WO2003007373A1 - Cadre de montage - Google Patents

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WO2003007373A1
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lead frame
metal plate
plating
lead
frame material
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PCT/JP2002/006933
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Inventor
Kazunori Iitani
Youichirou Hamada
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co., Ltd.
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    • H05K3/3421—Leaded components
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Definitions

  • the present invention relates to a lead frame used for a semiconductor device and a method for manufacturing the same.
  • a lead frame is formed into a predetermined shape from a metal plate by etching or pressing, and after applying palladium plating to the entire surface, a semiconductor element is mounted at a predetermined position and sealed with a resin. It is cut into individual pieces using a rear mold, etc.
  • a main object of the present invention is to provide an inexpensive lead frame while minimizing the amount of palladium used.
  • Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a lead frame which eliminates defects.
  • a lead frame according to the present invention requires a lead frame formed from a metal plate to have a semiconductor element mounting portion, a gold wire bonding portion, and a solder bonding portion on the board mounting surface side. It is characterized by partial palladium plating applied only to the minimum places.
  • the lead frame according to the present invention is a lead frame formed from a metal plate, wherein only the surface on the semiconductor element mounting side and the surface on the substrate mounting side are plated with palladium, and the formed lead portion and pad are formed. Parts and other unnecessary parts It is characterized by no plating on the sides.
  • the lead frame according to the present invention in the lead frame formed from a metal plate, only the necessary minimum portions of the semiconductor element mounting side surface and the substrate mounting side surface are subjected to palladium plating. It is characterized in that the lead, pad, and other unnecessary parts and side surfaces are not plated. This minimizes the area where palladium plating is applied. Compared with the conventional lead frame, it is possible to provide a cheaper lead frame.
  • a lead frame material is prepared by molding a metal plate, and a necessary minimum portion of a semiconductor element mounting portion of the lead frame material is partially plated with palladium, Next, palladium plating was partially applied to the necessary minimum portions of the gold wire bonding portion of the lead frame element and the solder bonding portion on the substrate mounting surface side.
  • a lead frame material is prepared by molding a metal plate, and palladium plating is applied only to the semiconductor element mounting side surface of the lead frame material. Palladium plating was applied only to the surface on the board mounting side, and no plating was applied to the leads, pads, other mounting unnecessary portions, and side surfaces of the lead frame material.
  • a metal plate on which a lead frame is to be formed is prepared, a resist layer is provided on the front and back surfaces of the metal plate, and a desired lead is formed on the surface of the resist layer.
  • a mask having a frame shape is closely contacted, exposed, developed, and a mask for plating is created.
  • the exposed metal plate surface is plated, and a plating layer including at least a palladium layer is provided.
  • the mask is peeled off, a resist layer is provided again on the front surface of both sides, exposed using a mask having a predetermined pattern, developed, and an etching mask is obtained.
  • the pad, pad and other shapes are molded.
  • a metal plate on which a lead frame is to be formed is prepared, a resist layer is provided on the front and back surfaces of the metal plate, and a desired lead is formed on the surface of the resist layer. For example, closely contact a mask having a frame shape, After exposing, developing and creating a mask for plating, the exposed metal plate surface is plated to provide a plating layer including at least a palladium layer, and then the resist layer is removed.
  • a metal plate on which a lead frame is to be formed is prepared, a resist layer is provided on the front and back surfaces of the metal plate, and a desired lead frame is provided on the surface of the resist layer.
  • a mask having a frame shape is closely contacted, exposed and developed to form an etching mask, and then the exposed metal plate portion is removed by etching to form a lead frame shape.
  • Gold was applied, and a plating layer containing at least a palladium layer was provided.
  • a metal plate on which a lead frame is to be formed is prepared, a resist layer is provided on the front and back surfaces of the metal plate, and a desired lead frame is provided on the surface of the resist layer.
  • a mask for plating by, for example, closely contacting, exposing, developing, and plating a frame-shaped mask, plating is performed on the exposed metal plate surface, and a plating layer including at least a palladium layer is provided.
  • the resist layer was removed, and a metal plate was etched using the plating layer as an etching resist to form a large number of leads, pads, and other shapes.
  • a lead frame can be provided at a lower cost than a conventional lead frame that has been entirely plated with palladium, and a semiconductor element is mounted at a predetermined position on the lead frame.
  • FIG. 1 is a process chart showing one embodiment of a method for manufacturing a lead frame according to the present invention.
  • FIG. 2 is a process diagram showing another embodiment of the method for manufacturing a lead frame according to the present invention.
  • FIG. 3 is a process chart showing still another embodiment of the method for manufacturing a lead frame according to the present invention.
  • FIG. 4 is a process chart showing still another embodiment of the method for manufacturing a lead frame according to the present invention.
  • FIG. 1 is a process chart showing one embodiment of a method for manufacturing a lead frame according to the present invention.
  • 1 is a metal plate such as a copper plate on which a lead frame is to be formed
  • 2 is a dry film installed on the front and back surfaces of the metal plate 1
  • 3 is a dry film 2 installed on the surface of the metal plate 1.
  • a plurality of etchant spray nozzles installed facing each other across 1.
  • Fig. 1 (a) After installing a dry film 2 serving as a photoresist on the entire front and back surfaces of the metal plate 1, a glass mask having lead frame patterns 3a and 4a is provided. Cover 3 and 4 on the front and back surfaces with the pattern aligned, and expose this surface with ultraviolet light through glass masks 3 and 4.
  • the dry film 2 was set again on the entire front and back surfaces of the metal plate 1 with the plating layer 1a obtained in this way, and only the plated portions were shielded from light as shown in Fig. 1 (e). Are covered with glass masks 5 and 6 on which patterns are formed, and both surfaces are again exposed to ultraviolet light. Then, development is performed in the same manner as described with reference to FIG. 1 (b) to obtain a metal plate 1 with a plating layer 1a having a sectional shape as shown in FIG. 1 (f).
  • an etching solution is sprayed on the both surfaces of the metal plate 1 with the plating layer 1a by means of an injection nozzle 7 to perform an etching process.
  • the metal in the unplated part is dissolved and removed, and finally the dry film 2 is peeled off to have a cross-sectional shape as shown in Fig. A lead frame of one frame with plating only on the part is obtained.
  • Each of the steps from Fig. 1 (a) to (h) is executed continuously by transporting a metal plate of a length including several frames of the lead frame by an appropriate conveyor, and at the end of the process. It is cut to complete individual lead frames. As is clear from this explanation, each lead frame is subjected to palladium plating only on necessary portions on the front and back surfaces.
  • FIG. 2 is a process chart showing another embodiment of the method for manufacturing a lead frame according to the present invention.
  • substantially the same members and portions as those used in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • each process shown in Figs. 2 (a), (b), (c) and (d) Are the same as those in FIG. 1, and therefore description thereof will be omitted, and the steps shown after FIG. 2 (e) will be described.
  • an etching solution is sprayed onto a surface of the metal plate 1 with the plating layer 1 a by the injection nozzle 7 to perform an etching process.
  • This etching process is performed to such an extent that the metal in the unplated portion is almost dissolved and removed and becomes extremely thin.
  • a tape 8 is attached to the entire surface of the metal plate 1 with the plating layer 1a thus obtained as shown in FIG. 2 (f), and then the tape 8 is attached as shown in FIG. 2 (g).
  • Etching is performed again by spraying the etching solution from the side where the adhesive is not applied with the spray nozzle 7, and the ultra-thin metal parts that are not plated (such as a typer connecting the leads and a suspension lead, etc.) Completely dissolve and remove the unnecessary parts that are cut after assembly.
  • the remaining plated metal parts that is, necessary parts such as pads and leads on which the semiconductor element is mounted, are positioned relative to each other by tape 8 as shown in FIG. 2 (h). Relationships are reliably maintained without breaking.
  • FIG. 3 is a process drawing showing still another embodiment of the lead frame manufacturing method according to the present invention.
  • substantially the same members and portions as those used in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the steps shown in Figs. 3 (a) and (b) are the same as those in Fig. 1, and therefore the description is omitted, and the steps shown in Fig. 3 (c) and thereafter are omitted.
  • the steps shown in Fig. 3 (c) and thereafter are omitted.
  • an etching solution is sprayed by a spray nozzle 7 on both surfaces of the metal plate 1 where the dry film 2 is left in correspondence with the lead frame pattern, thereby performing an etching process.
  • This etching process is performed until the metal in the portion where the dry film 2 is not present is dissolved and removed, and the metal plate 1 is perforated as shown in FIG. 3 (d).
  • the dry film 2 is peeled off from both surfaces of the perforated metal plate 1 in this way, and a lead frame material having a cross section as shown in FIG. 3 (d) is manufactured.
  • nickel (Ni) plating, palladium (Pd) plating and gold (Au) plating are shown as enlarged in Fig. 3 (e).
  • the plating is applied respectively, and the lead frame is completed. That is, first, as shown in FIG. 3 (f), nickel (Ni) plating is applied to the entire front and back surfaces of the lead frame as a base layer, and then, as shown in FIG. Palladium (Pd) plating is applied only to the minimum necessary parts between the wire bonding part and the solder joint part on the board mounting surface side. Finally, as shown in Fig. 3 (h), gold is applied to the entire front and back of the lead frame. (Au) is applied and the lead frame is completed.
  • the finished lead frame uses less expensive palladium and is less expensive than conventional lead frames.
  • FIG. 4 is a process drawing showing still another embodiment of the lead frame manufacturing method according to the present invention.
  • substantially the same members and portions as those used in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.
  • the steps shown in FIGS. 4 (a) to 4 (d) are the same as those in FIG. 1, and therefore the description is omitted, and the steps shown in FIG. Are described.
  • injection nozzles were formed on both sides of the plated metal plate 1 obtained in FIG. 4 (d).
  • a product is obtained by spraying an etching solution in step 7 to perform an etching process. According to this embodiment, a product can be provided at lower cost.

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Description

明 細 書 リードフレーム及びその製造方法 技術分野
本発明は、 半導体装置に用いられるリードフ レームとその製造方法に関す る。
背景技術
従来、 リードフ レームは、 金属板からエッチング加工やプレス加工によつ て所定の形状に成形され、 全面にパラジウム鍍金を施した後所定位置に半導 体素子を搭載し、 これを樹脂封止した後金型等を用いて個片にカッ 卜され、
I Cチップ等の電子部品として実用に供されている。
近年、 リードフ レームの仕様は、 環境への影響を考慮して、 鉛が含まれる 外装半田鍍金を止めて、 リ一ドフレーム全面にパラジウム鍍金を施したもの が採用されている。 しかし、 パラジウムは高価な金属材料であるため、 全面 にパラジゥム鍍金を施すことにより、 製品コス トを上昇させてしまう という 問題点がある。
したがって、 本発明の主目的は、 パラジウムの使用量を最少に抑えて安価 なリードフ レームを提供することにある。、
本発明の他の目的は、 不具合をなく したリードフ レームの製造方法を提供 することにある。
発明の開示
上記の目的を達成するため、 本発明によるリードフレームは、 金属板より 成形されるリ一ドフレームにおいて、 半導体素子搭载部分と金線ボンディ ン グ部分と基板実装面側の半田接合部分との必要最小限個所にのみ部分的なパ ラジゥム鍍金が施されていることを特徴としている。
また、 本発明によるリードフレームは、 金属板より成形されるリードフ レ ームにおいて、 半導体素子搭載側表面と基板実装側表面のみにパラジウム鍍 金が施されていて、 成形されたリード部， パッ ド部その他の実装不要部分及 び側面には鍍金が施されていないことを特徴としている。
また、 本発明によるリードフレームは、 金属板より成形されるリードフ レ ームにおいて、 半導体素子搭載側表面と基板実装側表面の必要最小限の部分 のみにパラジウム鍍金が施されていて、 成形されたリード部， パッ ド部その 他の実装不要部分及び側面には鍍金が施されていないことを特徴としている, これにより、 パラジウム鍍金が施される面積は最少限となるので、 全面に パラジゥム鍍金を施していた従来のリードフ レームに比べて、 安価なリード フレームを提供できる。
また、 本発明によるリードフレームの製造方法は、 金属板を成形してリー ドフレーム素材を準備し、 該リードフレーム素材の半導体素子搭載部分の必 要最小限個所に部分的にパラジウム鍍金を施し、 次に前記リードフレーム素 お-の金ワイヤーボンディング部分及び基板実装面側の半田接合部分の必要最 小限個所に部分的にパラジウム鍍金を施すようにした。
また、 本発明によるリードフレームの製造方法は、 金属板を成形してリ一 ドフレーム素材を準備し、 該リードフレーム素材の半導体素子搭載側表面に のみパラジウム鍍金を施し、 次に前記リードフレーム素材の基板実装側表面 にのみパラジゥム鍍金を施し、 前記リードフレーム素材のリード部， パッ ド 部その他の実装不要部分及び側面には鍍金を施さないようにした。
また、 本発明によるリードフレームの製造方法は、 リードフレームを形成 すべき金属板を準備して、 該金属板の表裏面上にレジス ト層を設け、 該レジ ス ト層の表面に所望のリードフレーム形状を有するマスクを例えば密接し、 露光し、 現像して鍍金を施すためのマスクを作成した後、 露出した金属板表 面に鍍金を施して、 少なく ともパラジウム層を含む鍍金層を設け、 次に前記 マスクを剥離し、 再度両面前面にレジス ト層を設け、 所定のパターンを有す るマスクを用いて露光し、 現像してエッチングマス'クを得、 次いでエツチン グ処理してリ一ド部， パッ ド部その他の形状を成形するようにした。
また、 本発明によるリードフレームの製造方法は、 リードフレームを形成 すべき金属板を準備して、 該金属板の表裏面上にレジス ト層を設け、 該レジ ス ト層の表面に所望のリードフレーム形状を有するマスクを例えば密接し、 露光し、 現像して鍍金を施すためのマスクを作成した後、 露出した金属板表 面に鍍金を施して、 少なく ともパラジウム層を含む鍍金層を設け、 次にレジ ス ト層を除去し、 前記鍍金層をエッチングレジス トとして用いて金属板をェ ツチングし、 該エッチング処理により前記金属板の要エッチング部分が貫通 する前にエッチング処理を停止し、 前記金属板の裏面をテープでマスクし、 再びエッチング処理を施すことにより前記金属板部分の要エッチング部分を 貫通させて、 前記テープにより多数のリ一ド部等が個々独立した位置関係に 保持されるようにした。
また、 本発明によるリードフ レームの製造方法は、 リードフ レームを形成 すべき金属板を準備して、 該金属板の表裏面上にレジス ト層を設け、 該レジ ス ト層の表面に所望のリードフ レーム形状を有するマスク を例えば密接し、 露光し、 現像してエッチングマスクを作成した後、 露出した金属板部をエツ チングして除去し、 リードフ レーム形状を形成し、 次いで、 この表裏面に鍍 金を施して、 少なく ともパラジウム層を含む鍍金層を設けるようにした。 また、 本発明によるリードフ レームの製造方法は、 リードフ レームを形成 すべき金属板を準備して、 該金属板の表裏面上にレジス ト層を設け、 該レジ ス ト層の表面に所望のリードフ レーム形状を有するマスクを例えば密接し、 露光し、 現像して鍍金を施すためのマスクを作成した後、 露出した金属板表 面に鍍金を施して、 少なく ともパラジウム層を含む鍍金層を設け、 次にレジ ス ト層を除去し、 前記鍍金層をエッチングレジス トとして用いて金属板をェ ツチングして、 多数のリード部， パッ ド部その他の形状を形成するようにし た。
上記の方法により、 全面にパラジウム鍍金を施していた従来のリ一ドフ レ ームに比べて安価なリ ー ドフレームを提供できるばかり力 、 リ ー ドフ レーム の所定位置に半導体素子を搭載し樹脂封止した後、 これを個片にすべくダイ シング等によりカツ トする際、 切断されるべき金属部分はエッチング処理に より既に溶解しているため樹脂のみを切断すれば済み、 従来のリードフレー ムにおけるようにリード抜けや樹脂破損等の不具合を生じないリ一ドフレー ムを提供することが出来る。 本発明の上記以外の目的， 特徴及び利点は、 添付図面を参照した以下の詳 細な説明により明らかになるであろう。
図面の簡単な説明
図 1は、 本発明に係るリードフ レームの製造方法の一実施例を示す工程図 である。
図 2は、 本発明に係るリ一ドフレームの製造方法の他の実施例を示す工程 図である。
図 3は、 本発明に係るリードフレームの製造方法の更に他の実施例を示す 工程図である。
図 4は、 本発明に係るリードフ レームの製造方法の更に他の実施例を示す 工程図である。
発明を実施するための最良の形態
実施例 1
図 1は、 本発明に係るリードフレームの製造方法の一実施例を示す工程図 である。 図中、 1はリードフ レームを形成すべき銅板等の金属板、 2は金属 板 1の表裏面上に設置された ドライフィルム、 3は金属板 1の表面上に設置 された ドライフィルム 2上に被せられていて遮光剤を用いてリ一ドフ レーム パターン 3 aを形成してなるガラスマスク、 4は金属板 1の裏面上に設置さ れたドライフィルム 2上に被せられていて金属板 1 を挟んでリ一ドフレーム パターン 3 a と対称に遮光剤を用いてリードフレームパターン 4 aを形成し てなるガラスマスク、 5 , 6は所要の遮光パターンを形成してなるガラスマ スク、 7は金属板 1 を挟んで対向設置された複数のエッチング液噴射ノズル である。
次にリードフ レームの製造工程を順を追って説明する。 先ず、 図 1 ( a ) に示すように、 金属板 1の表裏面全面にフォ トレジス トとしての役目をする ドライフィルム 2を設置した後、 リードフレームパターン 3 a， 4 aを有す るガラスマスク 3， 4をパターンを位置合わせした状態で表裏面上に被せて、 この两面をガラスマスク 3， 4を介して紫外光で露光する。
露光後ガラスマスク 3 , 4を外してドライフィルム付金属板 1を現像液に 漬けて現像すれば、 図 1 ( b ) に示すように紫外光の当たった部分即ち金線 接合部や半導体素子搭載部などパラジウム鍍金を施す必要のある部分のドラ ィフィルム 2のみが除去される。
次に、これを鍍金槽に入れて図 1 ( c )に拡大して示すようにニッケル（Ni), パラジウム （Pd) ，金 （Au) など順次必要な部分に必要な鍍金を行う。 かく して、 ドライフィルム 2を剥離することにより、 図 1 ( d ) に示すような断 面形状の鍍金層 1 a付き金属板 1 を得ることが出来る。
このようにして得られた鍍金層 1 a付き金属板 1の表裏面全体に再びドラ ィフィルム 2を設置し、 これに、 図 1 ( e ) に示すように、 鍍金を施した部 分のみが遮光されるようにパターンを形成したガラスマスク 5 , 6を被せて、 両面を再び紫外光で露光する。 そして、 図 1 ( b ) で説明したのと同様にし て現像を行い、 図 1 ( f ) に示したような断面形状を有する鍍金層 1 a付き 金属板 1を得る。
この鍍金層 1 a付き金属板 1の両表面に、 図 1 ( g ) に示す如く、 噴射ノ ズル 7によりエッチング液を吹き付けてエッチング処理を行う。 このエッチ ング処理により、 鍍金の施されていない部分の金属は溶解除去されて、 最後 に ドライフィルム 2を剥離することにより、 図 1 ( h) に示すような断面形 状を有する即ち必要最少限の部分のみに鍍金の施された一駒分のリードフ レ ームが得られる。
図 1 ( a ) 〜 （h ) に至る各工程は、 リードフレームの何駒分かを含む長 さの金属板が適宜のコンベア一で搬送されることにより連続的に実行され、 工程の最後で裁断されて個々のリ一ドフレームが完成する。 この説明から明 らかなように、 各リードフレームには表裏面の必要個所にのみパラジゥム鍍 金が施される結果となる。
実施例 2
図 2は、 本発明に係るリードフレームの製造方法の他の実施例を示す工程 図である。 図中、 図 1で用いたのと実質上同一の部材および部分には同一符 号が付されており、 それらについての説明は省略されている。 図 1 との比較 で明らかなように、 図 2 ( a ) , ( b ) , ( c ) 及び （ d ) で示される各工程 は、 図 1のそれらと同じであるので説明は省略し、 図 2 ( e ) 以降に示され ている工程について説明する。
図 2 ( e) に示されるように、 鍍金層 1 a付き金属板 1の两面には、 噴射ノ ズル 7によりエツチング液を吹き付けられてエツチング処理が行なわれる。 このエッチング処理は、 鍍金の施されていない部分の金属が殆ど溶解除去さ れて極薄となる程度まで行われる。
かく して得られた鍍金層 1 a付き金属板 1の一側全面に、 図 2 ( f ) に示 すようにテープ 8を貼着した後、 図 2 ( g ) に示すようにテープ 8の貼着さ れていない側から、 再び噴射ノズル 7によりエッチング液を吹き付けてエツ チング処理を行ない、 極薄にされた鍍金の施されていない金属部分 （リード 部を繋ぐタイパーや吊り リード部等の組み立て後切断される不要部分） を完 全に溶解除去する。 この場合、 残った鍍金の施されている金属部分即ち半導 体素子が搭載されるパッ ド部やリード部等の必要部分は、 図 2 ( h ) に示さ れるように、 テープ 8により相対位置関係が崩れることなく確実に保持され る。
第 3実施例
図 3は、 本発明に係るリ一ドフレームの製造方法の更に他の実施例を示す 工程図である。 図中、 図 1で用いたのと実質上同一の部材および部分には同 一符号が付されており、 それらについての説明は省略されている。 図 1 との 比較で明らかなように、 図 3 ( a ) 及び （ b ) で示される各工程は、 図 1の それらと同じであるので説明は省略し、 図 3 ( c ) 以降に示されている工程 について説明する。
図 3 ( c ) に示されるように、 リードフレームパターンに対応してドライ フィルム 2が残された金属板 1 の両面には、 噴射ノズル 7によりエッチング 液が吹き付けられてエッチング処理が行なわれる。 このエッチング処理は、 ドライフィルム 2の存在しない部分の金属が溶解除去されて、 図 3 ( d ) に 示されるように金属板 1が穴明きの状態になるまで行われる。 このよ うにし て穴明き状態にされた金属板 1の両表面から ドライフィルム 2が剥離されて, 図 3 ( d ) に示された如き横断面を有するリードフレーム素材が製作される。 かく して得られたリードフレーム素材（金属板 1 ) の表裏面の必要個所に、 図 3 ( e ) に拡大して示したようにニッケル （Ni) 鍍金， パラジウム （Pd) 鍍金及び金 （Au) 鍍金が夫々施されて、 リードフレームが完成する。 即ち、 図 3 ( f ) に示したように、 先ずリードフ レーム表裏面全体に下地層として ニッケル （Ni) 鍍金が施され、 次に図 3 ( g ) に示したように、 半導体搭載 部分と金線ボンディ ング部分と基板実装面側の半田接合部分との必要最小限 個所にのみパラジウム （Pd) 鍍金が施され、 最後に図 3 ( h ) に示したよう に、 リードフレーム表裏面全体に金 （Au) が施されて、 リードフ レームが完 成する。 このよ う に、 リー ドフ レームの完成品は高価なパラジウムの使用量 が最小限に抑えられており、 従来のリードフ レームに比べて安価となる。 第 4実施例
図 4は、 本発明に係るリ一ドフレームの製造方法の更に他の実施例を示す 工程図である。 図中、 図 1で用いたのと実質上同一の部材および部分には同 —符号が付されており、 それらについての説明は省略されている。 図 1 との 比較で明らかなように、 図 4 ( a ) 乃至 （ d ) で示される各工程は、 図 1 の それらと同じであるので説明は省略し、 図 4 ( e ) 以降に示されている工程 について説明する。
この実施例は、 2回目の露光および現像を行わずに、 図 4 ( e ) に示され たように、 図 4 ( d ) で得られた鍍金処理済みの金属板 1の両面に噴射ノズ ル 7でエツチング液を吹き付けてエツチング処理することにより製品を得る ようにした点で、 第 1実施例とは異なる。 この実施例によれば、 より安価に 製品を提供することが出来る。
上述の如く本発明によれば、 従来方法による場合に比べて遥かに安価なリ ードフレームを提供できるばかり力 リード抜けゃ榭脂破損などの不具合を 生じないリードフレームを提供することが出来る。

Claims

請求の範囲
1 . 金属板より成形されるリードフレームにおいて、 半導体素子搭載部 分と金線ボンディング部分と基板実装面側の半田接合部分との必要最小限個 所にのみ部分的なパラジウム鍍金が施されていることを特徴とするリー ドフ レ―ム。
2 . 金属板より成形されるリードフ レームにおいて、 半導体素子搭載側 表面と基板実装側表面のみにパラジウム鍍金が施されていて、 成形されたリ ード部， パッ ド部その他の実装不要部分及び側面には鍍金が施されていない ことを特徴とするリードフ レーム。
3 . 金属板より成形されるリードフレームにおいて、 半導体素子搭載側 表面と基板実装側表面の必要最小限の部分のみにパラジウム鍍金が施されて いて、 成形されたリ一ド部， パッ ド部その他の実装不要部分及び側面には鍍 金が施されていないことを特徴とするリードフ レーム。
4 . 金属板を成形してリードフ レーム素材を準備し、 該リードフ レーム 素材の半導体素子搭載部分の必要最小限個所に部分的にパラジウム鍍金を施 し、 次に前記リードフレーム素材の金線ボンディング部分及び基板実装面側 の半田接合部分の必要最小限個所に部分的にパラジウム鍍金を施すようにし たことを特徴とするリー ドフレームの製造方法。
5 . 金属板を成形してリードフ レーム素材を準備し、 該リードフレーム 素材の半導体素子搭載側表面にのみパラジウム鍍金を施し、 次に前記リ一ド フレーム素材の基板実装側表面にのみパラジウム鍍金を施し、 前記リ一ドフ レーム素材のリ一ド部， パッ ド部その他の実装不要部分及び側面には鍍金を 施さないようにしたリードフレームの製造方法。
6 . 金属板を成形してリードフレーム素材を準備し、 該リードフ レーム 素材の半導体素子搭載側表面の必要最小限の部分のみにパラジゥム鍍金を施 し、 次に前記リ一ドフレーム素材の基板実装側表面の必要最小限の部分のみ にパラジウム鍍金を施し、 前記リードフレーム素材のリード部， パッ ド部そ の他の実装不要部分及び側面には鍍金を施さないようにしたリ一ドフレーム の製造方法。
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