TWI767195B - 線圈裝置及製造方法 - Google Patents
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Abstract
提供一種新的線圈裝置。
一種線圈裝置，其係包括：支撐體；在該支撐體上所設置之絕緣性的接著層；以及導電性線圈，係一部分進入該接著層。
Description
本發明係有關於一種線圈裝置。
線圈裝置係在各種電、電子製品所使用。
專利第6102578號係提議一種線圈裝置(參照圖10)。在圖10中，13S係大致渦形圖案，13e係大致渦形圖案13S的外周端，19係配線圖案。
該線圈裝置係如以下所示製造(參照圖11)。在基板10之表面進行基底金屬膜11的成膜(參照圖11(a))。在基底金屬膜11上塗布光阻劑膜12。光阻劑膜12係藉光蝕刻及乾蝕刻被形成為既定圖案(參照圖11(b))。在光阻劑膜12之開口部位置的基底金屬膜11上，藉電鍍，設置鍍層膜(參照圖11(c))。除去光阻劑膜12(參照圖11(d))。除去光阻劑膜12所在之位置的基底金屬膜11(參照圖11(e))。進而，進行電鍍，得到寬高比大之大致渦形(參照圖10、圖11(f))的線圈(鍍層膜13)。
根據圖12之方法，亦可得到圖10之線圈裝置。在基板10之表面形成鍍層膜13(參照圖12(a))。WL1
是線寬，WS1
是間隔寬。接著，在鍍層液21中施加低電流。藉此，鍍層膜13各向同性地成長。鍍層膜13係在縱向及橫向亦成長，並成為上部彎曲的截面形狀。在此鍍層步驟，係進行至成為間隔寬WS2
(WS1
>WS2
>0)、線寬WL2
(WL2
> WL1
)(參照圖12(b)、(c))。在此階段之鍍層膜係以符號14表示。鍍層膜14的厚度T2
是該間隔寬WS2
的2倍以上。然後，在鍍層液21中，施加比該鍍層時更高的電位。藉此，在與鍍層液21接觸之鍍層膜14的表面產生固定厚度以上的金屬離子稀薄層(厚度W0
)17(參照圖12(d))。攪拌鍍層液21(參照圖12(e))。金屬離子稀薄層(實質上是絕緣層)17係覆蓋鍍層膜14的整個面。藉攪拌局部地除去金屬離子稀薄層17。因為對此除去部分供給金屬離子，所以鍍層在一方向成長。鍍層膜14係成長成高度高之鍍層膜(高度T3
)15(參照圖12(f))。
[先行專利文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]專利第6102578號
[發明所欲解決之課題]
可是，該線圈裝置係例如線圈的高度根據位置而異。例如，線圈之最外周位置之線的高度比線圈之內周側位置之線的高度高。因此，線圈特性差。
本發明所欲解決之課題係提供一種新的線圈裝置。
[解決課題之手段]
本發明係提議一種線圈裝置，其係包括：
支撐體；
在該支撐體上所設置之絕緣性的接著層；以及
導電性線圈，係一部分進入該接著層。
本發明係提議一種線圈裝置，係該線圈裝置，更具有在該導電性線圈的線與線之間所設置的絕緣材。
本發明係提議一種線圈裝置，係該線圈裝置，該導電性線圈之線係該接著層側之端部的寬度比與該接著層係相反側之端部的寬度窄。
本發明係提議一種線圈裝置，係該線圈裝置，該導電性線圈之線係該接著層側之端部是截面大致彎曲形狀。
本發明係提議一種線圈裝置，係該線圈裝置，該接著層係厚度是7~50μm。
本發明係提議一種線圈裝置，係該線圈裝置，作為該接著層之材料，使用從熱硬化型樹脂及光硬化型樹脂的群之中所選擇之一種或兩種以上。
本發明係提議一種線圈裝置，係該線圈裝置，作為該絕緣材之材料，使用從熱硬化型樹脂及光硬化型樹脂的群之中所選擇之一種或兩種以上。
本發明係提議一種線圈裝置，係該線圈裝置，該線圈是大致渦形或大致螺旋形。
本發明係提議一種線圈裝置，係該線圈裝置，該線圈的線係厚度是30~600μm，線與線之間的最靠近距離是5~20μm。
本發明係提議一種線圈裝置，係該線圈裝置，該支撐體、該接著層以及該導電性線圈被積層一層或雙層以上而成。
本發明係提議一種線圈裝置之製造方法，其係將在第1支撐體上所設置之導電性線圈轉印至具有絕緣性接著層之第2支撐體的該絕緣性接著層。
本發明係提議一種線圈裝置之製造方法，其係包括：
A步驟，係在第1支撐體上設置導電性線圈；
B步驟，係在第2支撐體上設置絕緣性接著層；以及
C步驟，係將該線圈轉印至該絕緣性接著層上。
本發明係提議一種線圈裝置之製造方法，係該線圈裝置之製造方法，在該轉印後或伴隨該轉印，剝離該第1支撐體。
本發明係提議一種線圈裝置之製造方法，係該線圈裝置之製造方法，在該線圈的線與線之間填充絕緣材。
本發明係提議一種線圈裝置之製造方法，係該線圈裝置之製造方法，其係更包括：溝形成步驟，係在該第1支撐體之表面形成凹溝；及鍍層步驟，係對該凹溝進行金屬鍍層；在該金屬鍍層上設置該線圈。
本發明係提議一種線圈裝置之製造方法，係該線圈裝置之製造方法，該第1支撐體係至少表層是金屬，在該金屬之表面設置光阻劑膜，在該光阻劑膜形成與該金屬之表面連接的凹溝，對該凹溝進行金屬鍍層，並在該金屬鍍層上設置該線圈。
本發明係提議一種線圈裝置之製造方法，係該線圈裝置之製造方法，該線圈係藉各向異性之鍍層所形成。
本發明係提議一種線圈裝置之製造方法，係該線圈裝置之製造方法，在該轉印，係該線圈之線的頭端部進入該接著層中。
本發明係提議一種線圈裝置之製造方法，係該線圈裝置之製造方法，該凹溝的寬度係比該線圈之線的寬度窄。
本發明係提議一種線圈裝置之製造方法，係該線圈裝置之製造方法，在該凹溝所設置之金屬鍍層的金屬種類與該線圈的金屬種類相異。
[發明之效果]
可得到新的線圈裝置。
以下，說明本發明之實施形態。
第1發明係線圈裝置。該裝置係具有支撐體。該支撐體係一般由絕緣性之材料所構成。當然，亦可在一部分使用導電性材料。不是排除導電性材料。即，只要是與後述之導電性線圈可取得電性絕緣者即可。在該支撐體上，係設置後述之絕緣性的接著層。因此，因為在導電性線圈與支撐體之間係接著層(絕緣性)存在，所以支撐體係必須是絕緣性材料的要件係被緩和。當然，因為該接著層的厚度係薄亦可，所以該支撐體是絕緣性的材料較佳。因為使用導電性材料之特殊的理由係缺乏，所以該支撐體係一般是絕緣性。該裝置係具有接著層。該接著層是絕緣性的材料。不具有導電性。以導電性材料構成接著層時，線圈的線與線之間被接著層短路。因此，接著層是絕緣性。該接著層係被設置於該支撐體的表面。該接著層係藉由塗布接著劑所構成。或，藉接著性薄膜的黏貼可構成。該接著劑係根據包含黏著劑之概念所使用。因此，在該接著層係亦包含黏著層。該裝置係具有導電性線圈(以下亦只稱為線圈)。是該線圈之線的一部分進入該接著層的形態。該線圈與該支撐體係藉該接著層而成為一體。該一體係意指以該接著層支撐(黏)該線圈。
該裝置係具有絕緣材較佳。該絕緣材係存在於線圈的線與線之間的空間(間隙)。空氣是絕緣性。因此，在線圈的線與線之間特殊之絕緣材不存在，亦在線圈係不會發生短路。可是，在線圈的線與線之間絕緣材(例如絕緣性之樹脂)存在時，由落在該線與該線之間的金屬所造成的短路係可避免。因為橫向之力作用於線圈，所以該線與該線接觸所造成的短路亦可避免。進而，係該絕緣材存在於該線與該線之間的空間(間隙)時，線圈(線)之變形等亦難發生。在絕緣材為例如絕緣性之熱硬化型樹脂(或光硬化型樹脂)的情況，所填充之樹脂與線圈(線)的側壁面密接。線圈(線)難屈曲。線圈(線)的側壁面難氧化。藉由使該樹脂之溶液流入該間隙，該填充係簡單地進行。
該線圈(線)係該接著層側之端部的寬度比與接著層係相反側之端部的寬度窄。該接著層側之端部例如是截面大致彎曲形狀。例如是大致半球形、大致圓頂形等。亦可是半橄欖球的形狀。當然，不限定為這些曲面。不限定為曲面，亦可是角錐形、截角錐形。以鍍層法製作該線圈時，該線圈(線)係一般成為截面大致彎曲形狀(參照圖5)。若是這種形狀，將該線圈(線)壓入該接著層時，頭端側易進入該接著層(參照圖6)。因此，藉該接著層易支撐該線圈。進而，係該線圈(線)之頭端側側面與該接著層的接觸面積變大。因此，確實地支撐該線圈。該絕緣材(流動狀態之絕緣材)在該線圈的線與線之間，從上(與該支撐體相反側)流入。在此時，該絕緣材高效率地流入至該線圈的線與線之間之間隙的下部。尤其，在該大致彎曲形狀部分的一部分未進入該接著層的情況(如圖6、圖7等所示，該接著層之上面對應於該大致彎曲形狀部分的情況)，係沿著該線圈之線的側面滴落下來。伴隨該絕緣材被填充於該線圈的線與線之間，在該線與線之間所存在的空氣易消失。相對地，若在該接著層側(在圖6、圖7係下側)的端部之線圈的線與線之間的間隙小，則該絕緣材難漂亮地被填充至下側。因此，易成為空洞存在的形態。
該接著層係厚度是7μm以上佳。是7.5μm以上較佳。是12.5μm以上再稍佳。是25μm以上更佳。是50μm以下佳。是38μm以下較佳。是25μm以下更佳。該接著層之厚度太薄時，難支撐該線圈。即，設置接著層之意義變弱。反之，太厚時，因設置線圈時之推壓力的不均，在線圈上端的高度易出現不均(凹凸)。該接著層的厚度(高度)係比該線圈的厚度(高度)薄較佳。例如，該接著層的厚度係該線圈之厚度的1/3以下較佳。是1/4以下更佳。是1/5以下再稍佳。該接著層的厚度比該線圈的厚度厚時，難將該線圈壓入該接著層。根據位置，線圈的高度易出現不均。
在該接著層係使用從熱硬化型樹脂及光硬化型樹脂的群之中所選擇之一種或兩種以上的材料。作為熱硬化型樹脂，係例如列舉丙烯酸系樹脂熱硬化型接著劑、橡膠系樹脂熱硬化型接著劑、乙烯基烷基醚系樹脂熱硬化型接著劑、矽系樹脂熱硬化型接著劑、聚酯系樹脂熱硬化型接著劑、聚醯胺系樹脂熱硬化型接著劑、胺甲酸乙酯系樹脂熱硬化型接著劑、氟系樹脂熱硬化型接著劑、環氧基系樹脂熱硬化型接著劑等。在該接著劑，係除了上述之樹脂以外，亦含有硬化劑等之適當的成分。作為光硬化型樹脂，係例如列舉環氧基系樹脂光硬化型接著劑、含氟環氧基系樹脂光硬化型接著劑、矽系樹脂光硬化型接著劑、丙烯酸系樹脂光硬化型接著劑、含氟丙烯酸系樹脂光硬化型接著劑、胺甲酸乙酯丙烯酸酯系樹脂光硬化型接著劑、環氧基丙烯酸酯系樹脂光硬化型接著劑等。當然，不限定為此。接著層一度變硬後，不復原之型式較佳。這係由於根據該線圈裝置之使用環境，是高溫下、或光(紫外線)照射。線圈裝置處在特定之使用條件(例如高溫)下時，若硬化後之接著層變軟，則線圈就晃動。
該絕緣材係從熱硬化型樹脂及光硬化型樹脂的群之中所選擇之一種或兩種以上。使用在該接著劑所列舉的樹脂。當然，不限定為此。
該線圈係大致渦形或大致螺旋形。該渦形(螺旋形)係不限定為大致圓形。是矩形亦無妨。
該線圈之線係厚度(高度)是30μm以上。是100μm以上較佳。是200μm以上更佳。厚度(高度)是600μm以下佳。是500μm以下較佳。是250μm以下更佳。該線的寬度是100μm以上。是130μm以上較佳。是150μm以上更佳。寬度是1000μm以下佳。是800μm以下較佳。是600μm以下更佳。線圈的線與線之間的最靠近距離(在圖7、圖8，係在線圈的上端側之線圈的線與線之間的距離)是5μm以上。是7μm以上較佳。是8μm以上更佳。是20μm以下佳。是15μm以下較佳。是12μm以下更佳。其理由係如以下所示。該厚度薄時，線圈性能(Q值)低。該厚度厚時，線的寬度難穩定。該寬度窄時，各向異性之鍍層難發現。該寬度寬時，線圈性能(捲繞圈數)低。該最靠近距離短時，易發生短路。該最靠近距離長時，線圈性能(捲繞圈數)低。
亦可該支撐體、該接著層以及該導電性線圈是一層構成。亦可是兩層以上的積層構成。
第2發明係線圈裝置之製造方法。該方法係將在第1支撐體上所設置之導電性線圈轉印至具有絕緣性接著層之第2支撐體的該絕緣性接著層的方法。或者，該方法係包括A步驟、B步驟以及C步驟。該A步驟係在第1支撐體上設置導電性線圈的步驟。該B步驟係在第2支撐體上設置絕緣性接著層的步驟。該C步驟係將該線圈轉印至該絕緣性接著層的步驟。該A步驟與該B步驟係任一步驟在前都可。亦可同時進行。當然該C步驟是在該A步驟及該B步驟之後。
在該轉印後或伴隨該轉印，剝離該第1支撐體較佳。
在該線圈的線與線之間，填充該絕緣材較佳。該填充係在該剝離之後進行較佳。
該A步驟(或該線圈之形成)係例如如以下所示進行。在該第1支撐體之表面形成凹溝。進行金屬鍍層。藉此，將金屬填充於該凹溝。以該金屬為材料，藉鍍層(尤其，各向異性之鍍層)設置該線圈。
該A步驟(或該線圈之形成)係例如如以下所示進行。該第1支撐體係至少表層是金屬。亦可僅由金屬材料所構成。在該金屬之表面設置光阻劑膜。將該光阻劑膜形成為既定圖案。即，在該光阻劑膜形成與該金屬之表面連接的凹溝。此形成係例如藉光蝕刻技術與蝕刻技術可簡單地進行。進行金屬鍍層。藉此，將金屬填充於該凹溝。以該金屬為材料，藉鍍層(尤其，各向異性之鍍層)設置該線圈。
在該轉印，該線圈(線)的頭端部進入該接著層中較佳。
該凹溝的寬度係比該線圈(線)之寬度窄的尺寸較佳。
在該凹溝所設置之金屬鍍層的金屬種類與該線圈的金屬種類相異較佳。其理由係由於在同一種金屬的情況難剝離。
該方法係例如是該第1發明(線圈裝置)的製造方法。
以下，列舉具體的實施例。但，本發明係未被限定為僅以下的實施例。只要本發明之特點不大為受損，各種變形例或應用例亦包含於本發明。
圖1~圖8係本發明之一實施形態之線圈裝置的製程圖。
準備支撐體(第1支撐體)51(參照圖1)。該支撐體51是導電性板。亦可是導電性片。亦可是導電性箔。亦可是導電性薄膜。該板、該片、該箔以及該薄膜係只不過厚度相異。作為導電性材料，係一般列舉金屬材料。當然，不限定為此。例如，亦可是導電性樹脂。亦可該支撐體51係在絕緣材料之表面設置導電性膜(例如金屬箔)者。總之，只要表層是導電性即可。本實施例係作為支撐體51，是在絕緣體51b的一面設置導電層(例如金屬層(金屬鍍層膜))51a的例子。
將光阻劑液(例如鹼性顯影型之光阻劑液)塗布於該支撐體51(金屬層51a)上。在塗布後進行乾燥。藉此，設置光阻劑膜52。然後，進行曝光、顯影、硬化處理。藉此，光阻劑膜52係被形成為既定圖案。導電層(金屬層)51a在光阻劑膜52的開口部53係露出(參照圖2)。該開口部53的寬度係比後述之線圈56的線寬更窄。即，預測比欲得到之線圈(線)之寬度的值更小的值。根據此預測值，設定該開口部53的寬度。
該導電層51a係在後述之電鍍步驟，具有陰極的任務(參照圖4)。從這觀點，支撐體51係在其表面必需使用導電層(例如金屬層)51a。在該陰極(導電層51a)中流動的電流係根據從供電部54至陰極的電阻值而定。在該陰極面整個面具有導電層51a。因此，可使在該開口部53之電阻的差變小。結果，電鍍之鍍層膜的厚度之不均變小。藉由在作為目的之線圈的外側設置假線圈，作為目的之線圈之膜厚的不均變小。
接著，在該開口部53中填充導電性材料(尤其，金屬)。55是填充材。在該填充係可採用周知的方法。例如，可採用濕式鍍層。亦可採用 乾式鍍層。在本例係採用濕式鍍層。例如，使用電鍍。該填充材料(導電性材料(尤其，金屬))係與構成線圈56之材料相異的材料較佳。線圈材料係一般是Cu。因此，該填充材料係例如是Ni。在該開口部53中所填充之填充材55的厚度係比光阻劑膜52的厚度相同(實質上相同)較佳。在填充材55的厚度比光阻劑膜52之厚度薄的情況，構成後述之線圈56時，成為線圈(線)進入該開口部53中的形態。難剝離線圈。在已轉印線圈的情況，在線圈的端面就出現凹凸。線圈性能(佔空因數)降低。在填充材55的厚度比光阻劑膜52之厚度厚的情況，構成後述之線圈56時，成為該填充材55進入線圈56中的形態。填充材55與線圈(線)之接觸面積變大。結果，線圈56難剝離。在轉印線圈56的情況，在線圈(線)的端面就出現凹凸。線圈性能(佔空因數)降低。
在該開口部53中填充填充材55後，設置線圈56。在線圈56的形成係使用電鍍。例如，進行脫脂、水洗、硫酸洗。將圖3所示之材料浸泡於鍍層槽57中(參照圖4)。將供電部54與陰極(導電層51a)接線，並進行通電。藉此，進行電鍍。鍍層液係例如是硫酸銅、氯化物、抑制劑、促進劑。電流密度係例如是0.5A/cm2
。當然，不限定為此。在該條件下進行各向異性之鍍層(上下(高度)方向之鍍層成長速度比橫向之鍍層成長速度更快)。因為各向異性之鍍層係周知，其細節係省略。形成渦形之線圈56(參照圖5。該渦形係參照圖10(平面圖))。線圈56之線的上端側(圖5中，上端側)是大致圓頂形。不是平坦面(平面)(參照圖5)。形成線為既定厚度的線圈56，而鍍層作業係結束。該線圈56的厚度(高度)係在最內周側的位置，例如是220μm。該線圈56的線與線之間的距離係例如是10μm。在該鍍層步驟，在線圈56的渦形圖案中之最外周位置的線，係鍍層膜厚厚(參照圖5)。此鍍層膜的厚度厚之位置56a係被稱為假圖案。假圖案56a之存在係線圈性能降低之大的原因之一。從鍍層液中向上拉支撐體51。進行洗淨、乾燥。因應於需要，為了抑制Cu之變色，塗布防鏽劑。
接著，進行線圈56之轉印(參照圖6)。藉該鍍層所形成的線圈56被轉印至支撐體(第2支撐體)58上。該支撐體(第2支撐體)58係例如是絕緣性的板。亦可是絕緣性片。亦可是絕緣性薄膜。只要是絕緣材料都可。例如，舉例表示無機材料(例如，玻璃或陶瓷等)、有機材料(例如，聚醯亞胺等之塑膠)。59是接著層。接著層59的材料(接著劑)係環氧樹脂。接著層59的厚度是25μm。藉由在該支撐體58之表面塗布該接著劑，構成該接著層59。該轉印係如以下所示進行。首先，該線圈56之線的頭端側(彎曲側)被壓入該接著層59中。在此時，支撐體58的形狀與該線圈56的形狀(比該假圖案56a內側的形狀)一致較佳。該支撐體58的形狀係無法轉印該假圖案56a的形狀較佳。因為，這是為了在該轉印時，不會轉印假圖案56a(參照圖6、圖7)。該假圖案56a亦同時被轉印時，在線圈的高度出現凹凸，而線圈性能降低。是支撐體58的形狀包含假圖案56a之大小的情況，亦若在對應於假圖案56a的位置無接著層59，假圖案56a係不會被轉印。可是，支撐體58的形狀滿足上述之條件比較簡單。
在該線圈56的轉印後，剝離該支撐體(第1支撐體)51。
亦可該剝離係伴隨該轉印來進行。伴隨該轉印係意指同時(幾乎同時)進行該轉印與該剝離。
在該剝離後，在該線圈56的線56b與線56b之間(間隙)60填充絕緣材。該絕緣材是絕緣性樹脂較佳。該樹脂係從熱硬化型樹脂及光硬化型樹脂的群之中所選擇之一種或兩種以上。在本實施例，係使用可形成可撓性之硬化膜的材料(聚胺甲酸乙酯樹脂是主成分的MELQUID V985-E(菱電化成股份有限公司))。該含樹脂溶液流入該線圈56的線56b與線56b之間的間隙60。在該間隙為約10μm的情況，使用黏度約100mPa．s以下(10~20mPa．s較佳)之含樹脂溶液佳。因為該樹脂溶液流入，所以以覆膜61a覆蓋線圈(線)的上面(平坦面)56c。61b是在該間隙60所填充之填充物。在該流入後進行加熱處理。藉此，該絕緣材變硬。
若依據該製造方法，可簡單地得到不具有假圖案56a之線圈裝置。線圈裝置具有假圖案56a時，成為在高度具有不均的線圈裝置。結果，成為特性差的線圈裝置。該線圈裝置係解決該問題點。
圖9係將圖8之線圈進行雙層積層的例子。因為只不過是將圖8之線圈進行雙層積層，所以詳細的說明係省略。
51:支撐體(第1支撐體)
51a:導電層(金屬層)
51b:絕緣體
52:光阻劑膜
53:開口部
54:供電部
55:填充材
56:線圈
56a:假圖案
56b:線圈之線
56c:線圈之線的上面(平坦面)
57:鍍層槽
58:支撐體(第2支撐體)
59:接著層
60:間隙
61a:覆膜
61b:填充物
[圖1]係本發明之線圈裝置之製程的圖。
[圖2]係本發明之線圈裝置之製程的圖。
[圖3]係本發明之線圈裝置之製程的圖。
[圖4]係本發明之線圈裝置之製程的圖。
[圖5]係本發明之線圈裝置之製程的圖。
[圖6]係本發明之線圈裝置之製程的圖。
[圖7]係本發明之線圈裝置之製程的圖。
[圖8]係本發明之線圈裝置之製程的圖。
[圖9]係本發明之雙層積層型線圈裝置的剖面圖。
[圖10]係以往之線圈裝置的平面圖。
[圖11]係以往之線圈裝置的製程圖。
[圖12]係以往之線圈裝置的製程圖。
56c:線圈之線的上面(平坦面)
58:支撐體(第2支撐體)
59:接著層
60:間隙
61a:覆膜
61b:填充物
Claims (13)
- 一種線圈裝置之製造方法，係將在第1支撐體上所設置之導電性線圈轉印至具有接著層之第2支撐體的該接著層側，該製造方法係：在該第1支撐體上所設置之導電性線圈係其高度在內周側係低，在外周側係高；該接著層係其大小比該線圈高度高之外周側的大小更小。
- 一種線圈裝置之製造方法，係將在第1支撐體上所設置之導電性線圈轉印至具有接著層之第2支撐體的該接著層側，該製造方法係：在該第1支撐體上所設置之導電性線圈係其高度在內周側係低，在外周側係高；該第2支撐體係其大小比該線圈高度高之外周側的大小更小。
- 一種線圈裝置之製造方法，係將在第1支撐體上所設置之導電性線圈轉印至具有接著層之第2支撐體的該接著層側，該製造方法係：在被設置於該第1支撐體之表面的光阻劑膜形成凹溝，對該凹溝填充厚度與該凹溝之深度相當的金屬，然後，設置與該金屬連接的該導電性線圈；在該凹溝所設置之金屬種類與該線圈之金屬種類相異。
- 如請求項3之線圈裝置的製造方法，其中在該第1支撐體上所設置之導電性線圈係其高度在內周側係低，在外周側係高；該接著層係其大小比該線圈高度高之外周側的大小更小。
- 如請求項1~3中任一項之線圈裝置的製造方法，其中在該轉印後或伴隨該轉印，剝離該第1支撐體。
- 如請求項1~3中任一項之線圈裝置的製造方法，其中在該轉印，係該線圈之線之截面大致彎曲形狀的頭端部進入該接著層中。
- 如請求項1~3中任一項之線圈裝置的製造方法，其中在該導電性線圈的線與線之間填充絕緣材。
- 如請求項1或2之線圈裝置的製造方法，其中該第1支撐體係至少表層是金屬，在該金屬之表面設置光阻劑膜，在該光阻劑膜形成與該金屬之表面連接的凹溝，對該凹溝進行金屬鍍層至鍍層膜之上面成為與該光阻劑膜之上面同程度的高度，並在該金屬鍍層上設置該線圈。
- 如請求項1~3中任一項之線圈裝置的製造方法，其中該線圈係藉各向異性之鍍層所形成。
- 如請求項3之線圈裝置的製造方法，其中該凹溝的寬度係比該線圈之線的寬度窄。
- 如請求項8之線圈裝置的製造方法，其中該凹溝的寬度係比該線圈之線的寬度窄。
- 如請求項8之線圈裝置的製造方法，其中在該凹溝所設置之金屬鍍層的金屬種類與該線圈的金屬種類相異。
- 如請求項1~3中任一項之線圈裝置的製造方法，其中，該線圈裝置係包括：支撐體；在該支撐體上所設置之絕緣性的接著層；以及導電性線圈，係一部分進入該接著層；該導電性線圈之線的寬度是100~1000μm，線的高度是30~600μm；該導電性線圈係在從上面觀察時，是大致渦形或大致螺旋形；在該導電性線圈中之進入該接著層的一端側係截面是大致彎曲形狀；在該導電性線圈中之與該接著層係相反側之另一端側的面是平坦面；該接著層的厚度係比該導電性線圈之線的高度薄。
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