JP2001338918A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
ラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】マイクロ波の波長を距離単位として表すラ
ジアルラインスロットアンテナ6の下面と誘電体板2の
下面との間隔Dが約1/2となるように、ラジアルライ
ンスロットアンテナ6の下面と誘電体板2の上面との間
の距離d1が6mmに設定され、誘電体板2の厚みd2が
30mmに設定されている。 【効果】ラジアルラインスロットアンテナ6の下面とプ
ラズマ励起面との間の領域に良好な定在波を形成するこ
とができ、これにより、処理空間3内に高密度なプラズ
マを発生させることができる。
Description
基板などの被処理物に、マイクロ波の放射により励起さ
れたプラズマによる処理を施すプラズマ処理装置に関す
る。
ハ表面を窒化・酸化させて表面材質を変化させる表面改
質処理やレジスト除去のためのアッシング処理、ウエハ
表面に絶縁膜などの材料を堆積させて薄膜を形成する成
膜処理や、ウエハ表面に形成された薄膜を微細パターン
に加工するためのエッチング処理が行われる。このよう
な処理のための装置として、RLSA(Radial Line Sl
ot Antenna)プラズマ処理装置が注目されている。
された処理チャンバと、この処理チャンバの上面を閉塞
するように設けられた誘電体板とを有しており、これら
の処理チャンバおよび誘電体板で囲まれた空間が、被処
理物としての半導体ウエハにプラズマ処理を施すための
処理空間となっている。処理空間内には、半導体ウエハ
を載置して保持するためのウエハステージが設けられて
いる。また、誘電体板の上方には、誘電体板を通して処
理空間内にマイクロ波を放射するためのラジアルライン
スロットアンテナが配置されている。
を用いて半導体ウエハの表面に窒化処理を施す際には、
まず、半導体ウエハが、その表面を上方に向けた状態で
ウエハステージ上に載置される。次いで、処理空間内に
処理ガス(たとえば、Ar/NH3)が供給された後、
ラジアルラインスロットアンテナから処理空間に向けて
マイクロ波が放射される。これにより、処理空間内に処
理ガスのプラズマが発生し、この発生したプラズマによ
って、ウエハステージに載置された半導体ウエハの表面
が窒化処理されていく。
全域に分布して形成された多数のスロットを有してお
り、これら多数のスロットからマイクロ波を放射するよ
うになっている。したがって、このラジアルラインスロ
ットアンテナを用いたRLSAプラズマ処理装置では、
処理空間内にマイクロ波をほぼ均一に放射することがで
きるから、処理ガスのプラズマを均一に発生させること
ができ、これにより半導体ウエハの表面に均一なプラズ
マ処理を施すことができると期待されている。
SAプラズマ処理装置は、処理空間内に発生するプラズ
マ密度が小さいために処理速度が遅く、半導体装置の製
造に実際に用いることはできなかった。そこで、この発
明の目的は、高密度なプラズマを発生させることができ
るプラズマ処理装置を提供することである。
目的を達成するための請求項1記載の発明は、被処理物
および処理ガスが収容される処理空間にマイクロ波放射
アンテナからマイクロ波を放射して、前記マイクロ波放
射アンテナのマイクロ波放射面から所定距離だけ離れた
プラズマ励起面でプラズマを励起し、その励起したプラ
ズマを用いた処理を被処理物に施すプラズマ処理装置で
あって、前記マイクロ波放射面に対向して誘電体が設け
られており、マイクロ波の波長を単位として表す前記マ
イクロ波放射面と前記誘電体の前記マイクロ波放射面に
対向する面と反対側の面との間隔Dが、 0.7×n/4≦D≦1.3×n/4(ただし、nは自
然数。) の範囲(好ましくは0.8×n/4≦D≦1.2×n/
4の範囲、さらに好ましくは0.9×n/4≦D≦1.
1×n/4の範囲)に定められていることを特徴とする
プラズマ処理装置である。
Dは0.7×n/2≦D≦1.3×n/2の範囲(好ま
しくは0.8×n/2≦D≦1.2×n/2の範囲、さ
らに好ましくは0.9×n/2≦D≦1.1×n/2の
範囲)に定められていることが好ましい。さらには、前
記マイクロ波放射面と前記プラズマ励起面との間にはマ
イクロ波の定在波が形成され、このマイクロ波の定在波
からエネルギーの供給を受けることにより、前記プラズ
マ励起面においてプラズマが励起されることが好まし
い。
単位として表す前記マイクロ波放射面と前記プラズマ励
起面との間隔Dが上記不等式で表された範囲(すなわ
ち、n/4の近傍の値。さらに好ましくはn/2の近傍
の値)に設定されることにより、マイクロ波放射面とプ
ラズマ励起面との間の領域に良好な定在波を形成するこ
とができ、これにより、処理空間内に高密度なプラズマ
を発生させることができる。したがって、このプラズマ
処理装置は、半導体装置を製造する工程などに好適に用
いることができる。
クロ波放射面と前記プラズマ励起面との間には誘電体板
が介在されていることが好ましく、この場合において、
誘電体板とマイクロ波放射面との間隔が微小であれば、
誘電体板の厚みdを、 0.7×n/4≦d≦1.3×n/4(ただし、dはマ
イクロ波の波長を単位として表した厚さである。) の範囲に定めてもよい。
射アンテナは、マイクロ波を放射するための多数のスロ
ットがマイクロ波放射面に分布して形成されたラジアル
ラインスロットアンテナであり、前記処理空間内に発生
するプラズマが面内均一となるように、前記多数のスロ
ットの一部が塞がれていることを特徴とする請求項1な
いし3のいずれかに記載のプラズマ処理装置である。こ
の発明によれば、ラジアルラインスロットアンテナに形
成されたスロットの一部を塞いで、ラジアルラインスロ
ットアンテナから放射されるマイクロ波の強度分布を調
整することにより、処理空間内に発生するプラズマ密度
分布の面内均一化を、プラズマ密度の高密度化と同時に
達成している。これにより、ほぼ均一なプラズマ処理
を、従来装置よりも短時間で被処理物の表面に施すこと
ができる。
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、この
発明の一実施形態に係るプラズマ窒化装置の構成を示す
図解的な断面図である。プラズマ窒化装置は、被処理物
としての半導体ウエハWの表面を窒化物に改質するもの
であり、たとえば、Si(シリコン)からなる半導体ウ
エハWの表面をSi3N4に変化させて絶縁層を形成する
工程などに用いられる。
た有底筒状の処理チャンバ1を有している。処理チャン
バ1の上部には、処理チャンバ1の開放された上面を閉
塞するように、たとえば石英からなる誘電体板2が設け
られていて、これにより、誘電体板2の下方に密閉され
た処理空間3が形成されている。処理空間3内には、半
導体ウエハWを載置して保持するためのウエハステージ
4が配置されている。また、処理チャンバ1の側壁に
は、処理空間3内に処理ガスを導入するためのガス導入
管5が接続されている。処理ガスとしては、たとえば、
Ar/NH3やAr/N2/H2などを用いることができ
る。
上面から距離d1だけ離れた位置に、ラジアルラインス
ロットアンテナ6が誘電体板2の上面に対向して設けら
れている。ラジアルラインスロットアンテナ6は、内部
にマイクロ波が伝搬可能な絶縁物のプレートを有する平
板状アンテナであり、その下面には、図2に示すよう
に、多数のスロットペアPが同心円状に配列して形成さ
れている。各スロットペアPは、互いに交差する向きを
有する一対のスロットS1,S2からなり、これらのス
ロットS1,S2は、ラジアルラインスロットアンテナ
6内におけるマイクロ波波長の1/4に相当する距離
(1/4管内波長=1/4λg)だけ離間して略T字状
をなしている。
の上面には、図示しないマイクロ波発振器から発振され
るマイクロ波を絶縁物プレートに導くための導波管7が
接続されている。この導波管7としては、たとえば、同
軸導波管を用いることができる。半導体ウエハWの表面
に窒化処理を施す際には、まず、半導体ウエハWが、そ
の表面を上方に向けた状態でウエハステージ4上に載置
される。次いで、図示しない排気機構によって処理空間
3内の雰囲気が排気され、処理空間3内がほぼ真空状態
にされた後、この処理空間3内にガス導入管5から処理
ガス(プロセスガス)が導入される。その後、処理空間
3内に処理ガスが充満した状態で、たとえば、図示しな
いマイクロ波発振器から周波数2.45GHzのマイク
ロ波が発振され、このマイクロ波がTEMモードで導波
管7内を伝搬してラジアルラインスロットアンテナ6内
に導入される。
入されたマイクロ波は、ラジアルラインスロットアンテ
ナ6内の絶縁物プレートを伝搬し、その途中でスロット
ペアPから漏れて誘電体板2に向けて放射され、さらに
誘電体板2を透過して処理空間3に放射される。この処
理空間3に放射されるマイクロ波のエネルギーにより、
処理空間3内に処理ガスのプラズマが励起され、その処
理ガスのプラズマによる処理が半導体ウエハWの表面に
施されていく。
マ中の電子密度がマイクロ波を遮蔽可能な密度(カット
オフ密度)以上になると、誘電体板2を透過してくるマ
イクロ波は、誘電体板2の下面から処理空間3内に微小
距離(スキンデプス)だけ入るまでの間に反射されるよ
うになる。その結果、ラジアルラインスロットアンテナ
6の下面(マイクロ波放射面)とマイクロ波の反射端が
形成する面(マイクロ波反射面)との間の領域にマイク
ロ波の定在波が形成され、この後は、マイクロ波反射面
がプラズマ励起面となって、このプラズマ励起面で安定
なプラズマが励起されるようになる。
トオフ密度以上になると、処理空間3内に発生するプラ
ズマの密度は、ラジアルラインスロットアンテナ6の下
面とプラズマ励起面との間に形成される定在波の状態の
影響を受けると考えられる。そして、本願発明者らは、
ラジアルラインスロットアンテナ6の下面と誘電体板2
の下面との距離を適切に設定して、ラジアルラインスロ
ットアンテナ6の下面とプラズマ励起面との間の領域に
良好な定在波を形成することにより、処理空間3内に発
生するプラズマの密度を高めることができると考えた。
置では、ラジアルラインスロットアンテナの下面と誘電
体板2の下面との間隔がマイクロ波の波長と無関係に設
定されているのに対し、このプラズマ窒化装置(プラズ
マ処理装置)では、マイクロ波の波長を距離単位として
表すラジアルラインスロットアンテナ6の下面と誘電体
板2の下面(≒プラズマ励起面)との間隔Dが約1/2
となるように、ラジアルラインスロットアンテナ6の下
面と誘電体板2の上面との間の距離d1および誘電体板
2の厚みd2が設定されている。この実施形態では、た
とえば、ラジアルラインスロットアンテナ6の下面と誘
電体板2の上面との間の距離d1が6mmに設定され、誘
電体板2の厚みd2が30mmに設定されている。
て表すラジアルラインスロットアンテナ6の下面と誘電
体板2の下面との間隔Dは、空気中におけるマイクロ波
の波長をλ0とし、誘電体板2中におけるマイクロ波の
波長をλとすると、 D=(d1/λ0)+(d2/λ) と表される。誘電体板2中におけるマイクロ波の波長λ
は、誘電体板2の比誘電率をεrとすると、
施形態では、石英からなる誘電体板2の非誘電率εr=
3.9および周波数2.45GHzのマイクロ波の空気
中(真空中)における波長λ0=122(mm)を上記式(1)
に代入することにより、マイクロ波の波長を距離単位と
して表すラジアルラインスロットアンテナ6の下面と誘
電体板2の下面との間隔Dが約0.53に設定されてい
ることが判る。図3は、(a)誘電体板2の厚みd2を3
0mmに設定した場合、および(b)誘電体板2の厚みd2
を20mmに設定した場合(従来装置)の半導体ウエハW
の表面に入射するイオン電流密度分布を示すグラフであ
る。いずれのグラフも、ラジアルラインスロットアンテ
ナ6の下面と誘電体板2の上面との間の距離d1を6mm
に、誘電体板2の下面と半導体ウエハWの表面との間の
距離を65mmに、処理空間3内の気圧を66.5Paに
それぞれ設定して、ラジアルラインスロットアンテナ6
に周波数2.45GHzで電力1200Wのマイクロ波
を導入して励起させたプラズマ中のイオン電流密度分布
を調べた結果を示している。
d2を30mmに設定した場合の方が、誘電体板2の厚み
d2を20mmに設定した場合よりも、半導体ウエハWの
表面におけるイオン電流密度(プラズマ密度)が大きい
ことが理解される。ところが、誘電体板2の厚みd2を
20mmに設定した場合は、半導体ウエハWの表面におけ
るイオン電流密度の分布がほぼ均一であるのに対し、誘
電体板2の厚みd2を30mmに設定した場合は、半導体
ウエハWの中心付近に入射するイオン電流が半導体ウエ
ハWの周縁付近に入射するイオン電流よりも大きくなっ
ており、イオン電流密度の分布に面内不均一が生じてい
る。
ンスロットアンテナ6の下面に形成されているスロット
ペアPの一部を塞ぎ、ラジアルラインスロットアンテナ
6から放射されるマイクロ波の強度分布を調整すること
により、半導体ウエハWの表面に入射するイオン電流密
度分布の均一化を図っている。具体的には、ラジアルラ
インスロットアンテナ6の下面の最外周に配列されたス
ロットペアPの1/6または1/3を塞ぐことにより、
半導体ウエハWの表面に入射するイオン電流密度分布の
均一化を図っている。
は、周方向に沿って6個に1個の割合でスロットペアP
を塞ぐことをいい、1/3のスロットペアPを塞ぐと
は、周方向に沿って3個に1個の割合でスロットペアP
を塞ぐことをいう。図4は、(a)スロットペアPを1つ
も塞がなかった場合、(b)最外周に配列されたスロット
ペアPのうちの1/6を塞いだ場合、および(c)最外周
に配列されたスロットペアPのうちの1/3を塞いだ場
合の半導体ウエハWの表面に入射するイオン電流密度分
布を示すグラフである。いずれのグラフも、ラジアルラ
インスロットアンテナ6の下面と誘電体板2の上面との
間の距離d1を6mmに、誘電体板2の厚みd2を30mm
に、誘電体板2の下面と半導体ウエハWの表面との間の
距離を65mmに、処理空間3内の気圧を66.5Paに
それぞれ設定して、ラジアルラインスロットアンテナ6
に周波数2.45GHzで電力1200Wのマイクロ波
を導入して励起させたプラズマ中のイオン電流密度分布
を調べた結果を示している。
トペアPのうちの1/6個または1/3個を塞ぐことに
より、半導体ウエハWの表面に入射するイオン電流密度
分布が均一化されることが理解される。以上のようにこ
の実施形態によれば、マイクロ波の波長を距離単位とし
て表すラジアルラインスロットアンテナ6の下面と誘電
体板2の下面との間隔Dが約1/2となるように、ラジ
アルラインスロットアンテナ6の下面と誘電体板2の上
面との間の距離d1および誘電体板2の厚みd2を上手
く設定することにより、処理空間3内に発生するプラズ
マの高密度化を達成している。したがって、このプラズ
マ窒化装置は、半導体ウエハWの表面に窒化処理を施し
て半導体装置を製造する工程に好適に用いることができ
る。
スロットアンテナ6の下面に形成されたスロットパター
ンPの一部を塞いで、ラジアルラインスロットアンテナ
6から放射されるマイクロ波の強度分布を調整すること
により、ウエハステージ4に載置された半導体ウエハW
の表面に入射するイオン電流密度分布の均一化を、イオ
ン電流(プラズマ密度)の高密度化と同時に達成してい
る。これにより、ほぼ均一なプラズマ窒化処理を、従来
装置よりも短時間で半導体ウエハWの表面に施すことが
できる。
英で構成して、ラジアルラインスロットアンテナ6の下
面と誘電体板2の上面との間の距離d1を6mmに設定
し、誘電体板2の厚みd2を30mmに設定する場合を例
に挙げたが、誘電体板2は、たとえばアルミナ(Al2
O3)またはアルミナイトライド(AlN)など、石英
以外の誘電体で構成されていてもよい。また、上記距離
d1および厚みd2の値も適当に変更されるとよく、た
とえば、誘電体板2が熱伝導率の大きい材料で構成され
て、プラズマ中のイオンと電子とが再結合して発生する
熱を効率よくチャンバ壁に伝達することによりラジアル
ラインスロットアンテナ6の高温化を防止できる場合に
は、ラジアルラインスロットアンテナ6の下面と誘電体
板2の上面との間の距離d1が0mmに設定されて、ラジ
アルラインスロットアンテナ6が誘電体板2に接触して
いてもよい。
距離単位として表すラジアルラインスロットアンテナ6
の下面と誘電体板2の下面との間隔Dが約1/2となる
上記距離d1および厚みd2との組み合わせの例を下記
表にまとめておく。
長を距離単位として表すラジアルラインスロットアンテ
ナ6の下面と誘電体板2の下面との間隔Dが約1/2と
なるように、ラジアルラインスロットアンテナ6の下面
と誘電体板2の上面との間の距離d1および誘電体板2
の厚みd2を設定することが好ましいとしたが、たとえ
ば、上記間隔Dが約1/2の整数倍となるように、上記
距離d1および厚みd2が設定されてもよい。さらに
は、上記間隔Dが約1/4の整数倍となるように、上記
距離d1および厚みd2が設定されてもよい。
ナ6の下面とプラズマ励起面との間の領域に良好な定在
波を形成して、処理空間3内に高密度なプラズマを発生
させるためには、マイクロ波の波長を距離単位として表
すラジアルラインスロットアンテナ6の下面と誘電体板
2の下面との間隔Dが次の不等式を満たせばよい。 0.7×n/4≦D≦1.3×n/4(n:自然数) さらに、この発明は他の形態で実施することもできる。
たとえば、上述の実施形態では、プラズマ窒化装置を例
にとって説明したが、このプラズマ窒化装置に限定され
ず、たとえばプラズマCVD(Chemical Vapor Deposit
ion)装置やプラズマアッシング装置、プラズマエッチ
ング装置、プラズマ酸化装置など、被処理物にプラズマ
による処理を施す装置に広く本発明を適用することがで
きる。
用される場合には、処理ガスとして、たとえばAr/S
iH4やTEOS/O2などを用いることができる。ま
た、この発明がプラズマアッシング装置に適用される場
合には、処理ガスとして、たとえばO2、Ar/O2また
はKr/O2などを用いることができる。さらに、この
発明がプラズマエッチング装置に適用される場合には、
処理ガス(エッチングガス)として、たとえばCl2や
HBrなどを用いることができる。さらにまた、この発
明がプラズマ酸化装置に適用される場合には、処理ガス
として、たとえばKr/O2やAr/O2などを用いるこ
とができる。
の範囲で種々の変更を施すことが可能である。
の構成を示す図解的な断面図である。
図である。
および(b)誘電体板の厚みを20mmに設定した場合(従
来装置)の半導体ウエハの表面に入射するイオン電流密
度分布を示すグラフである。
(b)最外周に配列されたスロットペアのうちの1/6を
塞いだ場合、および(c)最外周に配列されたスロットペ
アのうちの1/3を塞いだ場合の半導体ウエハの表面に
入射するイオン電流密度分布を示すグラフである。
射アンテナ) 7 導波管 P スロットペア S1,S2 スロット W 半導体ウエハ(被処理物)
Claims (3)
- 【請求項1】被処理物および処理ガスが収容される処理
空間にマイクロ波放射アンテナからマイクロ波を放射し
て、前記マイクロ波放射アンテナのマイクロ波放射面か
ら所定距離だけ離れたプラズマ励起面でプラズマを励起
し、その励起したプラズマを用いた処理を被処理物に施
すプラズマ処理装置であって、 前記マイクロ波放射面に対向して誘電体が設けられてお
り、 マイクロ波の波長を単位として表す前記マイクロ波放射
面と前記誘電体の前記マイクロ波放射面に対向する面と
反対側の面との間隔Dが、 0.7×n/4≦D≦1.3×n/4(ただし、nは自
然数。) の範囲に定められていることを特徴とするプラズマ処理
装置。 - 【請求項2】前記間隔Dが0.7×n/2≦D≦1.3
×n/2の範囲に定められていることを特徴とする請求
項1記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項3】前記マイクロ波放射アンテナは、マイクロ
波を放射するための多数のスロットがマイクロ波放射面
に分布して形成されたラジアルラインスロットアンテナ
であり、 前記処理空間内に発生するプラズマが面内均一となるよ
うに、前記多数のスロットの一部が塞がれていることを
特徴とする請求項1または2記載のプラズマ処理装置。
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