JP2000294443A

JP2000294443A - 薄膜デバイスの製造方法及び薄膜デバイス

Info

Publication number: JP2000294443A
Application number: JP11094740A
Authority: JP
Inventors: Hidehiko Yamaoka; 英彦山岡; Osamu Shinoura; 治篠浦
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1999-04-01
Filing date: 1999-04-01
Publication date: 2000-10-20

Abstract

(57)【要約】【課題】凹凸の有る基板の上に絶縁層を形成するにあ
たって、簡易かつ作業性の良い方法で、しかも、絶縁層
の上部表面の平滑性に優れ、この上に形成される機能膜
の特性劣化等が極めて少ない薄膜デバイスの製造方法及
び薄膜デバイスを提供する。【解決手段】表面に凹凸部を備える第１の基板の上に
熱硬化性有機塗料を塗布して塗料塗膜を形成した後に、
熱硬化処理して熱硬化性絶縁層を形成する工程を有する
薄膜デバイスの製造方法であって、前記熱硬化処理は、
前記塗料塗膜の上を表面が平坦な第２の基板で押圧しな
がら行なわれるように構成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、好適には携帯電話
等の小型電子装置に用いられる薄膜コイル、磁気記録に
用いられる薄膜磁気ヘッドあるいは薄膜磁界センサ等の
薄膜導電体、薄膜磁性体等により構成される薄膜デバイ
スの製造方法あるいは薄膜デバイスに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子装置の小型化に伴いそれに用
いられる個々の電子部品にも、より小型化が求められて
いる。そのため、これらの電子装置に用いられるコイル
部を有するインダクタ、トランス等も、バルクの導線を
巻き線したいわゆるバルクデバイスから、薄膜堆積法と
フォトリソグラフィー技術によって製造される薄膜コイ
ルを用いた薄膜デバイスへと移行しつつある。そして、
いわゆる薄膜インダクタ、薄膜磁気ヘッド等の薄膜磁気
デバイスにおいては、磁性薄膜をパターニングし、磁気
回路を形成しているのが実状である。

【０００３】これらの薄膜デバイスを構成する機能層
は、主として、導体層、絶縁層、誘電体層、磁性体層な
どであり、これらの層が順に積層され機能膜積層構造が
作製される。このうち導体層は電流を印加するための層
であり、銅、金等の材料で回路が形成され、一般に、こ
れらの導体層の上下には絶縁層が形成される。

【０００４】絶縁層の形成に際しては、熱硬化性の有機
物樹脂、例えばノボラック系フォトレジストやポリイミ
ド樹脂を塗布して塗膜を形成し、この塗膜を熱硬化する
ことによって絶縁特性の良好な絶縁層を安価に形成する
ことが可能となる。

【０００５】このように形成された絶縁層の上には、さ
らに磁性層等の機能層が成膜されることがある。このよ
うな場合には、下地とも言える絶縁層表面の平坦化が極
めて重要な役割を果たし、平坦化が保証されていないと
成膜された機能層、例えば磁性層の特性が劣化してしま
うおそれがある。よりわかり易い具体的な一例として、
図５（ａ）に示されるようなコイルパターンが形成され
た基板１００上には、コイル１１０の有るライン部（１
１０）と、コイル間のスペース部１１１が存在し、いわ
ゆる凹凸が形成された面となっている。このような凹凸
面の上に絶縁層を形成するために熱硬化性の樹脂塗膜１
３０を塗設した後（図５（ｂ））、熱硬化処理が行なわ
れる。すると、樹脂塗膜は硬化していく過程で収縮を起
こす。このように凹凸のある面上に有機物樹脂塗膜１３
０を成膜し熱硬化処理させると、元の塗膜の厚さが凹凸
の位置によりそれぞれ異なるために、ライン部１１０上
に形成された絶縁層（塗膜厚さが小）は硬化後に凸部
に、スペース部１１１上に形成された絶縁層（塗膜厚さ
が大）は硬化後に凹部になってしまう（図５（ｃ））。
具体的数値例を挙げてさらに分かり易く説明すると、例
えば、（コイル）ライン部１１０の厚さは１０μｍ、
（コイル）ライン部１１０上には１０μｍの塗膜（レジ
スト）が有り、それが５０％に収縮すると５μｍの熱硬
化絶縁層となる。これに対して（コイル）スペース部１
１１上には２０μｍのレジストがありそれが５０％に収
縮すると１０μｍの熱硬化絶縁層となる。その結果、ラ
イン部１１０上は基板表面からコイル厚１０μｍに絶縁
層５μｍが加わった１５μｍの高さとなる。しかしスペ
ース部１１１上は、絶縁層のみで１０μｍである。この
ため絶縁層表面で５μｍの凹凸が生じてしまうのであ
る。

【０００６】そこで、硬化後の絶縁層表面の凹凸を軽減
する方法、すなわち平坦化のために提案が従来よりなさ
れてきている。一例を挙げると、例えば、１層が薄い絶
縁層を多数回に分けて塗布、熱硬化を行うことが有効な
一手法であることが知られている。例えば、１０μｍの
絶縁層を形成するのに２μｍの絶縁層を５層重ねること
である程度の平坦化が図られる。

【０００７】また、特開平４−２０６０１０号公報に
は、絶縁層上部が平坦になるまでフォトレジストを塗布
形成し、その後アッシングにより絶縁層を任意の厚さま
で薄くすることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法
が開示されている。

【０００８】さらに、特開平４−４５８０４号公報に
は、凹凸のある下地上に第１絶縁層を塗布し、さらに第
２絶縁層を第１絶縁層の上に塗布し、第２絶縁層を選択
的に露光・現像し、さらに熱処理硬化後、イオンビーム
により絶縁層を薄くすることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法が開示されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記各
提案の方法はいずれも多くの時間と労力を要し、実際に
素子を作製する工程ではコスト・時間などで問題を生じ
ることが多い。また、絶縁層表面の平滑性も決して十分
なものとは言えず、さらなる改善が望まれている。

【００１０】このような実状のもとに本発明は創案され
たものであり、その目的は、上記従来の問題点を解決
し、凹凸の有る基板の上に熱硬化性絶縁層を形成するに
あたって、簡易かつ作業性の良い方法で、しかも、硬化
後の熱硬化性絶縁層の上部表面の平滑性に優れ、この上
に形成される機能膜の特性劣化等が極めて少ない薄膜デ
バイスの製造方法及び薄膜デバイスを提供することにあ
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために、本発明は、表面に凹凸部を備える第１の基板
の上に熱硬化性有機塗料を塗布して塗料塗膜を形成した
後に、熱硬化処理して熱硬化性絶縁層を形成する工程を
有する薄膜デバイスの製造方法であって、前記熱硬化処
理は、前記塗料塗膜の上を表面が平坦な第２の基板で押
圧しながら行なわれるように構成される。

【００１２】また、本発明の薄膜デバイスの製造方法
は、基板の一方の表面に凹凸部を備える複数個の基板の
凹凸部上にそれぞれ熱硬化性有機塗料を塗布して塗料塗
膜を形成した複数の塗膜基板を準備した後、これらの基
板を順次積み上げて、基板の他方の平滑面で、その下に
位置する塗料塗膜を押圧しながら加熱硬化させる部分を
備えてなるように構成される。

【００１３】また、本発明の好ましい態様として、前記
積み上げられる最上部に位置する基板は、熱硬化性絶縁
層が形成されていない基板として構成される。

【００１４】また、本発明の好ましい態様として、前記
塗料塗膜と、これを押圧する基板との間に、硬化後の熱
硬化性絶縁層と接着しにくい材料からなる薄膜もしくは
介在基板を介在させて熱硬化処理、または押圧する基板
そのものを熱硬化性絶縁層と接着しにくい材料から構成
させ熱硬化処理してなるように構成される。

【００１５】また、本発明の好ましい態様として、前記
薄膜または介在基板がフッ素系樹脂として構成される。

【００１６】また、本発明の好ましい態様として、前記
熱硬化処理は、押圧圧力１００〜３０００ｇ／ｃｍ^２、
熱処理温度１５０〜４５０℃の条件で行なわれる。

【００１７】また、本発明の好ましい態様として、前記
熱硬化性絶縁層の硬化後の厚さを直径とする高さ規制用
の球体を、スペーサーとして２枚の基板間に挿入し、前
記押圧しながらの熱硬化処理が行なわれる。

【００１８】また、本発明の好ましい態様として、前記
熱硬化性絶縁層が形成される基板の周辺に同じ熱硬化性
絶縁層からなる高さ規制用のダミーパターンを形成し、
このダミーパターンをスペーサーとし、前記押圧しなが
らの熱硬化処理が行なわれる。

【００１９】また、本発明の好ましい態様として、前記
押圧しながらの熱硬化処理により形成された前記熱硬化
性絶縁層の少なくとも上部表面に磁性層が形成される。

【００２０】また、本発明の好ましい態様として、前記
押圧しながらの熱硬化処理により形成された前記熱硬化
性絶縁層は、その表面形状が、二次元的に平坦な平坦主
要部を有し、当該平坦主要部における、任意の２方向で
測定した「うねり」が０．０５μｍ／ｍｍ以下となるよ
うに製造される。

【００２１】本発明は、表面に凹凸部を備える第１の基
板の上に熱硬化性絶縁層を形成した薄膜デバイスであっ
て、前記熱硬化性絶縁層の表面形状が、二次元的に平坦
な平坦主要部を有し、当該平坦主要部における、任意の
２方向で測定した「うねり」が０．０５μｍ／ｍｍ以下
であるように構成される。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の薄膜デバイスの製
造方法及び薄膜デバイスに関して、好適な具体的実施の
形態を示しつつ、詳細に説明する。

【００２３】図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の薄膜デバ
イスの製造方法の一例を工程順に示した断面図である。

【００２４】まず、最初に、基板２１の表面に例えば厚
さ１０μｍ程度の凸状コイルパターン５が所定の形態に
設けられることにより、基板２１上に凹凸部５０が形成
される（図１（ａ））。

【００２５】次いで、この凹凸部５０が形成された第１
の基板２１の上に、凹凸部５０を覆うように例えば、厚
さ２０μｍ程度のフォトレジストである熱硬化性有機塗
料７ａが塗布されるとともに、フォトリソ手法により所
定のパターニングが行なわれ未硬化の塗料塗膜７が形成
される（図１（ｂ））。この段階では、塗料塗膜７の上
部表面７１は平坦である。

【００２６】従来の技術では、このままの状態で熱硬化
処理して塗膜を硬化させ熱硬化性絶縁層を形成せること
が一般的に行なわれていたが、本発明における熱硬化処
理は、図１（ｃ）に示されるように前記塗料塗膜７の上
部表面７１を表面が平坦な第２の基板２２で押圧しなが
ら行なうことを特徴としている。すなわち、本発明の熱
硬化処理が塗料塗膜７の上部表面７１を第２の基板２２
で押圧しながら行なわれることにより、塗膜７を構成す
る熱硬化性樹脂は連続的に下方に変形しながら硬化収縮
反応が進行する。このため、押圧している基板２２の平
滑な当接面２２ａの表面状態を転写した形となり、樹脂
の硬化熱収縮に起因する凹凸は生じない。なお、当接面
２２ａの表面状態は、熱硬化により形成された熱硬化性
絶縁層の表面の平滑性に影響を及ぼすために出来るだけ
平滑なものを用いることが望ましい。

【００２７】なお、一度、熱硬化処理を終了した後で
は、熱硬化性絶縁層は加温しても変形しにくいために同
様に平坦な基板を圧着しながら熱処理をおこなっても、
一度生じた凹凸は改善しない。なお、本発明で押圧と
は、２枚の基板が荷重がかかった状態でほぼ密着してい
る状態を指す。荷重の加え方は均一な塗膜厚が形成でき
れば特に制限はなく、簡便な一例として何らかの重しを
用いる方法でもよいし、さらには機械的な各種の加圧方
法が可能である。

【００２８】本発明に用いられる熱硬化性絶縁層形成の
ための熱硬化性有機塗料主成分は、熱硬化処理により良
好な絶縁特性を示す各種の樹脂、例えばポリイミドやノ
ボラック系フォトレジスト等の公知の樹脂を用いること
が出来る。特にノボラック系フォトレジストや、ポリイ
ミドフォトレジストの様に感光性のある樹脂を用いるこ
とが好ましく、成膜後にパターニングし、それを熱硬化
処理することで、容易にパターニングされた絶縁層を形
成出来る。これらの熱硬化性樹脂は、硬化過程において
かなり高い収縮率を示す。例えば、ノボラック樹脂であ
るポジ型フォトレジストでは、３００℃の熱硬化処理に
おいて、膜厚が３０〜５０％程度薄くなる。この硬化収
縮が、従来の問題であった平坦化の大きな妨げとなって
いた。

【００２９】本発明における塗膜の最適な押圧圧力は、
樹脂の種類、硬化させるための加熱温度、塗膜厚さ等に
より種々変化する。しかしながら、本発明者らが種々の
パターンで実験を行った結果、押圧圧力１００〜３００
０ｇ／ｃｍ^２であることが好ましく、特に好ましくは２
００〜１０００ｇ／ｃｍ^２であることが判明した。押圧
圧力が１００ｇ／ｃｍ^２未満では、熱硬化性絶縁層の平
坦化が不十分となる傾向が生じ、また、１０００ｇ／ｃ
ｍ^２を超えるとパターニングされた樹脂が、パターンの
外にまで広がってしまうおそれがある。

【００３０】また、熱硬化処理における加熱温度は１５
０℃以上４５０℃以下が好ましい。温度が４５０℃を超
えると塗膜樹脂が熱分解反応をおこして耐電圧が低下し
てしまうおそれがある。また、温度が１５０℃未満とな
ると硬化反応の進行に時間がかかり作業効率が低下して
しまう。さらに温度が１５０℃未満では、例えばその上
に真空成膜法で磁性薄膜を成膜する際に、磁性薄膜と絶
縁層との密着強度が低下してしまう傾向がある。これは
樹脂の硬化反応と平行して進行している熱分解反応が低
温では殆ど起こらないために、表面に活性の有る官能基
が少ないためと思われる。１５０℃以上４５０℃以下の
範囲では、適度の熱分解反応が起こり、ＣＨ基、ＣＯＯ
Ｈ基等の活性官能基が絶縁層表面に形成されるために、
例えば磁性薄膜との密着強度も良い。なお、密着強度を
挙げるためには磁性薄膜の下地膜として酸化しやすい金
属、すなわち酸化物を形成しやすい金属、例えばクロ
ム、チタン等、あるいはこれらを含む合金薄膜を設ける
ことが有効である。

【００３１】このようにして、塗膜を押圧しながらの熱
硬化処理が完了した後、押圧のための基板２２が除去さ
れ、図１（ｄ）の状態に至る。すなわち、図１（ｄ）に
示されるように基板２１の凹凸部５０を覆うように熱硬
化性絶縁層７７が形成される。本発明における熱硬化性
絶縁層７７は、その上部の表面に、二次元的に平坦な平
坦主要部７７ａを有し、この平坦主要部７７ａにおけ
る、任意の２方向（好ましくは直交するＸ軸とＹ軸）で
測定した「うねり」が０．０５μｍ／ｍｍ以下であるよ
うに設定されるのがよい。本発明で平坦主要部７７ａと
は、押圧するための基板２２で実質的に押圧されかつ形
成された平滑面をいい、熱硬化性絶縁層７７のショルダ
ー部や側面部は除外することを意味する。そして、平坦
主要部７７ａの上に、好ましい態様として例えば、磁性
層(磁性薄膜)８０等が形成される。なお、磁性層８０
は、熱硬化性絶縁層７７のショルダー部や側面部まで回
り込んで形成されることもあるが、その主要部、具体的
には磁性層全面積の７０％以上、特に好ましくは磁性層
全面積の９０％以上は、絶縁層の平坦主要部７７の上に
形成される。

【００３２】上記の「うねり」が０．０５μｍ／ｍｍ以
下であると、この上に形成された例えば磁性膜の磁気特
性が驚くほど向上する。この結果、磁気デバイスの特性
が改善される。

【００３３】本発明における「うねり」の定義は以下の
とおりである。すなわち、本発明でいう「うねり」と
は、ろ波中心線うねりであり、抜き取り部分１ｍｍ、高
域カットオフ値０ｍｍ、低域カットオフ値０．３ｍｍで
測定したときの、うねりの最大山高さＷｐと最大谷高さ
Ｗｖの合計であるＷｐ＋Ｗｖで定義される。測定方向は
Ｘ軸、Ｙ軸の２軸方向とされる。

【００３４】なお、本発明によれば、基板２１上に形成
された凹凸部５０の凹凸の大きさをＴpp１とし、平坦主
要部７７ａの凹凸の大きさをＴpp２とした場合、Ｔpp１
×０．１＞Ｔpp２とすることが容易に実現可能である。
Ｔppは、層上の凹凸の最大の大きさをあらわし、より具
体的には、触針段差計を用い、基準長さ１００μｍ、カ
ットオフ無しで測定したときの最大深さ(大きさ)で定義
される。

【００３５】本発明において、さらに熱硬化処理後に、
押圧した平坦基板２２と絶縁層７７(塗膜７)が形成され
た基板２１とを分離する際に、すみやかに分離するため
に、図２に示されるように平坦な基板２２の押圧側表面
に、（１）絶縁層７７(塗膜７)と接着しにくい材料から
なる薄膜９を被着形成させたり、（２）基板２２そのも
のを接着しにくい材料としたり（この場合、図２の符号
９の部材は不要）、あるいは（３）介在基板９（フィル
ム、シート状のもの）を挟み込ませるように介在させる
ことが好ましい。特に好ましい具体例としては、フッ素
系樹脂が薄膜９として基板２２の押圧側表面にコーテイ
ングされていること、あるいは基板２２そのものがフッ
素系樹脂であること、あるいは薄いフッ素系樹脂のフィ
ルムが押圧するための基板と絶縁層との間に挿入されて
いること等である。

【００３６】さらに押圧のための圧力を均一に加えるた
めには、所望の大きさのスペーサーを、押圧する際に挟
むことが好ましい。例えば、図３に示されるように硬化
後の絶縁層７７厚さが１０μｍの場合には１０μｍの複
数のボール８を対向する基板２１，２２間の数カ所に挟
み込んで熱硬化処理を行うことで、基板全体を均一に押
圧することが可能となる。あるいは、原理的には同じで
あるが、薄膜デバイスとして必要な有機物絶縁層パター
ンの周囲に、スペーサーとして同じ有機物絶縁層材料か
らなるダミーパターン（作用は、上記ボール８と同じ）
を形成しておくことも好ましい方法である。このダミー
パターンは、薄膜デバイスとして必要な有機物絶縁層パ
ターン形成時に同時に作製すればよい。

【００３７】また、図４に示すように、多数の基板を同
時に処理するには、素子形成面となる凹凸のある面とは
反対側の基板面、つまり基板裏面を、平坦面を有する基
板として利用することが可能である。

【００３８】すなわち、図４に示されるように多数の基
板を同時に熱硬化処理する場合には、基板の一方の表面
に凹凸部５０を備える複数個の基板２１，２３，２５の
凹凸部５０上にそれぞれ熱硬化性有機塗料を塗布して塗
料塗膜７を形成した複数の塗膜基板２１，２３，２５を
準備した後、これらの基板を順次積み上げて、図示のご
とく基板の他方の平滑面（基板裏面）で、その下に位置
する塗料塗膜７を押圧しながら加熱硬化させる部分を備
えるように構成すればよい。「塗料塗膜を押圧しながら
加熱硬化させる部分を備える」と表現したのは、最も下
に位置する基板２１の裏面は、塗料塗膜を押圧する作用
をしていないし、しかも積み上げられる最上部に位置す
る基板２７は、上記の準備された塗膜形成基板２１，２
３，２５とは異なり別途準備された熱硬化性絶縁層のな
い基板２７であることを考慮したためである。

【００３９】なお、図４に示される実施の形態において
は、絶縁層の厚さを規制するために基板間に高さ規制用
の複数の球体８がスペーサーとして挿入されている。さ
らに、塗料塗膜７と、これを押圧する基板裏面との間
に、硬化後の熱硬化性絶縁層と接着しにくい材料からな
るシート状の介在基板９が介在されている。

【００４０】なお、本発明の製造方法により作成され
た、表面に凹凸のある基板上に熱硬化性絶縁層を形成し
た薄膜デバイスにおいては、上述のごとく前記絶縁層の
表面形状が、圧着された基板平面のプロファイルが転写
されるために、２次元的に平坦になる。より具体的に
は、任意の２方向で測定した「うねり」を０．０５μｍ
／ｍｍ以下にすることが実現可能である。この様な表面
形態は他の方法では実現することはできず、本発明によ
ってのみ達成される。そして、このような２次元的平坦
化状態は、その上に形成した磁性膜の磁気特性が良い。
その結果、磁気デバイスの特性が改善する。

【００４１】

【実施例】以下に具体的実験例（実施例、比較例）を示
し、本発明をさらに詳細に説明する。具体的サンプルの作製

【００４２】３インチガラス基板上に、フレームめっき
法により、厚さ４μｍ、ライン幅１０μｍ、ラインスペ
ース５μｍの銅コイルパターンを形成した。

【００４３】この銅コイルパターン上に、ＡＺＰ４６２
０ポジレジスト（ヘキスト社製）を２０μｍの厚さにな
るようにスピンコーターで塗布した。所定温度、時間で
プリベイクした後、マスクを通じて紫外線露光、現像し
所定の絶縁層形状にパターニングした。

【００４４】このようにして絶縁層が形成された基板と
平坦性を有する押圧用の基板の間に、厚さ１０μｍのポ
リフッ化ビニリデンフィルムを挟み、押圧のための圧力
を加えながら、５０℃／時間の昇温速度で昇温、最高温
度４００℃、保持時間１時間の真空中熱硬化処理を行っ
た。

【００４５】なお、押圧のための圧力は、１００ｇ／ｃ
ｍ^２、５００ｇ／ｃｍ^２、１０００ｇ／ｃｍ^２と種々変
えた。また、比較のために、押圧のための圧力ゼロのも
のも作製した（比較例１）。

【００４６】またさらに、絶縁層形成の際の１処理の厚
さを実施例１の１／５とし、塗布、プリベイク、露光、
現像、熱硬化の一連の工程を５回繰り返し、最終的に実
施例１と同じ厚さの絶縁層のものを作製した（比較例
２）。この比較例２サンプルの作製において、押圧のた
めの圧力は、ゼロとした。なお、この比較例２サンプル
の作製には、実施例１の約５倍の製造時間を要した。

【００４７】このようにして絶縁層を形成した後に、絶
縁層の上に、スパッタ法により、４μｍ厚のパーマロイ
（Ｎｉ−２０ｗｔ％Ｆｅ）膜を成膜し、その透磁率を評
価した。また別途、パーマロイ膜を成膜前に熱硬化処理
後の絶縁層表面を触針式表面粗さ計で測定し、Ｔppとう
ねり（量）を評価した。なお、Ｔppは、前述したように
絶縁層上の凹凸の最大の大きさをあらわし、より具体的
には、触針段差計を用い、基準長さ１００μｍ、カット
オフ無しで測定したときの最大深さ(大きさ)で定義され
る。

【００４８】結果を下記表１に示す。

【００４９】

【表１】

【００５０】

【発明の効果】上記の結果より本発明の効果は明らかで
ある。すなわち、本発明は、表面に凹凸部を備える第１
の基板の上に熱硬化性有機塗料を塗布して塗料塗膜を形
成した後に、熱硬化処理して熱硬化性絶縁層を形成する
工程を有する薄膜デバイスの製造方法であって、前記熱
硬化処理は、前記塗料塗膜の上を表面が平坦な第２の基
板で押圧しながら行なわれるように構成されているの
で、凹凸の有る基板の上に絶縁層を形成するにあたっ
て、簡易にかつ効率よく形成でき、しかも、絶縁層の上
部表面の平滑性に優れ、この上に形成される磁性膜で代
表される機能膜の特性劣化等が極めて少ない薄膜デバイ
スが得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、本発明の薄膜デ
バイスの製造方法の一例を工程順に示した断面図であ
る。

【図２】塗料塗膜の上を表面が平坦な基板で押圧しなが
ら行なわれる熱硬化処理の一態様を示す断面図である。

【図３】塗料塗膜の上を表面が平坦な基板で押圧しなが
ら行なわれる熱硬化処理の一態様を示す断面図である。

【図４】塗料塗膜の上を表面が平坦な基板で押圧しなが
ら行なわれる熱硬化処理の一態様を示す断面図である。

【図５】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、従来の薄膜デバ
イスの製造方法の一例を工程順に示した断面図である。

【符号の説明】

５…コイルパターン５０…凹凸部７…塗料塗膜８…球体９…薄膜または介在基板２１，２２，２３，２５，２７…基板７７…熱硬化性絶縁層７７ａ…平坦主要部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面に凹凸部を備える第１の基板の上に
熱硬化性有機塗料を塗布して塗料塗膜を形成した後に、
熱硬化処理して熱硬化性絶縁層を形成する工程を有する
薄膜デバイスの製造方法において、前記熱硬化処理は、前記塗料塗膜の上を表面が平坦な第
２の基板で押圧しながら行なわれることを特徴とする薄
膜デバイスの製造方法。
【請求項２】基板の一方の表面に凹凸部を備える複数
個の基板の凹凸部上にそれぞれ熱硬化性有機塗料を塗布
して塗料塗膜を形成した複数の塗膜基板を準備した後、
これらの基板を順次積み上げて、基板の他方の平滑面
で、その下に位置する塗料塗膜を押圧しながら加熱硬化
させる部分を備えてなることを特徴とする薄膜デバイス
の製造方法。
【請求項３】前記積み上げられる最上部に位置する基
板は、熱硬化性絶縁層が形成されていない基板である請
求項２に記載の薄膜デバイスの製造方法。
【請求項４】前記塗料塗膜と、これを押圧する基板と
の間に、硬化後の熱硬化性絶縁層と接着しにくい材料か
らなる薄膜もしくは介在基板を介在させて熱硬化処理、
または押圧する基板そのものを熱硬化性絶縁層と接着し
にくい材料から構成させ熱硬化処理してなる請求項１な
いし請求項３のいずれかに記載の薄膜デバイスの製造方
法。
【請求項５】前記薄膜または介在基板がフッ素系樹脂
である請求項４に記載の薄膜デバイスの製造方法。
【請求項６】前記熱硬化処理は、押圧圧力１００〜３
０００ｇ／ｃｍ^２、熱処理温度１５０〜４５０℃の条件
で行なわれる請求項１ないし請求項５のいずれかに記載
の薄膜デバイスの製造方法。
【請求項７】前記熱硬化性絶縁層の硬化後の厚さを直
径とする高さ規制用の球体を、スペーサーとして２枚の
基板間に挿入し、前記押圧しながらの熱硬化処理を行う
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の薄膜デバイ
スの製造方法。
【請求項８】前記熱硬化性絶縁層が形成される基板の
周辺に同じ熱硬化性絶縁層からなる高さ規制用のダミー
パターンを形成し、このダミーパターンをスペーサーと
し、前記押圧しながらの熱硬化処理を行う請求項１ない
し請求項７のいずれかに記載の薄膜デバイスの製造方
法。
【請求項９】前記押圧しながらの熱硬化処理により形
成された前記熱硬化性絶縁層の少なくとも上部表面に磁
性層を形成する請求項１ないし請求項８のいずれかに記
載の薄膜デバイスの製造方法。
【請求項１０】前記押圧しながらの熱硬化処理により
形成された前記熱硬化性絶縁層は、その表面形状が、二
次元的に平坦な平坦主要部を有し、当該平坦主要部にお
ける、任意の２方向で測定した「うねり」が０．０５μ
ｍ／ｍｍ以下となるように製造される請求項１ないし請
求項９のいずれかに記載の薄膜デバイスの製造方法。
【請求項１１】表面に凹凸部を備える第１の基板の上
に熱硬化性絶縁層を形成した薄膜デバイスであって、前記熱硬化性絶縁層の表面形状が、二次元的に平坦な平
坦主要部を有し、当該平坦主要部における、任意の２方
向で測定した「うねり」が０．０５μｍ／ｍｍ以下であ
ることを特徴とする薄膜デバイス。
【請求項１２】前記熱硬化性絶縁層の少なくとも上部
表面に磁性層が形成されている請求項１１に記載の薄膜
デバイス。