JPH05258904A - 角形チップ抵抗器およびその製造方法 - Google Patents
角形チップ抵抗器およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH05258904A JPH05258904A JP4057704A JP5770492A JPH05258904A JP H05258904 A JPH05258904 A JP H05258904A JP 4057704 A JP4057704 A JP 4057704A JP 5770492 A JP5770492 A JP 5770492A JP H05258904 A JPH05258904 A JP H05258904A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- surface electrode
- thick film
- chip resistor
- resistance layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Details Of Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 一括実装される角形チップ抵抗器において、
耐硫化特性に優れたチップ抵抗器を安価に提供すること
を目的とする。 【構成】 問題となるガラスの界面の真下に耐硫化特性
の優れるルテニウム抵抗体を形成するような構造に変更
し、実装時にガラス界面に隙間ができても硫化ガスに影
響されないものである。
耐硫化特性に優れたチップ抵抗器を安価に提供すること
を目的とする。 【構成】 問題となるガラスの界面の真下に耐硫化特性
の優れるルテニウム抵抗体を形成するような構造に変更
し、実装時にガラス界面に隙間ができても硫化ガスに影
響されないものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高密度配線回路に用いら
れる、角形チップ抵抗器およびその製造方法に関するも
のである。
れる、角形チップ抵抗器およびその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の軽薄短小化に対する要
求がますます増大していく中、回路基板の配線密度を高
めるため、抵抗素子には非常に小型な抵抗器が多く用い
られるようになってきた。
求がますます増大していく中、回路基板の配線密度を高
めるため、抵抗素子には非常に小型な抵抗器が多く用い
られるようになってきた。
【０００３】従来の厚膜タイプの角形チップ抵抗器の構
造の一例を図２（ａ），（ｂ）に示す。図２（ａ）は斜
視図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ’線の断面図で
ある。
造の一例を図２（ａ），（ｂ）に示す。図２（ａ）は斜
視図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ’線の断面図で
ある。
【０００４】従来の角形チップ抵抗器は、９６アルミナ
基板１０上に形成された一対の銀系厚膜電極による一対
の上面電極層１１と、前記上面電極層１１と接続するよ
うに形成されたルテニウム系厚膜抵抗による抵抗層１２
と、抵抗層１２を完全に覆うガラス層１４と、上面電極
層１１の一部と重なる側面電極層１３とから構成されて
いる。なお、露出電極面にははんだ付け性を確保するた
めにＮｉメッキ層１５とはんだメッキ層１６を形成して
いる。
基板１０上に形成された一対の銀系厚膜電極による一対
の上面電極層１１と、前記上面電極層１１と接続するよ
うに形成されたルテニウム系厚膜抵抗による抵抗層１２
と、抵抗層１２を完全に覆うガラス層１４と、上面電極
層１１の一部と重なる側面電極層１３とから構成されて
いる。なお、露出電極面にははんだ付け性を確保するた
めにＮｉメッキ層１５とはんだメッキ層１６を形成して
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この角形チッ
プ抵抗器のガラス層１４とはんだメッキ層１６およびＮ
ｉメッキ層１５の境目１７では、チップ抵抗器をプリン
ト基板にはんだ付け実装するときに、はんだ付け時の熱
衝撃により隙間が生じ易い。更に、この実装されたチッ
プ抵抗器を実装した電気製品を温泉地等の硫化ガスを含
む雰囲気で使用されたときに、硫化ガスがこの隙間１７
に入り込み上面電極層１１と反応し硫化銀を形成する。
この硫化銀は絶縁物であるため、反応が進むとチップ抵
抗器が上面電極層１１にて断線するといった不良が生じ
るといった課題を有している。この課題を解決するため
には単純に上面電極層を金電極等に置き換えれば解決で
きるが金電極の使用コストは非常に高く実用化しにくい
ものであった。
プ抵抗器のガラス層１４とはんだメッキ層１６およびＮ
ｉメッキ層１５の境目１７では、チップ抵抗器をプリン
ト基板にはんだ付け実装するときに、はんだ付け時の熱
衝撃により隙間が生じ易い。更に、この実装されたチッ
プ抵抗器を実装した電気製品を温泉地等の硫化ガスを含
む雰囲気で使用されたときに、硫化ガスがこの隙間１７
に入り込み上面電極層１１と反応し硫化銀を形成する。
この硫化銀は絶縁物であるため、反応が進むとチップ抵
抗器が上面電極層１１にて断線するといった不良が生じ
るといった課題を有している。この課題を解決するため
には単純に上面電極層を金電極等に置き換えれば解決で
きるが金電極の使用コストは非常に高く実用化しにくい
ものであった。
【０００６】本発明は、このような課題を解決するもの
で、硫化ガス雰囲気中でも断線を起こさないチップ抵抗
器を安価で提供することを目的とする。
で、硫化ガス雰囲気中でも断線を起こさないチップ抵抗
器を安価で提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、絶縁性の角板形のセラミック基板と、前記
セラミック基板上の長手方向に形成された銀系厚膜より
なる一対の上面電極層と、前記一対の上面電極層の一部
に重なるルテニウム系厚膜よりなる抵抗層と、前記抵抗
層のうち一対の上面電極層と重なりあう部分の一部を覆
うように抵抗層上に形成したガラス層と、前記上面電極
層の一部に重なる銀系厚膜の一対の側面電極層と、前記
上面電極層と前記抵抗層と前記側面電極層の前記ガラス
層に覆われない部分に形成されたＮｉメッキ層と、前記
Ｎｉメッキ層を完全に覆うはんだメッキ層とにより構成
している。
に本発明は、絶縁性の角板形のセラミック基板と、前記
セラミック基板上の長手方向に形成された銀系厚膜より
なる一対の上面電極層と、前記一対の上面電極層の一部
に重なるルテニウム系厚膜よりなる抵抗層と、前記抵抗
層のうち一対の上面電極層と重なりあう部分の一部を覆
うように抵抗層上に形成したガラス層と、前記上面電極
層の一部に重なる銀系厚膜の一対の側面電極層と、前記
上面電極層と前記抵抗層と前記側面電極層の前記ガラス
層に覆われない部分に形成されたＮｉメッキ層と、前記
Ｎｉメッキ層を完全に覆うはんだメッキ層とにより構成
している。
【０００８】
【作用】これにより、チップ抵抗器のガラス層とはんだ
メッキおよびＮｉメッキとの境目の真下に耐硫化性の高
い酸化ルテニウムを形成することにより硫化ガス雰囲気
中でも断線を起こさないチップ抵抗器を安価で提供する
ものである。
メッキおよびＮｉメッキとの境目の真下に耐硫化性の高
い酸化ルテニウムを形成することにより硫化ガス雰囲気
中でも断線を起こさないチップ抵抗器を安価で提供する
ものである。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図１を用
いて説明する。
いて説明する。
【００１０】図１（ａ）は本発明の実施例を示す斜視図
であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線の断面図
である。
であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線の断面図
である。
【００１１】図１において、本発明の角形チップ抵抗器
は、９６アルミナ基板１と、前記９６アルミナ基板１上
の銀系厚膜からなる一対の上面電極層２と、前記上面電
極層２の一部に重なるルテニウム系厚膜からなる抵抗層
４と、前記抵抗層４のうち一対の上面電極層２と重なり
あう部分の一部を覆うように抵抗層４上に形成したガラ
ス層６と、前記上面電極層２の一部に重なる銀系厚膜の
側面電極層３と露出電極面に形成されたＮｉメッキ層７
とはんだメッキ層８より構成される。
は、９６アルミナ基板１と、前記９６アルミナ基板１上
の銀系厚膜からなる一対の上面電極層２と、前記上面電
極層２の一部に重なるルテニウム系厚膜からなる抵抗層
４と、前記抵抗層４のうち一対の上面電極層２と重なり
あう部分の一部を覆うように抵抗層４上に形成したガラ
ス層６と、前記上面電極層２の一部に重なる銀系厚膜の
側面電極層３と露出電極面に形成されたＮｉメッキ層７
とはんだメッキ層８より構成される。
【００１２】次に、図１に示した本発明の実施例の製造
方法について説明する。まず、耐熱性および絶縁性に優
れた９６アルミナ基板１を受け入れる。このアルミナ基
板１には短冊状、および個片状に分割するために、分割
のための溝（グリーンシート時に金型成形）が形成され
ている。次に、前記９６アルミナ基板１の表面に厚膜銀
ペーストをスクリーン印刷・乾燥し、ベルト式連続焼成
炉によって８５０℃の温度で、ピーク時間６分、ＩＮ−
ＯＵＴ ４５分のプロファイルによって焼成し上面電極
層２を形成した。次に、上面電極層２の一部に重なるよ
うに、ＲｕＯ2を主成分とする厚膜抵抗ペーストをスク
リーン印刷し、ベルト式連続焼成炉により８５０℃の温
度でピーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ時間４５分のプロフ
ァイルによって焼成し、抵抗層４を形成した。次に、前
記上面電極層２間の前記抵抗層４の抵抗値を揃えるため
に、レーザー光によって、前記抵抗層４の一部を破壊し
抵抗値修正（Ｌカット、１００mm／秒、１２kHz、５
Ｗ）を行った。続いて、前記抵抗層４のうち一対の上面
電極層２間隔を完全に覆い、かつ前記抵抗層４のうち一
対の上面電極層２と重なりあう部分の一部を覆うよう
に、ホウケイ酸鉛系ガラスペーストをスクリーン印刷
し、ベルト式連続焼成炉によって５９０℃の温度で、ピ
ーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ５０分の焼成プロファイル
によって焼成し、ガラス層６を形成した。次に、側面電
極を形成するための準備工程として、側面電極を露出さ
せるために、アルミナ基板１を短冊状に分割し、短冊状
アルミナ基板を得た。前記短冊状アルミナ基板の側面
に、前記上面電極層２の一部に重なるように厚膜銀ペー
ストをローラーによって塗布し、ベルト式連続焼成炉に
よって６００℃の温度で、ピーク時間６分、ＩＮ−ＯＵ
Ｔ ４５分の焼成プロファイルによって焼成し側面電極
層３を形成した。次に、電極メッキの準備工程として、
前記側面電極層３を形成済みの短冊状アルミナ基板を個
片状に分割する二次基板分割を行い、個片状アルミナ基
板を得た。そして最後に、露出している上面電極層２と
抵抗層４と側面電極層３上に、電解メッキによってＮｉ
メッキ層とはんだメッキ層を形成した。電解メッキ法を
用いることによりルテニウム系の厚膜抵抗材料から成る
抵抗層４上に、安定したＮｉメッキ膜を形成することが
できる。
方法について説明する。まず、耐熱性および絶縁性に優
れた９６アルミナ基板１を受け入れる。このアルミナ基
板１には短冊状、および個片状に分割するために、分割
のための溝（グリーンシート時に金型成形）が形成され
ている。次に、前記９６アルミナ基板１の表面に厚膜銀
ペーストをスクリーン印刷・乾燥し、ベルト式連続焼成
炉によって８５０℃の温度で、ピーク時間６分、ＩＮ−
ＯＵＴ ４５分のプロファイルによって焼成し上面電極
層２を形成した。次に、上面電極層２の一部に重なるよ
うに、ＲｕＯ2を主成分とする厚膜抵抗ペーストをスク
リーン印刷し、ベルト式連続焼成炉により８５０℃の温
度でピーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ時間４５分のプロフ
ァイルによって焼成し、抵抗層４を形成した。次に、前
記上面電極層２間の前記抵抗層４の抵抗値を揃えるため
に、レーザー光によって、前記抵抗層４の一部を破壊し
抵抗値修正（Ｌカット、１００mm／秒、１２kHz、５
Ｗ）を行った。続いて、前記抵抗層４のうち一対の上面
電極層２間隔を完全に覆い、かつ前記抵抗層４のうち一
対の上面電極層２と重なりあう部分の一部を覆うよう
に、ホウケイ酸鉛系ガラスペーストをスクリーン印刷
し、ベルト式連続焼成炉によって５９０℃の温度で、ピ
ーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ５０分の焼成プロファイル
によって焼成し、ガラス層６を形成した。次に、側面電
極を形成するための準備工程として、側面電極を露出さ
せるために、アルミナ基板１を短冊状に分割し、短冊状
アルミナ基板を得た。前記短冊状アルミナ基板の側面
に、前記上面電極層２の一部に重なるように厚膜銀ペー
ストをローラーによって塗布し、ベルト式連続焼成炉に
よって６００℃の温度で、ピーク時間６分、ＩＮ−ＯＵ
Ｔ ４５分の焼成プロファイルによって焼成し側面電極
層３を形成した。次に、電極メッキの準備工程として、
前記側面電極層３を形成済みの短冊状アルミナ基板を個
片状に分割する二次基板分割を行い、個片状アルミナ基
板を得た。そして最後に、露出している上面電極層２と
抵抗層４と側面電極層３上に、電解メッキによってＮｉ
メッキ層とはんだメッキ層を形成した。電解メッキ法を
用いることによりルテニウム系の厚膜抵抗材料から成る
抵抗層４上に、安定したＮｉメッキ膜を形成することが
できる。
【００１３】以上の工程により、本発明の実施例による
角形チップ抵抗器を試作した。この本発明の実施例によ
る角形チップ抵抗器をプリント基板にフローはんだ付け
により実装し、硫化ガス試験（６０℃ ９５％ＲＨ雰囲
気中に１００００ｐｐｍのＨ2Ｓ含有雰囲気中に１００
時間放置Ｎ＝１００）を実施した結果を（表１）に示
す。
角形チップ抵抗器を試作した。この本発明の実施例によ
る角形チップ抵抗器をプリント基板にフローはんだ付け
により実装し、硫化ガス試験（６０℃ ９５％ＲＨ雰囲
気中に１００００ｐｐｍのＨ2Ｓ含有雰囲気中に１００
時間放置Ｎ＝１００）を実施した結果を（表１）に示
す。
【００１４】
【表１】
【００１５】（表１）より、本発明は優れた耐硫化特性
を有することがわかる。なお、実施例において抵抗層４
形成後にレーザートリミングを実施したが、これはガラ
ス層６より小さいパターンにてプリコートガラス層を印
刷焼成後にレーザートリミングを行っても問題ない。
を有することがわかる。なお、実施例において抵抗層４
形成後にレーザートリミングを実施したが、これはガラ
ス層６より小さいパターンにてプリコートガラス層を印
刷焼成後にレーザートリミングを行っても問題ない。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように本発明の
角形チップ抵抗器は、絶縁性の角板形のセラミック基板
と、前記セラミック基板上の長手方向に形成された銀系
厚膜からなる一対の上面電極層と、前記一対の上面電極
層の一部に重なるルテニウム系厚膜からなる抵抗層と、
前記抵抗層のうち一対の上面電極層と重なりあう部分の
一部を覆うように抵抗層４上に形成したガラス層と、前
記上面電極層の一部に重なる銀系厚膜からなる一対の側
面電極層と、前記上面電極層と前記抵抗層と前記側面電
極層の前記ガラス層に覆われない部分に形成されたＮｉ
メッキ層と、前記Ｎｉメッキ層を完全に覆うはんだメッ
キ層とにより構成したものであり、これにより、チップ
抵抗器のガラス層とはんだメッキおよびＮｉメッキとの
境目の真下に耐硫化性の高い酸化ルテニウムを形成する
ことにより硫化ガス雰囲気中で断線を起こさないチップ
抵抗器を高価な電極材料を用いず、また現行の工程の変
更を行わずに提供できるという効果が得られる。
角形チップ抵抗器は、絶縁性の角板形のセラミック基板
と、前記セラミック基板上の長手方向に形成された銀系
厚膜からなる一対の上面電極層と、前記一対の上面電極
層の一部に重なるルテニウム系厚膜からなる抵抗層と、
前記抵抗層のうち一対の上面電極層と重なりあう部分の
一部を覆うように抵抗層４上に形成したガラス層と、前
記上面電極層の一部に重なる銀系厚膜からなる一対の側
面電極層と、前記上面電極層と前記抵抗層と前記側面電
極層の前記ガラス層に覆われない部分に形成されたＮｉ
メッキ層と、前記Ｎｉメッキ層を完全に覆うはんだメッ
キ層とにより構成したものであり、これにより、チップ
抵抗器のガラス層とはんだメッキおよびＮｉメッキとの
境目の真下に耐硫化性の高い酸化ルテニウムを形成する
ことにより硫化ガス雰囲気中で断線を起こさないチップ
抵抗器を高価な電極材料を用いず、また現行の工程の変
更を行わずに提供できるという効果が得られる。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例による角形チップ抵
抗器の構造を示す斜視図 （ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線の断面図
抗器の構造を示す斜視図 （ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線の断面図
【図２】（ａ）は従来の角形チップ抵抗器の構造を示す
斜視図 （ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線の断面図
斜視図 （ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線の断面図
１ ９６アルミナ基板 ２ 上面電極層 ３ 側面電極層 ４ 抵抗層 ６ オーバーコートガラス層 ７ Ｎｉメッキ層 ８ はんだメッキ層
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁性の角板形のセラミック基板と、前記
セラミック基板上の長手方向に形成された銀系厚膜より
なる一対の上面電極層と、前記一対の上面電極層の一部
に重なるルテニウム系厚膜よりなる抵抗層と、前記抵抗
層のうち一対の上面電極層と重なりあう部分の一部を覆
うように抵抗層上に形成したガラス層と、前記上面電極
層の一部に重なる銀系厚膜の一対の側面電極層と、前記
上面電極層と前記抵抗層と前記側面電極層の前記ガラス
層に覆われない部分に形成されたＮｉメッキ層と、前記
Ｎｉメッキ層を完全に覆うはんだメッキ層とにより構成
した角形チップ抵抗器。 - 【請求項２】Ｎｉメッキ層およびはんだメッキ層は電解
メッキにより形成することを特徴とする請求項１記載の
角形チップ抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4057704A JPH05258904A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 角形チップ抵抗器およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4057704A JPH05258904A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 角形チップ抵抗器およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05258904A true JPH05258904A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=13063330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4057704A Pending JPH05258904A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 角形チップ抵抗器およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05258904A (ja) |
-
1992
- 1992-03-16 JP JP4057704A patent/JPH05258904A/ja active Pending
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