TWM495617U - 用於邊緣關鍵尺寸均勻性控制的處理套組 - Google Patents
用於邊緣關鍵尺寸均勻性控制的處理套組 Download PDFInfo
- Publication number
- TWM495617U TWM495617U TW103207716U TW103207716U TWM495617U TW M495617 U TWM495617 U TW M495617U TW 103207716 U TW103207716 U TW 103207716U TW 103207716 U TW103207716 U TW 103207716U TW M495617 U TWM495617 U TW M495617U
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- ring
- substrate
- top surface
- ring assembly
- processing chamber
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32642—Focus rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32651—Shields, e.g. dark space shields, Faraday shields
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201361841194P | 2013-06-28 | 2013-06-28 | |
| US14/020,774 US20150001180A1 (en) | 2013-06-28 | 2013-09-06 | Process kit for edge critical dimension uniformity control |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWM495617U true TWM495617U (zh) | 2015-02-11 |
Family
ID=52114576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW103207716U TWM495617U (zh) | 2013-06-28 | 2014-05-02 | 用於邊緣關鍵尺寸均勻性控制的處理套組 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20150001180A1 (enExample) |
| JP (2) | JP6867159B2 (enExample) |
| KR (1) | KR102190302B1 (enExample) |
| CN (1) | CN105283944B (enExample) |
| TW (1) | TWM495617U (enExample) |
| WO (1) | WO2014209489A1 (enExample) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI571909B (zh) * | 2015-10-22 | 2017-02-21 | Asm知識產權私人控股有限公司 | 包括沉積設備的半導體製造系統 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9691625B2 (en) * | 2015-11-04 | 2017-06-27 | Lam Research Corporation | Methods and systems for plasma etching using bi-modal process gas composition responsive to plasma power level |
| JP3210105U (ja) | 2016-03-04 | 2017-04-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | ユニバーサルプロセスキット |
| US9947517B1 (en) * | 2016-12-16 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Adjustable extended electrode for edge uniformity control |
| US12293902B2 (en) | 2018-01-19 | 2025-05-06 | Applied Materials, Inc. | Process kit for a substrate support |
| US11387134B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-07-12 | Applied Materials, Inc. | Process kit for a substrate support |
| US20190287835A1 (en) * | 2018-02-01 | 2019-09-19 | Yield Engineering Systems, Inc. | Interchangeable Edge Rings For Stabilizing Wafer Placement And System Using Same |
| JP7407125B2 (ja) | 2018-04-20 | 2023-12-28 | ラム リサーチ コーポレーション | エッジエクスクルージョン制御 |
| JP7138514B2 (ja) * | 2018-08-22 | 2022-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 環状部材、プラズマ処理装置及びプラズマエッチング方法 |
| JP7541005B2 (ja) | 2018-12-03 | 2024-08-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | チャックとアーク放電に関する性能が改良された静電チャック設計 |
| KR102878174B1 (ko) * | 2020-02-04 | 2025-10-28 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 프로세싱 시스템을 위한 rf 신호 필터 배열 |
| KR20250033324A (ko) | 2020-02-11 | 2025-03-07 | 램 리써치 코포레이션 | 웨이퍼 베벨/에지 상의 증착을 제어하기 위한 캐리어 링 설계들 |
| CN111508803B (zh) * | 2020-04-23 | 2023-01-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺腔室、晶片边缘保护方法及半导体设备 |
| CN113802111B (zh) * | 2020-06-13 | 2023-10-31 | 拓荆科技股份有限公司 | 使用等离子体处理衬底的设备及改善晶圆薄膜表面形貌的方法 |
| CN115885061A (zh) * | 2020-06-25 | 2023-03-31 | 朗姆研究公司 | 具有径向变化等离子体阻抗的承载环 |
| JP7492928B2 (ja) * | 2021-02-10 | 2024-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板支持器、プラズマ処理システム及びプラズマエッチング方法 |
| FI130020B (en) * | 2021-05-10 | 2022-12-30 | Picosun Oy | Substrate processing apparatus and method |
| US12646690B2 (en) | 2021-08-30 | 2026-06-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Focus ring for a plasma-based semiconductor processing tool |
| KR102744850B1 (ko) * | 2022-08-10 | 2024-12-19 | 솔믹스 주식회사 | 포커스 링 및 이를 포함하는 플라즈마 식각장치 |
| CN115910738B (zh) * | 2022-11-01 | 2025-02-18 | 上海积塔半导体有限公司 | 一种通过改变部件尺寸来调节Emax工艺腔体均匀性的方法 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3121524B2 (ja) * | 1995-06-07 | 2001-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング装置 |
| US6284093B1 (en) * | 1996-11-29 | 2001-09-04 | Applied Materials, Inc. | Shield or ring surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber |
| JP4602545B2 (ja) * | 1997-09-16 | 2010-12-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プラズマチャンバの半導体ワークピース用シュラウド |
| JP3296300B2 (ja) * | 1998-08-07 | 2002-06-24 | ウシオ電機株式会社 | 光照射式加熱装置 |
| JP2002529594A (ja) * | 1998-10-29 | 2002-09-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体ウエハ処理システムにおいて加工物を貫通して電力を結合する装置 |
| JP3764639B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2006-04-12 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法 |
| JP4676074B2 (ja) * | 2001-02-15 | 2011-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | フォーカスリング及びプラズマ処理装置 |
| JP4209618B2 (ja) * | 2002-02-05 | 2009-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びリング部材 |
| JP2003257935A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| US7882800B2 (en) * | 2001-12-13 | 2011-02-08 | Tokyo Electron Limited | Ring mechanism, and plasma processing device using the ring mechanism |
| US6868302B2 (en) * | 2002-03-25 | 2005-03-15 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Thermal processing apparatus |
| JP4286025B2 (ja) * | 2003-03-03 | 2009-06-24 | 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 | 石英治具の再生方法、再生使用方法および半導体装置の製造方法 |
| JP2005167088A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング装置及びドライエッチング方法 |
| US7244336B2 (en) * | 2003-12-17 | 2007-07-17 | Lam Research Corporation | Temperature controlled hot edge ring assembly for reducing plasma reactor etch rate drift |
| JP2005303099A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP2006086230A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
| US7520969B2 (en) * | 2006-03-07 | 2009-04-21 | Applied Materials, Inc. | Notched deposition ring |
| KR100794308B1 (ko) * | 2006-05-03 | 2008-01-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 플라즈마 장치 |
| US8440049B2 (en) * | 2006-05-03 | 2013-05-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for etching high aspect ratio features |
| US20070283884A1 (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Applied Materials, Inc. | Ring assembly for substrate processing chamber |
| JP5035884B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2012-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱伝導シート及びこれを用いた被処理基板の載置装置 |
| KR101645043B1 (ko) * | 2007-10-31 | 2016-08-02 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 프로세싱 챔버, 플라즈마 프로세싱 콤포넌트 및 플라즈마 식각 챔버 프로세싱 콤포넌트 제조 방법 |
| JP2010045200A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Tokyo Electron Ltd | フォーカスリング、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2011035026A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Seiko Epson Corp | ドライエッチング装置、半導体装置の製造方法、制御リング |
| JP5719599B2 (ja) * | 2011-01-07 | 2015-05-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
-
2013
- 2013-09-06 US US14/020,774 patent/US20150001180A1/en not_active Abandoned
-
2014
- 2014-04-30 JP JP2016523735A patent/JP6867159B2/ja active Active
- 2014-04-30 WO PCT/US2014/036010 patent/WO2014209489A1/en not_active Ceased
- 2014-04-30 CN CN201480033790.1A patent/CN105283944B/zh active Active
- 2014-04-30 KR KR1020167000788A patent/KR102190302B1/ko active Active
- 2014-05-02 TW TW103207716U patent/TWM495617U/zh not_active IP Right Cessation
-
2020
- 2020-09-30 JP JP2020164401A patent/JP2021010016A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI571909B (zh) * | 2015-10-22 | 2017-02-21 | Asm知識產權私人控股有限公司 | 包括沉積設備的半導體製造系統 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2021010016A (ja) | 2021-01-28 |
| JP6867159B2 (ja) | 2021-04-28 |
| JP2016530705A (ja) | 2016-09-29 |
| CN105283944B (zh) | 2018-04-27 |
| KR20160029073A (ko) | 2016-03-14 |
| WO2014209489A1 (en) | 2014-12-31 |
| US20150001180A1 (en) | 2015-01-01 |
| KR102190302B1 (ko) | 2020-12-11 |
| CN105283944A (zh) | 2016-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6867159B2 (ja) | 縁部クリティカルディメンジョンの均一性制御用のプロセスキット | |
| TWI870500B (zh) | 膜之蝕刻方法及電漿處理裝置 | |
| US9324569B2 (en) | Plasma etching method and plasma etching apparatus | |
| JP5357710B2 (ja) | 基板処理方法,基板処理装置,プログラムを記録した記録媒体 | |
| TW202105502A (zh) | 具有晶圓邊緣電漿殼層調諧能力的半導體電漿處理設備 | |
| JP6853038B2 (ja) | Icpプラズマ処理チャンバ内における高収率・基板最端部欠陥低減のための単一リング設計 | |
| US12230505B2 (en) | Etching apparatus | |
| JP6723659B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| KR20190026589A (ko) | 에칭 방법 | |
| WO2012133585A1 (ja) | プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法 | |
| JPWO2013108750A1 (ja) | 基板載置台及びプラズマ処理装置 | |
| US20170316919A1 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
| JP2016157793A (ja) | エッチング方法 | |
| TWI889733B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
| JP2017010993A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| TWI864154B (zh) | 蝕刻方法及蝕刻裝置 | |
| JP2018200925A (ja) | エッチング方法およびエッチング装置 | |
| US20100015815A1 (en) | Plasma oxidizing method, plasma processing apparatus, and storage medium | |
| CN111326395B (zh) | 等离子体处理方法和等离子体处理装置 | |
| KR102735318B1 (ko) | 클리닝 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
| US9754797B2 (en) | Etching method for selectively etching silicon oxide with respect to silicon nitride | |
| JP2016021434A (ja) | ステンシルマスク、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JP2023103113A (ja) | 基板処理方法 | |
| JP7285152B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| TW202231131A (zh) | 用於基板極端邊緣保護的環 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4K | Annulment or lapse of a utility model due to non-payment of fees |