KR102467806B1 - 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents
유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
유기 발광 표시 장치는 발광 영역 및 반사 영역을 포함하는 기판, 및 터치 위치를 감지하는 터치부를 포함하고, 상기 터치부는 상기 기판의 반사 영역 및 상기 발광 영역의 외곽에 배치되고, 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함하는 제1 감지 전극 및 상기 기판의 발광 영역 및 반사 영역에 배치되고, 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함하고, 상기 제1 감지 전극과 부분적으로 중첩하는 제 2 감지 전극을 포함한다. 유기 발광 표시 장치는 미러 기능과 터치 전극의 기능을 동시에 갖는 반사부재를 포함한다. 따라서, 터치 전극을 형성하기 위한 별도의 공정이 생략될 수 있다. 이에 따라, 제조 공정이 단순화되고 제조 비용이 절감될 수 있다.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 미러 기능 및 터치 기능을갖는 유기 발광 표시 장치 및 이러한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
평판 표시 장치(Flat Panel Display Device)는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치(Cathode-ray Tube Display Device)를 대체하는 표시 장치로서 사용되고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로서 액정 표시(Liquid Crystal Display; LCD) 장치와 유기 발광 표시 (Organic Light Emitting Display; OLED) 장치가 있다. 이 중, 유기 발광 표시 장치는 액정 표시 장치에 비하여 휘도 특성 및 시야각 특성이 우수하고 백라이트(Back Light)를 필요로 하지 않아 초박형으로 구현할 수 있다는 장점이 있다. 이러한 유기 발광 표시 장치는 유기 박막에 음극(Cathode)과 양극(Anode)을 통하여 주입된 전자(Electron)와 정공(Hole)이 재결합하여 여기자를 형성하고, 상기 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생되는 현상을 이용한다.
최근 반사 부재를 구비하여, 유기 발광 표시 장치의 전면에 위치하는 대상의 이미지를 반사시킬 수 있는 미러 유기 발광 표시 장치가 개발되고 있다. 또한, 미러 기능과 터치 기능을 동시에 구현할 수 있는 유기 발광 표시 장치가 개발되고 있다.
그러나, 미러 기능과 터치 기능을 동시에 갖는 유기 발광 표시 장치를 제조하기 위해서는 터치 기능을 하는 전극층을 제조하는 추가적인 공정이 요구된다. 따라서, 제조 비용이 증가되는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 미러 기능과 터치 기능을갖는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상술한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적이 전술한 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 발광 영역 및 반사 영역을 포함하는 기판 및 터치 위치를 감지하는 터치부를 포함하고, 상기 터치부는 상기 기판의 반사 영역 및 상기 발광 영역의 외곽에 배치되고, 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함하는 제1 감지 전극 및 상기 기판의 발광 영역 및 반사 영역에 배치되고, 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함하고, 상기 제1 감지 전극과 부분적으로 중첩하는 제 2 감지 전극을 포함한다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 기판과 마주하는 대향 기판을 더 포함하고, 상기 제1 감지 전극은 상기 대향 기판의 상기 기판 방향인 제1 면에 배치되고, 상기 제2 감지 전극은 상기 대향 기판의 상기 제1 면의 반대 면인 제2 면에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 기판과 마주하는 대향 기판을 더 포함하고, 상기 제1 감지 전극은 상기 기판에 배치되고, 상기 제2 감지 전극은 상기 대향 기판의 상기 기판 방향인 제1 면에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 기판과 마주하는 대향 기판을 더 포함하고, 상기 제1 감지 전극은 상기 대향 기판의 상기 기판 방향인 제1 면에 배치되고, 상기 제2 감지 전극은 상기 제1 감지 전극 상에 배치될 수 있다. 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극 사이에 배치되며, 접착성물질을 포함하는 절연층을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 기판과 마주하는 대향 기판을 더 포함하고, 상기 제2 감지 전극은 상기 대향 기판의 상기 기판 방향인 제1 면에 배치되고, 상기 제1 감지 전극은 상기 제1 감지 전극 상에 배치될 수 있다. 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극 사이에 배치되며, 접착성 물질을 포함하는 절연층을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 기판 상에 배치되는 박막 봉지층을 더 포함하고, 상기 제2 감지 전극은 상기 박막 봉지층 상에 배치되고, 상기 제1 감지 전극은 상기 제2 감지 전극 상에 배치될 수 있다. 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극 사이에 배치되며, 접착성 물질을 포함하는 절연층을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 기판 상에 배치되는 제1 박막 봉지층을 더 포함하고, 상기 제2 감지 전극은 상기 제1 박막 봉지층 상에 배치되고, 상기 제1 감지 전극은 상기 제2 감지 전극 상에 배치될 수 있다. 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극 사이에 배치되는 제2 박막 봉지층을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 감지 전극은 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 패턴들을 포함하고, 상기 제2 감지 전극은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 복수의 제2 패턴들을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 패턴들은 터치 위치를 감지하는 제1 감지 패턴들 및 상기 제1 감지 패턴들 사이에 일정한 수로 배치되는 제1 더미 패턴들을 포함할 수 있다. 상기 제2 패턴들은 터치 위치를 감지하는 제2 감지 패턴들 및 상기 제2 감지 패턴들 사이에 일정한 수로 배치되는 제2 더미 패턴들을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 패턴들은 메쉬 형상을 가지며, 상기 제2 패턴들은 상기 제1 패턴들의 제2 방향의 폭과 동일한 폭을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 감지 전극은 마름모 형상의 패턴들이 제1 방향으로 연속적으로 연결되는 형상을 갖는 제1 감지 패턴들 및 상기 제1 감지 패턴들 사이에 이격되어 배치되며 마름모 형상을 갖는 제1 더미 패턴들을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극은 마름모 형상의 패턴들이 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연속적으로 연결되는 형상을 갖는 제2 감지 패턴들 및 상기 제2 감지 패턴들 사이에 이격되어 배치되며 마름모 형상을 갖는 제2 더미 패턴들을 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 발광 영역 및 반사 영역을 포함하는 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 상기 반사 영역 및 상기 발광 영역의 외곽에 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함하는 제1 감지 전극을 형성하는 단계 및 상기 발광 영역 및 상기 반사 영역에 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함하고 상기 제1 감지 전극과 부분적으로 중첩하는 제2 감지 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극을 형성하는 단계는 상기 기판과 마주하는 대향 기판의 상기 기판 방향인제1 면에 상기제1 감지 전극을 형성하는 단계 및 상기 대향 기판의 상기 제1 면의 반대 면인 제2 면에 제2 감지 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 상기 제1 감지 전극을 형성하는 단계 및 상기 대향 기판의 상기 기판 방향인 제1 면에 상기 제2 감지 전극을형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극을 형성하는 단계는 상기 기판과 마주하는 대향 기판의 상기 기판 방향인제1 면에 상기제1 감지 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 감지 전극 상에 접착성 물질을 포함하는 절연층을 형성하는 단계 및 상기 절연층 상에 상기 제2 감지 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극을 형성하는 단계는 상기 기판과 마주하는 대향 기판의 상기 기판 방향인제1 면에 상기 제2 감지 전극을 형성하는 단계, 상기 제2 감지 전극 상에 접착성 물질을 포함하는 절연층을 형성하는 단계 및 상기 절연층 상에 상기 제1 감지 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 박막 봉지층을 형성하는 단계, 상기 박막 봉지층 상에 상기 제2 감지 전극을 형성하는 단계, 상기 제2 감지 전극 상에 절연층을 형성하는 단계 및 상기 절연층 상에 상기 제1 감지 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 제1 박막 봉지층을 형성하는 단계, 상기 제1 박막 봉지층 상에 상기 제2 감지 전극을 형성하는 단계, 상기 제2 감지 전극 상에 상기 제1 박막 봉지층과 동일한 물질을 포함하는 제2 박막 봉지층을 형성하는 단계 및 상기 제2 박막 봉지층 상에 상기 제1 감지 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 감지 전극은 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 패턴들을 포함하고, 상기 제2 감지 전극은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 복수의제2 패턴들을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 감지 전극은 마름모 형상의 패턴들이 제1 방향으로 연속적으로 연결되는 형상을 갖는 제1 감지 패턴들 및 상기 제1 감지 패턴들 사이에 이격되어 배치되며 마름모 형상을 갖는 제1 더미 패턴들을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극은 마름모 형상의 패턴들이 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연속적으로 연결되는 형상을 갖는 제2 감지 패턴들 및 상기 제2 감지 패턴들 사이에 이격되어 배치되며 마름모 형상을 갖는 제2 더미 패턴들을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 유기 발광 표시 장치는 미러 기능과 터치 전극의 기능을 동시에 갖는 반사부재를 포함한다. 따라서, 터치 전극을 형성하기 위한 별도의 공정이 생략될 수 있다. 이에 따라, 제조 공정이 단순화되고 제조 비용이 절감될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 반사 영역에 배치되는 제1 반사부재와 반사 영역 및 발광 영역에 배치되는 제2 반사부재를 포함한다. 따라서, 광산란을 감소시켜 시인성을 개선할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 박막 봉지층을 포함할 수 있다. 따라서, 미러 기능과 터치 기능을 동시에 갖는 플렉서블 유기 발광 표시 장치를 구현할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과들이 상술한 바에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3 내지 도 9는 도 2의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 10은 도 2의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 11은 도 2의 제2 감지 전극을나타내는 평면도이다.
도 12는 도 10의 제1 감지 전극과 도 11의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 13은 도 2의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 14는 도 2의 제2 감지 전극을나타내는 평면도이다.
도 15는 도 13의 제1 감지 전극과 도 14의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 16은 도 2의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 17은 도 2의 제2 감지 전극을나타내는 평면도이다.
도 18는 도 16의 제1 감지 전극과 도 17의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 19는 도 2의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 20은 도 19의 A 부분을 확대한 평면도이다.
도 21은 도 2의 제2 감지 전극을나타내는 평면도이다.
도 22는 도 21의 B 부분을 확대한 평면도이다.
도 23은 도 19의 제1 감지 전극과 도 21의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 24는 도 23의 C 부분을 확대한 평면도이다.
도 25는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 26은 도 25의 IV-IV'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 27 내지 도 33은 도 26의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 34는 도 26의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 35는 도 26의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 36은 도 34의 제1 감지 전극과 도 35의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 37은 도 26의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 38은 도 26의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 39는 도 37의 제1 감지 전극과 도 38의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 40은 도 26의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 41은 도 26의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 42는 도 40의 제1 감지 전극과 도 41의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 43은 도 26의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 44는 도 43의 D 부분을 확대한 평면도이다.
도 45는 도 26의 제2 감지 전극을나타내는 평면도이다.
도 46은 도 45의 E 부분을 확대한 평면도이다.
도 47은 도 43의 제1 감지 전극과 도 45의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 48는 도 47의 F 부분을 확대한 평면도이다.
도 49는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 50은 도 49의 V-V'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 51 내지 도 58은 도 50의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 59는 도 50의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 60은 도 50의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 61은 도 59의 제1 감지 전극과 도 60의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 62는 도 50의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 63는 도 50의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 64는 도 62의 제1 감지 전극과 도 63의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 65은 도 50의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 66은 도 50의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 67은 도 65의 제1 감지 전극과 도 66의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 68은 도 50의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 69는 도 68의 G 부분을 확대한 평면도이다.
도 70은 도 50의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 71은 도 70의 H 부분을 확대한 평면도이다.
도 72는 도 68의 제1 감지 전극과 도 70의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 73은 도 72의 I 부분을 확대한 평면도이다.
도 74는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 75는 도 74의 VI-VI'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 76 내지 도 83은 도 75의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 84는 도 75의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 85은 도 75의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 86은 도 84의 제1 감지 전극과 도 85의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 87은 도 75의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 88은 도 75의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 89는 도 87의 제1 감지 전극과 도 88의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 90은 도 75의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 91은 도 75의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 92는 도 90의 제1 감지 전극과 도 91의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 93은 도 75의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 94은 도 93의 J 부분을 확대한 평면도이다.
도 95는 도 75의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 96은 도 95의 K 부분을 확대한 평면도이다.
도 97은 도 93의 제1 감지 전극과 도 95의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 98은 97의 L 부분을 확대한 평면도이다.
도 99는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 100은 도 99의 VII-VII'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 101 내지 도 108은 도 100의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 109는 도 100의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 110은 도 100의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 111은 도 109의 제1 감지 전극과 도 110의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 112는 도 100의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 113은 도 100의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 114는 도 112의 제1 감지 전극과 도 113의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 115는 도 100의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 116은 도 100의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 117은 도 115의 제1 감지 전극과 도 116의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 118은 도 100의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 119는 도 118의 M 부분을 확대한 평면도이다.
도 120은 도 100의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 121은 도 120의 N 부분을 확대한 평면도이다.
도 122는 도 118의 제1 감지 전극과 도 120의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 123은 도 122의 O 부분을 확대한 평면도이다.
도 124는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 125는 도 124의 VIII-VIII'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 126 내지 도 133은 도 125의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 134는 도 125의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 135는 도 125의 제2 감지 전극을나타내는 평면도이다.
도 136은 도 134의 제1 감지 전극과 도 135의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 137은 도 125의 제1 감지 전극을나타내는 평면도이다.
도 138은 도 125의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 139는 도 137의 제1 감지 전극과 도 138의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 140은 도 125의 제1 감지 전극을나타내는 평면도이다.
도 141은 도 125의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 142는 도 140의 제1 감지 전극과 도 141의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 143은 도 125의 제1 감지 전극을나타내는 평면도이다.
도 144는 도 143의 P 부분을 확대한 평면도이다.
도 145는 도 125의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 146은 도 145의 Q 부분을 확대한 평면도이다.
도 147은 도 143의 제1 감지 전극과 도 145의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 148은 도 147의 R 부분을 확대한 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3 내지 도 9는 도 2의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 10은 도 2의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 11은 도 2의 제2 감지 전극을나타내는 평면도이다.
도 12는 도 10의 제1 감지 전극과 도 11의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 13은 도 2의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 14는 도 2의 제2 감지 전극을나타내는 평면도이다.
도 15는 도 13의 제1 감지 전극과 도 14의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 16은 도 2의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 17은 도 2의 제2 감지 전극을나타내는 평면도이다.
도 18는 도 16의 제1 감지 전극과 도 17의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 19는 도 2의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 20은 도 19의 A 부분을 확대한 평면도이다.
도 21은 도 2의 제2 감지 전극을나타내는 평면도이다.
도 22는 도 21의 B 부분을 확대한 평면도이다.
도 23은 도 19의 제1 감지 전극과 도 21의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 24는 도 23의 C 부분을 확대한 평면도이다.
도 25는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 26은 도 25의 IV-IV'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 27 내지 도 33은 도 26의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 34는 도 26의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 35는 도 26의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 36은 도 34의 제1 감지 전극과 도 35의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 37은 도 26의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 38은 도 26의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 39는 도 37의 제1 감지 전극과 도 38의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 40은 도 26의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 41은 도 26의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 42는 도 40의 제1 감지 전극과 도 41의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 43은 도 26의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 44는 도 43의 D 부분을 확대한 평면도이다.
도 45는 도 26의 제2 감지 전극을나타내는 평면도이다.
도 46은 도 45의 E 부분을 확대한 평면도이다.
도 47은 도 43의 제1 감지 전극과 도 45의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 48는 도 47의 F 부분을 확대한 평면도이다.
도 49는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 50은 도 49의 V-V'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 51 내지 도 58은 도 50의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 59는 도 50의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 60은 도 50의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 61은 도 59의 제1 감지 전극과 도 60의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 62는 도 50의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 63는 도 50의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 64는 도 62의 제1 감지 전극과 도 63의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 65은 도 50의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 66은 도 50의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 67은 도 65의 제1 감지 전극과 도 66의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 68은 도 50의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 69는 도 68의 G 부분을 확대한 평면도이다.
도 70은 도 50의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 71은 도 70의 H 부분을 확대한 평면도이다.
도 72는 도 68의 제1 감지 전극과 도 70의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 73은 도 72의 I 부분을 확대한 평면도이다.
도 74는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 75는 도 74의 VI-VI'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 76 내지 도 83은 도 75의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 84는 도 75의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 85은 도 75의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 86은 도 84의 제1 감지 전극과 도 85의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 87은 도 75의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 88은 도 75의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 89는 도 87의 제1 감지 전극과 도 88의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 90은 도 75의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 91은 도 75의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 92는 도 90의 제1 감지 전극과 도 91의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 93은 도 75의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 94은 도 93의 J 부분을 확대한 평면도이다.
도 95는 도 75의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 96은 도 95의 K 부분을 확대한 평면도이다.
도 97은 도 93의 제1 감지 전극과 도 95의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 98은 97의 L 부분을 확대한 평면도이다.
도 99는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 100은 도 99의 VII-VII'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 101 내지 도 108은 도 100의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 109는 도 100의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 110은 도 100의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 111은 도 109의 제1 감지 전극과 도 110의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 112는 도 100의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 113은 도 100의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 114는 도 112의 제1 감지 전극과 도 113의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 115는 도 100의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 116은 도 100의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 117은 도 115의 제1 감지 전극과 도 116의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 118은 도 100의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 119는 도 118의 M 부분을 확대한 평면도이다.
도 120은 도 100의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 121은 도 120의 N 부분을 확대한 평면도이다.
도 122는 도 118의 제1 감지 전극과 도 120의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 123은 도 122의 O 부분을 확대한 평면도이다.
도 124는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 125는 도 124의 VIII-VIII'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 126 내지 도 133은 도 125의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 134는 도 125의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 135는 도 125의 제2 감지 전극을나타내는 평면도이다.
도 136은 도 134의 제1 감지 전극과 도 135의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 137은 도 125의 제1 감지 전극을나타내는 평면도이다.
도 138은 도 125의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 139는 도 137의 제1 감지 전극과 도 138의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 140은 도 125의 제1 감지 전극을나타내는 평면도이다.
도 141은 도 125의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 142는 도 140의 제1 감지 전극과 도 141의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 143은 도 125의 제1 감지 전극을나타내는 평면도이다.
도 144는 도 143의 P 부분을 확대한 평면도이다.
도 145는 도 125의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 146은 도 145의 Q 부분을 확대한 평면도이다.
도 147은 도 143의 제1 감지 전극과 도 145의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 148은 도 147의 R 부분을 확대한 평면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법들을 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 개략적인 평면도이다. 도 2는 도 1의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)으로 구분될 수 있다. 발광 영역(II)에는 화소들(60, 70, 80)이 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 화소(60)는 적색을 발광하는 화소일 수 있고, 상기 화소(70)는 녹색을 발광하는 화소일 수 있으며, 상기 화소(80)은 청색을 발광하는 화소일 수 있다.
상기 반사 영역(III)에는 반사 부재가 배치될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반사 부재는 상기 반사 영역(III)에 배치되는 제1 반사 부재 및 상기 발광 영역(II) 및 상기 반사 영역(III)에 배치되는 제2 반사부재를 포함할 수 있다. 상기 제1 반사 부재는 상기 화소들(60, 70, 80)과 부분적으로 중첩할 수 있다. 즉, 상기 제1 반사 부재는 상기 화소들(60, 70, 80)의 외곽에 배치되어 상기 화소들(60, 70, 80)과 부분적으로 중첩할 수 있다. 상기 제1 반사 부재와 상기 제2 반사 부재는 각각 다른 반사율을 가질 수 있다. 상기 제1 반사 부재가 배치되지 않는 상기 발광 영역(II)에서는 상기 제1 반사 부재의 에지부에서 빛이 난반사되는 문제점이 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 상기 발광 영역(II) 및 상기 반사 영역(III)에 배치되는 제2 반사부재를 포함한다. 이에 따라, 제1 반사 부재의 에지부에서 발생되는 빛의 난반사를 감소시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 반사 부재는 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함하고, 터치 위치를 감지하는 제1 감지 전극(370)일 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제2 반사 부재는 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함하고, 터치 위치를 감지하는 제2 감지 전극(390)일 수 있다. 상기 제1 감지 전극(370)과 상기 제2 감지 전극(390)은 부분적으로 중첩할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 감지 전극(370) 및 상기 제2 감지 전극(390)은 각각 상호 정전방식(Mutual Capacitance)의 터치 스크린 패널의 센싱 라인 및 구동 라인으로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 외부 도전체가 터치되면, 터치된 위치에 상응하는 상기 제1 감지 전극(370)과 상기 제2 감지 전극(390)의 교차점 근처의 정전 용량이 변하게 되며, 터치 패널 센서(미도시)는 상기 정전 용량의 변화에 상응하는 정전 용량 센싱 신호에 기초하여 외부 도전체가 터치된 위치를 판단할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(370) 및 상기 제2 감지 전극(390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 기판(110), 버퍼층(115), 제1 절연층(150), 제2 절연층(190), 제3 절연층(270), 발광 구조물, 화소 정의막(310), 제1 감지 전극(370), 제2 감지 전극(390) 및 제2 기판(350)을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 발광 구조물은 반도체 소자(250), 제1 전극(290), 발광층(330), 제2 전극(340)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250)는 액티브 패턴(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있으며, 상기 제1 감지 전극(370)은 개구(380)를 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 표시 장치(100)는 복수의 화소 영역을 포함할 수 있으며, 하나의 화소 영역은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)을 포함할 수 있다. 상기 반사 영역(III)은 실질적으로 상기 발광 영역(II)을 둘러쌀 수 있다. 상기 반도체 소자(250), 상기 제1 전극(290), 상기 발광층(330) 및 상기 제2 전극(340)의 일부는 상기 발광 영역(II)에 배치될 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 반도체 소자(250)는 상기 반사 영역(II)에 배치될 수 있다. 또한, 제1 감지 전극(370)은 상기 반사 영역(III) 및 상기 발광 영역(III)의 외곽에 배치되고, 상기 제2 감지 전극(390)은 상기 발광 영역(II) 및 상기 반사 영역(III)에 배치될 수 있다.
상기 발광 영역들(II)에서는 화상이 표시될 수 있고, 상기 반사 영역(III)에서는 유기 발광 표시 장치(100)의 전면에 위치하는 대상의 이미지가 반사될 수 있다.
제1 기판(110) 상에 상기 발광 구조물이 배치될 수 있다. 제1 기판(110)은 투명한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 제1 기판(110)은 석영, 합성 석영(synthetic quartz), 불화칼슘(calcium fluoride), 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz), 소다라임(sodalime) 유리, 무알칼리(non-alkali) 유리 등을 포함할 수 있다. 선택적으로는, 제1 기판(110)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수 있다. 제1 기판(110)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등으로 구성될 수 있다. 상기 폴리이미드 기판이 얇고 연성을 갖는 경우, 발광 구조물의 형성을 지원하기 위해 단단한 유리 상에 형성될 수 있다. 즉, 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 기판(110)은 유리 기판 상에 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층 및 제2 폴리이미드층이 적층된 구성을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 폴리이미드층 상에 절연층을 배치한 후, 상기 절연층 상에 발광 구조물(예를 들면, 반도체 소자(250), 커패시터, 제1 전극(290), 발광층(330), 제2 전극(340) 등)을 형성할 수 있다.
이러한 발광 구조물의 형성 후, 상기 유리 기판은 제거될 수 있다. 상기 폴리이미드 기판은 얇고 플렉서블하기 때문에, 상기 폴리이미드 기판 상에 상기 발광 구조물을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 경질의 유리 기판을 이용하여 상기 발광 구조물을 형성한 다음, 상기 유리 기판을 제거함으로써, 상기 폴리이미드 기판을 제1 기판(110)으로 이용할 수 있다. 유기 발광 표시 장치(100)가 상기 발광 영역(II) 및 상기 반사 영역(III)을 구비함에 따라, 제1 기판(110)도 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)으로 구분될 수 있다.
상기 제1 기판(110) 상에는 버퍼층(115)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층(115)은 발광 영역(II)으로부터 반사 영역(III)으로의 방향인 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 상기 버퍼층(115)은 상기 제1 기판(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산(즉, 아웃 개싱)되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브 패턴(130)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브 패턴(130)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(115)은 상기 제1 기판(110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 상기 제1 기판(110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 상기 제1 기판(110)의 유형에 따라 상기 제1 기판(110) 상에 두 개 이상의 버퍼층이 제공될 수 있거나 상기 버퍼층이 배치되지 않을 수 있다.
반도체 소자(250)는 상기 액티브 패턴(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 액티브 패턴(130)은 상기 제1 기판(110) 상에 배치될 수 있고, 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들면, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon)) 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다.
상기 액티브 패턴(130) 상에는 제1 절연층(150)이 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(150)은 발광 영역(II)에서 상기 액티브 패턴(130)을 커버할 수 있으며, 상기 제1 기판(110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 즉, 상기 제1 절연층(150)은 상기 제1 기판(110) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
상기 게이트 전극(170)은 상기 제1 절연층(150) 중에서 하부에 상기 액티브 패턴(130)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 상기 게이트 전극(170)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다.
상기 게이트 전극(170) 상에는 제2 절연층(190)이 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(190)은 발광 영역(II)에서 상기 게이트 전극(170)을 커버할 수 있으며, 상기 제1 기판(110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 즉, 상기 제2 절연층(190)은 상기 제1 기판(110) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
상기 제2 절연층(190) 상에는 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)이 배치될 수 있다. 상기 소스 전극(210) 및 상기 드레인 전극(230)은 상기 제1 절연층(150) 및 상기 제2 절연층(190)의 일부를 관통하여 상기 액티브 패턴(130)의 일측 및 타측에 각각 접속될 수 있다. 상기 소스 전극(210) 및 상기 드레인 전극(230)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
상기 소스 전극(210) 및 상기 드레인 전극(230) 상에는 제3 절연층(270)이 배치될 수 있다. 상기 제3 절연층(270)은 발광 영역(II)에서 상기 소스 전극(210) 및 상기 드레인 전극(230)을 커버할 수 있으며 상기 제1 기판(110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 즉, 상기 제3 절연층(270)은 상기 제1 기판(110) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 제3 절연층(270)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
제1 전극(290)은 상기 제3 절연층(270) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(290)은 상기 제3 절연층(270)의 일부들을 관통하여 상기 드레인 전극(230)에 접속될 수 있다. 또한, 상기 제1 전극(290)은 상기 반도체 소자(250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 전극(290)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
본 실시예에서는 상기 액티브 패턴(130) 상부에 상기 게이트 전극(170)이 형성되는 구조를 예를 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 게이트 전극 상부에 액티브 패턴이 형성되는 구조를 가질 수도 있다.
화소 정의막(310)은 상기 제1 전극(290)의 일부들을 노출시키면서 상기 제3 절연층(270) 상에 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(310)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 화소 정의막(310)에 의해 적어도 일부가 노출된 상기 제1 전극(290) 상에 발광층(330)이 위치할 수 있다.
상기 발광층(330)은 적어도 일부가 노출된 상기 제1 전극(290) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광층(330)은 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 발광층(330)은 상기 상이한 색광들을 방출시킬 수 있는 발광 물질들을 적층하여 백색광을 방출할 수 도 있다.
제2 전극(340)은 상기 화소 정의막(310) 및 상기 발광층(330) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(340)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에서 상기 화소 정의막(310) 및 상기 발광층(330)을 커버할 수 있으며 상기 제1 기판(110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 상기 제2 전극(340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 상기 제1 기판(110)은 실링 멤버에 의해 제2 기판(350)과 결합될 수 있다. 또한, 상기 제1 기판(110) 및 상기 제2 기판(350) 사이에는 충진재가 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(370)은 상기 제2 기판(350)의 상기 제1 기판(110) 방향인 제1 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(370)의 제1 면은 상기 제2 전극(340)과 마주볼 수 있고, 상기 제1 감지 전극(370)의 제2 면은 상기 제2 기판(350)과 접촉될 수 있다. 제1 감지 전극(370)은 상기 반사 영역(III) 및 상기 발광 영역(III)의 외곽에 배치될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제1 기판(110)과 상기 제1 감지 전극(370) 사이에 절연층이 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(370)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(370)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 제1 감지 전극(370)는 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(370)은 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx) 등을 포함할 수 있다.
제2 기판(350)은 실질적으로 상기 제1 기판(110)과 동일한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 기판(350)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 또는 불소가 도핑된 석영 기판, 소다 라임 기판, 무알칼리 기판 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 기판(350)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 기판(350)은 연성을 갖는 투명 수지 기판을 포함할 수도 있다. 이 경우, 유기 발광 표시 장치(100)의 가요성을 향상시키기 위하여 적어도 하나의 유기층 및 적어도 하나의 무기층이 교대로 적층되는 구조를 가질 수 있다.
상기 제2 기판(350)의 제2 면에는 상기 제2 감지 전극(390)이 배치될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(390)은 상기 발광 영역(II) 및 상기 반사 영역(III)에 배치될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제1 기판(110)과 상기 제2 감지 전극(390) 사이에 절연층이 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 감지 전극(390)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 제2 감지 전극(390)는 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 감지 전극(390)은 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx) 등을 포함할 수 있다.
상기 제2 감지 전극(390) 상에는 제5 절연층(395)이 배치될 수 있다. 상기 제5 절연층(395)는 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
본 실시예에서는 상기 제1 감지 전극(370)은 상기 제2 기판(350)의 제1 면에 배치되고, 상기 제2 감지 전극(390)은 상기 제2 기판(350)의 제2 면에 배치되는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제1 감지 전극(370)은 상기 제2 기판(350)의 제2 면에 배치되고, 상기 제2 감지 전극(390)은 상기 제2 기판(350)의 제1 면에 배치될 수도 있다.
도 3 내지 도 9는 도 2의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3을 참조하면, 상기 제1 기판(110) 상에 버퍼층(115)이 형성된다. 이후, 상기 버퍼층(115) 상에 액티브 패턴(130) 및 제1 절연층(150)이 형성된다.
상기 1 기판(110)은 석영, 합성 석영, 불화칼슘, 불소가 도핑된 석영, 소다라임 유리, 무알칼리 유리 등을 사용하여 형성될 수 있다.
제1 기판(110)은 투명한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 제1 기판(110)은 석영, 합성 석영(synthetic quartz), 불화칼슘(calcium fluoride), 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz), 소다라임(sodalime) 유리, 무알칼리(non-alkali) 유리 등을 포함할 수 있다. 선택적으로는, 제1 기판(110)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수 있다. 제1 기판(110)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등으로 구성될 수 있다. 상기 폴리이미드 기판이 얇고 연성을 갖는 경우, 발광 구조물의 형성을 지원하기 위해 단단한 유리 상에 형성될 수 있다. 즉, 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 기판(110)은 유리 기판 상에 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층 및 제2 폴리이미드층이 적층된 구성을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 폴리이미드층 상에 절연층을 배치한 후, 상기 절연층 상에 발광 구조물(예를 들면, 반도체 소자(250), 커패시터, 제1 전극(290), 발광층(330), 제2 전극(340) 등)을 형성할 수 있다.
이러한 발광 구조물의 형성 후, 상기 유리 기판은 제거될 수 있다. 상기 폴리이미드 기판은 얇고 플렉서블하기 때문에, 상기 폴리이미드 기판 상에 상기 발광 구조물을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 경질의 유리 기판을 이용하여 상기 발광 구조물을 형성한 다음, 상기 유리 기판을 제거함으로써, 상기 폴리이미드 기판을 제1 기판(110)으로 이용할 수 있다. 유기 발광 표시 장치(100)가 상기 발광 영역(II) 및 상기 반사 영역(III)을 구비함에 따라, 제1 기판(110)도 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)으로 구분될 수 있다.
상기 제1 기판(110) 상에는 버퍼층(115)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층(115)은 발광 영역(II)으로부터 반사 영역(III)으로의 방향인 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 상기 버퍼층(115)은 상기 제1 기판(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산(즉, 아웃 개싱)되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브 패턴(130)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브 패턴(130)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(115)은 상기 제1 기판(110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 상기 제1 기판(110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 상기 제1 기판(110)의 유형에 따라 상기 제1 기판(110) 상에 두 개 이상의 버퍼층이 제공될 수 있거나 상기 버퍼층이 배치되지 않을 수 있다.
상기 액티브 패턴(130)은 상기 제1 기판(110) 상에 배치될 수 있고, 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들면, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon)) 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다.
상기 액티브 패턴(130) 상에는 제1 절연층(150)이 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(150)은 발광 영역(II)에서 상기 액티브 패턴(130)을 커버할 수 있으며, 상기 제1 기판(110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 즉, 상기 제1 절연층(150)은 상기 제1 기판(110) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 제1 절연층(150)이 형성된 상기 제1 기판(110) 상에 게이트 전극(170) 및 제2 절연층(190)이 형성된다.
상기 게이트 전극(170)은 상기 제1 절연층(150) 중에서 하부에 상기액티브 패턴(130)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 상기 게이트 전극(170)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다.
상기 게이트 전극(170) 상에는 제2 절연층(190)이 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(190)은 발광 영역(II)에서 상기 게이트 전극(170)을 커버할 수 있으며, 상기 제1 기판(110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 즉, 상기 제2 절연층(190)은 상기 제1 기판(110) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 제2 절연층(190)이 형성된 상기 제1 기판(110) 상에 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)이 형성된다.
상기 소스 전극(210) 및 상기 드레인 전극(230)은 상기 제1 절연층(150) 및 상기 제2 절연층(190)의 일부를 관통하여 상기 액티브 패턴(130)의 일측 및 타측에 각각 접속될 수 있다. 상기 소스 전극(210) 및 상기 드레인 전극(230)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
본 실시예에서는 상기 액티브 패턴(130) 상부에 상기 게이트 전극(170)이 형성되는 구조를 예를 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 게이트 전극 상부에 액티브 패턴이 형성되는 구조를 가질 수도 있다.
도 6을 참조하면, 상기 소스 전극(210) 및 상기 드레인 전극(230)이 형성된 상기 제1 기판(110) 상에 제3 절연층(270) 및 제1 전극(290)이 형성된다.
상기 소스 전극(210) 및 상기 드레인 전극(230) 상에는 제3 절연층(270)이 배치될 수 있다. 상기 제3 절연층(270)은 발광 영역(II)에서 상기 소스 전극(210) 및 상기 드레인 전극(230)을 커버할 수 있으며 상기 제1 기판(110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 즉, 상기 제3 절연층(270)은 상기 제1 기판(110) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 제3 절연층(270)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(290)은 상기 제3 절연층(270) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(290)은 상기 제3 절연층(270)의 일부들을 관통하여 상기 드레인 전극(230)에 접속될 수 있다. 또한, 상기 제1 전극(290)은 상기 반도체 소자(250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 전극(290)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 제1 전극(290)이 형성된 상기 제1 기판(110) 상에 화소 정의막(310), 발광층(330) 및 제2 전극(340)이 형성된다.
상기 화소 정의막(310)은 상기 제1 전극(290)의 일부들을 노출시키면서 상기 제3 절연층(270) 상에 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(310)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 화소 정의막(310)에 의해 적어도 일부가 노출된 상기 제1 전극(290) 상에 발광층(330)이 위치할 수 있다.
상기 발광층(330)은 적어도 일부가 노출된 상기 제1 전극(290) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광층(330)은 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 발광층(330)은 상기 상이한 색광들을 방출시킬 수 있는 발광 물질들을 적층하여 백색광을 방출할 수 도 있다.
제2 전극(340)은 상기 화소 정의막(310) 및 상기 발광층(330) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(340)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에서 상기 화소 정의막(310) 및 상기 발광층(330)을 커버할 수 있으며 상기 제1 기판(110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 상기 제2 전극(340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
도 8을 참조하면, 제2 기판(350) 상에 제1 감지 전극(370)이 형성된다.
상기 제1 감지 전극(370)은 상기 제2 기판(350)의 상기 제1 기판(110) 방향인 제1 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(370)의 제1 면은 상기 제2 전극(340)과 마주볼 수 있고, 상기 제1 감지 전극(370)의 제2 면은 상기 제2 기판(350)과 접촉될 수 있다. 제1 감지 전극(370)은 상기 반사 영역(III) 및 상기 발광 영역(III)의 외곽에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(370)은 일정한 반사율을 갖는 물질을포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(370)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 제1 감지 전극(370)는 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(370)은 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx) 등을 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제2 기판(350)과 상기 제1 감지 전극(370) 사이에 절연층이 배치될 수 있다.
상기 제2 기판(350)은 실질적으로 상기 제1 기판(110)과 동일한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 기판(350)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 또는 불소가 도핑된 석영 기판, 소다 라임 기판, 무알칼리 기판 등을 포함할 수 있다.
도 9를 참조하면, 상기 제2 기판(350)의 제2 면에 제2 감지 전극(390)이 형성된다. 상기 제2 감지 전극(390) 상에는 제5 절연층(395)이 형성된다.
상기 제2 감지 전극(390)은 상기 제2 기판(350)의 제1 면의 반대 면인 제2 면에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(390)은 상기 발광 영역(II) 및 상기 반사 영역(III)에 배치될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제2 기판(350)과 상기 제2 감지 전극(390) 사이에 절연층이 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 감지 전극(390)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 제2 감지 전극(390)는 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 감지 전극(390)은 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx) 등을 포함할 수 있다.
도 10은 도 2의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 11은 도 2의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 12는 도 10의 제1 감지 전극과 도 11의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 2, 도 10 내지 도 12를 참조하면, 제1 감지 전극(370) 및 제2 감지 전극(390)이 배치되는 상태가 도시된다.
상기 제1 감지 전극(370)은 제2 방향(D2)으로 연장되는 복수의 패턴들로 형성될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(370)은 반사 영역(III)에만 배치된다. 상기 제1 감지 전극(370)은 제1 연결 라인(375)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(375)은 상기 제1 감지 전극(370)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 라인(375)은 상기 제1 감지 전극(370)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(390)은 상기 제2 방향(D2)과 교차하는 제1 방향(D1)으로 연장되는 복수의 패턴들로 형성될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(390)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(390)은 제2 연결 라인(395)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제2 연결 라인(395)은 상기 제2 감지 전극(390)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 연결 라인(395)은 상기 제2 감지 전극(390)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(370) 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(370)과 상기 제2 감지 전극(390)은 부분적으로 중첩할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(370)은 상기 제2 기판(350)의 상기 제1 기판(110) 방향인 제1 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(390)은 상기 제2 기판(350)의 제1 면의 반대 면인 제2 면에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 감지 전극(370) 및 상기 제2 감지 전극(390)은 각각 상호 정전방식(Mutual Capacitance)의 터치 스크린 패널의 센싱 라인 및 구동 라인으로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 외부 도전체가 터치되면, 터치된 위치에 상응하는 상기 제1 감지 전극(370)과 상기 제2 감지 전극(390)의 교차점 근처의 정전 용량이 변하게 되며, 터치 패널 센서(미도시)는 상기 정전 용량의 변화에 상응하는 정전 용량 센싱 신호에 기초하여 외부 도전체가 터치된 위치를 판단할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(370) 및 상기 제2 감지 전극(390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
도 13은 도 2의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 14는 도 2의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 15는 도 13의 제1 감지 전극과 도 14의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 2, 도 13 내지 도 15를 참조하면, 제1 감지 전극(370) 및 제2 감지 전극(390)이 배치되는 상태가 도시된다.
상기 제1 감지 전극(370)은 제2 방향(D2)으로 연장되는 복수의 제1감지 패턴들(371) 및 제1 감지 패턴들(371) 사이에 일정한 수로 배치되는 제1 더미 패턴들(373)을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(370)은 반사 영역(III)에만 배치된다. 상기 제1 더미 패턴들(373)의 수에 따라 상기 복수의 제1 감지 패턴들(371)의 간격이 조절될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(370)은 제1 연결 라인(375)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(375)은 상기 제1 감지 전극(370)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 라인(375)은 상기 제1 감지 전극(370)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(390)은 상기 제2 방향(D2)과 교차하는 제1 방향(D1)으로 연장되는 복수의 제2 감지 패턴들(391) 및 제9 감지 패턴들(391) 사이에 일정한 수로 배치되는 제2 더미 패턴들(393)을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(390)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에 배치된다. 상기 제2 더미 패턴들(393)의 수에 따라 상기 복수의 제2 감지 패턴들(391)의 간격이 조절될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(390)은 제2 연결 라인(395)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제2 연결 라인(395)은 상기 제2 감지 전극(390)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 연결 라인(395)은 상기 제2 감지 전극(390)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(370)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(370)과 상기 제2 감지 전극(390)은 부분적으로 중첩할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(370)은 상기 제2 기판(350)의 상기 제1 기판(110) 방향인 제1 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(390)은 상기 제2 기판(350)의 제1 면의 반대 면인 제2 면에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(370) 및 상기 제2 감지 전극(390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 감지 전극(370) 및 상기 제2 감지 전극(390)은 각각 상호 정전방식(Mutual Capacitance)의 터치 스크린 패널의 센싱 라인 및 구동 라인으로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 외부 도전체가 터치되면, 터치된 위치에 상응하는 상기 제1 감지 전극(370)과 상기 제2 감지 전극(390)의 교차점 근처의 정전 용량이 변하게 되며, 터치 패널 센서(미도시)는 상기 정전 용량의 변화에 상응하는 정전 용량 센싱 신호에 기초하여 외부 도전체가 터치된 위치를 판단할 수 있다.
도 16은 도 2의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 17은 도 2의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 18는 도 16의 제1 감지 전극과 도 17의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 2, 도 16 내지 도 18을 참조하면, 제1 감지 전극(370) 및 제2 감지 전극(390)이 배치되는 상태가 도시된다.
상기 제1 감지 전극(370)은 제2 방향(D2)으로 연장되는 복수의 패턴들로 형성될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(370)은 메쉬 형상으로 형성될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(370)은 반사 영역(III)에만 배치된다. 상기 제1 감지 전극(370)은 제1 연결 라인(375)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(375)은 상기 제1 감지 전극(370)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 라인(375)은 상기 제1 감지 전극(370)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(390)은 상기 제2 방향(D2)과 교차하는 제1 방향(D1)으로 연장되는 복수의 패턴들로 형성될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(390)의 제2 방향(D2)의 폭은 상기 제1 감지 전극(370)의 제1 방향(D1)의 폭과 동일하게 형성될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(390)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(390)은 제2 연결 라인(395)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제2 연결 라인(395)은 상기 제2 감지 전극(390)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 연결 라인(395)은 상기 제2 감지 전극(390)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(370)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(370)과 상기 제2 감지 전극(390)은 부분적으로 중첩할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(370)은 상기 제2 기판(350)의 상기 제1 기판(110) 방향인 제1 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(390)은 상기 제2 기판(350)의 제1 면의 반대 면인 제2 면에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 감지 전극(370) 및 상기 제2 감지 전극(390)은 각각 상호 정전방식(Mutual Capacitance)의 터치 스크린 패널의 센싱 라인 및 구동 라인으로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 외부 도전체가 터치되면, 터치된 위치에 상응하는 상기 제1 감지 전극(370)과 상기 제2 감지 전극(390)의 교차점 근처의 정전 용량이 변하게 되며, 터치 패널 센서(미도시)는 상기 정전 용량의 변화에 상응하는 정전 용량 센싱 신호에 기초하여 외부 도전체가 터치된 위치를 판단할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(370) 및 상기 제2 감지 전극(390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
도 19는 도 2의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 20은 도 19의 A 부분을 확대한 평면도이다. 도 21은 도 2의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 22는 도 21의 B 부분을 확대한 평면도이다. 도 23은 도 19의 제1 감지 전극과 도 21의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다. 도 24는 도 23의 C 부분을 확대한 평면도이다.
도 2, 도 19 내지 도 24를 참조하면, 제1 감지 전극(370) 및 제2 감지 전극(390)이 배치되는 상태가 도시된다.
상기 제1 감지 전극(370)은 마름모 형상의 패턴들이 제1 방향(D1)으로 연속적으로 연결되는 형상을 갖는 제1 감지 패턴들(371) 및 상기 제1 감지 패턴들(371) 사이에 이격되어 배치되며 마름모형상을 갖는 제1 더미 패턴들(373)을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(370)은 반사 영역(III)에만 배치된다. 상기 제1 감지 패턴들(371)은 제1 연결 라인(375)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(375)은 상기 제1 감지 전극(370)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 라인(375)은 상기 제1 감지 전극(370)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(390)은 마름모 형상의 패턴들이 상기 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연속적으로 연결되는 형상을 갖는 제2 감지 패턴들(391) 및 상기 제2 감지 패턴들(391) 사이에 이격되어 배치되며 마름모 형상을 갖는 제2 더미 패턴들(393)을 포함한다. 상기 제2 감지 전극(390)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(390)은 제2 연결 라인(395)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제2 연결 라인(395)은 상기 제2 감지 전극(390)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 연결 라인(395)은 상기 제2 감지 전극(390)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(370)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(370)과 상기 제2 감지 전극(390)은 서로 중첩할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(370) 및 상기 제2 감지 전극(390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(370)은 상기 제2 기판(350)의 상기 제1 기판(110) 방향인 제1 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(390)은 상기 제2 기판(350)의 제1 면의 반대 면인 제2 면에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 감지 전극(370) 및 상기 제2 감지 전극(390)은 각각 상호 정전방식(Mutual Capacitance)의 터치 스크린패널의 센싱 라인 및 구동 라인으로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 외부 도전체가 터치되면, 터치된 위치에 상응하는 상기 제1 감지 전극(370)과 상기 제2 감지 전극(390)의 교차점 근처의 정전 용량이 변하게 되며, 터치 패널 센서(미도시)는 상기 정전 용량의 변화에 상응하는 정전 용량 센싱 신호에 기초하여 외부 도전체가 터치된 위치를 판단할 수 있다.
도 25는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 개략적인 평면도이다. 도 26은 도 25의 IV-IV'라인을 따라 절단한 단면도이다.
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 감지 전극(1370) 및 제2 감지 전극(1390)을 제외하고는 도 1 및 도 2의 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 1 및 도 2의 유기 발광 표시 장치와 동일한 구성요소는 동일한 도면 부호를 부여하고, 반복되는 설명은 생략한다.
도 25 및 도 26을 참조하면, 제2 전극(1340) 상에 제1 감지 전극(1370)이 배치될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(1370)은 상기 제1 기판(1110)에 배치될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(1370)은 상기 반사 영역(III) 및 상기 발광 영역(III)의 외곽에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(1370)은 일정한반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(1370)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 제1 감지 전극(1370)는 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(1370)은 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx) 등을 포함할 수 있다.
제2 기판(1350)은 실질적으로 제1 기판(1110)과 동일한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 기판(1350)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 또는 불소가 도핑된 석영 기판, 소다 라임 기판, 무알칼리 기판 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 기판(1350)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 기판(1350)은 연성을 갖는 투명 수지 기판을 포함할 수도 있다. 이 경우, 유기 발광 표시 장치(1100)의 가요성을 향상시키기 위하여 적어도 하나의 유기층 및 적어도 하나의 무기층이 교대로 적층되는 구조를 가질 수 있다.
상기 제2 기판(1350)에는 상기 제2 감지 전극(1390)이 배치될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(1390)은 상기 발광 영역(II) 및 상기 반사 영역(III)에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(1390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 감지 전극(1390)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 제2 감지 전극(1390)는 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 감지 전극(1390)은 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx) 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(1370) 및 상기 제2 감지 전극(1390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(1370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(1390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(1390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
도 27 내지 도 33은 도 26의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 27을 참조하면, 상기 제1 기판(1110) 상에 버퍼층(1115)이 형성된다. 이후, 상기 버퍼층(1115) 상에 액티브 패턴(1130) 및 제1 절연층(1150)이 형성된다.
상기 1 기판(1110)은 석영, 합성 석영, 불화칼슘, 불소가 도핑된 석영, 소다라임 유리, 무알칼리 유리 등을 사용하여 형성될 수 있다.
제1 기판(1110)은 투명한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 제1 기판(1110)은 석영, 합성 석영(synthetic quartz), 불화칼슘(calcium fluoride), 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz), 소다라임(sodalime) 유리, 무알칼리(non-alkali) 유리 등을 포함할 수 있다. 선택적으로는, 제1 기판(1110)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수 있다. 제1 기판(1110)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등으로 구성될 수 있다. 상기 폴리이미드 기판이 얇고 연성을 갖는 경우, 발광 구조물의 형성을 지원하기 위해 단단한 유리 상에 형성될 수 있다. 즉, 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 기판(1110)은 유리 기판 상에 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층 및 제2 폴리이미드층이 적층된 구성을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 폴리이미드층 상에 절연층을 배치한 후, 상기 절연층 상에 발광 구조물(예를 들면, 반도체 소자(1250), 커패시터, 제1 전극(1290), 발광층(1330), 제2 전극(1340) 등)을 형성할 수 있다.
이러한 발광 구조물의 형성 후, 상기 유리 기판은 제거될 수 있다. 상기 폴리이미드 기판은 얇고 플렉서블하기 때문에, 상기 폴리이미드 기판 상에 상기 발광 구조물을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 경질의 유리 기판을 이용하여 상기 발광 구조물을 형성한 다음, 상기 유리 기판을 제거함으로써, 상기 폴리이미드 기판을 제1 기판(1110)으로 이용할 수 있다. 유기 발광 표시 장치(1100)가 상기 발광 영역(II) 및 상기 반사 영역(III)을 구비함에 따라, 제1 기판(110)도 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)으로 구분될 수 있다.
상기 제1 기판(1110) 상에는 버퍼층(1115)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층(1115)은 발광 영역(II)으로부터 반사 영역(III)으로의 방향인 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 상기 버퍼층(1115)은 상기 제1 기판(1110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산(즉, 아웃 개싱)되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브 패턴(1130)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브 패턴(1130)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(1115)은 상기 제1 기판(1110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 상기 제1 기판(1110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 상기 제1 기판(1110)의 유형에 따라 상기 제1 기판(1110) 상에 두 개 이상의 버퍼층이 제공될 수 있거나 상기 버퍼층이 배치되지 않을 수 있다.
상기 액티브 패턴(1130)은 상기 제1 기판(1110) 상에 배치될 수 있고, 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들면, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon)) 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다.
상기 액티브 패턴(1130) 상에는 제1 절연층(1150)이 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(1150)은 발광 영역(II)에서 상기 액티브 패턴(1130)을 커버할 수 있으며, 상기 제1 기판(1110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 즉, 상기 제1 절연층(1150)은 상기 제1 기판(1110) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(1150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
도 28을 참조하면, 상기 제1 절연층(1150)이 형성된 상기 제1 기판(1110) 상에 게이트 전극(1170) 및 제2 절연층(1190)이 형성된다.
상기 게이트 전극(1170)은 상기 제1 절연층(1150) 중에서 하부에 상기 액티브 패턴(1130)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 상기 게이트 전극(1170)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다.
상기 게이트 전극(1170) 상에는 제2 절연층(1190)이 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(1190)은 발광 영역(II)에서 상기 게이트 전극(1170)을 커버할 수 있으며, 상기 제1 기판(1110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 즉, 상기 제2 절연층(1190)은 상기 제1 기판(1110) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(1190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
도 29를 참조하면, 상기 제2 절연층(1190)이 형성된 상기 제1 기판(1110) 상에 소스 전극(1210) 및 드레인 전극(1230)이 형성된다.
상기 소스 전극(1210) 및 상기 드레인 전극(1230)은 상기 제1 절연층(1150) 및 상기 제2 절연층(1190)의 일부를 관통하여 상기 액티브 패턴(1130)의 일측 및 타측에 각각 접속될 수 있다. 상기 소스 전극(1210) 및 상기 드레인 전극(1230)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
본 실시예에서는 상기 액티브 패턴(1130) 상부에 상기 게이트 전극(1170)이 형성되는 구조를 예를 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 게이트 전극 상부에 액티브 패턴이 형성되는 구조를 가질 수도 있다.
도 30을 참조하면, 상기 소스 전극(1210) 및 상기 드레인 전극(1230)이 형성된 상기 제1 기판(1110) 상에 제3 절연층(1270) 및 제1 전극(1290)이 형성된다.
상기 소스 전극(1210) 및 상기 드레인 전극(1230) 상에는 제3 절연층(1270)이 배치될 수 있다. 상기 제3 절연층(1270)은 발광 영역(II)에서 상기 소스 전극(1210) 및 상기 드레인 전극(1230)을 커버할 수 있으며 상기 제1 기판(1110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 즉, 상기 제3 절연층(1270)은 상기 제1 기판(1110) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 제3 절연층(1270)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(1290)은 상기 제3 절연층(1270) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(1290)은 상기 제3 절연층(1270)의 일부들을 관통하여 상기 드레인 전극(1230)에 접속될 수 있다. 또한, 상기 제1 전극(1290)은 상기 반도체 소자(1250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 전극(1290)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
도 31을 참조하면, 상기 제1 전극(1290)이 형성된 상기 제1 기판(1110) 상에 화소 정의막(1310), 발광층(1330) 및 제2 전극(1340)이 형성된다.
상기 화소 정의막(1310)은 상기 제1 전극(1290)의 일부들을 노출시키면서 상기 제3 절연층(1270) 상에 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(1310)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 화소 정의막(1310)에 의해 적어도 일부가 노출된 상기 제1 전극(1290) 상에 발광층(1330)이 위치할 수 있다.
상기 발광층(1330)은 적어도 일부가 노출된 상기 제1 전극(1290) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광층(1330)은 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 발광층(1330)은 상기 상이한 색광들을 방출시킬 수 있는 발광 물질들을 적층하여 백색광을 방출할 수 도 있다.
제2 전극(1340)은 상기 화소 정의막(1310) 및 상기 발광층(1330) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(1340)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에서 상기 화소 정의막(1310) 및 상기 발광층(1330)을 커버할 수 있으며 상기 제1 기판(1110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 상기 제2 전극(1340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
도 32를 참조하면, 상기 제2 전극(1340)이 형성된 상기 제1 기판(1110) 상에 제1 감지 전극(1370)이 형성된다.
상기 제1 감지 전극(370)은 상기 제1 기판(110)에 배치될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(370)은 상기 반사 영역(III) 및 상기 발광 영역(III)의 외곽에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(1370)은 일정한반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(370)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 제1 감지 전극(1370)는 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(1370)은 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx) 등을 포함할 수 있다.
도 33을 참조하면, 상기 제2 기판(350)의 제2 면에 제2 감지 전극(390)이 형성된다.
상기 제2 기판(1350)은 실질적으로 상기 제1 기판(1110)과 동일한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 기판(1350)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 또는 불소가 도핑된 석영 기판, 소다 라임 기판, 무알칼리 기판 등을 포함할 수 있다.
상기 제2 감지 전극(390)은 상기 제2 기판(1350)에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(390)은 상기 발광 영역(II) 및 상기 반사 영역(III)에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(1390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 감지 전극(1390)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 제2 감지 전극(1390)는 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 감지 전극(1390)은 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx) 등을 포함할 수 있다.
그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제2 기판(1350)과 상기 제2 감지 전극(1390) 사이에 절연층이 배치될 수 있다.
도 34는 도 26의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 35는 도 26의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 36은 도 34의 제1 감지 전극과 도 35의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 26, 도 34 내지 도 36을 참조하면, 제1 감지 전극(1370) 및 제2 감지 전극(1390)이 배치되는 상태가 도시된다.
상기 제1 감지 전극(1370)은 제2 방향(D2)으로 연장되는 복수의 패턴들로 형성될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(1370)은 반사 영역(III)에만 배치된다. 상기 제1 감지 전극(1370)은 제1 연결 라인(1375)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(1375)은 상기 제1 감지 전극(1370)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 라인(1375)은 상기 제1 감지 전극(1370)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(1390)은 상기 제2 방향(D2)과 교차하는 제1 방향(D1)으로 연장되는 복수의 패턴들로 형성될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(1390)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(1390)은 제2 연결 라인(1395)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제2 연결 라인(1395)은 상기 제2 감지 전극(1390)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 연결 라인(1395)은 상기 제2 감지 전극(1390)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(1370)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(1390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(1370)과 상기 제2 감지 전극(1390)은 부분적으로 중첩할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(1370)은 상기 제1 기판(1110)에 배치될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(1390)은 상기 제2 기판(1350)에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 감지 전극(1370) 및 상기 제2 감지 전극(1390)은 각각 상호 정전방식(Mutual Capacitance)의 터치 스크린 패널의 센싱 라인 및 구동 라인으로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 외부 도전체가 터치되면, 터치된 위치에 상응하는 상기 제1 감지 전극(1370)과 상기 제2 감지 전극(1390)의 교차점 근처의 정전 용량이 변하게 되며, 터치 패널 센서(미도시)는 상기 정전 용량의 변화에 상응하는 정전 용량 센싱 신호에 기초하여 외부 도전체가 터치된 위치를 판단할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(1370) 및 상기 제2 감지 전극(1390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(1370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(1390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(1390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
도 37은 도 26의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 38은 도 26의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 39는 도 37의 제1 감지 전극과 도 38의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 26, 도 37 내지 도 39를 참조하면, 제1 감지 전극(1370) 및 제2 감지 전극(1390)이 배치되는 상태가 도시된다.
상기 제1 감지 전극(1370)은 제2 방향(D2)으로 연장되는 복수의 제1감지 패턴들(1371) 및 제1 감지 패턴들(1371) 사이에 일정한 수로 배치되는 제1 더미 패턴들(1373)을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(1370)은 반사 영역(III)에만 배치된다. 상기 제1 더미 패턴들(1373)의 수에 따라 상기 복수의 제1 감지 패턴들(1371)의 간격이 조절될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(1370)은 제1 연결 라인(1375)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(1375)은 상기 제1 감지 전극(1370)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 라인(1375)은 상기 제1 감지 전극(1370)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(1390)은 상기 제2 방향(D2)과 교차하는 제1 방향(D1)으로 연장되는 복수의 제2 감지 패턴들(1391) 및 제2 감지 패턴들(1391) 사이에 일정한 수로 배치되는 제2 더미 패턴들(1393)을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(1390)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에 배치된다. 상기 제2 더미 패턴들(1393)의 수에 따라 상기 복수의 제2 감지 패턴들(1391)의 간격이 조절될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(1390)은 제2 연결 라인(1395)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제2 연결 라인(1395)은 상기 제2 감지 전극(1390)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 연결 라인(1395)은 상기 제2 감지 전극(1390)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(1370)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(1390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(1370)과 상기 제2 감지 전극(1390)은 부분적으로 중첩할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(1370)은 상기 제1 기판(1110)에 배치될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(1390)은 상기 제2 기판(1350)에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(1370) 및 상기 제2 감지 전극(1390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(1370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(1390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(1390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 감지 전극(1370) 및 상기 제2 감지 전극(1390)은 각각 상호 정전방식(Mutual Capacitance)의 터치 스크린 패널의 센싱 라인 및 구동 라인으로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 외부 도전체가 터치되면, 터치된 위치에 상응하는 상기 제1 감지 전극(1370)과 상기 제2 감지 전극(1390)의 교차점 근처의 정전 용량이 변하게 되며, 터치 패널 센서(미도시)는 상기 정전 용량의 변화에 상응하는 정전 용량 센싱 신호에 기초하여 외부 도전체가 터치된 위치를 판단할 수 있다.
도 40은 도 26의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 41은 도 26의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 42는 도 40의 제1 감지 전극과 도 41의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 26, 도 40 내지 도 42를 참조하면, 제1 감지 전극(1370) 및 제2 감지 전극(1390)이 배치되는 상태가 도시된다.
상기 제1 감지 전극(1370)은 제2 방향(D2)으로 연장되는 복수의 패턴들로 형성될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(1370)은 메쉬 형상으로 형성될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(1370)은 반사 영역(III)에만 배치된다. 상기 제1 감지 전극(1370)은 제1 연결 라인(1375)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(1375)은 상기 제1 감지 전극(1370)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 라인(1375)은 상기 제1 감지 전극(1370)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(1390)은 상기 제2 방향(D2)과 교차하는 제1 방향(D1)으로 연장되는 복수의 패턴들로 형성될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(1390)의 제2 방향(D2)의 폭은 상기 제1 감지 전극(1370)의 제1 방향(D1)의 폭과 동일하게 형성될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(1390)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(1390)은 제2 연결 라인(1395)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제2 연결 라인(1395)은 상기 제2 감지 전극(1390)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 연결 라인(1395)은 상기 제2 감지 전극(1390)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(1370)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(1390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(1370)과 상기 제2 감지 전극(1390)은 부분적으로 중첩할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(1370)은 상기 제1 기판(1110)에 배치될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(1390)은 상기 제2 기판(1350)에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 감지 전극(1370) 및 상기 제2 감지 전극(1390)은 각각 상호 정전방식(Mutual Capacitance)의 터치 스크린 패널의 센싱 라인 및 구동 라인으로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 외부 도전체가 터치되면, 터치된 위치에 상응하는 상기 제1 감지 전극(1370)과 상기 제2 감지 전극(1390)의 교차점 근처의 정전 용량이 변하게 되며, 터치 패널 센서(미도시)는 상기 정전 용량의 변화에 상응하는 정전 용량 센싱 신호에 기초하여 외부 도전체가 터치된 위치를 판단할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(1370) 및 상기 제2 감지 전극(1390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(1370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(1390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(1390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
도 43은 도 26의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 44는 도 43의 D 부분을 확대한 평면도이다. 도 45는 도 26의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 46은 도 45의 E 부분을 확대한 평면도이다. 도 47은 도 43의 제1 감지 전극과 도 45의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다. 도 48는 도 47의 F 부분을 확대한 평면도이다.
도 26, 도 43 내지 도 48을 참조하면, 제1 감지 전극(1370) 및 제2 감지 전극(1390)이 배치되는 상태가 도시된다.
상기 제1 감지 전극(1370)은 마름모 형상의 패턴들이 제1 방향(D1)으로 연속적으로 연결되는 형상을 갖는 제1 감지 패턴들(1371) 및 상기 제1 감지 패턴들(1371) 사이에 이격되어 배치되며 마름모 형상을 갖는 제1 더미 패턴들(1373)을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(1370)은 반사 영역(III)에만 배치된다. 상기 제1 감지 패턴들(1371)은 제1 연결 라인(1375)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(1375)은 상기 제1 감지 전극(1370)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 라인(1375)은 상기 제1 감지 전극(1370)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(1390)은 마름모 형상의 패턴들이 상기 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연속적으로 연결되는 형상을 갖는 제2 감지 패턴(1391)들 및 상기 제2 감지 패턴들(1391) 사이에 이격되어 배치되며 마름모 형상을 갖는 제2 더미 패턴들(1393)을 포함한다. 상기 제2 감지 전극(1390)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(1390)은 제2 연결 라인(1395)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제2 연결 라인(1395)은 상기 제2 감지 전극(1390)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 연결 라인(1395)은 상기 제2 감지 전극(1390)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(1370)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(1390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(1370)과 상기 제2 감지 전극(1390)은 서로 중첩할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(1370)은 상기 제1 기판(1110)에 배치될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(1390)은 상기 제2 기판(1350)에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 감지 전극(1370) 및 상기 제2 감지 전극(1390)은 각각 상호 정전방식(Mutual Capacitance)의 터치 스크린 패널의 센싱 라인 및 구동 라인으로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 외부 도전체가 터치되면, 터치된 위치에 상응하는 상기 제1 감지 전극(1370)과 상기 제2 감지 전극(1390)의 교차점 근처의 정전 용량이 변하게 되며, 터치 패널 센서(미도시)는 상기 정전 용량의 변화에 상응하는 정전 용량 센싱 신호에 기초하여 외부 도전체가 터치된 위치를 판단할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(1370) 및 상기 제2 감지 전극(1390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(1370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(1390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(1390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
도 49는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 개략적인 평면도이다. 도 50은 도 49의 V-V'라인을 따라 절단한 단면도이다.
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 감지 전극(2370), 제4 절연층(2385) 및 제2 감지 전극(2390)을 제외하고는 도 1 및 도 2의 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 1 및 도 2의 유기 발광 표시 장치와 동일한 구성요소는 동일한 도면 부호를 부여하고, 반복되는 설명은 생략한다.
도 49 및 도 50을 참조하면, 상기 제1 감지 전극(2370)은 상기 제2 기판(2350)에 배치될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(2370)은 상기 반사 영역(III) 및 상기 발광 영역(III)의 외곽에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(2370)은 일정한반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(2370)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 제1 감지 전극(2370)는 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(2370)은 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx) 등을 포함할 수 있다.
제2 기판(2350)은 실질적으로 제1 기판(2110)과 동일한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 기판(2350)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 또는 불소가 도핑된 석영 기판, 소다 라임 기판, 무알칼리 기판 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 기판(2350)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 기판(2350)은 연성을 갖는 투명 수지 기판을 포함할 수도 있다. 이 경우, 유기 발광 표시 장치(2100)의 가요성을 향상시키기 위하여 적어도 하나의 유기층 및 적어도 하나의 무기층이 교대로 적층되는 구조를 가질 수 있다.
상기 제1 감지 전극(2370)상에는 제4 절연층(2385)이 형성된다. 상기 제4 절연층(2385)은 접착성 물질을 포함할 수 있다.
상기 제4 절연층(2385) 상에는 상기 제2 감지 전극(2390)이 배치될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(2390)은 상기 발광 영역(II) 및 상기 반사 영역(III)에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(2390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 감지 전극(2390)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 제2 감지 전극(2390)는 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 감지 전극(2390)은 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx) 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(2370) 및 상기 제2 감지 전극(2390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(2370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(2390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(2390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
도 51 내지 도 58은 도 50의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 51을 참조하면, 상기 제1 기판(2110) 상에 버퍼층(2115)이 형성된다. 이후, 상기 버퍼층(2115) 상에 액티브 패턴(2130) 및 제1 절연층(2150)이 형성된다.
상기 1 기판(2110)은 석영, 합성 석영, 불화칼슘, 불소가 도핑된 석영, 소다라임 유리, 무알칼리 유리 등을 사용하여 형성될 수 있다.
제1 기판(2110)은 투명한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 제1 기판(2110)은 석영, 합성 석영(synthetic quartz), 불화칼슘(calcium fluoride), 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz), 소다라임(sodalime) 유리, 무알칼리(non-alkali) 유리 등을 포함할 수 있다. 선택적으로는, 제1 기판(2110)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수 있다. 제1 기판(2110)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등으로 구성될 수 있다. 상기 폴리이미드 기판이 얇고 연성을 갖는 경우, 발광 구조물의 형성을 지원하기 위해 단단한 유리 상에 형성될 수 있다. 즉, 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 기판(2110)은 유리 기판 상에 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층 및 제2 폴리이미드층이 적층된 구성을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 폴리이미드층 상에 절연층을 배치한 후, 상기 절연층 상에 발광 구조물(예를 들면, 반도체 소자(2250), 커패시터, 제1 전극(2290), 발광층(2330), 제2 전극(2340) 등)을 형성할 수 있다.
이러한 발광 구조물의 형성 후, 상기 유리 기판은 제거될 수 있다. 상기 폴리이미드 기판은 얇고 플렉서블하기 때문에, 상기 폴리이미드 기판 상에 상기 발광 구조물을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 경질의 유리 기판을 이용하여 상기 발광 구조물을 형성한 다음, 상기 유리 기판을 제거함으로써, 상기 폴리이미드 기판을 제1 기판(2110)으로 이용할 수 있다. 유기 발광 표시 장치(2100)가 상기 발광 영역(II) 및 상기 반사 영역(III)을 구비함에 따라, 제1 기판(2110)도 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)으로 구분될 수 있다.
상기 제1 기판(2110) 상에는 버퍼층(2115)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층(2115)은 발광 영역(II)으로부터 반사 영역(III)으로의 방향인 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 상기 버퍼층(2115)은 상기 제1 기판(2110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산(즉, 아웃 개싱)되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브 패턴(2130)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브 패턴(2130)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(2115)은 상기 제1 기판(2110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 상기 제1 기판(2110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 상기 제1 기판(2110)의 유형에 따라 상기 제1 기판(2110) 상에 두 개 이상의 버퍼층이 제공될 수 있거나 상기 버퍼층이 배치되지 않을 수 있다.
상기 액티브 패턴(2130)은 상기 제1 기판(2110) 상에 배치될 수 있고, 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들면, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon)) 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다.
상기 액티브 패턴(2130) 상에는 제1 절연층(2150)이 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(2150)은 발광 영역(II)에서 상기 액티브 패턴(2130)을 커버할 수 있으며, 상기 제1 기판(110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 즉, 상기 제1 절연층(2150)은 상기 제1 기판(2110) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(2150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
도 52를 참조하면, 상기 제1 절연층(2150)이 형성된 상기 제1 기판(2110) 상에 게이트 전극(2170) 및 제2 절연층(2190)이 형성된다.
상기 게이트 전극(2170)은 상기 제1 절연층(2150) 중에서 하부에 상기 액티브 패턴(2130)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 상기 게이트 전극(2170)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다.
상기 게이트 전극(2170) 상에는 제2 절연층(2190)이 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(2190)은 발광 영역(II)에서 상기 게이트 전극(2170)을 커버할 수 있으며, 상기 제1 기판(2110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 즉, 상기 제2 절연층(2190)은 상기 제1 기판(2110) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(2190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
도 53을 참조하면, 상기 제2 절연층(2190)이 형성된 상기 제1 기판(2110) 상에 소스 전극(2210) 및 드레인 전극(2230)이 형성된다.
상기 소스 전극(2210) 및 상기 드레인 전극(2230)은 상기 제1 절연층(2150) 및 상기 제2 절연층(2190)의 일부를 관통하여 상기 액티브 패턴(2130)의 일측 및 타측에 각각 접속될 수 있다. 상기 소스 전극(2210) 및 상기 드레인 전극(2230)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
본 실시예에서는 상기 액티브 패턴(2130) 상부에 상기 게이트 전극(2170)이 형성되는 구조를 예를 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 게이트 전극 상부에 액티브 패턴이 형성되는 구조를 가질 수도 있다.
도 54를 참조하면, 상기 소스 전극(2210) 및 상기 드레인 전극(2230)이 형성된 상기 제1 기판(2110) 상에 제3 절연층(2270) 및 제1 전극(2290)이 형성된다.
상기 소스 전극(2210) 및 상기 드레인 전극(2230) 상에는 제3 절연층(2270)이 배치될 수 있다. 상기 제3 절연층(2270)은 발광 영역(II)에서 상기 소스 전극(2210) 및 상기 드레인 전극(2230)을 커버할 수 있으며 상기 제1 기판(2110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 즉, 상기 제3 절연층(2270)은 상기 제1 기판(2110) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 제3 절연층(2270)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(2290)은 상기 제3 절연층(2270) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(2290)은 상기 제3 절연층(2270)의 일부들을 관통하여 상기 드레인 전극(2230)에 접속될 수 있다. 또한, 상기 제1 전극(2290)은 상기 반도체 소자(2250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 전극(2290)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
도 55를 참조하면, 상기 제1 전극(2290)이 형성된 상기 제1 기판(2110) 상에 화소 정의막(2310), 발광층(2330) 및 제2 전극(2340)이 형성된다.
상기 화소 정의막(2310)은 상기 제1 전극(2290)의 일부들을 노출시키면서 상기 제3 절연층(2270) 상에 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(2310)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 화소 정의막(2310)에 의해 적어도 일부가 노출된 상기 제1 전극(2290) 상에 발광층(2330)이 위치할 수 있다.
상기 발광층(2330)은 적어도 일부가 노출된 상기 제1 전극(2290) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광층(2330)은 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 발광층(2330)은 상기 상이한 색광들을 방출시킬 수 있는 발광 물질들을 적층하여 백색광을 방출할 수 도 있다.
제2 전극(2340)은 상기 화소 정의막(2310) 및 상기 발광층(2330) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(2340)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에서 상기 화소 정의막(2310) 및 상기 발광층(2330)을 커버할 수 있으며 상기 제1 기판(2110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 상기 제2 전극(2340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
도 56을 참조하면, 제2 기판(2350) 상에 제1 감지 전극(2370)이 형성된다.
상기 제1 감지 전극(2370)은 상기 제2 기판(2350)의 상기 제1 기판(2110) 방향인 제1 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(2370)의 제1 면은 상기 제2 전극(2340)과 마주볼 수 있고, 상기 제1 감지 전극(2370)의 제2 면은 상기 제2 기판(2350)과 접촉될 수 있다. 제1 감지 전극(2370)은 상기 반사 영역(III) 및 상기 발광 영역(III)의 외곽에 배치될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제2 기판(2350)과 상기 제1 감지 전극(2370) 사이에 절연층이 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(2370)은 일정한반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(2370)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 제1 감지 전극(2370)는 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(2370)은 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx) 등을 포함할 수 있다.
상기 제2 기판(2350)은 실질적으로 상기 제1 기판(2110)과 동일한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 기판(2350)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 또는 불소가 도핑된 석영 기판, 소다 라임 기판, 무알칼리 기판 등을 포함할 수 있다.
도 57을 참조하면, 상기 제1 감지 전극(2370)이 형성된 상기 제2 기판(2350) 상에 제4 절연층(2385)이 형성된다.
상기 제4 절연층(2385)은 상기 제1 감지 전극(2370)의 산화를 방지할 수 있다. 상기 제4 절연층(2385)은 접착성 물질을 포함할 수 있다. 상기 제4 절연층(2385)은 상기 제1 감지 전극(2370) 및 제2 감지 전극(2390)이 상기 제2 기판(2350)으로부터 분리되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제4 절연층(2385)은 상기 제1 감지 전극(2370) 및 제2 감지 전극(2390) 사이를 절연시킬 수 있다.
도 58을 참조하면, 상기 제4 절연층(2385) 상에 제2 감지 전극(2390)이 형성된다.
상기 제2 감지 전극(2390)은 상기 발광 영역(II) 및 상기 반사 영역(III)에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(2390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 감지 전극(390)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 제2 감지 전극(2390)는 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 감지 전극(2390)은 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx) 등을 포함할 수 있다.
도 59는 도 50의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 60은 도 50의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 61은 도 59의 제1 감지 전극과 도 60의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 50, 도 59 내지 도 61을 참조하면, 제1 감지 전극(2370) 및 제2 감지 전극(2390)이 배치되는 상태가 도시된다.
상기 제1 감지 전극(2370)은 제2 방향(D2)으로 연장되는 복수의 패턴들로 형성될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(2370)은 반사 영역(III)에만 배치된다. 상기 제1 감지 전극(2370)은 제1 연결 라인(2375)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(2375)은 상기 제1 감지 전극(2370)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 라인(2375)은 상기 제1 감지 전극(2370)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(2390)은 상기 제2 방향(D2)과 교차하는 제1 방향(D1)으로 연장되는 복수의 패턴들로 형성될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(2390)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(2390)은 제2 연결 라인(2395)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제2 연결 라인(2395)은 상기 제2 감지 전극(2390)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 연결 라인(2395)은 상기 제2 감지 전극(2390)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(2370)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(2390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(2370)과 상기 제2 감지 전극(2390)은 부분적으로 중첩할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(2370)은 상기 제2 기판(2350)의 상기 제1 기판(2110) 방향인 제1 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(2370) 상에는 제4 절연층(2385)이 형성된다. 상기 제2 감지 전극(2390)은 상기 제2 기판(2350)의 상기 제4 절연층(2385) 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 감지 전극(2370) 및 상기 제2 감지 전극(2390)은 각각 상호 정전방식(Mutual Capacitance)의 터치 스크린 패널의 센싱 라인 및 구동 라인으로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 외부 도전체가 터치되면, 터치된 위치에 상응하는 상기 제1 감지 전극(2370)과 상기 제2 감지 전극(2390)의 교차점 근처의 정전 용량이 변하게 되며, 터치 패널 센서(미도시)는 상기 정전 용량의 변화에 상응하는 정전 용량 센싱 신호에 기초하여 외부 도전체가 터치된 위치를 판단할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(2370) 및 상기 제2 감지 전극(2390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(2370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(2390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(2390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
도 62는 도 50의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 63는 도 50의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 64는 도 62의 제1 감지 전극과 도 63의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 50, 도 62 내지 도 64를 참조하면, 제1 감지 전극(2370) 및 제2 감지 전극(2390)이 배치되는 상태가 도시된다.
상기 제1 감지 전극(2370)은 제2 방향(D2)으로 연장되는 복수의 제1감지 패턴들(2371) 및 제1 감지 패턴들(2371) 사이에 일정한 수로 배치되는 제1 더미 패턴들(2373)을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(2370)은 반사 영역(III)에만 배치된다. 상기 제1 더미 패턴들(2373)의 수에 따라 상기 복수의 제1 감지 패턴들(2371)의 간격이 조절될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(2370)은 제1 연결 라인(2375)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(2375)은 상기 제1 감지 전극(2370)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 라인(2375)은 상기 제1 감지 전극(2370)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(2390)은 상기 제2 방향(D2)과 교차하는 제1 방향(D1)으로 연장되는 복수의 제2 감지 패턴들(2391) 및 제2 감지 패턴들(2391) 사이에 일정한 수로 배치되는 제2 더미 패턴들(2393)을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(2390)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에 배치된다. 상기 제2 더미 패턴들(2393)의 수에 따라 상기 복수의 제2 감지 패턴들(2391)의 간격이 조절될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(2390)은 제2 연결 라인(2395)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제2 연결 라인(2395)은 상기 제2 감지 전극(2390)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 연결 라인(2395)은 상기 제2 감지 전극(2390)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(2370)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(2390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(2370)과 상기 제2 감지 전극(2390)은 부분적으로 중첩할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(2370)은 상기 제2 기판(2350)의 상기 제1 기판(2110) 방향인 제1 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(2370) 상에는 제4 절연층(2385)이 형성된다. 상기 제2 감지 전극(390)은 상기 제2 기판(2350)의 상기 제4 절연층(2385) 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 감지 전극(2370) 및 상기 제2 감지 전극(2390)은 각각 상호 정전방식(Mutual Capacitance)의 터치 스크린 패널의 센싱 라인 및 구동 라인으로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 외부 도전체가 터치되면, 터치된 위치에 상응하는 상기 제1 감지 전극(2370)과 상기 제2 감지 전극(2390)의 교차점 근처의 정전 용량이 변하게 되며, 터치 패널 센서(미도시)는 상기 정전 용량의 변화에 상응하는 정전 용량 센싱 신호에 기초하여 외부 도전체가 터치된 위치를 판단할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(2370) 및 상기 제2 감지 전극(2390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(2370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(2390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(2390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
도 65은 도 50의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 66은 도 50의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 67은 도 65의 제1 감지 전극과 도 66의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 50, 도 65 내지 도 67을 참조하면, 제1 감지 전극(2370) 및 제2 감지 전극(2390)이 배치되는 상태가 도시된다.
상기 제1 감지 전극(2370)은 제2 방향(D2)으로 연장되는 복수의 패턴들로 형성될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(2370)은 메쉬 형상으로 형성될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(2370)은 반사 영역(III)에만 배치된다. 상기 제1 감지 전극(2370)은 제1 연결 라인(2375)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(2375)은 상기 제1 감지 전극(2370)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 라인(2375)은 상기 제1 감지 전극(2370)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(2390)은 상기 제2 방향(D2)과 교차하는 제1 방향(D1)으로 연장되는 복수의 패턴들로 형성될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(2390)의 제2 방향(D2)의 폭은 상기 제1 감지 전극(2370)의 제1 방향(D1)의 폭과 동일하게 형성될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(2390)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(2390)은 제2 연결 라인(2395)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제2 연결 라인(2395)은 상기 제2 감지 전극(2390)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 연결 라인(2395)은 상기 제2 감지 전극(2390)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(2370)은 상기 제2 기판(2350)의 상기 제1 기판(2110) 방향인 제1 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(2370) 상에는 제4 절연층(2385)이 형성된다. 상기 제2 감지 전극(390)은 상기 제2 기판(2350)의 상기 제4 절연층(2385) 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 감지 전극(2370) 및 상기 제2 감지 전극(2390)은 각각 상호 정전방식(Mutual Capacitance)의 터치 스크린 패널의 센싱 라인 및 구동 라인으로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 외부 도전체가 터치되면, 터치된 위치에 상응하는 상기 제1 감지 전극(2370)과 상기 제2 감지 전극(2390)의 교차점 근처의 정전 용량이 변하게 되며, 터치 패널 센서(미도시)는 상기 정전 용량의 변화에 상응하는 정전 용량 센싱 신호에 기초하여 외부 도전체가 터치된 위치를 판단할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(370) 및 상기 제2 감지 전극(390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
도 68은 도 50의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 69는 도 68의 G 부분을 확대한 평면도이다. 도 70은 도 50의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 71은 도 70의 H 부분을 확대한 평면도이다. 도 72는 도 68의 제1 감지 전극과 도 70의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다. 도 73은 도 72의 I 부분을 확대한 평면도이다.
도 50, 도 68 내지 도 73을 참조하면, 제1 감지 전극(2370) 및 제2 감지 전극(2390)이 배치되는 상태가 도시된다.
상기 제1 감지 전극(2370)은 마름모 형상의 패턴들이 제1 방향(D1)으로 연속적으로 연결되는 형상을 갖는 제1 감지 패턴들(2371) 및 상기 제1 감지 패턴들(2371) 사이에 이격되어 배치되며 마름모형상을 갖는 제1 더미 패턴들(2373)을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(2370)은 반사 영역(III)에만 배치된다. 상기 제1 감지 패턴들(2371)은 제1 연결 라인(2375)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(2375)은 상기 제1 감지 전극(2370)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 라인(2375)은 상기 제1 감지 전극(2370)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(2390)은 마름모 형상의 패턴들이 상기 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연속적으로 연결되는 형상을 갖는 제2 감지 패턴들(2391) 및 상기 제2 감지 패턴들(2391) 사이에 이격되어 배치되며 마름모 형상을 갖는 제2 더미 패턴들(2393)을 포함한다. 상기 제2 감지 전극(2390)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(2390)은 제2 연결 라인(2395)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제2 연결 라인(2395)은 상기 제2 감지 전극(2390)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 연결 라인(2395)은 상기 제2 감지 전극(2390)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(2370)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(2390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(2370)과 상기 제2 감지 전극(2390)은 서로 중첩할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(2370)은 상기 제2 기판(2350)의 상기 제1 기판(2110) 방향인 제1 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(2370) 상에는 제4 절연층(2385)이 형성된다. 상기 제2 감지 전극(390)은 상기 제2 기판(2350)의 상기 제4 절연층(2385) 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 감지 전극(2370) 및 상기 제2 감지 전극(2390)은 각각 상호 정전방식(Mutual Capacitance)의 터치 스크린 패널의 센싱 라인 및 구동 라인으로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 외부 도전체가 터치되면, 터치된 위치에 상응하는 상기 제1 감지 전극(2370)과 상기 제2 감지 전극(2390)의 교차점 근처의 정전 용량이 변하게 되며, 터치 패널 센서(미도시)는 상기 정전 용량의 변화에 상응하는 정전 용량 센싱 신호에 기초하여 외부 도전체가 터치된 위치를 판단할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(2370) 및 상기 제2 감지 전극(2390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(2370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(2390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(2390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
도 74는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 개략적인 평면도이다. 도 75는 도 74의 VI-VI'라인을 따라 절단한 단면도이다.
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 감지 전극(3370), 제4 절연층(3385) 및 제2 감지 전극(3390)을 제외하고는 도 1 및 도 2의 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 1 및 도 2의 유기 발광 표시 장치와 동일한 구성요소는 동일한 도면 부호를 부여하고, 반복되는 설명은 생략한다.
도 74 및 도 75를 참조하면, 상기 제2 감지 전극(3390)은 상기 제2 기판(3350)에 배치될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(3390)은 상기 발광 영역(II) 및 상기 반사 영역(III)에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(3390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 감지 전극(3390)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 제2 감지 전극(3390)는 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 감지 전극(3390)은 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx) 등을 포함할 수 있다.
제2 기판(3350)은 실질적으로 상기 제1 기판(3110)과 동일한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 기판(3350)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 또는 불소가 도핑된 석영 기판, 소다 라임 기판, 무알칼리 기판 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 기판(3350)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 기판(3350)은 연성을 갖는 투명 수지 기판을 포함할 수도 있다. 이 경우, 유기 발광 표시 장치(3100)의 가요성을 향상시키기 위하여 적어도 하나의 유기층 및 적어도 하나의 무기층이 교대로 적층되는 구조를 가질 수 있다.
상기 제2 감지 전극(3390)상에는 제4 절연층(3385)이 형성된다. 상기 제4 절연층(3385)은 접착성 물질을 포함할 수 있다.
상기 제4 절연층(3385) 상에는 상기 제1 감지 전극(3390)이 배치될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(3370)은 상기 반사 영역(III) 및 상기 발광 영역(III)의 외곽에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(3370)은 일정한반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(2370)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 제1 감지 전극(3370)는 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(3370)은 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx) 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(3370) 및 상기 제2 감지 전극(3390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(3370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(3390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(3390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
도 76 내지 도 83은 도 75의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 76을 참조하면, 상기 제1 기판(3110) 상에 버퍼층(3115)이 형성된다. 이후, 상기 버퍼층(3115) 상에 액티브 패턴(3130) 및 제1 절연층(3150)이 형성된다.
상기 1 기판(3110)은 석영, 합성 석영, 불화칼슘, 불소가 도핑된 석영, 소다라임 유리, 무알칼리 유리 등을 사용하여 형성될 수 있다.
제1 기판(3110)은 투명한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 제1 기판(110)은 석영, 합성 석영(synthetic quartz), 불화칼슘(calcium fluoride), 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz), 소다라임(sodalime) 유리, 무알칼리(non-alkali) 유리 등을 포함할 수 있다. 선택적으로는, 제1 기판(3110)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수 있다. 제1 기판(3110)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등으로 구성될 수 있다. 상기 폴리이미드 기판이 얇고 연성을 갖는 경우, 발광 구조물의 형성을 지원하기 위해 단단한 유리 상에 형성될 수 있다. 즉, 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 기판(3110)은 유리 기판 상에 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층 및 제2 폴리이미드층이 적층된 구성을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 폴리이미드층 상에 절연층을 배치한 후, 상기 절연층 상에 발광 구조물(예를 들면, 반도체 소자(3250), 커패시터, 제1 전극(3290), 발광층(3330), 제2 전극(3340) 등)을 형성할 수 있다.
이러한 발광 구조물의 형성 후, 상기 유리 기판은 제거될 수 있다. 상기 폴리이미드 기판은 얇고 플렉서블하기 때문에, 상기 폴리이미드 기판 상에 상기 발광 구조물을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 경질의 유리 기판을 이용하여 상기 발광 구조물을 형성한 다음, 상기 유리 기판을 제거함으로써, 상기 폴리이미드 기판을 제1 기판(3110)으로 이용할 수 있다. 유기 발광 표시 장치(3100)가 상기 발광 영역(II) 및 상기 반사 영역(III)을 구비함에 따라, 제1 기판(3110)도 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)으로 구분될 수 있다.
상기 제1 기판(3110) 상에는 버퍼층(3115)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층(3115)은 발광 영역(II)으로부터 반사 영역(III)으로의 방향인 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 상기 버퍼층(3115)은 상기 제1 기판(3110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산(즉, 아웃 개싱)되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브 패턴(3130)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브 패턴(3130)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(3115)은 상기 제1 기판(3110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 상기 제1 기판(3110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 상기 제1 기판(3110)의 유형에 따라 상기 제1 기판(3110) 상에 두 개 이상의 버퍼층이 제공될 수 있거나 상기 버퍼층이 배치되지 않을 수 있다.
상기 액티브 패턴(3130)은 상기 제1 기판(3110) 상에 배치될 수 있고, 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들면, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon)) 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다.
상기 액티브 패턴(3130) 상에는 제1 절연층(3150)이 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(3150)은 발광 영역(II)에서 상기 액티브 패턴(3130)을 커버할 수 있으며, 상기 제1 기판(3110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 즉, 상기 제1 절연층(3150)은 상기 제1 기판(3110) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(3150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
도 77을 참조하면, 상기 제1 절연층(3150)이 형성된 상기 제1 기판(3110) 상에 게이트 전극(3170) 및 제2 절연층(3190)이 형성된다.
상기 게이트 전극(3170)은 상기 제1 절연층(3150) 중에서 하부에 상기 액티브 패턴(3130)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 상기 게이트 전극(3170)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다.
상기 게이트 전극(3170) 상에는 제2 절연층(3190)이 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(3190)은 발광 영역(II)에서 상기 게이트 전극(3170)을 커버할 수 있으며, 상기 제1 기판(3110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 즉, 상기 제2 절연층(190)은 상기 제1 기판(110) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(3190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
도 78을 참조하면, 상기 제2 절연층(3190)이 형성된 상기 제1 기판(3110) 상에 소스 전극(3210) 및 드레인 전극(3230)이 형성된다.
상기 소스 전극(3210) 및 상기 드레인 전극(3230)은 상기 제1 절연층(3150) 및 상기 제2 절연층(3190)의 일부를 관통하여 상기 액티브 패턴(3130)의 일측 및 타측에 각각 접속될 수 있다. 상기 소스 전극(3210) 및 상기 드레인 전극(3230)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
본 실시예에서는 상기 액티브 패턴(3130) 상부에 상기 게이트 전극(3170)이 형성되는 구조를 예를 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 게이트 전극 상부에 액티브 패턴이 형성되는 구조를 가질 수도 있다.
도 79를 참조하면, 상기 소스 전극(3210) 및 상기 드레인 전극(3230)이 형성된 상기 제1 기판(3110) 상에 제3 절연층(3270) 및 제1 전극(3290)이 형성된다.
상기 소스 전극(3210) 및 상기 드레인 전극(3230) 상에는 제3 절연층(3270)이 배치될 수 있다. 상기 제3 절연층(3270)은 발광 영역(II)에서 상기 소스 전극(3210) 및 상기 드레인 전극(3230)을 커버할 수 있으며 상기 제1 기판(3110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 즉, 상기 제3 절연층(3270)은 상기 제1 기판(3110) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 제3 절연층(3270)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(3290)은 상기 제3 절연층(3270) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(3290)은 상기 제3 절연층(3270)의 일부들을 관통하여 상기 드레인 전극(3230)에 접속될 수 있다. 또한, 상기 제1 전극(3290)은 상기 반도체 소자(3250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 전극(3290)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
도 80을 참조하면, 상기 제1 전극(3290)이 형성된 상기 제1 기판(3110) 상에 화소 정의막(3310), 발광층(3330) 및 제2 전극(3340)이 형성된다.
상기 화소 정의막(3310)은 상기 제1 전극(3290)의 일부들을 노출시키면서 상기 제3 절연층(3270) 상에 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(3310)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 화소 정의막(3310)에 의해 적어도 일부가 노출된 상기 제1 전극(3290) 상에 발광층(3330)이 위치할 수 있다.
상기 발광층(3330)은 적어도 일부가 노출된 상기 제1 전극(3290) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광층(3330)은 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 발광층(3330)은 상기 상이한 색광들을 방출시킬 수 있는 발광 물질들을 적층하여 백색광을 방출할 수 도 있다.
제2 전극(3340)은 상기 화소 정의막(3310) 및 상기 발광층(3330) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(3340)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에서 상기 화소 정의막(3310) 및 상기 발광층(3330)을 커버할 수 있으며 상기 제1 기판(3110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 상기 제2 전극(3340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
도 81을 참조하면, 제2 기판(3350) 상에 제2 감지 전극(3390)이 형성된다.
상기 제2 감지 전극(3390)은 상기 제2 기판(3350)의 상기 제1 기판(3110) 방향인 제1 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(3390)의 제1 면은 상기 제2 전극(2340)과 마주볼 수 있고, 상기 제1 감지 전극(2370)의 제2 면은 상기 제2 기판(3350)과 접촉될 수 있다. 제2 감지 전극(3390)은 상기 발광 영역(II) 및 상기 반사 영역(III)에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(3390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 감지 전극(3390)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 제2 감지 전극(3390)는 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 감지 전극(3390)은 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx) 등을 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제2 기판(3350)과 상기 제1 감지 전극(3370) 사이에 절연층이 배치될 수 있다.
상기 제2 기판(3350)은 실질적으로 상기 제1 기판(3110)과 동일한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 기판(3350)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 또는 불소가 도핑된 석영 기판, 소다 라임 기판, 무알칼리 기판 등을 포함할 수 있다.
도 82를 참조하면, 상기 제2 감지 전극(3390)이 형성된 상기 제2 기판(3350) 상에 제4 절연층(3385)이 형성된다.
상기 제4 절연층(3385)은 상기 제2 감지 전극(3390)의 산화를 방지할 수 있다. 상기 제4 절연층(3385)은 접착성 물질을 포함할 수 있다. 상기 제4 절연층(3385)은 제1 감지 전극(3370) 및 제2 감지 전극(3390)이 상기 제2 기판(3350)으로부터 분리되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제4 절연층(3385)은 상기 제1 감지 전극(3370) 및 상기 제2 감지 전극(3390) 사이를 절연시킬 수 있다.
도 83을 참조하면, 상기 제4 절연층(3385) 상에 제1 감지 전극(3370)이 형성된다.
상기 제1 감지 전극(3370)은 상기 반사 영역(III) 및 상기 발광 영역(III)의 외곽에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(3370)은 일정한반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(3370)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 제1 감지 전극(3370)는 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(3370)은 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx) 등을 포함할 수 있다.
도 84는 도 75의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 85은 도 75의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 86은 도 84의 제1 감지 전극과 도 85의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 75, 도 84 내지 도 86을 참조하면, 제1 감지 전극(3370) 및 제2 감지 전극(3390)이 배치되는 상태가 도시된다.
상기 제1 감지 전극(3370)은 제2 방향(D2)으로 연장되는 복수의 패턴들로 형성될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(3370)은 반사 영역(III)에만 배치된다. 상기 제1 감지 전극(3370)은 제1 연결 라인(3375)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(3375)은 상기 제1 감지 전극(3370)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 라인(3375)은 상기 제1 감지 전극(3370)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(3390)은 상기 제2 방향(D2)과 교차하는 제1 방향(D1)으로 연장되는 복수의 패턴들로 형성될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(3390)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(3390)은 제2 연결 라인(395)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제2 연결 라인(3395)은 상기 제2 감지 전극(3390)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 연결 라인(3395)은 상기 제2 감지 전극(3390)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(3370)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(3390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(3370)과 상기 제2 감지 전극(3390)은 부분적으로 중첩할 수 있다.
상기 제2 감지 전극(3390)은 상기 제2 기판(3350)의 상기 제1 기판(3110) 방향인 제1 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(3390) 상에는 제4 절연층(3385)이 형성된다. 상기 제1 감지 전극(3370)은 상기 제2 기판(3350)의 상기 제4 절연층(3385) 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 감지 전극(3370) 및 상기 제2 감지 전극(3390)은 각각 상호 정전방식(Mutual Capacitance)의 터치 스크린 패널의 센싱 라인 및 구동 라인으로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 외부 도전체가 터치되면, 터치된 위치에 상응하는 상기 제1 감지 전극(3370)과 상기 제2 감지 전극(3390)의 교차점 근처의 정전 용량이 변하게 되며, 터치 패널 센서(미도시)는 상기 정전 용량의 변화에 상응하는 정전 용량 센싱 신호에 기초하여 외부 도전체가 터치된 위치를 판단할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(3370) 및 상기 제2 감지 전극(3390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(3370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(3390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(3390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
도 87은 도 75의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 88은 도 75의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 89는 도 87의 제1 감지 전극과 도 88의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 75, 도 87 내지 도 89를 참조하면, 제1 감지 전극(3370) 및 제2 감지 전극(3390)이 배치되는 상태가 도시된다.
상기 제1 감지 전극(3370)은 제2 방향(D2)으로 연장되는 복수의 제1감지 패턴들(3371) 및 제1 감지 패턴들(3371) 사이에 일정한 수로 배치되는 제1 더미 패턴들(3373)을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(3370)은 반사 영역(III)에만 배치된다. 상기 제1 더미 패턴들(3373)의 수에 따라 상기 복수의 제1 감지 패턴들(3371)의 간격이 조절될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(3370)은 제1 연결 라인(3375)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(3375)은 상기 제1 감지 전극(3370)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 라인(3375)은 상기 제1 감지 전극(3370)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(3390)은 상기 제2 방향(D2)과 교차하는 제1 방향(D1)으로 연장되는 복수의 제2 감지 패턴들(3391) 및 제2 감지 패턴들(3391) 사이에 일정한 수로 배치되는 제2 더미 패턴들(3393)을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(3390)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에 배치된다. 상기 제2 더미 패턴들(3393)의 수에 따라 상기 복수의 제2 감지 패턴들(3391)의 간격이 조절될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(3390)은 제2 연결 라인(3395)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제2 연결 라인(3395)은 상기 제2 감지 전극(3390)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 연결 라인(3395)은 상기 제2 감지 전극(3390)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(3370)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(3390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(3370)과 상기 제2 감지 전극(3390)은 부분적으로 중첩할 수 있다.
상기 제2 감지 전극(3390)은 상기 제2 기판(3350)의 상기 제1 기판(3110) 방향인 제1 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(3390) 상에는 제4 절연층(3385)이 형성된다. 상기 제1 감지 전극(3370)은 상기 제2 기판(3350)의 상기 제4 절연층(3385) 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 감지 전극(3370) 및 상기 제2 감지 전극(3390)은 각각 상호 정전방식(Mutual Capacitance)의 터치 스크린 패널의 센싱 라인 및 구동 라인으로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 외부 도전체가 터치되면, 터치된 위치에 상응하는 상기 제1 감지 전극(3370)과 상기 제2 감지 전극(3390)의 교차점 근처의 정전 용량이 변하게 되며, 터치 패널 센서(미도시)는 상기 정전 용량의 변화에 상응하는 정전 용량 센싱 신호에 기초하여 외부 도전체가 터치된 위치를 판단할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(3370) 및 상기 제2 감지 전극(3390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(3370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(3390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(3390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
도 90은 도 75의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 91은 도 75의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 92는 도 90의 제1 감지 전극과 도 91의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 75, 도 90 내지 도 92를 참조하면, 제1 감지 전극(3370) 및 제2 감지 전극(3390)이 배치되는 상태가 도시된다.
상기 제1 감지 전극(3370)은 제2 방향(D2)으로 연장되는 복수의 패턴들로 형성될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(3370)은 메쉬 형상으로 형성될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(3370)은 반사 영역(III)에만 배치된다. 상기 제1 감지 전극(3370)은 제1 연결 라인(3375)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(3375)은 상기 제1 감지 전극(3370)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 라인(3375)은 상기 제1 감지 전극(3370)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(3390)은 상기 제2 방향(D2)과 교차하는 제1 방향(D1)으로 연장되는 복수의 패턴들로 형성될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(3390)의 제2 방향(D2)의 폭은 상기 제1 감지 전극(3370)의 제1 방향(D1)의 폭과 동일하게 형성될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(3390)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(3390)은 제2 연결 라인(3395)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제2 연결 라인(3395)은 상기 제2 감지 전극(3390)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 연결 라인(3395)은 상기 제2 감지 전극(3390)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(3370)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(3390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(3370)과 상기 제2 감지 전극(3390)은 부분적으로 중첩할 수 있다.
상기 제2 감지 전극(3390)은 상기 제2 기판(3350)의 상기 제1 기판(3110) 방향인 제1 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(3390) 상에는 제4 절연층(3385)이 형성된다. 상기 제1 감지 전극(3370)은 상기 제2 기판(3350)의 상기 제4 절연층(3385) 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 감지 전극(3370) 및 상기 제2 감지 전극(3390)은 각각 상호 정전방식(Mutual Capacitance)의 터치 스크린 패널의 센싱 라인 및 구동 라인으로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 외부 도전체가 터치되면, 터치된 위치에 상응하는 상기 제1 감지 전극(3370)과 상기 제2 감지 전극(3390)의 교차점 근처의 정전 용량이 변하게 되며, 터치 패널 센서(미도시)는 상기 정전 용량의 변화에 상응하는 정전 용량 센싱 신호에 기초하여 외부 도전체가 터치된 위치를 판단할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(3370) 및 상기 제2 감지 전극(3390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(3370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(3390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(3390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
도 93은 도 75의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 94은 도 93의 J 부분을 확대한 평면도이다. 도 95는 도 75의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 96은 도 95의 K 부분을 확대한 평면도이다. 도 97은 도 93의 제1 감지 전극과 도 95의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다. 도 98은 97의 L 부분을 확대한 평면도이다.
도 75, 도 93 내지 도 98을 참조하면, 제1 감지 전극(3370) 및 제2 감지 전극(3390)이 배치되는 상태가 도시된다.
상기 제1 감지 전극(3370)은 마름모 형상의 패턴들이 제1 방향(D1)으로 연속적으로 연결되는 형상을 갖는 제1 감지 패턴들(3371) 및 상기 제1 감지 패턴들(3371) 사이에 이격되어 배치되며 마름모 형상을 갖는 제1 더미 패턴들(3373)을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(3370)은 반사 영역(III)에만 배치된다. 상기 제1 감지 패턴들(3371)은 제1 연결 라인(3375)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(3375)은 상기 제1 감지 전극(3370)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 라인(3375)은 상기 제1 감지 전극(3370)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(3390)은 마름모 형상의 패턴들이 상기 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연속적으로 연결되는 형상을 갖는 제2 감지 패턴들(3391) 및 상기 제2 감지 패턴들(3391) 사이에 이격되어 배치되며 마름모 형상을 갖는 제2 더미 패턴들(3393)을 포함한다. 상기 제2 감지 전극(3390)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(3390)은 제2 연결 라인(3395)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제2 연결 라인(3395)은 상기 제2 감지 전극(3390)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 연결 라인(3395)은 상기 제2 감지 전극(3390)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(3370)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(3390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(3370)과 상기 제2 감지 전극(3390)은 서로 중첩할 수 있다.
상기 제2 감지 전극(3390)은 상기 제2 기판(3350)의 상기 제1 기판(3110) 방향인 제1 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(3390) 상에는 제4 절연층(3385)이 형성된다. 상기 제1 감지 전극(3370)은 상기 제2 기판(3350)의 상기 제4 절연층(3385) 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 감지 전극(3370) 및 상기 제2 감지 전극(3390)은 각각 상호 정전방식(Mutual Capacitance)의 터치 스크린 패널의 센싱 라인 및 구동 라인으로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 외부 도전체가 터치되면, 터치된 위치에 상응하는 상기 제1 감지 전극(3370)과 상기 제2 감지 전극(3390)의 교차점 근처의 정전 용량이 변하게 되며, 터치 패널 센서(미도시)는 상기 정전 용량의 변화에 상응하는 정전 용량 센싱 신호에 기초하여 외부 도전체가 터치된 위치를 판단할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(3370) 및 상기 제2 감지 전극(3390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(3370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(3390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(3390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
도 99는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 개략적인 평면도이다. 도 100은 도 99의 VII-VII'라인을 따라 절단한 단면도이다.
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 감지 전극(4370), 박막 봉지층(4410), 제4 절연층(4420) 및 제2 감지 전극(4390)을 제외하고는 도 1 및 도 2의 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 1 및 도 2의 유기 발광 표시 장치와 동일한 구성요소는 동일한 도면 부호를 부여하고, 반복되는 설명은 생략한다.
도 99 및 도 100을 참조하면, 제2 전극(4340) 상에는 박막 봉지층(4410)이 형성된다. 상기 박막 봉지층(4410)은 제1 무기층, 유기층 및 제2 무기층을 순차적으로 적층하여 형성할 수 있다.
구체적으로, 유기층은 고분자로 형성되며, 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 더욱 바람직하게는, 유기층은 폴리아크릴레이트로 형성될 수 있으며, 구체적으로는 디아크릴레이트계모노머와 트리아크릴레이트계 모노머를 포함하는 모노머 조성물이 고분자화된 것을 포함한다. 상기 모노머 조성물에 모노아크릴레이트계 모노머가 더 포함될 수 있다. 또한, 상기 모노머 조성물에 TPO와 같은 공지의 광개시제가 더욱 포함될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
제 1 무기층 및 제 2 무기층은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 구체적으로, 제 1 무기층 및 제 2 무기층은 SiNx, Al2O3, SiO2, TiO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 이때, 제 2 무기층은 발광구조물에 대한 투습을 방지하도록 형성될 수 있다.
그러나 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 본발명의 일 실시예에 따른 박막 봉지층(4410)은 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층, 제2 유기층 및 제3 무기층을 순차적으로 적층하여 형성할 수 있다.
상기 박막 봉지층(4410) 상에는 제2 감지 전극(4390)이 형성된다. 상기 제2 감지 전극(4390)은 상기 발광 영역(II) 및 상기 반사 영역(III)에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(4390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 감지 전극(4390)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 제2 감지 전극(4390)는 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 감지 전극(4390)은 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx) 등을 포함할 수 있다.
상기 제2 감지 전극(4390)상에는 제4 절연층(4420)이 형성된다. 상기 제4 절연층(4420)은 접착성 물질을 포함할 수 있다.
상기 제4 절연층(4420) 상에는 제1 감지 전극(4370)이 배치될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(4370)은 상기 반사 영역(III) 및 상기 발광 영역(III)의 외곽에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(4370)은 일정한반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(4370)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 제1 감지 전극(4370)는 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(4370)은 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx) 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(4370) 상에는 제5 절연층(4395)이 배치될 수 있다. 상기 제5 절연층(4395)는 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
본 실시예에서는 박막 봉지층(4410) 상에 제2 감지 전극(4390)이 배치되고, 상기 제2 감지 전극(4390) 상에 제4 절연층(4420)이 배치되며, 제4 절연층(4420) 상에 제1 감지 전극(4370)이 배치되는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 박막 봉지층(4410) 상에 제1 감지 전극(4370)이 배치되고, 상기 제1 감지 전극(4370) 상에 제4 절연층(4420)이 배치되며, 제4 절연층(4420) 상에 제2 감지 전극(4390)이 배치될 수도 있다.
도 101 내지 도 108은 도 100의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 101을 참조하면, 상기 제1 기판(4110) 상에 버퍼층(4115)이 형성된다. 이후, 상기 버퍼층(4115) 상에 액티브 패턴(4130) 및 제1 절연층(4150)이 형성된다.
상기 1 기판(4110)은 석영, 합성 석영, 불화칼슘, 불소가 도핑된 석영, 소다라임 유리, 무알칼리 유리 등을 사용하여 형성될 수 있다.
제1 기판(4110)은 투명한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 제1 기판(4110)은 석영, 합성 석영(synthetic quartz), 불화칼슘(calcium fluoride), 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz), 소다라임(sodalime) 유리, 무알칼리(non-alkali) 유리 등을 포함할 수 있다. 선택적으로는, 제1 기판(4110)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수 있다. 제1 기판(4110)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등으로 구성될 수 있다. 상기 폴리이미드 기판이 얇고 연성을 갖는 경우, 발광 구조물의 형성을 지원하기 위해 단단한 유리 상에 형성될 수 있다. 즉, 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 기판(4110)은 유리 기판 상에 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층 및 제2 폴리이미드층이 적층된 구성을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 폴리이미드층 상에 절연층을 배치한 후, 상기 절연층 상에 발광 구조물(예를 들면, 반도체 소자(4250), 커패시터, 제1 전극(4290), 발광층(4330), 제2 전극(4340) 등)을 형성할 수 있다.
이러한 발광 구조물의 형성 후, 상기 유리 기판은 제거될 수 있다. 상기 폴리이미드 기판은 얇고 플렉서블하기 때문에, 상기 폴리이미드 기판 상에 상기 발광 구조물을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 경질의 유리 기판을 이용하여 상기 발광 구조물을 형성한 다음, 상기 유리 기판을 제거함으로써, 상기 폴리이미드 기판을 제1 기판(4110)으로 이용할 수 있다. 유기 발광 표시 장치(4100)가 상기 발광 영역(II) 및 상기 반사 영역(III)을 구비함에 따라, 제1 기판(110)도 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)으로 구분될 수 있다.
상기 제1 기판(4110) 상에는 버퍼층(4115)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층(4115)은 발광 영역(II)으로부터 반사 영역(III)으로의 방향인 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 상기 버퍼층(4115)은 상기 제1 기판(4110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산(즉, 아웃 개싱)되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브 패턴(4130)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브 패턴(4130)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(4115)은 상기 제1 기판(4110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 상기 제1 기판(4110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 상기 제1 기판(4110)의 유형에 따라 상기 제1 기판(4110) 상에 두 개 이상의 버퍼층이 제공될 수 있거나 상기 버퍼층이 배치되지 않을 수 있다.
상기 액티브 패턴(4130)은 상기 제1 기판(4110) 상에 배치될 수 있고, 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들면, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon)) 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다.
상기 액티브 패턴(4130) 상에는 제1 절연층(150)이 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(4150)은 발광 영역(II)에서 상기 액티브 패턴(4130)을 커버할 수 있으며, 상기 제1 기판(4110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 즉, 상기 제1 절연층(4150)은 상기 제1 기판(4110) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(4150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
도 102를 참조하면, 상기 제1 절연층(4150)이 형성된 상기 제1 기판(4110) 상에 게이트 전극(4170) 및 제2 절연층(4190)이 형성된다.
상기 게이트 전극(4170)은 상기 제1 절연층(4150) 중에서 하부에 상기 액티브 패턴(4130)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 상기 게이트 전극(4170)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다.
상기 게이트 전극(4170) 상에는 제2 절연층(4190)이 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(4190)은 발광 영역(II)에서 상기 게이트 전극(4170)을 커버할 수 있으며, 상기 제1 기판(4110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 즉, 상기 제2 절연층(4190)은 상기 제1 기판(4110) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(4190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
도 103을 참조하면, 상기 제2 절연층(4190)이 형성된 상기 제1 기판(4110) 상에 소스 전극(4210) 및 드레인 전극(4230)이 형성된다.
상기 소스 전극(4210) 및 상기 드레인 전극(4230)은 상기 제1 절연층(4150) 및 상기 제2 절연층(4190)의 일부를 관통하여 상기 액티브 패턴(4130)의 일측 및 타측에 각각 접속될 수 있다. 상기 소스 전극(4210) 및 상기 드레인 전극(4230)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
본 실시예에서는 상기 액티브 패턴(4130) 상부에 상기 게이트 전극(4170)이 형성되는 구조를 예를 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 게이트 전극 상부에 액티브 패턴이 형성되는 구조를 가질 수도 있다.
도 104를 참조하면, 상기 소스 전극(4210) 및 상기 드레인 전극(4230)이 형성된 상기 제1 기판(4110) 상에 제3 절연층(4270) 및 제1 전극(4290)이 형성된다.
상기 소스 전극(4210) 및 상기 드레인 전극(4230) 상에는 제3 절연층(4270)이 배치될 수 있다. 상기 제3 절연층(4270)은 발광 영역(II)에서 상기 소스 전극(4210) 및 상기 드레인 전극(230)을 커버할 수 있으며 상기 제1 기판(4110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 즉, 상기 제3 절연층(4270)은 상기 제1 기판(4110) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 제3 절연층(4270)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(4290)은 상기 제3 절연층(4270) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(4290)은 상기 제3 절연층(4270)의 일부들을 관통하여 상기 드레인 전극(4230)에 접속될 수 있다. 또한, 상기 제1 전극(4290)은 상기 반도체 소자(4250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 전극(4290)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
도 105를 참조하면, 상기 제1 전극(4290)이 형성된 상기 제1 기판(4110) 상에 화소 정의막(4310), 발광층(4330) 및 제2 전극(4340)이 형성된다.
상기 화소 정의막(4310)은 상기 제1 전극(4290)의 일부들을 노출시키면서 상기 제3 절연층(4270) 상에 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(4310)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 화소 정의막(4310)에 의해 적어도 일부가 노출된 상기 제1 전극(4290) 상에 발광층(4330)이 위치할 수 있다.
상기 발광층(4330)은 적어도 일부가 노출된 상기 제1 전극(4290) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광층(4330)은 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 발광층(4330)은 상기 상이한 색광들을 방출시킬 수 있는 발광 물질들을 적층하여 백색광을 방출할 수 도 있다.
제2 전극(4340)은 상기 화소 정의막(4310) 및 상기 발광층(4330) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(4340)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에서 상기 화소 정의막(4310) 및 상기 발광층(4330)을 커버할 수 있으며 상기 제1 기판(4110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 상기 제2 전극(4340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
도 106을 참조하면, 상기 제2 전극(4340)이 형성된 상기 제1 기판(4110) 상에 박막 봉지층(4410)이 형성된다.
상기 박막 봉지층(4410)은 제1 무기층, 유기층 및 제2 무기층을 순차적으로 적층하여 형성할 수 있다.
구체적으로, 유기층은 고분자로 형성되며, 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 더욱 바람직하게는, 유기층은 폴리아크릴레이트로 형성될 수 있으며, 구체적으로는 디아크릴레이트계모노머와 트리아크릴레이트계 모노머를 포함하는 모노머 조성물이 고분자화된 것을 포함한다. 상기 모노머 조성물에 모노아크릴레이트계 모노머가 더 포함될 수 있다. 또한, 상기 모노머 조성물에 TPO와 같은 공지의 광개시제가 더욱 포함될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
제 1 무기층 및 제 2 무기층은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 구체적으로, 제 1 무기층 및 제 2 무기층은 SiNx, Al2O3, SiO2, TiO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 이때, 제 2 무기층은 발광구조물에 대한 투습을 방지하도록 형성될 수 있다.
도 107을 참조하면, 상기 박막 봉지층(4410)이 형성된 상기 제1 기판(4110) 상에 제2 감지 전극(4390)이 형성된다.
상기 제2 감지 전극(4390)은 상기 발광 영역(II) 및 상기 반사 영역(III)에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(4390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 감지 전극(4390)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 제2 감지 전극(4390)는 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 감지 전극(4390)은 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx) 등을 포함할 수 있다.
도 108을 참조하면, 상기 제2 감지 전극(4390)이 형성된 상기 제1 기판(4110) 상에 제4 절연층(4420)이 형성된다.
상기 제2 감지 전극(4390)상에는 제4 절연층(4420)이 형성된다. 상기 제4 절연층(4420)은 상기 제2 감지 전극(4390)의 산화를 방지할 수 있다. 상기 제4 절연층(4420)은 접착성 물질을 포함할 수 있다. 상기 제4 절연층(4420)은 상기 제1 감지 전극(4370) 및 제2 감지 전극(4390) 사이를 절연시킬 수 있다.
도 100을 참조하면, 상기 제4 절연층(4420)이 형성된 상기 제1 기판(4110) 상에 제1 감지 전극(4370)이 형성된다. 상기 제1 감지 전극(43700 사에는 제5 절연층(4395)이 형성된다.
상기 제1 감지 전극(4370)은 상기 반사 영역(III) 및 상기 발광 영역(III)의 외곽에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(4370)은 일정한반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(4370)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 제1 감지 전극(4370)는 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(4370)은 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx) 등을 포함할 수 있다.
도 109는 도 100의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 110은 도 100의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 111은 도 109의 제1 감지 전극과 도 110의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 100, 도 109 내지 도 111을 참조하면, 제1 감지 전극(4370) 및 제2 감지 전극(4390)이 배치되는 상태가 도시된다.
상기 제1 감지 전극(4370)은 제2 방향(D2)으로 연장되는 복수의 패턴들로 형성될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(4370)은 반사 영역(III)에만 배치된다. 상기 제1 감지 전극(4370)은 제1 연결 라인(4375)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(4375)은 상기 제1 감지 전극(4370)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 라인(4375)은 상기 제1 감지 전극(4370)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(4390)은 상기 제2 방향(D2)과 교차하는 제1 방향(D1)으로 연장되는 복수의 패턴들로 형성될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(4390)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(4390)은 제2 연결 라인(4395)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제2 연결 라인(4395)은 상기 제2 감지 전극(4390)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 연결 라인(4395)은 상기 제2 감지 전극(4390)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(4370) 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(4390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(4370)과 상기 제2 감지 전극(4390)은 부분적으로 중첩할 수 있다.
상기 제2 감지 전극(4390)은 박막 봉지층(4410)상에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(4390) 상에는 접착성 물질을 포함하는 제4 절연층(4420)이 형성된다. 상기 제1 감지 전극(4370)은 상기 제4 절연층(4420) 상에 배치된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 감지 전극(4370) 및 상기 제2 감지 전극(4390)은 각각 상호 정전방식(Mutual Capacitance)의 터치 스크린 패널의 센싱 라인 및 구동 라인으로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 외부 도전체가 터치되면, 터치된 위치에 상응하는 상기 제1 감지 전극(4370)과 상기 제2 감지 전극(4390)의 교차점 근처의 정전 용량이 변하게 되며, 터치 패널 센서(미도시)는 상기 정전 용량의 변화에 상응하는 정전 용량 센싱 신호에 기초하여 외부 도전체가 터치된 위치를 판단할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(4370) 및 상기 제2 감지 전극(4390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(4370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(4390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(4390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
도 112는 도 100의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 113은 도 100의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 114는 도 112의 제1 감지 전극과 도 113의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 100, 도 112 내지 도 114를 참조하면, 제1 감지 전극(4370) 및 제2 감지 전극(4390)이 배치되는 상태가 도시된다.
상기 제1 감지 전극(4370)은 제2 방향(D2)으로 연장되는 복수의 제1감지 패턴들(4371) 및 제1 감지 패턴들(4371) 사이에 일정한 수로 배치되는 제1 더미 패턴들(4373)을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(4370)은 반사 영역(III)에만 배치된다. 상기 제1 더미 패턴들(4373)의 수에 따라 상기 복수의 제1 감지 패턴들(4371)의 간격이 조절될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(4370)은 제1 연결 라인(4375)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(4375)은 상기 제1 감지 전극(4370)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 라인(4375)은 상기 제1 감지 전극(4370)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(4390)은 상기 제2 방향(D2)과 교차하는 제1 방향(D1)으로 연장되는 복수의 제2 감지 패턴들(4391) 및 제2 감지 패턴들(4391) 사이에 일정한 수로 배치되는 제2 더미 패턴들(4393)을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(4390)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에 배치된다. 상기 제2 더미 패턴들(4393)의 수에 따라 상기 복수의 제2 감지 패턴들(4391)의 간격이 조절될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(4390)은 제2 연결 라인(4395)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제2 연결 라인(4395)은 상기 제2 감지 전극(4390)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 연결 라인(4395)은 상기 제2 감지 전극(4390)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(4370)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(4390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(4370)과 상기 제2 감지 전극(4390)은 부분적으로 중첩할 수 있다.
상기 제2 감지 전극(4390)은 박막 봉지층(4410)상에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(4390) 상에는 접착성 물질을 포함하는 제4 절연층(4420)이 형성된다. 상기 제1 감지 전극(4370)은 상기 제4 절연층(4420) 상에 배치된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 감지 전극(4370) 및 상기 제2 감지 전극(4390)은 각각 상호 정전방식(Mutual Capacitance)의 터치 스크린 패널의 센싱 라인 및 구동 라인으로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 외부 도전체가 터치되면, 터치된 위치에 상응하는 상기 제1 감지 전극(4370)과 상기 제2 감지 전극(4390)의 교차점 근처의 정전 용량이 변하게 되며, 터치 패널 센서(미도시)는 상기 정전 용량의 변화에 상응하는 정전 용량 센싱 신호에 기초하여 외부 도전체가 터치된 위치를 판단할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(4370) 및 상기 제2 감지 전극(4390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(4370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(4390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(4390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
도 115는 도 100의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 116은 도 100의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 117은 도 115의 제1 감지 전극과 도 116의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 100, 도 115 내지 도 117을 참조하면, 제1 감지 전극(4370) 및 제2 감지 전극(4390)이 배치되는 상태가 도시된다.
상기 제1 감지 전극(4370)은 제2 방향(D2)으로 연장되는 복수의 패턴들로 형성될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(4370)은 메쉬 형상으로 형성될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(4370)은 반사 영역(III)에만 배치된다. 상기 제1 감지 전극(4370)은 제1 연결 라인(4375)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(4375)은 상기 제1 감지 전극(4370)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 라인(4375)은 상기 제1 감지 전극(4370)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(4390)은 상기 제2 방향(D2)과 교차하는 제1 방향(D1)으로 연장되는 복수의 패턴들로 형성될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(4390)의 제2 방향(D2)의 폭은 상기 제1 감지 전극(4370)의 제1 방향(D1)의 폭과 동일하게 형성될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(4390)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(4390)은 제2 연결 라인(4395)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제2 연결 라인(4395)은 상기 제2 감지 전극(4390)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 연결 라인(4395)은 상기 제2 감지 전극(4390)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(4370)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(4390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(4370)과 상기 제2 감지 전극(4390)은 부분적으로 중첩할 수 있다.
상기 제2 감지 전극(4390)은 박막 봉지층(4410)상에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(4390) 상에는 접착성 물질을 포함하는 제4 절연층(4420)이 형성된다. 상기 제1 감지 전극(4370)은 상기 제4 절연층(4420) 상에 배치된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 감지 전극(4370) 및 상기 제2 감지 전극(4390)은 각각 상호 정전방식(Mutual Capacitance)의 터치 스크린 패널의 센싱 라인 및 구동 라인으로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 외부 도전체가 터치되면, 터치된 위치에 상응하는 상기 제1 감지 전극(4370)과 상기 제2 감지 전극(4390)의 교차점 근처의 정전 용량이 변하게 되며, 터치 패널 센서(미도시)는 상기 정전 용량의 변화에 상응하는 정전 용량 센싱 신호에 기초하여 외부 도전체가 터치된 위치를 판단할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(4370) 및 상기 제2 감지 전극(4390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(4370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(4390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(4390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
도 118은 도 100의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 119는 도 118의 M 부분을 확대한 평면도이다. 도 120은 도 100의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 121은 도 120의 N 부분을 확대한 평면도이다. 도 122는 도 118의 제1 감지 전극과 도 120의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다. 도 123은 도 122의 O 부분을 확대한 평면도이다.
도 100, 도 118 내지 도 123을 참조하면, 제1 감지 전극(4370) 및 제2 감지 전극(4390)이 배치되는 상태가 도시된다.
상기 제1 감지 전극(4370)은 마름모 형상의 패턴들이 제1 방향(D1)으로 연속적으로 연결되는 형상을 갖는 제1 감지 패턴들(4371) 및 상기 제1 감지 패턴들(4371) 사이에 이격되어 배치되며 마름모형상을 갖는 제1 더미 패턴들(4373)을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(4370)은 반사 영역(III)에만 배치된다. 상기 제1 감지 패턴들(4371)은 제1 연결 라인(4375)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(4375)은 상기 제1 감지 전극(4370)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 라인(4375)은 상기 제1 감지 전극(4370)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(4390)은 마름모 형상의 패턴들이 상기 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연속적으로 연결되는 형상을 갖는 제2 감지 패턴들(4391) 및 상기 제2 감지 패턴들(4391) 사이에 이격되어 배치되며 마름모 형상을 갖는 제2 더미 패턴들(4393)을 포함한다. 상기 제2 감지 전극(4390)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(4390)은 제2 연결 라인(4395)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제2 연결 라인(4395)은 상기 제2 감지 전극(4390)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 연결 라인(4395)은 상기 제2 감지 전극(4390)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(4370)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(4390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(4370)과 상기 제2 감지 전극(4390)은 서로 중첩할 수 있다.
상기 제2 감지 전극(4390)은 박막 봉지층(4410)상에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(4390) 상에는 접착성 물질을 포함하는 제4 절연층(4420)이 형성된다. 상기 제1 감지 전극(4370)은 상기 제4 절연층(4420) 상에 배치된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 감지 전극(4370) 및 상기 제2 감지 전극(4390)은 각각 상호 정전방식(Mutual Capacitance)의 터치 스크린 패널의 센싱 라인 및 구동 라인으로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 외부 도전체가 터치되면, 터치된 위치에 상응하는 상기 제1 감지 전극(4370)과 상기 제2 감지 전극(4390)의 교차점 근처의 정전 용량이 변하게 되며, 터치 패널 센서(미도시)는 상기 정전 용량의 변화에 상응하는 정전 용량 센싱 신호에 기초하여 외부 도전체가 터치된 위치를 판단할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(4370) 및 상기 제2 감지 전극(4390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(4370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(4390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(4390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
도 124는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 개략적인 평면도이다. 도 125는 도 124의 VIII-VIII'라인을 따라 절단한 단면도이다.
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 감지 전극(5370), 제1박막 봉지층(5410), 제2 박막 봉지층(5420) 및 제2 감지 전극(5390)을 제외하고는 도 1 및 도 2의 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 1 및 도 2의 유기 발광 표시 장치와 동일한 구성요소는 동일한 도면 부호를 부여하고, 반복되는 설명은 생략한다.
도 124 및 도 125를 참조하면, 제2 전극(5340) 상에는 박막 봉지층이 형성된다. 상기 박막 봉지층은 제1 무기층, 유기층 및 제2 무기층을 순차적으로 적층하여 형성할 수 있다.
구체적으로, 유기층은 고분자로 형성되며, 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 더욱 바람직하게는, 유기층은 폴리아크릴레이트로 형성될 수 있으며, 구체적으로는 디아크릴레이트계모노머와 트리아크릴레이트계 모노머를 포함하는 모노머 조성물이 고분자화된 것을 포함한다. 상기 모노머 조성물에 모노아크릴레이트계 모노머가 더 포함될 수 있다. 또한, 상기 모노머 조성물에 TPO와 같은 공지의 광개시제가 더욱 포함될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
제 1 무기층 및 제 2 무기층은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 구체적으로, 제 1 무기층 및 제 2 무기층은 SiNx, Al2O3, SiO2, TiO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 이때, 제 2 무기층은 발광구조물에 대한 투습을 방지하도록 형성될 수 있다.
그러나 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 본발명의 일 실시예에 따른 박막 봉지층은 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층, 제2 유기층 및 제3 무기층을 순차적으로 적층하여 형성할 수 있다.
본 실시예에서, 박막 봉지층은 제1 박막 봉지층(5410) 및 제2 박막 봉지층(5420)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 박막 봉지층(5410)은 제1 무기층 및 유기층으로 형성될 수 있으며, 상기 제2 박막 봉지층(5420)은 제2 무기층으로 형성될 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
상기 제1 박막 봉지층(5410) 상에 제2 감지 전극(5390)이 형성된다. 상기 제2 감지 전극(5390)은 상기 발광 영역(II) 및 상기 반사 영역(III)에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(5390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 감지 전극(5390)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 제2 감지 전극(5390)는 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 감지 전극(5390)은 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx) 등을 포함할 수 있다.
상기 제2 감지 전극(5390)상에는 제2 박막 봉지층(5420)이 형성된다. 상기 제2 박막 봉지층(5420) 상에는 제1 감지 전극(5370)이 배치될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(5370)은 상기 반사 영역(III)에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(5370)은 일정한반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(5370)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 제1 감지 전극(5370)는 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(5370)은 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx) 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(5370) 상에는 제5 절연층(5395)이 배치될 수 있다. 상기 제5 절연층(5395)는 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
본 실시예에서는 제1 박막 봉지층(5410) 상에 제2 감지 전극(5390)이 배치되고, 상기 제2 감지 전극(5390) 상에 제2 박막 봉지층(5420)이 배치되며, 제2 박막 봉지층(5420) 상에 제1 감지 전극(5370)이 배치되는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 박막 봉지층(5410) 상에 제1 감지 전극(5370)이 배치되고, 상기 제1 감지 전극(5370) 상에 제2 박막 봉지층(5420)이 배치되며, 제2 박막 봉지층(5420)) 상에 제2 감지 전극(5390)이 배치될수도 있다.
도 126 내지 도 133은 도 125의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 126을 참조하면, 상기 제1 기판(5110) 상에 버퍼층(5115)이 형성된다. 이후, 상기 버퍼층(5115) 상에 액티브 패턴(5130) 및 제1 절연층(5150)이 형성된다.
상기 1 기판(5110)은 석영, 합성 석영, 불화칼슘, 불소가 도핑된 석영, 소다라임 유리, 무알칼리 유리 등을 사용하여 형성될 수 있다.
제1 기판(5110)은 투명한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 제1 기판(5110)은 석영, 합성 석영(synthetic quartz), 불화칼슘(calcium fluoride), 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz), 소다라임(sodalime) 유리, 무알칼리(non-alkali) 유리 등을 포함할 수 있다. 선택적으로는, 제1 기판(5110)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수 있다. 제1 기판(5110)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등으로 구성될 수 있다. 상기 폴리이미드 기판이 얇고 연성을 갖는 경우, 발광 구조물의 형성을 지원하기 위해 단단한 유리 상에 형성될 수 있다. 즉, 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 기판(5110)은 유리 기판 상에 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층 및 제2 폴리이미드층이 적층된 구성을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 폴리이미드층 상에 절연층을 배치한 후, 상기 절연층 상에 발광 구조물(예를 들면, 반도체 소자(5250), 커패시터, 제1 전극(5290), 발광층(5330), 제2 전극(5340) 등)을 형성할 수 있다.
이러한 발광 구조물의 형성 후, 상기 유리 기판은 제거될 수 있다. 상기 폴리이미드 기판은 얇고 플렉서블하기 때문에, 상기 폴리이미드 기판 상에 상기 발광 구조물을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 경질의 유리 기판을 이용하여 상기 발광 구조물을 형성한 다음, 상기 유리 기판을 제거함으로써, 상기 폴리이미드 기판을 제1 기판(5110)으로 이용할 수 있다. 유기 발광 표시 장치(5100)가 상기 발광 영역(II) 및 상기 반사 영역(III)을 구비함에 따라, 제1 기판(5110)도 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)으로 구분될 수 있다.
상기 제1 기판(5110) 상에는 버퍼층(5115)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층(5115)은 발광 영역(II)으로부터 반사 영역(III)으로의 방향인 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 상기 버퍼층(5115)은 상기 제1 기판(5110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산(즉, 아웃 개싱)되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브 패턴(5130)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브 패턴(5130)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(5115)은 상기 제1 기판(5110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 상기 제1 기판(5110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 상기 제1 기판(5110)의 유형에 따라 상기 제1 기판(5110) 상에 두 개 이상의 버퍼층이 제공될 수 있거나 상기 버퍼층이 배치되지 않을 수 있다.
상기 액티브 패턴(130)은 상기 제1 기판(110) 상에 배치될 수 있고, 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들면, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon)) 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다.
상기 액티브 패턴(5130) 상에는 제1 절연층(5150)이 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(5150)은 발광 영역(II)에서 상기 액티브 패턴(5130)을 커버할 수 있으며, 상기 제1 기판(5110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 즉, 상기 제1 절연층(5150)은 상기 제1 기판(5110) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(5150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
도 127을 참조하면, 상기 제1 절연층(5150)이 형성된 상기 제1 기판(5110) 상에 게이트 전극(5170) 및 제2 절연층(5190)이 형성된다.
상기 게이트 전극(5170)은 상기 제1 절연층(5150) 중에서 하부에 상기 액티브 패턴(5130)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 상기 게이트 전극(5170)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다.
상기 게이트 전극(5170) 상에는 제2 절연층(5190)이 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(5190)은 발광 영역(II)에서 상기 게이트 전극(5170)을 커버할 수 있으며, 상기 제1 기판(5110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 즉, 상기 제2 절연층(5190)은 상기 제1 기판(5110) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(5190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
도 128을 참조하면, 상기 제2 절연층(5190)이 형성된 상기 제1 기판(5110) 상에 소스 전극(5210) 및 드레인 전극(5230)이 형성된다.
상기 소스 전극(5210) 및 상기 드레인 전극(5230)은 상기 제1 절연층(5150) 및 상기 제2 절연층(5190)의 일부를 관통하여 상기 액티브 패턴(5130)의 일측 및 타측에 각각 접속될 수 있다. 상기 소스 전극(5210) 및 상기 드레인 전극(5230)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
본 실시예에서는 상기 액티브 패턴(5130) 상부에 상기 게이트 전극(5170)이 형성되는 구조를 예를 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 게이트 전극 상부에 액티브 패턴이 형성되는 구조를 가질 수도 있다.
도 129를 참조하면, 상기 소스 전극(5210) 및 상기 드레인 전극(5230)이 형성된 상기 제1 기판(5110) 상에 제3 절연층(5270) 및 제1 전극(5290)이 형성된다.
상기 소스 전극(5210) 및 상기 드레인 전극(5230) 상에는 제3 절연층(5270)이 배치될 수 있다. 상기 제3 절연층(5270)은 발광 영역(II)에서 상기 소스 전극(5210) 및 상기 드레인 전극(5230)을 커버할 수 있으며 상기 제1 기판(5110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 즉, 상기 제3 절연층(5270)은 상기 제1 기판(5110) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 제3 절연층(5270)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(5290)은 상기 제3 절연층(5270) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(5290)은 상기 제3 절연층(5270)의 일부들을 관통하여 상기 드레인 전극(5230)에 접속될 수 있다. 또한, 상기 제1 전극(5290)은 상기 반도체 소자(5250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 전극(5290)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
도 130을 참조하면, 상기 제1 전극(5290)이 형성된 상기 제1 기판(5110) 상에 화소 정의막(5310), 발광층(5330) 및 제2 전극(5340)이 형성된다.
상기 화소 정의막(5310)은 상기 제1 전극(5290)의 일부들을 노출시키면서 상기 제3 절연층(5270) 상에 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(5310)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 화소 정의막(5310)에 의해 적어도 일부가 노출된 상기 제1 전극(5290) 상에 발광층(5330)이 위치할 수 있다.
상기 발광층(5330)은 적어도 일부가 노출된 상기 제1 전극(5290) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광층(5330)은 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 발광층(5330)은 상기 상이한 색광들을 방출시킬 수 있는 발광 물질들을 적층하여 백색광을 방출할 수 도 있다.
제2 전극(5340)은 상기 화소 정의막(5310) 및 상기 발광층(5330) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(5340)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에서 상기 화소 정의막(5310) 및 상기 발광층(5330)을 커버할 수 있으며 상기 제1 기판(5110) 상에서 상기 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 상기 제2 전극(5340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
도 131을 참조하면, 상기 제2 전극(5340)이 형성된 상기 제1 기판(5110) 상에 제1 박막 봉지층(5410)이 형성된다.
본 실시예에 따른 박막 봉지층은 제1 박막 봉지층(5410) 및 제2 박막 봉지층(5420)을 포함할 수 있다. 상기 박막 봉지층은 제1 무기층, 유기층 및 제2 유기층을 순차적으로 적층하여 형성할 수 있다.
구체적으로, 유기층은 고분자로 형성되며, 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 더욱 바람직하게는, 유기층은 폴리아크릴레이트로 형성될 수 있으며, 구체적으로는 디아크릴레이트계모노머와 트리아크릴레이트계 모노머를 포함하는 모노머 조성물이 고분자화된 것을 포함한다. 상기 모노머 조성물에 모노아크릴레이트계 모노머가 더 포함될 수 있다. 또한, 상기 모노머 조성물에 TPO와 같은 공지의 광개시제가 더욱 포함될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
제 1 무기층 및 제 2 무기층은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 구체적으로, 제 1 무기층 및 제 2 무기층은 SiNx, Al2O3, SiO2, TiO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 이때, 제 2 무기층은 발광구조물에 대한 투습을 방지하도록 형성될 수 있다.
상기 제1 박막 봉지층(5410)은 상기 제1 무기층으로 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 박막 봉지층(5410)은 상기 제1 무기층 및 상기 유기층으로 형성될 수 있다.
도 132를 참조하면, 상기 제1 박막 봉지층(5410)이 형성된 상기 제1 기판(5110) 상에 제2 감지 전극(5390)이 형성된다.
상기 제2 감지 전극(5390)은 상기 발광 영역(II) 및 상기 반사 영역(III)에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(5390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 감지 전극(4390)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 제2 감지 전극(5390)는 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 감지 전극(5390)은 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx) 등을 포함할 수 있다.
도 133을 참조하면, 상기 제2 감지 전극(5390)이 형성된 상기 제1 기판(5110) 상에 제2 박막 봉지층(5420)이 형성된다.
상기 제2 박막 봉지층(5420)은 상기 제2 무기층으로 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제2 박막 봉지층(5420)은 상기 상기 유기층 및 상기 제2 무기층으로 형성될 수 있다.
본 실시예에 따른 박막 봉지층은 상기 제1 박막 봉지층(5410) 및 상기 제2 박막 봉지층(5420)을 포함한다. 또한, 상기 제2 감지 전극(5390)은 상기 1 박막 봉지층(5410) 및 상기 제2 박막 봉지층(5420) 사이에 배치된다. 즉, 상기 제2 감지 전극(5390)은 상기 박막 봉지층 사이에 배치된다.
도 125를 참조하면, 상기 제2 박막 봉지층(5420)이 형성된 상기 제1 기판(5110) 상에 제1 감지 전극(5370)이 형성된다. 상기 제1 감지 전극(5370) 상에는 제5 절연층(5395)이 형성된다.
상기 제1 감지 전극(5370)은 상기 반사 영역(III) 및 상기 발광 영역(III)의 외곽에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(5370)은 일정한반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(5370)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 제1 감지 전극(5370)는 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(5370)은 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx) 등을 포함할 수 있다.
도 134는 도 125의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 135는 도 125의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 136은 도 134의 제1 감지 전극과 도 135의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 125, 도 134내지 도 136을 참조하면, 제1 감지 전극(5370) 및 제2 감지 전극(5390)이 배치되는 상태가 도시된다.
상기 제1 감지 전극(5370)은 제2 방향(D2)으로 연장되는 복수의 패턴들로 형성될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(5370)은 반사 영역(III)에만 배치된다. 상기 제1 감지 전극(5370)은 제1 연결 라인(5375)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(5375)은 상기 제1 감지 전극(5370)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 라인(5375)은 상기 제1 감지 전극(5370)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(5390)은 상기 제2 방향(D2)과 교차하는 제1 방향(D1)으로 연장되는 복수의 패턴들로 형성될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(5390)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(5390)은 제2 연결 라인(5395)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제2 연결 라인(5395)은 상기 제2 감지 전극(5390)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 연결 라인(5395)은 상기 제2 감지 전극(5390)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(5370) 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(5390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(5370)과 상기 제2 감지 전극(5390)은 부분적으로 중첩할 수 있다.
상기 제2 감지 전극(5390)은 제1 박막 봉지층(5410)상에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(5390) 상에는 제2 박막 봉지층(5420)이 형성된다. 상기 제1 감지 전극(5370)은 상기 제2 박막 봉지층(5420) 상에 배치된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 감지 전극(5370) 및 상기 제2 감지 전극(5390)은 각각 상호 정전방식(Mutual Capacitance)의 터치 스크린 패널의 센싱 라인 및 구동 라인으로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 외부 도전체가 터치되면, 터치된 위치에 상응하는 상기 제1 감지 전극(5370)과 상기 제2 감지 전극(5390)의 교차점 근처의 정전 용량이 변하게 되며, 터치 패널 센서(미도시)는 상기 정전 용량의 변화에 상응하는 정전 용량 센싱 신호에 기초하여 외부 도전체가 터치된 위치를 판단할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(5370) 및 상기 제2 감지 전극(5390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(5370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(5390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(5390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
도 137은 도 125의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 138은 도 125의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 139는 도 137의 제1 감지 전극과 도 138의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 125, 도 137 내지 도 139를 참조하면, 제1 감지 전극(5370) 및 제2 감지 전극(5390)이 배치되는 상태가 도시된다.
상기 제1 감지 전극(5370)은 제2 방향(D2)으로 연장되는 복수의 제1감지 패턴들(5371) 및 제1 감지 패턴들(5371) 사이에 일정한 수로 배치되는 제1 더미 패턴들(5373)을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(5370)은 반사 영역(III)에만 배치된다. 상기 제1 더미 패턴들(5373)의 수에 따라 상기 복수의 제1 감지 패턴들(5371)의 간격이 조절될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(5370)은 제1 연결 라인(5375)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(5375)은 상기 제1 감지 전극(5370)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 라인(5375)은 상기 제1 감지 전극(5370)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(5390)은 상기 제2 방향(D2)과 교차하는 제1 방향(D1)으로 연장되는 복수의 제2 감지 패턴들(5391) 및 제2 감지 패턴들(5391) 사이에 일정한 수로 배치되는 제2 더미 패턴들(5393)을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(5390)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에 배치된다. 상기 제2 더미 패턴들(5393)의 수에 따라 상기 복수의 제2 감지 패턴들(5391)의 간격이 조절될 수 있다. 상기 제2 감지 전극(5390)은 제2 연결 라인(5395)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제2 연결 라인(5395)은 상기 제2 감지 전극(5390)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 연결 라인(5395)은 상기 제2 감지 전극(5390)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(5370)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(5390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(5370)과 상기 제2 감지 전극(5390)은 부분적으로 중첩할 수 있다.
상기 제2 감지 전극(5390)은 제1 박막 봉지층(5410)상에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(5390) 상에는 제2 박막 봉지층(5420)이 형성된다. 상기 제1 감지 전극(5370)은 상기 제2 박막 봉지층(5420) 상에 배치된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 감지 전극(5370) 및 상기 제2 감지 전극(5390)은 각각 상호 정전방식(Mutual Capacitance)의 터치 스크린 패널의 센싱 라인 및 구동 라인으로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 외부 도전체가 터치되면, 터치된 위치에 상응하는 상기 제1 감지 전극(5370)과 상기 제2 감지 전극(5390)의 교차점 근처의 정전 용량이 변하게 되며, 터치 패널 센서(미도시)는 상기 정전 용량의 변화에 상응하는 정전 용량 센싱 신호에 기초하여 외부 도전체가 터치된 위치를 판단할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(5370) 및 상기 제2 감지 전극(5390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(5370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(5390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(5390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
도 140은 도 125의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 141은 도 125의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 142는 도 140의 제1 감지 전극과 도 141의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 125, 도 140 내지 도 142을 참조하면, 제1 감지 전극(5370) 및 제2 감지 전극(5390)이 배치되는 상태가 도시된다.
상기 제1 감지 전극(5370)은 제2 방향(D2)으로 연장되는 복수의 패턴들로 형성될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(5370)은 메쉬 형상으로 형성될 수 있다. 상기 제1 감지 전극(5370)은 반사 영역(III)에만 배치된다. 상기 제1 감지 전극(5370)은 제1 연결 라인(5375)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(5375)은 상기 제1 감지 전극(5370)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 라인(5375)은 상기 제1 감지 전극(5370)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(5370)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(5390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(5370)과 상기 제2 감지 전극(5390)은 부분적으로 중첩할 수 있다.
상기 제2 감지 전극(5390)은 제1 박막 봉지층(5410)상에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(5390) 상에는 제2 박막 봉지층(5420)이 형성된다. 상기 제1 감지 전극(5370)은 상기 제2 박막 봉지층(5420) 상에 배치된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 감지 전극(5370) 및 상기 제2 감지 전극(5390)은 각각 상호 정전방식(Mutual Capacitance)의 터치 스크린 패널의 센싱 라인 및 구동 라인으로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 외부 도전체가 터치되면, 터치된 위치에 상응하는 상기 제1 감지 전극(5370)과 상기 제2 감지 전극(5390)의 교차점 근처의 정전 용량이 변하게 되며, 터치 패널 센서(미도시)는 상기 정전 용량의 변화에 상응하는 정전 용량 센싱 신호에 기초하여 외부 도전체가 터치된 위치를 판단할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(5370) 및 상기 제2 감지 전극(5390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(5370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(5390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(5390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
도 143은 도 125의 제1 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 144는 도 143의 P 부분을 확대한 평면도이다. 도 145는 도 125의 제2 감지 전극을 나타내는 평면도이다. 도 146은 도 145의 Q 부분을 확대한 평면도이다. 도 147은 도 143의 제1 감지 전극과 도 145의 제2 감지 전극이 중첩된 상태를 나타내는 평면도이다. 도 148은 도 147의 R 부분을 확대한 평면도이다.
도 125, 도 143 내지 도 148을 참조하면, 제1 감지 전극(5370) 및 제2 감지 전극(5390)이 배치되는 상태가 도시된다.
상기 제1 감지 전극(5370)은 마름모 형상의 패턴들이 제1 방향(D1)으로 연속적으로 연결되는 형상을 갖는 제1 감지 패턴들(5371) 및 상기 제1 감지 패턴들(5371) 사이에 이격되어 배치되며 마름모 형상을 갖는 제1 더미 패턴들(5373)을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(5370)은 반사 영역(III)에만 배치된다. 상기 제1 감지 패턴들(5371)은 제1 연결 라인(5375)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(5375)은 상기 제1 감지 전극(5370)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 라인(5375)은 상기 제1 감지 전극(5370)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제2 감지 전극(5390)은 마름모 형상의 패턴들이 상기 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연속적으로 연결되는 형상을 갖는 제2 감지 패턴들(5391) 및 상기 제2 감지 패턴들(5391) 사이에 이격되어 배치되며 마름모 형상을 갖는 제2 더미 패턴들(5393)을 포함한다. 상기 제2 감지 전극(5390)은 발광 영역(II) 및 반사 영역(III)에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(5390)은 제2 연결 라인(5395)을 통해 감지 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 상기 제2 연결 라인(5395)은 상기 제2 감지 전극(5390)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 연결 라인(5395)은 상기 제2 감지 전극(5390)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극(5370)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 감지 전극(5390)은 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극(5370)과 상기 제2 감지 전극(5390)은 서로 중첩할 수 있다.
상기 제2 감지 전극(5390)은 제1 박막 봉지층(5410)상에 배치된다. 상기 제2 감지 전극(5390) 상에는 제2 박막 봉지층(5420)이 형성된다. 상기 제1 감지 전극(5370)은 상기 제2 박막 봉지층(5420) 상에 배치된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 감지 전극(5370) 및 상기 제2 감지 전극(5390)은 각각 상호 정전방식(Mutual Capacitance)의 터치 스크린 패널의 센싱 라인 및 구동 라인으로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 외부 도전체가 터치되면, 터치된 위치에 상응하는 상기 제1 감지 전극(5370)과 상기 제2 감지 전극(5390)의 교차점 근처의 정전 용량이 변하게 되며, 터치 패널 센서(미도시)는 상기 정전 용량의 변화에 상응하는 정전 용량 센싱 신호에 기초하여 외부 도전체가 터치된 위치를 판단할 수 있다.
상기 제1 감지 전극(5370) 및 상기 제2 감지 전극(5390)은 서로 다른 두께로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극(5370)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 0으로 하고, 반사율을 95%이상으로 가져갈 수 있는 두께이다. 또한 상기 제2 감지 전극(5390)은 약100Å의 두께로 형성될 수 있다. 이는 투과율을 50% 내지 95%로 가져갈 수 있는 두께이다. 상기 제2 감지 전극(5390)은 발광 영역(II)의 발광시 이미지를 표시하고, 비 발광시 미러로서 기능할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 유기 발광 표시 장치는 미러 기능과 터치 전극의 기능을 동시에 갖는 반사부재를 포함한다. 따라서, 터치 전극을 형성하기 위한 별도의 공정이 생략될 수 있다. 이에 따라, 제조 공정이 단순화되고 제조 비용이 절감될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 반사 영역에 배치되는 제1 반사부재와 반사 영역 및 발광 영역에 배치되는 제2 반사부재를 포함한다. 따라서, 광산란을 감소시켜 시인성을 개선할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 박막 봉지층을 포함할 수 있다. 따라서, 미러 기능과 터치 기능을 동시에 갖는 플렉서블 유기 발광 표시 장치를 구현할 수 있다.
상술한 바에 있어서는, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대해 도면들을 참조하여 설명하였지만, 상술한 실시예들은 예시적인 것으로서, 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정, 변형 및 변경될 수 있을 것이다.
110: 기판 1150: 버퍼층
130: 액티브 패턴 150: 제1 절연층
170: 게이트 전극 190: 제2 절연층
210: 소스 전극 230: 드레인 전극
270: 제3 절연층 290: 제1 전극
310: 화소 정의막 330: 발광층
340: 제2 전극 350: 제2 기판
370: 제1 감지 전극 390: 제2 감지 전극
II: 발광 영역 III: 반사 영역
130: 액티브 패턴 150: 제1 절연층
170: 게이트 전극 190: 제2 절연층
210: 소스 전극 230: 드레인 전극
270: 제3 절연층 290: 제1 전극
310: 화소 정의막 330: 발광층
340: 제2 전극 350: 제2 기판
370: 제1 감지 전극 390: 제2 감지 전극
II: 발광 영역 III: 반사 영역
Claims (20)
- 발광 영역 및 반사 영역을 포함하는 기판; 및
터치 위치를 감지하는 터치부를 포함하고,
상기 터치부는,
상기 기판의 상기 반사 영역에 배치되고, 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함하는 제1 감지 전극; 및
상기 기판의 상기 발광 영역 및 상기 반사 영역에 배치되고, 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함하고, 상기 제1 감지 전극과 부분적으로 중첩하는 제 2 감지 전극을 포함하며,
상기 제2 감지 전극은 발광층이 배치되지 않는 상기 반사 영역의 전체에서 상기 제1 감지 전극과 중첩하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 기판과 마주하는 대향 기판을 더 포함하고,
상기 제1 감지 전극은 상기 대향 기판의 상기 기판 방향인 제1 면에 배치되고, 상기 제2 감지 전극은 상기 대향 기판의 상기 제1 면의 반대 면인 제2 면에 배치되며,
상기 제1 감지 전극은 상기 기판의 반사 영역 및 상기 발광 영역의 외곽에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 기판과 마주하는 대향 기판을 더 포함하고,
상기 제1 감지 전극은 상기 기판에 배치되고, 상기 제2 감지 전극은 상기 대향 기판의 상기 기판 방향인 제1 면에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 기판과 마주하는 대향 기판을 더 포함하고,
상기 제1 감지 전극은 상기 대향 기판의 상기 기판 방향인 제1 면에 배치되고, 상기 제2 감지 전극은 상기 제1 감지 전극 상에 배치되며,
상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극 사이에 배치되며, 접착성물질을 포함하는 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 기판과 마주하는 대향 기판을 더 포함하고,
상기 제2 감지 전극은 상기 대향 기판의 상기 기판 방향인 제1 면에 배치되고, 상기 제1 감지 전극은 상기 제2 감지 전극 상에 배치되며,
상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극 사이에 배치되며, 접착성 물질을 포함하는 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서, 상기 기판 상에 배치되는 박막 봉지층을 더 포함하고,
상기 제2 감지 전극은 상기 박막 봉지층 상에 배치되고, 상기 제1 감지 전극은 상기 제2 감지 전극 상에 배치되며,
상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극 사이에 배치되며, 접착성 물질을 포함하는 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 기판 상에 배치되는 제1 박막 봉지층을 더 포함하고,
상기 제2 감지 전극은 상기 제1 박막 봉지층상에 배치되고, 상기 제1 감지 전극은 상기 제2 감지 전극 상에 배치되며,
상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극 사이에 배치되는 제2 박막 봉지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 감지 전극은 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 패턴들을 포함하고, 상기 제2 감지 전극은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 복수의 제2 패턴들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제8항에 있어서,
상기 제1 패턴들은 터치 위치를 감지하는 제1 감지 패턴들 및 상기 제1 감지 패턴들 사이에 일정한 수로 배치되는 제1 더미 패턴들을 포함하고,
상기 제2 패턴들은 터치 위치를 감지하는 제2 감지 패턴들 및 상기 제2 감지 패턴들 사이에 일정한 수로 배치되는 제2 더미 패턴들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제8항에 있어서,
상기 제1 패턴들은 메쉬 형상을 가지며,
상기 제2 패턴들은 상기 제1 패턴들의 제2 방향의 폭과 동일한폭을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 감지 전극은,
마름모 형상의 패턴들이 제1 방향으로 연속적으로 연결되는 형상을 갖는 제1 감지 패턴들; 및
상기 제1 감지 패턴들 사이에 이격되어 배치되며 마름모 형상을 갖는 제1 더미 패턴들을 포함하고,
상기 제2 감지 전극은,
마름모 형상의 패턴들이 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연속적으로 연결되는 형상을 갖는 제2 감지 패턴들; 및
상기 제2 감지 패턴들 사이에 이격되어 배치되며 마름모 형상을 갖는 제2 더미 패턴들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 발광 영역 및 반사 영역을 포함하는 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 반사 영역에 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함하는 제1 감지 전극을 형성하는 단계; 및
상기 발광 영역 및 상기 반사 영역에 일정한 반사율을 갖는 물질을 포함하고 상기 제1 감지 전극과 부분적으로 중첩하는 제2 감지 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제2 감지 전극은 발광층이 배치되지 않는 상기 반사 영역의 전체에서 상기 제1 감지 전극과 중첩하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제12항에 있어서,
상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극을 형성하는 단계는,
상기 기판과 마주하는 대향 기판의 상기 기판 방향인 제1 면에 상기 제1 감지 전극을 형성하는 단계 ;및
상기 대향 기판의 상기 제1 면의 반대 면인 제2 면에 제2 감지 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제1 감지 전극은 상기 기판의 반사 영역 및 상기 발광 영역의 외곽에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제12항에 있어서,
상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극을 형성하는 단계는,
상기 기판 상에 상기 제1 감지 전극을 형성하는 단계; 및
상기 기판과 마주하는 대향 기판의 상기 기판 방향인 제1 면에 상기 제2 감지 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제12항에 있어서,
상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극을 형성하는 단계는,
상기 기판과 마주하는 대향 기판의 상기 기판 방향인 제1 면에 상기 제1 감지 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 감지 전극 상에 접착성 물질을 포함하는 절연층을 형성하는 단계; 및
상기 절연층 상에 상기 제2 감지 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제12항에 있어서,
상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극을 형성하는 단계는,
상기 기판과 마주하는 대향 기판의 상기 기판 방향인 제1 면에 상기 제2 감지 전극을 형성하는 단계;
상기 제2 감지 전극 상에 접착성 물질을 포함하는 절연층을 형성하는 단계; 및
상기 절연층 상에 상기 제1 감지 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제12항에 있어서,
상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극을 형성하는 단계는,
상기 기판 상에 박막 봉지층을 형성하는 단계;
상기 박막 봉지층 상에 상기 제2 감지 전극을 형성하는 단계;
상기 제2 감지 전극 상에 절연층을 형성하는 단계; 및
상기 절연층 상에 상기 제1 감지 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제12항에 있어서,
상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극을 형성하는 단계는,
상기 기판 상에 제1 박막 봉지층을 형성하는 단계;
상기 제1 박막 봉지층 상에 상기 제2 감지 전극을 형성하는 단계;
상기 제2 감지 전극 상에 상기 제1 박막 봉지층과 동일한 물질을 포함하는 제2 박막 봉지층을 형성하는 단계; 및
상기 제2 박막 봉지층 상에 상기 제1 감지 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제12항에 있어서,
상기 제1 감지 전극은 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 패턴들을 포함하고, 상기 제2 감지 전극은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 복수의 제2 패턴들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제12항에 있어서,
상기 제1 감지 전극은
마름모 형상의 패턴들이 제1 방향으로 연속적으로 연결되는 형상을 갖는 제1 감지 패턴들; 및
상기 제1 감지 패턴들 사이에 이격되어 배치되며 마름모 형상을 갖는 제1 더미 패턴들을 포함하고,
상기 제2 감지 전극은
마름모 형상의 패턴들이 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연속적으로 연결되는 형상을 갖는 제2 감지 패턴들; 및
상기 제2 감지 패턴들 사이에 이격되어 배치되며 마름모 형상을 갖는 제2 더미 패턴들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
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