TWI705088B - 芳香族聚酯、芳香族聚酯液狀組成物、芳香族聚酯薄膜之製造方法及芳香族聚酯薄膜 - Google Patents

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Abstract

本發明係一種芳香族聚酯，其構成單位含有：(A)以下述式(a)所示之重複單位、(B)芳香族二羧酸衍生之重複單位、(C)由芳香族二胺及具有羥基之芳香族胺構成之群組所選出之芳香族胺衍生之重複單位、(D)芳香族二醇衍生之重複單位；其中，相對於由(A)至(D)之重複單位之合計，(A)之重複單位的含有率為10莫耳%以上未達20莫耳%、(B)之重複單位的含有率為超過40莫耳%45莫耳%以下、(C)之重複單位與(D)之重複單位的合計含有率為超過40莫耳%45莫耳%以下、(D)之重複單位的含有率為超過0莫耳%未達15莫耳%。
-O-Ar1-CO- (a)(式中，Ar1表示1,4-伸苯基、2,6-伸萘基或4,4’-伸聯苯基；以Ar1所示之基的至少一個氫原子係各自獨立亦可被鹵素原子、烷基或芳基所取代)。

Description

芳香族聚酯、芳香族聚酯液狀組成物、芳香族聚酯薄膜之製造方法及芳香族聚酯薄膜
本發明係關於芳香族聚酯、芳香族聚酯液狀組成物、芳香族聚酯薄膜之製造方法及芳香族聚酯薄膜。
本申請案係基於2015年9月9日於日本所申請之特願2015-177737號，主張優先權，並將其內容援用於此。
芳香族聚酯係顯示優異之高頻特性、低吸濕性之故，多被研究作為電子基板等之薄膜材料的應用。
例如，專利文獻1已揭示芳香族聚酯及芳香族聚酯液狀組成物，其中芳香族聚酯含有規定量之(A)芳香族羥基羧酸衍生之重複單位、(B)芳香族二羧酸衍生之重複單位、(C)由芳香族二胺及具有羥基之芳香族胺所選出之芳香族胺衍生之重複單位；芳香族聚酯液狀組成物含有前述 芳香族聚酯與N-甲基吡咯烷酮等之非質子性溶劑。進而，專利文獻1亦揭示芳香族聚酯薄膜之製造方法，其係經由將此液狀組成物流延於支撐基板上，除去溶劑後所生成。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2004-315678號公報
然而，由上述專利文獻1記載之芳香族聚酯所製作之薄膜，係於薄膜伸長率和熱傳導率等之點上仍有改善之餘地。
本發明鑒於上述情事，其課題係提供一種可形成薄膜伸長率與熱傳導率皆優異之薄膜的芳香族聚酯、含有前述芳香族聚酯之芳香族聚酯液狀組成物、芳香族聚酯薄膜之製造方法及芳香族聚酯薄膜。
本發明之第1態樣係一種芳香族聚酯，其構成單位含有：(A)以下述式(a)所示之重複單位、(B)芳香族二羧酸衍生之重複單位、(C)由芳香族二胺及具有羥基之芳香族胺構成之群組所選出之芳香族胺衍生之重複單位、 (D)芳香族二醇衍生之重複單位；其中，相對於由(A)至(D)之重複單位之合計，(A)之重複單位的含有率為10莫耳%以上未達20莫耳%、(B)之重複單位的含有率為超過40莫耳%45莫耳%以下、(C)之重複單位與(D)之重複單位的合計含有率為超過40莫耳%45莫耳%以下、(D)之重複單位的含有率為超過0莫耳%未達15莫耳%。
-O-Ar1-CO- (a)(式中，Ar1表示1,4-伸苯基、2,6-伸萘基或4,4’-伸聯苯基；以Ar1所示之基的至少一個氫原子係各自獨立亦可被鹵素原子、烷基或芳基所取代)。
本發明之第2態樣係一種芳香族聚酯液狀組成物，其含有前述本發明之第1態樣之芳香族聚酯、與非質子性溶劑。
本發明之第3態樣係一種芳香族聚酯薄膜之製造方法，其含有下述步驟：將前述本發明之第2態樣之芳香族聚酯液狀組成物塗佈於支撐基板上之步驟、由前述支撐基板上之前述芳香族聚酯液狀組成物除去溶劑之步驟。
本發明之第4態樣係一種芳香族聚酯薄膜，其含有前述本發明之第1態樣之芳香族聚酯。
亦即，本發明含有以下之態樣。
[1]一種芳香族聚酯，其構成單位含有：(A)以下述式(a)所示之重複單位、(B)芳香族二羧酸衍生之重複單位、(C)由芳香族二胺及具有羥基之芳香族胺構成之群組所選出之芳香族胺衍生之重複單位、與(D)芳香族二醇衍生之重複單位；其中，相對於由(A)至(D)之重複單位之合計，(A)之重複單位的含有率為10莫耳%以上未達20莫耳%、(B)之重複單位的含有率為超過40莫耳%45莫耳%以下、(C)之重複單位與(D)之重複單位的合計含有率為超過40莫耳%45莫耳%以下、(D)之重複單位的含有率為超過0莫耳%未達15莫耳%。
-O-Ar1-CO- (a)(式中，Ar1表示1,4-伸苯基、2,6-伸萘基或4,4’-伸聯苯基；以Ar1所示之基之至少一個的氫原子係各自獨立亦可被鹵素原子、烷基或芳基取代)。
[2]如[1]記載之芳香族聚酯，其中，前述式(a)中，Ar1係1,4-伸苯基或2,6-伸萘基。
[3]如[1]或[2]記載之芳香族聚酯，其中，前述(B)之重複單位係以下述式(b)所示之重複單位。
-CO-Ar2-CO- (b) (式中，Ar2表示1,4-伸苯基、1,3-伸苯基、2,6-伸萘基或二苯醚-4,4’-二基；以Ar2所示之基的至少一個氫原子係各自獨立亦可被鹵素原子、烷基或芳基所取代)。
[4]如[3]記載之芳香族聚酯，其中，前述式(b)中，Ar2係1,4-伸苯基、1,3-伸苯基或2,6-伸萘基。
[5]如[1]~[4]中任一項記載之芳香族聚酯，其中，前述(C)之重複單位係以下述式(c)所示之重複單位。
-X-Ar3-NH- (c)(式中，Ar3表示1,4-伸苯基、1,3-伸苯基或2,6-伸萘基；以Ar3所示之基的至少一個氫原子係各自獨立亦可被鹵素原子、烷基或芳基所取代；X表示-O-或-NH-)。
[6]如[5]記載之芳香族聚酯，其中，前述式(c)中，Ar3係無取代之1,4-伸苯基、1,3-伸苯基或2,6-伸萘基。
[7]如[1]~[6]中任一項記載之芳香族聚酯，其中，前述(D)之重複單位係以下述式(d)所示之重複單位。
-O-Ar4-O- (d)(Ar4表示1,4-伸苯基、1,3-伸苯基或4,4’-伸聯苯基；以Ar4所示之基的至少一個氫原子係各自獨立亦可被鹵素原子、烷基或芳基所取代)。
[8]如[7]記載之芳香族聚酯，其中，前述式(d)中，Ar4係無取代之1,4-伸苯基、1,3-伸苯基或4,4’-伸聯苯基。
[9]一種芳香族聚酯薄膜，其係含有如[1]~[8]中任一項記載之芳香族聚酯。
[10]一種芳香族聚酯液狀組成物，其係含有如[1]~[8]中任一項記載之芳香族聚酯與非質子性溶劑。
[11]如[10]記載之芳香族聚酯液狀組成物，其中，相對於非質子性溶劑100質量份，含有0.01質量份以上100質量份以下之芳香族聚酯。
[12]如[10]或[11]記載之芳香族聚酯液狀組成物，其中，前述非質子性溶劑係不含有鹵素原子之非質子性溶劑。
[13]如[10]~[12]中任一項記載之芳香族聚酯液狀組成物，其中，前述非質子性溶劑之偶極矩為3以上5以下。
[14]一種芳香族聚酯薄膜之製造方法，其含有下述步驟：將如[10]~[13]中任一項記載之芳香族聚酯液狀組成物流延於支撐基板上之步驟、由前述支撐基板上之前述芳香族聚酯液狀組成物除去溶劑之步驟。
藉由本發明，可提供一種可形成薄膜伸長率與熱傳導率皆優異之薄膜的芳香族聚酯、使用前述芳香族聚酯之芳香族聚酯液狀組成物、芳香族聚酯薄膜之製造方法及芳香族聚酯薄膜。
1‧‧‧芳香族聚酯薄膜
[圖1]顯示本發明之一實施形態之芳香族聚酯的透視圖。
[實施發明之形態]
<芳香族聚酯>
本發明之第1態樣之芳香族聚酯係可適用於作為電子基板等之薄膜材料。
本發明之一實施形態之芳香族聚酯，其構成單位係含有：(A)以下述式(a)所示之重複單位(以下，亦稱為重複單位(A)或(A)之重複單位)、(B)芳香族二羧酸衍生之重複單位(以下，亦稱為重複單位(B)或(B)之重複單位)、(C)由芳香族二胺及具有羥基之芳香族胺構成之群組所選出之芳香族胺衍生之重複單位(以下，亦稱為重複單位(C)或(C)之重複單位)、與(D)芳香族二醇衍生之重複單位(以下，亦稱為重複單位(D)或(D)之重複單位)；其中，相對於(A)~(D)之重複單位之合計，(A)之重複單位的含有率為10莫耳%以上未達20莫耳、 (B)之重複單位的含有率為超過40莫耳%45莫耳%以下、(C)之重複單位與(D)之重複單位的合計含有率為超過40莫耳%45莫耳%以下、(D)之重複單位的含有率為超過0莫耳%未達15莫耳%。
-O-Ar1-CO- (a)(式中，Ar1表示1,4-伸苯基、2,6-伸萘基或4,4’-伸聯苯基；以Ar1所示之基的至少一個氫原子係各自獨立亦可被鹵素原子、烷基或芳基所取代)。
尚，前述芳香族聚酯中，(A)~(D)之重複單位的合計未超過100莫耳%。
本明細書中，所謂「衍生」係意味著為了聚合而化學構造會變化。
(重複單位(A))
重複單位(A)係以下述式(a)所示。
-O-Ar1-CO- (a)(式中，Ar1表示1,4-伸苯基、2,6-伸萘基或4,4’-伸聯苯基；以Ar1所示之基的至少一個氫原子係各自獨立亦可被鹵素原子、烷基或芳基所取代)。
式(a)中的Ar1較佳為1,4-伸苯基、2,6-伸萘基或4,4’- 伸聯苯基。作為Ar1，1,4-伸苯基或2,6-伸萘基為更佳。
作為重複單位(A)，可列舉例如有p-羥基苯甲酸衍生之重複單位、2-羥基-6-萘甲酸衍生之重複單位、4-羥基-4’-聯苯羧酸衍生之重複單位等。其中，p-羥基苯甲酸衍生之重複單位、或2-羥基-6-萘甲酸衍生之重複單位為較佳。
(重複單位(B))
重複單位(B)係芳香族二羧酸衍生之重複單位。
作為重複單位(B)，可列舉例如，衍生為由對苯二甲酸、間苯二甲酸、二苯醚-2,2’-二羧酸、二苯醚-2,3’-二羧酸、二苯醚-2,4’-二羧酸、二苯醚-3,3’-二羧酸、二苯醚-3,4’-二羧酸、二苯醚-4,4’-二羧酸、鄰苯二甲酸、2,6-萘二羧酸、聯苯二甲酸、及雙(對-羧基苯基)烷烴構成之群組所選出之至少一個芳香族二羧酸之重複單位。其中，以高度通用性之觀點，由衍生為對苯二甲酸之重複單位及衍生為間苯二甲酸之重複單位構成之群組所選出之至少一個重複單位為較佳，衍生為間苯二甲酸之重複單位為更佳。
重複單位(B)較佳為以下式(b)所示之重複單位。
-CO-Ar2-CO- (b)(式中，Ar2表示1,4-伸苯基、1,3-伸苯基、2,6-伸萘基或 二苯醚-4,4’-二基；以Ar2所示之基的至少一個氫原子係各自獨立亦可被鹵素原子、烷基或芳基所取代)。
式(b)中的Ar2較佳為1,4-伸苯基、1,3-伸苯基或2,6-伸萘基。
作為重複單位(B)，Ar2係1,4-伸苯基者(亦即，衍生為對苯二甲酸之重複單位)、Ar2係1,3-伸苯基者(亦即，衍生為間苯二甲酸之重複單位)、Ar2係2,6-伸萘基者(亦即，衍生為2,6-萘二羧酸之重複單位)、及Ar2係二苯醚-4,4’-二基者(亦即，衍生為二苯醚-4,4’-二羧酸之重複單位)為較佳。
(重複單位(C))
重複單位(C)係由芳香族二胺及具有羥基之芳香族胺構成之群組所選出之芳香族胺衍生之重複單位。重複單位(C)較佳係以下式(c)所示之重複單位。
-X-Ar3-NH- (c)(式中，Ar3表示1,4-伸苯基、1,3-伸苯基或2,6-伸萘基；以Ar3所示之基的至少一個氫原子係各自獨立亦可被鹵素原子、烷基或芳基所取代，X表-O-或-NH-)。
式(c)中的Ar3較佳係無取代之1,4-伸苯基、1,3-伸苯基或2,6-伸萘基。
作為重複單位(C)，可列舉例如，3-氨基苯酚 衍生之重複單位、4-氨基苯酚衍生之重複單位、1,4-伸苯基二胺衍生之重複單位、1,3-伸苯基二胺衍生之重複單位等。其中，4-氨基苯酚衍生之重複單位為較佳。
以前述Ar1、Ar2及Ar3所示之基的至少一個氫原子係各自獨立亦可被鹵素原子、烷基或芳基所取代。
前述鹵素原子可列舉氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。
作為前述烷基，碳數1~10之烷基為較佳，可列舉例如，甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、2-乙基己基、正辛基、正壬基及正癸基。
作為前述芳基，碳數6~20之芳基為較佳，可列舉例如，苯基、鄰-甲苯基、間-甲苯基、對-甲苯基、1-萘基及2-萘基。
以前述Ar1、Ar2及Ar3所示之基的氫原子若以此等之基所取代時，其數係每一個各自的基分別獨立，其中2個以下為較佳，一個為更佳。
(重複單位(D))
重複單位(D)係芳香族二醇衍生之重複單位。
作為重複單位(D)，可列舉例如，以下式(d)所示之重複單位。
-O-Ar4-O- (d) (Ar4表示1,4-伸苯基、1,3-伸苯基或4,4’-伸聯苯基；以Ar4所示之基的至少一個氫原子係各自獨立亦可被鹵素原子、烷基或芳基所取代)。
式(d)中的Ar4較佳為無取代之1,4-伸苯基、1,3-伸苯基或4,4’-伸聯苯基。
以此式(d)中的Ar4所示之基的至少一個氫原子係各自獨立亦可被鹵素原子、烷基或芳基所取代。
作為前述置換基，可列舉與前述Ar1、Ar2及Ar3可具有之取代基所說明之鹵素原子、烷基或芳基相同之基。
作為重複單位(D)，具體來說，可列舉對苯二酚衍生之重複單位、間苯二酚衍生之重複單位、4,4’-雙酚衍生之重複單位等。其中，對苯二酚衍生之重複單位為較佳。
本發明之一實施形態之芳香族聚酯係含有上述(A)~(D)之重複單位，且該組成其特徵為，相對於(A)~(D)之重複單位的合計，(A)之重複單位的含有率為10莫耳%以上未達20莫耳%、(B)之重複單位的含有率為超過40莫耳%45莫耳%以下、(C)之重複單位及(D)之重複單位的合計含有率為超過40莫耳%超45莫耳%以下、(D)之重複單位的含有率為超過0莫耳%未達15莫耳%。
(A)之重複單位的含有率，相對於(A)~(D)之重複單位的合計，16莫耳%以上19莫耳%以下為較佳，16莫耳%以上18莫耳%以下為更佳。
(B)之重複單位的含有率，相對於(A)~(D)之重複單位的合計，超過40莫耳%43莫耳%以下為較佳，41莫耳%以上42莫耳%以下為更佳。
(C)之重複單位的含有率，相對於(A)~(D)之重複單位的合計，超過25莫耳%40莫耳%以下為較佳，超過28莫耳%35莫耳%以下為更佳，29莫耳%以上32莫耳%以下為又更佳。
(D)之重複單位的含有率，相對於(A)~(D)之重複單位的合計，0.5莫耳%以上未達15莫耳%為較佳，10莫耳%以上12莫耳%以下為更佳。
(C)之重複單位及(D)之重複單位的合計含有率，相對於(A)~(D)之重複單位的合計，超過40莫耳%43莫耳%以下為較佳，41莫耳%以上42莫耳%以下為更佳。
本發明中，相對於(A)~(D)之重複單位的合計，重複單位(A)的含有率為10莫耳%以上時，因可抑制製造時黏度的突然上昇，從製造上的觀點係較佳。又，相對於(A)~(D)之重複單位的合計，重複單位(A)的含有率為未達20莫耳%時，對非質子性溶劑之可溶性變得良好。
進而，相對於(A)~(D)之重複單位的合計，重複單位(A)的含有率係藉由上述規定之範圍，可使含有本發明之芳香族聚酯之芳香族聚酯薄膜的薄膜伸長率變大。因此，含有本發明之芳香族聚酯之芳香族聚酯薄膜係於曲折加工(彎曲加工)之際不會產生裂縫，或可大幅地抑制裂縫的產 生。
除此之外，相對於(A)~(D)之重複單位的合計，重複單位(A)的含有率係藉由上述規定之範圍，可使含有本發明之芳香族聚酯之芳香族聚酯薄膜的熱傳導率提高。
本發明中，相對於(A)~(D)之重複單位的合計，重複單位(B)的含有率係藉由上述規定之範圍，有助於含有本發明之芳香族聚酯之芳香族聚酯薄膜的可撓性發揮，可使前述薄膜之薄膜伸長率變大。因此，含有本發明之芳香族聚酯之芳香族聚酯薄膜係於曲折加工(彎曲加工)之際不會產生裂縫，或可大幅地抑制裂縫的產生。
本發明中，重複單位(B)的含有率係與重複單位(C)及重複單位(D)的合計含有率實質上相同為較佳。所謂「實質上相同」，意味著重複單位(B)的含有率係相對於重複單位(C)及重複單位(D)的合計含有率在±1莫耳%以內。
重複單位(B)的含有率係相對於重複單位(C)及重複單位(D)的合計含有率亦可在-10莫耳%~+10莫耳%。藉由變更對應單體的使用比率於此範圍，可控制芳香族聚酯的聚合度。
重複單位(D)係以將重複單位(C)的一部分置換的形式使用為較佳，此時的置換量，換算成相對於原本使用之重複單位(C)之莫耳比(D)/(C)(亦即，重複單位(D)的含有量/原本使用之重複單位(C)的量)時，一般為0.01以上0.75以下，較佳為0.02以上0.65以下。
本發明中，相對於(A)~(D)之重複單位的合計，重複單位(D)的含有率為超過0莫耳%時，因可抑制製造時黏度的突然上昇，從製造上的觀點係較佳。又，可使含有本發明之芳香族聚酯之芳香族聚酯薄膜的薄膜伸長率變大。因此，含有本發明之芳香族聚酯之芳香族聚酯薄膜係於曲折加工(彎曲加工)之際不會產生裂縫，或可大幅地抑制裂縫的產生。又，相對於(A)~(D)之重複單位的合計，重複單位(D)的含有率係藉由上述規定之範圍，可使含有本發明之芳香族聚酯之芳香族聚酯薄膜的熱傳導率提高。
本發明中的芳香族聚酯係含有如上述之重複單位，但該製造方法係使用對應各重複單位之單體(亦即由芳香族羥基羧酸、芳香族二羧酸、芳香族胺、芳香族二醇等、或此等之酯形成性衍生物及醯胺形成性衍生物構成群組所選出之至少一個衍生物)之一般方法，例如，藉由依據日本特開2002-220444號、日本特開2002-146003號等之記載的方法等來製造得到。
又，各單體之使用莫耳%係與上述重複單位中所示之莫耳%相同。
此處，作為芳香族二羧酸、芳香族羥基羧酸等中之羧酸的酯形成性衍生物、及醯胺形成性衍生物，可列舉例如，羧酸構造變換為酸鹵化物構造、酸酐構造等之高反應活性且會促進酯、醯胺等生成反應之構造的衍生物、和、羧酸構造變換為與乙醇類和乙二醇等之酯構造的 衍生物；其係藉由酯交換反應生成酯、或藉由醯胺交換反應生成醯胺的衍生物。
又，作為芳香族二醇、芳香族羥基羧酸、芳香族胺(例如，胺基苯酚)等中之苯酚性羥基的酯形成性衍生物，可列舉例如苯酚性羥基變換為與碳數1~5之羧酸類之酯構造的衍生物；其係藉由酯交換反應生成酯的衍生物。
作為芳香族二胺、胺基苯酚等之芳香族胺中之胺基的醯胺形成衍生物，可列舉例如胺基變換為與碳數1~5之羧酸類之醯胺的衍生物；其係藉由醯胺交換反應生成醯胺的衍生物。
作為本發明中的芳香族聚酯之代表性製造方法，可列舉例如，將芳香族羥基羧酸、胺基苯酚、芳香族二胺、芳香族二醇等之苯酚性羥基和胺基，經由過剩量之脂肪酸酐進行醯化而得到醯基化合物，並藉由將此得到之醯基化合物與芳香族二羧酸、芳香族羥基羧酸等之羧基進行酯交換、或藉由醯胺交換進行縮合聚合之熔融聚合方法等。
此處，於醯化反應中，脂肪酸酐的添加量，相對於苯酚性羥基與胺基的合計，一般為1.0~1.2倍當量，較佳為1.05~1.1倍當量。脂肪酸酐的添加量為未達1.0倍當量的情況，於縮合聚合時醯基化合物和原料單體等會昇華，反應系會有容易阻塞的傾向，又，超過1.2倍當量的情況，所得到之芳香族聚酯會有著色的傾向。亦即，脂肪酸酐的 添加量為上述範圍內時，於縮合聚合時可抑制醯基化合物和原料單體等之昇華，且反應系會變得難以阻塞，又，所得到之芳香族聚酯會變得難以著色。
醯化反應係一般以130~180℃進行5分鐘~10小時，但以140~160℃進行10分鐘~3小時為較佳。
醯化反應中所使用之脂肪酸酐係無特別限定，但可列舉例如，乙酸酐、丙酸酐、丁酸酐、異丁酸酐、戊酸酐、新戊酸酐、2-乙基己酸酐、氯乙酸酐、二氯乙酸酐、三氯乙酸酐、溴乙酸酐、二溴乙酸酐、三溴乙酸酐、氟乙酸酐、二氟乙酸酐、三氟乙酸酐、戊二酸酐、馬來酸酐、琥珀酸酐、β-溴丙酸酐等，此等為可使用1種或2種類以上。從價格與使用性的觀點，由乙酸酐、丙酸酐、丁酸酐及異丁酸酐構成之群組所選出之至少一種為較佳，乙酸酐為更佳。
酯交換及醯胺交換中，相對於醯基及醯胺基的總量，羧基係調整至0.8~1.2倍當量為較佳。
又，酯交換及醯胺交換，以130~400℃並以0.1~50℃/分的比例一邊升溫一邊進行為較佳；以150~350℃並以0.3~5℃/分的比例一邊升溫一邊進行為更佳。此時，為了使平衡移動，使副產品之脂肪酸與未反應之脂肪酸酐進行蒸發等，而蒸餾至反應系統外為較佳。
尚，醯化反應、酯交換及醯胺交換亦可於觸媒的存在下進行。
作為觸媒，一直以來作為聚酯之聚合用觸媒可使用周 知之觸媒，可列舉例如，乙酸鎂、乙酸亞錫、鈦酸四丁酯、乙酸鉛、乙酸鈉、乙酸鉀、三氧化銻等之金屬鹽觸媒；N,N-二甲氨基吡啶、N-甲基咪唑等之有機化合物觸媒等。
此等之觸媒之中，較佳為使用N,N-二甲氨基吡啶、N-甲基咪唑等之含有氮原子2個以上之雜環化合物(參考日本特開2002-146003)。
經由酯交換、醯胺交換發生之縮合聚合，一般係藉由熔融聚合進行，但亦可合併使用熔融聚合與固相聚合。固相聚合係由熔融聚合步驟將聚合物抽出，之後，將前述聚合物粉碎並製成粉末狀或片狀後，藉由周知之固相聚合方法進行為更佳。具體來說，可列舉例如在氮等之惰性環境下，以180~350℃並以1~30小時固相狀態進行熱處理之方法等。固相聚合係可一邊攪拌一邊進行，亦可不攪拌以靜置之狀態進行。尚，藉由具備適當的攪拌機構，亦可將熔融聚合槽與固相聚合槽設置於同一個反應槽。固相聚合後，得到之芳香族聚酯亦可藉由周知的方法(例如，將以雙螺桿擠出機製作之樹脂條以造粒機進行切割之方法)進行顆粒化並成形。
作為芳香族聚酯之製造設備，批處理設備、連續處理設備係皆可使用。
如此，雖可製造本發明之芳香族聚酯，但對於芳香族聚酯，在不損及本發明之目的之範圍，亦可摻合周知的填料、添加劑等。
作為填料，可列舉例如，環氧樹脂粉末、三聚氰胺樹脂粉末、尿素樹脂粉末、苯胍胺樹脂粉末、苯乙烯樹脂等之有機系填料；矽石、氧化鋁、二氧化鈦、氧化鋯、高嶺土、碳酸鈣、碳化矽、磷酸鈣、氮化硼等之無機填料等。
作為添加劑，可列舉周知的偶合劑、防沉降劑、紫外線吸收劑、熱穩定劑等。
又，對於芳香族聚酯，在不損及本發明之目的之範圍，亦可摻合一種或二種以上聚丙烯、聚醯胺、聚酯、聚苯硫醚、聚醚酮、聚碳酸酯、聚醚碸、聚苯醚及其改質物；聚醚醯亞胺等之熱可塑性樹脂；甲基丙烯酸縮水甘油酯與聚乙烯之共聚合物等之彈性體等。
於本發明之芳香族聚酯中摻合此等之填料時，前述填料的含量係將芳香族聚酯設定100質量份時，較0質量份多100質量份以下為較佳。
<芳香族聚酯液狀組成物>
本發明之第2態樣之芳香族聚酯液狀組成物，含有如上述之芳香族聚酯與非質子性溶劑之液狀組成物，並藉由混合兩者而製造得到。
芳香族聚酯液狀組成物中，芳香族聚酯的含量係將非質子性液體的含量設定100質量份時，0.01質量份以上100質量份以下為較佳。芳香族聚酯的含量未達0.01質量份時，前述液狀組成物的溶液黏度會過低並有塗佈不均勻 的傾向；超過100質量份時，前述液狀組成物會有高黏度化之傾向。亦即，芳香族聚酯的含量於上述範圍內時，前述液狀組成物的溶液黏度並不會過低而可均勻塗佈，又，可抑制前述液狀組成物的高黏度化。
從作業性和經濟性的觀點，芳香族聚酯的含量係將非質子性液體的含量設定100質量份時，1質量份以上50質量份以下為較佳，2質量份以上40質量份以下為更佳。
前述液狀組成物的黏度較佳為500cP以上10000CP以下。
作為非質子性溶劑，可列舉例如、1-氯丁烷、氯苯、1,1-二氯乙烷、1,2-二氯乙烷、氯仿、1,1,2,2-四氯乙烷等之鹵素系溶劑；二乙醚、四氫呋喃、1,4-二噁烷等之醚系溶劑；丙酮、環己酮等之酮系溶劑；乙酸乙酯等之酯系溶劑；γ-丁內酯等之內酯系溶劑；碳酸伸乙酯、碳酸丙烯酯等之碳酸鹽系溶劑；三乙胺、吡啶等之胺系溶劑；乙腈、丁二腈等之丁腈系溶劑；N,N‘-二甲基甲醯胺、N,N‘-二甲基乙醯胺、四甲脲、N-甲基吡咯烷酮等之醯胺系溶劑；硝基甲烷、硝基苯等之硝基系溶劑；二甲基亞碸、環丁碸等之硫醚系溶劑；六甲基磷酸胺、磷酸三正丁酯等之磷酸系溶劑等。
此等之中，從對環境之影響面，較佳為使用不含鹵素原子之溶劑；又，從可溶性之觀點，較佳為使用偶極矩為3以上5以下之溶劑。
作為非質子性化合物，且偶極矩為3~5之化合物，可例示，二甲基亞碸(偶極矩：4.1德拜)、N,N-二甲基乙醯胺(偶極矩：3.7德拜)、N,N-二甲基甲醯胺(3.9德拜)、N-甲基吡咯烷酮(偶極矩：4.1德拜)。
「偶極矩」，係於原子間的鍵結中，將各原子上所產生之正負電荷的絕對值乘於鍵結距離，並以向量表示。
此處，本說明書中之「液狀組成物」，係意味著於20~40℃中液體的狀態。
於液狀組成物中，芳香族聚酯係未必要全部的量都溶解，但未溶解之量為少量程度係較佳(例如，未溶解之量為0.5%以下係較佳)，全部的量都溶解係更佳。
<芳香族聚酯薄膜之製造方法>
說明關於本發明之第3態樣之芳香族聚酯薄膜之製造方法。
本發明之芳香族聚酯薄膜之製造方法係包含：將如上述之芳香族聚酯液狀組成物，於支撐基板上進行流延之步驟、與由前述支撐基板上之前述芳香族聚酯液狀組成物除去溶劑之步驟。
前述製造方法，進一步，於除去前述溶劑之步驟後，亦可包含將前述支撐基板除去之步驟。
作為前述支撐基板，聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜、聚亞醯胺薄膜、玻璃板或金屬箔為較佳。
本發明中，視所需，藉由將芳香族聚酯液狀 組成物以過濾器等過濾，並除去前述芳香族聚酯液狀組成物中所含有之微小異物後，於支撐基材上，以例如，輥塗法、浸漬法、噴霧法、旋塗法、簾塗佈法、狹縫式塗法、網版印刷法等各種手段，表面平坦且均勻地進行流延。
非質子性溶劑之除去方法雖無特別限定，使溶劑蒸發並除去之方法為較佳，可例示將加熱、減壓及通風中任一者，以單獨或組合二種以上進行蒸發之方法。其中，從生產效率及操作性的觀點，加熱使溶劑蒸發之方法為較佳，一邊通風及加熱一邊進行蒸發之方法為更佳。
此時的加熱，以60~200℃進行10分鐘~2小時為較佳，其次，為了配合進行芳香族聚酯之進一步的高分子量化，以200~400℃進行30分鐘~5小時加熱為較佳。尚，此處所謂「除去溶劑」，並非一定意味著「將溶劑全部的量除去」，例如，以芳香族聚酯薄膜之明顯的重量變化都不會發生的程度，來充分地除去溶劑為較佳。此處所謂「明顯的重量變化」，意味著以100℃放置30分鐘時，重量的減量為0.1%以下。
<芳香族聚酯薄膜>
本發明之第4態樣之芳香族聚酯薄膜，係含有本發明之一實施形態之芳香族聚酯，例如，可藉由上述之製造方法進行製造。本發明之芳香族聚酯薄膜的厚度，從成膜性和機械特性的觀點，0.5~500μm為較佳，從使用性的觀 點，1~200μm為更佳。
尚，此處所謂「厚度」，係藉由測微計設備，以等間隔測量任意的5~10處所得到值的平均值。
本發明之芳香族聚酯薄膜，係以後述實施例記載之方法測量熱傳導率及拉伸斷裂伸長率時，熱傳導率為0.28W/(m．K)以上，且拉伸斷裂伸長率為20.0%以上為較佳。
又，本發明之芳香族聚酯薄膜，係因不僅熱傳導率良好、薄膜伸長率大等之特性為優異，亦顯示高頻特性、低吸濕性等之優異特性，故可使用於：近年受矚目之使用堆積工藝等之半導體封裝和主機板用之多層印刷基板、軟性印刷電路板、捲帶式自動接合用薄膜；其他，如8毫米錄影帶之基材、業務用數位錄影帶之基材、透明導電性(ITO)薄膜之基材、偏光薄膜之基材、各種調理食品用、電子微波加熱用之包裝薄膜、電磁屏蔽用薄膜、抗菌性薄膜、氣體分離用薄膜等。
<金屬基底電路基板>
說明關於使用本發明之芳香族聚酯薄膜之金屬基底電路基板。
使用本發明之芳香族聚酯薄膜之金屬基底電路基板，係除了使用前述芳香族聚酯薄膜作為絕緣層以外，可設置為與周知之金屬基底電路基板同樣的結構，並可以同樣的方法製造。
金屬基底電路基板係，例如，於一片之前述
芳香族聚酯薄膜所構成之絕緣層、或層合有複數片之前述芳香族聚酯薄膜之絕緣層的單面或雙面，製作設置有金屬層之層合體，並藉由對此種層合體之金屬層進行蝕刻等來形成規定之電路圖案，並將形成有此電路圖案之層合體，藉由直接地層合之方法進行製造，或視需要藉由層合二片以上之方法進行製造。金屬基底電路基板，係於芳香族聚酯薄膜的雙面層合有金屬層者為較佳。
於層合有複數片之前述芳香族聚酯薄膜之絕緣層的情況下，此等複數片之芳香族聚酯薄膜，係可全部皆相同、亦可僅一部分相同、亦可全部皆不相同。又，該片數為2片以上的話並不特別地限定，例如2片以上10片以下為較佳。此種絕緣層，係例如藉由將複數片之芳香族聚酯薄膜以該厚度方向重疊，熱壓使互相熔合而使一體化之方法，進行製作。
金屬層的材質，係含有由銅、鋁、銀或此等所選出之至少一種的金屬之合金為較佳。其中，從具有更優異導電性之點，銅或銅合金為較佳。其次，金屬層，係從容易處理材料、可簡易形成、經濟性亦優異之點，金屬箔所構成之層為較佳，銅箔所構成之層為更佳。將金屬層設置於絕緣層的雙面之情況下，此等金屬層的材質係可相同，亦可不相同。
作為設置金屬層之方法，係可例示，使金屬箔熔合於絕緣層的表面之方法、以接著劑使金屬箔接著於絕緣層的表面之方法、將絕緣層的表面進行電鍍之方法、 網版印刷法或藉由濺鍍法以金屬粉或金屬粒子進行被覆之方法。
絕緣層係由複數片之前述芳香族聚酯薄膜所層合的情形下，將此等芳香族聚酯薄膜以該厚度方向重疊進行配置，於位於最外側之一邊或兩邊之芳香族聚酯薄膜的表面上，進一步重疊金屬箔，藉由將此等金屬箔及複數片之芳香族聚酯薄膜進行熱壓，於形成絕緣層之時，於絕緣層的單面或雙面可同時設置金屬層。
本發明之芳香族聚酯之另一面，係可列舉下述條件之芳香族聚酯，
作為構成單位，含有(A)由p-羥基苯甲酸衍生之重複單位、2-羥基-6-萘甲酸衍生之重複單位、及4-羥基-4’-聯苯羧酸衍生之重複單位構成之群組所選出之至少一種重複單位、較佳為由p-羥基苯甲酸衍生之重複單位、及2-羥基-6-萘甲酸衍生之重複單位構成之群組所選出之至少一種重複單位、更佳為4-羥基苯甲酸衍生之重複單位；(B)由對苯二甲酸、間苯二甲酸、二苯醚-2,2’-二羧酸、二苯醚-2,3’-二羧酸、二苯醚-2,4’-二羧酸、二苯醚-3,3’-二羧酸、二苯醚-3,4’-二羧酸、二苯醚-4,4’-二羧酸、鄰苯二甲酸、2,6-萘二羧酸、聯苯二甲酸、及雙(對-羧基苯基)烷烴構成之群組所選出之至少一種芳香族二羧酸衍生之重複單位、 較佳為由對苯二甲酸衍生之重複單位及間苯二甲酸衍生之重複單位構成之群組所選出之至少一種重複單位、更佳為間苯二甲酸衍生之重複單位；(C)由3-胺基苯酚衍生之重複單位、4-胺基苯酚衍生之重複單位、1,4-伸苯基二胺衍生之重複單位、及1,3-伸苯基二胺衍生之重複單位構成之群組所選出之至少一種重複單位、較佳為4-胺基苯酚衍生之重複單位、更佳為4-乙醯胺酚衍生之重複單位；(D)由對苯二酚衍生之重複單位、間苯二酚衍生之重複單位、及4,4’-雙酚衍生之重複單位構成之群組所選出之至少一種重複單位、較佳為對苯二酚衍生之重複單位；其中，相對於由(A)至(D)之重複單位之合計，(A)之重複單位的含有率為10莫耳%以上未達20莫耳%、較佳為16莫耳%以上19莫耳%以下、更佳為16莫耳%以上18莫耳%以下；(B)之重複單位的含有率為超過40莫耳%45莫耳%以下、較佳為超過40莫耳%43莫耳%以下、更佳為41莫耳%以上42莫耳%以下；(C)之重複單位與(D)之重複單位的合計含有率為超過40莫耳%45莫耳%以下、較佳為41莫耳%以上42莫耳%以下；(D)之重複單位的含有率為超過0莫耳%未達15莫耳%、 較佳為0.5莫耳%以上未達15莫耳%、更佳為10莫耳%以上12莫耳%以下；(C)之重複單位的含有率較佳為超過25莫耳%40莫耳%以下、更佳為超過28莫耳%35莫耳%以下、又更佳為29莫耳%以上32莫耳%以下。
[實施例]
以下，藉由實施例將本發明進行更具體地說明，但本發明並不限定於以下的實施例。
<芳香族聚酯之製造> ≪實施例1≫
於具備攪拌設備、扭力計、氮氣導入管、溫度計及回流冷凝器之反應器中，填入4-羥基苯甲酸(以下，簡稱POB)248.6g(1.8莫耳)、4-乙醯胺酚(以下，簡稱APAP)468.6g(3.1莫耳)、間苯二甲酸(以下，簡稱IPA)681.1g(4.1莫耳)、對苯二酚(以下，簡稱HQ)110.1g(1.0莫耳)及乙酸酐806.5g(7.90莫耳)。將反應器內以氮氣充分地進行置換後，於氮氣氣流下花費15分鐘升溫至150℃，保持溫度並進行3小時回流。
之後，將蒸餾之副產品乙酸及未反應之乙酸酐一邊蒸餾一邊花費300分鐘升溫至300℃，將認定扭力上升之時點視為反應終了，並取出內容物。其次，將其冷卻至室溫 並以粗粉碎機粉碎後，於氮氣環境下以290℃保持3小時，於固相進行聚合反應並得到芳香族聚酯粉末。
≪實施例2≫
於具備攪拌設備、扭力計、氮氣導入管、溫度計及回流冷凝器之反應器中，填入POB221.0g(1.6莫耳)、APAP483.7g(3.2莫耳)、IPA697.7g(4.2莫耳)、HQ110.1g(1.0莫耳)及乙酸酐796.3g(7.80莫耳)。將反應器內以氮氣充分地進行置換後，於氮氣氣流下花費15分鐘升溫至150℃，保持溫度並進行3小時回流。
之後，將蒸餾之副產品乙酸及未反應之乙酸酐一邊蒸餾一邊花費300分鐘升溫至300℃，將認定扭力上升之時點視為反應終了，並取出內容物。其次，將其冷卻至室溫並以粗粉碎機粉碎後，於氮氣環境下以290℃保持3小時，於固相進行聚合反應並得到芳香族聚酯粉末。
≪實施例3≫
於具備攪拌設備、扭力計、氮氣導入管、溫度計及回流冷凝器之反應器中，填入POB248.6g(1.8莫耳)、APAP438.4g(2.9莫耳)、IPA681.1g(4.1莫耳)、HQ132.1g(1.2莫耳)及乙酸酐826.9g(8.10莫耳)。將反應器內以氮氣充分地進行置換後，於氮氣氣流下花費15分鐘升溫至150℃，保持溫度並進行3小時回流。
之後，將蒸餾之副產品乙酸及未反應之乙酸酐一邊蒸 餾一邊花費300分鐘升溫至300℃，將認定扭力上升之時點視為反應終了，並取出內容物。其次，將其冷卻至室溫並以粗粉碎機粉碎後，於氮氣環境下以290℃保持3小時，於固相進行聚合反應並得到芳香族聚酯粉末。
≪實施例4≫
於具備攪拌設備、扭力計、氮氣導入管、溫度計及回流冷凝器之反應器中，填入POB221.0g(1.6莫耳)、APAP453.5g(3.0莫耳)、IPA697.7g(4.2莫耳)、HQ132.1g(1.2莫耳)及乙酸酐816.7g(8.00莫耳)。將反應器內以氮氣充分地進行置換後，於氮氣氣流下花費15分鐘升溫至150℃，保持溫度並進行3小時回流。
之後，將蒸餾之副產品乙酸及未反應之乙酸酐一邊蒸餾一邊花費300分鐘升溫至300℃，將認定扭力上升之時點視為反應終了，並取出內容物。其次，將其冷卻至室溫並以粗粉碎機粉碎後，於氮氣環境下以290℃保持3小時，於固相進行聚合反應並得到芳香族聚酯粉末。
≪實施例5≫
於具備攪拌設備、扭力計、氮氣導入管、溫度計及回流冷凝器之反應器中，填入POB234.8g(1.7莫耳)、APAP476.2g(3.15莫耳)、IPA689.4g(4.15莫耳)、HQ110.1g(1.0莫耳)及乙酸酐801.4g(7.85莫耳)。將反應器內以氮氣充分地進行置換後，於氮氣氣流下花費15分 鐘升溫至150℃，保持溫度並進行3小時回流。
之後，將蒸餾之副產品乙酸及未反應之乙酸酐一邊蒸餾一邊花費300分鐘升溫至300℃，將認定扭力上升之時點視為反應終了，並取出內容物。其次，將其冷卻至室溫並以粗粉碎機粉碎後，於氮氣環境下以290℃保持3小時，於固相進行聚合反應並得到芳香族聚酯粉末。
≪製造例1≫
於具備攪拌設備、扭力計、氮氣導入管、溫度計及回流冷凝器之反應器中，填入2-羥基-6-萘甲酸(以下，簡稱HNA)376.4g(2.0莫耳)、APAP604.6g(4.0莫耳)、IPA664.5g(4.0莫耳)及乙酸酐714.6g(7.00莫耳)。將反應器內以氮氣充分地進行置換後，於氮氣氣流下花費15分鐘升溫至150℃，保持溫度並進行3小時回流。
之後，將蒸餾之副產品乙酸及未反應之乙酸酐一邊蒸餾一邊花費300分鐘升溫至300℃，將認定扭力上升之時點視為反應終了，並取出內容物。其次，將其冷卻至室溫並以粗粉碎機粉碎後，於氮氣環境下290℃保持3小時，於固相進行聚合反應並得到芳香族聚酯粉末。
≪製造例2≫
於具備攪拌設備、扭力計、氮氣導入管、溫度計及回流冷凝器之反應器中，填入HNA282.3g(1.5莫耳)、APAP642.4g(4.25莫耳)、IPA706.1g(4.25莫耳)及乙酸酐 689.1g(6.75莫耳)。將反應器內以氮氣充分地進行置換後，於氮氣氣流下花費15分鐘升溫至150℃，保持溫度並進行3小時回流。
之後，將蒸餾之副產品乙酸及未反應之乙酸酐一邊蒸餾一邊花費300分鐘升溫至300℃，將認定扭力上升之時點視為反應終了，並取出內容物。其次，將其冷卻至室溫並以粗粉碎機粉碎後，於氮氣環境下以290℃保持3小時，於固相進行聚合反應並得到芳香族聚酯粉末。
≪製造例3≫
於具備攪拌設備、扭力計、氮氣導入管、溫度計及回流冷凝器之反應器中，填入POB276.2g(2.0莫耳)、APAP377.9g(2.5莫耳)、IPA664.5g(4.0莫耳)、HQ165.2g(1.5莫耳)及乙酸酐867.8g(8.50莫耳)。將反應器內以氮氣充分地進行置換後，於氮氣氣流下花費15分鐘升溫至150℃，保持溫度並進行3小時回流。
之後，將蒸餾之副產品乙酸及未反應之乙酸酐一邊蒸餾一邊花費300分鐘升溫至300℃，將認定扭力上升之時點視為反應終了，並取出內容物。其次，將其冷卻至室溫並以粗粉碎機粉碎後，於氮氣環境下以290℃保持3小時，於固相進行聚合反應並得到芳香族聚酯粉末。
≪製造例4≫
於具備攪拌設備、扭力計、氮氣導入管、溫度計及回 流冷凝器之反應器中，填入POB248.6g(1.8莫耳)、APAP362.8g(2.4莫耳)、IPA681.1g(4.1莫耳)、HQ187.2g(1.7莫耳)及乙酸酐878.0g(8.60莫耳)。將反應器內以氮氣充分地進行置換後，於氮氣氣流下花費15分鐘升溫至150℃，保持溫度並進行3小時回流。
之後，將蒸餾之副產品乙酸及未反應之乙酸酐一邊蒸餾一邊花費300分鐘升溫至300℃，將認定扭力上升之時點視為反應終了，並取出內容物。其次，將其冷卻至室溫並以粗粉碎機粉碎後，於氮氣環境下以290℃保持3小時，於固相進行聚合反應並得到芳香族聚酯粉末。
<芳香族聚酯薄膜之製造> ≪實施例6≫
將實施例1所得到之芳香族聚酯粉末50g加入於N-甲基吡咯烷酮200g，加熱至140℃之結果，確認可得到完全溶解且透明之溶液。將此溶液攪拌及脫泡，得到芳香族聚酯溶液。將得到之溶液塗佈於銅箔上並以厚度200μm進行桿塗佈後，使用熱風乾燥器以50℃加熱2小時並除去溶劑，進而於氮氣環境下，以300℃進行1小時熱處理。從得到之附樹脂銅箔，將銅箔進行蝕刻除去時，可得到膜厚25μm之具有充分強度之芳香族聚酯薄膜。
≪實施例7≫
除了使用實施例2所得到之芳香族聚酯粉末50g來替代使用實施例1所得到之芳香族聚酯粉末以外，其餘皆依據實施例6來實施，可得到膜厚25μm之具有充分強度之芳香族聚酯薄膜。
≪實施例8≫
除了使用實施例3所得到之芳香族聚酯粉末50g來替代使用實施例1所得到之芳香族聚酯粉末以外，其餘皆依據實施例6來實施，可得到膜厚25μm之具有充分強度之芳香族聚酯薄膜。
≪實施例9≫
除了使用實施例4所得到之芳香族聚酯粉末50g來替代使用實施例1所得到之芳香族聚酯粉末以外，其餘皆依據實施例6來實施，可得到膜厚25μm之具有充分強度之芳香族聚酯薄膜。
≪實施例10≫
除了使用實施例5所得到之芳香族聚酯粉末50g來替代使用實施例1所得到之芳香族聚酯粉末以外，其餘皆依據實施例6來實施，可得到膜厚25μm之具有充分強度之芳香族聚酯薄膜。
≪比較例1≫
除了使用製造例1所得到之芳香族聚酯粉末50g來替代使用實施例1所得到之芳香族聚酯粉末以外，其餘皆依據實施例6來實施，可得到膜厚25μm之具有充分強度之芳香族聚酯薄膜。
≪比較例2≫
除了使用製造例2所得到之芳香族聚酯粉末50g來替代使用實施例1所得到之芳香族聚酯粉末以外，其餘皆依據實施例6來實施，可得到膜厚25μm之具有充分強度之芳香族聚酯薄膜。
≪比較例3≫
除了使用製造例3所得到之芳香族聚酯粉末50g來替代使用實施例1所得到之芳香族聚酯粉末以外，其餘皆依據實施例6來實施，可得到膜厚25μm之具有充分強度之芳香族聚酯薄膜。
≪比較例4≫
除了使用製造例4所得到之芳香族聚酯粉末50g來替代使用實施例1所得到之芳香族聚酯粉末以外，其餘皆依據實施例6來實施，可得到膜厚25μm之具有充分強度之芳香族聚酯薄膜。
對於如上述得到之芳香族聚酯薄膜(實施例6 ~10及比較例1~4)，進行如下述之評估實驗。
1.熱傳導率
熱傳導率(單位：W/(m．K))，係以下述之方法求出熱擴散率(單位：m2/s)、比熱(單位：J/(kg．K))及密度(單位：kg/m3)，並藉由進行下式的演算來計算出。
熱傳導率=熱擴散率×比熱×密度
此處，熱傳導率，係將上述各芳香族聚酯薄膜藉由溫度波熱分析法，於室溫下(例如23℃)進行測量。作為測量設備，係使用ai-phase股份有限公司製之ai-Phase Mobile。
比熱，係使用示差掃描量熱法(DSC)，並藉由與藍寶石標準物質之比較來進行測量。
又，密度，係使用阿基米德法進行測量。
2.拉伸特性
依據JIS K7127，測量拉伸強度與拉伸斷裂伸長率。使用拉伸試驗機，以速度5mm/min進行拉伸，來求出樣品切斷(斷裂)之時的強度(將拉伸荷重值除以試片的截面積得到之值)、及伸長率。拉伸伸長率係藉由其次之式來計算出。意味著拉伸伸長率越大，薄膜伸長率越大。
伸長率(%)=(L-Lo)/Lo
Lo：實驗前之樣品長度(mm)、L：斷裂時之樣品長度(mm)
將此等評估實驗之結果顯示於表1。
Figure 105128967-A0202-12-0036-1
如表1所示，實施例6之芳香族聚酯薄膜，係具有0.31W/(m．K)之高熱傳導率、及拉伸斷裂伸長率為26.4%之良好結果。
如表1所示，實施例7之芳香族聚酯薄膜，係具有0.30W/(m．K)之高熱傳導率、及拉伸斷裂伸長率為22.0%之良好結果。
如表1所示，實施例8之芳香族聚酯薄膜，係具有0.29W/(m．K)之高熱傳導率、及拉伸斷裂伸長率為 27.5%之良好結果。
如表1所示，實施例9之芳香族聚酯薄膜，係具有0.29W/(m．K)之高熱傳導率、及拉伸斷裂伸長率為24.8%之良好結果。
如表1所示，實施例10之芳香族聚酯薄膜，係具有0.30W/(m．K)之高熱傳導率、及拉伸斷裂伸長率為22.3%之良好結果。
比較例1之芳香族聚酯薄膜，係熱傳導率為0.27W/(m．K)，與實施例6~10相比為較低之值。拉伸斷裂伸長率為18.5%，低於實施例6~10，降幅為20%。
比較例2之芳香族聚酯薄膜，係熱傳導率為0.30W/(m．K)，與實施例6~10相等，但拉伸斷裂伸長率為13.0%，低於實施例6~10，降幅為20%。
比較例3之芳香族聚酯薄膜，係熱傳導率為0.26W/(m．K)，與實施例6~10相比為較低之值。拉伸斷裂伸長率為16.2%，低於實施例6~10，降幅為20%。
比較例4之芳香族聚酯薄膜，係拉伸斷裂伸長率為21.8%，與實施例6~10相等，但熱傳導率為0.23W/(m．K)，與實施例6~10相比為較低之值。
如以上之評估結果所示，藉由本實施例，可得到熱傳導率高、薄膜伸長率大之芳香族聚酯薄膜。
[產業上利用可能性]
藉由本發明，因可提供一種可形成薄膜伸長 率與熱傳導率皆優異之薄膜的芳香族聚酯、使用前述芳香族聚酯之芳香族聚酯液狀組成物、芳香族聚酯薄膜之製造方法、及芳香族聚酯薄膜，故產業上極為有用。

Claims (14)

  1. 一種芳香族聚酯，其構成單位含有下述重複單位：(A)以下述式(a)所示之重複單位、(B)芳香族二羧酸衍生之重複單位、(C)由芳香族二胺及具有羥基之芳香族胺構成之群組所選出之芳香族胺衍生之重複單位、與(D)芳香族二醇衍生之重複單位；其中，相對於由(A)至(D)之重複單位之合計，(A)之重複單位的含有率為10莫耳%以上，未達20莫耳%、(B)之重複單位的含有率為超過40莫耳%，45莫耳%以下、(C)之重複單位與(D)之重複單位的合計含有率為超過40莫耳%，45莫耳%以下、(D)之重複單位的含有率為超過0莫耳%，未達15莫耳%；-O-Ar1-CO- (a)(式中，Ar1表示1,4-伸苯基、2,6-伸萘基或4,4’-伸聯苯基；Ar1所示之基之至少一個的氫原子係各自獨立亦可被鹵素原子、烷基或芳基取代)。
  2. 如請求項1之芳香族聚酯，其中，前述式(a)中， Ar1係1,4-伸苯基或2,6-伸萘基。
  3. 如請求項1或2之芳香族聚酯，其中，前述(B)之重複單位係下述式(b)所示之重複單位，-CO-Ar2-CO- (b)(式中，Ar2表示1,4-伸苯基、1,3-伸苯基、2,6-伸萘基或二苯醚-4,4’-二基；Ar2所示之基的至少一個氫原子係各自獨立亦可被鹵素原子、烷基或芳基取代)。
  4. 如請求項3之芳香族聚酯，其中，前述式(b)中，Ar2係1,4-伸苯基、1,3-伸苯基或2,6-伸萘基。
  5. 如請求項1或2之芳香族聚酯，其中，前述(C)之重複單位係下述式(c)所示之重複單位，-X-Ar3-NH- (c)(式中，Ar3表示1,4-伸苯基、1,3-伸苯基或2,6-伸萘基；Ar3所示之基的至少一個氫原子係各自獨立亦可被鹵素原子、烷基或芳基取代；X表示-O-或-NH-)。
  6. 如請求項5之芳香族聚酯，其中，前述式(c)中，Ar3係無取代之1,4-伸苯基、1,3-伸苯基或2,6-伸萘基。
  7. 如請求項1或2之芳香族聚酯，其中，前述(D)之重複單位係下述式(d)所示之重複單位， -O-Ar4-O- (d)(Ar4表示1,4-伸苯基、1,3-伸苯基或4,4’-伸聯苯基；Ar4所示之基的至少一個氫原子係各自獨立亦可被鹵素原子、烷基或芳基取代)。
  8. 如請求項7之芳香族聚酯，其中，前述式(d)中，Ar4係無取代之1,4-伸苯基、1,3-伸苯基或4,4’-伸聯苯基。
  9. 一種芳香族聚酯薄膜，其係含有如請求項1~8中任一項之芳香族聚酯。
  10. 一種芳香族聚酯液狀組成物，其係含有如請求項1~8中任一項之芳香族聚酯與非質子性溶劑。
  11. 如請求項10之芳香族聚酯液狀組成物，其中，相對於非質子性溶劑100質量份，含有0.01質量份以上，100質量份以下之芳香族聚酯。
  12. 如請求項10或11之芳香族聚酯液狀組成物，其中，前述非質子性溶劑係不含有鹵素原子之非質子性溶劑。
  13. 如請求項10或11之芳香族聚酯液狀組成物，其中，前述非質子性溶劑之偶極矩為3以上，5以下。
  14. 一種芳香族聚酯薄膜之製造方法，其含有下述步驟：將如請求項10~13中任一項之芳香族聚酯液狀組成物流延於支撐基板上之步驟、由前述支撐基板上之前述芳香族聚酯液狀組成物除去溶劑之步驟。
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