TWI568322B - 放熱基板及使用其之元件 - Google Patents
放熱基板及使用其之元件 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI568322B TWI568322B TW101110089A TW101110089A TWI568322B TW I568322 B TWI568322 B TW I568322B TW 101110089 A TW101110089 A TW 101110089A TW 101110089 A TW101110089 A TW 101110089A TW I568322 B TWI568322 B TW I568322B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- insulating layer
- support substrate
- thickness
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 377
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 title description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 456
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 92
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 87
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 57
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 56
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 54
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 40
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 40
- 230000003578 releasing effect Effects 0.000 claims description 36
- 229920006259 thermoplastic polyimide Polymers 0.000 claims description 36
- 230000005606 hygroscopic expansion Effects 0.000 claims description 21
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 18
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 12
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 108
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 101
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 92
- 238000000034 method Methods 0.000 description 82
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 69
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 66
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 64
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 64
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 56
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 53
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 53
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 52
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 47
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 description 40
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 38
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 33
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 30
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 29
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 24
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 23
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 23
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 22
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 20
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 20
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 19
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 18
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 17
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 17
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 15
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 15
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 15
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 14
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 14
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000002585 base Substances 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 238000011161 development Methods 0.000 description 13
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 12
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 12
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 11
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 8
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 8
- -1 siloxane skeleton Chemical group 0.000 description 8
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 8
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N bpda Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 6
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 6
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 6
- GWHLJVMSZRKEAQ-UHFFFAOYSA-N 3-(2,3-dicarboxyphenyl)phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C=2C(=C(C(O)=O)C=CC=2)C(O)=O)=C1C(O)=O GWHLJVMSZRKEAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical class CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 5
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZBMISJGHVWNWTE-UHFFFAOYSA-N 3-(4-aminophenoxy)aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=CC(N)=C1 ZBMISJGHVWNWTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical group C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 4
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 4
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 4
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 3
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 3
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 3
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 3
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- OURODNXVJUWPMZ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 OURODNXVJUWPMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- JCEZOHLWDIONSP-UHFFFAOYSA-N 3-[2-[2-(3-aminopropoxy)ethoxy]ethoxy]propan-1-amine Chemical compound NCCCOCCOCCOCCCN JCEZOHLWDIONSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QYIMZXITLDTULQ-UHFFFAOYSA-N 4-(4-amino-2-methylphenyl)-3-methylaniline Chemical group CC1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C QYIMZXITLDTULQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JCRRFJIVUPSNTA-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 JCRRFJIVUPSNTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NVKGJHAQGWCWDI-UHFFFAOYSA-N 4-[4-amino-2-(trifluoromethyl)phenyl]-3-(trifluoromethyl)aniline Chemical compound FC(F)(F)C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C(F)(F)F NVKGJHAQGWCWDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 5-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)oxy]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(OC=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QHHKLPCQTTWFSS-UHFFFAOYSA-N 5-[2-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)=C1 QHHKLPCQTTWFSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100239079 Arabidopsis thaliana MUR3 gene Proteins 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N Cyclopentane Chemical compound C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101150092391 RSA3 gene Proteins 0.000 description 2
- 229920001646 UPILEX Polymers 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H aluminium sulfate (anhydrous) Chemical compound [Al+3].[Al+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NHDLVKOYPQPGNT-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2,3,5-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 NHDLVKOYPQPGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 2
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHRGRCVQAFMJIZ-UHFFFAOYSA-N cadaverine Chemical compound NCCCCCN VHRGRCVQAFMJIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N dimethylmethane Natural products CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940018564 m-phenylenediamine Drugs 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N naphthalenetetracarboxylic dianhydride Chemical compound C1=CC(C(=O)OC2=O)=C3C2=CC=C2C(=O)OC(=O)C1=C32 YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N putrescine Chemical compound NCCCCN KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004060 quinone imines Chemical class 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 125000004149 thio group Chemical group *S* 0.000 description 2
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 125000000876 trifluoromethoxy group Chemical group FC(F)(F)O* 0.000 description 2
- XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N trimethylenediamine Chemical compound NCCCN XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HFBHOAHFRNLZGN-LURJTMIESA-N (2s)-2-formamido-4-methylpentanoic acid Chemical compound CC(C)C[C@@H](C(O)=O)NC=O HFBHOAHFRNLZGN-LURJTMIESA-N 0.000 description 1
- STIUJDCDGZSXGO-UHFFFAOYSA-N (3-amino-4-phenoxyphenyl)-(3-aminophenyl)methanone Chemical compound NC1=CC=CC(C(=O)C=2C=C(N)C(OC=3C=CC=CC=3)=CC=2)=C1 STIUJDCDGZSXGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKNMIGJJXKBHJE-UHFFFAOYSA-N (3-aminophenyl)-(4-aminophenyl)methanone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC(N)=C1 YKNMIGJJXKBHJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWGJDPKCLMLPJW-UHFFFAOYSA-N 1,8-diaminooctane Chemical compound NCCCCCCCCN PWGJDPKCLMLPJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHVLMTFVQDZYHP-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-2-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)C(CN1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)=O OHVLMTFVQDZYHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUFPHBVGCFYCNW-UHFFFAOYSA-N 1-naphthylamine Chemical compound C1=CC=C2C(N)=CC=CC2=C1 RUFPHBVGCFYCNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVXRBSHBFJXTNM-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis(3-aminophenoxy)benzonitrile Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C(=C(OC=3C=C(N)C=CC=3)C=CC=2)C#N)=C1 PVXRBSHBFJXTNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQHRHABVSWOYPG-UHFFFAOYSA-N 2,9-dioxatricyclo[8.2.2.24,7]hexadeca-1(13),4,6,10(14),11,15-hexaene-3,8-dione Chemical compound O1C(=O)C(C=C2)=CC=C2C(=O)OC2=CC=C1C=C2 PQHRHABVSWOYPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YENVMPPRTXICRT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,6-dicarboxyphenyl)benzene-1,3-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1C1=C(C(O)=O)C=CC=C1C(O)=O YENVMPPRTXICRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GXVUZYLYWKWJIM-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanamine Chemical compound NCCOCCN GXVUZYLYWKWJIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DYGPKZRYPCCCLU-UHFFFAOYSA-N 2-(aminomethoxy)ethoxymethanamine Chemical compound NCOCCOCN DYGPKZRYPCCCLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJVGYWLSCKCZQK-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-aminoethyl)cyclohexyl]ethanamine Chemical compound NCCC1CCCCC1CCN LJVGYWLSCKCZQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIQFAJBKEHPUAM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-(2-aminoethoxy)ethoxy]ethoxy]ethanamine Chemical compound NCCOCCOCCOCCN NIQFAJBKEHPUAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFZOPNLVYZYSMQ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-[2-(2-aminoethoxy)ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethanamine Chemical compound NCCOCCOCCOCCOCCN IFZOPNLVYZYSMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STMZGJLCKJFMLQ-UHFFFAOYSA-N 2-[3-(2-aminoethyl)cyclohexyl]ethanamine Chemical compound NCCC1CCCC(CCN)C1 STMZGJLCKJFMLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUXZELZSNNYLRE-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(2-aminoethyl)cyclohexyl]ethanamine Chemical compound NCCC1CCC(CCN)CC1 XUXZELZSNNYLRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- HUWXDEQWWKGHRV-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Dichlorobenzidine Chemical group C1=C(Cl)C(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C(Cl)=C1 HUWXDEQWWKGHRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRBJSXQPQWSCCF-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Dimethoxybenzidine Chemical group C1=C(N)C(OC)=CC(C=2C=C(OC)C(N)=CC=2)=C1 JRBJSXQPQWSCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NUIURNJTPRWVAP-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Dimethylbenzidine Chemical group C1=C(N)C(C)=CC(C=2C=C(C)C(N)=CC=2)=C1 NUIURNJTPRWVAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OLQWMCSSZKNOLQ-UHFFFAOYSA-N 3-(2,5-dioxooxolan-3-yl)oxolane-2,5-dione Chemical compound O=C1OC(=O)CC1C1C(=O)OC(=O)C1 OLQWMCSSZKNOLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBAUUNCGSMAPFM-UHFFFAOYSA-N 3-(3,4-dicarboxyphenyl)phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=CC(C(O)=O)=C1C(O)=O NBAUUNCGSMAPFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXJLFVRAWOOQDR-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminophenoxy)aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=C(N)C=CC=2)=C1 LXJLFVRAWOOQDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRPRVQWGKLEFKN-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminopropoxy)propan-1-amine Chemical compound NCCCOCCCN KRPRVQWGKLEFKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGWQCROGAHMWSU-UHFFFAOYSA-N 3-[(4-aminophenyl)methyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=CC(N)=C1 FGWQCROGAHMWSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCFMKTNJZCYBBJ-UHFFFAOYSA-N 3-[1-(2,3-dicarboxyphenyl)ethyl]phthalic acid Chemical compound C=1C=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=1C(C)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1C(O)=O UCFMKTNJZCYBBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFSUKONUQMHUKQ-UHFFFAOYSA-N 3-[2-(2,3-dicarboxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(C=2C(=C(C(O)=O)C=CC=2)C(O)=O)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)=C1C(O)=O DFSUKONUQMHUKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAHZZOIHRHCHTH-UHFFFAOYSA-N 3-[2-(2,3-dicarboxyphenyl)propan-2-yl]phthalic acid Chemical compound C=1C=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=1C(C)(C)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1C(O)=O PAHZZOIHRHCHTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVXYMCJCMDTSQA-UHFFFAOYSA-N 3-[2-(3-aminophenyl)propan-2-yl]aniline Chemical compound C=1C=CC(N)=CC=1C(C)(C)C1=CC=CC(N)=C1 DVXYMCJCMDTSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOAYUKLNEKRLCQ-UHFFFAOYSA-N 3-[2-(4-aminophenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=CC(N)=C1 DOAYUKLNEKRLCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIYRIYOUSQLJHP-UHFFFAOYSA-N 3-[2-(4-aminophenyl)propan-2-yl]aniline Chemical compound C=1C=CC(N)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(N)C=C1 HIYRIYOUSQLJHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVUIAOHMTFHVTE-UHFFFAOYSA-N 3-[2-[2-[2-(3-aminopropoxy)ethoxy]ethoxy]ethoxy]propan-1-amine Chemical compound NCCCOCCOCCOCCOCCCN FVUIAOHMTFHVTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKKYOQYISDAQER-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(3-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=C(OC=3C=C(N)C=CC=3)C=CC=2)=C1 DKKYOQYISDAQER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBUNNYTXPDCASY-UHFFFAOYSA-N 3-[3-[2-[3-(3-aminophenoxy)phenyl]-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=C(C=CC=2)C(C=2C=C(OC=3C=C(N)C=CC=3)C=CC=2)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)=C1 GBUNNYTXPDCASY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBPVOEHZEWAJKQ-UHFFFAOYSA-N 3-[4-(3-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=CC(OC=3C=C(N)C=CC=3)=CC=2)=C1 LBPVOEHZEWAJKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NYRFBMFAUFUULG-UHFFFAOYSA-N 3-[4-[2-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]propan-2-yl]phenoxy]aniline Chemical compound C=1C=C(OC=2C=C(N)C=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OC1=CC=CC(N)=C1 NYRFBMFAUFUULG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XWQGVRJTNLTVBP-UHFFFAOYSA-N 3-[4-[2-[4-[2-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]propan-2-yl]phenyl]propan-2-yl]phenoxy]aniline Chemical compound C=1C=C(C(C)(C)C=2C=CC(OC=3C=C(N)C=CC=3)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OC1=CC=CC(N)=C1 XWQGVRJTNLTVBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCQABCHSIIXVOY-UHFFFAOYSA-N 3-[4-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]phenoxy]aniline Chemical group NC1=CC=CC(OC=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(OC=3C=C(N)C=CC=3)=CC=2)=C1 UCQABCHSIIXVOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JERFEOKUSPGKGV-UHFFFAOYSA-N 3-[4-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfanylphenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=CC(SC=3C=CC(OC=4C=C(N)C=CC=4)=CC=3)=CC=2)=C1 JERFEOKUSPGKGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJRWUTMEGNLLNV-UHFFFAOYSA-N 3-[6-(3-aminophenoxy)pyridin-2-yl]oxyaniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2N=C(OC=3C=C(N)C=CC=3)C=CC=2)=C1 YJRWUTMEGNLLNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBFJDBNISOJRCW-UHFFFAOYSA-N 3-methylphthalic acid Chemical compound CC1=CC=CC(C(O)=O)=C1C(O)=O IBFJDBNISOJRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Thiodianiline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1SC1=CC=C(N)C=C1 ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYYKXFEKMGYLZ-UHFFFAOYSA-N 4-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C=1C=C2C(=O)OC(=O)C2=CC=1C1=CC=CC2=C1C(=O)OC2=O FYYYKXFEKMGYLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SAHAMZVWSQYKHB-UHFFFAOYSA-N 4-(2,4-dicarboxyphenyl)phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 SAHAMZVWSQYKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIVVXPSKEVWKMY-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1OC1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 AIVVXPSKEVWKMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWXCYYWDGDDPAC-UHFFFAOYSA-N 4-[(3,4-dicarboxyphenyl)methyl]phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1CC1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 IWXCYYWDGDDPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZIHTWJGPDVSGE-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-aminocyclohexyl)methyl]cyclohexan-1-amine Chemical compound C1CC(N)CCC1CC1CCC(N)CC1 DZIHTWJGPDVSGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJXRYVQHINFIKO-UHFFFAOYSA-N 4-[1-(4-aminophenyl)-1-phenylethyl]aniline Chemical compound C=1C=C(N)C=CC=1C(C=1C=CC(N)=CC=1)(C)C1=CC=CC=C1 CJXRYVQHINFIKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEYAGBVEAJGCFB-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(3,4-dicarboxyphenyl)propan-2-yl]phthalic acid Chemical compound C=1C=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 GEYAGBVEAJGCFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BEKFRNOZJSYWKZ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-aminophenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(N)C=C1 BEKFRNOZJSYWKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYEDGEXYGKWJPB-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-aminophenyl)propan-2-yl]aniline Chemical compound C=1C=C(N)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(N)C=C1 ZYEDGEXYGKWJPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWOIWTRRPFHBSI-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[3-[2-(4-aminophenyl)propan-2-yl]phenyl]propan-2-yl]aniline Chemical compound C=1C=CC(C(C)(C)C=2C=CC(N)=CC=2)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(N)C=C1 KWOIWTRRPFHBSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HESXPOICBNWMPI-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[4-[2-(4-aminophenyl)propan-2-yl]phenyl]propan-2-yl]aniline Chemical compound C=1C=C(C(C)(C)C=2C=CC(N)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(N)C=C1 HESXPOICBNWMPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPRYUDHUFLKFL-UHFFFAOYSA-N 4-[3-(4-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=CC(OC=2C=CC(N)=CC=2)=C1 WUPRYUDHUFLKFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHLMWQDRYZAENA-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[2-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(C(C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)C=C1 HHLMWQDRYZAENA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMKWGXGSGPYISJ-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[2-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propan-2-yl]phenoxy]aniline Chemical compound C=1C=C(OC=2C=CC(N)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 KMKWGXGSGPYISJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSXVBZHFXLKHJU-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[2-[4-[2-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propan-2-yl]phenyl]propan-2-yl]phenoxy]aniline Chemical compound C=1C=C(C(C)(C)C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 DSXVBZHFXLKHJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYDATEKARGDBKU-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]phenoxy]aniline Chemical group C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)C=C1 HYDATEKARGDBKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXTPNMJRVQKNRN-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfanylphenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1SC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 SXTPNMJRVQKNRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLQZYWNVPSWWIK-UHFFFAOYSA-N 4-[[7a-(3,4-dicarboxyphenoxy)-1,3-dioxo-3aH-2-benzofuran-5-yl]oxy]phthalic acid Chemical compound C(=O)(O)C=1C=C(C=CC=1C(=O)O)OC12C(=O)OC(C1C=C(C=C2)OC1=CC(=C(C=C1)C(=O)O)C(=O)O)=O LLQZYWNVPSWWIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGYCECQIOXZODZ-UHFFFAOYSA-N 4415-87-6 Chemical compound O=C1OC(=O)C2C1C1C(=O)OC(=O)C12 YGYCECQIOXZODZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 5-(2,4-dioxooxolan-3-yl)-7-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C(C(OC2=O)=O)C2C(C)=CC1C1C(=O)COC1=O FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001136782 Alca Species 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930194542 Keto Natural products 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHMFUGIKHQHNTQ-UHFFFAOYSA-N NC1=CC=C(OC2=CC=C(C=C3C=CC(C=C3)=CC3=CC=C(C=C3)OC3=CC=C(C=C3)N)C=C2)C=C1 Chemical compound NC1=CC=C(OC2=CC=C(C=C3C=CC(C=C3)=CC3=CC=C(C=C3)OC3=CC=C(C=C3)N)C=C2)C=C1 CHMFUGIKHQHNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INEABFMKERYDLV-UHFFFAOYSA-N NC1=CC=C(OC2=CC=C(C=C3CC(CC=C3)=CC3=CC=C(C=C3)OC3=CC=C(C=C3)N)C=C2)C=C1 Chemical compound NC1=CC=C(OC2=CC=C(C=C3CC(CC=C3)=CC3=CC=C(C=C3)OC3=CC=C(C=C3)N)C=C2)C=C1 INEABFMKERYDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRIUHGWPYSHJSX-UHFFFAOYSA-N NC=1C=C(OC2=CC=C(C=C3C=CC(C=C3)=CC3=CC=C(C=C3)OC3=CC(=CC=C3)N)C=C2)C=CC1 Chemical compound NC=1C=C(OC2=CC=C(C=C3C=CC(C=C3)=CC3=CC=C(C=C3)OC3=CC(=CC=C3)N)C=C2)C=CC1 MRIUHGWPYSHJSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOLDTALGVOTXTH-UHFFFAOYSA-N NC=1C=C(OC2=CC=C(C=C3CC(CC=C3)=CC3=CC=C(C=C3)OC3=CC(=CC=C3)N)C=C2)C=CC1 Chemical compound NC=1C=C(OC2=CC=C(C=C3CC(CC=C3)=CC3=CC=C(C=C3)OC3=CC(=CC=C3)N)C=C2)C=CC1 QOLDTALGVOTXTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 108010039918 Polylysine Proteins 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005700 Putrescine Substances 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEUCYUPOICDBOG-UHFFFAOYSA-N [2-(aminomethyl)-5-bicyclo[2.2.1]heptanyl]methanamine Chemical compound C1C2C(CN)CC1C(CN)C2 KEUCYUPOICDBOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTKFKCIRTBTDKK-UHFFFAOYSA-N [3-(aminomethyl)-5-bicyclo[2.2.1]heptanyl]methanamine Chemical compound C1C(CN)C2C(CN)CC1C2 OTKFKCIRTBTDKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXISKMDTEFIGTG-UHFFFAOYSA-N [4-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)oxyphenyl] 1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carboxylate Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(OC=2C=CC(OC(=O)C=3C=C4C(=O)OC(=O)C4=CC=3)=CC=2)=O)=C1 CXISKMDTEFIGTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000573 alkali metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000941 alkaline earth metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCZWPKDRLPGFFZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynecerium Chemical compound [Ce]#N BCZWPKDRLPGFFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 229910001570 bauxite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- GCAIEATUVJFSMC-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1C(O)=O GCAIEATUVJFSMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N benzoquinolinylidene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000649 benzylidene group Chemical group [H]C(=[*])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- SONDVQSYBUQGDH-UHFFFAOYSA-N bis(3-amino-4-phenoxyphenyl)methanone Chemical compound NC1=CC(C(=O)C=2C=C(N)C(OC=3C=CC=CC=3)=CC=2)=CC=C1OC1=CC=CC=C1 SONDVQSYBUQGDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUQQUUXMCKXGDI-UHFFFAOYSA-N bis(3-aminophenyl)methanone Chemical compound NC1=CC=CC(C(=O)C=2C=C(N)C=CC=2)=C1 TUQQUUXMCKXGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLSMCQSGRWNEGX-UHFFFAOYSA-N bis(4-aminophenyl)methanone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N)C=C1 ZLSMCQSGRWNEGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- SSJXIUAHEKJCMH-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2-diamine Chemical compound NC1CCCCC1N SSJXIUAHEKJCMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEQHKFFSPGPGLN-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,3-diamine Chemical compound NC1CCCC(N)C1 GEQHKFFSPGPGLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VKIRRGRTJUUZHS-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,4-diamine Chemical compound NC1CCC(N)CC1 VKIRRGRTJUUZHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- YQLZOAVZWJBZSY-UHFFFAOYSA-N decane-1,10-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCCN YQLZOAVZWJBZSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDZMONMPFKUJO-UHFFFAOYSA-N decane-1,9-diamine Chemical compound CC(N)CCCCCCCCN DHDZMONMPFKUJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- QFTYSVGGYOXFRQ-UHFFFAOYSA-N dodecane-1,12-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCCCCN QFTYSVGGYOXFRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- IWBOPFCKHIJFMS-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol bis(2-aminoethyl) ether Chemical compound NCCOCCOCCN IWBOPFCKHIJFMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBASTSRAHRGUAB-UHFFFAOYSA-N ethylenetetracarboxylic dianhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C2=C1C(=O)OC2=O GBASTSRAHRGUAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWSKHLMYTZNYKO-UHFFFAOYSA-N heptane-1,7-diamine Chemical compound NCCCCCCCN PWSKHLMYTZNYKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000555 isopropenyl group Chemical group [H]\C([H])=C(\*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 1
- OBKARQMATMRWQZ-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C21 OBKARQMATMRWQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKBVMLGZPNDWJK-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=C2C(N)=CC=C(N)C2=C1 OKBVMLGZPNDWJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOBFTMLCEYUAQC-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C=C2C=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC2=C1 DOBFTMLCEYUAQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOGZBMRXLADNEV-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-diamine Chemical compound C1=C(N)C=CC2=CC(N)=CC=C21 GOGZBMRXLADNEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBJPJUGOYJOSLR-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,7-diamine Chemical compound C1=CC(N)=CC2=CC(N)=CC=C21 HBJPJUGOYJOSLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000010525 oxidative degradation reaction Methods 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- UMSVUULWTOXCQY-UHFFFAOYSA-N phenanthrene-1,2,7,8-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C3=CC=C(C(=O)O)C(C(O)=O)=C3C=CC2=C1C(O)=O UMSVUULWTOXCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000656 polylysine Polymers 0.000 description 1
- 108010026466 polyproline Proteins 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 230000022676 rumination Effects 0.000 description 1
- 208000015212 rumination disease Diseases 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- KLNPWTHGTVSSEU-UHFFFAOYSA-N undecane-1,11-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCCCN KLNPWTHGTVSSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- LRXTYHSAJDENHV-UHFFFAOYSA-H zinc phosphate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O LRXTYHSAJDENHV-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 229910000165 zinc phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0271—Arrangements for reducing stress or warp in rigid printed circuit boards, e.g. caused by loads, vibrations or differences in thermal expansion
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1042—Copolyimides derived from at least two different tetracarboxylic compounds or two different diamino compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/87—Arrangements for heating or cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
本發明係關於一種放熱性優異，無剝離或短路之放熱基板。
近年來，作為電子元件，多使用發光二極體(以下有時簡稱為LED(Light-Emitting Diode))、或有機電致發光(以下有時簡稱為有機EL(Electroluminescence))元件、功率半導體等在使用時發出大量之熱之元件。此種發熱量較多之元件存在以下問題：由所產生之熱導致元件自身劣化，或使元件周邊之構件劣化等。因此，通常使用放熱性優異之基板作為配置有上述電子元件之基板。
作為此種具有放熱性之基板，已知有具有支撐基材、貼合於上述支撐基材上之包含絕緣性樹脂之絕緣層、及形成於上述絕緣層上且配置有上述電子元件並加以電性連接之配線層的放熱基板，即具有放熱性之基板。
然而，用作絕緣性樹脂之環氧樹脂或熱塑性聚醯亞胺樹脂雖然有與支撐基材之黏著容易之優點，但由於絕緣性及耐熱性等不充分，故薄膜化困難，存在難以使短路較少且放熱性優異之問題。
又，與支撐基材相比較有熱膨脹係數較高之傾向，存在產生翹曲或自支撐基材之剝離之問題。
為了解決此種問題，例如於專利文獻1~3中揭示有具有基礎絕緣層、及形成於上述基礎絕緣層之兩面上且包含熱塑性聚醯亞胺樹脂之黏著劑層者作為上述絕緣層。
根據此種發明，藉由使用包含具有較高絕緣性之材料者作為基礎絕緣層，可穩定地防止短路之產生。
然而，由於難以使支撐基材、基礎絕緣層及包含熱塑性聚醯亞胺樹脂之黏著劑層之熱膨脹係數一致，故存在無法充分抑制加熱時產生之翹曲或剝離等之問題。又，由於含有上述包含熱塑性聚醯亞胺樹脂之黏著劑層，故絕緣層之厚度變厚，存在無法表現出充分之放熱性之問題。
[專利文獻1]日本專利特開2003-71982號公報
[專利文獻2]日本專利特開平9-99518號公報
[專利文獻3]日本專利特開2004-230670號公報
本發明之主要目的在於提供一種放熱性優異，無剝離或短路之放熱基板。
為了解決上述課題，本發明提供一種放熱基板，其係具有支撐基材、直接形成於上述支撐基材上之絕緣層、及直接形
成於上述絕緣層上之配線層，其特徵為：上述絕緣層包含非熱塑性聚醯亞胺樹脂，厚度為1 μm~20 μm之範圍內。
根據本發明，上述絕緣層直接形成於上述支撐基材上，包含非熱塑性聚醯亞胺樹脂，厚度為1 μm~20 μm之範圍內，藉此可使放熱性優異，無剝離或短路。
於本發明中，較佳為絕緣層實質上為一層。其原因為：藉由實質上為一層，可容易地形成上述厚度之絕緣層。
於本發明中，較佳為上述支撐基材之厚度為70 μm以上。其原因為：可使放熱性更優異。
於本發明中，較佳為上述絕緣層之線性熱膨脹係數為0 ppm/℃~40 ppm/℃之範圍內。其原因為：若線性熱膨脹係數過大，則溫度變化時產生之伸縮變大，故對尺寸穩定性造成不良影響。
又，於本發明中，較佳為上述絕緣層之線性熱膨脹係數與上述支撐基板之線性熱膨脹係數之差為15 ppm/℃以下。其原因為：上述絕緣層及支撐基板之線性熱膨脹係數越接近，越抑制放熱基板之翹曲，並且於放熱基板之熱環境變化時，上述絕緣層與支撐基板之界面之應力變小，密接性提高。
於本發明中，較佳為上述絕緣層之吸濕膨脹係數為0 ppm/%RH~15 ppm/%RH之範圍內。其原因為：藉由為上述吸濕膨脹係數，可充分減小上述絕緣層之吸水性，本發明之放熱基板之保管容易，於使用上述放熱基板製造元件之情況
其步驟變簡便。
於本發明中，較佳為上述非熱塑性聚醯亞胺樹脂之體積電阻率為1.0×1012 Ω．m以上。其原因為：藉由為上述範圍之體積電阻率，可使上述絕緣層較薄，可提高本發明之放熱基板之放熱性。
於本發明中，較佳為上述支撐基材含有包含鋁或以鋁為主成分之合金之金屬基材、及形成於上述金屬基材上之支撐基材保護層，且上述絕緣層係經圖案化。其原因為：藉由具有支撐基材保護層，即便於具有金屬基材且絕緣層係經圖案化之情況，亦可使支撐基材穩定。
於本發明中，較佳為上述支撐基材、絕緣層及配線層係分別獨立地經圖案化。其原因為：容易使放熱性或生產性等優異。
本發明提供一種元件，其特徵為具有上述放熱基板、及配置於上述放熱基板之配線層上之電子元件。
根據本發明，由於使用上述放熱基板，故可使放熱性優異。因此，可使電子元件或周圍之構件之劣化較少。又，可無剝離或短路。
本發明發揮可提供一種放熱性優異，無剝離或短路之放熱基板之效果。
本發明係關於一種放熱基板及使用其之元件。
以下，對本發明之放熱基板及元件進行詳細說明。
A.放熱基板
首先，對本發明之放熱基板加以說明。
本發明之放熱基板之特徵為：其具有支撐基材、直接形成於上述支撐基材上之絕緣層、及直接形成於上述絕緣層上之配線層，且上述絕緣層包含非熱塑性聚醯亞胺樹脂，厚度為1μm~20μm之範圍內。
參照圖式對此種本發明之放熱基板加以說明。圖1係表示本發明之放熱基板之一例之概略剖面圖。如圖1所例示，本發明之放熱基板10係具有支撐基材1、直接形成於上述支撐基材1上之絕緣層2、及形成於上述絕緣層2上之配線層3。
又，於該例中，上述絕緣層2係厚度為1μm~20μm之範圍內且僅包含非熱塑性聚醯亞胺樹脂之一層之層。
根據本發明，上述絕緣層係直接形成於上述支撐基材上，與電子元件相接觸之上述配線層係直接形成於上述絕緣層上，因此可使來自上述配線層之熱效率良好地傳導至上述支撐基材。又，藉由上述絕緣層之厚度為1μm~20μm之範圍內之厚度較薄者，可使放熱性優異。
又，藉由上述絕緣層包含非熱塑性聚醯亞胺樹脂，即不含熱塑性聚醯亞胺樹脂等，容易使支撐基材或配線層成為熱膨
脹係數與包含通常所使用之金屬等導熱性優異之材料者接近。因此，可無剝離或翹曲等。
又，非熱塑性聚醯亞胺樹脂與環氧樹脂或熱塑性樹脂等相比較，具有絕緣性尤其優異之性質，因此即便於使絕緣層之厚度較薄之情況，亦可發揮充分之絕緣性，容易地不產生短路。
如此，藉由具有上述絕緣層，可使放熱性優異，無剝離或短路。
本發明之放熱基板係至少具有上述支撐基材、絕緣層及配線層。
以下，對本發明之放熱基板之各構成加以說明。
1.絕緣層
本發明中所使用之絕緣層係直接形成於上述支撐基材上，且包含非熱塑性聚醯亞胺樹脂，厚度為1μm~20μm之範圍內。
此處，所謂直接形成於上述支撐基材上，係指不含上述熱塑性聚醯亞胺樹脂等之黏著劑層，且係指以與上述支撐基材直接接觸之方式形成上述絕緣層。再者，於上述支撐基材實施有表面處理之情況，係指以直接接觸於該所實施之表面處理之層上之方式形成。
(1)非熱塑性聚醯亞胺樹脂
作為本發明中所使用之非熱塑性聚醯亞胺樹脂，係指不具
有熱塑性，即，於通常之熱塑性聚醯亞胺表現熱塑性之溫度程度未表現出可塑性，具體而言，係指於自室溫(25℃左右)起直至300℃或玻璃轉移點溫度+20℃中任一較低溫度為止之溫度區域內，儲藏彈性模數一直為1.0×108 Pa以上之聚醯亞胺樹脂。玻璃轉移點溫度之算出方法如下所述。
又，作為自室溫(25℃左右)起直至300℃或玻璃轉移點溫度+20℃中任一較低溫度為止之溫度區域中之儲藏彈性模數，只要一直為1.0×108 Pa以上，則並無特別限定，其中較佳為1.0×108~1.0×1011 Pa之範圍內，進而較佳為5.0×108 ~5.0×1010之範圍內。其原因為：於上述儲藏彈性模數低於上述範圍之情況，有時於回流焊等高溫製程時絕緣層開始軟化，因此可能於加熱時之尺寸穩定性惡化。又，詳細原因如下所述：於聚醯亞胺具有熱塑性之情況，必需使用柔軟骨架之單體(主要為二胺)，有時會產生所獲得之膜之玻璃轉移溫度下降，又，線膨脹係數增大，難以與金屬層一致之課題。另一方面，於儲藏彈性模數高於上述範圍之情況，難以於烘烤時使膜軟化至容易緩和熱應力之水平，可能於絕緣層之應變或表面平坦性之方面造成不良影響。又，詳細原因如下所述：於聚醯亞胺之儲藏彈性模數較高之情況，必需使用剛直骨架之單體(主要為二胺)，有時會產生所獲得之膜之玻璃轉移溫度變高，又，線膨脹係數變得過小，難以與金屬層一致之課題。
再者，儲藏彈性模數係使用動態黏彈性測定裝置(例如RSA3(TA Instruments公司製造)，於頻率1Hz、升溫速度5℃/分鐘之條件下測定之值。
又，作為本案中之熱塑性聚醯亞胺樹脂，通常係指於自室溫(25℃左右)起直至300℃或玻璃轉移點溫度+20℃中任一較低溫度為止之溫度區域中存在儲藏彈性模數未達1.0×108之溫度區域的聚醯亞胺。
作為本發明中之非熱塑性聚醯亞胺樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)，只要可發揮所需之絕緣性等，則並無特別限定，較佳為250℃以上，其中就耐熱性之觀點而言，較理想為270℃以上。其原因為：藉由上述Tg為上述範圍內，可使本發明之放熱基板之耐熱性足夠高。
再者，Tg越高則耐熱性越高而越佳，但通常為了發揮聚醯亞胺之物性，較佳為以高於Tg之溫度進行固化(加熱處理)，於Tg過高之情況，可能於固化時上述絕緣層或上述支撐基板等劣化。就此種觀點而言，作為Tg之上限，較佳為500℃以下。其原因為：於Tg低於上述範圍之情況，絕緣層開始軟化之溫度變為250℃左右或其以下，有時於回流焊等高溫製程時絕緣層開始軟化，因此可能於加熱時尺寸變化惡化。且其原因為：反之於Tg高於上述範圍之情況，開始軟化之溫度較高，因此可能無法充分地緩和熱應力，或上述絕緣層或上述支撐基板等劣化。
又，本發明中之非熱塑性聚醯亞胺樹脂較佳為於250℃以下不具有熔點，其中較佳為於270℃以下不具有熔點，進而較佳為於300℃以下不具有熔點。其原因為：可使本發明之放熱基板之耐熱性足夠高。
作為本發明中所使用之非熱塑性聚醯亞胺樹脂之體積電阻率，只要可防止上述支撐基材與配線層之短路則並無特別限定。具體而言，作為上述非熱塑性聚醯亞胺樹脂之體積電阻率，較佳為1.0×1012Ω．m以上，更佳為1.0×1013Ω．m以上，進而較佳為1.0×1014Ω．m以上。其原因為：若體積電阻率較高，則可使絕緣層較薄，可提高本發明之放熱基板之放熱性。
再者，體積電阻率可利用依據JIS K6911、JIS C2318、ASTM D257等標準之方法測定。
作為本發明中所使用之非熱塑性聚醯亞胺樹脂之導熱率，只要可賦予所需之導熱性則並無特別限定，可設定為與通常之聚醯亞胺樹脂相同之程度。
本發明中所使用之非熱塑性聚醯亞胺樹脂係含有聚醯亞胺樹脂作為主成分。
此處，所謂作為主成分而含有，係指上述非熱塑性聚醯亞胺樹脂以滿足上述特性之程度含有聚醯亞胺樹脂。具體而言，係指上述非熱塑性聚醯亞胺樹脂中之含量為75質量%以上之情況，較佳為90質量%以上，尤佳為100質量%，
較佳為上述非熱塑性聚醯亞胺樹脂僅包含上述聚醯亞胺樹脂，即，上述絕緣層僅包含上述聚醯亞胺樹脂。其原因為：上述聚醯亞胺樹脂原本之耐熱性或絕緣性等特性變得良好。
作為上述聚醯亞胺樹脂，例如藉由適宜選擇聚醯亞胺樹脂之結構，可控制絕緣性及導熱性，或控制吸濕膨脹係數或線性熱膨脹係數、儲藏彈性模數。
作為本發明中所使用之聚醯亞胺樹脂，就使上述絕緣層之線性熱膨脹係數、吸濕膨脹係數、導熱率、儲藏彈性模數適合於本發明之放熱基板之觀點而言，較佳為含有芳香族骨架之聚醯亞胺樹脂。其原因為：於聚醯亞胺樹脂之中，含有芳香族骨架之聚醯亞胺樹脂由於其剛直且平面性較高之骨架，故耐熱性或為薄膜時之絕緣性優異，導熱率較高，線性熱膨脹係數亦較低，因此可較佳地用於本發明之放熱基板之絕緣層。
具體而言，可舉出下述式(I)所表示者。
(式(I)中，R1為4價有機基，R2為2價有機基，重複之R1彼此及R2彼此可分別相同亦可不同；n為1以上之自然數)
於式(I)中，通常R1為來源於四羧酸二酐之結構，R2為來
源於二胺之結構，通常聚醯亞胺樹脂可藉由以下方式獲得：使四羧酸二酐與二胺反應，合成聚醯胺酸等聚醯亞胺前驅物後，對其進行熱醯亞胺化或化學醯亞胺化。
作為可應用於上述聚醯亞胺樹脂之四羧酸二酐，例如可舉出：乙烯四羧酸二酐、丁烷四羧酸二酐、環丁烷四羧酸二酐、環戊烷四羧酸二酐、均苯四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐、2,2',3,3'-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、2,2',3,3'-聯苯四羧酸二酐、2,2',6,6'-聯苯四羧酸二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)丙烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)醚二酐、雙(3,4-二羧基苯基)碸二酐、1,1-雙(2,3-二羧基苯基)乙烷二酐、雙(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷二酐、1,3-雙[(3,4-二羧基)苯甲醯基]苯二酐、1,4-雙[(3,4-二羧基)苯甲醯基]苯二酐、2,2-雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}丙烷二酐、2,2-雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}丙烷二酐、雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}酮二酐、雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}酮二酐、1,4-雙(3,4-二羧基苯氧基)苯二酐、4,4'-雙[4-(1,2-二羧基)苯氧基]聯苯二酐、4,4'-雙[3-(1,2-二羧基)苯氧基]聯苯二酐、雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}酮二酐、雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}酮二酐、雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}
碸二酐、雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}碸二酐、雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}硫醚二酐、雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}硫醚二酐、2,2-雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷二酐、2,2-雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}-1,1,1,3,3,3-丙烷二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、1,2,3,4-苯四羧酸二酐、3,4,9,10-二萘嵌苯四羧酸二酐、2,3,6,7-蒽四羧酸二酐、1,2,7,8-菲四羧酸二酐等。
該等可單獨或混合兩種以上而使用。
就上述聚醯亞胺樹脂之耐熱性、線性熱膨脹係數等之觀點而言，可較佳地使用之四羧酸二酐為芳香族四羧酸二酐。作為可尤佳地使用之四羧酸二酐，可舉出：均苯四羧酸二酐、1,2,3,5-苯四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、2,3,3',4'-聯苯四羧酸二酐、2,3,2',3'-聯苯四羧酸二酐、2,2',6,6'-聯苯四羧酸二酐、雙(3,4-二羧基苯基)醚二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷二酐等。
其中，就降低吸濕膨脹係數之觀點而言，尤佳為3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、2,3,3',4'-聯苯四羧酸二酐、2,3,2',3'-聯苯四羧酸二酐、雙(3,4-二羧基苯基)醚二酐。
若使用導入有氟之四羧酸二酐作為併用之四羧酸二酐，則聚醯亞胺樹脂之吸濕膨脹係數降低。然而，具有含氟之骨架
之聚醯亞胺樹脂之前驅物不易溶解於鹼性水溶液中，必需藉由醇等有機溶劑與鹼性水溶液之混合溶液進行顯影。
又，若使用均苯四羧酸二酐、1,2,3,5-苯四羧酸二酐、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、2,3,3',4'-聯苯四羧酸二酐、2,3,2',3'-聯苯四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐等剛直之四羧酸二酐，則聚醯亞胺樹脂之線性熱膨脹係數變小，因此較佳。其中，就線性熱膨脹係數與吸濕膨脹係數之平衡之觀點而言，尤佳為3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、2,3,3',4'-聯苯四羧酸二酐、2,3,2',3'-聯苯四羧酸二酐。
於四羧酸二酐具有脂環骨架之情況，聚醯亞胺前驅物之透明性提高，因此可製成高感度之感光性聚醯亞胺樹脂。另一方面，聚醯亞胺樹脂之耐熱性或絕緣性與芳香族聚醯亞胺樹脂相比較有較差之傾向。
於使用芳香族之四羧酸二酐之情況，有成為耐熱性優異，表現出低線性熱膨脹係數之聚醯亞胺樹脂之優點。因此，於聚醯亞胺樹脂中，較佳為上述式(I)中之R1中33莫耳%以上為下述式所表示之任一結構。
[化2]
若上述聚醯亞胺樹脂含有上述式之任一結構，則由於該等剛直之骨架而表現出低線性熱膨脹及低吸濕膨脹。進而，亦有於市場上容易獲取、低成本之優點。
具有如上所述之結構之聚醯亞胺樹脂為表現出高耐熱性、低線性熱膨脹係數之聚醯亞胺樹脂。因此，上述式所表示之結構之含量於上述式(I)中之R1中越接近100莫耳%越佳，但只要至少於上述式(I)中之R1中含有33%以上即可。其中，上述式所表示之結構之含量於上述式(I)中之R1中較佳為50莫耳%以上，進而較佳為70莫耳%以上。
另一方面，可應用於聚醯亞胺樹脂之二胺成分可單獨使用一種二胺，或併用兩種以上之二胺而使用。所使用之二胺成分並無特別限定，例如可舉出：對苯二胺、間苯二胺、鄰苯二胺、3,3'-二胺基二苯基醚、3,4'-二胺基二苯基醚、4,4'-二胺基二苯基醚、3,3'-二胺基二苯基硫醚、3,4'-二胺基二苯基硫醚、4,4'-二胺基二苯基硫醚、3,3'-二胺基二苯基碸、3,4'-二胺基二苯基碸、4,4'-二胺基二苯基碸、3,3'-二胺基二苯甲酮、4,4'-二胺基二苯甲酮、3,4'-二胺基二苯甲酮、3,3'-二胺
基二苯基甲烷、4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,4'-二胺基二苯基甲烷、2,2-二(3-胺基苯基)丙烷、2,2-二(4-胺基苯基)丙烷、2-(3-胺基苯基)-2-(4-胺基苯基)丙烷、2,2-二(3-胺基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、2,2-二(4-胺基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、2-(3-胺基苯基)-2-(4-胺基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、1,1-二(3-胺基苯基)-1-苯基乙烷、1,1-二(4-胺基苯基)-1-苯基乙烷、1-(3-胺基苯基)-1-(4-胺基苯基)-1-苯基乙烷、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(3-胺基苯甲醯基)苯、1,3-雙(4-胺基苯甲醯基)苯、1,4-雙(3-胺基苯甲醯基)苯、1,4-雙(4-胺基苯甲醯基)苯、1,3-雙(3-胺基-α,α-二甲基苄基)苯、1,3-雙(4-胺基-α,α-二甲基苄基)苯、1,4-雙(3-胺基-α,α-二甲基苄基)苯、1,4-雙(4-胺基-α,α-二甲基苄基)苯、1,3-雙(3-胺基-α,α-二(三氟甲基)苄基)苯、1,3-雙(4-胺基-α,α-二(三氟甲基)苄基)苯、1,4-雙(3-胺基-α,α-二(三氟甲基)苄基)苯、1,4-雙(4-胺基-α,α-二(三氟甲基)苄基)苯、2,6-雙(3-胺基苯氧基)苯甲腈、2,6-雙(3-胺基苯氧基)吡啶、4,4'-雙(3-胺基苯氧基)聯苯、4,4'-雙(4-胺基苯氧基)聯苯、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]酮、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]酮、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]硫醚、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]硫醚、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]碸、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]碸、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]醚、雙[4-(4-胺基苯
氧基)苯基]醚、2,2-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[3-(3-胺基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、1,3-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯甲醯基]苯、1,3-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯甲醯基]苯、1,4-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯甲醯基]苯、1,4-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯甲醯基]苯、1,3-雙[4-(3-胺基苯氧基)-α,α-二甲基苄基]苯、1,3-雙[4-(4-胺基苯氧基)-α,α-二甲基苄基]苯、1,4-雙[4-(3-胺基苯氧基)-α,α-二甲基苄基]苯、1,4-雙[4-(4-胺基苯氧基)-α,α-二甲基苄基]苯、4,4'-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯甲醯基]二苯基醚、4,4'-雙[4-(4-胺基-α,α-二甲基苄基)苯氧基]二苯甲酮、4,4'-雙[4-(4-胺基-α,α-二甲基苄基)苯氧基]二苯基碸、4,4'-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯氧基]二苯基碸、3,3'-二胺基-4,4'-二苯氧基二苯甲酮、3,3'-二胺基-4,4'-二聯苯氧基二苯甲酮、3,3'-二胺基-4-苯氧基二苯甲酮、3,3'-二胺基-4-聯苯氧基二苯甲酮、6,6'-雙(3-胺基苯氧基)-3,3,3',3'-四甲基-1,1'-螺聯吲哚、6,6'-雙(4-胺基苯氧基)-3,3,3',3'-四甲基-1,1'-螺聯吲哚、1,3-雙(3-胺基丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(4-胺基丁基)四甲基二矽氧烷、α,ω-雙(3-胺基丙基)聚二甲基矽氧烷、α,ω-雙(3-胺基丁基)聚二甲基矽氧烷、雙(胺基甲基)醚、雙(2-胺基乙基)醚、雙(3-胺基丙基)醚、雙(2-胺基甲氧基)乙基]醚、雙[2-(2-胺基乙氧基)乙基]醚、雙[2-(3-胺基丙氧基)乙基]
醚、1,2-雙(胺基甲氧基)乙烷、1,2-雙(2-胺基乙氧基)乙烷、1,2-雙[2-(胺基甲氧基)乙氧基]乙烷、1,2-雙[2-(2-胺基乙氧基)乙氧基]乙烷、乙二醇雙(3-胺基丙基)醚、二乙二醇雙(3-胺基丙基)醚、三乙二醇雙(3-胺基丙基)醚、乙二胺、1,3-二胺基丙烷、1,4-二胺基丁烷、1,5-二胺基戊烷、1,6-二胺基己烷、1,7-二胺基庚烷、1,8-二胺基辛烷、1,9-二胺基壬烷、1,10-二胺基癸烷、1,11-二胺基十一烷、1,12-二胺基十二烷、1,2-二胺基環己烷、1,3-二胺基環己烷、1,4-二胺基環己烷、1,2-二(2-胺基乙基)環己烷、1,3-二(2-胺基乙基)環己烷、1,4-二(2-胺基乙基)環己烷、雙(4-胺基環己基)甲烷、2,6-雙(胺基甲基)雙環[2.2.1]庚烷、2,5-雙(胺基甲基)雙環[2.2.1]庚烷等。又，亦可使用上述二胺之芳香環上氫原子之一部分或全部經自氟基、甲基、甲氧基、三氟甲基、或三氟甲氧基中選擇之取代基取代之二胺等。
進而，根據目的，亦可將成為交聯點之乙炔基、苯并環丁烯-4'-基、乙烯基、烯丙基、氰基、異氰酸酯基及異丙烯基中之任一種或兩種以上作為取代基導入至上述二胺之芳香環上之氫原子之一部分或全部而使用。
二胺可根據目標物性而選擇，若使用對苯二胺等剛直之二胺，則聚醯亞胺樹脂成為低膨脹係數。作為剛直之二胺，可舉出作為於同一芳香環上鍵結有2個胺基之二胺的對苯二胺、間苯二胺、1,4-二胺基萘、1,5-二胺基萘、2,6-二胺基萘、
2,7-二胺基萘、1,4-二胺基蒽等。
進而，可舉出2個以上之芳香族環藉由單鍵而鍵結且2個以上之胺基分別直接或作為取代基之一部分鍵結於不同之芳香族環上之二胺，例如有下述式(II)所表示者。作為具體例，可舉出聯苯胺等。
(式(II)中，a為0或1以上之自然數，胺基相對於苯環彼此之鍵而鍵結於間位或對位)
進而，亦可使用於上述式(II)中於不參與和其他苯環之鍵結、且苯環上之胺基未進行取代之位置具有取代基之二胺。該等取代基為1價有機基，但該等亦可相互鍵結。作為具體例，可舉出：2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、2,2'-二(三氟甲基)-4,4'-二胺基聯苯、3,3'-二氯-4,4'-二胺基聯苯、3,3'-二甲氧基-4,4'-二胺基聯苯、3,3'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯等。
又，若導入氟作為芳香環之取代基，則可降低吸濕膨脹係數。然而，含有氟之聚醯亞胺樹脂前驅物尤其係聚醯胺酸不易溶解於鹼性水溶液中，於在支撐基材上局部地形成絕緣層之情況，有時於絕緣層之加工時，必需利用與醇等有機溶劑之混合溶液進行顯影。
另一方面，若使用1,3-雙(3-胺基丙基)四甲基二矽氧烷等
具有矽氧烷骨架之二胺作為二胺，則可改善與支撐基材之密接性，或聚醯亞胺樹脂之彈性模數下降，使玻璃轉移溫度下降。
此處，就耐熱性之觀點而言，所選擇之二胺較佳為芳香族二胺，但亦可根據目標物性以二胺總體之60莫耳%、較佳為不超過40莫耳%之範圍使用脂肪族二胺或矽氧烷系二胺等芳香族以外之二胺。
又，於上述聚醯亞胺樹脂中，較佳為上述式(I)中之R2中33莫耳%以上為下述式所表示任一結構。
R3為2價有機基、氧原子、硫原子、或碸基，R4及R5為1價有機基、或鹵素原子。
若聚醯亞胺樹脂含有上述式之任一結構，則由於該等剛直之骨架而表現出低線性熱膨脹及低吸濕膨脹。進而，亦有於市場上容易獲取、低成本之優點。
於具有如上所述之結構之情況，聚醯亞胺樹脂之耐熱性提高，線性熱膨脹係數減小。因此，於上述式(I)中之R2中越接近100莫耳%越佳，但只要於上述式(I)中之R2中含有至少33%以上即可。其中，上述式所表示之結構之含量於上述
式(I)中之R2中較佳為50莫耳%以上，進而較佳為70莫耳%以上。
又，於本發明中，為了使非熱塑性聚醯亞胺樹脂具有所需之儲藏彈性模數，對於構成作為主成分而含有之聚醯亞胺樹脂之原料即四羧酸二酐與二胺而言，具有彎曲性之原料之比例以少為佳。即，構成聚醯亞胺樹脂之四羧酸二酐及二胺中具有彎曲性之結構之四羧酸二酐及具有彎曲性之結構之二胺之含有率以少為佳。
此處，作為具有彎曲性之結構之四羧酸二酐，只要具有柔軟之骨架而使儲藏彈性模數或Tg較低，則並無特別限定，可舉出：最新聚醯亞胺．基礎與應用，今井淑夫、橫田力男，NTS，p.241~252(2002)；飛躍發展之聚醯亞胺之最新動向IV，Sumibe Research股份有限公司p3~12；WO2007/015396號公報等中所記載者，更具體而言為具有烷基、醚基、碸基、酮基、硫基等柔軟結構之四羧酸二酐，可舉出下述通式(III)所表示者。
式(III)中之X、Xc分別為自由下述通式所表示之2價有機基所組成之群中選擇之基。Xc於1分子內可全部相同亦可不同，亦可左右之朝向不同。又，p為0以上之整數。
於本發明中，較佳為p為2以下，其中較佳為1以下，尤佳為0。其原因為：藉由p為上述範圍，可使彎曲性較低，可使儲藏彈性模數較高。
作為本發明中之具有彎曲性之結構之四羧酸二酐於構成聚醯亞胺樹脂之所有四羧酸二酐中之含量，只要可製成所需之儲藏彈性模數之非熱塑性聚醯亞胺，則並無特別限定，可根據具有彎曲性之結構之四羧酸二酐之種類或其他四羧酸二酐成分及二胺成分之種類等適宜設定，較佳為50質量%以下，其中較佳為25質量%以下，尤佳為0質量%，即不含有。其原因為：藉由為上述範圍，容易獲得所需之儲藏彈性模數。
再者，所謂構成聚醯亞胺樹脂之所有四羧酸二酐中之含量，係指作為單體之所有四羧酸二酐中的具有彎曲性之結構之四羧酸二酐之含量。
又，作為具有彎曲性之結構之二胺，只要為具有柔軟之骨架而使儲藏彈性模數或Tg較低，則並無特別限定，可舉出上述「最新聚醯亞胺．基礎與應用」等中所記載者，更具體而言為具有烷基、醚基、碸基、酮基、硫基等柔軟結構之二胺，可舉出下述通式(IV)所表示者。
[化7]
式(IV)中，Xd為與上述Xc相同之2價有機基。又，Xd於1分子內可全部相同亦可不同，亦可左右之朝向不同。又，q為1以上之整數。
進而，亦可使用於上述式(IV)中，芳香環上之氫原子之一部分或全部經自鹵素原子、甲基、甲氧基、三氟甲基、或三氟甲氧基中選擇之取代基取代之二胺。又，亦可於不參與和其他苯環之鍵結、且苯環上之胺基未進行取代之位置具有取代基。該等取代基為1價有機基，但該等亦可相互鍵結。又，芳香環係以苯環記述，但亦可為吡啶等雜芳香環，亦可為萘環等多環芳香環，亦可使用聯苯等芳香環彼此以單鍵而鍵結之化合物。
於本發明中，較佳為q為3以下，其中較佳為2以下，尤佳為1。其原因為：藉由q為上述範圍，可使彎曲性較低，可使儲藏彈性模數較高。
作為本發明中之具有彎曲性之結構之二胺於構成聚醯亞胺樹脂之所有二胺中之含量，只要可製成所需之儲藏彈性模數之非熱塑性聚醯亞胺，則並無特別限定。例如q為1之情況的4,4'-二胺基二苯基醚、3,4'-二胺基二苯基醚等二胺僅具有1個醚鍵等彎曲部位，因此彎曲性相對較低，獲得熱塑性之效果與其他者相比較小。如此，含量可根據具有彎曲性之
結構之二胺之種類或其他四羧酸二酐成分及二胺成分之種類等適宜設定，但關於q為2以上者，較佳為50質量%以下，其中較佳為25質量%以下，尤佳為0質量%，即不含有。又，關於q為1者，較佳為80質量%以下，其中較佳為60質量%以下，尤佳為40質量%以下。其原因為：藉由為上述範圍，容易獲得所需之儲藏彈性模數。
再者，所謂構成聚醯亞胺樹脂之所有二胺中之含量，係指作為單體之所有二胺中的具有彎曲性之結構之二胺之含量。
又，具有上述式(I)所表示之重複單位之聚醯亞胺樹脂亦可為使用感光性聚醯亞胺樹脂而獲得者，該感光性聚醯亞胺樹脂含有於加熱處理等醯亞胺化(固化)後成為聚醯亞胺樹脂的聚醯亞胺成分、及感光劑。作為感光性聚醯亞胺樹脂，例如可利用酯鍵或離子鍵對聚醯胺酸之羧基導入乙烯性雙鍵，於所獲得之聚醯亞胺前驅物中混合光自由基起始劑作為感光劑，製成溶劑顯影負型感光性聚醯亞胺樹脂。又，例如可於聚醯胺酸或其部分酯化物中添加萘醌二疊氮化合物作為感光劑，製成鹼性顯影正型感光性聚醯亞胺樹脂，或於聚醯胺酸中添加硝苯地平系化合物作為感光劑，製成鹼性顯影負型感光性聚醯亞胺樹脂等，於聚醯胺酸中添加光鹼產生劑作為感光劑，製成鹼性顯影負型感光性聚醯亞胺樹脂。
於該等感光性聚醯亞胺樹脂中，相對於聚醯亞胺成分之重量添加15%~35%之感光劑。因此，即便於圖案形成後以
300℃~400℃進行加熱，來源於感光劑之殘渣亦殘留於聚醯亞胺樹脂中。該等殘留物成為增大線性熱膨脹係數或吸濕膨脹係數之原因，因此若使用感光性聚醯亞胺樹脂，則與使用非感光性聚醯亞胺樹脂之情況相比，有容易產生剝離或翹曲等之傾向。然而，於聚醯胺酸中添加光鹼產生劑作為感光劑而成之感光性聚醯亞胺樹脂即便使作為感光劑之光鹼產生劑之添加量為15%以下，亦可形成圖案，因此於製成上述聚醯亞胺樹脂後，來源於感光劑之分解殘渣亦較少，線性熱膨脹係數或吸濕膨脹係數等特性之劣化亦較少，進而逸氣亦較少，因此作為可應用於本發明之感光性聚醯亞胺樹脂最佳。
就於上述支撐基材上局部地形成絕緣層時作業環境之安全性確保及製程成本之降低之觀點而言，上述聚醯亞胺樹脂之形成時所使用之感光性聚醯亞胺樹脂較佳為可藉由鹼性水溶液顯影。鹼性水溶液與有機溶劑相比較，可較廉價地獲取，廢液處理費用或用以確保作業安全性之設備費用較廉價，因此可以更低之成本進行生產。
又，於本發明中，亦可於上述聚醯亞胺樹脂之形成時使用含有上述聚醯亞胺成分且實質上不含上述感光劑之非感光性聚醯亞胺樹脂。
再者，所謂實質上不含上述感光劑，係指上述感光劑之含量為於放熱基板中所使用之感光性聚醯亞胺樹脂之通常之曝光/顯影條件下，無法精度良好地進行圖案化之程度以下
之含量。
本發明中所使用之非熱塑性聚醯亞胺樹脂中，視需要亦可含有調平劑、塑化劑、界面活性劑、消泡劑等添加劑。
(2)絕緣層
本發明中所使用之絕緣層係直接形成於上述支撐基材上，且包含上述非熱塑性聚醯亞胺樹脂。
作為本發明中所使用之絕緣層之層構成，只要包含上述非熱塑性聚醯亞胺樹脂，則可為單層，亦可包含數層，較佳為實質上為一層者。其原因為：可容易地形成上述厚度之絕緣層。
此處，所謂實質上為一層，係指藉由塗佈等由一種材料所形成，不包含藉由共擠壓法等使分別準備之兩種以上之材料以成為層狀之方式噴出且各層之界面連續地變化。例如不包含以成為兩層之方式噴出且兩者之界面連續地變化，即兩種材料之濃度連續地變化。
本發明中所使用之絕緣層之厚度只要為1μm~20μm之範圍內，可表現出所需之絕緣性而防止上述支撐基材與配線層之短路，且發揮所需之放熱性，則並無特別限定，係根據必需之耐電壓設定。
具體而言，於本發明中，於用於所使用之電壓為1 kV以上的必需之耐電壓較高之用途之情況，較佳為10μm~20μm之範圍內。
又，於所使用之電壓為0.5 kV~1 kV左右之情況，以1 μm~15μm、較佳為5μm~10μm為宜。
又，於家庭用途之使用等無需較高之耐電壓之情況，具體而言於未達0.5 kV、尤其係0.3 kV以下之情況，就放熱性之觀點而言，以1μm~10μm、較佳為1μm~7μm為宜。
具體而言，作為上述絕緣層之線性熱膨脹係數，只要於本發明之放熱基板之使用時可抑制剝離或翹曲等之產生，則並無特別限定，就尺寸穩定性之觀點而言，較佳為0 ppm/℃~40 ppm/℃之範圍內。其原因為：若線性熱膨脹係數過大，則溫度變化時產生之伸縮變大，因此對尺寸穩定性造成不良影響。又，其原因為：即便於使用包含銅或鋁等放熱性優異之金屬材料者作為上述支撐基材之情況，亦可充分抑制剝離或翹曲之產生。
再者，線性熱膨脹係數係以如下方式測定。首先，製作僅包含上述非熱塑性聚醯亞胺樹脂之膜。有以下方法：於上述支撐基材上製作僅包含上述非熱塑性聚醯亞胺樹脂之膜(絕緣層)後，將上述非熱塑性聚醯亞胺樹脂膜剝離之方法；或於上述支撐基材上製作上述非熱塑性聚醯亞胺樹脂膜(絕緣層)後，利用蝕刻將上述金屬去除，獲得上述非熱塑性聚醯亞胺樹脂膜之方法。繼而，將所獲得之非熱塑性聚醯亞胺樹脂膜切割為寬度5 mm×長度20 mm，作為評價樣品。線性熱膨脹係數係藉由熱機械分析裝置(例如Thermo Plus
TMA8310(RIGAKU公司製造))測定。測定條件係將升溫速度設定為10℃/分鐘，以評價樣品之單位剖面積之負荷成為相同之方式將拉伸負荷設定為1 g/25000 μm2，將100℃~200℃之範圍內之平均線性熱膨脹係數作為線性熱膨脹係數(C.T.E.)。
作為本發明中所使用之絕緣層之線性熱膨脹係數與上述支撐基板之線性熱膨脹係數之差，就尺寸穩定性之觀點而言，較佳為15 ppm/℃以下，更佳為10 ppm/℃以下，進而較佳為5 ppm/℃以下。其原因為：與上述支撐基材之線性熱膨脹係數越接近，本發明之放熱基板之翹曲越受到抑制，並且於上述放熱基板之熱環境變化時，與上述支撐基材之界面之應力變小，密接性提高。相對於此，本發明之放熱基板於操作方面，較佳為於0℃~100℃之範圍之溫度環境下不翹曲，但若因絕緣層之線性熱膨脹係數較大而絕緣層與支撐基板之線性熱膨脹係數之差大幅度地不同，則放熱基板會因熱環境之變化而翹曲。
再者，所謂放熱基板不產生翹曲，係指將放熱基板切成寬度10 mm、長度50 mm之短條狀，於將所獲得之樣品之一側之短邊水平地固定於平滑之台上時，樣品之另一側之短邊自台表面之浮起距離為1.0 mm以下。
又，於本發明中，於在絕緣層上與上述配線層(配線)一併形成之電子元件、密接層、電極等層具有某種程度之面積(支
撐基板之一半以上之面積)，且以與支撐基板相同程度或其以上之厚度形成之情況，較理想為上述絕緣層之線性熱膨脹係數與電子元件、密接層、電極及配線等形成於絕緣層上之層之線性熱膨脹係數接近。若絕緣層之線性熱膨脹係數與形成於絕緣層上之層之線性熱膨脹係數不同，則尺寸穩定性降低，並且會成為剝離或翹曲或龜裂之原因。
例如於形成於上述絕緣層上之層係以Zn、In、Ga、Cd、Ti、St、Sn、Te、Mg、W、Mo、Cu、Al、Fe、Sr、Ni、Ir、Mg等金屬之氧化物，或Si、Ge、B等非金屬之氧化物，以及上述元素之氮化物、硫化物、硒化物及該等之混合物(亦包括如包含多種元素之陶瓷般以原子水準混合者)等無機材料為主成分之情況，由於該等無機材料中亦包含線性熱膨脹係數為10 ppm/℃以下之線性熱膨脹係數較小者，因此較理想為絕緣層之線性熱膨脹係數亦更小。
作為本發明中之絕緣層之線性熱膨脹係數與形成於絕緣層上之層之線性熱膨脹係數之差，具體而言較佳為10 ppm/℃以下，更佳為5 ppm/℃以下，進而較佳為2 ppm/℃以下。
作為本發明中所使用之絕緣層之吸水性，由於在上述電子元件之中多為EL元件、有機薄膜太陽電池、固體撮像元件等不耐水分者，故為了減少元件內部之水分，較佳為相對較小。作為吸水性之指標之一，有吸濕膨脹係數。因此，上述絕緣層之吸濕膨脹係數越小越佳，具體而言較佳為0
ppm/%RH~15 ppm/%RH之範圍內，更佳為0 ppm/%RH~12 ppm/%RH之範圍內，進而較佳為0 ppm/%RH~10 ppm/%RH之範圍內。其原因為：若上述絕緣層之吸濕膨脹係數為上述範圍，則可充分減小上述絕緣層之吸水性，本發明之放熱基板之保管容易，於使用上述放熱基板製造元件之情況其步驟變得簡便。又，上述絕緣層之吸濕膨脹係數越小，上述絕緣層之尺寸穩定性越提高。其原因為：若上述絕緣層之吸濕膨脹係數較大，則有時由與吸濕膨脹係數幾乎接近零之支撐基材之膨脹係數之差導致於濕度上升之同時上述放熱基板翹曲，或與上述支撐基材之密接性下降。
再者，作為吸濕膨脹係數之測定方法，可藉由濕度可變機械分析裝置(Thermo Plus TMA8310(RIGAKU公司製造))測定。例如將溫度固定於25℃，首先調整為於濕度15%RH之環境下樣品變穩定之狀態，使該狀態保持大致30分鐘~2小時後，將測定部位之濕度調整為20%RH，進而使該狀態保持30分鐘~2小時直至樣品變穩定為止。其後，使濕度變化為50%RH，將其變穩定時之樣品長度與於20%RH變穩定之狀態之樣品長度之差除以濕度之變化(此情況為50-20之30)，將該值除以樣品長度，將所得之值作為吸濕膨脹係數(C.H.E.)。測定時，以評價樣品之單位剖面積之負荷成為相同之方式將拉伸負荷設定為1 g/25000μm2。
本發明中所使用之絕緣層可整個面形成於上述支撐基材
上，亦可局部地形成於上述支撐基材上。於本發明中，較佳為上述支撐基材及配線層係獨立地經圖案化。其原因為：容易使放熱性或生產性等優異。
具體而言其原因為：由於絕緣層與支撐基板相比較導熱性更低，故可藉由將絕緣層之不需要之部分去除並以金屬等設置導熱部而實現放熱性之改善；或由於支撐基板之阻隔性高於絕緣層，故於將不耐水分之元件作為電子元件配置於上述配線層上時，藉由設置上述支撐基板露出之區域，可使密封構件與上述支撐基板直接密接，可更強固地防止水分之滲入。
又，其原因為：藉由在上述支撐基板露出之區域中選擇性地形成密封部，可於面內進行區分，或以附有多面之狀態密封，可以較高之生產性製造元件。
作為上述絕緣層之形成方法，例如只要為可於支撐基材上直接形成上述絕緣層之方法，則並無特別限定，可使用塗佈可形成上述絕緣層之絕緣層形成用塗敷液之方法，例如塗佈包含上述感光性聚醯亞胺樹脂之絕緣層形成用塗敷液，然後進行加熱處理之方法。又，視需要可藉由曝光/顯影或使用阻劑之蝕刻等進行圖案化。
作為塗佈方法，例如可使用旋塗法、模塗法、浸塗法、棒塗法、凹版印刷法、網版印刷法等。
2.支撐基材
本發明中所使用之支撐基材係支撐上述絕緣層及配線層，且具有導熱性。
此處，所謂具有導熱性，係指支撐基材於室溫(300 K)之導熱率為10 W/mK以上。
再者，上述支撐基材可為單層，亦可為包含數層之積層體，於為積層體之情況，係指各層均為10 W/mK以上。因此，關於支撐基材為積層體之情況之導熱性黏著劑層，具體而言為銅-導熱性黏著劑層-鋁之3層構造之情況之導熱性黏著劑層，於導熱率為10 W/mK以上之情況，亦包含於本發明中之支撐基材中。
又，導熱率之值越高越佳，具體而言進而較佳為50 W/mK，尤佳為100 W/mK以上，進而佳為200 W/mK。
作為構成上述支撐基材之材料，只要為可穩定地支撐上述絕緣層及配線層且可製成具有所需之導熱率者之導熱性材料，則並無特別限定，例如可舉出：鋁、鋁合金、銅、銅合金、磷青銅、不鏽鋼(SUS，stainless steel)、金、金合金、鎳、鎳合金、銀、銀合金、錫、錫合金、鈦、鐵、鐵合金、鋅、鉬、因瓦材料等金屬材料，或矽、石墨等半導體材料等。
於本發明中，其中較佳為鋁、銅、銀、金及以該等為主成分之合金，或矽，或石墨。其原因為：可使導熱率較高且放熱性優異。
又，就成本方面之觀點而言，於使用金屬材料之情況，較
佳為鋁、銅及以該等為主成分之合金。於必需增加金屬厚度之情況，就使支撐基材輕量化之觀點而言，尤佳為鋁。
又，於對支撐基材進行圖案化時，構成支撐基材之材料較佳為金屬材料。其原因為：於利用光微影法、雷射或衝壓等進行直接加工之方法等中，加工容易。
又，於對配線層或絕緣層進行圖案化時，構成支撐基材之材料較佳為具有化學液耐性或耐熱性等製程耐性。
於對如配線層般經由其他層與支撐基材接觸之層進行圖案化時，藉由以膠帶等覆蓋支撐基材之露出部，可避免支撐基材與化學液接觸。然而於對如絕緣層般直接與支撐基材接觸之層進行圖案化時，難以於圖案化時避免支撐基材露出。其原因為：尤其對於未由直接與支撐基材接觸之圖案化對象之層覆蓋之位置而言，可用膠帶等覆蓋該部位，但對於由圖案化對象之層覆蓋之位置而言，難以避免對該層進行圖案化時露出。
因此，於對配線層或絕緣層進行圖案化時，尤其係對絕緣層進行圖案化時，支撐基材較佳為具有化學液耐性。
具體而言，於構成支撐基材之材料為金屬材料之情況，較佳為銅、銀、金。其原因為具有較高之化學液耐性及耐熱性。又，於支撐基材中使用鋁等離子化傾向較大之金屬或以該金屬為主成分之合金之情況，即含有包含此種離子化傾向較大之金屬或以該金屬為主成分之合金之金屬基材作為支撐基
材之芯層之情況，較佳為形成支撐基材保護層等而使用。更具體而言，於支撐基材含有包含鋁、或以鋁為主成分之合金之金屬基材之情況，較佳為含有形成於上述金屬基材上之支撐基材保護層。其原因為：可提高化學劑耐性，可防止被酸性化學液或鹼性化學液尤其係鹼性化學液腐蝕。其原因為：其結果即便於支撐基材具有金屬基材，且絕緣層係經圖案化之情況，亦可使支撐基材穩定。
作為構成本發明中之支撐基材保護層之材料，只要具有所需之化學液耐性等則並無特別限定，例如可舉出以無機材料為主成分且具有所需之耐鹼性之耐鹼性材料等。
作為本發明中之耐鹼性材料，只要為化學液耐性高於構成作為保護對象之支撐基材之材料之金屬則並無特別限定，例如於支撐基材含有包含鋁、或以鋁為主成分之合金之金屬基材之情況，即構成支撐基材之材料為鋁或含有鋁作為主成分之情況，可舉出：錳、鋅、鉻、鐵、鎘、鈷、鎳、錫、鉛、鉍、銅、銀、鈀、銥、鉑、金、鎵、釕、銠、銦、鋨、鉭、鐵、鎘、鈷、鎳、錫、鉛、鉍、銅、銀、鈀、鉑、金、鈦、鎢、鉬、銦等金屬，以及該等金屬及鋁、鍶、碲之氧化物、氮化物、硫化物、硒化物，或矽、鍺及硼之氧化物、氮化物、硫化物、硒化物等。該等材料可單獨使用，亦可為數種材料之積層物，亦可以混合物(亦包括如包含多種元素之陶瓷般以原子水準混合者)之形式使用。
作為本發明中之耐鹼性保護層之形成位置，只要以至少將包含成為保護對象之材料之層(金屬基材)之表面的一部分覆蓋之方式形成，則並無特別限定，較佳為包含俯視時於上述支撐基材之形成有絕緣層之側之表面中，於絕緣層之圖案化時支撐基材露出之區域全部。其原因為：上述形成位置於絕緣層之圖案化時由於已形成有絕緣層，故難以重新保護金屬基材表面，於將絕緣層去除時，難以防止金屬基材表面之露出。
又，於本發明中，其中較佳為包含俯視時於上述支撐基材之形成有絕緣層之側之表面中，於絕緣層之圖案化時支撐基材露出之區域，尤佳為包含俯視時上述支撐基材之形成有絕緣層之側之表面全部，其中尤佳為除端面以外之金屬基材之整個表面，進而尤佳為金屬基材之整個表面。
其原因為：藉由上述形成位置為上述區域，可有效抑制由絕緣層之圖案化時所使用之鹼性顯影液所致之腐蝕。
又，支撐基材保護層只要以穩定地保護包含成為保護對象之材料之層之方式形成，則並無特別限定，較佳為以覆蓋上述金屬基材整個表面之面積之40%以上之方式形成，其中較佳為以覆蓋上述金屬基材整個表面之面積之80%以上之方式形成，尤佳為以覆蓋上述金屬基材整個表面之面積之90%以上之方式形成，其中尤其最佳為以覆蓋上述金屬基材整個表面之面積之100%之方式形成。其原因為：藉由為上述形
成位置，可有效抑制由絕緣層之圖案化時所使用之鹼性顯影液等鹼性溶液所致之腐蝕。
作為本發明中所使用之支撐基材保護層之厚度，只要可穩定地保護上述支撐基材，則並無特別限定，可根據支撐基材保護層之保護對象或要求耐性之化學液等適宜設定。於本發明中，於支撐基材含有包含鋁或以鋁為主成分之合金之金屬基材且賦予有耐鹼性之情況，通常較佳為0.5μm以上。其原因為：可無針孔等缺陷且穩定地被覆支撐基材。
於本發明中之保護對象為包含鋁或以鋁為主成分之合金之金屬基材之情況，於上述支撐基材保護層為鍍敷層之情況，較佳為1μm以上。又，於上述支撐基材保護層為經陽極氧化處理形成之氧化物層或藉由化成處理形成之氧化物層或硫化物層之情況，較佳為1μm以上，其中較佳為5μm以上，尤佳為10μm以上。其原因為：藉由上述厚度為上述範圍內，即便係上述絕緣層之圖案化方法為以下方法之情況所使用之蝕刻液或阻劑剝離液般的具有極強鹼性之溶液，亦可穩定地保護支撐基材：於在對聚醯亞胺前驅物進行醯亞胺化而成之聚醯亞胺膜上以圖案狀形成阻劑之同時或形成後，藉由蝕刻對上述聚醯亞胺膜進行圖案化，繼而將阻劑剝離之方法。
再者，關於上限，越厚越可提高耐鹼性故越佳，因此未特別設置限定，但由於越厚則成本越高，故通常設定為100μm以下。
作為本發明中所使用之支撐基材保護層之形成方法，只要為可穩定地形成於上述支撐基材表面之方法，則並無特別限定，較佳為使用鍍敷處理、陽極氧化(耐酸鋁)處理、或化成處理之方法，即上述支撐基材保護層為經陽極氧化處理形成之氧化物層、經化成處理形成之氧化物層或硫化物層、或鍍敷層。其原因為：藉由支撐基材保護層為以此種方法形成，可容易地形成具有上述支撐基材保護層之支撐基材。
又，於本發明中，其中較佳為鍍敷層或經陽極氧化處理形成之氧化物層，尤佳為鍍敷層。其原因為：藉由為使用鍍敷處理之方法，可以較薄之膜厚具有所需之耐鹼性。
再者，於本發明中，亦可將上述各形成方法組合。具體而言亦可藉由首先進行非電解鍍敷，其後進行電解鍍敷而形成。
關於本發明中之鍍敷方法，可使用通常所使用之鍍敷法，具體可使用濕式鍍敷法(電解鍍敷法或非電解鍍敷法)、乾式鍍敷法(真空蒸鍍法、濺鍍法、金屬接觸法)等。
於本發明中，其中較佳為濕式鍍敷法，尤佳為電解鍍敷法。其原因為可形成更緻密之鍍敷層。又，其原因為：其結果即便於厚度較薄之情況，亦可充分實現耐鹼性之提高。又，其原因為：於濕式鍍敷中，鍍敷速度較快，故可實現鍍敷時間之縮短化。
用作本發明中之濕式鍍敷法之電解鍍敷係藉由在包含欲
鍍敷之物質之電解溶液中，以具有導電性之物體作為陰極並流通直流電流，而於具有導電性之物體表面使該物質(金屬等)電性還原、析出而形成層。
關於實施本發明中之電解鍍敷之情況之金屬，只要為化學液耐性高於成為保護對象之支撐基材之金屬，則並無特別限定，可舉出：錳、鋅、鉻、鐵、鎘、鈷、鎳、錫、鉛、鉍、銅、銀、鈀、銥、鉑、金、鎵、釕、銠、銦、鋨等。
本發明中之非電解鍍敷法係於包含欲鍍敷之物質之溶液中，藉由因溶液中所含之還原劑之氧化所釋出之電子而非由通電所產生之電子，於被鍍敷物之表面上使該物質(金屬等)電性還原、析出而形成層。
非電解鍍敷法具有以下優點：可使膜厚不均較少之優點；或由於在鍍敷時被鍍敷物不需要導電性，故即便支撐基材保護層之形成對象為包含鋁或以鋁為主成分之合金之金屬基材，亦可使鍍敷不均較少之優點。又，具有以下優點：即便於在支撐基材表面存在凹凸之情況，亦可以均勻之厚度形成。
關於實施本發明中之非電解鍍敷之情況之金屬，只要為化學液耐性高於成為保護對象之支撐基材之金屬，則並無特別限定，可舉出：鎘、鈷、鎳、錫、鉛、鉍、銅、銀、鈀、鉑、金、釕、銠、銦等。
本發明中之乾式鍍敷係藉由使金屬或氧化物、氮化物等氣
化或離子化或液化後，附著於素材之表面而積層之方法。
關於實施本發明中之乾式鍍敷之情況之金屬，只要為化學液耐性高於成為保護對象之支撐基材之金屬，則並無特別限定，例如於對象為包含鋁或以鋁為主成分之合金之金屬基材之情況，可舉出：錳、鋅、鉻、鐵、鎘、鈷、鎳、錫、鉛、鉍、銅、銀、鈀、銥、鉑、金、鎵、釕、銠、銦、鋨、鉭、鐵、鎘、鈷、鎳、錫、鉛、鉍、銅、銀、鈀、鉑、金、鈦、鎢、鉬、銦等。
作為乾式鍍敷法之優點，可舉出不僅可積層金屬，而且亦可積層金屬及非金屬之氧化物或氮化物等。
具體而言，可形成包含以下物質之皮膜：Cr、Zn、In、Ga、Cd、Ti、Sn、Te、Mg、W、Mo、Cu、Al、Fe、Sr、Ni、Ir、Mg等金屬之氧化物，或Si、Ge、B等非金屬之氧化物，以及上述元素之氮化物、硫化物、硒化物及該等之混合物。
本發明中之陽極氧化處理法係藉由在電解溶液中以具有導電性之物體作為陽極並流通直流電流，而使具有導電性之物體電性氧化，於表面形成氧化物層(氧化皮膜層)。
關於實施本發明中之陽極氧化之情況之電解溶液，只要可於成為保護對象之支撐基材上形成充分之厚度之氧化皮膜，則並無特別限定，可使用硫酸浴、草酸浴、鉻酸浴、磷酸浴等酸性浴，氫氧化鈉浴、氨浴等鹼性浴等。
本發明中之化成處理係於溶液中利用氧化或硫化等化學
反應而與支撐基材之表面發生化學反應，形成氧化物層(氧化皮膜)或硫化物層(硫化被膜)等耐蝕性被膜之方法。
於此種化成處理中，可不連接電極而形成，因此具有可容易地於整個面(亦包含端面)上形成耐蝕性被膜之優點。
關於實施本發明中之化成處理之情況之溶液，只要可於成為保護對象之支撐基材上形成充分之厚度之耐蝕性皮膜，則並無特別限定，可舉出：磷酸鉻酸鹽系、鉻酸鹽系、鹼-鉻酸鹽系、水鋁土系、鋯系、磷酸鋅系等。
作為本發明中所使用之支撐基材之線性熱膨脹係數，就尺寸穩定性之觀點而言，較佳為0 ppm/℃~25 ppm/℃之範圍內。再者，關於上述線性熱膨脹係數之測定方法，係將上述支撐基材切割為寬度5 mm×長度20 mm作為評價樣品，藉由熱機械分析裝置(例如Thermo Plus TMA8310(RIGAKU公司製造))測定。測定條件係將升溫速度設定為10℃/分鐘，以評價樣品之剖面積單位之負荷成為相同之方式將拉伸負荷設定為1 g/25000 μm2，將100℃~200℃之範圍內之平均之線性熱膨脹係數作為線性熱膨脹係數(C.T.E.)。
作為本發明中所使用之支撐基材之形狀，並無特別限定，例如可為箔狀或板狀，亦可為如圖2所例示般支撐基材1之剖面形狀為於與空氣之接觸面具有凹凸之形狀。
於上述支撐基材於與空氣之接觸面具有凹凸之情況，熱擴散變良好，可提高放熱性。作為凹凸之形成方法，例如可舉
出：對支撐基材之表面直接實施壓花加工、蝕刻加工、噴砂加工、凍結加工、標記加工等加工之方法，使用光阻等形成凹凸圖案之方法，鍍敷方法，將箔狀之支撐基板與表面具有凹凸之支撐基板貼合之方法。於壓花加工之情況，例如亦可使用表面具有凹凸之軋壓輥。於蝕刻加工之情況，根據支撐基材之種類選擇化學劑。於將箔狀之支撐基板與表面具有凹凸之支撐基板貼合之方法之情況，例如藉由焊接、熔接、焊錫等將支撐基板彼此接合或經由環氧樹脂等黏著劑使支撐基板彼此貼合。於此情況，箔狀之支撐基板與表面具有凹凸之支撐基板可由相同金屬材料構成，亦可由不同金屬材料構成。
其中，就成本方面而言，可較佳地使用壓花加工、蝕刻加工。
再者，關於圖2中之符號，表示與圖1之符號相同之構件，故此處省略其說明。
又，作為支撐基材之剖面之凹凸之尺寸或形狀，只要支撐基材與空氣之接觸面粗糙而可增加表面積，則並無特別限定。作為凹凸之寬度、高度、間距等，係根據支撐基材之種類或本發明之用途等適宜選擇，例如可藉由模擬求出適於導熱之範圍。
又，作為本發明中所使用之支撐基材之俯視形狀，只要可發揮所需之放熱性則並無特別限定，通常為包含形成有上述
絕緣層之區域全部之形狀，亦可為以下形狀：於不使放熱性大幅度下降低之範圍，視需要於形成有上述絕緣層之區域內具有開口部。
於本發明中，較佳為上述絕緣層及配線層係獨立地經圖案化。其原因為：可藉由將不需要之金屬箔部分去除而實現輕量化。
再者，於使上述支撐基材形成於上述絕緣層之本發明之放熱基板之整個面之情況，具有可賦予對氧氣或水蒸氣之氣體阻隔性，並且可提高放熱性之優點。
作為本發明中所使用之支撐基材之厚度，只要可具備導熱性則並無特別限定，係根據本發明之放熱基板之用途而適宜選擇。上述支撐基材之厚度越厚，於面方向上之熱擴散越優異。即，藉由使支撐基板之熱容量較大，可使與電子元件接觸之部位的局部之熱容易地擴散，降低該部位之最高溫度，防止電子元件之損傷，藉此可使基板提高放熱性。
於本發明中，例如於用於發熱量較大之電子元件之情況，只要可發揮尤其優異之放熱性即可，具體而言較佳為70μm以上。其原因為：藉由上述厚度為上述範圍，可具有優異之放熱性。
另一方面，支撐基材之厚度越薄，越富有可撓性。例如於本發明之放熱基板具有可撓性之情況，只要兼具導熱性及可撓性即可，具體而言較佳為1μm~1000μm之範圍內，更
佳為5μm~300μm之範圍內，進而較佳為15μm~150μm之範圍內。其原因為：若支撐基材之厚度過薄，則無法充分發揮放熱功能，或對水蒸氣之氣體阻隔性下降。又，若支撐基材之厚度過厚，則可撓性下降，或變得過重，而成本變高。
又，就防止支撐基材之破損或變形等之觀點，或增大支撐基材之熱容量而緩和電子元件之溫度上升之觀點而言，厚度越厚越佳。其原因為：尤其於電子元件反覆進行電流之接通、斷開而電流成為接通之時間較短之情況，即發熱時間較短之情況，可有效抑制電子元件之溫度上升。於本發明中，其中就此種觀點而言，較佳為70μm~10 mm之範圍內，其中較佳為150μm~5 mm之範圍內，尤佳為500μm~5 mm之範圍內。其原因為：藉由支撐基材之厚度為上述範圍內，可使如上所述之防變形性或溫度上升抑制尤其優異。又，其原因為可使支撐基材為破損或變形等較少。
具體而言，於構成支撐基材之材料為銅之情況，較佳為5μm~2 mm之範圍內，其中較佳為5μm~200μm左右。其原因為：若較厚則成本變高。
又，於為鋁之情況，較佳為100μm~數mm左右。其原因為：若較薄則箔之剛性不足。進而，於矽或石墨之情況，較佳為100μm~數mm左右。其原因為：若較薄則有因自重而破裂之虞。
作為上述支撐基材之每單位面積之熱容量(單位：
J/cm2．K)，只要為可發揮所需之放熱性，則並無特別限定，較佳為0.02 J/cm2．K以上，其中較佳為0.05 J/cm2．K，尤佳為0.1 J/cm2．K以上。其原因為：於在電子元件中電流流通之時間較短之情況，即發熱時間較短之情況，或於由於空間方面的原因等而放熱器之設置困難之情況等，可有效抑制電子元件之溫度上升。然而，於經由放熱器等使支撐基材上之熱效率良好地傳至外部之情況般可抑制支撐基材之溫度上升之情況，並不限定於此。
再者，所謂基板之每單位面積之熱容量(單位：J/cm2．K)，係指比熱(單位：J/g．K)乘以密度(單位：g/cm3)及基材之厚度(單位：cm)所得者。具體而言，於構成支撐基材之材料為鋁之情況，厚度100μm時成為0.023 J/cm2．K。另一方面，於構成材料為銅之情況，厚度150μm時成為0.051 J/cm2．K，1000μm時成為0.34 J/cm2．K。
又，就電子元件之溫度上升抑制之觀點而言，上限越大越佳，並無特別限定，通常係根據本發明之放熱基板之種類或重量、所要求之可撓性等適宜設定。
本發明中所使用之支撐基材視需要可實施有表面處理等。
作為此種表面處理，例如可舉出化學液處理、電漿處理等。
又，於本發明中所使用之支撐基材為積層體，且於上述絕緣層側表面具有提高與上述絕緣層之密接性的密接性層之情況，作為此種密接性層，只要具有上述導熱性且可提高與
上述絕緣層之密接性，則並無特別限定，可設定為包含上述導熱性材料者。
於本發明中，其中較佳為包含鉻、鈦、鋁、矽、氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮氧化鋁、氧化鉻及氧化鈦等者。其原因為可有效提高與絕緣層之密接性。又，作為厚度，可設定為例如1 nm~1000 nm之範圍內。又，於本發明中，於密接性層之導熱率之值與主要構成支撐基材之材料相比相對較小之情況，較佳為1 nm~500 nm，進而較佳為1 nm~100 nm。
作為本發明中所使用之支撐基材之形成方法，可使用通常之方法，係根據材料之種類或支撐基材之厚度等適宜選擇。例如可為獲得支撐基材單體之方法，亦可為於上述絕緣層上蒸鍍上述材料而獲得上述支撐基材及絕緣層之積層體之方法。其中就氣體阻隔性之觀點而言，較佳為獲得支撐基材單體之方法。於獲得上述支撐基材單體之方法且使用金屬材料作為上述材料之情況，於上述支撐基材為金屬箔之情況，金屬箔可為軋壓箔亦可為電解箔，較佳為軋壓箔，其原因在於氣體阻隔性良好。
又，作為上述支撐基材係經圖案化之情況之支撐基板之圖案化方法，可使用利用光微影法、雷射或衝壓等進行直接加工之方法。作為光微影法，例如可舉出：於上述支撐基材及絕緣層之積層體之狀態下，於支撐基材上層壓乾膜阻劑，對
乾膜阻劑進行圖案化，按照該圖案對支撐基材進行蝕刻後，將乾膜阻劑去除之方法。
3.配線層
本發明中所使用之配線層係直接形成於上述絕緣層上，可與配置於本發明之放熱基板上之電子元件電性連接，通常含有包含導電性材料之導電層。
作為構成本發明中之配線層中所使用之導電層之材料，只要為導電性材料則並無特別限定，係根據透明性之有無等適宜選擇，例如可舉出：Al、Au、Ta、W、Pt、Ni、Pd、Cr、Cu、Mo、鹼金屬、鹼土金屬等之金屬單體，該等金屬之氧化物，及AlLi、AlCa、AlMg等Al合金、MgAg等Mg合金、Ni合金、Cr合金、鹼金屬之合金、鹼土金屬之合金等合金等。該等導電性材料可單獨使用，亦可組合使用兩種以上，亦可使用兩種以上進行積層。又，亦可使用氧化銦錫(ITO，Indium Tin Oxide)、氧化銦鋅(IZO，Indium Zinc Oxide)、氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化鋁鋅(AZO，Aluminum Zinc Oxide)等導電性氧化物。
於本發明中，其中較佳為電阻率為1.0×10-6 Ω．m以下，其中較佳為1.0×10-7 Ω．m以下，尤其進而較佳為3.0×10-8 Ω．m。其原因為：於流通大電流之情況，抑制損耗之效果變顯著，並且可使發熱較少。
作為本發明中所使用之配線層之厚度，係根據本發明之放
熱基板之用途等適宜設定。
又，關於本發明中所獲得之配線層之形成位置，亦係根據本發明之放熱基板之用途等適宜設定，其中較佳為上述支撐基材及絕緣層係獨立地經圖案化。其原因為可具有所需圖案之配線。
本發明中所使用之配線層為含有包含上述導電性材料之導電層者，視需要亦可於上述絕緣層側表面具有提高與上述絕緣層之密接性之密接層，或於配置有電子元件之表面具有防止上述配線層之氧化劣化等之鍍敷層等保護層。
作為本發明中所使用之密接層，只要可提高上述絕緣層與上述配線層之密接性，則並無特別限定，可設定為與上述支撐基材中所使用之密接性層相同者。
又，作為鍍敷層，可舉出：鍍錫層、鍍鎳層、鍍銀層、鍍金層。又，亦可形成鍍鎳層作為鍍金層之基底。鍍敷層之厚度例如可設定為0.01μm~4.0μm之範圍內。
作為本發明中所使用之配線層之形成方法，只要為可於上述絕緣層上直接形成上述配線層之方法，則並無特別限定。於利用金屬化法於上述絕緣層上設置金屬層之情況之方法、條件並無特別限定，可使用蒸鍍、濺鍍、鍍敷中之任一種方法。又，亦可為將該等方法組合數種之方法。具體而言，另外於含有上述密接層之情況，可使用以下方法：首先藉由濺鍍法等在上述絕緣層上形成包含無機材料之密接層後，藉
由蒸鍍法等形成上述導電層。
又，於使用銅箔等作為配線層之情況，亦可使用以下方法：藉由塗佈法等在銅箔上形成絕緣層，於成為支撐基材之側形成鍍敷層等。
又，作為使上述配線層形成為圖案狀之方法，可使用通常之方法，例如經由遮罩對上述導電性材料進行蒸鍍之方法，或形成上述配線層後使用阻劑進行蝕刻之方法等。
4.放熱基板
本發明中所使用之放熱基板係至少具有上述支撐基材、絕緣層及配線層。
於本發明中，視需要可含有導熱部、密封構件、冷卻部等。
作為本發明之用途，可舉出具有可搭載以下電子元件的放熱性之配線基板，該電子元件有由於發揮所需之功能而發熱，使自身或其周邊之構件劣化之虞；其中較佳為用於搭載有發熱量較多之電子元件之配線基板，即具有發熱量較多之電子元件之元件。
又，於未搭載電子元件之用途中，亦可用於因於配線層中流通大量之電流等而自配線層產生大量之發熱之大電流基板用途中。
B.元件
其次，對本發明之元件加以說明。
本發明之元件之特徵為具有上述放熱基板、及配置於上述
放熱基板之配線層上之電子元件。
參照圖式對此種本發明之元件加以說明。圖3係表示本發明之元件之一例之概略剖面圖。如圖3所例示，本發明之元件20係於上述放熱基板10之配線層3上配置有電子元件21者。
再者，於該例中，電子元件21係使用上述配線層3作為背面電極層22，且於其上具有將包含發光層之EL層23、透明電極層24、透明基板25依序積層而成之有機EL元件。又，關於圖3中之符號，表示與圖1之符號相同之構件，故此處省略其說明。
根據本發明，由於使用上述放熱基板，故可使放熱性優異。因此，可使電子元件或周圍之構件之劣化較少。又，可使剝離或短路較少。
本發明之元件係至少具有上述放熱基板及電子元件。
以下，對此種本發明之元件之各構成進行詳細說明。
再者，關於上述放熱基板，與上述「A.放熱基板」之項中記載之內容相同，故此處省略其說明。
1.電子元件
本發明中所使用之電子元件於發揮所需之功能時產生大量之熱，係必需賦予放熱功能之元件。具體可舉出：LED元件、EL元件、有機薄膜太陽電池、固體撮像元件、功率半導體等半導體元件。
再者，關於此種電子元件，與通常所使用者相同，故此處省略其說明。
例如作為EL元件，可使用至少具有透明基板、透明電極層、至少包含發光層之EL層、及背面電極層者。
2.元件
本發明之元件係具有上述放熱基板、及配置於上述放熱基板上之電子元件。
又，上述放熱基板之配線層可用作上述電子元件中所含之電極層之一部分。例如於上述電子元件為EL元件之情況，可將上述放熱基板之配線層用作上述EL元件之背面電極層。
作為本發明之元件之製造方法，只要為可使上述元件之各構成精度良好地密接之方法，則並無特別限定，例如可於上述放熱基板之配線層上積層上述電子元件之各構成，亦可為分別形成上述放熱基板與上述電子元件並將兩者層壓之方法。
再者，本發明不限定於上述實施形態。上述實施形態為例示，具有與本發明之申請專利範圍中所記載之技術思想實質上相同之構成而發揮相同之作用效果者均包含於本發明之技術範圍內。
以下，使用實施例及比較例對本發明進行具體說明。
1.絕緣層形成用樹脂溶液之製備
將4,4'-二胺基二苯基醚(ODA)4.0 g(20 mmol)與對苯二胺(PPD)8.65 g(80 mmol)投入至500 ml之可分離式燒瓶中，溶解於200 g之經脫水之N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)中，於氮氣流下，一面藉由油浴以液溫成為50℃之方式利用熱電偶進行監測並加熱一面進行攪拌。確認該等完全溶解後，於其中逐次少量歷時30分鐘添加3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(BPDA)29.1 g(99 mmol)，添加結束後，於50℃攪拌5小時。其後，冷卻至室溫而獲得聚醯亞胺前驅物溶液1。
調整反應溫度及以使溶液之濃度成為17重量%~19重量%之方式調整NMP之量，除此以外，利用與製造例1相同之方法，以下述表1所示之調配比合成聚醯亞胺前驅物溶液2~18。
作為酸二酐，使用3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(BPDA)或均苯四羧酸二酐(PMDA)、對伸苯基雙偏苯三甲酸單酯酸二酐(TAHQ)、對伸聯苯基雙偏苯三甲酸單酯酸二酐(BPTME)。作為二胺，使用4,4'-二胺基二苯基醚(ODA)、3,4'-二胺基二苯基醚(3,4'-ODA)、對苯二胺(PPD)、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯(4APB)、2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯(TBHG)、2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-二胺基聯苯(TFMB)、3,4'-二胺基二苯基醚
氟甲基)-4,4'-二胺基聯苯(TFMB)、3,4'-二胺基二苯基醚(3,4'-ODA)中之一或兩種。
於上述聚醯亞胺前驅物溶液1及11中，以下述表2所示之調配比添加DNCDP({[(4,5-二甲氧基-2-硝基苄基)氧基]羰基}-2,6-二甲基哌啶)或下述式所表示之光鹼產生劑4MeOC-Pi作為添加劑，製備感光性聚醯亞胺1~4。
再者，表2中之添加劑之調配量係表示相對於各聚醯亞胺前驅物溶液100重量份的添加劑之重量份。
作為其他比較聚醯亞胺前驅物溶液1~3，準備新日本理化製造之EN-20(比較聚醯亞胺前驅物溶液1)、SN-20(比較聚醯亞胺前驅物溶液2)及PN-20(比較聚醯亞胺前驅物溶液3)。
又，準備將雙酚A型環氧樹脂EPICLON 850S(環氧當量183~193，DIC股份有限公司製造)19 g與己二胺2.9 g混合而成之溶液(比較環氧樹脂溶液)。
2.線性熱膨脹係數及吸濕膨脹係數之評價
將上述聚醯亞胺前驅物溶液1~18、比較聚醯亞胺前驅物溶液1~3及感光性聚醯亞胺1~4塗佈貼附於玻璃上之耐熱膜(Upilex S 50S，宇部興產股份有限公司製造)上，於80℃之加熱板上乾燥10分鐘後，自耐熱膜剝離，獲得膜厚15μm~20μm之膜。其後，將該膜固定於金屬製之框架上，於氮
氣環境下，於350℃進行1小時熱處理(升溫速度10℃/分鐘，自然放置冷卻)，獲得膜厚9μm~15μm之聚醯亞胺樹脂1~25之膜。
又，將比較環氧樹脂溶液塗佈於貼附於玻璃上之耐熱膜(Upilex S 50S，宇部興產股份有限公司製造)上，於80℃之烘箱中加熱60分鐘後，自耐熱膜剝離，獲得膜厚55μm之膜(環氧膜1)。
(a)線性熱膨脹係數
將藉由上述方法製作之膜切割為寬度5 mm×長度20 mm，用作評價樣品。線性熱膨脹係數係藉由熱機械分析裝置Thermo Plus TMA8310(RIGAKU公司製造)測定。測定條件係將評價樣品之觀測長度設定為15 mm，將升溫速度設定為10℃/分鐘，以評價樣品之剖面積單位之負荷成為相同之方式將拉伸負荷設定為1 g/25000μm2，將100℃~200℃之範圍之平均之線性熱膨脹係數作為線性熱膨脹係數(C.T.E.)。將評價結果示於表3。
(b)濕度膨脹係數
將藉由上述方法製作之膜切割為寬度5 mm×長度20 mm，用作評價樣品。濕度膨脹係數係藉由濕度可變機械分析裝置Thermo Plus TMA8310(RIGAKU公司製造)測定。將溫度固定於25℃，首先調整為於使濕度為15%RH之環境下樣品變穩定之狀態，使該狀態保持大致30分鐘~2小時後，
將測定部位之濕度調整為20%RH，進而使該狀態保持30分鐘~2小時直至樣品變穩定為止。其後，使濕度變化為50%RH，將其變穩定時之樣品長度與於20%RH變穩定之狀態下之樣品長度之差除以濕度之變化(此情況為50-20之30)，將該值除以樣品長度，將所得之值作為濕度膨脹係數(C.H.E.)。此時，以評價樣品之剖面積單位之負荷成為相同之方式將拉伸負荷設定為1 g/25000μm2。將評價結果示於表3。
(c)基板翹曲評價
於厚度18μm之電解銅箔(日礦金屬製造)(支撐基板)上，使用上述聚醯亞胺前驅物溶液1~18、比較聚醯亞胺前驅物溶液1~3及感光性聚醯亞胺1~4，以醯亞胺化後之膜厚成為10μm±1μm之方式，以與線性熱膨脹係數評價之樣品製作相同之製程條件形成聚醯亞胺膜1~25。其後，將銅箔及聚醯亞胺膜之積層體切割為寬度10 mm×長度50 mm，作為基板翹曲評價用之樣品。
對該樣品藉由KAPTON膠帶將樣品之短邊之僅一側固定於作為測定用夾具之SUS板表面，於100℃之烘箱中加熱1小時後，於加熱至100℃之烘箱內，測定樣品之相反側之短邊距SUS板之距離。將此時之距離為0 mm以上且0.5 mm以下之樣品判斷為○，將超過0.5 mm且為1.0 mm以下之樣品判斷為△，將超過1.0 mm之樣品判斷為×。
同樣地對該樣品藉由KAPTON膠帶將樣品之短邊之僅一側固定於SUS板表面，於23℃、85%RH之狀態之恆溫恆濕槽中靜置1小時，測定此時之樣品之相反側之短邊距SUS板之距離。將此時之距離為0 mm以上且0.5 mm以下之樣品判斷為○，將超過0.5 mm且為1.0 mm以下之樣品判斷為△，將超過1.0 mm之樣品判斷為×。將評價結果示於表3。
(d)儲藏彈性模數
將藉由上述方法製作之聚醯亞胺膜切割為寬度5 mm×長度20 mm，用作評價樣品。儲藏彈性模數係藉由RSA3(TA Instruments公司製造)測定。測定條件係將評價樣品之觀測長度設定為15 mm，將升溫速度設定為5℃/分鐘，將測定頻率設定為1 Hz，於0℃~400℃之範圍內測定。將自室溫(25℃)起至250℃及自室溫起至300℃中之儲藏彈性模數之最小值示於表3。又，對於玻璃轉移溫度(Tg)未達280℃之樣品，亦一併示出自室溫起至玻璃轉移點溫度+20℃為止之溫度區域中之儲藏彈性模數之最小值。
(e)玻璃轉移點溫度(Tg)
於上述儲藏彈性模數測定中，將損失彈性模數除以儲藏彈性模數所得之值即tanδ之峰值作為玻璃轉移點溫度。將評價結果示於表3。
(f)絕緣破壞電壓測定
使用藉由上述方法製作之聚醯亞胺膜1(20微米厚)，使用
耐電壓試驗機PM55ADZ(高砂製作所製造)、數位顯微鏡KH-7700(HIROX公司製造)測定絕緣破壞電壓，結果為6.0 kV。
又，使用藉由上述方法製作之環氧膜1(100微米厚)測定絕緣破壞電壓，結果為7.0 kV。
(g)體積電阻率測定
利用旋塗機以硬化後膜厚成為6μm之方式將上述聚醯亞胺前驅物溶液1塗佈於以10 cm見方切出之厚度150μm之銅基材(古河電工公司製造)上，於100℃之加熱板上乾燥10分鐘。其後，於氮氣環境下，於350℃進行1小時熱處理(升溫速度10℃/分鐘，自然放置冷卻)，藉此製作形成有絕緣層之體積電阻率測定樣品1。
使用體積電阻率測定樣品1，使用Hiresta UP MCP-HT450型及MCP-JB03(三菱化學製造)，利用依據JIS-K6911之方法以直流(DC，direct current)250 V之施加電壓測定體積電阻率，結果為3.4×1014 Ω．m。
利用旋塗機以硬化後膜厚成為100μm之方式將上述比較環氧樹脂溶液塗佈於以10cm見方切出之厚度150μm之銅基材(古河電工公司製造)上，於80℃之烘箱中，於大氣下加熱60分鐘，藉此製作形成有絕緣層之體積電阻率測定比較樣品1。
又，使用藉由上述方法製作之體積電阻率測定比較樣品
1，使用Hiresta UP MCP-HT450型及MCP-JB03(三菱化學製造)，利用依據JIS-K6911之方法以DC 250 V之施加電壓測定體積電阻率，結果為3.6×1012 Ω．m。
由於銅箔之線性熱膨脹係數為16.2 ppm/℃，故確認到若聚醯亞胺膜與金屬箔(支撐基板)之線性熱膨脹係數之差較大，則積層體之翹曲較大。
又，根據表3得知聚醯亞胺膜之吸濕膨脹係數越小，高濕環境下之積層體之翹曲越小。
(h)放熱性評價
將50 mm見方之無鹼玻璃NA35(厚度0.7 mm，AvanStrate
公司製造)於100度之加熱板上加熱直至表面溫度穩定為止(加熱時表面溫度為90度)。
於縱向長150 mm、橫向長100 mm之無鹼玻璃NA35上，以絕緣層成為上側之方式放置上述體積電阻率測定樣品1，將上述經加熱之50 mm見方之玻璃載置於樣品之絕緣層上，測定5秒後之玻璃之表面溫度，結果為48度。
以相同之方式使用體積電阻率測定比較樣品1測定5秒後之溫度，結果為62度。
根據上述情況，可明確藉由使絕緣層薄膜化，可提高放熱性。
又，藉由旋塗將上述聚醯亞胺前驅物溶液1塗佈於以5 cm見方切出之厚度1000μm之鋁基材(A5052 H34，自萬世興業股份有限公司購入)上，於100℃之加熱板上乾燥15分鐘後，於氮氣環境下，於350℃進行1小時熱處理，藉此製作於鋁基材上形成有膜厚1μm~85μm之聚醯亞胺層之放熱性評價基材。又，對相同之鋁基材壓製預浸體(R-1551XE，60μm(松下電工公司製造))，藉此製作比較放熱性評價基材。
使用以5 mm見方切出之聚矽氧橡膠TC-50HSV-1.4(信越化學工業股份有限公司製造)，將5 mm見方之陶瓷微加熱器MS-M5(阪口電熱股份有限公司製造)固定於所製作之基材之絕緣層面側之中心。使用PMC35-2A(菊水電子工業股
份有限公司製造)對陶瓷微加熱器施加1 W之電力，經過30分鐘左右後，使用藉由聚矽氧橡膠TC-100HSV-1.4(信越化學工業股份有限公司製造)固定於陶瓷微加熱器上之熱電偶，測定成為穩定狀態時之陶瓷微加熱器之表面之中心之溫度。又，同時使用接觸式溫度計HA-302K(安立儀錶股份有限公司製造)測定作為支撐基材之鋁基材之溫度。
再者，支撐基板上之溫度計係以如下方式接觸而測定：俯視時加熱器之中心(支撐基材之中心)及距加熱器之中心最近之支撐基材(絕緣層)之端(邊)之中間位置與溫度計之中心重合。
將結果示於下述表4。
根據表4可明確，於聚醯亞胺膜厚超過20μm之區域中，即便膜厚變厚，基板溫度或加熱器表面溫度亦無差異，而於聚醯亞胺膜厚為20μm以下之區域中，膜厚越薄則基板溫度越高，加熱器表面溫度越低，由此放熱性優異。尤其於聚
醯亞胺膜厚10μm以下之區域中該效果顯著。又，於相同程度之厚度之情況，未見因絕緣層之材質之不同而顯著之差。
(i)絕緣破壞電壓測定
將上述聚醯亞胺前驅物溶液1塗佈於貼附於玻璃上之厚度18μm之SUS304箔(東洋製箔股份有限公司製造)上，於100℃之加熱板上乾燥15分鐘後，於氮氣環境下，於350℃進行1小時熱處理，藉此於SUS箔上形成下述表5所示之膜厚1μm~20μm之聚醯亞胺層(絕緣層)。
繼而，膜厚5μm以上者係使用藉由對SUS箔進行蝕刻而獲得之聚醯亞胺膜，使用耐電壓試驗機PM55ADZ(高砂製作所製造)、數位顯微鏡KH-7700(HIROX公司製造)，測定對直流或交流之絕緣破壞電壓。又，膜厚5μm以下者係於形成有聚醯亞胺層之SUS箔之形態下以相同之方式進行測定。將結果示於下述表5。
(j)耐製程耐性試驗
對以16 cm見方切出之厚度1000 μm之鋁基材(A5052 H34，自萬世興業股份有限公司購入)實施厚度1 μm之非電解鍍Ni，製作非電解鍍Ni鋁基材。
為了製作供電層，對以16 cm見方切出之厚度1000μm之鋁基材(A5052 H34，自萬世興業股份有限公司購入)實施非電解鍍Ni後，實施厚度1μm之電解鍍Ni，製作電解鍍Ni鋁基材。
對實施了鍍敷、陽極氧化處理、丙烯酸透明塗敷之鋁基材實施下述製程試驗。作為比較，亦對厚度150μm之銅基材(古河電工公司製造)、未經處理之厚度1000μm之鋁基材(A1050 H24，A5052 H34，自萬世興業股份有限公司購入)實施相同之評價。將結果示於下述表6。
．耐熱性：氮氣環境下，350℃下，1小時(評價，○：無變化，×：有變化)
．鹼性化學液：氫氧化四甲基銨(TMAH，Tetramethylammonium hydroxide)2.38 wt%(東京應化製造)、NaOH水溶液0.1 mol/L(評價，直至自處理後之基材表面產生氣泡(氫)為止所需之時間(秒))
．酸性化學液：硫酸(10%：體積百分率)、鹽酸(1 mol/L)(評
價，直至自處理後之基材表面產生氣泡(氫)為止所需之時間(秒))
根據表6可明確，藉由實施鍍Ni及硫酸中之陽極氧化處理，可提高耐鹼性。可明確鍍Ni尤其係電解鍍敷對製程耐性之提高而言有效。
於以16 cm見方切出之厚度150 μm之銅基材(古河電工公司製造)上，利用塗敷寬度為150 mm之模塗機以硬化後膜厚成為10 μm之方式將上述聚醯亞胺前驅物溶液1塗佈於150 mm見方之區域，於80℃之烘箱中，於大氣下乾燥60分鐘。其後，於氮氣環境下，於350℃進行1小時熱處理(升溫速度10℃/分鐘，自然放置冷卻)，藉此製作形成有絕緣層之積層體1。
繼而，以如下方式於積層體1之絕緣層上形成配線層。
首先，以如下方式對積層體之形成絕緣層之側整體進行粗面化處理，水洗後，進而以如下方式進行觸媒賦予，進行非電解鍍敷，形成厚度0.3 μm之非電解鍍敷層。
Macoho股份有限公司製造，濕噴砂(Wet Blast)裝置
氧化鋁磨石，0.7 kg/m2之水壓
10 m/min之處理速度
繼而，使用乾膜阻劑(旭化成製造，AQ5038)以50μm之厚度塗佈，藉由曝光顯影而形成具有與配線層之形狀對應之開口部之阻劑層。
預烘烤：120℃，5分鐘
曝光：60 mJ/cm2
顯影：1%碳酸鈉(30℃)，1分鐘
繼而，以如下方式於自阻劑層之開口露出之非電解鍍敷層上，依序進行電解光澤鍍鎳、電解鍍銅、電解無光澤鍍敷、電解鍍金，配設包含以下電解鍍敷層之配線層：將電解光澤鍍鎳層、電解鍍銅層、電解無光澤鍍敷層、電解鍍金層分別
形成為0.2μm、10μm、0.2μm、0.1μm之厚度而成的電解鍍敷層。
形成10μm之硫酸銅鍍敷層
WHN鍍敷液(日本高純度化學公司製造)
Temperesist K-91S(日本高純度化學)
繼而，將阻劑層於氫氧化鈉3%溶液中於50℃以1分鐘剝離去除，清洗後，利用NIMUDEN RIP C-11對露出之非電解鍍敷層140進行軟蝕刻而剝離。
進而，為了去除觸媒，利用Macoho股份有限公司製造之濕噴砂裝置，以氧化鋁磨石、0.5kg/m2之水壓、10m/min之處理速度進行處理而將觸媒去除。繼而，於180℃、1hr、氮氣環境下進行熱處理，形成配線層，製成放熱基板。
於以16cm見方切出之厚度150μm之銅基材(古河電工公司製造)上，利用塗敷寬度為150mm之模塗機以硬化後膜厚成為20μm之方式將上述聚醯亞胺前驅物溶液1塗佈於150mm見方之區域，於80℃之烘箱中，於大氣下乾燥60分鐘。其後，於氮氣環境下，於350℃進行1小時熱處理
(升溫速度10℃/分鐘，自然放置冷卻)，藉此製作形成有絕緣層之積層體2。
繼而，使用積層體2，除此以外，以與實施例1相同之方式形成配線層而製成放熱基板。
於以16 cm見方切出之厚度150μm之銅基材(古河電工公司製造)上，利用塗敷寬度為150 mm之模塗機以硬化後膜厚成為5μm之方式將上述聚醯亞胺前驅物溶液1塗佈於150 mm見方之區域，於80℃之烘箱中，於大氣下乾燥60分鐘。其後，於氮氣環境下，於350℃進行1小時熱處理(升溫速度10℃/分鐘，自然放置冷卻)，藉此製作形成有絕緣層之積層體3。
繼而，使用積層體3，除此以外，以與實施例1相同之方式形成配線層而製成放熱基板。
於以16 cm見方切出之厚度1000μm之鋁基材(A5052 H34，自萬世興業股份有限公司購入)上，利用塗敷寬度為150 mm之模塗機以硬化後膜厚成為10μm之方式將上述聚醯亞胺前驅物溶液1塗佈於150 mm見方之區域，於80℃之烘箱中，於大氣下乾燥60分鐘。其後，於氮氣環境下，於350℃進行1小時熱處理(升溫速度10℃/分鐘，自然放置冷卻)，藉此製作形成有絕緣層之積層體4。
繼而，使用積層體4，除此以外，以與實施例1相同之方式形成配線層而製成放熱基板。
於以16 cm見方切出之厚度150μm之銅基材(古河電工公司製造)上，利用模塗機中塗敷寬度為150 mm之模塗機以硬化後膜厚成為10μm之方式將上述聚醯亞胺前驅物溶液1塗佈於150 mm見方之區域，於80℃之烘箱中，於大氣下乾燥60分鐘。其後，於聚醯亞胺前驅物膜上進行阻劑製版並顯影，同時對聚醯亞胺前驅物膜進行顯影，其後將阻劑圖案剝離後，於氮氣環境下，於350℃進行1小時熱處理(升溫速度10℃/分鐘，自然放置冷卻)，獲得具有絕緣層去除部之積層體5，上述絕緣層去除部係自距包含聚醯亞胺之絕緣層之外周部10 mm的內側之位置起朝向中央部以5 mm寬度去除。
繼而，使用積層體5，除此以外，以與實施例1相同之方式形成配線層，製成絕緣層經圖案化之放熱基板。
於以16 cm見方切出之厚度150μm之銅基材(古河電工公司製造)上，利用模塗機中塗敷寬度為150 mm之模塗機以硬化後膜厚成為10μm之方式將上述聚醯亞胺前驅物溶液10塗佈於150 mm見方之區域，於80℃之烘箱中，於大氣下乾燥60分鐘後，於氮氣環境下，於350℃進行1小時
熱處理(升溫速度10℃/分鐘，自然放置冷卻)，獲得整個面上形成有聚醯亞胺膜之積層體10。
繼而，於上述積層體10之聚醯亞胺膜上形成阻劑圖案。使用聚醯亞胺蝕刻液TPE-3000(Toray Engineering製造)將聚醯亞胺膜露出之部分去除後，將阻劑圖案剝離，獲得具有絕緣層去除部之積層體6，上述絕緣層去除部係自距包含聚醯亞胺之絕緣層之外周部10 mm的內側之位置起朝向中央部以5 mm寬度去除。
繼而，使用積層體6，除此以外，以與實施例1相同之方式形成配線層，製成絕緣層經圖案化之放熱基板。
於以16 cm見方切出之厚度150μm之銅基材(古河電工公司製造)上，利用模塗機中塗敷寬度為150 mm之模塗機分別將上述感光性聚醯亞胺前驅物溶液1及2塗佈於150 mm見方之區域，於80℃之烘箱中，於大氣下乾燥60分鐘。經由光罩藉由高壓水銀燈進行365 nm之波長之以照度換算為2000 mJ/cm2之曝光後，於加熱板上於170℃加熱10分鐘後，使用TMAH水溶液顯影後，於氮氣環境下，於350℃進行1小時熱處理(升溫速度10℃/分鐘，自然放置冷卻)，形成膜厚3μm之感光性聚醯亞胺1及感光性聚醯亞胺2之聚醯亞胺膜，獲得具有絕緣層去除部之積層體7-1、積層體7-2，上述絕緣層去除部係自距包含聚醯亞胺之絕緣層之外
周部10 mm的內側之位置起朝向中央部以5 mm寬度去除。
繼而，使用積層體7-1、7-2，除此以外，以與實施例1相同之方式形成配線層，製成絕緣層經圖案化之放熱基板。
於以16 cm見方切出之厚度35μm之銅基材(古河電工公司製造)上，利用塗敷寬度為150 mm之模塗機以硬化後膜厚成為20μm之方式將上述聚醯亞胺前驅物溶液1塗佈於150 mm見方之區域，於80℃之烘箱中，於大氣下乾燥60分鐘。其後，於氮氣環境下，於350℃進行1小時熱處理(升溫速度10℃/分鐘，自然放置冷卻)，藉此形成絕緣層。
其後，對該積層基板之支撐基板面進行金屬蝕刻用阻劑的製版。具體而言，於積層基板之兩面層壓金屬蝕刻用之乾膜阻劑，於支撐基板面側進行圖案曝光，於絕緣層側進行整個面曝光，使用碳酸鈉水溶液進行顯影，於支撐基板面上形成阻劑圖案。繼而，使用氯化鐵水溶液作為蝕刻液，製作經由阻劑圖案對支撐基板實施了圖案蝕刻之積層體8。
繼而，使用積層體8，除此以外，以與實施例1相同之方式形成配線層，製成支撐基板經圖案化之放熱基板。
使用壓製機經由模具對利用實施例1中所記載之方法製作之放熱基板進行衝壓加工，藉此獲得支撐基板部經圖案化之放熱基板。
為了製作供電層，對以16 cm見方切出之厚度1000μm之鋁基材(A5052 H34，自萬世興業股份有限公司購入)實施非電解鍍Ni後，實施厚度1μm之電解鍍Ni。於實施有鍍Ni之鋁上，利用塗敷寬度為150 mm之模塗機以硬化後膜厚成為5μm之方式將上述聚醯亞胺前驅物溶液1塗佈於150 mm見方之區域，於80℃之烘箱中，於大氣下乾燥60分鐘。其後，於聚醯亞胺前驅物膜上進行阻劑製版，使用TMAH水溶液進行顯影，同時對聚醯亞胺前驅物膜進行顯影，其後，使用Alkastep HTO將阻劑圖案剝離後，於氮氣環境下，於350℃進行1小時熱處理(升溫速度10℃/分鐘，自然放置冷卻)，獲得具有絕緣層去除部之積層體1-1，上述絕緣層去除部係自距包含聚醯亞胺之絕緣層之外周部10 mm的內側之位置起朝向中央部以5 mm寬度去除。
對以16 cm見方切出之厚度1000μm之鋁基材(A5052 H34，自萬世興業股份有限公司購入)實施厚度1μm之非電解鍍Ni。於實施有鍍Ni之鋁上，利用塗敷寬度為150 mm之模塗機以硬化後膜厚成為5μm之方式將上述聚醯亞胺前驅物溶液1塗佈於150 mm見方之區域，於80℃之烘箱中，於大氣下乾燥60分鐘。其後，於聚醯亞胺前驅物膜上進行阻劑製版，使用TMAH水溶液進行顯影，同時對聚醯亞胺
前驅物膜進行顯影，其後，使用Alkastep HTO將阻劑圖案剝離，此時自鋁表面產生氣泡而鋁表面白化。於氮氣環境下，於350℃進行1小時熱處理(升溫速度10℃/分鐘，自然放置冷卻)，獲得具有絕緣層去除部之積層體A1-2，上述絕緣層去除部係自距包含聚醯亞胺之絕緣層之外周部10 mm的內側之位置起朝向中央部以5 mm寬度去除。
於以16 cm見方切出之厚度1000μm之鋁基材(A5052 H34，自萬世興業股份有限公司購入)上形成厚度50μm之陽極氧化硫酸耐酸鋁被膜。於形成有耐酸鋁被膜之鋁上，利用塗敷寬度為150 mm之模塗機以硬化後膜厚成為5μm之方式將上述聚醯亞胺前驅物溶液1塗佈於150 mm見方之區域，於80℃之烘箱中，於大氣下乾燥60分鐘。其後，於聚醯亞胺前驅物膜上進行阻劑製版，使用TMAH水溶液進行顯影，同時對聚醯亞胺前驅物膜進行顯影，其後，使用Alkastep HTO將阻劑圖案剝離後，於氮氣環境下，於350℃進行1小時熱處理(升溫速度10℃/分鐘，自然放置冷卻)，獲得具有絕緣層去除部之積層體A1-3，上述絕緣層去除部係自距包含聚醯亞胺之絕緣層之外周部10 mm之內側之位置起朝向中央部以5 mm寬度去除。
於以16 cm見方切出之厚度1000μm之鋁基材(A5052
H34，自萬世興業股份有限公司購入)上，利用塗敷寬度為150 mm之模塗機以硬化後膜厚成為5μm之方式將上述聚醯亞胺前驅物溶液1塗佈於150 mm見方之區域，於80℃之烘箱中，於大氣下乾燥60分鐘。其後，於聚醯亞胺前驅物膜上進行阻劑製版，使用TMAH水溶液進行顯影，同時對聚醯亞胺前驅物膜進行顯影，此時自鋁表面產生氣泡而鋁表面白化。
其後，使用Alkastep HTO(Nichigo-Morton公司製造)嘗試將阻劑圖案剝離，但由於自鋁表面遽烈產生氣泡，因此無法將阻劑圖案剝離。
於以16 cm見方切出之厚度1000μm之鋁基材(A5052 H34，自萬世興業股份有限公司購入)上形成厚度5μm之陽極氧化硫酸耐酸鋁被膜。於形成有耐酸鋁被膜之鋁上，利用塗敷寬度為150 mm之模塗機以硬化後膜厚成為5μm之方式將上述聚醯亞胺前驅物溶液1塗佈於150 mm見方之區域，於80℃之烘箱中，於大氣下乾燥60分鐘。其後，於聚醯亞胺前驅物膜上進行阻劑製版，使用TMAH水溶液進行顯影，同時對聚醯亞胺前驅物膜進行顯影。
其後，使用Alkastep HTO(Nichigo-Morton公司製造)嘗試將阻劑圖案剝離，但由於自鋁表面遽烈產生氣泡，因此無法將阻劑圖案剝離。
為了製作供電層，對以16 cm見方切出之厚度1000μm之鋁基材(A5052 H34，自萬世興業股份有限公司購入)實施非電解鍍Ni後，實施厚度1μm之電解鍍Ni。於實施了鍍Ni之鋁上，利用塗敷寬度為150 mm之模塗機將上述感光性聚醯亞胺前驅物溶液1及2分別塗佈於150 mm見方之區域，於80℃之烘箱中，於大氣下乾燥60分鐘。經由光罩藉由高壓水銀燈進行365 nm之波長之以照度換算為2000 mJ/cm2之曝光後，於加熱板上於170℃加熱10分鐘後，使用TMAH水溶液進行顯影後，於氮氣環境下，於350℃進行1小時熱處理(升溫速度10℃/分鐘，自然放置冷卻)，形成膜厚3μm之感光性聚醯亞胺1及感光性聚醯亞胺2之聚醯亞胺膜，獲得具有絕緣層去除部之積層體A2-1、積層體A2-2，上述絕緣層去除部係自距包含聚醯亞胺之絕緣層之外周部10 mm的內側之位置起朝向中央部以5 mm寬度去除。
對以16 cm見方切出之厚度1000μm之鋁基材(A5052 H34，自萬世興業股份有限公司購入)實施厚度1μm之非電解鍍Ni。於實施了鍍Ni之鋁上，利用塗敷寬度為150 mm之模塗機分別將上述感光性聚醯亞胺前驅物溶液1及2塗佈於150 mm見方之區域，於80℃之烘箱中，於大氣下乾燥60分鐘。經由光罩藉由高壓水銀燈進行365 nm之波長之以
照度換算為2000 mJ/cm2之曝光後，於加熱板上於170℃加熱10分鐘後，使用TMAH水溶液進行顯影後，於氮氣環境下，於350℃進行1小時熱處理(升溫速度10℃/分鐘，自然放置冷卻)，形成膜厚3 μm之感光性聚醯亞胺1及感光性聚醯亞胺2之聚醯亞胺膜，獲得具有絕緣層去除部之積層體A2-3、積層體A2-4，上述絕緣層去除部係自距包含聚醯亞胺之絕緣層之外周部10 mm的內側之位置起朝向中央部以5 mm寬度去除。
於以16 cm見方切出之厚度1000μm之鋁基材(A5052 H34，自萬世興業股份有限公司購入)上，利用塗敷寬度為150 mm之模塗機分別將上述感光性聚醯亞胺前驅物溶液1及2塗佈於150 mm見方之區域，於80℃之烘箱中，於大氣下乾燥60分鐘。經由光罩藉由高壓水銀燈進行365 nm之波長之以無度換算為2000 mJ/cm2之曝光後，於加熱板上於170℃加熱10分鐘後，使用TMAH水溶液進行顯影，此時自鋁表面產生氣泡而鋁表面白化。
為了製作供電層，對以16 cm見方切出之厚度1000μm之鋁基材(A5052 H34，自萬世興業股份有限公司購入)實施非電解鍍Ni後，實施厚度1μm之電解鍍Ni。於實施了鍍Ni之鋁上，利用塗敷寬度為150 mm之模塗機以硬化後膜厚
成為5μm之方式將上述聚醯亞胺前驅物溶液12塗佈於150 mm見方之區域，於80℃之烘箱中，於大氣下乾燥60分鐘。其後，於氮氣環境下，於350℃進行1小時熱處理(升溫速度10℃/分鐘，自然放置冷卻)。
其後，於上述積層體之包含聚醯亞胺之絕緣層上形成阻劑圖案。使用聚醯亞胺蝕刻液TPE-3000(Toray Engineering製造)將絕緣層露出之部分去除，藉此獲得具有絕緣層去除部之積層體A3，上述絕緣層去除部係自距包含聚醯亞胺之絕緣層之外周部10 mm之內側之位置朝向中央部以5 mm寬度去除。
對以16 cm見方切出之厚度1000μm之鋁基材(A5052 H34，自萬世興業股份有限公司購入)實施厚度1μm之非電解鍍Ni。於實施了鍍Ni之鋁上，利用塗敷寬度為150 mm之模塗機以硬化後膜厚成為5μm之方式將上述聚醯亞胺前驅物溶液12塗佈於150 mm見方之區域，於80℃之烘箱中，於大氣下乾燥60分鐘。其後，於氮氣環境下，於350℃進行1小時熱處理(升溫速度10℃/分鐘，自然放置冷卻)。
其後，於上述積層體之包含聚醯亞胺之絕緣層上形成阻劑圖案。於使用聚醯亞胺蝕刻液TPE-3000(Toray Engineering製造)將絕緣層露出之部分去除時，自鋁表面遽烈發泡，因此無法形成絕緣層去除部。
於以16cm見方切出之厚度1000μm之鋁基材(A5052 H34，自萬世興業股份有限公司購入)上，利用塗敷寬度為150mm之模塗機以硬化後膜厚成為5μm之方式將上述聚醯亞胺前驅物溶液12塗佈於150mm見方之區域，於80℃之烘箱中，於大氣下乾燥60分鐘。其後，於氮氣環境下，於350℃進行1小時熱處理(升溫速度10℃/分鐘，自然放置冷卻)。
其後，於上述積層體之包含聚醯亞胺之絕緣層上形成阻劑圖案。於使用聚醯亞胺蝕刻液TPE-3000(Toray Engineering製造)將絕緣層露出之部分去除時，自鋁表面遽烈發泡，因此無法形成絕緣層去除部。
為了製作供電層，對以16cm見方切出之厚度1000μm之鋁基材(A5052 H34，自萬世興業股份有限公司購入)實施非電解鍍Ni後，實施厚度1μm之電解鍍Ni。於實施了鍍Ni之鋁上，利用塗敷寬度為150mm之模塗機以硬化後膜厚成為5μm之方式將上述聚醯亞胺前驅物溶液1塗佈於150mm見方之區域，於80℃之烘箱中，於大氣下乾燥60分鐘。其後，於氮氣環境下，於350℃進行1小時熱處理(升溫速度10℃/分鐘，自然放置冷卻)，藉此製作形成有絕緣層之積
層體A4。
繼而，以如下方式於積層體A4之絕緣層上形成配線層。
首先，對積層體之形成絕緣層之側整體實施鉻濺鍍，繼而實施銅濺鍍，形成厚度0.3μm鍍敷之基底層。
繼而，使用乾膜阻劑形成具有與配線層之形狀對應之開口部之阻劑層後，使用上述電解鍍銅液進行電解鍍銅，配設包含厚度10μm之電解鍍銅層之配線層。
其次，使用Alkastep HTO(Nichigo-Morton公司製造)將阻劑層之阻劑圖案剝離後，使用CA5330H/MEC股份有限公司製造進行銅層之快速蝕刻後，使用強鹼性(pH值>13)之WCR-4015(ADEKA公司製造)實施Cr層之快速蝕刻，藉此形成配線層而製成放熱基板。
對以16cm見方切出之厚度1000μm之鋁基材(A5052 H34，自萬世興業股份有限公司購入)實施厚度1μm之非電解鍍Ni。於實施了鍍Ni之鋁上，利用塗敷寬度為150mm之模塗機以硬化後膜厚成為5μm之方式將上述聚醯亞胺前驅物溶液1塗佈於150mm見方之區域，於80℃之烘箱中，於大氣下乾燥60分鐘。其後，於氮氣環境下，於350℃進行1小時熱處理(升溫速度10℃/分鐘，自然放置冷卻)，藉
此製作形成有絕緣層之積層體A5。
繼而，以如下方式於積層體A5之絕緣層上形成配線層。
首先，對積層體之形成絕緣層之側整體實施鉻濺鍍，繼而實施銅濺鍍，形成厚度0.3μm之鍍敷之基底層。
繼而，使用乾膜阻劑形成具有與配線層之形狀對應之開口部之阻劑層後，使用上述電解鍍銅液進行電解鍍銅，配設包含厚度10μm之電解鍍銅層之配線層。
其次，使用Alkastep HTO(Nichigo-Morton公司製造)將阻劑圖案自阻劑層剝離後，使用CA5330H/MEC股份有限公司製造進行銅層之快速蝕刻後，使用強鹼性(pH值>13)之WCR-4015(ADEKA公司製造)實施Cr層之快速蝕刻，藉此形成配線層而製成放熱基板。
於以16cm見方切出之厚度1000μm之鋁基材(A5052 H34，自萬世興業股份有限公司購入)上，利用塗敷寬度為150mm之模塗機以硬化後膜厚成為5μm之方式將上述聚醯亞胺前驅物溶液1塗佈於150mm見方之區域，於80℃之烘箱中，於大氣下乾燥60分鐘。其後，於氮氣環境下，於350℃進行1小時熱處理(升溫速度10℃/分鐘，自然放置冷卻)，藉此製作形成有絕緣層之積層體A6。
繼而，以如下方式於積層體A6之絕緣層上形成配線層。
首先，對積層體6之形成絕緣層之側整體實施鉻濺鍍，繼
而實施銅濺鍍，形成厚度0.3μm之鍍敷之基底層。
繼而，使用乾膜阻劑形成具有與配線層之形狀對應之開口部之阻劑層後，使用上述電解鍍銅液進行電解鍍銅，配設包含厚度10μm之電解鍍銅層之配線層。
其次，使用Alkastep HTO(Nichigo-Morton公司製造)將阻劑圖案自阻劑層剝離，此時自鋁表面產生氣泡而鋁表面白化。
使用CA5330H/MEC股份有限公司製造進行銅層之快速蝕刻後，使用強鹼性(pH值>13)之WCR-4015(ADEKA公司製造)實施Cr層之快速蝕刻，此時自鋁表面遽烈產生氣泡，因此無法將Cr層完全去除。
於以16cm見方切出之厚度1000μm之鋁基材(A5052 H34，自萬世興業股份有限公司購入)上，利用模塗機中塗敷寬度為150mm之模塗機以硬化後膜厚成為5μm之方式將上述聚醯亞胺前驅物溶液12塗佈於150mm見方之區域，於80℃之烘箱中，於大氣下乾燥60分鐘。其後，於氮氣環境下，於350℃進行1小時熱處理(升溫速度10℃/分鐘，自然放置冷卻)。
其後，於上述積層體之包含聚醯亞胺之絕緣層上形成阻劑圖案。於使用聚醯亞胺蝕刻液TPE-3000(Toray Engineering製造)將絕緣層露出之部分去除時，自鋁表面劇烈發泡，因
此無法形成絕緣層去除部。
以如下方式於積層體A1-1之絕緣層上形成配線層。
首先，以如下方式對積層體之形成絕緣層之側整體進行粗面化處理，水洗後，進而以如下方式進行觸媒賦予，進行非電解鍍敷，形成厚度0.3 μm之非電解鍍敷層。
Macoho股份有限公司製造，濕噴砂裝置
氧化鋁磨石，0.7 kg/m2之水壓
10 m/min之處理速度
繼而，使用乾膜阻劑(旭化成製造，AQ5038)以50μm之厚度塗佈，藉由曝光顯影而形成具有與配線層之形狀對應之開口部之阻劑層。
預烘烤：120℃、5分鐘
曝光：60 mJ/cm2
顯影：1%碳酸鈉(30℃)，1分鐘
繼而，以如下方式於自阻劑層之開口露出之非電解鍍敷層
上，依序進行電解光澤鍍鎳、電解鍍銅、電解無光澤鍍敷、電解鍍金，配設包含以下電解鍍敷層之配線層：將電解光澤鍍鎳層、電解鍍銅層、電解無光澤鍍敷層、電解鍍金層分別形成為0.2μm、10μm、0.2μm、0.1μm之厚度而成之電解鍍敷層。
WHN鍍敷液(日本高純度化學公司製造)
Temperesist K-91S(日本高純度化學)
繼而，將阻劑層於氫氧化鈉3%溶液中於50℃以1分鐘剝離去除，進行清洗後，利用NIMUDEN RIP C-11對露出之非電解鍍敷層140進行軟蝕刻而剝離。
進而，為了去除觸媒，利用Macoho股份有限公司製造之濕噴砂裝置，以氧化鋁磨石、0.5kg/m2之水壓、10m/min之處理速度進行處理而將觸媒去除。繼而，於180℃、1hr、氮氣環境下進行熱處理，形成配線層，製成放熱基板1-1。
使用積層體A1-2、A1-3、A2-1、A2-2、A2-3、A2-4、A2-5、A2-6、A3代替積層體A1-1，除此以外，藉由相同之方法製
作放熱基板1-2、1-3、2-1、2-2、2-3、2-4、2-5、2-6、3。
以如下方式於積層體A1-1之絕緣層上形成配線層。
首先，對積層體A1-1之形成絕緣層之側整體實施鉻濺鍍，繼而實施銅濺鍍，形成厚度0.3μm之鍍敷之基底層。
繼而，使用乾膜阻劑形成具有與配線層之形狀對應之開口部之阻劑層後，使用上述電解鍍銅液，進行電解鍍銅，配設包含厚度10μm之電解鍍銅層之配線層。
其次，使用Alkastep HTO(Nichigo-Morton公司製造)將阻劑圖案自阻劑層剝離後，使用CA5330H/MEC股份有限公司製造進行銅層之快速蝕刻後，使用強鹼性(pH值>13)之WCR-4015(ADEKA公司製造)實施Cr層之快速蝕刻，藉此形成配線層而製成放熱基板C1-1。
使用積層體A1-2、A2-1、A2-2、A2-3、A2-4、A3代替積層體A1-1，除此以外，藉由相同之方法製作放熱基板C1-2、C2-1、C2-2、C2-3、C2-4、C3。
於以16cm見方切出之厚度1000μm之鋁基材(A5052 H34，自萬世興業股份有限公司購入)上，利用塗敷寬度為150mm之模塗機以硬化後膜厚成為5μm之方式將上述聚醯亞胺前驅物溶液1塗佈於150mm見方之區域，於80℃之
烘箱中，於大氣下乾燥60分鐘。其後，於氮氣環境下，於350℃進行1小時熱處理(升溫速度10℃/分鐘，自然放置冷卻)，藉此製作形成有絕緣層之積層體A7。
繼而，以如下方式於積層體A7之絕緣層上形成配線層。
首先，對積層體A7之形成絕緣層之側整體實施鉻濺鍍，繼而實施銅濺鍍，形成厚度0.3μm鍍敷之基底層。
繼而，使用乾膜阻劑形成具有與配線層之形狀對應之開口部之阻劑層後，使用上述電解鍍銅液進行電解鍍銅，配設包含厚度10μm之電解鍍銅層之配線層。
其次，於使用Alkastep HTO(Nichigo-Morton公司製造)將阻劑圖案自阻劑層剝離時，自鋁表面產生氣泡而鋁表面白化。
使用CA5330H/MEC股份有限公司製造進行銅層之快速蝕刻後，使用強鹼性(pH值>13)之WCR-4015(ADEKA公司製造)實施Cr層之快速蝕刻，此時自鋁表面劇烈產生氣泡，因此無法將Cr層完全去除。
準備銅經圖案化為2 mm寬度之線狀之放熱基板C-1作為陽極。於放熱基板上，將α-NPD(N,N'-di[(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl]-1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine，N,N'-二[(1-萘基)-N,N'-二苯基]-1,1'-聯苯基)-4,4'-二胺)與MoO3以體積比4：1於真空度10-5 Pa之條件下，藉由共蒸鍍以1.0 Å/sec之蒸鍍速
度以膜厚成為40 nm之方式成膜，形成電洞注入層。繼而，將α-NPD於真空度10-5 Pa之條件下，以1.0 Å/sec之蒸鍍速度以膜厚成為20 nm之方式進行真空蒸鍍，形成電洞輸送層。繼而，使用Alq3(Tris-(8-hydroxyquinoline)aluminium，三-(8-羥基喹啉)鋁)作為主體材料，使用C545t作為綠色發光摻雜劑，於上述電洞輸送層上藉由真空蒸鍍將Alq3及C545t以C545t濃度成為3 wt%之方式於真空度10-5Pa之條件下依蒸鍍速度1Å/sec進行成膜為35nm厚，形成發光層。繼而，於真空度10-5 Pa之條件下，以1.0 Å/sec之蒸鍍速度以膜厚成為10 nm之方式將Alq3依1Å/sec之蒸鍍速度進行真空蒸鍍，形成電子輸送層。繼而，利用共蒸鍍，將Alq3及LiF於真空度10-5 Pa之條件下，以蒸鍍速度0.1 Å/sec藉由真空蒸鍍成膜為15 nm之厚度，形成電子注入層。最後，以膜厚成為200 nm之方式對IZO進行濺鍍，藉此形成陰極。
陰極形成後，將元件自真空蒸鍍裝置搬送至設定為水分濃度0.1 ppm以下之氮氣環境下之手套箱中後，使用障壁膜進行EL之密封，藉此於放熱基材上形成EL元件。
藉由旋塗將上述聚醯亞胺前驅物溶液1塗佈於以5 cm見方切出之厚度1000μm之銅基材(C1100P，自萬世興業股份有限公司購入)上，於100℃之加熱板上乾燥15分鐘後，於氮氣環境下，於350℃進行1小時熱處理，藉此製作於銅基
材上形成有膜厚7.7μm之聚醯亞胺層之溫度上升抑制評價基材-1。
藉由旋塗將上述聚醯亞胺前驅物溶液1塗佈於以5 cm見方切出之厚度1000μm之鋁基材(A5052 H34，自萬世興業股份有限公司購入)上，於100℃之加熱板上乾燥15分鐘後，於氮氣環境下，於350℃進行1小時熱處理，藉此製作於鋁基材上形成有膜厚7.7μm之聚醯亞胺層之溫度上升抑制評價基材-2。
藉由旋塗將上述聚醯亞胺前驅物溶液1塗佈於以5 cm見方切出之厚度150μm之銅基材(古河電工公司製造)上，於100℃之加熱板上乾燥15分鐘後，於氮氣環境下，於350℃進行1小時熱處理，藉此製作於銅基材上形成有膜厚7.7μm之聚醯亞胺層之溫度上升抑制評價基材-3。
使用KER-3000-M2(信越化學工業股份有限公司製造)，將熱電偶固定於5 mm見方之陶瓷微加熱器MS-M5(阪口電熱股份有限公司製造)之表面之中心。
於參考例1~3中製作之溫度上升抑制評價基材(評價基材1~3)之絕緣層(聚醯亞胺層)面側之中心，使用以6 mm見方切出之雙面膠帶TC-20SAS(信越化學工業股份有限公
司製造)，以與陶瓷微加熱器之固定有熱電偶之面相反之側的面接觸之方式將陶瓷微加熱器固定於絕緣層上。使用直流穩定電源E3643A(Agilent公司製造)對陶瓷微加熱器施加0.23 A之電流，藉由熱電偶測定陶瓷微加熱器之表面之溫度。將結果示於圖4。再者，於圖4中，橫軸為自電流施加開始之經過時間，縱軸表示陶瓷微加熱器表面之溫度變化。
使用厚度1000 μm之銅基材(C1100P，自萬世興業股份有限公司購入)代替以16 cm見方切出之厚度150 μm之銅基材(古河電工公司製造)，除此以外，以與實施例1相同之方式製作放熱基板。
1‧‧‧支撐基材
2‧‧‧絕緣層
3‧‧‧配線層
10‧‧‧放熱基板
20‧‧‧元件
21‧‧‧電子元件
22‧‧‧背面電極層
23‧‧‧EL層
24‧‧‧透明電極層
25‧‧‧透明基板
圖1係表示本發明之放熱基板之一例之概略剖面圖。
圖2係表示本發明之放熱基板之其他例之概略剖面圖。
圖3係表示本發明之元件之一例之概略剖面圖。
圖4係表示溫度上升抑制評價基材1~3之評價結果之曲線圖。
1‧‧‧支撐基材
2‧‧‧絕緣層
3‧‧‧配線層
10‧‧‧放熱基板
Claims (9)
- 一種放熱基板，其係具有支撐基材、直接形成於上述支撐基材上之絕緣層、及直接形成於上述絕緣層上之配線層者，其特徵為：上述絕緣層包含非熱塑性聚醯亞胺樹脂，厚度為1μm~20μm之範圍內；上述支撐基材之厚度為70μm以上。
- 如申請專利範圍第1項之放熱基板，其中，上述絕緣層實質上為一層。
- 如申請專利範圍第1或2項之放熱基板，其中，上述絕緣層之線性熱膨脹係數為0ppm/℃~40ppm/℃之範圍內。
- 如申請專利範圍第1或2項之放熱基板，其中，上述絕緣層之線性熱膨脹係數與上述支撐基板之線性熱膨脹係數之差為15ppm/℃以下。
- 如申請專利範圍第1或2項之放熱基板，其中，上述絕緣層之吸濕膨脹係數為0ppm/%RH~15ppm/%RH之範圍內。
- 如申請專利範圍第1或2項之放熱基板，其中，上述非熱塑性聚醯亞胺樹脂之體積電阻率為1.0×1012Ω．m以上。
- 如申請專利範圍第1或2項之放熱基板，其中，上述支撐基材係含有包含鋁或以鋁為主成分之合金之金屬基材、及形成於上述金屬基材上之支撐基材保護層， 上述絕緣層係經圖案化。
- 如申請專利範圍第1或2項之放熱基板，其中，上述支撐基材、絕緣層及配線層係分別獨立地經圖案化。
- 一種元件，其特徵為具有：申請專利範圍第1至8項中任一項之放熱基板、及配置於上述放熱基板之配線層上之電子元件。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011064537 | 2011-03-23 | ||
| JP2011222364 | 2011-10-06 | ||
| JP2012066158A JP6094044B2 (ja) | 2011-03-23 | 2012-03-22 | 放熱基板およびそれを用いた素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201251536A TW201251536A (en) | 2012-12-16 |
| TWI568322B true TWI568322B (zh) | 2017-01-21 |
Family
ID=46879498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW101110089A TWI568322B (zh) | 2011-03-23 | 2012-03-23 | 放熱基板及使用其之元件 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9332631B2 (zh) |
| JP (1) | JP6094044B2 (zh) |
| CN (1) | CN103548135B (zh) |
| TW (1) | TWI568322B (zh) |
| WO (1) | WO2012128360A1 (zh) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6032254B2 (ja) * | 2013-10-11 | 2016-11-24 | 大日本印刷株式会社 | パワーモジュール用金属配線付基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板、並びにパワーモジュール用金属配線付基板の製造方法 |
| JP6413249B2 (ja) * | 2014-02-03 | 2018-10-31 | 住友ベークライト株式会社 | 熱伝導性シートおよび半導体装置 |
| JP2015207666A (ja) * | 2014-04-21 | 2015-11-19 | 住友ベークライト株式会社 | 金属ベース基板、金属ベース基板の製造方法、金属ベース回路基板および電子装置 |
| WO2016080393A1 (ja) * | 2014-11-20 | 2016-05-26 | 日本精工株式会社 | 放熱基板 |
| KR102282216B1 (ko) * | 2015-02-24 | 2021-07-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 제조방법 |
| CN104691042B (zh) * | 2015-03-27 | 2016-06-15 | 东莞市闻誉实业有限公司 | 散热材料 |
| TWI544031B (zh) * | 2015-07-07 | 2016-08-01 | 律勝科技股份有限公司 | 聚醯亞胺樹脂及其製造方法與薄膜 |
| TWI572479B (zh) * | 2015-07-07 | 2017-03-01 | 律勝科技股份有限公司 | 包含聚醯亞胺樹脂之金屬積層板及其製造方法 |
| JP6355600B2 (ja) * | 2015-08-12 | 2018-07-11 | 株式会社リガク | 熱分析装置用センサユニットおよび熱分析装置 |
| JP6373884B2 (ja) | 2016-01-27 | 2018-08-15 | 株式会社有沢製作所 | ポリイミド樹脂前駆体 |
| CN105655494B (zh) * | 2016-03-18 | 2018-08-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 有机发光二极管的基底及其制作方法、有机发光二极管 |
| CN105845844A (zh) * | 2016-04-13 | 2016-08-10 | 信利半导体有限公司 | 一种柔性基板制造方法及oled器件制造方法和应用 |
| KR102110256B1 (ko) * | 2016-04-28 | 2020-05-13 | 후지필름 가부시키가이샤 | 터치 센서용 도전 시트, 터치 센서용 적층체, 터치 센서, 터치 패널 |
| KR102343734B1 (ko) * | 2017-07-12 | 2021-12-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| JP6996997B2 (ja) * | 2018-02-03 | 2022-01-17 | 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 | 金属張積層板及びその製造方法 |
| KR102565415B1 (ko) * | 2018-02-21 | 2023-08-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| TWI664701B (zh) * | 2018-07-04 | 2019-07-01 | 朋程科技股份有限公司 | 功率元件封裝結構 |
| CN111925543A (zh) * | 2020-08-17 | 2020-11-13 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种低湿、低热膨胀系数聚酰亚胺复合薄膜材料及制备方法 |
| JP2022083632A (ja) * | 2020-11-25 | 2022-06-06 | 三菱マテリアル株式会社 | ヒートシンク一体型絶縁回路基板、および、ヒートシンク一体型絶縁回路基板の製造方法 |
| US20230005822A1 (en) * | 2021-07-01 | 2023-01-05 | Hamilton Sundstrand Corporation | Polyimide bonded bus bar for power device |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003340961A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-02 | Mitsui Chemicals Inc | 寸法安定性に優れるポリイミド金属積層板及びその製造方法 |
| TW200520640A (en) * | 2003-09-10 | 2005-06-16 | Nippon Kayaku Kk | Sheet for flexible printed circuit board and method for manufacture thereof |
| JP2006228878A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Asahi Kasei Corp | 積層体の製造方法 |
| TW200634903A (en) * | 2004-12-22 | 2006-10-01 | Nippon Steel Chemical Co | Stacked body for cof substrate, method for manufacturing such stacked body for cof substrate, and cof film carrier tape formed by using such stacked body for cof substrate |
| JP2009049302A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Unitika Ltd | 金属積層フィルムの製造方法および金属積層フィルム |
| TW200945958A (en) * | 2008-01-31 | 2009-11-01 | Nitto Denko Corp | Printed circuit board and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08167764A (ja) * | 1994-12-14 | 1996-06-25 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属板ベース銅張積層板及びその製造法 |
| JP3267154B2 (ja) | 1995-08-01 | 2002-03-18 | 宇部興産株式会社 | 積層体およびその製法 |
| JP3982895B2 (ja) * | 1997-04-09 | 2007-09-26 | 三井化学株式会社 | 金属ベース半導体回路基板 |
| JP4457542B2 (ja) | 2001-06-22 | 2010-04-28 | 宇部興産株式会社 | 熱圧着性を有する多層ポリイミドフィルム、熱対策銅張り板 |
| TW200502319A (en) * | 2002-12-13 | 2005-01-16 | Kaneka Corp | Thermoplastic polyimide resin film, multilayer body and method for manufacturing printed wiring board composed of same |
| JP3938058B2 (ja) | 2003-01-29 | 2007-06-27 | 宇部興産株式会社 | 熱融着性を有するポリイミドフィルム、それを用いた積層板およびそれらの製造法 |
| WO2005111165A1 (ja) * | 2004-05-18 | 2005-11-24 | Kaneka Corporation | 接着フィルムの製造方法 |
| CN102225641B (zh) * | 2005-04-04 | 2014-06-25 | 宇部兴产株式会社 | 敷铜层压体 |
| WO2007015545A1 (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-08 | Kaneka Corporation | 金属被覆ポリイミドフィルム |
| JP2007123428A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Nec Electronics Corp | フレキシブル基板 |
| JP2010087229A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体モジュール、半導体モジュールの製造方法および携帯機器 |
| JP5524475B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2014-06-18 | 株式会社有沢製作所 | ２層両面フレキシブル金属積層板及びその製造方法 |
| CN101509651A (zh) * | 2009-03-17 | 2009-08-19 | 广州南科集成电子有限公司 | 照明led高效散热光源基板及制造方法 |
| JP5577837B2 (ja) * | 2010-05-12 | 2014-08-27 | 日立化成株式会社 | 金属箔張り積層板及びその製造方法、並びにこれを用いたプリント配線板 |
-
2012
- 2012-03-22 JP JP2012066158A patent/JP6094044B2/ja active Active
- 2012-03-23 WO PCT/JP2012/057587 patent/WO2012128360A1/ja active Application Filing
- 2012-03-23 TW TW101110089A patent/TWI568322B/zh active
- 2012-03-23 CN CN201280024089.4A patent/CN103548135B/zh active Active
-
2013
- 2013-09-20 US US14/032,302 patent/US9332631B2/en active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003340961A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-02 | Mitsui Chemicals Inc | 寸法安定性に優れるポリイミド金属積層板及びその製造方法 |
| TW200520640A (en) * | 2003-09-10 | 2005-06-16 | Nippon Kayaku Kk | Sheet for flexible printed circuit board and method for manufacture thereof |
| TW200634903A (en) * | 2004-12-22 | 2006-10-01 | Nippon Steel Chemical Co | Stacked body for cof substrate, method for manufacturing such stacked body for cof substrate, and cof film carrier tape formed by using such stacked body for cof substrate |
| JP2006228878A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Asahi Kasei Corp | 積層体の製造方法 |
| JP2009049302A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Unitika Ltd | 金属積層フィルムの製造方法および金属積層フィルム |
| TW200945958A (en) * | 2008-01-31 | 2009-11-01 | Nitto Denko Corp | Printed circuit board and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2013093540A (ja) | 2013-05-16 |
| JP6094044B2 (ja) | 2017-03-15 |
| TW201251536A (en) | 2012-12-16 |
| CN103548135A (zh) | 2014-01-29 |
| US9332631B2 (en) | 2016-05-03 |
| CN103548135B (zh) | 2017-02-15 |
| WO2012128360A1 (ja) | 2012-09-27 |
| US20140085830A1 (en) | 2014-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI568322B (zh) | 放熱基板及使用其之元件 | |
| KR101728573B1 (ko) | 플렉시블 디바이스용 기판, 플렉시블 디바이스용 박막 트랜지스터 기판, 플렉시블 디바이스, 박막 소자용 기판, 박막 소자, 박막 트랜지스터, 박막 소자용 기판의 제조 방법, 박막 소자의 제조 방법 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 | |
| JP5732740B2 (ja) | フレキシブルデバイス用薄膜トランジスタ基板およびフレキシブルデバイス | |
| TWI549200B (zh) | 電子元件用積層基板，電子元件，有機電致發光顯示裝置，電子紙及電子元件用積層基板之製造方法 | |
| JP5304490B2 (ja) | 積層体およびその製造方法 | |
| JP5970865B2 (ja) | 薄膜素子用基板、薄膜素子、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、および電子ペーパー | |
| TW201717219A (zh) | 柔性基板的製造方法、柔性基板及包括其的電子裝置 | |
| JP5906574B2 (ja) | フレキシブルデバイス用基板及びその製造方法 | |
| TW200536443A (en) | Heat-resistant resin laminate film, laminate film with metal layer using the same, and semiconductor device | |
| JP2011222334A (ja) | 熱伝導性封止部材および素子 | |
| WO2011040440A1 (ja) | フレキシブルデバイス用基板、フレキシブルデバイス用薄膜トランジスタ基板、フレキシブルデバイス、薄膜素子用基板、薄膜素子、薄膜トランジスタ、薄膜素子用基板の製造方法、薄膜素子の製造方法および薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPWO2017068936A1 (ja) | ディスプレイ基板用樹脂組成物、並びに、それを用いた耐熱性樹脂フィルム、有機ｅｌディスプレイ基板及び有機ｅｌディスプレイの製造方法 | |
| WO2018087990A1 (ja) | ジアミン化合物、それを用いた耐熱性樹脂および樹脂組成物 | |
| JP6032254B2 (ja) | パワーモジュール用金属配線付基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板、並びにパワーモジュール用金属配線付基板の製造方法 | |
| JP2019077871A (ja) | 耐熱性樹脂膜およびその製造方法、加熱炉ならびに画像表示装置の製造方法 | |
| TW201124266A (en) | Metalized polyimide film and flexible printed circuit board using the same | |
| JP2013151627A (ja) | 硬化膜の処理方法および半導体装置 | |
| JP5961970B2 (ja) | 積層体およびそれを用いた素子 | |
| JP2015065427A (ja) | パワーモジュール用金属配線付基板の製造方法及びパワーモジュールの製造方法 | |
| JP2016105183A (ja) | 薄膜素子用基板、薄膜素子、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、および電子ペーパー | |
| JP5092656B2 (ja) | 電子回路部品、及びハードディスクドライブ用サスペンション | |
| TW201324685A (zh) | 熱剝離型片材 | |
| JP2011233858A (ja) | 薄膜素子用基板の製造方法、薄膜素子の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜素子、および薄膜トランジスタ | |
| JP2004186166A (ja) | プリント回路用基板およびそれを用いたプリント回路基板 | |
| TW202112911A (zh) | 樹脂膜、電子器件、樹脂膜的製造方法及電子器件的製造方法 |