CN109585686A - 一种显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显示面板，包括显示区，其中显示区具有若干阵列排列的子像素区，每一子像素区包括发光区和非发光区；黑矩阵层对应的设于所述非发光区中，黑矩阵用于遮挡金属层对环境光的反射并吸收，进而提高出光率、提高显示装置的对比度。

Description

一种显示面板

技术领域

本发明涉及显示领域，特别涉及一种显示面板。

背景技术

目前，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器作为用于显示图像的显示设备已备受关注。OLED显示器与液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)设备不同，OLED显示器具有自发光特性，并且不采用单独的光源,因此可以被制造的比采用单独光源的显示设备薄和轻，相对容易实现柔性、可折叠显示的特性。由于OLED显示器发光器件有多层金属层结构，因此OLED显示器会反射环境光至人眼影响图像的观察，所以OLED显示器在显示器表面设置有抗反射层结构，通常使用圆偏光片(Polarizer,POL)将被金属反射的环境光吸收，然而圆POL的使用将使得出光效率低下，进而导致OLED显示器的对比度下降。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种显示面板及显示装置，以解决现有技术中金属层对环境光的反射并吸收，导致出光效率低下、OLED显示器对比度下降的技术问题。

本发明提供一种显示面板，包括显示区及黑矩阵层，其中所述显示区具有若干阵列排列的子像素区，每一子像素区包括发光区和非发光区；所述黑矩阵层设于所述非发光区中。

进一步地，所述的显示面板还包括阵列基板及封装结构，所述子像素区分布所述阵列基板中；所述封装结构设于所述阵列基板上；所述黑矩阵层设于所述封装结构中；和/或所述封装结构上方；和/或所述封装结构与所述阵列基板之间。

进一步地，所述封装结构包括至少一无机层和至少一有机层；所述无机层和所述有机层相互交叠。

进一步地，当所述黑矩阵层设于所述封装结构中时，在每一子像素区中，所述黑矩阵层设于至少一所述无机层中和/或设于至少一所述有机层中。

进一步地，当所述黑矩阵层设于所述有机层中，所述有机层覆盖所述黑矩阵层或者所述有机层中具有若干对应所述发光区的空隙，所述黑矩阵层填充于所述空隙中。

进一步地，所述封装结构朝向所述阵列基板侧为一有机层；所述黑矩阵层设于所述封装结构与所述阵列基板之间。

进一步地，所述封装结构朝向所述阵列基板侧为一无机层；所述黑矩阵层设于所述封装结构与所述阵列基板之间。

进一步地，所述封装结构最远离所述阵列基板的一侧为一无机层，当所述黑矩阵层设于所述封装结构上方时，所述黑矩阵层设于最远离所述阵列基板的一侧的无机层上。

进一步地，所述阵列基板包括薄膜晶体管结构层、若干第一电极、发光材料层以及第二电极，所述薄膜晶体管结构层具有若干个薄膜晶体管，每一薄膜晶体管对应一所述子像素区；所述第一电极对应的设于所述薄膜晶体管结构层上且与所述薄膜晶体管连接，每一所述第一电极对应于所述发光区；所述发光材料层对应的设于所述发光区中的所述第一电极上；所述第二电极设于所述发光材料层上；所述封装结构设于所述第二电极上。

进一步地，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极。

本发明的技术效果在于，黑矩阵层对应的设于所述非发光区中，黑矩阵用于遮挡金属层对环境光的反射并吸收，进而提高出光率、提高显示装置的对比度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供黑矩阵层设于封装结构及第二电极之间的结构示意图一；

图2是本发明实施例提供黑矩阵层设于封装结构及第二电极之间的结构示意图二；

图3是本发明实施例提供黑矩阵层设于第一无机层的结构示意图；

图4是本发明实施例提供黑矩阵层设于第二有机层的结构示意图；

图5是本发明实施例提供黑矩阵层设于封装结构上方的结构示意图；

图6是本发明实施例提供黑矩阵层设于封装结构中的结构示意图；

图7是本发明实施例提供黑矩阵层设于封装结构的结构示意图；

图8是本发明实施例提供矩阵填充有机层的空隙中的结构示意图一；

图9是本发明实施例提供黑矩阵填充有机层的空隙中的结构示意图二；

图10是本发明实施例提供显示面板的结构示意图。

附图部件标识如下：

100显示区；子像素区10；发光区101；非发光区102；

黑矩阵层1；空隙200；

阵列基板2；

薄膜晶体管结构层201；基板2011；阵列层2012；

第一电极202；发光材料层203；第二电极204；

封装结构3；

第一无机层3011；第二无机层3012；第三无机层3013；

第一有机层3021；第二有机层3022；第三有机层3023。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本专利文档中，下文论述的附图以及用来描述本发明公开的原理的各实施例仅用于说明，而不应解释为限制本发明公开的范围。所属领域的技术人员将理解，本发明的原理可在任何适当布置的系统中实施。将详细说明示例性实施方式，在附图中示出了这些实施方式的实例。此外，将参考附图详细描述根据示例性实施例的终端。附图中的相同附图标号指代相同的元件。

本发明说明书中使用的术语仅用来描述特定实施方式，而并不意图显示本发明的概念。除非上下文中有明确不同的意义，否则，以单数形式使用的表达涵盖复数形式的表达。在本发明说明书中，应理解，诸如“包括”、“具有”以及“含有”等术语意图说明存在本发明说明书中揭示的特征、数字、步骤、动作或其组合的可能性，而并不意图排除可存在或可添加一个或多个其他特征、数字、步骤、动作或其组合的可能性。附图中的相同参考标号指代相同部分。

实施例1

如图1所示，本实施例提供一种显示面板，包括显示区100及黑矩阵层1，其中显示区100具有若干阵列排列的子像素区10，每一子像素区10包括发光区101(如图10所示)和非发光区102(如图10所示)；所述黑矩阵层1对应的设于所述非发光区101中。黑矩阵层1的投影位置为非发光区102或者子像素区10之外的边框结构，黑矩阵层1可以遮挡非发光区102或者子像素区10之外的边框部位的金属层，进而防止这些金属层对环境光的反射并吸收环境光，以及避免黑色矩阵遮挡区域对环境光的反射，从而达到提高显示面板的品质。

本实施例所述的显示面板还包括阵列基板2及封装结构3。子像素区10设于阵列基板上2；封装结构3设于阵列基板2上，黑矩阵层1设于封装结构3中，但不限定于这种结构，还可以将黑矩阵3设于封装结构3上方；或者封装结构3与阵列基板2之间。其中，封装结构3包括至少一无机层(图未示)和至少一有机层(图未示)；所述无机层和所述有机层相互交叠。

阵列基板2包括薄膜晶体管结构层201、若干第一电极202、第二电极204，具有若干个薄膜晶体管，每一薄膜晶体管对应一所述子像素区10；第一电极202对应的设于薄膜晶体管结构层201上且与所述薄膜晶体管连接，每一第一电极202对应于发光区101；发光材料层203对应的设于发光区101中的第一电极202上，第二电极204设于发光材料层203上；封装结构3设于第二电极204上。第一电极202为阳极，第二电极202为阴极。

薄膜晶体管结构层201包括基板2011及阵列层2012，阵列层2012设于基板2011上，阵列层2012包含开关晶体管TFT1、驱动晶体管TFT2、补偿电路、一个或多个电容器的组合。其中，薄膜晶体管是一种绝缘栅场效应晶体管。它的工作状态可以利用Weimer表征的单晶硅MOSFET工作原理来描述。以n沟MOSFET为例，当栅极施以正电压时，栅压在栅绝缘层中产生电场，电力线由栅电极指向半导体表面,并在表面处产生感应电荷。随着栅电压增加，半导体表面将由耗尽层转变为电子积累层，形成反型层。当达到强反型时(即达到开启电压时)，源极、漏极间加上电压就会有载流子通过沟道。当源漏电压很小时，导电沟道近似为一恒定电阻，漏电流随源漏电压增加而线性增大。当源漏电压很大时，它会对栅电压产生影响，使得栅绝缘层中电场由源端到漏端逐渐减弱，半导体表面反型层中电子由源端到漏端逐渐减小，沟道电阻随着源漏电压增大而增加。漏电流增加变得缓慢,对应线性区向饱和区过渡。当源漏电压增到一定程度，漏端反型层厚度减为零，电压在增加，器件进入饱和区。在实际LCD生产中，主要利用a-Si:HTF的开态(大于开启电压)对像素电容快速充电，利用关态来保持像素电容的电压，从而实现快速响应和良好存储的统一。

封装结构3朝向阵列基板2的一侧为一有机层；黑矩阵层1设于封装结构3与阵列基板2之间。本实施例中，在黑色矩阵层1形成后，封装结构3包括第一有机层3021、第一无机层3011、第二有机层3022及第二无机层3012的多层堆叠结构，有机/无机复合层具有协调效应，进而提高隔离水氧的效果。因此，如图1所示，黑色矩阵层1设置在第一有机层3021及第二电极204电极之间。黑色矩阵层1的材料可以为金属Cr、黑色树脂等，但不限于此。

所述有机层由有机聚合物制备而成，包括：聚对二甲苯、聚丙烯、聚丙烯酸脂或有机硅交连体聚合物SiOxCyHz，有机层的作用是平坦无机层的缺陷、减小应力。所述无机层由无机物制备而成，包括：SiNx、SiOy、TiO2、Ta2O3或铝，无机层的作用是隔离水、氧。各有机物层和无机物层交替的堆叠层可以搭配使用，有机层材料对无机膜缺陷的修复作用及延长了水氧渗透的通道从而能进一步增加水氧阻挡能力。另一方面，所述有机层与所述无机层材料的选择将决定膜与膜之间的应力、粘附力等参数，因而对所述封装结构的稳定性及抗揉绕效果有重要影响。

实施例2

如图2所示，实施例2与实施例1的区别特征在于，封装结构3朝向阵列基板2的一侧为一无机层；黑矩阵层1设于封装结构3与阵列基板2之间。在黑矩阵层1形成后，封装结构3包括第一无机层3011、第一有机层3021、第二无机层3012、第二有机层3022及第三无机层3013的多层堆叠结构，有机/无机复合层具有协调效应，进一步提高隔离水氧的效果。因此，如图2所示，黑色矩阵层1设置在第一无机层3011及第二电极204电极之间。

实施例3

如图3所示，实施例3与实施例1和2的区别特征在于，当黑矩阵层1设于封装结构3中时，在每一子像素区10中，黑矩阵层1设于至少一所述无机层中和/或设于至少一有机层中。封装结构3包括第一无机层3011、第一有机层3021、第二无机层3012、第二有机层3022及第三无机层3013的多层堆叠结构，有机/无机复合层具有协调效应，进一步提高隔离水氧的效果。黑矩阵层1可以形成在第一无机层3011或者第二无机层3012上方，但不限于此。优选地，黑矩阵层1形成在第一无机层3011之后，然后再形成第一有机层3021，有机层可以将黑色矩阵层的部位、发光器件上方无黑色矩阵的部位进行平坦化，并可填充黑色矩阵或者无机材料层的小裂纹或小孔，减小应力扩散。

实施例4

如图4所示，实施例4与实施例1至2的区别特征在于，当黑矩阵层1设于封装结构3中时，在每一子像素区10中，黑矩阵层1设于至少一所述无机层中和/或设于至少一有机层中。封装结构3包括第一有机层3021、第一无机层3011、第二有机层3022、第二无机层3012及第三有机层3023的多层堆叠结构，有机/无机复合层具有协调效应，进而提高隔离水氧的效果。本实施例与实施例3的区别特征在于，黑矩阵层1形成在第二有机层3022之后，然后再形成第二无机层3012，其中有机层可以将黑色矩阵层的部位、发光器件上方无黑色矩阵的部位进行平坦化，并可填充黑色矩阵或者无机材料层的小裂纹或小孔，减小应力扩散。

实施例5

如图5所示，实施例5与实施例1至4的区别特征在于，封装结构3最远离阵列基板2的一侧为一无机层，封装结构3包括第一无机层3011、第一有机层3021、第二无机层3012、第二有机层3022及第三无机层3013的多层堆叠结构，有机/无机复合层具有协调效应，进一步提高隔离水氧的效果。优选地，本实施例当黑矩阵层1设于封装结构3上方时，黑矩阵层1设于最远离阵列基板2的一侧的无机层上即相当于图5中所示，黑矩阵层1设于第三无机层3013，黑矩阵层1用于遮挡金属层对环境光的反射并吸收，进而提高出光率、提高显示装置的对比度。

实施例6

如图6所示，实施例6与实施例1至5的区别特征在于，当黑矩阵层1设于封装结构3中时，封装结构3包括第一无机层3011、第一有机层3021、第二无机层3012、第二有机层3022及第三无机层3013的多层堆叠结构，有机/无机复合层具有协调效应，进而提高隔离水氧的效果。在每一子像素区10中，黑矩阵层3设于至少一有机层302中。当黑矩阵层1设于第一有机层3021及第二有机层3022中时，薄厚度的黑色矩阵层1可以更容易被有机层302平坦化，多层黑色矩阵层1可以满足黑色矩阵对环境光吸收与遮挡的总厚度需求。

实施例7

如图7所示，实施例7与实施例1至6的区别特征在于，封装结构3最远离阵列基板2的一侧为一无机层，当黑矩阵层3设于封装结构3上方及无机层或有机层中时，黑矩阵层1设于最远离阵列基板2的一侧的无机层上。

具体地，封装结构3包括第一有机层3021、第一无机层3011、第二有机层3022及第二无机层3012的多层堆叠结构，有机/无机复合层具有协调效应，进一步提高隔离水氧的效果。当黑矩阵层1设于第一有机层3021以及第二无机层3012时，黑矩阵层1设于最远离阵列基板2的一侧的第二无机层3012上。薄厚度的黑色矩阵层1可以更容易被有机层平坦化，多层黑色矩阵层1可以满足黑色矩阵对环境光吸收与遮挡的总厚度需求。

实施例8

如图8所示，实施例8与实施例1至7的区别特征在于，当黑矩阵层1设于有机层中时，若干黑矩阵层对应非发光区102，所述黑矩阵层1与有机层间隔设置。

本实施例中在形成黑矩阵层1后，接着在黑矩阵层1的间隙200中再形成有机层，通过喷墨等工艺方法将与黑矩阵层1厚度相同或者相近的有机层形成在黑色矩阵层1之间，然后在黑色矩阵层1以及有机层上表面形成无机层。

具体地，封装结构3包括第一无机层3011、第一有机层3021、第二无机层3012、第二有机层3022及第三无机层3013的多层堆叠结构，有机/无机复合层具有协调效应，进一步提高隔离水氧的效果。在形成黑矩阵层1后，通过喷墨等工艺方法将与黑矩阵层1厚度相同或者相近的第一有机层3021形成在黑色矩阵层1之间，然后在黑色矩阵层1以及第一有机层3021上表面形成第二无机层3012。

实施例9

如图9所示，实施例9与实施例1至7的区别特征在于，当黑矩阵层1设于有机层中时，有机层中具有若干对应发光区101的空隙200，黑矩阵层1填充于空隙200中。

本实施例与实施例8的区别在于，是先形成有机层，接着在有机层的的间隙中再形成黑矩阵层1，通过喷墨等工艺方法将与有机层的厚度相同或者相近的黑矩阵层1形成在有机层之间，然后在有机层及黑色矩阵层1上表面形成无机层。

具体地，封装结构3包括第一无机层3011、第一有机层3021、第二无机层3012、第二有机层3022及第三无机层3013的多层堆叠结构，有机/无机复合层具有协调效应，进一步提高隔离水氧的效果。在形成有机层3022后，通过喷墨等工艺方法将与第二有机层3022厚度相同或者相近的黑矩阵层1形成在第二有机层3022之间，然后在黑色矩阵层1以及第二有机层3022上表面形成第三无机层3013。

综上所述，图10为前文实施例中黑矩阵层形成后的示意图，通过用黑矩阵遮挡金属层对环境光的反射并吸收，进而提高出光率、提高显示装置的对比度。此外，前文实施例中的所述的封装结构包含无机层、有机层、无机层、有机层……无机层的多层堆叠结构，所述黑矩阵层对应的设于所述非发光区中。一层或多层所述黑矩阵层可以在有机/无机封装之前形成；或者一层或者多层所述黑矩阵层可以在有机/无机封装之后形成。进一步地，一层或者多层所述黑矩阵层设置在有机/无机封装结构中，在此不做限定。

以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及显示装置进行了详细介绍。应理解，本文所述的示例性实施方式应仅被认为是描述性的，用于帮助理解本发明的方法及其核心思想，而并不用于限制本发明。在每个示例性实施方式中对特征或方面的描述通常应被视作适用于其他示例性实施例中的类似特征或方面。尽管参考示例性实施例描述了本发明，但可建议所属领域的技术人员进行各种变化和更改。本发明意图涵盖所附权利要求书的范围内的这些变化和更改。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括

显示区，其中具有若干阵列排列的子像素区，每一子像素区包括发光区和非发光区；

黑矩阵层，设于所述非发光区中。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括

阵列基板，所述子像素区分布所述阵列基板中；

封装结构，设于所述阵列基板上；

所述黑矩阵层设于

所述封装结构中；和/或

所述封装结构上方；和/或

所述封装结构与所述阵列基板之间。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述封装结构包括至少一无机层和至少一有机层；所述无机层和所述有机层相互交叠。

4.根据权利要求3所述显示面板，其特征在于，当所述黑矩阵层设于所述封装结构中时，在每一子像素区中，所述黑矩阵层设于至少一所述无机层中和/或设于至少一所述有机层中。

5.根据权利要求4所述显示面板，其特征在于，当所述黑矩阵层设于所述有机层中，所述有机层覆盖所述黑矩阵层；

或者所述有机层中具有若干对应所述发光区的空隙，所述黑矩阵层填充于所述空隙中。

6.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述封装结构朝向所述阵列基板的一侧为一有机层；

所述黑矩阵层设于所述封装结构与所述阵列基板之间。

7.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述封装结构朝向所述阵列基板的一侧为一无机层；

所述黑矩阵层设于所述封装结构与所述阵列基板之间。

8.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述封装结构最远离所述阵列基板的一侧为一无机层，当所述黑矩阵层设于所述封装结构上方时，所述黑矩阵层设于最远离所述阵列基板的一侧的无机层上。

9.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括

薄膜晶体管结构层，具有若干个薄膜晶体管，每一薄膜晶体管对应一所述子像素区；以及

若干第一电极，对应的设于所述薄膜晶体管结构层上且与所述薄膜晶体管连接，每一第一电极对应于所述发光区；

发光材料层，对应的设于所述发光区中的所述第一电极上；

第二电极，设于所述发光材料层上；

所述封装结构设于所述第二电极上。

10.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极。