WO2016002788A1 - 転写用基板の製造方法及び転写用基板 - Google Patents
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- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
Definitions
- the present invention relates to a transfer substrate manufacturing method and a transfer substrate that can safely peel a plated portion formed on a transfer substrate and can transfer to a printing material without destroying a conductive pattern.
- FIG. 11 is a schematic diagram showing a method for manufacturing a transfer substrate used in a conventional method for forming a conductive pattern.
- a silicon resin primer 11 is applied to one surface of a highly peelable substrate 10 and dried.
- an adhesive silicon resin layer 12 is applied and semi-cured, and a silicon resin layer 13 having low tackiness is applied thereon and cured by heating.
- the transfer substrate 20 having the protrusions 14 is formed by removing the silicon resin layer 13 in the plating region and washing / drying.
- FIG. 12 is a schematic diagram showing a method of manufacturing a wiring board using a conventional transfer substrate 20.
- the transfer substrate 20 shown in FIG. 12 (a) is treated with a diluted acid and then washed with water.
- the plating treatment is performed so that the thickness of the plating portion 15 matches the height of the projection portion 14. Do.
- an adhesive 17 is applied to the substrate 16 to be transferred, and bonded to the transfer substrate 20 that has been plated as shown in FIG. 12 (d). Then, by peeling from the end portion of the transfer substrate 20, the plating portion 15 adheres to the adhesive 17 and is transferred to the transfer substrate 16 as shown in FIG. And by baking, as shown in FIG.12 (f), the wiring board 18 in which the plating part 15 was formed as an electroconductive pattern is obtained.
- the adhesive silicon resin layer 12 for bonding the silicon resin layer 13 having low tackiness to one surface of the substrate 10 having high peelability has high tackiness and has a certain thickness as an adhesive layer. For example, a thickness of 10 ⁇ m to 100 ⁇ m is required. As a result, the silicon resin layer 13 having a high tackiness of 10 ⁇ m or more is exposed on the side surface portion of the plated portion 15, and the plated portion 15 cannot be peeled off well and may be damaged. was there.
- the thickness of the plating part 15 is 10 ⁇ m or less, the entire side surface part of the plating part 15 comes into contact with the silicon resin layer 13 having high tackiness. Therefore, there is also a problem that the plating part 15 becomes more difficult to peel off.
- This invention is made
- substrate for transfer (a transfer sheet etc. is included) can be peeled safely, and it becomes a printing material, without destroying an electroconductive pattern. It is an object of the present invention to provide a method for producing a transfer substrate that can be transferred and a transfer substrate.
- a method for producing a transfer substrate according to the present invention includes an electrodeposition region for electrodeposition of plating and a non-electrodeposition region for electrodeposition of plating, and a transfer substrate for transferring a plating pattern.
- a metal plate preparation step for preparing a metal plate having a plurality of holes arranged in a matrix in the non-electrodeposition region and having no holes in the electrodeposition region;
- the electrodeposition region for electrodeposition of plating and the non-electrodeposition region for non-electrodeposition of plating have a plurality of holes arranged in a matrix in the non-electrodeposition region.
- a mask is formed on the surface of the electrodeposition region of the metal plate, the metal plate on which the mask is formed is inserted into a mold, filled with silicon resin and cured, and then the mold and mask are removed from the silicon resin and the metal plate. .
- the silicon resin having low tackiness can be cured in a state where it is connected to the front and back of the metal plate through the hole, it can be fixed to the metal plate without using an adhesive. Therefore, since there is no adhesive layer, the plating portion can be stably peeled off, and a transfer substrate that can form a plating pattern without damaging the printing material can be manufactured.
- the mask in the method for producing a transfer substrate according to the present invention is preferably a peelable resist.
- the peelable resist is formed on the surface of the electrodeposition region of the metal plate, if the silicon resin is filled after the peelable resist is formed, the silicon resin does not contact the electrodeposition region, and the peelable resist is formed. By removing, the electrodeposition region can be easily exposed.
- a method for producing a transfer substrate according to the present invention includes an electrodeposition region for electrodeposition of plating and a non-electrodeposition region for electrodeposition of plating, and transferring a plating pattern.
- a method for manufacturing a substrate for a metal plate comprising a plurality of holes arranged in a matrix in the non-electrodeposition region, and a metal plate preparation step of preparing a metal plate having no holes in the electrodeposition region
- a mold pattern having a convex portion at a position corresponding to the electrodeposition region of the metal plate is prepared, and the metal plate is masked by arranging the mold pattern so that the convex portion is in close contact with the electrodeposition region.
- the metal plate masked by the mold pattern is inserted into the mold, filled with silicon resin and cured, and the mold and mold pattern are removed from the silicon resin and metal plate.
- a method for producing a transfer substrate according to the present invention includes an electrodeposition region for electrodeposition of plating and a non-electrodeposition region for electrodeposition of plating, and transferring a plating pattern.
- a method for manufacturing a substrate for a mesh comprising: a mesh screen preparing step of preparing a metal mesh screen; a metal thin film forming step of forming a metal thin film on a surface of the electrodeposition region of the mesh screen; A masking step of forming a mask on the substrate, a silicon resin molding step of inserting the mesh screen on which the mask is formed into a mold, and filling and curing the silicon resin, and the mold and the mask to the silicon resin and the mesh screen. And a removing step of removing from the substrate.
- a metal thin film is formed on the surface of the electrodeposition region of the metal mesh screen, a mask is formed on the metal thin film, and the mesh screen with the mask formed is inserted into a mold and filled with silicon resin. After curing, the mold and mask are removed from the silicone resin and mesh screen.
- the silicon resin having low tack property can be cured from the non-electrodeposited area of the mesh screen to both the front and back surfaces of the mesh screen and connected to the front and back surfaces, so that the metal can be used without using an adhesive. Can be fixed to the board. Therefore, since there is no adhesive layer, the plating portion can be stably peeled off, and a transfer substrate that can form a plating pattern without damaging the printing material can be manufactured.
- a transfer substrate is a transfer substrate having a power feeding metal plate and a silicon resin that covers the metal plate with a predetermined pattern, and the metal plate
- the surface of the electrode is divided into an electrodeposition region for electrodeposition of plating and a non-electrodeposition region for non-electrodeposition of plating, the non-electrodeposition region having a plurality of holes arranged in a matrix, and silicon
- the surface of the metal plate and a plurality of holes are covered with resin, and the electrodeposition region is not covered with the surface of the metal plate with silicon resin, and an oxide film is exposed.
- the surface of the metal plate is divided into an electrodeposition region in which plating is electrodeposited and a non-electrodeposition region in which plating is not electrodeposited.
- the non-electrodeposition region has a plurality of holes arranged in a matrix, the surface of the metal plate and the plurality of holes are covered with silicon resin, and the electrodeposition region is the surface of the metal plate with silicon resin The oxide film is exposed without being covered.
- the silicon resin having a low tack property can be cured in a state where it is connected to the front and back of the metal plate through the hole, and thus can be fixed to the metal plate without using an adhesive. Therefore, since there is no adhesive layer, the plating portion can be stably peeled off, and a transfer substrate that can form a plating pattern without damaging the printing material can be manufactured.
- FIG. 2 is a cross-sectional view of the metal plate shown in FIG.
- the manufacturing method of the transfer substrate concerning Embodiment 1 of the present invention it is a sectional view showing composition of a metal plate after oxidation treatment (surface treatment).
- the manufacturing method of the transfer substrate concerning Embodiment 1 of the present invention it is a sectional view showing composition of a metal plate after resist formation.
- the manufacturing method of the transfer substrate concerning Embodiment 1 of the present invention it is a sectional view showing composition of a metal plate after filling with silicon resin.
- FIG. 1 is a plan view of a metal plate serving as a basis of a transfer substrate in the transfer substrate manufacturing method according to Embodiment 1 of the present invention.
- 2 is a cross-sectional view taken along line AA of the metal plate shown in FIG. 1 in the method for manufacturing a transfer substrate according to the first embodiment of the present invention.
- the metal plate 30 is a SUS metal plate having a thickness of 10 to 50 ⁇ m.
- the non-electrodeposition region 33 which is a region in which plating is not electrodeposited when used as a transfer substrate, a plurality of holes are formed in a matrix shape with a pitch of 40 ⁇ m and a diameter of 20 ⁇ m by a YAG laser or the like. 31 is provided.
- the hole 31 is not provided in the electrodeposition region 32 for electrodeposition of plating.
- being arranged in a matrix means that the elements are alternately arranged in a staggered manner.
- the size of the hole 31 is preferably smaller than the interval between the plating patterns. Since the interval between the plating patterns is approximately 20 ⁇ m or more, the diameter of the hole 31 may be 10 to 20 ⁇ m.
- the method of forming the hole 31 is not limited to the method of making a hole with a YAG laser or the like.
- the hole may be formed by patterning an etching resist by photolithography and etching.
- a metal foil with holes (made of nickel) may be formed by nickel electroforming.
- the metal plate includes a metal thin plate such as a metal foil.
- FIG. 3 is a cross-sectional view showing the configuration of the metal plate 30 after the oxidation treatment (surface treatment) in the transfer substrate manufacturing method according to Embodiment 1 of the present invention.
- the surface treatment for improving the peelability of the plating the surface of the metal plate 30 is subjected to chromic acid treatment.
- a chromium oxide film 35 is formed in the electrodeposition region 32 of the metal plate 30.
- the plating portion formed in the electrodeposition region 32 is easily peeled off.
- the surface treatment is not limited to the treatment of forming the chromium oxide film 35 on the surface of the metal plate 30, and is, for example, the treatment of forming a nickel oxide film, a chromium nitride film or the like on the surface of the metal plate 30. May be.
- FIG. 4 is a cross-sectional view showing the configuration of the metal plate 30 after resist formation in the method for manufacturing a transfer substrate according to the first embodiment of the present invention.
- a stripping resist (mask) 36 is applied with a film thickness of 10 ⁇ m or more.
- a plating pattern is formed along the pattern formed in the electrodeposition region 32 by photolithography.
- FIG. 5 is a cross-sectional view showing the configuration of the metal plate 30 after being filled with silicon resin in the method for manufacturing a transfer substrate according to the first embodiment of the present invention.
- the mold 70 is filled with a silicon resin 10, such as Dow Corning Sylgard 184 and other polydimethylsiloxane (PDMS) main agent and a curing agent mixed at a predetermined ratio and defoamed.
- PDMS polydimethylsiloxane
- the metal plate 30 is filled so as to cover both front and back surfaces. Heat in a packed state at 150 ° C. for 30 minutes. By heating and curing, the metal plate 30 is sandwiched by the silicon resin 10 except for the portion in contact with the peelable resist 36.
- FIG. 6 is a cross-sectional view showing the configuration of the metal plate 30 from which the peelable resist 36 has been removed in the method for manufacturing a transfer substrate according to Embodiment 1 of the present invention.
- the mold 70 is removed, and the stripping resist 36 is dissolved and stripped with acetone or the like.
- the transfer substrate 40 in which the chromic acid-treated metal plate 30 is exposed from the opening (bottom surface) of the silicon resin 10 is completed.
- the silicone resin 10 is cured and molded in a state of being connected to the front and back of the metal plate 30 through the plurality of holes 31 provided in the metal plate 30, the adhesiveness is high, but the releasability is deteriorated.
- a transfer substrate 40 composed of only a material having a high releasability such as a silicon resin having a low tack property.
- FIG. 7 is a diagram for explaining a method of forming a plating pattern using the transfer substrate 40 manufactured in the transfer substrate manufacturing method according to Embodiment 1 of the present invention.
- a transfer substrate 40 functioning as a cathode is immersed in an electrolytic plating tank 51 in which a plating solution 50 such as copper or nickel is stored.
- An anode electrode (anode) 52 is installed at a position facing the transfer substrate 40 in the electrolytic plating tank 51.
- a direct current power source 53 is connected to the lead terminal 61 and the anode electrode 52 from the metal plate 30 and a current is applied to form a plating portion in the electrodeposition region 32 of the transfer substrate 40.
- the film thickness of the plating part to be formed is, for example, 10 ⁇ m.
- the silicon resin 10 having low tackiness can be cured in a state where the silicon resin 10 is connected to the front and back of the metal plate 30 through the hole portion 31, and therefore an adhesive is used. Without being fixed to the metal plate 30. Therefore, since there is no adhesive layer, it is possible to manufacture the transfer substrate 40 that can stably peel the plating portion and can form a plating pattern without damaging the printing material. .
- the manufacturing method of the transfer substrate 40 according to the second embodiment of the present invention is the same as that of the first embodiment up to the procedure of oxidizing the metal plate 30 (surface treatment). Detailed description is omitted.
- the second embodiment is different from the first embodiment in that a mold pattern is used.
- FIG. 8 is a cross-sectional view showing a configuration of the metal plate 30 in which a mold pattern having a convex portion is closely attached in the method for manufacturing a transfer substrate according to the second embodiment of the present invention.
- a mold pattern 71 having a convex portion at a position corresponding to the electrodeposition region 32 and having a thickness of 10 ⁇ m or more is formed in advance (mold pattern preparation step).
- a mold pattern 71 is arranged so that the convex portions are in close contact with the electrodeposition region 32 (masking step).
- FIG. 9 is a cross-sectional view showing the configuration of the metal plate 30 after being filled with the silicon resin 10 in the transfer substrate manufacturing method according to the second embodiment of the present invention.
- the mold 70 is filled with a silicone resin 10 such as Sylgard 184 manufactured by Dow Corning and mixed with a main agent of polydimethylsiloxane (PDMS) and a curing agent in a predetermined ratio and defoamed.
- PDMS polydimethylsiloxane
- the metal plate 30 is filled so as to cover both front and back surfaces.
- the silicon resin 10 is not filled in the electrodeposition region 32 that is in close contact with the convex portion of the mold pattern 71, and the silicon resin 10 flows through the non-electrodeposition region 33 where the plurality of hole portions 31 are present. Heating is performed at 150 ° C. for 30 minutes in a state filled with the silicon resin 10 so as to cover both the front and back surfaces of the metal plate 30. By heating and curing, the metal plate 30 is sandwiched between the silicon resins 10 except for the electrodeposition region 32 where the convex portions of the mold pattern 71 are in close contact.
- the silicon resin 10 having low tackiness can be cured in a state where the silicon resin 10 is connected to the front and back of the metal plate 30 through the hole portion 31, and thus an adhesive is used. Without being fixed to the metal plate 30. Therefore, since there is no adhesive layer, it is possible to manufacture the transfer substrate 40 that can stably peel the plating portion and can form a plating pattern without damaging the printing material. .
- FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a plating pattern is formed using a mesh screen in the method for manufacturing a transfer substrate according to another embodiment of the present invention.
- a metal pattern 92 is formed as a metal thin film (metal thin film forming step).
- the silicon resin 10 can flow into the front and back surfaces of the mesh screen 91 from the gap between the mesh screen 91, that is, the non-electrodeposition region 33. Since it can be cured in a wet state, it can be fixed without using an adhesive. As a result, a transfer substrate 40a as shown in FIG. 10B is manufactured.
- a chromium oxide film (release film) 35 is formed on the metal pattern 92. Thereby, when it transfers using the transfer substrate 40, the plating part formed in the electrodeposition area
- the surface treatment is not limited to the treatment of forming the chromium oxide film 35 on the surface of the metal mesh screen 91 as shown in FIG. 3, for example, a nickel oxide film on the surface of the mesh screen 91, A process of forming a chromium nitride film or the like may be used.
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Abstract
転写用基板(転写シート等を含む)に形成されためっき部を安全に剥離することができ、導電性パターンを崩すことなく印刷材に転写することが可能な転写用基板の製造方法及び転写用基板を提供する。 本発明に係る転写用基板の製造方法は、めっきを電着させる電着領域32及びめっきを電着させない非電着領域33を有し、めっきパターンを転写する。非電着領域33においては行列状に並んだ複数の孔部31を有し、電着領域32においては孔部31を有さない金属板30を準備する。金属板30の電着領域32の表面にマスク36を形成し、マスク36が形成された金属板30を型に挿入してシリコン樹脂10を充填して硬化させ、型70及びマスク36をシリコン樹脂10及び金属板30から除去する。
Description
本発明は、転写用基板に形成されためっき部を安全に剥離することができ、導電性パターンを崩すことなく印刷材に転写することが可能な転写用基板の製造方法及び転写用基板に関する。
近年、電子機器の高機能化、小型化、薄型化等の要求に伴い、通常のプリント配線板(PCB)の製造方法以外の方法により配線パターンを形成する必要がある。例えば導電性パターンを他の被転写基板に転写することにより、導電性パターンを形成する方法が知られている。
例えば特許文献1では、図11及び図12に示すような工程で導電性パターンを形成する。まず、図11は、従来の導電性パターンの形成方法に用いる転写用基板の製造方法を示す模式図である。図11(a)に示すように、高い剥離性を有する基板10の一面にシリコン樹脂用プライマ11を塗布して乾燥する。その後、接着用シリコン樹脂層12を塗布し、半硬化させ、その上に低いタック性を有するシリコン樹脂層13を塗布して加熱硬化させる。そして、図11(b)に示すように、めっき領域のシリコン樹脂層13を除去して水洗/乾燥することにより、突起部14を有する転写用基板20を作成する。
図12は、従来の転写用基板20を用いた配線基板の製造方法を示す模式図である。図12(a)に示す転写用基板20を希酸処理してから水洗し、図12(b)に示すように、めっき部15の厚みが突起部14の高さと一致するようにめっき処理を行う。
一方、図12(c)に示すように、被転写基板16に接着剤17を塗布し、図12(d)に示すように、めっき処理を行った転写用基板20に貼り合わせる。そして、転写用基板20の端部から剥離させることで、図12(e)に示すように、めっき部15が接着材17に付着して被転写基板16に転写される。そして焼成することにより、図12(f)に示すように、めっき部15が導電性パターンとして形成された配線基板18を得る。
しかし、特許文献1のように、高い剥離性を有する基板10の一面に低いタック性を有するシリコン樹脂層13を接着させる接着用シリコン樹脂層12は、タック性が高く、接着層として一定の厚み、例えば10μm~100μmの厚みが必要となる。その結果、めっき部15の側面部には10μm以上、高いタック性を有するシリコン樹脂層13が露出することになり、めっき部15をうまく剥離することができずに損傷するおそれがあるという問題点があった。
また、めっき部15の厚み自体が10μm以下である場合、めっき部15の側面部全体が高いタック性を有するシリコン樹脂層13と接することになる。したがって、めっき部15をより剥離しにくくなるという問題点もあった。
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、転写用基板(転写シート等を含む)に形成されためっき部を安全に剥離することができ、導電性パターンを崩すことなく印刷材に転写することが可能な転写用基板の製造方法及び転写用基板を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明に係る転写用基板の製造方法は、めっきを電着させる電着領域及びめっきを電着させない非電着領域を有し、めっきパターンを転写する転写用基板の製造方法であって、前記非電着領域においては行列状に並んだ複数の孔部を有し、前記電着領域においては孔部を有さない金属板を準備する金属板準備工程と、前記金属板の前記電着領域の表面にマスクを形成するマスキング工程と、マスクが形成された前記金属板を型に挿入してシリコン樹脂を充填して硬化させるシリコン樹脂成型工程と、前記型及び前記マスクを前記シリコン樹脂及び前記金属板から除去する除去工程とを含むことを特徴とする。
上記構成では、めっきを電着させる電着領域及びめっきを電着させない非電着領域を有し、非電着領域においては行列状に並んだ複数の孔部を有し、電着領域においては孔部を有さない金属板を準備する。金属板の電着領域の表面にマスクを形成し、マスクが形成された金属板を型に挿入してシリコン樹脂を充填して硬化させた後、型及びマスクをシリコン樹脂及び金属板から除去する。これにより、低いタック性を有するシリコン樹脂を、孔部を通して金属板の表裏で連結させた状態で硬化させることができるので、接着剤を用いることなく金属板に固定することができる。したがって、接着層が存在しないので、めっき部を安定して剥離させることができ、被印刷材に損傷を与えることなくめっきパターンを形成することができる転写用基板を製造することが可能となる。
また、本発明に係る転写用基板の製造方法は、金属板に離型膜を形成することが好ましい。
上記構成では、金属板に離型膜を形成するので、電着領域に形成されためっき部が剥離しやすくなる。
また、本発明に係る転写用基板の製造方法におけるマスクは、剥離性レジストであることが好ましい。
上記構成では、金属板の電着領域の表面に剥離性レジストを形成するので、剥離性レジスト形成後にシリコン樹脂を充填すれば、電着領域上にシリコン樹脂が接することがなく、剥離性レジストを除去することにより電着領域を容易に露出することができる。
次に、上記目的を達成するために本発明に係る転写用基板の製造方法は、めっきを電着させる電着領域及びめっきを電着させない非電着領域を有し、めっきパターンを転写する転写用基板の製造方法であって、前記非電着領域においては行列状に並んだ複数の孔部を有し、前記電着領域においては孔部を有さない金属板を準備する金属板準備工程と、前記金属板の前記電着領域に対応する位置に凸部を有するモールドパターンを準備するモールドパターン準備工程と、前記凸部が前記電着領域に密着するように、前記金属板に前記モールドパターンを配置して前記金属板をマスクするマスクキング工程と、前記モールドパターンによりマスクされた前記金属板を型に挿入してシリコン樹脂を充填して硬化させるシリコン樹脂成型工程と、前記型及び前記モールドパターンを前記シリコン樹脂及び前記金属板から除去する除去工程とを含むことを特徴とする。
上記構成では、金属板の電着領域に対応する位置に凸部を有するモールドパターンを準備し、凸部が電着領域に密着するように、金属板にモールドパターンを配置して金属板をマスクする。モールドパターンによりマスクされた金属板を型に挿入してシリコン樹脂を充填して硬化させ、型及びモールドパターンをシリコン樹脂及び金属板から除去する。これにより、低いタック性を有するシリコン樹脂を、孔部を通して金属板の表裏で連結させた状態で硬化させることができるので、接着剤を用いることなく金属板に固定することができる。したがって、接着層が存在しないので、めっき部を安定して剥離させることができ、被印刷材に損傷を与えることなくめっきパターンを形成することができる転写用基板を製造することが可能となる。
次に、上記目的を達成するために本発明に係る転写用基板の製造方法は、めっきを電着させる電着領域及びめっきを電着させない非電着領域を有し、めっきパターンを転写する転写用基板の製造方法であって、金属製のメッシュスクリーンを準備するメッシュスクリーン準備工程と、前記メッシュスクリーンの前記電着領域の表面に金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程と、前記金属薄膜の上にマスクを形成するマスキング工程と、マスクが形成された前記メッシュスクリーンを型に挿入してシリコン樹脂を充填して硬化させるシリコン樹脂成型工程と、前記型及び前記マスクを前記シリコン樹脂及び前記メッシュスクリーンから除去する除去工程とを含むことを特徴とする。
上記構成では、金属製のメッシュスクリーンの電着領域の表面に金属薄膜を形成し、金属薄膜の上にマスクを形成し、マスクが形成されたメッシュスクリーンを型に挿入してシリコン樹脂を充填して硬化させた後、型及びマスクをシリコン樹脂及びメッシュスクリーンから除去する。これにより、低いタック性を有するシリコン樹脂を、メッシュスクリーンの非電着領域からメッシュスクリーンの表裏両面に流入し、表裏で連結させた状態で硬化させることができるので、接着剤を用いることなく金属板に固定することができる。したがって、接着層が存在しないので、めっき部を安定して剥離させることができ、被印刷材に損傷を与えることなくめっきパターンを形成することができる転写用基板を製造することが可能となる。
次に、上記目的を達成するために本発明に係る転写用基板は、給電用の金属板と、該金属板を所定のパターンにより覆うシリコン樹脂とを有する転写用基板であって、前記金属板の表面は、めっきを電着させる電着領域と、めっきを電着させない非電着領域とに分割され、前記非電着領域は、行列状に配置された複数の孔部を有し、シリコン樹脂により前記金属板の表面及び複数の孔部が被覆され、前記電着領域は、シリコン樹脂により前記金属板の表面が被覆されずに酸化膜が露出していることを特徴とする。
上記構成では、金属板の表面が、めっきを電着させる電着領域と、めっきを電着させない非電着領域とに分割されている。非電着領域は、行列状に配置された複数の孔部を有しており、シリコン樹脂により金属板の表面及び複数の孔部が被覆され、電着領域は、シリコン樹脂により金属板の表面が被覆されずに酸化膜が露出している。これにより、低いタック性を有するシリコン樹脂を、孔部を通して金属板の表裏で連結させた状態で硬化させることができるので、接着剤を用いることなく金属板に固定することができる。したがって、接着層が存在しないので、めっき部を安定して剥離させることができ、被印刷材に損傷を与えることなくめっきパターンを形成することができる転写用基板を製造することが可能となる。
上記構成によれば、低いタック性を有するシリコン樹脂を、孔部を通して金属板の表裏で連結させた状態で硬化させることができるので、接着剤を用いることなく金属板に固定することができる。したがって、接着層が存在しないので、めっき部を安定して剥離させることができ、被印刷材に損傷を与えることなくめっきパターンを形成することができる転写用基板を製造することが可能となる。
以下、図面を参照ながら本発明の実施の形態について詳細に説明する。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1に係る転写用基板の製造方法において、転写用基板の基礎となる金属板の平面図である。図2は、本発明の実施の形態1に係る転写用基板の製造方法において、図1に示す金属板のA-A断面図である。
図1は、本発明の実施の形態1に係る転写用基板の製造方法において、転写用基板の基礎となる金属板の平面図である。図2は、本発明の実施の形態1に係る転写用基板の製造方法において、図1に示す金属板のA-A断面図である。
(金属板準備工程)
図1及び図2に示すように、金属板30は、厚さ10~50μmのSUS製の金属板である。そして、転写用基板として使用する場合にめっきを電着させない領域である非電着領域33には、YAGレーザ等により、ピッチ40μmで直径20μmに形成され、行列状に配置された複数の孔部31が設けられている。めっきを電着させる電着領域32には孔部31は設けられていない。ここで、行列状に配置されているとは、千鳥状に互い違いに配置されていることも含む意味である。
図1及び図2に示すように、金属板30は、厚さ10~50μmのSUS製の金属板である。そして、転写用基板として使用する場合にめっきを電着させない領域である非電着領域33には、YAGレーザ等により、ピッチ40μmで直径20μmに形成され、行列状に配置された複数の孔部31が設けられている。めっきを電着させる電着領域32には孔部31は設けられていない。ここで、行列状に配置されているとは、千鳥状に互い違いに配置されていることも含む意味である。
なお、孔部31の大きさは、めっきパターンの間隔よりも小さいことが好ましい。めっきパターンの間隔は略20μm以上であるので、孔部31の直径は10~20μmであれば良い。
また、孔部31を形成する方法は、YAGレーザ等により穴開けする方法に限定されるものではない。例えばエッチングレジストをフォトリソグラフィーによりパターン形成し、エッチング処理することによって孔部を形成しても良い。あるいは、ニッケル電鋳により孔付きの金属箔(ニッケル製)を形成しても良い。金属板には金属箔のような金属薄板も含まれる。
(離型膜形成工程)
図3は、本発明の実施の形態1に係る転写用基板の製造方法において、酸化処理(表面処理)後の金属板30の構成を示す断面図である。めっきの剥離性を向上させるための表面処理として、金属板30の表面にクロム酸処理を実施する。
図3は、本発明の実施の形態1に係る転写用基板の製造方法において、酸化処理(表面処理)後の金属板30の構成を示す断面図である。めっきの剥離性を向上させるための表面処理として、金属板30の表面にクロム酸処理を実施する。
クロム酸処理を実施することにより、金属板30の電着領域32にクロム酸化膜35が形成される。これにより、転写用基板を用いて転写する場合に、電着領域32に形成されているめっき部が剥離しやすくなる。もちろん、表面処理としては、金属板30の表面にクロム酸化膜35を形成する処理に限定されるものではなく、例えば金属板30の表面にニッケル酸化膜、クロム窒化膜等を形成する処理であっても良い。また、離型膜形成工程は、後述する除去工程の後に実行しても良い。
(マスキング工程)
図4は、本発明の実施の形態1に係る転写用基板の製造方法において、レジスト形成後の金属板30の構成を示す断面図である。図4に示すように、電着領域32をマスキングするべく、剥離性レジスト(マスク)36を10μm以上の膜厚で塗布する。この後、フォトリソグラフィーにより、電着領域32で形づくられたパターンに沿って、めっきパターンを形成する。
図4は、本発明の実施の形態1に係る転写用基板の製造方法において、レジスト形成後の金属板30の構成を示す断面図である。図4に示すように、電着領域32をマスキングするべく、剥離性レジスト(マスク)36を10μm以上の膜厚で塗布する。この後、フォトリソグラフィーにより、電着領域32で形づくられたパターンに沿って、めっきパターンを形成する。
(シリコン樹脂成型工程)
図5は、本発明の実施の形態1に係る転写用基板の製造方法において、シリコン樹脂の充填後の金属板30の構成を示す断面図である。図5に示すように、シリコン樹脂10、例えばダウコーニング社製のSylgard184等のポリジメチルシロキサン(PDMS)の主剤と硬化剤とを既定の比率で混合して脱泡した状態で、型70に充填して金属板30の表裏両面を覆うように充填する。充填した状態で150℃で30分加熱する。加熱して硬化させることにより、剥離性レジスト36に接触している部分を除いて、金属板30がシリコン樹脂10により挟まれる。
図5は、本発明の実施の形態1に係る転写用基板の製造方法において、シリコン樹脂の充填後の金属板30の構成を示す断面図である。図5に示すように、シリコン樹脂10、例えばダウコーニング社製のSylgard184等のポリジメチルシロキサン(PDMS)の主剤と硬化剤とを既定の比率で混合して脱泡した状態で、型70に充填して金属板30の表裏両面を覆うように充填する。充填した状態で150℃で30分加熱する。加熱して硬化させることにより、剥離性レジスト36に接触している部分を除いて、金属板30がシリコン樹脂10により挟まれる。
(除去工程)
図6は、本発明の実施の形態1に係る転写用基板の製造方法において、剥離性レジスト36を除去した金属板30の構成を示す断面図である。図6に示すように、型70を外し、剥離性レジスト36をアセトン等で溶解剥離する。これにより、シリコン樹脂10の開口部(底面)からクロム酸処理済みの金属板30が露出した転写用基板40が完成する。
図6は、本発明の実施の形態1に係る転写用基板の製造方法において、剥離性レジスト36を除去した金属板30の構成を示す断面図である。図6に示すように、型70を外し、剥離性レジスト36をアセトン等で溶解剥離する。これにより、シリコン樹脂10の開口部(底面)からクロム酸処理済みの金属板30が露出した転写用基板40が完成する。
このように、シリコン樹脂10を、金属板30に設けた複数の孔部31を通して、金属板30の表裏で連結させた状態で硬化成形するので、接着性が高い反面、離型性を悪化させる変性シリコンを用いる必要がなく、低いタック性を有するシリコン樹脂のように離型性が高い材料のみで構成した転写用基板40を提供することができる。
転写用基板40を用いて、以下の手順でめっきパターンを形成する。図7は、本発明の実施の形態1に係る転写用基板の製造方法において製造された転写用基板40を用いてめっきパターンを形成する方法を説明するための図である。
図7に示すように、カソードとして機能する転写用基板40を銅、ニッケル等のめっき液50が貯留された電解めっき槽51に浸漬させる。電解めっき槽51内の転写用基板40に対向する位置には、陽極電極(アノード)52が設置されている。金属板30からの引き出し端子61及び陽極電極52に直流電源53を接続し、電流を印加することで転写用基板40の電着領域32にめっき部を形成する。形成されるめっき部の膜厚は、例えば10μmである。その後、めっき部が形成された転写用基板40を被印刷材に転写して、めっきパターンを被印刷材に形成する。
以上のように本実施の形態1によれば、低いタック性を有するシリコン樹脂10を、孔部31を通して金属板30の表裏で連結させた状態で硬化させることができるので、接着剤を用いることなく金属板30に固定することができる。したがって、接着層が存在しないので、めっき部を安定して剥離させることができ、被印刷材に損傷を与えることなくめっきパターンを形成することができる転写用基板40を製造することが可能となる。
(実施の形態2)
本発明の実施の形態2に係る転写用基板40の製造方法は、金属板30を酸化処理(表面処理)する手順までは実施の形態1と同様であるので、同一の符号を付することにより詳細な説明を省略する。本実施の形態2では、モールドパターンを用いる点で実施の形態1とは相違する。
本発明の実施の形態2に係る転写用基板40の製造方法は、金属板30を酸化処理(表面処理)する手順までは実施の形態1と同様であるので、同一の符号を付することにより詳細な説明を省略する。本実施の形態2では、モールドパターンを用いる点で実施の形態1とは相違する。
図8は、本発明の実施の形態2に係る転写用基板の製造方法において、凸部を有するモールドパターンを密着させた金属板30の構成を示す断面図である。予め、電着領域32に対応する位置に凸部を有する厚さ10μm以上であるモールドパターン71を成形しておく(モールドパターン準備工程)。次に、図8に示すように、電着領域32をマスキング(マスクを生成)するべく、凸部が電着領域32に密着するようモールドパターン71を配置する(マスキング工程)。
(シリコン樹脂成型工程)
図9は、本発明の実施の形態2に係る転写用基板の製造方法において、シリコン樹脂10の充填後の金属板30の構成を示す断面図である。図9に示すように、シリコン樹脂10、例えばダウコーニング社製のSylgard184等のポリジメチルシロキサン(PDMS)の主剤と硬化剤とを既定の比率で混合して脱泡した状態で、型70に充填して金属板30の表裏両面を覆うように充填する。
図9は、本発明の実施の形態2に係る転写用基板の製造方法において、シリコン樹脂10の充填後の金属板30の構成を示す断面図である。図9に示すように、シリコン樹脂10、例えばダウコーニング社製のSylgard184等のポリジメチルシロキサン(PDMS)の主剤と硬化剤とを既定の比率で混合して脱泡した状態で、型70に充填して金属板30の表裏両面を覆うように充填する。
モールドパターン71の凸部に密着している電着領域32にはシリコン樹脂10が充填されず、複数の孔部31が存在する非電着領域33を介してシリコン樹脂10が流入する。金属板30の表裏両面を覆うようにシリコン樹脂10を充填した状態で150℃で30分加熱する。加熱して硬化させることにより、モールドパターン71の凸部が密着している電着領域32を除いて、金属板30がシリコン樹脂10により挟まれる。
(除去工程)
型70を外し、モールドパターン71を剥離させることにより、実施の形態1の図6と同様、シリコン樹脂10の開口部(底面)からクロム酸処理済みの金属板30が露出した転写用基板40が完成する。
型70を外し、モールドパターン71を剥離させることにより、実施の形態1の図6と同様、シリコン樹脂10の開口部(底面)からクロム酸処理済みの金属板30が露出した転写用基板40が完成する。
以上のように本実施の形態2によれば、低いタック性を有するシリコン樹脂10を、孔部31を通して金属板30の表裏で連結させた状態で硬化させることができるので、接着剤を用いることなく金属板30に固定することができる。したがって、接着層が存在しないので、めっき部を安定して剥離させることができ、被印刷材に損傷を与えることなくめっきパターンを形成することができる転写用基板40を製造することが可能となる。
その他、上述した実施の形態は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更することができることは言うまでもない。例えば実施の形態1及び2とは異なり、非電着領域33に複数の孔部を有する金属板30の代わりに、金属製のメッシュスクリーンを用いても良い。図10は、本発明の他の実施の形態に係る転写用基板の製造方法において、メッシュスクリーンを用いてめっきパターンを形成した状態を示す模式断面図である。
図10(a)に示すように、金属製のメッシュスクリーン91を用いることで、金属板に穴開け加工をする必要がない。電着領域32には金属薄膜としてメタルパターン92を形成する(金属薄膜形成工程)。メタルパターン92をマスキングした上でシリコン樹脂10を充填した場合、メッシュスクリーン91の隙間、すなわち非電着領域33からシリコン樹脂10がメッシュスクリーン91の表裏両面に流入することができ、表裏で連結させた状態で硬化させることができるので、接着剤を用いることなく固定することができる。これにより、図10(b)に示すような転写用基板40aが作製される。
なお、メタルパターン92上にはクロム酸化膜(離型膜)35が形成される。これにより、転写用基板40を用いて転写する場合に、電着領域32に形成されているめっき部が剥離しやすくなる。もちろん、表面処理としては、金属製のメッシュスクリーン91の表面に、図3に示すようにクロム酸化膜35を形成する処理に限定されるものではなく、例えばメッシュスクリーン91の表面にニッケル酸化膜、クロム窒化膜等を形成する処理であっても良い。
10 シリコン樹脂
30 金属板
31 孔部
32 電着領域
33 非電着領域
35 クロム酸化膜(離型膜)
36 剥離性レジスト(マスク)
40 転写用基板
70 型
71 モールドパターン
91 メッシュスクリーン
30 金属板
31 孔部
32 電着領域
33 非電着領域
35 クロム酸化膜(離型膜)
36 剥離性レジスト(マスク)
40 転写用基板
70 型
71 モールドパターン
91 メッシュスクリーン
Claims (6)
- めっきを電着させる電着領域及びめっきを電着させない非電着領域を有し、めっきパターンを転写する転写用基板の製造方法であって、
前記非電着領域においては行列状に並んだ複数の孔部を有し、前記電着領域においては孔部を有さない金属板を準備する金属板準備工程と、
前記金属板の前記電着領域の表面にマスクを形成するマスキング工程と、
マスクが形成された前記金属板を型に挿入してシリコン樹脂を充填して硬化させるシリコン樹脂成型工程と、
前記型及び前記マスクを前記シリコン樹脂及び前記金属板から除去する除去工程と
を含むことを特徴とする転写用基板の製造方法。 - 前記金属板に離型膜を形成する離型膜形成工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の転写用基板の製造方法。
- 前記マスキング工程の前記マスクは、剥離性レジストであることを特徴とする請求項1又は2に記載の転写用基板の製造方法。
- めっきを電着させる電着領域及びめっきを電着させない非電着領域を有し、めっきパターンを転写する転写用基板の製造方法であって、
前記非電着領域においては行列状に並んだ複数の孔部を有し、前記電着領域においては孔部を有さない金属板を準備する金属板準備工程と、
前記金属板の前記電着領域に対応する位置に凸部を有するモールドパターンを準備するモールドパターン準備工程と、
前記凸部が前記電着領域に密着するように、前記金属板に前記モールドパターンを配置して前記金属板をマスクするマスクキング工程と、
前記モールドパターンによりマスクされた前記金属板を型に挿入してシリコン樹脂を充填して硬化させるシリコン樹脂成型工程と、
前記型及び前記モールドパターンを前記シリコン樹脂及び前記金属板から除去する除去工程と
を含むことを特徴とする転写用基板の製造方法。 - めっきを電着させる電着領域及びめっきを電着させない非電着領域を有し、めっきパターンを転写する転写用基板の製造方法であって、
金属製のメッシュスクリーンを準備するメッシュスクリーン準備工程と、
前記メッシュスクリーンの前記電着領域の表面に金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程と、
前記金属薄膜の上にマスクを形成するマスキング工程と、
マスクが形成された前記メッシュスクリーンを型に挿入してシリコン樹脂を充填して硬化させるシリコン樹脂成型工程と、
前記型及び前記マスクを前記シリコン樹脂及び前記メッシュスクリーンから除去する除去工程と
を含むことを特徴とする転写用基板の製造方法。 - 給電用の金属板と、
該金属板を所定のパターンにより覆うシリコン樹脂と
を有する転写用基板であって、
前記金属板の表面は、めっきを電着させる電着領域と、めっきを電着させない非電着領域とに分割され、
前記非電着領域は、行列状に配置された複数の孔部を有し、シリコン樹脂により前記金属板の表面及び複数の孔部が被覆され、
前記電着領域は、シリコン樹脂により前記金属板の表面が被覆されずに酸化膜が露出していることを特徴とする転写用基板。
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JP2014137044 | 2014-07-02 | ||
JP2014-137044 | 2014-07-02 |
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PCT/JP2015/068848 WO2016002788A1 (ja) | 2014-07-02 | 2015-06-30 | 転写用基板の製造方法及び転写用基板 |
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0230196A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路基板の製造方法 |
JP2003025533A (ja) * | 2001-07-12 | 2003-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スクリ−ンマスク版の製造方法 |
-
2015
- 2015-06-30 WO PCT/JP2015/068848 patent/WO2016002788A1/ja active Application Filing
Patent Citations (2)
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