WO2001009963A1 - Diode electroluminescente - Google Patents

Description

明 細 書 発光ダイォ一 ド 技術分野

本発明は、 表面実装型の発光ダイォ一 ドに関する ものである。 背景技術

従来、 この種の発光ダイオー ドと しては、 例えば第 1 1 図に示したも のが知られている。 この発光ダイオー ド 1 は、 ガラスエポキシ基板 （以 下、 ガラエポ基板とい う） 2 の上面に一対の外部接続用電極 （力 ソー ド 電極 3 とアノー ド電極 4 ) をパターン形成し、 力 ソー ド電極 3 の上に導 電性接着剤 5によって発光ダイォ一 ド素子 6 を固着する と共に、 発光ダ ィォ一 ド素子 6 の上面電極とァノ一 ド電極 4 と をボンディ ングワイ ヤ 7 で接続し、 このボンディ ングワイヤ 7及び発光ダイオー ド素子 6 を樹脂 封止体 8 によって封止 した構造のものである。 使用時にはマザ一ボ一 ド 1 1 の上面に前記発光ダイオー ド 1 を載置し、 外部接続用電極の一部で ある下面電極 9， 1 0 をマザ一ボー ド 1 1 上のプリ ン ト配線 1 2， 1 3 に半田 1 4で固定する こ とによって表面実装が実現する ものである。

しかしながら、 上記従来の発光ダイオー ド 1 にあっては、 マザ一ボー ド 1 1 に実装したと きの全体の高さ寸法 h 1 は、 マザ一ボー ド 1 1 の板 厚に発光ダイォ一 ド 1 のガラエポ基板 2 の板厚と樹脂封止体 8 の厚みを 加えたものであ り 、 薄型化の要請を十分に満足するものではなかった。 また、 上記従来の発光ダイ オー ド 1 にあっては、 マザ一ボー ド 1 1 に 発光ダイオー ド 1 を上向きに実装し、 樹脂封止体 8 を通 して発光させて いたために、 紫外線による樹脂封止体 8 の劣化などによって、 長期間の 使用では発光輝度が低下するなどの問題があった。 そこで、 本発明の目的は、 マザ一ボー ドに発光ダイ オー ドを実装した 時に、 マザ一ボ一 ドを含む全体の高さ寸法をでき るだけ抑えて薄型化を 図るよ う に した表面実装型の発光ダイォ一 ドを提供するものである。 また、 本発明の他の目的は、 長期間に亘つて使用 し続けた場合であつ ても、 発光輝度の低下を生じさせない信頼性の高い発光ダイオー ドを提 供する こ とである。 発明の開示

本発明に係る発光ダイォ一 ドは、 基材の上面に発光ダイォ一 ド素子を 搭載する と共に、 この発光ダイオー ド素子を樹脂封止体によって保護し てなる発光ダイオー ドにおいて、 前記基材に上面から下面まで達する透 明体部を設け、 この透明体部の上に透明接着剤を介して素子基板が透明 である窒化ガリ ウム系化合物半導体からなる発光ダイオー ド素子を固着 する と共に、 発光ダイオー ド素子の上方側に非透過部を設け、 発光ダイ ォ一 ド素子から放出された光が透明体部を透過して基材の下面側に導か れるよ う に したこ と を特徴とする。

この発明によれば、 発光ダイォ一 ド素子から放出した光が透明体部を 透過 して基材の下面側に導かれるよ う に したので、 マザ一ボ一 ドには発 光ダイォ一 ドを上下逆に実装する こ とによって、 マザ一ボー ドの上方へ 照射でき る と共に、 発光ダイオー ドの樹脂封止体をマザ一ボー ドに開設 した孔に落と し込むこ とで、 マザ一ボ一 ドを含む発光ダイォ一 ド全体の 高さ寸法を従来の表面実装タイ プのものよ り小さ く でき る といった効果 力 ある。

また、 本発明の別の態様に係る発光ダイ オー ドは、 前記基材に上面か ら下面まで達する貫通孔を設け、 この貫通孔に透明樹脂を充填する こ と によって前記透明体部が形成される こ と を特徴とする。

この発明によれば、 基材の貫通孔に充填した透明樹脂部を通して発光 ダイオー ド素子から放出 した光を基材の下面側に導く よ う に したので、 発光が拡散する こ となく 指向性が良く なる。

また、 本発明の別の態様に係る発光ダイ オー ドは、 前記透明体部及び 透明接着剤の少なく と も一方にィ ッ ト リ ゥム化合物からなる蛍光材が分 散混入されたこ と を特徴とする。

この発明によれば、 基材の一部又は全部を構成する透明体部又は発光 ダイォー ド素子を固着するための透明接着剤にィ ッ ト リ ゥム化合物から なる蛍光材を含有させて白色発光を得るよ う に したので、 表面実装型の 白色発光ダイォ一 ドをよ り一層薄型化する こ とができた。

また、 本発明の別の態様に係る発光ダイオー ドは、 前記基材の下面側 には透明体部の下方に集光レンズ部が設けられているこ と を特徴とする。 この発明によれば、 集光レンズ部を設ける こ とで基材の下面側に透過 した光が集光されて発光輝度が一段と上がる。

また、 本発明の別の態様に係る発光ダイオー ドは、 前記基材がガラス エポキシ基板、 透明樹脂基板又は透明ガラス基板のいずれかである こ と を特徴とする。

この発明によれば、 発光ダイォ一 ド素子から出た光を紫外線で劣化し にく い透明ガラス基板側から発光させるこ とで、 長期間使用 しても高輝 度発光が得られる こ と になる。

また、 本発明の別の態様に係る発光ダイオー ドは、 前記発光ダイォー ド素子の上方側に設けられた非透過部が、 前記発光ダイ ォー ド素子の上 面に設けられる一対の遮光電極である力 、 若しく は透明の樹脂封止体の 外周面を被う反射膜である こ と を特徴とする。

この発明によれば、 発光ダイオー ド素子から放出 した光を、 基材の下 面側に効率よ く 導く こ とができ る。

また、 本発明の別の態様に係る発光ダイオー ドは、 発光ダイ オー ドを マザ一ボ一 ド上に実装するに際し、 マザ一ボー ドに開設された孔に上下 逆にした発光ダイオー ドの樹脂封止体側を落と し込み、 この孔の周縁部 で発光ダイ ォ一 ドの外部接続用電極をマザ一ボー ドの配線パターンに接 続したこ と を特徴とする。

この発明によれば、 発光ダイォー ドを上下逆に してマザ一ボ一 ド上に 実装する際、 前記外部接続用電極をマザ一ボー ド上の配線パターンに半 田付けする こ とで発光ダイォ一 ド素子への通電が可能と な り 、 実装作業 が極めて簡易である。 また、 マザ一ボー ドから突出する発光ダイオー ド の高さ寸法が極めて小さ く なる。 図面の簡単な説明

第 1 図は、 本発明に係る発光ダイォー ドの第 1 実施例を示す斜視図で ある。

第 2図は、 上記発光ダイォ一 ドをマザーボ一 ドに実装した時の断面図 である。

第 3図は、 本発明に係る発光ダイオー ドの第 2実施例を示す図 2 と同 様の断面図である。

第 4図は、 本発明に係る発光ダイォ一 ドの第 3実施例を示す図 2 と同 様の断面図である。

第 5図は、 本発明に係る発光ダイオー ドの第 4実施例を示す図 2 と同 様の断面図である。

第 6図は、 本発明に係る発光ダイオー ドの第 5実施例を示す図 2 と同 様の断面図である。

第 7図は、 本発明に係る発光ダイォー ドの第 6実施例を示す斜視図で ある。

第 8 図は、 上記図 7 における発光ダイオー ドをマザ一ボー ドに実装 し た時の断面図である。

第 9図は、 本発明に係る発光ダイ オー ドの第 7実施例を示す図 8 と同 様の断面図である。

第 1 0図は、 本発明に係る発光ダイ ォ ドの第 8実施例を示す図 8 と 同様の断面図である。

第 1 1 図は、 従来における発光ダイォ ドをマザ一ボー ドに実装した 時の断面図である。 発明を実施するための最良の形態

本発明の発光ダイォ一 ドをよ り詳細に説述するために、 添付の図面に 従ってこれを説明する。

第 1 図及び第 2図は、 表面実装型発光ダイオー ドの第 1 実施例を示し たものである。 この実施例に係る表面実装型の発光ダイォー ド 2 1 は、 基材となる矩形状のガラスエポキシ基板 （以下、 ガラエポ基板とい う） 2 2の上面に一対の外部接続用電極 （力 ソ一 ド電極 2 3 とァノー ド電極 2 4 ) がパターン形成される と共に、 ガラエポ基板 2 2 の中央部には上 面 2 6 a から下面 2 6 b に断面四角形状の貫通孔 2 5が設けられている ₍ この貫通孔 2 5 には透明樹脂が充填され、 ガラエポ基板 2 2 の上面 2 6 a及び下面 2 6 b と略同一面の透明樹脂部 2 7 を形成する。 この実施例 では透明樹脂部 2 7の中にィ ッ ト リ ゥム化合物等からなる蛍光材 2 8 が 分散されており 、 後述するよ う に青色発光を白色発光に波長変換する。 一方、 前記ガラエポ基板 2 2 の上面 2 6 a には、 前記透明樹脂部 2 7 の略真上に発光ダイオー ド素子 2 9が搭載されている。 この発光ダイォ ー ド素子 2 9は窒化ガリ ゥム系化合物半導体からなる青色発光素子であ り 、 透明ガラスであるサフアイャ基板 3 0 の上面に n型半導体 3 1 と p 型半導体 3 2 を成長させた構造である。 n型半導体 3 1 及び p型半導体 3 2 は、 それぞれの上面に電極を備えるが、 この実施例では非透過性の 遮光電極 3 3， 3 4が n型半導体 3 1 及び p型半導体 3 2の各上面全体 に形成されてお り 、 これによつて上方への発光が略完全に遮蔽される。 これらの遮光電極 3 3 , 3 4 と前記ガラエポ基板 2 2 に設けられたカ ソ — ド電極 2 3及びアノー ド電極 2 4 と は、 ボンディ ングワイ ヤ 3 5， 3 6 によつて接続されている。

前記発光ダイ オー ド素子 2 9は、 その下面側に塗布された透明接着剤 3 7 を介して透明樹脂部 2 7の上面に固着されている。 また、 発光ダイ オー ド素子 2 9及びボンディ ングワイヤ 3 5 , 3 6 は、 ガラエポ基板 2 2の上面に形成された直方体形状の透明の樹脂封止体 3 8 によって保護 されている。

上述のよ う な構成からなる発光ダイ オー ド 2 1 にあっては、 発光ダイ オー ド素子 2 9 の n型半導体 3 1 と p型半導体 3 2 と の境界面から上下 方向に青色光が発光するが、 上方向へ発光した青色光は発光ダイォー ド 素子 2 9の上面全体に設けられた遮光電極 3 3， 3 4 に遮光されるため に、 樹脂封止体 3 8 内への透過が殆どない状態で遮光電極 3 3， 3 4力、 らの反射を受ける。 これらの反射光及び最初からサフアイャ基板 3 0 を 透過して下方側に向かう青色発光は、 透明接着剤 3 7 を介してガラエポ 基板 2 2の貫通孔 2 5 に充填されている透明樹脂部 2 7 を透過し、 ガラ ェポ基板 2 2 の下面 2 6 b側に照射される。 その際、 透明樹脂部 2 7 内 に分散されている蛍光材 2 8が青色発光の短波長によって励起され、 青 色発光を黄色味のある発光に波長変換する。 そ して、 元々の青色発光と 波長変換された発光とが互いに混色するこ とで、 ガラエポ基板 2 2 の下 面 2 6 b側では白色に近い発光が得られる こ と になる。

次に、 上記構成からなる発光ダイオー ド 2 1 の表面実装方法を説明す る： 第 2図は、 マザ一ボー ド 4 1 に発光ダイ オー ド 2 1 を表面実装した 時の状態を示 したものである。 二の実施例では、 予めマザ一ボー ド 4 1 に発光ダイ ォー ド 2 1 の樹脂封止体 3 8 を落と し込む四角形状の挿入孔 4 2が開設され、 実装時には前記発光ダイ オー ド 2 1 を上下逆にしてマ ザ一ボー ド 4 1 上に載置し、 挿入孔 4 2内に樹脂封止体 3 8全体を落と し込む。 ガラエポ基板 2 2 の外周縁は、 前記揷入孔 4 2 の周囲に載せ置 かれるので、 ガラエポ基板 2 2 上に設けられたカ ソ一 ド電極 2 3及びァ ノ一 ド電極 2 4 を挿入孔 4 2 の周囲にプリ ン ト されたマザ一ボー ド 4 1 上の配線パターン 4 3， 4 4に半田 4 5 で固定する。

上述の実装手段では、 発光ダイオー ド 2 1 が上下逆に実装されるため に、 マザ一ボー ド 4 1 の上方が発光ダイ オー ド 2 1 によって照射される こと になる。 その際、 青色から白色への波長変換が蛍光材 2 8 を含有す るガラエポ基板 2 2の透明樹脂部 2 7内で行われるので、 指向性に優れ た輝度の高い白色発光が得られる。 また、 蛍光材 2 8 が分散されている 透明樹脂部 2 7 は、 その高さ幅が大きいので、 その中で波長変換が十分 になされる と共に色度の調整も容易である。 なお、 挿入孔 4 2 の内周壁 を反射面とする こ とで、 上方への指向性をさ らにア ップする こ とができ る。

上記マザ一ボ一 ド 4 1 を含めた全体の高さ寸法 h 2 は、 マザ一ボ一 ド 4 1 の厚さに発光ダイ オー ド 2 1 のガラエポ基板 2 2 の厚さを加えただ けであるので、 従来に比べて樹脂封止体 3 8 の厚みが加算されない分、 全体の高さ寸法を抑える こ とができ る。

第 3図は、 本発明の第 2実施例を示したものである。 この実施例では ガラエポ基板 2 2 の下面 2 6 b側において、 透明樹脂部 2 7 の真上に半 球状の レンズ部 4 6 を設けた以外は前記実施例と略同様の構成からなる ので詳細な説明を省略する。 前記レンズ部 4 6 も透明樹脂によって形成 されている。 この実施例では蛍光材 2 8 が分散されている透明樹脂部 2 7の中を透過した光がガラエポ基板 2 2の下面 2 6 b側でレンズ部 4 6 によって屈折し、 集光性が高められる こ と になるので、 白色発光の輝度 ア ップが図られる こ と になる。

なお、 上記いずれの実施例もガラエポ基板 2 2 の貫通孔 2 5 内に充填 した透明樹脂部 2 7 の中に蛍光材 2 8 を分散させた場合について説明 し たが、透明接着剤 3 7 の中に蛍光材 2 8 を分散させる こ と も可能である。 第 4図は本発明の第 3 実施例を示したものである。 この実施例は基材 を透明樹脂基板 4 7で構成し、 その中に蛍光材 2 8 を分散させたもので ある。 前記実施例と同様、 窒化ガリ ウム系化合物半導体からなる発光ダ ィオー ド素子 2 9 は、 透明接着剤 3 7 によって透明樹脂基板 4 7 に固着 される と共に、 その上方が透明の樹脂封止体 3 8 によって保護されてい る。 マザ一ボー ド 4 1 に対しては上下逆に実装されてお り 、 前記実施例 と同 じよ う に、 マザ一ボー ド 4 1 の上方を照射している。 この実施例で は透明樹脂基板 4 7全体で透明体部を構成しているので、 広範囲の照射 に適するが、 光の指向性や集光性を得る場合には、 先の実施例と同様、 透明樹脂基板 4 7 の下面 2 6 b側に半球状のレンズ部を設けた り 、 透明 接着剤の中に蛍光材を分散させた りすればよい- 第 5図は本発明の第 4実施例を示したものである。 この実施例に係る 発光ダイオー ド 2 1 は、 基材を透明ガラス基板 5 0で構成し、 この透明 ガラス基板 5 0 に力ソー ド電極 2 3 と アノー ド電極 2 4 を蒸着やエッチ ングなどによってパターン形成したものである。、 前記実施例と同様、 窒化ガリ ウム系化合物半導体からなる発光ダイ オー ド素子 2 9は、 透明 接着剤 3 7 によって透明体部と しての透明ガラス基板 5 0 に固着され、 その上方が透明の樹脂封止体 3 8 によつて保護されているが、 この実施 例では透明接着剤 3 7 の中に蛍光材 2 8 を分散させた構造となっている。 マザ一ボー ド 4 1 に実装する際には、 前述の実施例と 同様、 マザ一ボ — ド 4 1 に開設された挿入孔 4 2 に樹脂封止体 3 8 を落と し込むこ とで 上下逆に固定されるため、 マザ一ボ一 ド 4 1 の上方側を照射する こ と に なる。 そして、 蛍光材 2 8が分散されている透明接着剤 3 7 の中で波長 変換が行われ、 そのまま透明ガラス基板 5 0 を透過していく ので、 信頼 性に優れた高輝度の白色発光が長期間に亘つて得られる。

第 6 図は本発明の第 5実施例を示したものである。 この実施例では窒 化ガリ ゥム系化合物半導体からなる発光ダイォ一 ド素子 2 9 の上面に一 対の電極 3 3 a ， 3 4 a を部分的に設ける と共に、 発光ダイオー ド素子 2 9 を封止している樹脂封止体 3 8 a を ドーム状に形成 し、 この樹脂封 止体 3 8 a の外周面に反射膜 4 8 をコ一ティ ングしたものである。 先の 第 3実施例と同様、 基材が透明樹脂基板 4 7 によって形成され、 その中 に蛍光材 2 8が分散される。 また、 一対の電極 3 3 a , 3 4 a が非透過 性である必要はない。 樹脂封止体 3 8 a は透明樹脂を材料と して形成さ れ、 反射膜 4 8 は銀やアルミ ニウムなどの蒸着によって形成される。 従って、 この実施例では発光ダイォ一 ド素子 2 9 から樹脂封止体 3 8 a側に出た光は、 電極 3 3 a ， 3 4 a が部分的にしか形成されてないた めに、 樹脂封止体 3 8 a 內を進み、 反射膜 4 8 によって反射を受ける。 この時、 反射膜 4 8が凹 レンズのよ う に作用するために、 反射膜 4 8 で 反射した光が平行光 4 9 となって透明樹脂基板 4 7 を透過し、 その際に 透明樹脂基板 4 7 の中に分散された蛍光材 2 8 を励起して波長変換され る。

なお、 上述した第 1 実施例乃至第 4実施例においても、 発光ダイォー ド素子 2 9 の上面に設けられる遮光電極 3 3， 3 4が部分的なものであ つても よ く 、 その場合には樹脂封止体 3 8 を不透明樹脂で形成して光の 透過を妨げた り 、 先の第 5実施例のよ う に、 樹脂封止体 3 8 の外周面に 反射膜を設ける こ とでガラエポ基板 2 2 の下面 2 6 b側に発光を導く こ とができ る。 反射膜を設ける場合の樹脂封止体の形状は、 直方体であつ ても ドーム状であっても構わない：

第 7 図及び第 8 図は、 本発明の第 6実施例を示したものである- この 実施例に係る発光ダイ ォー ド 2 1 は、四角形状の透明ガラス基板 5 0 と 、 その左右両側に設けられる外部接続用電極 5 3， 5 4が形成された枠体 5 1 と 、 透明ガラ ス基板 5 0 の上面中央部に搭載された発光ダイオー ド 素子 2 9 と を備える。 透明体部と しての透明ガラ ス基板 5 ◦ には一般的 な無色透明なガラスが使用される。

発光ダイ オー ド素子 2 9は、 前記実施例と同様、 サフアイャ基板 3 0 の上面に n型半導体 3 1 と p型半導体 3 2 を成長させた構造の窒化ガリ ゥム系化合物半導体からなる青色発光素子である。 発光ダイォ一 ド素子 2 9の上面には、 非透光性の遮光電極 3 3， 3 4が形成されている。 前記発光ダイオー ド素子 2 9は、 透明ガラス基板 5 0の上面に厚く 塗 布された透明接着剤 3 7 によって固着されている。 この透明接着剤 3 7 の中にはィ ッ ト リ ゥム化合物等からなる蛍光材 2 8が分散されており 、 発光ダイオー ド 2 1 からの青色発光を可視光の長波長に変換する こ とが でき る。

外部接続用電極 5 3， 5 4は、 透明ガラス基板 5 0の上部外周を四角 に囲 う プラスチック製の枠体 5 1 に形成されている。 枠体 5 1 は、 透明 ガラス基板 5 0 とは別工程で作られ、 発光ダイオー ド素子 2 9が搭載さ れた基板上面に接着剤などによって固定される。 外部接続用電極 5 3， 5 4は、 枠体 5 1 の成形時に蒸着などによってパターン形成され、 前記 発光ダイォ一 ド素子 2 9の各遮光電極 3 3， 3 4 とボンディ ングワイヤ 3 5 , 3 6 によって接続される力 ソー ド電極 5 3 a 及びアノ ー ド電搔 5 4 a と 、 マザ一ボー ド接続用電極 5 3 b， 5 4 b と を有する。 力 ソー ド 電極 5 3 a 及ぴァノー ド電極 5 4 a は、 枠体 5 1 の一対の内側底面部 5 1 a に所定幅で設けられ、 マザ一ボー ド接続用電極 5 3 b， 5 4 b は、 それと同じ側の縦壁 5 1 b の外周面全体に設けられ、 両者はプリ ン ト電 極 5 3 c、 5 4 c によって接続されている。

上記枠体 5 1 の内部は樹脂封止体 3 8 によって略全体が充填される。 この充填によって、 透明ガラス基板 5 0の上面に搭載された発光ダイォ ー ド素子 2 9及びボンディ ングワイ ヤ 3 5， 3 6 が封止される。 樹脂封 止体 3 8は、 無色透明である必要はない。

次に、 上記構成からなる発光ダイオー ド 2 1 の表面実装方法を説明す る。 第 8図は、 マザ一ボー ド 4 1 に発光ダイオー ド 2 1 を表面実装した 時の状態を示したものである。 この実施例では、 前記発光ダイオー ド 2 1 を上下逆にしてマザ一ボー ド 4 1 上に載置し、 マザ一ボー ド 4 1 上の 配線パターン 4 3， 4 4 に枠体 5 1 の外周面に形成されたマザ一ボー ド 接続用電極 5 3 b， 5 4 b を半田 4 5 で固定する。 マザ一ボー ド接続用 電極 5 3 b , 5 4 bは外周面全体に形成されているので、 取付け位置の 調整が容易である と共に、 半田 4 5 による確実な固定が得られる。

上述の実装手段では、 発光ダイオー ド 2 1 が上下逆に実装されるため に、 マザ一ボー ド 4 1 の上面側が発光ダイオー ド 2 1 によって照射され る こ と になる。 その際、 蛍光材 2 8 が分散されている透明接着剤 3 7 の 中で波長変換が行われ、 そのまま透明ガラス基板 5 0 を透過 していく の で、 信頼性に優れた高輝度の白色発光が長期間に亘つて得られる こ と に なる。

第 9図は、 本発明の第 7実施例を示したものである。 この実施例に係 る発光ダイオー ド 2 1 は、 透明ガラス基板 5 0 の下面側に半球状の集光 レンズ部 4 6 を一体に設けた以外は前記第 6実施例と略同様の構成から なるので、 詳細な説明を省略する。 集光レンズ部 4 6 も透明ガラス によ つて形成され、 透明ガラス基板 5 0 の成形時に一体に形成される。 この よ う な集光レンズ部 4 6 を設けたこ とで、 透明ガラス基板 5 0 からの透 過発光が集光レンズ部 4 6 によって内方に屈折し、 集光性が高められる こ とになるので、 白色発光の輝度ア ップが図られる こ と になる。

第 1 0図は本発明の第 8 実施例を示したものである。 この実施例に係 る発光ダイオー ド 2 1 は、 先の第 6実施例において、 外部接続用電極 5 5， 5 6 を L字形状の金属板で形成した以外は略同様の構成からなるの で、 詳細な説明を省略する。 外部接続用電極 5 5， 5 6 は、 透明ガラ ス 基板 5 0 の上面に接着固定され、 内側底面 5 5 a , 5 6 a が発光ダイォ — ド素子 2 9 の各遮光電極 3 3 , 3 4 と ボンディ ングワイ ヤ 3 5， 3 6 によって接続される と共に、 外周面 5 5 b , 5 6 b がマザ一ボー ド 4 1 の配線パターン 4 3 , 4 4 と半田 4 5で固定される。

上述した全ての実施例では、 波長変換型の発光ダイォ一 ドについて説 明したが、 本発明は波長変換を しない発光ダイ オー ドであっても、 サフ アイ ャ基板等の透明基板を用いて下面側へ光が照射される発光ダイ ォー ド素子を用いた発光ダイ ォ一 ドにも適用でき る こ とは勿論であ り 、 その 場合にも信頼性に優れた高輝度発光が得られる こ と になる。

また、 上記いずれの実施例も発光ダイォー ド素子と外部接続用電極と をボンディ ングワイヤによって接続した場合について説明 したが、 この 発明はこれに限定される ものではなく 、 例えば半田バンプを用いたフ リ ップチップ実装などの接続方法も含まれるものである。

さ らに、 上記の実施例では発光ダイオー ド素子の上面に遮光電極を形 成した場合について説明 したが、樹脂封止体を黒色樹脂で形成するなど、 発光ダイォ一 ド素子の上面側を遮光できる ものであれば、 上記実施例の ものに限られないのは勿論である。 産業上の利用可能性

以上のよ う に、 本発明に係る発光ダイオー ドは、 マザ一ボー ドには発 光ダイォ一 ドを上下逆に実装する こ と によって、 マザ一ボー ドの上方へ 照射でき る と共に、 発光ダイ オー ドの樹脂封止体をマザ一ボー ドに開設 した孔に落と し込むこ とで、 マザ一ボー ドを含む発光ダイォー ド全体の 高さ寸法を従来の表面実装タイ プのものよ り抑えられ、 装置の薄型化が 図られる。

また、 本発明に係る発光ダイオー ドは、 基材側を通 して発光させるよ う に したので、 紫外線による樹脂封止体の劣化がなく な り 、 長期間に亘 つて使用 し続けた場合であっても、 発光輝度の低下が抑えられて信頼性 の高いものとなった。

Claims

請 求 の 範 囲

1 . 基材の上面に発光ダイオー ド素子を搭載する と共に、 この発光ダイ ォ一 ド素子を樹脂封止体によって保護してなる発光ダイ ォ一 ドにおいて、 前記基材に上面から下面まで達する透明体部を設け、 この透明体部の上 に透明接着剤を介して素子基板が透明である窒化ガリ ウム系化合物半導 体からなる発光ダイオー ド素子を固着する と共に、 発光ダイオー ド素子 の上方側に非透過部を設け、 発光ダイォ一 ド素子から放出された光が透 明体部を透過して基材の下面側に導かれるよ う に したこ と を特徴とする 発光ダイオー ド。

2 . 前記基材に上面から下面まで達する貫通孔を設け、 この貫通孔に透 明樹脂を充填する こ と によって前記透明体部が形成される こ と を特徴と する請求の範囲第 1項記載の発光ダイォ一 ド。

3 . 前記透明体部及び透明接着剤の少なく と も一方にィ ッ ト リ ゥム化合 物からなる蛍光材が分散混入されたこ と を特徴とする請求の範囲第 1 項 記載の発光ダイオー ド。

4 . 前記基材の下面側には透明体部の下方に集光レンズ部が設けられて いる こ とを特徴とする請求の範囲第 1 項記載の発光ダイオー ド。

5 . 前記基材がガラスエポキシ基板、 透明樹脂基板又は透明ガラス基板 のいずれかである こ と を特徴とする請求の範囲第 1項記載の発光ダイォ

― ド。

6 . 前記発光ダイオー ド素子の上方側に設けられた非透過部が、 前記発 光ダイ オー ド素子の上面に設けられる一対の遮光電極である こ と を特徴 とする請求の範囲第 1 項記載の発光ダイォー ド。

7 . 前記発光ダイ オー ド素子の上方側に設けられた非透過部が、 透明の 樹脂封止体の外周面を被う反射膜である こ と を特徴とする請求の範囲第 1 項記載の発光ダイオー ド。

8 . 前記請求の範囲第 1 項記載の発光ダイオー ドをマザ一ボー ド上に実 装するに際し、 マザ一ボー ドに開設された孔に上下逆に した発光ダイォ ― ドの樹脂封止体側を落と し込み、 この孔の周縁部で発光ダイォ一 ドの 外部接続用電極をマザ一ボー ドの配線パターンに接続したこ と を特徴と する発光ダイオー ド。