JP5916534B2 - 成膜装置 - Google Patents
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Description
図4、5に示すように、マイクロ波放射機構41は、マイクロ波を伝送する同軸構造の導波路(マイクロ波伝送路)44と、導波路44を伝送されたマイクロ波をチャンバ1内に放射するアンテナ部45とを有している。そして、マイクロ波放射機構41からチャンバ1内に放射されたマイクロ波がチャンバ1内の空間で合成され、チャンバ1内で表面波プラズマが形成されるようになっている。
まず、ウエハWをチャンバ1内に搬入し、サセプタ11上に載置する。そして、チャンバ1内を所定の圧力に調整するとともに、ガス供給機構125の第1ガス供給部123から第1ガス配管121を経てガスシャワー機構3へ成膜原料ガスを供給し、第2ガス供給部124から第2ガス配管122を経てガスシャワー機構3へ反応ガスを供給し、ガスシャワー機構3から成膜原料ガスおよび反応ガスをチャンバ1内に吐出してCVDまたはALDにより所定の膜を成膜する。
2;マイクロ波プラズマ源
3;ガスシャワー機構
10;蓋体
11;サセプタ
12;支持部材
15;排気管
16;排気装置
17;搬入出口
30;マイクロ波出力部
31;マイクロ波電源
32;マイクロ波発振器
40;マイクロ波供給部
41;マイクロ波放射機構(マイクロ波放射部)
42;アンプ部
44;導波路
45;アンテナ部
60;チューナ
81;平面スロットアンテナ
82;遅波材
100;成膜装置
110;誘電体部材
111;誘電体板
120;制御部
121;第1ガス配管
122;第2ガス配管
123;第1ガス供給部
124;第2ガス供給部
125;ガス供給機構
131;スロット
W;半導体ウエハ
Claims (7)
- 被処理基板にCVDまたはALDにより所定の膜を成膜するとともに、膜にマイクロ波プラズマ処理を行う成膜装置であって、
被処理基板を収容するチャンバと、
前記チャンバ内に成膜のためのガスおよびプラズマを生成するためのガスを導入するガスシャワー機構と、
前記チャンバ内にマイクロ波プラズマを生成するためのマイクロ波プラズマ源と、
前記チャンバ内を排気する排気機構と
を具備し、
前記マイクロ波プラズマ源は、マイクロ波を前記チャンバ内に放射する複数のマイクロ波放射部を有し、
前記ガスシャワー機構は、前記チャンバの天壁の中心領域に設けられ、前記マイクロ波放射部は、前記ガスシャワー機構の周囲に配置され、
前記チャンバの前記天壁は、金属製の蓋体と、前記蓋体に嵌め込まれた、前記マイクロ波放射部のマイクロ波透過窓として機能する誘電体部材と、前記ガスシャワー機構とで構成され、前記成膜装置は、前記天壁の少なくとも前記蓋体に対応する部分の下面に設けられた誘電体板をさらに具備することを特徴とする成膜装置。 - 前記マイクロ波放射部は、前記ガスシャワー機構を囲む円周上に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記誘電体板は、前記誘電体部材に対応する位置に、前記誘電体部材の下面が前記チャンバに露出するように誘電体部材挿入孔が形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の成膜装置。
- 前記誘電体板の下面の高さ位置と、前記誘電体部材の下面の高さ位置とが同じ高さ位置になるように設けられていることを特徴とする請求項3に記載の成膜装置。
- 前記誘電体部材挿入孔は、前記誘電体板が前記誘電体部材の周縁部にオーバーラップするオーバーラップ部分が形成されるように設けられていることを特徴とする請求項3または請求項4に記載の成膜装置。
- 前記誘電体部材の前記オーバーラップ部分に対応する部分は、その下面の高さ位置が、前記蓋体の下面の高さ位置と同じ高さにならないように設けられていることを特徴とする請求項5に記載の成膜装置。
- 前記ガスシャワー機構は、前記誘電体板を支持する突出部を有しており、前記誘電体板と前記突出部との隙間が、異常放電を生じる電界強さとならない程度の大きさになるように、前記誘電体板の前記突出部周囲部分が傾斜して設けられていることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の成膜装置。
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