WO1999003112A1 - Resistance et son procede de fabrication - Google Patents

Description

明 細 書 抵抗器およびその製造方法 技術分野

本発明は、 高密度配線回路に用いられる抵抗器およびその製 造方法に関するものである。 背景技術

従来のこの種の抵抗器と しては、 特開平 4 一 1 0 2 3 0 2号 公報に開示されたものが知られている。

以下、 従来の抵抗器およびその製造方法について、 図面を参 照しながら説明する。

第 8図は従来の抵抗器の断面図である。

第 8図において、 1 は絶縁基板である。 2は絶縁基板 1の上 面の左右両端部に設けられた第 1の上面電極層である。 3は第 1の上面電極層 2に一部が重なるように設けられた抵抗層であ る。 4は抵抗層 3の全体のみを覆うように設けられた第 1 の保 護層である。 5は抵抗値を修正するために抵抗層 3および第 1 の保護層 4に設けられた ト リ ミ ング溝である。 6は第 1の保護 層 4の上面にのみ設けられた第 2の保護層である。 7は第 1の 上面電極層 2の上面に絶縁基板 1 の幅一杯まで延びるように設 けられた第 2の上面電極層である。 8は絶縁基板 1の側面に設 けられた側面電極層である。 9， 1 0は第 2の上面電極層 7お よび側面電極層 8の表面に設けられたニッケルめっき層、 はん だめつき層である。

以上のように構成された従来の抵抗器について、 以下にその 製造方法を図面を参照しながら説明する。

第 9図は従来の抵抗器の製造方法を示す工程図である。

まず、 第 9図 (a)に示すように、 絶縁基板 1の上面の左右両端 部に、 第 1 の上面電極層 2を塗着形成する。

次に、 第 9図 (b)に示すように、 第 1の上面電極層 2に一部が 重なるように絶縁基板 1の上面に抵抗層 3を塗着形成する。 次に、 第 9図 (c)に示すように、 抵抗層 3の全体のみを覆うよ うに第 1の保護層 4を塗着形成した後、 抵抗層 3における全抵 抗値が所定の抵抗値の範囲内に入るようにレーザ等により抵抗 層 3および第 1 の保護層 4に ト リ ミ ング溝 5を施す。

次に、 第 9図 (d)に示すように、 第 1の保護層 4の上面にのみ 第 2 の保護層 6を塗着形成する。

次に、 第 9図 (e)に示すように、 第 1の上面電極層 2の上面に 絶縁基板 1 の幅一杯まで延びるように第 2の上面電極層 7を塗 着形成する。

次に、 第 9図 (f)に示すように、 第 1の上面電極層 2および絶 縁基板 1 の左右両端の側面に第 1、 第 2の上面電極層 2， 7 と 電気的に接続するように側面電極層 8を塗着形成する。

最後に、 第 2 の上面電極層 7および側面電極層 8 の表面に ニ ッ ケルめっきを施した後、 はんだめつきを施すことにより、 ニ ッ ケルめっき層 9、 はんだめつき層 1 0を形成し、 従来の抵 抗器を製造していた。

しかしながら、 上記従来の構成および製造方法による抵抗器 では、 抵抗値精度を向上させるために、 レーザ等により、 抵抗 層 3および第 1の保護層 4に 卜 リ ミ ング溝 5を施すようにして いるため、 抵抗器の電流ノ ィ ズが大き く なるという課題を有し ていた。

以下にそのメ カ ニズムを図を参照しながら説明する。

第 1 0図 (a)は、 従来の構成および製造方法による 1 0 0 5サ ィズの抵抗値 1 0 k Ωの抵抗器の抵抗値修正倍率と電流ノ ィ ズ との関係を示す図である。 これより明らかなように、 抵抗値修 正倍率が増加すればするほど、 ノ イ ズが悪化する。 基本的に抵 抗値修正倍率が増加すると、 抵抗層の有効抵抗面積が減少する ため、 ノ イ ズが悪化するのであるが、 実際にはこれに加えて、 ト リ ミ ング溝周辺部の抵抗層が抵抗値修正時の熱およびマイ ク 口ク ラ ッ クの発生等により劣化するため、 さ らに電流ノ ィ ズが 悪化する。 第 1 0図 (a)において、 抵抗値修正後の電流ノィ ズが ばらついているのは、 その抵抗層の劣化の度合いにばらつきを 有しているためである。

次に、 第 1 0図 (b) (c)は各工程後における抵抗層の電流ノ ィズ の変遷を示す図である。 第 1 0図 (b)は第 2の保護層が樹脂の場 合、 第 1 0図 (c)は第 2 の保護層がガラ スの場合である。 これよ り、 前述の通り、 ト リ ミ ング工程にて電流ノ イ ズは悪化するこ とがわかる。 そ して、 第 2の保護層が樹脂の場合、 完成品に至 るまで悪化した電流ノイ ズはそのままである。 また、 第 2の保 護層がガラ スの場合、 第 2の保護層焼成時に抵抗回復のために 十分な熱が加えられるのであるが、 既に焼成された第 1 の保護 層で抵抗層が覆われているため、 ト リ ミ ングにより生じた抵抗 層のマイ ク ロ ク ラ ッ クにガラス成分が浸透せず、 劣化した抵抗 層の回復が進まない。 即ち、 電流ノ イ ズはやはりほとんど回復 しない。

また、 焼成温度を抵抗層のガラ ス成分が軟化し、 マイ ク ロ ク ラ ッ ク等が修復されるまで高温にすると、 電流ノ ィズは回復す るが、 ト リ ミ ング後の抵抗値精度は完成品まで維持できない。 以上のように、 従来の構成および製造方法では、 所定の抵抗 値を有する抵抗器において、 抵抗値を所定の抵抗値に修正する 際に生じた ト リ ミ ング溝周辺部の熱およびマイ ク ロ ク ラ ッ ク等 による抵抗層の劣化により、 抵抗器の電流ノ ィ ズが大き く なる という課題を有していた。

本発明は、 上記従来の課題を解決するもので、 電流ノ イ ズお よび抵抗値精度と もに優れた抵抗器およびその製造方法を提供 する こ とを目的とする ものである。 発明の開示

上記課題を解決するために本発明の抵抗器は、 基板と、 前記 基板の上面の側部に設けられた一対の上面電極層と、 前記上面 電極層と電気的に接続するように設けられた抵抗層と、 前記抵 抗層を切削して設けられた第 1の ト リ ミ ング溝と、 少なく と も 前記第 1 の ト リ ミ ング溝を覆う よ う に設けられた抵抗回復層 と、 前記抵抗層と抵抗回復層とを切削して設けられた第 2の ト リ ミ ング溝と、 少なく と も前記抵抗層および第 2の ト リ ミ ング 溝を覆うように設けられた保護層とを備えたものである。

上記した抵抗器によれば、 抵抗層を切削して設けられた第 1 の ト リ ミ ング溝を覆うように抵抗回復層を設けているため、 こ の抵抗回復層の焼成時に軟化 · 溶融した抵抗回復層のガラス成 分が第 1の ト リ ミ ングにより生じた抵抗層のマイ ク ロ ク ラ ッ ク に浸透することになり、 これによ り、 劣化した抵抗層の修復が 行われるため、 抵抗回復層形成後の電流ノ ィズを第 1の ト リ ミ ング後の電流ノイズより著し く減少させる ことができ、 また前 記抵抗層と抵抗回復層とを切削して第 2の ト リ ミ ング溝を設け るようにしているため、 前記抵抗回復層形成時に若干悪く なつ た抵抗値分布も この第 2の ト リ ミ ングによ り所定の抵抗値に精 度よく微修正するこ とができ、 その結果、 この抵抗器は、 完成 品まで電流ノ ィ ズの優れた状態を保持したまま抵抗値を修正す るこ とができるため、 電流ノ ィズおよび抵抗値精度と もに優れ た抵抗器を得る こ とができ る ものである。 図面の簡単な説明

第 1図 (a)は本発明の第 1の実施例における抵抗器の断面図、 第 1図 (b)は同抵抗器の上面から透視した図、 第 2図 (a)〜(d)は同 抵抗器の製造方法を示す工程図、 第 3図 ( 〜 (e)は同抵抗器の製 造方法を示す工程図、 第 4図 (a) (b)は同製造方法の各工程後にお ける抵抗層の電流ノィ ズと抵抗値精度との関係を示す図、 第 5 図 (a)は本発明の第 2の実施例における抵抗器の断面図、 第 5図 (b)は同抵抗器の上面から透視した図、 第 6図 (a)〜(d)は同抵抗器 の製造方法を示す工程図、 第 7図 (a)〜(d)は同抵抗器の製造方法 を示す工程図、 第 8図は従来の抵抗器の断面図、 第 9図 (a)〜(f) は同抵抗器の製造方法を示す工程図、 第 1 0図 )〜 (c)は同抵抗 器における抵抗値修正倍率と電流ノィ ズとの関係を示す図であ る。 発明を実施するための最良の形態

(第 1 の実施例）

以下、 本発明の第 1の実施例における抵抗器およびその製造 方法について、 図面を参照しながら説明する。

第 1図 (a)は本発明の第 1 の実施例における抵抗器の断面図、 第 1図 (b)は同抵抗器の上面から透視した図である。

第 1図において、 2 1 はアル ミ ナ等からなる基板である。 2 2は基板 2 1の上面の側部に設けられた銀とガラスとの混合 材料等からなる一対の上面電極層である。 2 3は必要により基 板 2 1の下面の側部に設けられた銀とガラ ス との混合材料等か らなる一対の下面電極層である。 2 4は基板 2 1の上面に上面 電極層 2 2に、 一部が重畳して電気的に接続するように設けら れた酸化ルテニ ウムと ガラ ス との混合材料または銀、 パラ ジゥ ム と ガラ ス との混合材料等からなる抵抗層である。 2 5は抵抗 値を所定の抵抗値に修正するため抵抗層 2 4にレーザ等によつ て設けられた第 1の ト リ ミ ング溝である。 2 6は少なく と も抵 抗層 2 4を覆うように設けられた軟化点 5 0 0で〜 6 0 0での ホウゲイ酸鉛系ガラス等からなる抵抗回復層である。 2 7は抵 抗値を所定の抵抗値に微修正するためにレーザ等によつて抵抗 層 2 4に設けられた第 2の ト リ ミ ング溝である。 2 8は少なく と も抵抗層 2 4を覆うように設けられたホ ウゲイ酸鉛系ガラ ス 等またはエポキシ系樹脂等からなる保護層である。 2 9は必要 により基板 2 1 の側面に上面電極層 2 2および下面電極層 2 3 と電気的に接続するように設けられた銀とガラスとの混合材料 等からなる側面電極層である。 3 0 は必要によ り側面電極層 2 9、 上面電極層 2 2 の露出部および下面電極層 2 3 の露出部 を覆うように設けられたニッケルめっき等からなる第 1のめつ き層である。 3 1 は必要により第 1 のめつき層 3 0を覆うよう に設けられた第 2のめつき層である。

以上のように構成された抵抗器について、 以下に、 その製造 方法を図面を参照しながら説明する。

第 2図、 第 3図は本発明の第 1の実施例における抵抗器の製 造方法を示す工程図である。

まず、 第 2図 (a)に示すように、 縦横の分割溝 4 1を有するァ ルミ ナ等からなる シー ト 4 2 の分割溝 4 1を跨ぐように銀とガ ラ ス との混合ペース ト材料をスク リ ー ン印刷 ' 乾燥して、 ベル ト式連続焼成炉により約 8 5 0 °Cの温度で、 約 4 5分のプロ フ ァ イ ルによって焼成し、 上面電極層 4 3を形成する。 また、 このとき必要により シー ト 4 2の下面の上面電極層 4 3 と相対 する位置に銀と ガラ ス と の混合ペース ト材料をス ク リ ー ン印 刷 ， 乾燥して、 上面電極層形成と同時に下面電極層 （図示せ ず） を形成してもよい。

次に、 第 2図 (b)に示すように、 上面電極層 4 3間を電気的に 接続するよ う に、 酸化ルテニゥム と ガラ ス との混合べ一ス ト材 料を上面電極層 4 3の一部に重畳するよ う に シー ト 4 2 の上面 にス ク リ ーン印刷 · 乾燥して、 ベル ト式連続焼成炉により、 約 8 5 0 °Cの温度で、 約 4 5分のプロ フ ァ イ ルによって焼成し、 抵抗層 4 4を形成する。

次に、 第 2図 (c)に示すように、 抵抗層 4 4の抵抗値を修正す るために、 レーザ等により、 完成品までの工程変化を考慮し、 完成抵抗値の 8 5 %の抵抗値に ト リ ミ ングし、 第 1の ト リ ミ ン グ溝 4 5を形成する。

次に、 第 2図 (d)に示すように、 抵抗層 4 の上面を覆うよう に、 ホゥケィ酸鉛ガラス系ペース トをスク リーン印刷 ·乾燥して、 ベルト式連続連続焼成炉により、 約 6 2 0 °Cの温度で、 約 4 5分 のプロ フ ァイルによって焼成し、 抵抗回復層 4 6を形成する。 次に、 第 3図 (a)に示すように、 抵抗層 4 の抵抗値を微修正 するために、 レーザ等により、 ト リ ミ ングし、 第 2の ト リ ミ ン グ溝 4 7を形成する。

次に、 第 3図 (b)に示すように、 少なく と も抵抗層 4 4 (本図 では図示せず） の上面を覆う よ う に、 ホウゲイ酸鉛ガラ ス系 ペース トをス ク リ ー ン印刷 . 乾燥して、 ベル ト式連続焼成炉に より、 約 6 2 0 °Cの温度で、 約 4 5分のプロ フ ァイルによって 焼成し、 保護層 4 8を形成する。

次に、 第 3図 (c)に示すように、 基板側面から上面電極層 4 3 が露出するようにシー ト 4 2の分割溝 4 1 に沿って分割して、 短冊状の基板 4 9を形成する。

次に、 必要により、 第 3図 (d)に示すように、 短冊状の基板 4 9 の側面に、 上面電極層 4 3の一部に重畳するよ うに、 銀とガラ スとの混合ぺース ト材料を口一ラ一転写印刷 · 乾燥して、 ベル ト式連銃焼成炉により、 約 6 2 0での温度で、 約 4 5分のプロ フ ァ イ ルによって焼成し、 側面電極層 5 0を形成する。 次に、 第 3図 (e こ示すように、 短冊状の基板 4 9を個片に分 割して、 個片状の基板 5 1を形成する。

最後に、 必要によ り、 上面電極層 4 3 と下面電極層の露出部 および側面電極層 5 0を覆うようにニ ッ ケルめっ き等からなる 第 1 のめつ き層 （図示せず） を形成すると と もに、 この第 1 の めっき層を覆うようにスズと鉛の合金めつ き等からなる第 2の めっき層 （図示せず） を形成して、 抵抗器を製造する ものであ る。

なお、 本発明の第 1の実施例では保護層の材料と して銀とガ ラ ス との混合材料を用いたものについて説明したが、 エポキ シ 系またはフユ ノ ール系樹脂材料等を用いても同様である。

また、 本発明の第 1の実施例では側面電極層 5 0の材料と し て銀とガラスとの混合材料を用いたものについて説明したが、 二ッゲル系フヱ ノ ール樹脂材等を用いても同様である。

以上のように構成 · 製造された抵抗器について、 その作用を 図を用いて説明する。

第 4図は本発明の第 1の実施例における抵抗器の各工程後に おける抵抗層の電流ノ ィ ズと抵抗値精度との関係を示す図であ る。 第 4図 (a)は本発明の第 1の実施例における要部である保護層 がガラ スの場合、 第 4図 (b)は同要部である保護層が樹脂の場合 である。これより明らかなように、抵抗回復層形成工程後の電流 ノ イ ズは第 1 の ト リ ミ ング工程後のそれよ り も著しく減少して いる。 これは、 抵抗回復層の焼成時に軟化 · 溶融した抵抗回復層 のガラス成分が第 1の ト リ ミ ングにより生じた抵抗層のマイ ク 口 ク ラ ッ クに浸透し、 劣化した抵抗層の修復が行われるためで ある。

さ らに第 2の ト リ ミ ング工程は抵抗回復層形成工程時に若干 悪く なつた抵抗値分布を所定の抵抗値に精度よ く調整するため の微修正工程であるため、 第 1の ト リ ミ ング工程での修正抵抗 値を所定の抵抗値の 8 0 %以上にしておく ことで、 第 2の ト リ ミ ング工程での抵抗値修正倍率を第 2の ト リ ミ ング工程前の抵 抗値の 1 . 3倍以下にするこ とができ、 電流ノ ィ ズは若干悪く なる程度で抑えられる。 逆に 1 . 3倍以上の倍率で ト リ ミ ン グ を施すと電流ノ ィ ズは従来の抵抗器ほどではないが、 かなり悪 ィ匕してしま う。

以上の作用により、 本発明の第 1の実施例における抵抗器は 完成品まで電流ノィ ズの優れた状態を保持したまま、 抵抗値を 修正することができ、 電流ノ ィ ズの優れた抵抗器を得ることが できる。

また、 抵抗値精度においては、 保護層がガラ スの場合には、 その焼成のため、 工程変化が生じ、 第 2の ト リ ミ ング工程後に 比べ、 若干ばらつきが大き く なる。 これは従来の抵抗器におい ても同様の現象であるが、 従来の抵抗器と比較すると、 本発明 の第 1 の実施例の抵抗器の方が保護層焼成前の抵抗層の劣化の 度合いが少ない分だけ、 工程変化のばらつき も小さ く なり、 抵 抗値精度の点においても優れた抵抗器を得ることができる。 ま た、 保護層が樹脂の場合には、 保護層形成工程およびそれ以後 の工程での工程変化がほとんどないため、 第 2の ト リ ミ ン グ精 度がそのまま、 完成品の抵抗値精度となる。 したがって、 保護 層がガラ スの場合に比べ、 さ らに抵抗値精度の点でより優れた 抵抗器を得ることができる。

そ してまた、 この抵抗値精度においては、 最終的に抵抗値を 定める第 2の ト リ ミ ング工程での ト リ ミ ング精度が重要であ り、 第 1 の ト リ ミ ング精度は第 2 の ト リ ミ ング精度ほど精度が 要求されない。 したがって、 量産性の面から、 第 1の ト リ ミ ン グ工程でのレーザ 1 パルス当たりの抵抗層切削長さに相当する ノ、、ィ トサイ ズを第 2の ト リ ミ ングのバイ トサイ ズよ り も大き く することができる。

以上の作用により、 電流ノ ィ ズおよび抵抗値精度と もに優れ た抵抗器を得ることができる。

また、 必要により、 下面電極層および側面電極層を設けるこ とにより、 本発明の第 1の実施例における抵抗器は実装基板に この抵抗器の表裏どちらの面を上にしても安定して実装するこ とができる。

以下に、 本発明の第 1の実施例における抵抗器の電流ノ イ ズ と抵抗値精度を従来の抵抗器と比較したものを説明する。

(実験方法）

1 0 0 5サイ ズの完成抵抗値が 1 0 k Ωである従来の抵抗器 と本発明の第 1の実施例における保護層がガラスおよび樹脂の 抵抗器について、 電流ノ イ ズと抵抗値分布をそれぞれ測定し た。 なお、 電流ノ イ ズの測定については Q u a n— t e c h社 製 m o d e l 3 1 5 Cを用いた。

(実験結果）

(第 1表） に従来の抵抗器と本発明の第 1の実施例における 抵抗器の電流ノ ィ ズおよび ト リ ミ ング精度分布を示す。 (第 1表）

抵抗値精度 = 3 X標準偏差ノ平均抵抗値 X 1 0 0 ( % )

(第 1表） から明らかなように、 本発明の第 1の実施例にお ける抵抗器は電流ノィ ズおよび抵抗値精度と もに従来の抵抗器 より も小さい。

(第 2 の実施例）

以下、 本発明の第 2の実施例における抵抗器およびその製造 方法について、 図面を参照しながら説明する。

第 5図 (a)は本発明の第 2の実施例における抵抗器の断面図、 第 5図 (b)は同抵抗器の上面から透視した図である。

第 5図において、 6 1 はアルミ ナ等からなる基板である。 6 2は基板 6 1の上面の側部に設けられた銀とガラスとの混合 材料等からなる一対の上面電極層である。 6 3は基板 6 1の上 面に上面電極層 6 2に一部が重畳して電気的に接続するように 設けられた酸化ルテニウム と ガラ ス との混合材料または銀、 パ ラ ジウムとガラスとの混合材料等からなる抵抗層である。 6 4は 抵抗値を所定の抵抗値に修正するため抵抗層 6 3にレーザ等に よって設けられた第 1の ト リ ミ ング溝である。 6 5は少なく と も抵抗層 6 3を覆うように設けられた軟化点 5 0 0 °C〜 6 0 0 °Cのホウゲイ酸鉛系ガラ ス等からなる抵抗回復層である。 6 6 は抵抗値を所定の抵抗値に微修正するためにレーザ等によって 抵抗層 6 3に設けられた第 2 の ト リ ミ ング溝である。 6 7は少 なく と も抵抗層 6 3を覆うように設けられたホ ウゲイ酸鉛系ガ ラ ス等またはェポキシ系樹脂等からなる保護層である。 6 8は 必要によ り上面電極層 6 2 の露出部を覆う よ う に設けられた ニ ッ ケルめっき等からなる第 1のめつき層である。 6 9は必要 により第 1のめつき層 6 8を覆うように設けられた第 2のめつ き層である。

以上のように構成された抵抗器について、 以下に、 その製造 方法を図面を参照しながら説明する。

第 6図、 第 7図は本発明の第 2の実施例における抵抗器の製 造方法を示す工程図である。

まず、 第 6図 (a)に示すように、 縦横の分割溝 7 1を有するァ ル ミ ナ等からなる シー ト ァ 2 の分割溝 7 1を跨ぐように銀とガ ラ ス との混合ペース ト材料をス ク リ ー ン印刷 . 乾燥して、 ベル ト式連続焼成炉によ り約 8 5 0 °Cの温度で、 約 4 5分のプロ フ ァ イ ルによって焼成し、 上面電極層 7 3を形成する。

次に、 第 6図 (b)に示すように、 上面電極層 7 3間を電気的に 接続するよ う に、 酸化ルテニ ウム と ガラ ス との混合ペース ト材 料を上面電極層 Ί 3の一部に重畳するようにシー ト 7 2 の上面 にスク リ ーン印刷 ·乾燥して、 ベルト式連続焼成炉により、 約 8 5 0 °Cの温度で、 約 4 5分のプロ フ ァ イ ルによって焼成し、 抵抗層 7 4を形成する。

次に、 第 6図 (c)に示すように、 抵抗層 7 4の抵抗値を修正す るために、 レーザ等により、 ト リ ミ ングし、 第 1の ト リ ミ ング 溝 7 5を形成する。

次に、 第 6図 (d)に示すように、 抵抗層 7 4の上面を覆うよう に、 ホ ウゲイ酸鉛ガラ ス系ペース ト をスク リ ー ン印刷 . 乾燥し て、 ベル ト式連続焼成炉により、 約 6 2 0。Cの温度で、 約 4 5 分のプロ フ ァ イ ルによ っ て焼成し、 抵抗回復層 7 6を形成す

O。

次に、 第 7図 (a>に示すように、 抵抗層 7 4の抵抗値を微修正 するために、 レーザ等によ り、 ト リ ミ ングし、 第 2の ト リ ミ ン グ溝 7 7を形成する。

次に、 第 7図 (b)に示すように、 抵抗層 7 4 (本図では図示せ ず） の上面を覆うように、 ホ ウゲイ酸鉛ガラ ス系ペース ト をス ク リーン印刷 ·乾燥して、 ベルト式連続焼成炉により、 約 6 2 0 °Cの温度で、 約 4 5分のプロ フ ァ イ ルによつて焼成し、 保護層 7 8を形成する。

次に、 第 7図 (c)に示すように、 基板側面から上面電極層 7 3 が露出するようにシー ト 7 2 の分割溝 7 1 に沿つて分割して、 短冊状の基板 7 9を形成する。

次に、 第 7図 (d)に示すように、 短冊状の基板 7 9 (本図では 図示せず） を個片に分割して、 個片状の基板 8 0を形成する。 最後に、 必要により、 上面電極層 7 3の露出部を覆うように ニ ッ ケルめっき等からなる第 1のめつき層 （図示せず） を形成 すると と もに、 この第 1のめつき層を覆うようにスズと鉛の合 金めつ き等からなる第 2のめつき層 （図示せず） を形成して、 抵抗器を製造する ものである。

なお、 本発明の第 2の実施例では保護層の材料と して銀とガ ラスとの混合材料を用いたものについて説明したが、 ェポキ シ 系またはフ ユ ノ ール系樹脂材料等を用いても同様である。

以上のように構成 · 製造された抵抗器においても、 その作用 は本発明の第 1の実施例と同様であるため、 説明は省略し、 以 下に、 本発明の第 2の実施例における抵抗器の電流ノ イ ズと抵 抗値精度を従来の抵抗器と比較したものを説明する。

(実験方法）

1 0 0 5サイズの完成抵抗値が 1 0 k Ωである従来の抵抗器と 本発明の第 2の実施例における保護層が樹脂の抵抗器について、 電流ノ イ ズと抵抗値分布をそれぞれ測定した。 なお、 電流ノ ィ ズの測定については Q u a n - t e c h社製 m o d e 1 3 1 5 C を用いた。

(実験結果）

(第 2表） に従来の抵抗器と本発明の第 2の実施例における 抵抗器の電流ノ ィ ズおよびト リ ミ ング精度分布を示す。

(第 2表）

抵抗値精度 = 3 X標準偏差/平均抵抗値 X 1 0 0 ( % )

(第 2表） から明らかなように、 本発明の第 2の実施例にお ける抵抗器は電流ノィ ズおよび抵抗値精度と もに従来の抵抗器 より も小さい。 産業上の利用可能性

以上のように本発明の抵抗器は、 基板と、 前記基板の上面の 側部に設けられた一対の上面電極層と、 前記上面電極層と電気 的に接続するように設けられた抵抗層と、 前記抵抗層を切削し て設けられた第 1 の ト リ ミ ング溝と、 少なく と も前記第 1 の ト リ ミ ング溝を覆うように設けられた抵抗回復層と、 前記抵抗層 と抵抗回復層とを切削して設けられた第 2の ト リ ミ ング溝と、 少なく と も前記抵抗層および第 2の ト リ ミ ング溝を覆うように 設けられた保護層とを備えたものであり、 この構成によれば、 抵抗層を切削して設けられた第 1 の ト リ ミ ング溝を覆うように 抵抗回復層を設けているため、 この抵抗回復層の焼成時に軟 ィ匕 · 溶融した抵抗回復層のガラス成分が第 1の ト リ ミ ングによ り生じた抵抗層のマイ ク ロ ク ラ ッ クに浸透することになり、 こ れによ り、 劣化した抵抗層の修復が行われるため、 抵抗回復層 形成後の電流ノィ ズを第 1の ト リ ミ ング後の電流ノイ ズより著 しく 減少させることができ、 また前記抵抗層と抵抗回復層とを 切削して第 2の ト リ ミ ング溝を設けるようにしているため、 前 記抵抗回復層形成時に若干悪く なった抵抗値分布も この第 2の ト リ ミ ングにより所定の抵抗値に精度よく微修正することがで き、 その結果、 この抵抗器は、 完成品まで電流ノ イ ズの優れた 状態を保持したまま抵抗値を修正することができるため、 電流 ノィ ズおよび抵抗値精度と もに優れた抵抗器を得ることができ るものである。

Claims

請 求 の 範 囲

1 . 基板と、 前記基板の上面の側部に設けられた一対の上面電 極層と、 前記上面電極層と電気的に接続するように設けら

5 れた抵抗層と、 前記抵抗層を切削して設けられた第 1の ト リ ミ ン グ溝と、 少なく と も前記第 1の ト リ ミ ン グ溝を覆う ように設けられた抵抗回復層と、 前記抵抗層と抵抗回復層 とを切削して設けられた第 2の ト リ ミ ン グ溝と、 少なく と も前記抵抗層および第 2の ト リ ミ ング溝を覆うように設け 10 られた保護層とを備えた抵抗器。

2 . 基板と、 前記基板の上面の側部に設けられた一対の上面電 極層と、 前記上面電極層と電気的に接続するように設けら れた抵抗層と、 前記抵抗層を切削して設けられた第 1の ト リ ミ ング溝と、 少なく と も前記第 1の ト リ ミ ング溝を覆う

15 ように設けられた抵抗回復層と、 前記抵抗層を切削して設 けられた第 2の ト リ ミ ン グ溝と、 少なく と も前記抵抗層を 覆うように設けられた保護層とを備えた抵抗器。

3 . 請求の範囲第 1項または第 2項において、 基板の下面の側 部に設けられた一対の下面電極層と、 基板の側面に上面電 0 極層と前記下面電極層とを電気的に接続するように設けら れた側面電極層とを有する抵抗器。

4 . 請求の範囲第 1項、 第 2項または第 3項において、 第 1の ト リ ミ ン グ溝の切削長さは、 修正抵抗値を目的とする抵抗 値の 8 0 %以上に修正してなる長さに設けた抵抗器。

25 5 . 請求の範囲第 1項、 第 2項または第 3項において、 第 2の ト リ ミ ング溝の切削長さは、 第 2 の ト リ ミ ングでの抵抗値 修正倍率を第 2の ト リ ミ ング溝切削前の抵抗値の 1 . 3倍 以下に修正してなる長さに設けた抵抗器。

6 . 請求の範囲第 1項、 第 2項または第 3項において、 抵抗回 復層は、 軟化点 5 0 0 °C〜 6 0 0 °Cのホ ウゲイ酸鉛系ガラ スからなる抵抗器。

7 . 請求の範囲第 1項、 第 2項または第 3項において、 保護層 は、 エポキシ系またはフユノール系樹脂材料からなる抵抗器。

8 . 請求の範囲第 1項または第 2項において、 基板の側面に、 上面電極層と電気的に接続する一対の側面電極層を設けた ίκ ί亢 o

9 . 分割溝を有するシー ト状の基板の分割溝の上面を跨ぐよう に上面電極層を設け、 前記上面電極層間を電気的に接続す るように抵抗層を設け、 前記抵抗層を切削して抵抗値を修 正する第 1の ト リ ミ ング溝を設け、 少なく と も前記第 1の ト リ ミ ング溝を覆うように抵抗回復層を設け、 前記抵抗層 および前記抵抗回復層を切削して抵抗値を微修正する第 2 の ト リ ミ ング溝を形成し、 少なく と も前記抵抗層と第 2の ト リ ミ ング溝との上面を覆うように保護層を設け、 前記保 護層を形成してなる分割溝を有するシー ト状の基板を短冊 状に分割し、 前記短冊状に分割された基板を個片に分割し てなる抵抗器の製造方法。

10. 分割溝を有するシー ト状の基板の分割溝の上面を跨ぐよう に上面電極層を設け、 前記上面電極層間を電気的に接続す るように抵抗層を設け、 前記抵抗層を切削して抵抗値を修 正する第 1の ト リ ミ ング溝を設け、 少なく と も前記第 1の ト リ ミ ング溝を覆うように抵抗回復層を設け、 前記抵抗層 を切削して抵抗値を微修正する第 2の ト リ ミ ン グ溝を設 け、 少なく と も前記抵抗層の上面を覆うように保護層を設 け、 前記保護層を形成してなる分割溝を有するシー ト状の 基板を短冊状に分割し、 前記短冊状に分割された基板を個 片に分割してなる抵抗器の製造方法。

11. 請求の範囲第 9項または第 1 0項において、 分割溝を有す る シー ト状の基板の分割溝の下面を跨ぐように下面電極層 を形成すると と もに、 短冊状に分割された基板の側面に上 面電極層と前記下面電極層とを電気的に接続するように側 面電極層を形成する工程を有する抵抗器の製造方法。

12. 請求の範囲第 9項、 第 1 0項または第 1 1項において、 第 2の ト リ ミ ング溝を形成する際のパイ トサイ ズは、 第 1の ト リ ミ ン グ溝を形成する際のバイ トサイ ズより も小さ く し た抵抗器の製造方法。

13. 請求の範囲第 9項、 第 1 0項または第 1 1項において、 抵 抗回復層を形成する工程は、 軟化点 5 0 0 °C〜 6 0 0 °Cの ホ ウゲイ酸鉛系ガラ スをス ク リ ーン印刷し、 かつ軟化点よ り も 3 0 °C〜 1 0 0 °C高い温度で焼成してなる工程である 抵抗器の製造方法。

14. 請求の範囲第 9項、 第 1 0項または第 1 1項において、 保 護層を形成する工程は、 エポキ シ系またはフ ヱ ノ ール系樹 脂材料をスク リ ーン印刷し、 かつ 1 5 0 °C〜 2 0 0 °Cの温 度で硬化してなる工程である抵抗器の製造方法。

15. 請求の範囲第 9項または第 1 0項において、 シー ト状の基 板を短冊状の基板に分割した後に、 上面電極層と電気的に 接続するように前記短冊状の基板の側面に側面電極層を設 けてなる抵抗器の製造方法。