TWI601998B - 顯示裝置和用於製造顯示裝置的方法 - Google Patents

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TWI601998B
TWI601998B TW102124387A TW102124387A TWI601998B TW I601998 B TWI601998 B TW I601998B TW 102124387 A TW102124387 A TW 102124387A TW 102124387 A TW102124387 A TW 102124387A TW I601998 B TWI601998 B TW I601998B
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layer
display device
conductive layer
conductive
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山崎舜平
平形吉晴
吉住健輔
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半導體能源研究所股份有限公司
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Description

顯示裝置和用於製造顯示裝置的方法
本發明的一實施方式係關於一種用來顯示影像的顯示裝置。
近年來,行動電話、智慧手機、個人電腦、平板終端、可攜式遊戲機、可攜式音樂播放機等各種可攜式電子裝置不斷得到普及。藉由以與用來顯示影像的顯示部重疊的方式設置觸摸感測器作為這種可攜式電子裝置的介面,實現能夠憑直覺操作的電子裝置。
作為顯示部,典型地可以應用具備有機電致發光(Electro Luminescence;EL)元件的發光裝置、液晶顯示裝置、以電泳方式等進行顯示的電子紙等。
例如,有機EL元件的基本結構是在一對電極之間夾持包含發光有機化合物的層的結構。藉由對該元件施加電壓,可以得到從發光有機化合物發射的光。因為應用上述有機EL元件的顯示裝置不需要液晶顯示裝置等所需要的背光,所以可以實現薄型、輕量、高對比且低耗電量的顯 示裝置。例如,專利文獻1公開了使用有機EL元件的顯示裝置的一個例子。
此外,作為觸摸感測器,典型地有電阻式、靜電容量式,除了上述方式以外,還已知表面聲波式、紅外線式等各種方式。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2002-324673號公報
作為攜帶式電子裝置,為了提高其攜帶性或方便性需要實現電子裝置自身的輕量化、小型化、薄型化。為此需要實現構成電子裝置的各構件的薄型化及小型化。例如作為構成電子裝置的構件之一有顯示裝置。
這裡,在為層疊有觸摸感測器及顯示部的顯示裝置時,使其總厚度充分減薄是很困難的。例如,當製造觸摸感測器及顯示部時,雖然可以分別在較厚的基板上形成觸摸感測器及顯示元件等,然後對基板的背面進行研磨來實現顯示裝置的薄型化,但是製造元件之後的拋光製程會使良率下降。此外,當在較薄的基板上直接形成元件時,基板的變形程度大而使基板的搬運變得困難。此外,產生當搬運或處理基板時基板破裂等的問題。
此外,有時將設置有濾色片的基板設置為重疊於顯示元件來製造顯示品質高的顯示裝置。當作為該基板應用較薄的基板時,由於上述基板的變形等的影響,以高位置對準精度將濾色片與顯示元件重疊是很困難的,所以高顯示品質和顯示裝置的薄型化難以兩立。
本發明是鑒於上述技術背景而提供的。因此,本發明的課題之一是減薄具備觸摸感測器的顯示裝置的厚度。或者,本發明的課題之一是減薄提高了顯示品質的顯示裝置的厚度。或者,本發明的課題之一是提供大量生產性好的顯示裝置的製造方法。或者,本發明的課題之一是提供可靠性高的顯示裝置。
為了解決上述課題,著眼於當製造觸摸感測器及顯示元件時使用的基板的結構。作為該基板使用層疊有充分薄的基板與較厚的支撐基板的疊層基板。並且,在該疊層基板中的薄的基板的一個表面上設置具備觸摸感測器的層,而在不同的疊層基板中的薄的基板的一個表面上設置具備顯示元件的層。在以觸摸感測器與顯示元件對置的方式貼合兩個疊層基板之後,在各個疊層基板中將支撐基板從薄的基板剝離即可。
就是說,本發明的一個實施方式的顯示裝置的製造方法,包括如下步驟:將固定在第一支撐基板上且在不對置於該第一支撐基板的表面上設置有具備發光元件的元件層的第一基板,與固定在第三支撐基板上且在不對置於該第三支撐基板的表面上具備濾色片層的第三基板,在以元件層與濾色片層對置的方式用第一黏合層黏合之後,剝離第三基板與第三支撐基板;以及將第三基板與固定在第二支撐基板上且在不對置於該第二支撐基板的表面上設置有感 測器層的第二基板在以元件層與感測器層對置的方式用第二黏合層黏合之後,剝離第二基板與第二支撐基板,並剝離第一基板與第一支撐基板。再者,作為第一基板、第二基板及第三基板使用厚度為10μm以上且200μm以下的玻璃基板,並且,作為第一支撐基板、第二支撐基板及第三支撐基板使用比玻璃基板厚的基底基板。
藉由使用上述製造方法,可以以高良率製造具備觸摸感測器且總厚度極薄的顯示裝置。此外,由於當貼合設置有感測器層的第二基板與設置有顯示元件的第一基板時分別設置有支撐基板,所以可以以高位置對準精度貼合兩個基板。
再者,將分別設置有觸摸感測器、顯示元件及濾色片層的三個基板層疊設置。其結果是,可以以高良率製造總厚度充分薄且提高了顯示品質的顯示裝置。此外,由於當貼合設置有濾色片層的第三基板與設置有顯示元件的第一基板時分別設置有支撐基板,所以可以抑制濾色片與像素的重疊的偏離,從而可以以高位置對準精度貼合兩個基板。由此,可以實現具備極高清晰(例如300ppi以上,較佳為400ppi以上,更佳為500ppi以上)的像素且總厚度極薄的顯示裝置。
本發明的其他實施方式的顯示裝置的製造方法,包括如下步驟:將固定在第一支撐基板上且在不對置於該第一支撐基板的表面上設置有具備發光元件的發光層的第一基板,與固定在第三支撐基板上且在不對置於該第三支撐基 板的表面上具備濾色片層的第三基板,在以元件層與濾色片層對置的方式用第一黏合層黏合之後,剝離第三基板與第三支撐基板;以及將第一基板與固定在第二支撐基板上且在不對置於該第二支撐基板的表面上設置感測器層的第二基板在以濾色片層與感測器層對置的方式用第二黏合層黏合之後,剝離第二基板與第二支撐基板,並剝離第一基板與第一支撐基板。再者,作為第一基板、第二基板及第三基板使用厚度為10μm以上且200μm以下的玻璃基板,並且,作為第一支撐基板、第二支撐基板及第三支撐基板使用比玻璃基板厚的基底基板。
藉由使用上述製造方法,可以以高良率製造在與顯示裝置的顯示一側相反一側設置有觸摸感測器的總厚度薄的顯示裝置。藉由在與顯示一側相反一側設置觸摸感測器,由於可以在不被使用者的手指等遮擋顯示的狀態下進行輸入操作,所以適用於能夠執行需要觸摸輸入的遊戲內容或能夠再生電影等的視訊內容的電子裝置。
本發明的其他實施方式的顯示裝置的製造方法,包括如下步驟:將固定在第一支撐基板上且在不對置於該第一支撐基板的表面上設置有具備發光元件的元件層的第一基板,與固定在第二支撐基板上且在不對置於該第二支撐基板的表面上層疊設置有感測器層及濾色片層的第二基板以元件層與感測器層對置的方式用黏合層黏合;以及在黏合第一基板與第二支撐基板之後,剝離第一基板與第一支撐基板,並剝離第二基板與第二支撐基板。再者,作為第一 基板及第二基板使用厚度為10μm以上且200μm以下的玻璃基板,並且,作為第一支撐基板及第二支撐基板使用比玻璃基板厚的基底基板。
藉由使用上述製造方法,由於可以在一個基板上重疊設置觸摸感測器及濾色片,所以可以減少基板數,從而可以實現總厚度更薄的顯示裝置。此外,由於當貼合該基板與設置有顯示元件的基板時設置有各別的支撐基板,所以可以以高位置對準精度貼合兩個基板,所以可以實現具有高清晰的像素的顯示裝置。
此外,在上述實施例中,較佳的是藉由使玻璃基板與基底基板密接來固定玻璃基板,玻璃基板與基底基板的黏合面的表面粗糙度分別為2nm以下。
或者,在上述實施例中,較佳的是在基底基板上具備包含有機化合物或矽化合物的樹脂,且使樹脂與玻璃基板密接,來將玻璃基板固定在基底基板上。
藉由使用上述疊層基板,不發生在製造顯示元件、觸摸感測器、濾色片等的製程中支撐基板與基板剝離的情況,且在剝離製程中可以容易進行剝離。
本發明的一個實施方式的顯示裝置包括:設置有包括發光元件的元件層的第一基板;以及設置有感測器層的第二基板,其中,以元件層與感測器層對置的方式用黏合層黏合第一基板與第二基板。再者,第一基板及第二基板較佳都是厚度為10μm以上且200μm以下的玻璃基板。此外,在第一基板上設置有第一導電膜,在第二基板上設置 有電連接於感測器層的第二導電膜,第一導電膜與第二導電膜藉由導電連接器電連接。
藉由採用上述結構,可以使具備觸摸感測器的顯示裝置的總厚度極薄。再者,藉由將連接用來與觸摸感測器進行信號的發送和接受的FPC等的外部連接電極設置在形成有顯示元件的基板一側,可以將觸摸感測器的外部連接電極及包括顯示元件的顯示部的外部連接電極的兩者都設置在顯示裝置的一個表面一側。因此,可以縮減FPC的連接所需的面積。藉由將上述顯示裝置應用於電子裝置,由於可以縮減電子裝置中的顯示裝置所占的面積,所以可以提高電子裝置的設計的自由度。
此外,在上述顯示裝置中,較佳的是在第二基板上以與感測器層重疊的方式設置濾色片層。
像這樣,藉由在設置有觸摸感測器的基板上設置有濾色片,可以在幾乎不增大厚度的情況下設置濾色片,由此可以實現總厚度極薄且提高了顯示品質的顯示裝置。
此外,在上述顯示裝置中,黏合層圍繞發光元件並設置在連接體與發光元件之間,第一導電膜與第二導電膜較佳的是在由黏合層圍繞的區域的外側電連接。
像這樣,藉由以圍繞發光元件的方式設置黏合層,並在其外側的區域設置觸摸感測器的連接部,可以抑制來自包括設置在連接部的連接體的構件的雜質侵入到設置發光元件的區域,由此可以實現可靠性高的顯示裝置。
此外,在上述任一個顯示裝置中,黏合層較佳為包含 玻璃材料。
作為黏合層,使用包含玻璃材料的材料,例如溶解並凝固粉末玻璃(也稱為玻璃粉)而形成的玻璃體。由於這種材料有效地抑制水分及氣體的透過,所以可以抑制發光元件的劣化,並實現可靠性極高的顯示裝置。
此外,在上述任一個顯示裝置中,較佳的是元件層具備電連接於發光元件的電晶體,並且氧化物半導體用作為在電晶體中形成通道的半導體。
由於應用氧化物半導體的電晶體較容易實現高場效移動率,例如與使用非晶矽的情況相比可以縮小電晶體尺寸,可以實現孔徑比的提高及高清晰化,所以是較佳的。在一些案例中,由於氧化物半導體有時由於水分等雜質而產生電特性變化,所以如上所述在黏合層的內側設置電晶體或作為黏合層使用包含玻璃材料的材料,可以實現可靠性更高的顯示裝置。
此外,在上述任一個顯示裝置中,包括1以上的與第一連接端子及第二連接端子分別電連接的FPC,其中在第一基板上的不與第二基板重疊的位置上設置電連接於元件層的第一連接端子及電連接於第一導電膜的第二連接端子,並且以接觸於FPC及第二基板的方式設置增強材料。
像這樣,藉由用增強材料對FPC與第二基板之間的區域增強,即使使用極薄的基板,在此後的處理製程中,可以抑制在機械強度較低的該區域發生基板的破裂,由此 可以實現可靠性極高的顯示裝置。
注意,在本說明書中,顯示裝置是指具備多個像素的影像顯示裝置。此外,該顯示裝置在其範疇中還包括所有以下模組:安裝有諸如FPC(Flexible Printed Circuit:撓性印刷電路)或TCP(Tape Carrier Package:帶式載體封裝)的連接器至顯示裝置的模組;在TCP的端部設置有印刷線路板的模組;以及藉由COG(Chip On Glass:玻璃上的晶片)方法將IC(積體電路)直接安裝在形成有像素的基板上的模組。
根據本發明,可以減薄具備觸摸感測器的顯示裝置的厚度。或者,可以減薄提高了顯示品質的顯示裝置的厚度。或者,可以以高量產性製造顯示裝置。或者,可以提供可靠性高的顯示裝置。
100‧‧‧顯示裝置
101‧‧‧基板
102‧‧‧支撐基板
103‧‧‧元件層
104‧‧‧黏合層
105‧‧‧黏合層
110‧‧‧顯示裝置
111‧‧‧基板
112‧‧‧支撐基板
113‧‧‧感測器層
114‧‧‧感測器電極
115‧‧‧感測器電極
116‧‧‧絕緣層
120‧‧‧顯示裝置
121‧‧‧基板
122‧‧‧支撐基板
123‧‧‧濾色片層
124‧‧‧紅色濾色片
125‧‧‧綠色濾色片
126‧‧‧藍色濾色片
127‧‧‧黑矩陣
128‧‧‧絕緣層
130‧‧‧顯示裝置
200‧‧‧顯示裝置
201‧‧‧顯示部
202‧‧‧觸摸感測器
203‧‧‧接觸部
204‧‧‧FPC
205‧‧‧外部連接電極
206‧‧‧佈線
207‧‧‧佈線
208‧‧‧連接層
209‧‧‧增強材料
211‧‧‧像素部
212‧‧‧源極驅動電路
213‧‧‧閘極驅動電路
220‧‧‧發光元件
221‧‧‧電極層
222‧‧‧EL層
223‧‧‧電極層
231‧‧‧電晶體
232‧‧‧電晶體
233‧‧‧電晶體
234‧‧‧電晶體
235‧‧‧絕緣層
236‧‧‧間隔物
237‧‧‧絕緣層
238‧‧‧絕緣層
239‧‧‧絕緣層
241‧‧‧絕緣層
242‧‧‧黑矩陣
243‧‧‧濾色片
244‧‧‧電極
245‧‧‧導電粒子
246‧‧‧樹脂層
250‧‧‧液晶元件
251‧‧‧電極層
252‧‧‧液晶
253‧‧‧電極層
254‧‧‧間隔物
255‧‧‧保護層
256‧‧‧電晶體
1011‧‧‧外殼
1012‧‧‧面板
1013‧‧‧按鈕
1014‧‧‧揚聲器
1021a‧‧‧外殼
1021b‧‧‧外殼
1022a‧‧‧面板
1022b‧‧‧面板
1023‧‧‧軸部
1024‧‧‧按鈕
1025‧‧‧連接端子
1026‧‧‧儲存媒體插入部
1027‧‧‧揚聲器
1031‧‧‧外殼
1032‧‧‧面板
1033‧‧‧按鈕
1034‧‧‧揚聲器
1035‧‧‧甲板部
1041‧‧‧外殼
1042‧‧‧面板
1043‧‧‧支架
1044‧‧‧按鈕
1045‧‧‧連接端子
1046‧‧‧揚聲器
1101‧‧‧陽極
1102‧‧‧陰極
1103‧‧‧發光單元
1103a‧‧‧發光單元
1103b‧‧‧發光單元
1104‧‧‧中間層
1104a‧‧‧電子注入緩衝器
1104b‧‧‧電子繼電層
1104c‧‧‧電荷產生區域
1113‧‧‧電洞注入層
1114‧‧‧電洞傳輸層
1115‧‧‧發光層
1116‧‧‧電子傳輸層
1117‧‧‧電子注入層
在圖式中:圖1A至圖1E是說明本發明的一個實施方式的顯示裝置的製造方法例子的圖;圖2A至圖2D是說明本發明的一個實施方式的顯示裝置的製造方法例子的圖;圖3A至圖3C是說明本發明的一個實施方式的顯示裝置的製造方法例子的圖;圖4A至圖4D是說明本發明的一個實施方式的顯示裝置的製造方法例子的圖; 圖5A和圖5B是說明本發明的一個實施方式的顯示裝置的結構例子的圖;圖6是說明本發明的一個實施方式的顯示裝置的結構例子的圖;圖7是說明本發明的一個實施方式的顯示裝置的結構例子的圖;圖8A至圖8E是說明本發明的一個實施方式的發光元件的結構例子的圖;圖9A至圖9D是說明本發明的一個實施方式的應用顯示裝置的電子裝置的例子的圖。
參照圖式對實施方式進行詳細說明。但是,本發明不侷限於以下說明,而所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的宗旨及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此,本發明不應該被解釋為僅限於本實施方式所記載的內容中。另外,在以下說明的發明的結構中,在不同的圖式之間共同使用相同的元件符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分,而省略其重複說明。
注意,在本說明書所說明的各個圖式中,有時為了明確起見,誇大表示各結構的大小、層的厚度、區域。因此,本發明並不一定限定於該尺寸。
另外,在本說明書等中,“電連接”包括透過“具有 任何電作用的元件”連接的情況。這裡,“具有任何電作用的元件”只要可以進行透過元件連線的組件間的電信號的授受,就對其沒有特別的限制。例如,“具有任何電作用的元件”除了電極、佈線以外還包括電晶體等切換元件、電阻元件、線圈、電容元件、其他具有各種功能的元件等。
實施方式1
在本實施方式中,參照圖式對本發明的一個實施方式的顯示裝置的結構例子及其製造方法例子進行說明。
[製造方法例子1]
首先,準備在第一支撐基板102上層疊有第一基板101的疊層基板。
作為第一基板101使用厚度為10μm以上且200μm以下的具有絕緣表面的基板。作為第一基板101的材料,可以使用玻璃材料、有機樹脂材料或者包含金屬或合金的導電材料等。
作為第一基板101較佳為使用玻璃材料。藉由使用玻璃材料,可以較容易製造其表面的平坦性極高且其厚度均勻的大型基板。這種玻璃基板可以利用浮法或溢流(overflow)法等製造。
此外,當第一基板101為顯示面一側的基板時,使用透光基板。另一方面,當第一基板101為與顯示面相反一 側的基板時,也可以使用非透光基板。一般而言,由於導電材料的熱傳導性高,所以例如當作為第一基板使用具有導電性的基板時,可以提高對於當使後面說明的元件層103內的元件驅動時產生的熱的放熱性。當使用導電基板時,較佳的是對形成元件層103的表面進行絕緣處理。
第一支撐基板102使用至少比第一基板101的厚度厚的基底基板。此外,第一支撐基板102的厚度較佳的是根據第一基板101的厚度來決定,以便當後面說明的元件層103的製造時容易傳送基板。例如,將層疊有第一支撐基板102及第一基板101時的總厚度設定為與在習知的裝置線(生產線、製造線)中能夠處理的基板的厚度相等的厚度即可。明確而言,以使第一支撐基板102和第一基板101的總厚度(當使用黏合劑時加上黏合劑的厚度)大於0.4mm且2.0mm以下,較佳為0.5mm以上且1.0mm以下的方式設定支撐基板的厚度。
作為第一支撐基板102的材料,可以使用玻璃材料、有機樹脂材料或包含金屬或合金的導電材料等。較佳為使用玻璃材料。藉由使用玻璃材料,可以提高與第一基板101的黏合面的平坦性,由此可以提高這些基板之間的密接性。
第一支撐基板102與第一基板101藉由密接被固定或用能夠剝離的黏合劑被固定。因此,在元件層103的製程中不發生無意的剝離,且在後面的剝離製程中可以容易進行剝離。
當使第一支撐基板102與第一基板101藉由密接來固定時,將兩者之間的黏合面中的算術平均表面粗糙度定為5nm以下,較佳為2nm以下。藉由密接這種平坦性極高的兩個表面,可以固定第一支撐基板102與第一基板101。
此外,當從剝離第一支撐基板102與剝離第一基板101時,藉由對垂直於密接面的方向施加物理力量可以進行剝離。這裡,在成為剝離的起點的端部,藉由在任一個基板的表面設置表面粗糙度較大的區域,可以容易進行剝離。
當用能夠剝離的黏合劑固定第一支撐基板102與第一基板101時,作為黏合劑較佳為使用包含有機化合物或矽化合物的樹脂。尤其是當將玻璃材料用於第一支撐基板102及第一基板101時,較佳為使用具有矽氧烷鍵的樹脂。
當固定第一支撐基板102與第一基板101時,首先在第一支撐基板102上塗敷使用溶劑稀釋的樹脂之後,使溶劑蒸發來使樹脂固化。然後,對該樹脂密接第一基板101並按壓,可以進行固定。此外,當剝離第一支撐基板102與第一基板101時,對垂直於密接面的方向施加力量,可以容易進行剝離。此時,如上所述,藉由在第一支撐基板102一側形成樹脂,可以防止在剝離後在第一基板101上殘留該樹脂。
在本實施方式中,作為第一支撐基板102及第一基板101分別使用玻璃基板。
接著,在第一基板101的與第一支撐基板102相反一側的表面上形成元件層103(圖1A)。
元件層103至少具有具備顯示元件的多個像素。此外,當採用主動矩陣型的顯示裝置時,也可以在像素中具備電晶體及電容元件。此外,也可以在元件層103中設置用來驅動像素的驅動電路(閘極驅動電路、源極驅動電路等)。再者,在元件層103中還包括佈線及電極。
作為顯示元件,可以使用有機EL元件、液晶元件、應用電泳方式的顯示元件等。
元件層103可以使用各種製造方法製造。例如,當採用應用有機EL元件的主動矩陣型顯示裝置時,在第一基板101上形成構成電晶體的閘極電極(及佈線)、閘極絕緣層、半導體層、源極電極及汲極電極(及佈線),並在其上隔著絕緣層按順序層疊第一電極、包含發光有機化合物的層、第二電極,以形成電連接於電晶體的發光元件。
接著,準備在第二支撐基板112上固定有第二基板111的疊層基板。這裡,作為該疊層基板可以使用與上述結構同樣的基板。
接著,在第二基板111的與第二支撐基板112相反一側的表面上形成感測器層113(圖1B)。這裡說明作為感測器層113所具有的感測器元件使用投影型靜電容量式的觸摸感測器的情況。
感測器層113包括第一感測器電極114、第二感測器電極115、使第一感測器電極114與第二感測器電極115 絕緣的絕緣層116。多個第一感測器電極114在一個方向上設置為條紋狀。此外,多個第二感測器電極115以與第一感測器電極114交叉的方式設置為條紋狀。這裡,第一感測器電極114與第二感測器電極115不一定需要設置為正交,第一感測器電極114與第二感測器電極115所成的角度也可以小於90度。
絕緣層116為了使第一感測器電極114與第二感測器電極115絕緣,設置為插在兩個電極之間。在圖1B中示出絕緣層116以覆蓋第一感測器電極114的方式設置的結構,但是也可以只在第一感測器電極114與第二感測器電極115交叉的部分設置絕緣層116。
當在顯示面一側設置感測器層113時,較佳的是作為第一感測器電極114及第二感測器電極115使用透光導電材料。此外,作為絕緣層116較佳為使用透光絕緣材料。
此外,對元件層103的形成及感測器層113的形成順序沒有限制,分別單獨地形成即可。
接著,以元件層103與感測器層113對置的方式配置第一支撐基板102及第一基板101的疊層基板以及第二支撐基板112及第二基板111的疊層基板,用黏合層104貼合第一基板101與第二基板111(圖1C)。
作為黏合層104,可以使用熱固性樹脂、光固化樹脂、雙組分型固化樹脂等固化樹脂。將該樹脂塗敷到第一基板101或第二基板111,在將該樹脂密接到第一基板101及第二基板111的狀態下使樹脂固化,來可以黏合兩 個基板。
此外,作為黏合層104,可以使用包含低熔點玻璃的玻璃材料。在此情況下,對第一基板101或第二基板111塗敷包含玻璃粉末(也稱為玻璃粉材料)和黏合劑的漿料,對該漿料進行熱處理去除黏合劑的同時,形成玻璃粉材料彼此熔接的玻璃層。然後在使玻璃層和另一方的基板密接的狀態下,藉由雷射的照射等使玻璃層融化而固化,由此可以用玻璃層(也稱為玻璃體)黏合第一基板101與第二基板111。尤其是,當作為顯示元件使用有機EL元件時,較佳為使用上述那樣的不容易透過水分等雜質的玻璃材料。
當黏合第一基板101與第二基板111之後,分別剝離第一支撐基板102及第二支撐基板112(圖1D)。
這裡,說明在剝離第一支撐基板102之後剝離第二支撐基板112的情況。
首先,用吸附台等固定第二支撐基板112的沒有設置第二基板111的面。接著,在第一支撐基板102與第一基板101之間形成剝離的起點。例如,也可以藉由在第一支撐基板102或第一基板101的端部的兩個基板的邊界處插入刀具等銳利的形狀的器具,形成剝離的起點。此外,也可以藉由將表面張力低的液體(例如醇或水等)摘在該端部,使該液體滲透在兩個基板的邊界,形成剝離的起點。
接著,藉由從剝離的起點在大致垂直於密接面的方向上緩慢地施加物理力量,可以容易剝離第一支撐基板102 而不損壞第一支撐基板102。此時,例如既可以在第一支撐基板102上貼附膠帶等,並將該膠帶往上述方向拉而進行剝離,又可以將鉤狀的構件掛在第一支撐基板102的端部而進行剝離。此外,也可以將能夠進行真空吸附的構件貼附到第一支撐基板102的背面而進行剝離。
此外,有時當進行剝離時產生靜電而使第一基板101或第二基板111帶電。若第一基板101或第二基板111帶電,則有元件層103或感測器層113內的電路或元件因靜電放電(ESD:Electro Static Discharge)被破壞的憂慮。為了抑制上述情況,對剝離的起點摘下具有導電性的液體(例如,離子性液體或碳酸水等的包含離子的水等),較佳的是在使第一支撐基板102與第一基板101的剝離介面一直接觸該液體的狀態下進行剝離。或者,也可以邊使用除電器等抑制ESD的發生邊進行剝離。
接著,剝離第二支撐基板112。此時,用吸附台等固定第一基板101的沒有形成元件層103的面,使用與上述同樣的方法剝離第二基板111與第二支撐基板112。
此外,這裡在剝離第一支撐基板102之後剝離第二支撐基板112,但是不侷限於上述順序。例如也可以在剝離第二支撐基板112之後,剝離第一支撐基板102。
藉由上述製程,可以以高良率製造具備觸摸感測器且總厚度極薄的顯示裝置100(圖1E)。
在顯示裝置100中,用黏合層104貼合第一基板101與第二基板111,形成在第一基板101上的包括顯示元件 的元件層103與形成在第二基板111上的包括感測器元件的感測器層113對置而設置。再者,第一基板101及第二基板111各自的特徵是厚度極薄,為10μm以上且200μm以下。
此外,由於由設置有觸摸感測器的第二基板111及設置有顯示元件的第一基板101的兩個基板構成顯示裝置100,所以可以使顯示裝置100的總厚度更薄。此外,由於當貼合第二基板111與第一基板101時分別設置有支撐基板,所以可以以高位置對準精度貼合兩個基板。
此外,由於顯示裝置100的總厚度極薄,所以也可以具有撓性。因此,也可以實現具備彎曲的顯示部的電子裝置或可以使顯示部彎曲的電子裝置等。
以上是本製造方法例子的說明。
[製造方法例子2]
以下說明與上述製造方法例子1不同的顯示裝置的製造方法例子。明確而言,說明具備濾色片的顯示裝置。注意,這裡關於與製造方法例子1重複的部分省略說明或簡單地說明。
首先,與製造方法例子1同樣地,在固定在第一支撐基板102上的第一基板101上形成元件層103。再者,在固定在第二支撐基板112上的第二基板111上形成感測器層113。
接著,在固定在第三支撐基板122上的第三基板121 上形成濾色片層123(圖2A)。
作為第三支撐基板122可以採用與上述第一支撐基板102類似的結構。此外,作為第三基板121可以採用與上述第一基板101類似的結構。
濾色片層123包括紅色濾色片124、綠色濾色片125、藍色濾色片126。每個濾色片對應於元件層103所具備的各別像素而配置。此外,也可以在濾色片之間具備黑矩陣127。另外,也可以設置覆蓋濾色片及黑矩陣127的保護層。
濾色片及黑矩陣127使用適當的材料及方法形成即可。當像素為高清晰時,較佳的是藉由光微影法形成。
此外,在第三基板121上較佳為形成用於後面的貼合到第一基板101時的位置對準的標記。標記既可以與上述濾色片及黑矩陣127同時形成也可以另行形成。
注意,對元件層103的形成、感測器層113的形成及濾色片層123的形成的順序沒有限制,分別單獨地形成即可。
接著,以元件層103與濾色片層123對置的方式配置第一支撐基板102及第一基板101的疊層基板以及第三支撐基板122及第三基板121的疊層基板,用黏合層104貼合第一基板101與第三基板121。
此時,由於可以在第一基板101固定在第一支撐基板102且第三基板121固定在第三支撐基板122的狀態下進行貼合,所以可以以高精度進行元件層103所具有的各像 素與濾色片層123的各濾色片的位置對準。因此,即使作為第一基板101及第三基板121使用極薄的基板,也可以實現具備高清晰的像素的顯示裝置。
接著,剝離第三基板121與第三支撐基板122(圖2B)。第三支撐基板122與第三基板121的剝離與上述製造方法例子1同樣地進行即可。
接著,將第二支撐基板112及設置有感測器層113的第二基板111的疊層基板用黏合層105貼合到第三基板121的背面(與設置有濾色片層123的表面相反一側的表面)。此時,以感測器層113對置於第一基板101的形成有元件層103的側的方式進行貼合。
作為黏合層105,可以使用與黏合層104類似的結構。此外,除了上述以外作為黏合層105也可以使用雙面具有黏合性的薄片等。此外,當黏合層105與像素重疊設置時,作為黏合層105使用透光材料。
然後,剝離第一基板101與第一支撐基板102,並且剝離第二基板111與第二支撐基板112(圖2C)。上述基板與上述製造方法例子1同樣地進行剝離即可。
藉由上述製程,可以製造具備觸摸感測器及濾色片且總厚度極薄的顯示裝置110(圖2D)。
在顯示裝置110中,用黏合層104貼合第一基板101與第三基板121,形成在第一基板101上的包括顯示元件的元件層103與形成在第三基板121上的濾色片層123對置而設置。再者,以第三基板121的沒有設置濾色片層 123的側與感測器層113對置的方式用黏合層105貼合設置有感測器層113的第二基板111與第三基板121。再者,第一基板101、第二基板111及第三基板121各自的特徵是厚度極薄,為10μm以上且200μm以下。
這種結構的顯示裝置110藉由具備濾色片層123提高像素的色純度,從而可以顯示更高品質的影像。此外,觸摸感測器設置在顯示裝置110的顯示面一側。
此外,藉由使用這種製造方法,即使是將分別設置有觸摸感測器、顯示元件及濾色片層的三個基板層疊設置的結構,也可以以高良率製造總厚度充分薄的顯示裝置。此外,由於當貼合設置有濾色片層123的第三基板121與設置有顯示元件的第一基板101時分別設置有支撐基板,所以可以抑制濾色片與像素的重疊的偏離,從而可以以高位置對準精度貼合兩個基板。由此,可以實現具備極高清晰(例如300ppi以上,較佳為400ppi以上,更佳為500ppi以上)的像素且總厚度極薄的顯示裝置110。
此外,由於顯示裝置110的總厚度極薄,所以也可以具有撓性。因此,也可以實現具備彎曲的顯示部的電子裝置或可以使顯示部彎曲的電子裝置等。
以上是本製造方法例子的說明。
[變形例子1]
以下說明其一部分與上述製造方法例子2不同的顯示裝置的製造方法。注意,這裡關於與上述重複的部分省略 其說明或簡單地說明。
首先,仿照製造方法例子2,以元件層103與濾色片層123對置的方式配置第一支撐基板102及第一基板101的疊層基板以及第三支撐基板122及第三基板121的疊層基板,用黏合層104貼合第一基板101與第三基板121。
接著,剝離第一基板101與第一支撐基板102(圖3A)。第一支撐基板102的剝離與上述製造方法例子1同樣地進行即可。
接著,將第二支撐基板112及設置有感測器層113的第二基板111的疊層基板用黏合層105貼合到第一基板101的背面(沒有形成元件層103的表面)。此時,以感測器層113對置於第三基板121的形成有濾色片層123的表面的方式進行貼合。
黏合層105可以使用上述製造方法例子2所示的材料。此外,由於感測器層113設置在與顯示面相反一側的表面上,所以當黏合層105與像素重疊而設置時用於黏合層105的材料也可以不具有透光性。
然後,剝離第二基板111與第二支撐基板112,並且剝離第三基板121與第三支撐基板122(圖3B)。上述剝離與上述製造方法例子1同樣地進行即可。
藉由上述製程,可以製造觸摸感測器設置在顯示面相反一側的總厚度極薄的顯示裝置120(圖3C)。
在顯示裝置120中,用黏合層104貼合第一基板101與第三基板121,形成在第一基板101上的包括顯示元件 的元件層103與形成在第三基板121上的濾色片層123對置而設置。再者,以第一基板101的沒有設置元件層103的表面與感測器層113對置的方式用黏合層105貼合設置有感測器層113的第二基板111與第一基板101。再者,顯示裝置120的特徵是第一基板101、第二基板111及第三基板121的厚度極薄,為10μm以上且200μm以下。
這種結構的顯示裝置120藉由具備濾色片層123提高像素的色純度,從而可以顯示更高品質的影像。此外,觸摸感測器設置在與顯示裝置120的顯示面相反的一側。藉由在與顯示面相反一側設置觸摸感測器,由於可以在不被使用者的手指等的輸入機構遮擋顯示的狀態下進行輸入操作,所以適用於能夠執行需要基於顯示影像的觸摸輸入的遊戲內容或能夠再生視訊內容等的影像的電子裝置。
此外,由於顯示裝置120的總厚度極薄,所以也可以具有撓性。因此,也可以實現具備彎曲的顯示部的電子裝置或可以使顯示部彎曲的電子裝置等。
以上是本變形例子的說明。
[製造方法例子3]
在本製造方法例子中說明與上述製造方法例子不同的顯示裝置的製造方法例子。
首先,仿照製造方法例子1,在固定在第一支撐基板102上的第一基板101上形成元件層103。
接著,在固定在第二支撐基板112上的第二基板111 上層疊形成感測器層113及濾色片層123(圖4A)。
首先,仿照製造方法例子1,在固定在第二支撐基板112上的第二基板111上形成感測器層113。
接著,在感測器層113上形成覆蓋第二感測器電極115的絕緣層128。
絕緣層128使用具備透光性及絕緣性的有機材料或無機材料即可,可以使用各種形成方法形成。此外,當作為絕緣層128使用有機樹脂時,可以有效地覆蓋感測器層113的第一感測器電極114及第二感測器電極115的步階形狀,而使絕緣層128的表面較平坦,由此可以抑制後面形成的濾色片的厚度的不均勻,而可以提高顯示裝置的顯示品質,所以是較佳的。
接著,在絕緣層128上形成濾色片層123。濾色片層123可以與製造方法例子2同樣地形成。
接著,以元件層103與濾色片層123對置的方式配置第一支撐基板102及第一基板101的疊層基板以及第二支撐基板112及第二基板111的疊層基板,用黏合層104貼合第一基板101與第二基板111(圖4B)。
此時,由於可以在第一基板101固定在第一支撐基板102且第二基板111固定在第二支撐基板112的狀態下進行貼合,所以可以以高精度進行元件層103所具有的各像素與濾色片層123的各濾色片的位置對準。因此,即使作為第一基板101及第二基板111使用極薄的基板,也可以實現具備高清晰的像素的顯示裝置。
接著,剝離第一基板101與第一支撐基板102,並且剝離第二基板111與第二支撐基板112(圖4C)。上述剝離與上述製造方法例子1同樣地進行即可。
藉由上述製程,可以製造具備觸摸感測器及濾色片且總厚度極薄的顯示裝置130(圖4D)。
在顯示裝置130中,用黏合層104貼合第一基板101與第二基板111,形成在第一基板101上的包括顯示元件的元件層103與層疊形成在第二基板111上的感測器層113及濾色片層123對置而設置。再者,顯示裝置130的特徵是第一基板101及第二基板111的厚度極薄,為10μm以上且200μm以下。
由於這種結構的顯示裝置130在一個基板上層疊設置有感測器層113及濾色片層123,所以可以使用兩個基板構成顯示裝置130。因此,可以實現總厚度更薄的顯示裝置130。此外,不但可以將濾色片直接形成在觸摸感測器上,而且由於當貼合兩個基板時各個基板固定在各別支撐基板上,所以可以以高精度分別對準觸摸感測器與濾色片、觸摸感測器與像素以及濾色片與像素的相對位置,從而可以實現具備極高清晰的像素及極高精度的觸摸感測器的顯示裝置。
此外,由於顯示裝置130的總厚度極薄,所以也可以具有撓性。因此,也可以實現具備彎曲的顯示部的電子裝置或可以使顯示部彎曲的電子裝置等。
以上是本製造方法例子的說明。
本實施方式所例示的顯示裝置是具備觸摸感測器且其總厚度被充分減薄的顯示裝置。此外,根據本實施方式所例示的顯示裝置的製造方法,可以以高量產性及高良率製造總厚度被充分降低的顯示裝置。
另外,在本實施方式所例示的顯示裝置的製造方法中,說明了在疊層基板上形成元件層、感測器層及濾色片層的製程,但是也可以使用預先設置有元件層、感測器層及濾色片層的疊層基板。因此,例如使用預先設置有元件層的疊層基板及預先設置有感測器層的疊層基板製造顯示裝置,也是本發明的一個實施方式。並且,使用預先設置有濾色片層的疊層基板以及預先層疊設置有感測器層及濾色片層的疊層基板製造顯示裝置,也是本發明的一個實施方式。
本實施方式可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
實施方式2
在本實施方式中,關於根據實施方式1所例示的顯示裝置的製造方法可以製造的顯示裝置例示更具體的結構例子。注意,下面,關於與實施方式1重複的部分,省略說明或簡單地說明。
[結構例子]
圖5A是本結構例子所例示的顯示裝置200的透視示 意圖。注意,在圖5A和圖5B中,為了明確起見,只示出典型的構成要素。
顯示裝置200具備夾持在第一基板101與第二基板111之間的顯示部201及觸摸感測器202。此外,在第一基板101上設置有FPC204。
圖5B示出展開圖5A中的第一基板101及第二基板111的示意圖。
在第一基板101上設置有顯示部201、電連接於顯示部201的多個佈線206、藉由接觸部203電連接於觸摸感測器202的多個佈線207。此外,多個佈線206及多個佈線207引導至第一基板101的周圍,在該周圍這些佈線的一部分構成用來電連接於FPC204的外部連接電極205。
顯示部201包括具有多個像素的像素部211、源極驅動電路212及閘極驅動電路213。在圖5B中,夾著像素部211在其兩側配置有兩個源極驅動電路212,但是也可以沿著像素部211的一邊配置一個源極驅動電路212。
作為可以應用於顯示部201的像素部211的顯示元件,除了有機EL元件、液晶元件以外也可以使用利用電泳方式等進行顯示的顯示元件等各種顯示元件。
在第二基板111上設置有觸摸感測器202。觸摸感測器202設置在第二基板111的與第一基板101對置的表面一側。此外,在圖5B中,為了明確起見,用實線示出設置在第二基板111的背面一側(圖面的裡面一側)的觸摸感測器202的電極。
圖5B所示的觸摸感測器202是投影型靜電容量式觸摸感測器的一個例子。觸摸感測器202包括第一感測器電極114及第二感測器電極115。
第一感測器電極114及第二感測器電極115藉由接觸部203電連接於設置在第一基板101上的佈線207。因此,藉由安裝在第一基板101上的FPC204可以驅動設置在第二基板111的觸摸感測器202。此外,後面說明接觸部203的具體結構例。
這裡,如圖5A及圖5B所示,第一感測器電極114及第二感測器電極115的形狀為多個四邊形在一個方向上連續的形狀。此時,較佳的是以第一感測器電極114與第二感測器電極115的交叉部的面積盡可能小的方式配置各個電極。藉由採用這種形狀,可以縮減不設置電極的區域的面積,藉由該電極的有無產生的透過率的差異可以抑制透過第一基板111的光的亮度不均勻。
此外,第一感測器電極114及第二感測器電極115的形狀不侷限於此,也可以採用各種形狀。例如,將多個第一感測器電極114盡可能不產生空隙地配置,將多個上層的第二感測器電極115以形成不重疊於第一感測器電極114的區域的方式離開地設置。此時,在相鄰的兩個第二感測器電極115之間設置與這些電極電絕緣的假電極,可以縮減透過率不同的區域的面積,所以是較佳的。
像這樣,藉由將連接用來與觸摸感測器202進行信號的發送和接受的FPC204等的外部連接電極設置在形成有 顯示部201的第一基板101一側,可以將觸摸感測器及顯示部201的兩者的外部連接電極都設置在顯示裝置200的一個面一側。因此,可以縮減FPC204的連接所需的面積。再者,當如圖5A及圖5B所示改良佈線的佈局時可以只設置一個FPC204。藉由將這種顯示裝置200應用於電子裝置,由於可以縮減了電子裝置中的顯示裝置200所占的面積,所以可以提高電子裝置的設計的自由度。
[剖面結構例子1]
以下說明對顯示部201應用有機EL元件的顯示裝置200的剖面結構例子。
圖6是在圖5A所示的顯示裝置200中沿著切斷線A-B切斷的包括FPC204及閘極驅動電路213的區域、沿著切斷線C-D切斷的包括像素部211的區域、沿著切斷線E-F切斷的包括接觸部203的區域的剖面示意圖。
第一基板101及第二基板111在其周圍部由黏合層104黏合。此外,在由第一基板101、第二基板111及黏合層104圍繞的區域至少設置有像素部211。
圖6示出作為閘極驅動電路213使用組合n通道型電晶體231與電晶體232的電路的例子。注意,閘極驅動電路213的結構不侷限於此,也可以使用組合n通道型電晶體與p通道型電晶體的多種CMOS電路或組合p通道型電晶體的電路。此外,源極驅動電路212也是同樣的。另外,在本結構例子中,示出在形成有顯示部201的絕緣表 面上形成閘極驅動電路213及源極驅動電路212的驅動器一體型顯示裝置的結構,但是也可以採用與形成有顯示部201的絕緣表面分開設置閘極驅動電路213及源極驅動電路212中的一者或兩者的結構。例如,既可以藉由COG方式安裝驅動電路IC,又可以藉由COF方式安裝安裝有驅動電路IC的撓性基板(FPC)。
在圖6中作為像素部211的一個例子示出一個像素的剖面結構。像素包括開關電晶體233、電流控制電晶體234以及與該電晶體234的一方的電極(源極電極或汲極電極)電連接的第一電極層221。此外,設置覆蓋第一電極層221的端部的絕緣層235,在該絕緣層235上的與後面說明的黑矩陣242重疊的區域設置有間隔物236。藉由在像素部211中設置多個間隔物236,第一基板101與第二基板111之間的距離不會超過所需要的距離地接近,所以可以實現可靠性高的顯示裝置。
作為間隔物236藉由使用有機樹脂材料可以形成厚度厚的間隔物,所以是較佳的。例如,可以使用正型或負型的感光性樹脂形成間隔物236。此外,當作為間隔物236使用遮光材料時,遮擋從相鄰的像素的發光元件220發射的光,可以抑制相鄰的像素間的混色。
注意,對像素部211、源極驅動電路212、閘極驅動電路213所具備的電晶體的結構沒有特別的限制。例如,可以採用交錯型電晶體或反交錯型電晶體。另外,也可以採用頂閘極型和底閘極型中的任一方的電晶體結構。此 外,作為用於電晶體的半導體材料,例如既可以使用矽或鍺等的半導體材料,又可以使用包含銦、鎵和鋅中的至少一個的氧化物半導體。
此外,對用於電晶體的半導體的結晶性也沒有特別的限制,可以使用非晶半導體或具有結晶性的半導體(微晶半導體、多晶半導體、單晶半導體或其一部分具有結晶區域的半導體)。當使用結晶半導體時可以抑制電晶體的特性劣化,所以是較佳的。
作為包含銦、鎵和鋅中的至少一個的氧化物半導體典型地可以舉出In-Ga-Zn-O類金屬氧化物等。藉由使用其帶隙比矽寬且載子密度較小的氧化物半導體,可以抑制關閉時的洩漏電流,所以是較佳的。關於較佳的氧化物半導體的詳細內容在後面的實施方式中進行說明。
發光元件220包括第一電極層221、第二電極層223、夾在這些層之間的EL層222。以下說明發光元件220。
在發光元件220中,作為設置在光射出一側的電極層使用對於從EL層222發射的光具有透光性的材料。
作為具有透光性的材料,可以使用氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加鎵的氧化鋅等的導電氧化物。或者,也可以使用石墨烯。另外,可以使用金、銀、鉑、鎂、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀、鈦等金屬材料或包含該金屬材料的合金材料。或者,也可以使用上述金屬材料的氮化物(例如,氮化鈦)等。另外,當使用金 屬材料、合金材料(或者它們的氮化物)時,將金屬材料、合金材料形成得薄,以使其具有透光性,即可。此外,可以將上述材料的疊層膜用作導電層。例如,藉由使用銀和鎂的合金與銦錫氧化物的疊層膜等,可以提高導電性,所以是較佳的。
上述電極層藉由蒸鍍法或濺射法等形成。除此之外,也可以藉由噴墨法等的噴出法、絲網印刷法等的印刷法或鍍法形成。
另外,當藉由濺射法形成具有透光性的上述導電氧化物之膜時,藉由在包含氬和氧的沉積氛圍下形成該導電氧化物,可以提高透光性。
此外,當在EL層222上形成導電氧化物膜時,藉由採用層疊在減少氧濃度的包含氬的氛圍下形成的第一導電氧化物膜和在包含氬和氧的氛圍下形成的第二導電氧化物膜的疊層膜,可以減少對EL層222的成膜損壞,所以是較佳的。在此,特別佳的是,當形成第一導電氧化物膜時使用的氬氣體的純度高,例如使用露點為-70℃以下,較佳為-100℃以下的氬氣體。
作為設置在與光射出相反一側的電極層使用對該發光具有反射性的材料。
作為具有光反射性的材料,例如可以使用鋁、金、鉑、銀、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀等金屬材料或包含該金屬材料的合金材料。此外,也可以對這些金屬材料或合金材料添加鑭、釹或鍺等。作為合金材料的例子, 可以舉出鋁和鈦的合金、鋁和鎳的合金、鋁和釹的合金等包含鋁的合金(鋁合金)以及銀和銅的合金、銀和鈀和銅的合金、銀和鎂的合金等包含銀的合金等。包含銀和銅的合金具有高耐熱性,所以是較佳的。並且,藉由以與包含鋁的膜接觸的方式層疊金屬膜或金屬氧化物膜,可以抑制包含鋁的膜的氧化。作為以與包含鋁的膜接觸的方式設置的金屬材料或金屬氧化物材料,可以舉出鈦、氧化鈦等。此外,也可以層疊由上述具有透光性的材料構成的膜與由包含任何上述金屬材料構成的膜。例如,可以使用銀與銦錫氧化物的疊層膜、銀和鎂的合金與銦錫氧化物的疊層膜等。
上述電極層藉由蒸鍍法或濺射法等形成。除此之外,也可以藉由噴墨法等的噴出法、絲網印刷法等的印刷法或鍍法形成。
EL層222只要包括至少包含發光有機化合物的層(下面,也稱為發光層)即可,且也可以由單個層構成或由多個層構成。作為由多個層構成的結構,可以舉出從陽極一側依序層疊電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層的結構的例子。另外,除了發光層之外上述層不一定都需要設置在EL層222中。此外,上述層也可以重複設置。明確而言,可以在EL層222中重疊設置多個發光層,或者還可以與電子注入層重疊設置另一電洞注入層。另外,作為中間層,除了電荷產生層之外還可以適當地追加電子中繼層等的其他結構。此外,例如也 可以層疊多個呈現不同的發光顏色的發光層。例如藉由層疊處於補色關係的兩個以上的發光層,可以得到白色發光。
EL層222可以藉由真空蒸鍍法、噴墨法或分配器法等噴出法、旋塗法等塗敷法或者印刷法等形成。
在本實施方式中,作為第一電極層221使用具有反射性的材料,作為第二電極層223使用具有透光性的材料。因此,發光元件220是頂面發射型發光元件,從發光元件來看時向第二基板111一側發射光。
以上是發光元件220的說明。
在第一基板101上設置有接觸於第一基板101的頂面的絕緣層237、用作電晶體的閘極絕緣層的絕緣層238、覆蓋電晶體的絕緣層239以及絕緣層241。
絕緣層237以抑制包含在第一基板101中的雜質的擴散為目的而設置。此外,與電晶體的半導體層接觸的絕緣層238及絕緣層239較佳為使用抑制促進電晶體的劣化的雜質的擴散的材料來形成。作為這些絕緣層可以使用矽等的半導體的氧化物、氮化物或氧氮化物或者鋁等的金屬的氧化物、氮化物或氧氮化物。此外,也可以使用這種無機絕緣材料的疊層膜或無機絕緣材料和有機絕緣材料的疊層膜。另外,如果不需要,則可以不設置絕緣層237及絕緣層239。
絕緣層241用作覆蓋因設置在其下層的電晶體或佈線等而產生的步階的平坦化層。作為絕緣層241較佳為使用 聚醯亞胺或丙烯酸樹脂等有機樹脂材料。此外,若可以提高平坦性,則也可以使用無機絕緣材料。
這裡,包括電晶體及發光元件220的層相當於元件層103。在本結構例子中,從絕緣層237的頂面層疊至第二電極層223的結構為元件層103。
在第二基板111的與發光元件220對置的表面上設置第一感測器電極114、絕緣層116及第二感測器電極115,這些疊層相當於實施方式1中的感測器層113。
作為第一感測器電極114及第二感測器電極115使用對從發光元件220發射的光具有透光性的材料。例如可以使用可用於上述發光元件220的具有透光性的導電材料。
絕緣層116使第一感測器電極114與第二感測器電極115絕緣。此外,作為絕緣層116使用對從發光元件220發射的光具有透光性的材料。例如可以使用無機絕緣材料、有機絕緣材料或這些的疊層膜。
此外,如圖5A、圖5B及圖6所示,第一感測器電極114及第二感測器電極115不僅設置在像素部211也可以設置在與源極驅動電路212及閘極驅動電路213重疊的區域。
此外,在至少與像素部211重疊的區域設置有覆蓋第一感測器電極114及第二感測器電極115的絕緣層128。再者,在絕緣層128的與發光元件220對置的表面上設置有黑矩陣242及濾色片243。
絕緣層128除了起保護第二感測器電極115的作用以 外還可以填充彼此相鄰的第二感測器電極115之間的間隙,以確實使這些電極之間絕緣。此外,作為絕緣層128較佳為使用覆蓋性高的材料,以便有效地覆蓋第一感測器電極114及第二感測器電極115的步階形狀。例如,使用與絕緣層241同樣的材料。藉由使絕緣層128的表面平坦,可以使濾色片243的厚度均勻,由此可以提高顯示裝置的顯示品質。
設置濾色片243的目的是為了對來自發光元件220的發光顏色進行調色而提高色純度。例如,當使用白色發光的發光元件製造全彩色顯示裝置時,使用設置有不同顏色的濾色片的多個像素。此時,既可以使用紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)的三種顏色的濾色片,又可以使用上述三種顏色和黃色(Y)的四種顏色。此外,除了R、G、B(及Y)以外還使用白色(W)的像素,而可以使用四種顏色(或五種顏色)。
另外,在彼此相鄰的濾色片243之間設置有黑矩陣242。黑矩陣242遮擋從相鄰的像素的發光元件220發射的光,來抑制彼此相鄰的像素之間的混色。黑矩陣242也可以採用只配置在不同發光顏色的相鄰的像素之間,而不設置在相同顏色的像素之間的結構。在此,藉由將濾色片243設置為其端部與黑矩陣242重疊,可以抑制光洩漏。作為黑矩陣242可以使用遮擋從發光元件220發射的光的材料,而可以使用金屬材料或包含顏料的有機樹脂材料等。此外,如圖6所示,藉由將黑矩陣242設置在重疊閘 極驅動電路213等的像素部211以外的區域,可以抑制因波導光等引起的無意的漏光,所以是較佳的。
另外,也可以設置覆蓋濾色片243及黑矩陣242的保護層。保護層除了起保護濾色片243及黑矩陣242的作用以外還抑制包含在其中的雜質的擴散。作為保護層使用透過從發光元件220發射的光的材料,可以使用無機絕緣材料或有機絕緣材料。
第一基板101與第二基板111由黏合層104黏合。在本結構例子中,作為第一基板101及第二基板111使用玻璃材料,且作為黏合層104使用包含低熔點玻璃的玻璃材料。藉由使用這種材料,可以有效地抑制成為發光元件220或電晶體的劣化的原因的雜質從黏合層104混入內部,所以可以實現可靠性高的顯示裝置。
尤其是,當作為電晶體的半導體使用氧化物半導體時,如後面的實施方式所說明,當氫等雜質包含在氧化物半導體膜中,會產生電晶體的臨界電壓的負向漂移。因此,由使用玻璃材料形成的第一基板101、第二基板111及黏合層104密封設置有電晶體的區域來抑制包括氫的雜質元素的混入極有效。
在接觸部203中,在第一基板101上形成有佈線207、電連接於佈線207的電極244。佈線207藉由加工與電晶體的源極電極及汲極電極同一的導電膜來形成。此外,電極244藉由加工與第一電極層221同一的導電膜來形成,並藉由設置在絕緣層239及絕緣層241中的開口部 電連接於佈線207。像這樣,藉由加工用於形成電晶體或發光元件220的導電膜形成設置在接觸部203中的佈線207及電極244,可以不增加製程地容易形成接觸部203,所以是較佳的。
另一方面,在第二基板111一側第二感測器電極115延伸至接觸部203,並在接觸部203第二感測器電極115的表面露出。另外,雖然未圖示,但第一感測器電極114的接觸部也是同樣的。
再者,在接觸部203設置有分散有導電粒子245的樹脂層246。藉由樹脂層246中的導電粒子245接觸於第二感測器電極115及電極244的兩者,使第二感測器電極115與佈線207電連接。
作為導電粒子245使用被金屬材料覆蓋其表面的有機樹脂或二氧化矽等的粒子。藉由作為金屬材料使用鎳或金可以降低接觸電阻,所以是較佳的。此外,較佳為使用以層狀覆蓋有兩種以上的金屬材料的粒子諸如覆蓋有鎳以及金的粒子。
作為可以使導電粒子245分散的樹脂層246的材料,較佳為使用熱固化有機樹脂、光固化有機樹脂等固化有機樹脂。
夾持在第二感測器電極115與電極244之間的導電粒子245的形狀較佳為因在其上下方向上施加的壓力而變成壓扁的形狀。藉由採用這樣的形變,由於導電粒子245與第二感測器電極115或電極244的接觸面積增大,所以可 以確實實現電連接。此外,在圖6所示的剖面示意圖中為了方便起見,作為導電粒子245的剖面形狀示出在垂直於基板方向上具有長軸的橢圓形,但實際上在很多情況下,該導電粒子245的剖面形狀為圓形或在平行於基板的方向上具有長軸成分的橢圓形。
這裡,在圖6中,以至少圍繞具備發光元件220的像素部211的方式設置黏合層104,在黏合層104的外側設置接觸部203。尤其是當作為黏合層104使用玻璃材料時,像這樣藉由將接觸部203設置在黏合層104的外側,可以抑制包含在用於接觸部203的有機樹脂等中的水等雜質擴散到黏合層104的內側的區域,所以是較佳的。
此外,如圖6所示,以跨越由黏合層104密封的區域及該區域的外側的區域的方式設置的層較佳為不使用有機材料等的透過水或氫的材料的層。藉由採用上述結構,可以有效地抑制來自外部的水或氫的侵入,從而可以實現可靠性高的顯示裝置。
另外,當作為黏合層104使用固化樹脂時,將黏合層104及樹脂層246共同化,以重疊於接觸部203的方式設置黏合層104,在重疊於接觸部203的區域分散導電粒子245。在這種結構中,由於不需要在黏合層104的外側配置接觸部203,所以可以實現顯示裝置的窄邊框化。此外,此時較佳的是在黏合層104中分散乾燥劑。例如,可以使用鹼土金屬的氧化物(氧化鈣或氧化鋇等)藉由化學吸附吸附水分的物質。作為其他乾燥劑,也可以使用沸石 或矽膠等藉由物理吸附吸附水分的物質。
佈線206延伸出由黏合層104密封的區域而設置,並電連接於閘極驅動電路213(或源極驅動電路212)。此外,佈線206的端部的一部分構成外部連接電極205。在本結構例子中,外部連接電極205藉由層疊用於電晶體的源極電極或汲極電極的導電膜及用於電晶體的閘極電極的導電膜而形成。如此,藉由層疊多個導電膜構成外部連接電極205,可以提高FPC204等的承受壓接製程的機械強度,所以是較佳的。
此外,以接觸於外部連接電極205的方式設置連接層208,藉由連接層208電連接FPC204與外部連接電極205。作為連接層208,可以使用各向異性導電膜(ACF:Anisotropic Conductive Film)或各向異性導電膏(ACP;Anisotropic Conductive Paste)等。
此外,這裡雖然未圖示,佈線207設置至第一基板101的端部,該端部的一部分構成外部連接電極205的一部分,並電連接於FPC204。
當佈線206、佈線207、外部連接電極205的端部由絕緣層覆蓋以不使其表面露出時,可以抑制表面的氧化或短路等的故障現象,所以是較佳的。此時,覆蓋佈線206、佈線207、外部連接電極205的絕緣層藉由加工與構成像素部211的任一個絕緣層同一的膜來形成,可以不增加製程地形成,所以是較佳的。
這裡,在圖6中,在FPC204與黏合層104之間以接 觸於FPC204及第二基板111的兩者的方式設置有增強材料209。在本結構例子中,作為第一基板101使用極薄的玻璃基板,所以FPC204與黏合層104之間的區域的機械強度較低。因此,當將顯示裝置安裝在電子裝置時,當在FPC204附近施加機械力量,在該區域會產生破裂。由此,像這樣,藉由設置增強材料209,可以提高FPC204與黏合層104之間的區域的機械強度,由此可以實現可靠性高的顯示裝置。
作為增強材料209較佳為使用有機樹脂材料。例如,可以使用熱固化有機樹脂、光固化有機樹脂、雙組分型固化有機樹脂等固化有機樹脂。
此外,增強材料209也可以設置在第一基板101的背面一側。藉由使用增強材料209對第一基板101的雙面增強,可以進一步提高機械強度,而可以抑制總厚度極薄的顯示裝置的損壞。
以上是本剖面結構例子的說明。藉由採用上述結構,可以實現總厚度極薄、機械強度優良、可靠性高的顯示裝置。
[剖面結構例子2]
以下說明對顯示部201應用液晶元件的顯示裝置200的剖面結構例子。注意,關於與上述重複的部分,省略說明或簡單地說明。
圖7是本結構例子所例示的顯示裝置的剖面示意圖。 圖7所示的顯示裝置與上述剖面結構例子1所例示的結構的不同之處主要是像素部211及黏合層104的結構。
像素部211具備應用IPS(In-Plane-Switching:平面切換)模式的液晶元件250。液晶元件250因在平行於基板面的方向上產生的電場而被控制液晶的配向。
像素部211至少包括一個開關電晶體256、未圖示的儲存電容器。此外,電連接於電晶體256的源極電極或汲極電極的梳形的第一電極層251設置在絕緣層241上。此外,梳形的第二電極層253以與第一電極層251絕緣的方式設置在與第一電極層251同一平面上。
第一電極層251和第二電極層253中的至少一方使用上述透光導電材料。藉由使這些電極層的兩者都使用透光導電材料,可以提高像素的孔徑比,所以是較佳的。
此外,在圖7中,為了區別第一電極層251與第二電極層253使用不同的陰影圖案示出,但是較佳為加工同一導電膜形成第一電極層251與第二電極層253。
在像素部211中,在第二基板111上與上述剖面結構例子1同樣地設置有濾色片243及黑矩陣242。此外,在圖7中,也可以設置覆蓋濾色片243及黑矩陣242的保護層255。藉由設置保護層255,可以抑制包含在濾色片243及黑矩陣242中的顏料等雜質擴散到液晶252。
再者,在保護層255中的重疊於黑矩陣242的區域設置有間隔物254。作為間隔物254可以使用與上述剖面結構例子1的間隔物236同樣的材料。另外,在本結構例子 中將間隔物254設置在第二基板111一側,但是也可以設置在第一基板101一側。
此外,在至少設置有第一電極層251及第二電極層253的區域封入液晶252。另外,由第一電極層251、第二電極層253及液晶252構成液晶元件250。
藉由在第一電極層251與第二電極層253之間施加電壓,在水平方向上產生電場,由該電場控制液晶252的配向,藉由在每個像素控制配置在顯示裝置的外部的背光的光的偏振,可以顯示影像。
在接觸於液晶252的面設置用來控制液晶252的配向的配向膜。作為配向膜使用透光材料。此外,雖然這裡未圖示,但是在第一基板101及第二基板111的從液晶元件250看時為外側的表面上設置偏振板。此外,也可以採用使用導光板使來自背光的光從顯示裝置的側面進入的結構。
在本結構例子中,由於在重疊於液晶元件250的區域設置有濾色片,所以可以使用白色發光的背光實現全彩色的影像顯示。此外,也可以作為背光利用發光顏色不同的多種發光二極體(LED:Light Emitting Diode)來進行分時顯示方式(場序驅動方式)。當採用分時顯示方式時,不需要設置濾色片,例如不需要設置呈現R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)的每個發光顏色的子像素,所以有提高像素的孔徑比或增加每單位面積的像素數量等的優點。
作為液晶252可以使用熱致液晶、低分子液晶、高分子液晶、鐵電液晶、反鐵電液晶等。此外,當使用呈現藍相的液晶時,由於不需要使用配向膜,並且可以獲得廣視角化,所以是較佳的。
此外,在本結構例子中說明應用IPS模式的液晶元件250,但是液晶元件的結構不侷限於此,也可以使用TN(Twisted Nematic:扭曲向列)模式、FFS(Fringe Field Switching:邊緣電場轉換)模式、ASM(Axially Symmetric aligned Micro-cell:軸對稱排列微單元)模式、OCB(Optically Compensated Birefringence:光學補償彎曲)模式、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal:鐵電性液晶)模式、AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal:反鐵電性液晶)模式等。
這裡,較佳的是作為液晶元件250的模式應用IPS模式或FFS模式。應用這種模式的液晶元件由於不需要在第二基板111一側配置電極,所以可以抑制在設置在第二基板111一側的觸摸感測器的電極與液晶元件的電極之間產生的寄生電容的影響,而可以提高觸摸感測器的感度。
此外,在本結構例子中,將上述剖面結構例子1所例示的用於接觸部203的樹脂層246與黏合層104共同化,對這些層使用同一材料。作為黏合層104使用固化有機樹脂,黏合層104以與接觸部203重疊的方式設置。再者,在重疊於接觸部203的區域分散有導電粒子245。藉由採用上述結構,可以實現窄邊框的顯示裝置。
此外,如圖7所示,絕緣層241及絕緣層128等的應用有機材料的層為了不連續延伸形成在設置有像素部211及閘極驅動電路213(及源極驅動電路212)的區域及設置有黏合層104的區域,以在這些區域之間形成端部的方式將上述層加工為島狀。藉由採用上述結構,即使對黏合層104使用有機樹脂,也由於隔著絕緣層241或絕緣層128等而可以抑制水分等雜質擴散到液晶元件250或電晶體。
以上是本結構例子的說明。藉由採用上述結構,可以實現總厚度極薄、機械強度優良、且可靠性高的顯示裝置。
本實施方式可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
實施方式3
在本實施方式中,參照圖式對可以應用於本發明的一個實施方式的發光裝置的發光元件的結構例子進行說明。
本實施方式所例示的發光元件具備第一電極層、第二電極層以及第一電極層和第二電極層之間的包含發光有機化合物的層(以下稱為EL層)。第一電極層和第二電極層中的任一個用作陽極,而另一個用作陰極。EL層設置在第一電極層和第二電極層之間,該EL層的結構可以根據第一電極層和第二電極層的材料適當地選擇即可。以下示出發光元件的結構的一個例子,但是發光元件的結構當 然不侷限於此。
<發光元件的結構例子1>
圖8A示出發光元件的結構的一個例子。圖8A所示的發光元件在陽極1101和陰極1102之間夾有包括發光單元1103的EL層。
對陽極1101和陰極1102之間施加高於發光元件的臨界電壓的電壓,使來自陽極1101一側的電洞以及來自陰極1102一側的電子注入到EL層中。被注入的電子和電洞在EL層中重新結合,於是,包含在EL層的發光物質發光。
在本說明書中,將具有一個使從兩端注入的電子和電洞重新結合的區域的層或疊層體稱為發光單元。由此,該發光元件的結構例子1可以具備一個發光單元。
發光單元1103只要具有至少一個以上的包含發光物質的發光層即可。其也可以具有發光層與發光層以外的層的疊層結構。作為發光層以外的層,例如可以舉出包含高電洞注入性物質、高電洞傳輸性物質、低電洞傳輸性(阻擋電洞傳輸性)物質、高電子傳輸性物質、高電子注入性物質以及雙極性(電子及電洞的傳輸性高的物質)的物質等的層。
圖8B示出發光單元1103的具體結構的一個例子。圖8B所示的發光單元1103從陽極1101一側依次層疊有電洞注入層1113、電洞傳輸層1114、發光層1115、電子傳 輸層1116以及電子注入層1117。
<發光元件的結構例子2>
圖8C示出發光元件的結構的另一個例子。圖8C例示的發光元件在陽極1101和陰極1102之間夾有包括發光單元1103的EL層。而且,在陰極1102與發光單元1103之間設置有中間層1104。注意,可以將與上述發光元件的結構例子1所具備的發光單元同樣的結構適用於該發光元件的結構例子2的發光單元1103,因此,詳細內容可以參照發光元件的結構例子1。
中間層1104只要至少包括電荷產生區域而形成即可。該中間層1104也可以具有層疊電荷產生區域與電荷產生區域以外的層的結構。例如,可以採用如下結構:從陰極1102一側依次層疊第一電荷產生區域1104c、電子中繼層1104b及電子注入緩衝體1104a。
以下將對中間層1104中的電子和電洞的舉動進行說明。當對陽極1101與陰極1102之間施加高於發光元件的臨界電壓的電壓時,在第一電荷產生區域1104c中產生電洞和電子,電洞移動到陰極1102,電子移動到電子中繼層1104b。電子中繼層1104b的電子傳輸性高,因此可將在第一電荷產生區域1104c中產生的電子及時送達到電子注入緩衝體1104a。電子注入緩衝體1104a緩和抵抗電子注入到發光單元1103的勢壘,而提高對發光單元1103的電子注入效率。從而,在第一電荷產生區域1104c中產生 的電子經過電子中繼層1104b和電子注入緩衝體1104a注入到發光單元1103的LUMO能階。
另外,電子中繼層1104b可以防止構成第一電荷產生區域1104c的物質和構成電子注入緩衝體1104a的物質在介面起反應而損壞彼此的功能等的相互作用。
可用於該發光元件的結構例子2的陰極的材料的選擇範圍比可用於結構例子1的陰極的材料的選擇範圍大。這是因為結構例子2的陰極只要接受中間層所產生的電洞即可,而可以採用功函數較大的材料的緣故。
<發光元件的結構例子3>
圖8D示出發光元件的結構的另一個例子。圖8D例示的發光元件具備在陽極1101與陰極1102之間設有兩個發光單元的EL層。而且,在第一發光單元1103a與第二發光單元1103b之間設置有中間層1104。
注意,設置在陽極與陰極之間的發光單元的個數不限於兩個。圖8E例示的發光元件具有層疊多個發光單元1103的結構,就是串聯型發光元件的結構。但是,例如當在陽極與陰極之間設置n(n是2以上的自然數)層的發光單元1103時,採用第m(m是自然數,1以上且(n-1)以下)個的發光單元與第(m+1)個的發光單元之間分別設置有中間層1104的結構。
另外,可以將與上述發光元件的結構例子1同樣的結構應用於該發光元件的結構例子3的發光單元1103,此 外,可以將與上述發光元件的結構例子2同樣的結構應用於該發光元件的結構例子3的中間層1104。由此,其詳細內容可以參照發光元件的結構例子1或發光元件的結構例子2的記載。
將對設置在發光單元之間的中間層1104中的電子和電洞的舉動進行說明。當對陽極1101和陰極1102之間施加高於發光元件的臨界電壓的電壓時,在中間層1104中產生電洞和電子,電洞移動到設置在陰極1102一側的發光單元,電子移動到設置在陽極1101一側的發光單元。注入到設置在陰極一側的發光單元的電洞與從陰極一側注入的電子重新結合,由此包含在該發光單元中的發光物質發光。注入到設置在陽極一側的發光單元的電子與從陽極一側注入的電洞重新結合,由此包含在該發光單元中的發光物質發光。因此,在中間層1104中產生的電洞和電子分別在不同的發光單元中發光。
另外,當藉由將發光單元設置為彼此接觸,在兩者之間形成與中間層同樣的結構時,可以將發光單元設置為彼此接觸。明確而言,當在發光單元的一個面形成有電荷產生區域時,因為該電荷產生區域用作中間層的第一電荷產生區域,所以可以將發光單元設置為彼此接觸。
發光元件的結構例子1至結構例子3可以彼此組合而使用。例如,可以在發光元件的結構例子3的陰極與發光單元之間設置中間層。
另外,可以藉由使用發光顏色不同的多種發光物質, 擴大發光光譜的幅度,例如,能夠得到白色發光。在要得到白色發光的情況下,例如採用具備至少兩個包含發光物質的層的結構,並構成為使每個層分別發射呈現互補色的關係的顏色的光。作為具體的互補色的關係,例如可以舉出藍色與黃色、藍綠色與紅色等。
再者,在要得到演色性良好的白色發光的情況下,較佳為使用發光光譜擴大到所有可見光區域的結構,例如,可以採用一個發光元件具備發射呈現藍色的光的層、發射呈現綠色的光的層及發射呈現紅色的光的層的結構。
本實施方式可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
實施方式4
以下說明較佳適用於上述實施方式例示的形成電晶體的通道的區域的半導體的一個例子。
氧化物半導體具有3.0eV以上的高能隙。在包括以適當的條件對氧化物半導體進行加工充分降低其載子密度來獲得的氧化物半導體膜的電晶體中,可以使關閉狀態下的源極與汲極之間的洩漏電流(關態電流(off-state current))極低於習知的使用矽的電晶體。
能夠應用的氧化物半導體較佳的是至少含有銦(In)或鋅(Zn)。尤其是較佳為包含In及Zn。另外,作為用來減少使用該氧化物半導體的電晶體的電特性不均勻的穩定劑,較佳的是除了包含上述元素以外,還包含選自鎵 (Ga)、錫(Sn)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鈦(Ti)、鈧(Sc)、釔(Y)、鑭系元素(例如,鈰(Ce)、釹(Nd)、釓(Gd))中的一種或多種。
例如,作為氧化物半導體可以使用:氧化銦、氧化錫、氧化鋅;二元金屬氧化物的In-Zn類氧化物、Sn-Zn類氧化物、Al-Zn類氧化物、Zn-Mg類氧化物、Sn-Mg類氧化物、In-Mg類氧化物、In-Ga類氧化物;三元金屬氧化物的In-Ga-Zn類氧化物(也稱為IGZO)、In-Al-Zn類氧化物、In-Sn-Zn類氧化物、Sn-Ga-Zn類氧化物、Al-Ga-Zn類氧化物、Sn-Al-Zn類氧化物、In-Hf-Zn類氧化物、In-Zr-Zn類氧化物、In-Ti-Zn類氧化物、In-Sc-Zn類氧化物、In-Y-Zn類氧化物、In-La-Zn類氧化物、In-Ce-Zn類氧化物、In-Pr-Zn類氧化物、In-Nd-Zn類氧化物、In-Sm-Zn類氧化物、In-Eu-Zn類氧化物、In-Gd-Zn類氧化物、In-Tb-Zn類氧化物、In-Dy-Zn類氧化物、In-Ho-Zn類氧化物、In-Er-Zn類氧化物、In-Tm-Zn類氧化物、In-Yb-Zn類氧化物、In-Lu-Zn類氧化物;四元金屬氧化物的In-Sn-Ga-Zn類氧化物、In-Hf-Ga-Zn類氧化物、In-Al-Ga-Zn類氧化物、In-Sn-Al-Zn類氧化物、In-Sn-Hf-Zn類氧化物、In-Hf-Al-Zn類氧化物。
這裡,“In-Ga-Zn類氧化物”是指以In、Ga以及Zn為主要成分的氧化物,對In、Ga以及Zn的比率沒有限制。此外,也可以包含In、Ga、Zn以外的金屬元素。
另外,作為氧化物半導體,也可以使用以InMO3 (ZnO)m(m>0且m不是整數)表示的材料。另外,M表示選自Ga、Fe、Mn及Co中的一種或多種金屬元素或者用作上述穩定劑的元素。另外,作為氧化物半導體,也可以使用以In2SnO5(ZnO)n(n>0,且n是整數)表示的材料。
例如,可以使用其原子數比為In:Ga:Zn=1:1:1、In:Ga:Zn=3:1:2或In:Ga:Zn=2:1:3的In-Ga-Zn類氧化物或接近上述原子數比的氧化物。
氧化物半導體膜可以為單晶或非單晶。在採用後者時,可以採用非晶或多晶。另外,可以採用在非晶中包括結晶性的部分的結構或非非晶。
較佳的是氧化物半導體膜為CAAC-OS(C Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor:c軸配向結晶氧化物半導體)膜。
以下說明CAAC-OS膜。
在大多情況下,CAAC-OS膜的結晶部的尺寸相當於一個邊長小於100nm的立方體。在利用穿透式電子顯微鏡(TEM:Transmission Electron Microscope)觀察到的影像中,不能明確地觀察到CAAC-OS膜中的結晶部之間的邊界。另外,在TEM的影像中,不能明確地觀察到CAAC-OS膜中的晶界(grain boundary)。因此,在CAAC-OS膜中,起因於晶界的電子遷移率的降低得到抑制。
在包括在CAAC-OS膜中的每個結晶部中,例如c軸 在平行於形成有CAAC-OS膜的表面的法線向量或CAAC-OS膜的表面的法線向量的方向上一致。並且,在每個結晶部中,當從垂直於ab面的方向看時具有三角形或六角形的原子排列,且當從垂直於c軸的方向看時,金屬原子排列為層狀或者金屬原子和氧原子排列為層狀。另外,在不同的結晶部中a軸及b軸的方向可以不同。在本說明書中,在只記載為“垂直”時,包括80°以上且100°以下的範圍。另外,當只記載為“平行”時,包括-10°以上且10°以下的範圍。
另外,在CAAC-OS膜中,結晶部的分佈也可以不均勻。例如,在CAAC-OS膜的形成過程中,在從氧化物半導體膜的表面一側產生結晶生長的情況下,有時氧化物半導體膜的表面附近的結晶部所占的比例高於形成有氧化物半導體膜的表面附近的結晶部所占的比例。另外,當將雜質添加到CAAC-OS膜時,有時在添加有該雜質的區域中結晶部的結晶性降低。
因為包括在CAAC-OS膜中的結晶部的c軸在平行於形成有CAAC-OS膜的表面的法線向量或CAAC-OS膜的表面的法線向量的方向上一致,所以有時根據CAAC-OS膜的形狀(形成有CAAC-OS膜的表面的剖面形狀或CAAC-OS膜的表面的剖面形狀)c軸的方向可以彼此不同。注意,結晶部的c軸方向是平行於形成有CAAC-OS膜的表面的法線向量或表面的法線向量的方向。結晶部藉由成膜或成膜後的加熱處理等的晶化處理來形成。
在作為氧化物半導體膜應用CAAC-OS膜的情況下,作為形成該CAAC-OS膜的方法可以舉出如下三個方法。
第一個方法是:藉由在100℃以上且450℃以下的成膜溫度下形成氧化物半導體膜,形成包括在氧化物半導體膜中的結晶部的c軸在平行於形成有氧化物半導體膜的表面的法線向量或氧化物半導體膜的表面的法線向量的方向上一致的結晶部。
第二個方法是:藉由在以薄厚度形成氧化物半導體膜之後進行200℃以上且700℃以下的熱處理,形成包括在氧化物半導體膜中的結晶部的c軸在平行於形成有氧化物半導體膜的表面的法線向量或氧化物半導體膜的表面的法線向量的方向上一致的結晶部。
第三個方法是:藉由在以薄厚度形成第一層氧化物半導體膜之後進行200℃以上且700℃以下的熱處理,形成第二層氧化物半導體膜,來形成包括在氧化物半導體膜中的結晶部的c軸在平行於形成有氧化物半導體膜的表面的法線向量或氧化物半導體膜的表面的法線向量的方向上一致的結晶部。
在使用CAAC-OS膜的電晶體中,起因於可見光或紫外光的照射的電特性的變動小。因此,該電晶體具有高可靠性。
此外,CAAC-OS膜較佳為使用多晶的氧化物半導體濺射靶材,且利用濺射法形成。當離子碰撞到該濺射靶材時,有時包含在濺射靶材中的結晶區域沿著a-b面劈開, 即具有平行於a-b面的面的平板狀或顆粒狀的濺射粒子有時剝離。此時,藉由使該平板狀或顆粒狀的濺射粒子在保持結晶狀態的情況下到達形成CAAC-OS膜的面,可以形成CAAC-OS膜。
另外,為了沉積CAAC-OS膜,較佳為應用如下條件。
藉由降低沉積時的雜質的混入CAAC-OS膜的量,可以抑制因雜質導致的結晶狀態的破壞。例如,只要降低存在於沉積室內的雜質(氫、水、二氧化碳及氮等)的濃度即可。另外,只要降低沉積氣體中的雜質濃度即可。明確而言,使用露點為-80℃以下,較佳為-100℃以下的沉積氣體。
另外,藉由增高沉積時的形成CAAC-OS膜的面的加熱溫度(例如基板加熱溫度),在濺射粒子到達形成CAAC-OS膜的面之後發生濺射粒子的遷移。明確而言,在將形成CAAC-OS膜的面的溫度設定為100℃以上且740℃以下,較佳為200℃以上且500℃以下的狀態下進行沉積。藉由增高沉積時的形成CAAC-OS膜的面的溫度,當平板狀或顆粒狀的濺射粒子到達形成CAAC-OS膜的面時,在形成CAAC-OS膜的面上發生遷移,於是濺射粒子的平坦的面附著到形成CAAC-OS膜的面。
另外,較佳的是,藉由提高沉積氣體中的氧比例並對功率進行最優化,減輕沉積時的電漿損傷。將沉積氣體中的氧比例設定為30vol.%以上,較佳為設定為100vol.%。
以下,作為濺射靶材的一個例子示出In-Ga-Zn-O化合物靶材。
在將InOX粉末、GaOY粉末及ZnOZ粉末以規定的莫耳數比例混合且進行加壓處理之後,在1000℃以上且1500℃以下的溫度下進行加熱處理,由此得到作為多晶的In-Ga-Zn-O化合物靶材。另外,X、Y及Z為任意正數。在此,InOX粉末、GaOY粉末及ZnOZ粉末的規定的莫耳數比例例如為1:1:1、1:1:2、1:3:2、2:1:3、2:2:1、3:1:1、3:1:2、3:1:4、4:2:3、8:4:3或與這些值接近的值。另外,粉末的種類及混合粉末時的莫耳數比例可以根據所製造的濺射靶材適當地改變。
以上是CAAC-OS膜的說明。
此外,當氧化物半導體膜含有多量的氫時,該氫與氧化物半導體接合而使該氫的一部分成為施體,由此產生作為載子的電子。因此,電晶體的臨界電壓向負方向漂移。因此,使氧化物半導體膜中的氫濃度低於5×1018atoms/cm3,較佳為1×1018atoms/cm3以下,更佳為5×1017atoms/cm3以下,進一步佳為1×1016atoms/cm3以下。此外,氧化物半導體膜中的氫濃度是藉由使用二次離子質譜測定技術(SIMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)而測量的。
較佳的是,在形成氧化物半導體膜之後,進行脫水化處理(脫氫化處理)從氧化物半導體膜去除氫或水分來實現高度純化,以使氧化物半導體膜儘量不包含雜質,並 且,為了填補因脫水化處理(脫氫化處理)而增加的氧缺損,進行對氧化物半導體膜添加氧的處理。此外,在本說明書等中,有時將對氧化物半導體膜供應氧的處理稱為加氧化處理,或者,有時將使氧化物半導體膜所包含的氧多於化學計量組成的處理稱為過氧化處理。
如上所述,藉由進行脫水化處理(脫氫化處理)以從氧化物半導體膜去除氫或水分,並進行加氧化處理以填補氧缺損,可以得到i型(本質)化的氧化物半導體膜或無限趨近於i型的氧化物半導體膜。在這種氧化物半導體膜中,源自施體的載子極少(近零),載子濃度低於1×1014/cm3,較佳低於1×1012/cm3,更佳低於1×1011/cm3,進一步佳低於1.45×1010/cm3。
另外,如上所述那樣具備藉由充分降低氫濃度而實現了高度純化且藉由充分供應氧而降低了起因於氧缺損的能隙中的缺陷能階的氧化物半導體膜的電晶體可以實現極為優良的關態電流特性。例如,通道寬度為1μm且室溫(25℃)下的每單位通道寬度1μm的關態電流為100yA(1yA(攸安培)為1×10-24A)以下,較佳為10yA以下。此外,85℃下的關態電流為100zA/μm(1zA(介安培)為1×10-21A)以下,較佳為10zA/μm以下。如此,藉由使用i型(本質)化或實質上i型化的氧化物半導體膜,可以得到關態電流特性極為優良的電晶體。
另外,氧化物半導體膜也可以採用層疊有多個氧化物半導體膜的結構。
例如,作為氧化物半導體膜,可以採用依次層疊第一氧化物半導體膜、第二氧化物半導體膜及第三氧化物半導體膜的疊層並且每個層可以採用彼此不同的組成。例如,作為第一氧化物半導體膜及第三氧化物半導體膜可以使用三元金屬氧化物,作為第二氧化物半導體膜可以使用二元金屬氧化物。或者,作為第一氧化物半導體膜及第三氧化物半導體膜可以使用二元金屬氧化物,作為第二氧化物半導體膜可以使用三元金屬氧化物。
此外,也可以使第一氧化物半導體膜、第二氧化物半導體膜及第三氧化物半導體膜的構成元素相同而其組成彼此不同。例如,可以將第一氧化物半導體膜及第三氧化物半導體膜的原子數比設定為In:Ga:Zn=1:1:1,將第二氧化物半導體膜的原子數比設定為In:Ga:Zn=3:1:2。或者,也可以將第一氧化物半導體膜及第三氧化物半導體膜的原子數比設定為In:Ga:Zn=1:3:2,將第二氧化物半導體膜的原子數比設定為In:Ga:Zn=3:1:2。
此時,較佳的是將第二氧化物半導體膜的In和Ga的含有率設定為In>Ga。另外,較佳的是將第一氧化物半導體膜及第三氧化物半導體膜的In和Ga的含有率設定為InGa。
在氧化物半導體中,重金屬的s軌道主要有助於載子傳導,並且藉由增加In的含有率s軌道的重疊率呈現增加的傾向,由此具有In>Ga的組成的氧化物的遷移率比具 有InGa的組成的氧化物高。另外,Ga的氧缺陷的形成能量比In大而Ga不容易產生氧缺陷,由此具有InGa的組成的氧化物與具有In>Ga的組成的氧化物相比具有穩定的特性。
另外,當以接觸於氧化物半導體膜的方式形成與氧化物半導體膜不同的膜(例如閘極絕緣膜等)時,有可能雜質從接觸於氧化物半導體膜地形成的膜擴散到氧化物半導體膜中。當矽或碳等擴散到氧化物半導體膜中時,有可能給電晶體的電特性帶來負面影響。
但是,如上所述,作為氧化物半導體膜採用疊層結構,並以接觸於具有高遷移率的氧化物半導體膜(即,成為In>Ga的組成的氧化物半導體膜。相當於上述第二氧化物半導體膜)的方式形成其中的氧缺陷比該氧化物半導體膜中的氧缺陷少因此具有穩定的特性的氧化物半導體膜(即,成為InGa的組成的氧化物半導體膜。相當於上述第一氧化物半導體膜及第三氧化物半導體膜)。藉由採用接觸於氧化物半導體膜的膜與具有高遷移率的氧化物半導體膜不接觸的結構,可以抑制電晶體的電特性受到起因於雜質擴散的負面影響(例如遷移率的降低)。因此,可以提高電晶體的遷移率及可靠性。
本實施方式可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
實施方式5
在本實施方式中,參照圖9A至圖9D對具備本發明的一個實施方式的具備觸摸感應器的顯示裝置的電子裝置的例子進行說明。
圖9A所示的電子裝置是可攜式資訊終端的一個例子。
圖9A所示的電子裝置具有外殼1011、設置在外殼1011中的面板1012、按鈕1013以及揚聲器1014。
另外,在外殼1011中也可以設置用來讓電子裝置與外部設備連接的連接端子及操作該電子裝置的按鈕。
按鈕1013設置在外殼1011上。例如在按鈕1013是電源按鈕的情況下,藉由按下按鈕1013,可以控制電子裝置是否處於導通狀態。
揚聲器1014設置在外殼1011中。揚聲器1014輸出音訊。
注意,外殼1011也可以設有麥克風。藉由在外殼1011中設有麥克風,例如可以將圖9A所示的電子裝置用作電話機。
圖9A所示的電子裝置例如用作電話機、電子書閱讀器、個人電腦及遊戲機中的一種或多種。
這裡,將本發明的一個實施方式的具備觸摸感測器的顯示裝置應用於面板1012。
圖9B所示的電子裝置是折疊式的資訊終端的一個例子。
圖9B所示的電子裝置包括外殼1021a、外殼1021b、 設置在外殼1021a中的面板1022a、設置在外殼1021b中的面板1022b、軸部1023、按鈕1024、連接端子1025、儲存媒體插入部1026以及揚聲器1027。
外殼1021a和外殼1021b由軸部1023連接。
因為圖9B所示的電子裝置包括軸部1023,所以可以使面板1022a和面板1022b對置而折疊。
按鈕1024設置在外殼1021b上。另外,也可以在外殼1021a上設置按鈕1024。例如,當設置具有電源按鈕的功能的按鈕1024時,藉由按下按鈕1024可以控制對電子裝置的電源電壓的供應。
連接端子1025設置在外殼1021a中。另外,也可以在外殼1021b中設置連接端子1025。此外,也可以將多個連接端子1025設置在外殼1021a和外殼1021b中的一者或兩者。連接端子1025是用來使圖9B所示的電子裝置與其他設備連接的端子。
儲存媒體插入部1026設置在外殼1021a中。也可以在外殼1021b中設置儲存媒體插入部1026。此外,也可以將多個儲存媒體插入部1026設置在外殼1021a和外殼1021b中的一者或兩者。例如,藉由對儲存媒體插入部插入卡型儲存媒體,可以將卡型儲存媒體的資料讀出到電子裝置或將電子裝置中的資料寫入卡型儲存媒體。
揚聲器1027設置在外殼1021b中。揚聲器1027輸出音訊。另外,也可以在外殼1021a中設置揚聲器1027。
注意,外殼1021a或外殼1021b也可以設有麥克風。 藉由在外殼1021a或外殼1021b中設有麥克風,例如可以將圖9B所示的電子裝置用作電話機。
圖9B所示的電子裝置例如用作電話機、電子書閱讀器、個人電腦及遊戲機中的一種或多種。
這裡,將本發明的一個實施方式的具備觸摸感測器的顯示裝置應用於面板1022a及面板1022b。
圖9C所示的電子裝置是固定式的資訊終端的一個例子。圖9C所示的電子裝置包括外殼1031、設置在外殼1031中的面板1032、按鈕1033以及揚聲器1034。
另外,也可以在外殼1031的甲板部1035上設置有與面板1032同樣的面板。
再者,也可以在外殼1031設置用來輸出票券等的票券輸出部、硬幣投入部和紙幣投入部等。
按鈕1033設置在外殼1031上。例如,在按鈕1033是電源按鈕的情況下,藉由按下按鈕1033,可以控制對電子裝置的電源電壓的供應。
揚聲器1034設置在外殼1031中。揚聲器1034輸出音訊。
圖9C所示的電子裝置例如可以用作自動存取款機、用於訂票等訂購的資訊通信終端(也稱為多媒體電子便利站)或用作遊戲機。
這裡,將本發明的一個實施方式的具備觸摸感測器的顯示裝置應用於面板1032。
圖9D是固定式資訊端末的一個例子。圖9D所示的 電子裝置包括外殼1041、設置在外殼1041中的面板1042、支撐外殼1041的支架1043、按鈕1044、連接端子1045以及揚聲器1046。
另外,除了連接端子1045以外也可以在外殼1041中設置用來讓電子裝置與外部設備連接的連接端子。
按鈕1044設置在外殼1041上。例如,在按鈕1044是電源按鈕的情況下,藉由按下按鈕1044,可以控制對電子裝置的電源電壓的供應。
連接端子1045設置在外殼1041中。連接端子1045是用來使圖9D所示的電子裝置與其他電子裝置連接的端子。例如,藉由由連接端子1045使圖9D所示的電子裝置與個人電腦連接,面板1042可以顯示對應於從個人電腦輸入的資料信號的影像。例如,當圖9D所示的電子裝置的面板1042大於與該面板1042連接的上述其他電子裝置的面板時,可以擴大該其他電子裝置的顯示影像,而可以容易使多個人同時進行視覺確認。
揚聲器1046設置在外殼1041中。揚聲器1046輸出音訊。
圖9D所示的電子裝置例如用作輸出監視器、個人電腦及電視機中的一種或多種。
這裡,將本發明的一個實施方式的具備觸摸感測器的顯示裝置應用於面板1042。
上述是圖9A至圖9D所示的電子裝置的例子的說明。
如參照圖9A至圖9D所說明那樣,對根據本實施方式的電子裝置的面板應用本發明的一個實施方式的具備觸摸感測器的顯示裝置。因此,可以實現電子裝置本身的輕量化、小型化、薄型化。
此外,由於本發明的一個實施方式的顯示裝置的總厚度極薄,所以也可以使顯示裝置具有撓性。因此,作為上述電子裝置,也可以採用具備具有曲面的面板的結構或具備能夠彎曲的面板的結構。
本實施方式可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
100‧‧‧顯示裝置
101‧‧‧基板
103‧‧‧元件層
104‧‧‧黏合層
111‧‧‧基板
113‧‧‧感測器層

Claims (22)

  1. 一種顯示裝置,包括:第一基板;該第一基板上的第一層,該第一層包括發光元件;該第一基板上的第一導電層;該第一導電層上的第二基板,該第二基板設置有包括觸摸感測器的第二層;以及該第二基板下的第二導電層,該第二導電層電連接於該觸摸感測器,其中,用黏合層使該第一基板與該第二基板彼此黏合,以使該第一層及該第二層夾在該第一基板與該第二基板之間,其中該第一導電層藉由導電連接器電連接於該第二導電層,其中該第一基板及該第二基板之各者是玻璃基板,並且其中該第一基板及該第二基板之各者具有10μm至200μm的厚度。
  2. 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置,還包括與該第二層重疊的包括濾色片的第三層。
  3. 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置,其中該第一層還包括電連接於該發光元件的電晶體,並且其中該電晶體在通道形成區中包括氧化物半導體。
  4. 一種用於製造顯示裝置的方法,包括如下步驟:用第一黏合層黏合固定在第一支撐基板上且在第一基板上設置有包括觸摸感測器的第一層的該第一基板與固定在第二支撐基板上且在第二基板上設置有第二層的該第二基板,以使該第一層及該第二層夾在該第一基板與該第二基板之間;將該第一基板與該第一支撐基板彼此剝離;以及將該第二基板與該第二支撐基板彼此剝離,其中,該第一層包括第一導電層,且該第二層包括第二導電層,其中,在該黏合步驟之後該第一導電層藉由該第一導電層與該第二導電層之間的導電連接器電連接於該第二導電層,其中該第一層為該觸摸感測器及包括濾色片層的第三層的疊層,並且其中該第二層包括發光元件。
  5. 一種用於製造顯示裝置的方法,包括如下步驟:用第一黏合層黏合固定在第一支撐基板上且在第一基板上設置有包括觸摸感測器的第一層的該第一基板與固定在第二支撐基板上且在第二基板上設置有第二層的該第二基板,以使該第一層及該第二層夾在該第一基板與該第二基板之間;將該第一基板與該第一支撐基板彼此剝離;以及將該第二基板與該第二支撐基板彼此剝離, 其中固定於該第一支撐基板的該第一基板的表面具有2nm以下的粗糙度。
  6. 根據申請專利範圍第4或5項之用於製造顯示裝置的方法,其中該第一基板為具有10μm至200μm的厚度的玻璃基板,並且其中該玻璃基板用包含有機化合物或矽化合物的樹脂固定於該第一支撐基板。
  7. 根據申請專利範圍第4或5項之用於製造顯示裝置的方法,其中該第一基板為具有10μm至200μm的厚度的玻璃基板,其中該第二基板為具有10μm至200μm的厚度的玻璃基板,其中該第一支撐基板比該第一基板厚,並且其中該第二支撐基板比該第二基板厚。
  8. 根據申請專利範圍第4或5項之用於製造顯示裝置的方法,其中藉由該第一基板及該第二基板的該黏合步驟用該第一黏合層直接黏合該第一基板與該第二基板。
  9. 一種顯示裝置,包括:第一基板;該第一基板上的第一層,該第一層包括發光元件;該第一基板上的第一導電層; 該第一導電層上的第二基板,該第二基板設置有包括觸摸感測器的第二層;以及該第二基板下的第二導電層,該第二導電層電連接於該觸摸感測器,其中,用黏合層使該第一基板與該第二基板彼此黏合,以使該第一層及該第二層夾在該第一基板與該第二基板之間,其中該第一導電層藉由導電連接器電連接於該第二導電層,其中該第一基板及該第二基板之各者是玻璃基板,其中該黏合層設置在該導電連接器與該發光元件之間,其中設置該黏合層以圍繞該發光元件,其中在由該黏合層圍繞的區域的外側,該第一導電層與該第二導電層彼此電連接。
  10. 一種顯示裝置,包括:第一基板;該第一基板上的第一層,該第一層包括發光元件;該第一基板上的第一導電層;該第一導電層上的第二基板,該第二基板設置有包括觸摸感測器的第二層;以及該第二基板下的第二導電層,該第二導電層電連接於該觸摸感測器,其中,用黏合層使該第一基板與該第二基板彼此黏 合,以使該第一層及該第二層夾在該第一基板與該第二基板之間,其中該第一導電層藉由導電連接器電連接於該第二導電層,其中該第一基板及該第二基板之各者是玻璃基板,並且其中該黏合層包含玻璃材料。
  11. 一種顯示裝置,包括:第一基板;該第一基板上的第一層,該第一層包括發光元件;該第一基板上的第一導電層;該第一導電層上的第二基板,該第二基板設置有包括觸摸感測器的第二層;以及該第二基板下的第二導電層,該第二導電層電連接於該觸摸感測器,其中,用黏合層使該第一基板與該第二基板彼此黏合,以使該第一層及該第二層夾在該第一基板與該第二基板之間,其中該第一導電層藉由導電連接器電連接於該第二導電層,其中該第一基板及該第二基板之各者是玻璃基板,其中該顯示裝置還包括:該第一基板上的第一連接端子,該第一連接端子電連接於該第一層; 該第一基板上的第二連接端子,該第二連接端子電連接於該第一導電層;電連接於該第一連接端子及該第二連接端子之各者的撓性印刷電路;以及接觸該撓性印刷電路及該第二基板的增強材料,並且其中,該第一連接端子及該第二連接端子之各者不與該第二基板重疊。
  12. 一種包括申請專利範圍第1、9、10、或11項之顯示裝置的模組,其中,該模組包括在操作上與該顯示裝置連接之連接器。
  13. 一種包括申請專利範圍第1、9、10、或11項之顯示裝置的電子裝置,其中,該電子裝置包括外殼及按鈕,其中,該按鈕在操作上與該電子裝置連接,以及其中,該外殼與該顯示裝置連接。
  14. 一種顯示裝置,包括:第一基板;該第一基板上的第一層,該第一層包括發光元件;該第一基板上的第一導電層;該第一導電層上的第二基板,該第二基板設置有包括觸摸感測器的第二層;以及該第二基板下的第二導電層,該第二導電層電連接於該觸摸感測器, 其中,用黏合層使該第一基板與該第二基板彼此黏合,以使該第一層及該第二層夾在該第一基板與該第二基板之間,其中該第一導電層藉由樹脂層中的導電連接器電連接於該第二導電層,並且其中該第一基板及該第二基板之各者是玻璃基板。
  15. 根據申請專利範圍第14項之顯示裝置,還包括與該第二層重疊的包括濾色片的第三層。
  16. 根據申請專利範圍第14項之顯示裝置,其中該第一層還包括電連接於該發光元件的電晶體,並且其中該電晶體在通道形成區中包括氧化物半導體。
  17. 根據申請專利範圍第14項之顯示裝置,其中該第一基板及該第二基板之各者具有10μm至200μm的厚度。
  18. 一種顯示裝置,包括:第一基板;該第一基板上的第一層,該第一層包括發光元件;該第一基板上的第一導電層;該第一導電層上的第二基板,該第二基板設置有包括觸摸感測器的第二層;以及該第二基板下的第二導電層,該第二導電層電連接於該觸摸感測器,其中,用黏合層使該第一基板與該第二基板彼此黏 合,以使該第一層及該第二層夾在該第一基板與該第二基板之間,其中該第一導電層藉由在樹脂層中的導電連接器電連接於該第二導電層,其中該第一基板及該第二基板之各者是玻璃基板,其中該黏合層設置在該導電連接器與該發光元件之間,其中設置該黏合層以圍繞該發光元件,並且其中在由該黏合層圍繞的區域的外側,該第一導電層與該第二導電層彼此電連接。
  19. 一種顯示裝置,包括:第一基板;該第一基板上的第一層,該第一層包括發光元件;該第一基板上的第一導電層;該第一導電層上的第二基板,該第二基板設置有包括觸摸感測器的第二層;以及該第二基板下的第二導電層,該第二導電層電連接於該觸摸感測器,其中,用黏合層使該第一基板與該第二基板彼此黏合,以使該第一層及該第二層夾在該第一基板與該第二基板之間,其中該第一導電層藉由在樹脂層中的導電連接器電連接於該第二導電層,其中該第一基板及該第二基板之各者是玻璃基板,並 且其中該黏合層包含玻璃材料。
  20. 一種顯示裝置,包括:第一基板;該第一基板上的第一層,該第一層包括發光元件;該第一基板上的第一導電層;該第一導電層上的第二基板,該第二基板設置有包括觸摸感測器的第二層;以及該第二基板下的第二導電層,該第二導電層電連接於該觸摸感測器,其中,用黏合層使該第一基板與該第二基板彼此黏合,以使該第一層及該第二層夾在該第一基板與該第二基板之間,其中該第一導電層藉由在樹脂層中的導電連接器電連接於該第二導電層,其中該第一基板及該第二基板之各者是玻璃基板,其中該顯示裝置還包括:該第一基板上的第一連接端子,該第一連接端子電連接於該第一層;該第一基板上的第二連接端子,該第二連接端子電連接於該第一導電層;電連接於該第一連接端子及該第二連接端子之各者的撓性印刷電路;以及接觸該撓性印刷電路及該第二基板的增強材料,並且 其中,該第一連接端子及該第二連接端子之各者不與該第二基板重疊。
  21. 一種包括申請專利範圍第14、18、19、或20項之顯示裝置的模組,其中,該模組包括在操作上與該顯示裝置連接之連接器。
  22. 一種包括申請專利範圍第14、18、19、或20項之顯示裝置的電子裝置,其中,該電子裝置包括外殼及按鈕,其中,該按鈕在操作上與該電子裝置連接,以及其中,該外殼與該顯示裝置連接。
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