JPH06112141A - マイクロ波プラズマ装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ装置Info
- Publication number
- JPH06112141A JPH06112141A JP4280565A JP28056592A JPH06112141A JP H06112141 A JPH06112141 A JP H06112141A JP 4280565 A JP4280565 A JP 4280565A JP 28056592 A JP28056592 A JP 28056592A JP H06112141 A JPH06112141 A JP H06112141A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric plate
- plasma
- dielectric
- reaction chamber
- microwave
- Prior art date
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電体板の破損を防止することができるマイ
クロ波プラズマ装置を提供する。 【構成】 誘電体線路５と対向する誘電体板４の、プラ
ズマ室２の側壁と接している側面にヒータ６を備える。
クロ波プラズマ装置を提供する。 【構成】 誘電体線路５と対向する誘電体板４の、プラ
ズマ室２の側壁と接している側面にヒータ６を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波を用いて発
生させたプラズマを利用して成膜，エッチング，アッシ
ング等の処理を行うマイクロ波プラズマ装置に関する。
生させたプラズマを利用して成膜，エッチング，アッシ
ング等の処理を行うマイクロ波プラズマ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のマイクロ波プラズマ装置を
示す模式的断面図である。図中１は、反応室であり、そ
の上方にはプラズマを生成するためのガスを導入するガ
ス導入管2aが配設されたプラズマ室２が連設されてお
り、反応室１とプラズマ室２とは複数の孔を有するシャ
ワーヘッド３により仕切られている。このプラズマ室２
の上部はマイクロ波の透過が可能であり誘導損失が小さ
い、例えばセラミック板からなる誘電体板４にて気密状
態に封止されている。さらにこの誘電体板４の上方に
は、空間を隔ててマイクロ波を伝搬させる例えばフッ素
樹脂からなる板5aを固定してなる誘電体線路５が設置さ
れている。一方反応室１内のシャワーヘッド３寄りの中
央部には試料台1aが設置されており、水平に試料Ｓを載
置するようになしてある。また反応室１の下部には排気
管1bが連結されており、反応室１内の排気を行えるよう
になっている。
示す模式的断面図である。図中１は、反応室であり、そ
の上方にはプラズマを生成するためのガスを導入するガ
ス導入管2aが配設されたプラズマ室２が連設されてお
り、反応室１とプラズマ室２とは複数の孔を有するシャ
ワーヘッド３により仕切られている。このプラズマ室２
の上部はマイクロ波の透過が可能であり誘導損失が小さ
い、例えばセラミック板からなる誘電体板４にて気密状
態に封止されている。さらにこの誘電体板４の上方に
は、空間を隔ててマイクロ波を伝搬させる例えばフッ素
樹脂からなる板5aを固定してなる誘電体線路５が設置さ
れている。一方反応室１内のシャワーヘッド３寄りの中
央部には試料台1aが設置されており、水平に試料Ｓを載
置するようになしてある。また反応室１の下部には排気
管1bが連結されており、反応室１内の排気を行えるよう
になっている。
【０００３】このような従来装置においては、図示しな
いマイクロ波発振器より導入されたマイクロ波は誘電体
線路５内の板5aを伝搬し、さらに誘電体板４を透過して
プラズマ室２へ導入される。さらにガス導入管2aからガ
スがプラズマ室２へ導入されてプラズマが生成される。
このプラズマは複数の孔を有するシャワーヘッド３を透
過して、減圧状態の反応室１へ導入され試料台1a上の試
料Ｓへ達し処理を行う。
いマイクロ波発振器より導入されたマイクロ波は誘電体
線路５内の板5aを伝搬し、さらに誘電体板４を透過して
プラズマ室２へ導入される。さらにガス導入管2aからガ
スがプラズマ室２へ導入されてプラズマが生成される。
このプラズマは複数の孔を有するシャワーヘッド３を透
過して、減圧状態の反応室１へ導入され試料台1a上の試
料Ｓへ達し処理を行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来装置に
おいては、プラズマによる温度上昇のため誘電体板４が
加熱される。しかしながら、誘電体板４はその両端部が
プラズマ室２の側壁に接しているために、この部分から
は熱が伝導して外周部は中央部より低温になる。また中
央部においてはプラズマ密度が高いため外周部より加熱
量が多い。そして長時間処理を行うと、この温度差は益
々拡大されて熱応力により誘電体板４が破損するという
問題があった。本発明は、かかる事情に鑑みてなされた
ものであり、中央部と外周部との温度差を縮小すること
により、誘電体板の破損を防止することができるマイク
ロ波プラズマ装置を提供することを目的とする。
おいては、プラズマによる温度上昇のため誘電体板４が
加熱される。しかしながら、誘電体板４はその両端部が
プラズマ室２の側壁に接しているために、この部分から
は熱が伝導して外周部は中央部より低温になる。また中
央部においてはプラズマ密度が高いため外周部より加熱
量が多い。そして長時間処理を行うと、この温度差は益
々拡大されて熱応力により誘電体板４が破損するという
問題があった。本発明は、かかる事情に鑑みてなされた
ものであり、中央部と外周部との温度差を縮小すること
により、誘電体板の破損を防止することができるマイク
ロ波プラズマ装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係るマイクロ波
プラズマ装置は、マイクロ波を伝搬する誘電体線路と、
該誘電体線路により伝搬されたマイクロ波を透過させる
誘電体板と、該誘電体板を透過したマイクロ波を導入し
てプラズマを発生させるプラズマ室と、前記プラズマを
導入して試料の処理を行う反応室とを備えるマイクロ波
プラズマ装置において、前記誘電体板の側面に加熱装置
を備えることを特徴とする。
プラズマ装置は、マイクロ波を伝搬する誘電体線路と、
該誘電体線路により伝搬されたマイクロ波を透過させる
誘電体板と、該誘電体板を透過したマイクロ波を導入し
てプラズマを発生させるプラズマ室と、前記プラズマを
導入して試料の処理を行う反応室とを備えるマイクロ波
プラズマ装置において、前記誘電体板の側面に加熱装置
を備えることを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明にあっては、誘電体板の側面に取り付け
た加熱装置により誘電体板の外周部を加熱するので、中
央部と外周部との温度差を縮小することができる。
た加熱装置により誘電体板の外周部を加熱するので、中
央部と外周部との温度差を縮小することができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
き具体的に説明する。図１は本発明に係るマイクロ波プ
ラズマ装置を示す模式的断面図である。図中１は、反応
室であり、その上方にはプラズマを生成するためのガス
を導入するガス導入管2aが配設されたプラズマ室２が連
設されており反応室１とプラズマ室２とは複数の孔を有
するシャワーヘッド３により仕切られている。このプラ
ズマ室２の上部はマイクロ波の透過が可能であり誘導損
失が小さい、例えばセラミック板からなる誘電体板４に
て気密状態に封止されている。この誘電体板４の、プラ
ズマ室２の側壁と接している側面にはヒータ６が取り付
けられており、誘電体板４の外周部を加熱することがで
きるようになしてある。さらにこの誘電体板４の上方に
は、空間を隔ててマイクロ波を伝搬させる例えばフッ素
樹脂からなる板5aを固定してなる誘電体線路５が設置さ
れている。一方反応室１内のシャワーヘッド３寄りの中
央部には試料台1aが設置されており、水平に試料Ｓを載
置するようになしてある。また反応室１の下部には排気
管1bが連結されており、反応室１内の排気を行えるよう
になっている。
き具体的に説明する。図１は本発明に係るマイクロ波プ
ラズマ装置を示す模式的断面図である。図中１は、反応
室であり、その上方にはプラズマを生成するためのガス
を導入するガス導入管2aが配設されたプラズマ室２が連
設されており反応室１とプラズマ室２とは複数の孔を有
するシャワーヘッド３により仕切られている。このプラ
ズマ室２の上部はマイクロ波の透過が可能であり誘導損
失が小さい、例えばセラミック板からなる誘電体板４に
て気密状態に封止されている。この誘電体板４の、プラ
ズマ室２の側壁と接している側面にはヒータ６が取り付
けられており、誘電体板４の外周部を加熱することがで
きるようになしてある。さらにこの誘電体板４の上方に
は、空間を隔ててマイクロ波を伝搬させる例えばフッ素
樹脂からなる板5aを固定してなる誘電体線路５が設置さ
れている。一方反応室１内のシャワーヘッド３寄りの中
央部には試料台1aが設置されており、水平に試料Ｓを載
置するようになしてある。また反応室１の下部には排気
管1bが連結されており、反応室１内の排気を行えるよう
になっている。
【０００８】このような本発明装置においては、図示し
ないマイクロ波発振器より導入されたマイクロ波は誘電
体線路５内の板5a全体へ広がり、板5aの表面に表面波が
伝搬し、この表面波が誘電体板４を透過してプラズマ室
２へ導入される。さらにガス導入管2aからガスがプラズ
マ室２へ導入されてプラズマが生成される。このプラズ
マはシャワーヘッド３を透過して、減圧状態の反応室１
へ導入され試料台1a上の試料Ｓへ達し処理を行う。
ないマイクロ波発振器より導入されたマイクロ波は誘電
体線路５内の板5a全体へ広がり、板5aの表面に表面波が
伝搬し、この表面波が誘電体板４を透過してプラズマ室
２へ導入される。さらにガス導入管2aからガスがプラズ
マ室２へ導入されてプラズマが生成される。このプラズ
マはシャワーヘッド３を透過して、減圧状態の反応室１
へ導入され試料台1a上の試料Ｓへ達し処理を行う。
【０００９】そして処理が長時間に及ぶ場合はヒータ６
により誘電体板４の外周部を加熱しながら処理を行う。
マイクロ波の導入方向をｘ軸方向とすると（図２(a))、
誘電体板４の温度分布は図２(b) の示す如くになる。実
線は本発明装置の場合を示し、破線は加熱しない（従来
装置）場合を示す。図２(b) より明らかな如く従来装置
では誘電体板の中央部と外周部との温度差は約 100℃で
あったが、本発明装置によれば30℃程度にまで縮小され
た。
により誘電体板４の外周部を加熱しながら処理を行う。
マイクロ波の導入方向をｘ軸方向とすると（図２(a))、
誘電体板４の温度分布は図２(b) の示す如くになる。実
線は本発明装置の場合を示し、破線は加熱しない（従来
装置）場合を示す。図２(b) より明らかな如く従来装置
では誘電体板の中央部と外周部との温度差は約 100℃で
あったが、本発明装置によれば30℃程度にまで縮小され
た。
【００１０】中央部と外周部との温度差が50℃以下であ
れば誘電体板の破損は防止可能であると推定されてお
り、本実施例では30℃程度までこの温度差の縮小が実現
したので誘電体板の破損はなかった。
れば誘電体板の破損は防止可能であると推定されてお
り、本実施例では30℃程度までこの温度差の縮小が実現
したので誘電体板の破損はなかった。
【００１１】
【発明の効果】以上のように本発明に係るマイクロ波プ
ラズマ装置では、誘電体板の側面に加熱装置を備えるの
で、誘電体板の中央部と外周部との温度差を大幅に縮小
することが可能となり、長時間処理を行っても誘電体板
の破損を防止することができる等、本発明は優れた効果
を奏する。
ラズマ装置では、誘電体板の側面に加熱装置を備えるの
で、誘電体板の中央部と外周部との温度差を大幅に縮小
することが可能となり、長時間処理を行っても誘電体板
の破損を防止することができる等、本発明は優れた効果
を奏する。
【図１】本発明に係るマイクロ波プラズマ装置を示す模
式的断面図である。
式的断面図である。
【図２】誘電体板の温度分布を示すグラフである。
【図３】従来のマイクロ波プラズマ装置を示す模式的断
面図である。
面図である。
１ 反応室 1a 試料台 1b 排気管 ２ プラズマ室 2a ガス導入管 ３ シャワーヘッド ４ 誘電体板 ５ 誘電体線路 ６ ヒータ Ｓ 試料
Claims (1)
- 【請求項１】 マイクロ波を伝搬する誘電体線路と、該
誘電体線路により伝搬されたマイクロ波を透過させる誘
電体板と、該誘電体板を透過したマイクロ波を導入して
プラズマを発生させるプラズマ室と、前記プラズマを導
入して試料の処理を行う反応室とを備えるマイクロ波プ
ラズマ装置において、前記誘電体板の側面に加熱装置を
備えることを特徴とするマイクロ波プラズマ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4280565A JPH06112141A (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | マイクロ波プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4280565A JPH06112141A (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | マイクロ波プラズマ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112141A true JPH06112141A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17626807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4280565A Pending JPH06112141A (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | マイクロ波プラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112141A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999066769A1 (fr) * | 1998-06-19 | 1999-12-23 | Sumitomo Metal Industries Limited | Processeur plasmique |
| KR100416308B1 (ko) * | 1999-05-26 | 2004-01-31 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
| WO2014109049A1 (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-17 | 株式会社島津製作所 | 表面波励起プラズマ処理装置 |
-
1992
- 1992-09-25 JP JP4280565A patent/JPH06112141A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999066769A1 (fr) * | 1998-06-19 | 1999-12-23 | Sumitomo Metal Industries Limited | Processeur plasmique |
| US6358361B1 (en) | 1998-06-19 | 2002-03-19 | Sumitomo Metal Industries Limited | Plasma processor |
| KR100416308B1 (ko) * | 1999-05-26 | 2004-01-31 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
| US6830652B1 (en) | 1999-05-26 | 2004-12-14 | Tokyo Electron Limited | Microwave plasma processing apparatus |
| US7520245B2 (en) | 1999-05-26 | 2009-04-21 | Tadahiro Ohmi | Plasma processing apparatus |
| US7819082B2 (en) | 1999-05-26 | 2010-10-26 | Tadahiro Ohmi | Plasma processing apparatus |
| WO2014109049A1 (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-17 | 株式会社島津製作所 | 表面波励起プラズマ処理装置 |
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