KR20120037576A - 단결정 잉곳 절단장치 및 단결정 잉곳 절단방법 - Google Patents

단결정 잉곳 절단장치 및 단결정 잉곳 절단방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20120037576A
KR20120037576A KR1020100099111A KR20100099111A KR20120037576A KR 20120037576 A KR20120037576 A KR 20120037576A KR 1020100099111 A KR1020100099111 A KR 1020100099111A KR 20100099111 A KR20100099111 A KR 20100099111A KR 20120037576 A KR20120037576 A KR 20120037576A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ingot
single crystal
cutting
bath
fluid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
KR1020100099111A
Other languages
English (en)
Inventor
권기수
조희돈
지동욱
Original Assignee
주식회사 엘지실트론
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지실트론 filed Critical 주식회사 엘지실트론
Priority to KR1020100099111A priority Critical patent/KR20120037576A/ko
Priority to CN2011800486457A priority patent/CN103153564A/zh
Priority to JP2013533759A priority patent/JP2013539923A/ja
Priority to PCT/KR2011/006874 priority patent/WO2012050307A2/en
Priority to EP11832694.1A priority patent/EP2627488A2/en
Priority to US13/272,161 priority patent/US20120085333A1/en
Publication of KR20120037576A publication Critical patent/KR20120037576A/ko
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0076Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for removing dust, e.g. by spraying liquids; for lubricating, cooling or cleaning tool or work
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • B28D5/045Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Abstract

실시예는 단결정 잉곳 절단장치 및 단결정 잉곳 절단방법에 관한 것이다.
실시예에 따른 단결정 잉곳 절단장치는 잉곳을 절단하는 와이어쏘; 상기 와이어쏘를 구동시키는 롤러; 및 상기 잉곳이 절단되기 전에 상기 잉곳을 냉각시키는 유체를 구비하는 배쓰(bath);를 포함한다.

Description

단결정 잉곳 절단장치 및 단결정 잉곳 절단방법{Sawing Apparatus of Single Crystal and Sawing Method of Single Crystal}
실시예는 단결정 잉곳 절단장치 및 단결정 잉곳 절단방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위한 웨이퍼를 제조하는 공정은 실리콘 잉곳(Ingot)을 슬라이싱(slicing)하는 절단 공정, 슬라이싱된 웨이퍼의 에지를 라운딩 처리하는 에지 연삭 공정, 절단 공정으로 인한 웨이퍼의 거친 표면을 평탄화 하는 래핑 공정, 에지 연삭 또는 래핑 공정 중에 웨이퍼 표면에 부착된 파티클을 비롯한 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정, 후공정에 적합한 형상 및 표면을 확보하기 위한 표면 연삭 공정 및 웨이퍼 에지에 대한 에지 연마 공정을 포함한다.
예를 들어, 실리콘 잉곳(Ingot)의 슬라이싱(slicing) 공정은 단결정 잉곳을 소정의 절단장치, 예를 들어, 와이어 쏘(Wire Saw)를 이용하여 테이블에 장착된 잉곳을 탑다운(top-down) 방향으로 이동하면서 슬러리를 공급하여 웨이퍼(wafer) 형태로 절단한다.
그런데, 종래기술에 의하면 피삭물인 단결정 잉곳의 절삭중 발생하는 절단열에 의하여, 그리고 발생하는 총 열량의 차에 의해 피삭물과 메인롤러가 팽창 또는 수축하게 된다. 이에 따라, 피삭물과 메인 롤러의 팽창/수축에 의해 절삭된 피삭체의 절단 모양이 결정되게 되며, 팽창/수축에 의해 형성된 절단 모양에 의해 워프(Warp) 발생 또는 나노토포그래피(Nanotopography) 품질이 악화되는 등의 문제가 있다.
실시예는 피삭물의 절단 중 발생하는 절단열의 영향을 최소화 할 수 있는 단결정 잉곳 절단장치 및 단결정 잉곳 절단방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 단결정 잉곳 절단장치는 잉곳을 절단하는 와이어쏘; 상기 와이어쏘를 구동시키는 롤러; 및 상기 잉곳이 절단되기 전에 상기 잉곳을 냉각시키는 유체를 구비하는 배쓰(bath);를 포함한다.
또한, 실시예에 따른 단결정 잉곳 절단방법은 잉곳을 절단하기 전에 소정의 유체를 구비하는 배쓰(bath)에 담그는 단계; 상기 잉곳을 상기 배쓰로부터 와이어쏘로 다운업(down-up) 공급하는 단계; 및 상기 잉곳을 절단하는 단계;를 포함한다.
실시예에 따른 단결정 잉곳 절단장치 및 단결정 잉곳 절단방법에 의하면, 피삭물이 절단 전까지 온도가 유지되는 슬러리 배스(Bath) 내부에 존재함으로써 절단열에 의한 피삭물의 팽창 또는 수축을 최소화할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 단결정 잉곳 절단장치의 정면 예시도.
도 2는 실시예에 따른 단결정 잉곳 절단장치의 측면 예시도.
실시 예의 설명에 있어서, 각 웨이퍼, 장치, 척, 부재, 부, 영역 또는 면 등이 각 웨이퍼, 장치, 척, 부재, 부, 영역 또는 면등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 "상" 또는 "아래"에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
(실시예)
도 1은 실시예에 따른 단결정 잉곳 절단장치의 정면 예시도이며, 도 2는 실시예에 따른 단결정 잉곳 절단장치의 측면 예시도이다.
실시예에서 단결정 잉곳은 다결정 실리콘을 쵸크랄스키 방법(Czochralski method: 이하, CZ 방법이라 함) 또는 용융대역법(Float Zone; 이하 FZ 방법이라 함) 등으로 봉 형상의 단결정 바디를 형성한 후에 이 단결정 바디를 외부 표면 가공하여 일정한 직경을 갖도록 하고, 일정한 길이로 절단함으로써 제조 완료된다.
예를 들어, CZ 방법은, 다결정 실리콘을 용융한 용융액에 시드를 침지한 후, 종결정을 빠른 인상속도로 성장하여 네킹 공정을 진행한다. 그리고, 단결정을 시드와 직경방향으로 서서히 성장시키며 소정크기의 직경을 가지면 숄더링 단계를 진행한다. 숄더링 단계 이후에 바디 성장을 진행하며 소정길이 만큼 바디공정 진행후에 바디의 직경을 감소시키고 융액으로부터 분리하는 테일링 공정을 거쳐 단결정 잉곳을 성장 완료 한다.
이후, 상기 결정 성장된 단결정 잉곳의 바디부분을 일정크기로 절단하는 크라핑 공정을 진행한 후, 이 봉 형상의 잔류하는 부분이 소정 직경을 갖도록 외부 표면을 가공(grinding) 한다.
이후, 상기 단결정 바디 잉곳을 소정의 절단장치, 예를 들어, 와이어 쏘(Wire Saw)를 이용하여 테이블에 장착된 잉곳을 이동하면서 슬러리를 공급하여 웨이퍼(wafer) 형태로 절단할 수 있다.
일반적으로 과도한 슬러리의 공급, 잉곳 절단에 따른 잉곳의 열팽창, 잉곳 절단장치의 와이어 가이드(wire guide) 축의 신장 등에 웨이퍼 절단면 형상의 프로파일(profile)이 균일하지 못한 문제가 있다.
이에 따라 종래기술에 의하면 웨이퍼 절단면 형상은 불균일하게 형성이 되며, 이러한 웨이퍼 절단면의 불균일한 형상은 나노토포그래피(Nanotopography)에 웨이브니스(Waviness) 패턴 등의 불량을 일으킨다.
실시예는 피삭물의 절단 중 발생하는 절단열의 영향을 최소화 할 수 있는 단결정 잉곳 절단장치 및 단결정 잉곳 절단방법을 제공하고자 한다.
이하, 도 1 및 도 2를 참조하여 실시예에 따른 단결정 잉곳 절단장치 및 단결정 잉곳 절단방법을 설명한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 실시예에 따른 잉곳 절단장치(100)는 잉곳(IG)을 절단하는 와이어쏘(160)와, 상기 와이어쏘(160)를 구동시키는 롤러(R1, R2, R3, R4, R5) 및 상기 잉곳(IG)이 절단되기 전에 상기 잉곳(IG)을 냉각시키는 유체(L)를 구비하는 배쓰(bath)(110)을 포함할 수 있다.
실시예에서 롤러는 5개를 예시하였으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예는 피삭물의 절단 중 발생되는 절삭열이 피삭물 전체로 전도되어 피삭물이 팽창, 수축 하는 현상을 방지하기 위해 배쓰 타입(Bath type)의 잉곳 절단장치를 제공할 수 있다.
실시예에 의하면, 잉곳(IG)은 절단되기 전에 상기 유체(L)와 접촉하고 있으므로, 잉곳(IG)은 절단 직전까지 온도가 유지되는 배쓰(110) 내부에 존재하며, 절삭 시 대기 분위기로 나오게 된다.
이를 위해, 실시예는 상기 잉곳(IG)을 상기 배쓰(110)로부터 상방향으로 이동시키는 이동장치(120)를 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 잉곳(IG)을 상기 배쓰(110)로부터 상기 와이어쏘(160)로 다운업(down-up) 공급하는 이동장치(120)를 더 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 이동장치(120)는 유압 실린더(120)일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 실시예는 유압 실린더(120)와 배쓰(110) 사이에 리크(Leak) 방지용 오링(O-ring)(122)을 더 포함할 수 있다.
이에 따라, 실시예에 의하면 상기 잉곳(IG)은 절단되기 전에 상기 유체(L)와 접촉하고 있게 되어 절단열에 의한 피삭물의 팽창 또는 수축을 최소화할 수 있다.
실시예에 따른 단결정 잉곳 절단장치에 의하면, 피삭물이 절단 전까지 온도가 유지되는 슬러리 배스(Bath) 내부에 존재함으로써 절단열에 의한 피삭물의 팽창 또는 수축을 최소화할 수 있다.
상기 유체(L)는 슬러리를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예는 상기 배쓰(110) 내의 유체의 온도를 유지하는 열교환기(130)를 더 구비하여, 배쓰 내의 유체의 온도가 설정된 온도로 유지될 수 있다.
또한, 실시예는 상기 와이어쏘(160)에 슬러리를 공급하는 슬러리 노즐(140)을 더 포함할 수 있다.
이에 따라, 상기 유체(L)는 상기 배쓰(110)에서 상기 열교환기(130)를 거쳐 상기 슬러리 노즐(140)을 통해 상기 와이어쏘(160)에 공급된 후 상기 배쓰(110)로 순환되는 과정을 진행할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 실시예는 상기 잉곳(IG) 절단에 따른 웨이퍼(W)를 지지하는 가변 가이드(150)를 더 구비할 수 있다.
상기 가변 가이드(150)는 좌우 이동 제어가 가능한 가변식일 수 있으며, 이에 따라, 피삭물 상승 절삭 방식에 의해 절삭 중 발생될 수 있는 벌어짐 현상은 길이 가변 가이드 설치를 통해서 보완할 수 있다.
실시예에 따른 단결정 잉곳 절단장치 및 단결정 잉곳 절단방법에 의하면, 피삭물이 절단 전까지 온도가 유지되는 슬러리 배스(Bath) 내부에 존재함으로써 절단열에 의한 피삭물의 팽창 또는 수축을 최소화할 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 잉곳을 절단하는 와이어쏘;
    상기 와이어쏘를 구동시키는 롤러; 및
    상기 잉곳이 절단되기 전에 상기 잉곳을 냉각시키는 유체를 구비하는 배쓰(bath);를 포함하는 단결정 잉곳 절단장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 잉곳을 상방향으로 이동시키는 이동장치를 더 포함하는 단결정 잉곳 절단장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 잉곳은 절단되기 전에 상기 유체와 접촉하고 있는 단결정 잉곳 절단장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 유체는 슬러리를 포함하는 단결정 잉곳 절단장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 배쓰 내의 유체의 온도를 유지하는 열교환기를 더 구비하는 단결정 잉곳 절단장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 와이어쏘에 슬러리를 공급하는 슬러리 노즐을 더 포함하며,
    상기 유체는 상기 배쓰에서 상기 열교환기를 거쳐 상기 슬러리 노즐을 통해 상기 와이어쏘에 공급되는 단결정 잉곳 절단장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 잉곳 절단에 따른 웨이퍼를 지지하는 가변 가이드를 더 구비하는 단결정 잉곳 절단장치.
  8. 잉곳을 절단하기 전에 소정의 유체를 구비하는 배쓰(bath)에 담그는 단계;
    상기 잉곳을 상기 배쓰로부터 와이어쏘로 다운업(down-up) 공급하는 단계; 및
    상기 잉곳을 절단하는 단계;를 포함하는 잉곳 절단방법.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 잉곳은 절단되기 전에 상기 유체와 접촉하고 있는 잉곳 절단방법.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 유체는 상기 배쓰에서 상기 열교환기를 거쳐 슬러리 노즐을 통해 상기 와이어쏘에 공급되는 단결정 잉곳 절단방법.
KR1020100099111A 2010-10-12 2010-10-12 단결정 잉곳 절단장치 및 단결정 잉곳 절단방법 Ceased KR20120037576A (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100099111A KR20120037576A (ko) 2010-10-12 2010-10-12 단결정 잉곳 절단장치 및 단결정 잉곳 절단방법
CN2011800486457A CN103153564A (zh) 2010-10-12 2011-09-16 用于锯切单晶锭的设备和方法
JP2013533759A JP2013539923A (ja) 2010-10-12 2011-09-16 単結晶インゴット切断装置及び単結晶インゴットの切断方法
PCT/KR2011/006874 WO2012050307A2 (en) 2010-10-12 2011-09-16 Apparatus and method for sawing single crystal ingot
EP11832694.1A EP2627488A2 (en) 2010-10-12 2011-09-16 Apparatus and method for sawing single crystal ingot
US13/272,161 US20120085333A1 (en) 2010-10-12 2011-10-12 Apparatus and method for sawing single crystal ingot

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100099111A KR20120037576A (ko) 2010-10-12 2010-10-12 단결정 잉곳 절단장치 및 단결정 잉곳 절단방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120037576A true KR20120037576A (ko) 2012-04-20

Family

ID=45924143

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100099111A Ceased KR20120037576A (ko) 2010-10-12 2010-10-12 단결정 잉곳 절단장치 및 단결정 잉곳 절단방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20120085333A1 (ko)
EP (1) EP2627488A2 (ko)
JP (1) JP2013539923A (ko)
KR (1) KR20120037576A (ko)
CN (1) CN103153564A (ko)
WO (1) WO2012050307A2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200086458A (ko) * 2019-01-09 2020-07-17 에스케이실트론 주식회사 와이어 쏘잉 장치용 정온 배쓰 및 이를 포함하는 와이어 쏘잉 장치

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101279681B1 (ko) * 2010-09-29 2013-06-27 주식회사 엘지실트론 단결정 잉곳 절단장치
EP2711978A1 (en) 2012-09-24 2014-03-26 Meyer Burger AG Method of making wafers
EP2944444A1 (en) 2014-05-16 2015-11-18 Meyer Burger AG Wafer processing method
CN109421185B (zh) * 2017-09-05 2021-05-28 上海新昇半导体科技有限公司 一种晶棒的切割方法及切割装置
CN110733139B (zh) * 2019-10-14 2021-05-28 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种晶棒切割装置及方法
CN116572410A (zh) * 2023-06-27 2023-08-11 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 多线切割控制切割硅片形貌的方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2673544B2 (ja) * 1988-06-14 1997-11-05 株式会社日平トヤマ 脆性材料の切断方法
JP2666436B2 (ja) * 1988-11-29 1997-10-22 住友金属工業株式会社 ワイヤソーによる切断加工方法
JP2516717B2 (ja) * 1991-11-29 1996-07-24 信越半導体株式会社 ワイヤソ―及びその切断方法
JPH07266331A (ja) * 1994-03-30 1995-10-17 Hitachi Chem Co Ltd 単結晶の切断方法
JP2885270B2 (ja) * 1995-06-01 1999-04-19 信越半導体株式会社 ワイヤーソー装置及びワークの切断方法
JPH0985737A (ja) * 1995-09-22 1997-03-31 Toray Eng Co Ltd ワイヤ式切断装置
JPH09200734A (ja) * 1996-01-12 1997-07-31 Fuji Photo Film Co Ltd 監視装置
JPH1085737A (ja) * 1996-07-23 1998-04-07 Mitsuhiro Fujiwara 浮遊物除去装置
JPH10217036A (ja) * 1997-01-29 1998-08-18 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体結晶棒の切断装置及び切断方法
JP3637740B2 (ja) * 1997-08-25 2005-04-13 三菱住友シリコン株式会社 ワイヤソーおよびインゴット切断方法
DE19841492A1 (de) * 1998-09-10 2000-03-23 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren und Vorrichtung zum Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem sprödharten Werkstück
JP3734018B2 (ja) * 1999-01-20 2006-01-11 信越半導体株式会社 ワイヤソーおよび切断方法
DE19959414A1 (de) * 1999-12-09 2001-06-21 Wacker Chemie Gmbh Vorrichtung zum gleichzeitigen Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Werkstück
JP4659326B2 (ja) * 2000-05-31 2011-03-30 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・ソシエタ・ペル・アチオニ 複数の半導体インゴットをスライスするワイヤソー及びプロセス
DE10055286A1 (de) * 2000-11-08 2002-05-23 Freiberger Compound Mat Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Trennen von Werkstoffen
JP3767382B2 (ja) * 2001-01-09 2006-04-19 株式会社デンソー ワイヤソーによる切断方法およびそれに用いる切断装置
DE10122628B4 (de) * 2001-05-10 2007-10-11 Siltronic Ag Verfahren zum Abtrennen von Scheiben von einem Werkstück
JP2003159650A (ja) * 2001-11-22 2003-06-03 Takatori Corp ワイヤソー用スラリータンク
US6889684B2 (en) * 2002-11-06 2005-05-10 Seh America, Inc. Apparatus, system and method for cutting a crystal ingot
EP1685927B1 (en) * 2003-10-27 2013-04-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Multi-wire saw
US7878883B2 (en) * 2006-01-26 2011-02-01 Memc Electronics Materials, Inc. Wire saw ingot slicing system and method with ingot preheating, web preheating, slurry temperature control and/or slurry flow rate control
JP2007301687A (ja) * 2006-05-12 2007-11-22 Naoetsu Electronics Co Ltd ワーク切断装置
JP4965949B2 (ja) * 2006-09-22 2012-07-04 信越半導体株式会社 切断方法
DE102006060358A1 (de) * 2006-12-20 2008-06-26 Siltronic Ag Vorrichtung und Verfahren zum Zersägen eines Werkstücks
JP4816511B2 (ja) * 2007-03-06 2011-11-16 信越半導体株式会社 切断方法およびワイヤソー装置
JP5003294B2 (ja) * 2007-06-08 2012-08-15 信越半導体株式会社 切断方法
CN101855045B (zh) * 2007-12-19 2012-01-18 信越半导体股份有限公司 利用线锯的工件的切断方法
JP2010029955A (ja) * 2008-07-25 2010-02-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd ワイヤソーの運転再開方法及びワイヤソー
BRPI0921043A2 (pt) * 2008-11-12 2018-08-07 Caris Life Sciences Luxembourg Holdings métodos e sistemas para usar exossomas para determinar fenótipos

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200086458A (ko) * 2019-01-09 2020-07-17 에스케이실트론 주식회사 와이어 쏘잉 장치용 정온 배쓰 및 이를 포함하는 와이어 쏘잉 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN103153564A (zh) 2013-06-12
WO2012050307A3 (en) 2012-06-07
WO2012050307A2 (en) 2012-04-19
JP2013539923A (ja) 2013-10-28
EP2627488A2 (en) 2013-08-21
US20120085333A1 (en) 2012-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20120037576A (ko) 단결정 잉곳 절단장치 및 단결정 잉곳 절단방법
JP5398849B2 (ja) ワイヤーソーイング時の半導体材料製被加工物の冷却方法
Peng et al. Study of electrical discharge machining technology for slicing silicon ingots
JP5023451B2 (ja) シリコンウェーハの製造方法、シリコン単結晶育成方法
KR101330408B1 (ko) 잉곳 성장 장치 및 잉곳 제조 방법
JP2011031386A (ja) 電着式固定砥粒ワイヤーおよびこれを用いた結晶スライス方法
Sopori et al. Analyses of diamond wire sawn wafers: Effect of various cutting parameters
KR101279681B1 (ko) 단결정 잉곳 절단장치
JP5569167B2 (ja) Iii族窒化物単結晶基板の製造方法
TWI812652B (zh) 線鋸裝置及晶圓的製造方法
JP5003696B2 (ja) Iii族窒化物基板及びその製造方法
US5799644A (en) Semiconductor single crystal ingot cutting jig
JP6642327B2 (ja) シリコンインゴットの切断方法およびシリコンウェーハの製造方法
KR20120030696A (ko) 단결정 잉곳 절단장치
KR101055927B1 (ko) 단결정 잉곳 절단장치 및 그 제어방법
KR101083481B1 (ko) 비산차단 시스템 및 이를 포함하는 단결정 잉곳 절단장치
KR101229971B1 (ko) 잉곳 절단 방법
TWI583487B (zh) Slicing method
JP7499932B1 (ja) リン化インジウム基板及び半導体エピタキシャルウエハ
JP2011031387A (ja) 結晶スライス方法
Liu Manufacturing Equipment for Silicon Wafer
KR20130074711A (ko) 잉곳 절단 장치 및 잉곳 절단 방법
Hauser et al. Advanced slicing techniques for single crystals
KR100901980B1 (ko) 플로팅 존 공정을 이용한 웨이퍼 표면 처리방법 및 이를위한 웨이퍼 표면 처리장치
KR101331759B1 (ko) 실리콘 단결정 잉곳 제조 장치 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20101012

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20120601

Patent event code: PE09021S01D

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20120829

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20120601

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I