WO1999066769A1 - Processeur plasmique - Google Patents

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WO1999066769A1
WO1999066769A1 PCT/JP1999/003313 JP9903313W WO9966769A1 WO 1999066769 A1 WO1999066769 A1 WO 1999066769A1 JP 9903313 W JP9903313 W JP 9903313W WO 9966769 A1 WO9966769 A1 WO 9966769A1
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WO
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plasma processing
processing apparatus
container
electrode
antenna
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Application number
PCT/JP1999/003313
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English (en)
French (fr)
Inventor
Naoki Matsumoto
Original Assignee
Sumitomo Metal Industries Limited
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Industries Limited filed Critical Sumitomo Metal Industries Limited
Priority to US09/486,114 priority Critical patent/US6358361B1/en
Priority to EP99925410A priority patent/EP1006761A4/en
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/32247—Resonators
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge

Definitions

  • the present invention relates to a plasma processing apparatus for performing processes such as etching and assembling on a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display, and the like by using plasma generated by using microwaves.
  • Plasma generated by externally applying energy to a reaction gas is widely used in manufacturing processes such as LSI and LCD.
  • the use of plasma has become an indispensable basic technology in the dry etching process.
  • a microwave such as 2.45 GHz
  • an RF Radio Frequency
  • the former has the advantage that a higher density plasma can be obtained than the latter.
  • it has been difficult for a plasma processing apparatus using a microwave mouth wave to generate plasma so that the area of the plasma generation region is widened and the density is uniform.
  • the plasma processing apparatus has the advantage that high-density plasma can be obtained as described above, it is possible to realize the processing of a large-sized semiconductor substrate, an LCD glass substrate, and the like by using such an apparatus. Had been requested.
  • the applicant of the present application has filed Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-5600 (1987).
  • FIG. 1 shows a Japanese Patent Application No. 62-5600 (Japanese Patent Applicatio n-aid-Open No. 62-5600 (1987) and Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-99481 (Ja panese Patent Application Applicate on Laid-Open No. 62-99481 (1987)).
  • FIG. 2 is a side sectional view showing a plasma processing apparatus of the same type as the apparatus shown, and FIG. 2 is a plan view thereof.
  • the whole rectangular box-shaped reactor 41 is formed of aluminum.
  • the upper opening of the reactor 41 is hermetically sealed by a sealing plate 44 for introducing microwaves.
  • the sealing plate 44 is formed of a dielectric material having heat resistance and microwave transmission and low dielectric loss, for example, quartz glass, aluminum, or the like.
  • a rectangular box-shaped cover member 50 that covers the upper part of the reactor 41 is connected to the reactor 41.
  • a dielectric plate 51 is attached to a ceiling portion inside the cover member 50.
  • An air gap 53 is formed between the dielectric plate 51 and the sealing plate 44.
  • the dielectric plate 51 is made of a dielectric material such as a fluororesin such as Teflon (registered trademark), a polyethylene resin, or a polystyrene resin.
  • the projection is fitted into a waveguide 61 connected to the peripheral surface of the cover member 50.
  • a microwave mouth wave oscillator 60 is connected to the waveguide 61.
  • the micro wave oscillated by the micro mouth wave oscillator 60 is incident on the projection of the dielectric plate 51 by the waveguide 61.
  • the base end side of the convex portion of the dielectric plate 51 is formed in the tapered portion 51a having a substantially triangular shape in a plan view. , And is spread in the width direction and propagates throughout the dielectric plate 51.
  • the microphone mouth wave is reflected at the end face of the cover member 50 facing the waveguide 61, and the incident wave and the reflected wave are superimposed to form a standing wave on the dielectric plate 51.
  • the inside of the reactor 41 is connected to the processing chamber 42, and penetrates the peripheral wall of the processing chamber 42.
  • the required gas is introduced into the processing chamber 42 through the pipe ⁇ fitted in the through hole.
  • a table 43 on which a workpiece W to be subjected to plasma processing is placed is provided at the center of the bottom wall of the processing chamber 42.
  • a high frequency power supply 47 is connected to the table 43 via a matching box 46.
  • An exhaust port 48 is formed in the bottom wall of the reactor 41 so that the inside air of the processing chamber 42 is exhausted from the exhaust port 48.
  • the procedure for performing the etching process on the surface of the work W using such a plasma processing apparatus is as follows. First, after exhausting from the exhaust port 48 to reduce the pressure inside the processing chamber 42 to a desired pressure, a reaction gas is supplied into the processing chamber 42 through a pipe 45. Next, a microwave is oscillated by the microwave oscillator 60, and the microwave is guided to the dielectric plate 51 via the waveguide 61. At this time, the microwaves spread uniformly in the dielectric plate 51 by the taper portion 51a, and form a standing wave in the dielectric plate 51. Due to the standing wave, a leaked electric field is formed below the dielectric plate 51, and the leaked electric field passes through the air gap 53 and the sealing plate 44 and is introduced into the processing chamber 42. In this manner, the microphone mouth wave propagates into the processing chamber 42, and plasma is generated in the processing chamber 42.
  • a high frequency is applied to the table 43 from a high frequency power supply 47 through a matching box 46, and the ions in the plasma are accelerated by the bias potential generated by the high frequency power supply 47 to guide the ions onto the workpiece W. Etch the surface of W.
  • the dielectric plate In order to spread the microwaves evenly on the 51, the sealing plate 44 is provided, and the dielectric plate 51 itself also has a taper section 51a that protrudes horizontally from the edge of the reactor 41. Is provided.
  • the dimensions of the tapered portion 51a are determined according to the area of the dielectric plate 51, that is, the diameter of the processing chamber. Therefore, when the conventional plasma processing apparatus is installed, there is a problem that an extra horizontal space must be secured to store the taper portion 51a protruding from the periphery of the reactor 41.
  • the peripheral wall of the reactor 41 is grounded and used as a ground electrode for the table 43 to which a high frequency is applied.
  • ions in the plasma collide with the inner peripheral surface of the reactor 41 to cause damage, and thus a problem that the life of the reactor 41 is shortened also occurs.
  • the peripheral wall of the reactor 41 is grounded, the bias potential generated on the surface of the table 43 may be insufficient.
  • the directivity of the ions incident on the workpiece W may be deteriorated, and the process characteristics such as anisotropy may be reduced.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and The goal is to reduce the size of the entire system even if the diameter of the reactor is large. Plasma processing equipment that can be installed in a small space as small as possible, and that can improve the directivity of ions incident on the workpiece and extend the life of the reactor The main purpose is to provide Disclosure of the invention
  • the plasma processing apparatus has an electrode disposed facing a table on which a workpiece is placed, and an annular sealing member for introducing microwaves disposed outside the electrode.
  • an antenna that radiates microwaves into the container faces a sealing plate for introducing the microwaves.
  • the plasma processing apparatus is provided with an antenna that emits a microwave, a container into which the microwave emitted from the antenna is to be introduced, and a high-frequency A table on which a workpiece to be subjected to plasma processing by microwaves introduced into the container is placed, and a table is provided in the container and is opposed to the table.
  • the container has a sealing member for introducing a microwave disposed at a position surrounding the outside of the electrode, and the antenna has a surface on the sealing member. The microwave radiated from the antenna is transmitted through the sealing member and introduced into the container.
  • the microphone port radiated from the annular or C-shaped antenna disposed facing the annular sealing member provided in the container (reactor).
  • Plasma is generated by the waves being transmitted through the sealing member and introduced into the container.
  • Tape in container By applying a high frequency to the table using the electrode placed opposite to the table as a ground electrode, the plasma generated as described above is guided onto the work placed on the table.
  • Microwaves can enter the above-mentioned antenna without expanding in the width direction, so that the antenna does not protrude from the container. Therefore, the horizontal dimension of the plasma processing apparatus according to the present invention can be made as small as possible. That is, since the plasma processing apparatus according to the present invention is configured to supply the micro wave by the antenna structure, the micro wave can be supplied uniformly in a limited space. Further, the antenna is arranged to face the annular sealing member, so that the microwave can be uniformly introduced into the container.
  • the electrode opposite to the table to which the high frequency is applied can act as the ground electrode, preventing the ions in the plasma from colliding with the inner peripheral surface of the container and causing damage.
  • the life of the container is prolonged.
  • a bias potential can be stably generated on the table, ions in the plasma are incident on the work substantially perpendicularly, and process characteristics such as anisotropy can be improved.
  • a plasma processing apparatus is the plasma processing apparatus according to the first invention, wherein the electrode is formed of a silicon-based material.
  • C x F y gas when etching silicon co phosphorylation film using full Oroka one carbon-based reactive gas (C x F y gas), C x F y gas by plasma Dissociation generates fluorine molecules (F or F 2 ), and the etching rate of the silicon oxide film relative to the etching rate of the resist decreases relatively.
  • the electrodes are formed of a silicon-based material, Containing molecules to vaporize as the S i F 4 in contact react with electrodes, full Tsu-containing molecules are removed selectively.
  • An electrode formed of a silicon-based material also has the advantage that there is little problem of contamination (contamination).
  • the plasma processing apparatus is the plasma processing apparatus according to the first or second aspect, wherein the electrode is connected to a path for introducing a gas into the container, and has a hole for supplying a gas into the container. Is opened.
  • the reaction gas is supplied into the container through a hole formed in the electrode arranged opposite to the table. Since the reaction gas diffuses almost uniformly in the radial direction of the entire periphery of the container, the workpiece is substantially uniformly plasma-treated. In addition, the reaction gas supplied into the container has a longer residence time in the plasma used for processing the work, so that the utilization efficiency of the reaction gas is improved.
  • a plasma processing apparatus is characterized in that, in the third invention, a space for diffusing the introduced gas is provided in the path.
  • the reaction gas is introduced into the space provided in the path, where the reaction gas is diffused and homogenized.
  • the reaction gas is released into the container. This allows a uniform reaction gas to be introduced into the vessel from a plurality of locations on the electrode, so that the workpiece is more uniformly plasma-treated.
  • the plasma processing apparatus according to the fifth invention is the plasma processing apparatus according to any one of the first to fourth inventions. , Characterized by further comprising a device for adjusting the temperature of the electrode.
  • the process characteristics can be improved by adjusting the temperature of the electrode with a temperature adjusting apparatus.
  • a plasma processing apparatus is the plasma processing apparatus according to any one of the first to fifth aspects, further comprising a power supply for applying a high frequency to the electrode.
  • the generation of plasma by the microwave introduced into the container from the antenna is not described.
  • plasma can be generated between the electrode and the table.
  • the plasma is sufficiently diffused and becomes substantially uniform in the same plane as the workpiece. Become. For this reason, the vertical dimension of the plasma processing apparatus can be reduced, and the required plasma processing can be performed quickly.
  • the plasma processing speed at the center and the periphery of the workpiece can be made uniform without adjusting the power of the microwaves radiated from the antenna.
  • the plasma processing apparatus is the plasma processing apparatus according to any one of the first to sixth inventions.
  • the antenna is configured by bending a waveguide for guiding a micro wave into an annular shape, a C-shape, or a spiral shape, and a slit is formed in a portion of the waveguide facing the sealing member. Is characterized by being opened.
  • the plasma processing apparatus according to an eighth aspect is the plasma processing apparatus according to the seventh aspect, wherein a dielectric is fitted into the waveguide.
  • the microwaves incident on the annular waveguide of the antenna become traveling waves traveling in opposite directions to each other, and propagate in the waveguide.
  • the two traveling waves overlap and a standing wave is formed in the antenna.
  • Microwaves incident on an antenna having a C-shaped or spiral waveguide are reflected at the terminating end and form a standing wave in the antenna. Due to this standing wave, a current that reaches a maximum at predetermined intervals flows through the inner wall surface of the antenna. Since a slit is formed in the wall through which this current flows, an electric field is radiated from the slit to the sealing member. That is, a microphone mouth wave is radiated from the antenna to the sealing member.
  • the microwave is transmitted through the sealing member and introduced into the container, and plasma is generated by the microwave. Since the waveguide is curved in an annular, C-shaped, or spiral shape, the microwave can be uniformly supplied to a required area. Moreover, since the waveguide is arranged to emit microstrip click port waves from the scan Li Tsu bets, the shape and arrangement of the scan Li Tsu bets are possible radiation required microphone filtering (also However, the microwave incident on the antenna is shortened by 1 Z ( ⁇ V) times ( ⁇ r is the relative permittivity of the dielectric) due to the dielectric material. When there is a dielectric, the current flowing through the inner wall surface of the antenna is more numerous than when the dielectric is not installed. This allows the microwave to be evenly introduced into the container.
  • a plasma processing apparatus includes an antenna that emits a microwave, a container into which the microwave that is radiated from the antenna is to be introduced, and a container that is provided in the container.
  • the container has a sealing member for introducing a microwave disposed at a position surrounding the outside of the electrode, and the antenna has a surface facing the sealing member. The microwave radiated from the antenna is transmitted through the sealing member and introduced into the container.
  • the plasma processing apparatus for example, by applying a high frequency of about 13.56 MHz to the electrode, the generation of plasma by the microwave introduced from the antenna into the container is described. Separately, plasma can be generated between the electrode and the table. Therefore, by controlling the high-frequency power applied to the electrodes, the plasma processing at the center and periphery of the peak can be controlled without adjusting the power of the microwaves radiated from the antenna. Speed can be made uniform.
  • the ninth invention described above is also similar to the second invention as in the first invention. It is needless to say that the eighth to eighth inventions can be combined.
  • the high frequency is applied to the table instead of the electrode when the sixth invention is combined with the ninth invention because the ninth invention is connected to a power supply for applying a high frequency to the electrode instead of the table. Power supply to be provided.
  • FIG. 1 is a side sectional view showing a plasma processing apparatus of the same type as a conventional apparatus
  • FIG. 2 is a plan view of the plasma processing apparatus shown in FIG. 1,
  • FIG. 3 is a side sectional view showing the structure of the plasma processing apparatus of the present invention
  • FIG. 4 is a plan view of the plasma processing apparatus shown in FIG. 3
  • Fig. 5 is an explanatory diagram of the slit shown in Figs. 3 and 4,
  • FIG. 6 is a schematic partially cutaway perspective view of the electrode and the space for gas diffusion shown in FIG. 3,
  • FIG. 7 is a plan view showing the third embodiment
  • FIG. 8 is a side sectional view showing Embodiment 4.
  • FIG. 9 is a side sectional view showing Embodiment 5.
  • FIG. 10 is a schematic plan view showing Embodiment 6.
  • FIG. 11 is a schematic plan view showing Embodiment 7.
  • FIG. 12 is an explanatory view of the slit shown in FIG. 11;
  • FIG. 13 is a side sectional view showing the eighth embodiment. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 3 is a side sectional view showing the structure of the plasma processing apparatus according to the present invention
  • FIG. 4 is a plan view of the plasma processing apparatus shown in FIG.
  • the entire bottomed cylindrical reactor 1 is formed of a metal such as aluminum, for example.
  • a ring member 10 having a groove on the inner peripheral surface is attached to the upper end of the reactor 1.
  • the annular sealing plate 4 is fitted to the ring member 10 by fitting the outer peripheral edge of the sealing plate 4 for introducing microwaves arranged annularly into the groove of the ring member 10. Supported.
  • the annular sealing plate 4 is formed of a dielectric material such as quartz glass or alumina, which has heat resistance and microwave permeability and has small dielectric loss, into an annular plate shape.
  • the upper surface of the ring member 10 has a cylindrical shape having an outer diameter substantially equal to the outer diameter of the ring member 10 and having an inner diameter substantially equal to the inner diameter of the annular sealing plate 4 described above.
  • the block member 25 is screwed to the ring member 10 c.
  • the block member 25 is made of a metal such as aluminum.
  • the portion facing 4 is formed with an annular waveguide-type antenna section 12 having a rectangular cross section and a groove.
  • an introduction portion 13 having a rectangular hole communicating with the annular waveguide type antenna portion 12 is formed on the peripheral surface of the block member 25.
  • an annular plate member 16 made of aluminum is fitted to the bottom of the annular waveguide type antenna portion 12, and a plurality of slits 15, 15,.
  • the introduction section 13 and the annular waveguide antenna section 12 include, for example, a fluororesin such as Teflon (registered trademark), a polyethylene resin, or a polystyrene resin (preferably). Or a dielectric 14 such as teflon).
  • a waveguide 31 is connected from a microwave aperture oscillator 30 to a microwave oscillator.
  • the microwave oscillated by 30 is incident on the introduction section 13 of the antenna 11 via the waveguide 31.
  • This incident wave is introduced from the introduction section 13 to the annular waveguide antenna section 12.
  • the microwave spout introduced into the annular waveguide type antenna section 12 is converted into a traveling wave traveling in the opposite direction to the annular waveguide type antenna section 12, and is converted into a dielectric wave in the annular waveguide type antenna section 12. Propagating throughout body 14. Both traveling waves collide at a position facing the introduction section 13 of the annular waveguide antenna section 12 to generate a standing wave. Due to the wall standing wave, a wall current having a maximum value flows through the inner surface of the annular waveguide antenna section 12 at predetermined intervals.
  • the mode of the micro wave propagating in the annular waveguide type antenna section 12 in which Teflon (registered trademark) having a dielectric constant of £ r 2.1 is fitted as the dielectric body 14.
  • Teflon registered trademark
  • the dimensions of the annular waveguide antenna section 12 should be 27 mm in height. , 66.2 mm wide. Microwaves in this mode propagate through the dielectric 14 in the annular waveguide antenna 12 with little loss of energy.
  • a Teflon registered trademark
  • the dimension from the center of the annular waveguide antenna section 12 to the center in the width direction of the annular waveguide antenna section 12 is 141 mm.
  • the circumferential length (approximately 886 mm) of the circle connecting the center in the width direction of the annular waveguide antenna section 12 is equal to the micro-wave propagating in the annular waveguide antenna section 12. It is approximately an integer multiple of the wave wavelength (approximately 110 mm).
  • the microwave resonates in the annular waveguide type antenna section 12, and the above-mentioned standing wave has a high voltage and a low current at the position of its ant inode, and at the position of the node.
  • Low voltage and high current Q value of Tena 11 improves.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram of the slits 15, 15,... Shown in FIG. 3 and FIG.
  • the slits 15, 15,... are provided on a portion of the metal plate member 16 facing the annular waveguide type antenna portion 12, and the annular waveguide type antenna portion. It is opened in a strip shape so as to extend in the diameter direction of 12, that is, perpendicular to the traveling direction of the microwave propagating in the annular waveguide antenna section 12.
  • the annular waveguide type antenna section 12 has the dimensions described above, the length of each slit 15, 15, ...
  • the width is 20 mm
  • the adjacent slits The distance between them is about 55 mm, that is, two slits are opened at a distance of 27.5 mm from the intersection P ⁇ described later, and slits are opened at an interval of 55 mm from them.
  • each of the slits 15, 15 ... is a side of the two points where the extension line L extending the center line of the introduction portion 13 and the above-mentioned circle C intersect with the introduction portion 13 and separated from the introduction portion 13. From the intersection P ⁇ to both of them along the circle C, (2 m-1) ⁇ ⁇ g / 4 (m is an integer, ig is the wavelength of the microwave propagating in the annular waveguide antenna) Open the two slits 15, 15 at a distance from each other, and from both slits 15, 15 to both of them along the circle C, separated by n ⁇ ⁇ g / 2 (n is an integer) They are arranged in a state where a plurality of other slits 15, 15, ... are opened. That is, the slits 15, 15, ... are opened at the positions where the nodes of the standing wave described above are formed. As a result, it is possible to efficiently radiate the microphone mouth wave from each of the slits 15, 15,.
  • the slits 15, 15,... are opened such that their longitudinal directions are orthogonal to the traveling direction of the microwave propagating in the annular waveguide antenna section 12.
  • the present invention is not limited to this, and the slit may be opened so as to obliquely intersect with the traveling direction of the micro wave, or may be opened in the traveling direction of the micro wave.
  • the reactor generated in reactor 1 The position of the maximum value of the current flowing through the peripheral wall of the annular waveguide antenna section 12 may change due to the change in the wavelength of the microwave propagating in the antenna 11 due to the plasma.
  • the maximum value of the current can be captured in the area of the slit.
  • the microwaves are uniformly introduced into the entire region in the reactor 1. You.
  • the antenna 11 is formed in an annular shape, the antenna 11 does not protrude from the peripheral edge of the block member 25 having the same diameter as the reactor 1. Can be provided. Thus, even if the diameter of the reactor 1 is large, a plasma processing apparatus that is relatively small in size and can be installed in a small space is realized.
  • a heating block 26 made of aluminum is formed into a columnar shape so that the lower surface thereof is slightly higher than the lower surface of the annular sealing plate 4.
  • the heating block 26 is provided so as to be detachably fitted therein, and the heating block 26 is embedded with a heater 28 for heating the electrode 18.
  • a cylindrical concave portion is provided at the center of the lower surface of the heating block 26, and this concave portion is closed by a disk-shaped electrode 18 made of a conductor or semiconductor material to form a space 20 for gas diffusion. Is provided.
  • the electrode 18 is detachably screwed to the heating block 26, and the electrode 18 is electrically grounded.
  • the screw for fixing the electrode 18 and the lower surface of the above-mentioned annular sealing plate 4 are protected by an annular plate (not shown) made of quartz.
  • FIG. 6 is a schematic partially broken perspective view of the electrode 18 and the space 20 shown in FIG.
  • the interior of the space 20 is divided by a partition wall 19 into an upper chamber 20a and a lower chamber 20b.
  • Annular members 21, 21 are interposed between the partition wall 19 and the ceiling of the space 20 and between the partition wall 19 and the electrode 18.
  • the partition wall 19 and the electrode 18 are provided with a plurality of holes 22, 22 ... and holes 18a, 18a ... penetrating therethrough at different positions at the top and bottom.
  • the space 20 is provided with a tube 5 that passes through the heating block 26.
  • the gas supplied to the space 20 through the pipe 5 diffuses into the upper chamber 20a and is supplied to the lower chamber 20b from the holes 22, 22 ... opened in the partition wall 19, where the gas is diffused and homogenized.
  • the holes 18a, 18a,... Formed in the electrode 18 are introduced into the processing chamber 2.
  • a table 3 on which a workpiece W is placed is provided so as to be able to move up and down, and a high frequency power supply 7 is connected to the table 3 via a matching box 6. Further, an exhaust port 8 for discharging the inside air of the processing chamber 2 is opened in a peripheral wall of the processing chamber 2.
  • the high frequency applied to Table 3 is mainly intended to control the ions in the plasma, and the frequency is 200 kHz to 2 MHz. However, an electric field up to several tens of MHz may be applied in some cases.
  • C The procedure for performing an etching process on the surface of the work W using such a plasma processing apparatus is as follows.
  • the heating block 26 and the electrode 18 are heated to a required temperature by the heater 28, and are discharged.
  • the reaction gas is supplied into the space 20 through the pipe 5, and the reaction gas diffused and homogenized therein is supplied from the electrode 18. Introduce into processing chamber 2.
  • a microwave is oscillated by the microwave oscillator 30 and introduced into the antenna 11 via the waveguide 31 to form a standing wave in the annular waveguide antenna section 12.
  • the electric field radiated from the slits 15, 15,... Of the antenna 11 passes through the annular sealing plate 4 and is introduced into the processing chamber 2, where Is generated.
  • a high frequency is applied to the table 3 from the high frequency power supply 7 via the matching box 6 simultaneously with the oscillation by the microwave oscillator 30.
  • the ions in the generated plasma are guided onto the work W by the electric field formed between the table 3 and the electrode 18, and the surface of the work W is etched.
  • the ions in the plasma are guided onto the work W by the electric field formed between the electrode 18 and the table 3 arranged opposite to the table 3, so that the plasma is applied to the inner peripheral surface of the reactor 1.
  • the collision of ions in the reactor prevents them from damaging them, and extends the life of the reactor 1.
  • the electrode 18 is detachably screwed to the heating block 26-if the electrode 18 is damaged, it can be easily replaced.
  • the electric field is formed in a direction orthogonal to the surface of the peak W, a stable bias potential is generated on the surface of the table 3. Therefore, the directivity of ions incident on the work W is high, and the process characteristics are improved. Further, since the electrode 18 is heated to a required temperature, the process characteristics are further improved.
  • the reaction gas is introduced into the processing chamber 2 from the bottom of the electrode 18, the reaction gas is placed on the workpiece W in the processing chamber 2, having a substantially uniform cross-sectional area having a diameter substantially equal to the diameter of the workpiece W. It is supplied as a gas stream. For this reason, the surface of the work W is treated substantially uniformly.
  • the processing chamber 2 Since the staying time of the supplied reaction gas in the plasma is prolonged, the utilization efficiency of the reaction gas is improved.
  • the electrode 18 shown in FIG. 3 is formed of a silicon-based material such as Si, SiC, SiN, or Si doped with an impurity such as P or B. ing.
  • a silicon-based material such as Si, SiC, SiN, or Si doped with an impurity such as P or B. ing.
  • C x F y gas Furuorokabon based reactive gas
  • the fluorine molecules can be selectively removed.
  • the etching rate of the silicon oxide film with respect to the etching rate of the resist is improved, and etching with a high selectivity can be performed.
  • FIG. 7 is a plan view showing the third embodiment and shows a slit along a sealing plate for introducing a microwave.
  • parts corresponding to the parts shown in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. That is, as shown in FIG. 7, the annular plate member 16 shown in FIG. 3 is left open without providing the annular plate member 16 shown in FIG.
  • the dielectric 14 described above is fitted inside the annular waveguide antenna unit 12.
  • the microwave propagates through the dielectric material 14 fitted inside the annular waveguide antenna unit 12 to form a standing wave, and the leakage electric field causes an annular sealing.
  • the plate 4 Through the plate 4, it is uniformly introduced into the entire region in the reactor 1.
  • the size of the plasma processing apparatus is as small as possible. Therefore, it can be installed in a small space.
  • it must be electrically grounded.
  • the electrodes prevent the ions in the plasma from colliding with and damaging the inner peripheral surface of the reactor 1 as described above, so that the life of the reactor 1 is prolonged. Also, if the electrode is damaged, it can be easily replaced.
  • the directivity of ions incident on the work W is improved, and the process characteristics are improved.
  • FIG. 8 is a side sectional view showing Embodiment 4 and shows a case where the dielectric 14 shown in FIG. 3 is not provided. In the figure, portions corresponding to those shown in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
  • the antenna 11 is a hollow waveguide without the aforementioned dielectric.
  • the frequency of the micro mouth wave is 2.4.
  • the dimensions of the annular waveguide antenna section 12 are set to 27 mm in height and 96 mm in width.
  • an annular sealing plate 4 having an outer diameter of 450 mm, an inner diameter of 160 mm, and a thickness of 20 mm is arranged, and the annular waveguide antenna unit 12 is arranged in a width direction from its center. The dimension up to the center of is 15 1 mm.
  • the circumferential length of the circle connecting the center in the width direction of the annular waveguide antenna section 12 is determined by the wavelength of the micro wave propagating in the annular waveguide antenna section 12 (approximately 15 8 mm).
  • a plate member 16 provided in the annular waveguide type antenna section 12 is provided with slits 15, 15,... Having a length of 80 mm and a width of 20 mm, and having a length of approximately 79 mm. Open at intervals.
  • Microwaves oscillated from the micro mouth wave oscillator 30 pass through the waveguide 31.
  • the electric field radiated from the slits 15, 15,... Of the antenna H by this standing wave passes through the annular sealing plate 4 and is introduced into the processing chamber 2, and is injected into the processing chamber 2. Rasma is generated.
  • the microwave is uniformly introduced from the annular waveguide antenna section 12 to the entire region in the reactor 1, but even if the diameter of the reactor 1 is large, the plasma processing is performed.
  • the size of the device can be made as small as possible and can therefore be installed in small spaces.
  • the electrode 18 electrically grounded prevents ions in the plasma from colliding with and damaging the inner peripheral surface of the reactor 1, thereby extending the life of the reactor 1. Further, if the electrode 18 is damaged, it can be easily replaced. Further, the directivity of ions incident on the workpiece W is improved by the electrode 18, and process characteristics are improved.
  • FIG. 9 is a side sectional view showing the fifth embodiment, in which a configuration for applying a high frequency to the electrode 18 is employed.
  • the electrode 18 is connected to a second high-frequency power supply 38 via a matching box 39, and the second high-frequency power supply 38 connects the electrode 18 to the electrode 18 at a frequency of, for example, 13.56 MHz. High frequency is applied.
  • a microwave microwave is oscillated by the micro-wave oscillator 30, and a high frequency of 13.56 MHz is applied to the electrode 18 from the second high-frequency power supply 38, and the inside of the processing chamber 2 is processed.
  • Plasma is generated in a region facing the electrode 18 of FIG.
  • plasma is also generated in the central portion surrounded by the antenna 11, that is, immediately below the electrode 18, so that even if the distance between the table 3 and the annular sealing plate 4 is short, Table 3 A substantially uniform plasma can be obtained in the same plane as the surface of the plasma.Also, apart from the generation of the plasma by the microwaves, the plasma is applied into the processing chamber 2 by applying a high frequency to the electrode 18. Can be generated.
  • the central portion and the peripheral portion of the workpiece W can be adjusted without adjusting the phase of the micro-wave oscillated by the micro-wave oscillator 30.
  • the plasma processing speed in the part can be made uniform.
  • V a sin ( ⁇ t) ( ⁇ is angular frequency, t is time) by applying high-frequency electric field
  • the second RF power supply 38 or we electrode 18 ⁇ - V b sin ( ⁇ by the this applying high-frequency electric field t) ⁇ the potential applied to the ions in the plasma as a (V a + V b), it is the this to improve the anisotropic etching.
  • a high-frequency electric field of, for example, about 200 kHz to 2 MHz is applied to the table 3 for the purpose of controlling ions in the plasma, and to the electrode 18 for the purpose of generating plasma.
  • a high-frequency electric field having a frequency higher than the frequency applied to Table 3, for example, 13.56 MHz is applied.
  • FIG. 10 is a schematic plan view showing the sixth embodiment, and shows a case where the connecting position of the above-described introduction section to the annular waveguide antenna section is changed.
  • portions corresponding to the portions shown in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
  • the antenna 21 according to the present embodiment is connected such that the introduction part 23 is in a tangential direction of the annular waveguide type antenna part 22.
  • the above-mentioned circle intersects with the normal passing through the contact point which makes contact with the circle connecting the center line in the width direction of the annular waveguide type antenna part 22 with the extension of the center line of the introduction part 23 being extended.
  • FIG. 11 is a schematic plan view showing Embodiment 7 in which the shape of the antenna is changed.
  • parts corresponding to the parts shown in FIG. 10 are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
  • C One end of the antenna 34 is connected to the microphone
  • the connected waveguide 31 is connected, and the other end of the antenna 34 is closed.
  • One end of the antenna 34 is formed in a linear shape, and the other end is formed in an appropriate shape such as a C shape (arc shape) or a single spiral shape (C shape in the example shown in FIG. 3). It is formed as a curved portion 35 formed with a curvature.
  • a plate member 36 is fitted to the bottom of the antenna 34, and a plurality of slits 15, 15,... Are opened at a portion corresponding to the bent portion 35 of the plate member 36.
  • FIG. 12 is an explanatory diagram of the slits 15, 15,... Shown in FIG.
  • the slits 15, 15... are perpendicular to the central axis 37 of the bent portion 35 at a portion facing the bent portion 35 of the plate member 36.
  • the slits 15, 15,... Are opened at positions ⁇ ⁇ ⁇ gZ2 from the closed end of the antenna. That is, each of the slits 15, 15, ... is opened at the position showing the maximum value of the current flowing through the bottom of the antenna, and the potential difference generated across each of the slits 15, 15, ...
  • An electric field is radiated from the slits 15, 15, and this electric field passes through the annular seal ⁇ 4 and reacts with the reactor 1 (both in FIG. 3). See).
  • FIG. 13 is a side sectional view showing the eighth embodiment, in which a high frequency is applied to the electrode 18 and the table 3 is electrically grounded.
  • the electrode 18 is connected to a high-frequency power supply 40 via a matching box 39, and the high-frequency power supply 40 supplies the electrode 18 with a high voltage of about 13.56 MHz. Frequency is applied.
  • Table 3 is electrically grounded.
  • plasma is generated also in the central portion surrounded by antenna 11, that is, immediately below electrode 18. Therefore, even when the distance between the table 3 and the annular sealing plate 4 is short, substantially uniform plasma can be obtained in the same plane as the surface of the table 3.
  • the plasma can be generated in the processing chamber 2 by applying a high frequency to the electrode 18. For this reason, by controlling the high-frequency power applied to the electrode 18, the central portion and the peripheral portion of the workpiece W can be adjusted without adjusting the power of the micro-wave oscillated from the micro-wave oscillator 30. The speed of the plasma processing in the part can be made uniform.

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Description

明 細 書
プラズマ処理装置
技術分野
本発明は、 マイ ク ロ波を用いて生成したプラズマによって、 半導 体基板， 液晶ディ スプレイ用ガラス基板等にエッチング， ア ツ シ ン グ等の処理を施すプラズマ処理装置に関する。
背景技術
反応ガスに外部からエネルギを与えて生じるプラズマは、 L S I , L C D等の製造プロセスにおいて広く 用いられている。 特に、 ドラ ィエッチングプロセスにおいて、 プラズマの利用は不可欠な基本技 術となっている。 一般にプラズマを生成させる励起手段には 2. 4 5 G H z等のマイ ク ロ波を用いる場合と、 1 3. 5 6 MH z等の R F (Radio Frequency)を用いる場合とがある。 前者は後者に比べて 高密度のプラズマが得られる という利点がある。 ところが、 マイ ク 口波を用いたプラズマ処理装置では、 プラズマ生成領域の面積を広 く し、 且つ密度が均一になるようにプラズマを発生させるこ とが困 難であった。 しかし、 プラズマ処理装置には前述した如く 高密度の プラズマが得られる という利点があるため、 このような装置によつ て大サイズの半導体基板， L C D用ガラス基板等の処理を実現する こ とが要求されていた。 この要求を満たすため、 本願出願人は、 特 開昭 62— 5600号公幸 ( Japanese Patent Application Laid— Open No. 62-5600(1987)). 特開昭 62— 99481 号公報 （Japanese Patent Appl ication Laid- Open No.62-99481 (1987) )等において次のような装置 を提案している。
第 1 図は、 特開昭 62— 5600号公報 (Japanese Patent Applicatio n し a i d- Open No. 62-5600 ( 1987) 及び特開昭 62— 99481 号公報 （Ja panese Pat en t App l i cat i on La i d - Open No. 62- 99481 ( 1987) )に開示 されている装置と同タイプのプラズマ処理装置を示す側断面図であ り、 第 2図はその平面図である。 矩形箱状の反応器 41は、 その全体 がアル ミ ニウムで形成されている。 反応器 41の上部開口はマイ ク ロ 波を導入するための封止板 44によ り気密状態にシールされている。 この封止板 44は、 耐熱性及びマイ クロ波透過性を有すると共に誘電 損失が小さい誘電体、 たとえば石英ガラス， アル ミ ナ等で成形され ている。
反応器 41には、 その上部を覆う長方形箱状のカバー部材 50が連結 されている。 このカバ一部材 50内の天井部分には誘電体板 51が取り 付けられている。 また、 誘電体板 51と封止板 44との間にはエアギヤ ップ 53が形成されている。 誘電体板 51は、 たとえばテフロ ン （登録 商標） のようなフ ッ素樹脂， ポリエチレ ン樹脂又はポリ スチレ ン樹 脂等の誘電体を、 矩形と三角形とを組み合わせた略五角形の頂点に 凸部を設けた板形状に成形されており、 その凸部がカバ一部材 50の 周面に連結した導波管 61内に嵌め込まれている。 導波管 61にはマイ ク口波発振器 60が連結されている。 マイ ク口波発振器 60が発振した マイ ク ロ波は、 導波管 61によって誘電体板 51の凸部へ入射される。 前述した如く 、 誘電体板 51の凸部の基端側は、 平面視が略三角形 状のテーパ部 51 a に形成されており、 この凸部へ入射されたマイ ク 口波はテーパ部 51 a に面してその幅方向に拡げられて誘電体板 51の 全体に伝播する。 このマイ ク口波はカバー部材 50の導波管 61に対向 する端面で反射し、 入射波と反射波とが重ね合わされて誘電体板 51 に定在波が形成される。
反応器 41の内部は処理室 42になつており、 処理室 42の周囲壁を貫 通する穴に嵌合させた管《を通じて処理室 42内に所要のガスが導入 される。 処理室 42の底部壁の中央には、 プラズマ処理されるべきヮ ーク Wを載置するテーブル 43が設けられている。 テーブル 43にはマ ッチングボッ クス 46を介して高周波電源 47が接続されている。 また- 反応器 4 1の底部壁には排気口 48が開けられており、 排気口 48から処 理室 42の内気が排出されるようになっている。
このようなプラズマ処理装置を用いてワーク Wの表面にエツチン グ処理を施すための手順は以下のようになる。 まず、 排気口 48から 排気して処理室 42内を所望の圧力にまで減圧させた後、 管 45を通じ て処理室 42内に反応ガスを供給する。 次いで、 マイ クロ波発振器 60 にマイ クロ波を発振させ、 これを導波管 61を介して誘電体板 5 1に導 入する。 このとき、 テ一パ部 51 a によってマイ クロ波は誘電体板 5 1 内で均一に拡がり、 誘電体板 5 1内に定在波を形成する。 この定在波 によって、 誘電体板 5 1の下方に漏れ電界が形成され、 それがエアギ ャ ップ 53及び封止板 44を透過して処理室 42内へ導入される。 このよ うにしてマイ ク口波が処理室 42内へ伝播し、 処理室 42内にブラズマ が生成される。
テーブル 43には、 マツチングボッ クス 46を介して高周波電源 47か ら高周波が印加されており、 それによつて形成されるバイアス電位 によって、 プラズマ中のイオンを加速させてワーク W上に導く こ と により ワーク Wの表面をエッチングする。 これによつて、 大サイズ のワーク Wを処理する目的で反応器 4 1の直径を大き く しても、 その 反応器 41の全領域へマイ クロ波を均一に導入する こ とが可能になる ので、 大サイズのワーク Wに対しても均一な異方性エッチングを施 すこ とが出来る。
ところで、 上述のように従来のプラズマ処理装置では、 誘電体板 51にマイ ク ロ波を均一に拡がらせるために、 封止板 44を備える と共 に、 誘電体板 51自体にも反応器 41の縁部から水平方向へ突出させた テ一パ部 51a が設けられている。 このテーパ部 51a の寸法は、 誘電 体板 51の面積、 即ち処理室 42の直径に応じて定められる。 このため. 従来のプラズマ処理装置を設置する場合、 反応器 41周縁から突出さ せたテ一パ部 51a を格納するために水平方向のスペースを余分に確 保しなければならないという問題が生じる。
一方、 ワーク Wの大サイズ化に伴って、 反応器 41の直径も更に大 き く するこ とが望まれている。 また同時に、 装置の設置場所を手当 てする必要がないこ と、 換言すれば可能な限り小さいスペースで設 置し得るこ と も要求されている。 しかし、 前述のような従来の装置 では、 テ一パ部 51a の寸法は反応器 41の直径に応じて定まるため、 反応器 41の直径が大き く なるに伴ってテーパ部 51a の寸法も長く な る。 従って、 反応器 41の直径が更に大きいプラズマ処理装置を可能 な限りの小スペースに設置したいという矛盾した要求が生じる とい う問題が有った。
また、 従来のプラズマ処理装置では、 例えば反応器 41の周壁を接 地するこ とにより、 高周波が印加されるテーブル 43に対する接地電 極と して利用している。 しかしこのような構成を採る場合、 反応器 41の内周面にプラズマ中のイオンが衝突して損傷を与えるため、 反 応器 41の寿命が短く なるという問題も生じる。 更に、 反応器 41の周 壁を接地した場合、 テーブル 43の表面に発生するバイアス電位が不 十分になる可能性がある。 この場合、 ワーク Wへ入射されるイオン の指向性が悪化し、 異方性等のプロセス特性が低下する虞があつた 本発明は、 以上のような事情に鑑みてなされたものであってその 目的とする ところは、 反応器の直径が大き く ても装置全体のサイズ を可能な限り小さ く できて小さなスペースに設置するこ とが可能で あり、 また、 ワークへ入射されるイオンの指向性を改善する と共に、 反応器の寿命を長く する こ とができるプラズマ処理装置の提供を主 たる目的とする。 発明の開示
本発明に係るプラズマ処理装置は、 端的には、 ワークが載置され るテーブルに対向して電極を配置し、 この電極の外側にマイ クロ波 を導入するための環状の封止部材を配置し、 更に容器内へマイ ク ロ 波を放射するアンテナをマイ クロ波を導入するための封止板に面し て配置した構成を採っている。
第 1 発明に係るプラズマ処理装置は、 マイ クロ波を放射するアン テナと、 前記ァンテナから放射されるマイ ク ロ波が導入されるべき 容器と、 前記容器内に設けられており、 高周波を印加する電源に接 続されており、 前記容器内へ導入されたマイ ク ロ波によってプラズ マ処理されるべきワークが載置されるテーブルと、 前記容器内に設 けられており、 前記テーブルに対向して配置された電極とを備え、 前記容器は、 前記電極の外側を囲む位置に配置されたマイ クロ波を 導入するための封止部材を有し、 前記アンテナは、 前記封止部材に 面して配置されており、 前記ァンテナから放射されたマイ クロ波が 前記封止部材を透過して前記容器内へ導入されるべく なしてある こ とを特徴とする。
このような第 1 発明に係るプラズマ処理装置では、 容器 （反応器） に設けられている環状の封止部材に面して配置された環状， C字状 等のアンテナから放射されたマイ ク口波が封止部材を透過して容器 内へ導入されるこ とによ りプラズマが生成される。 容器内のテープ ルに対向して配置された電極を接地電極と してテ一ブルに高周波を 印加する こ とにより、 前述した如く生成されるプラズマがテーブル 上に載置されたワーク上へ導かれる。
前述したアンテナ内へはマイ ク Π波を幅方向に広げるこ と無しに 入射するこ とができるため、 アンテナは容器から突出するこ とがな い。 従って、 本発明に係るプラズマ処理装置ではその水平方向の寸 法を可能な限り小さ く するこ とができる。 即ち、 本発明に係るブラ ズマ処理装置ではァンテナ構造によ りマイ ク ロ波を供給するように 構成されているため、 限られたスペースで均一にマイ クロ波を供給 するこ とができる。 また、 アンテナは環状の封止部材に面して配置 されており、 これによつて容器内へマイ ク ロ波を均一に導入するこ とができる。
一方、 高周波が印加されるテーブルに対向配置された電極を接地 電極と して作用させるこ とができるため、 プラズマ中のイオンが容 器の内周面に衝突して損傷を与えるこ とが防止され、 容器の寿命か 長く なる。 また、 テーブルにバイアス電位を安定して発生させる こ とができるため、 プラズマ中のイオンはワーク上に略垂直に入射さ れ、 異方性等のプロセス特性を向上させるこ とができる。
第 2発明に係るプラズマ処理装置は、 第 1 発明において、 前記電 極はシリ コ ン系の材料で形成されているこ とを特徴とする。
このような第 2発明に係るプラズマ処理装置では、 例えば、 フル ォロカ一ボン系反応ガス （ C x F y ガス） を用いてシリ コ ン酸化膜 をエッチングする場合、 プラズマによって C x F y ガスが解離して フ ッ素分子 （ F又は F 2 ) が生成し、 レ ジス トのエッチングレー ト に対するシリ コ ン酸化膜のエツチングレー トが相対的に低下する。 本発明ではシ リ コ ン系材料によって電極を形成してあるため、 フ ッ 素分子は電極と接触反応して S i F 4 と して気化するため、 フ ッ素 分子が選択的に除去される。 これによつて、 レジス トのエッチング レー トに対するシリ コ ン酸化膜のエッチングレー トが向上し、 選択 比が高いエッチングを実施する こ とができる。 また、 シ リ コ ン系材 料で形成した電極はコ ンタ ミ ネ一シ ヨ ン （汚染） の問題が少ないと いう利点もある。
第 3発明に係るプラズマ処理装置は、 第 1 又は第 2発明において. 前記電極は、 前記容器内へガスを導入するための経路が接続されて おり、 前記容器内へガスを供給するための孔が開けられている こ と を特徴とする。
このような第 3発明に係るプラズマ処理装置では、 テーブルに対 向配置された電極に開けられている孔を通じて容器内へ反応ガスが 供給される。 反応ガスは容器の全周縁方向へ放射状に略均一に拡散 するため、 ワークは略均一にプラズマ処理される。 また、 容器内に 供給された反応ガスは、 ワークの処理に用いられるプラズマ中での 滞在時間が長く なるため、 反応ガスの利用効率が向上する。
第 4 発明に係るプラズマ処理装置は、 第 3発明において、 前記経 路に、 導入されたガスを拡散させるための空間が設けられているこ とを特徴とする。
このような第 4発明に係るプラズマ処理装置では、 経路に設けら れた空間内へ反応ガスが導入され、 そこで反応ガスが拡散され、 均 —化された後、 電極に開けられている孔から容器内へ反応ガスが放 出される。 これによつて、 電極の複数箇所から容器内へ均一な反応 ガスを導入するこ とができるため、 ワークは更に均一にプラズマ処 理される。
第 5発明に係るプラズマ処理装置は、 第 1 乃至第 4発明の何れか において、 前記電極の温度を調整するための装置を更に備えるこ と を特徴とする。
プラズマ処理のプロセス特性を向上させるためには、 プラズマに 曝される部分の温度を制御するこ とが重要である。 このような観点 から、 第 5発明に係るプラズマ処理装置では、 電極の温度を温度調 整のための装置で調整するこ とによって、 プロセス特性を向上させ るこ とができる。
第 6発明に係るプラズマ処理装置は、 第 1 乃至第 5発明の何れか において、 前記電極に高周波を印加する電源を更に備えるこ とを特 徴とする。
このような第 6発明に係るプラズマ処理装置では、 例えば 1 3 . 5 6 M H z付近の高周波を電極に印加するこ とによって、 アンテナ から容器内に導入されたマイ クロ波によるプラズマの生成とは別に 電極とテ一ブルとの間にプラズマを生成させるこ とができる。 これ によって、 プラズマが生成される領域とテーブルとの距離、 即ち、 封止部材及び電極とテーブルとの間の距離を短く した場合でもブラ ズマが十分拡散し、 ワーク と同一面内で略均一になる。 このため、 プラズマ処理装置の垂直方向の寸法を小さ く するこ とができる と共 に、 所要のプラズマ処理を迅速に行なう こ とができる。
更に、 前述したァンテナから容器内に導入されたマイ クロ波によ るプラズマの生成とは別のプラズマを生成するこ とができるため、 電極に印加される高周波のパワーを制御するこ とによって、 アンテ ナから放射するマイ クロ波のパワーを調節するこ となしに、 ワーク の中央部及び周縁部におけるプラズマ処理の速度を均一にするこ と ができる。
第 7発明に係るプラズマ処理装置は、 第 1 乃至第 6発明の何れか において、 前記ア ンテナは、 マイ ク ロ波を導く 導波路を環状、 C字 状又は渦巻き状に曲成して構成されており、 前記導波路の封止部材 に対向する部分にス リ ッ トが開けられているこ とを特徴とする。 第 8 発明に係るプラズマ処理装置は、 第 7発明において、 前記導 波路内に、 誘電体が嵌め込まれているこ とを特徴とする。
これらの第 7発明及び第 8発明に係るプラズマ処理装置では、 ァ ンテナの環状の導波路へ入射されたマイ クロ波は、 互いに逆方向へ 進行する進行波となって導波路内を伝播し、 両進行波が重なりあつ てア ンテナ内に定在波が形成される。 また、 C字状又は渦巻き状の 導波路を備えるアンテナへ入射されたマイ ク ロ波は、 終端部で反射 してア ンテナ内に定在波が形成される。 この定在波によって、 アン テナの内壁面に所定の間隔で極大になる電流が通流する。 この電流 が通流する壁面にス リ ッ トが開けられているため、 このスリ ッ トか ら封止部材へ電界が放射される。 即ち、 アンテナから封止部材へマ イ ク口波が放射される。 このマイ クロ波は封止部材を透過して容器 内へ導入され、 そのマイ クロ波によってプラズマが生成される。 導 波路は環状、 C字状又は渦巻き状に曲成されているため、 マイ ク ロ 波を所要の領域に均一に供給するこ とができる。 また、 導波路はマ イ ク 口波をス リ ッ トから放射するように構成してあるため、 ス リ ッ トの形状及び配置によって、 所要のマイ ク ロ波の放射が可能である ( また、 アンテナへ入射されたマイ ク ロ波は誘電体によってその波 長が 1 Z ( ε V ) 倍 （ ε r は誘電体の比誘電率） だけ短く なる。 従って、 同じ直径のアンテナを用いた場合、 誘電体が装入してある ときの方が、 誘電体が装入していないときより もアンテナの内壁面 に通流する電流が極大になる位置が多 く 、 その分、 多数のス リ ッ ト を開けるこ とができる。 このため、 容器内へマイ ク ロ波を均一に導 入する こ とができる。 また、 導波路内に誘電体を装入した状態で、 ス リ ッ トを封止部材に面して開けるこ と、 即ち、 ァンテナの下面を 全面的に開口 した構成を採るこ と も可能である。 この場合、 前述し た如く 、 誘電体を伝播するマイ クロ波は定在波を形成し、 その漏れ 電界が封止部材を透過して容器内へ導入されるため、 容器内に均一 にマイ ク ロ波を導入するこ とができる。
第 9発明に係るプラズマ処理装置は、 マイ クロ波を放射するアン テナと、 前記アンテナから放射されるマイ クロ波が導入されるべき 容器と、 前記容器内に設けられており、 前記容器内へ導入されたマ イ ク口波によってプラズマ処理されるべきワークが載置されるテー ブルと、 前記容器内に設けられており、 高周波を印加する電源に接 続されており、 前記テーブルに対向して配置された電極とを備え、 前記容器は、 前記電極の外側を囲む位置に配置されたマイ クロ波を 導入するための封止部材を有し、 前記ア ンテナは、 前記封止部材に 面して配置されており、 前記アンテナから放射されたマイ クロ波が 前記封止部材を透過して前記容器内へ導入されるべく なしてある こ とを特徴とする。
このような第 9発明に係るプラズマ処理装置では、 例えば 1 3 . 5 6 M H z付近の高周波を電極に印加するこ とによって、 アンテナ から容器内へ導入されたマイ クロ波によるプラズマの生成とは別に 電極とテーブルとの間にプラズマを生成させるこ とができる。 従つ て、 電極に印加される高周波のパワーを制御するこ とによって、 ァ ンテナから放射するマイ クロ波のパワーを調整するこ となしに、 ヮ ークの中央部及び周縁部におけるプラズマ処理の速度を均一にする こ とができる。
なお、 上述の第 9発明に対しても、 第 1 発明と同様に前述の第 2 乃至第 8発明を組み合わせるこ とが可能であるこ とは言うまでもな い。 但し、 第 9発明においてはテーブルではなく 電極に高周波を印 加する電源に接続されているため、 第 6発明を第 9発明に組み合わ せる場合には、 電極に代えてテ一ブルに高周波を印加する電源を更 に備える構成とする。 図面の簡単な説明
第 1 図は従来の装置と同タイプのプラズマ処理装置を示す側断面 図、
第 2図は第 1 図に示したプラズマ処理装置の平面図、
第 3図は本発明のプラズマ処理装置の構造を示す側断面図、 第 4図は第 3図に示したプラズマ処理装置の平面図、
第 5図は第 3図及び第 4図に示したス リ ッ トの説明図、
第 6図は第 3図に示した電極及びガス拡散のための空間の模式的 一部破断斜視図、
第 7図は実施の形態 3を示す平面図、
第 8図は実施の形態 4を示す側断面図、
第 9図は実施の形態 5を示す側断面図、
第 1 0図は実施の形態 6を示す模式的平面図、
第 1 1 図は実施の形態 7を示す模式的平面図、
第 1 2図は第 1 1 図に示したス リ ツ トの説明図、
第 1 3図は実施の形態 8を示す側断面図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の実施の形態を図面に基づいて詳述する。
(実施の形態 1 ) 第 3図は本発明に係るプラズマ処理装置の構造を示す側断面図で あり、 第 4 図は第 3図に示したプラズマ処理装置の平面図である。 有底円筒状の反応器 1 は、 その全体がたとえばアル ミ ニウムのよう な金属で形成されている。 反応器 1 の上端部には、 内周面に溝が設 けられている リ ング部材 1 0が取り付けられている。 この リ ング部材 1 0の溝に環状に配置されたマイ クロ波を導入するための封止板 4 の 外周縁部を嵌め合わせるこ とにより、 環状の封止板 4 がリ ング部材 1 0に支持されている。 この環状の封止板 4 は、 耐熱性及びマイ クロ 波透過性を有する と共に誘電損失が小さい、 たとえば石英ガラス， アル ミ ナ等の誘電体を環状板形に成形してある。
リ ング部材 1 0の上面には、 このリ ング部材 1 0の外直径と略同じ外 直径を有し、 前述した環状の封止板 4 の内直径と略同じ内直径を有 する円筒状のプロ ッ ク部材 25がリ ング部材 1 0にネジ止めされている c このブロ ッ ク部材 25はアル ミ ニゥ厶のような金属で形成されている < プロ ッ ク部材 25の環状の封止板 4 に対向する部分には、 断面視が矩 形で溝が設けられた環状導波管型ァンテナ部 1 2が形成されている。 また、 ブ π ッ ク部材 25の周面には、 環状導波管型アンテナ部 1 2に通 じる矩形の穴が開けられた導入部 1 3が形成されている。 更に、 環状 導波管型ア ンテナ部 12の底部には、 アルミニウム製の環状の板部材 1 6が嵌め合わされており、 この板部材 1 6には複数のス リ ッ ト 1 5, 1 5 …が周方向に所定の距離を隔てて設けられている。 なお、 導入部 1 3 及び環状導波管型ア ンテナ部 1 2内には、 たとえばテフ ロ ン （登録商 標） 等のフ ッ素樹脂， ポリエチ レ ン樹脂又はポリ スチ レ ン樹脂 （好 ま しく はテフ ロ ン） 等の誘電体 1 4が嵌め込まれている。
プロ ッ ク部材 25の周面であって、 導入部 1 3の開口の周囲にはマイ ク 口波発振器 30から導波管 3 1が連結されており、 マイ クロ波発振器 30が発振したマイ ク ロ波は、 導波管 31を経てアンテナ 11の導入部 13 へ入射される。 この入射波は、 導入部 13から環状導波管型アンテナ 部 12へ導入される。 環状導波管型アンテナ部 12へ導入されたマイ ク 口波は、 環状導波管型アンテナ部 12を互いに逆方向へ進行する進行 波と して、 環状導波管型アンテナ部 12内の誘電体 14中を伝播する。 両方の進行波は、 環状導波管型アンテナ部 12の導入部 13に対向する 位置で衝突して定在波が生成される。 この壁面定在波によって、 環 状導波管ァンテナ部 12の内面に、 所定の間隔で極大値を示す壁面電 流が通流する。
この際、 例えば、 誘電率 £ r = 2. 1 のテフロ ン （登録商標） が 誘電体 14と して嵌め込まれている環状導波管型ァンテナ部 12内を伝 播するマイ ク ロ波のモー ドを基本伝播モー ドである矩形 T E 1 0 に するためには、 マイ クロ波の周波数が 2. 4 5 G H zの場合、 環状 導波管型アンテナ部 12の寸法を、 高さ 2 7 mm, 幅 6 6. 2 mmに する。 このモー ドのマイ クロ波は、 エネルギを殆ど損失するこ とな く環状導波管型ァンテナ部 12内の誘電体 14を伝播する。
また、 外径が 3 8 0 mm、 内径が 1 8 0 mm、 厚さが 2 0 mmの 環状の封止板 4 を用い、 環状導波管型アンテナ部 12にテフロ ン （登 録商標） を誘電体 14と して嵌め込んである場合、 環状導波管型アン テナ部 12の中心から環状導波管型アンテナ部 12の幅方向の中央まで の寸法を、 1 4 1 mmとする。 この場合、 環状導波管型アンテナ部 12の幅方向の中央を結ぶ円の周方向の長さ （略 8 8 6 mm) は、 環 状導波管型アンテナ部 12内を伝播するマイ ク ロ波の波長 （略 1 1 0 mm) の略整数倍になる。 このため、 マイ ク ロ波は環状導波管型ァ ンテナ部 12内で共振し、 前述した定在波はその腹（ant inode)の位置 で高電圧 · 低電流、 節（node)の位置で低電圧 · 高電流となり、 アン テナ 11の Q値が向上する。
第 5 図は、 第 3図及び第 4 図に示されているス リ ッ ト 15, 15···の 説明図である。 第 5図に示されているように、 ス リ ッ ト 15, 15…は 金属製の板部材 16の環状導波管型ァ ンテナ部 12に対向する部分に、 環状導波管型ア ンテナ部 12の直径方向へ、 即ち環状導波管型ア ンテ ナ部 12内を伝播するマイ クロ波の進行方向に直交するように短冊状 に開けられている。 環状導波管型ア ンテナ部 12が前述した寸法であ る場合、 各ス リ ッ ト 15, 15···の長さを 5 O mm、 幅を 2 0 mm、 相 隣るス リ ッ ト間の距離を略 5 5 mm、 即ち後述する交点 P ι から 2 7. 5 mmの位置に 2つのス リ ッ トを開け、 それらから 5 5 mmの 間隔でス リ ッ トを開ける。
つま り、 各ス リ ッ ト 15, 15···は、 導入部 13の中心線を延長した延 長線 L と前述した円 C とが交わる 2点の内の導入部 13から離隔した 側である交点 P ^ から、 円 Cに沿ってその両方へ、 それぞれ （ 2 m - 1 ) · λ g / 4 (mは整数、 i gは環状導波管ァンテナ内を伝播 するマイ ク ロ波の波長） を隔てた位置に、 2つのス リ ッ ト 15, 15を 開け、 両ス リ ッ ト 15, 15から、 円 Cに沿ってその両方へ、 n ■ Λ g / 2 ( nは整数） を隔てて複数の他のス リ ッ ト 15， 15···を開ける と いう状態で配列されている。 即ち、 ス リ ッ ト 15， 15···は前述した定 在波の節が形成される位置に開けられる。 これによつて、 各ス リ ツ ト 15， 15…から効率良く マイ ク口波を放射するこ とができる。
なお、 本実施の形態では、 ス リ ッ ト 15， 15···はその長手方向が、 環状導波管型ア ンテナ部 12内を伝播するマイ クロ波の進行方向に直 交するように開けられているが、 本発明はこれに限らず、 マイ ク ロ 波の進行方向に斜めに交わるようにス リ ッ トを開けてもよ く 、 また マイ クロ波の進行方向に開けてもよい。 反応器 1 内に生成されたプ ラズマによって、 アンテナ 1 1内を伝播するマイ クロ波の波長が変化 し、 環状導波管アンテナ部 1 2の周壁に通流する電流の極大値を示す 位置が変化する場合があるが、 マイ クロ波の進行方向にその長手方 向が斜めになるよう に開けられたス リ ッ ト又はマイ クロ波の進行方 向にその長手方向が開けられたス リ ツ トによれば、 電流の極大値を 示す位置の変化をス リ ッ トの領域内に取り込むこ とができる。
前述したように各ス リ ッ ト 1 5 , 1 5 · · ·は、 板部材 1 6に略放射状に設 けられているため、 マイ クロ波は反応器 1 内の全領域に均一に導入 される。 一方、 第 3図に示されているように、 アンテナ 1 1は環状に 形成されているため、 反応器 1 の直径と同じ直径のブロ ッ ク部材 25 に、 その周縁から突出するこ とな く設けるこ とができる。 これによ つて、 反応器 1 の直径が大き く ても、 プラズマ処理装置のサイズを 相対的に小さ く 、 従って小スペースに設置可能なプラズマ処理装置 が実現される。
前述したプロ ッ ク部材 25の内側にはアルミ二ゥ厶が円柱状に成形 された加熱プロ ッ ク 26が、 それぞれの下面が環状の封止板 4 の下面 より も少し高い位置になるように着脱自在に嵌め込まれており、 加 熱プロ ッ ク 26には、 電極 1 8を過熱するための装置である ヒ一夕 28が 埋め込まれる状態で備えられている。
加熱プロ ッ ク 26の下面中央には円筒状の凹部が設けられており、 この凹部を導体又は半導体の材料を円板状に成形した電極 1 8で閉塞 してガス拡散のための空間 20が設けられている。 電極 1 8は加熱プロ ッ ク 26に着脱自在にネジ止めされており、 また、 電極 1 8は電気的に 接地されている。 この電極 1 8を固定するネジ及び前述した環状の封 止板 4 の下面は、 石英製の環状の板 （図示せず） によって保護され ている。 また、 反応器 1 、 リ ング部材 1 0、 環状の封止板 4、 ブロ ッ ク部材 25及び加熱プロ ッ ク 26が互いに接合する部分には、 それらを 気密状態にシールすべく 耐熱性の 0 リ ング 17， 17··· (—部省略） が それぞれ備えられている。
第 6 図は第 3図に示されている電極 18及び空間 20の模式的一部破 断斜視図である。 第 6 図に示されている如く 、 空間 20の内部は、 仕 切り壁 19によって上室 20a と下室 20b とに区分されている。 仕切り 壁 19と空間 20の天井との間、 及び仕切り壁 19と電極 18との間には、 環状部材 21， 21が介装されている。 また、 仕切り壁 19及び電極 18に は、 それらを貫通して複数の孔 22， 22…及び孔 18a , 18a …が、 上 下に位置を異ならせて開けられている。
また、 第 3図に示されている如く 、 空間 20には、 加熱ブロ ッ ク 26 を貫通する管 5が備えられている。 管 5 を通じて空間 20へ供給され たガスは、 上室 20a 内に拡散すると共に仕切り壁 19に開けられてい る孔 22, 22…から下室 20b へ供給され、 そこで拡散され均一化され た後、 電極 18に開けられている孔 18a ， 18a …から処理室 2内へ導 入される。
処理室 2 の底部壁中央には、 ワーク Wを載置するテーブル 3が昇 降自在に設けられており、 テーブル 3 にはマッチングボッ クス 6 を 介して高周波電源 7が接続されている。 また、 処理室 2の周囲壁に は、 処理室 2の内気を排出するための排気口 8が開けられている。 テーブル 3 に印加される高周波は主にプラズマ中のイオンを制御す るこ とを目的と しており、 その周波数は 2 0 0 K H z〜 2 MH z で ある。 ただし、 場合により数十 MH z までの電界を印加してもよい c このようなプラズマ処理装置を用いてワーク Wの表面にエツチン グ処理を施すための手順は以下のようになる。 まず、 ヒータ 28によ つて加熱プロ ッ ク 26及び電極 18を所要の温度に加熱する と共に、 排 気口 8 から排気して処理室 2内を所望の圧力まで減圧させた後、 管 5 を通じて空間 20内へ反応ガスを供給し、 内部で拡散及び均一化さ せた反応ガスを電極 1 8から処理室 2内へ導入する。
次いで、 マイ ク ロ波発振器 30にマイ ク ロ波を発振させ、 それを導 波管 3 1を経てア ンテナ 1 1に導入し、 環状導波管型ァ ンテナ部 1 2に定 在波を形成させる。 この定在波によって、 ア ンテナ 1 1のス リ ッ ト 1 5 , 1 5…から放射された電界は、 環状の封止板 4 を透過して処理室 2内 へ導入され、 処理室 2 内にプラズマが生成される。 また、 マイ クロ 波発振器 30による発振と同時的にマッチングボッ クス 6 を介して高 周波電源 7からテーブル 3 に高周波が印加される。 テーブル 3 と電 極 1 8との間に形成される電界によって、 生成されたプラズマ中のィ オンがワーク W上に導かれ、 ワーク Wの表面がエッチングされる。
このように、 テーブル 3 に対向して配置された電極 1 8とテーブル 3 との間に形成された電界によってプラズマ中のイオンがワーク W 上に導かれるため、 反応器 1 の内周面にプラズマ中のイオンが衝突 して損傷を与えるこ とが防止され、 反応器 1 の寿命が長く なる。 ま た、 電極 1 8は加熱プロ ッ ク 26に着脱自在にネジ止めされているため- 電極 1 8が損傷した場合、 その交換が容易である。 更に、 電界はヮー ク Wの表面に直交する方向に形成されるため、 テーブル 3 の表面に 安定したバイアス電位が発生する。 このため、 ワーク Wへ入射され るイオンの指向性が高く 、 プロセス特性が向上する。 また、 電極 1 8 を所要の温度まで加熱させるため、 プロセス特性が更に向上する。 一方、 電極 1 8の底部から処理室 2内へ反応ガスが導入されるため- 反応ガスは処理室 2のワーク W上に、 ワーク Wの直径と略同じ直径 の平断面面積を有する略均一なガス流となって供給される。 このた め、 ワーク Wの表面は略均一に処理される。 また、 処理室 2内に供 給された反応ガスのプラズマ中での滞在時間が長く なるため、 反応 ガスの利用効率が向上する。
(実施の形態 2 )
本実施の形態では、 第 3図に示した電極 18が S i , S i C , S i N、 又は P又は B等の不純物を ド一プした S i 等のシリ コ ン系材料 によって形成されている。 このため、 例えば、 フルォロカーボン系 反応ガス （ C x F y ガス） を用いてシリ コ ン酸化膜をエッチングす る場合、 フ ッ素分子は電極 18と接触して反応し、 S i F 4 と して気 化するため、 フ ッ素分子を選択的に除去するこ とができる。 これに よって、 レジス 卜のエッチングレー トに対するシリ コ ン酸化膜のェ ッチングレー トが向上し、 選択比が高いェッチングを実施する こ と ができる。
(実施の形態 3 )
第 7図は、 実施の形態 3を示す平面図であり、 マイ クロ波を導入 するための封止板に沿ったス リ ッ トを示している。 なお、 図中、 第 4図に示されている部分に対応する部分には同じ参照符号を付して その説明を省略する。 即ち、 第 7図に示した如く、 環状導波管型ァ ンテナ部 12の底部には、 第 3図に示されている環状の板部材 16を設 けずに開口させたままにしてある。 また、 環状導波管型アンテナ部 12の内部には前述した誘電体 14が嵌め込まれている。
このような構成を採る場合、 マイ クロ波は環状導波管型アンテナ 部 12の内部に嵌め込まれている誘電体 14中を伝播して定在波を形成 し、 その漏れ電界が環状の封止板 4 を透過して反応器 1 内の全領域 に均一に導入される。 またこのような構成を採る場合、 反応器 1 の 直径が大き く ても、 プラズマ処理装置のサイズを可能な限り小さ く . 従って小さなスペースに設置し得る。 更に、 電気的に接地されてい る電極によって、 前述した如く 反応器 1 の内周面にプラズマ中のィ オンが衝突して損傷を与えるこ とが防止されるため、 反応器 1 の寿 命が長く なる。 また、 電極が損傷した場合、 それの交換が容易にな る。 また、 ワーク Wへ入射されるイオンの指向性が改善され、 プロ セス特性が向上する。
(実施の形態 4 )
第 8 図は、 実施の形態 4 を示す側断面図であり、 第 3図に示され ている誘電体 14が設けられていない場合を示している。 なお、 図中- 第 3 図に示されている部分に対応する部分には同じ参照符号を付し てその説明を省略する。 第 8図に示されている如く 、 環状導波管型 アンテナ部 12の底部には、 複数のス リ ッ ト 15, 15…が開けられてい る環状の扳部材 16が嵌め合われており、 アンテナ 11は前述した誘電 体無しで空洞の導波路になつている。
この際、 環状導波管型アンテナ部 12内を伝播するマイ ク ロ波のモ ー ドを基本伝播モー ドである矩形 T E 1 0 にするためには、 マイ ク 口波の周波数が 2. 4 5 G H zである場合、 環状導波管型ァ ンテナ 部 12の寸法を、 高さ 2 7 mm, 幅 9 6 mmにする。 また、 外径が 4 4 0 mm, 内径が 1 6 0 mm、 厚さが 2 0 mmである環状の封止板 4 を配置し、 環状導波管型アンテナ部 12は、 その中心から幅方向の 中央までの寸法を 1 5 1 mmにする。 この場合、 環状導波管型アン テナ部 12の幅方向の中央を結ぶ円の周方向の長さは、 環状導波管型 アンテナ部 12内を伝播するマイ ク ロ波の波長 （略 1 5 8 mm) の略 整数倍になる。 また、 環状導波管型アンテナ部 12に設られた板部材 16に、 長さが 8 0 mmであり、 幅が 2 0 mmであるス リ ッ ト 15, 15 …を、 略 7 9 mmの間隔で開ける。
マイ ク口波発振器 30から発振されたマイ クロ波は、 導波管 31を経 てアンテナ 11に導入され、 そこに定在波が形成される。 この定在波 によって、 アンテナ Hのス リ ッ ト 15， 15···から放射された電界は、 環状の封止板 4 を透過して処理室 2内へ導入され、 処理室 2内にプ ラズマが生成される。
これによつて、 前述同様、 マイ クロ波が環状導波管型アンテナ部 12から反応器 1 内の全領域に均一に導入される一方、 反応器 1 の直 径が大き く ても、 プラズマ処理装置のサイズを可能な限り小さ く す るこ とができ、 従って小さなスペースに設置し得る。 また、 電気的 に接地された電極 18によって、 反応器 1 の内周面にプラズマ中のィ オンが衝突して損傷を与えるこ とが防止されるため、 反応器 1 の寿 命が長く なる。 更に、 電極 18が損傷した場合、 それの交換が容易に なる。 更に、 電極 18によって、 ワーク Wへ入射されるイオンの指向 性が改善され、 プロセス特性が向上する。
(実施の形態 5 )
第 9 図は、 実施の形態 5 を示す側断面図であり、 電極 18に高周波 を印加する構成が採られている。 なお、 図中、 第 3図に示されてい る部分に対応する部分には同じ参照符号を付してその説明を省略す る。 第 9図に示されている如く、 電極 18はマッチングボッ クス 39を 介して第 2高周波電源 38に接続されており、 この第 2高周波電源 38 から電極 18に例えば 1 3. 5 6 MH zの高周波が印加される。
このようなプラズマ処理装置では、 マイ ク ロ波発振器 30にマイ ク 口波を発振させる と共に、 第 2高周波電源 38から電極 18に 1 3. 5 6 MH zの高周波を印加し、 処理室 2内の電極 18に対向する領域に プラズマを生成させる。 このように、 アンテナ 11で囲まれた中央部 分、 即ち電極 18の直下にもプラズマが生成されるため、 テーブル 3 と環状の封止板 4 との間の距離が短い場合であっても、 テーブル 3 の表面と同一平面内において略均一なプラズマを得るこ とができる また、 マイ ク ロ波によるプラズマの生成とは別に、 電極 18に高周 波を印加する こ とによって処理室 2 内にプラズマを生成させるこ と ができる。 このため、 電極 18に印加される高周波のパワーを制御す るこ とによって、 マイ ク口波発振器 30が発振するマイ クロ波のパヮ 一を調整する こ となしに、 ワーク Wの中央部及び周縁部におけるプ ラズマ処理の速度を均一にするこ とができる。
更に、 高周波電源 7からテーブル 3 に V a s i n ( ω t ) ( ωは 角周波数、 t は時間） の高周波電界を印加し、 第 2高周波電源 38か ら電極 18に { — V b s i n ( ω t ) } の高周波電界を印加する こ と によって、 プラズマ中のイオンに与える電位を （V a + V b ) と し て、 エッチングの異方性を向上させる こ とができる。
このとき、 テーブル 3 には、 プラズマ中のイオン制御を目的と し て例えば 2 0 0 K H z〜 2 M H z程度の高周波電界を印加し、 電極 18には、 プラズマの生成を目的と して、 テーブル 3 に印加される周 波数よ り も高い周波数である、 例えば 1 3 . 5 6 M H zの高周波電 界が印加される。
(実施の形態 6 )
第 1 0図は、 実施の形態 6 を示す模式的平面図であり、 前述した 導入部の環状導波管型アンテナ部への連結位置を変更した場合を示 している。 なお、 図中、 第 4図に示されている部分に対応する部分 には同じ参照符号を付してその説明を省略する。 本実施の形態に係 るアンテナ 21は、 導入部 23が環状導波管型ァンテナ部 22の接線方向 になるよう に連結されている。 板部材 24には、 導入部 23の中心線を 延長した延長線が環状導波管型ア ンテナ部 22の幅方向の中点を結ぶ 円に接する接点を通る法線と上述の円とが交わる 2つの点の内の、 上述の接点以外の交点 P 2 から、 上述の円に沿ってその両方へ、 そ れぞれ （ 2 m— 1 ) · λ g / A (mは整数、 i gはア ンテナ内を伝 播するマイ クロ波の波長） を隔てた位置に、 2つのスリ ッ ト 15, 15 が開けられている。 更に、 両ス リ ッ ト 15, 15から、 上述の円に沿つ てその両方へ、 n ■ i g / 2を隔てて複数の他のスリ ッ ト 15, 15··· が開けられている。
(実施の形態 7 )
第 1 1 図は、 実施の形態 7を示す模式的平面図であり、 アンテナ の形状が変更されている。 なお、 両図中、 第 1 0図に示されている 部分に対応する部分には同じ参照符号を付してその説明を省略する c ア ンテナ 34の一端は、 マイ ク口波発振器 30に連接した導波管 31が連 結されており、 アンテナ 34の他端は閉塞されている。 アンテナ 34の 一端側は直線状に形成されており、 他端側は C字状 （円弧状） 又は 一巻きの渦巻き状 （第 3図に示されている例では C字状） 等の適宜 の曲率で成形した曲成部 35として形成されている。 了 ンテナ 34の底 部には板部材 36が嵌め合わされており、 板部材 36の曲成部 35に対応 する部分には複数のスリ ッ ト 15, 15···が開けられている。
第 1 2図は、 第 1 1 図に示されているスリ ッ ト 15， 15…の説明図 である。 第 1 2図に示されているように、 ス リ ッ ト 15, 15···は、 板 部材 36の曲成部 35に対向する部分に、 曲成部 35の中心軸 37と直交す るように開けられており、 各ス リ ッ ト 15, 15…が開けられている位 置は、 ア ンテナの閉塞側の端部から η · λ g Z 2の位置に定められ ている。 つま り、 各スリ ッ ト 15, 15…はァンテナ内の底面に通流す る電流の極大値を示す位置に開けられており、 各スリ ッ ト 15, 15··· を挟んで生じる電位差によって各スリ ッ ト 15， 15…から電界が放射 され、 この電界は環状の封止扳 4 を透過して反応器 1 (共に第 3図 参照） 内へ導入される。
(実施の形態 8 )
第 1 3図は、 実施の形態 8 を示す側断面図であり、 電極 1 8に高周 波を印加し、 テーブル 3 を電気的に接地する構成をとつている。 な お、 図中、 第 3図に示されている部分に対応する部分には同じ参照 符号を付してその説明を省略する。 第 1 3 図に示されている如く 、 電極 1 8はマ ッチングボッ クス 39を介して高周波電源 40に接続されて おり、 この高周波電源 40から電極 1 8に 1 3 . 5 6 M H z程度の高周 波が印加される。 また、 テーブル 3 は電気的に接地されている。
このようなプラズマ処理装置では、 実施の形態 5 に示されている 装置と同様に、 アンテナ 1 1で囲まれた中央部分、 即ち電極 1 8の直下 にもプラズマが生成される。 このため、 テーブル 3 と環状の封止板 4 との間の距離が短い場合であっても、 テーブル 3 の表面と同一平 面内において略均一なプラズマを得るこ とができる。
また、 マイ ク ロ波によるプラズマの生成とは別に、 電極 1 8に高周 波を印加するこ とによって処理室 2内にプラズマを生成させる こ と ができる。 このため、 電極 1 8に印加される高周波のパワーを制御す るこ とによって、 マイ クロ波発振器 30から発振させるマイ ク ロ波の パワーを調整するこ となしに、 ワーク Wの中央部及び周縁部におけ るプラズマ処理の速度を均一にするこ とができる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . マイ ク ロ波を放射するア ンテナと、
前記ァンテナから放射されるマイ ク ロ波が導入されるべき容器と. 前記容器内に設けられており、 高周波を印加する電源に接続され ており、 前記容器内へ導入されたマイ ク ロ波によってプラズマ処理 されるべきワークが載置されるテーブルと、
前記容器内に設けられており、 前記テーブルに対向して配置され た電極と
を備え、
前記容器は、 前記電極の外側を囲む位置に配置された封止部材を 有し、
前記アンテナは、 前記封止部材に面して配置されており、
前記アンテナから放射されたマイ ク口波が前記封止部材を透過し て前記容器内へ導入されるべく なしてあるこ とを特徴とするプラズ マ処理装置。
2 . 前記電極はシ リ コ ン系の材料で形成されているこ とを特徴と する請求項 1 に記載のプラズマ処理装置。
3 . 前記電極は、 前記容器内へガスを導入するための経路が接続 されており、 前記容器内へガスを供給するための孔が開けられてい るこ とを特徴とする請求項 1 又は 2 に記載のプラズマ処理装置。
4 . 前記経路に、 導入されたガスを拡散させるための空間が設け られている こ とを特徴とする請求項 3 に記載のプラズマ処理装置。
5 . 前記電極の温度を調整するための装置を更に備えるこ とを特 徵とする請求項 1 乃至 4 のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
6 . 前記電極に高周波を印加する電源を更に備えるこ とを特徴と する請求項 1 乃至 5 のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
7 . 前記ア ンテナは、 マイ クロ波を導く 導波路を環状、 C字状又 は渦巻き状に曲成して構成されており、 前記導波路の前記封止部材 に対向する部分にス リ ッ トが開けられているこ とを特徴とする請求 項 1 乃至 6 のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
8 . 前記導波路内に、 誘電体が嵌め込まれている こ とを特徴とす る請求項 7 に記載のプラズマ処理装置。
9 . マイ ク ロ波を放射するアンテナと、
前記アンテナから放射されるマイ ク ロ波が導入されるべき容器と 前記容器内に設けられており、 前記容器内へ導入されたマイ ク 口 波によってプラズマ処理されるべきワークが載置されるテ一ブルと. 前記容器内に設けられており、 高周波を印加する電源に接続され ており、 前記テーブルに対向して配置された電極と
を備え、
前記容器は、 前記電極の外側を囲む位置に配置された封止部材を 有し、
前記アンテナは、 前記封止部材に面して配置されており、
前記ァンテナから放射されたマイ クロ波が前記封止部材を透過し て前記容器内へ導入されるべく なしてある こ とを特徴とするプラズ マ処理装置。
1 0 . 前記電極はシ リ コ ン系の材料で形成されているこ とを特徴 とする請求項 9 に記載のプラズマ処理装置。
1 1 . 前記電極は、 前記容器内へガスを導入するための経路が接 続されており、 前記容器内へガスを供給するための孔が開けられて いるこ とを特徴とする請求項 9又は 1 0 に記載のプラズマ処理装置 <
1 2 . 前記経路に、 導入されたガスを拡散させるための空間が設 けられているこ とを特徴とする請求項 1 1 に記載のプラズマ処理装
1 3 . 前記電極の温度を調整するための装置を更に備えるこ とを 特徴とする請求項 9乃至 1 2のいずれかに記載のプラズマ処理装置,
1 4 . 前記テーブルに高周波を印加する電源を更に備える こ とを 特徴とする請求項 9乃至 1 3 のいずれかに記載のプラズマ処理装置,
1 5 . 前記ア ンテナは、 マイ ク ロ波を導く導波路を環状、 C字状 又は渦巻き状に曲成して構成されており、 前記導波路の前記封止部 材に対向する部分にス リ ッ トが開けられているこ とを特徴とする請 求項 9 乃至 1 4 のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
1 6 . 前記導波路内に、 誘電体が嵌め込まれているこ とを特徴と する請求項 1 5 に記載のプラズマ処理装置。
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4245771B2 (ja) * 2000-03-21 2009-04-02 東京エレクトロン株式会社 耐プラズマ部材、電磁波透過窓用部材およびプラズマ処理装置
JP3501715B2 (ja) * 2000-03-21 2004-03-02 シャープ株式会社 プラズマプロセス装置
US6847003B2 (en) * 2000-10-13 2005-01-25 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP4366856B2 (ja) * 2000-10-23 2009-11-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7445817B2 (en) * 2002-05-08 2008-11-04 Btu International Inc. Plasma-assisted formation of carbon structures
US20060228497A1 (en) * 2002-05-08 2006-10-12 Satyendra Kumar Plasma-assisted coating
US20060233682A1 (en) * 2002-05-08 2006-10-19 Cherian Kuruvilla A Plasma-assisted engine exhaust treatment
US20060237398A1 (en) * 2002-05-08 2006-10-26 Dougherty Mike L Sr Plasma-assisted processing in a manufacturing line
US20050233091A1 (en) * 2002-05-08 2005-10-20 Devendra Kumar Plasma-assisted coating
CN100436763C (zh) * 2002-05-08 2008-11-26 Btu国际公司 等离子体辅助发动机排气处理
US7638727B2 (en) * 2002-05-08 2009-12-29 Btu International Inc. Plasma-assisted heat treatment
US7504061B2 (en) * 2002-05-08 2009-03-17 Leonhard Kurz Gmbh & Co., Kg Method of decorating large plastic 3D objects
US20060057016A1 (en) * 2002-05-08 2006-03-16 Devendra Kumar Plasma-assisted sintering
US7497922B2 (en) * 2002-05-08 2009-03-03 Btu International, Inc. Plasma-assisted gas production
US7189940B2 (en) * 2002-12-04 2007-03-13 Btu International Inc. Plasma-assisted melting
WO2006127037A2 (en) * 2004-11-05 2006-11-30 Dana Corporation Atmospheric pressure processing using microwave-generated plasmas
US10463061B2 (en) 2004-11-19 2019-11-05 Dsm Ip Assets B.V. Modified plant gums for preparations of active ingredients
DE102007028293B4 (de) * 2007-06-20 2009-09-03 Universität Augsburg Plasmareaktor, dessen Verwendung und Verfahren zur Herstellung einkristalliner Diamantschichten
JP5916534B2 (ja) * 2012-06-26 2016-05-11 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US9355821B2 (en) * 2013-06-19 2016-05-31 Institute Of Nuclear Energy Research Atomic Energy Council, Executive Yuan Large-area plasma generating apparatus
US9743465B2 (en) * 2014-05-19 2017-08-22 Raytheon Company Microwave module lid
KR102619949B1 (ko) * 2016-05-16 2024-01-03 삼성전자주식회사 안테나, 그를 포함하는 마이크로파 플라즈마 소스, 플라즈마 처리 장치
US10748745B2 (en) 2016-08-16 2020-08-18 Applied Materials, Inc. Modular microwave plasma source
US10707058B2 (en) * 2017-04-11 2020-07-07 Applied Materials, Inc. Symmetric and irregular shaped plasmas using modular microwave sources
US11037764B2 (en) 2017-05-06 2021-06-15 Applied Materials, Inc. Modular microwave source with local Lorentz force
US10504699B2 (en) 2018-04-20 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Phased array modular high-frequency source
US11081317B2 (en) 2018-04-20 2021-08-03 Applied Materials, Inc. Modular high-frequency source
US11393661B2 (en) 2018-04-20 2022-07-19 Applied Materials, Inc. Remote modular high-frequency source
JP2020092195A (ja) * 2018-12-06 2020-06-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP7450475B2 (ja) * 2020-06-30 2024-03-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06112138A (ja) * 1992-09-30 1994-04-22 Sumitomo Metal Ind Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JPH06112141A (ja) * 1992-09-25 1994-04-22 Sumitomo Metal Ind Ltd マイクロ波プラズマ装置
JPH07335633A (ja) * 1994-06-14 1995-12-22 Nec Corp プラズマ処理装置
JPH097793A (ja) * 1995-06-15 1997-01-10 Sumitomo Metal Ind Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JPH10242124A (ja) * 1997-02-26 1998-09-11 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JPH1140397A (ja) * 1997-05-22 1999-02-12 Canon Inc 環状導波路を有するマイクロ波供給器及びそれを備えたプラズマ処理装置及び処理方法
JPH1197424A (ja) * 1997-09-22 1999-04-09 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ処理装置
JPH11121196A (ja) * 1997-10-20 1999-04-30 Sumitomo Metal Ind Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JPH11204295A (ja) * 1998-01-12 1999-07-30 Sumitomo Metal Ind Ltd マイクロ波プラズマ処理装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS625600A (ja) 1985-06-28 1987-01-12 住友金属工業株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
JPH0695479B2 (ja) 1985-10-25 1994-11-24 住友金属工業株式会社 マイクロ波プラズマ発生装置
US5134965A (en) 1989-06-16 1992-08-04 Hitachi, Ltd. Processing apparatus and method for plasma processing
US6165311A (en) * 1991-06-27 2000-12-26 Applied Materials, Inc. Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna
JP2588327B2 (ja) 1991-08-20 1997-03-05 株式会社ピーエフユー プリンタの用紙搬送方法
JP2886752B2 (ja) 1991-11-05 1999-04-26 キヤノン株式会社 無端環状導波管を有するマイクロ波導入装置及び該装置を備えたプラズマ処理装置
US5487875A (en) 1991-11-05 1996-01-30 Canon Kabushiki Kaisha Microwave introducing device provided with an endless circular waveguide and plasma treating apparatus provided with said device
JPH05129095A (ja) 1991-11-06 1993-05-25 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
EP0552491B1 (en) * 1992-01-24 1998-07-15 Applied Materials, Inc. Plasma etch process and plasma processing reactor
JPH06232081A (ja) * 1993-02-08 1994-08-19 Yasuhiro Horiike Ｉｃｐプラズマ処理装置
JPH06267863A (ja) * 1993-03-15 1994-09-22 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
EP0688038B1 (en) * 1994-06-14 2001-12-19 Sumitomo Metal Industries, Ltd. Microwave plasma processing system
JP3429391B2 (ja) * 1995-05-22 2003-07-22 株式会社アルバック プラズマ処理方法及び装置
JPH099973A (ja) * 1995-06-27 1997-01-14 Chisso Corp ロードコッカス属細菌由来のニトリルヒドラターゼ遺伝子およびアミダーゼ遺伝子
JPH09167696A (ja) * 1995-12-15 1997-06-24 Sony Corp 誘導結合プラズマ処理装置
KR970071945A (ko) * 1996-02-20 1997-11-07 가나이 쯔도무 플라즈마처리방법 및 장치
JP3082659B2 (ja) 1996-03-18 2000-08-28 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
TW328617B (en) 1996-03-28 1998-03-21 Sumitomo Metal Ind Plasma processing device and plasma processing method
JPH10172792A (ja) * 1996-12-05 1998-06-26 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
TW385623B (en) * 1997-10-20 2000-03-21 Sumitomo Metal Ind Apparatus and method for microwave plasma process
JP3093718B2 (ja) 1998-03-25 2000-10-03 キヤノン株式会社 マイクロ波導入装置及び表面処理方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06112141A (ja) * 1992-09-25 1994-04-22 Sumitomo Metal Ind Ltd マイクロ波プラズマ装置
JPH06112138A (ja) * 1992-09-30 1994-04-22 Sumitomo Metal Ind Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JPH07335633A (ja) * 1994-06-14 1995-12-22 Nec Corp プラズマ処理装置
JPH097793A (ja) * 1995-06-15 1997-01-10 Sumitomo Metal Ind Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JPH10242124A (ja) * 1997-02-26 1998-09-11 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JPH1140397A (ja) * 1997-05-22 1999-02-12 Canon Inc 環状導波路を有するマイクロ波供給器及びそれを備えたプラズマ処理装置及び処理方法
JPH1197424A (ja) * 1997-09-22 1999-04-09 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ処理装置
JPH11121196A (ja) * 1997-10-20 1999-04-30 Sumitomo Metal Ind Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JPH11204295A (ja) * 1998-01-12 1999-07-30 Sumitomo Metal Ind Ltd マイクロ波プラズマ処理装置

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