TWI670232B

TWI670232B - 氟化合物氣體之純化方法

Info

Publication number: TWI670232B
Application number: TW106104057A
Authority: TW
Inventors: 八尾章史; 大矢浩平; 武田雄太; 江藤純
Original assignee: 日商中央硝子股份有限公司
Priority date: 2016-02-09
Filing date: 2017-02-08
Publication date: 2019-09-01
Also published as: KR20180114106A; KR102136391B1; JP6792158B2; TW201731763A; KR102231220B1; JP2017141150A; US10926211B2; US20190046917A1; KR20200090928A

Abstract

本發明揭示一種自含有氟化氫及金屬成分之氟化合物氣體中去除金屬成分之純化方法。該方法包括如下去除步驟：使上述氟化合物氣體與固體之金屬氟化物接觸，使氟化氫及金屬成分吸附至上述金屬氟化物而去除。氟化合物氣體較佳為包含選自由ClF、ClF₃ 、IF₅ 、IF₇ 、BrF₃ 、BrF₅ 、NF₃ 、WF₆ 、SiF₄ 、CF₄ 、SF₆ 、BF₃ 所組成之群中之至少一種，金屬氟化物較佳為鹼金屬氟化物或鹼土金屬氟化物。藉由使氟化氫與氟化合物氣體共存，即便出現意外，亦可使作為雜質之金屬成分吸附至金屬氟化物而去除。

Description

氟化合物氣體之純化方法

本發明係關於一種自含有作為雜質之金屬成分之氟化合物氣體中去除金屬成分而將氟化合物氣體純化的氟化合物氣體之純化方法。

氟化合物氣體廣泛用於半導體器件、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統)器件、液晶用TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)面板及太陽電池等之製造步驟中之基板蝕刻或CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)等之薄膜形成時之清潔氣體、或用於合成氟化學品之氟化劑等。於半導體器件之製造中，隨著微細化及高積體化技術發展，加工之技術性難易度逐年增高。於此種狀況中，半導體器件之材料中所含之雜質有於半導體器件之製造步驟中導致製品之良率降低等問題之虞。因此，關於用作清潔氣體等之氟化合物氣體，亦要求其高純度化，尤其關於對半導體器件之電氣特性造成較大影響之金屬雜質，要求降低至未達10質量ppb等非常高之純度。作為實現如此之氣體之高純度化之純化方法，已知有深冷純化法，即，將含有氣體及雜質之混合氣體冷卻至低溫使其液化，根據混合氣體中之各氣體凝結時之溫度不同，藉由蒸餾或部分凝結進行分離回收之方法。例如於專利文獻1中揭示有如下深冷純化法，即，對氟化合物賦予能量，使氟化合物反應，生成氟氣成分及氟氣以外之成分，使用液態氮等將生成之氟氣成分及氟氣成分以外之氣體成分進行冷卻，根據兩者之沸點不同，將氟氣分離。然而，專利文獻1所記載之方法並不適用於以純化為目的之氟化合物氣體與其中所含之雜質之沸點或熔點之差較小之情形。又，於雜質為金屬雜質之情形時，金屬雜質通常以金屬或金屬化合物之微粒子或團簇、或者具有相對較高之蒸氣壓之金屬鹵化物或金屬錯合物之氣體之形式含有於氣體中。然而，金屬雜質之昇華性非常高，進而作為雜質含有於氟化合物氣體中之量亦為微量，因此存在難以藉由深冷純化法去除之問題。又，亦存在如下問題：若使用深冷純化法，則其設備複雜且較大，雖然於氟化合物氣體之製造工廠可設置設備，但處理少量氣體時難以設置設備，並不適合。作為使用簡易構造之裝置處理氣體之方法，已知有使其與固形物填充劑接觸之乾式處理方法。例如於專利文獻2中揭示有如下方法，即，於具有填充有氟化鈉(NaF)等吸附劑之處理塔之純化裝置中，於處理塔中流通含有氟氣及雜質之混合氣體，將作為雜質之氟化氫去除。又，於專利文獻3中揭示有將加熱MnF₄ 而生成之氟氣中所含之昇華之氟化錳去除之方法，具體而言，記載有使氟化錳與氟化鈉接觸而進行反應，根據式MnF₄ ＋2NaF→Na₂ MnF₆ ，形成複合氟化物，從而可去除。專利文獻2所記載之方法於雜質為氟化氫之情形時為有效方法。然而，對於氟化氫以外之雜質幾乎無效。於專利文獻2中記載有將氟氣中所含之氟化氫去除之方法，但並未記載雜質為金屬雜質之情形時之去除方法。專利文獻3所記載之方法揭示有為了使氟化鈉與氟化錳反應而形成複合氟化物，加熱至100℃以上之高溫。然而，存在如下問題：若加熱至100℃以上之高溫，則複合氟化物氣體與填充氟化鈉之金屬容器亦產生反應，容器之金屬成分混入至複合氟化物氣體中而成為新的雜質。先前技術文獻專利文獻專利文獻1：日本專利特開2004-39740號公報專利文獻2：日本專利特開2009-215588號公報專利文獻3：日本專利特開2006-117509號公報

本發明之目的在於提供一種氟化合物氣體之純化方法，其係利用簡易構造之裝置將作為雜質含有於氟化合物氣體中之微量金屬成分去除，從而將氟化合物氣體純化。本發明者等人為了達成上述目的而反覆努力研究，結果發現，若使微量之氟化氫與含有作為雜質之金屬成分之氟化合物氣體共存，則氟化合物氣體中所含之金屬成分與氟化氫一併吸附至固體之金屬氟化物而去除，而可將氟化合物氣體純化，從而完成本發明。於本發明之氟化合物氣體之純化方法中，藉由於氟化合物氣體中添加氟化氫氣體，使氟化氫氣體共存，可使該等金屬雜質吸附至金屬氟化物。即，本發明包含發明1～13。 [發明1] 一種氟化合物氣體之純化方法，其係自包含氟化氫及金屬成分之氟化合物氣體中去除金屬成分者，且包含如下去除步驟：使上述氟化合物氣體與固體之金屬氟化物接觸，使氟化氫及金屬成分吸附至上述金屬氟化物而去除。 [發明2] 如發明1之氟化合物氣體之純化方法，其中上述氟化合物氣體包含選自由ClF、ClF₃ 、IF₅ 、IF₇ 、BrF₃ 、BrF₅ 、NF₃ 、WF₆ 、SiF₄ 、CF₄ 、SF₆ 、BF₃ 所組成之群中之至少一種氟化合物。 [發明3] 如發明1或發明2之氟化合物氣體之純化方法，其中於上述去除步驟之前進行濃度調整步驟：將上述氟化合物氣體中之氟化氫之含量調整為相對於氟化合物、氟化氫及金屬成分之合計體積為50體積ppm以上且1體積%以下。 [發明4] 如發明3之氟化合物氣體之純化方法，其中上述濃度調整步驟係於氟化合物氣體中添加氟化氫之添加步驟。 [發明5] 如發明1至4中任一項之氟化合物氣體之純化方法，其中上述金屬氟化物係選自由鹼金屬氟化物及鹼土金屬氟化物所組成之群中之至少一種。 [發明6] 如發明5之氟化合物氣體之純化方法，其中上述金屬氟化物係選自由氟化鋰、氟化鈉、氟化鉀、氟化鎂、氟化鈣及氟化鋇所組成之群中之至少一種。 [發明7] 如發明1至6中任一項之氟化合物氣體之純化方法，其中於上述去除步驟中，使氟化合物氣體與固體之金屬氟化物接觸之溫度為上述氟化合物氣體中所含之氟化合物之沸點以上且50℃以下。 [發明8] 如發明1至7中任一項之氟化合物氣體之純化方法，其中上述去除步驟前之氟化合物氣體中所含之金屬成分包含選自由Fe、Cr、Mn、Co、Ti、Mo、Cu及Ni所組成之群中之至少一種金屬。 [發明9] 如發明1至8中任一項之氟化合物氣體之純化方法，其中上述去除步驟後之氟化合物氣體中所含之Fe、Cr、Mn、Co、Ti、Mo、Cu、Ni之各者之含量均為10質量ppb以下。 [發明10] 一種氟化合物氣體之純化方法，其係自包含氟化氫及選自由Fe、Cr、Mn、Co、Ti、Mo、Cu及Ni所組成之群中之至少一種金屬成分之選自由ClF、ClF₃ 、IF₅ 、IF₇ 、BrF₃ 、BrF₅ 、NF₃ 、WF₆ 、SiF₄ 、CF₄ 、SF₆ 、BF₃ 所組成之群中之至少一種氟化合物氣體中去除金屬成分的純化方法，且包括如下去除步驟：使上述氟化合物氣體與選自由氟化鋰、氟化鈉、氟化鉀、氟化鎂、氟化鈣及氟化鋇所組成之群中之至少一種固體之金屬氟化物接觸，使氟化氫及金屬成分吸附至上述金屬氟化物而去除，去除步驟後之氟化化合物氣體中所含之Fe、Cr、Mn、Co、Ti、Mo、Cu、Ni之各者之含量均為10質量ppb以下。 [發明11] 一種純化氟化合物氣體之製造方法，其係將氟化合物氣體中所含之金屬成分去除之純化氟化合物氣體之製造方法，且包括如下去除步驟：使含有氟化氫及金屬成分之氟化合物氣體與固體之金屬氟化物接觸，使氟化氫及金屬成分吸附至上述金屬氟化物而去除。 [發明12] 如發明11之純化氟化合物氣體之製造方法，其中上述純化氟化合物中所含之Fe、Cr、Mn、Co、Ti、Mo、Cu、Ni之各者之含量均為10質量ppb以下。 [發明13] 如發明11或發明12之純化氟化合物氣體之製造方法，其中上述純化氟化合物氣體中之氟化氫之含量相對於氟化合物、氟化氫及金屬成分之合計體積為50體積ppm以下。 [發明之效果] 根據本發明，以簡易構造之裝置可自含有作為雜質之金屬成分之氟化合物氣體中容易地去除金屬成分，可提供能夠用於應對半導體領域之微細化之蝕刻等用途之氣體。

以下，關於本發明之實施方法，參照圖式詳細敍述本發明。再者，圖1、2只不過係例示實施本發明之方法之一例，亦可利用本形態以外之方法實施本發明。＜純化裝置10＞本發明之純化裝置10係自氟化合物氣體供給部20供給氟化合物氣體，將出口氣體供給至外部裝置30。純化裝置10至少具備金屬氟化物填充部100，視需要具備氟化氫濃度調整部110及氟化氫供給部120。＜金屬氟化物填充部100＞金屬氟化物填充部100係填充含有金屬氟化物之化學劑之容器，根據要流通之氣體之純度或流速而適當設計。例如，可使用於底網上填充金屬氟化物之顆粒，自下部導入處理對象氣體，並自上部排出之除害設備等。填充之化學劑只要含有金屬氟化物，則可為粉末狀，可為粒狀，亦可為顆粒狀，金屬氟化物之含量亦無特別限定，通常為純度90質量%以上，較佳為純度95質量%以上。作為使用之金屬氟化物，可列舉鹼金屬氟化物、鹼土金屬氟化物，具體而言，可例示氟化鋰、氟化鈉、氟化鉀、氟化鎂、氟化鈣、氟化鋇。該等金屬氟化物雖然與氟化合物之反應性較低，但可吸附氟化氫氣體，因此較佳。又，用於金屬氟化物填充部100之容器之材質係使用對於氟化合物、氟、或氟化氫具有耐蝕性之金屬。具體而言，可選擇鎳、作為鎳基合金之赫史特合金(Hastelloy，註冊商標)、蒙納合金(Monel，註冊商標)或英高鎳合金(Inconel，註冊商標)、鋁、鋁合金、或不鏽鋼等。再者，關於不鏽鋼，材質中所含之Fe或Cr會與氟化合物反應，有成為金屬雜質之產生源之可能性，因此於使用前，必須進行流通氟化合物氣體或氟氣，於表面形成鈍態皮膜等處理。又，金屬氟化物填充部100之使用溫度即使氟化合物氣體與固體之金屬氟化物接觸之溫度為氟化合物氣體中所含之氟化合物之沸點以上且50℃以下。當使用溫度未達金屬氟化物填充部100之壓力下之氟化合物之沸點時，會產生於金屬氟化物填充部100內氣體凝結之問題。又，當溫度高於50℃時，有促進氟化合物氣體與金屬氟化物填充部100之容器之反應，產生源自容器之金屬雜質，金屬成分之濃度增加之可能性，因此欠佳。再者，金屬氟化物填充部100於儘可能低溫下使用雖可進一步獲得純化效果，但另外需要冷卻設備等，因此通常於室溫(約20℃)附近使用。再者，於氟化合物之常壓下之沸點超過50℃之情形時，以如下方式使用即可，將金屬氟化物填充部100等裝置之內部進行減壓，使於50℃以下成為氣體。於供給至金屬氟化物填充部100之氟化合物氣體中，較佳為如下所述，氟化氫含有50體積ppm以上且1體積%以下。又，關於氟化合物氣體中所含之各金屬成分(Fe、Cr、Mn、Co、Ti、Mo、Cu、Ni)之各者之含量，較佳為於金屬氟化物填充部100之出口均為10質量ppb以下，以便能夠於半導體器件之製造步驟中使用。再者，關於金屬氟化物填充部100之入口之氟化合物氣體中所含之各金屬成分(Fe、Cr、Mn、Co、Ti、Mo、Cu、Ni)之各者之含量，較佳為10質量ppb以上且1000質量ppb以下，較佳為20質量ppb以上且500質量ppb以下。於金屬成分之量過多之情形時，有無法完全去除金屬成分之虞，於過少之情形時，無需應用本發明。各金屬成分以金屬或金屬化合物之微粒子或者團簇、或具有相對較高之蒸氣壓之金屬鹵化物或金屬錯合物之氣體之形式含有於氣體中。但是，各金屬成分之含量並非以金屬化合物或金屬錯合物之含量，而係以金屬單質之含量進行評價。關於金屬成分，作為用於氟化合物氣體之製造步驟中之反應器或配管等構件、或儲氣瓶之材質而使用之金屬會因氟化合物氣體而受到腐蝕等，以上述金屬雜質之狀態混入至氟化合物氣體。關於其含量，藉由對構件及儲氣瓶等使用上述耐蝕性之金屬，可抑制為1000質量ppb以下。又，自金屬氟化物填充部100之出口之氟化合物氣體中所含之氟化氫之量較佳為相對於氟化合物氣體、氟化氫、及金屬成分之合計體積成為50體積ppm以下。＜氟化合物氣體供給部20＞氟化合物氣體供給部20係由氟化合物氣體之製造設備所製造之氟化合物氣體之貯存部、或填充氟化合物氣體之儲氣瓶等。供給之氟化合物氣體只要不與填充於金屬氟化物填充部100之金屬氟化物直接反應，則無特別限定，例如可列舉ClF、ClF₃ 、IF₅ 、IF₇ 、BrF₃ 、BrF₅ 、NF₃ 、WF₆ 、SiF₄ 、CF₄ 、SF₆ 、BF₃ 。供給之氣體之純度等並無約束，於使用低濃度氣體之情形時，設置於下游側之金屬氟化物填充部100之負載變大，產生裝置之大型化、或化學劑更換頻度變高等障礙，因此較佳為使用預先利用蒸餾或深冷純化法去除雜質之氣體。具體而言，較佳為使用純度為90體積%以上者，進而較佳為使用99體積%以上者。＜外部裝置30＞於純化裝置10之下游連接外部裝置30。例如於氟化合物氣體之製造步驟中使用本發明之方法之情形時，氟化合物氣體之填充設備相當於外部裝置30。又，於將本發明之方法用於蝕刻步驟之氣體供給線之情形時，蝕刻裝置相當於外部裝置30。再者，亦可於一個殼體具備純化裝置10及外部裝置30之兩者。例如，藉由於蝕刻裝置之氣體接收口或配管之中途設置本發明之純化裝置10，將純化裝置10之出口氣體供給至蝕刻腔室，可使用去除金屬成分後之氣體對半導體元件進行蝕刻。＜氟化氫濃度調整部110＞氟化氫濃度調整部110將供給至純化裝置10之氟化合物氣體中所含之氟化氫之量調整為適於供給至金屬氟化物填充部100之量。供給至金屬氟化物填充部100之氟化合物氣體中之氟化氫之含量較佳為相對於氟化合物氣體、氟化氫、及金屬成分之合計體積為50體積ppm以上且1體積%以下，更佳為100體積ppm以上且2000體積ppm以下，亦可為200體積ppm以上且1000 ppm以下。若氟化氫含量未達50 ppm，則多數情況下因氟化氫之量過少而難以充分地減少金屬成分之量。於自氟化合物氣體供給部20供給之氟化合物氣體中預先含有50體積ppm以上之氟化氫之情形時，直接供給至金屬氟化物填充部100，但於氟化氫含量未達50體積ppm之情形時，較佳為自氟化氫供給部120供給氟化氫。另一方面，於氟化氫含量超過1體積%之情形時，必須頻繁地更換金屬氟化物填充部100之化學劑，因此不僅不經濟，而且亦存在藉由金屬氟化物填充部100之化學劑之量，無法將氟化氫完全去除，無法充分地減少金屬成分之情況。因此，於供給氟化氫含量超過1體積%之氟化合物氣體之情形時，氟化氫濃度調整部110亦可利用氟化氫含量更少之同種氟化合物氣體進行稀釋、或利用金屬氟化物等化學劑粗取氟化氫。＜氟化氫供給部120＞氟化氫供給部120係於金屬氟化物填充部100之上游部分利用配管等而連接，可向氟化合物氣體中添加氟化氫。於氟化氫供給部120連接填充有氟化氫之容器或儲氣瓶。關於連接之氟化氫之純度，較佳為使用高純度者，較佳為使用純度為99.5質量%以上、更佳為99.9質量%以上者。進而，關於金屬雜質，混入之Fe、Cr、Mn、Co、Ti、Mo、Cu、Ni之各金屬成分之濃度較佳為均為10質量ppb以下。＜純化裝置10之效果＞於利用本發明之純化裝置10中，以填充有化學劑之簡易構造之裝置可將金屬成分之濃度降低至非常低之程度。因此，即便為小規模之工廠，亦可利用本發明獲得金屬雜質較少之氣體。又，由於可在即將使用氟化合物氣體之前設置純化裝置10，故而可防止源自配管等之金屬成分之混入，外部裝置30可利用金屬雜質較少之氣體。以下，利用實施例具體地說明本發明，但本發明並不限定於實施例。 [實施例] 依照圖2所示之系統圖，使用填充有ClF、ClF₃ 、IF₇ 、BrF₅ 、NF₃ 、WF₆ 之各者之儲氣瓶(純度99體積%以上且99.99體積%以下)作為氟化合物氣體供給部20，於氟化氫供給部120連接填充有HF之儲氣瓶(HF純度：99.99體積%)。再者，雖然於圖2中未圖示，但於各儲氣瓶之下游側使用質量流量控制器(HORIBA STEC股份有限公司製造)作為流量控制裝置，控制各氣體之供給量。又，於金屬氟化物填充部100使用於直徑1英吋(25.4 mm)×200 mm之Ni管填充有NaF顆粒(森田化學工業股份有限公司製造)100 g者。再者，金屬氟化物填充部100係加熱或冷卻至室溫或特定之溫度而使用。而且，收集相當於金屬氟化物填充部100之入口與出口之部分之氣體，利用電感耦合電漿質量分析計(ICP-MS)測定金屬成分之含量。再者，金屬成分係作為用於氟化合物氣體之製造步驟中之反應器或配管等構件、或儲氣瓶之材質而使用之金屬因氟化合物氣體而受到腐蝕等，以上述狀態混入至氟化合物氣體者。關於實施例及比較例之結果，彙總於表1。 [表1] 於實施例1中，藉由使含有特定量之氟化氫之IF₇ 於25℃下與NaF接觸，可降低金屬濃度。又，於實施例2與實施例3中，即便與NaF接觸之溫度為45℃或0℃，亦可充分地降低金屬濃度，但於45℃下接觸之實施例2中，與實施例1及實施例3相比，金屬濃度變高。推測其原因在於，IF₇ 會與構成裝置之金屬材料略微地進行反應。於實施例4中，IF₇ 氣體中所含之氟化氫之濃度為58體積ppm，但確認到金屬成分之去除效果。然而，由於氟化氫之濃度較低，故而一部分金屬成分之含量多於實施例1。此外，於實施例5～9中，關於ClF、ClF₃ 、BrF₅ 、NF₃ 、WF₆ ，使用本發明之純化方法亦確認到金屬成分之去除效果。另一方面，於氟化氫之濃度較低之實施例10中，亦可去除某種程度之金屬成分，但由於氟化氫之量較少，故而關於一部分金屬成分，難以降低至未達10質量ppb。又，如表2所示，於實施例11～13中，將填充於金屬氟化物填充部100之化學劑變更為KF顆粒、MgF₂ 顆粒、BaF₂ 顆粒，除此以外，以與實施例1同樣之方式實施，結果與實施例1同樣地可確認到金屬成分之去除效果。 [表2] 再者，於如比較例1般填充劑使用氧化鋁之情形時，氟化氫或七氟化碘與氧化鋁反應而產生反應熱，藉由該反應熱，金屬氟化物填充部100或設置於其下游側之用於連接之不鏽鋼管與七氟化碘進行反應，因此，結果非但未將金屬成分去除，反而增加金屬成分。 [產業上之可利用性] 藉由本發明，可容易地去除氟化合物氣體中所含之金屬成分，可提供能夠用於應對半導體領域之微細化之蝕刻等用途之氣體。

10‧‧‧純化裝置

20‧‧‧氟化合物氣體供給部

30‧‧‧外部裝置

100‧‧‧金屬氟化物填充部

110‧‧‧氟化氫濃度調整部

120‧‧‧氟化氫供給部

圖1係表示本發明之實施形態之一例之概念圖。圖2係表示本發明之另一實施形態之一例之概念圖。

Claims

一種氟化合物氣體之純化方法，其係自含有氟化氫氣體及選自由Fe、Cr、Mn、Co、Ti、Mo、Cu及Ni所組成之群中之至少一種金屬成分之氟化合物氣體中去除金屬成分者，且包括：去除步驟，其係使上述氟化合物氣體與固體之金屬氟化物於50℃以下接觸，使氟化氫氣體及金屬成分吸附至上述金屬氟化物而去除，上述去除步驟前之上述氟化合物氣體中之氟化氫氣體含量，相對於氟化合物氣體、氟化氫氣體及金屬成分之合計體積為50體積ppm以上且1體積%以下，上述金屬氟化物係選自由氟化鋰、氟化鈉、氟化鉀、氟化鎂、氟化鈣及氟化鋇所組成之群中之至少一種，上述氟化合物氣體係選自由ClF、ClF₃、IF₅、IF₇、BrF₃、BrF₅、NF₃、WF₆、SiF₄、CF₄、SF₆、BF₃所組成之群中之至少一種氟化合物之氣體。
如請求項1之氟化合物氣體之純化方法，其中上述氟化合物氣體包含選自由ClF、ClF₃、IF₅、IF₇、BrF₃、BrF₅、NF₃、WF₆、SiF₄、CF₄、SF₆、BF₃所組成之群中之至少一種氟化合物。
如請求項1或2之氟化合物氣體之純化方法，其中於上述去除步驟之前進行濃度調整步驟：將上述氟化合物氣體中之氟化氫氣體之含量調整為相對於氟化合物、氟化氫氣體及金屬成分之合計體積為50體積ppm以上且 1體積%以下。
如請求項3之氟化合物氣體之純化方法，其中上述濃度調整步驟係於氟化合物氣體中添加氟化氫氣體之添加步驟。
如請求項1之氟化合物氣體之純化方法，其中上述金屬成分為氣體。
如請求項5之氟化合物氣體之純化方法，其中上述金屬成分為選自由Fe、Cr、Mn、Co、Ti、Mo、Cu及Ni所組成之群中之至少一種金屬之金屬鹵化物或金屬錯合物。
如請求項1之氟化合物氣體之純化方法，其中上述金屬氟化物為氟化鈉。
如請求項1或2之氟化合物氣體之純化方法，其中上述去除步驟後之氟化合物氣體中所含之Fe、Cr、Mn、Co、Ti、Mo、Cu、Ni之各者之含量均為10質量ppb以下。
如請求項1之氟化合物氣體之純化方法，其中上述去除步驟後之氟化合物氣體中之氟化氫氣體之含量，相對於氟化合物氣體、氟化氫氣體及金屬成分之合計體積為50體積ppm以下。
一種純化氟化合物氣體之製造方法，其係將氟化合物氣體中所含之選自由Fe、Cr、Mn、Co、Ti、Mo、Cu及Ni所組成之群中之至少一種金屬成分去除之純化氟化合物氣體之製造方法，且包括：去除步驟，其係使含有氟化氫氣體及金屬成分之氟化合物氣體與固體之金屬氟化物於50℃以下接觸，使氟化氫氣體及金屬成分吸附至上述金屬氟化物而去除，上述去除步驟前之上述氟化合物氣體中之氟化氫氣體含量，相對於氟化合物氣體、氟化氫氣體及金屬成分之合計體積為50體積ppm以上且1體積%以下，上述金屬氟化物係選自由氟化鋰、氟化鈉、氟化鉀、氟化鎂、氟化鈣及氟化鋇所組成之群中之至少一種，上述氟化合物氣體係選自由ClF、ClF₃、IF₅、IF₇、BrF₃、BrF₅、NF₃、WF₆、SiF₄、CF₄、SF₆、BF₃所組成之群中之至少一種氟化合物之氣體。
如請求項10之純化氟化合物氣體之製造方法，其中上述金屬成分為氣體。
如請求項11之純化氟化合物氣體之製造方法，其中上述金屬成分為選自由Fe、Cr、Mn、Co、Ti、Mo、Cu及Ni所組成之群中之至少一種金屬之金屬鹵化物或金屬錯合物。
如請求項10之純化氟化合物氣體之製造方法，其中上述純化氟化合物氣體中所含之Fe、Cr、Mn、Co、Ti、Mo、Cu、Ni之各者之含量均為 10質量ppb以下。
如請求項10或11之純化氟化合物氣體之製造方法，其中上述純化氟化合物氣體中之氟化氫氣體之含量相對於氟化合物氣體、氟化氫氣體及金屬成分之合計體積為50體積ppm以下。