TWI653262B - 共聚矽氮烷、其製造方法及含有其之組成物以及使用其而成之二氧化矽質膜之形成方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種能藉由低溫下之燒結步驟而獲得具有耐電壓特性及對於溶劑之耐受性的二氧化矽質膜的共聚矽氮烷及其製造方法。
本發明之共聚矽氮烷，其係下述之共聚矽氮烷：至少具有以-Si(R1)(R2)-NR3-所代表的重複單元與以通式(II)：-Si(R1)(R2)-NH-所代表的重複單元(式中，R1、R2係各自獨立地表示氫原子、烴基、含有烴基之矽基、含有烴基之胺基、或烴氧基，R3係表示烷基、烯基、烷氧基、環烷基、芳基、或烷矽基)，NR3/SiH1,2(SiH1,2係表示SiH1與SiH2之合計量)為0.005至0.3。該共聚矽氮烷係能藉由使Si(R1)(R2)X2(式中，X係表示鹵素原子)與一級胺化合物：R3NH2反應後，與氨反應而製造。

Description

共聚矽氮烷、其製造方法及含有其之組成物以及使用其而成之二氧化矽質膜之形成方法
本發明係關於一種新型共聚矽氮烷，尤其有用於低溫下之二氧化矽質膜製造之新型共聚矽氮烷。又，本發明也關於該共聚矽氮烷之製造方法、含有該共聚矽氮烷之組成物以及使用該組成物的二氧化矽質膜之形成方法。
習知之聚矽氮烷-尤其可溶於有機溶劑之過氫聚矽氮烷係有用於作為氮化矽先質(例如，參閱專利文獻1)。又，近年來作為用以形成半導體裝置等之電子元件中的層間絕緣膜之方法，習知為塗布含有聚矽氮烷之塗布組成物，之後燒結而使聚矽氮烷轉化成二氧化矽質膜之方法(例如，參閱專利文獻2至5)。
過氫聚矽氮烷係具有以-SiH2-NH-所代表的重複單元，於專利文獻1中，記載一種合成方法，其係使二鹵矽烷與鹼的加成物和氨反應之方法。
此外，作為聚矽氮烷之製造方法，也有人提案下列之各種方法：(a)使胺與SiCl4、SiH2Cl2等之矽鹵化物反應之方法；(b)使用可使矽氮烷脫氫化的KH等之鹼金屬氫化物觸媒而形成聚矽氮烷之方法；(c)使用過渡 金屬錯合物觸媒，藉由矽烷化合物與胺化合物之脫氫反應而合成矽氮烷之方法；(d)使用CF4SO3H之所謂的酸觸媒而進行胺基矽烷的氨與胺交換之方法；(e)利用大量之氨或胺而進行胺基矽烷的胺交換之方法；(f)在鹼性觸媒之存在下，使多元胺基矽烷化合物與多氫化含氮化合物進行胺交換反應之方法等(例如，參閱專利文獻6)。
除了上述之層間絕緣膜之外，聚矽氮烷之二氧化矽質轉化膜也作為在半導體裝置等之電子元件的鈍化膜、保護膜、平坦化膜等之各種膜使用，針對在如此電子元件之膜，要求絕緣性、膜之平坦性、對於酸．鹼、溶劑等之耐受性，進一步要求高的阻障性等之特性。雖然使用含有聚矽氮烷之塗布液，能藉由形成二氧化矽質膜之方法而形成符合如此特性之膜，但於過氫聚矽氮烷中，無法藉由低溫下之燒結而獲得具有耐電壓特性或對於溶劑之耐受性的二氧化矽質膜。因此，為了將過氫聚矽氮烷轉化成具有充分的絕緣性或耐電壓特性、對於溶劑之耐受性的二氧化矽質膜，必須在高溫下使其與水蒸氣接觸之步驟。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1 日本特公昭63-16325號公報
專利文獻2 日本特開2011-54898號公報
專利文獻3 日本特開2005-45230號公報
專利文獻4 日本特開平9-31333號公報
專利文獻5 日本特開平9-275135號公報
專利文獻6 WO97/24391
本發明係根據如上述之事實而進行者，目的在於提供一種共聚矽氮烷，其能藉由低溫下之燒結步驟而獲得具有耐電壓特性及對於溶劑之耐受性的二氧化矽質膜。
又，本發明之另一目的係提供該共聚矽氮烷之製造方法、含有該共聚矽氮烷之組成物、使用該組成物而形成於低溫下之燒結步驟後具有耐電壓特性及對於溶劑之耐受性的二氧化矽質膜之方法。
本發明人等進行鑽研之結果，發現如下之事實：藉由在溶液中併用使二鹵矽烷化合物與一級胺化合物反應的胺解、以及使其與氨反應的氨解，可獲得共聚矽氮烷化合物，而藉此所得之共聚矽氮烷化合物係在300℃以下之燒結溫度會轉化成具有較習知之無機聚矽氮烷為優越的耐電壓特性及對於溶劑之耐受性的二氧化矽質膜；根據該見解而完成本發明。
亦即，本發明係如下所示：關於一種共聚矽氮烷、該共聚矽氮烷之製造方法、含有該共聚矽氮烷之組成物、及使用該組成物而製造二氧化矽質膜之方法。
(1)一種共聚矽氮烷，其至少具有以下述通式(I)所代表的重複單元與以下述通式(II)所代表的重複單 元，NR3/SiH1,2(SiH1,2係表示SiH1與SiH2之合計量)為0.005至0.3，
(式中，R1、R2係各自獨立地表示氫原子、烴基、含有烴基之矽基、含有烴基之胺基、或烴氧基，R3係表示烷基、烯基、烷氧基、環烷基、芳基、或烷矽基)；
(式中，R1、R2係與上述同義)。
(2)如上述(1)之共聚矽氮烷，其中通式(I)與通式(II)之R1與R2均為氫原子。
(3)如上述(1)或(2)之共聚矽氮烷，其中聚苯乙烯換算重量平均分子量為700至4,000。
(4)一種如上述(1)之共聚矽氮烷之製造方法，其特徵為使以通式(III)所代表的二鹵矽烷化合物、與以式(IV)所代表的一級胺化合物反應後，進一步使與氨反應，
(式中，R1、R2係各自獨立地表示氫原子、烴基、含有烴基之矽基、含有烴基之胺基、或烴氧基，X係表示F、Cl、Br、或I)；R3-NH2 (IV)
(式中，R3係表示烷基、烯基、烷氧基、環烷基、芳基、或烷矽基)。
(5)如上述(4)之共聚矽氮烷之製造方法，其中使用以相對於二鹵矽烷化合物而言莫耳比為0.1至3.0的該一級胺化合物、以相對於該二鹵矽烷化合物而言莫耳比為0.2至3.1的氨。
(6)如上述(4)或(5)之共聚矽氮烷之製造方法，其中反應係在溶劑中進行，於與該一級胺反應前，使二鹵矽烷化合物與鹼反應而形成二鹵矽烷化合物的加成物，之後使該二鹵矽烷化合物的加成物與該一級胺化合物反應。
(7)如上述(4)至(6)中任一項之共聚矽氮烷之製造方法，其中通式(III)之R1與R2皆為氫原子，X為氯原子。
(8)一種塗布組成物，其特徵為含有如上述(1)至(3)中任一項之共聚矽氮烷。
(9)一種二氧化矽質膜之形成方法，其特徵為將如上述(8)之塗布組成物塗布於基板上，乾燥後，在氧化環境中加熱至300℃以下。
習知使用過氫聚矽氮烷之二氧化矽質膜製造方法必須設定高溫燒結，低溫下得不到充分的耐電壓特性、對於溶劑之耐受性等。但是藉由使用本發明之共聚矽氮烷則能利用300℃以下之低溫燒結而形成具有耐電壓特性及對於溶劑之耐受性的二氧化矽質膜。因此，也能適用於耐熱性並不充分的半導體元件之層間絕緣膜等之製造。
第1圖係在實施例2所得之共聚矽氮烷的FT-IR光譜圖。
第2圖係在實施例2所得之共聚矽氮烷的1H NMR譜圖。
第3圖係在實施例3所得之共聚矽氮烷的FT-IR光譜圖。
第4圖係在實施例3所得之共聚矽氮烷的1H NMR譜圖。
[實施發明之形態]
本發明之共聚矽氮烷係如上所述，其係下述之共聚矽氮烷：至少具有以通式(I)：-Si(R1)(R2)-NR3-所代表的重複單元與以通式(II)：-Si(R1)(R2)-NH-所代表的重複單元(式中，R1、R2係各自獨立地表示氫原子、烴基、含有烴基之矽基、含有烴基之胺基、或烴氧基， R3係表示烷基、烯基、烷氧基、環烷基、芳基、或烷矽基)，NR3/SiH1,2為0.005至0.3。
上述本發明之共聚矽氮烷，例如，能藉由在溶劑中併用使二鹵矽烷化合物與一級胺化合物反應的胺解、以及使其與氨反應的氨解而調製。於此過程中，藉由在進行了使用一級胺化合物之胺解後，進行使用氨之氨解，可獲得在聚合物中含有氮原子上被氫原子以外所取代的骨架之共聚矽氮烷。
作為該溶劑係能溶解該二鹵矽烷化合物、該一級胺化合物、所形成的共聚矽氮烷，又，只要是不與共聚矽氮烷製造時所用之化合物、中間生成物、最終生成物反應者，則為任一種皆可，作為較佳的溶劑，例如，可舉出：(a)芳香族化合物，例如苯、甲苯、二甲苯、乙基苯、二乙基苯、三甲基苯、三乙基苯等；(b)飽和烴化合物，例如正戊烷、異戊烷、正己烷、異己烷、正庚烷、異庚烷、正辛烷、異辛烷、正壬烷、異壬烷、正癸烷、異癸烷等；(c)脂環式烴化合物，例如乙基環己烷、甲基環己烷、環己烷、環己烯、對、十氫萘、雙戊烯、檸檬烯等；(d)醚類，例如二丙基醚、二丁基醚、二乙基醚、甲基三級丁基醚、苯甲醚等。
作為該二鹵矽烷化合物係使用以通式：Si(R1)(R2)X2(式中，R1、R2係各自獨立地表示氫原子、烴基、含有烴基之矽基、含有烴基之胺基、或烴氧基，X係表示F、Cl、Br、或I)所代表的二鹵矽烷化合物，從原料價格之觀點等，較佳為X為氯原子之二氯矽烷化合 物。又，作為在該R1、R2之烴基，例如，可舉出：甲基、乙基、丙基、3-氯丙基、3,3,3-三氟丙基、3-氰基丙基等之亦可被鹵基、氰基、或芳基等所取代的直鏈、分枝、或環狀烷基；乙烯基、烯丙基等之烯基；苄基等之芳烷基；苯基等之芳基。又，作為烴氧基，例如，可舉出：甲氧基、乙氧基等之烷氧基、環烷氧基、芳氧基等。
若具體舉出能較佳使用之二氯矽烷化合物，例如，可舉出：二氯矽烷、甲基(氫)二氯矽烷、乙基(氫)二氯矽烷、乙烯基(氫)二氯矽烷、烯丙基(氫)二氯矽烷、苯基(氫)二氯矽烷、苄基(氫)二氯矽烷、二甲基二氯矽烷、甲基苯基二氯矽烷、二苯基二氯矽烷、甲基乙烯基二氯矽烷、二乙烯基二氯矽烷、二乙基二氯矽烷、乙基甲基二氯矽烷、乙基苯基二氯矽烷、乙基乙烯基二氯矽烷、乙氧基甲基二氯矽烷、乙氧基乙基二氯矽烷、乙氧基苯基二氯矽烷、乙氧基乙烯基二氯矽烷、甲基-3,3,3-三氟丙基二氯矽烷、烯丙基甲基二氯矽烷、3-氯丙基甲基二氯矽烷、甲基丙基二氯矽烷、二乙氧基二氯矽烷、3-氰基丙基甲基二氯矽烷等，但從反應性及原料價格等之觀點，特佳為二氯矽烷。還有，二氯矽烷化合物並非受上述具體所記載的化合物所限定者，又，二鹵矽烷化合物亦非受二氯矽烷化合物所限定者。
若上述通式(IV)所代表的一級胺化合物之R3烷基為烷基的話即可，並非特別受限定者，例如，可舉出：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、二級丁基、異丁基、戊基、己基等之基，其中，較佳為丙基、丁基。 若具體表示能較佳使用的一級胺化合物時，例如，可舉出：丙胺、異丙胺、二級丁胺、異丁胺等之烷胺類；環己胺等之環狀烷胺類；烯丙胺等之烯胺類；苯胺等之芳香族胺類。但是，在本發明所用之一級胺化合物並非受該等具體所舉出的化合物所限定者。
胺解，較佳之方法可舉出：使以該通式(III)所代表的二鹵矽烷化合物與鹼反應，使所形成的二鹵矽烷化合物之加成物與一級胺化合物反應之方法(例如，參閱專利文獻1)。一般而言，二鹵矽烷係酸性，能與鹼反應而形成加成物。該加成物的形成速度及作為加成物的穩定性係視二鹵矽烷之酸性強度與鹼性物質之鹼性強度或立體因子等而定。該情形之加成物的穩定性，未必指作為加成物而能分離之程度之穩定性，而是不僅包含在溶劑中安定存在之情形，也包含實質上發揮作為反應中間物功能之全部情形。所使用的鹼，只要係選擇按照二鹵矽烷之種類而能容易地形成安定的加成物，經歷胺解及氨解而能容易地獲得既定的共聚矽氮烷者即可。
作為鹼，例如，可舉出路易士鹼、三級胺類、吡啶、甲基吡啶及該等之衍生物；具有立體障礙之基的二級胺類：磷化氫、銻化氫及該等之衍生物等，其中較佳為低沸點且鹼性較一級胺化合物、氨為弱的鹼，從操作上及經濟上而言，特佳為吡啶及甲基吡啶。又，其量只要相對於二鹵矽烷而言較化學計量之量為過剩存在即可。加成物之形成係藉由將二鹵矽烷倒入已調溫至例如-40至20℃範圍之該溶劑與鹼的混合液中，接著在相同溫度下攪拌例如30至120分鐘而進行。
還有，由於作為鹼所用之吡啶係也作為溶劑而較佳使用者，因此亦可藉由將二鹵矽烷加入過剩之吡啶中而形成加成物，接著將一級胺化合物倒入該溶液中進行胺解，之後將氨注入其中而進行氨解。
胺解係能藉由在溫度例如-5℃至15℃下使其反應0.5至2小時而進行。又，氨解係能藉由在溫度例如-5℃至15℃下將氨注入反應溶液中，在相同溫度下攪拌該溶液，使其反應0.5至2小時而進行。
一級胺化合物之用量係相對於二鹵矽烷1莫耳的莫耳比為0.1至3.0之範圍，較佳為0.5至2.0之範圍，氨之用量係相對於二鹵矽烷1莫耳的莫耳比為0.2至3.1之範圍，較佳為1.2至2.7之範圍。一級胺化合物之用量相對於二鹵矽烷1莫耳的莫耳比若低於0.1，或氨之用量相對於二鹵矽烷1莫耳的莫耳比若超過3.1，則以低溫燒結所製造的二氧化矽質膜會不具有充分的耐電壓特性及對於溶劑之耐受性；相反地，一級胺化合物之用量相對於二鹵矽烷1莫耳的莫耳比若超過3.0、或氨之用量相對於二鹵矽烷1莫耳的莫耳比若低於0.2，則分子間聚合會無法進行，得不到適合於對基板表面之塗布的共聚矽氮烷。
還有，本發明不因此而受到任何限定者，於本發明之胺解中，雖然認為生成-((Si(R1)(R2)-NR3)n-，但n值小，從比較例1之結果認為幾乎為NR3-Si(R1)(R2)-NR3單體。認為是：藉由利用胺解所得之化合物的氨解，能加速聚合且使一級胺化合物充分反應，形成具有既定之NR3/SiH1,2、分子量之共聚物。
如此，可獲得NR3/SiH1,2比為0.005至0.3之範圍，較佳為0.0095至0.26之範圍，更佳為0.05至0.1之範圍的共聚矽氮烷。共聚矽氮烷中之NR3/SiH1,2比低於0.005之情形，以低溫燒結所製造的二氧化矽質膜不具有充分的耐電壓特性及對於溶劑之耐受性；相反地，超過0.3之情形，與基板之緊貼性會降低而不適合於對基板表面之塗布。本發明之共聚矽氮烷的分子量係聚苯乙烯換算重量平均分子量(Mw)較佳為700至4,000，更佳為1,300至2,500。因此，欲獲得具有如此分子量之共聚矽氮烷，除了上述一級胺或氨之用量之外，必要時亦可進行反應溫度、反應時間等之調整。本發明之共聚矽氮烷的SiH3/SiH1,2比為0.05至0.4之範圍，較佳為0.06至0.35之範圍，更佳為0.14至0.31之範圍。又，本發明之共聚矽氮烷的NH/SiH比為0.08至0.16之範圍，較佳為0.10至0.15之範圍，更佳為0.12至0.15之範圍。
含有所得之共聚矽氮烷的溶液，可於藉由過濾而去除溶液中所不溶的副產物之鹽等之後，必要時藉由真空蒸餾等而去除溶劑、鹼等，獲得具有既定濃度之共聚矽氮烷溶液、或共聚矽氮烷單體。於反應溶劑中含有吡啶與其他有機溶劑之情形，通常係藉由真空蒸餾而去除吡啶，必要時亦進一步進行有機溶劑之去除。藉由真空蒸餾而將有機溶劑溶液之聚矽氮烷樹脂濃度調整至例如5至30重量%之範圍，藉此，能將所得之含有聚矽氮烷溶液直接作為塗布組成物或是作為塗布組成物之基 底液使用。必要時也能將其他添加劑或是溶劑加入該塗布組成物之基底液中而作成塗布組成物。
於本發明之塗布組成物中，除了本發明之共聚矽氮烷之外，也如上所述含有溶劑。溶劑係溶解本發明之共聚矽氮烷，而在進一步使用添加劑之情形下，只要是也溶解該等添加劑而且不與共聚矽氮烷及添加劑反應者，則任一種皆可，並非被特別限定者，可較佳舉出作為該反應時所用之反應溶劑所舉出者等。當然如上所述，在反應所用之溶劑可直接作為塗布組成物之溶劑使用，亦可進一步將其他之溶劑添加於其中。
該等之溶劑係用以調整溶劑之蒸發速度，或是用以降低對人體之有害性或是用以調整塗布組成物中所含之成分的溶解性，能使用適宜之2種以上所混合者。又，亦可將本發明之共聚矽氮烷溶解於有機溶劑中而予以製造塗布組成物中所用之共聚矽氮烷溶液。
於塗布組成物中，必要時亦可添加添加劑。作為添加劑，例如，如日本特開平6-299118號公報中所記載的加速二氧化矽轉化反應之化合物，例如，可舉出金屬羧酸、氮雜環狀化合物、胺化合物等。作為其他之添加劑成分，例如，可舉出黏度調整劑、交聯加速劑等。又，在用於半導體裝置時，以鈉之吸除效果等為目的，也能含有磷化合物，例如三(三甲基矽基)磷酸酯等。含有所得之共聚矽氮烷的溶液，較佳使用過濾精度0.1μm以下之濾膜而循環過濾，較佳使粒徑為0.2μm以上之粗大粒子減低至50個/cc以下。
該塗布組成物各成分之含量係根據塗布條件或燒結(硬化)條件等而改變。但是，共聚矽氮烷之含率係以塗布組成物之總重量作為基準，較佳為0.1至40重量%，更佳為0.2至30重量%，進一步較佳為0.3至25重量%。又，共聚矽氮烷以外之各種添加劑的含量係根據添加劑之種類等而改變，相對於聚矽氮烷化合物之添加量，較佳為0.001至40重量%，更佳為0.005至30重量%，進一步較佳為0.01至20重量%。
該含有共聚矽氮烷之塗布組成物係用以在基板上形成二氧化矽質膜而塗布於基板表面。作為塗布組成物之塗布方法適宜利用習知之方法，例如旋轉塗布法、浸漬法、噴霧法、轉印法等。該等之中，特佳者為旋轉塗布法。必要時，藉由1次或重複2次以上之塗布而能使塗膜作成所要之膜厚。作為成為塗布對象之基材，可舉出矽基板、玻璃基板、樹脂膜等，必要的話，亦可塗布於形成半導體元件之過程中的半導體膜或已設置電路等之基板上等。塗膜之厚度係根據膜之使用目的等而有所不同，一般而言，乾燥膜厚係作成10至2,000nm，較佳作成20至1,000nm。
較佳於藉由塗布組成物之塗布而形成共聚矽氮烷塗膜後，為了該塗膜之乾燥而預烘烤(加熱處理)塗膜。由於預烘烤之目的並非使共聚矽氮烷硬化，一般而言，藉由低溫下短時間加熱而進行。具體而言，藉由在70至150℃下、較佳在100至150℃下、加熱1至10分鐘，較佳加熱3至5分鐘而進行。
於塗布步驟之後，塗膜則交付硬化步驟。在依照本發明所得之聚矽氮烷化合物轉化成二氧化矽質膜之方法中，硬化步驟係在300℃以下進行。在本發明中，共聚矽氮烷膜朝二氧化矽質膜的轉化，亦即硬化，係在極低的溫度下進行。硬化較佳在含有水蒸氣、氧氣、或其混合氣體之氣體環境中，亦即在氧化環境中進行。水蒸氣氧化時之水蒸氣濃度，係為了使聚矽氮烷樹脂轉化成二氧化矽質膜(二氧化矽)之重要因子，較佳為1%以上，更佳為10%以上，最佳為20%以上。尤其，若水蒸氣濃度為20%以上時，聚矽氮烷樹脂轉化成二氧化矽質膜將會變得容易進行，發生空隙等之缺陷會變少，二氧化矽質膜之特性會被改善，故較佳。硬化係使用硬化爐或熱板而進行。於將惰性氣體作為環境氣體使用之情形下，係使用氮、氬、或氦等。
到目標溫度為止之升溫時間一般為0.1至100℃/分鐘，從到達目標溫度之後的硬化時間一般期望設為1分鐘至10小時，較佳設為30分鐘至3小時。
在本發明中，必要時能在該被覆薄膜上，進一步藉由重複進行該等之步驟而使複數層之被覆薄膜形成。如此，藉由使其堆積2層以上之被覆薄膜，能薄化各被覆薄膜每一層之堆積膜厚，藉此，在使各被覆薄膜硬化時，在該被覆薄膜厚度方向任一部分皆可獲得來自表面之充分的氧原子擴散及供應，能形成特性更優越的二氧化矽質膜。
如此所得之二氧化矽質膜，較佳作為在半導體裝置等之電子元件的層間絕緣膜使用。又，所得之二氧化矽質膜也能適合作為在半導體裝置等之電子元件的平坦化膜、保護膜、鈍化膜、硬質遮罩、應力調整膜、犧牲膜等使用。
[實施例]
以下，舉出實施例、比較例進一步具體說明本發明，但本發明並非受該等實施例、比較例所任意限定者。還有，藉由合成所得之共聚矽氮烷的聚苯乙烯換算重量平均分子量、FT-IR光譜及1H NMR譜圖測定係利用下列裝置而進行。還有，NR3/SiH1,2比、SiH3/SiH1,2比、NH/SiH比係利用下列之方法所獲得。
<重量平均分子量之測定>
將(股)島津製作所製GPC作為測定裝置使用，將THF作為洗提液使用而進行測定。
<FT-IR光譜之測定>
將日本分光(股)製FT/IR-6100作為測定裝置使用而進行測定。
<1H NMR譜圖之測定>
將日本電子(股)製NMR(400MHz)作為測定裝置使用而進行測定。
<NR3/SiH1,2比之算出>
於1H NMR譜圖中，算出源自NR3基之一個質子波峰份的波峰面積對源自SiH1基與SiH2基之4.5至5.3ppm的波峰面積之比而評估NR3基之導入量。
<SiH3/SiH1,2比之算出>
於1H NMR譜圖中，將源自SiH3基之4.0至4.5ppm的波峰面積對源自SiH1基與SiH2基之4.5至5.3ppm的波峰面積之比作為SiH3/SiH1,2比而算出。
<NH/SiH比之算出>
將含有共聚矽氮烷之塗布組成物旋轉塗布於矽晶圓上，為了去除溶劑而在150℃下保持3分鐘，獲得具有膜厚為480至740nm之塗膜的矽晶圓。對於所得之試料，測定FT-IR光譜。將源自N-H鍵之3,200至3,500cm-1的波峰面積對源自Si-H鍵之2,000至2,500cm-1的波峰面積之比作為NH/SiH比而算出。
實施例1
以乾燥氮氣置換反應容器之後，加入脫水吡啶40g與脫水二甲苯460g而冷卻至0℃以下，倒入二氯矽烷(DCS)25g。攪拌該混合溶液1.5小時之後，倒入異丙胺44g，在反應溫度-5至15℃下進行100分鐘胺解。接著，一面保持於-5至15℃一面以250ml/分鐘將NH3注入4.4分鐘後攪拌100分鐘。進行過濾，將二甲苯混入所得之濾液中而加熱至40℃，在5mmHg之減壓下蒸餾而去除吡啶，獲得含有重量平均分子量(Mw)1,700之樹脂(樹脂A)的20重量%濃度之溶液(溶液A)。藉由FT-IR光譜測定而確認生成含有異丙胺骨架之聚矽氮烷化合物，NH/SiH比為0.10。又，從1H NMR譜圖，NPr/SiH1,2比為0.21、SiH3/SiH1,2比為0.11。
實施例2
以乾燥氮氣置換反應容器之後，加入脫水吡啶40g與脫水二甲苯456g而冷卻至0℃以下，倒入二氯矽烷(DCS)25g。攪拌該混合溶液1.5小時之後，倒入異丙胺29g，在反應溫度-5至15℃下進行100分鐘胺解。接著，一面保持於-5至15℃一面以250ml/分鐘將NH3注入26.8分鐘後攪拌100分鐘。進行過濾，將二甲苯混入所得之濾液中而加熱至40℃，在5mmHg之減壓下蒸餾而去除吡啶，獲得含有重量平均分子量(Mw)1,350之樹脂(樹脂B)的20重量%濃度之溶液(溶液B)。進行樹脂B之FT-IR光譜測定、1H NMR測定。將所得之FT-IR光譜圖顯示於第1圖、又將1H NMR譜圖顯示於第2圖。從FT-IR光譜，確認生成含有異丙胺骨架之聚矽氮烷化合物，NH/SiH比為0.14。又，從1H NMR譜圖，NPr/SiH1,2比為0.10、SiH3/SiH1,2比為0.15。
實施例3
以乾燥氮氣置換反應容器之後，加入脫水吡啶41g與脫水二甲苯456g而冷卻至0℃以下，倒入二氯矽烷(DCS)26g。攪拌該混合溶液1.5小時之後，倒入異丙胺7.8g，在反應溫度-5至15℃下進行100分鐘胺解。接著，一面保持於-5至15℃一面以250ml/分鐘將NH3注入62.4分鐘後攪拌100分鐘。進行過濾，將二甲苯混入所得之濾液中而加熱至40℃，在5mmHg之減壓下蒸餾而去除吡啶，獲得含有重量平均分子量(Mw)1,950之樹脂(樹脂C)的20重量%濃度之溶液(溶液C)。進行樹脂 C之FT-IR光譜測定、1H NMR測定。將所得之FT-IR光譜圖顯示於第3圖、又將1H NMR譜圖顯示於第4圖。從FT-IR光譜，確認生成含有異丙胺骨架之聚矽氮烷化合物，NH/SiH比為0.13。又，從1H NMR譜圖，NPr/SiH1,2比為0.05、SiH3/SiH1,2比為0.31。
實施例4
以乾燥氮氣置換反應容器之後，加入脫水吡啶38g與脫水二甲苯456g而冷卻至0℃以下，倒入二氯矽烷(DCS)25g。攪拌該混合溶液1.5小時之後，倒入異丙胺1.5g，在反應溫度-5至15℃下進行100分鐘胺解。接著，一面保持於-5至15℃一面以250ml/分鐘將NH3注入68.8分鐘後攪拌100分鐘。進行過濾，將二甲苯混入所得之濾液中而加熱至40℃，在5mmHg之減壓下蒸餾而去除吡啶，獲得含有重量平均分子量(Mw)2,100之樹脂(樹脂D)的20重量%濃度之溶液(溶液D)。藉由FT-IR光譜測定而確認生成含有異丙胺骨架之聚矽氮烷化合物，NH/SiH比為0.13。又，從1H NMR譜圖，NPr/SiH1,2比為0.0095、SiH3/SiH1,2比為0.17。
實施例5
以乾燥氮氣置換反應容器之後，加入脫水吡啶35g與脫水二甲苯403g而冷卻至0℃以下，倒入二氯矽烷(DCS)21g。攪拌該混合溶液1.5小時之後，倒入二級丁胺38g，在反應溫度-5至15℃下進行60分鐘胺解。接著，一面保持於-5至15℃一面以250ml/分鐘將NH3注入13.2分鐘後攪拌60分鐘。進行過濾，將二甲苯混 入所得之濾液中而加熱至40℃，在5mmHg之減壓下蒸餾而去除吡啶，獲得含有重量平均分子量(Mw)700之樹脂(樹脂E)的20重量%濃度之溶液(溶液E)。藉由FT-IR光譜測定而確認生成含有二級丁胺骨架之聚矽氮烷化合物，NH/SiH比為0.12。又，從1H NMR譜圖，NBu/SiH1,2比為0.11、SiH3/SiH1,2比為0.25。
實施例6
以乾燥氮氣置換反應容器之後，加入脫水吡啶38g與脫水二甲苯456g而冷卻至0℃以下，倒入二氯矽烷(DCS)30g。攪拌該混合溶液1.5小時之後，倒入丙胺8.8g，在反應溫度-5至15℃下進行100分鐘胺解。接著，一面保持於-5至15℃一面以250ml/分鐘將NH3注入72分鐘後攪拌100分鐘。進行過濾，將二甲苯混入所得之濾液中而加熱至40℃，在5mmHg之減壓下蒸餾而去除吡啶，獲得含有重量平均分子量(Mw)1,600之樹脂(樹脂F)的20重量%濃度之溶液(溶液F)。藉由FT-IR光譜測定而確認生成含有丙胺骨架之聚矽氮烷化合物，NH/SiH比為0.091。又，從1H NMR譜圖，NPr/SiH1,2比為0.26、SiH3/SiH1,2比為0.22。
實施例7
以乾燥氮氣置換反應容器之後，加入脫水吡啶41g與脫水二甲苯456g而冷卻至0℃以下，倒入二氯矽烷(DCS)28g。攪拌該混合溶液1.5小時之後，倒入環己胺5.6g，在反應溫度-5至15℃下進行100分鐘胺解。接著，一面保持於-5至15℃一面以250ml/分鐘將NH3 注入74.4分鐘後攪拌100分鐘。進行過濾，將二甲苯混入所得之濾液中而加熱至40℃，在5mmHg之減壓下蒸餾而去除吡啶，獲得含有重量平均分子量(Mw)2,500之樹脂(樹脂G)的20重量%濃度之溶液(溶液G)。藉由FT-IR光譜測定而確認生成含有環己胺骨架之聚矽氮烷化合物，NH/SiH比為0.15。又，從1H NMR譜圖，NHex/SiH1,2比為0.035、SiH3/SiH1,2比為0.20。
實施例8
以乾燥氮氣置換反應容器之後，加入脫水吡啶41g與脫水二甲苯456g而冷卻至0℃以下，倒入二氯矽烷(DCS)21g。攪拌該混合溶液1.5小時之後，倒入苯胺3.9g，在反應溫度-5至15℃下進行100分鐘胺解。接著，一面保持於-5至15℃一面以250ml/分鐘將NH3注入56分鐘後攪拌100分鐘。進行過濾，將二甲苯混入所得之濾液中而加熱至40℃，在5mmHg之減壓下蒸餾而去除吡啶，獲得含有重量平均分子量(Mw)1,700之樹脂(樹脂H)的20重量%濃度之溶液(溶液H)。藉由FT-IR光譜測定而確認生成含有苯胺骨架之聚矽氮烷化合物，NH/SiH比為0.14。又，從1H NMR譜圖，NPh/SiH1,2比為0.027、SiH3/SiH1,2比為0.35。
實施例9
以乾燥氮氣置換反應容器之後，加入脫水吡啶391g與脫水二甲苯44558g而冷卻至0℃以下，歷經2.5小時而使反應溫度不超過2.5℃的方式來倒入二氯矽烷(DCS)248g。攪拌該混合溶液1.5小時之後，倒入異丙 胺293g，在反應溫度-5至15℃下進行60分鐘胺解。接著，一面保持於-5至15℃一面以2.5L/分鐘將NH3注入27.0分鐘後攪拌100分鐘。進行過濾，將二甲苯混入所得之濾液中而加熱至40℃，在5mmHg之減壓下蒸餾而去除吡啶，獲得含有重量平均分子量(Mw)3,600之樹脂(樹脂I)的20重量%濃度之溶液(溶液I)。藉由FT-IR光譜測定而確認生成含有異丙胺骨架之聚矽氮烷化合物，NH/SiH比為0.14。又，從1H NMR譜圖，NPr/SiH1,2比為0.051、SiH3/SiH1,2比為0.066。
比較例1
以乾燥氮氣置換反應容器之後，加入脫水吡啶16g與脫水二甲苯185g而冷卻至0℃以下，倒入二氯矽烷(DCS)10g。攪拌該混合溶液1.5小時之後，倒入異丙胺20g，在反應溫度-5至15℃下進行100分鐘胺解。進行過濾，將二甲苯混入所得之濾液中而加熱至40℃，在5mmHg之減壓下蒸餾而去除吡啶，獲得含有重量平均分子量(Mw)低於100之樹脂(樹脂J)的10重量%濃度之溶液(溶液J)。雖然嘗試溶液J對矽晶圓之旋轉塗布，但由於分子量過低而無法在基板上形成膜。
比較例2
作為比較例2之塗布組成物而準備專利第2613787號記載之方法所得之重量平均分子量(Mw)為5,450之聚(過氫矽氮烷)溶液(設為溶液K)。
比較例3
以乾燥氮氣置換反應容器之後，加入脫水吡啶39g與脫水二甲苯455g而冷卻至0℃以下，倒入二氯矽烷(DCS)25g。攪拌該混合溶液2小時之後，倒入丙胺29.6g，在反應溫度-5至15℃下進行90分鐘胺解。接著，一面保持於-5至15℃一面以250ml/分鐘將NH3注入26.8分鐘後攪拌80分鐘。進行過濾，將二甲苯混入所得之濾液中而加熱至40℃，在5mmHg之減壓下蒸餾而去除吡啶，獲得含有重量平均分子量(Mw)510之樹脂(樹脂L)的20重量%濃度之溶液(溶液L)。藉由FT-IR光譜測定而確認生成含有丙胺骨架之聚矽氮烷化合物，NH/SiH比為0.10。又，從1H NMR譜圖，NPr/SiH1,2比為0.43、SiH3/SiH1,2比為0.49。雖然嘗試溶液L對矽晶圓之旋轉塗布，但無法在基板上形成膜。
比較例4
以乾燥氮氣置換反應容器之後，加入脫水吡啶39g與脫水二甲苯456g而冷卻至0℃以下，倒入二氯矽烷(DCS)25g。攪拌該混合溶液1.5小時之後，使異丙胺0.3g混合溶解於20g之二甲苯中之後倒入，在反應溫度-5至15℃下進行100分鐘胺解。接著，一面保持於-5至15℃一面以250ml/分鐘將NH3注入70.4分鐘後攪拌100分鐘。進行過濾，將二甲苯混入所得之濾液中而加熱至40℃，在5mmHg之減壓下蒸餾而去除吡啶，獲得含有重量平均分子量(Mw)2,000之樹脂(樹脂M)的20重量%濃度之溶液(溶液M)。藉由FT-IR光譜測定而確認生 成含有異丙胺骨架之聚矽氮烷化合物，NPr/SiH1,2比為0.002。
<燒結膜之耐電壓及濕式蝕刻速率之測定>
將實施例1至9所製作的溶液A至I、及比較例2之溶液K、比較例4之溶液M分別旋轉塗布於矽晶圓上，為了去除溶劑而加熱至150℃，保持3分鐘(旋轉塗布機：Mikasa製1H-DX2、熱板：As One製Charmant HHP-412)。利用水蒸氣燒結爐(光洋Thermo System股份有限公司製272A-M100)，在300℃、80%水蒸氣環境下對所得之試料進行1小時之退火。之後，利用下列方法實施各自膜之耐電壓特性及濕式蝕刻速率之測定。將結果顯示於表1。
(耐電壓特性)
使用日本SSM製SSM495272A-M100而進行測定。將電流密度超過1E-6(A/cm2)時之電場(Field)設為Fbd(MV/cm)。
(濕式蝕刻速率)
將所得之二氧化矽質膜浸漬於0.5%氟化氫水溶液中，測定膜厚減少速度。
從表1得知，相較於使用比較例2所示之習知無機聚矽氮烷樹脂而在300℃之燒結溫度下獲得二氧化矽質膜之情形，藉由使用聚合物中含有氮原子上被氫原子以外所取代的骨架之本發明之共聚矽氮烷樹脂，能在300℃以下之低溫的燒結條件下大幅改善耐電壓特性及對於溶劑之耐受性。又，相較於比較例3所示之NR/SiH1,2比為大且聚合物中含有氮原子上被氫原子以外所取代的骨架之共聚矽氮烷樹脂、或比較例4所示之NR/SiH1,2比為低且聚合物中含有氮原子上被氫原子以外所取代的骨架之共聚矽氮烷樹脂，得知本發明之共聚矽氮烷樹脂在300℃以下之低溫的燒結條件下具有對氧化有利之結構。

Claims (9)

  1. 一種共聚矽氮烷，其至少具有以下述通式(I)所代表的重複單元與以下述通式(II)所代表的重複單元，NR3/SiH1,2(SiH1,2係表示SiH1與SiH2之合計量)為0.005至0.3、SiH3/SiH1,2為0.05至0.4，(式中，R1、R2係各自獨立地表示氫原子、烴基、含有烴基之矽基、含有烴基之胺基、或烴氧基，R3係表示烷基、烯基、烷氧基、環烷基、芳基、或烷矽基)；(式中，R1、R2係與上述同義)。
  2. 如請求項1之共聚矽氮烷，其中通式(I)與通式(II)之R1與R2均為氫原子。
  3. 如請求項1或2之共聚矽氮烷，其中聚苯乙烯換算重量平均分子量為700至4,000。
  4. 一種如請求項1之共聚矽氮烷之製造方法，其特徵為使以通式(III)所代表的二鹵矽烷化合物與以式(IV)所代表的一級胺化合物反應後，進一步使與氨反應，(式中，R1、R2係各自獨立地表示氫原子、烴基、含有烴基之矽基、含有烴基之胺基、或烴氧基，X係表示F、Cl、Br、或I)；R3-NH2 (IV)(式中，R3係表示烷基、烯基、烷氧基、環烷基、芳基、或烷矽基)。
  5. 如請求項4之共聚矽氮烷之製造方法，其中使用以相對於二鹵矽烷化合物而言莫耳比為0.1至3.0的該一級胺化合物、以相對於該二鹵矽烷化合物而言莫耳比為0.2至3.1的氨。
  6. 如請求項4或5之共聚矽氮烷之製造方法，其中反應係在溶劑中進行，於與該一級胺反應前，使二鹵矽烷化合物與鹼反應而形成二鹵矽烷化合物的加成物，之後使該二鹵矽烷化合物的加成物與該一級胺化合物反應。
  7. 如請求項4或5之共聚矽氮烷之製造方法，其中通式(III)之R1與R2皆為氫原子，X為氯原子。
  8. 一種塗布組成物，其特徵為含有如請求項1至3中任一項之共聚矽氮烷。
  9. 一種二氧化矽質膜之形成方法，其特徵為將如請求項8之塗布組成物塗布於基板上，乾燥後，在氧化環境中加熱至300℃以下。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10316216B2 (en) * 2016-08-31 2019-06-11 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for forming silica layer, and silica layer
US10647578B2 (en) 2016-12-11 2020-05-12 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude N—H free and SI-rich per-hydridopolysilzane compositions, their synthesis, and applications
KR102194975B1 (ko) * 2017-10-13 2020-12-24 삼성에스디아이 주식회사 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막의 제조방법 및 실리카 막
TWI793262B (zh) * 2018-02-21 2023-02-21 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 全氫聚矽氮烷組成物和用於使用其形成氮化物膜之方法
TWI799516B (zh) 2018-02-21 2023-04-21 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 全氫聚矽氮烷組成物和用於使用其形成氧化物膜之方法
CN108676167B (zh) * 2018-04-03 2020-06-16 中国科学院化学研究所 一种聚硅氮烷的制备装置与方法
JP6475388B1 (ja) 2018-07-18 2019-02-27 信越化学工業株式会社 ポリシラザン含有組成物
JP2020082013A (ja) * 2018-11-29 2020-06-04 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ アモルファスシリコン犠牲膜の製造方法およびアモルファスシリコン形成組成物
JP7103245B2 (ja) * 2019-01-29 2022-07-20 信越化学工業株式会社 ポリシロキサザン化合物およびその製造方法並びにこれを含む組成物および硬化物
US11724963B2 (en) 2019-05-01 2023-08-15 Corning Incorporated Pharmaceutical packages with coatings comprising polysilazane
KR102432933B1 (ko) * 2019-05-17 2022-08-12 삼성에스디아이 주식회사 실리카 막 형성용 조성물, 그로부터 형성된 실리카 막, 및 상기 실리카 막을 포함하는 전자 소자
CN111048652A (zh) * 2019-12-24 2020-04-21 天津中环电子照明科技有限公司 量子点封装的方法、量子点封装结构及装置
JP7222948B2 (ja) * 2020-04-23 2023-02-15 信越化学工業株式会社 高硬度皮膜形成用コーティング剤組成物
KR102591159B1 (ko) * 2020-05-07 2023-10-20 메르크 파텐트 게엠베하 폴리카보실라잔, 및 이를 포함하는 조성물 및 이를 사용하는 규소-함유 막의 제조방법
TW202225282A (zh) * 2020-10-02 2022-07-01 德商默克專利有限公司 聚矽氮烷、包含其之矽質膜形成組成物及使用其製造矽質膜的方法
CN113174198B (zh) * 2021-05-21 2022-04-08 佛山市顺德区美的洗涤电器制造有限公司 耐高温涂料组合物、耐高温涂料及其制备方法和应用及一种耐高温涂层

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60145903A (ja) 1983-12-29 1985-08-01 Toa Nenryo Kogyo Kk 無機ポリシラザン及びその合成方法
US4482669A (en) * 1984-01-19 1984-11-13 Massachusetts Institute Of Technology Preceramic organosilazane polymers
US4595775A (en) * 1984-04-06 1986-06-17 Petrarch Systems, Inc. N-methylhydridosilazanes, polymers thereof, methods of making same and silicon nitrides produced therefrom
FR2590584B1 (fr) * 1985-11-28 1988-03-04 Rhone Poulenc Spec Chim Procede de preparation, en deux etapes, de reticulats d'organopolysilazanes de tenue thermique amelioree pouvant servir notamment comme precurseur ceramique
JPS62156135A (ja) * 1985-12-28 1987-07-11 Toa Nenryo Kogyo Kk ポリオルガノ（ヒドロ）シラザン
JPH0764642B2 (ja) * 1986-06-13 1995-07-12 東燃株式会社 窒化物系セラミツクスの製法
JPS6316325A (ja) 1986-07-08 1988-01-23 Hitachi Ltd メニユ−表示方法
JP2651464B2 (ja) * 1987-08-13 1997-09-10 財団法人石油産業活性化センター 改質ポリシラザン、その製造方法及びその用途
US4861569A (en) 1987-08-13 1989-08-29 Petroleum Energy Center Reformed, inorganic polysilazane and method of producing same
US4975512A (en) 1987-08-13 1990-12-04 Petroleum Energy Center Reformed polysilazane and method of producing same
JP2613787B2 (ja) 1987-08-13 1997-05-28 財団法人石油産業活性化センター 無機シラザン高重合体、その製造方法及びその用途
DE3741059A1 (de) 1987-12-04 1989-06-15 Hoechst Ag Polysilazane, verfahren zu ihrer herstellung, aus ihnen herstellbare siliziumnitrid enthaltende keramische materialien, sowie deren herstellung
JP2700233B2 (ja) * 1988-12-26 1998-01-19 財団法人石油産業活性化センター 共重合シラザンおよびその製造法
DE4217579A1 (de) * 1992-05-27 1993-12-02 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur Herstellung von Polysilazanen
EP0623571A4 (en) * 1992-11-26 1997-07-02 Tonen Corp PROCESS FOR MANUFACTURING CERAMIC PRODUCTS.
JP3364691B2 (ja) * 1992-12-28 2003-01-08 東燃ゼネラル石油株式会社 ポリシラザンの低分子量化方法
JP3385060B2 (ja) 1993-04-20 2003-03-10 東燃ゼネラル石油株式会社 珪素−窒素−酸素−（炭素）−金属系セラミックス被覆膜の形成方法
JP4070828B2 (ja) 1995-07-13 2008-04-02 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 シリカ質セラミックス形成用組成物、同セラミックスの形成方法及び同セラミックス膜
US5922411A (en) 1995-07-13 1999-07-13 Tonen Corporation Composition for forming ceramic material and process for producing ceramic material
DE69701594T2 (de) 1995-12-28 2000-11-02 Tonen Corp Verfahren zur herstellung von polysilazan
JP2904110B2 (ja) 1996-04-02 1999-06-14 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JPH10245436A (ja) * 1997-03-06 1998-09-14 Hitachi Chem Co Ltd ポリシラザン化合物、ポリシラザン化合物の製造方法、シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜及び半導体装置
JP5291275B2 (ja) * 2000-07-27 2013-09-18 有限会社コンタミネーション・コントロール・サービス コーティング膜が施された部材及びコーティング膜の製造方法
KR100499171B1 (ko) 2003-07-21 2005-07-01 삼성전자주식회사 스핀온글래스에 의한 산화실리콘막의 형성방법
JP5405031B2 (ja) * 2008-03-06 2014-02-05 ＡｚエレクトロニックマテリアルズＩｐ株式会社 シリカ質膜の製造に用いる浸漬用溶液およびそれを用いたシリカ質膜の製造法
JP5410207B2 (ja) 2009-09-04 2014-02-05 ＡｚエレクトロニックマテリアルズＩｐ株式会社 シリカ質膜製造方法およびそれに用いるポリシラザン塗膜処理液
WO2011079020A1 (en) * 2009-12-22 2011-06-30 3M Innovative Properties Company Process for preparing shelf-stable curable polysilazanes, and polysilazanes prepared thereby
JP6187770B2 (ja) * 2014-06-02 2017-08-30 株式会社豊田中央研究所 排ガス浄化触媒、その製造方法、及び、それを用いた排ガス浄化方法
JP5843341B1 (ja) * 2015-02-23 2016-01-13 国立研究開発法人港湾空港技術研究所 水底土砂除去装置および水底土砂除去工法
JP6447227B2 (ja) * 2015-02-23 2019-01-09 新日鐵住金株式会社 ダンパー構造

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