TWI838653B - 掩模製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明涉及掩模製造方法。根據本發明的掩模製造方法，其用於製造OLED像素形成用掩模，該方法包括以下步驟：(a)準備掩模金屬膜；(b)在掩模金屬膜的至少第一面上形成圖案化的第一絕緣部；(c)在掩模金屬膜的第一面上通過第一絕緣部圖案間的空間在掩模金屬膜上形成副掩模圖案；(d)通過夾設隔板絕緣部來黏合形成有副掩模圖案的掩模金屬膜的第一面與支撐板基；(e)通過在與掩模金屬膜的第一面相對的第二面上形成的第二絕緣部的圖案間的空間在掩模金屬膜上形成主掩模圖案來製造掩模。
Description
發明領域
本發明涉及掩模製造方法。更具體地，涉及一種可在掩模上穩定地形成掩模圖案的掩模製造方法。
發明背景
作為OLED(有機發光二極體)製造工藝中形成像素的技術，主要使用精細金屬掩模(Fine Metal Mask，FMM)方法，該方法將薄膜形式的金屬掩模(Shadow Mask，陰影掩模)緊貼於基板並且在所需位置上沉積有機物。
在現有的OLED製造工藝中，將掩模製造成條狀、板狀等後，將掩模焊接固定到OLED像素沉積框架並使用。一個掩模上可以具備與一個顯示器對應的多個單元。
在超高畫質的OLED中，現有的QHD畫質為500-600PPI(pixel per inch，每英寸像素)，像素的尺寸達到約30-50μm，而4KUHD、8KUHD高畫質具有比之更高的-860PPI，-1600PPI等的解析度。如此，考慮到超高畫質的OLED的像素尺寸，需要將各單元之間的對準誤差縮減為數μm左右，超出這一誤差將導致產品的不良，所以收率可能極低。
此外，隨著OLED大面積化及高解析度化，掩模需要厚度更薄且面積更大。為了在大面積的掩模上形成掩模圖案，一般採用在軋製的掩模金屬膜上進行蝕刻的方法。或者，可採用將大面積的掩模放置到特定支撐板之後，只朝一方向進行蝕刻以形成掩模圖案的方法。現有方法難以在大面積掩模的整體部分，特別是在各單元之間形成均勻的掩模圖案，而由於只朝一方向進行蝕刻，因此很難精確地控制掩模圖案的寬度、深度等。
因此，現實情況需要一種既可用於大面積的像素工藝中又具有微細掩模圖案以進行高畫質的像素工藝的掩模製造方法。
技術問題
因此，本發明為了解決如上所述的諸多現有技術問題而提出，其目的在於提供一種在製造掩模時可穩定地形成掩模圖案的掩模製造方法。
此外，本發明的目的在於，提供一種在掩模製造過程中通過向兩個方向進行蝕刻從而可精確地控制掩模圖案的寬度、深度等的掩模製造方法。
技術方案
本發明的上述目的通過掩模製造方法來實現，所述掩模製造方法用於製造OLED像素形成用掩模，該方法包括以下步驟：a)準備掩模金屬膜；(b)在掩模金屬膜的至少第一面上形成圖案化的第一絕緣部；(c)在掩模金屬膜的第一面上通過第一絕緣部圖案間的空間在掩模金屬膜上形成副掩模圖案；(d)通過夾設隔板絕緣部來黏合形成有副掩模圖案的掩模金屬膜的第一面與支撐板基；(e)通過在與掩模金屬膜的第一面相對的第二面上形成的第二絕緣部的圖案間的空間在掩模金屬膜上形成主掩模圖案來製造掩模。
可進一步包括(f)將掩模從支撐基板剝離的步驟。
在步驟(b)中，可在第一面上形成圖案化的第一絕緣部及在與第一面反向的第二面上形成圖案化的第二絕緣部。
在步驟(c)中，副掩模圖案能夠以未貫穿掩模金屬膜地形成。
第一絕緣部的圖案間隔可小於第二絕緣部的圖案間隔。
在步驟(e)中，主掩模圖案能夠以貫穿掩模金屬膜地形成，主掩模圖案與副掩模圖案之和構成掩模圖案。
步驟(a)可包括以下步驟：(a1)準備掩模金屬膜；(a2)在掩模金屬膜的第二面上形成載體部；(a3)在掩模金屬膜的第一面上縮減掩模金屬膜的厚度。
可進一步包括(a4)在去除掩模金屬膜的多個掩模單元區域的兩側虛設部區域的至少一部分形成對準標識的步驟。
在步驟(d)與步驟(e)之間，可進一步包括將載體部從掩模金屬膜的第二面剝離的步驟。
第二絕緣部不形成於對準標識上，在步驟(e)中可去除掩模金屬膜的對準標識。
步驟(a)可包括以下步驟：(a1)準備掩模金屬膜；(a2)在掩模金屬膜的第二面上形成載體部；在步驟(d)與步驟(e)之間，在掩模金屬膜的第二面上縮減掩模金屬膜的厚度。
步驟(b)可以是以掩模金屬膜的一個掩模單元區域作為物件，至少在第一面上形成圖案化的第一絕緣部的步驟。
步驟(b)可以是以掩模金屬膜的多個掩模單元區域作為物件，至少在第一面上形成圖案化的第一絕緣部的步驟。
在多個掩模單元區域上可形成主掩模圖案和副掩模圖案。
有益效果
根據具有如上結構的本發明，具有在製造掩模時可穩定地形成掩模圖案的效果。
此外，根據本發明，在製造掩模的過程中朝兩個方向進行蝕刻，從而具有可精確地控制掩模圖案的寬度、深度等的效果。
具體實施方式
後述本發明的詳細說明將參照附圖，該附圖將能夠實施本發明的特定實施例作為示例示出。充分詳細地說明這些實施例，以使本領域技術人員能夠實施本發明。應當理解，本發明的各種實施例雖然彼此不同，但是不必相互排斥。例如，在此記載的特定形狀、結構及特性與一實施例有關，在不脫離本發明的精神及範圍的情況下，能夠實現為其他實施例。另外，應當理解，在不脫離本發明的精神及範圍的情況下，各公開的實施例中的個別構成要素的位置或配置可進行變更。因此，後述的詳細說明不應被視為具有限制意義，只要適當地說明，則本發明的範圍僅由所附的申請專利範圍及與其等同的所有範圍限定。圖中相似的附圖標記從多方面表示相同或相似的功能，為了方便起見，長度、面積、厚度及其形狀可以誇大表示。
下面，將參照附圖對本發明的優選實施例進行詳細說明，以便本領域技術人員能夠容易實施本發明。
圖1是將掩模10附著於框架20的過程的示意圖。
現有的掩模10為棒式(Stick-Type)或者板式(Plate-Type)，圖1的棒式掩模10可通過將棒的兩側焊接固定於OLED像素沉積框架來使用。掩模10的本體(Body)[或者掩模膜11]具有多個顯示單元C。一個單元C可對應一個智慧手機等的顯示器。單元C上形成有與顯示器的各像素對應的像素圖案P。
參照圖1的(a)，通過沿著棒狀掩模10的長軸方向施加拉伸力F1-F2，以展開的狀態將棒狀掩模10裝載至四邊形框體形狀的框架20上。棒狀掩模10的單元C1-C6將位於框架20的框體內部空白區域部分。
參照圖1的(b)，通過微調施加在棒狀掩模10各側的拉伸力F1-F2並進行對準之後，並通過對棒狀掩模10側面的一部分進行焊接W將棒狀掩模10與框架20相互連接。圖1的(c)圖示了相互連接的棒狀掩模10和框架的側截面。
將由多個條形掩模10和框架20相互連接的連接體緊貼或者靠近佈置在OLED像素沉積裝置的待形成OLED像素的目標基板上後，可在條形掩模10的下部沉積有機物源。有機物源可作為OLED的像素使用，所述有機物源穿過掩模10的像素圖案P沉積於待形成OLED像素的目標基板上。
以往，為了在大面積的條形掩模上形成掩模圖案，對軋製的掩模金屬膜進行蝕刻或者將大面積的條形掩模放置到特定的支撐板上並只朝一個方向進行蝕刻。軋製金屬膜作為軋製的掩模金屬膜，很難對其進行厚度減縮。在掩模圖案形成工藝之前，需要另行使用用於縮減厚度的材料或者在掩模圖案形成工藝之後執行厚度縮減工藝，因此十分麻煩。此外，軋製的掩模金屬膜由於其兩端纏繞在支撐軸上導致支撐不穩定，因此大面積的條形掩模的各單元間還存在掩模圖案不均勻性變大的問題。當只朝一個方向進行蝕刻時，存在很難精確地控制掩模圖案的寬度、深度等的問題。
因此，本發明通過朝兩個方向對掩模圖案進行蝕刻工藝的同時通過支撐基板或者載體部支撐大面積的掩模或者條形掩模，從而提供能夠穩定地進行掩模圖案形成工藝並穩定地進行掩模金屬膜的厚度縮減工藝的掩模製造方法、大面積條形掩模的製造方法。
圖2至圖5是根據本發明的第一實施例的掩模製造過程的示意圖。各步驟中上方附圖是示意性俯視圖，下方附圖是示意性截面側視圖。
首先，參照圖2的(a)，可準備用於製造掩模的掩模金屬膜110。本發明的掩模100(或者條形掩模100，參照圖5)中形成有多個掩模圖案P，一個掩模100可包括多個以群集的掩模圖案P為單位的單元C。一個掩模單元C可對應一個智慧手機等的顯示器。圖5圖示了包括5個掩模單元C的條形掩模100的實施例。
掩模金屬膜110(或者掩模100)可以是因瓦合金(invar)、超因瓦合金(super invar)、鎳(Ni)、鎳-鈷(Ni-Co)等材料。掩模金屬膜110(或者掩模100)可使用利用軋製(rolling)工藝或者電鑄(electroforming)生成的金屬片材(sheet)。金屬片材可使用一面或者兩面經平坦化或者表面經厚度縮減的片材。而且，可利用CMP方法等執行平坦化、表面厚度縮減工序。通常，對於通過軋製(rolling)生成的金屬膜(sheet)的情況而言，表面即，上部面和下部面的結晶粒的形態、方向等與金屬膜的中央部存在差異。上層部與下層部通過軋製使晶粒朝軋製方向長長地排列且具有不規則的形態。相反，中央部上的晶粒大體沒有方向性且具有球形的形態，因此優選考慮使用中央部。
接著，掩模金屬膜110的至少第一面111(作為一示例，掩模金屬膜110的下部面)上可形成圖案化的第一絕緣部31。第一絕緣部31圖案間的空間32可對應掩模單元C地形成。
此外，在與掩模金屬膜110第一面111相對的第二面112(作為一示例，掩模金屬膜110的上部面)上可形成第二絕緣部41。第二絕緣部41圖案間的空間42可對應多個掩模單元C(作為一實施例，5個掩模單元)地形成。
如後所述，第一絕緣部31作為形成副掩模圖案P2的圖案，第二絕緣部41作為形成主掩模圖案P1的圖案，第一絕緣部31的圖案間隔(圖案間的空間32寬度)優選小於第二絕緣部41的圖案間隔(圖案間的空間42寬度)。
第一絕緣部31和第二絕緣部41可利用列印法等由光刻膠材料形成。將掩模金屬膜110的兩側固定在夾持手段(未圖示)等中並使其繃緊之後可形成第一絕緣部31和第二絕緣部41。
接著，參照圖2的(b)，可在金屬膜110的第一面(下部面)上形成副掩模圖案P2。副掩模圖案P2可通過對形成於掩模金屬膜110第一面(下部面)的第一絕緣部31的圖案間的空間32進行蝕刻而形成。副掩模圖案P2可形成於掩模金屬膜110的各掩模單元C區域，蝕刻可使用乾蝕刻、濕蝕刻等方法，而且沒有特別限制。
作為一示例，當採用濕蝕刻時，因各向同性蝕刻產生底切(undercut)，從而副掩模圖案P2的寬度可大於第一絕緣部31的圖案間的空間32寬度。因此，副掩模圖案P2相對於掩模金屬膜110的厚度優選以十分薄的厚度形成。即，以十分薄的厚度進行蝕刻以使掩模金屬膜110不被貫穿，以接近作為預設值的掩模圖案P下部寬度。根據一實施例，以約20μm厚度的掩模金屬膜110為基準，副掩模圖案P2的厚度約小於5μm，優選約小於2μm。副掩模圖案P2的寬度可約為10-25μm。
接著，參照圖3的(c)，可去除掩模金屬膜110第一面上的第一絕緣部31。副掩模圖案P2可暴露在第一面上。第二絕緣部41也可在此步驟形成，而不在圖2的步驟(a)中形成。
接著，參照圖3的(d)，準備支撐基板50，並可將掩模金屬膜110的第一面黏合在支撐基板50上。支撐基板50優選為面積大於掩模金屬膜110的平板狀，可由玻璃、石英等材料形成。
第二絕緣部41也可在此步驟形成，而不在圖2的步驟(a)中形成。此外，該情況下，在形成第二絕緣部41之前，也可在掩模金屬膜110的第二面上進一步進行CMP方法等的平坦化或者厚度縮減工藝。
掩模金屬膜110的第一面與支撐基板50可通過中間夾設隔板絕緣部60來黏合。在黏合之前，掩模金屬膜110的第一面和/或支撐基板50的上面可預先形成有隔板絕緣部60。隔板絕緣部60與第一絕緣部31和第二絕緣部41一樣，可以是光刻膠材料。隔板絕緣部60可填充於暴露在掩模金屬膜110的第一面上的副掩模圖案P2內。由此，在後述的主掩模圖案P1形成過程中可起到防止副掩模圖案P2發生變形的作用。
另外，在隔板絕緣部60與支撐基板50之間還可夾設臨時黏合部(未圖示)。在掩模金屬膜110上掩模圖案P工藝結束且直至製成掩模100之前，臨時黏合部能夠使掩模金屬膜110更加緊密地黏合在支撐基板50的一面並得到支撐。臨時黏合部可使用基於加熱可剝離的黏合劑、基於UV照射可剝離的黏合劑。
作為一示例，臨時黏合部可使用液蠟(liquid wax)。液蠟可使用半導體晶片的研磨工序等中使用的蠟，其種類沒有特別限制。作為主要用於控制與維持力有關的黏合力、耐衝擊性等的樹脂成分，液蠟可包括如丙烯酸、醋酸乙烯酯、尼龍及各種聚合物的物質及溶劑。作為一示例，臨時黏合部可使用包括作為樹脂成分的丁腈橡膠(ABR，Acrylonitrile butadiene rubber)，作為溶劑成分的n-丙醇的SKYLIQUIDABR-4016。液蠟可通過旋轉塗布來形成臨時黏合部55。
隔板絕緣部60在後述形成主掩模圖案P1的蝕刻工藝中，可起到防止蝕刻液進入至掩模金屬膜110與臨時黏合部的介面以損傷臨時黏合部/支撐基板50，以及防止主掩模圖案P1產生蝕刻誤差的作用。隔板絕緣部60可由不受蝕刻液蝕刻的負型、正型光刻膠材料通過列印方法等形成於掩模金屬膜110上。此外，為了在濕蝕刻工藝中保持原形，隔板絕緣部60還可使用固化負型光刻膠、含有環氧樹脂的負型光刻膠等。作為一示例，使用環氧樹脂系的SU-8光刻膠、黑色矩陣光刻膠(black matrix)，從而使其在臨時黏合部的烘培過程中一併固化。
接著，參照圖4的(e)，可在與掩模金屬膜110第一面(下部面)相對的第二面(上部面)上形成主掩模圖案P1。主掩模圖案P1可通過對形成於掩模金屬膜110第二面(上部面)的第二絕緣部41圖案間的空間42進行蝕刻而形成。主掩模圖案P1能夠以對應副掩模圖案P2地形成。主掩模圖案P1可形成於掩模金屬膜110的各掩模單元C區域，蝕刻可使用乾蝕刻、濕蝕刻等方法且沒有特別限制。
作為一示例，當使用濕蝕刻時，可產生基於各向同性蝕刻的底切(undercut)，因此主掩模圖案P1的寬度可大於第二絕緣部41的圖案間的空間42寬度。優選考慮上述內容後設定第二絕緣部41的圖案間的寬度。根據一實施例，以約20μm厚度的掩模金屬膜110為基準，主掩模圖案P1的厚度可約為15-18μm厚度。主掩模圖案P1的寬度可約為30-40μm，但不限於此。
主掩模圖案P1的蝕刻工藝可執行至形成有副掩模圖案P2的介面，即，形成有隔板絕緣部60的部分。主掩模圖案P1可連通至副掩模圖案P2。
接著，參照圖4的(f)，可去除第二絕緣部41。主掩模圖案P1的形成將貫穿掩模金屬膜110，主掩模圖案P1與副掩模圖案P2之和可構成掩模圖案P。隨著多個掩模圖案P的形成，掩模金屬膜110可作為掩模100而使用。
接著，參照圖5的(g)，可進一步執行從支撐基板50剝離掩模100的步驟。通過去除支撐基板50與掩模100之間的隔板絕緣部60來執行剝離，如果支撐基板50和掩模100是通過臨時黏合部進一步黏合的狀態，則通過對臨時黏合部進行加熱、化學處理、施加超聲波、施加UV中至少任意一個來進行剝離。
由此，可結束掩模100的製造。
另外，在執行至圖4的(f)步驟的狀態中還可使用疊層體，所述疊層體通過將掩模100以夾設隔板絕緣部60、臨時黏合部(未圖示)地黏合在支撐基板50上而形成。此時，在只移動支撐基板50便將掩模100對應至框架(未圖示)之後，可將掩模100附著在框架上。框架上附著有掩模100的框架一體型掩模可在OLED像素沉積工藝中使用。此外，為了在支撐基板50上焊接掩模100與框架，可在照射雷射的部分上進一步形成雷射通過孔(未圖示)。
圖6至圖8是根據本發明的另一第一實施例的掩模製造過程的示意圖。在各步驟中上方附圖是示意性俯視圖，下方附圖是示意性截面側視圖。
根據本發明的另一實施例的掩模製造過程可通過改變圖2至圖5中上述步驟中的一部分來執行。表示為(a1)、(b1)等的步驟對應上述圖2至圖5的(a)、(b)等的步驟。
參照圖6的(a1)，在準備用於製造掩模的掩模金屬膜110'之後，可在掩模金屬膜110'的第二面(上部面)上形成載體部65、70。載體部可以是形成有臨時黏合部65的平板狀載體基板70，也可以使用保護膜形態的載體部。此外，掩模金屬膜110'除了利用臨時黏合部、光刻膠以外還可以夾設酒精、水等或者利用靜電方式、磁力方式等黏合在載體基板70上。
接下來，參照圖6的(a2)，可在將掩模金屬膜110'黏合並支撐在載體部65、70的狀態下，執行厚度縮減工藝T。厚度縮減工藝T(或者平坦化工藝)可對掩模金屬膜110的一面(下部面)進行鏡面化的同時通過部分去除掩模金屬膜110來縮減厚度。厚度縮減T可採用CMP(Chemical Mechanical Polishing)方法執行，可使用悉知的CMP方法且沒有特別限制。此外，也可以通過化學濕蝕刻(chemical wet etching)或者乾蝕刻(dry etching)方法縮減T掩模金屬膜110'的厚度。除此之外，只要是能夠縮減掩模金屬膜110'厚度的平坦化工藝皆可使用，對其沒有限制。
經軋製工藝製造的掩模金屬膜110'具有大於數十μm的厚度，為了製造具有高解析度的掩模，需要縮減厚度。此外，經電鑄工藝製造的掩模金屬膜110'同樣為了控制表面特性、厚度，可執行厚度縮減或者平坦化工藝。隨著掩模金屬膜110'厚度的縮減，掩模金屬膜110'-＞110的厚度可約為5μm至20μm。
載體部65、70黏合並支撐掩模金屬膜110'，從而具有可穩定地執行厚度縮減T工藝的優點。厚度縮減可只對用於形成掩模圖案P的區域即掩模單元C區域執行，在掩模單元C區域以外的虛設部區域，由於焊接部(未圖示)以較厚的厚度形成，因此，將掩模100焊接到框架(未圖示)上時具有能夠使焊接穩定地進行的優點。
接下來，參照圖7的(a3)，可在掩模金屬膜110的第一面(下部面)上形成圖案化的第一絕緣部31。這與圖2的步驟(a)相同，因此省略其詳細說明。
另外，在形成第一絕緣部31之前，可在除掩模金屬膜110的多個掩模單元區域以外的兩側虛設部區域的至少一部分上形成對準標識AM。對準標識AM可形成於兩側虛設部區域以便於在形成主掩模圖案P1的步驟[圖8的步驟(d1)之後，對應圖4的步驟(e)]中去除。從載體部65、70剝離掩模金屬膜110之後將其黏合到支撐基板50上，並為了形成與副掩模圖案P2對應的主掩模圖案P1而形成第二絕緣部41時，可將對準標識AM作為對準的基準使用。對準標識AM也可以如同掩模圖案P的形成工藝通過蝕刻工藝而形成。對準標識AM能夠以貫穿掩模金屬膜110狀形成，或者通過半蝕刻可局部形成。
接下來，參照圖7的(b1)，可在金屬膜110的第一面(下部面)上形成副掩模圖案P2。該過程與圖2的(b)步驟相同，因此省略其詳細說明。
接下來，參照圖8的(c1)，可去除掩模金屬膜110第一面上的第一絕緣部31。副掩模圖案P2可暴露於第一面。
接下來，參照圖8的(d1)，可準備支撐基板50，並將掩模金屬膜110的第一面黏合在支撐基板50上。這與圖3的(d)步驟相同。只是，隔板絕緣部60不僅填充在副掩模圖案P2中而且還可填充在對準標識AM內。
此外，可在與掩模金屬膜110第一面相對的第二面[作為一示例，掩模金屬膜110的上部面]上形成第二絕緣部41。此時，可使第二絕緣部41不形成於對準標識AM之上。在接下來用於形成主掩模圖案P1的蝕刻過程中，對準標識AM暴露在蝕刻液中，從而將與虛設部區域部分115一起被去除。
接下來，可在掩模金屬膜110的第二面(上部面)上形成主掩模圖案P1。主掩模圖案P1可通過在形成於掩模金屬膜110第二面(上部面)的第二絕緣部41圖案間的空間42進行蝕刻而形成。這與圖4的(e)對應，形成有主掩模圖案P1的同時形成有對準標識AM的虛設部區域部分115也可通過蝕刻得以去除。
然後，再經過圖4的步驟(f)和圖5的步驟(g)可結束掩模100的製造。
另外，如圖6的(a2)所示的縮減掩模金屬膜110'厚度T的工藝，也可在形成主掩模圖案P1之前執行。在形成副掩模圖案P2的狀態下，對副掩模圖案P2的反面進行厚度縮減T，因此不會影響主掩模圖案P1。此外，掩模金屬膜110'處於通過夾設隔板絕緣部60/臨時黏合部黏合並支撐在支撐基板50上的狀態，因此具有可穩定地執行厚度縮減T工藝的優點。
圖9至圖12是根據本發明的第二實施例的掩模製造過程的示意圖。在各步驟中上方附圖是示意性俯視圖，下方附圖是示意性截面側視圖。下面，對於與圖2至圖5的上述第一實施例相同的過程，將省略其說明。
首先，參照圖9的(a)，可準備用於製造掩模的掩模金屬膜110。本發明的掩模100(參照圖12)形成有多個掩模圖案P，一個掩模100可包括一個以群集的掩模圖案P為單位的單元C。一個掩模單元C可對應一個智慧手機等的顯示器。圖12圖示了包括1個掩模單元C的條形掩模100的實施例。掩模金屬膜110的材料與圖2的(a)中所述材料相同。
接著，可在掩模金屬膜110的至少第一面111(作為一示例，掩模金屬膜110的下部面)上形成圖案化的第一絕緣部31。第一絕緣部31圖案間的空間32可對應掩模單元C地形成。
此外，可在與掩模金屬膜110第一面111相對的第二面112(作為一示例，掩模金屬膜110的上部面)上形成第二絕緣部41。第二絕緣部41圖案間的空間42可對應掩模單元C地形成。
第一絕緣部31的圖案間隔(圖案間空間32的寬度)優選小於第二絕緣部41的圖案間隔(圖案間空間42的寬度)。
第一絕緣部31和第二絕緣部41可利用列印法等由光刻膠材料形成。將掩模金屬膜110的兩側固定在夾持手段(未圖示)等中並使其繃緊之後可形成第一絕緣部31和第二絕緣部41。
然後，參照圖9的(b)，可在金屬膜110的第一面(下部面)上形成副掩模圖案P2。副掩模圖案P2可形成於掩模金屬膜110的掩模單元C區域。副掩模圖案P2的形成方法與圖2的(b)所述的方法相同。
然後，參照圖10的(c)，可去除掩模金屬膜110第一面上的第一絕緣部31。副掩模圖案P2可暴露在第一面上。第二絕緣部41也可在此步驟形成，而不在圖9的步驟(a)中形成。
接著，參照圖10的(d)，可準備支撐基板50，並將掩模金屬膜110的第一面黏合在支撐基板50上。
第二絕緣部41也可在此步驟形成，而不在圖9的步驟(a)中形成。此外，這種情況下，在形成第二絕緣部41之前，在掩模金屬膜110的第二面上可進一步執行CMP方法等的平坦化或者厚度縮減工藝。
掩模金屬膜110的第一面與支撐基板50可通過中間夾設隔板絕緣部60來黏合。此外，在隔板絕緣部60與支撐基板50之間還可夾設臨時黏合部(未圖示)。
然後，參照圖11的(e)，可在與掩模金屬膜110第一面(下部面)相對的第二面(上部面)上形成主掩模圖案P1。主掩模圖案P1的蝕刻工藝可執行至形成有副掩模圖案P2的介面，即形成有隔板絕緣部60的部分。主掩模圖案P1可連通至副掩模圖案P2。
接著，參照圖11的(f)，可去除第二絕緣部41。由於形成主掩模圖案P1，掩模金屬膜110被貫穿，因此可通過主掩模圖案P1和副掩模圖案P2之和構成掩模圖案P。基於多個掩模圖案P的形成，掩模金屬膜110可作為掩模100使用。
接著，參照圖12的(g)，可進一步執行將掩模100從支撐基板50剝離的步驟。由此，可結束掩模100的製造。
另外，在執行至圖11的(f)步驟的狀態中還可使用疊層體，所述疊層體通過將掩模100以夾設隔板絕緣部60、臨時黏合部(未圖示)地黏合在支撐基板50上而形成。
圖13至圖15是根據本發明的另一第二實施例的掩模製造過程的示意圖。在各步驟中，上方附圖是示意性俯視圖，下方附圖是示意性截面側視圖。
根據本發明的另一實施例的掩模製造過程可通過改變圖9至圖12中上述步驟中的一部分來執行。表示為(a1)、(b1)等的步驟是指對應上述圖9至圖12的(a)、(b)等的步驟。此外，下面，對於與圖6至圖8中的上述第一實施例相同的過程，將省略其說明。
參照圖13的(a1)，在準備用於製造掩模的掩模金屬膜110'之後，可在掩模金屬膜110'的第二面(上部面)上形成載體部65、70。
接下來，參照圖13的(a2)，可在將掩模金屬膜110'黏合並支撐在載體部65、70的狀態下，執行厚度縮減T工藝。
接下來，參照圖14的(a3)，可在掩模金屬膜110的第一面(下部面)上形成圖案化的第一絕緣部31。這與圖9的步驟(a)相同，因此省略其詳細說明。
另外，在形成第一絕緣部31之前，可在除掩模金屬膜110的多個掩模單元區域以外的兩側虛設部區域的至少一部分上形成對準標識AM。對準標識AM可形成於兩側虛設部區域以便在形成主掩模圖案P1的步驟[圖15的步驟(d1)之後，與圖11的步驟(e)對應]中去除。
接下來，參照圖14的(b1)，可在金屬膜110的第一面(下部面)上形成副掩模圖案P2。這與圖9的(b)步驟相同，因此省略其詳細說明。
接下來，參照圖15的(c1)，可去除掩模金屬膜110第一面上的第一絕緣部31。副掩模圖案P2可暴露在第一面。
接下來，參照圖15的(d1)，可準備支撐基板50，並將掩模金屬膜110的第一面黏合在支撐基板50上。這與圖10的(d)步驟相同。只是，隔板絕緣部60不僅填充在副掩模圖案P2中而且還可填充在對準標識AM內。
此外，可在與掩模金屬膜110第一面相對的第二面[作為一示例，掩模金屬膜110的上部面]上形成第二絕緣部41。此時，可使第二絕緣部41不形成於對準標識AM之上。在接下來的用於形成主掩模圖案P1的蝕刻過程中，對準標識AM暴露在蝕刻液中，從而與虛設部區域部分115一起被去除。
接下來，可在掩模金屬膜110的第二面(上部面)上形成主掩模圖案P1。這與圖11的(e)對應，在形成有主掩模圖案P1的同時形成有對準標識AM的虛設部區域部分115也可通過蝕刻得以去除。
然後，再經過圖11的步驟(f)及圖12的步驟(g)可結束掩模100的製造。
另外，如圖13的(a2)所示的縮減掩模金屬膜110'厚度T的工藝，也可在形成主掩模圖案P1之前執行。
如上所述，本發明通過使用支撐基板60和載體部65、70，在黏合並支撐掩模金屬膜110的狀態下，可朝兩個方向進行掩模圖案P的蝕刻工藝，從而具有可穩定地形成掩模圖案P且在大面積的掩模100中使各單元形成均勻的掩模圖案P的效果。此外，還具有可穩定地執行掩模金屬膜110的厚度縮減工藝的效果。
如上所述，本發明列舉了優選實施例進行圖示和說明，但是本發明不限於上述實施例，在不脫離本發明的精神的範圍內，本領域技術人員能夠進行各種變形和變更。這種變形及變更均落在本發明和所附的申請專利範圍的範圍內。
31、41:第一絕緣部、第二絕緣部
32、42:第一絕緣部圖案間的空間、第二絕緣部圖案間的空間
50:支撐基板
60:隔板絕緣部
65、70:載體部
100:掩模
110:掩模金屬膜
C:單元、掩模單元
DM:虛設部、掩模虛設部
P:掩模圖案
P1:主掩模圖案
P2:副掩模圖案
圖1是將掩模附著在框架上的過程的示意圖。
圖2至圖5是根據本發明第一實施例的掩模製造過程的示意圖。各步驟中上方附圖是示意性俯視圖，下方附圖是示意性截面側視圖。
圖6至圖8是根據本發明的另一第一實施例的掩模製造過程的示意圖。各步驟中上方附圖是示意性俯視圖，下方附圖是示意性截面側視圖。
圖9至圖12是根據本發明的第二實施例的掩模製造過程的示意圖。各步驟中上方附圖是示意性俯視圖，下方附圖是示意性截面側視圖。
圖13至圖15是根據本發明的另一第二實施例的掩模製造過程的示意圖。各步驟中上方附圖是示意性俯視圖，下方附圖是示意性截面側視圖。
41:第一絕緣部、第二絕緣部
42:第一絕緣部圖案間的空間、第二絕緣部圖案間的空間
50:支撐基板
60:隔板絕緣部
100:掩模
110:掩模金屬膜
P:掩模圖案
P1:主掩模圖案
P2:副掩模圖案
Claims (9)
- 一種掩模製造方法，其用於製造OLED像素形成用掩模，該方法包括以下步驟：(a)準備掩模金屬膜，該掩模金屬膜具有可包含一個掩模單元區域或者多個掩模單元區域的大小；(b)在掩模金屬模的第二面上形成載體部；(c)在掩模金屬膜的至少第一面上形成圖案化的第一絕緣部；(d)在掩模金屬膜的第一面上通過第一絕緣部圖案間的空間在掩模金屬膜上形成副掩模圖案；(e)通過夾設隔板絕緣部來黏合形成有副掩模圖案的掩模金屬膜的第一面與支撐基板；(f)將載體部從掩模金屬模的第二面剝離；(g)通過在與掩模金屬膜的第一面相對的第二面上形成的第二絕緣部的圖案間的空間在掩模金屬膜上形成主掩模圖案來製造掩模；(h)從支撐基板剝離掩模，在步驟(e)中，隔板絕緣部填充於暴露在掩模金屬膜的第一面上的副掩模圖案內。
- 如請求項1所述的掩模製造方法，其中，在步驟(d)中，副掩模圖案以不貫穿掩模金屬膜地形成。
- 如請求項1所述的掩模製造方法，其中，第一絕緣部的圖案間隔小於第二絕緣部的圖案間隔。
- 如請求項1所述的掩模製造方法，其中，在步驟(g)中，主掩模圖案以貫穿掩模金屬膜地形成，主掩模圖案與副掩模圖案之和構成掩模圖案。
- 如請求項1所述的掩模製造方法，其中，在步驟(b)與步驟(c)之 間，進一步包括在掩模金屬膜的第一面上縮減掩模金屬膜的厚度的步驟。
- 如請求項1所述的掩模製造方法，其中，在步驟(b)與步驟(c)之間，進一步包括在除掩模金屬膜的多個掩模單元區域以外的兩側虛設部區域的至少一部分上形成對準標識的步驟。
- 如請求項6所述的掩模製造方法，其中，第二絕緣部不形成於該對準標識上面，在步驟(g)中去除掩模金屬膜的該對準標識。
- 如請求項1所述的掩模製造方法，其中，在步驟(f)與步驟(g)之間，在掩模金屬膜的第二面上縮減掩模金屬膜的厚度。
- 如請求項1所述的掩模製造方法，其中，在多個掩模單元區域上形成主掩模圖案和副掩模圖案。
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