JPH0822904A - 角形チップ抵抗器 - Google Patents
角形チップ抵抗器Info
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- JPH0822904A JPH0822904A JP6157369A JP15736994A JPH0822904A JP H0822904 A JPH0822904 A JP H0822904A JP 6157369 A JP6157369 A JP 6157369A JP 15736994 A JP15736994 A JP 15736994A JP H0822904 A JPH0822904 A JP H0822904A
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- Japan
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- surface electrode
- resistance layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はガラスアルミナ基板等の低熱伝導率
の絶縁基板を用いた角形チップ抵抗器において、良好な
過負荷特性を有し、安価に角形チップ抵抗器を提供する
ことを目的とする。 【構成】 抵抗値修正を行うトリミング溝６を、上面部
分の電極の近傍（上面電極層２間隔の１／３以下）とな
るように構成され、過負荷試験時に発生する熱を上面部
分の電極から逃がすように構成したものである。
の絶縁基板を用いた角形チップ抵抗器において、良好な
過負荷特性を有し、安価に角形チップ抵抗器を提供する
ことを目的とする。 【構成】 抵抗値修正を行うトリミング溝６を、上面部
分の電極の近傍（上面電極層２間隔の１／３以下）とな
るように構成され、過負荷試験時に発生する熱を上面部
分の電極から逃がすように構成したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高密度配線回路に用いら
れる角形チップ抵抗器に関するものである。
れる角形チップ抵抗器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の軽薄短小化に対する要
求がますます増大していく中、回路基板の配線密度を高
めるため、抵抗素子には非常に小型な抵抗器が多く用い
られるようになってきた。
求がますます増大していく中、回路基板の配線密度を高
めるため、抵抗素子には非常に小型な抵抗器が多く用い
られるようになってきた。
【０００３】従来の厚膜タイプの角形チップ抵抗器の構
造の一例を図５，図６に示す。図５は一部透視の上面
図、図６は図５のａ−ａ’断面図である。
造の一例を図５，図６に示す。図５は一部透視の上面
図、図６は図５のａ−ａ’断面図である。
【０００４】従来の角形チップ抵抗器は９６アルミナ基
板１１上に形成された一対の銀系厚膜電極による一対の
上面電極層１２と、この上面電極層１２と電気的に接続
するように形成されたルテニウム系厚膜抵抗による抵抗
層１３と、前記一対の上面電極層１２間の抵抗値を調整
するために形成されたトリミング溝１６と、抵抗層１３
を完全に覆うガラス層１５と、上面電極層１２の一部と
重なる側面電極層１３とからなっている。なお、露出電
極面にははんだ付け性を確保するためにＮｉメッキとは
んだメッキとを一般的に形成している。
板１１上に形成された一対の銀系厚膜電極による一対の
上面電極層１２と、この上面電極層１２と電気的に接続
するように形成されたルテニウム系厚膜抵抗による抵抗
層１３と、前記一対の上面電極層１２間の抵抗値を調整
するために形成されたトリミング溝１６と、抵抗層１３
を完全に覆うガラス層１５と、上面電極層１２の一部と
重なる側面電極層１３とからなっている。なお、露出電
極面にははんだ付け性を確保するためにＮｉメッキとは
んだメッキとを一般的に形成している。
【０００５】このような角形チップ抵抗器を製造する場
合、印刷パターン形成後に分割可能な分割溝が形成され
た多数個取りの９６アルミナ基板１１を用いて、多数の
印刷パターンを１回の印刷で形成するために印刷マスク
を設計し使用する。しかし、多数個取りの９６アルミナ
基板１１の分割溝は９６アルミナ基板１１を焼成する以
前にグリーンシートの状態で金型を用いて形成する関係
上、９６アルミナ基板１１を焼成する段階で９６アルミ
ナ基板１１の寸法がロット内、あるいはロット間でばら
ついてしまい、基板の寸法を分類するとともに、印刷マ
スクをその分類に応じて多種類準備する必要がある。
合、印刷パターン形成後に分割可能な分割溝が形成され
た多数個取りの９６アルミナ基板１１を用いて、多数の
印刷パターンを１回の印刷で形成するために印刷マスク
を設計し使用する。しかし、多数個取りの９６アルミナ
基板１１の分割溝は９６アルミナ基板１１を焼成する以
前にグリーンシートの状態で金型を用いて形成する関係
上、９６アルミナ基板１１を焼成する段階で９６アルミ
ナ基板１１の寸法がロット内、あるいはロット間でばら
ついてしまい、基板の寸法を分類するとともに、印刷マ
スクをその分類に応じて多種類準備する必要がある。
【０００６】一方、近年ガラスアルミナセラミック基板
（アルミナ含有率５０％前後）の実用化が進み、角形チ
ップ抵抗器での使用において良好な特性が得られようと
している。このガラスアルミナセラミックを用いると、
ダイヤモンドカッターを用いたセラミックスクライバー
にて、上面電極層、抵抗層および保護層を印刷・焼成後
に分割溝を形成することが可能である（９６アルミナ基
板は硬度が高いためダイヤモンドカッターによる分割溝
を形成した場合、ダイヤモンドカッターの摩耗が激しく
実用にならない。）。この工程によれば多種類必要であ
った印刷マスクを１種類にできるとともに、基板焼成後
の分類工程が削減され基板コストを低減することが可能
となる（図５，図６の９６アルミナ基板１１をガラスア
ルミナセラミックに置き換えた構造となる。）。
（アルミナ含有率５０％前後）の実用化が進み、角形チ
ップ抵抗器での使用において良好な特性が得られようと
している。このガラスアルミナセラミックを用いると、
ダイヤモンドカッターを用いたセラミックスクライバー
にて、上面電極層、抵抗層および保護層を印刷・焼成後
に分割溝を形成することが可能である（９６アルミナ基
板は硬度が高いためダイヤモンドカッターによる分割溝
を形成した場合、ダイヤモンドカッターの摩耗が激しく
実用にならない。）。この工程によれば多種類必要であ
った印刷マスクを１種類にできるとともに、基板焼成後
の分類工程が削減され基板コストを低減することが可能
となる（図５，図６の９６アルミナ基板１１をガラスア
ルミナセラミックに置き換えた構造となる。）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このガラスア
ルミナセラミック基板は基板中に熱伝導率の低いガラス
材料を添加するため、基板としての熱伝導率が低くなる
（分割溝を形成し易い５５％アルミナを含有したガラス
アルミナセラミック基板では、９６％アルミナ基板の約
１／７程度の熱伝導率となる。）。
ルミナセラミック基板は基板中に熱伝導率の低いガラス
材料を添加するため、基板としての熱伝導率が低くなる
（分割溝を形成し易い５５％アルミナを含有したガラス
アルミナセラミック基板では、９６％アルミナ基板の約
１／７程度の熱伝導率となる。）。
【０００８】このため、角形チップ抵抗器にこのガラス
アルミナセラミック基板を使用した場合には、その過負
荷特性が大幅に劣化することが研究により判明した。こ
れは、電力印加時にトリミング溝付近に集中して発生す
る熱が基板の熱伝導率が低いため、実装したプリント基
板に逃げ難く、トリミング溝先端部の抵抗層の一部分が
非常に高温になるためである。
アルミナセラミック基板を使用した場合には、その過負
荷特性が大幅に劣化することが研究により判明した。こ
れは、電力印加時にトリミング溝付近に集中して発生す
る熱が基板の熱伝導率が低いため、実装したプリント基
板に逃げ難く、トリミング溝先端部の抵抗層の一部分が
非常に高温になるためである。
【０００９】本発明はこのような課題を解決するもの
で、ガラスアルミナセラミック等の低熱伝導率基板でも
良好な過負荷特性を有する角形チップ抵抗器を安価に提
供することを目的とする。
で、ガラスアルミナセラミック等の低熱伝導率基板でも
良好な過負荷特性を有する角形チップ抵抗器を安価に提
供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の角形チップ抵抗器は、絶縁性の基板と、前記
基板上に形成された一対の上面電極層と、前記一対の上
面電極層に電気的に接続される抵抗層と、前記抵抗層の
抵抗値を目的の値に調整するために前記抵抗層に形成し
たトリミング溝と、前記抵抗層を完全に覆う保護層と、
前記上面電極層の一部に重なる一対の側面電極層より形
成され、前記トリミング溝を前記抵抗層に形成する範囲
を、一方の上面電極層から前記上面電極層間隔の長さの
１／３以内の距離内とするか、絶縁性の基板と、前記基
板上に形成された一対の上面電極層と、前記一対の上面
電極層に電気的に接続される抵抗層と、前記抵抗層の抵
抗値を目的の値に調整するために前記抵抗層に形成した
２本のトリミング溝と、前記抵抗層を完全に覆う保護層
と、前記上面電極層の一部に重なる一対の側面電極層よ
り形成され、前記２本のトリミング溝の内一方のトリミ
ング溝を前記抵抗層に形成する範囲を、一方の上面電極
層から前記上面電極層間隔の長さの１／３以内の距離内
で、他方のトリミング溝を前記抵抗層に形成する範囲
を、他方の上面電極層から前記上面電極層間隔の長さの
１／３以内の距離内とするように構成されている。
に本発明の角形チップ抵抗器は、絶縁性の基板と、前記
基板上に形成された一対の上面電極層と、前記一対の上
面電極層に電気的に接続される抵抗層と、前記抵抗層の
抵抗値を目的の値に調整するために前記抵抗層に形成し
たトリミング溝と、前記抵抗層を完全に覆う保護層と、
前記上面電極層の一部に重なる一対の側面電極層より形
成され、前記トリミング溝を前記抵抗層に形成する範囲
を、一方の上面電極層から前記上面電極層間隔の長さの
１／３以内の距離内とするか、絶縁性の基板と、前記基
板上に形成された一対の上面電極層と、前記一対の上面
電極層に電気的に接続される抵抗層と、前記抵抗層の抵
抗値を目的の値に調整するために前記抵抗層に形成した
２本のトリミング溝と、前記抵抗層を完全に覆う保護層
と、前記上面電極層の一部に重なる一対の側面電極層よ
り形成され、前記２本のトリミング溝の内一方のトリミ
ング溝を前記抵抗層に形成する範囲を、一方の上面電極
層から前記上面電極層間隔の長さの１／３以内の距離内
で、他方のトリミング溝を前記抵抗層に形成する範囲
を、他方の上面電極層から前記上面電極層間隔の長さの
１／３以内の距離内とするように構成されている。
【００１１】
【作用】これにより、低熱伝導率のガラスアルミナセラ
ミック基板内で熱伝導を主に行わせるのでなく、高熱伝
導率の上面電極層に熱を主に逃がすことができるため、
トリミング先端部での温度上昇を低く抑えることがで
き、過負荷特性に対して良好な角形チップ抵抗器を安価
に提供できる。
ミック基板内で熱伝導を主に行わせるのでなく、高熱伝
導率の上面電極層に熱を主に逃がすことができるため、
トリミング先端部での温度上昇を低く抑えることがで
き、過負荷特性に対して良好な角形チップ抵抗器を安価
に提供できる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の第一の実施例について、図
１，図２を用いて説明する。
１，図２を用いて説明する。
【００１３】図１は本発明の第一の実施例を示す一部透
視上面図であり、図２は図１のＡ−Ａ’断面図である。
尚試作は１．０×０．５ｍｍサイズで行った。
視上面図であり、図２は図１のＡ−Ａ’断面図である。
尚試作は１．０×０．５ｍｍサイズで行った。
【００１４】図１，図２において、本発明の角形チップ
抵抗器は、ガラスアルミナセラミックなどの絶縁基板１
と、絶縁基板１上の銀系厚膜の一対の上面電極層２と、
この上面電極層２の一部に重なるルテニウム系厚膜の抵
抗層３と、この抵抗層３の抵抗値を目的の値に調整する
ために抵抗層３に形成したトリミング溝６と、前記抵抗
層３を完全に覆うガラス層５と、前記上面電極層２の一
部に重なる一対の側面電極層４と露出電極面に形成され
たＮｉメッキ層とはんだメッキ層とより構成される。ま
た、トリミング溝６は一方の上面電極層２から前記上面
電極層２間隔の長さの１／３以内の距離内で有るように
構成されている。
抵抗器は、ガラスアルミナセラミックなどの絶縁基板１
と、絶縁基板１上の銀系厚膜の一対の上面電極層２と、
この上面電極層２の一部に重なるルテニウム系厚膜の抵
抗層３と、この抵抗層３の抵抗値を目的の値に調整する
ために抵抗層３に形成したトリミング溝６と、前記抵抗
層３を完全に覆うガラス層５と、前記上面電極層２の一
部に重なる一対の側面電極層４と露出電極面に形成され
たＮｉメッキ層とはんだメッキ層とより構成される。ま
た、トリミング溝６は一方の上面電極層２から前記上面
電極層２間隔の長さの１／３以内の距離内で有るように
構成されている。
【００１５】次に、図１，図２に示した本発明の第一の
実施例の製造方法について説明する。まず、アルミナ成
分を５５％含有したガラスアルミナセラミックなどの絶
縁基板１を受け入れる。この絶縁基板１には短冊状およ
び個片状に分割するための分割溝は形成されていない。
次に、前記絶縁基板１の表面に厚膜銀ペーストをスクリ
ーン印刷・乾燥し、ベルト式連続焼成炉によって８５０
℃の温度で、ピーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ ４５分の
プロファイルによって焼成し上面電極層２を形成した。
実施例の製造方法について説明する。まず、アルミナ成
分を５５％含有したガラスアルミナセラミックなどの絶
縁基板１を受け入れる。この絶縁基板１には短冊状およ
び個片状に分割するための分割溝は形成されていない。
次に、前記絶縁基板１の表面に厚膜銀ペーストをスクリ
ーン印刷・乾燥し、ベルト式連続焼成炉によって８５０
℃の温度で、ピーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ ４５分の
プロファイルによって焼成し上面電極層２を形成した。
【００１６】次に、上面電極層２の一部に重なるように
ＲｕＯ2を主成分とする厚膜抵抗ペーストをスクリーン
印刷し、ベルト式連続焼成炉により８５０℃の温度でピ
ーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ時間 ４５分のプロファイ
ルによって焼成し、抵抗層３を形成した。次に、上面電
極層２間の抵抗層３の抵抗値を揃えるために、レーザー
光によって抵抗層３の一部を破壊し抵抗値修正（Ｌカッ
ト，１００ｍｍ／秒，１２ＫＨｚ，５Ｗ）を行い（この
場合、図１に示す如く、一方の上面電極層２からの距離
が上面電極層間隔の１／３内である範囲でトリミングを
行っている。）トリミング溝６を形成した。
ＲｕＯ2を主成分とする厚膜抵抗ペーストをスクリーン
印刷し、ベルト式連続焼成炉により８５０℃の温度でピ
ーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ時間 ４５分のプロファイ
ルによって焼成し、抵抗層３を形成した。次に、上面電
極層２間の抵抗層３の抵抗値を揃えるために、レーザー
光によって抵抗層３の一部を破壊し抵抗値修正（Ｌカッ
ト，１００ｍｍ／秒，１２ＫＨｚ，５Ｗ）を行い（この
場合、図１に示す如く、一方の上面電極層２からの距離
が上面電極層間隔の１／３内である範囲でトリミングを
行っている。）トリミング溝６を形成した。
【００１７】続いて、抵抗層３を完全に覆うようにホウ
ケイ酸鉛系ガラスペーストをスクリーン印刷し、ベルト
式連続焼成炉によって５９０℃の温度で、ピーク時間６
分、ＩＮ−ＯＵＴ ５０分の焼成プロファイルによって
焼成しガラス層５を形成した。次に、絶縁基板１を短冊
状および個片状に分割するための分割溝をセラミックス
クライバー（０．３ｋｇｆ／ｃｍ2 ２００ｍｍ／Ｓ）
により形成した。
ケイ酸鉛系ガラスペーストをスクリーン印刷し、ベルト
式連続焼成炉によって５９０℃の温度で、ピーク時間６
分、ＩＮ−ＯＵＴ ５０分の焼成プロファイルによって
焼成しガラス層５を形成した。次に、絶縁基板１を短冊
状および個片状に分割するための分割溝をセラミックス
クライバー（０．３ｋｇｆ／ｃｍ2 ２００ｍｍ／Ｓ）
により形成した。
【００１８】次に、側面電極を形成するための準備工程
として、側面電極を露出させるために、絶縁基板１を短
冊状に分割し、短冊状絶縁基板を得た。前記短冊状絶縁
基板の側面に、上面電極層２の一部に重なるように厚膜
銀ペーストをローラーによって塗布し、ベルト式連続焼
成炉によって６００℃の温度で、ピーク温度６分、ＩＮ
−ＯＵＴ ４５分の焼成プロファイルによって焼成し側
面電極層４を形成した。
として、側面電極を露出させるために、絶縁基板１を短
冊状に分割し、短冊状絶縁基板を得た。前記短冊状絶縁
基板の側面に、上面電極層２の一部に重なるように厚膜
銀ペーストをローラーによって塗布し、ベルト式連続焼
成炉によって６００℃の温度で、ピーク温度６分、ＩＮ
−ＯＵＴ ４５分の焼成プロファイルによって焼成し側
面電極層４を形成した。
【００１９】次に、電極メッキの準備工程として、側面
電極層４を形成済みの短冊状絶縁基板を個片状に分割す
る二次基板分割を行い、個片状絶縁基板を得た。そして
最後に、露出している上面電極層２と側面電極層４上に
電解メッキによってＮｉメッキ層とはんだメッキ層を形
成した。
電極層４を形成済みの短冊状絶縁基板を個片状に分割す
る二次基板分割を行い、個片状絶縁基板を得た。そして
最後に、露出している上面電極層２と側面電極層４上に
電解メッキによってＮｉメッキ層とはんだメッキ層を形
成した。
【００２０】以上の工程により、本発明の第一の実施例
による角形チップ抵抗器を試作した。
による角形チップ抵抗器を試作した。
【００２１】次に、本発明の第二の実施例について、図
３，図４を用いて説明する。図３は本発明の実施例２を
示す一部透視の上面図であり、図４は図３のＡ−Ａ’断
面図である。尚試作は１．０×０．５ｍｍサイズで行っ
た。
３，図４を用いて説明する。図３は本発明の実施例２を
示す一部透視の上面図であり、図４は図３のＡ−Ａ’断
面図である。尚試作は１．０×０．５ｍｍサイズで行っ
た。
【００２２】図３，図４において、本発明の角形チップ
抵抗器は、絶縁基板１と、この絶縁基板１上の銀系厚膜
の一対の上面電極層２と、この上面電極層２の一部に重
なるルテニウム系厚膜の抵抗層３と、この抵抗層３の抵
抗値を目的の値に調整するために抵抗層３に形成した２
本のトリミング溝７ａ，７ｂと、抵抗層３を完全に覆う
ガラス層５と、上面電極層２の一部に重なる一対の側面
電極層４と露出電極面に形成されたＮｉメッキ層とはん
だメッキ層より構成される。また、トリミング溝７ａ，
７ｂはそれぞれの上面電極層２から前記上面電極層２間
隔の長さの１／３以内の距離内で有るように構成されて
いる。
抵抗器は、絶縁基板１と、この絶縁基板１上の銀系厚膜
の一対の上面電極層２と、この上面電極層２の一部に重
なるルテニウム系厚膜の抵抗層３と、この抵抗層３の抵
抗値を目的の値に調整するために抵抗層３に形成した２
本のトリミング溝７ａ，７ｂと、抵抗層３を完全に覆う
ガラス層５と、上面電極層２の一部に重なる一対の側面
電極層４と露出電極面に形成されたＮｉメッキ層とはん
だメッキ層より構成される。また、トリミング溝７ａ，
７ｂはそれぞれの上面電極層２から前記上面電極層２間
隔の長さの１／３以内の距離内で有るように構成されて
いる。
【００２３】次に、図３，図４に示した本発明の第二の
実施例の製造方法について説明する。まず、アルミナ成
分を５５％含有した絶縁基板１を受け入れる。この絶縁
基板１には短冊状および個片状に分割するための分割溝
は形成されていない。次に、前記絶縁基板１の表面に厚
膜銀ペーストをスクリーン印刷・乾燥し、ベルト式連続
焼成炉によって８５０℃の温度で、ピーク時間６分、Ｉ
Ｎ−ＯＵＴ ４５分のプロファイルによって焼成し上面
電極層２を形成した。
実施例の製造方法について説明する。まず、アルミナ成
分を５５％含有した絶縁基板１を受け入れる。この絶縁
基板１には短冊状および個片状に分割するための分割溝
は形成されていない。次に、前記絶縁基板１の表面に厚
膜銀ペーストをスクリーン印刷・乾燥し、ベルト式連続
焼成炉によって８５０℃の温度で、ピーク時間６分、Ｉ
Ｎ−ＯＵＴ ４５分のプロファイルによって焼成し上面
電極層２を形成した。
【００２４】次に、上面電極層２の一部に重なるように
ＲｕＯ2を主成分とする厚膜抵抗ペーストをスクリーン
印刷し、ベルト式連続焼成炉により８５０℃の温度でピ
ーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ時間 ４５分のプロファイ
ルによって焼成し、抵抗層３を形成した。次に、上面電
極層２間の抵抗層３の抵抗値を揃えるために、レーザー
光によって、抵抗層３の一部を破壊し抵抗値修正（Ｌカ
ット，１００ｍｍ／秒，１２ＫＨｚ，５Ｗ）を行い（こ
の場合、図３に示す如く、一方の上面電極層２からの距
離が上面電極間隔の１／３内である範囲でトリミングを
行っているとともに、他方の上面電極層２からの距離が
上面電極層間隔の１／３内である範囲でトリミングを行
っている）トリミング溝７ａ，７ｂを形成した。
ＲｕＯ2を主成分とする厚膜抵抗ペーストをスクリーン
印刷し、ベルト式連続焼成炉により８５０℃の温度でピ
ーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ時間 ４５分のプロファイ
ルによって焼成し、抵抗層３を形成した。次に、上面電
極層２間の抵抗層３の抵抗値を揃えるために、レーザー
光によって、抵抗層３の一部を破壊し抵抗値修正（Ｌカ
ット，１００ｍｍ／秒，１２ＫＨｚ，５Ｗ）を行い（こ
の場合、図３に示す如く、一方の上面電極層２からの距
離が上面電極間隔の１／３内である範囲でトリミングを
行っているとともに、他方の上面電極層２からの距離が
上面電極層間隔の１／３内である範囲でトリミングを行
っている）トリミング溝７ａ，７ｂを形成した。
【００２５】続いて、抵抗層３を完全に覆うようにホウ
ケイ酸鉛系ガラスペーストをスクリーン印刷し、ベルト
式連続焼成炉によって５９０℃の温度で、ピーク時間６
分、ＩＮ−ＯＵＴ ５０分の焼成プロファイルによって
焼成しガラス層５を形成した。次に、絶縁基板１を短冊
状および個片状に分割するための分割溝をセラミックス
クライバー（０．３ｋｇｆ／ｃｍ2 ２００ｍｍ／Ｓ）
により形成した。
ケイ酸鉛系ガラスペーストをスクリーン印刷し、ベルト
式連続焼成炉によって５９０℃の温度で、ピーク時間６
分、ＩＮ−ＯＵＴ ５０分の焼成プロファイルによって
焼成しガラス層５を形成した。次に、絶縁基板１を短冊
状および個片状に分割するための分割溝をセラミックス
クライバー（０．３ｋｇｆ／ｃｍ2 ２００ｍｍ／Ｓ）
により形成した。
【００２６】次に、側面電極を形成するための準備工程
として側面電極を露出させるために、絶縁基板１を短冊
状に分割し短冊状絶縁基板を得た。この短冊状絶縁基板
の側面に、上面電極層２の一部に重なるように厚膜銀ペ
ーストをローラーによって塗布し、ベルト式連続焼成炉
によって６００℃の温度で、ピーク時間６分、ＩＮ−Ｏ
ＵＴ ４５分の焼成プロファイルによって焼成し端面電
極層４を形成した。
として側面電極を露出させるために、絶縁基板１を短冊
状に分割し短冊状絶縁基板を得た。この短冊状絶縁基板
の側面に、上面電極層２の一部に重なるように厚膜銀ペ
ーストをローラーによって塗布し、ベルト式連続焼成炉
によって６００℃の温度で、ピーク時間６分、ＩＮ−Ｏ
ＵＴ ４５分の焼成プロファイルによって焼成し端面電
極層４を形成した。
【００２７】次に、電極メッキの準備工程として、側面
電極層４を形成済みの短冊状絶縁基板を個片状に分割す
る二次基板分割を行い、個片状絶縁基板を得た。そして
最後に、露出している上面電極層２と側面電極層４上
に、電解メッキによってＮｉメッキ層とはんだメッキ層
を形成した。
電極層４を形成済みの短冊状絶縁基板を個片状に分割す
る二次基板分割を行い、個片状絶縁基板を得た。そして
最後に、露出している上面電極層２と側面電極層４上
に、電解メッキによってＮｉメッキ層とはんだメッキ層
を形成した。
【００２８】以上の工程により、本発明の実施例２によ
る角形チップ抵抗器を試作した。この本発明の実施例に
よる角形チップ抵抗器をプリント基板にリフローはんだ
付けにより実装し、過負荷特性試験および表面温度上昇
を測定した。
る角形チップ抵抗器を試作した。この本発明の実施例に
よる角形チップ抵抗器をプリント基板にリフローはんだ
付けにより実装し、過負荷特性試験および表面温度上昇
を測定した。
【００２９】＜過負荷特性試験条件＞定格電圧（１／１
６Ｗ印加で算出：２５Ｖ）の２．５倍の電圧（６２．５
Ｖ）を１秒間ＯＮ、１０秒間ＯＦＦのサイクルで１００
００回印加し、試験前後の抵抗値変化を測定する。
６Ｗ印加で算出：２５Ｖ）の２．５倍の電圧（６２．５
Ｖ）を１秒間ＯＮ、１０秒間ＯＦＦのサイクルで１００
００回印加し、試験前後の抵抗値変化を測定する。
【００３０】＜表面温度上昇＞日本電気三栄（株）製
サーモトレーサー６Ｔ６２にてトリミング先端部の温度
上昇分を測定する（周囲温度２５℃にて測定）。
サーモトレーサー６Ｔ６２にてトリミング先端部の温度
上昇分を測定する（周囲温度２５℃にて測定）。
【００３１】第一の実施例および従来例は図１のａ部を
測定、第二の実施例は図３のｂ部およびｃ部の温度上昇
分を測定し平均値を算出（尚、従来例はガラスアルミナ
セラミック基板を用いて試作している。）。
測定、第二の実施例は図３のｂ部およびｃ部の温度上昇
分を測定し平均値を算出（尚、従来例はガラスアルミナ
セラミック基板を用いて試作している。）。
【００３２】
【表１】
【００３３】（表１）より本発明による第一の実施例、
第二の実施例はガラスアルミナセラミック基板を用いて
も、良好な過負荷特性を有することが確認できる。
第二の実施例はガラスアルミナセラミック基板を用いて
も、良好な過負荷特性を有することが確認できる。
【００３４】第二の実施例の方が、温度上昇部分を２カ
所に分けることができるので、第一の実施例よりも良好
な結果になったものと考える。
所に分けることができるので、第一の実施例よりも良好
な結果になったものと考える。
【００３５】なお、実施例においてガラスアルミナセラ
ミック基板により試作を行ったが、従来の９６アルミナ
基板でも、ガラスアルミナセラミック基板ほどではない
が、過負荷特性の良化が認められた。また、実施例にお
いて側面電極層には厚膜電極を用い保護層にはガラス層
を用いたがこれは薄膜電極および樹脂系の保護膜等でも
効果があり本発明の請求の範囲を限定するものではな
い。
ミック基板により試作を行ったが、従来の９６アルミナ
基板でも、ガラスアルミナセラミック基板ほどではない
が、過負荷特性の良化が認められた。また、実施例にお
いて側面電極層には厚膜電極を用い保護層にはガラス層
を用いたがこれは薄膜電極および樹脂系の保護膜等でも
効果があり本発明の請求の範囲を限定するものではな
い。
【００３６】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
の角形チップ抵抗器は、トリミング溝を形成する範囲
を、上面部分の電極層の近傍（上面電極層間隔の１／３
以内）とすることにより、熱伝導性の悪いガラスアルミ
ナセラミック基板を用いても、良好な過負荷特性を得る
ことができ、角形チップ抵抗器を安価に提供できるとい
う優れた効果を有する。
の角形チップ抵抗器は、トリミング溝を形成する範囲
を、上面部分の電極層の近傍（上面電極層間隔の１／３
以内）とすることにより、熱伝導性の悪いガラスアルミ
ナセラミック基板を用いても、良好な過負荷特性を得る
ことができ、角形チップ抵抗器を安価に提供できるとい
う優れた効果を有する。
【図１】本発明の第一の実施例の角形チップ抵抗器の構
造を示す上面図
造を示す上面図
【図２】同図１のＡ−Ａ’断面図
【図３】本発明の第二の実施例の角形チップ抵抗器の構
造を示す上面図
造を示す上面図
【図４】同図３のＡ−Ａ’断面図
【図５】従来の角形チップ抵抗器の構造を示す上面図
【図６】同図５のａ−ａ’断面図
１ 絶縁基板 ２ 上面電極層 ３ 抵抗層 ４ 側面電極層 ５ ガラス層 ６，７ａ，７ｂ トリミング溝
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁性の基板と、前記基板上に形成され
た一対の上面電極層と、前記一対の上面電極層に電気的
に接続される抵抗層と、前記抵抗層の抵抗値を目的の値
に調整するために前記抵抗層に形成したトリミング溝
と、前記抵抗層を完全に覆う保護層と、前記上面電極層
の一部に重なる一対の側面電極層より形成され、前記ト
リミング溝を前記抵抗層に形成する範囲を一方の上面電
極層から前記上面電極層間隔の長さの１／３以内の距離
内とする角形チップ抵抗器。 - 【請求項２】 絶縁性の基板と、前記基板上に形成され
た一対の上面電極層と、前記一対の上面電極層に電気的
に接続される抵抗層と、前記抵抗層の抵抗値を目的の値
に調整するために前記抵抗層に形成した２本のトリミン
グ溝と、前記抵抗層を完全に覆う保護層と、前記上面電
極層の一部に重なる一対の側面電極層より形成され、前
記２本のトリミング溝の内一方のトリミング溝を前記抵
抗層に形成する範囲を一方の上面電極層から前記上面電
極層間隔の長さの１／３以内の距離内とし、他方のトリ
ミング溝を前記抵抗層に形成する範囲を他方の上面電極
層から前記上面電極層間隔の長さの１／３以内の距離内
とした角形チップ抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6157369A JPH0822904A (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 角形チップ抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6157369A JPH0822904A (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 角形チップ抵抗器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0822904A true JPH0822904A (ja) | 1996-01-23 |
Family
ID=15648153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6157369A Pending JPH0822904A (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 角形チップ抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0822904A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007053219A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器 |
| JP2018107374A (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | Koa株式会社 | チップ抵抗器 |
-
1994
- 1994-07-08 JP JP6157369A patent/JPH0822904A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007053219A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器 |
| JP4707500B2 (ja) * | 2005-08-18 | 2011-06-22 | ローム株式会社 | チップ抵抗器 |
| JP2018107374A (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | Koa株式会社 | チップ抵抗器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040105 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040127 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040329 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040511 |