TWI583487B - Slicing method - Google Patents

Description

切片方法

本發明關於一種切片方法，其利用線鋸將矽晶棒切斷成晶圓狀。

在一般的矽晶圓的製造方法中，培育好的單晶矽晶棒首先在實行電阻率和結晶性等的檢查後，通常會被切斷成電阻率在特定範圍的塊體。而且，培育完成的晶棒的原本狀態並不會成為完美的圓筒狀，且直徑也不均勻，因此要進行外周磨削以使各個塊體的直徑變成均勻(相同)。接下來，為了表示特定的結晶方位，對於經外周磨削的塊體施加定向平面(orientation flat)或切口(notch)。

然後，各塊體被切斷成多片晶圓，且針對各個晶圓進行由下述步驟所構成的處理來生產具有高精細的平坦度的晶圓：去角、機械研光(lapping)、蝕刻、吸雜(gettering)處理、氧供體去除熱處理、鏡面研磨(polishing)及清洗。

源自各個塊體的切片，當製作直徑200mm以下的晶圓時，主要是實行由內周刃所進行的切片處理。在此由內周刃所進行的切片中，由於所使用的刀片需要具有塊體的直徑的4~5倍大的外徑，故難以對應直徑300mm以上的大直徑 塊體的切片。因此，取代先前由內周刃所進行的切片，由線鋸所進行的切片開始被廣泛使用。

在由線鋸所進行的切片中，是藉由具有下述構成的線鋸來實行：將從線供給捲軸(reel)延伸出來的線(wire)，以具有預定張力的方式螺旋狀地捲繞在2~3根以上的線導件(wire guide)的周圍後，使線向線捲取捲軸延伸。

在這樣的線鋸中，例如在游離磨粒(loose abrasive)方式的線鋸中，一邊供給含有磨削磨粒的冷卻液，一邊經由線導件使線從線供給捲軸向線捲取捲軸移動，並利用使晶棒的塊體接觸在線導件之間拉緊的線上，來切斷晶棒的塊體。

又，在固定磨粒方式的線鋸中，是使用固定有磨粒的線，一邊供應不含有磨粒的冷卻液，一邊切斷晶棒的塊體。

在具有這種構成的線鋸中，由於將線螺旋狀地捲繞在線導件的周圍，線在與塊體接觸的位置上會變成以預定的間隔平行配置，因此能以一次的塊體的切斷來得到複數片晶圓。

使用於線鋸的線，一般是將鋼線等的線材作為素線(element wires)來使用，且在此素線的表面上形成有例如鍍銅層或鍍黃銅這類的銅合金鍍層。在線的素線的表面上施加鍍銅層或銅合金鍍層的理由，是為了賦予防銹效果及為了得到潤滑效果，其中潤滑效果是用於在階段性地抽線的拉線步驟中，使線通過具有預定孔徑之模具等的時候；但是，若是使用表面上施加有鍍銅的線，則會有切片而得的晶圓因高濃度的銅而被污染的問題。

作為為了解決這樣的由線鋸用線所引起的銅污染的 對策，已知有下述線鋸用線的製造方法：在鐵或鐵合金製的線材的表面上形成銅或銅合金鍍層並實行最後完工的拉線之後，剝離銅或銅合金鍍層(例如請參照專利文獻1)。

在專利文獻1的方法中，記載了下述內容：拉線時的潤滑有順暢地進行而在表面上不易產生損傷等，因而不會損及作為線鋸用線的品質特性。而且，之後，由於將表面的銅或銅合金鍍層剝離來作為線鋸用線使用，切出來的晶圓等沒有被金屬雜質等污染。

又，揭示一種具有下述步驟的半導體晶圓的製造方法(例如請參照專利文獻2)：使用一種在鋼線的表面施加了鍍鋅或鍍鎳的線鋸用線，來將半導體晶棒切片成多片的半導體晶圓的步驟；及，將所得到的半導體晶圓的表面和背面兩面，以單面20μm以下的研光量進行研光的研光步驟。在專利文獻2的方法中，藉由使用施加了鍍鋅或鍍鎳的線鋸用線，能降低使用線鋸切片而得的半導體晶圓的銅污染。

[先前技術文獻] (專利文獻)

專利文獻1：日本特開H09-254145號公報

專利文獻2：日本特開2005-57054號公報

然而，即便是在使用了上述專利文獻1或專利文獻2所示的線鋸用線的情況下，若使用複數個線鋸將多個單晶矽 塊切片，且調查從各矽塊得到的晶圓內部的銅污染濃度，則會發現銅污染濃度在各個晶圓都大不相同，其中也有發生超過1×10¹²atoms/cm³的銅污染的晶圓，故在先前方法中降低銅污染的效果不一定是充分的。由於銅污染會大幅地影響半導體特性，故一直在追求一種能確實地降低由於線鋸切片所導致的單晶矽的銅污染的方法。

本發明的目的在於提供一種切片方法，其使用線鋸，並能穩定地得到銅污染降低的高清淨度的矽晶圓。

為了達成上述目的，本發明提供一種切片方法，其使用線鋸，一邊對於捲繞在複數個線導件上的線供給冷卻液，一邊使前述線移動，且使矽晶棒壓抵在該線上並切斷該矽晶棒，來得到複數片切片晶圓，其中，該切片方法的特徵在於：將供給到前述線的冷卻液中的銅濃度設為80ppm以下。

這麼一來，在利用切片而製造出來的矽晶圓中的銅污染，能充分地被降低，而且能穩定地製造此高清淨度的矽晶圓。雖然在先前的方法中，各個切片晶圓中的銅污染濃度有偏差，但是，在本發明中，能將銅污染濃度抑制在很低的濃度並成為固定值，而能盡量地抑制此偏差。

此時，在向前述線供給冷卻液之前，可預先測定冷卻液中的銅濃度，並使用銅濃度是80ppm以下的冷卻液。

這麼一來，能更確實地使用銅濃度被抑制在80ppm以下的低濃度冷卻液並供給到線，而能更加穩定地製造高清淨度的矽晶圓。

又，當將供給到前述線後的冷卻液回收到槽內，並且將容置於該槽內的冷卻液供給到前述線來循環使用時，可將前述槽內的冷卻液的銅濃度管理在80ppm以下。

這麼一來，能將使用後的冷卻液再利用於切斷中，不但能降低成本，也能將銅濃度被更確實地抑制在低濃度的冷卻液供給到線。

又，可將用以調整前述要切斷的矽晶棒的比電阻所添加的摻雜物設為硼。

硼有與銅交互作用而促進銅向矽侵入的作用，而容易產生銅污染。由於如上述般本發明能夠降低銅污染，因此對於如此地將容易產生銅污染的硼作為摻雜物的情形下特別有效。

又，可將前述要切斷的矽晶棒的比電阻設為0.03Ω．cm以下。

在比電阻設為0.03Ω．cm以下的情況下，由於大量含有摻雜物，因此銅也容易大量侵入。故若是污染到達飽和等級的話，切片晶圓內的此銅污染濃度也會變得較高，因此能降低銅污染的本發明對此情況是特別有效。

又，可將向前述線供給的冷卻液的pH值設在5~7的範圍內。

利用將pH值控制在這樣的範圍內，能更加控制對於切片晶圓的銅污染的產生和促進。

又，可將前述矽晶棒的直徑設為450mm以上。

利用線鋸進行切片時的矽晶棒的溫度會隨著晶棒的 直徑變大而變得越高溫，又，隨著溫度越高銅向矽的擴散會變得越容易。如直徑450mm以上時，當要切斷的矽晶棒的直徑很大的情況下，能降低銅污染的本發明對此情況是特別有效。

又，可將前述冷卻液設為含有磨粒。

如此，即便是在將含有磨粒之冷卻液供給到線之線鋸切片方式之中，例如游離磨粒方式的線鋸切片之中，也能夠利用本發明。

如以上般，若依據本發明的切片方法，能降低對於使用線鋸切斷而得到的矽晶圓的銅污染，且能穩定地提供高清淨度的矽晶圓。

1‧‧‧線鋸

2‧‧‧線

3‧‧‧線導件

4‧‧‧線張力賦予機構

4’‧‧‧線張力賦予機構

5‧‧‧工件進給機構

6‧‧‧冷卻液供給機構

7‧‧‧線捲軸

7’‧‧‧線捲軸

8‧‧‧噴嘴

9‧‧‧冷卻液

9’‧‧‧冷卻液

10‧‧‧驅動馬達

11‧‧‧槽

12‧‧‧溫度調整機構

W‧‧‧晶圓

第1圖是表示比電阻為0.03Ω．cm的情況下，冷卻液中銅濃度與從晶圓檢測出來的銅污染濃度之間的關係的圖表。

第2圖是表示比電阻為0.02Ω．cm的情況下，冷卻液中銅濃度與從晶圓檢測出來的銅污染濃度之間的關係的圖表。

第3圖是表示比電阻為0.01Ω．cm的情況下，冷卻液中銅濃度與從晶圓檢測出來的銅污染濃度之間的關係的圖表。

第4圖是表示能在本發明的切片方法中使用的線鋸的一例的示意圖。

以下，針對本發明，作為實施方式的一例，一邊參 照圖式一邊詳細說明，但本發明並不限定於此實施方式。

本發明人針對使用線鋸的切片方法努力進行研究，其結果，得知了冷卻液中的銅濃度對於切片晶圓中所產生的銅污染有很大的關係。進一步，看出若是冷卻液中的銅濃度超過80ppm的話，切片晶圓的銅污染濃度會變高並達到飽和狀態。另外則看出，在另一方面，若是冷卻液中的銅濃度在80ppm以下的話，能將切片晶圓的銅污染濃度抑制在低濃度，而且，藉此能抑制各個切片晶圓的銅污染濃度的偏差，而完成本發明。

第4圖是表示能在本發明的切片方法中使用的線鋸的一例的示意圖。如第4圖所示，線鋸1主要由以下構件所構成：用以切斷矽晶棒(以下簡稱為工件W)之線2、捲繞有此線2之複數個線導件3、用以賦予線2張力之線張力賦予機構4和4’、保持要切斷的工件W並將工件W進給之工件進給機構5、冷卻液供給機構6等。

工件W是隔著接合構件而黏著於工件板(work palte)，且該工件板是藉由工件進給機構5的工件保持部而被保持。像這樣以工件保持部保持的工件W，可使用工件進給機構5的直線運動導軌(Linear Motion Guide，LM guild)，而可往配置於下方的線2被送出。

又，線2從一邊的線捲軸7被釋出，經由線張力賦予機構4，並進入線導件3。線2藉由在此線導件3上捲繞300~400圈左右來形成線列。而且，線2經由另一邊的線張力賦予機構4’而捲繞於線捲軸7’。

藉此變得能像這樣地對捲繞的線2賦予張力，且藉由驅動馬達10向軸方向以預先設定的反轉循環時間、移動速度使線2往復移動(行進)。

此處，在固定磨粒方式中，線2是有磨粒固定在鋼線等的線的素線的表面上。例如，可做成藉由鎳黏合劑將鑽石磨粒固定於線的素線上而成的電沉積(electrodeposition)鑽石線。此電沉積鑽石線是藉由鎳電沉積(nickel electrodeposition)來牢固地將鑽石磨粒固定在線的素線上。因此，有線的壽命長這種優點。此外，固定方法並沒有特別限定，只要能將磨粒固定於線上即可。

又，在這樣的線2的上方配置有噴嘴8，而變成可以對線2供給冷卻液9。噴嘴8的數量並沒有特別限定，可適當地決定。例如可以使用丙二醇(propylene glycol，PG)混合液來作為冷卻液9。

另一方面，在游離磨粒方式中，磨粒沒有固定在線2上。取而代之地，會準備含有磨粒之冷卻液9’，並可從噴嘴8供應。例如可以使用由碳化矽(SiC)所形成的磨粒來作為此冷卻液中的磨粒。

另外，在冷卻液供應機構6中準備有槽11，槽11是用以回收已在切斷時供給到線2的使用後的冷卻液9(或冷卻液9’)。從此槽11能將已經利用溫度調整機構12來調整溫度後的冷卻液9，由噴嘴8循環供給。

此外，此冷卻液供給機構6並不限於這些槽11和溫度調整機構12等。例如可以進一步設置離心分離機，離心分 離機可實行去除或回收使用後的冷卻液中的碎片、磨粒、其他雜質的處置。而且，實行這些必要的處置後的冷卻液9被儲存於槽11內。除此之外，也可從槽11採取或去除一部分的冷卻液，相反地，也可追加放入新的清淨的冷卻液或磨粒到槽11中。

接下來，針對使用第4圖的線鋸之本發明的切片方法進行說明。

首先，準備矽晶棒。此處所準備的矽晶棒並沒有特別限定，例如可以設為用柴氏法(Czochralski method，CZ法)或浮區法(floating zone method，FZ法)所培育出來的矽單晶棒。

又，針對矽晶棒的直徑、添加的摻雜物(dopant)、比電阻等的各種條件也沒有特別限定，可適當地決定。特別是，在被設為一般會變得容易產生銅污染般的條件的情況下，這種能降低銅污染的本發明的有效性，能更加有效地發揮。

舉例而言，可將直徑設為450mm以上這種較大的尺寸。這是因為，矽晶棒的直徑變得越大的話以線鋸切斷時會越容易變得高溫，銅向矽的擴散也會變得越容易產生。

又，可將摻雜物設為硼。這是因為，硼有與銅交互作用而促進銅向矽侵入的作用，而容易產生銅污染。

又，可將比電阻設為0.03Ω．cm以下。在這樣低電阻率的切片晶圓中，銅會更容易侵入，銅污染例如若是到達飽和等級的話，那時的濃度值變得較高，而對半導體特性帶來不良影響。

接下來，使用線鋸1將矽晶棒切斷成晶圓狀。

首先，將所準備的矽晶棒切斷成塊體等並且加工成適當的形狀(工件W)，然後藉由工件進給機構5的工件保持部來保持工件W，並向下方送出(進給)。

而且，將儲存於槽11內的冷卻液9(或冷卻液9’)，從噴嘴8向線2供給。

又，從線捲軸7釋出線2，經過線張力賦予機構4、4’並向線捲軸7’捲繞線2，藉此來使線2移動(行進)。

像這樣進行，藉由一邊將冷卻液9供給到線2，一邊將工件W壓抵於作往復移動的線2上，以將工件W切斷成晶圓狀，而得到切片晶圓。

而且，使用後的冷卻液9在經過適當且必要的處理(離心分離等)之後，回收到槽11，並且再度供給到線2。藉由像這樣地將使用後的冷卻液9再利用並循環供給，而能期待成本的降低。

此外，供給到線2的冷卻液，除了後述的特定銅濃度以外並沒有特別限定。pH值雖然也沒有限定，但是能設為是例如在5~7的範圍內。舉例而言，在日本特開S63-272460號公報中，有大意是利用含銅的加工液(鹼溶液)加工矽而發生污染的記載，但是藉由將pH值設為7以下，就能更有效地防止此現象。此時，為了確實地將pH值設為7以下，可在冷卻液中添加以檸檬酸為代表的有機酸。又，藉由將pH值設為5以上，能抑制冷卻液中的銅的離子化的促進，而能更加地降低矽晶圓的銅污染。

又，在含有磨粒的情況下，對此磨粒也沒有特別限制， 例如能使用從先前就常使用的由SiC所形成的磨粒。

此處，針對冷卻液中的銅濃度詳細描述。此冷卻液中的銅濃度被設為80ppm以下。更佳是設為40ppm以下。為了避免對於切片晶圓的銅污染，銅濃度當然是越低越好。

此外，在利用如游離磨粒方式般的含有磨粒的冷卻液的情況下(也就是說，冷卻液是由磨粒與分散劑所構成的情況下)，所稱的80ppm以下這個值，是設為由冷卻液中的分散劑的重量所算出來的值。

另一方面，在使用如固定磨粒方式般的不含有磨粒的冷卻液的情況下，是設為由此冷卻液本身的重量所算出來的值。

對於線2，為了供給更確實地把銅濃度抑制在80ppm以下的冷卻液，舉例而言，可在供給前預先實際測定冷卻液中的銅濃度，並一邊確認銅濃度是80ppm以下，一邊對線2供給此冷卻液。

更具體而言，可舉出下述方式：預先將儲存於槽11內的冷卻液的銅濃度管理(控制)在80ppm以下，其中該槽11連接到供給手段也就是噴嘴8。管理方法沒有特別限定，可對應成本或設為目標的銅濃度來適當決定。舉例而言，可定期採取槽11內的冷卻液並測定其銅濃度，若是測定值較高而快要超過80ppm，就將新的冷卻液追加放入槽11內來稀釋，就能降低銅濃度。另外也可將槽11內的冷卻液的一部分換成是新的冷卻液，藉此來降低銅濃度。

另外，冷卻液中的銅濃度的測定方法也沒有特別限定。能利用原子吸光法來測定。

作為一個例子，以下揭示在含有SiC磨粒之冷卻液9’的測定方法。首先，從採取自槽11內的冷卻液中量取適當的量作為試料，混合硝酸與氫氟酸之混合酸，以微波進行分解處理後，以硝酸溶液稀釋來製作成檢測液。將此檢測液適當稀釋，並藉由原子吸光法對含有的銅的量進行定量。此外，在前述的測定前處理中，由於含在冷卻液中的SiC磨粒沒有被分解，因此冷卻液中的銅濃度是由預先測定好的冷卻液中的SiC濃度(可從漿液中量取適當的量來作為試料，並測量將試料蒸發乾燥後的殘渣的重量，藉此來進行測定)來求得冷卻液中的分散劑重量，再作為相對於分散劑重量的濃度來算出。

在冷卻液中不含有磨粒的情況下(冷卻液9)也可以同樣地使用原子吸光法來算出銅濃度，但在這種情況下，是由冷卻液全體的重量來算出。

利用如以上般地將供給到線鋸的線上的冷卻液中的銅濃度保持在低濃度，即便例如是使用複數個線鋸來製造切片晶圓，也能降低切片晶圓中的銅污染濃度，且能使該銅污染濃度變得比先前更均勻。如此一來，比起先前，針對雜質也就是銅，能夠穩定地製造高清淨度的切片晶圓。

[實施例]

以下，表示本發明的實施例和比較例來更具體地說明本發明，但本發明並不限於這些例子。

(實施例1~9、比較例1~6)

使用第4圖的線鋸，一邊供給冷卻液到線上一邊使線往復移動，而將單晶矽晶棒切片成晶圓狀。此時，在實施例1 ~9中，如本發明般，將銅濃度調整成80ppm以下的冷卻液供給到線上。另一方面，在比較例1~6中，與本發明相異，將銅濃度調整成高於80ppm的冷卻液供給到線上。

針對在實施例1~9、比較例1~6中的銅濃度不同的冷卻液的準備，進行詳述。

首先，使碳化矽(SiC)磨粒分散於乙二醇系的分散劑中。像這樣地進行而製作出來的冷卻液的銅濃度是5ppm。因此，將此製作出來的冷卻液填充入與第4圖同樣的線鋸中，且使用在表面有鍍黃銅而成的線，將矽塊切片，並藉由使線表面的鍍覆部磨耗而使銅混入冷卻液中，來調整冷卻液中的銅濃度。由於已知線表面的鍍黃銅量和鍍覆的組成，因此可利用調整線要被磨耗的距離，將冷卻液中的銅濃度調整成目標濃度。

而且，像這樣地進行而製作出來的用於實施例1~9、比較例1~6的銅濃度不同的冷卻液，分別使用這些冷卻液，將直徑300mm的單晶矽塊切片來作為本試驗。要進行切片的矽塊，是源自利用磁場CZ法(Magnetic field Czochralski method，MCZ法)提拉而得的矽晶棒，且添加有作為摻雜物的硼。準備了比電阻是0.03Ω．cm、0.02Ω．cm、0.01Ω．cm這樣不同的三種類的塊體。而且，針對各個塊體，對所使用的各冷卻液，算出切片晶圓的銅污染濃度，並比較該濃度。

此外，在本試驗中，線是使用表面沒有鍍覆的線，以防止在切片中銅從線混入冷卻液中。

冷卻液中的銅濃度是利用下述方法分析。

從由線鋸採取出來的冷卻液中，量取250mg的量作為試料，混合硝酸與氫氟酸之混酸，以微波進行分解處理後，以硝酸溶液稀釋來製作成檢測液。將此檢測液適當稀釋，並藉由原子吸光法對所含有的銅的量進行定量。此外，在前述的測定前處理中，由於含在冷卻液中的SiC磨粒沒有被分解，因此冷卻液中的銅濃度是由預先測定好的冷卻液中的SiC濃度來求得冷卻液中的分散劑重量，再作為相對於分散劑重量的濃度來算出。

此外，切片晶圓的銅污染濃度的測定是利用下述方法分析。

利用線鋸切片而得的晶圓，在表面存在有破裂(crack)層或應變層，已知在此部分中高濃度地含有銅或其他金屬。因此，為了測定擴散到晶圓的內部的銅的濃度，必須要去除這個部分。因此，將切片晶圓的表面50微米(micron)的部分(雙面共100微米)，以混合硝酸與氫氟酸之液體蝕刻而除去，並將剩餘的部分作為分析用樣本。

進一步，將分析用樣本以清洗液來清洗，並以表示於日本特開2002-368052號公報中的方法，完全溶解而得到試料溶液，其中清洗液混合有氫氟酸、鹽酸、過氧化氫、純水。

也就是說，藉由將分析用樣本與氫氟酸、硝酸的混合酸溶液配置於同一個密閉容器內並加熱，將樣本暴露於含有氫氟酸和硝酸之蒸氣中而將樣本完全分解，進一步，藉由以100~150℃加熱2~24小時，實行分解物的去矽處理，之後，將蒸發乾燥而得到的殘渣以稀氫氟酸溶解來製作試料溶 液。

而且，將所得到的試料溶液以硝酸溶液適當稀釋並以感應耦合電漿質譜儀(Inductively coupled plasma mass spectroscopy，ICP-MS)進行分析。此外，這些作業是利用將切片晶圓解理後的分析片(analysis chip)進行。

將如此地進行來實施的實驗結果，整理於表1~3、第1圖~第3圖。將比電阻是0.03Ω．cm的塊體的結果示於表1和第1圖，將比電阻是0.02Ω．cm的塊體的結果示於表2和第2圖，將比電阻是0.01Ω．cm的塊體的結果示於表3和第3圖。

從表1~表3和第1圖~第3圖明顯可知，藉由將冷卻液中的銅濃度設為80ppm以下(實施例1~9)，相較於高於80ppm的情況(比較例1~6)，能將切片而得的晶圓中所含有的銅污染濃度降低到1/5以下。並且，在晶棒中的比電阻相同的情況下，比較各實施例1~3可知，能使銅污染濃度在此低數值的情況下變得平均。比較各實施例4~6或實施例7~9也可得知，同樣地，能穩定地得到低銅污染濃度的切片晶圓。

此外，針對比電阻高於0.03Ω．cm的情況(具體而言是0.04Ω．cm)也與上述實施例和比較例同樣地製作切片晶圓，結果冷卻液中的銅濃度與切片晶圓的銅污染濃度之間的關係，被認為有與表1~表3或第1圖~第3圖同樣的傾向。也就是說，冷卻液中的銅濃度是80ppm以下時，晶圓的銅污染濃度會保持成較低，而在高於此的銅濃度的情況下，銅污染濃度也變高了。

擴散在單晶矽中的銅的量，會隨著矽中含有的硼的濃度變大而變成高濃度。如前述般，這是因為銅由於會與硼成為結合體(combination)而會變得容易向矽擴散。因此，如實 施例1~9般地切斷硼濃度較高且比電阻較小(0.03Ω．cm以下)的矽單晶時，相較於硼濃度小於此且比電阻高的情況(例如0.04Ω．cm以上)，容易因冷卻液中的銅濃度而使切片晶圓的銅污染濃度變高。如此一來，將冷卻液中的銅濃度抑制在80ppm以下的本發明，對於比電阻在0.03Ω．cm以下的情況下會特別有效。

此外，本發明並不限於上述實施方式。上述實施方式僅為例示，只要是與本發明的申請專利範圍所載技術思想實質上具有相同構成，並能達成同樣作用功效者，無論何者都包含於本發明的技術範圍中。

例如在實施例中，雖然是針對使用游離磨粒方式的線鋸的本發明的切片方法進行說明，但如前述般，當然也能將本發明應用於使用固定磨粒方式的線鋸的切片方法。

Claims (15)

1. 一種切片方法，其使用線鋸，一邊對於捲繞在複數個線導件上的線供給冷卻液，一邊使前述線移動，且使矽晶棒壓抵在該線上並切斷該矽晶棒，來得到複數片切片晶圓，其中，該切片方法的特徵在於：藉由在向前述線供給冷卻液之前，預先測定冷卻液中的銅濃度，並使用銅濃度是80ppm以下的冷卻液，將供給到前述線的冷卻液中的銅濃度設為80ppm以下。
2. 如請求項1所述的切片方法，其中，當將供給到前述線後的冷卻液回收到槽內，並且將容置於該槽內的冷卻液供給到前述線來循環使用時，將前述槽內的冷卻液的銅濃度管理在80ppm以下。
3. 如請求項1所述的切片方法，其中，將用以調整前述要切斷的矽晶棒的比電阻所添加的摻雜物設為硼。
4. 如請求項2所述的切片方法，其中，將用以調整前述要切斷的矽晶棒的比電阻所添加的摻雜物設為硼。
5. 如請求項1所述的切片方法，其中，將前述要切斷的矽晶棒的比電阻設為0.03Ω．cm以下。
6. 如請求項2所述的切片方法，其中，將前述要切斷的矽晶棒的比電阻設為0.03Ω．cm以下。
7. 如請求項3所述的切片方法，其中，將前述要切斷的矽晶棒的比電阻設為0.03Ω．cm以下。
8. 如請求項4所述的切片方法，其中，將前述要切斷的矽晶棒的比電阻設為0.03Ω．cm以下。
9. 如請求項1至請求項8中任一項所述的切片方法，其中，將向前述線供給的冷卻液的pH值設在5~7的範圍內。
10. 如請求項1至請求項8中任一項所述的切片方法，其中，將前述矽晶棒的直徑設為450mm以上。
11. 如請求項9所述的切片方法，其中，將前述矽晶棒的直徑設為450mm以上。
12. 如請求項1至請求項8中任一項所述的切片方法，其中，將前述冷卻液設為含有磨粒。
13. 如請求項9所述的切片方法，其中，將前述冷卻液設為含有磨粒。
14. 如請求項10所述的切片方法，其中，將前述冷卻液設為含有磨粒。
15. 如請求項11所述的切片方法，其中，將前述冷卻液設為含有磨粒。