JP2018005004A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】製造歩留まりの低下を抑制することが可能な表示装置を提供する。【解決手段】第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、を有する表示パネルと、前記表示パネルの前記第２領域に実装された配線基板と、を備える表示装置であって、前記第１領域においては、絶縁基板と、前記絶縁基板上に配置された無機絶縁膜と、前記無機絶縁膜の上に配置された信号配線と、を有し、前記第２領域においては、前記絶縁基板及び前記無機絶縁膜は配置されておらず、前記第１領域から連続して配置された前記信号配線が露出している、表示装置。【選択図】 図３

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、液晶表示装置や有機ＥＬ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置等の表示装置の分野において、より一層の狭額縁化を実現する表示装置の要求が高まっている。また、柔軟性を有する基板を用いて形成されることにより、曲折することが可能なフレキシブル表示装置が開発されている。

このような表示装置は、各画素に電圧を供給するために、表示領域の周辺の非表示領域において外部回路等に接続され電圧が供給されるパッド、パッドに接続される配線等を備えている。ここで、表示装置を狭額縁化するために、パッドが基板の背面に配置されるように、表示装置は基板が折り曲げられた状態で電子機器等に収容される。この折り曲げられた領域における配線の断線を抑制するために、配線下の絶縁膜のうち少なくとも１つの絶縁膜を貫通するホールが形成される技術が知られている。

特開２０１４−２３２３００号公報 特開２０１５−１４８７２８号公報

本実施形態の目的は、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。

本実施形態によれば、第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、を有する表示パネルと、前記表示パネルの前記第２領域に実装された配線基板と、を備える表示装置であって、前記第１領域においては、絶縁基板と、前記絶縁基板上に配置された無機絶縁膜と、前記無機絶縁膜上に配置された信号配線と、を有し、前記第２領域において、前記絶縁基板及び前記無機絶縁膜は配置されておらず、前記第１領域から連続して配置された前記信号配線が露出している表示装置が提供される。

図１は、本実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。 図２は、図１に示した表示装置の表示領域を示す断面図である。 図３は、図１に示した表示装置の非表示領域を含んだ断面図である。 図４は、本実施形態に係る表示パネルを示す平面図であり、第１領域及び第２領域の位置関係等を示す図である。 図５は、第１絶縁基板から支持基板を剥離する工程を説明するための断面図である。 図６は、第２領域において第１絶縁基板を除去する工程を説明するための断面図である。 図７は、第２領域において無機絶縁膜を除去する工程を説明するための断面図である。 図８は、配線基板を表示パネルに圧着する工程を説明するための断面図である。 図９は、表示パネルの折り曲げ部を折り曲げる工程を説明するための断面図である。 図１０は、図９に示した表示パネルの折り曲げ部を折り曲げた後の状態を示す断面図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

まず、本実施形態に係る表示装置について詳細に説明する。図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成を概略的に示す斜視図である。図１は、第１方向Ｘと、第１方向Ｘに垂直な第２方向Ｙと、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに垂直な第３方向Ｚによって規定される三次元空間を示している。なお、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに直交しているが、９０°以外の角度で交差していてもよい。以下、本実施形態において、表示装置が有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置である場合について説明する。

図１に示すように、表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、配線基板１と、フレキシブル配線基板２と、を備えている。表示パネルＰＮＬは、平板状の第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向配置された平板状の第２基板ＳＵＢ２と、を備えている。

本実施形態においては、第３方向Ｚの矢印の先端に向かう方向を上又は上方と定義し、第３方向Ｚの矢印の先端に向かう方向とは反対側の方向を下又は下方と定義する。また、「第１部材の上方の第２部材」及び「第１部材の下方の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよく、又は第１部材から離れて位置していてもよい。後者の場合、第１部材と第２部材との間に、第３の部材が介在していてもよい。一方、「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は第１部材に接している。

表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを囲む非表示領域ＮＤＡと、を備えている。表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに並べられ、マトリクス状に設けられている。

一例では、第１基板ＳＵＢ１の第１方向Ｘに平行な側縁の長さは、第２基板ＳＵＢ２の第１方向Ｘに平行な側縁の長さと略等しい。また、第１基板ＳＵＢ１の第２方向Ｙに平行な側縁の長さは、第２基板ＳＵＢ２の第２方向Ｙに平行な側縁の長さと略等しい。つまり、第１基板ＳＵＢ１のＸ−Ｙ平面に平行な面積は、第２基板ＳＵＢ２のＸ−Ｙ平面に平行な面積と略等しい。ここで、Ｘ−Ｙ平面は、第１方向Ｘと第２方向Ｙとで規定される平面である。本実施形態において、第１基板ＳＵＢ１の各側縁は、第３方向Ｚにおいて、第２基板ＳＵＢ２の各側縁と揃っている。なお、本実施形態においては、第２基板ＳＵＢ２の第２方向Ｙに平行な側縁の長さは、第１基板ＳＵＢ１の第２方向Ｙに平行な側縁の長さより小さく形成されていても良い。

配線基板１は、コア基板２００、表示パネルＰＮＬを駆動する駆動ＩＣチップ３等を備えている。駆動ＩＣチップ３は、コア基板２００の上に配置されている。図示した例では、配線基板１は、表示パネルＰＮＬの下方に配置されている。図示した例では、配線基板１の第１方向Ｘに平行な側縁の長さは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の第１方向Ｘに平行な側縁の長さと比べて、略同等であるが、短くても良い。配線基板１は、非表示領域ＮＤＡにおいて表示パネルＰＮＬに接着されている。表示パネルＰＮＬ及び配線基板１は、互いに電気的に接続されている。フレキシブル配線基板２は、配線基板１の上方に配置されている。

ここで、本実施形態においては、表示装置ＤＳＰは、電子機器等の筐体に収容される際に折り曲げられる領域である折り曲げ領域ＢＡを有している。図中、折り曲げ領域ＢＡに斜線を付している。すなわち、配線基板１、フレキシブル配線基板２、駆動ＩＣチップ３が表示領域ＤＡの下方側に配置されるように、折り曲げ領域ＢＡが折り曲げられる。折り曲げ領域ＢＡは、非表示領域ＮＤＡ内に位置している。

図２は、図１に示した表示装置ＤＳＰの表示領域ＤＡを示す断面図である。
図２に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、反射層４、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３、封止層４１、保護部材ＰＰ等を備えている。第１絶縁基板１０は、有機絶縁材料を用いて形成され、例えば、ポリイミドを用いて形成される。第１絶縁基板１０は、第１絶縁膜１１によって覆われている。

スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３は、第１絶縁膜１１の上方に形成されている。図示した例では、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３はトップゲート型の薄膜トランジスタで構成されているが、ボトムゲート型の薄膜トランジスタで構成されていても良い。スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３は、同一構成であるため、以下、スイッチング素子ＳＷ１に着目してその構造をより詳細に説明する。スイッチング素子ＳＷ１は、第１絶縁膜１１の上に形成された半導体層ＳＣを備えている。半導体層ＳＣは、第２絶縁膜１２によって覆われている。また、第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１の上にも配置されている。

スイッチング素子ＳＷ１のゲート電極ＷＧは、第２絶縁膜１２の上に形成され、半導体層ＳＣの直上に位置している。ゲート電極ＷＧは、第３絶縁膜１３によって覆われている。また、第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２の上にも配置されている。

このような第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、及び、第３絶縁膜１３は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物等の無機系材料によって形成されている。

スイッチング素子ＳＷ１のソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、第３絶縁膜１３の上に形成されている。ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、それぞれ第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３を貫通するコンタクトホールを通して半導体層ＳＣと電気的に接続されている。スイッチング素子ＳＷ１は、第４絶縁膜１４によって覆われている。第４絶縁膜１４は、第３絶縁膜１３の上にも配置されている。このような第４絶縁膜１４は、例えば、透明な樹脂等の有機系材料によって形成されている。

反射層４は、第４絶縁膜１４の上に形成されている。反射層４は、アルミニウムや銀等の光反射率が高い金属材料で形成される。なお、反射層４の表面（つまり、第２基板ＳＵＢ２側の面）は、平坦面であっても良いし、光散乱性を付与するための凹凸面であっても良い。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、第４絶縁膜１４の上に形成されている。図示した例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１はスイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２はスイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３はスイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、何れも第２基板ＳＵＢ２の側に向かって白色光を放射するトップエミッションタイプとして構成されている。このような有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、いずれも同一構造である。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、反射層４の上に形成された画素電極ＰＥ１を備えている。画素電極ＰＥ１は、スイッチング素子ＳＷ１のドレイン電極ＷＤとコンタクトし、スイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続されている。同様に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２はスイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続された画素電極ＰＥ２を備え、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３はスイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続された画素電極ＰＥ３を備えている。画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３は、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）等の透明な導電材料によって形成されている。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、さらに、有機発光層ＯＲＧ及び共通電極ＣＥを備えている。画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのうち、一方が陽極であり、他方が陰極である。有機発光層ＯＲＧは、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３の上にそれぞれ位置している。共通電極ＣＥは、有機発光層ＯＲＧの上に位置している。共通電極ＣＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電材料によって形成されている。図示した例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、それぞれリブ１５によって区画されている。なお、図示しないが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、透明な封止膜によって封止されていることが望ましい。

封止層４１は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３の上を覆っている。封止層４１は、第１絶縁基板１０と封止層４１との間に配置された部材を封止するように形成されている。封止層４１は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３への酸素や水分の侵入を抑制し、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３の劣化を抑制する。なお、封止層４１は、無機膜と有機膜の積層体から構成されていても良い。

第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板３０、カラーフィルタ層２２０等を備えている。第２絶縁基板３０は、封止層４１の上に配置されている。第２絶縁基板３０は、例えば、ガラス基板や樹脂基板であっても良いし、光学フィルムや偏光板等を含んだ光学素子であっても良い。後述するが、第２絶縁基板３０は、例えば、非表示領域において封止層４１に接着されている。

カラーフィルタ層２２０は、第２絶縁基板３０の内面３０Ａ側に配置されている。カラーフィルタ層２２０は、カラーフィルタＣＦ１、カラーフィルタＣＦ２、及び、カラーフィルタＣＦ３を備えている。カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３は、互いに異なる色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。一例では、カラーフィルタＣＦ１は青色カラーフィルタであり、カラーフィルタＣＦ２は緑色カラーフィルタであり、カラーフィルタＣＦ３は赤色カラーフィルタである。なお、カラーフィルタ層２２０は、さらに、白色あるいは透明のカラーフィルタを含んでいても良い。カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３は、それぞれ有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３と対向している。

保護部材ＰＰは、第１基板ＳＵＢ１の下方に配置されている。図示した例では、保護部材ＰＰは、第１絶縁基板１０の下に接着されているが、保護部材ＰＰと第１絶縁基板１０との間に他の薄膜が介在していても良い。保護部材ＰＰの材料としては、耐熱性、ガス遮断性、防湿性、強度に優れ、尚且つ安価な材料が好ましい。保護部材ＰＰは、表示装置ＤＳＰを製造する過程でのプロセス温度にて変質、変形しない程度の耐熱性を有する。また、保護部材ＰＰは、第１絶縁基板１０より大きな強度を有し、表示パネルＰＮＬが外部からの応力がかからない状態にて湾曲する事態を抑制する支持層として機能する。また、保護部材ＰＰは、第１絶縁基板１０への水分等の侵入を抑制する防湿性及びガスの侵入を抑制するガス遮断性を有し、バリア層として機能する。本実施形態においては、保護部材ＰＰは、例えば、ポリエチレンテレフタラートを用いて形成されたフィルムである。

なお、保護部材ＰＰの下方に、金属層が形成されていても良い。金属層は、例えば、保護部材ＰＰに蒸着された薄膜であるが、保護部材ＰＰと金属層との間に他の薄膜が介在していても良い。金属層の材料としては、後述する製造過程において、保護部材ＰＰよりも耐ガス性に優れた材料が好ましく、例えば、アルミニウム、又はアルミニウム合金を用いて形成される。

このような表示装置ＤＳＰにおいては、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３のそれぞれが発光した際、それぞれの放射光（白色光）は、カラーフィルタＣＦ１、カラーフィルタＣＦ２、カラーフィルタＣＦ３を介してそれぞれ外部に出射される。このとき、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１から放射された白色光のうち、青色波長の光がカラーフィルタＣＦ１を透過する。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２から放射された白色光のうち、緑色波長の光がカラーフィルタＣＦ２を透過する。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３から放射された白色光のうち、赤色波長の光がカラーフィルタＣＦ３を透過する。これにより、カラー表示が実現される。

図１に示した画素ＰＸは、例えば、カラー画像を構成する最小単位であり、上記の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３を備えている。

なお、上記の構成例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３が共通の有機発光層ＯＲＧを備えていたが、これに限定されるものではない。例えば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１が青色に発光する有機発光層を備え、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２が緑色に発光する有機発光層を備え、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３が赤色に発光する有機発光層を備えていても良く、このような構成例においては、カラーフィルタ層２２０を省略しても良い。

図３は、図１に示した表示装置ＤＳＰの非表示領域ＮＤＡを含んだ断面図である。なお、ここでは、第２基板ＳＵＢ２は、図２に示した第２基板ＳＵＢ２の構造と略同一であるため、その詳細な構造についての説明は省略する。また、本実施形態においては、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１を見ることを平面視と定義する。

ここで、第１絶縁膜１１及び第２絶縁膜１２を無機絶縁膜ＩＩとする。無機絶縁膜ＩＩは、第１絶縁基板１０を覆っている。なお、上記無機絶縁膜ＩＩは、第１絶縁膜１１、及び第２絶縁膜１２で構成されているが、これに限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、無機絶縁膜ＩＩは、単一層の絶縁膜、又は３層以上の絶縁膜で形成されていてもよい。

第１絶縁基板１０、無機絶縁膜ＩＩは、非表示領域ＮＤＡにおいて、第１基板ＳＵＢ１の端部ＳＵＢ１Ｅまで延在しておらず途切れている。表示パネルＰＮＬは、第１領域ＡＲ１と、第１領域ＡＲ１に隣接する第２領域ＡＲ２と、を有している。第１領域ＡＲ１は、第１絶縁基板１０及び無機絶縁膜ＩＩが配置されている領域に相当する。第２領域ＡＲ２は、第１絶縁基板１０及び無機絶縁膜ＩＩが配置されていない領域に相当する。すなわち、第１絶縁基板１０の端面１０Ｅと、無機絶縁膜ＩＩの端面ＩＩＥは、第１領域ＡＲ１及び第２領域ＡＲ２の境界面Ｂ上に位置している。

パッドＰＤは、第２領域ＡＲ２に配置されている。図示した例では、パッドＰＤは、電極Ｐ１及び電極Ｐ２が積層されることによって構成されている。電極Ｐ１は、例えば、図２に示したゲート電極ＷＧと同一工程で同一材料にて形成され、モリブデンタングステン合金を用いて形成される。電極Ｐ１は、例えば、島状に形成されている。電極Ｐ２は、例えば、金属材料等の導電材料を用いて形成されている。図示した例では、第３絶縁膜１３は、第１領域ＡＲ１において境界面Ｂまで延出しておらず途切れている。また、第３絶縁膜１３は、第２領域ＡＲ２において第１基板ＳＵＢ１の端部ＳＵＢ１Ｅ側に配置されている。第２領域ＡＲ２において、第３絶縁膜１３の一部は、電極Ｐ１と電極Ｐ２との間に配置されている。

信号配線６は、第１領域ＡＲ１において、第３絶縁膜１３の上に配置され、無機絶縁膜ＩＩの上にも配置されている。信号配線６は、第１領域ＡＲ１から第２領域ＡＲ２まで連続して配置され、パッドＰＤと電気的に接続されている。信号配線６及びパッドＰＤは、それぞれ別々に形成されていても良いし、一体的に形成されていても良い。図示した例では、信号配線６は、パッドＰＤの電極Ｐ２と一体的に形成されている。信号配線６は、電源線や各種制御用配線等に相当する。信号配線６は、例えば、チタン、アルミニウム、チタンの積層体で形成されている。

なお、信号配線６及びパッドＰＤは、他の層において両者が同層に配置されていても良い。また、信号配線６及びパッドＰＤが互いに異なる層に配置され、信号配線６及びパッドＰＤの間の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して両者が電気的に接続されていても良い。

第４絶縁膜１４は、第１領域ＡＲ１及び第２領域ＡＲ２に配置されている。第４絶縁膜１４は、信号配線６、パッドＰＤ、第３絶縁膜１３を覆っている。すなわち、第４絶縁膜１４は、信号配線６に接しており、信号配線６に対して第１絶縁基板１０の反対側に位置している。第４絶縁膜１４は、有機絶縁膜であり、本実施形態においては、アクリル系有機膜、または、ポリイミド系有機膜を用いて形成されている。

保護層ＰＲは、第２領域ＡＲ２に配置された信号配線６を覆っている。保護層ＰＲは、例えば、有機絶縁材料を用いて形成される。保護層ＰＲが配置されることにより、信号配線６の腐食を抑制する。

図示した例によれば、第１領域ＡＲ１は、第１絶縁基板１０と、第１絶縁基板１０上に配置された無機絶縁膜ＩＩと、無機絶縁膜ＩＩ上に配置された信号配線６と、を有している。また、第２領域ＡＲ２は、保護層ＰＲと、保護層ＰＲ上に信号配線６と、を有している。上記したパッドＰＤは、第２領域ＡＲの保護層ＰＲ側に形成される。

図示した例では、カラーフィルタ層は、非表示領域ＮＤＡにおいて配置されず、第２絶縁基板３０は、非表示領域ＮＤＡにおいて封止層４１に接着されている。図示した例では、第１基板ＳＵＢ１は、さらに、スペーサＳＰを備えている。スペーサＳＰは、第５リブ１５の上に配置されている。スペーサＳＰは、第１基板ＳＵＢ１の第２基板ＳＵＢ２と対向する側に配置されており、第２基板ＳＵＢ２側に突出して形成されている。スペーサＳＰは、例えば、アクリル系樹脂をベースとした樹脂材料によって形成されている。スペーサＳＰは、パッドＰＤの上に位置している。

なお、単個のスペーサＳＰは、第１方向Ｘに連続的に延出した壁状に形成されても良い。又は、複数個のスペーサＳＰは、不連続の壁状に形成されても良い。又は、複数個のスペーサＳＰは、点在した柱状に形成されても良い。第３方向ＺにおいてパッドＰＤの少なくとも一部に、スペーサＳＰが重なっていればよい。

図示した例では、スペーサＳＰは、第２基板ＳＵＢ２に向かって先細る順テーパー状に形成されているが、スペーサＳＰの形状は、図示した例に限らず、第１基板ＳＵＢ１に向かって先細る逆テーパー状に形成されていても良い。また、図示した例では、スペーサＳＰは、第１基板ＳＵＢ１上に形成されているが、第２基板ＳＵＢ２上に形成されていても良い。

スペーサＳＰは、封止層４１よりも強度が大きい。このため、配線基板１を表示パネルＰＮＬに圧着する際に、第３方向Ｚにかかる力に対する第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間の強度を向上することが可能である。

配線基板１は、表示パネルＰＮＬの下方から、パッドＰＤを介して第２領域ＡＲ２に実装されている。換言すると、表示パネルＰＮＬは、第２領域ＡＲ２において、信号配線６より第１絶縁基板１０側かつ第１絶縁基板１０の端面１０Ｅと対向する側にパッドＰＤを露出させる露出面Ｓを有し、配線基板１は露出面Ｓに実装されている。配線基板１は、コア基板２００と、コア基板２００の上面側に配置された接続配線１００と、コア基板２００の上面側に配置された駆動ＩＣチップ３と、を備えている。駆動ＩＣチップ３は、表示パネルＰＮＬを駆動するのに必要な信号を供給する信号供給源等として機能する。なお、駆動ＩＣチップ３の位置は、特に制限されるものではなく、コア基板２００の下面側に配置されていても良い。フレキシブル配線基板２は、配線基板１の上面側に配置されている。

表示パネルＰＮＬ及び配線基板１は、導電材料である異方性導電膜８を介して互いに電気的に接続されると共に接着されている。すなわち、異方性導電膜８は、接着剤中に分散された導電粒子を含んでいる。このため、配線基板１と表示パネルＰＮＬとの間に異方性導電膜８を介在させた状態で、配線基板１及び表示パネルＰＮＬを第３方向Ｚに上下から加圧し、加熱することによって、両者が電気的及び物理的に接続される。異方性導電膜８は、パッドＰＤと接し、電気的に接続されている。また、異方性導電膜８は、接続配線１００と接し、電気的に接続されている。これにより、接続配線１００は、異方性導電膜８を介して、パッドＰＤ及び信号配線６と電気的に接続されている。

ここで、図１に示したような折り曲げ領域ＢＡは、境界面Ｂと配線基板１の端面１Ｅとの間の領域に相当し、第２領域ＡＲ２に含まれている。折り曲げ領域ＢＡにおいて、露出面Ｓから信号配線６が露出している。折り曲げ領域ＢＡが折り曲げられることによって、パッドＰＤは、表示パネルＰＮＬの背面側へ配置される。

なお、図示した例では、第２領域ＡＲ２において、第２基板ＳＵＢ２が配置されているが、折り曲げ領域ＢＡが折り曲げられる際の応力を抑制するために、形成されていなくても良い。

図４は、本実施形態に係る表示パネルＰＮＬを示す平面図であり、第１領域ＡＲ１及び第２領域ＡＲ２の位置関係等を示す図である。図４において、第１領域ＡＲ１は、左上がりの斜線で示されており、第２領域ＡＲ２は、右上がりの斜線で示されている。第２領域ＡＲ２は、第１領域ＡＲ１に隣接し、第１基板ＳＵＢ１の端部ＳＵＢ１Ｅ側の非表示領域ＮＤＡにおいて、第１方向Ｘに延出している。

図３に示したように、第１領域ＡＲ１は、平面視で、第１絶縁基板１０及び無機絶縁膜ＩＩが配置されている領域に相当し、第２領域ＡＲ２は、平面視で、第１絶縁基板１０及び無機絶縁膜ＩＩが配置されていない領域に相当する。複数のパッドＰＤは、平面視で、第２領域ＡＲ２に重なり、第１方向Ｘに並んで配置されている。折り曲げ領域ＢＡは、境界面ＢとパッドＰＤとの間に位置している。複数の信号配線６は、それぞれパッドＰＤに接続され、折り曲げ領域ＢＡにおいて第２方向Ｙに沿って延出し第１方向Ｘに沿って並んでいる。

次に、本実施形態の表示装置の製造工程について、図５から図１０までを用いて説明する。図５乃至図１０においてパッドＰＤより上層の構造は、図３に示した表示パネルＰＮＬにおける、パッドＰＤより上層の構造と等しい。

図５は、第１絶縁基板１０から支持基板７を剥離する工程を説明するための断面図である。すなわち、支持基板７の上に、第１基板ＳＵＢ１を構成する第１絶縁基板１０、無機絶縁膜ＩＩ、パッドＰＤ、信号配線６等の各部材を順次形成した後、第２基板ＳＵＢ２を貼り合せる。

その後、第１絶縁基板１０から支持基板７を剥離するために、支持基板７の下方からレーザー光ＬＬを照射する。ここで、本実施形態においては、例えば、支持基板７はガラスによって形成され、第１絶縁基板１０はポリイミドによって形成されている。支持基板７の背面側からレーザー光ＬＬが照射されると、レーザー光ＬＬは、第１絶縁基板１０の面１０Ａに到達する。第１絶縁基板１０は、支持基板７と第１絶縁基板１０との間の界面で、レーザー光ＬＬを吸収して分解するアブレーションを生じる。これにより、支持基板７及び第１絶縁基板１０の界面に空間が生じ、第１絶縁基板１０から支持基板７が剥離される。

図６は、第２領域ＡＲ２において第１絶縁基板１０を除去する工程を説明するための断面図である。
次に、保護部材ＰＰが、接着シートによって第１絶縁基板１０に貼付される。具体的には、第１絶縁基板１０及び保護部材ＰＰの間に接着シートを配置した状態で、保護部材ＰＰをアライメントした後、加温処理することで、保護部材ＰＰは、第１絶縁基板１０の下に貼付される。このように、保護部材ＰＰはアライメント後に加温処理されるため、位置のズレが生じるのを抑制することができる。

次に、レーザー光ＬＬを遮光するための遮光マスクＬＳを第１領域ＡＲ１に配置し、第１基板ＳＵＢ１の下方からレーザー光ＬＬを照射する。第１領域ＡＲ１においては遮光マスクＬＳが配置されているため、レーザー光ＬＬは、第１絶縁基板１０に到達しない。第２領域ＡＲ２においては、第１絶縁基板１０がレーザー光ＬＬを吸収して分解し、除去される。

このとき、本実施形態においては、第２領域ＡＲ２の第１絶縁基板１０を除去するレーザー光ＬＬは、３５５ｎｍより短波長のレーザー光である。より具体的には、例えば、レーザー光ＬＬの波長は、約２４８〜３５５ｎｍである。ここで、３５５ｎｍより短波長のレーザー光に対する第１絶縁基板１０の吸収率は、無機絶縁膜ＩＩの３５５ｎｍより短波長のレーザー光に対する吸収率より大きい。

本実施形態においては、例えば、第４絶縁膜１４は、アクリル系有機膜、または、ポリイミド系有機膜で形成されている。この場合、レーザー光ＬＬが無機絶縁膜ＩＩの上方へ透過し、第４絶縁膜１４の信号配線６と重ならない領域に照射されたとしても、第４絶縁膜１４はほとんどアブレーションを生じない。

図７は、第２領域ＡＲ２において無機絶縁膜ＩＩを除去する工程を説明するための断面図である。
次に、第２領域ＡＲ２において無機絶縁膜ＩＩがアッシングによって除去される。無機絶縁膜ＩＩは、第１領域ＡＲ１においては、保護部材ＰＰによって覆われているため削られない。アッシング処理に用いられるガスとしては、例えば、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）が用いられる。

このとき、保護部材ＰＰは、アッシング処理において第１領域ＡＲ１の削れを防止するマスクとして機能している。さらに、保護部材ＰＰの下面に金属層が形成されている場合には、金属層はアッシング処理のガスに対して耐性を有するため、アッシング処理に際して保護部材ＰＰの削れや、保護部材ＰＰに要求される性能（耐熱性、ガス遮断性、防湿性、強度など）の劣化を抑制することができる。

図８は、配線基板１を表示パネルＰＮＬに圧着する工程を説明するための断面図である。
第１絶縁基板１０及び無機絶縁膜ＩＩが除去された後、図８に示すように、無機絶縁膜ＩＩの端面ＩＩＥは、第１絶縁基板１０の端面１０Ｅの直上に位置している。また、無機絶縁膜ＩＩの端面ＩＩＥは、第１領域ＡＲ１及び第２領域ＡＲ２の間の境界面Ｂと同一平面上に位置している。また、信号配線６は、表示パネルＰＮＬの露出面Ｓから露出している。上述したように、信号配線６は、例えば、チタン、アルミニウム、チタンの積層体から構成されており、このとき、信号配線６のチタンの層が表示パネルＰＮＬの下方へ露出している。

次に、異方性導電膜８を用いて、配線基板１を表示パネルＰＮＬに圧着する工程が行われる。すなわち、配線基板１と表示パネルＰＮＬとの間であってパッドＰＤと重なる位置に、異方性導電膜８を配置し、配線基板１の下方及び表示パネルＰＮＬの上方から、図８に示した矢印の方向に圧力を加え加熱する。これにより、異方性導電膜８が溶融して異方性導電膜８に含まれる導電粒子がパッドＰＤに接触し、配線基板１及び表示パネルＰＮＬが電気的及び物理的に接続される。
以上の工程により、配線基板１が表示パネルＰＮＬに圧着される。

図９は、表示パネルＰＮＬの折り曲げ部ＢＡを折り曲げる工程を説明するための断面図である。
まず、折り曲げ部ＢＡにおいて露出した信号配線６を覆う保護層ＰＲが配置される。すなわち、保護層ＰＲは、第２領域ＡＲ２に配置される。保護層ＰＲは、例えば、有機絶縁材料を用いて形成され、ＵＶ照射によって硬化されることにより形成される。また、信号配線６は、保護層ＰＲの上に配置され、第２領域ＡＲ２において、有機絶縁膜である第４絶縁膜１４と保護層ＰＲとで挟まれている。そのため、折り曲げ領域ＢＡを折り曲げた際に、信号配線６が第４絶縁膜１４と保護層ＰＲとの間の中立面と略同等となる。

次に、台座部５が位置をアライメントしてから第１領域ＡＲ１に接着層ＡＤ１で接着される。その後、パッドＰＤが、表示パネルＰＮＬの下方に配置されるように、表示パネルＰＮＬの折り曲げ部ＢＡが折り曲げられる。つまり、台座部５を基点として、配線基板１が台座部５の下方に配置されるように回し、接着層ＡＤ２で台座部５に貼り付けられる。なお、本実施形態において、折り曲げ部ＢＡにおける表示パネルＰＮＬの厚みＷは、例えば、約１３０μｍである。また、台座部５は、例えば、シート状に形成されている。

図１０は、図９に示した表示パネルＰＮＬの折り曲げ部ＢＡを折り曲げた後の状態を示す断面図である。
折り曲げ領域ＢＡは、表示パネルＰＮＬの第１領域ＡＲ１と配線基板１とが対向するように折れ曲がっている。本実施形態においては、曲率半径を１．０ｍｍ以下にすることが可能であり、例えば、折り曲げ領域ＢＡの曲率半径は、約０．３ｍｍである。台座部５は、第１領域ＡＲ１と配線基板１との間に配置されている。台座部５が配置されることにより、外部から衝撃が加わった場合に表示パネルＰＮＬ又は配線基板１に台座部５からの応力が生じても、表示パネルＰＮＬや配線基板１が損傷し難くなる。また、台座部５が配置されることにより、第１領域ＡＲ１と配線基板１との間の接着性が向上する。

接着層ＡＤ１は、配線基板１と台座部５との間に配置され、両者を接着している。また、接着層ＡＤ２は、第１領域ＡＲ１と台座部５との間に配置され、両者を接着している。なお、接着層ＡＤ１及びＡＤ２は、図示したようにつながって形成されていても良いし、別々に形成されていても良い。接着層ＡＤ１及びＡＤ２は、例えば両面テープである。保護層ＰＲは、主に折り曲げ領域ＢＡと台座部５の間に配置されている。

本実施形態によれば、第２領域ＡＲ２において、信号配線６の下に無機絶縁膜ＩＩが配置されていない。そのため、折り曲げ領域ＢＡが曲げられる際に、無機絶縁膜ＩＩに曲げ応力が加えられてクラックが生じることにより、信号配線６が断線するのを抑制することが可能である。したがって、製造歩留まりの低下を抑制することが可能である。
また、図３に示したように、配線基板１は、表示パネルＰＮＬの下方に配置されている。そのため、第２領域ＡＲ２において、第１絶縁基板１０が除去され、無機絶縁膜ＩＩを表示パネルＰＮＬの下方側からアッシングして除去することが可能となる。例えば、第１絶縁基板１０が除去されに無機絶縁膜ＩＩを表示パネルＰＮＬの上方側からアッシング等で除去する場合には、信号配線６がマスクとなって、信号配線６下の無機絶縁膜ＩＩが除去されない場合があるが、上記の構成とすることで、信号配線６と重なる位置においても無機絶縁膜ＩＩを除去することができる。

また、上記のように、表示パネルＰＮＬの折り曲げ部ＢＡを折り曲げることによって、表示パネルＰＮＬを収容する電子機器等を狭額縁化もしくは小型化することが可能となる。また、非表示領域ＮＤＡの幅を縮めることなく収容体積を縮小することができる。

以上説明したように、本実施形態によれば、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な表示装置を得ることができる。

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

上記の実施形態は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に限らず、液晶表示装置に適用することも可能である。その場合、表示パネルＰＮＬは、例えば、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に挟持された液晶層と、を備えた液晶表示パネルである。表示パネルＰＮＬが液晶表示パネルである場合には、液晶表示パネルは、第２基板ＳＵＢ２側から入射する光を選択的に反射することで画像を表示する反射型の液晶表示パネルであっても良いし、第１基板ＳＵＢ１側から入射する光を選択的に透過することで画像を表示する透過型の液晶表示パネルであっても良い。なお、平面視で、表示領域ＤＡと配線基板１とが重畳する場合には、反射型が好適であるが、第１基板ＳＵＢ１と配線基板１との間にバックライトユニットを配置することが可能であれば、透過型であっても良い。なお、本実施形態に関する主要な構成については、表示装置ＤＳＰが液晶表示装置であった場合にも略同一である。

ＤＳＰ…表示装置、ＡＲ１…第１領域、ＡＲ２…第２領域、ＰＮＬ…表示パネル、
１００…接続配線、１…配線基板、１０…第１絶縁基板、ＩＩ…無機絶縁膜、
６…信号配線、ＰＤ…パッド、１４…第４絶縁膜、ＰＲ…保護層、
ＩＩＥ、１０Ｅ…端面、Ｂ…境界面、５…台座部、ＡＤ…接着層。

Claims (8)

1. 第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、を有する表示パネルと、
   前記表示パネルの前記第２領域に実装された配線基板と、を備える表示装置であって、
   前記第１領域は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に配置された無機絶縁膜と、前記無機絶縁膜上に配置された信号配線と、を有し、
   前記第２領域は、保護層と、前記保護層上に、前記第１領域から連続して配置された前記信号配線と、を有している、表示装置。
2. さらに、前記第２領域は、前記信号配線と電気的に接続され、前記保護層側に形成されたパッドを有し、
   前記配線基板は、前記パッドを介して前記表示パネルの前記第２領域に実装される請求項１に記載の表示装置。
3. 前記表示パネルは、前記第１領域から前記第２領域に連続して配置された前記信号配線を覆うように配置された有機絶縁膜を備え、
   前記有機絶縁膜は、アクリル系有機膜、または、ポリイミド系有機膜である請求項１又は２に記載の表示装置。
4. 前記信号配線は、前記第２領域において、前記有機絶縁膜と前記保護層とで挟まれている請求項３に記載の表示装置。
5. 前記絶縁基板の３５５ｎｍより短波長のレーザー光に対する吸収率は、前記無機絶縁膜の３５５ｎｍより短波長のレーザー光に対する吸収率より大きい請求項１乃至４の何れか１項に記載の表示装置。
6. 前記無機絶縁膜の端面は、前記絶縁基板の端面の直上に位置する請求項１乃至５の何れか１項に記載の表示装置。
7. 前記無機絶縁膜の端面は、前記第１領域及び前記第２領域の間の境界面と同一平面上に位置する請求項１乃至６の何れか１項に記載の表示装置。
8. 台座部と、
   接着層と、をさらに備え、
   前記第１領域と前記配線基板とが対向するように前記第２領域が折れ曲がり、前記台座部は、前記第１領域と前記配線基板との間に配置され、前記接着層は、前記配線基板と前記台座部との間、及び、前記第１領域と前記台座部との間に配置される請求項１乃至７の何れか１項に記載の表示装置。

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