TWI794959B - 從透明基板雷射切割及移除輪廓形狀 - Google Patents

從透明基板雷射切割及移除輪廓形狀 Download PDF

Info

Publication number
TWI794959B
TWI794959B TW110133332A TW110133332A TWI794959B TW I794959 B TWI794959 B TW I794959B TW 110133332 A TW110133332 A TW 110133332A TW 110133332 A TW110133332 A TW 110133332A TW I794959 B TWI794959 B TW I794959B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
glass
line
microns
laser
Prior art date
Application number
TW110133332A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202214535A (zh
Inventor
布拉德利菲德瑞克 鮑登
郭曉菊
卡列特安卓 皮耶希
湯瑪士 哈克
克里斯多夫艾倫 維蘭德
Original Assignee
美商康寧公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商康寧公司 filed Critical 美商康寧公司
Publication of TW202214535A publication Critical patent/TW202214535A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI794959B publication Critical patent/TWI794959B/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/07—Cutting armoured, multi-layered, coated or laminated, glass products
    • C03B33/072—Armoured glass, i.e. comprising reinforcement
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/0222—Scoring using a focussed radiation beam, e.g. laser
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/04—Cutting or splitting in curves, especially for making spectacle lenses
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/09—Severing cooled glass by thermal shock
    • C03B33/091—Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/54—Glass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
    • Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
    • Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates

Abstract

用於在薄基板中切割、分離及移除內部輪廓形狀的方法，特別係玻璃基板。方法涉及利用超短脈衝雷射在基板中形成缺陷線，隨後使用第二雷射光束以助於隔離內部輪廓界定零件。

Description

從透明基板雷射切割及移除輪廓形狀
本申請案根據專利法法規主張西元2016年6月16日申請的美國臨時專利申請案第62/350,978號和西元2016年5月6日申請的美國臨時專利申請案第62/332,618號的優先權權益，本申請案依賴該等臨時申請案全文內容且該等臨時申請案全文內容以引用方式併入本文中。
本發明大體係關於用於切割透明基板的設備和方法，更特別係關於用於切割及移除玻璃片內部的設備和方法。
從薄透明材料基板（例如玻璃）切割物件可利用聚焦雷射光束達成，聚焦雷射光束沿預定輪廓燒蝕基板材料，其中多次掃程用於移除一層又一層材料，直到輪廓界定零件不再附接外部基板塊。燒蝕製程的問題在於需要許多雷射光束掃程來逐層移除材料、產生大量碎屑而可能污染物件的主要表面、沿物件分離邊緣表面產生明顯次表面破壞及表面污染。破壞需大規模研磨或拋光移除，以致增加製造製程複雜度及提高製造成本。破壞亦特別不利於製造要求無缺陷邊緣與表面的物件的製程，例如硬碟（HDD）用玻璃碟片、數位編碼器、顯示裝置，例如顯示面板或顯示蓋玻璃等。
本文所述實施例係關於非燒蝕製程，用於由包含玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷或選定礦物（例如藍寶石）的薄透明基板（例如等於或小於約10毫米，例如約0.01毫米至約10毫米範圍內、約0.05毫米至約5毫米範圍內、約0.05毫米至約1毫米範圍內或約0.05毫米至約0.7毫米範圍內）切割物件。
切割係基於將足夠強度的雷射光束引導至基板，以於待處理材料中誘發非線性吸收，其中基板可讓較小強度的雷射光束實質穿透。較佳地，雷射光束係脈衝雷射光束。切割包含在透明基板內製造線性焦線，以沿焦線造成破壞，從而產生缺陷線。不像雷射斷絲（filamentation）製程仰賴克爾（Kerr）效應引發自我聚焦，在本文所述實施例中，雷射和相關光學元件製造線焦點且不依賴基板的存在。根據本發明方法在基板內沿線焦點產生誘發吸收，以於基板內沿雷射光束焦線製造缺陷，較佳為通過整個基板厚度，而不需雷射斷絲。所得缺陷可含有袋部或空孔，但通常不是延伸貫穿整個基板厚度的穿孔。
因此，揭示從基板切割物件的方法，包含：使脈衝雷射光束聚焦成雷射光束焦線，雷射光束焦線實質垂直於基板的主要表面延伸；沿第一預定路徑，將雷射光束焦線引導至基板的複數個第一位置，雷射光束焦線在基板內產生誘發吸收而在基板內沿雷射光束焦線於複數個第一位置的每一位置製造缺陷線，其中第一預定路徑係封閉路徑；沿第一預定路徑加熱基板，使裂痕綿延通過複數個第一位置的各缺陷線，從而隔離內部插栓與基板；及在隔離後，加熱內部插栓，以自基板移除插栓。基板在脈衝雷射光束波長下呈透明。第一預定路徑例如為圓形路徑。基板可包含玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷或藍寶石。
在一些實施例中，缺陷線延伸通過整個基板厚度。
在一些實施例中，堆疊複數個基板，例如兩個基板、三個基板或更多基板，其中雷射光束焦線延伸通過基板堆疊的各基板而形成缺陷線，缺陷線延伸通過基板堆疊的各基板。
方法進一步包含沿第二預定路徑，將雷射光束焦線引導至基板的複數個第二位置，第二預定路徑不與第一預定路徑相交，雷射光束焦線在基板內產生誘發吸收而在基板內沿雷射光束焦線於複數個第二位置的每一位置製造缺陷線。
方法進一步包含沿第二預定路徑加熱基板，使裂痕綿延通過複數個第二位置的各缺陷線。第二預定路徑例如為與第一預定圓形路徑同心的圓形路徑。第二預定路徑的半徑大於第一預定路徑的半徑，使得第一預定路徑和第二預定路徑於其間界定環形。
方法進一步包含沿第三預定路徑，將雷射光束焦線引導至基板的複數個第三位置，雷射光束焦線在基板內產生誘發吸收而在基板內沿雷射光束焦線於複數個第三位置的每一位置製造缺陷線，第三預定路徑從基板邊緣延伸到第二預定路徑。
方法進一步包含沿第三預定路徑加熱基板，使裂痕綿延通過複數個第二位置的各缺陷線。沿第一預定路徑加熱基板包含使第二雷射光束（例如散焦雷射光束）橫越第一預定路徑。第二雷射光束可為連續波雷射光束。第二雷射光束可為二氧化碳（CO 2）雷射光束或一氧化碳（CO）雷射光束，例如連續波CO 2雷射或連續波CO雷射。
隔離後加熱插栓包含用熱源加熱插栓，熱源選自由第三雷射光束、紅外發光二極體（LED）、紅外燈和電阻加熱器所組成的群組。第三雷射光束可由和第二雷射光束一樣的雷射產生。熱源只加熱插栓的中心區域。
第三雷射光束可在插栓上橫越與第一預定路徑間隔開的複數個封閉路徑。插栓會在加熱插栓期間變形。在一些實施例中，在加熱插栓期間或之後，插栓可自基板脫落而不需施加外力。
至少一部分的插栓加熱達等於或高於基板軟化溫度的溫度。
方法進一步包含把基板放置到支撐基板的第一主要表面，支撐基板的第一主要表面包含凹部設在插栓下方。
基板束制在支撐基板上，以防止基板移動。例如，在一些實施例中，支撐基板包含複數個通道從支撐基板的第一主要表面延伸到支撐基板的第二主要表面，其中束制包含施加真空至複數個通道。
凹部進一步包含通道從凹部延伸到支撐基板的第二主要表面，其中方法進一步包含經由從凹部底面延伸到第二主要表面的通道降低凹部內的壓力，真空經由通道施加。凹部的深度大於插栓的厚度。
方法進一步包含在加熱插栓後，冷卻內部插栓。在一些實施例中，內部插栓在冷卻後即自基板脫落，而不需對內部插栓施加機械外力。
在另一實施例中，描述以前述任一態樣製作的玻璃物件。
在又一實施例中，揭示從基板切割物件的方法，包含：使脈衝雷射光束聚焦成雷射光束焦線，雷射光束焦線實質垂直於基板的主要表面延伸；沿第一預定路徑，將雷射光束焦線引導至基板的複數個第一位置，雷射光束焦線在基板內產生誘發吸收而在基板內沿雷射光束焦線於複數個第一位置的每一位置製造缺陷線，其中第一預定路徑係封閉路徑；沿第一預定路徑加熱基板，使裂痕綿延通過複數個第一位置的各缺陷線，從而隔離內部插栓與基板；及在隔離後，冷卻內部插栓，以自基板移除插栓。
在一些實施例中，堆疊複數個基板，例如兩個基板、三個基板或更多基板，其中雷射光束焦線延伸通過基板堆疊的各基板，例如整個基板厚度，從而形成缺陷線，缺陷線延伸通過基板堆疊的各基板。
方法進一步包含在冷卻前加熱插栓。
加熱插栓包含將第二雷射光束引導至插栓的中心區域。第二雷射光束例如為CO 2雷射光束或CO雷射光束。
加熱插栓包含加熱至少一部分的插栓達等於或高於基板軟化溫度的溫度。
在一些實施例中，冷卻插栓包含將冷卻流體引導至插栓，例如液態氮。
在一些實施例中，加熱插栓包含加熱整個基板。
在再一實施例中，描述玻璃物件，包含：第一主要表面；相對第一主要表面的第二主要表面；圓形內圍；與內圍同心的圓形外圍，內圍和外圍於其間界定環形，厚度在第一與第二主要表面間延伸且等於或小於約1毫米，第一邊緣表面在第一與第二主要表面之間並圍繞內圍延伸，第二邊緣表面在第一與第二主要表面之間並圍繞外圍延伸，第一或第二邊緣表面的至少一者包含複數個缺陷線在第一與第二主要表面間垂直延伸，其中各缺陷線的直徑為小於或等於約5微米。第一和第二主要表面可無任何塗層。第一和第二主要表面可未研磨及未拋光。第一和第二邊緣表面可未研磨及未拋光。
在又一實施例中，揭示玻璃物件，包含：第一主要表面；相對第一主要表面的第二主要表面；圓形內圍；與內圍同心的圓形外圍，內圍和外圍於其間界定環形，厚度在第一與第二主要表面間延伸且等於或小於約1毫米，第一未研磨及未拋光邊緣表面在第一與第二主要表面之間並圍繞內圍延伸，第二未研磨及未拋光邊緣表面在第一與第二主要表面之間並圍繞外圍延伸；其中第一或第二邊緣表面的至少一者的表面粗糙度R a為等於或小於約0.5微米。
第一或第二邊緣表面的至少一者包含複數個缺陷線在第一與第二主要表面間垂直延伸，其中各缺陷線的直徑為小於或等於約5微米。
沿第一或第二邊緣表面任一者的次表面破壞深度可等於或小於約75微米，例如等於或小於約25微米。玻璃物件的翹曲量可等於或小於約50微米，例如等於或小於約15微米。
玻璃物件的退火點可等於或高於約700℃，例如等於或高於約800℃。
玻璃物件在暴露於600℃的溫度中30分鐘並冷卻至23℃的溫度後的壓縮率（compaction）可等於或小於約35 ppm（百萬分之一），例如等於或小於約20 ppm。
玻璃物件可包含等於或小於約5兆帕（MPa）的內部殘留應力。
在一些實施例中，玻璃物件係化學強化玻璃，例如離子交換玻璃。
第一或第二主要表面任一者的平均粗糙度R a可等於或小於約1奈米，例如等於或小於約0.5奈米。
玻璃物件可包含等於或小於約0.5重量%的SnO 2，例如等於或小於約0.15重量%的SnO 2。
複數個缺陷線的相鄰缺陷線間距可等於或小於約7微米，例如等於或小於約5微米，例如等於或小於約3微米，例如等於或小於約1微米。
玻璃物件可包含小於或等於0.1%的鹼金屬氧化物。
在一些實施例中，第一和第二主要表面為未研磨及未拋光。第一和第二主要表面無任何塗層。
在一些實施例中，圓形外圍的直徑為預定標稱圓形外徑的±15微米以內，例如預定標稱圓形外徑的±10微米以內。
在一些實施例中，圓形內圍的直徑為預定標稱圓形內徑的±25微米以內，例如預定標稱圓形內徑的±10微米以內。
在一些實施例中，圓形內圍的中心和圓形外圍的中心彼此位移不超過約10微米，例如不超過約5微米。
在再一實施例中，描述從透明玻璃基板切割玻璃物件的方法，包含：沿第一封閉路徑形成複數個第一缺陷，複數個第一缺陷從第一主要表面延伸到玻璃基板內而至垂直於第一和第二主要表面的相對主要表面；使裂痕綿延通過複數個第一缺陷的各缺陷，從而隔離插栓與基板；在隔離後，加熱插栓；其中在停止加熱後，插栓在不施加外力情況下自基板脫落。
方法進一步包含沿與第一封閉路徑同心的第二封閉路徑形成複數個第二缺陷，複數個第二缺陷從第一主要表面延伸到玻璃基板內而至垂直於第一和第二主要表面的相對主要表面，其中第二封閉路徑的半徑大於第一封閉路徑的半徑。
方法進一步包含沿從玻璃基板邊緣到第二封閉路徑的第三路徑形成複數個第三缺陷，複數個第三缺陷從第一主要表面延伸到玻璃基板內而至垂直於第一和第二主要表面的相對主要表面。
在一些實施例中，堆疊複數個基板，例如兩個基板、三個基板或更多基板，其中雷射光束焦線延伸通過基板堆疊的各基板而形成缺陷線，缺陷線延伸通過基板堆疊的各基板。
方法進一步包含沿第二封閉路徑加熱玻璃基板，從而驅使裂痕沿第二封閉路徑龜裂。
方法進一步包含沿第三路徑加熱玻璃基板，從而驅使裂痕沿第三路徑龜裂。
在另一實施例中，揭示從玻璃基板切割玻璃物件的方法，包含：沿第一封閉路徑形成複數個第一缺陷，複數個第一缺陷從第一主要表面延伸到玻璃基板內而至相對第二主要表面，複數個缺陷線垂直於第一和第二主要表面；使裂痕綿延通過複數個第一缺陷線的各缺陷線，從而隔離插栓與基板；在隔離後，加熱插栓；其中在停止加熱後，插栓自基板脫落。
在一些實施例中，堆疊複數個基板，例如兩個基板、三個基板或更多基板，其中雷射光束焦線延伸通過基板堆疊的各基板而形成缺陷線，缺陷線延伸通過基板堆疊的各基板。
方法進一步包含把玻璃基板放置到支撐基板，支撐基板包含凹部設在第一封閉路徑下方，其中凹部的半徑大於第一封閉路徑的半徑。
方法進一步包含在加熱期間或之後，施加真空於凹部。
在一些實施例中，形成包含使脈衝第一雷射光束聚焦成雷射光束焦線，雷射光束焦線在玻璃基板的第一與第二主要表面間實質垂直延伸通過整個玻璃基板厚度，雷射光束焦線在基板內產生誘發吸收而在基板內沿雷射光束焦線製造缺陷。
在一些實施例中，使裂痕綿延包含沿著或鄰接第一封閉路徑，用第二雷射加熱玻璃基板。第二雷射例如為CO 2或CO雷射。
在又一實施例中，描述玻璃物件，包含：玻璃片，包括第一主要表面、相對且實質平行於第一主要表面的第二主要表面，及在第一與第二主要表面間的厚度；複數個第一圓形故障線（fault line），複數個第一故障線中每一圓形故障線包含複數個缺陷線延伸通過玻璃片厚度並垂直於第一和第二主要表面，複數個第一圓形故障線中每一圓形故障線的複數個缺陷線相距約2微米至約20微米範圍內，複數個第一圓形故障線中每一圓形故障線包括中心；其中複數個第一圓形故障線中每一圓形故障線的中心從複數個第一圓形故障線的相鄰圓形故障線位移。
玻璃片進一步包含複數個第二圓形故障線，複數個第二故障線中每一圓形故障線包含複數個缺陷線延伸通過玻璃片厚度並垂直於第一和第二主要表面，複數個第二圓形故障線中每一圓形故障線的缺陷線相距約2微米至約20微米範圍內，其中複數個第一圓形故障線的各圓形故障線由複數個第二圓形故障線的圓形故障線劃界。
在一些實施例中，複數個第一圓形故障線的各圓形故障線係內部故障線，複數個第二圓形故障線的各圓形故障線係外部故障線，複數個第二圓形故障線的各外部故障線與複數個第一圓形故障線的各內部故障線同心。
玻璃片包含長度L和垂直於L的寬度W，每一外部故障線界定半徑r的圓盤，在一些實施例中，((L∙W)-nπr 2)/(L∙W)大於0.66，其中n代表在玻璃片上界定的圓盤總數。在一些實施例中，L∙W大於671,600平方毫米（mm 2），n等於或大於70。
玻璃片的厚度為約50微米至約3毫米範圍內，例如約0.6毫米至約0.7毫米範圍內。
在一些實施例中，玻璃片的第一和第二主要表面為未研磨及未拋光。
在又一實施例中，揭示從玻璃基板切割玻璃物件的方法，包含：沿第一封閉路徑形成複數個第一缺陷線，複數個第一缺陷線從第一主要表面延伸到玻璃基板內而至相對第二主要表面，複數個缺陷線垂直於第一和第二主要表面；使裂痕綿延通過複數個第一缺陷的各缺陷，從而隔離插栓與基板，插栓包含界定於第一外圍內的第一主要表面、界定於第二外圍內的第二主要表面和在第一與第二主要表面間延伸的厚度P 厚度，邊緣表面在第一與第二主要表面間延伸，其中邊緣表面與第一主要表面的交叉點界定第一邊緣，邊緣表面與第二主要表面的交叉點界定第二邊緣；及改變插栓及/或玻璃基板的溫度，使D 初始＞√(D 最終 2+P 厚度 2)，其中D 初始代表插栓初始直徑，D 最終代表改變溫度後的插栓最終直徑。
在一些實施例中，堆疊複數個基板，例如兩個基板、三個基板或更多基板，其中複數個缺陷線延伸通過基板堆疊的各基板。
在一些實施例中，改變溫度包含加熱整個基板，接著用冷卻劑冷卻插栓。
在一些實施例中，改變溫度包含用冷卻劑冷卻插栓。
本發明的附加特徵和優點將詳述於後，熟諳此技術者在參閱或實行本文所述實施例，包括以下詳細實施方式說明、申請專利範圍和附圖後，在某種程度上將變得更清楚易懂。
應理解以上概要說明和下述詳細說明乃示例描述本發明實施例，及擬提供概觀或架構以對本發明的本質和特性有所瞭解。所含附圖提供進一步瞭解，故當併入及構成說明書的一部分。圖式描繪本發明的各種實施例，並連同實施方式說明來解釋本發明的原理和操作。
茲揭示從薄易碎材料基板切割及移除一或更多物件的製程，例如薄透明材料。材料例如為透明玻璃材料、透明玻璃陶瓷材料或透明陶瓷材料。製程特別有用於從薄透明玻璃基板切割及移除內部輪廓形狀。方法利用超短時脈衝雷射光束和附隨光學元件，沿基板中的焦線於基板中形成缺陷。焦線和所得缺陷線可延伸通過整個基板厚度，但在進一步實施例中，焦線和所得缺陷線只延伸通過部分基板厚度。複數個缺陷線可沿預定路徑形成，從而形成故障線。預定路徑可為封閉路徑，如此預定路徑劃出待移除零件界線，但在進一步實施例中，預定路徑非封閉路徑。在一些實施例中，故障線形成後可使用雷射光束，例如CO 2雷射光束，雷射光束沿路徑橫越而沿故障線加熱基板，促使零件沿故障線完全分離（隔離）。下述雷射製程可於各種玻璃產生全體（full body）切口且具低次表面破壞（延伸小於約75微米）和良好表面平均粗糙度（其中裂開邊緣表面的平均表面粗糙度R a等於或小於約0.5微米）。平均表面粗糙度係定量計算線性輪廓或面積的相對粗糙度，且以單一數值參數（R a）表示。平均表面粗糙度例如可使用光學輪廓儀（例如白光或雷射干涉）或利用接觸法（通常採用鑽石劃針）量測。適合儀器可取自如Zygo®和Nikon。
在此所用「次表面破壞（SSD）」定義為垂直於基板切割邊緣的裂痕或「裂縫」廣度。在一些實施例中，視基板類型而定，基板分離可以單一脈衝雷射掃程達成。此等裂痕伸入基板的距離量級將決定後續研磨及拋光操作需移除的材料量，用以移除邊緣缺陷及改善邊緣強度。可利用如共焦顯微鏡或螢光模具觀察出於任何存在裂痕的光散射，及測定裂痕在特定切割邊緣伸入基板及/或物件主體的最大距離，以量測SSD。或者，露出邊緣可重複拋光，同時使用共焦顯微鏡檢查邊緣。拋光掉材料時，裂痕量明顯減少。最後，當去掉所有缺陷時，移除材料深度記述為次表面破壞。
儘管以下敘述說明係關於玻璃基板（例如玻璃片），但應瞭解本發明實施例可應用到各種透明材料，例如玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷或選定礦物（如藍寶石）。
範圍在此表示成從「約」一特定值及/或到「約」另一特定值。依此表示範圍時，另一實施例將包括從一特定值到另一特定值。同樣地，數值以先行詞「約」表示成近似值時，當理解特定值可構成另一實施例。更應理解各範圍的終點相對另一終點係有意義的，並且獨立於另一終點。
在此所用方向用語僅參考繪圖使用，例如上、下、右、左、前、後、頂部、底部，而無意隱射絕對位向。
除非明確指出，否則在此提及的任何方法不擬解釋成需按特定順序進行方法步驟或需要任何設備、特定位向。是以當方法請求項未實際敘述步驟依循順序，或任一設備請求項未實際敘述個別部件順序或位向，或者申請專利範圍和實施方式未具體指出步驟限於特定順序，或未提及設備部件的特定順序或位向時，不擬推斷任何相關順序或位向。此適用任何可能的非明示解釋基礎，包括：步驟、操作流程安排、部件順序或部件位向的邏輯事態；從語法組織或標點得出的普通意義；及說明書所述實施例數量或類型。
除非內文清楚指明，否則本文所用單數形式「一」和「該」包括複數意涵。故除非內文清楚指明，否則如指稱「一」部件包括具二或更多部件的態樣。
在此，「透明」意指用於形成缺陷線的入射雷射光束損失在線性吸收轄域中不超過在基板內傳播的每毫米距離衝擊能量的10%。
在此所用「缺陷」一詞係指裂痕，包括微裂痕和對基板分子結構的其他斷鍵破壞。缺陷可包括機械破損，例如由基板與機械物體接觸引起，或者破損可能係因材料與諸如雷射光束等電磁場交互作用所致。
在此，「缺陷線」係指線性缺陷（單一長缺陷或一連串排成直線的缺陷），通常、但不限於朝基板厚度方向（垂直於基板的主要表面）延伸。
在此，「輪廓」或「路徑」係指基板上的虛擬二維形狀。因此，儘管路徑本身係虛擬形狀，然路徑例如可近似故障線或裂痕。封閉路徑係形成連續環路的路徑，環路劃出及界定內部區域界線。路徑可供衝擊基板表面的雷射光束依循行進。
在此，「故障線」係指沿路徑緊密間隔設置的一連串缺陷線。同樣地，釋放線通常從基板邊緣延伸到故障線而界定內部形狀，或在二故障線之間而界定內部形狀。因此，儘管釋放線為故障線，然在此所用「故障線」一詞將用於描述玻璃基板內部（不與基板邊緣相交）的形狀，釋放線則表示從基板邊緣延伸到內部故障線或從一內部故障線到另一內部故障線的故障線。
在此所用「分離」一詞係指材料破裂（例如破損），例如裂痕或其他缺陷（通常為開裂），此將形成兩個相對表面。分離則宜解釋成裂開，但不完全隔離基板開裂界定的某一部分與鄰接部分基板的另一部分。反之，隔離係指沿預定路徑完全延伸通過基板裂開，以致完全隔離開裂界定的第一基板部分與相鄰第一部分的另一基板部分，使得第一部分相對於相鄰部分個別移動。造成隔離的開裂例如可完全圍繞基板的封閉路徑（例如封閉輪廓）延伸並進一步完全延伸通過基板厚度。開裂界定材料內部部分完全與封閉路徑外的材料部分隔離，使內部部分能獨立於外部周圍部分移動。然應注意隔離未必在封閉路徑附近裂開。
本文所述實施例係關於利用切割、隔離及移除製程來露出上述製程產生的高品質邊緣，且在隔離及移除製程不破壞物件情況下，將透明材料切割成一或更多具特定預定輪廓形狀的物件的方法。第1圖圖示母料玻璃基板10。亦圖示第一內部預定路徑12和第二外部預定路徑14（相對於內部路徑12），其中第一和第二路徑代表封閉路徑。在所示實施例中，第一和第二路徑12、14為圓形路徑，其中第二路徑14與第一路徑12同心，但在進一步實施例中，第一和第二路徑未必為圓形。根據第1圖實施例，第一路徑12界定包含第一半徑r1的第一圓盤，以下為插栓16，第二路徑14界定包含第二半徑r2的第二圓盤18。第一路徑12和第二路徑14於其間界定環形20。亦即，待獲得物件的環形20係自基板10周圍材料移除的第二圓盤18且插栓16自第二圓盤18移除。故環形20必須無基板10的周圍部分，插栓16需自第二圓盤18的周圍材料移除。自基板10釋放（移除）環形20可利用圍繞第二路徑14的切口和沿路徑22的額外切口（釋放線）達成，此可讓移除環形的製程變容易。然就基板10的內部部分而言，例如插栓16，可不製作切口，因為切口會破壞周圍環形，在本實例中為關注商業零件。此外，本文所述製程可製造基本無鋸口的切口。故儘管插栓16可與周圍材料隔離而能個別移動，然插栓仍留存在環形內。插栓可受環形推進，但極可能會破壞環形。
儘管本發明詳述自第二圓盤18移除插栓16以形成後續圓形孔洞及自玻璃基板移除環形20，但本文所述方法可用於移除各種任意形狀物件，包括、但不限於規則幾何形狀，例如圓形、三角形、矩形或槽形。自基板移除的物件可具有圓角，或者角部可呈尖銳（例如以一定角度與邊緣相交）特徵結構。
在玻璃基板中形成內部封閉切口並移除所得內部零件以形成開口（例如記憶體磁碟基板中的中心轉軸孔）的挑戰在於，即使沿封閉預定路徑製造適當緊密間隔缺陷線來形成故障線，裂痕仍可能在與缺陷線相交的路徑周圍綿延而隔離內部零件與周圍材料，切割製程基本為零鋸口製程。亦即，製程製造的典型缺陷線直徑為約1微米，介於缺陷線間的裂痕表面間隔基本為零。因此，即便內部零件可移除，然若試圖移除，則會碰到周圍材料邊緣，導致零件、周圍材料或兩者碎裂。故當自第二圓盤18移除插栓16以形成環形20時，移除插栓可能破壞環形。自動化分離及移除製程的困難為併入讓隔離內部零件從周圍材料脫落而不破壞周圍材料的步驟。至於圓盤18方面，自第二圓盤中心移除插栓和本身環形部分皆是如此。亦即，當自圓盤18移除插栓16及自周圍基板材料移除環形20時，宜避免破壞環形20。無論是待切割材料展現出高內部應力且容易在如化學強化玻璃基板（例如Gorilla®玻璃）中形成裂痕，還是若材料為低應力（例如適於形成顯示面板的玻璃基板，例如Eagle XG®玻璃、Corning Lotus TM、Lotus TMXT及/或Lotus TMNXT玻璃），問題皆存在。在此，高應力玻璃係中心張力（在玻璃的厚度方向上）等於或大於約24兆帕（MPa）的玻璃。低應力玻璃的中心張力通常小於約24 MPa。Gorilla®玻璃、Eagle XG®玻璃、Corning Lotus TM、Lotus TMXT及/或Lotus TMNXT玻璃在此特別提出，但後附申請專利範圍不應限於此，因為示例性製程和方法可應用到其他玻璃，例如鹼土硼鋁矽酸鹽玻璃（具少量或無鹼金屬）、鋁矽酸鹽玻璃、含鹼土玻璃等。
如上所述，本發明大體係針對用於切割及移除部分玻璃基板的方法和設備。然在特定實施例中，本發明係針對以控制方式精確切割、分離及自玻璃基板移除任意形狀物件的雷射方法和設備，並具微乎其微的碎屑且對切割邊緣的破壞極小，因而保持物件強度。所得物件只需最少或甚至不用邊緣精整（研磨及/或拋光），在某些實施例中，涉及最少或不用精整物件的主要表面。方法依仗以低雷射光束強度形成缺陷線的雷射波長下的基板材料透明度和線性光學吸收，此能維持乾淨又質樸的表面品質，及依仗以高雷射光束強度沿雷射焦線誘發非線性吸收。製程的可行關鍵要素為超短脈衝雷射光束產生缺陷的高深寬比，此容許形成缺陷線在待切割材料的主要表面間延伸。原則上，缺陷線可利用單一雷射脈衝形成。然若有需要，附加脈衝可用於增大影響區域的尺寸（例如深度和寬度）。
使用短脈衝皮秒雷射和附隨光學元件沿雷射光束縱軸（亦即光束傳播方向）產生焦線，可沿預定路徑或輪廓於基板上形成一連串緊密間隔缺陷線，缺陷線延伸通過至少部分基板厚度，例如玻璃片。缺陷線的直徑通常小於數微米。一連串沿路徑的缺陷線稱作故障線，一連串缺陷線可由一連串缺陷線間裂痕連結，裂痕由基板中存有應力自我形成或隨後暴露於熱源（例如第二雷射光束）引發的應力形成，藉以隔離一部分基板與另一部分基板。
形成線焦點的光學方法可採取多種形式，例如利用環狀雷射光束與球面透鏡、旋轉三稜鏡透鏡、繞射元件或其他方法來形成高強度線性區。雷射類型（皮秒、飛秒等）和波長（IR、綠光、UV等）亦可很多樣，只要能達到足使基板材料崩解的光學強度即可。雷射波長通常乃選擇讓輻射可高度穿透基板（例如玻璃片）。以玻璃為例，1064奈米光通常係較佳波長，其中可利用如使用Nd:YVO 4作為增益介質的高強度脈衝雷射。當雷射脈衝通過此等光學元件時，光能形成高強度線性區並延伸通過整個基板厚度。更大體而言，選定波長可為約2微米至約11微米範圍內，例如約10.6微米、5.32微米、3.55微米或2.66微米，但視材料而定，其他波長亦適用。
在一些實施例中，個別脈衝的脈寬為約0.1皮秒至約100皮秒範圍內，例如約5皮秒至約20皮秒範圍內，個別脈衝的重複率為約1千赫至約4兆赫範圍內，例如約10千赫至約650千赫範圍內。隨著頻率增加，製程操作速度亦可提高。然隨著頻率增加，每脈衝能量將減小。
雷射可形成穿透玻璃基板的缺陷線。缺陷線可包括微裂痕，但亦可包括內部開口或空孔，例如直徑約1微米。此等缺陷線通常間隔約1至約20微米，例如約0.5至約15微米範圍內、約0.5至約3微米範圍內或約3至約10微米範圍內。例如，在一些實施例中，相鄰缺陷線間的週期性為0.5微米至1.0微米。缺陷線例如可延伸通過整個玻璃基板厚度，且一般垂直於基板的主要（平坦）表面，但在進一步實施例中，缺陷線只延伸通過部分基板厚度。再者，在一些實施例中，缺陷線製造成與基板主要表面夾一角度，例如若期環形20有倒角邊緣時。
除了依上述個別脈衝重複率的單一脈衝操作，亦可在二或更多脈衝（例如3個脈衝、4個脈衝、5個脈衝、10個脈衝、15個脈衝、20個脈衝或更多）的衝串內產生脈衝，脈衝衝串內的各脈衝間隔約1奈秒至約50奈秒範圍內的時間，例如約10奈秒至約50奈秒範圍內、約10奈秒至約30奈秒範圍內，例如約20奈秒，衝串重複頻率可為約1千赫至約4兆赫範圍內。就特定雷射而言，衝串內相鄰脈衝（脈衝至脈衝間隔）的間隔時間T p相當均勻（例如±10%）。例如，就產生約20奈秒脈衝間隔T p的雷射而言，衝串內脈衝至脈衝間隔T p維持在約±10%以內或約±2奈秒。各脈衝「衝串」間的時間（亦即衝串間隔時間T b）將長很多（例如0.25≤T b≤1000微秒，例如約1微秒至約10微秒範圍內或約3微秒至約8微秒範圍內）。在示例性實施例中，就脈衝叢發重複率或頻率約200千赫的雷射而言，間隔時間T b為約5微秒。雷射叢發重複率與某一衝串內第一脈衝與後一衝串內第一脈衝間的時間T b有關（雷射叢發重複率=1/T b）。
在一些實施例中，雷射叢發重複率為約1千赫至約650千赫範圍內。例如，雷射叢發重複率可為如約1千赫至約300千赫範圍內。各衝串內第一脈衝與後續衝串內第一脈衝間的時間T b可為約0.25微秒（4兆赫叢發重複率）至約1000微秒（1千赫叢發重複率）範圍內，例如約0.5微秒（2兆赫叢發重複率）至約40微秒（25千赫叢發重複率）範圍內或約2微秒（500千赫叢發重複率）至約20微秒（50千赫叢發重複率）範圍內。個別脈衝的脈寬T d可高達100皮秒（例如0.1皮秒、5皮秒、10皮秒、15皮秒、18皮秒、20皮秒、22皮秒、25皮秒、30皮秒、50皮秒、75皮秒，包括其間所有範圍與子範圍）。衝串內各脈衝的能量或強度可不等於衝串內其他脈衝的能量或強度，在一些實施例中，受控於雷射設計，衝串內多個脈衝的強度分布通常隨時間呈指數衰減，但在其他實施例中，衰減並不明顯。確切時序、脈寬和叢發重複率因雷射設計而異，但以高強度短脈衝（T d＜20皮秒，較佳地，T d≤15皮秒）運作尤佳。
量測基板材料的每衝串平均雷射能量可大於40微焦耳每毫米材料厚度，例如約40微焦耳/毫米至約2500微焦耳/毫米範圍內，例如約200微焦耳/毫米至約800微焦耳/毫米。換言之，每衝串能量通常為約25微焦耳至約750微焦耳範圍內，例如約50微焦耳至約500微焦耳範圍內或約50微焦耳至約250微焦耳範圍內，包括其間所有範圍與子範圍。在一些實施例中，每衝串能量為約100微焦耳至約250微焦耳範圍內。例如，就厚度約0.5毫米至約0.7毫米範圍內的Corning 2320非離子交換玻璃而言，200微焦耳脈衝衝串用於切割及分離玻璃，此提供約285微焦耳/毫米至約400微焦耳/毫米的示例性範圍。基板與雷射光束間相對移動則可用於形成包含一連串缺陷線的故障線，缺陷線描繪任何預定零件（例如插栓）的形狀軌跡。
特別係就鹼土硼鋁矽酸鹽玻璃（具少量或無鹼金屬）而言，體積能量密度約0.005微焦耳/立方微米或更高可確保缺陷線形成。然能量密度應保持小於約0.100微焦耳/立方微米，使玻璃遭最少破壞，例如約0.005微焦耳/立方微米至約0.100微焦耳/立方微米範圍內。
脈衝衝串內的個別脈衝能量將比前述小，確切的個別雷射脈衝能量取決於脈衝衝串內的脈衝數量和雷射脈衝隨時間的衰減率（若有）（例如指數衰減率）。例如，就恆定的每衝串能量而言，若脈衝衝串含有10個個別雷射脈衝，則各雷射脈衝所含能量比相同脈衝衝串僅具2個個別雷射脈衝時小。
使用能產生此種脈衝衝串的雷射有利於切割或改質透明材料，例如玻璃。相對於使用在時間上由單一脈衝雷射重複率隔開的單一脈衝，使用脈衝衝串序列（雷射能量散佈遍及衝串內的快速脈衝序列）比起使用單一雷射脈衝更能獲取較大高強度時間標度與基板材料交互作用。儘管單一脈衝可擴增時間，但脈衝內的強度需下降約1/脈寬。故若10皮秒單一脈衝擴增成10奈秒脈衝，則強度將下降約三個數量級。如此下降會使光學強度降低到非線性吸收不再顯著且光-材料交互作用不再足以供作切割的程度。反之，利用脈衝叢發雷射時，衝串內各脈衝期間的強度可維持得很高，例如間隔時間約10奈秒的三個10皮秒脈衝仍可使各脈衝強度比單一10皮秒脈衝高約3倍。故雷射容許在現已大三個數量級的時間標度內與基板交互作用。調整衝串內多個脈衝可操縱雷射-材料交互作用的時間標度，以助於增加或減少光與預存電漿捲流交互作用、增加或減少光-材料與預先遭初始或先前雷射脈衝激發的原子和分子交互作用，及增加或減少材料加熱影響以助於控制微裂痕生長。改質材料所需叢發能量取決於基板材料組成和與基板交互作用的線焦點特性。交互作用區越長，越多能量散佈，且需要越高叢發能量。當單一脈衝衝串基本上照在基板上同一位置時，缺陷線將形成於基板中。亦即，單一衝串內多個雷射脈衝對應基板上的單一缺陷線。當然，由於基板平移（例如利用恆定移動平臺）或光束相對於基板移動，衝串內個別脈衝不會在基板上完全相同的位置。然個別脈衝彼此在1微米內仍屬適當，亦即照射在基板上基本相同位置。例如，個別脈衝彼此按間距sp照射基板，其中0＜sp≤500奈米。例如，當基板位置遭20個脈衝的衝串撞擊時，衝串內個別脈衝彼此在250奈米內照射基板。故在一些實施例中，間距sp為約1奈米至約250奈米範圍內，例如約1奈米至約100奈米範圍內。
在一些實施例中，超短（例如10皮秒）叢發脈衝雷射用於以一致、可控制及可重複的方式形成高深寬比缺陷線。用於形成適當缺陷線的示例性光學裝配細節將描述於後與西元2013年1月15日申請的美國專利申請案第61/752,489號，該申請案全文內容以引用方式併入本文中。此概念核心係使用光學透鏡組件的旋轉三稜鏡透鏡元件，以利用超短（皮秒或飛秒時間）貝索（Bessel）光束形成高深寬比無錐形缺陷線。換言之，旋轉三稜鏡和其他相關光學部件將雷射光束聚集到大致呈圓柱形的高深寬比（長度長暨直徑小）區域。由於聚集雷射光束產生高強度，雷射電磁場會與基板材料產生非線性交互作用，使雷射能量轉移到基板。然在雷射能量強度不夠高的區域（例如玻璃表面、圍繞中心輻合線的玻璃體積），基板無任何反應，因為該等位置的雷射強度小於線性與非線性閾值。
如第2圖所示，雷射（未圖示）發射雷射光束30至光學組件32的光束入射側。光學組件32沿雷射光束軸在光學組件32輸出側的界定距離將雷射光束30轉換成擴展雷射光束焦線34。熟諳此技術者將明白，焦線34的長度會因折射率變化而改變，例如在空氣傳播與基板傳播之間。基板10置於光束路徑、光學組件32後，與雷射光束焦線34至少部分重疊。光學組件32例如包括旋轉三稜鏡36、準直透鏡37和聚焦透鏡38。元件符號40表示基板面向光學組件32的主要表面，元件符號42表示基板10的相對主要表面，此通常與主要表面40平行。基板厚度（垂直於表面40、42量測）標為d。
光學組件32形成所謂準非繞射光束，比起習知高斯（Gaussian）雷射光束，此係繞射或擴展較不快速的光束。此等光學元件最常用於形成所謂高斯貝索光束，此係非繞射光束的一種形式，且能輕易在比傳統高斯光束長100倍或甚至1000倍的長度上維持密集聚焦。
在雷射光束焦線34與基板10重疊的區域中，雷射光束焦線34於基板材料產生（假設適當雷射強度沿著雷射光束焦線34）誘發吸收（非線性吸收），以於基板材料中製造缺陷線。缺陷形成不僅在局部焦線區域，亦發生在基板10內的整個焦線長度。雷射光束焦線34的平均直徑例如為約0.1微米至約5微米範圍內，例如約0.1微米至約4微米範圍內，例如約0.1微米至約3微米範圍內，例如約0.1微米至約2微米範圍內，例如約0.1微米至約1微米範圍內，聚焦區域延伸數毫米的長度（例如約0.5至約10毫米範圍內）。
如前所述，在雷射光束30的波長λ下為透明的基板材料因誘發非線性吸收而沿焦線34加熱形成缺陷線。上述製程產生具極特性化邊緣的片段且包含垂直條紋。每一條紋係單一雷射脈衝或單一雷射脈衝衝串的圖徵並代表缺陷線的一部分。如同缺陷線，此等條紋可週期性間隔約1至50微米，例如間隔1至20微米，例如間隔約5至約15微米範圍內。條紋代表聚焦雷射能量改質基板材料，造成平行雷射光束軸的長線性破壞軌跡（缺陷線）。該區的基板材料遭密化或化學改變。缺陷線通常包括由此浮現的裂痕且徑向延伸到基板內約5至10微米，或在一些情況下為高達25微米，裂痕尺寸通常與寄存於材料的雷射能量成比例關係。缺陷線可具開放區域，但通常不是穿過基板厚度的連續孔。缺陷線的頂部和底部常有開孔。孔洞的開放區域通常具有小於1微米的直徑，但在一些條件下可做得更大，例如直徑高達5微米。孔洞通常具有凸起區域或由噴射及熔化材料圍繞的「火口緣」，直徑通常為約3微米至約8微米範圍內。第3圖係在玻璃基板表面的典型缺陷線的掃描式電子顯微鏡圖，該圖圖示凸緣和噴出物。第4圖係玻璃基板截面的掃描式電子顯微鏡圖，該圖圖示缺陷線沿著至少部分長度。
使用缺陷線來界定零件邊緣可提供所得物件高尺度品質。由於隔離物件的裂痕由缺陷線引導，短脈衝雷射光束的空間精度和準確度將決定裂痕綿延方向，在環形實例中，可使內外半徑達微米級精度，例如小於25微米，例如小於約15微米，通常約±5微米，但無疑為容限。對比機械製程，機械製程無法引導裂痕圍繞此半徑。亦對照其他雷射製程（例如CO 2雷射切割），其中裂痕由CO 2雷射光束形成的熱點引導而熱綿延，但不受形成於基板的任何預定缺陷引導。缺少引導缺陷會造成裂痕游移，此意味著無法達到嚴密（微米級）準確度。其他雷射製程，例如高斯聚焦UV或可見雷射燒蝕以在基板頂部形成溝槽或裂痕，亦受制於尺度控制不佳，因其傾向只控制玻璃的一個表面的裂痕。
儘管有表面條紋，分離基板造成的裂痕刻面應具高品質（斷裂強度、幾何精度、粗糙度及避免再機械加工要求）。表面粗糙度特別係因焦線34的光點尺寸或點徑所致。為達成小光點尺寸，例如在給定雷射波長λ的情況下為0.5微米至2微米，通常會對輸入光束直徑和光學組件32的數值孔徑作出某些要求。
為達成所需數值孔徑，光學組件一方面應根據已知Abbé公式（N.A.=nsin(θ)）具備給定焦距所需開口，其中n代表玻璃的折射率，θ代表孔徑半角，θ=arctan(D/2f)；其中D代表孔徑直徑，f代表焦距）。另一方面，雷射光束需照射光學組件達所需數值孔徑，此通常利用擴束達成，例如在雷射與聚焦光學元件間使用擴束望遠鏡。
為達到沿焦線均勻交互作用的目的，光點尺寸不應變化太大。確保方式例如為僅在小圓形區域照射聚焦光學元件，使光束開口和數值孔徑百分比僅略微變化。符合此等需求且可應用於產生焦線34的適合光學組件32包括取自Corning Laser Technologies的雷射處理裝置CLT 45G。
應注意焦線34可製造及配置使焦線34完全位在基板10內、僅穿越一個主要表面或穿越基板的兩個主要表面。可充分改變光學元件的聚焦位置，使得只有一部分基板深度遭破壞。在此情況下，條紋可從基板頂部延伸到基板中間某處或從基板底部延伸到基板內部某處。在焦線34完全位在基板塊體內的實例中，應理解表面閾值不同於體積閾值，故通常入口孔和出口孔仍由入射光束形成於基板中，接著為無損壞區域，隨後為缺陷線。亦即，儘管焦線34可完全位在基板內，表面破壞仍存在。在此情況下，仍可分離零件與基板，但可能損及對裂痕方向或分離輪廓的完全控制。使用延伸到兩個主要表面40、42的焦線34可達成最佳結果，因如此可增進隔離關注零件的能力及最小化邊緣強度變異。故實際上可達成理想切割，同時避免在基板表面羽化及產生大顆粒。
視材料性質（光學吸收、熱膨脹係數（CTE）、應力、組成等）和選擇用於處理選定基板材料的雷射參數而定，單獨形成故障線足以引發分離，在一些情況下可隔離物件。自我分離及/或自我隔離猶如自發事件發生，無需增加機械外力。大多數強化玻璃（切割前已經離子交換）皆是如此，並具有顯著（亦即等於或大於約24兆帕）的內部或中心張力（CT）。在此情況下，通常不需次要製程促成隔離（但不移除插栓），例如機械施加張力（例如彎曲）或加熱（例如使用雷射光束）。
儘管如此，在一些情況下，預存應力或故障線製造期間形成的應力可能不足以自動隔離內部零件。形成故障線本身不足以引發隔離通常係殘留應力不足的非強化玻璃的情況，例如顯示型玻璃，例如Eagle XG®、Lotus TM、Lotus TMXT及/或Lotus TMNXT或在任何離子交換步驟前切割的可離子交換玻璃。故次要製程步驟為促成隔離所需。例如，隔離達成方式可為在形成故障線後施加機械力或在形成故障線期間使用紅外雷射光束（例如CO 2或CO雷射光束）重新追蹤先前依循路徑，以沿路徑局部加熱基板及產生足夠熱應力，無需燒蝕，迫使零件隔離。亦即，沿故障線形成一或更多全體裂痕，接著隔離內部零件。另一選擇為例如使雷射僅部分橫越預定路徑才開始分離，其中隔離係手動進行，例如藉由彎曲或其他施力。選擇性雷射分離可使用發射波長約9微米至約11微米範圍內的散焦連續波CO 2雷射進行，例如10.6微米，及控制雷射工作週期來調整功率，但在進一步實施例中，可使用其他波長和雷射介質（例如CO雷射）。聚焦變化（亦即散焦程度）可用於改變基板表面的雷射光束光點尺寸，以改變誘發熱應力，其中光點尺寸定義為波峰強度的1/e 2。產生故障線後，達成雷射引發分離及隔離通常採用在基板表面約40瓦至400瓦範圍內的功率、光點尺寸約2毫米至約12毫米範圍內，雷射光束沿故障線的橫越速率為約50毫米/秒至約3000毫米/秒範圍內，例如約80毫米/秒至約500毫米/秒範圍內。若光點尺寸太小（亦即小於約1毫米）或雷射功率太大（大於約400瓦）或掃描速度太慢（小於約1毫米/秒），則基板將過熱、產生燒蝕、熔化或熱產生裂痕，此非所期，因會降低分離零件邊緣強度。較佳地，雷射光束掃描速度為大於約50毫米/秒，藉以引發有效可靠的零件分離。然若雷射產生的光點尺寸太大（大於約20毫米）或雷射功率太小（小於約10瓦，或在一些情況下為小於約30瓦）或掃描速度太快（大於約500毫米/秒），則加熱不夠充分，導致熱應力太低而無法引發可靠的零件分離。
在一些實施例中，可使用以200瓦功率操作的CO 2雷射，於玻璃表面的點徑為約6毫米，掃描速度為約250毫米/秒，引發0.7毫米厚的Corning Eagle XG®玻璃發生零件分離，玻璃已用上述皮秒雷射改質。厚基板比薄基板需要每單位時間更多雷射熱能來分離，或者具低CTE的基板比具高CTE的基板需要更多CO 2雷射熱能來分離。雷射光點通過給定位置之前或之後，可很快（例如約1秒以內）沿故障線分離，例如100毫秒以內、50毫秒以內或甚至25毫秒以內。
然即使基板在形成故障線後具有足夠內部應力來開始自我分離或自我隔離，零件的幾何形狀會阻礙零件輕易自周圍基板材料移除。當待移除零件為另一零件的內部部分（例如插栓16）時尤其如是。因此，由於插栓與周圍基板材料間缺少足夠空隙（間隙），故插栓可保持在適當位置。裂痕在隔離插栓的缺陷線間綿延，但插栓與周圍基板材料間沒有空間讓插栓在不破壞周圍材料的情況下從母料基板材料移除。釋放線只破壞關注周圍零件。
現參照第5圖及第6圖，現將描述從玻璃基板10切割及移除物件的方法，然應理解方法可應用到其他基板材料。方法包括把母料玻璃基板10放置到平面支撐基板100的步驟。玻璃基板厚度d可為約50微米至約3毫米範圍內，例如約100微米至約2毫米範圍內，例如約300微米至約1毫米範圍內。例如，在一些實施例中，玻璃基板厚度為約0.5毫米至約0.7毫米範圍內。較佳地，玻璃基板10係融合形成玻璃基板，其中在玻璃基板中形成缺陷線前，尚未研磨或拋光第一和第二主要表面40、42，但在進一步實施例中，玻璃基板包括已研磨及/或拋光的第一和第二主要表面，在進一步實施例中，玻璃基板10可由其他形成製程形成，包括、但不限於浮式和狹槽形成製程。當玻璃處於高溫時，融合製程形成玻璃基板的兩個表面通常不接觸機械處置表面。如此能形成具質樸表面的大片玻璃，又不需拋光移除表面污染或其他缺陷。融合形成玻璃基板的表面不具拋光印痕，且玻璃邊緣附近沒有Sn濃縮物。融合形成片的表面粗糙度通常小於1奈米Ra，但常常小於約0.5奈米Ra。
對照之下，習知浮式製程製作的玻璃在形成製程期間具有一側接觸熔融錫（Sn）。儘管浮式玻璃製程通常以較熔融抽拉製程低的成本製造玻璃，但仍有許多缺點。錫的存在會於玻璃片內產生污染或化學圖徵。另外，浮式製程無法使玻璃像熔融抽拉製程般平滑。此意味著Sn側需拋光以符合最終粗糙度準則，亦需移除Sn污染本身。基於至少上述原因，較佳採用融合形成玻璃片。
在實施例中，玻璃基板10在約0℃至約300℃溫度範圍可包含約30×10 -7/℃至約40×10 -7/℃範圍內的熱膨脹係數，例如約30×10 -7/℃至約40×10 -7/℃範圍內，例如約30×10 -7/℃至約36×10 -7/℃範圍內，包括其間所有範圍與子範圍。玻璃基板的退火點可等於或高於約700℃，例如等於或高於約800℃。在一些實施例中，玻璃基板的退火點為約700℃至約820℃範圍內，例如約710℃至約730℃範圍內，在其他實施例中，玻璃基板的退火點為約800℃至約810℃範圍內。退火點可利用如ASTM C336（纖維伸長率）或ASTM C598（射束彎曲）量測。在實施例中，玻璃基板在經歷600℃的溫度30分鐘並冷卻至室溫（23℃）後包含等於或小於約35 ppm的壓縮率，例如小於約20 ppm。壓縮率量測可為把多個基標放在基板上及使基板經熱循環處理，接著量測基標間的相對位置變化或收縮量。
在實施例中，玻璃基板（主要表面）的平均表面粗糙度（Ra）經任何研磨或拋光前為等於或小於約0.5 nm。玻璃基板可包含氧化錫（SnO 2），含量為等於或小於約0.5重量%，例如等於或小於約0.3重量%，例如等於或小於約0.2重量%。在一些實施例中，玻璃基板包含小於約0.15重量%的SnO 2，但在進一步實施例中，玻璃基板基本不含SnO 2。在一些實施例中，玻璃基板包括等於或大於約25克/立方公分的密度，楊氏模數為約75吉帕（GPa）至約90 GPa範圍內，例如約80 GPa至約85 GP範圍內，例如約82 GPa至約84 GPa範圍內，包括其間所有範圍與子範圍。玻璃密度可使用計算數位密度計量測。楊氏模數可利用ASTM E111量測，例如E111-04(2010)。玻璃基板可包含約900℃至約1100℃範圍內的軟化溫度，例如約950℃至約1050℃範圍內，例如約970℃至約1050℃範圍內，例如約1025℃至約1050℃範圍內，例如約1040℃至約1050℃範圍內。在一些實施例中，玻璃基板包括約1040℃至約1050℃範圍內的軟化溫度，包括其間所有範圍與子範圍。軟化溫度例如可利用ASTM C338量測。
玻璃較佳無鹼金屬氧化物，因為鹼金屬暴露於高溫時會隨時間遷移，造成化學污染及毒化系統的其他層，例如硬碟的磁性層。例如，在一些實施例中，玻璃係無鹼金屬氧化物的鋁硼矽酸鹽玻璃。在此所用「無鹼金屬氧化物」意指鹼金屬氧化物等於或小於約0.1重量%。玻璃較佳實質不含As 2O 3（氧化砷），其中「實質不含As 2O 3」一詞意指不含除原料所含原有雜質等之外的As 2O 3，玻璃組成中的As 2O 3含量為0.1重量%或更低（較佳為50 ppm或更低）。玻璃較佳實質不含Sb 2O 3（氧化銻），其中「實質不含Sb 2O 3」一詞意指不含除原料所含原有雜質等之外的Sb 2O 3，玻璃組成中的Sb 2O 3含量為0.1重量%或更低（較佳為50 ppm或更低）。
支撐基板100包含第一主要表面106和第二主要表面108，其中玻璃基板10的第二主要表面42置於支撐基板100的第一主要表面106上。在第5圖、第10圖、第11圖及第12圖中，為清楚呈現，支撐基板100繪示成與玻璃基板10分開，但實際上，玻璃基板可直接置於支撐基板頂部。支撐基板100可於表面106包括一或更多凹部110，當母料玻璃基板10置於支撐基板100上時，位於母料玻璃基板10上的內部預定輪廓位置將設在各凹部上面。亦即，凹部110可設在母料玻璃基板10待形成內部故障線的各位置下方。每一凹部110有數種用途。第一，凹部110可在玻璃基板10於後續處理時加熱的部分之間提供間隙。在一些實施例中，支撐基板100包含適當聚合物材料，以免污損及破壞玻璃基板。聚合物材料可包括低熔化溫度，故很容易受熱損壞。或者，聚合物材料可包括高熔化溫度，如此聚合物不受加熱影響。
第二，當自玻璃基板釋放插栓時，凹部110可提供區域來留存內部故障線界定的插栓16。此外，每一凹部110可選擇性包括通道112從凹部底面或底部延伸到支撐基板的相對表面，例如表面108。通道112可流體連通真空源（未圖示），如此可施加真空至凹部，以助於自玻璃基板10移除插栓16。再者，支撐基板100可包括附加通道114設在凹部110外側。附加通道114亦可設置流體連通真空源（未圖示），當施加真空至附加通道114時，有助於將玻璃基板10牢固或固定於支撐基板100。當玻璃基板10自支撐基板100移除時，真空可不連續。然在其他實施例中，可以其他固定手段將玻璃基板10牢固於支撐基板100，例如、但不限於夾緊或貼紮、或此領域已知的任何其他適合固定方法。例如，在一些實施例中，支撐基板100可靜電保持在適當位置。
方法進一步包含利用上述方法，就擬定玻璃物件（例如環形20）形成故障線，其中脈衝雷射光束用於製造延伸通過玻璃基板厚度d的焦線，以沿預定路徑形成一連串缺陷線。例如，參照第5圖，產生脈衝雷射光束118的雷射116用於沿預定路徑製造一連串缺陷線120而形成複數個故障線，此以第6圖的虛線表示。如前所述，缺陷線120彼此相隔約1微米至約20微米（參見第7圖）的距離p。故障線與預定路徑重合。
在第5圖及第6圖所示實施例中，故障線包括第一內部圓形故障線122與第一內部路徑12（參見第1圖）重合且包含第一半徑，及第二外部圓形故障線124與第二外部路徑14（參見第1圖）重合且與內部故障線122同心並進一步包括大於第一半徑的第二半徑，內部和外部故障線之間近似環形20。在實施例中，第一半徑為約33毫米至約34毫米範圍內，第二半徑為約9毫米至約11毫米範圍內。在其他實施例中，第一半徑為約47毫米至約48毫米範圍內，第二半徑為約12毫米至約13毫米範圍內，但在進一步實施例中，第一和第二半徑可大於或小於上述距離。
複數個故障線可進一步包括釋放線126。釋放線126有助於自母料玻璃基板10移除環形20。例如，一些釋放線可從玻璃基板10的邊緣128a-128d延伸到外部故障線124。在一些實施例中，內部和外部故障線122、124係在形成釋放線126前先形成。在第6圖所示實施例中，釋放線126依約90度接近外部故障線124，但在進一步實施例中，釋放線126依其他角度接近外部故障線124。例如，在一些實施例中，釋放線126依小角度接近外部故障線124，使個別釋放線大致與外部故障線相切。在釋放線大致垂直接近外部故障線的情況下，外部故障線124應在形成接近釋放線前形成。
為說明何以故障線形成順序很重要，請細想以下實例。當雷射試圖緊鄰另一缺陷線形成缺陷線時會有交互作用。雷射光束的線焦點能量應一直聚焦通過玻璃基板厚度。然若附近存在缺陷線（通常為數百微米內），則缺陷線將截斷形成線焦點的一些射線錐，缺陷線將散射或使部分雷射能量失焦，以致聚焦至玻璃更深處而形成新缺陷線（交互作用程度取決於截斷射線錐的立體角）。此可能造成不完整缺陷線通過玻璃基板厚度，在一些情況下可防止缺陷線形成。當分離玻璃零件時，不完整缺陷線或缺少缺陷線可能導致裂痕游移。通常，游移係指「遮蔽」，不僅可能發生在預存缺陷線附近，亦可能在玻璃基板邊緣附近。遮蔽效應很重要的確切接近度取決於許多事情，例如光學元件的數值孔徑、玻璃基板的厚度、所用雷射能量、玻璃組成等。因此，較佳為先完成預定物件的故障線（例如內部和外部故障線122、124），使遮蔽效應不影響就預定物件形成明確界定故障線的能力。
一旦形成故障線122、124和釋放線126，即必然產生相交裂痕，裂痕沿故障線接合各缺陷線與相鄰缺陷線，以隔離內部零件。此通常係低殘留應力玻璃基板的情況，例如非強化玻璃基板，例如非離子交換或非熱回火玻璃基板，其中存在殘留應力不足以自我引發裂痕形成。故熱源可用於使裂痕在相鄰缺陷線間綿延，例如紅外熱源，例如紅外雷射（例如CO 2或CO雷射）。至於前述內部和外部故障線路122、124，熱源可橫越故障線而於玻璃基板內引發足夠熱應力，使裂痕在缺陷線間龜裂。例如，出自CO 2雷射的雷射光束可沿用於形成特定故障線的相同路徑橫越，使雷射光束沿故障線入射，但在進一步實施例中，可使用其他雷射類型。可使玻璃基板與雷射光束相對移動，要不保持玻璃基板固定不動及橫越雷射光束，就是保持雷射光束固定不動及移動玻璃基板，或是移動玻璃基板和雷射光束，以沿故障線進行雷射加熱。例如，雷射可設置在能朝至少二維度（例如與玻璃基板10平面平行的平面）移動的台架上，但在進一步實施例中，台架亦能朝第三維度移動雷射，亦即垂直於玻璃基板主要表面。在一些實施例中，當有許多待加熱故障線時，使用多個雷射加熱故障線，藉以縮短處理時間。在一些實施例中，採用單一雷射，其中出自單一雷射的雷射光束指向分束頭，分束頭將雷射光束分成複數個可個別控制的雷射光束。分裂雷射光束可縮短處理時間，但也會降低各雷射光束的功率，因而需要單一雷射源輸出更多。在其他實施例中，玻璃基板10放置在加熱烘箱內，以熱衝擊玻璃基板及形成相交裂痕。此亦可縮短處理時間，但會增加處置難度，特別係在大玻璃基板方面。
然應注意就像形成故障線和釋放線一樣，應考量裂痕龜裂通過故障線和釋放線（亦即分離）的順序。
為說明何以裂痕龜裂順序很重要，請細想第二實例。若裂痕先在釋放線內龜裂，當裂痕抵達相鄰故障線旁的釋放線邊緣時，沒有什麼可以阻擋裂痕。故裂痕可繼續綿延到零件內而產生缺陷零件。
第8圖圖示包含環形20的玻璃基板10，如虛線所示，環形界定在第一內部故障線122與第二外部故障線124之間。第一故障線122和第二故障線124均未遭沿相鄰缺陷線間的故障線延伸的裂痕壓實（consolidate）。第7圖進一步圖示四個釋放線126a-126d，其中利用適合熱源，例如紅外雷射光束，驅使裂痕沿故障線126a龜裂。因此，釋放線126a以實線表示。當裂痕沿釋放線126a綿延時，如箭頭128所示，將碰到第二故障線124。由於第二故障線124處沒有裂痕，沿釋放線126a綿延的裂痕可自由延伸超過第二故障線124，並在過程中形成裂痕伸入預定零件（亦即環形20），此如裂痕部分130所示。例如讓釋放線終止於離預定零件邊緣更遠處，可減少裂痕。然適合距離取決於諸如玻璃組成、厚度、雷射功率、速度、濕度等因素。故較佳係在裂痕沿釋放線龜裂前，壓實沿界定預定零件的故障線產生的裂痕。在此情況下，此意味著在裂痕沿釋放線126a龜裂前，驅使裂痕繞著第二故障線124龜裂。
儘管前述論述主要涉及釋放線與故障線間垂直（或近乎垂直）交叉，如上所述，釋放線亦可正切接近故障線。例如參見第9A圖至第9D圖，第9A圖至第9D圖圖示部分故障線124，在此情況下為部分圓形故障線，正切釋放線126與故障線重疊。首先應注意，隨著沿釋放線126綿延的裂痕（以實線132表示）接近故障線，可能發生遮蔽。再者，如第9A圖所示，若沿故障線分離前，裂痕從釋放線開始綿延（分離），則如箭頭134所示，綿延裂痕可從釋放線跳位到故障線及繼續圍繞故障線124（如實線136所示）。另一方面，若在釋放線前先分離故障線，則如第7B圖所示，可能發生相反情況，其中如箭頭140所示，綿延裂痕從故障線跳位到釋放線。儘管玻璃142的附接「狗耳」通常很小且可利用如研磨移除，但需進行更多研磨及需額外檢查。同樣地，裂痕可從故障線跳位到釋放線，如第7C圖所示，此將造成零件不完全分離。若如第7D圖所示，釋放線如在抵達故障線前終止，讓釋放線126的終端與故障線124間存在間隙G，則可減輕切向釋放線相關問題。在第7D圖所示實施例中，沿故障線124進行分離，且無綿延裂痕跳位到任一釋放線126的風險。一旦完成沿故障線124分離，即可沿釋放線126分離。
更應注意當形成釋放線、而非故障線的缺陷線時，可採用不同雷射條件。例如，更多「積極」雷射條件（例如更大脈衝能量）可用於釋放線，此係因為對故障線邊緣品質的關注較少，故障線界定預定零件的邊緣。
第10圖係玻璃基板10置於支撐基板100上的截面圖並圖示插栓16。在第10圖中，缺陷線已根據例如、但不限於本文所述方法製造。如圖所示，插栓16設在凹部110上面。
在缺陷線形成所產生應力不足以透過自我引發分離來隔離插栓16與周圍基板的情況下，可進行選擇性步驟。如第10圖所示，其中熱源，例如產生雷射光束146的紅外雷射144（例如CO 2或CO雷射），用於使雷射光束橫越形成缺陷線時製造的故障線和釋放線，以助於分離。亦即，驅使裂痕沿故障線和釋放線龜裂。
在一些實施例中，複數個雷射用於縮短製造時間。選擇性步驟例如為當基板10缺少促成自我隔離的必要中心張力時所需。應強調的是，加熱故障線係在選擇以不發生玻璃基板燒蝕、熔化或汽化的條件下進行。為此，如上所詳述，可令雷射光束146散焦，以防止玻璃基板過熱。
一旦完成分離及/或隔離，無論藉由自我隔離（高中心張力基板）或加熱故障與釋放線而引發隔離，在後續步驟中，加熱插栓16。例如，在一些實施例中，採用產生雷射光束152（如第11圖所示）的雷射150（例如CO 2雷射）。視情況而定，雷射可和先前選擇性分離步驟所用雷射一樣，亦即雷射146。根據本發明實施例，插栓16經加熱以只加熱各插栓的一部分達如等於或高於插栓材料（例如玻璃）的軟化溫度的溫度。可使用多種加熱技術。例如，在一實施例中，雷射光束152引導至插栓中心、只加熱插栓中心部分達如等於或高於插栓的軟化溫度的溫度。在另一實施例中，雷射光束152沿形狀實質和預定路徑12一樣的路徑橫越插栓，路徑12界定插栓、但與路徑間隔開。例如，若預定路徑12係圓形路徑，則雷射光束152可沿與路徑12間隔開且在路徑12內部的圓形路徑橫越插栓。雷射光束可沿路徑僅橫越一次，或在其他實施例中，雷射光束可橫越路徑多次。在一些實施例中，雷射光束152可橫越多個路徑，例如多個不同直徑的圓形路徑，多個路徑彼此隔開。在又一些其他實施例中，雷射光束152沿與第一路徑12間隔開且在第一路徑12內部的螺旋路徑橫越插栓16。應注意不像使用CO 2雷射加熱故障線的情況，無論直接橫越故障線或靠近故障線，在本發明情況下，插栓加熱係在離界定插栓的預定輪廓較遠處進行。此外，以前雷射光束為散焦雷射光束，以免插栓過熱，反之在此情況下則期過熱。
雷射光束橫越可用如檢流計(galvometer)達成，但在進一步實施例中，旋轉三稜鏡用於產生環狀雷射光束，因而在一些實施例中，不需橫越雷射光束。在一些實施例中，雷射光束裝設在台架上，台架能在平行於玻璃基板的平面上朝至少二維度移動。在進一步實施例中，台架能三維移動及包括垂直於玻璃基板平面移動。在其他實施例中，移動基板並使雷射組件保持固定不動，以提供相對移動。
儘管不期侷限於理論，據信加熱插栓16會導致插栓變形，例如受本身重量作用致使插栓坍陷。因此，一旦完成插栓16加熱，便可讓插栓冷卻夠久的時間，使插栓自玻璃基板脫落。適合冷卻時間通常為約10秒至40秒範圍內，例如約20秒至約40秒範圍內，例如約25秒至約35秒範圍內。咸信插栓加熱會造成插栓些微坍陷，冷卻會使插栓16收縮，從而在插栓與周圍玻璃基板間產生足夠間隙，以助於移除插栓。在此情況下，插栓「頂」表面（加熱插栓表面，例如加熱雷射光束衝擊的表面）的插栓直徑在加熱及隨後冷卻後為小於頂表面在加熱前的直徑。此外，底表面（相對加熱表面）的直徑在加熱及隨後冷卻後亦小於底表面在加熱前的直徑。二直徑（頂部與底部）相差一個量級。在本發明實施例中，頂表面和底表面的直徑為相等或實質相等（在量測精度內）。然在加熱及隨後冷卻插栓中心區域後，插栓上表面的直徑小於插栓下表面的直徑。可在加熱後強迫（主動）冷卻插栓，但通常不需要，在一些情況下可能產生不均勻冷卻，因加熱及冷卻應均勻，以防止不對稱應力和不均勻形狀，即期在插栓周圍形成一致的間隙，以免插栓與周圍基板接觸而造成破片。實際上發現在大多數情況下，被動冷卻後，插頭通常可藉由本身重量自基板脫落，而不需額外施力。
在第12圖所示選擇性步驟中，若有需要，可施加真空至通道104，如箭頭160所示，以減低凹部110內的壓力。如此，箭頭162所示插栓16上方的空氣壓力有助於插栓16自玻璃基板10抽出及進入凹部102。或者，機械力可施加於插栓16，例如利用推桿或管。
自玻璃基板10移除插栓16後，可移除基板10的其他零件，包括釋放線126接合的周邊（廢料）切片，以便移除環形20。
本文所述製程可用於從單一基板快速製造多個物件，例如多個環形。物件可緊密設置在基板上，以最大化材料利用率。例如，第13圖圖示如何以六方最密堆積來最大化玻璃基板10的利用率。在一些實施例中，堆疊基板，其中彼此疊置的多個基板可具有同時在堆疊基板中產生的缺陷線，只要焦線夠長。然同時在多個基板中形成缺陷線仍需沿缺陷線雷射依循路徑加熱，促使裂痕如在未受應力的單一基板中綿延。故多個基板可包括將堆疊基板分離成單一基板的附加步驟，以進行後續加熱步驟。
在其他實施例中，採行其他方法來移除插栓16。更大體而言，插栓16的外徑與環形20的內徑間的間隙應依據以下方程式增加： D 初始＞√(D 最終 2+P 厚度 2)，        (1)
其中D 初始代表插栓16的初始直徑，D 最終代表插栓的最終直徑，P 厚度係插栓的厚度（應相當於玻璃基板的厚度Th）。換言之，當從插栓上緣延伸到插栓下緣的最大對角線長度小於插栓的初始直徑時，對角線係在和插栓直徑一樣的平面（該平面垂直於插栓的主要表面，插栓的直徑位於同一平面），插栓將自玻璃基板脫落。例如，就初始直徑D 初始25毫米、厚度P 厚度0.7毫米的插栓而言，插栓所需收縮量為大於392 ppm。除了先前所述插栓變形外，亦有其他減小插栓最終直徑或圍繞玻璃（例如環形20）內徑的方法。方法可包括主動冷卻插栓。在此情況下，不加熱插栓中心部分、再冷卻或被動冷卻插栓，而是主動快速冷卻插栓，例如藉由將液態氮的噴霧或流或類似流體引導至插栓，促使插栓收縮及在插栓與周圍材料間形成夠大的間隙供插栓移除，又不會破壞周圍材料。在其他實施例中，例如在烘箱中加熱整個玻璃基板（包括隔離零件），隨後冷卻插栓。例如，玻璃基板可加熱達適當高溫，例如基於約3.5 ppm的CTE為約112℃，隨後再次使用液態氮或其他夠冷流體，使插栓冷卻至約0℃。
本文所述方法提供以下好處，此可轉譯成加強雷射處理能力及節省成本，從而降低製造成本。本文所述切割製程提供待切割內部輪廓完全分離（隔離）。本文所述方法能在玻璃零件經化學強化前或後，以乾淨、可控制方式從母料基板完全移除可離子交換玻璃（例如Gorilla®玻璃、Corning玻璃編號2318、2319、2320等）中的插栓，玻璃可依融合抽拉製程或其他玻璃形成製程製造。本文所述方法亦提供減少的次表面缺陷和優異的邊緣品質。由於雷射與材料間的超短脈衝交互作用，幾乎沒有熱交互作用，是以故障線外產生不當應力和微裂痕的熱作用區域最小。此外，將雷射光束聚集至玻璃的光學元件所形成的缺陷線於零件表面的直徑通常為約2微米至約5微米範圍內。缺陷線可週期性間隔，其中間距可為約1微米至約50微米範圍內，例如約1微米至約20微米範圍內，例如約5微米至約15微米範圍內。移除零件後，次表面破壞通常小於約75微米，且可依需求調整成小於約25微米。分離表面（或切割邊緣）的粗糙度可由焦線的光點尺寸或點徑控制。分離（切割）邊緣表面的粗糙度例如為約0.1至約1微米範圍內或例如約0.25至約1微米範圍內，且可以如Ra表面粗糙度統計（樣品表面高度的絕對值的算術平均，包括焦線點徑產生的凸塊高度）特性化。此製程產生的表面粗糙度通常小於約0.5微米（Ra），並可小至0.1微米（Ra），然意外發現邊緣表面粗糙度和邊緣強度僅有一點點相關。此外，若諸如研磨及拋光等機械精整製程隨後用於修改邊緣形狀，則具較少次表面破壞的部份需移除的材料量將更少。此可減少或免除精整步驟及降低零件成本。本文所述插栓釋放製程充分善用線焦點皮秒雷射切割製程形成的高品質邊緣，而以沿故障線乾淨釋放玻璃的方式完成內部玻璃材料移除，並且在預定零件邊緣造成很少或無燒蝕損壞、微裂痕或其他缺陷。
不像使用聚焦雷射沿給定路徑單純燒蝕材料的製程，本文所述雷射製程可以單一掃程製造故障線。本文所述皮秒雷射製程可以約50毫米/秒至約3000毫米/秒範圍內的速度形成故障線，此視涉及平臺的加速能力而定。此與燒蝕鑽孔（ablative drilling）法大不相同，其中材料係「逐層」移除，每雷射光束位置需要許多掃程或長停留時間。
本文所述方法能以乾淨、可控制方式切割及分離玻璃或其他透明易碎材料。使用習知燒蝕或熱雷射製程非常具挑戰性，因為該等製程易觸發熱作用區域而引發微裂痕及使玻璃碎成數個小碎片。雷射脈衝特性及與所揭示方法的材料誘發交互作用可避免此等問題，因為缺陷形成係在很短的時間標度內發生，材料可讓用於形成缺陷線的雷射光束穿透可最小化引發熱作用。由於缺陷線形成於基板內，故實際上在切割步驟期間可消除碎屑和附著顆粒的存在。若有任何形成缺陷線產生的顆粒，則零件分離前皆能妥善包容在內。
本文所述方法能依循許多形式和形狀來切割及分離玻璃和其他基板，此乃其他競爭技術的局限。可切割小半徑（例如小於約2毫米）以形成小孔和狹槽（例如手機應用的揚聲器及/或麥克風所需）。
在一些實施例中，堆疊複數個基板，例如兩個基板、三個基板或更多基板，其中雷射光束焦線延伸通過基板堆疊的各基板而形成複數個缺陷線，缺陷線延伸通過基板堆疊的各基板。
從進料玻璃面板製造成最終尺寸與形狀玻璃板的製程涉及數個步驟，包含切割面板、按尺寸切割、精整及邊緣塑形、將零件薄化成目標厚度、拋光，在一些情況下甚至要化學強化。免除任一步驟就處理時間和資本支出而論皆能改善製造成本。本文所述方法可減少步驟數量，例如減少碎屑和邊緣缺陷產生可免除洗滌與乾燥站，將樣品直接切割成最終尺寸、形狀和厚度可不需精整線。
因此，根據一些實施例，玻璃物件具有至少一內部輪廓且複數個缺陷線（或部分缺陷線）垂直於玻璃片刻面延伸至少250微米，各缺陷線的直徑為小於或等於約5微米。在一些實施例中，玻璃物件包含延伸整個基板厚度的缺陷線。缺陷線間隔距離例如為小於或等於約7微米。在一些實施例中，內部輪廓邊緣界定的內部輪廓最小尺度或寬度為小於約5毫米，例如寬度（或直徑）為0.1毫米至3毫米，例如約0.5毫米至約2毫米範圍內，但在進一步實施例中，內部輪廓邊緣具較大尺度，例如直徑為約10毫米至約100毫米範圍內，例如約20毫米至約50毫米範圍內。根據一些實施例，玻璃物件包含離子交換後玻璃。根據一些實施例，缺陷線延伸至少一內部輪廓邊緣的整個厚度。根據至少一些實施例，至少一邊緣表面在自基板10移除零件後具有小於約0.5微米的Ra表面粗糙度。根據至少一些實施例，至少一邊緣的次表面破壞深度高達小於或等於約75微米。
前述製程產生一致的邊緣。依4點彎曲測試量測，此將使邊緣強度具有緊密分布。就非化學強化玻璃而言，例如Corning Eagle XG®，所得邊緣強度可具大於約90兆帕的平均值，標準差通常小於約15兆帕。另外，由於缺陷線通常對稱通過基板全體，無論零件的頂或底表面在強度測試期間是否受到張力，邊緣強度通常接近相等（10%以內）。從一主要表面到相對主要表面的強度分布間差異（取決於彎曲方向）為小於平均強度分布的10%。沿內外邊緣表面的整個周長檢查500微米寬的區域評估側向廣度，邊緣表面未顯現尺寸大於約50微米的破片。
如第14圖所示，前述製程製造的物件展現低翹曲。第14圖圖示取自遍及融合抽拉玻璃基板的不同側向點的95毫米外徑環形（內徑26毫米）的翹曲量（平坦度）資料。自100×100毫米的基板片段切割環形，及在雷射切割成環形前量測平坦度（第14A圖）。雷射切割成環形後，重新量測各圓盤的平坦度（第14B圖）。第14B圖的資料指出各最終環形的平坦度隨融合抽拉片的原始空間位置變化。此等資料指出雷射切割環形維持平坦度為等於或小於約15微米。比較原始平坦度資料亦指出各環形的平坦度與100×100毫米切割方形的平坦度十分相符。本文所揭示方法製造的物件具有等於或小於約10微米的總厚度變化（最大與最小厚度間的差異）。平坦度（翹曲量）係利用取自Nikon®的NEXIV VMR 3020座標量測系統量測，及採用Digital Surf的MountainsMap®分析軟體。
前述製程製造的物件可包含等於或小於約5兆帕的內部殘留應力，在一些實施例中為等於或小於約0.5兆帕的殘留應力。
本文所揭示方法製造的環形可具有等於或小於約15微米的同心度（依環形內外圍的中心間距評估），例如約0微米至約12微米範圍內、約0微米至約10微米範圍內、約0微米至約5微米範圍內，在一些實施例中為約2微米至約6微米範圍內。環形的外徑可為標稱直徑的±12微米以內。同心度係利用取自Nikon®的NEXIV VMR 3020座標量測系統量測，及採用Digital Surf的MountainsMap®分析軟體。
在物件係硬碟用碟片的情況下，物件例如經額外處理。例如，物件的邊緣表面可研磨及/或拋光成驅動機製造商的規格。環形邊緣另可削成斜面。在一些實施例中，玻璃基板的主要表面40、42經研磨及/或拋光。在此情況下，自周圍基板移除物件後，總計不超過約0.1 mm的玻璃需自玻璃物件的主要表面移除。此外，如硬碟碟片所常見，可塗佈環形。例如，環形可塗覆磁性媒體塗層。
在一些實施例中，期離子交換玻璃基板。在此情況下，離子交換製程較佳係在切割製程前進行。 實例
把0.7 mm厚的Corning Lotus NXT玻璃基板置於聚合物支撐基板上，支撐基板包含複數個凹部，各凹部的直徑為30毫米、深度為2毫米。利用聚合物基板中一連串的穿孔及施加真空至穿孔，使基板保持在適當位置。利用以29瓦操作的同調超快皮秒雷射沿複數個第一圓形路徑和與第一封閉路徑同心的複數個第二圓形路徑形成複數個缺陷，脈寬為約9皮秒，脈衝頻率為100千赫，並以每衝串有5個脈衝的叢發模式操作。線焦點直徑為約2微米（FWHM），長度為1.2毫米。雷射以12公尺/分鐘的速度橫越，以沿各個第一和第二封閉路徑製造間隔4微米的缺陷線。第一封閉路徑的半徑為25毫米，第二封閉路徑的半徑為95毫米。第一和第二封閉路徑界定複數個環形。複數個第一封閉路徑界定複數個插栓。
完成缺陷形成階段後，即使用以170瓦操作且於玻璃表面散焦成7毫米光束直徑的200瓦Synrad CW雷射來追蹤第一和第二封閉路徑，其中雷射光束以約12公尺/分鐘橫越，以沿具裂痕的各個第一和第二路徑連接缺陷線，從而隔離環形與玻璃基板和插栓與第二圓形路徑界定的圓盤。
接著使用以200瓦操作並調整於玻璃表面產生6毫米直徑散焦雷射光束的相同Synrad CW CO 2雷射來加熱插栓。此雷射光束在約4秒內描繪直徑10毫米的圓形軌跡四次。讓插栓被動冷卻（無主動冷卻），隨之在開始冷卻（停止加熱）後約25秒內，插栓自玻璃圓盤脫落。
儘管本發明已以示例性實施例揭示如上，然應理解熟諳此技術者在不脫離本發明範疇內當可改變形式與細節，因此本發明的保護範圍視後附申請專利範圍所界定者為準。
10:玻璃基板 12、14、22:路徑 16:插栓 18:圓盤 20:環形 30:雷射光束 34:焦線 36:旋轉三稜鏡 37:準直透鏡 38:聚焦透鏡 40、42:主要表面 100:支撐基板 104:通道 106、108:主要表面 110:凹部 112、114:通道 116:雷射 118:雷射光束 120:缺陷線 122、124:故障線 126、126a-d:釋放線 128:箭頭 128a-d:邊緣 130:裂痕部分 132、136:實線 134、140:箭頭 142:玻璃 144、150:雷射 146、152:雷射光束 160、162:箭頭 d:厚度 r1、r2:半徑 Th:厚度
以上敘述在參閱本發明附圖所示的示例性實施例說明後將變得更清楚易懂，其中相同的元件符號代表不同視圖中相仿的零件。圖式未必按比例繪製，重點係放在說明本發明的實施例。
第1圖係物件示意圖，包括待從起始母料基板切割的外部與內部輪廓，外部輪廓劃出物件界線，內部輪廓劃出待自物件移除的插栓界線；
第2圖圖示示例性光學配置示意圖，用以在基板內製造焦線；
第3圖係掃描式電子顯微鏡圖，該圖圖示形成於玻璃基板的缺陷線上視圖，並顯示初始孔洞和有明顯噴出物的孔洞周緣；
第4圖係掃描式電子顯微鏡圖，該圖係玻璃基板的截面圖，並圖示數個缺陷線形成於玻璃基板中；
第5圖係置於基板支撐件上的基板示意圖，其中一或更多雷射用於在基板中形成缺陷線和後續故障線；
第6圖係包含複數個故障線的基板上視圖，故障線界定待自基板移除的複數個零件；
第7圖係基板的上視圖並圖示複數個缺陷線沿路徑形成；
第8圖係圖示裂痕伸入待自基板移除零件內的示意圖；
第9A圖至第9D圖係沿故障線發生分離的順序造成不同情況的示意圖；
第10圖係截面圖並圖示雷射用於驅使裂痕沿故障線龜裂；
第11圖係第8圖置於支撐基板上的玻璃基板截面圖，其中形成於玻璃基板中的部分插栓加熱達或高於插栓軟化溫度的溫度；
第12圖係第11圖置於支撐基板上的玻璃基板截面圖，其中真空經由支撐基板中的凹部施加至隔離插栓，從而促使插栓上方的空氣壓力驅使插栓脫離玻璃基板；
第13圖圖示零件更密集排列在基板上（例如六方最密堆積）；
第14A圖係圖示基板原始翹曲量的翹曲量曲線圖，由此產生環形；及
第14B圖係圖示由第14A圖基板製造環形的翹曲量曲線圖。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
10:玻璃基板
12:路徑
16:插栓
18:圓盤
20:環形
40、42:主要表面
100:支撐基板
106、108:主要表面
110:凹部
112、114:通道
116:雷射
118:雷射光束
120:缺陷線
Th:厚度

Claims (16)

  1. 一種玻璃物件，包含：一第一主要表面；一第二主要表面，相對於該第一主要表面；一圓形內圍；以及一圓形外圍，與該內圍同心，該內圍與該外圍於其間界定一環形，一厚度在該第一與第二主要表面之間延伸且等於或小於約1毫米，一第一未研磨且未拋光之邊緣表面位於該第一與第二主要表面之間並圍繞該內圍延伸，一第二未研磨且未拋光之邊緣表面位於該第一與第二主要表面之間並圍繞該外圍延伸；其中該第一或第二邊緣表面的至少一者之表面粗糙度Ra為等於或小於約0.5微米；且其中該第一或第二邊緣表面的至少一者包含複數個缺陷線在該第一與第二主要表面之間垂直延伸，且其中各缺陷線的直徑為小於或等於約5微米。
  2. 如請求項1所述之玻璃物件，其中沿著該第一或第二邊緣表面任一者的次表面破壞深度等於或小於約75微米。
  3. 如請求項1所述之玻璃物件，其中該玻璃物件的翹曲量等於或小於約50微米。
  4. 如請求項1所述之玻璃物件，其中該玻璃 物件的退火點等於或高於約700℃。
  5. 如請求項1所述之玻璃物件，其中該玻璃物件在暴露於600℃的溫度中30分鐘並冷卻至23℃的溫度後的壓縮率(compaction)等於或小於約35ppm。
  6. 如請求項1所述之玻璃物件，其中該玻璃物件包含等於或小於5MPa的內部殘留應力。
  7. 如請求項1所述之玻璃物件，其中該玻璃物件係化學強化玻璃。
  8. 如請求項1所述之玻璃物件，其中該第一或第二主要表面任一者的平均粗糙度Ra小於約1奈米。
  9. 如請求項1所述之玻璃物件，其中該玻璃物件包含等於或小於約0.5重量%的SnO2。
  10. 如請求項1所述之玻璃物件，其中該複數個缺陷線的相鄰缺陷線間距等於或小於約7微米。
  11. 如請求項1所述之玻璃物件，其中該玻璃物件包含小於或等於0.1%的鹼金屬氧化物。
  12. 如請求項1所述之玻璃物件，其中該第一與第二主要表面為未研磨且未拋光。
  13. 如請求項1所述之玻璃物件，其中該第一與第二主要表面無任何塗層。
  14. 如請求項1所述之玻璃物件，其中該圓形外圍的直徑為預定標稱圓形外徑的±15微米以內。
  15. 如請求項1所述之玻璃物件，其中該圓形內圍的直徑為預定標稱圓形內徑的±25微米以內。
  16. 如請求項1所述之玻璃物件，其中該圓形內圍的中心與該圓形外圍的中心彼此位移不超過約10微米。
TW110133332A 2016-05-06 2017-05-05 從透明基板雷射切割及移除輪廓形狀 TWI794959B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662332618P 2016-05-06 2016-05-06
US62/332,618 2016-05-06
US201662350978P 2016-06-16 2016-06-16
US62/350,978 2016-06-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202214535A TW202214535A (zh) 2022-04-16
TWI794959B true TWI794959B (zh) 2023-03-01

Family

ID=58709610

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110133332A TWI794959B (zh) 2016-05-06 2017-05-05 從透明基板雷射切割及移除輪廓形狀
TW106114913A TWI742076B (zh) 2016-05-06 2017-05-05 從透明基板雷射切割及移除輪廓形狀

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106114913A TWI742076B (zh) 2016-05-06 2017-05-05 從透明基板雷射切割及移除輪廓形狀

Country Status (9)

Country Link
US (2) US11111170B2 (zh)
EP (2) EP3452418B1 (zh)
JP (2) JP6938543B2 (zh)
KR (2) KR20220078719A (zh)
CN (1) CN109311725B (zh)
MY (1) MY194570A (zh)
SG (1) SG11201809797PA (zh)
TW (2) TWI794959B (zh)
WO (1) WO2017192835A1 (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10947148B2 (en) * 2017-08-07 2021-03-16 Seagate Technology Llc Laser beam cutting/shaping a glass substrate
CN107855665B (zh) * 2017-11-15 2019-06-04 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其切割方法、显示装置
US11575113B2 (en) 2017-11-15 2023-02-07 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and manufacturing method therefor, display device
CN108161250A (zh) * 2018-01-30 2018-06-15 苏州德龙激光股份有限公司 多焦点动态分布激光加工脆性透明材料的方法及装置
US20190263709A1 (en) * 2018-02-26 2019-08-29 Corning Incorporated Methods for laser forming transparent articles from a transparent mother sheet and processing the transparent articles in-situ
WO2019191474A1 (en) * 2018-03-29 2019-10-03 Corning Incorporated Methods for laser processing rough transparent workpieces using pulsed laser beam focal lines and a fluid film
US11059131B2 (en) 2018-06-22 2021-07-13 Corning Incorporated Methods for laser processing a substrate stack having one or more transparent workpieces and a black matrix layer
US11524366B2 (en) * 2018-07-26 2022-12-13 Coherent Munich GmbH & Co. KG Separation and release of laser-processed brittle material
WO2020021705A1 (ja) * 2018-07-27 2020-01-30 Hoya株式会社 ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法
FR3087471B1 (fr) * 2018-10-23 2020-11-06 Saint Gobain Procede d’obtention d’un vitrage isolant
DE102018220240A1 (de) * 2018-11-20 2020-05-20 Flabeg Deutschland Gmbh Verfahren zum Vereinzeln eines Glaselements in eine Mehrzahl von Glasbauteilen und Schneidsystem zur Durchführung des Verfahrens
EP3999477A1 (en) * 2019-07-18 2022-05-25 Corning Incorporated Methods for separating transparent articles from a transparent mother sheet using an open ended pressure assembly
KR20230020498A (ko) * 2020-06-04 2023-02-10 코닝 인코포레이티드 수정된 펄스 버스트 프로파일을 사용하여 투명 작업편을 레이저 처리하는 방법
TWI733604B (zh) * 2020-06-10 2021-07-11 財團法人工業技術研究院 玻璃工件雷射處理系統及方法
DE102020123787A1 (de) 2020-09-11 2022-03-17 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Verfahren zum Trennen eines transparenten Materials
CN115215538A (zh) * 2021-04-15 2022-10-21 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种玻璃的激光切孔方法及激光切割装置
CN113305106B (zh) * 2021-06-03 2022-08-02 四川大学 一种激光清洗微纳颗粒污染物的方法和应用
CN114682932B (zh) * 2022-04-14 2024-02-09 强一半导体(苏州)股份有限公司 一种适用于生瓷片的激光加工通孔的方法
DE202022105478U1 (de) * 2022-09-28 2022-11-04 4Jet Microtech Gmbh Trennvorrichtung

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101965242A (zh) * 2008-03-07 2011-02-02 Imra美国公司 利用超短脉冲激光的透明材料加工
TW201107253A (en) * 2009-04-30 2011-03-01 Corning Inc Glass sheet having enhanced edge strength
CN103086591A (zh) * 2011-11-08 2013-05-08 雅士晶业股份有限公司 具有曲率变化图案的玻璃面及其制造方法
TW201433550A (zh) * 2013-02-26 2014-09-01 Nippon Electric Glass Co 玻璃膜的切斷方法、玻璃膜切斷裝置及玻璃膜
JP2015076115A (ja) * 2013-10-11 2015-04-20 旭硝子株式会社 磁気記録媒体用円盤状ガラス基板、及び磁気記録媒体用円盤状ガラス基板の製造方法
US20150165560A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes

Family Cites Families (417)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1790397A (en) 1931-01-27 Glass workins machine
US2682134A (en) 1951-08-17 1954-06-29 Corning Glass Works Glass sheet containing translucent linear strips
US2749794A (en) 1953-04-24 1956-06-12 Corning Glass Works Illuminating glassware and method of making it
GB1242172A (en) 1968-02-23 1971-08-11 Ford Motor Co A process for chemically cutting glass
US3647410A (en) 1969-09-09 1972-03-07 Owens Illinois Inc Glass ribbon machine blow head mechanism
US3775084A (en) 1970-01-02 1973-11-27 Owens Illinois Inc Pressurizer apparatus for glass ribbon machine
US3729302A (en) 1970-01-02 1973-04-24 Owens Illinois Inc Removal of glass article from ribbon forming machine by vibrating force
US3695497A (en) 1970-08-26 1972-10-03 Ppg Industries Inc Method of severing glass
US3695498A (en) 1970-08-26 1972-10-03 Ppg Industries Inc Non-contact thermal cutting
DE2231330A1 (de) 1972-06-27 1974-01-10 Agfa Gevaert Ag Verfahren und vorrichtung zur erzeugung eines scharfen fokus
DE2757890C2 (de) 1977-12-24 1981-10-15 Fa. Karl Lutz, 6980 Wertheim Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Behältnissen aus Röhrenglas, insbesondere Ampullen
JPS5713480A (en) 1980-06-26 1982-01-23 Hitachi Ltd Crt display unit
US4441008A (en) 1981-09-14 1984-04-03 Ford Motor Company Method of drilling ultrafine channels through glass
US4546231A (en) 1983-11-14 1985-10-08 Group Ii Manufacturing Ltd. Creation of a parting zone in a crystal structure
US4646308A (en) 1985-09-30 1987-02-24 Spectra-Physics, Inc. Synchronously pumped dye laser using ultrashort pump pulses
US4749400A (en) 1986-12-12 1988-06-07 Ppg Industries, Inc. Discrete glass sheet cutting
EP0272582B1 (en) 1986-12-18 1994-05-18 Sumitomo Chemical Company, Limited Light control sheets
US4918751A (en) 1987-10-05 1990-04-17 The University Of Rochester Method for optical pulse transmission through optical fibers which increases the pulse power handling capacity of the fibers
IL84255A (en) 1987-10-23 1993-02-21 Galram Technology Ind Ltd Process for removal of post- baked photoresist layer
JPH01179770A (ja) 1988-01-12 1989-07-17 Hiroshima Denki Gakuen 金属とセラミックスとの接合方法
US4764930A (en) 1988-01-27 1988-08-16 Intelligent Surgical Lasers Multiwavelength laser source
US4907586A (en) 1988-03-31 1990-03-13 Intelligent Surgical Lasers Method for reshaping the eye
US4929065A (en) 1988-11-03 1990-05-29 Isotec Partners, Ltd. Glass plate fusion for macro-gradient refractive index materials
US4891054A (en) 1988-12-30 1990-01-02 Ppg Industries, Inc. Method for cutting hot glass
US5112722A (en) 1989-04-12 1992-05-12 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Method of producing light control plate which induces scattering of light at different angles
US5104210A (en) 1989-04-24 1992-04-14 Monsanto Company Light control films and method of making
US5035918A (en) 1989-04-26 1991-07-30 Amp Incorporated Non-flammable and strippable plating resist and method of using same
US5040182A (en) 1990-04-24 1991-08-13 Coherent, Inc. Mode-locked laser
CA2123008C (en) 1991-11-06 2003-01-21 Shui T. Lai Corneal surgery device and method
US5265107A (en) 1992-02-05 1993-11-23 Bell Communications Research, Inc. Broadband absorber having multiple quantum wells of different thicknesses
JPH05323110A (ja) 1992-05-22 1993-12-07 Hitachi Koki Co Ltd 多ビーム発生素子
US6016223A (en) 1992-08-31 2000-01-18 Canon Kabushiki Kaisha Double bessel beam producing method and apparatus
CA2112843A1 (en) 1993-02-04 1994-08-05 Richard C. Ujazdowski Variable repetition rate picosecond laser
EP0656241B1 (en) 1993-06-04 1998-12-23 Seiko Epson Corporation Apparatus and method for laser machining
US5521352A (en) 1993-09-23 1996-05-28 Laser Machining, Inc. Laser cutting apparatus
US5418803A (en) 1994-01-11 1995-05-23 American Biogenetic Sciences, Inc. White light laser technology
US6489589B1 (en) 1994-02-07 2002-12-03 Board Of Regents, University Of Nebraska-Lincoln Femtosecond laser utilization methods and apparatus and method for producing nanoparticles
US5436925A (en) 1994-03-01 1995-07-25 Hewlett-Packard Company Colliding pulse mode-locked fiber ring laser using a semiconductor saturable absorber
US5400350A (en) 1994-03-31 1995-03-21 Imra America, Inc. Method and apparatus for generating high energy ultrashort pulses
US5778016A (en) 1994-04-01 1998-07-07 Imra America, Inc. Scanning temporal ultrafast delay methods and apparatuses therefor
JP2526806B2 (ja) 1994-04-26 1996-08-21 日本電気株式会社 半導体レ―ザおよびその動作方法
WO1995031023A1 (en) 1994-05-09 1995-11-16 Massachusetts Institute Of Technology Dispersion-compensated laser using prismatic end elements
US5434875A (en) 1994-08-24 1995-07-18 Tamar Technology Co. Low cost, high average power, high brightness solid state laser
US5776220A (en) 1994-09-19 1998-07-07 Corning Incorporated Method and apparatus for breaking brittle materials
US5578229A (en) 1994-10-18 1996-11-26 Michigan State University Method and apparatus for cutting boards using opposing convergent laser beams
US5696782A (en) 1995-05-19 1997-12-09 Imra America, Inc. High power fiber chirped pulse amplification systems based on cladding pumped rare-earth doped fibers
JPH09106243A (ja) 1995-10-12 1997-04-22 Dainippon Printing Co Ltd ホログラムの複製方法
US5736709A (en) 1996-08-12 1998-04-07 Armco Inc. Descaling metal with a laser having a very short pulse width and high average power
US7353829B1 (en) 1996-10-30 2008-04-08 Provectus Devicetech, Inc. Methods and apparatus for multi-photon photo-activation of therapeutic agents
US6301932B1 (en) 1996-11-13 2001-10-16 Corning Incorporated Method for forming an internally channeled glass article
US6156030A (en) 1997-06-04 2000-12-05 Y-Beam Technologies, Inc. Method and apparatus for high precision variable rate material removal and modification
BE1011208A4 (fr) 1997-06-11 1999-06-01 Cuvelier Georges Procede de decalottage de pieces en verre.
DE19728766C1 (de) 1997-07-07 1998-12-17 Schott Rohrglas Gmbh Verwendung eines Verfahrens zur Herstellung einer Sollbruchstelle bei einem Glaskörper
US6078599A (en) 1997-07-22 2000-06-20 Cymer, Inc. Wavelength shift correction technique for a laser
US6003418A (en) * 1997-07-31 1999-12-21 International Business Machines Corporation Punched slug removal system
JP3264224B2 (ja) 1997-08-04 2002-03-11 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
GB2335603B (en) 1997-12-05 2002-12-04 Thermolase Corp Skin enhancement using laser light
US6501578B1 (en) 1997-12-19 2002-12-31 Electric Power Research Institute, Inc. Apparatus and method for line of sight laser communications
JPH11197498A (ja) 1998-01-13 1999-07-27 Japan Science & Technology Corp 無機材料内部の選択的改質方法及び内部が選択的に改質された無機材料
US6272156B1 (en) 1998-01-28 2001-08-07 Coherent, Inc. Apparatus for ultrashort pulse transportation and delivery
JPH11240730A (ja) 1998-02-27 1999-09-07 Nec Kansai Ltd 脆性材料の割断方法
JPH11269683A (ja) 1998-03-18 1999-10-05 Armco Inc 金属表面から酸化物を除去する方法及び装置
US6160835A (en) 1998-03-20 2000-12-12 Rocky Mountain Instrument Co. Hand-held marker with dual output laser
DE69931690T2 (de) 1998-04-08 2007-06-14 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat
US6256328B1 (en) 1998-05-15 2001-07-03 University Of Central Florida Multiwavelength modelocked semiconductor diode laser
US6308055B1 (en) 1998-05-29 2001-10-23 Silicon Laboratories, Inc. Method and apparatus for operating a PLL for synthesizing high-frequency signals for wireless communications
JPH11347758A (ja) 1998-06-10 1999-12-21 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 超精密加工装置
JP4396953B2 (ja) 1998-08-26 2010-01-13 三星電子株式会社 レーザ切断装置および切断方法
DE19851353C1 (de) 1998-11-06 1999-10-07 Schott Glas Verfahren und Vorrichtung zum Schneiden eines Laminats aus einem sprödbrüchigen Werkstoff und einem Kunststoff
JP3178524B2 (ja) 1998-11-26 2001-06-18 住友重機械工業株式会社 レーザマーキング方法と装置及びマーキングされた部材
US7649153B2 (en) 1998-12-11 2010-01-19 International Business Machines Corporation Method for minimizing sample damage during the ablation of material using a focused ultrashort pulsed laser beam
US6445491B2 (en) 1999-01-29 2002-09-03 Irma America, Inc. Method and apparatus for optical sectioning and imaging using time-gated parametric image amplification
US6381391B1 (en) 1999-02-19 2002-04-30 The Regents Of The University Of Michigan Method and system for generating a broadband spectral continuum and continuous wave-generating system utilizing same
DE19908630A1 (de) 1999-02-27 2000-08-31 Bosch Gmbh Robert Abschirmung gegen Laserstrahlen
JP4218209B2 (ja) 1999-03-05 2009-02-04 三菱電機株式会社 レーザ加工装置
US6484052B1 (en) 1999-03-30 2002-11-19 The Regents Of The University Of California Optically generated ultrasound for enhanced drug delivery
EP1043110B1 (en) 1999-04-02 2006-08-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Laser method for machining through holes in a ceramic green sheet
US6373565B1 (en) 1999-05-27 2002-04-16 Spectra Physics Lasers, Inc. Method and apparatus to detect a flaw in a surface of an article
CN2388062Y (zh) 1999-06-21 2000-07-19 郭广宗 一层有孔一层无孔双层玻璃车船窗
US6449301B1 (en) 1999-06-22 2002-09-10 The Regents Of The University Of California Method and apparatus for mode locking of external cavity semiconductor lasers with saturable Bragg reflectors
US6259151B1 (en) 1999-07-21 2001-07-10 Intersil Corporation Use of barrier refractive or anti-reflective layer to improve laser trim characteristics of thin film resistors
US6573026B1 (en) 1999-07-29 2003-06-03 Corning Incorporated Femtosecond laser writing of glass, including borosilicate, sulfide, and lead glasses
DE19952331C1 (de) 1999-10-29 2001-08-30 Schott Spezialglas Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum schnellen Schneiden eines Werkstücks aus sprödbrüchigem Werkstoff mittels Laserstrahlen
JP2001138083A (ja) 1999-11-18 2001-05-22 Seiko Epson Corp レーザー加工装置及びレーザー照射方法
JP4592855B2 (ja) 1999-12-24 2010-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6339208B1 (en) 2000-01-19 2002-01-15 General Electric Company Method of forming cooling holes
US6552301B2 (en) 2000-01-25 2003-04-22 Peter R. Herman Burst-ultrafast laser machining method
WO2001085387A1 (en) 2000-05-11 2001-11-15 Ptg Precision Technology Center Limited Llc System for cutting brittle materials
DE10030388A1 (de) 2000-06-21 2002-01-03 Schott Glas Verfahren zur Herstellung von Glassubstraten für elektronische Speichermedien
JP3530114B2 (ja) 2000-07-11 2004-05-24 忠弘 大見 単結晶の切断方法
JP2002040330A (ja) 2000-07-25 2002-02-06 Olympus Optical Co Ltd 光学素子切換え制御装置
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
KR100673073B1 (ko) 2000-10-21 2007-01-22 삼성전자주식회사 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단 방법 및 장치
US20020110639A1 (en) 2000-11-27 2002-08-15 Donald Bruns Epoxy coating for optical surfaces
US20020082466A1 (en) 2000-12-22 2002-06-27 Jeongho Han Laser surgical system with light source and video scope
JP4880820B2 (ja) 2001-01-19 2012-02-22 株式会社レーザーシステム レーザ支援加工方法
JP2002228818A (ja) 2001-02-05 2002-08-14 Taiyo Yuden Co Ltd レーザー加工用回折光学素子、レーザー加工装置及びレーザー加工方法
SG108262A1 (en) 2001-07-06 2005-01-28 Inst Data Storage Method and apparatus for cutting a multi-layer substrate by dual laser irradiation
JP3775250B2 (ja) 2001-07-12 2006-05-17 セイコーエプソン株式会社 レーザー加工方法及びレーザー加工装置
JPWO2003007370A1 (ja) 2001-07-12 2004-11-04 株式会社日立製作所 配線ガラス基板およびその製造方法ならびに配線ガラス基板に用いられる導電性ペーストおよび半導体モジュールならびに配線基板および導体形成方法
CN1283409C (zh) 2001-08-10 2006-11-08 三星钻石工业股份有限公司 脆性材料基片的倒角方法以及倒角装置
JP3795778B2 (ja) 2001-08-24 2006-07-12 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 水添ビスフェノールａ型エポキシ樹脂を用いたレジノイド研削砥石
JP2003114400A (ja) 2001-10-04 2003-04-18 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザ光学システムおよびレーザ加工方法
JP2003154517A (ja) 2001-11-21 2003-05-27 Seiko Epson Corp 脆性材料の割断加工方法およびその装置、並びに電子部品の製造方法
US6720519B2 (en) 2001-11-30 2004-04-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. System and method of laser drilling
US6973384B2 (en) 2001-12-06 2005-12-06 Bellsouth Intellectual Property Corporation Automated location-intelligent traffic notification service systems and methods
JP2003238178A (ja) 2002-02-21 2003-08-27 Toshiba Ceramics Co Ltd ガス導入用シャワープレート及びその製造方法
JP4606741B2 (ja) 2002-03-12 2011-01-05 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
US6744009B1 (en) 2002-04-02 2004-06-01 Seagate Technology Llc Combined laser-scribing and laser-breaking for shaping of brittle substrates
US6787732B1 (en) 2002-04-02 2004-09-07 Seagate Technology Llc Method for laser-scribing brittle substrates and apparatus therefor
JP2004209675A (ja) 2002-12-26 2004-07-29 Kashifuji:Kk 押圧切断装置及び押圧切断方法
KR100497820B1 (ko) 2003-01-06 2005-07-01 로체 시스템즈(주) 유리판절단장치
JP3775410B2 (ja) 2003-02-03 2006-05-17 セイコーエプソン株式会社 レーザー加工方法、レーザー溶接方法並びにレーザー加工装置
EP1609559B1 (en) 2003-03-12 2007-08-08 Hamamatsu Photonics K. K. Laser beam machining method
AU2004232803C1 (en) 2003-04-22 2010-05-13 The Coca-Cola Company Method and apparatus for strengthening glass
US7511886B2 (en) 2003-05-13 2009-03-31 Carl Zeiss Smt Ag Optical beam transformation system and illumination system comprising an optical beam transformation system
FR2855084A1 (fr) 2003-05-22 2004-11-26 Air Liquide Optique de focalisation pour le coupage laser
JP2005000952A (ja) 2003-06-12 2005-01-06 Nippon Sheet Glass Co Ltd レーザー加工方法及びレーザー加工装置
EP1642165A1 (en) 2003-06-26 2006-04-05 RIS National Laboratory Generation of a desired wavefront with a plurality of phase contrast filters
KR101119289B1 (ko) 2003-07-18 2012-03-15 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 절단방법
JP2005104819A (ja) 2003-09-10 2005-04-21 Nippon Sheet Glass Co Ltd 合せガラスの切断方法及び合せガラス切断装置
JP2005138143A (ja) 2003-11-06 2005-06-02 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ光線を利用する加工装置
US7172067B2 (en) 2003-11-10 2007-02-06 Johnson Level & Tool Mfg. Co., Inc. Level case with positioning indentations
JP2005144487A (ja) 2003-11-13 2005-06-09 Seiko Epson Corp レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP4739024B2 (ja) 2003-12-04 2011-08-03 三星ダイヤモンド工業株式会社 基板加工方法、基板加工装置および基板搬送機構、基板分離装置
US7633033B2 (en) 2004-01-09 2009-12-15 General Lasertronics Corporation Color sensing for laser decoating
JP4951241B2 (ja) 2004-01-16 2012-06-13 独立行政法人科学技術振興機構 微細加工方法
JP4074589B2 (ja) 2004-01-22 2008-04-09 Ｔｄｋ株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
CN1925945A (zh) 2004-03-05 2007-03-07 奥林巴斯株式会社 激光加工装置
DE102004012402B3 (de) * 2004-03-13 2005-08-25 Schott Ag Verfahren zum Freiformschneiden von gewölbten Substraten aus sprödbrüchigem Material
JP4418282B2 (ja) 2004-03-31 2010-02-17 株式会社レーザーシステム レーザ加工方法
KR100626554B1 (ko) 2004-05-11 2006-09-21 주식회사 탑 엔지니어링 비금속재 절단장치 및 비금속재 절단시의 절단깊이 제어방법
US7804043B2 (en) 2004-06-15 2010-09-28 Laserfacturing Inc. Method and apparatus for dicing of thin and ultra thin semiconductor wafer using ultrafast pulse laser
JP3887394B2 (ja) 2004-10-08 2007-02-28 芝浦メカトロニクス株式会社 脆性材料の割断加工システム及びその方法
KR100821937B1 (ko) 2004-10-25 2008-04-15 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 크랙 형성방법 및 크랙 형성장치
JP4692717B2 (ja) 2004-11-02 2011-06-01 澁谷工業株式会社 脆性材料の割断装置
JP4222296B2 (ja) 2004-11-22 2009-02-12 住友電気工業株式会社 レーザ加工方法とレーザ加工装置
JP4564343B2 (ja) 2004-11-24 2010-10-20 大日本印刷株式会社 導電材充填スルーホール基板の製造方法
US7201965B2 (en) 2004-12-13 2007-04-10 Corning Incorporated Glass laminate substrate having enhanced impact and static loading resistance
KR101170587B1 (ko) 2005-01-05 2012-08-01 티에이치케이 인텍스 가부시키가이샤 워크의 브레이크 방법 및 장치, 스크라이브 및 브레이크방법, 및 브레이크 기능을 갖는 스크라이브 장치
JPWO2006082738A1 (ja) 2005-02-03 2008-06-26 株式会社ニコン オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP2006248885A (ja) 2005-02-08 2006-09-21 Takeji Arai 超短パルスレーザによる石英の切断方法
JP2006240948A (ja) 2005-03-07 2006-09-14 Nippon Sheet Glass Co Ltd ガラス板製品を切り抜きにより製造する方法
US20060261118A1 (en) 2005-05-17 2006-11-23 Cox Judy K Method and apparatus for separating a pane of brittle material from a moving ribbon of the material
JP4490883B2 (ja) 2005-07-19 2010-06-30 株式会社レーザーシステム レーザ加工装置およびレーザ加工方法
DE102005039833A1 (de) 2005-08-22 2007-03-01 Rowiak Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Materialtrennung mit Laserpulsen
KR20070023958A (ko) 2005-08-25 2007-03-02 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 기판 절단 시스템 및 상기 시스템을이용한 액정 표시 장치용 기판 절단 방법
US7373041B2 (en) 2005-08-31 2008-05-13 Schleifring Und Apparatebau Gmbh Optical rotary coupling
DE102006042280A1 (de) 2005-09-08 2007-06-06 IMRA America, Inc., Ann Arbor Bearbeitung von transparentem Material mit einem Ultrakurzpuls-Laser
EP1950019B1 (en) 2005-09-12 2011-12-21 Nippon Sheet Glass Company Limited Interlayer film separation method
US7838331B2 (en) 2005-11-16 2010-11-23 Denso Corporation Method for dicing semiconductor substrate
JP2007142001A (ja) 2005-11-16 2007-06-07 Denso Corp レーザ加工装置およびレーザ加工方法
US20070111480A1 (en) 2005-11-16 2007-05-17 Denso Corporation Wafer product and processing method therefor
US7977601B2 (en) 2005-11-28 2011-07-12 Electro Scientific Industries, Inc. X and Y orthogonal cut direction processing with set beam separation using 45 degree beam split orientation apparatus and method
KR101371265B1 (ko) 2005-12-16 2014-03-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레이저 조사 장치, 레이저 조사 방법, 및 반도체 장치 제조방법
JP4483793B2 (ja) 2006-01-27 2010-06-16 セイコーエプソン株式会社 微細構造体の製造方法及び製造装置
US7418181B2 (en) 2006-02-13 2008-08-26 Adc Telecommunications, Inc. Fiber optic splitter module
JP5245819B2 (ja) 2006-02-15 2013-07-24 旭硝子株式会社 ガラス基板の面取り方法および装置
US7535634B1 (en) 2006-02-16 2009-05-19 The United States Of America As Represented By The National Aeronautics And Space Administration Optical device, system, and method of generating high angular momentum beams
JP4672689B2 (ja) 2006-02-22 2011-04-20 日本板硝子株式会社 レーザを用いたガラスの加工方法および加工装置
EP1990125B1 (en) 2006-02-22 2011-10-12 Nippon Sheet Glass Company, Limited Glass processing method using laser
US20090176034A1 (en) 2006-02-23 2009-07-09 Picodeon Ltd. Oy Surface Treatment Technique and Surface Treatment Apparatus Associated With Ablation Technology
JP2007253203A (ja) 2006-03-24 2007-10-04 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザ加工用光学装置
US20070298529A1 (en) 2006-05-31 2007-12-27 Toyoda Gosei, Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for separating semiconductor light-emitting devices
ES2428826T3 (es) 2006-07-03 2013-11-11 Hamamatsu Photonics K.K. Procedimiento de procesamiento por láser y chip
DE102006035555A1 (de) 2006-07-27 2008-01-31 Eliog-Kelvitherm Industrieofenbau Gmbh Anordnung und Verfahren zur Verformung von Glasscheiben
TWI362370B (en) 2006-08-18 2012-04-21 Foxsemicon Integrated Tech Inc Method for cutting a brittle substrate
US8168514B2 (en) 2006-08-24 2012-05-01 Corning Incorporated Laser separation of thin laminated glass substrates for flexible display applications
CN101516566B (zh) 2006-09-19 2012-05-09 浜松光子学株式会社 激光加工方法和激光加工装置
AT504726A1 (de) 2007-01-05 2008-07-15 Lisec Maschb Gmbh Verfahren und vorrichtung zum herstellen eines trennspalts in einer glasscheibe
US20100029460A1 (en) 2007-02-22 2010-02-04 Nippon Sheet Glass Company, Limited Glass for anodic bonding
CN101622722B (zh) 2007-02-27 2012-11-21 卡尔蔡司激光器材有限责任公司 连续涂覆设备、生产晶态薄膜和太阳电池的方法
JP5784273B2 (ja) 2007-04-05 2015-09-24 チャーム エンジニアリング株式会社 レーザ加工方法及び切断方法並びに多層基板を有する構造体の分割方法
DE102007018674A1 (de) 2007-04-18 2008-10-23 Lzh Laserzentrum Hannover E.V. Verfahren zum Bilden von Durchgangslöchern in Bauteilen aus Glas
US8236116B2 (en) 2007-06-06 2012-08-07 Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et Al Ceramique S.A. (C.R.V.C.) Method of making coated glass article, and intermediate product used in same
US20080310465A1 (en) 2007-06-14 2008-12-18 Martin Achtenhagen Method and Laser Device for Stabilized Frequency Doubling
US8169587B2 (en) 2007-08-16 2012-05-01 Apple Inc. Methods and systems for strengthening LCD modules
JP2009056482A (ja) 2007-08-31 2009-03-19 Seiko Epson Corp 基板分割方法、及び表示装置の製造方法
JP5113462B2 (ja) 2007-09-12 2013-01-09 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板の面取り方法
US20100276505A1 (en) 2007-09-26 2010-11-04 Roger Earl Smith Drilling in stretched substrates
CN101610870B (zh) 2007-10-16 2013-09-11 三星钻石工业股份有限公司 脆性材料基板的u形槽加工方法以及使用该方法的去除加工方法、打孔加工方法和倒角方法
KR20090041316A (ko) 2007-10-23 2009-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 성막 방법 및 발광 장치의 제작 방법
KR20090057161A (ko) 2007-12-01 2009-06-04 주식회사 이엔팩 초발수성 좌변기 시트
CN101462822B (zh) 2007-12-21 2012-08-29 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 具有通孔的脆性非金属工件及其加工方法
US20090183764A1 (en) 2008-01-18 2009-07-23 Tenksolar, Inc Detachable Louver System
WO2009105608A1 (en) 2008-02-20 2009-08-27 Automatic Feed Company Progressive laser blanking device for high speed cutting
JP5333816B2 (ja) 2008-03-26 2013-11-06 旭硝子株式会社 ガラス板の切線加工装置及び切線加工方法
US8237080B2 (en) 2008-03-27 2012-08-07 Electro Scientific Industries, Inc Method and apparatus for laser drilling holes with Gaussian pulses
JP5345334B2 (ja) 2008-04-08 2013-11-20 株式会社レミ 脆性材料の熱応力割断方法
JP5274085B2 (ja) 2008-04-09 2013-08-28 株式会社アルバック レーザー加工装置、レーザービームのピッチ可変方法、及びレーザー加工方法
US8358888B2 (en) 2008-04-10 2013-01-22 Ofs Fitel, Llc Systems and techniques for generating Bessel beams
HUE037068T2 (hu) 2008-05-14 2018-08-28 Gerresheimer Glas Gmbh Eljárás és berendezés automatikus gyártórendszeren szennyezõ szemcsék tartályokból való eltávolítására
US8053704B2 (en) 2008-05-27 2011-11-08 Corning Incorporated Scoring of non-flat materials
JP2009297734A (ja) 2008-06-11 2009-12-24 Nitto Denko Corp レーザー加工用粘着シート及びレーザー加工方法
US8514476B2 (en) 2008-06-25 2013-08-20 View, Inc. Multi-pane dynamic window and method for making same
US7810355B2 (en) 2008-06-30 2010-10-12 Apple Inc. Full perimeter chemical strengthening of substrates
JP5155774B2 (ja) 2008-08-21 2013-03-06 株式会社ノリタケカンパニーリミテド プラトー面加工用レジノイド超砥粒砥石ホイール
JP2010075991A (ja) 2008-09-29 2010-04-08 Fujifilm Corp レーザ加工装置
JP5297139B2 (ja) 2008-10-09 2013-09-25 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
US8895892B2 (en) 2008-10-23 2014-11-25 Corning Incorporated Non-contact glass shearing device and method for scribing or cutting a moving glass sheet
US8092739B2 (en) 2008-11-25 2012-01-10 Wisconsin Alumni Research Foundation Retro-percussive technique for creating nanoscale holes
US9346130B2 (en) 2008-12-17 2016-05-24 Electro Scientific Industries, Inc. Method for laser processing glass with a chamfered edge
EP2202545A1 (en) 2008-12-23 2010-06-30 Karlsruher Institut für Technologie Beam transformation module with an axicon in a double-pass mode
KR101020621B1 (ko) 2009-01-15 2011-03-09 연세대학교 산학협력단 광섬유를 이용하는 광소자 제조 방법, 광섬유를 이용하는 광소자 및 이를 이용한 광 트위저
US8347651B2 (en) 2009-02-19 2013-01-08 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
US8327666B2 (en) 2009-02-19 2012-12-11 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
US8341976B2 (en) * 2009-02-19 2013-01-01 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
US8245540B2 (en) 2009-02-24 2012-08-21 Corning Incorporated Method for scoring a sheet of brittle material
BRPI1008737B1 (pt) 2009-02-25 2019-10-29 Nichia Corp método para fabricar elemento semicondutor
CN201357287Y (zh) 2009-03-06 2009-12-09 苏州德龙激光有限公司 新型皮秒激光加工装置
CN101502914A (zh) 2009-03-06 2009-08-12 苏州德龙激光有限公司 用于喷油嘴微孔加工的皮秒激光加工装置
JP5300544B2 (ja) 2009-03-17 2013-09-25 株式会社ディスコ 光学系及びレーザ加工装置
KR101041140B1 (ko) 2009-03-25 2011-06-13 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 절단 방법
US20100252959A1 (en) 2009-03-27 2010-10-07 Electro Scientific Industries, Inc. Method for improved brittle materials processing
US8574487B2 (en) * 2009-04-07 2013-11-05 Trumpf, Inc. Workpiece processing using a beam
KR200448519Y1 (ko) 2009-04-28 2010-04-21 남동진 돌출형 ⅰｃ 패키지용 방열판
KR101561729B1 (ko) 2009-05-06 2015-10-19 코닝 인코포레이티드 유리 기판의 캐리어
EP2251310B1 (en) 2009-05-13 2012-03-28 Corning Incorporated Methods and systems for forming continuous glass sheets
US8132427B2 (en) 2009-05-15 2012-03-13 Corning Incorporated Preventing gas from occupying a spray nozzle used in a process of scoring a hot glass sheet
US8269138B2 (en) 2009-05-21 2012-09-18 Corning Incorporated Method for separating a sheet of brittle material
DE102009023602B4 (de) 2009-06-02 2012-08-16 Grenzebach Maschinenbau Gmbh Vorrichtung zum industriellen Herstellen elastisch verformbarer großflächiger Glasplatten in hoher Stückzahl
TWI395630B (zh) 2009-06-30 2013-05-11 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd 使用雷射光之玻璃基板加工裝置
US8592716B2 (en) 2009-07-22 2013-11-26 Corning Incorporated Methods and apparatus for initiating scoring
CN101637849B (zh) 2009-08-07 2011-12-07 苏州德龙激光有限公司 皮秒激光加工设备的高精度z轴载物平台
CN201471092U (zh) 2009-08-07 2010-05-19 苏州德龙激光有限公司 皮秒激光加工设备的高精度z轴载物平台
JP5500914B2 (ja) 2009-08-27 2014-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置
US8932510B2 (en) 2009-08-28 2015-01-13 Corning Incorporated Methods for laser cutting glass substrates
KR20120073249A (ko) 2009-08-28 2012-07-04 코닝 인코포레이티드 화학적으로 강화된 유리 기판으로부터 제품을 레이저 절단하기 위한 방법
KR101094284B1 (ko) 2009-09-02 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법
JP2011079690A (ja) 2009-10-06 2011-04-21 Leo:Kk 回折格子を用いた厚板ガラスのレーザ熱応力割断
US20110088324A1 (en) 2009-10-20 2011-04-21 Wessel Robert B Apparatus and method for solar heat gain reduction in a window assembly
KR101630005B1 (ko) 2009-11-03 2016-06-13 코닝 인코포레이티드 일정하지 않은 속도로 이동하는 유리 리본의 레이저 스코어링
US8338745B2 (en) 2009-12-07 2012-12-25 Panasonic Corporation Apparatus and methods for drilling holes with no taper or reverse taper
US20120234807A1 (en) 2009-12-07 2012-09-20 J.P. Sercel Associates Inc. Laser scribing with extended depth affectation into a workplace
TWI438162B (zh) 2010-01-27 2014-05-21 Wintek Corp 強化玻璃切割方法及強化玻璃切割預置結構
US8743165B2 (en) 2010-03-05 2014-06-03 Micronic Laser Systems Ab Methods and device for laser processing
US8654538B2 (en) 2010-03-30 2014-02-18 Ibiden Co., Ltd. Wiring board and method for manufacturing the same
KR20130059325A (ko) 2010-04-20 2013-06-05 아사히 가라스 가부시키가이샤 반도체 디바이스 관통 전극용 유리 기판
WO2011132929A2 (ko) 2010-04-21 2011-10-27 주식회사 엘지화학 유리시트 커팅 장치
DE202010006047U1 (de) 2010-04-22 2010-07-22 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg Strahlformungseinheit zur Fokussierung eines Laserstrahls
US8245539B2 (en) 2010-05-13 2012-08-21 Corning Incorporated Methods of producing glass sheets
WO2011145589A1 (ja) 2010-05-19 2011-11-24 三菱化学株式会社 カード用シート及びカード
GB2481190B (en) 2010-06-04 2015-01-14 Plastic Logic Ltd Laser ablation
JP5844361B2 (ja) 2010-06-29 2016-01-13 コーニング インコーポレイテッド オーバーフロー・ダウンドロー・フュージョン法を使用した共延伸により製造された多層ガラス板
DE102010025967B4 (de) 2010-07-02 2015-12-10 Schott Ag Verfahren zur Erzeugung einer Vielzahl von Löchern, Vorrichtung hierzu und Glas-Interposer
DE102010025965A1 (de) 2010-07-02 2012-01-05 Schott Ag Verfahren zur spannungsarmen Herstellung von gelochten Werkstücken
DE202010013161U1 (de) 2010-07-08 2011-03-31 Oerlikon Solar Ag, Trübbach Laserbearbeitung mit mehreren Strahlen und dafür geeigneter Laseroptikkopf
CN103003054B (zh) 2010-07-12 2014-11-19 旭硝子株式会社 压印模具用含TiO2石英玻璃基材及其制造方法
CA2805003C (en) 2010-07-12 2017-05-30 S. Abbas Hosseini Method of material processing by laser filamentation
FR2962818B1 (fr) 2010-07-13 2013-03-08 Saint Gobain Dispositif electrochimique a proprietes de transmission optique et/ou energetique electrocommandables.
KR20120015366A (ko) 2010-07-19 2012-02-21 엘지디스플레이 주식회사 강화유리 절단방법 및 절단장치
JP5580129B2 (ja) 2010-07-20 2014-08-27 株式会社アマダ 固体レーザ加工装置
JP2012024983A (ja) 2010-07-21 2012-02-09 Shibuya Kogyo Co Ltd 脆性材料の面取り方法とその装置
JP5669001B2 (ja) 2010-07-22 2015-02-12 日本電気硝子株式会社 ガラスフィルムの割断方法、ガラスロールの製造方法、及びガラスフィルムの割断装置
EP2599582B1 (en) 2010-07-26 2020-03-25 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate processing method
EP2599583B1 (en) 2010-07-26 2020-04-01 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate processing method
JP2012031018A (ja) 2010-07-30 2012-02-16 Asahi Glass Co Ltd 強化ガラス基板及び強化ガラス基板の溝加工方法と強化ガラス基板の切断方法
US8604380B2 (en) 2010-08-19 2013-12-10 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for optimally laser marking articles
US8584354B2 (en) 2010-08-26 2013-11-19 Corning Incorporated Method for making glass interposer panels
US8720228B2 (en) 2010-08-31 2014-05-13 Corning Incorporated Methods of separating strengthened glass substrates
TWI402228B (zh) 2010-09-15 2013-07-21 Wintek Corp 強化玻璃切割方法、強化玻璃薄膜製程、強化玻璃切割預置結構及強化玻璃切割件
TWI576320B (zh) 2010-10-29 2017-04-01 康寧公司 用於裁切玻璃帶之方法與設備
JP5617556B2 (ja) 2010-11-22 2014-11-05 日本電気硝子株式会社 帯状ガラスフィルム割断装置及び帯状ガラスフィルム割断方法
US8616024B2 (en) 2010-11-30 2013-12-31 Corning Incorporated Methods for forming grooves and separating strengthened glass substrate sheets
US8607590B2 (en) 2010-11-30 2013-12-17 Corning Incorporated Methods for separating glass articles from strengthened glass substrate sheets
CN106425129B (zh) 2010-11-30 2018-07-17 康宁股份有限公司 在玻璃中形成高密度孔阵列的方法
TW201226345A (en) 2010-12-27 2012-07-01 Liefco Optical Inc Method of cutting tempered glass
KR101298019B1 (ko) 2010-12-28 2013-08-26 (주)큐엠씨 레이저 가공 장치
RU2587367C2 (ru) 2011-01-05 2016-06-20 Юки Инжиниринг Систем Ко. Лтд. Устройство для лучевой обработки
WO2012096053A1 (ja) 2011-01-11 2012-07-19 旭硝子株式会社 強化ガラス板の切断方法
CN102248302A (zh) 2011-01-13 2011-11-23 苏州德龙激光有限公司 超短脉冲激光异形切割钢化玻璃的装置及其方法
US8539794B2 (en) 2011-02-01 2013-09-24 Corning Incorporated Strengthened glass substrate sheets and methods for fabricating glass panels from glass substrate sheets
JP2012159749A (ja) 2011-02-01 2012-08-23 Nichia Chem Ind Ltd ベッセルビーム発生装置
US8933367B2 (en) 2011-02-09 2015-01-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Laser processing method
WO2012108052A1 (ja) 2011-02-10 2012-08-16 信越ポリマー株式会社 単結晶基板製造方法および内部改質層形成単結晶部材
WO2012108054A1 (ja) 2011-02-10 2012-08-16 信越ポリマー株式会社 単結晶基板の製造方法および内部改質層形成単結晶部材の製造方法
DE102011000768B4 (de) 2011-02-16 2016-08-18 Ewag Ag Laserbearbeitungsverfahren und Laserbearbeitungsvorrichtung mit umschaltbarer Laseranordnung
US8584490B2 (en) 2011-02-18 2013-11-19 Corning Incorporated Laser cutting method
JP5193326B2 (ja) 2011-02-25 2013-05-08 三星ダイヤモンド工業株式会社 基板加工装置および基板加工方法
JP2012187618A (ja) 2011-03-11 2012-10-04 V Technology Co Ltd ガラス基板のレーザ加工装置
KR101253016B1 (ko) 2011-03-31 2013-04-15 아반스트레이트 가부시키가이샤 유리판의 제조 방법
WO2012138009A1 (ko) 2011-04-07 2012-10-11 (주)네톰 무선인식 태그 및 이를 구비한 전자제품 피씨비 및 전자제품 관리 시스템
US8986072B2 (en) 2011-05-26 2015-03-24 Corning Incorporated Methods of finishing an edge of a glass sheet
US20120299219A1 (en) 2011-05-27 2012-11-29 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
TWI547454B (zh) 2011-05-31 2016-09-01 康寧公司 於玻璃中高速製造微孔洞的方法
KR20140024919A (ko) 2011-06-15 2014-03-03 아사히 가라스 가부시키가이샤 유리판의 절단 방법
JP2013007842A (ja) 2011-06-23 2013-01-10 Toyo Seikan Kaisha Ltd 構造体形成装置、構造体形成方法及び構造体
CN103619528B (zh) 2011-06-28 2015-09-09 株式会社Ihi 切断脆性构件的装置、方法以及被切断的脆性构件
TWI572480B (zh) 2011-07-25 2017-03-01 康寧公司 經層壓及離子交換之強化玻璃疊層
CN103781587B (zh) 2011-07-29 2016-09-07 Ats自动化加工系统公司 用于生产硅细棒的系统和方法
KR101120471B1 (ko) 2011-08-05 2012-03-05 (주)지엘코어 다중 초점 방식의 펄스 레이저를 이용한 취성 재료 절단 장치
US8635887B2 (en) 2011-08-10 2014-01-28 Corning Incorporated Methods for separating glass substrate sheets by laser-formed grooves
JP2013043808A (ja) 2011-08-25 2013-03-04 Asahi Glass Co Ltd 強化ガラス板切断用保持具及び強化ガラス板の切断方法
JPWO2013031655A1 (ja) 2011-08-29 2015-03-23 旭硝子株式会社 強化ガラス板の切断方法、および強化ガラス板切断装置
CN103764579A (zh) 2011-08-31 2014-04-30 旭硝子株式会社 强化玻璃板的切断方法及强化玻璃板切断装置
CN102992600B (zh) 2011-09-09 2016-04-06 Hoya株式会社 离子交换玻璃制品的制造方法
WO2013039230A1 (ja) 2011-09-15 2013-03-21 日本電気硝子株式会社 ガラス板切断方法
WO2013039229A1 (ja) 2011-09-15 2013-03-21 日本電気硝子株式会社 ガラス板切断方法およびガラス板切断装置
JP6063670B2 (ja) 2011-09-16 2017-01-18 株式会社アマダホールディングス レーザ切断加工方法及び装置
US10239160B2 (en) 2011-09-21 2019-03-26 Coherent, Inc. Systems and processes that singulate materials
KR20140075686A (ko) 2011-09-21 2014-06-19 레이디안스, 아이엔씨. 물질을 싱귤레이트하는 시스템 및 프로세스
FR2980859B1 (fr) 2011-09-30 2013-10-11 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de lithographie
JP5864988B2 (ja) 2011-09-30 2016-02-17 浜松ホトニクス株式会社 強化ガラス板切断方法
DE102011084128A1 (de) 2011-10-07 2013-04-11 Schott Ag Verfahren zum Schneiden eines Dünnglases mit spezieller Ausbildung der Kante
JP2013091578A (ja) 2011-10-25 2013-05-16 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd ガラス基板のスクライブ方法
KR101269474B1 (ko) 2011-11-09 2013-05-30 주식회사 모린스 강화글라스 절단 방법
US20130129947A1 (en) 2011-11-18 2013-05-23 Daniel Ralph Harvey Glass article having high damage resistance
US8677783B2 (en) 2011-11-28 2014-03-25 Corning Incorporated Method for low energy separation of a glass ribbon
JP5963038B2 (ja) * 2011-12-05 2016-08-03 株式会社リコー 穿孔装置、用紙処理装置及び画像形成装置
KR20130065051A (ko) 2011-12-09 2013-06-19 삼성코닝정밀소재 주식회사 강화 글라스의 절단 방법 및 이를 이용한 터치스크린패널의 제조방법
US9021837B2 (en) 2011-12-12 2015-05-05 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Method of cleaving and separating a glass sheet and apparatus for cleaving and separating a glass sheet
CN103635438B (zh) 2011-12-12 2016-08-17 日本电气硝子株式会社 平板玻璃的切割分离方法
JP2013152986A (ja) 2012-01-24 2013-08-08 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
CN104136967B (zh) 2012-02-28 2018-02-16 伊雷克托科学工业股份有限公司 用于分离增强玻璃的方法及装置及由该增强玻璃生产的物品
US20130221053A1 (en) 2012-02-28 2013-08-29 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for separation of strengthened glass and articles produced thereby
US9895771B2 (en) 2012-02-28 2018-02-20 General Lasertronics Corporation Laser ablation for the environmentally beneficial removal of surface coatings
CN104114506B (zh) 2012-02-29 2017-05-24 伊雷克托科学工业股份有限公司 加工强化玻璃的方法和装置及藉此制造的物品
US9082764B2 (en) 2012-03-05 2015-07-14 Corning Incorporated Three-dimensional integrated circuit which incorporates a glass interposer and method for fabricating the same
JP2013187247A (ja) 2012-03-06 2013-09-19 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> インターポーザおよびその製造方法
TW201343296A (zh) 2012-03-16 2013-11-01 Ipg Microsystems Llc 使一工件中具有延伸深度虛飾之雷射切割系統及方法
TW201339111A (zh) 2012-03-29 2013-10-01 Global Display Co Ltd 強化玻璃的切割方法
JP2013203630A (ja) 2012-03-29 2013-10-07 Asahi Glass Co Ltd 強化ガラス板の切断方法
JP2013203631A (ja) 2012-03-29 2013-10-07 Asahi Glass Co Ltd 強化ガラス板の切断方法、及び強化ガラス板切断装置
JP6378167B2 (ja) 2012-04-05 2018-08-22 セイジ・エレクトロクロミクス，インコーポレイテッド エレクトロクロミック素子を製造するためのサーマルレーザースクライブ切断の方法及び装置、並びに対応する切断されたガラスパネル
JP2013216513A (ja) 2012-04-05 2013-10-24 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラスフィルムの切断方法及びガラスフィルム積層体
JP2015120604A (ja) 2012-04-06 2015-07-02 旭硝子株式会社 強化ガラス板の切断方法、及び強化ガラス板切断システム
FR2989294B1 (fr) 2012-04-13 2022-10-14 Centre Nat Rech Scient Dispositif et methode de nano-usinage par laser
CN102642092B (zh) 2012-04-13 2015-06-10 北京信息科技大学 基于激光光束的微孔加工装置及方法
US20130288010A1 (en) 2012-04-27 2013-10-31 Ravindra Kumar Akarapu Strengthened glass article having shaped edge and method of making
KR20130124646A (ko) 2012-05-07 2013-11-15 주식회사 엠엠테크 강화 유리 절단 방법
US9365446B2 (en) 2012-05-14 2016-06-14 Richard Green Systems and methods for altering stress profiles of glass
DE102012010635B4 (de) 2012-05-18 2022-04-07 Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. Verfahren zur 3D-Strukturierung und Formgebung von Oberflächen aus harten, spröden und optischen Materialien
CN102672355B (zh) 2012-05-18 2015-05-13 杭州士兰明芯科技有限公司 Led衬底的划片方法
TWI468354B (zh) 2012-05-23 2015-01-11 Taiwan Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd 用於一玻璃基板之切割方法及切割設備
JP6009225B2 (ja) 2012-05-29 2016-10-19 浜松ホトニクス株式会社 強化ガラス板の切断方法
US9938180B2 (en) 2012-06-05 2018-04-10 Corning Incorporated Methods of cutting glass using a laser
JP6022223B2 (ja) 2012-06-14 2016-11-09 株式会社ディスコ レーザー加工装置
KR20150037816A (ko) 2012-07-09 2015-04-08 아사히 가라스 가부시키가이샤 강화 유리판의 절단 방법
AT13206U1 (de) 2012-07-17 2013-08-15 Lisec Maschb Gmbh Verfahren und Anordnung zum Teilen von Flachglas
TW201417928A (zh) 2012-07-30 2014-05-16 Raydiance Inc 具訂製邊形及粗糙度之脆性材料切割
KR101395054B1 (ko) 2012-08-08 2014-05-14 삼성코닝정밀소재 주식회사 강화유리 커팅 방법 및 강화유리 커팅용 스테이지
KR20140022981A (ko) 2012-08-14 2014-02-26 (주)하드램 기판 에지 보호유닛을 포함한 강화유리 레이저 절단 장치 및 방법
KR20140022980A (ko) 2012-08-14 2014-02-26 (주)하드램 강화유리 레이저 절단 장치 및 방법
US9446590B2 (en) 2012-08-16 2016-09-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Diagonal openings in photodefinable glass
US20140047957A1 (en) 2012-08-17 2014-02-20 Jih Chun Wu Robust Torque-Indicating Wrench
JP5727433B2 (ja) 2012-09-04 2015-06-03 イムラ アメリカ インコーポレイテッド 超短パルスレーザでの透明材料処理
KR20140036593A (ko) 2012-09-17 2014-03-26 삼성디스플레이 주식회사 레이저 가공 장치
CN102923939B (zh) 2012-09-17 2015-03-25 江西沃格光电股份有限公司 强化玻璃的切割方法
US20140084040A1 (en) 2012-09-24 2014-03-27 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for separating workpieces
CN102898014A (zh) 2012-09-29 2013-01-30 江苏太平洋石英股份有限公司 无接触激光切割石英玻璃制品的方法及其装置
CN102916081B (zh) 2012-10-19 2015-07-08 张立国 一种薄膜太阳能电池的清边方法
LT6046B (lt) 2012-10-22 2014-06-25 Uab "Lidaris" Justiruojamų optinių laikiklių pakeitimo įrenginys ir sistema, turinti tokių įrenginių
US20140110040A1 (en) 2012-10-23 2014-04-24 Ronald Steven Cok Imprinted micro-louver structure method
DE102012110971A1 (de) 2012-11-14 2014-05-15 Schott Ag Trennen von transparenten Werkstücken
US9991090B2 (en) 2012-11-15 2018-06-05 Fei Company Dual laser beam system used with an electron microscope and FIB
KR20140064220A (ko) 2012-11-20 2014-05-28 에스케이씨 주식회사 보안필름의 제조방법
WO2014079478A1 (en) 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials
EP2925690B1 (en) 2012-11-29 2021-08-11 Corning Incorporated Methods of fabricating glass articles by laser damage and etching
KR20150120939A (ko) 2012-11-29 2015-10-28 코닝 인코포레이티드 레이저 드릴링 기판용 희생 커버 층 및 그에 대한 방법
CN203021443U (zh) 2012-12-24 2013-06-26 深圳大宇精雕科技有限公司 玻璃板水射流切割机
CN103013374B (zh) 2012-12-28 2014-03-26 吉林大学 仿生防粘疏水疏油贴膜
SG10201705086TA (en) 2012-12-29 2017-07-28 Hoya Corp Glass substrate for magnetic disk and magnetic disk
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
WO2014121261A1 (en) 2013-02-04 2014-08-07 Newport Corporation Method and apparatus for laser cutting transparent and semitransparent substrates
EP2954309B1 (en) 2013-02-05 2019-08-28 Massachusetts Institute of Technology 3-d holographic imaging flow cytometry
US9498920B2 (en) 2013-02-12 2016-11-22 Carbon3D, Inc. Method and apparatus for three-dimensional fabrication
DE102013003118B4 (de) * 2013-02-25 2015-03-26 Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh Verfahren zum Entsorgen von einem bei einem Lochungsvorgang eines Hohlprofils enstehenden Butzens
WO2014137378A1 (en) 2013-03-08 2014-09-12 Sage Electrochromics, Inc. Electrochromic device with multiple independently controllable zones and internal busbars
CN103143841B (zh) 2013-03-08 2014-11-26 西北工业大学 一种利用皮秒激光加工孔的方法
KR102209964B1 (ko) 2013-03-13 2021-02-02 삼성디스플레이 주식회사 피코초 레이저 가공 장치
EP2969375B1 (en) 2013-03-15 2018-09-12 Kinestral Technologies, Inc. Laser cutting strengthened glass
EP2781296B1 (de) * 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
EP2964416B1 (de) 2013-04-04 2023-07-19 LPKF Laser & Electronics SE Verfahren zum trennen eines substrates
CN103316990B (zh) 2013-05-28 2015-06-10 江苏大学 脉冲激光驱动飞片加载薄板的微冲裁自动化装置及其方法
CN103273195B (zh) 2013-05-28 2015-03-04 江苏大学 激光间接冲击下金属薄板的微冲裁自动化装置及其方法
US9776891B2 (en) 2013-06-26 2017-10-03 Corning Incorporated Filter and methods for heavy metal remediation of water
KR101344368B1 (ko) 2013-07-08 2013-12-24 정우라이팅 주식회사 수직형 유리관 레이저 절단장치
CN103359948A (zh) 2013-07-12 2013-10-23 深圳南玻伟光导电膜有限公司 钢化玻璃的切割方法
US20150034613A1 (en) 2013-08-02 2015-02-05 Rofin-Sinar Technologies Inc. System for performing laser filamentation within transparent materials
EP3041804B1 (de) 2013-09-04 2017-05-10 Saint-Gobain Glass France Verfahren zur herstellung einer scheibe mit einer elektrisch leitfähigen beschichtung mit elektrisch isolierten fehlstellen
CN203509350U (zh) 2013-09-27 2014-04-02 东莞市盛雄激光设备有限公司 皮秒激光加工装置
CN103531414B (zh) 2013-10-14 2016-03-02 南京三乐电子信息产业集团有限公司 一种栅控行波管栅网的皮秒脉冲激光切割制备方法
US10017410B2 (en) 2013-10-25 2018-07-10 Rofin-Sinar Technologies Llc Method of fabricating a glass magnetic hard drive disk platter using filamentation by burst ultrafast laser pulses
US10005152B2 (en) 2013-11-19 2018-06-26 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for spiral cutting a glass tube using filamentation by burst ultrafast laser pulses
US9517929B2 (en) 2013-11-19 2016-12-13 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method of fabricating electromechanical microchips with a burst ultrafast laser pulses
US11053156B2 (en) 2013-11-19 2021-07-06 Rofin-Sinar Technologies Llc Method of closed form release for brittle materials using burst ultrafast laser pulses
DE102013223637B4 (de) 2013-11-20 2018-02-01 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Verfahren zum Behandeln eines lasertransparenten Substrats zum anschließenden Trennen des Substrats
WO2015077113A1 (en) 2013-11-25 2015-05-28 Corning Incorporated Methods for determining a shape of a substantially cylindrical specular reflective surface
US10144088B2 (en) 2013-12-03 2018-12-04 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for laser processing of silicon by filamentation of burst ultrafast laser pulses
CN103746027B (zh) 2013-12-11 2015-12-09 西安交通大学 一种在ito导电薄膜表面刻蚀极细电隔离槽的方法
US9850160B2 (en) 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
US10442719B2 (en) 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
US20150165563A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Stacked transparent material cutting with ultrafast laser beam optics, disruptive layers and other layers
US9701563B2 (en) 2013-12-17 2017-07-11 Corning Incorporated Laser cut composite glass article and method of cutting
US9815730B2 (en) * 2013-12-17 2017-11-14 Corning Incorporated Processing 3D shaped transparent brittle substrate
US9676167B2 (en) 2013-12-17 2017-06-13 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
US20150166393A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser cutting of ion-exchangeable glass substrates
US9687936B2 (en) 2013-12-17 2017-06-27 Corning Incorporated Transparent material cutting with ultrafast laser and beam optics
US10293436B2 (en) 2013-12-17 2019-05-21 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
JP6390961B2 (ja) * 2014-01-28 2018-09-19 株式会社リコー 書込ヘッドユニットの組立装置および書込ヘッドユニットの組立方法
WO2015127583A1 (en) 2014-02-25 2015-09-03 Schott Ag Chemically toughened glass article with low coefficient of thermal expansion
US11780029B2 (en) 2014-03-05 2023-10-10 Panasonic Connect North America, division of Panasonic Corporation of North America Material processing utilizing a laser having a variable beam shape
US11204506B2 (en) 2014-03-05 2021-12-21 TeraDiode, Inc. Polarization-adjusted and shape-adjusted beam operation for materials processing
JP6318756B2 (ja) 2014-03-24 2018-05-09 東レ株式会社 ポリエステルフィルム
US20150352671A1 (en) * 2014-06-09 2015-12-10 GM Global Technology Operations LLC Laser cutting same side slug removal
KR102445217B1 (ko) 2014-07-08 2022-09-20 코닝 인코포레이티드 재료를 레이저 가공하는 방법 및 장치
EP2965853B2 (en) 2014-07-09 2020-03-25 High Q Laser GmbH Processing of material using elongated laser beams
WO2016007843A1 (en) 2014-07-11 2016-01-14 Corning Incorporated Systems and methods of glass cutting by inducing pulsed laser perforations into glass articles
CN105481236A (zh) 2014-07-14 2016-04-13 康宁股份有限公司 用于切割叠层结构的系统和方法
US9617180B2 (en) 2014-07-14 2017-04-11 Corning Incorporated Methods and apparatuses for fabricating glass articles
EP3552753A3 (en) 2014-07-14 2019-12-11 Corning Incorporated System for and method of processing transparent materials using laser beam focal lines adjustable in length and diameter
CN104344202A (zh) 2014-09-26 2015-02-11 张玉芬 一种有孔玻璃
CN107922237B (zh) 2015-03-24 2022-04-01 康宁股份有限公司 显示器玻璃组合物的激光切割和加工
DE102015111490A1 (de) 2015-07-15 2017-01-19 Schott Ag Verfahren und Vorrichtung zum lasergestützten Abtrennen eines Teilstücks von einem flächigen Glaselement
US11136584B2 (en) 2015-11-04 2021-10-05 Duke University Splice-switching oligonucleotides and methods of use
DE102015120950B4 (de) 2015-12-02 2022-03-03 Schott Ag Verfahren zum lasergestützten Ablösen eines Teilstücks von einem flächigen Glas- oder Glaskeramikelement, flächiges zumindest teilweise keramisiertes Glaselement oder Glaskeramikelement und Kochfläche umfassend ein flächiges Glas- oder Glaskeramikelement
CN109803786B (zh) 2016-09-30 2021-05-07 康宁股份有限公司 使用非轴对称束斑对透明工件进行激光加工的设备和方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101965242A (zh) * 2008-03-07 2011-02-02 Imra美国公司 利用超短脉冲激光的透明材料加工
TW201107253A (en) * 2009-04-30 2011-03-01 Corning Inc Glass sheet having enhanced edge strength
CN103086591A (zh) * 2011-11-08 2013-05-08 雅士晶业股份有限公司 具有曲率变化图案的玻璃面及其制造方法
TW201433550A (zh) * 2013-02-26 2014-09-01 Nippon Electric Glass Co 玻璃膜的切斷方法、玻璃膜切斷裝置及玻璃膜
JP2015076115A (ja) * 2013-10-11 2015-04-20 旭硝子株式会社 磁気記録媒体用円盤状ガラス基板、及び磁気記録媒体用円盤状ガラス基板の製造方法
US20150165560A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes

Also Published As

Publication number Publication date
EP3452418B1 (en) 2022-03-02
TW201741059A (zh) 2017-12-01
TW202214535A (zh) 2022-04-16
KR20220078719A (ko) 2022-06-10
TWI742076B (zh) 2021-10-11
EP3452418A1 (en) 2019-03-13
KR102405144B1 (ko) 2022-06-07
EP3957611A1 (en) 2022-02-23
JP2019520291A (ja) 2019-07-18
US20190144325A1 (en) 2019-05-16
SG11201809797PA (en) 2018-12-28
US20210347673A1 (en) 2021-11-11
MY194570A (en) 2022-12-02
CN109311725B (zh) 2022-04-26
US11111170B2 (en) 2021-09-07
JP2022000410A (ja) 2022-01-04
WO2017192835A1 (en) 2017-11-09
KR20190004345A (ko) 2019-01-11
CN109311725A (zh) 2019-02-05
JP6938543B2 (ja) 2021-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI794959B (zh) 從透明基板雷射切割及移除輪廓形狀
JP7191908B2 (ja) 面状のガラス部材から部分片をレーザアシストにより切り離すための方法および装置
TWI747817B (zh) 玻璃製品與包含其之記憶體碟及雷射處理玻璃工件的方法
EP3363771B1 (en) Method of machining and releasing closed forms from a transparent substrate using burst of ultrafast laser pulses
TWI592244B (zh) 於透明材料內部施行雷射絲化之方法與裝置
TWI650231B (zh) 雷射切割複合玻璃製品及切割方法
KR102292611B1 (ko) 사파이어 기판을 레이저로써 레이저 절단하는 방법 및 일련의 결함을 갖는 엣지가 형성된 사파이어를 포함한 물품
KR102288419B1 (ko) 3d 형상의 투명한 취성 기판 처리
KR102270486B1 (ko) 슬롯 및 구멍의 레이저 가공
KR20160101068A (ko) 디스플레이 유리 조성물의 레이저 절단
WO2015095089A2 (en) Edge chamfering methods
EP4003633A1 (en) Method of laser beam machining of a transparent brittle material and device embodying such method