 0. 35mmZ分、ワイヤ走行速度 600mZ分の条件でシリコンィ ンゴット（150mm角、 25mm長）を切断したところ、ワイヤが破断することなくシリコン インゴットを切断できることが確認された。これに対して、従来のマルチワイヤソーを用 いてシリコンインゴットを切断したところ、切断加工開始から約 1時間後 (切断長さ約 2 lmm)に、ワイヤの破断が発生した。
[0051] このように本実施の形態 3によれば、加工室 16内の湿度が飽和蒸気圧に近い状態 に保持されるため、スラリ 7の粘度変化が極めて小さぐ且つワイヤ 5が被加工物 3とし てのシリコンインゴットに挿入される入口部分においてスラリ 7が乾燥、固化することが ない。そのため、高い加工品質を維持しつつ、ワイヤの破断を防止することができる。 さらに、従来のマルチワイヤソーのようにスラリ貯蔵タンク 34に水分を補給しながら粘 度を調整するための機構が不必要となり、スラリの粘度管理が容易になる。
[0052] なお、本実施の形態 3に係るマルチワイヤソーでは、被加工物 3を切断する部位の 上流側に配置されたサブローラ 27と被力卩ェ物 3を切断する部位との間の上方に、ス ラリ吐出部 33を配置した力 これに限定されない。例えば、スラリ吐出部 33から吐出 されたスラリ 7が、被加工物 3の側面に沿って移動し、ワイヤ 5に供給されるように、被 加工物 3を切断する部位の上流側壁面に近接して配置してもよい。
また、本実施の形態 3に係るマルチワイヤソーでは、湿度調節機構 47を加工室 16 内に配置した力 湿度調節機構 47から加工室 16内に水蒸気 48を放出することがで きればよぐこれに限定されない。例えば、湿度調節機構 47を力卩ェ室 16の外部に配 置しておき、湿度調節機構 47から配管等を介して加工室 16内に水蒸気 48を放出し てもよい。
さらに、本実施の形態 3に係る加工室 16内には、加工室 16内の湿度が均一になる ように、強制対流用ファンなどを設けてもよい。
また、スラリ 7の温度を調整するために、スラリ貯蔵タンク 34の周囲を囲んで加熱す るスラリ加熱用ヒータを設けてもよい。このようなスラリ加熱用ヒータとしては、スラリ 7を 加熱することができるものであれば限定されるものではないが、電熱線、投げ込みヒ ータ、リボンヒータ、温水ヒータなどを挙げることができる。
[0053] 実施の形態 4.
図 9は、本発明の実施の形態 4に係るマルチワイヤソ一の外観図であり、図 10は、 実施の形態 4のマルチワイヤソ一の部分外観図である。また、図 11は、実施の形態 4 のマルチワイヤソ一による被カ卩ェ物の切断工程を説明するための図である。
実施の形態 4に係るマルチワイヤソ一は、ベース 1と、ベース 1の上面に立設するフ レーム 2と、被加工物 3を加工方向に移動可能なように支持する被加工物支持機構 4 と、被加工物 3に繰り込んで被切断箇所にワイヤ 5を供給するワイヤ供給機構 6と、被 加工物 3とワイヤ 5との切断界面にスラリ 7を供給するスラリ供給機構 8Bとを備えてい る。ベース 1はマルチワイヤソーを支持する平盤力も構成されている。フレーム 2は、 箱からなり、作業者に向力つて正対する側板 9が設けられている。
[0054] 被加工物支持機構 4は、被加工物 3をダミー板 10を介して固定するステージ 11と、 フレーム 2に対して移動可能に支持され、加工方向に向力つてステージ 11に所定の 荷重をカ卩えながらステージ 11を押し下げるステージ可動機構 12と、ステージ 11の周 囲を囲繞する加工室 16とを備えている。加工室 16は、フレーム 2とフレーム 2の 4辺 手前に突設された 4つの側壁 14とフレーム 2に対向し側壁 14の前辺に連なる前壁 1 5とで囲まれている。
[0055] ワイヤ供給機構 6は、ベース 1に備えられた図示しな 、2台のモータと、そのモータ の軸にそれぞれ連結された繰り出し回転軸 20および巻き取り回転軸 21と、繰り出し 回転軸 20に嵌合し、ワイヤ 5が繰り出されるワイヤ繰り出しボビン 22と、巻き取り回転 軸 21に嵌合し、加工室 16から戻されてきたワイヤ 5を巻き取るワイヤ巻き取りボビン 2 3と、ワイヤ繰り出しボビン 22から繰り出されたワイヤ 5をフレーム 2に支持されたメイン ローラ 24まで走行案内する複数の案内プーリ 25と、メインローラ 24からワイヤ巻き取 りボビン 23まで戻されるワイヤ 5をその間で走行案内する複数の案内プーリ 26と、案 内プーリ 25、 26で案内されるワイヤ 5の張力を制御する張力制御ローラ 43とを備え ている。
さらに、ワイヤ供給機構 6は、フレーム 2に対して垂直に回転支持され、外周表面に 複数の溝が等間隔に形成されているメインローラ 24と、メインローラ 24に並行になる ようにフレーム 2に対して回転支持され、外周表面に複数の溝が等間隔に形成され て!、るサブローラ 27とを備えて 、る。
[0056] 次に、スラリ供給機構 8Bによるワイヤ 5へのスラリ 7の供給について、図 10を参照し つつ具体的に説明する。
スラリ供給機構 8Bは、ワイヤ 5に供給されるスラリ 7および力卩ェ室 16のスラリ受皿 29 で回収され、スラリ回収ドレイン管 46を介して戻されたスラリ 7を貯蔵するスラリ貯蔵タ ンク 34と、スラリ貯蔵タンク 34からスラリ 7を送出するポンプ 31と、ポンプ 31から送出 されたスラリ 7がその中を通って加工室 16まで送液されるパイプ 32Aと、パイプ 32A を経由して送られてきたスラリ 7をワイヤ 5に向けて吐出するスラリ吐出部 33とを備え ている。このスラリ吐出部 33は、図 10に示されるように、被力卩ェ物 3を切断する部位 の上流側に設けられたサブローラ 27と被力卩ェ物 3を切断する部位との間の上方であ つて、吐出されたスラリ 7が被加工物 3の側面に沿って移動するように (被加工物 3を 切断する部位の上流側壁面に近接して)設置されている。スラリ吐出部 33によりワイ ャ 5にスラリ 7を供給する際には、スラリ吐出部 33からスラリ 7を、例えばカーテン状に 吐出させる。このとき、スラリ吐出部 33は被力卩ェ物 3の切断部位の上方にあるので、 吐出されたスラリ 7は被加工物 3の側面に沿って流下する。スラリ 7はそのまま、水分 蒸発することなくワイヤ 5と被加工物 3との交点へ移動してワイヤ 5と接触すると、ワイ ャ 5によって被力卩ェ物 3の切断界面に運ばれる。このような切断加工において、被カロ ェ物 3の側面、特に走行するワイヤ 5と被加工物 3との交点では、スラリ 7が常に流動 しているため、スラリ 7の粘度は常に一定となる。
[0057] 次に、実施の形態 4のマルチワイヤソーを用いて被力卩ェ物 3を切断してウェハを作 製することを説明する。
このときの被加工物 3として多結晶シリコンインゴット（以下、インゴットと称する。）を 用いる。このインゴットは、ガラス製のダミー 10を介してステンレス製のベースプレート 44上にエポキシ榭脂など力もなる接着剤で固定され、ベースプレート 44はステージ 11に機械的に固定される。
[0058] 次に、ワイヤ 5をメインローラ 24とサブローラ 27との間に螺旋状に巻き付ける。なお 、ここで用いるワイヤ 5は硬鋼線 (ピアノ線)から形成され、その太さは 0. 06-0. 25 mm程度のものが使用される。他にワイヤとしては、ニッケルクロム合金または鉄-ッ ケル合金などの合金、タングステンまたはモリブデンなどの高融点金属またはポリアミ ド繊維を束ねたもの力も構成されて 、てもよ 、。 まず、ワイヤ 5をワイヤ繰り出しボビン 22から繰り出し、案内プーリ 25により走行案内 して走行方向を変更し、メインローラ 24の一番手前の溝まで繰り出す。そしてこの溝 内を接しながらサブローラ 27の一番手前の溝まで繰り出し、その溝内に沿ってサブ口 ーラ 27を半周分反時計方向に周回させる。そこからメインローラ 24の手前力も 2番目 の溝まで繰り出し、その溝内に沿ってメインローラ 24を半周分反時計方向に周回さ せる。これらの操作を繰り返してメインローラ 24とサブローラ 27との間に所望のピッチ でらせん状に張られた複数のワイヤ 5を設けることができる。
さらに、サブローラ 27からメインローラ 24の一番奥側の溝まで繰り出されたワイヤ 5 は案内プーリ 26に案内されながらワイヤ巻き取りボビン 23に巻き取られる。メインロー ラ 24およびサブローラ 27の卷きつけのワイヤピッチはインゴットの切断ピッチに等しく 、また巻きつけ回数はインゴットから切り出すウェハの枚数に応じて任意に決められ る。
[0059] このようなマルチワイヤソ一において、ワイヤ供給機構 6を駆動させると、張力制御口 ーラ 43によって一定の張力が維持されながら、ワイヤ 5が一定方向に所定の速度で 走行する。このとき、メインローラ 24およびサブローラ 27が、ワイヤ 5の走行速度に応 じた回転速度で同期回転する。加工室 16内では、ワイヤ 5が、メインローラ 24および サブローラ 27の溝に沿って案内されているため、ステージ 11の下方で、ワイヤ 5の列 が平行に走行しながら一定の張力で配置されることになる。ここで被加工物支持機構 4力 被力卩ェ物 3としてのインゴットをワイヤ 5に向けて押し下げることによって、インゴ ットが、走行するワイヤ 5と接触し、押し付けられる。このとき図 11に示すように、スラリ 7が、スラリ吐出部 33から吐出され、インゴットの側面に沿って移動し、走行するワイ ャ 5に供給されると、走行するワイヤ 5によってインゴットの切断界面に運ばれる。そし て、スラリ 7のラッピング作用やィ匕学的作用によってシリコン原子の結合が分断され、 インゴットが切断される。
また、スラリ吐出部 33から吐出されてインゴットおよびワイヤ 5から下に落下したスラ リ 7の残部は、スラリ受皿 29で回収され、不純物（シリコンの切り屑など）と分離され、 再生された後、スラリ回収ドレイン管 46を介してスラリ貯蔵タンク 34に戻される。
[0060] この実施の形態 4に係るマルチワイヤソ一において、水酸ィ匕ナトリウム濃度が 4質量 %である 80°Cのスラリと、 0. 1mm径のピアノ線ワイヤとを用いて、切断速度 0. 35m mZ分、ワイヤ走行速度 600mZ分の条件でシリコンインゴット（150mm角、 25mm 長）を切断した (ワイヤの破断はなカゝつた)。切断後、ワイヤがシリコンインゴットに挿入 される入口部分を観察した結果、固化したスラリの付着は認められな力つた。従来の マルチワイヤソーを用いてシリコンインゴットを切断し、切断加工開始力も約 1時間後 (切断長さ約 21mm)にワイヤの破断が発生したときは、入口部分に固化したスラリが 多量に付着していた。
[0061] このように本実施の形態 4によれば、走行するワイヤ 5と被力卩ェ物 3としてのインゴッ トとの交点においてスラリ 7が常に流動しているため、スラリ 7は乾燥、固化することが ない。そのため、ワイヤ 5の走行に力かる抵抗を低減することができ、ひいては生産性 を著しく低下させるワイヤ破断を防止することができる。
[0062] 実施の形態 5.
図 12は、実施の形態 5のマルチワイヤソ一の部分外観図である。
実施の形態 5に係るマルチワイヤソーでは、スラリ供給機構 8Cが、被加工物 3の側 面に貼付されたシート部材 52を備えている。他の構成は前記実施の形態 4と同様に 構成されている。
[0063] ここで用いるシート部材 52としては、スラリ 7と反応しないか、又は極めて反応性の 低い材料力 なるものであればよぐ例えば、水酸ィ匕ナトリウムなどの強アルカリ性物 質を含むスラリ 7の場合、ポリエチレン、ポリプロピレン、メチルペンテン榭脂、フッ素 榭脂、天然ゴム、スチレンゴム、ブチルゴム、エチレン 'プロピレンゴム等を挙げること ができる。さらに、シート部材 52は、切断効率の観点から、被加工物 3の硬度よりも小 さいものが好ましい。また、被力卩ェ物 3の切断部位は、ワイヤ 5の走行に力かる抵抗等 により 100°C程度の高温になることがあるので、上記の材料力もなるシート部材 52を 貼付する際には、ガラス転移温度が 100°C以上の熱可塑性接着剤を用いることが好 ましい。
[0064] このようなスラリ供給機構 8Cでは、シート部材 52が被加工物 3の側面に貼付されて いるので、スラリ吐出部 33から吐出されたスラリ 7がシート部材 52表面に沿って流下 する。このため、被加工物 3と化学反応性を有するスラリ 7を被加工物 3の側面に吐出 し続けても、被力卩ェ物 3の側面はエッチングされな 、。
[0065] このように本実施の形態 5によれば、被加工物と化学反応性を有するスラリ 7を被加 ェ物 3の側面に吐出し続けても、被力卩ェ物 3の側面はエッチングされず、被加工物 3 の寸法変化を極力抑制することができる。
[0066] なお、実施の形態 4および 5に係るマルチワイヤソーでは、スラリ吐出部 33をサブ口 ーラ 27と被加工物 3を切断する部位との間の上方に設置した力 吐出されたスラリ 7 力 被加工物 3の側面に沿って移動してワイヤ 5と接触することができれば上方に限 定されない。例えば、スラリ吐出部 33を、サブローラ 27と被力卩ェ物 3を切断する部位 との間の側方や下方に設置して、被加工物 3の側面に向けてスラリ 7を吐出させても よい。
[0067] また、実施の形態 4および 5に係るスラリ貯蔵タンク 34の内部には、スラリ吐出部 33 力も吐出されるスラリ 7の組成が一定になるように、スラリ 7中の水分量を一定に保つ 水分制御機構、スラリ 7の温度を一定に保つ温度制御機構およびスラリの沈殿や凝 集を防ぐための攪拌機構などを設けてもよい。特に、スラリ 7を 65— 95°C程度の高温 で使用する場合には、水分の蒸発によって組成が変わってしまうので、水分制御機 構を設けることが望ましい。その際、単位時間当たりの水分蒸発量を予め求めておく と、スラリ貯蔵タンク 34に一定の割合で水を供給すればよいため、スラリ 7中の水分量 の調節をより容易にすることができる。
なお、実施の形態 4および 5では、被加工物 3の側面に沿ってスラリ 7を移動させて スラリ 7を供給する構成と、ワイヤ 5にスラリ 7を直接塗布してスラリ 7を供給する構成と を併用して、被加工物 3の切断界面にスラリ 7を導入してもよい。この場合、ワイヤ 5に 直接塗布して供給するスラリ 7を主として被加工物 3を切断することとし、被加工物 3 の側面に沿って移動するスラリ 7は、ワイヤ 5が被加工物 3に挿入される入口部分に おけるスラリ 7の固化を防ぐ補助的手段とすることが好ましい。そのため、被加工物 3 の側面に沿って移動するスラリ 7の流量は最小限とすることが好ましい。
[0068] 実施の形態 6.
図 13は、本発明の実施の形態 6に係るマルチワイヤソ一の外観図であり、図 14は、 実施の形態 6のマルチワイヤソ一の部分外観図である。また、図 15は、実施の形態 6 のマルチワイヤソ一による被カ卩ェ物の切断工程を説明するための図である。
実施の形態 6に係るマルチワイヤソ一は、ベース 1と、ベース 1の上面に立設するフ レーム 2と、被加工物 3を加工方向に移動可能なように支持する被加工物支持機構 4 と、被加工物 3に繰り込んで被切断箇所にワイヤ 5を供給するワイヤ供給機構 6と、被 加工物 3とワイヤ 5との切断界面にスラリ 7を供給するスラリ供給機構 8Dとを備えてい る。ベース 1はマルチワイヤソーを支持する平盤力も構成されている。フレーム 2は、 箱からなり、作業者に向力つて正対する側板 9が設けられている。
[0069] 被加工物支持機構 4は、被加工物 3をダミー板 10を介して固定するステージ 11と、 フレーム 2に対して移動可能に支持され、加工方向に向力つてステージ 11に所定の 荷重をカ卩えながらステージ 11を押し下げるステージ可動機構 12と、ステージ 11の周 囲を囲繞する加工室 16とを備えている。加工室 16は、フレーム 2とフレーム 2の 4辺 手前に突設された 4つの側壁 14とフレーム 2に対向し側壁 14の前辺に連なる前壁 1 5とで囲まれている。
[0070] ワイヤ供給機構 6は、ベース 1に備えられた図示しな 、2台のモータと、そのモータ の軸にそれぞれ連結された繰り出し回転軸 20および巻き取り回転軸 21と、繰り出し 回転軸 20に嵌合し、ワイヤ 5が繰り出されるワイヤ繰り出しボビン 22と、巻き取り回転 軸 21に嵌合し、加工室 16から戻されてきたワイヤ 5を巻き取るワイヤ巻き取りボビン 2 3と、ワイヤ繰り出しボビン 22から繰り出されたワイヤ 5をフレーム 2に支持されたメイン ローラ 24まで走行案内する複数の案内プーリ 25と、メインローラ 24からワイヤ巻き取 りボビン 23まで戻されるワイヤ 5をその間で走行案内する複数の案内プーリ 26と、案 内プーリ 25、 26で案内されるワイヤ 5の張力を制御する張力制御ローラ 43とを備え ている。
さらに、ワイヤ供給機構 6は、フレーム 2に対して垂直に回転支持され、外周表面に 複数の溝が等間隔に形成されているメインローラ 24と、メインローラ 24に並行になる ようにフレーム 2に対して回転支持され、外周表面に複数の溝が等間隔に形成され て!、るサブローラ 27とを備えて 、る。
[0071] 次に、スラリ供給機構 8Dによるワイヤ 5へのスラリ 7の供給について、図 14および 1 5を参照しつつ具体的に説明する。 スラリ供給機構 8Dは、スラリ 7を貯留する収容部としての液漕 53と、この液漕 53へ ワイヤ 5を引き込むと共に液漕 53から引き上げて被加工物 3へ案内するための複数 のワイヤ引き回し用ローラ 54a、 54b、 54c、 54dとを備えている。また、液漕 53は、被 加工物 3の切断部の上流側に位置するサブローラ 27と被力卩ェ物 3の切断部との間に 配置され、スラリ 7を攪拌するための攪拌機構 55を底部に有している。
[0072] 次に、実施の形態 6のマルチワイヤソーを用いて被力卩ェ物 3を切断してウェハを作 製することを説明する。
このときの被加工物 3として多結晶シリコンインゴット（以下、インゴットと称する。）を 用いる。このインゴットは、ガラス製のダミー 10を介してステンレス製のベースプレート 44上にエポキシ榭脂など力もなる接着剤で固定され、ベースプレート 44はステージ 11に機械的に固定される。
ワイヤ供給機構 6を駆動させると、張力制御ローラ 43によって一定の張力が維持さ れながら、ワイヤ 5が一定方向に所定の速度で走行する。このとき、メインローラ 24お よびサブローラ 27が、ワイヤ 5の走行速度に応じた回転速度で同期回転する。加工 室 16内では、メインローラ 24およびサブローラ 27の間を走行するワイヤ 5は、ワイヤ 引き回し用ローラ 54aを介して液槽 53内に進入し、ワイヤ引き回し用ローラ 54b、 54c に順次案内され、液槽 53から外部へ送出される。液槽 53にはスラリ 7が収容されて いるので、ワイヤ 5が液槽 53内を案内されることにより、ワイヤ 5にスラリ 7が供給される 。そして、ワイヤ 5に付着したスラリ 7が、ワイヤ 5の走行によりインゴットの切断界面に 運ばれる。そして、スラリ 7のラッピング作用やィ匕学的作用によってシリコン原子の結 合が分断され、インゴットが切断される。
なお、図示しないが、インゴットの切断界面に導入された分量のスラリ 7を回収する スラリ貯蔵 ·攪拌タンクと、インゴットの切断界面に導入された分量のスラリ 7をスラリ貯 蔵'攪拌タンクから液槽 53に供給する機構を設置している。
[0073] この実施の形態 6に係るマルチワイヤソ一において、粘度が 150mPa' s (25°C、ず り速度 57. 6 [s—1])であるスラリを収容する液槽 53に、ワイヤ引き回し用ローラ 54a、 5 4b、 54c、 54dを介して、 0. 1mm径のピアノ線ワイヤを、 0. 39mmピッチ、幅 25mm として 64本、 10mZ秒の速度で進入 *送出させた場合、横膜 (表面張力により隣接ヮ ィャ間に張るスラリ膜)が発生する程度の十分なスラリがワイヤに均一に塗布され、通 常どおり切断加工できることが確認された。
[0074] このように本実施の形態 6によれば、ワイヤ 5が被力卩ェ物 3の切断部の上流側に配 置された液槽 53内を通過するように構成されているので、液槽 53から送出されたヮ ィャ 5には、適量のスラリ 7が付着され、スラリの無駄が省かれ、スラリの利用効率が向 上し、製造コストを抑制することができる。また、大量のスラリ 7を供給'循環するため の大流量 *大電力のスラリ供給機構が不必要となり、装置が安価になる。さらに、適量 のスラリ 7が付着したワイヤ 5が加工室 16内を走行するので、スラリ 7の飛散も最小限 に抑えられる。このことは加工室 16の汚れが少ないことの他、加工室 16の壁面、床 面に付着したスラリ 7の回収の手間が省けることを意味する。さらにまた、本実施の形 態 6における液槽 53は、従来のそれよりも小容量ですむので、スラリ 7の温度管理が 容易にできることや、循環するスラリ量を必要最小限とすることができるのでスラリ貯蔵 '攪拌タンク内のスラリ組成が安定し、砲粒の均一分散性を維持できる。そのため、ス ラリ組成が正確に管理され、初期に調整した状態と大差ない状態のスラリ 7を被加工 物 3の切断界面に供給し続けることができるので、ウェハ厚さばらつき、ソーマーク（ 傷)の発生などが抑制され、加工品質が向上する。また、螺旋状に巻き付けられたヮ ィャ 5の対向部へのスラリ 7の付着量が減少するので、液槽 53に近い側のサブローラ 27に余分なスラリ 7が付着せず、ローラ溝の磨耗による寿命の短期化を抑制できる。
[0075] また、液槽 53には、必要に応じて温度を一定に保つ温度制御機構（図示せず）、 被力卩ェ物 3の切り屑を取り除くためのフィルタ（図示せず)などを設けてもよい。液槽 5 3は、被力卩ェ物 3の切断部に近接して配置するのが好適である。
[0076] 実施の形態 7.
図 16は、実施の形態 7のマルチワイヤソ一の部分外観図であり、図 17は、図 16に おける X矢視図である。
この実施の形態 7のマルチワイヤソ一は、実施の形態 6とスラリ供給機構が異なって いて、その他は同様であるので同様な部分の説明は省略する。
実施の形態 7に係るマルチワイヤソーでは、スラリ供給機構 8Eが、スラリ 7を収容す るとともに攪拌機構 55を有する液槽 53Aが備えられ、この液漕 53Aの構成面として の側面部のうち対向する 2つの側壁部 56a、 56bには、スリット状の通過孔 57a、 57b がそれぞれ設けられている。通過孔 57a、 57bが設けられた位置は、液漕 53Aにスラ リ 7が収容されたときに、スラリ 7の液面よりも下方となる位置になっている。そして、図 17に示されるように、メインローラ 24およびサブローラ 27に掛け渡されて構成された ワイヤ 7の列は、このスリット状の通過孔 57a、 57bを通過するように配置され、このた め、液漕 53Aを通過する際にスラリ 7中に案内される。
[0077] このようなスラリ供給機構 8Eでは、一方の通過孔 57aを通ってワイヤ 5が液槽 53A に進入する。このとき液漕 53Aにはスラリ 7が収容されているため、ワイヤ 5がスラリ 7と 接触して、ワイヤ 5にスラリ 7が供給される。スラリ 7が付着したワイヤ 5は、対向する側 壁部 56bの通過孔 57bから液槽 53Aの外部に送出され、ワイヤ 5の走行によりスラリ 7 が被力卩ェ物 3の切断界面に運ばれる。
なお、通過孔 57aとワイヤ 5との間に若干の隙間が生じており、ここからスラリ 7が漏 れ出してくる。加工室 16内を汚さないためや、螺旋状に巻き付けられたワイヤ 5の対 向部へのスラリ 7の付着を抑制するため、液槽 53Aの下部に回収用トレイ 58を設けて おくことが好ましい。
[0078] このように本実施の形態 7によれば、ワイヤ 5がワイヤ引き回し用ローラ 54a、 54b、 5 4c、 54d上を走行しないため、スラリの利用効率をさらに向上させることができる。ま た、ワイヤ張り作業が低減され、作業性も向上する。
[0079] なお、前記実施の形態 6と同様に、液槽 53Aには、必要に応じて攪拌機構 55、温 度を一定に保つ温度制御機構（図示せず)、インゴット切りくずを取り除くためのフィ ルタ（図示せず)などを設けてもょ 、。
また、スラリ供給機構 8Eにおいて通過孔 57a、 57bは、対向する側面部 56a、 56b に設けたが、これに限定されず、液漕 53A内のスラリ 7に対してワイヤ 5を案内するこ とができれば、どの側面部に設けてもよい。例えば、被加工物 3の切断位置を液漕 5 3Aの上方に配置させると共に液漕 53A内に方向を変更させるためのローラを設け、 側面部 56aから侵入させた後、液漕 53Aの上方へ案内させてもよい。
[0080] 実施の形態 8.
実施の形態 8のマルチワイヤソ一は、実施の形態 7とスラリ供給機構が異なっていて 、その他は同様であるので同様な部分の説明は省略する。
図 18は、本発明の実施の形態 8に係るマルチワイヤソ一のスラリ供給機構 8Fにお ける側壁部を説明する図であり、図 18 (A)は閉じた状態を、図 18 (B)は開放状態を 説明するための図である。
図 18において、液槽 53Aの側壁部 56cとこれに対向する側壁部（図示せず）とは、 切欠き部 59を備えた開放自在の部材 60を備えて 、る。この開放自在の部材 60は、 切欠き部 59を備えた上方側壁部材 6 laと液槽 53Aに固定されている下方側壁部材 61bから構成されている。上方側壁部材 61aを閉じたときには、図 18 (A)に示すよう に、切欠き部 59が通過孔 57cを形成するようになって 、る。
[0081] このようなスラリ供給機構 8Fでは、メインローラ 24およびサブローラ 27にワイヤ 5を 螺旋状に巻き付ける準備作業時に、ワイヤ 5を毎周ごとに通過孔 57cに通す必要が なくなるので作業性が向上する。すなわち、ワイヤ 5の巻き付け準備作業時には、図 5 (B)に示すように、上方側壁部材 61aを外し、ワイヤ 5を切欠き部 59に通すだけでよ い。被力卩ェ物 3の切断時には上方側壁部材 6 laを再び閉じ、通過孔 57cを形成し、 液槽 53Aにスラリ 7を供給し、その後は前記実施の形態 7で説明したように被加工物 3を切断すればよい。
[0082] なお、上方側壁部材 61a、下方側壁部材 6 lbおよび液槽 53Aそれぞれの接触面 の加工精度を確保しておくか、又はやわら力 ヽ部材 (ポリテトラフルォロエチレン榭脂 など)を使用すれば、機械的な締結だけで、スラリ 7の漏れを十分シールすることがで きる。

Claims

請求の範囲
[1] 被加工物とワイヤとの切断界面にアルカリまたは混酸を含むスラリを供給しながら前 記被力卩ェ物を切断するマルチワイヤソ一において、
前記スラリを貯蔵加熱するための加熱機構付貯蔵タンクと、
前記加熱機構付貯蔵タンクから前記ワイヤが前記被加工物に繰り込まれる手前の 位置までポンプにより送出された前記スラリを所定の温度に維持しながら搬送する保 温パイプと、
ステージに固定された前記被加工物の近傍の温度を前記所定の温度に維持する 恒温槽と、
前記ワイヤを前記所定の温度に加熱するワイヤ加熱機構と
を備えることを特徴とするマルチワイヤソー。
[2] 前記ワイヤ加熱機構は、
ワイヤ繰り出しボビン力 前記切断界面に繰り込まれる前記ワイヤの走行経路中に 、前記ワイヤの走行方向の前後に位置して前記ワイヤの走行を案内する導電性の 2 つのプーリと、電源とを備え、前記電源力も前記 2つのプーリを介して前記ワイヤに電 圧を印加し、前記ワイヤに流れる電流に伴って発生するジュール熱により前記ワイヤ を加熱するように構成されて 、ることを特徴とする請求項 1に記載のマルチワイヤソー
[3] 複数のローラ間で走行するワイヤにスラリを供給しながら被加工物を切断するマル チワイヤソ一において、
前記スラリを吐出するためのスラリ吐出部と、
少なくとも前記スラリ吐出部と前記被加工物とを覆う加工室と、
前記加工室内の湿度を設定湿度に調節するための湿度調節機構と
を備えて 、ること特徴とするマルチワイヤソー。
[4] 複数のローラ間で走行するワイヤにスラリを供給しながら被加工物を切断するマル チワイヤソ一において、
前記被加工物を切断する部位の上流側に設けられた前記ローラと前記被加工物を 切断する部位との間に設けられたスラリ吐出部を有するスラリ供給機構を備え、前記 スラリ吐出部から吐出されたスラリが前記被加工物の側面に沿って移動することによ つて、前記ワイヤにスラリを供給することを特徴とするマルチワイヤソー。
[5] 前記被加工物の側面に、シート部材が貼付されていることを特徴とする請求項 4に 記載のマルチワイヤソー。
[6] 複数のローラ間で走行するワイヤに砥粒を含むスラリを供給しながら被加工物を切 断するマルチワイヤソーにお!/、て、
前記スラリを収容する収容部を有し、前記収容部内を前記ワイヤが通過することで
、前記ワイヤにスラリが供給されるスラリ供給機構を、前記被加工物が切断される部 位の上流に設けたことを特徴とするマルチワイヤソー。
[7] 前記収容部の構成面に、前記ワイヤが通過可能な通過孔が設けられていることを 特徴とする請求項 6に記載のマルチワイヤソー。
[8] 前記収容部の構成面が、切欠き部を備えた開放自在の部材を有し、前記部材を閉 じたときに前記切欠き部が前記通過孔を形成することを特徴とする請求項 7に記載の マルチワイヤソー。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1757419A1 (de) * 2005-08-25 2007-02-28 Freiberger Compound Materials GmbH Verfahren, Vorrichtung und Slurry zum Drahtsägen
WO2008035529A1 (fr) * 2006-09-22 2008-03-27 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Procédé de découpe
WO2010143354A1 (ja) * 2009-06-10 2010-12-16 信越半導体株式会社 ワークの切断方法
JP2011502346A (ja) * 2007-10-30 2011-01-20 ポール・コーポレーション 基板材料からウェハ状スライスを製造するための方法及びシステム
US7997262B2 (en) 2005-08-31 2011-08-16 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of improving nanotopography of surface of wafer and wire saw apparatus
US8256407B2 (en) 2007-06-27 2012-09-04 Mitsubishi Electric Corporation Multi-wire saw and method for cutting ingot
JP2013539231A (ja) * 2010-09-29 2013-10-17 エルジー シルトロン インコーポレイテッド 単結晶インゴット切断装置
CN104354233A (zh) * 2014-10-13 2015-02-18 灵璧县灵磁新材料有限公司 一种钕铁硼多线切割机的冷却装置
CN117340357A (zh) * 2023-12-06 2024-01-05 成都游小木创新科技有限公司 一种汽车零件精度切割装置

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005040343A1 (de) * 2005-08-25 2007-03-01 Freiberger Compound Materials Gmbh Verfahren, Vorrichtung und Slurry zum Drahtsägen
US7878883B2 (en) * 2006-01-26 2011-02-01 Memc Electronics Materials, Inc. Wire saw ingot slicing system and method with ingot preheating, web preheating, slurry temperature control and/or slurry flow rate control
JP5003294B2 (ja) * 2007-06-08 2012-08-15 信越半導体株式会社 切断方法
US20090032006A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Chul Woo Nam Wire saw process
US8157876B2 (en) * 2007-07-31 2012-04-17 Cabot Microelectronics Corporation Slurry composition containing non-ionic polymer and method for use
DE102007048879A1 (de) 2007-10-11 2009-04-16 Schott Ag Wiederaufbereitung von fluiden Sägeslurries sowie deren Verwendung zur Herstellung von Wafern mit verbesserten Oberflächen
DE112008003339B4 (de) 2007-12-19 2022-02-24 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Verfahren zum Zerschneiden eines Werkstücks durch Verwendung einer Drahtsäge
FR2927272B1 (fr) * 2008-02-07 2010-05-21 Saint Gobain Ct Recherches Poudre de grains abrasifs.
US8425639B2 (en) * 2008-05-30 2013-04-23 Cabot Microelectronics Corporation Wire saw slurry recycling process
KR100898151B1 (ko) * 2008-10-08 2009-05-19 장은영 친환경 와이어쏘 절단장치 및 이를 이용한 절단방법
JP5217918B2 (ja) * 2008-11-07 2013-06-19 信越半導体株式会社 インゴット切断装置及び切断方法
US8261730B2 (en) * 2008-11-25 2012-09-11 Cambridge Energy Resources Inc In-situ wafer processing system and method
US8065995B2 (en) * 2008-11-25 2011-11-29 Cambridge Energy Resources Inc Method and apparatus for cutting and cleaning wafers in a wire saw
US20100126488A1 (en) * 2008-11-25 2010-05-27 Abhaya Kumar Bakshi Method and apparatus for cutting wafers by wire sawing
WO2010091087A1 (en) * 2009-02-03 2010-08-12 The Nanosteel Company, Inc. Method and product for cutting materials
GB2468874A (en) * 2009-03-24 2010-09-29 Rec Wafer Norway As Apparatus for cutting wafers using wires and abrasive slurry
FR2943848B1 (fr) * 2009-03-27 2012-02-03 Jean Pierre Medina Procede et machine de fabrication d'un semi-conducteur, du type cellule photovoltaique ou composant electronique similaire
JP2010253621A (ja) * 2009-04-27 2010-11-11 Ihi Compressor & Machinery Co Ltd ワイヤソーのクーラント管理方法及び装置
BRPI1013817B1 (pt) 2009-06-16 2018-05-08 Fujiwa Denki Co Ltd método de fornecimento de metal fundido para máquina de vazamanto automática e equipamento para a mesma
FR2947831B1 (fr) * 2009-07-09 2012-02-03 Saint Gobain Ct Recherches Suspension de grains abrasifs
WO2011020109A2 (en) 2009-08-14 2011-02-17 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Abrasive articles including abrasive particles bonded to an elongated body, and methods of forming thereof
MX2012001810A (es) 2009-08-14 2012-06-01 Saint Gobain Abrasives Inc Articulos abrasivos que incluyen particulas abrasivas unidas a un cuerpo alargado.
TW201112317A (en) * 2009-09-22 2011-04-01 Ching Hung Machinery & Electric Ind Co Ltd Serial multi-thread saw crystal slicing device
DE102010015111A1 (de) 2010-03-23 2011-09-29 Schott Solar Ag Fluide Trennmedien und deren Verwendung
DE102010014551A1 (de) 2010-03-23 2011-09-29 Schott Solar Ag Fluide Trennmedien und deren Verwendung
DE102010025606A1 (de) 2010-06-30 2012-01-05 Schott Solar Ag Verfahren zur Wiederaufbereitung von verbrauchten Sägeflüssigkeiten aus der Herstellung von Siliziumwafern
GB2484348A (en) * 2010-10-08 2012-04-11 Rec Wafer Norway As Abrasive slurry and method of production of photovoltaic wafers
KR20120037576A (ko) * 2010-10-12 2012-04-20 주식회사 엘지실트론 단결정 잉곳 절단장치 및 단결정 잉곳 절단방법
TW201507812A (zh) 2010-12-30 2015-03-01 Saint Gobain Abrasives Inc 磨料物品及形成方法
TW201226087A (en) * 2010-12-31 2012-07-01 Micron Diamond Wire & Equipment Co Ltd Cutting and cooling device of diamond wire
DE102011014828A1 (de) 2011-03-23 2012-09-27 Schott Solar Ag Fluide Trennmedien und deren Verwendung
DE102011082366B3 (de) * 2011-09-08 2013-02-28 Siltronic Ag Einlagiges Wickeln von Sägedraht mit fest gebundenem Schneidkorn für Drahtsägen zum Abtrennen von Scheiben von einem Werkstück
JP5733120B2 (ja) * 2011-09-09 2015-06-10 住友電気工業株式会社 ソーワイヤおよびそれを用いたｉｉｉ族窒化物結晶基板の製造方法
EP2755803A4 (en) 2011-09-16 2015-12-30 Saint Gobain Abrasives Inc GRINDING MATERIAL AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
US9211634B2 (en) 2011-09-29 2015-12-15 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Abrasive articles including abrasive particles bonded to an elongated substrate body having a barrier layer, and methods of forming thereof
EP2583804A1 (en) * 2011-10-22 2013-04-24 Applied Materials Switzerland Sàrl A new wafer sawing system
WO2013128653A1 (ja) * 2012-03-02 2013-09-06 株式会社クリスタル光学 シリコンインゴットの切断方法
DE102012209974B4 (de) 2012-06-14 2018-02-15 Siltronic Ag Verfahren zum gleichzeitigen Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem zylindrischen Werkstück
TWI483803B (zh) * 2012-06-29 2015-05-11 Saint Gobain Abrasives Inc 在工件上進行切割操作之方法
TW201402274A (zh) 2012-06-29 2014-01-16 Saint Gobain Abrasives Inc 研磨物品及形成方法
TWI477343B (zh) 2012-06-29 2015-03-21 Saint Gobain Abrasives Inc 研磨物品及形成方法
TW201404527A (zh) 2012-06-29 2014-02-01 Saint Gobain Abrasives Inc 研磨物品及形成方法
JP5996308B2 (ja) * 2012-07-10 2016-09-21 コマツＮｔｃ株式会社 ワイヤソー
TW201441355A (zh) 2013-04-19 2014-11-01 Saint Gobain Abrasives Inc 研磨製品及其形成方法
WO2016103397A1 (ja) * 2014-12-25 2016-06-30 エムティアール株式会社 Ｃｍｐスラリー再生方法および再生装置
TWI621505B (zh) 2015-06-29 2018-04-21 聖高拜磨料有限公司 研磨物品及形成方法
JP6270796B2 (ja) * 2015-10-28 2018-01-31 株式会社リード 固定砥粒ワイヤーソー及び固定砥粒ワイヤーのドレッシング方法
WO2018087619A1 (en) * 2016-11-10 2018-05-17 Meyer Burger (Switzerland) Ag Wire saw
JP7113365B2 (ja) * 2017-05-10 2022-08-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 ソーワイヤー及び切断装置
FR3070538B1 (fr) * 2017-08-30 2020-02-21 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de desassemblage d'un module photovoltaique et installation associee
KR102282063B1 (ko) * 2020-01-30 2021-07-28 에스케이실트론 주식회사 잉곳 온도 제어기 및 그를 구비한 와이어 쏘잉 장치
CN113211278A (zh) * 2021-05-14 2021-08-06 安徽省景隆电子科技有限公司 一种提高合金电阻落料效率的切割方法
CN115958709B (zh) * 2022-12-28 2023-06-20 宁波合盛新材料有限公司 碳化硅晶片的多线切割方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61284926A (ja) * 1985-06-10 1986-12-15 Teikoku Seiki Kk シリコンウエハ−加工用マスキングシ−トの切断除去方法
JPH02262955A (ja) * 1988-12-15 1990-10-25 Nippon Steel Corp Ｓｉインゴットのワイヤソーによる切断法
JPH02298280A (ja) * 1989-05-11 1990-12-10 Seiko Epson Corp ワイヤーエッチング法
JPH05212720A (ja) * 1992-10-12 1993-08-24 Sumitomo Metal Ind Ltd 脆性材料の切断装置
JPH0999432A (ja) * 1995-10-05 1997-04-15 Mitsui Petrochem Ind Ltd 試料切断装置および試料切断方法
JPH09262829A (ja) * 1996-03-28 1997-10-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd ワイヤーソー装置
JPH10180750A (ja) * 1996-12-25 1998-07-07 Nippei Toyama Corp ワイヤソーにおけるスラリー温度調節装置
JPH1142551A (ja) * 1997-07-30 1999-02-16 Ebara Corp 研磨装置及び研磨方法
JP2001079747A (ja) * 1999-09-08 2001-03-27 Nippei Toyama Corp ワイヤソー

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7308102A (ja) * 1973-06-12 1974-12-16
JPS61125768A (ja) * 1984-11-20 1986-06-13 Sumitomo Metal Ind Ltd 脆性材料の切断方法
JPS6357171A (ja) * 1986-08-29 1988-03-11 Otaru Seisakusho:Kk 多重鋼線式切断装置
JPH01316164A (ja) * 1988-06-13 1989-12-21 Osaka Titanium Co Ltd 切削製品の製法およびワイヤソーマシン
JP3323621B2 (ja) * 1993-12-29 2002-09-09 株式会社日平トヤマ ワイヤソーのスラリ供給方法およびスラリ供給ノズル
JP3071100B2 (ja) 1994-08-05 2000-07-31 株式会社日平トヤマ ワイヤソーにおけるスラリー供給装置
JP3187296B2 (ja) 1995-08-31 2001-07-11 株式会社日平トヤマ ワイヤソー及びワーク切断方法
JPH0985737A (ja) * 1995-09-22 1997-03-31 Toray Eng Co Ltd ワイヤ式切断装置
JPH1052816A (ja) * 1996-08-13 1998-02-24 M Ii M C Kk ワイヤ式切断方法
JPH10217036A (ja) * 1997-01-29 1998-08-18 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体結晶棒の切断装置及び切断方法
JP3695124B2 (ja) * 1998-03-31 2005-09-14 信越半導体株式会社 ワイヤーソー装置
DE19841492A1 (de) * 1998-09-10 2000-03-23 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren und Vorrichtung zum Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem sprödharten Werkstück
JP2000218493A (ja) * 1999-01-28 2000-08-08 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワイヤソー
JP3314921B2 (ja) 1999-06-08 2002-08-19 三菱住友シリコン株式会社 半導体材料の切断・加工方法
JP2002307283A (ja) * 2001-04-19 2002-10-23 Shin Etsu Handotai Co Ltd ワイヤーソー
JP2003159650A (ja) * 2001-11-22 2003-06-03 Takatori Corp ワイヤソー用スラリータンク
US6832606B2 (en) * 2001-11-30 2004-12-21 Dowa Mining Co., Ltd. Wire saw and cutting method thereof
JP2008213111A (ja) * 2007-03-06 2008-09-18 Sharp Corp マルチワイヤーソーおよびスラリー供給方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61284926A (ja) * 1985-06-10 1986-12-15 Teikoku Seiki Kk シリコンウエハ−加工用マスキングシ−トの切断除去方法
JPH02262955A (ja) * 1988-12-15 1990-10-25 Nippon Steel Corp Ｓｉインゴットのワイヤソーによる切断法
JPH02298280A (ja) * 1989-05-11 1990-12-10 Seiko Epson Corp ワイヤーエッチング法
JPH05212720A (ja) * 1992-10-12 1993-08-24 Sumitomo Metal Ind Ltd 脆性材料の切断装置
JPH0999432A (ja) * 1995-10-05 1997-04-15 Mitsui Petrochem Ind Ltd 試料切断装置および試料切断方法
JPH09262829A (ja) * 1996-03-28 1997-10-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd ワイヤーソー装置
JPH10180750A (ja) * 1996-12-25 1998-07-07 Nippei Toyama Corp ワイヤソーにおけるスラリー温度調節装置
JPH1142551A (ja) * 1997-07-30 1999-02-16 Ebara Corp 研磨装置及び研磨方法
JP2001079747A (ja) * 1999-09-08 2001-03-27 Nippei Toyama Corp ワイヤソー

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1685927A4 *

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007054950A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Freiberger Compound Materials Gmbh ワイヤーソーイングの方法及び装置、並びにワイヤーソーイング用スラリー
CN101712860A (zh) * 2005-08-25 2010-05-26 弗赖贝格化合物原料有限公司 用于在钢丝锯中使用的研磨液
CN101712860B (zh) * 2005-08-25 2014-04-30 弗赖贝格化合物原料有限公司 用于在钢丝锯中使用的研磨液
EP2275241A1 (de) * 2005-08-25 2011-01-19 Freiberger Compound Materials GmbH Verfahren, Vorrichtung und Slurry zum Drahtsägen
EP1757419A1 (de) * 2005-08-25 2007-02-28 Freiberger Compound Materials GmbH Verfahren, Vorrichtung und Slurry zum Drahtsägen
US7997262B2 (en) 2005-08-31 2011-08-16 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of improving nanotopography of surface of wafer and wire saw apparatus
WO2008035529A1 (fr) * 2006-09-22 2008-03-27 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Procédé de découpe
JP2008078473A (ja) * 2006-09-22 2008-04-03 Shin Etsu Handotai Co Ltd 切断方法
KR101362864B1 (ko) * 2006-09-22 2014-02-14 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 절단방법
US8167681B2 (en) 2006-09-22 2012-05-01 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Slicing method
US8256407B2 (en) 2007-06-27 2012-09-04 Mitsubishi Electric Corporation Multi-wire saw and method for cutting ingot
JP2011502346A (ja) * 2007-10-30 2011-01-20 ポール・コーポレーション 基板材料からウェハ状スライスを製造するための方法及びシステム
JP2010284743A (ja) * 2009-06-10 2010-12-24 Shin Etsu Handotai Co Ltd ワークの切断方法
WO2010143354A1 (ja) * 2009-06-10 2010-12-16 信越半導体株式会社 ワークの切断方法
JP2013539231A (ja) * 2010-09-29 2013-10-17 エルジー シルトロン インコーポレイテッド 単結晶インゴット切断装置
CN104354233A (zh) * 2014-10-13 2015-02-18 灵璧县灵磁新材料有限公司 一种钕铁硼多线切割机的冷却装置
CN117340357A (zh) * 2023-12-06 2024-01-05 成都游小木创新科技有限公司 一种汽车零件精度切割装置
CN117340357B (zh) * 2023-12-06 2024-03-19 成都游小木创新科技有限公司 一种汽车零件精度切割装置

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