WO2011040440A1

WO2011040440A1 - フレキシブルデバイス用基板、フレキシブルデバイス用薄膜トランジスタ基板、フレキシブルデバイス、薄膜素子用基板、薄膜素子、薄膜トランジスタ、薄膜素子用基板の製造方法、薄膜素子の製造方法および薄膜トランジスタの製造方法

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Publication number: WO2011040440A1
Application number: PCT/JP2010/066912
Authority: WO
Inventors: 俊治福田; 勝哉坂寄; 慶太在原; 公二市村; 恵維天下井
Original assignee: 大日本印刷株式会社
Priority date: 2009-09-30
Filing date: 2010-09-29
Publication date: 2011-04-07

Abstract

本発明は、金属層とポリイミド層とが積層された可撓性を有する基板上にＴＦＴを作製した際に、金属箔表面の凹凸によるＴＦＴの電気的性能の劣化を抑制することができ、ＴＦＴの剥離やクラックを抑制することができるフレキシブルデバイス用基板を提供することを第一の目的とする。本発明は、金属箔（２）と、上記金属箔上に形成され、ポリイミドを含む平坦化層（３）と、上記平坦化層（３）上に形成され、無機化合物を含む密着層（４）とを有することを特徴とするフレキシブルデバイス用基板を提供する。

Description

フレキシブルデバイス用基板、フレキシブルデバイス用薄膜トランジスタ基板、フレキシブルデバイス、薄膜素子用基板、薄膜素子、薄膜トランジスタ、薄膜素子用基板の製造方法、薄膜素子の製造方法および薄膜トランジスタの製造方法

　本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置や電子ペーパーなどに用いられる可撓性を有する基板に関するものである。
　また、本発明は、薄膜トランジスタ、薄膜太陽電池、エレクトロルミネッセンス素子等の薄膜素子に用いられる、金属基材上にポリイミドを含む絶縁層が形成された薄膜素子用基板およびその製造方法に関するものである。

　金属層とポリイミド層とが積層された可撓性を有する基板の製造方法としては、例えば、金属箔とポリイミドフィルムとを接着剤を介して貼り合せる方法、金属箔とポリイミドフィルムとを加熱圧着する方法、ポリイミドフィルム上に金属を蒸着する方法、金属箔上にポリイミド溶液またはポリイミドの前駆体を塗布する方法が知られている。

　また、プラスチックフィルム上に薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する場合がある。）を作製した場合に、プラスチックフィルムからのＴＦＴの剥離を防止するために、プラスチックフィルム上に無機材料からなる膜を設けることが提案されている（例えば特許文献１および特許文献２参照）。

　金属層とポリイミド層とが積層された可撓性を有する基板の製造方法において、金属箔を用いる方法の場合、例えば金属箔が圧延箔の場合には表面に圧延筋による凹凸が存在し、金属箔が電解箔の場合にも表面に凹凸が存在するため、可撓性を有する基板上にＴＦＴを作製した際にはＴＦＴの電気的性能が低下するという問題がある。また、ポリイミドフィルムを用いる方法の場合、ポリイミドフィルムには通常、耐ブロッキング性を向上させることを目的として粒子が含有されているため、表面に凹凸が存在し、同様に、可撓性を有する基板上にＴＦＴを作製した際にはＴＦＴの電気的性能が低下するという問題がある。
　そこで、表面平滑性の良好なポリイミド層が望まれている。

　しかしながら、表面平滑性の良好なポリイミド層が得られたとしても、ポリイミドは吸湿性が比較的高いことから、可撓性を有する基板上にＴＦＴを作製する過程において、水分でポリイミド層の寸法が変化することによって、ＴＦＴにクラックや剥離が生じるという問題がある。また、水分だけでなく熱によってもポリイミド層の寸法が変化し、同様に、ＴＦＴのクラックや剥離という問題が生じる。

　ところで、高分子材料は、加工が容易、軽量などの特性から身の回りのさまざまな製品に用いられている。1955年に米国デュポン社で開発されたポリイミドは、耐熱性に優れることから航空宇宙分野などへの適用が検討されるなど、開発が進められてきた。以後、多くの研究者によって詳細な検討がなされ、耐熱性、寸法安定性、絶縁特性といった性能が有機物の中でもトップクラスの性能を示すことが明らかとなり、航空宇宙分野にとどまらず、電子部品の絶縁材料等への適用が進められた。現在では、半導体素子の中のチップコーティング膜や、フレキシブルプリント配線板の基材などとして盛んに利用されてきている。

　ポリイミドは、主にジアミンと酸二無水物から合成される高分子である。ジアミンと酸二無水物を溶液中で反応させることで、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸（ポリアミック酸）となり、その後、脱水閉環反応を経てポリイミドとなる。一般に、ポリイミドは溶媒への溶解性に乏しく加工が困難なため、前駆体の状態で所望の形状にし、その後、加熱を行うことでポリイミドとする場合が多い。ポリイミド前駆体は熱や水に対し不安定な場合が多く、冷凍保存が必要な場合がある等、保存安定性に劣る傾向にある。この点を考慮し、分子構造に溶解性に優れた骨格を導入する、もしくは、分子量を小さくするなどにより、ポリイミドとした後に溶媒に溶解して成形又は塗布できるように改良が施されたポリイミドも開発されたが、これを用いる場合にはポリイミド前駆体を用いる方式に比べ耐熱性、耐薬品性、線熱膨張係数、吸湿膨張係数などの膜物性などが劣る傾向にある。そのため、目的に応じてポリイミド前駆体を用いる方式と溶媒溶解性ポリイミドを用いる方式とが使い分けられている。

　ポリイミド膜は、溶媒溶解性ポリイミドを用いた場合は、ポリイミド樹脂組成物を基板上に塗布し、熱処理して溶媒を蒸発させることで形成され、ポリイミド前駆体を用いた場合は、ポリイミド樹脂組成物を基板上に塗布し、熱処理して溶媒を蒸発させた後、さらに加熱してイミド化加熱環化させることで形成される。この場合、ポリイミド樹脂組成物を塗布する際に、基材に対する濡れ性が悪いと、基材上に均一に塗布することが困難になり、製膜後の表面の平坦性に問題が生じるとともに、その影響が顕著になると、ハジキや泡かみが起こり、膜中にピンホールが形成されたりしてしまうといった問題がある。

　上記問題を解決するために、ポリイミド樹脂組成物にシリコーンオイルからなる界面活性剤を添加することが提案されている（例えば特許文献３参照）。この技術によれば、界面活性剤が添加されていることにより、膜を形成するときに気泡が発生し難く、気泡による膜の均一性の低下やピンホールの発生を抑制することができるとされている。

　近年、ポリイミドが電子部品の絶縁材料として広く用いられるようになり、種々の性能が要求されるようになってきた。その中でも特に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、薄膜太陽電池、エレクトロルミネッセンス素子（以下、エレクトロルミネッセンスをＥＬと称する場合がある。）等の薄膜素子に用いられる、金属基材とポリイミドを含む絶縁層とが積層されている薄膜素子用基板では、絶縁層上に形成される薄膜素子部が薄いため、かつ、金属基材が圧延箔の場合には表面に圧延筋による凹凸が存在し、電解箔の場合にも表面に凹凸が存在するため、凹凸によって薄膜素子の特性が低下するという問題がある。そこで、薄膜素子用基板の表面平滑性を改善することが求められている。
　しかしながら、金属基材上にポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する場合、上述のようにポリイミド樹脂組成物を塗布する際に、均一な塗布が困難であり、さらにはハジキや泡かみが起こり、金属基材表面には凹凸が存在するため、膜の均一性の低下が顕著となるという問題がある。

　特許文献３に記載されている界面活性剤が添加されたポリイミド樹脂組成物を用いる手法では、基板表面の凹凸に関係なく表面平滑性に優れる膜を形成することができるとされている。しかしながら、このようなポリイミド樹脂組成物に添加剤を加える方法では、添加剤のポリイミド樹脂組成物との相溶性や、添加剤による膜の耐熱性等の特性の低下など、種々の課題が残されている。

　また、ポリイミド膜には気泡によるクレーターやピンホールが発生するという問題がある。クレーターやピンホールが存在すると性能が低下し、電子部品の絶縁層として使用することが困難となる。
　膜中に気泡が発生する原因としては種々考えられるが、その一つとしてポリイミド膜の形成に用いられるポリイミド樹脂組成物が挙げられる。ポリイミド樹脂組成物を製造する際にポリイミド樹脂組成物中に気泡が混入し、この気泡が膜中に残留するのである。

　ポリイミド樹脂組成物中に混入した気泡を除去するために、ポリアミック酸ワニスやポリイミドワニスを脱気する方法が提案されている（例えば特許文献４～６参照）。ポリアミック酸ワニスやポリイミドワニスの脱気方法としては、例えば特許文献４には減圧脱気法、薄膜式減圧脱気法、遠心薄膜脱気法が開示され、特許文献４，５には超音波を利用した脱気法が開示され、特許文献４，６にはフィルターを用いて濾過する脱気法が開示されている。

　上述のように、ＴＦＴ、薄膜太陽電池、ＥＬ素子等の薄膜素子に用いられる、金属基材とポリイミドを含む絶縁層とが積層されている薄膜素子用基板では、絶縁層上に形成される薄膜素子部が薄いことから、薄膜素子用基板表面の微細な凹凸が薄膜素子の特性を低下させるおそれがあるため、薄膜素子用基板の表面平滑性を改善することが求められている。例えばＴＦＴの場合、ＴＦＴの半導体層、特にチャネル形成領域の下地に微細な凹凸が存在すると、すなわちポリイミドを含む絶縁層表面に微細な凹凸が存在すると、ＴＦＴの移動度が著しく低下したり、リーク電流が流れたりと、ＴＦＴの特性に重大な影響を及ぼす。また、ポリイミドを含む絶縁層の表面状態によって歩留りが低下する。

　ポリイミド樹脂組成物の脱気により、ポリイミドを含む絶縁層表面での気泡によるクレーターやピンホールの発生を抑制することは可能である。しかしながら、従来では特許文献４，６に記載されているようにマイクロメートルオーダーの気泡が問題とされており、ナノメートルオーダーの気泡についてはまったく検討されていなかった。一方、薄膜素子用基板では、薄膜素子部が薄いことから、薄膜素子部に影響を及ぼすようなナノメートルオーダーの気泡が問題となる。例えばＴＦＴではチャネル形成領域に影響を及ぼすようなナノメートルオーダーの気泡が問題となるのである。

　ここで、液体中の泡は、気体がガス状のままで液体中に混合している状態である。この泡は、外部から混入するだけでなく、液体から発生することが非常に多く見られる。一方、溶存気体とは、液体中に溶解している気体を意味し、これは泡のように目で見ることはできない。
　気体の液体に対する溶解量は、液体の種類、温度や圧力、さらには接液材質によって変化し、飽和量以上の溶存気体は泡となって出現する。つまり、泡のない状態の液体であっても、温度や圧力等が変化すると泡を発生することになる。一方で、液体中に泡が存在しても、所定の温度や圧力等である場合、または気体の溶解量が飽和値に満たない場合、泡は液体中に溶解する。すなわち、単に泡を除去するだけでは不十分であり、溶存気体を除去することが重要である。

　ポリイミド樹脂組成物中に飽和量に近い量の溶存気体が存在すると、塗布などのプロセスに伴い、温度や圧力が変化した際に、飽和量を超えた気体が泡として出現する。飽和量を超えた気体が少量の場合は、気泡サイズが成長しづらいため、マイクロメートルサイズの気泡の削減という観点からは、大きな問題とはならなかった。
　しかしながら、絶縁層の表面において、ナノメートルオーダーで平滑性を制御するためには、ナノメートルオーダーサイズの気泡の発生を抑制する必要がある。したがって、飽和量以上の溶存気体が存在することを避けるため、溶存気体量を削減することが必要となる。よって、薄膜素子用基板における絶縁層の表面平滑性に悪影響をあたえるナノメートルオーダーの気泡の発生を防ぐには、ポリイミド樹脂組成物中の溶存気体量を飽和量に比べて低い値に保つことが非常に重要となる。

特開２００６－３２４３６８号公報特開２００８－１４７２０７号公報特開２００１－１３９８０８号公報特開平８－１８６３４３号公報特開平８－１７６５０５号公報特開２００２－３４８３８８号公報

　本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、金属層とポリイミド層とが積層された可撓性を有する基板上にＴＦＴを作製した際に、金属箔表面の凹凸によるＴＦＴの電気的性能の劣化を抑制することができ、ＴＦＴの剥離やクラックを抑制することができるフレキシブルデバイス用基板を提供することを第一の目的とする。
　また本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、表面平滑性に優れ、薄膜素子の特性劣化を抑制することが可能な薄膜素子用基板およびその製造方法を提供することを第二の目的とする。

　本発明は、上記目的を達成するために、金属箔と、上記金属箔上に形成され、ポリイミドを含む平坦化層と、上記平坦化層上に形成され、無機化合物を含む密着層とを有することを特徴とするフレキシブルデバイス用基板を提供する。

　本発明によれば、金属箔上にポリイミドを含む平坦化層が形成されているので、金属箔表面の凹凸を平坦化することができ、本発明のフレキシブルデバイス用基板上にＴＦＴを作製した場合には、ＴＦＴの電気的性能の低下を防ぐことができる。また本発明によれば、密着層が形成されているので、本発明のフレキシブルデバイス用基板上にＴＦＴを作製した場合には、フレキシブルデバイス用基板とＴＦＴとの密着性が良好であり、ＴＦＴに剥離やクラックが生じるのを防ぐことができる。

　上記発明においては、上記平坦化層がポリイミドを主成分とすることが好ましい。ポリイミドを主成分とすることにより、絶縁性、耐熱性に優れた平坦化層とすることが可能となる。また、ポリイミドを主成分とすることにより、平坦化層の薄膜化が可能となり平坦化層の熱伝導性が向上し、熱伝導性に優れたフレキシブルデバイス用基板とすることができる。

　上記発明においては、上記密着層の表面粗さＲａが２５ｎｍ以下であることが好ましい。本発明のフレキシブルデバイス用基板上にＴＦＴを作製する場合、密着層が上記の平滑性を有することにより、ＴＦＴの電気的性能の低下を効果的に防ぐことができるからである。

　また本発明においては、上記密着層を構成する上記無機化合物が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、酸化クロムおよび酸化チタンからなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。これらの材料を用いることにより、密着性、平滑性、耐熱性、絶縁性などが良好な膜が得られるからである。

　さらに本発明においては、上記密着層が多層膜であってもよい。この場合、上記密着層が、上記平坦化層上に形成され、クロム、チタン、アルミニウム、ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、酸化クロムおよび酸化チタンからなる群から選択される少なくとも１種からなる第１密着層と、上記第１密着層上に形成され、酸化ケイ素からなる第２密着層とを有することが好ましい。第１密着層により平坦化層と第２密着層との密着性を高めることができ、第２密着層により平坦化層と本発明のフレキシブルデバイス用基板上に作製されるＴＦＴとの密着性を高めることができる。また、このような構成とすることにより、密着性、平滑性、耐熱性、絶縁性などに優れる密着層とすることができる。

　また本発明においては、上記密着層の厚みが、１ｎｍ～５００ｎｍの範囲内であることが好ましい。密着層の厚みが薄すぎると十分な密着性が得られない場合があり、密着層の厚みが厚すぎるとクラックが生じる場合があるからである。

　さらに本発明においては、上記平坦化層の表面粗さＲａが２５ｎｍ以下であることが好ましい。本発明のフレキシブルデバイス用基板上にＴＦＴを作製する場合、平坦化層が上記の平滑性を有することにより、ＴＦＴの電気的性能の低下を効果的に防ぐことができるからである。

　また本発明においては、上記平坦化層の吸湿膨張係数が０ｐｐｍ／％ＲＨ～１５ｐｐｍ／％ＲＨの範囲内であることが好ましい。吸湿膨張係数は吸水性の指標であり、吸湿膨張係数が小さいほど吸水性が小さくなる。したがって、吸湿膨張係数が上記範囲であれば、湿気存在下において高い信頼性を実現することができる。例えば本発明のフレキシブルデバイス用基板を有機ＥＬ表示装置に用いる場合には、有機ＥＬ表示装置は水分に弱いことから、素子内部の水分を低減するために、吸湿膨張係数は比較的小さいことが好ましい。また、平坦化層の吸湿膨張係数が小さいほど、平坦化層の寸法安定性が向上する。金属箔の吸湿膨張係数はほとんどゼロに近いので、平坦化層の吸湿膨張係数が大きすぎると、平坦化層および金属箔の密着性が低下するおそれがある。

　さらに本発明においては、上記金属箔上に上記平坦化層が部分的に形成されていてもよい。本発明のフレキシブルデバイス用基板を用いて例えば有機ＥＬ表示装置を作製した場合、金属箔の全面に平坦化層が形成されており平坦化層の端面が露出していると、一般にポリイミドは吸湿性を示すため、製造時や駆動時に平坦化層の端面から素子内部へ水分が浸入し、素子性能が低下するおそれがある。また、本発明のフレキシブルデバイス用基板を用いて例えば有機ＥＬ表示装置を作製する場合、封止部材を平坦化層を介することなく金属箔と密着させることが可能となり、有機ＥＬ表示装置への水分の浸入を防ぐことが可能となる。さらに、金属箔が露出している領域は、平坦化層および密着層を貫通し金属箔に電気的に導通させるための貫通孔にもなり得る。

　また本発明においては、上記平坦化層の厚みが１μｍ～１０００μｍの範囲内であることが好ましい。平坦化層の厚みが薄すぎると、絶縁性が維持できなかったり、金属箔表面の凹凸を平坦化することが困難であったりするからである。また、平坦化層の厚みが厚すぎると、フレキシブル性が低下したり、過重になったり、製膜時の乾燥が困難になったり、コストが高くなったりするからである。さらには、本発明のフレキシブルデバイス用基板に放熱機能を付与する場合には、平坦化層の厚みが厚いとポリイミドは金属よりも熱伝導率が低いために熱伝導性が低下する。

　さらに本発明においては、上記平坦化層の線熱膨張係数が０ｐｐｍ／℃～２５ｐｐｍ／℃の範囲内であることが好ましい。平坦化層の線熱膨張係数が上記範囲であれば、平坦化層および金属箔の線熱膨張係数を近いものとすることができ、フレキシブルデバイス用基板の反りを抑制できるとともに平坦化層および金属箔の密着性を高めることができるからである。

　また本発明においては、上記平坦化層の線熱膨張係数と上記金属箔の線熱膨張係数との差が１５ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。上述したように、平坦化層および金属箔の線熱膨張係数が近いほど、フレキシブルデバイス用基板の反りを抑制できるとともに平坦化層および金属箔の密着性が高くなるからである。

　さらに本発明においては、上記金属箔の厚みが１μｍ～１０００μｍの範囲内であることが好ましい。金属箔の厚みが薄すぎると、酸素や水蒸気に対するガスバリア性が低下したり耐久性に劣ったりする場合があるからである。また、金属箔の厚みが厚すぎると、フレキシブル性が低下したり、過重になったり、コスト高になったりするからである。

　また本発明は、上述のフレキシブルデバイス用基板と、上記フレキシブルデバイス用基板の密着層上に形成されたＴＦＴとを有することを特徴とするフレキシブルデバイス用ＴＦＴ基板を提供する。

　本発明によれば、上述のフレキシブルデバイス用基板を用いるので、金属箔表面の凹凸によるＴＦＴの電気的性能の低下を防ぐことができるとともに、密着層によってＴＦＴに剥離やクラックが生じるのを防ぐことができる。

　上記発明においては、上記ＴＦＴが、酸化物半導体層を有することが好ましい。酸化物半導体は水や酸素の影響によりその電気特性が変化するが、本発明のフレキシブルデバイス用ＴＦＴ基板は金属箔を有するため、水蒸気の透過を抑制することができるので、半導体の特性劣化を防ぐことができる。また、例えば本発明のフレキシブルデバイス用ＴＦＴ基板を有機ＥＬ表示装置に用いる場合には、有機ＥＬ表示装置は水や酸素に対する耐性に劣るが、金属箔によって酸素および水蒸気の透過を抑制することができるので、素子性能の劣化を抑制することができる。

　さらに本発明は、上述のフレキシブルデバイス用ＴＦＴ基板を備えることを特徴とするフレキシブルデバイスを提供する。

　本発明によれば、上述のフレキシブルデバイス用ＴＦＴ基板を用いるので、金属箔表面の凹凸によるＴＦＴの電気的性能の低下を防ぐことができるとともに、フレキシブルデバイスの製造時や使用時においてもＴＦＴに剥離やクラックが生じるのを防ぐことができる。

　また本発明は、金属箔、上記金属箔上に形成され、ポリイミドを含む平坦化層、および上記平坦化層上に形成され、無機化合物を含む密着層を有するフレキシブルデバイス用基板と、上記フレキシブルデバイス用基板の密着層上に形成された背面電極層およびＴＦＴと、上記背面電極層上に形成され、少なくとも有機発光層を含むエレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと称する場合がある。）層と、上記ＥＬ層上に形成された透明電極層とを有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置を提供する。

　本発明によれば、上述のフレキシブルデバイス用基板を用いるので、金属箔表面の凹凸によるＴＦＴの電気的性能の低下を防ぐことができるとともに、有機ＥＬ表示装置の製造時や使用時においてもＴＦＴに剥離やクラックが生じるのを防ぐことができる。

　さらに本発明は、金属箔、上記金属箔上に形成され、ポリイミドを含む平坦化層、および上記平坦化層上に形成され、無機化合物を含む密着層を有するフレキシブルデバイス用基板と、上記フレキシブルデバイス用基板の密着層上に形成された背面電極層およびＴＦＴと、上記背面電極層上に形成された表示層と、上記表示層上に形成された透明電極層とを有することを特徴とする電子ペーパーを提供する。

　本発明によれば、上述のフレキシブルデバイス用基板を用いるので、金属箔表面の凹凸によるＴＦＴの電気的性能の低下を防ぐことができるとともに、電子ペーパーの製造時や使用時においてもＴＦＴに剥離やクラックが生じるのを防ぐことができる。

　また本発明は、上記目的を達成するために、金属基材と、上記金属基材上に形成され、ポリイミドを含む絶縁層とを有する薄膜素子用基板であって、上記絶縁層の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜素子用基板を提供する。
　本発明によれば、絶縁層が表面平滑性に優れるので、微細な凹凸による薄膜素子の特性の低下を防ぐことが可能である。

　上記発明においては、上記金属基材表面の上記絶縁層に用いられるポリイミド樹脂組成物に含まれる溶媒に対する接触角が３０°以下であることが好ましい。ポリイミド樹脂組成物に含まれる溶媒に対する接触角を所定の範囲とし小さくすることで、金属基材に対するポリイミド樹脂組成物の濡れ性をさらに良くし、塗膜の均一性をさらに高めることができる。また、金属基材同士もしくは金属基材内でのポリイミド樹脂組成物に含まれる溶媒に対する接触角のばらつきを低減し、安定的に絶縁層を形成することが可能となる。

　また本発明においては、上記金属基材が鉄を主成分とすることが好ましい。鉄を主成分とする金属基材は多種多様な組成が開発されており、用途に必要特性に合わせた選択が可能である。また、鉄を主成分とする金属基材は薬液耐性が高く、種々の薬液処理が適用可能である。さらに、鉄を主成分とする金属基材は、耐熱性、耐酸化性、低膨張などの物性面で優れているという利点も有する。

　さらに本発明においては、上記金属基材表面にて、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）により検出された全元素に対する炭素（Ｃ）の元素量の比が０．２５以下であることが好ましい。検出された全元素に対する炭素（Ｃ）の元素量の比が上記範囲であれば、金属基材表面のポリイミド樹脂組成物に含まれる溶媒に対する接触角が小さくなり、金属基材上へのポリイミド樹脂組成物の塗布性を良好なものとすることができるからである。

　また本発明においては、上記絶縁層の吸湿膨張係数が０ｐｐｍ／％ＲＨ～１５ｐｐｍ／％ＲＨの範囲内であることが好ましい。吸湿膨張係数は吸水性の指標であり、吸湿膨張係数が小さいほど吸水性が小さくなる。したがって、吸湿膨張係数が上記範囲であれば、湿気存在下において高い信頼性を実現することができる。また、絶縁層の吸湿膨張係数が小さいほど、絶縁層の寸法安定性が向上する。金属基材の吸湿膨張係数はほとんどゼロに近いので、絶縁層の吸湿膨張係数が大きすぎると、絶縁層および金属基材の密着性が低下するおそれがある。

　さらに本発明においては、上記絶縁層の線熱膨張係数が０ｐｐｍ／℃～２５ｐｐｍ／℃の範囲内であることが好ましい。絶縁層の線熱膨張係数が上記範囲であれば、絶縁層および金属基材の線熱膨張係数を近いものとすることができ、薄膜素子用基板の反りを抑制できるとともに絶縁層および金属基材の密着性を高めることができるからである。

　また本発明においては、上記絶縁層の線熱膨張係数と上記金属基材の線熱膨張係数との差が１５ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。上述したように、絶縁層および金属基材の線熱膨張係数が近いほど、薄膜素子用基板の反りを抑制できるとともに絶縁層および金属基材の密着性が高くなるからである。

　また本発明は、上述の薄膜素子用基板と、上記薄膜素子用基板上に形成された薄膜素子部とを有することを特徴とする薄膜素子を提供する。
　本発明によれば、上述の薄膜素子用基板を用いるので、優れた特性を有する薄膜素子を得ることが可能である。

　さらに本発明は、上述の薄膜素子用基板と、上記薄膜素子用基板上に形成されたＴＦＴとを有することを特徴とするＴＦＴを提供する。
　本発明によれば、上述の薄膜素子用基板を用いるので、電気的性能の良好なＴＦＴを得ることが可能である。

　また本発明は、上記目的を達成するために、金属基材に薬液処理を施す金属基材表面処理工程と、上記金属基材上にポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを有し、上記絶縁層の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜素子用基板の製造方法を提供する。

　何らの処理も施していない金属基材は、金属基材の製造後から使用までの間に大気中に含まれる有機成分が金属基材表面に付着することがある。また、金属基材には圧延箔や電解箔があるが、圧延箔の場合、圧延箔の製造過程、特に金属の圧延工程にて用いられる圧延油等の有機成分が金属基材表面に付着することがある。このように、多くの有機物成分が金属基材表面に付着しているため、金属基材に対するポリイミド樹脂組成物の濡れ性が低下している。

　本発明によれば、金属基材に薬液処理を施すことによって、金属基材表面に残留する上記有機成分を除去することができ、金属基材に対するポリイミド樹脂組成物の濡れ性を良くすることができる。そのため、金属基材上にポリイミド樹脂組成物を塗布する際に、均一に塗布することができ、さらにはハジキ、泡かみの発生を抑制することが可能である。したがって、塗膜の均一性が向上し、さらにはピンホールやクレーターが低減され、表面平滑性に優れる絶縁層を形成することができる。金属基材表面に凹凸が存在する場合であっても、金属基材上に絶縁層を形成することで金属基材表面の凹凸を平坦化することができ、薄膜素子用基板の表面平滑性を改善することができる。よって本発明においては、薄膜素子の特性の低下を防ぐことが可能な薄膜素子用基板を得ることができる。さらに本発明によれば、ポリイミド樹脂組成物を用いて絶縁層を形成するので、絶縁性、耐熱性、寸法安定性に優れた絶縁層を形成することが可能となる。また、絶縁層の薄膜化が可能となり絶縁層の熱伝導性が向上し、放熱性に優れる薄膜素子用基板であるとともに、金属基材を有することによってガスバリア性に優れる薄膜素子用基板を得ることが可能である。

　また、金属基材は、その厚さが薄く、巻き取ることが可能であり、使用量が多量である場合はロール状の金属基材が主に用いられ、また、その厚さが厚く、巻き取ることが困難であったり、使用量が少量であったりする場合はシート状の金属基材が主に用いられている。ここで、何らの処理も施していない金属基材は、金属基材同士もしくは金属基材内において金属基材に対するポリイミド樹脂組成物の濡れ性のばらつきが大きい。特に、金属基材内での上記ポリイミド樹脂組成物の濡れ性のばらつきは、ロール状の金属基材で顕著となる。これは上述の有機成分の残留程度が金属基材によって相違することが関係するものと考えられる。
　そのため、金属基材に薬液処理を施すことによって、金属基材表面に残留する上記有機成分を除去することにより、金属基材同士もしくは金属基材内での上記ポリイミド樹脂組成物の濡れ性のばらつきを低減し、安定的に絶縁層を製造することが可能となる。

　上記発明においては、上記金属基材表面処理工程にて、上記金属基材表面の上記ポリイミド樹脂組成物に含まれる溶媒に対する接触角が３０°以下となるように、薬液処理を施すことが好ましい。ポリイミド樹脂組成物に含まれる溶媒に対する接触角を所定の範囲とし小さくすることで、金属基材に対するポリイミド樹脂組成物の濡れ性をさらに良くし、塗膜の均一性をさらに高めることができる。また、金属基材同士もしくは金属基材内でのポリイミド樹脂組成物に含まれる溶媒に対する接触角のばらつきを低減し、安定的に絶縁層を形成することが可能となる。

　また本発明においては、上記ポリイミド樹脂組成物がポリイミド前駆体を含有することが好ましい。閉環後のポリイミドは溶媒に溶解しにくいため、ポリイミド前駆体を用いることが好ましいのである。

　さらに本発明においては、上記金属基材表面処理工程後の上記金属基材表面にて、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）により検出された全元素に対する炭素（Ｃ）の元素量の比が０．２５以下であることが好ましい。検出された全元素に対する炭素（Ｃ）の元素量の比が上記範囲であれば、金属基材表面のポリイミド樹脂組成物に含まれる溶媒に対する接触角が小さくなり、金属基材上へのポリイミド樹脂組成物の塗布性を良好なものとすることができるからである。

　また本発明は、上記目的を達成するために、下記方法で算出した相対溶存酸素飽和率が９５％以下となるように、ポリイミド樹脂組成物を脱気する脱気工程と、金属基材上に、上記ポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを有し、上記絶縁層の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜素子用基板の製造方法を提供する。
＜相対溶存酸素飽和率の算出方法＞
まず、ポリイミド樹脂組成物に含まれる溶媒に空気を３０分以上バブリングした溶存酸素飽和溶媒を用いて、全く酸素が溶存していない上記溶媒の溶存酸素量の測定値が０、上記溶存酸素飽和溶媒の溶存酸素量の測定値が１００となるように、溶存酸素量計の校正を行う。次に、校正された上記溶存酸素量計により、ポリイミド樹脂組成物を大気下で１時間以上静置した基準ポリイミド樹脂組成物の溶存酸素量の相対値と、ポリイミド樹脂組成物を脱気した脱気ポリイミド樹脂組成物の溶存酸素量の相対値とを測定する。そして、上記基準ポリイミド樹脂組成物の溶存酸素量の相対値を１００％としたときの、上記脱気ポリイミド樹脂組成物の溶存酸素量の相対値を、相対溶存酸素飽和率とする。

　ポリイミド樹脂組成物中に気体が溶存していると、温度や圧力の変化によってポリイミド樹脂組成物中に溶存気体が泡となって出現することがある。そのため、絶縁層での気泡を低減するには、ポリイミド樹脂組成物中の溶存気体を除去することが重要となる。また、ポリイミド樹脂組成物中に溶解している気体の大部分は窒素または酸素であり、窒素は不活性ガスのため測定が困難であるが酸素は測定可能であり、溶媒に対する酸素と窒素の溶解度の比はほぼ一定であるので、溶存酸素量を求めることにより窒素および酸素を合せた溶存気体の量を見積ることが可能である。さらに、溶存酸素量は、水以外の溶媒中では絶対値を測定することが困難である。
　そこで本発明においては、ポリイミド樹脂組成物に含まれる溶媒に空気を３０分以上バブリングした溶存酸素飽和溶媒の溶存酸素量を基準として相対値（相対溶存酸素飽和率）で評価し、相対溶存酸素飽和率が９５％以下となるようにポリイミド樹脂組成物を脱気する。相対溶存酸素飽和率が９５％以下であれば、温度や圧力の変化によってすぐに溶存酸素が飽和量を超えることがないため、気泡の発生を抑制することが可能となる。その結果、マイクロメートルオーダーだけでなくナノメートルオーダーの気泡の発生も抑制することができるのである。したがって、表面粗さＲａが３０ｎｍ以下の表面平滑性に優れる絶縁層を形成することができ、微細な凹凸による薄膜素子の特性の低下を防ぐことが可能な薄膜素子用基板を製造することが可能である。

　上記発明においては、上記絶縁層形成工程の直前に上記脱気工程を行うことが好ましい。これにより、絶縁層に内包される気泡を効果的に低減することができるからである。

　さらに本発明においては、上記絶縁層の吸湿膨張係数が０ｐｐｍ／％ＲＨ～１５ｐｐｍ／％ＲＨの範囲内であることが好ましい。吸湿膨張係数は吸水性の指標であり、吸湿膨張係数が小さいほど吸水性が小さくなる。したがって、吸湿膨張係数が上記範囲であれば、湿気存在下において高い信頼性を実現することができる。また、絶縁層の吸湿膨張係数が小さいほど、絶縁層の寸法安定性が向上する。金属基材の吸湿膨張係数はほとんどゼロに近いので、絶縁層の吸湿膨張係数が大きすぎると、絶縁層および金属基材の密着性が低下するおそれがある。

　また本発明においては、上記絶縁層の線熱膨張係数が０ｐｐｍ／℃～２５ｐｐｍ／℃の範囲内であることが好ましい。絶縁層の線熱膨張係数が上記範囲であれば、絶縁層および金属基材の線熱膨張係数を近いものとすることができ、薄膜素子用基板の反りを抑制できるとともに絶縁層および金属基材の密着性を高めることができるからである。

　さらに本発明においては、上記絶縁層形成工程後に、上記絶縁層上に、無機化合物を含む密着層を形成する密着層形成工程を有することが好ましい。密着層を形成することで、薄膜素子部との密着性が良好であり、薄膜素子部に剥離やクラックが生じるのを防ぐことができる薄膜素子用基板を得ることができる。

　上記の場合、上記密着層を構成する上記無機化合物が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、酸化クロムおよび酸化チタンからなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。これらの材料を用いることにより、密着性、平滑性、耐熱性、絶縁性などが良好な膜が得られるからである。

　また上記の場合、上記密着層が多層膜であることが好ましい。この場合、上記密着層が、上記絶縁層上に形成され、クロム、チタン、アルミニウム、ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、酸化クロムおよび酸化チタンからなる群から選択される少なくとも１種からなる第１密着層と、上記第１密着層上に形成され、酸化ケイ素からなる第２密着層とを有することが好ましい。第１密着層により絶縁層と第２密着層との密着性を高めることができ、第２密着層により絶縁層と薄膜素子部との密着性を高めることができる。また、このような構成とすることにより、密着性、平滑性、耐熱性、絶縁性などに優れる密着層とすることができる。

　また本発明は、上述の薄膜素子用基板の製造方法により製造される薄膜素子用基板上に、薄膜素子部を形成する薄膜素子部形成工程を有することを特徴とする薄膜素子の製造方法を提供する。
　本発明によれば、上述の薄膜素子用基板を用いるので、優れた特性を有する薄膜素子を得ることが可能である。

　また本発明は、上述の薄膜素子用基板の製造方法により製造される薄膜素子用基板上に、ＴＦＴを形成するＴＦＴ形成工程を有することを特徴とするＴＦＴの製造方法を提供する。

　本発明によれば、上述の薄膜素子用基板を用いるので、電気的性能の良好なＴＦＴを得ることが可能である。

　上記発明においては、上記ＴＦＴが、酸化物半導体層を有することが好ましい。酸化物半導体は水や酸素の影響によりその電気特性が変化するが、薄膜素子用基板によって水蒸気や酸素の透過を抑制することができるので、半導体の特性劣化を防ぐことができる。

　本発明においては、金属箔上に平坦化層が形成されているので、金属箔表面の凹凸を平坦化することができ、ＴＦＴの電気的性能の低下を防ぐことができるとともに、密着層が形成されているので、フレキシブルデバイス用基板とＴＦＴとの密着性が良好であり、ＴＦＴに剥離やクラックが生じるのを防ぐことができるという効果を奏する。
　また本発明においては、金属基材に薬液処理を施すことにより、金属基材に対するポリイミド樹脂組成物の濡れ性を良くすることができるので、金属基材上にポリイミド樹脂組成物を塗布する際に、均一に塗布することができ、さらにはハジキ、泡かみの発生を抑制することができ、表面平滑性に優れる薄膜素子用基板を得ることが可能であるという効果を奏する。
　さらに本発明においては、所定の方法で算出した相対溶存酸素飽和率が９５％以下となるようにポリイミド樹脂組成物を脱気することで、マイクロメートルオーダーだけでなくナノメートルオーダーの気泡の発生も抑制することが可能であり、表面粗さＲａが３０ｎｍ以下の表面平滑性に優れる絶縁層を形成することができ、微細な凹凸による薄膜素子の特性の低下を防ぐことが可能であるという効果を奏する。

本発明のフレキシブルデバイス用基板の一例を示す概略断面図である。本発明のフレキシブルデバイス用ＴＦＴ基板の一例を示す概略断面図である。本発明のフレキシブルデバイス用ＴＦＴ基板の他の例を示す概略断面図である。本発明のフレキシブルデバイス用ＴＦＴ基板の他の例を示す概略断面図である。本発明のフレキシブルデバイス用基板の他の例を示す概略断面図である。本発明のフレキシブルデバイス用基板の他の例を示す概略断面図および平面図である。本発明のフレキシブルデバイス用基板を備える電極基板の一例を示す概略断面図である。本発明の有機ＥＬ表示装置の一例を示す概略断面図である。本発明の電子ペーパーの一例を示す概略断面図である。本発明のフレキシブルデバイス用基板の他の例を示す概略断面図である。本発明の薄膜素子用基板の製造方法の一例を示す工程図である。本発明の薄膜素子用基板の製造方法の他の例を示す工程図である。本発明の薄膜素子用基板を備えるＴＦＴの一例を示す概略断面図である。本発明の薄膜素子用基板を備えるＴＦＴの他の例を示す概略断面図である。本発明の薄膜素子用基板を備えるＴＦＴの他の例を示す概略断面図である。本発明の薄膜素子用基板の一例を示す概略断面図である。本発明の薄膜素子用基板の他の例を示す概略断面図である。

　以下、本発明のフレキシブルデバイス用基板、フレキシブルデバイス用ＴＦＴ基板、フレキシブルデバイス、有機ＥＬ表示装置、電子ペーパー、薄膜素子用基板、薄膜素子、ＴＦＴ、薄膜素子用基板の製造方法、薄膜素子の製造方法およびＴＦＴの製造方法について詳細に説明する。

　Ａ．フレキシブルデバイス用基板
　まず、本発明のフレキシブルデバイス用基板について説明する。
　本発明のフレキシブルデバイス用基板は、金属箔と、上記金属箔上に形成され、ポリイミドを含む平坦化層と、上記平坦化層上に形成され、無機化合物を含む密着層とを有することを特徴とするものである。

　本発明のフレキシブルデバイス用基板について、図面を参照しながら説明する。
　図１は、本発明のフレキシブルデバイス用基板の一例を示す概略断面図である。図１に例示するフレキシブルデバイス用基板１は、金属箔２と、金属箔２上に形成され、ポリイミドを含む平坦化層３と、平坦化層３上に形成され、無機化合物を含む密着層４とを有している。

　図２（ａ）～図４（ｂ）は、本発明のフレキシブルデバイス用基板を備えるＴＦＴ基板の例を示す概略断面図である。
　図２（ａ）に例示するＴＦＴ基板１０Ａは、トップゲート・ボトムコンタクト構造を有するＴＦＴを備えており、フレキシブルデバイス用基板１の密着層４上に形成されたソース電極１２Ｓおよびドレイン電極１２Ｄならびに半導体層１１と、ソース電極１２Ｓおよびドレイン電極１２Ｄならびに半導体層１１上に形成されたゲート絶縁膜１４と、ゲート絶縁膜１４上に形成されたゲート電極１３Ｇとを有している。
　図２（ｂ）に例示するＴＦＴ基板１０Ａは、トップゲート・トップコンタクト構造を有するＴＦＴを備えており、フレキシブルデバイス用基板１の密着層４上に形成された半導体層１１ならびにソース電極１２Ｓおよびドレイン電極１２Ｄと、半導体層１１ならびにソース電極１２Ｓおよびドレイン電極１２Ｄ上に形成されたゲート絶縁膜１４と、ゲート絶縁膜１４上に形成されたゲート電極１３Ｇとを有している。
　図３（ａ）に例示するＴＦＴ基板１０Ａは、ボトムゲート・ボトムコンタクト構造を有するＴＦＴを備えており、フレキシブルデバイス用基板１の密着層４上に形成されたゲート電極１３Ｇと、ゲート電極１３Ｇを覆うように形成されたゲート絶縁膜１４と、ゲート絶縁膜１４上に形成されたソース電極１２Ｓおよびドレイン電極１２Ｄならびに半導体層１１と、ソース電極１２Ｓおよびドレイン電極１２Ｄならびに半導体層１１上に形成された保護膜１５とを有している。
　図３（ｂ）に例示するＴＦＴ基板１０Ａは、ボトムゲート・トップコンタクト構造を有するＴＦＴを備えており、フレキシブルデバイス用基板１の密着層４上に形成されたゲート電極１３Ｇと、ゲート電極１３Ｇを覆うように形成されたゲート絶縁膜１４と、ゲート絶縁膜１４上に形成された半導体層１１ならびにソース電極１２Ｓおよびドレイン電極１２Ｄと、半導体層１１ならびにソース電極１２Ｓおよびドレイン電極１２Ｄ上に形成された保護膜１５とを有している。
　図４（ａ）に例示するＴＦＴ基板１０Ａは、コプレーナ型構造を有するＴＦＴを備えており、フレキシブルデバイス用基板１の密着層４上に形成された半導体層１１と、半導体層１１上に形成されたソース電極１２Ｓおよびドレイン電極１２Ｄと、半導体層１１上に形成されたゲート絶縁膜１４と、ゲート絶縁膜１４上に形成されたゲート電極１３Ｇとを有している。
　図４（ｂ）に例示するＴＦＴ基板１０Ａも、コプレーナ型構造を有するＴＦＴを備えており、フレキシブルデバイス用基板１の密着層４上に形成されたゲート電極１３Ｇと、ゲート電極１３Ｇ上に形成されたゲート絶縁膜１４と、ゲート絶縁膜１４上に形成された半導体層１１と、半導体層１１上に形成されたソース電極１２Ｓおよびドレイン電極１２Ｄと、半導体層１１上に形成された保護膜１５とを有している。

　本発明によれば、金属箔上にポリイミドを含む平坦化層が形成されているので、金属箔表面の凹凸を平坦化することができ、ＴＦＴの電気的性能の低下を防ぐことができる。また本発明によれば、平坦化層上に密着層が形成されているので、フレキシブルデバイス用基板とＴＦＴとの密着性に優れており、ＴＦＴ基板の製造時に水分や熱が加わってポリイミドを含む平坦化層の寸法が変化した場合であっても、ＴＦＴを構成する電極や半導体層に剥離やクラックが生じるのを防ぐことができる。

　また、本発明のフレキシブルデバイス用基板は金属箔を有するので、水分や酸素の透過を低減することができる。よって、本発明のフレキシブルデバイス用基板を用いて有機ＥＬ表示装置を作製した場合には、水分や酸素によるＥＬ層の劣化を抑制することができ、また本発明のフレキシブルデバイス用基板を用いて液晶表示方式の電子ペーパーを作製した場合には、液晶が水蒸気に曝されるのを抑制することができる。さらに本発明によれば、一般に金属箔は熱伝導性に優れるので、放熱性を有するフレキシブルデバイス用基板とすることができる。よって、本発明のフレキシブルデバイス用基板を用いて有機ＥＬ表示装置を作製した場合、有機ＥＬ表示装置の発光時の発熱によってＥＬ層が劣化し、輝度ムラが生じたり素子寿命が短くなったりするのを抑制することができる。

　また、本発明のフレキシブルデバイス用基板は金属箔を有するので、強度を高めることができる。よって、本発明のフレキシブルデバイス用基板を用いて有機ＥＬ表示装置や電子ペーパーを作製した場合、耐久性を向上させることができる。

　以下、本発明のフレキシブルデバイス用基板の各構成について説明する。

　１．密着層
　本発明における密着層は、平坦化層上に形成され、無機化合物を含むものであり、ポリイミドを含む平坦化層と本発明のフレキシブルデバイス用基板上に作製されるＴＦＴとの間で十分な密着力を得るために設けられる層である。

　密着層は平滑性を有することが好ましい。密着層の表面粗さＲａは、金属箔の表面粗さＲａよりも小さければよく、具体的に、２５ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ以下である。密着層の表面粗さＲａが大きすぎると、本発明のフレキシブルデバイス用基板上にＴＦＴを作製した際に、ＴＦＴの電気的性能が劣化するおそれがあるからである。

　なお、上記表面粗さＲａは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）もしくは走査型白色干渉計を用いて測定した値である。例えば、ＡＦＭを用いて測定する場合は、Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ　Ｖ　ｍｕｌｔｉｍｏｄｅ（Ｖｅｅｃｏ社製）を用いて、タッピングモードで、カンチレバー：ＭＰＰ１１１００、走査範囲：５０μｍ×５０μｍ、走査速度：０．５Ｈｚにて、表面形状を撮像し、得られた像から算出した粗さ曲線の中心線からの平均のずれを算出することよりＲａを求めることができる。また、走査型白色干渉計を用いて測定する場合は、Ｎｅｗ　Ｖｉｅｗ　５０００（Ｚｙｇｏ社製）を用いて、対物レンズ：１００倍、ズームレンズ：２倍、Ｓｃａｎ　Ｌｅｎｇｔｈ：１５μｍにて、５０μｍ×５０μｍの範囲の表面形状を撮像し、得られた像から算出した粗さ曲線の中心線からの平均のずれを算出することよりＲａを求めることができる。

　また、密着層は耐熱性を有することが好ましい。本発明のフレキシブルデバイス用基板上にＴＦＴを作製する場合、ＴＦＴの作製時には通常、高温処理が施されるからである。密着層の耐熱性としては、密着層の５％重量減少温度が３００℃以上であることが好ましい。
　なお、５％重量減少温度の測定については、熱分析装置（ＤＴＧ－６０（（株）島津製作所製））を用いて、雰囲気：窒素雰囲気、温度範囲：３０℃～６００℃、昇温速度：１０℃／ｍｉｎにて、熱重量・示差熱（ＴＧ－ＤＴＡ）測定を行い、試料の重量が５％減る温度を５％重量減少温度（℃）とした。

　密着層は、通常、絶縁性を有する。本発明のフレキシブルデバイス用基板上にＴＦＴを作製する場合には、フレキシブルデバイス用基板に絶縁性が求められるからである。

　また、本発明のフレキシブルデバイス用基板上にＴＦＴを作製する場合、密着層は、ポリイミドを含む平坦化層に含まれる不純物イオンなどがＴＦＴの半導体層に拡散するのを防ぐものであることが好ましい。具体的に、密着層のイオン透過性としては、鉄（Ｆｅ）イオン濃度が０．１ｐｐｍ以下であることが好ましく、あるいはナトリウム（Ｎａ）イオン濃度が５０ｐｐｂ以下であることが好ましい。なお、Ｆｅイオン、Ｎａイオンの濃度の測定方法としては、密着層上に形成された層をサンプリングして抽出した後、イオンクロマトグラフィー法により分析する方法が用いられる。

　密着層を構成する無機化合物としては、上述の特性を満たすものであれば特に限定されるものではなく、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、酸化クロム、酸化チタンを挙げることができる。これらは１種であってもよく２種以上であってもよい。

　密着層は、単層であってもよく多層であってもよい。
　密着層が多層膜である場合、上述の無機化合物からなる層が複数層積層されていてもよく、上述の無機化合物からなる層と金属からなる層とが積層されていてもよい。この場合に用いられる金属としては、上述の特性を満たす密着層を得ることができれば特に限定されるものではなく、例えば、クロム、チタン、アルミニウム、ケイ素を挙げることができる。
　また、密着層が多層膜である場合、密着層の最表層は酸化ケイ素膜であることが好ましい。すなわち、本発明のフレキシブルデバイス用基板上にＴＦＴを作製する際、酸化ケイ素膜上にＴＦＴが作製されることが好ましい。酸化ケイ素膜は上述の特性を十分に満たすからである。この場合の酸化ケイ素はＳｉＯ_ｘ（Ｘは１．５～２．０の範囲内）であることが好ましい。

　中でも、密着層４は、図５に例示するように、平坦化層３上に形成され、クロム、チタン、アルミニウム、ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、酸化クロムおよび酸化チタンからなる群から選択される少なくとも１種からなる第１密着層４ａと、第１密着層４ａ上に形成され、酸化ケイ素からなる第２密着層４ｂとを有することが好ましい。第１密着層により平坦化層と第２密着層との密着性を高めることができ、第２密着層により平坦化層と本発明のフレキシブルデバイス用基板上に作製されるＴＦＴとの密着性を高めることができるからである。また、酸化ケイ素からなる第２密着層は上述の特性を十分に満たすからである。

　密着層の厚みは、上述の特性を満たすことができる厚みであれば特に限定されないが、具体的には、１ｎｍ～５００ｎｍの範囲内であることが好ましい。中でも、密着層が上述したように第１密着層および第２密着層を有する場合、第２密着層の厚みは第１密着層よりも厚く、第１密着層は比較的薄く、第２密着層は比較的厚いことが好ましい。この場合、第１密着層の厚みは、０．１ｎｍ～５０ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．５ｎｍ～２０ｎｍの範囲内、さらに好ましくは１ｎｍ～１０ｎｍの範囲内である。また、第２密着層の厚みは、１０ｎｍ～５００ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ～３００ｎｍの範囲内、さらに好ましくは８０ｎｍ～１２０ｎｍの範囲内である。厚みが薄すぎると、十分な密着性が得られないおそれがあり、厚みが厚すぎると、密着層にクラックが生じるおそれがあるからである。

　密着層は、金属箔上に全面に形成されていてもよく、金属箔上に部分的に形成されていてもよい。中でも、後述するように平坦化層が金属箔上に部分的に形成されている場合には、図６（ａ）に例示するように、密着層４も平坦化層３と同様に金属箔２上に部分的に形成されていることが好ましい。金属箔上に直に無機化合物を含む密着層が形成されていると、密着層にクラックなどが生じる場合があるからである。すなわち、密着層および平坦化層は同様の形状であることが好ましい。

　密着層の形成方法としては、上述の無機化合物からなる層や上述の金属からなる層を形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、例えば、ＤＣ（直流）スパッタリング法、ＲＦ（高周波）マグネトロンスパッタリング法、プラズマＣＶＤ（化学気相蒸着）法等を挙げることができる。中でも、上述の無機化合物からなる層を形成する場合であって、アルミニウムやケイ素を含む層を形成する場合には、反応性スパッタリング法を用いることが好ましい。平坦化層との密着性に優れる膜が得られるからである。

　２．平坦化層
　本発明における平坦化層は、金属箔上に形成され、ポリイミドを含むものであり、金属箔表面の凹凸を平坦化するために設けられる層である。

　平坦化層の表面粗さＲａとしては、金属箔の表面粗さＲａよりも小さければよいが、具体的には、２５ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ以下である。なお、上記表面粗さの測定方法については、上記密着層の表面粗さの測定方法と同様である。

　平坦化層はポリイミドを含むものであり、好ましくはポリイミドを主成分とする。一般にポリイミドは吸水性を有する。ＴＦＴや有機ＥＬ表示装置などに用いられる半導体材料には水分に弱いものが多いことから、素子内部の水分を低減し、湿気存在下において高い信頼性を実現するために、平坦化層は吸水性が比較的小さいことが好ましい。吸水性の指標の一つとして、吸湿膨張係数がある。したがって、平坦化層の吸湿膨張係数は小さければ小さいほど好ましく、具体的には０ｐｐｍ／％ＲＨ～１５ｐｐｍ／％ＲＨの範囲内であることが好ましく、より好ましくは０ｐｐｍ／％ＲＨ～１２ｐｐｍ／％ＲＨの範囲内、さらに好ましくは０ｐｐｍ／％ＲＨ～１０ｐｐｍ／％ＲＨの範囲内である。吸湿膨張係数が小さいほど、吸水性が小さくなる。例えば本発明のフレキシブルデバイス用基板を有機ＥＬ表示装置に用いる場合、有機ＥＬ表示装置は水分に弱いことから、素子内部の水分を低減するために、吸湿膨張係数は比較的小さいことが好ましい。また、平坦化層の吸湿膨張係数が上記範囲であれば、平坦化層の吸水性を十分小さくすることができ、フレキシブルデバイス用基板の保管が容易であり、フレキシブルデバイス用基板を用いて例えばＴＦＴ基板や有機ＥＬ表示装置を作製する場合にはその工程が簡便になる。さらに、吸湿膨張係数が小さいほど、寸法安定性が向上する。平坦化層の吸湿膨張係数が大きいと、吸湿膨張係数がほとんどゼロに近い金属箔との膨張率の差によって、湿度の上昇とともにフレキシブルデバイス用基板が反ったり、平坦化層および金属箔の密着性が低下したりする場合がある。したがって、製造過程においてウェットプロセスが行われる場合にも、吸湿膨張係数が小さいことが好ましい。

　なお、吸湿膨張係数は、次のように測定する。まず、平坦化層のみのフィルムを作製する。平坦化層フィルムの作成方法は、耐熱フィルム（ユーピレックスＳ５０Ｓ（宇部興産（株）製））やガラス基板上に平坦化層フィルムを作製した後、平坦化層フィルムを剥離する方法や金属基板上に平坦化層フィルムを作製した後、金属をエッチングで除去し平坦化層フィルムを得る方法などがある。次いで、得られた平坦化層フィルムを幅５ｍｍ×長さ２０ｍｍに切断し、評価サンプルとする。吸湿膨張係数は、湿度可変機械的分析装置（Ｔｈｅｒｍｏ　Ｐｌｕｓ　ＴＭＡ８３１０（リガク社製））によって測定する。例えば、温度を２５℃で一定とし、まず、湿度を１５％ＲＨの環境下でサンプルが安定となった状態とし、概ね３０分～２時間その状態を保持した後、測定部位の湿度を２０％ＲＨとし、さらにサンプルが安定になるまで３０分～２時間その状態を保持する。その後、湿度を５０％ＲＨに変化させ、それが安定となった際のサンプル長と２０％ＲＨで安定となった状態でのサンプル長との違いを、湿度の変化（この場合５０－２０の３０）で割り、その値をサンプル長で割った値を吸湿膨張係数（C.H.E.）とする。測定の際、評価サンプルの断面積当たりの加重が同じになるように引張り加重は１ｇ／２５０００μｍ²とする。

　また、平坦化層の線熱膨張係数は、寸法安定性の観点から、金属箔の線熱膨張係数との差が１５ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、より好ましくは１０ｐｐｍ／℃以下、さらに好ましくは５ｐｐｍ／℃以下である。平坦化層と金属箔との線熱膨張係数が近いほど、フレキシブルデバイス用基板の反りが抑制されるとともに、フレキシブルデバイス用基板の熱環境が変化した際に、平坦化層と金属箔との界面の応力が小さくなり密着性が向上する。また、本発明のフレキシブルデバイス用基板は、取り扱い上、０℃～１００℃の範囲の温度環境下では反らないことが好ましいのであるが、平坦化層の線熱膨張係数が大きいために平坦化層および金属箔の線熱膨張係数が大きく異なると、フレキシブルデバイス用基板が熱環境の変化により反ってしまう。
　なお、フレキシブルデバイス用基板に反りが発生していないとは、フレキシブルデバイス用基板を幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍの短冊状に切り出し、得られたサンプルの一方の短辺を水平で平滑な台上に固定した際に、サンプルのもう一方の短辺の台表面からの浮上距離が１．０ｍｍ以下であることをいう。

　具体的に、平坦化層の線熱膨張係数は、寸法安定性の観点から、０ｐｐｍ／℃～３０ｐｐｍ／℃の範囲内であることが好ましく、より好ましくは０ｐｐｍ／℃～２５ｐｐｍ／℃の範囲内、さらに好ましくは０ｐｐｍ／℃～１８ｐｐｍ／℃の範囲内、特に好ましくは０ｐｐｍ／℃～１２ｐｐｍ／℃の範囲内、最も好ましくは０ｐｐｍ／℃～７ｐｐｍ／℃の範囲内である。

　なお、線熱膨張係数は、次のように測定する。まず、平坦化層のみのフィルムを作製する。平坦化層フィルムの作成方法は、上述したとおりである。次いで、得られた平坦化層を幅５ｍｍ×長さ２０ｍｍに切断し、評価サンプルとする。線熱膨張係数は、熱機械分析装置（例えばＴｈｅｒｍｏ　Ｐｌｕｓ　ＴＭＡ８３１０（リガク社製））によって測定する。測定条件は、昇温速度を１０℃／min、評価サンプルの断面積当たりの加重が同じになるように引張り加重を１ｇ／２５０００μｍ²とし、１００℃～２００℃の範囲内の平均の線熱膨張係数を線熱膨張係数（C.T.E.）とする。

　平坦化層は絶縁性を備えるものである。具体的に、平坦化層の体積抵抗は、１．０×１０⁹Ω・ｍ以上であることが好ましく、１．０×１０¹⁰Ω・ｍ以上であることがより好ましく、１．０×１０¹¹Ω・ｍ以上であることがさらに好ましい。
　なお、体積抵抗は、JIS K6911、JIS C2318、ASTM　D257　などの規格に準拠する手法で測定することが可能である。

　平坦化層を構成するポリイミドとしては、上述の特性を満たすものであれば特に限定されるものではない。例えば、ポリイミドの構造を適宜選択することで、吸湿膨張係数や線熱膨張係数を制御することが可能である。

　ポリイミドとしては、平坦化層の線熱膨張係数や吸湿膨張係数を本発明のフレキシブルデバイス用基板に好適なものとする観点から、芳香族骨格を含むポリイミドであることが好ましい。ポリイミドの中でも芳香族骨格を含有するポリイミドは、その剛直で平面性の高い骨格に由来して、耐熱性や薄膜での絶縁性に優れ、線熱膨張係数も低いことから、本発明のフレキシブルデバイス用基板の平坦化層に好ましく用いられる。

　ポリイミドは、低吸湿膨張、低線熱膨張であることが求められるため、下記式（I）で表される繰り返し単位を有することが好ましい。このようなポリイミドは、その剛直な骨格に由来する高い耐熱性や絶縁性を示すとともに、金属と同等の線熱膨張を示す。さらには、吸湿膨張係数も小さくすることが可能である。

（式（I）中、Ｒ¹は４価の有機基、Ｒ²は２価の有機基であり、繰り返されるＲ¹同士およびＲ²同士はそれぞれ同一であってもよく異なっていてもよい。ｎは１以上の自然数である。）
　式（I）において、一般に、Ｒ^１はテトラカルボン酸二無水物由来の構造であり、Ｒ^２はジアミン由来の構造である。

　ポリイミドに適用可能なテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、エチレンテトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、メチルシクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物などの脂肪族テトラカルボン酸二無水物；ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３’，３，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３’，３，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，６，６’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、１，１－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン二無水物、１，３－ビス〔（３，４－ジカルボキシ）ベンゾイル〕ベンゼン二無水物、１，４－ビス〔（３，４－ジカルボキシ）ベンゾイル〕ベンゼン二無水物、２，２－ビス｛４－〔４－（１，２－ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝プロパン二無水物、２，２－ビス｛４－〔３－（１，２－ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝プロパン二無水物、ビス｛４－〔４－（１，２－ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝ケトン二無水物、ビス｛４－〔３－（１，２－ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝ケトン二無水物、４，４’－ビス〔４－（１，２－ジカルボキシ）フェノキシ〕ビフェニル二無水物、４，４’－ビス〔３－（１，２－ジカルボキシ）フェノキシ〕ビフェニル二無水物、ビス｛４－〔４－（１，２－ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝ケトン二無水物、ビス｛４－〔３－（１，２－ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝ケトン二無水物、ビス｛４－〔４－（１，２－ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝スルホン二無水物、ビス｛４－〔３－（１，２－ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝スルホン二無水物、ビス｛４－〔４－（１，２－ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝スルフィド二無水物、ビス｛４－〔３－（１，２－ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝スルフィド二無水物、２，２－ビス｛４－〔４－（１，２－ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２－ビス｛４－〔３－（１，２－ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，３，６，７－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロ－２，２－ビス（２，３－又は３，４－ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４－ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０－ぺリレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７－アントラセンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７，８－フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、ピリジンテトラカルボン酸二無水物、スルホニルジフタル酸無水物、ｍ－ターフェニル－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ｐ－ターフェニル－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、９，９－ビス－（トリフルオロメチル）キサンテンテトラカルボン酸二無水物、９－フェニル－９－（トリフルオロメチル）キサンテンテトラカルボン酸二無水物、１２，１４－ジフェニル－１２，１４－ビス(トリフルオロメチル)－１２Ｈ，１４Ｈ－５，７－ジオキサペンタセン－２，３，９，１０－テトラカルボン酸二無水物、１，４－ビス(３，４－ジカルボキシトリフルオロフェノキシ)テトラフルオロベンゼン二無水物、１，４－ビス(トリフルオロメチル)－２，３，５，６－ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、１－(トリフルオロメチル)－２，３，５，６－ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、ｐ－フェニレンビストリメリット酸モノエステル酸二無水物、ｐ－ビフェニレンビストリメリット酸モノエステル酸二無水物などの芳香族テトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。
　これらは単独あるいは２種以上混合して用いられる。

　ポリイミドの耐熱性、線熱膨張係数などの観点から好ましく用いられるテトラカルボン酸二無水物は、芳香族テトラカルボン酸二無水物である。特に好ましく用いられるテトラカルボン酸二無水物としては、ピロメリット酸二無水物、メロファン酸二無水物、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，６，６’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン二無水物、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物が挙げられる。
　中でも、吸湿膨張係数を低減させる観点から、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物が特に好ましい。

　併用するテトラカルボン酸二無水物としてフッ素が導入されたテトラカルボン酸二無水物を用いると、ポリイミドの吸湿膨張係数が低下する。しかしながら、フッ素を含んだ骨格を有するポリイミド前駆体は、塩基性水溶液に溶解しにくく、アルコール等の有機溶媒と塩基性水溶液との混合溶液によって現像を行う必要がある。
　また、ピロメリット酸二無水物、メロファン酸二無水物、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物などの剛直なテトラカルボン酸二無水物を用いると、ポリイミドの線熱膨張係数が小さくなるので好ましい。中でも、線熱膨張係数と吸湿膨張係数とのバランスの観点から、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物が特に好ましい。

　テトラカルボン酸二無水物として脂環骨格を有する場合、ポリイミド前駆体の透明性が向上するため、高感度の感光性ポリイミド前駆体となる。一方で、ポリイミドの耐熱性や絶縁性が芳香族ポリイミドと比較して劣る傾向にある。

　芳香族のテトラカルボン酸二無水物を用いた場合、耐熱性に優れ、低線熱膨張係数を示すポリイミドとなるというメリットがある。したがって、ポリイミドにおいて、上記式（I）中のＲ^１のうち３３モル％以上が、下記式で表わされるいずれかの構造であることが好ましい。

　ポリイミドが上記式のいずれかの構造を含むと、これら剛直な骨格に由来し、低線熱膨張および低吸湿膨張を示す。さらには、市販で入手が容易であり、低コストであるというメリットもある。
　上記のような構造を有するポリイミドは、高耐熱性、低線熱膨張係数を示すポリイミドである。そのため、上記式で表わされる構造の含有量は上記式（I）中のＲ^１のうち１００モル％に近ければ近いほど好ましいが、少なくとも上記式（I）中のＲ^１のうち３３％以上含有すればよい。中でも、上記式で表わされる構造の含有量は上記式（I）中のＲ^１のうち５０モル％以上であることが好ましく、さらに７０モル％以上であることが好ましい。

　一方、ポリイミドに適用可能なジアミン成分も、１種類のジアミン単独で、または２種類以上のジアミンを併用して用いることができる。用いられるジアミン成分は特に限定されるものではなく、例えば、ｐ－フェニレンジアミン、ｍ－フェニレンジアミン、ｏ－フェニレンジアミン、３，３’－ジアミノジフェニルエーテル、３，４’－ジアミノジフェニルエーテル、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，３’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’－ジアミノジフェニルスルホン、３，４’－ジアミノジフェニルスルホン、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，３’－ジアミノベンゾフェノン、４，４’－ジアミノベンゾフェノン、３，４’－ジアミノベンゾフェノン、３，３’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，４’－ジアミノジフェニルメタン、２，２－ジ（３－アミノフェニル）プロパン、２，２－ジ（４－アミノフェニル）プロパン、２－（３－アミノフェニル）－２－（４－アミノフェニル）プロパン、２，２－ジ（３－アミノフェニル）－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン、２，２－ジ（４－アミノフェニル）－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン、２－（３－アミノフェニル）－２－（４－アミノフェニル）－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン、１，１－ジ（３－アミノフェニル）－１－フェニルエタン、１，１－ジ（４－アミノフェニル）－１－フェニルエタン、１－（３－アミノフェニル）－１－（４－アミノフェニル）－１－フェニルエタン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（３－アミノベンゾイル）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノベンゾイル）ベンゼン、１，４－ビス（３－アミノベンゾイル）ベンゼン、１，４－ビス（４－アミノベンゾイル）ベンゼン、１，３－ビス（３－アミノ－α，α－ジメチルベンジル）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノ－α，α－ジメチルベンジル）ベンゼン、１，４－ビス（３－アミノ－α，α－ジメチルベンジル）ベンゼン、１，４－ビス（４－アミノ－α，α－ジメチルベンジル）ベンゼン、１，３－ビス（３－アミノ－α，α－ジトリフルオロメチルベンジル）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノ－α，α－ジトリフルオロメチルベンジル）ベンゼン、１，４－ビス（３－アミノ－α，α－ジトリフルオロメチルベンジル）ベンゼン、１，４－ビス（４－アミノ－α，α－ジトリフルオロメチルベンジル）ベンゼン、２，６－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゾニトリル、２，６－ビス（３－アミノフェノキシ）ピリジン、４，４’－ビス（３－アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４－（３－アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４－（３－アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４－（３－アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４－（３－アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、２，２－ビス［４－（３－アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２－ビス［３－（３－アミノフェノキシ）フェニル］－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン、１，３－ビス［４－（３－アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，３－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，４－ビス［４－（３－アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，４－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，３－ビス［４－（３－アミノフェノキシ）－α，α－ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）－α，α－ジメチルベンジル］ベンゼン、１，４－ビス［４－（３－アミノフェノキシ）－α，α－ジメチルベンジル］ベンゼン、１，４－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）－α，α－ジメチルベンジル］ベンゼン、４，４’－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）ベンゾイル］ジフェニルエーテル、４，４’－ビス［４－（４－アミノ－α，α－ジメチルベンジル）フェノキシ］ベンゾフェノン、４，４’－ビス［４－（４－アミノ－α，α－ジメチルベンジル）フェノキシ］ジフェニルスルホン、４，４’－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェノキシ］ジフェニルスルホン、３，３’－ジアミノ－４，４’－ジフェノキシベンゾフェノン、３，３’－ジアミノ－４，４’－ジビフェノキシベンゾフェノン、３，３’－ジアミノ－４－フェノキシベンゾフェノン、３，３’－ジアミノ－４－ビフェノキシベンゾフェノン、６，６’－ビス（３－アミノフェノキシ）－３，３，３’，３’－テトラメチル－１，１’－スピロビインダン、６，６’－ビス（４－アミノフェノキシ）－３，３，３’，３’－テトラメチル－１，１’－スピロビインダンのような芳香族アミン；１，３－ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、１，３－ビス（４－アミノブチル）テトラメチルジシロキサン、α，ω－ビス（３－アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン、α，ω－ビス（３－アミノブチル）ポリジメチルシロキサン、ビス（アミノメチル）エーテル、ビス（２－アミノエチル）エーテル、ビス（３－アミノプロピル）エーテル、ビス（２－アミノメトキシ）エチル］エーテル、ビス［２－（２－アミノエトキシ）エチル］エーテル、ビス［２－（３－アミノプロトキシ）エチル］エーテル、１，２－ビス（アミノメトキシ）エタン、１，２－ビス（２－アミノエトキシ）エタン、１，２－ビス［２－（アミノメトキシ）エトキシ］エタン、１，２－ビス［２－（２－アミノエトキシ）エトキシ］エタン、エチレングリコールビス（３－アミノプロピル）エーテル、ジエチレングリコールビス（３－アミノプロピル）エーテル、トリエチレングリコールビス（３－アミノプロピル）エーテル、エチレンジアミン、１，３－ジアミノプロパン、１，４－ジアミノブタン、１，５－ジアミノペンタン、１，６－ジアミノヘキサン、１，７－ジアミノヘプタン、１，８－ジアミノオクタン、１，９－ジアミノノナン、１，１０－ジアミノデカン、１，１１－ジアミノウンデカン、１，１２－ジアミノドデカンのような脂肪族アミン；１，２－ジアミノシクロヘキサン、１，３－ジアミノシクロヘキサン、１，４－ジアミノシクロヘキサン、１，２－ジ（２－アミノエチル）シクロヘキサン、１，３－ジ（２－アミノエチル）シクロヘキサン、１，４－ジ（２－アミノエチル）シクロヘキサン、ビス（４－アミノシクロへキシル）メタン、２，６－ビス（アミノメチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、２，５－ビス（アミノメチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプタンのような脂環式ジアミンなどが挙げられる。グアナミン類としては、アセトグアナミン、ベンゾグアナミンなどを挙げることができ、また、上記ジアミンの芳香環上水素原子の一部若しくは全てをフルオロ基、メチル基、メトキシ基、トリフルオロメチル基、又はトリフルオロメトキシ基から選ばれた置換基で置換したジアミンも使用することができる。
　さらに目的に応じ、架橋点となるエチニル基、ベンゾシクロブテン－４’－イル基、ビニル基、アリル基、シアノ基、イソシアネート基、及びイソプロペニル基のいずれか１種又は２種以上を、上記ジアミンの芳香環上水素原子の一部若しくは全てに置換基として導入しても使用することができる。

　ジアミンは、目的の物性によって選択することができ、ｐ－フェニレンジアミンなどの剛直なジアミンを用いれば、ポリイミドは低膨張係数となる。剛直なジアミンとしては、同一の芳香環に２つアミノ基が結合しているジアミンとして、ｐ－フェニレンジアミン、ｍ－フェニレンジアミン、１，４－ジアミノナフタレン、１，５－ジアミノナフタレン、２、６－ジアミノナフタレン、２，７－ジアミノナフタレン、１，４－ジアミノアントラセンなどが挙げられる。
　さらに、２つ以上の芳香族環が単結合により結合し、２つ以上のアミノ基がそれぞれ別々の芳香族環上に直接または置換基の一部として結合しているジアミンが挙げられ、例えば、下記式（II）により表されるものがある。具体例としては、ベンジジン等が挙げられる。

（式（II）中、ａは０または１以上の自然数、アミノ基はベンゼン環同士の結合に対して、メタ位または、パラ位に結合する。）

　さらに、上記式（II）において、他のベンゼン環との結合に関与せず、ベンゼン環上のアミノ基が置換していない位置に置換基を有するジアミンも用いることができる。これら置換基は、１価の有機基であるがそれらは互いに結合していてもよい。具体例としては、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ジトリフルオロメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジクロロ－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジメトキシ－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル等が挙げられる。
　また、芳香環の置換基としてフッ素を導入すると吸湿膨張係数を低減させることができる。しかしながら、フッ素を含むポリイミド前駆体、特にポリアミック酸は、塩基性水溶液に溶解しにくく、金属箔上に平坦化層を部分的に形成する場合には、平坦化層の加工の際に、アルコールなどの有機溶媒との混合溶液で現像する必要がある場合がある。

　一方、ジアミンとして、１，３－ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンなどのシロキサン骨格を有するジアミンを用いると、金属箔との密着性を改善したり、ポリイミドの弾性率が低下し、ガラス転移温度を低下させたりすることができる。

　ここで、選択されるジアミンは耐熱性の観点より芳香族ジアミンが好ましいが、目的の物性に応じてジアミンの全体の６０モル％、好ましくは４０モル％を超えない範囲で、脂肪族ジアミンやシロキサン系ジアミン等の芳香族以外のジアミンを用いてもよい。

　また、ポリイミドにおいては、上記式（I）中のＲ^２のうち３３モル％以上が下記式で表わされるいずれかの構造であることが好ましい。

（Ｒ^３は２価の有機基、酸素原子、硫黄原子、またはスルホン基であり、Ｒ^４およびＲ^５は１価の有機基、またはハロゲン原子である。）

　ポリイミドが上記式のいずれかの構造を含むと、これら剛直な骨格に由来し、低線熱膨張および低吸湿膨張を示す。さらには、市販で入手が容易であり、低コストであるというメリットもある。
　上記のような構造を有する場合、ポリイミドの耐熱性が向上し、線熱膨張係数が小さくなる。そのため、上記式で表される構造の含有量は上記式（I）中のＲ^２のうち１００モル％に近ければ近いほど好ましいが、上記式（I）中のＲ^２のうち少なくとも３３％以上含有すればよい。中でも、上記式で表わされる構造の含有量は上記式（I）中のＲ^２のうち５０モル％以上であることが好ましく、さらに７０モル％以上であることが好ましい。

　一般に金属箔の線熱膨張係数、すなわち金属の線熱膨張係数はある程度定まっているため、使用する金属箔の線熱膨張係数に応じて平坦化層の線熱膨張係数を決定し、ポリイミドの構造を適宜選択することが好ましい。
　また、本発明のフレキシブルデバイス用基板を用いてＴＦＴ基板を作製する場合には、ＴＦＴの線熱膨張係数に応じて金属箔の線熱膨張係数を決定し、その金属箔の線熱膨張係数に応じて平坦化層の線熱膨張係数を決定し、ポリイミドの構造を適宜選択することが好ましい。
　さらに、本発明のフレキシブルデバイス用基板を用いて有機ＥＬ表示装置や電子ペーパーを作製する場合には、有機ＥＬ表示装置や電子ペーパーの線熱膨張係数に応じて金属箔の線熱膨張係数を決定し、その金属箔の線熱膨張係数に応じて平坦化層の線熱膨張係数を決定し、ポリイミドの構造を適宜選択することが好ましい。

　本発明においては、平坦化層が上述の式（I）で表される繰り返し単位を有するポリイミドを含有していればよく、必要に応じて適宜、このポリイミドと他のポリイミドとを積層したり組み合わせたりして、平坦化層として用いてもよい。

　また、上記式（I）で表される繰り返し単位を有するポリイミドは、感光性ポリイミドまたは感光性ポリイミド前駆体を用いて得られるものであってもよい。感光性ポリイミドは、公知の手法を用いて得ることができる。例えば、ポリアミック酸のカルボキシル基にエステル結合やイオン結合でエチレン性二重結合を導入し、得られるポリイミド前駆体に光ラジカル開始剤を混合し、溶剤現像ネガ型感光性ポリイミド前駆体とすることができる。また例えば、ポリアミック酸やその部分エステル化物にナフトキノンジアジド化合物を添加し、アルカリ現像ポジ型感光性ポリイミド前駆体とする、あるいは、ポリアミック酸にニフェジピン系化合物を添加しアルカリ現像ネガ型感光性ポリイミド前駆体とするなど、ポリアミック酸に光塩基発生剤を添加し、アルカリ現像ネガ型感光性ポリイミド前駆体とすることができる。

　これらの感光性ポリイミド前駆体には、ポリイミド成分の重量に対して１５％～３５％の感光性付与成分が添加されている。そのため、パターン形成後に３００℃～４００℃で加熱したとしても、感光性付与成分由来の残渣がポリイミド中に残存する。これらの残存物が線熱膨張係数や吸湿膨張係数を大きくする原因となることから、感光性ポリイミド前駆体を用いると、非感光性のポリイミド前駆体を用いた場合に比べて、素子の信頼性が低下する傾向にある。しかしながら、ポリアミック酸に光塩基発生剤を添加した感光性ポリイミド前駆体は、添加剤である光塩基発生剤の添加量を１５％以下にしてもパターン形成可能であることから、ポリイミドとした後も添加剤由来の分解残渣が少なく、線熱膨張係数や吸湿膨張係数などの特性の劣化が少なく、さらにアウトガスも少ないため、本発明に適用可能な感光性ポリイミド前駆体としては最も好ましい。

　ポリイミドに用いられるポリイミド前駆体は、塩基性水溶液によって現像可能であることが、金属箔上に平坦化層を部分的に形成する際に、作業環境の安全性確保およびプロセスコストの低減の観点から好ましい。塩基性水溶液は、安価に入手でき、廃液処理費用や作業安全性確保のための設備費用が安価であるため、より低コストでの生産が可能となる。

　平坦化層はポリイミドを含むものであればよいが、中でもポリイミドを主成分とすることが好ましい。ポリイミドを主成分とすることにより、絶縁性、耐熱性に優れた平坦化層とすることが可能となる。また、ポリイミドを主成分とすることにより、平坦化層の薄膜化が可能となり平坦化層の熱伝導性が向上し、熱伝導性に優れたフレキシブルデバイス用基板とすることができる。
　なお、平坦化層がポリイミドを主成分とするとは、上述の特性を満たす程度に、平坦化層がポリイミドを含有することをいう。具体的には、平坦化層中のポリイミドの含有量が７５質量％以上の場合をいい、好ましくは９０質量％以上であり、特に平坦化層がポリイミドのみからなることが好ましい。平坦化層中のポリイミドの含有量が上記範囲であれば、本発明の目的を達成するのに十分な特性を示すことが可能であり、ポリイミドの含有量が多いほど、ポリイミド本来の耐熱性や絶縁性などの特性が良好となる。

　平坦化層には、必要に応じて、レベリング剤、可塑剤、界面活性剤、消泡剤等の添加剤が含有されていてもよい。

　平坦化層は、金属箔上に全面に形成されていてもよく、金属箔上に部分的に形成されていてもよい。すなわち、金属箔の平坦化層および密着層が形成されている面に、平坦化層および密着層が存在せず、金属箔が露出している金属箔露出領域が設けられていてもよい。このような金属箔露出領域を有する場合には、本発明のフレキシブルデバイス用基板を用いて有機ＥＬ表示装置を作製する際に、封止部材と金属箔とを直に密着させることが可能となり、有機ＥＬ表示装置への水分の浸入をより強固に防ぐことが可能となる。また、封止部を金属箔露出領域に選択的に形成することで、有機ＥＬ表示装置を面内で区分けしたり、多面付けした状態で封止したりすることが可能となり、高い生産性で素子を製造できるといった利点を有する。また、金属箔露出領域は、平坦化層および密着層を貫通し金属箔に電気的に導通をとるための貫通孔にもなり得る。

　平坦化層が金属箔上に部分的に形成されている場合、図６（ａ）、（ｂ）に例示するように、平坦化層３は、少なくとも金属箔２の外縁部を除いて形成されていてもよい。なお、図６（ａ）は図６（ｂ）のＡ－Ａ線断面図であり、図６（ｂ）において密着層は省略されている。本発明のフレキシブルデバイス用基板を用いて有機ＥＬ表示装置や電子ペーパーを作製した場合に、金属箔の全面に平坦化層が形成されており平坦化層の端部が露出していると、一般にポリイミドは吸湿性を示すため、製造時や駆動時に平坦化層の端面から素子内部に水分が浸入するおそれがある。この水分によって、素子性能が劣化したり、平坦化層の寸法が変化したりする。そのため、金属箔の外縁部には平坦化層が形成されておらず、直接外気にポリイミドを含有する平坦化層が曝される部分をできる限り少なくすることが好ましい。

　なお、本発明において、平坦化層が金属箔上に部分的に形成されているとは、平坦化層が金属箔の全面に形成されていないことを意味する。
　平坦化層は、金属箔の外縁部を除いて金属箔上に一面に形成されていてもよく、金属箔の外縁部を除いて金属箔上にさらにパターン状に形成されていてもよい。

　平坦化層の厚みは、上述の特性を満たすことができる厚みであれば特に限定されないが、具体的には、１μｍ～１０００μｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１μｍ～２００μｍの範囲内、さらに好ましくは１μｍ～１００μｍの範囲内である。平坦化層の厚みが薄すぎると、絶縁性が維持できなかったり、金属箔表面の凹凸を平坦化することが困難であったりするからである。また、平坦化層の厚みが厚すぎると、フレキシブル性が低下したり、過重になったり、製膜時の乾燥が困難になったり、材料使用量が増えるためにコストが高くなったりするからである。さらには、本発明のフレキシブルデバイス用基板に放熱機能を付与する場合には、平坦化層の厚みが厚いとポリイミドは金属よりも熱伝導率が低いために熱伝導性が低下する。

　平坦化層の形成方法としては、平滑性の良好な平坦化層が得られる方法であれば特に限定されるものではなく、例えば、金属箔上にポリイミド溶液またはポリイミド前駆体溶液を塗布する方法、金属箔とポリイミドフィルムとを接着剤を介して貼り合せる方法、金属箔とポリイミドフィルムとを加熱圧着する方法を用いることができる。中でも、ポリイミド溶液またはポリイミド前駆体溶液を塗布する方法が好ましい。平滑性に優れる平坦化層が得られるからである。特に、ポリイミド前駆体溶液を塗布する方法が好適である。一般にポリイミドは溶媒への溶解性に乏しいからである。また、溶媒への溶解性が高いポリイミドは、耐熱性、線熱膨張係数、吸湿膨張係数などの物性に劣るからである。

　塗布方法としては、平滑性の良好な平坦化層を得ることができる方法であれば特に限定されるものではなく、例えば、スピンコート法、ダイコート法、ディップコート法、バーコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などを用いることができる。
　ポリイミド溶液またはポリイミド前駆体溶液を塗布する場合、塗布後にポリイミドまたはポリイミド前駆体のガラス転移温度以上に加熱することで、膜の流動性を高め、平滑性を良くすることもできる。

　また、平坦化層を金属箔上に部分的に形成する場合、その形成方法としては、印刷法、フォトリソグラフィー法、レーザー等で直接加工する方法を用いることができる。フォトリソグラフィー法としては、例えば、ポリイミド前駆体であるポリアミック酸を金属箔上に製膜後、ポリアミック酸膜上に感光性樹脂膜を形成し、フォトリソグラフィー法により感光性樹脂膜パターンを形成し、その後、そのパターンをマスクとして、パターン開口部のポリアミック酸膜を除去した後、感光性樹脂膜パターンを除去し、ポリアミック酸をイミド化する方法；上記感光性樹脂膜パターンの形成時に同時にポリアミック酸膜も現像し、その後、感光性樹脂膜パターンを除去し、ポリアミック酸をイミド化する方法；金属箔および平坦化層の積層体の状態で、平坦化層上に感光性樹脂膜パターンを形成し、そのパターンに沿って平坦化層をウェットエッチング法またはドライエッチング法によりエッチングした後、感光性樹脂パターンを除去する方法；金属箔と平坦化層と金属箔とが積層された積層体の一方の金属箔をパターニングし、そのパターンをマスクとして平坦化層をエッチングした後、金属パターンを除去する方法；感光性ポリイミドまたは感光性ポリイミド前駆体を用いて、金属箔上に直接、平坦化層のパターンを形成する方法が挙げられる。印刷法としては、グラビア印刷やフレキソ印刷、スクリーン印刷、インクジェット法など公知の印刷技術を用いた方法を例示することができる。

　３．金属箔
　本発明における金属箔は、上記の平坦化層および密着層を支持するものである。

　金属箔の線熱膨張係数としては、寸法安定性の観点から、０ｐｐｍ／℃～２５ｐｐｍ／℃の範囲内であることが好ましく、より好ましくは０ｐｐｍ／℃～１８ｐｐｍ／℃の範囲内、さらに好ましくは０ｐｐｍ／℃～１２ｐｐｍ／℃の範囲内、特に好ましくは０ｐｐｍ／℃～７ｐｐｍ／℃の範囲内である。なお、上記線熱膨張係数の測定方法については、金属箔を幅５ｍｍ×長さ２０ｍｍに切断し、評価サンプルとする以外は、上記平坦化層の線熱膨張係数の測定方法と同様である。

　また、金属箔は耐酸化性を有することが好ましい。本発明のフレキシブルデバイス用基板上にＴＦＴを作製する場合、通常、ＴＦＴの作製時に高温処理が施されるからである。特に、ＴＦＴが酸化物半導体層を有する場合には、酸素の存在下、高温でアニール処理が行なわれることから、金属箔は耐酸化性を有することが好ましい。

　金属箔を構成する金属材料としては、箔になり得るものであり、上述の特性を満たすものであれば特に限定されるものではなく、例えば、アルミニウム、銅、銅合金、リン青銅、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、金、金合金、ニッケル、ニッケル合金、銀、銀合金、スズ、スズ合金、チタン、鉄、鉄合金、亜鉛、モリブデン等が挙げられる。中でも、大型の素子に適用する場合、ＳＵＳが好ましい。ＳＵＳは耐酸化性に優れ、また耐熱性にも優れている上、銅などに比べ線熱膨張係数が小さく寸法安定性に優れる。また、ＳＵＳ３０４については特に入手しやすいという利点があり、ＳＵＳ４３０については入手しやすく、線熱膨張係数がＳＵＳ３０４より小さいという利点もある。一方、本発明のフレキシブルデバイス用基板を用いてＴＦＴ基板を作製する場合、金属箔およびＴＦＴの線熱膨張係数を考慮すると、線熱膨張係数の観点からは、ＳＵＳ４３０よりさらに低線熱膨張係数のチタンやインバーが好ましい。ただし、線熱膨張係数のみでなく、耐酸化性、耐熱性、金属箔の展性および延性などに起因する箔の加工性や、コストも考慮に入れて選択するのが望ましい。

　金属箔の厚みとしては、上述の特性を満たすことができる厚みであれば特に限定されないが、具体的には、１μｍ～１０００μｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１μｍ～２００μｍの範囲内、さらに好ましくは１μｍ～１００μｍの範囲内である。金属箔の厚みが薄すぎると、酸素や水蒸気に対するガスバリア性が低下したり、フレキシブルデバイス用基板の強度が低下したりするおそれがある。また、金属箔の厚みが厚すぎると、フレキシブル性が低下したり、過重になったり、コスト高になったりする。

　金属箔の表面粗さＲａとしては、上記の密着層および平坦化層の表面粗さＲａよりも大きいものであり、例えば５０ｎｍ～２００ｎｍ程度である。なお、上記表面粗さの測定方法については、上記密着層の表面粗さの測定方法と同様である。

　金属箔は、圧延箔であってもよく電解箔であってもよく、金属材料の種類に応じて適宜選択される。通常、金属箔は圧延により作製される。

　金属箔は、図１０に例示するように空気との接触面に凹凸を有していてもよい。金属箔が空気との接触面に凹凸を有する場合には、熱拡散が良好となり、放熱性を高めることができる。
　凹凸の形成方法としては、例えば金属箔の表面に直接、エンボス加工、エッチング加工、サンドブラスト加工、フロスト加工、スタンプ加工などの加工を施す方法、フォトレジスト等を用いて凹凸パターンを形成する方法、めっき方法、箔状の金属層と表面に凹凸を有する金属層とを貼り合わせる方法が挙げられる。エンボス加工の場合、例えば表面に凹凸を有する圧延ロールを用いてもよい。エッチング加工の場合、金属箔の種類に応じて薬剤が選択される。箔状の金属層と表面に凹凸を有する金属層とを貼り合わせる方法の場合、例えば、ロウ付け、溶接、半田等により金属層同士を接合する、あるいは、エポキシ樹脂等の接着剤を介して金属層同士を貼り合わせることができる。この場合、箔状の金属層と表面に凹凸を有する金属層とは、同じ金属材料で構成されていてもよく、異なる金属材料で構成されていてもよい。
　中でも、コスト面から、エンボス加工、エッチング加工が好ましく用いられる。

　凹凸の寸法や形状としては、金属箔の空気との接触面が荒れており、表面積を増やすことができれば特に限定されるものではない。凹凸の幅、高さ、ピッチ等としては、金属箔の種類やフレキシブルデバイス用基板の用途等に応じて適宜選択され、例えばシミュレーションにより熱伝導に好適な範囲を求めることができる。

　金属箔上にポリイミドを含む平坦化層を形成した後に、金属箔をパターニングすることにより、金属箔が部分的に形成されたフレキシブルデバイス用基板とすることもできる。すなわち、金属箔は、平坦化層に対して全面に形成されていてもよく、平坦化層に対して部分的に形成されていてもよい。さらに言い換えると、金属箔は、フレキシブルデバイス用基板の全面に形成されていてもよく、フレキシブルデバイス用基板に部分的に形成されていてもよい。金属箔がフレキシブルデバイス用基板の全面に形成されている場合には、酸素や水蒸気に対するガスバリア性を付与することができ、また放熱性を高めることができる。一方、金属箔が部分的に形成されている場合には、不必要な金属箔部分を除去することにより、軽量化を図ることができる。

　金属箔のパターニング方法としては、フォトリソグラフィー法、レーザー等で直接加工する方法を用いることができる。フォトリソグラフィー法としては、例えば、金属箔および平坦化層の積層体の状態で、金属箔上にドライフィルムレジストをラミネートし、ドライフィルムレジストをパターニングし、そのパターンに沿って金属箔をエッチングした後、ドライフィルムレジストを除去する方法が挙げられる。

　４．その他の構成
　本発明においては、金属箔と平坦化層との間に中間層が形成されていてもよい。例えば、金属箔および平坦化層の間に、金属箔を構成する金属が酸化された酸化膜からなる中間層が形成されていてもよい。これにより、金属箔と平坦化層との密着性を高めることができる。この酸化膜は、金属箔表面が酸化されることで形成される。
　また、金属箔の平坦化層が形成されている面とは反対側の面にも上記酸化膜が形成されていてもよい。

　５．用途
　本発明のフレキシブルデバイス用基板は、図２（ａ）～図４（ｂ）に例示されるようなＴＦＴ基板に好適に用いられる。
　なお、ＴＦＴ基板については、後述の「Ｂ．フレキシブルデバイス用ＴＦＴ基板」の項に記載するので、ここでの説明は省略する。

　また、本発明のフレキシブルデバイス用基板は、図７（ａ）、（ｂ）に例示するような電極基板にも適用することができる。図７（ａ）、（ｂ）は、本発明のフレキシブルデバイス用基板を備える電極基板の例を示す概略断面図である。図７（ａ）に例示する電極基板１０Ｂは、フレキシブルデバイス用基板１の密着層４上にパターン状に形成された電極層２１を有しており、図７（ｂ）に例示する電極基板１０Ｂは、フレキシブルデバイス用基板１の密着層４上に一面に形成された電極層２１を有している。図７（ａ）に例示するような電極基板は、例えばパッシブマトリクス駆動のトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置に適用することができる。また、図７（ｂ）に例示するような電極基板は、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置に用いることができ、照明用途に適用することができる。
　さらに、本発明のフレキシブルデバイス用基板は、パッシブマトリクス型の電子ペーパーにも適用することができる。

　Ｂ．フレキシブルデバイス用ＴＦＴ基板
　次に、本発明のフレキシブルデバイス用ＴＦＴ基板（以下、単にＴＦＴ基板と称する場合がある。）について説明する。
　本発明のＴＦＴ基板は、上述のフレキシブルデバイス用基板と、フレキシブルデバイス用基板の密着層上に形成されたＴＦＴとを有することを特徴とするものである。

　本発明のＴＦＴ基板について、図面を参照しながら説明する。
　図２（ａ）～図４（ｂ）は、本発明のＴＦＴ基板の例を示す概略断面図である。図２（ａ）に例示するＴＦＴ基板１０Ａは、トップゲート・ボトムコンタクト構造を有するＴＦＴを備え、図２（ｂ）に例示するＴＦＴ基板１０Ａは、トップゲート・トップコンタクト構造を有するＴＦＴを備えている。図３（ａ）に例示するＴＦＴ基板１０Ａは、ボトムゲート・ボトムコンタクト構造を有するＴＦＴを備え、図３（ｂ）に例示するＴＦＴ基板１０Ａは、ボトムゲート・トップコンタクト構造を有するＴＦＴを備えている。図４（ａ）、（ｂ）に例示するＴＦＴ基板１０Ａは、コプレーナ型構造を有するＴＦＴを備えている。なお、図２（ａ）～図４（ｂ）に示すＴＦＴ基板の各構成については、上記「Ａ．フレキシブルデバイス用基板」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。

　本発明によれば、上述のフレキシブルデバイス用基板を用いるので、平坦化層によって金属箔表面の凹凸を平坦化することができる。よって、凹凸によるＴＦＴの電気的性能の低下を抑制することができる。また本発明によれば、上述のフレキシブルデバイス用基板を用いるので、フレキシブルデバイス用基板とＴＦＴとの密着性に優れている。よって、本発明のＴＦＴ基板の製造時に水分や熱が加わってポリイミドを含む平坦化層の寸法が変化した場合であっても、電極や半導体層に剥離やクラックが生じるのを防ぐことができる。

　また、本発明のＴＦＴ基板は金属箔を有するので、酸素や水蒸気に対するガスバリア性を有している。よって、本発明のＴＦＴ基板を用いて有機ＥＬ表示装置を作製した場合には、水分や酸素による素子性能の劣化を抑制することができ、また本発明のフレキシブルデバイス用基板を用いて液晶表示方式の電子ペーパーを作製した場合には、液晶が水蒸気に曝されるのを抑制することができる。さらに、本発明のＴＦＴ基板は金属箔を有しており、一般に金属箔は熱伝導性に優れているので、放熱性を有している。よって、本発明のＴＦＴ基板を用いて有機ＥＬ表示装置を作製した場合、有機ＥＬ表示装置の発熱による素子性能の劣化を抑制することができる。
　また、本発明のＴＦＴ基板は金属箔で支持されているので、耐久性に優れるＴＦＴ基板とすることができる。

　なお、フレキシブルデバイス用基板については、上記「Ａ．フレキシブルデバイス用基板」の項に詳しく記載したので、ここでの説明は省略する。以下、本発明のＴＦＴ基板の他の構成について説明する。

　本発明におけるＴＦＴは、フレキシブルデバイス用基板の密着層上に形成されるものである。

　ＴＦＴの構造としては、例えば、トップゲート構造（正スタガ型）、ボトムゲート構造（逆スタガ型）、コプレーナ型構造を挙げることができる。トップゲート構造（正スタガ型）およびボトムゲート構造（逆スタガ型）の場合には、さらにトップコンタクト構造、ボトムコンタクト構造を挙げることができる。これらの構造は、ＴＦＴを構成する半導体層の種類に応じて適宜選択される。

　ＴＦＴを構成する半導体層としては、フレキシブルデバイス用基板上に形成することができるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、シリコン、酸化物半導体、有機半導体が用いられる。

　シリコンとしては、ポリシリコン、アモルファスシリコンを用いることができる。
　酸化物半導体としては、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ）、酸化マグネシウム亜鉛（Ｍｇ_ｘＺｎ_１－ｘＯ）、酸化カドミウム亜鉛（Ｃｄ_ｘＺｎ_１－ｘＯ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）、酸化ガリウム（Ｇａ_２Ｏ_３）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化タングステン（ＷＯ）、ＩｎＧａＺｎＯ系、ＩｎＧａＳｎＯ系、ＩｎＧａＺｎＭｇＯ系、ＩｎＡｌＺｎＯ系、ＩｎＦｅＺｎＯ系、ＩｎＧａＯ系、ＺｎＧａＯ系、ＩｎＺｎＯ系を用いることができる。
　有機半導体としては、例えば、π電子共役系の芳香族化合物、鎖式化合物、有機顔料、有機ケイ素化合物等を挙げることができる。より具体的には、ペンタセン、テトラセン、チオフェンオリゴマ誘導体、フェニレン誘導体、フタロシアニン化合物、ポリアセチレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、シアニン色素等が挙げられる。

　中でも、半導体層は、上述の酸化物半導体からなる酸化物半導体層であることが好ましい。酸化物半導体は水や酸素の影響によりその電気特性が変化するが、本発明のＴＦＴ基板は上述したように水蒸気に対するガスバリア性を有するため、半導体の特性劣化を抑制することができる。また、例えば本発明のＴＦＴ基板を有機ＥＬ表示装置に用いる場合には、有機ＥＬ表示装置は水や酸素に対する耐性に劣るが、金属箔によって酸素および水蒸気の透過を抑制することができるので、素子性能の劣化を抑制することができる。
　半導体層の形成方法および厚みとしては、一般的なものと同様とすることができる。

　ＴＦＴを構成するゲート電極、ソース電極およびドレイン電極としては、所望の導電性を備えるものであれば特に限定されるものではなく、一般的にＴＦＴに用いられる導電性材料を用いることができる。このような材料の例としては、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｏ－Ｔａ合金、Ｗ－Ｍｏ合金、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の無機材料、および、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等の導電性を有する有機材料を挙げることができる。
　ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極の形成方法および厚みとしては、一般的なものと同様とすることができる。

　ＴＦＴを構成するゲート絶縁膜としては、一般的なＴＦＴにおけるゲート絶縁膜と同様のものを用いることができ、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、チタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の絶縁性無機材料、および、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、カルド系樹脂、ビニル系樹脂、イミド系樹脂、ノボラック系樹脂等の絶縁性有機材料を用いることができる。
　ゲート絶縁膜の形成方法および厚みとしては、一般的なものと同様とすることができる。

　ＴＦＴ上には保護膜が形成されていてもよい。保護膜は、ＴＦＴを保護するために設けられるものである。例えば、半導体層が空気中に含有される水分等に曝露されることを防止することができる。保護膜が形成されていることにより、ＴＦＴ性能の経時劣化を低減することができるのである。このような保護膜としては、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素等の絶縁性無機材料、および、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、カルド系樹脂、ビニル系樹脂、イミド系樹脂、ノボラック系樹脂等の絶縁性有機材料が用いられる。
　保護膜の形成方法および厚みとしては、一般的なものと同様とすることができる。
　半導体層が酸化物半導体層である場合、酸化物半導体層上に保護膜をスパッタリング法等により形成すると、酸化物半導体では酸素が欠損するおそれがあるが、保護膜の形成後に酸素の存在下でアニール処理を行なうことで、酸素欠陥を補うことができる。このアニール処理は数百度と高温で行なわれるため、ポリイミドを含む平坦化層の寸法変化が懸念されるが、本発明においては密着層が形成されているので、アニール処理によって平坦化層の寸法が変化した場合であっても、平坦化層とＴＦＴとの密着性を維持することができ、ＴＦＴの剥離やクラックを抑制することが可能である。

　Ｃ．フレキシブルデバイス
　次に、本発明のフレキシブルデバイスについて説明する。
　本発明のフレキシブルデバイスは、上述のＴＦＴ基板を備えることを特徴とするものである。

　本発明によれば、上述のＴＦＴ基板を用いるので、金属箔表面の凹凸によるＴＦＴの電気的性能の低下を防ぐとともに、本発明のフレキシブルデバイスの製造時や使用時に電極や半導体層に剥離やクラックが生じるのを防ぐことができる。

　また、本発明のフレキシブルデバイスが有機ＥＬ表示装置である場合には、フレキシブルデバイス用基板が水蒸気や酸素に対するガスバリア性を有するので、素子性能の良好な有機ＥＬ表示装置とすることができる。さらに、本発明のフレキシブルデバイスが有機ＥＬ表示装置である場合、フレキシブルデバイス用基板は放熱性を有するので、有機ＥＬ表示装置の発熱による性能劣化を抑制することができる。
　また本発明によれば、フレキシブルデバイスが金属箔で支持されているので、耐久性に優れるフレキシブルデバイスとすることができる。

　本発明のフレキシブルデバイスは、ＴＦＴを備え、可撓性を有するデバイスであれば特に限定されるものではないが、中でも、フレキシブルディスプレイであることが好ましい。フレキシブルディスプレイとしては、例えば、有機ＥＬ表示装置、電子ペーパー、反射型液晶表示装置が挙げられる。特に、本発明のフレキシブルデバイスは、有機ＥＬ表示装置または電子ペーパーであることが好ましい。フレキシブルディスプレイ以外には、ＲＦＩＤなどの回路、およびセンサーを例示することができる。

　なお、有機ＥＬ表示装置については後述の「Ｄ．有機ＥＬ表示装置」の項に詳しく記載し、電子ペーパーについては、後述の「Ｅ．電子ペーパー」の項に詳しく記載するので、ここでの説明は省略する。また、ＴＦＴ基板については、上記「Ｂ．フレキシブルデバイス用ＴＦＴ基板」の項に詳しく記載したので、ここでの説明は省略する。

　Ｄ．有機ＥＬ表示装置
　本発明の有機ＥＬ表示装置は、上述のＴＦＴ基板を備える、すなわち上述のフレキシブルデバイス用基板を備えることを特徴とするものである。具体的に、本発明の有機ＥＬ表示装置は、金属箔、上記金属箔上に形成され、ポリイミドを含む平坦化層、および上記平坦化層上に形成され、無機化合物を含む密着層を有するフレキシブルデバイス用基板と、上記フレキシブルデバイス用基板の密着層上に形成された背面電極層およびＴＦＴと、上記背面電極層上に形成され、少なくとも有機発光層を含むＥＬ層と、上記ＥＬ層上に形成された透明電極層とを有することを特徴とするものである。

　図８は、本発明の有機ＥＬ表示装置の一例を示す概略断面図である。図８に例示する有機ＥＬ表示装置３０は、フレキシブルデバイス用基板１と、フレキシブルデバイス用基板１の密着層４上に形成された駆動用ＴＦＴ１６Ａおよびスイッチング用ＴＦＴ１６Ｂと、駆動用ＴＦＴ１６Ａおよびスイッチング用ＴＦＴ１６Ｂを覆うように形成された保護膜１５と、保護膜１５上に形成され、スルーホールを介して駆動用ＴＦＴ１６Ａのドレイン電極１２Ｄと電気的に接続された背面電極層（画素電極）３１と、背面電極層３１上に形成され、有機発光層を含むＥＬ層３２と、ＥＬ層３２上に形成された透明電極層３３とを有している。フレキシブルデバイス用基板１は、金属箔２と、金属箔２上に形成され、ポリイミドを含む平坦化層３と、平坦化層３上に形成され、無機化合物を含む密着層４とを有している。駆動用ＴＦＴ１６Ａおよびスイッチング用ＴＦＴ１６Ｂはいずれもボトムゲート・トップコンタクト構造を有し、フレキシブルデバイス用基板１の密着層４上に形成されたゲート電極１３Ｇと、ゲート電極１３Ｇ上に形成されたゲート絶縁膜１４と、ゲート絶縁膜１４上に形成された半導体層１１ならびにソース電極１２Ｓおよびドレイン電極１２Ｄとを有している。

　本発明によれば、上述のフレキシブルデバイス用基板を用いるので、金属箔表面の凹凸によるＴＦＴの電気的性能の低下を防ぐとともに、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造時や使用時にＴＦＴに剥離やクラックが生じるのを防ぐことができる。また、フレキシブルデバイス用基板が水蒸気や酸素に対するガスバリア性を有するので、素子性能を良好に維持することができる。さらに、フレキシブルデバイス用基板が放熱性を有するので、有機ＥＬ表示装置の発熱による性能劣化を抑制することができる。また、本発明の有機ＥＬ表示装置は金属箔で支持されているので、耐久性に優れたものとすることができる。

　なお、フレキシブルデバイス用基板については、上記「Ａ．フレキシブルデバイス用基板」の項に詳しく記載したので、ここでの説明は省略する。以下、本発明の有機ＥＬ表示装置の他の構成について説明する。

　１．ＴＦＴ
　本発明におけるＴＦＴは、フレキシブルデバイス用基板の密着層上に形成されるものである。一般に有機ＥＬ表示装置においては、画素毎に駆動用ＴＦＴとスイッチング用ＴＦＴの２つのＴＦＴが設けられる。
　なお、ＴＦＴについては、上記「Ｂ．フレキシブルデバイス用ＴＦＴ基板」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。

　２．背面電極層
　本発明における背面電極層は、フレキシブルデバイス用基板の密着層上に形成されるものであり、ＴＦＴのドレイン電極と電気的に接続される画素電極である。

　背面電極層の材料としては、導電性材料であれば特に限定されるものではなく、例えば、Ａｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｏ、アルカリ金属、アルカリ土類金属等の金属単体、これらの金属の酸化物、およびＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等のＡｌ合金、ＭｇＡｇ等のＭｇ合金、Ｎｉ合金、Ｃｒ合金、アルカリ金属の合金、アルカリ土類金属の合金等の合金などを挙げることができる。これらの導電性材料は、単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよく、２種以上を用いて積層させてもよい。また、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）等の導電性酸化物を用いることもできる。

　背面電極層の形成方法および厚みとしては、一般的な有機ＥＬ表示装置における電極と同様とすることができる。

　３．ＥＬ層
　本発明におけるＥＬ層は、背面電極層上に形成され、有機発光層を含むものであり、少なくとも有機発光層を含む１層もしくは複数層の有機層を有するものである。すなわち、ＥＬ層とは、少なくとも有機発光層を含む層であり、その層構成が有機層１層以上の層をいう。通常、塗布法でＥＬ層を形成する場合は、溶媒との関係で多数の層を積層することが困難であることから、ＥＬ層は１層もしくは２層の有機層を有する場合が多いが、溶媒への溶解性が異なるように有機材料を工夫したり、真空蒸着法を組み合わせたりすることにより、さらに多数層とすることも可能である。

　有機発光層以外にＥＬ層内に形成される層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層および電子輸送層を挙げることができる。正孔注入層および正孔輸送層は一体化されている場合がある。同様に、電子注入層および電子輸送層は一体化されている場合がある。その他、ＥＬ層内に形成される層としては、キャリアブロック層のような正孔もしくは電子の突き抜けを防止し、さらに励起子の拡散を防止して発光層内に励起子を閉じ込めることにより、再結合効率を高めるための層等を挙げることができる。
　このようにＥＬ層は種々の層を積層した積層構造を有することが多く、積層構造としては多くの種類がある。

　ＥＬ層を構成する各層としては、一般的な有機ＥＬ表示装置に用いられるものと同様とすることができる。

　４．透明電極層
　本発明における透明電極層は、ＥＬ層上に形成されるものである。本発明の有機ＥＬ表示装置においては透明電極層側から光を取り出すため、透明電極層は透明性を有している。

　透明電極層の材料としては、透明電極を形成可能な導電性材料であれば特に限定されるものではなく、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）等の導電性酸化物を用いることができる。

　透明電極層の形成方法および厚みとしては、一般的な有機ＥＬ表示装置における電極と同様とすることができる。

　５．その他の構成
　本発明の有機ＥＬ表示装置は、上述の構成の他に、必要に応じて、絶縁層、隔壁、封止部材などを有していてもよい。

　Ｅ．電子ペーパー
　本発明の電子ペーパーは、上述のＴＦＴ基板を備える、すなわち上述のフレキシブルデバイス用基板を備えることを特徴とするものである。具体的に、本発明の電子ペーパーは、金属箔、上記金属箔上に形成され、ポリイミドを含む平坦化層、および上記平坦化層上に形成され、無機化合物を含む密着層を有するフレキシブルデバイス用基板と、上記フレキシブルデバイス用基板の密着層上に形成された背面電極層およびＴＦＴと、上記背面電極層上に形成された表示層と、上記表示層上に形成された透明電極層とを有することを特徴とするものである。

　図９は、本発明の電子ペーパーの一例を示す概略断面図である。図９に例示する電子ペーパー４０は、フレキシブルデバイス用基板１と、フレキシブルデバイス用基板１の密着層４上に形成されたＴＦＴ１６と、ＴＦＴ１６を覆うように形成された保護膜１５と、保護膜１５上に形成され、スルーホールを介してＴＦＴ１６のドレイン電極１２Ｄと電気的に接続された背面電極層（画素電極）４１と、背面電極層４１上に形成された表示層４２と、表示層４２上に形成された透明電極層４３とを有している。フレキシブルデバイス用基板１は、金属箔２と、金属箔２上に形成され、ポリイミドを含む平坦化層３と、平坦化層３上に形成され、無機化合物を含む密着層４とを有している。ＴＦＴ１６はボトムゲート・トップコンタクト構造を有し、フレキシブルデバイス用基板１の密着層４上に形成されたゲート電極１３Ｇと、ゲート電極１３Ｇ上に形成されたゲート絶縁膜１４と、ゲート絶縁膜１４上に形成された半導体層１１ならびにソース電極１２Ｓおよびドレイン電極１２Ｄとを有している。

　本発明によれば、上述のフレキシブルデバイス用基板を用いるので、金属箔表面の凹凸によるＴＦＴの電気的性能の低下を防ぐとともに、本発明の電子ペーパーの製造時や使用時にＴＦＴに剥離やクラックが生じるのを防ぐことができる。また、本発明の電子ペーパーは金属箔で支持されているので、耐久性に優れたものとすることができる。

　電子ペーパーの表示方式としては、公知のものを適用することができ、例えば、電気泳動方式、ツイストボール方式、粉体移動方式（電子粉流体方式、帯電トナー型方式）、液晶表示方式、サーマル方式（発色方式、光散乱方式）、エレクトロデポジション方式、可動フィルム方式、エレクトロクロミック方式、エレクトロウェッティング方式、磁気泳動方式などが挙げられる。
　電子ペーパーを構成する表示層としては、電子ペーパーの表示方式に応じて適宜選択される。

　背面電極層および透明電極層としては、上記有機ＥＬ表示装置における背面電極層および透明電極層と同様とすることができる。
　なお、フレキシブルデバイス用基板については上記「Ａ．フレキシブルデバイス用基板」の項に詳しく記載し、ＴＦＴについては上記「Ｂ．フレキシブルデバイス用ＴＦＴ基板」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。

　Ｆ．薄膜素子用基板
　本発明の薄膜素子用基板は、金属基材と、上記金属基材上に形成され、ポリイミドを含む絶縁層とを有する薄膜素子用基板であって、上記絶縁層の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とするものである。

　図１６は、本発明の薄膜素子用基板の一例を示す概略断面図である。図１６に示す薄膜素子用基板５０は、金属基材５２と、金属基材５２上に形成され、ポリイミドを含む絶縁層５３とを有しており、絶縁層５３の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下となっている。

　本発明によれば、絶縁層が表面平滑性に優れるので、本発明の薄膜素子用基板を用いることで微細な凹凸による薄膜素子の特性の低下を防ぐことが可能である。
　また本発明によれば、金属基材によって水分や酸素の透過を低減することができるので、水分や酸素による薄膜素子部の劣化を抑制することができ、また素子内の湿度を保ち、湿度変化による特性の低下を抑制することができる。
　さらに、一般に金属基材は熱伝導性に優れるので、放熱性を有する薄膜素子用基板を得ることができる。すなわち、水分の遮断性が高いとともに、熱を速やかに伝導もしくは放射することができる薄膜素子用基板を得ることができる。例えば薄膜素子用基板を有機ＥＬ素子に用いる場合、有機ＥＬ素子の発光時の発熱による悪影響を抑制することができ、発光特性を長期間に亘って安定して維持することができるとともに、発光ムラのない均一な発光を実現し、かつ寿命の短縮や素子破壊を低減することが可能である。
　また、金属基材を有することで、強度の高い薄膜素子用基板を得ることができるので、耐久性を向上させることができる。
　以下、本発明の薄膜素子用基板における各構成について説明する。

　１．絶縁層
　本発明における絶縁層は、金属基材上に形成され、ポリイミドを含有し、表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であるものである。

　絶縁層の表面粗さＲａは、５０μｍ×５０μｍのエリアで測定した際に、３０ｎｍ以下であり、好ましくは１００μｍ×１００μｍのエリアで測定した際に、３０ｎｍ以下である。
　なお、上記表面粗さＲａは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）もしくは走査型白色干渉計を用いて測定した値である。例えば、５０μｍ×５０μｍのエリアで測定する場合には、ＡＦＭまたは走査型白色干渉計を用いてＲａを算出することができる。また、１００μｍ×１００μｍのエリアで測定した際に、３０ｎｍ以下である。絶縁層が上記の平滑性を有することによのエリアで測定する場合には、走査型白色干渉計を用いてＲａを算出することができる。具体的に、ＡＦＭを用いて測定する場合は、Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ　Ｖ　ｍｕｌｔｉｍｏｄｅ（Ｖｅｅｃｏ社製）を用いて、タッピングモードで、カンチレバー：ＭＰＰ１１１００、走査範囲：５０μｍ×５０μｍ、走査速度：０．５Ｈｚにて、表面形状を撮像し、得られた像から算出した粗さ曲線の中心線からの平均のずれを算出することよりＲａを求めることができる。また、走査型白色干渉計を用いて測定する場合は、Ｎｅｗ　Ｖｉｅｗ　５０００（Ｚｙｇｏ社製）を用いて、対物レンズ：１００倍、ズームレンズ：２倍、Ｓｃａｎ　Ｌｅｎｇｔｈ：１５μｍにて、５０μｍ×５０μｍの範囲の表面形状を撮像する、あるいは、対物レンズ：１００倍、ズームレンズ：１倍、Ｓｃａｎ　Ｌｅｎｇｔｈ：１５μｍにて、１００μｍ×１００μｍの範囲の表面形状を撮像し、得られた像から算出した粗さ曲線の中心線からの平均のずれを算出することよりＲａを求めることができる。

　絶縁層の表面粗さＲａを３０ｎｍ以下とするには、後述の「Ｉ．薄膜素子用基板の製造方法」の項に記載する薄膜素子用基板の製造方法により薄膜素子用基板を作製することが好ましい。

　絶縁層はポリイミドを含むものであり、好ましくはポリイミドを主成分とする。絶縁層の特性としては、上記「Ａ．フレキシブルデバイス用基板　２．平坦化層」の項に記載した平坦化層の特性と同様である。

　絶縁層を構成するポリイミドとしては、上述の特性を満たすものであれば特に限定されるものではない。ポリイミドとしては、後述の「Ｉ．薄膜素子用基板の製造方法」の項に記載するポリイミド樹脂組成物により得られるポリイミドと同様である。

　なお、絶縁層の形成方法については、後述の「Ｉ．薄膜素子用基板の製造方法」の項に記載するので、ここでの説明は省略する。また、絶縁層のその他の点については、上記「Ａ．フレキシブルデバイス用基板　２．平坦化層」の項に記載した平坦化層と同様であるので、ここでの説明は省略する。

　２．金属基材
　本発明における金属基材は、上記の絶縁層を支持するものである。

　金属基材の特性、金属基材を構成する金属材料としては、上記「Ａ．フレキシブルデバイス用基板　３．金属箔」の項に記載した金属箔の特性、金属箔を構成する金属材料と同様である。

　中でも、金属基材は合金系であることが好ましい。純金属と比較して、組成により多種多様な特性を付与することができるからである。また、合金系の金属基材は、通常、圧延により作製されるものであり、上述したように圧延工程にて使用される圧延油等の有機成分が付着しているため、薬液処理が有用である。
　特に、金属基材は鉄を主成分とするものであることが好ましい。鉄を主成分とする金属基材は多種多様な組成が開発されており、用途に必要特性に合わせた選択が可能だからである。また、鉄を主成分とする金属基材は薬液耐性が高く、種々の薬液処理が適用可能である。さらに、鉄を主成分とする金属基材は、耐熱性、耐酸化性、低膨張などの物性面で優れているという利点も有する。

　なお、金属基材が鉄を主成分とするとは、金属基材中の鉄含有量が３０質量％以上の場合をいう。
　鉄以外に金属基材に含有される金属成分としては、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン(Ｍｎ)、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ)、ニオブ（Ｎｂ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、コバルト(Ｃｏ)、スズ（Ｓｎ）等が挙げられる。また、金属基材に含有される非金属成分としては、炭素（Ｃ）、珪素(Ｓｉ)、燐（Ｐ）、硫黄（Ｓ）、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、硼素（Ｂ）等が挙げられる。
　鉄を主成分とする金属基材の具体例としては、炭素鋼、ニッケルクロム鋼、ニッケルクロムモリブデン鋼、クロム鋼、クロムモリブデン鋼、マンガンモリブデン鋼、ＳＵＳ、インバー、４２アロイ、コバール等を挙げることができる。中でも、鉄を主成分とする金属基材はＳＵＳが好ましい。ＳＵＳは耐酸化性に優れ、また耐熱性にも優れている上、銅などに比べ線熱膨張係数が小さく寸法安定性に優れる。また、ＳＵＳ３０４については特に入手しやすいという利点があり、ＳＵＳ４３０については入手しやすく、線熱膨張係数がＳＵＳ３０４より小さいという利点もある。一方、金属基材および薄膜素子部の線熱膨張係数を考慮すると、線熱膨張係数の観点からは、ＳＵＳ４３０よりさらに低線熱膨張係数のインバーが好ましい。ただし、線熱膨張係数のみでなく、耐酸化性、耐熱性、金属基材の展性および延性などに起因する加工性や、コストも考慮に入れて選択するのが望ましい。

　金属基材表面のポリイミド樹脂組成物に含まれる溶媒に対する接触角は３０°以下であることが好ましく、より好ましくは２０°以下、さらに好ましくは１０°以下である。上記接触角が高すぎると、金属基材上にポリイミド樹脂組成物を塗布する際に、均一な塗布が困難となり、さらにはハジキや泡かみが起こり、塗膜表面が荒れ、絶縁層の平滑性に悪影響を及ぼす可能性があるからである。さらに、ピンホールやクレーターが発生して均一な膜が得られないおそれがあるからである。

　なお、上記接触角とは、ポリイミド樹脂組成物に含まれる溶媒との接触角を接触角測定器（協和界面科学（株）製ＤＭ５００型）を用いて測定（マイクロシリンジから液滴１．５μＬを滴下して２秒後）して得た値である。

　また、金属基材表面において、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）により検出された全元素に対する炭素（Ｃ）の元素量の比が０．２５以下であることが好ましく、０．２０以下であることがさらに好ましい。検出全元素に対する炭素（Ｃ）の元素量の比が上記範囲であれば、金属基材表面のポリイミド樹脂組成物に含まれる溶媒に対する接触角が小さくなり、金属基材上へのポリイミド樹脂組成物の塗布性を良好なものとすることができるからである。炭素成分は、金属基材製造時に使用される圧延油等の有機成分や、大気中に含まれる有機成分に由来するものであると考えられ、金属基材表面に炭素成分が多く残留していると、金属基材表面のポリイミド樹脂組成物に含まれる溶媒に対する接触角や、金属基材上へのポリイミド樹脂組成物の塗布性に悪影響を及ぼすものと考えられる。

　なお、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）の測定においては、例えばQuantum2000（アルバックファイ社製）を用いて、X線条件をAl mono 200μmφ×30W 15kV、光電子取込角度を45°、帯電中和をIon/Electron 20μAで行うことにより、各元素の測定値を求めることができる。

　金属基材の厚みとしては、上述の特性を満たすことができる厚みであれば特に限定されるものではなく、用途に応じて適宜選択される。金属基材の厚みが薄いほど、可撓性に富んだものとなる。一方、金属基材の厚みが厚いほど、酸素や水蒸気に対するガスバリア性や、面方向への熱拡散に優れたものとなる。具体的に、上記「Ａ．フレキシブルデバイス用基板　３．金属箔」の項に記載した金属箔の厚みと同様である。

　金属基材の形状としては、特に限定されるものではなく、例えば、箔状や板状であってもよい。
　また、金属基材の形状が空気との接触面に凹凸を有する形状であってもよい。金属基材が空気との接触面に凹凸を有する場合には、熱拡散が良好となり、放熱性を高めることができる。なお、凹凸の形成方法、凹凸の寸法や形状については、上記「Ａ．フレキシブルデバイス用基板　３．金属箔」の項に記載したものと同様である。

　金属基材の作製方法としては、一般的な方法を用いることができ、金属材料の種類や金属基材の厚みなどに応じて適宜選択される。金属基材が金属箔である場合、金属箔は圧延箔であってもよく電解箔であってもよいが、ガスバリア性が良好であることから、圧延箔が好ましい。

　金属基材のその他の点については、上記「Ａ．フレキシブルデバイス用基板　３．金属箔」の項に記載した金属箔と同様である。

　３．密着層
　本発明においては、絶縁層上に、無機化合物を含む密着層が形成されていてもよく形成されていなくてもよい。
　なお、密着層については、上記「Ａ．フレキシブルデバイス用基板　１．密着層」の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。

　Ｇ．薄膜素子
　本発明の薄膜素子は、上述の薄膜素子用基板と、上記薄膜素子用基板上に形成された薄膜素子部とを有することを特徴とするものである。

　本発明によれば、上述の薄膜素子用基板を用いるので、優れた特性を有する薄膜素子を得ることが可能である。
　また、薄膜素子用基板は酸素や水蒸気に対するガスバリア性を有するので、水分や酸素による素子性能の劣化を抑制することができ、また素子内の湿度を一定に保ち湿度変化による特性の劣化を抑制することができる。さらに、薄膜素子用基板はガスバリア性だけでなく放熱性を有するので、例えば薄膜素子部として有機ＥＬ素子を作製した場合、発光特性を長期間に亘って安定して維持することができるとともに、発光ムラのない均一な発光を実現し、かつ寿命の短縮や素子破壊を低減することが可能である。

　なお、「薄膜素子」とは、膜厚１５０ｎｍ以下の機能層を有する電子素子をいう。すなわち、「薄膜素子部」とは、膜厚１５０ｎｍ以下の機能層を有する電子素子部をいう。機能層の膜厚は１００ｎｍ以下であることが好ましい。
　機能層としては、絶縁層、電極層、半導体層、誘電体層、密着層、シード層などが挙げられる。その中でも、機能層は、絶縁層、電極層、半導体層、誘電体層であることが好ましい。これらの層は、ナノメートルオーダーの凸凹により、断線、ショート、欠陥等、素子の動作に対して重大な影響を与える不具合が生じることになるため、平坦性が高いことが特に好ましいからである。
　機能層は、薄膜素子用基板上に直に形成されていてもよく、薄膜素子用基板上に中間層を介して形成されていてもよい。中間層は、薄膜素子用基板の表面粗さを著しく変化させるものでなければ特に限定されるものではない。

　薄膜素子部としては、上記機能層を有する電子素子部であれば特に限定されるものではなく、例えば、ＴＦＴ、薄膜太陽電池、ＥＬ素子、ＲＦＩＤ（Radio Frequency IDentification：ＩＣタグ）、メモリー等が挙げられる。
　なお、ＴＦＴについては、上記「Ｂ．フレキシブルデバイス用ＴＦＴ基板」の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
　薄膜太陽電池としては、ＣＩＧＳ（Ｃｕ（銅），Ｉｎ（インジウム），Ｇａ（ガリウム），Ｓｅ（セレン））太陽電池、有機薄膜太陽電池等が挙げられる。
　ＥＬ素子としては、有機ＥＬ素子および無機ＥＬ素子のいずれであってもよい。

　薄膜素子部は、薄膜素子用基板の絶縁層上に直に形成されていてもよい。すなわち、薄膜素子用基板に密着層が形成されておらず、薄膜素子用基板の絶縁層上に直に薄膜素子部が形成されていてもよい。

　薄膜素子部の形成方法としては、薄膜素子部の種類に応じて適宜選択され、一般的な方法を採用することができる。

　Ｈ．ＴＦＴ
　本発明のＴＦＴは、上述の薄膜素子用基板と、上記薄膜素子用基板上に形成されたＴＦＴとを有することを特徴とするものである。

　本発明によれば、上述の薄膜素子用基板を用いるので、電気的性能の良好なＴＦＴを得ることが可能である。
　また、薄膜素子用基板は酸素や水蒸気に対するガスバリア性を有するので、ＴＦＴを用いて有機ＥＬ表示装置を作製した場合には水分や酸素による素子性能の劣化を抑制することができ、またＴＦＴを用いて電子ペーパーを作製した場合には素子内の湿度を一定に保ち湿度変化による表示特性の劣化を抑制することができる。さらに、薄膜素子用基板はガスバリア性だけでなく放熱性を有するので、ＴＦＴを用いて有機ＥＬ表示装置を作製した場合、発光特性を長期間に亘って安定して維持することができるとともに、発光ムラのない均一な発光を実現し、かつ寿命の短縮や素子破壊を低減することが可能である。

　なお、ＴＦＴについては、上記「Ｂ．フレキシブルデバイス用ＴＦＴ基板」の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。

　ＴＦＴは、薄膜素子用基板の絶縁層上に直に形成されていてもよい。すなわち、薄膜素子用基板に密着層が形成されておらず、薄膜素子用基板の絶縁層上に直にＴＦＴが形成されていてもよい。この場合、ＴＦＴを構成する半導体層、電極、ゲート絶縁膜等の絶縁層と接する層は絶縁層と良好な密着性を有することが好ましい。例えば半導体層が絶縁層と接する場合、半導体層は有機半導体層であることが好ましい。ここで、本発明における絶縁層は表面平滑性に優れるので、薄膜素子用基板の絶縁層上に直に半導体層を形成する場合には、密着性が低下する傾向にある。これに対し、半導体層として有機半導体層を用いることにより、絶縁層および有機半導体層の密着性を良好なものとすることができるとともに、有機半導体層は、シリコンや酸化物半導体からなる半導体層に比べて、柔軟性を有するため、ＴＦＴの製造時に水分や熱が加わってポリイミドを含む絶縁層の寸法が変化した場合であっても、有機半導体層に剥離やクラックが生じるのを防ぐことができる。

　本発明のＴＦＴは、例えば、有機ＥＬ表示装置、電子ペーパー、反射型液晶表示装置、ＲＦＩＤなどの回路、およびセンサーなどに用いることができる。中でも、有機ＥＬ表示装置、電子ペーパーが好適である。

　Ｉ．薄膜素子用基板の製造方法
　本発明の薄膜素子用基板の製造方法は、２つの実施態様を有する。以下、各実施態様に分けて説明する。

　（I）第１実施態様
　本発明の薄膜素子用基板の製造方法の第１実施態様は、金属基材に薬液処理を施す金属基材表面処理工程と、上記金属基材上にポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを有し、上記絶縁層の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とするものである。

　本発明の薄膜素子用基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
　図１１（ａ）～（ｃ）は、本発明の薄膜素子用基板の製造方法の一例を示す工程図である。まず、図１１（ａ）に示すように、金属基材５２表面を薬液（図示せず）により洗浄する（金属基材表面処理工程）。次に、金属基材５２上にポリイミド樹脂組成物６３を塗布し（図１１（ｂ））、熱処理によりイミド化して絶縁層５３を形成する（図１１（ｃ））（絶縁層形成工程）。この際、表面粗さＲａが３０ｎｍ以下となる絶縁層が形成される。これにより、薄膜素子用基板５０が得られる。

　本発明によれば、金属基材に薬液処理を施すことによって、金属基材表面に残留する上述の有機成分を除去することができ、金属基材に対するポリイミド樹脂組成物の濡れ性を良くすることができる。そのため、金属基材上にポリイミド樹脂組成物を塗布する際に、均一に塗布することが可能であり、さらにはハジキ、泡かみの発生を抑制することが可能である。したがって、塗膜の均一性が向上し、さらにはピンホールやクレーターが低減され、表面平滑性に優れる絶縁層を形成することができる。また、金属基材表面に凹凸が存在する場合であっても、金属基材上に絶縁層を形成することで金属基材表面の凹凸を平坦化することができ、薄膜素子用基板の表面平滑性を改善することができる。よって本発明によれば、薄膜素子の特性の低下を防ぐことが可能となる。

　図１２（ａ）～（ｄ）は、本発明の薄膜素子用基板の製造方法の他の例を示す工程図である。図１２（ａ）～（ｃ）は図１１（ａ）～（ｃ）と同様である。図１２（ａ）～（ｄ）に示す薄膜素子用基板の製造方法においては、絶縁層形成工程後、図１２（ｄ）に示すように、絶縁層５３上に無機化合物を含む密着層５４を形成する（密着層形成工程）。これにより、薄膜素子用基板５０が得られる。

　本発明において、絶縁層上に密着層を形成する場合には、薄膜素子部との密着性に優れる薄膜素子用基板を得ることができる。したがって、薄膜素子の製造時に水分や熱が加わって絶縁層の寸法が変化した場合であっても、薄膜素子を構成する部材、例えばＴＦＴを構成する電極や半導体層に、剥離やクラックが生じるのを防ぐことができる。

　本発明によれば、金属基材によって水分や酸素の透過を低減することができるので、水分や酸素による薄膜素子部の劣化を抑制することができ、また素子内の湿度を保ち、湿度変化による特性の低下を抑制することができる。
　さらに、一般に金属基材は熱伝導性に優れるので、放熱性を有する薄膜素子用基板を得ることができる。すなわち、水分の遮断性が高いとともに、熱を速やかに伝導もしくは放射することができる薄膜素子用基板を得ることができる。例えば薄膜素子用基板を有機ＥＬ素子に用いる場合、有機ＥＬ素子の発光時の発熱による悪影響を抑制することができ、発光特性を長期間に亘って安定して維持することができるとともに、発光ムラのない均一な発光を実現し、かつ寿命の短縮や素子破壊を低減することが可能である。
　また、金属基材を有することで、強度の高い薄膜素子用基板を得ることができるので、耐久性を向上させることができる。

　本発明により製造される薄膜素子用基板は、例えば次のように用いられるものである。図１３（ａ）～図１５（ｂ）は、本発明の薄膜素子用基板の製造方法により製造される薄膜素子用基板を備えるＴＦＴの例を示す概略断面図である。なお、図１３（ａ）～図１５（ｂ）に例示するＴＦＴ６０の構造については、上記「Ａ．フレキシブルデバイス用基板」の項に記載した図２（ａ）～図４（ｂ）に例示するＴＦＴ基板１０Ａの構造と同様である。

　以下、本発明の薄膜素子用基板の製造方法における各工程について説明する。

　１．金属基材表面処理工程
　本発明における金属基材表面処理工程は、金属基材に薬液処理を施す工程である。

　金属基材の薬液処理の方法としては、金属基材に対するポリイミド樹脂組成物の濡れ性を良くすることができる方法であれば、特に限定されるものではなく、例えば、アルカリ洗浄、電界脱脂、酸洗等が挙げられる。
　アルカリ洗浄とは、アルカリ性の薬液に漬ける、ペースト状のアルカリ洗浄剤を塗る等により、金属基材表面を溶出させて洗う方法である。光沢は出ないが、安価で大型の製品に対応できる。光沢のある部分もつや消し状態になってしまうので、溶接焼けによる黒ずみを取るためなど、外観を問題にしないものであれば、アルカリ洗浄を適用することができる。
　電解脱脂は、薬液の中で電気を通す（電解）ことによって、金属基材表面の凸部（ミクロンレベル）を溶出させることで、平滑で光沢のある表面にする方法である。金属基材表面に付いている汚れや不純物を取り除き、皮膜を強化するので、耐食性を向上させることもできる。これは、金属基材表面の鉄が電解で先に溶け出すため、相対的に鉄以外の金属成分（例えばクロム）が濃くなり、不動態皮膜が強固になるためであると考えられる。
　酸洗は、強酸性の薬液に漬ける、ペースト状の酸洗剤を塗る等により、金属基材表面を溶出させて洗う方法である。光沢は出ないが、安価で大型の製品に対応できる。光沢のある部分もつや消し状態になってしまうので、溶接焼けによる黒ずみを取るためなど、外観を問題にしないものであれば、酸洗を適用することができる。

　本発明においては、金属基材表面のポリイミド樹脂組成物に含まれる溶媒に対する接触角が低下するように、薬液処理を施すことが好ましい。具体的には、金属基材表面のポリイミド樹脂組成物に含まれる溶媒に対する接触角が３０°以下となるように、薬液処理を施すことが好ましい。薬液処理後の金属基材表面のポリイミド樹脂組成物に含まれる溶媒に対する接触角は３０°以下であることが好ましく、より好ましくは２０°以下、さらに好ましくは１０°以下である。

　また、上記薬液処理後の金属基材表面において、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）により検出された全元素に対する炭素（Ｃ）の元素量の比が０．２５以下であることが好ましく、０．２０以下であることがさらに好ましい。

　なお、金属基材のその他の点については、上記「Ｆ．薄膜素子用基板　２．金属基材」の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。

　２．絶縁層形成工程
　本発明における絶縁層形成工程は、上記金属基材上に上記ポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する工程である。
　以下、ポリイミド樹脂組成物および絶縁層の形成方法について説明する。

　（１）ポリイミド樹脂組成物
　本発明に用いられるポリイミド樹脂組成物は、ポリイミド成分と溶媒を含有するものである。
　以下、ポリイミド樹脂組成物における各成分について説明する。

　（ａ）ポリイミド成分
　ポリイミド成分としては、ポリイミドおよびポリイミド前駆体のいずれであってもよい。具体的には、下記式（１）で表される構造を有するポリイミド、および下記式（２）、（３）で表される構造を有するポリイミド前駆体が挙げられる。

（式（１）～（３）中、Ｒ¹は４価の有機基、Ｒ²は２価の有機基、Ｒ^３は水素原子もしくは１価の有機基であり、繰り返されるＲ¹同士、Ｒ²同士、Ｒ^３同士はそれぞれ同じであってもよく異なっていてもよい。ｎは１以上の自然数である。）

　また、式（３）については、左右非対称であるが、１つのポリマー分子鎖中に左右の向きが異なるものが含まれていてもよい。

　本発明におけるポリイミド成分としては、上記式（１）、式（２）および式（３）のそれぞれの構造のみを有するポリマーのみ用いてもよく、上記式（１）、式（２）および式（３）のそれぞれの構造のみを有するポリマーを混合して用いてもよく、１つのポリマー分子鎖中に上記式（１）、式（２）および式（３）の構造が混在するものを用いてもよい。

　上記式（１）～（３）において、一般に、Ｒ^１はテトラカルボン酸二無水物由来の構造であり、Ｒ^２はジアミン由来の構造である。

　本発明に用いられるポリイミド成分を製造する方法としては、従来公知の手法を適用することができる。例えば、上記（２）で表される構造を有するポリイミド前駆体の形成方法としては、（ｉ）酸二無水物とジアミンからポリアミック酸を合成する手法や、（ｉｉ）酸二無水物に１価のアルコールやアミノ化合物、エポキシ化合物等を反応させ合成したエステル酸やアミド酸モノマーのカルボン酸に、ジアミノ化合物やその誘導体を反応させて形成する手法などが挙げられるがこれに限定されない。
　また、上記(３)で表される構造を有するポリイミド前駆体または上記(１)で表されるポリイミドの形成方法としては、上記（２）で表されるポリイミド前駆体を加熱によりイミド化する方法が挙げられる。

　本発明において上記ポリイミド成分に適用可能なテトラカルボン酸二無水物としては、上記「Ａ．フレキシブルデバイス用基板」の項に記載したものが挙げられる。これらは単独であるいは２種以上混合して用いられる。

　一方、上記ポリイミド成分に適用可能なジアミン成分も、１種類のジアミン単独で、または２種類以上のジアミンを併用して用いることができる。用いられるジアミン成分は、上記「Ａ．フレキシブルデバイス用基板」の項に記載したものが挙げられる。

　本発明におけるポリイミド樹脂組成物の耐熱性および絶縁性を向上させるためには、上記ポリイミド成分が、芳香族骨格を含むことが好ましい。芳香族骨格を含有するポリイミド成分を加熱硬化することにより得られるポリイミド樹脂は、その剛直で平面性の高い骨格に由来して、耐熱性や薄膜での絶縁性に優れ、低アウトガスであることから、本発明の薄膜素子用基板の絶縁層に好ましく用いられるからである。
　また、ポリイミド成分は、酸二無水物由来の部分が芳香族構造を有し、さらにジアミン由来の部分も芳香族構造を含むことが望ましい。それゆえジアミン成分由来の構造も芳香族ジアミンから誘導される構造であることが好ましい。特に、酸二無水物由来の部分およびジアミン由来の部分のすべてが芳香族構造を含む全芳香族ポリイミドもしくは全芳香族ポリイミド前駆体であることが好ましい。

　ここで、全芳香族ポリイミド前駆体とは、芳香族酸成分と芳香族アミン成分の共重合、又は、芳香族酸／アミノ成分の重合により得られるポリイミド前駆体及びその誘導体である。また、芳香族酸成分とは、ポリイミド骨格を形成する４つの酸基が全て芳香族環上に置換している化合物であり、芳香族アミン成分とは、ポリイミド骨格を形成する２つのアミノ基が両方とも芳香族環上に置換している化合物であり、芳香族酸／アミノ成分とはポリイミド骨格を形成する酸基とアミノ基がいずれも芳香族環上に置換している化合物である。ただし、前述した原料の芳香族酸二無水物および芳香族ジアミンの具体例から明らかなように、全ての酸基又はアミノ基が同じ芳香環上に存在する必要はない。
　以上の理由から、ポリイミド前駆体は、最終的に得られるポリイミド樹脂に耐熱性及び寸法安定性を求める場合には、芳香族酸成分及び／又は芳香族アミン成分の共重合割合ができるだけ大きいことが好ましい。具体的には、イミド構造の繰り返し単位を構成する酸成分に占める芳香族酸成分の割合が５０モル％以上、特に７０モル％以上であることが好ましく、イミド構造の繰り返し単位を構成するアミン成分に占める芳香族アミン成分の割合が４０モル％以上、特に６０モル％以上であることが好ましく、全芳香族ポリイミドもしくは全芳香族ポリイミド前駆体であることが好ましい。

　また、上記式（１）、式（３）に含まれるイミド化後の環構造の部分は、上記式（２）、式（３）に含まれるイミド化前のカルボン酸の部分よりも、溶剤への溶解性が低いため、イミド化前の構造を多く含む、溶解性が高いポリイミド前駆体を用いることが望ましい。酸無水物由来のカルボキシル基（もしくはそのエステル）が全体の５０％以上あることが望ましく、７５％以上であることがさらに好ましく、全て、上記式（２）からなるポリアミック酸（およびその誘導体）であることが好ましい。
　また、上記式（２）からなるポリアミック酸（およびその誘導体）については、合成の容易さおよびアルカリ現像液に対する溶解性の高さから、Ｒ³が全て水素原子であるポリアミック酸であることが特に好ましい。

　本発明においては、なかでも、上記式（１）～（３）で表される構造を有するポリイミド成分におけるＲ^１のうち３３モル％以上が、下記式で表わされるいずれかの構造であることが好ましい。耐熱性に優れ、低線熱膨張係数を示すポリイミド樹脂となるというメリットがあるからである。

（式（４）中、ａは０または１以上の自然数、Ａは単結合（ビフェニル構造）、酸素原子（エーテル結合）、エステル結合のいずれかであり、全てが同じであっても、各々異なっていてもよい。結合基は、芳香環の結合部位から見て、芳香環の２，３位もしくは３，４位に結合する。）

　本発明においては、特に、上記（１）～（３）で表される構造を有するポリイミド成分が上記式（４）で表される構造を含むと、上記ポリイミド樹脂が低吸湿膨張を示す。さらには、市販で入手が容易であり、低コストであるというメリットもある。

　上記のような構造を有するポリイミド成分は、高耐熱性、低線熱膨張係数を示すポリイミド樹脂を形成可能である。そのため、上記式で表わされる構造の含有量は上記式（１）～（３）中のＲ^１のうち１００モル％に近ければ近いほど好ましいが、少なくとも上記式（１）～（３）中のＲ^１のうち３３％以上含有すればよい。中でも、上記式で表わされる構造の含有量は上記式（１）～（３）中のＲ^１のうち５０モル％以上であることが好ましく、さらに７０モル％以上であることが好ましい。

　本発明において、ポリイミド樹脂を低吸湿にする酸二無水物の構造としては、下記式（５）で表わされるものが挙げられる。

（式（５）中、ａは０または１以上の自然数、Ａは単結合（ビフェニル構造）、酸素原子（エーテル結合）、エステル結合のいずれかであり、全てが同じであっても、各々異なっていてもよい。酸無水物骨格（―ＣＯ－Ｏ－ＣＯ－）は、隣接する芳香環の結合部位から見て、芳香環の２，３位もしくは、３，４位に結合する。）

　上記式（５）において、Ａが単結合（ビフェニル構造）、酸素原子（エーテル結合）である酸二無水物としては、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物などが挙げられる。これらは、吸湿膨張係数を低減させる観点ならびに、ジアミンの選択性を広げる観点から、好ましい。

　上記式（５）において、Ａがエステル結合であるフェニルエステル系の酸二無水物は、ポリイミド樹脂を低吸湿にする観点から、特に好ましい。例えば、下記式で表わされる酸二無水物が挙げられる。具体的には、ｐ－フェニレンビストリメリット酸モノエステル酸二無水物、ｐ－ビフェニレンビストリメリット酸モノエステル酸二無水物などが挙げられる。これらは、吸湿膨張係数を低減させる観点ならびに、ジアミンの選択性を広げる観点から、特に好ましい。

（式中、ａは０または１以上の自然数である。酸無水物骨格（―ＣＯ－Ｏ－ＣＯ－）は、隣接する芳香環の結合部位から見て、芳香環の２，３位もしくは３，４位に結合する。）

　上述の吸湿膨張係数が小さいテトラカルボン酸二無水物の場合、後述するジアミンとしては幅広く選択することができる。

　併用するテトラカルボン酸二無水物として、下記式で表わされるような少なくとも１つのフッ素原子を有するテトラカルボン酸二無水物を用いることができる。フッ素が導入されたテトラカルボン酸二無水物を用いると、最終的に得られるポリイミド樹脂の吸湿膨張係数が低下する。少なくとも１つのフッ素原子を有するテトラカルボン酸二無水物としては、中でも、フルオロ基、トリフルオロメチル基、またはトリフルオロメトキシ基を有することが好ましい。具体的には、２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン二無水物などが挙げられる。しかしながら、上記ポリイミド成分として含まれるポリイミド前駆体がフッ素を含んだ骨格を有する場合、上記ポリイミド前駆体が、塩基性水溶液に溶解しづらい傾向にあり、上記ポリイミド前駆体の状態で、レジスト等を用いてパターニングを行う際には、アルコール等の有機溶媒と塩基性水溶液との混合溶液によって現像を行う必要がある場合がある。

　ここで、選択されるジアミンは耐熱性、すなわち、低アウトガス化の観点より芳香族ジアミンが好ましいが、目的の物性に応じてジアミンの全体の６０モル％、好ましくは４０モル％を超えない範囲で、脂肪族ジアミンやシロキサン系ジアミン等の芳香族以外のジアミンを用いてもよい。

　また、上記ポリイミド成分においては、上記式（１）～（３）中のＲ^２のうち３３モル％以上が下記式で表わされるいずれかの構造であることが好ましい。

（Ｒ¹¹は２価の有機基、酸素原子、硫黄原子、またはスルホン基であり、Ｒ¹²およびＲ¹³は１価の有機基、またはハロゲン原子である。）

　上記ポリイミド成分が上記式のいずれかの構造を含むと、これら剛直な骨格に由来し、低線熱膨張および低吸湿膨張を示す。さらには、市販で入手が容易であり、低コストであるというメリットもある。
　上記のような構造を有する場合、上記ポリイミド樹脂の耐熱性が向上し、線熱膨張係数が小さくなる。そのため、上記式（１）～（３）中のＲ^２のうち１００モル％に近ければ近いほど好ましいが、上記式（１）～（３）中のＲ^２のうち少なくとも３３％以上含有すればよい。中でも上記式で表わされる構造の含有量は上記式（１）中のＲ^２のうち５０モル％以上であることが好ましく、さらに７０モル％以上であることが好ましい。

　上記ポリイミド樹脂をより低吸湿膨張とする観点からは、ジアミンの構造としては、下記式（６－１）～（６－３）、（７）で表わされるものが好ましい。

（式（６－２）～（６－３）中、同一の芳香環に２つアミノ基が結合していてもよい。
　式（７）中、ａは０または１以上の自然数、アミノ基はベンゼン環同士の結合に対して、メタ位またはパラ位に結合する。また、芳香環上の水素原子の一部若しくは全てをフルオロ基、メチル基、メトキシ基、トリフルオロメチル基、またはトリフルオロメトキシ基から選ばれた置換基で置換されていてもよい。）

　上記式（６－１）～（６－３）で表されるジアミンとしては、具体的には、ｐ－フェニレンジアミン、ｍ－フェニレンジアミン、１，４－ジアミノナフタレン、１，５－ジアミノナフタレン、２、６－ジアミノナフタレン、２，７－ジアミノナフタレン、１，４－ジアミノアントラセンなどが挙げられる。

　上記式（７）で表わされるジアミンとしては、具体的には、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ジトリフルオロメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジクロロ－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジメトキシ－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル等が挙げられる。

　また、芳香環の置換基としてフッ素を導入すると、上記ポリイミド樹脂の吸湿膨張係数を低減させることができる。例えば、上記式（７）で表わされるジアミンの中でフッ素が導入された構造としては、下記式で表わされるものが挙げられる。しかしながら、フッ素を含むポリイミド前駆体、特にポリアミック酸は、塩基性水溶液に溶解しにくく、基板上に低アウトガス感光性ポリイミド絶縁層を部分的に形成する場合には、上記絶縁層の加工の際に、アルコールなどの有機溶媒との混合溶液で現像する必要がある場合がある。

　本発明に用いられるポリイミド樹脂組成物に感光性を付与し、感光性ポリイミド樹脂組成物として用いる際には、感度を高め、マスクパターンを正確に再現するパターン形状を得るために、１μｍの膜厚のときに、露光波長に対して少なくとも５％以上の透過率を示すことが好ましく、１５％以上の透過率を示すことが更に好ましい。

　また、一般的な露光光源である高圧水銀灯を用いて露光を行う場合には、少なくとも４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍの波長の電磁波のうち１つの波長の電磁波に対する透過率が、厚み１μｍのフィルムに成膜した時で好ましくは５％以上、更に好ましくは１５％、より更に好ましくは５０％以上である。
　露光波長に対してポリイミド成分の透過率が高いということは、それだけ、光のロスが少ないということであり、高感度の感光性ポリイミド樹脂組成物を得ることができる。

　ポリイミド成分として、透過率をあげるためには、酸二無水物としてフッ素が導入された酸二無水物や、脂環骨格を有する酸二無水物を用いることが望ましい。しかし、脂環骨格を有する酸二無水物を用いると、耐熱性が低下し、低アウトガス性を損なう恐れがあるので、共重合割合に注意しながら併用してもよい。
　本発明においては、透過率をあげるためには酸二無水物としてフッ素が導入された芳香族の酸二無水物を用いることが、耐熱性を維持しつつ（芳香族なので）、吸湿膨張も低減することが可能である点からさらに好ましい。

　本発明において用いられる少なくとも１つのフッ素原子を有するテトラカルボン酸二無水物としては、上述のフッ素原子を有するテトラカルボン酸二無水物を用いることができ、なかでも、フルオロ基、トリフルオロメチル基、またはトリフルオロメトキシ基を有することが好ましい。具体的には、２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン二無水物などが挙げられる。
　しかしながら、フッ素を含んだ骨格を有するポリイミド前駆体は、塩基性水溶液に溶解しづらい傾向にあり、ポリイミド前駆体の状態で、レジスト等を用いてパターニングを行う際には、アルコール等の有機溶媒と塩基性水溶液との混合溶液によって現像を行う必要がある場合がある。

　また、ピロメリット酸無水物、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物などの剛直な酸二無水物を用いると、最終的に得られるポリイミド樹脂の線熱膨張係数が小さくなるが、透明性の向上を阻害する傾向があるので、共重合割合に注意しながら併用してもよい。

　ポリイミド成分として、透過率をあげるためには、ジアミンとしてフッ素が導入されたジアミンや、脂環骨格を有するジアミンを用いることが望ましい。しかし、脂環骨格を有するジアミンを用いると、耐熱性が低下し、低アウトガス性を損なう恐れがあるので、共重合割合に注意しながら併用してもよい。
　透過率をあげるためにはジアミンとしてフッ素が導入された芳香族のジアミンを用いることが、耐熱性を維持しつつ（芳香族なので）、吸湿膨張も低減することが可能である点からさらに好ましい。

　フッ素が導入された芳香族のジアミンとしては、具体的には、上述のフッ素が導入された構造を有するものを挙げることができ、より具体的には、２，２’－ジトリフルオロメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２－ジ（３－アミノフェニル）－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン、２，２－ジ（４－アミノフェニル）－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン、２－（３－アミノフェニル）－２－（４－アミノフェニル）－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン、１，３－ビス（３－アミノ－α，α－ジトリフルオロメチルベンジル）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノ－α，α－ジトリフルオロメチルベンジル）ベンゼン、１，４－ビス（３－アミノ－α，α－ジトリフルオロメチルベンジル）ベンゼン、１，４－ビス（４－アミノ－α，α－ジトリフルオロメチルベンジル）ベンゼン、２，２－ビス［３－（３－アミノフェノキシ）フェニル］－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン等が挙げられる。
　しかしながら、フッ素を含むポリイミド前駆体、特にポリアミック酸は、塩基性水溶液に溶解しにくく、基板上に低アウトガス感光性ポリイミド絶縁層を部分的に形成する場合には、上記絶縁層の加工の際に、アルコールなどの有機溶媒との混合溶液で現像する必要がある場合がある。

　また、上記式（１）および（３）に含まれるイミド化後の環構造の部分は、それぞれ、上記式（３）および（２）で示されるポリイミド前駆体に含まれるイミド化前のカルボン酸の部分よりも、透過率が低い傾向にあるため、イミド化前の構造を多く含む、透明性が高いポリイミド前駆体を用いることが望ましい。酸無水物由来のカルボキシル基（もしくはそのエステル）が全体の５０％以上あることが望ましく、７５％以上であることがさらに好ましく、全て、上記式（２）で示されるポリイミド前駆体、すなわち、ポリアミック酸（およびその誘導体）であることが好ましい。
　また、アルカリ現像液を用いて現像する際には、上記式（２）および（３）に含まれるイミド化前のカルボン酸部分の残存量によりアルカリ現像液に対する溶解性を変えることができる。現像速度を速める観点からは、イミド化前の構造を多く含む、溶解性が高いポリイミド前駆体を用いることが望ましく、上記式（２）および（３）におけるＲ³が全て水素原子であるポリアミック酸であることが好ましい。しかしながら、現像速度が速すぎて、パターン残存部の溶解性が高すぎる場合には、イミド化が進行したものを用いるもしくは、上記式（２）および（３）におけるＲ³に１価の有機基を導入して溶解速度を下げることができる。

　一方、ジアミンとして、１，３－ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンなどのシロキサン骨格を有するジアミンを用いると、基板との密着性を改善したり、上記ポリイミド樹脂の弾性率が低下し、ガラス転移温度を低下させたりすることができる。

　本発明に用いられるポリイミド成分の重量平均分子量は、その用途にもよるが、３，０００～１，０００，０００の範囲であることが好ましく、５，０００～５００，０００の範囲であることがさらに好ましく、１０，０００～５００，０００の範囲であることがさらに好ましい。重量平均分子量が３，０００未満であると、塗膜又はフィルムとした場合に十分な強度が得られにくい。また、加熱処理等を施しポリイミド樹脂などの高分子とした際の膜の強度も低くなる。一方、重量平均分子量が１，０００，０００を超えると粘度が上昇し、溶解性も落ちてくるため、表面が平滑で膜厚が均一な塗膜又はフィルムが得られにくい。
　ここで用いている分子量とは、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算の値のことをいい、ポリイミド前駆体そのものの分子量でも良いし、無水酢酸等で化学的イミド化処理を行った後のものでも良い。

　本発明に用いられるポリイミド成分の含有量としては、得られるパターンの膜物性、特に膜強度や耐熱性の点から、上記ポリイミド樹脂組成物の固形分全体に対し、５０重量％以上であることが好ましく、なかでも、７０重量％以上であることが好ましい。
　なお、ポリイミド樹脂組成物の固形分とは溶剤以外の全成分であり、液状のモノマー成分も固形分に含まれる。

　（ｂ）溶媒
　ポリイミド前駆体またはポリイミドを溶解、分散または希釈する溶媒としては、各種の汎用溶媒を用いることができる。また、ポリイミド樹脂組成物がポリイミド前駆体を含有する場合には、ポリアミック酸の合成反応により得られた溶液をそのまま用い、そこに必要に応じて他の成分を混合してもよい。

　使用可能な汎用溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル等のエーテル類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールモノエーテル類（いわゆるセロソルブ類）；メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどのケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸ｎ－プロピル、酢酸ｉ－プロピル、酢酸ｎ－ブチル、酢酸ｉ－ブチル、前記グリコールモノエーテル類の酢酸エステル（例えば、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート）、メトキシプロピルアセテート、エトキシプロピルアセテート、蓚酸ジメチル、乳酸メチル、乳酸エチル等のエステル類；エタノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン等のアルコール類；塩化メチレン、１，１－ジクロロエタン、１，２－ジクロロエチレン、１－クロロプロパン、１－クロロブタン、１－クロロペンタン、クロロベンゼン、ブロムベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン、ｍ－ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルアセトアミド等のアミド類；Ｎ－メチルピロリドンなどのピロリドン類；γ－ブチロラクトン等のラクトン類；ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、その他の有機極性溶媒類等が挙げられ、更には、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、および、その他の有機非極性溶媒類等も挙げられる。これらの溶媒は単独若しくは組み合わせて用いられる。

　中でも、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルメトキシアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルフォスホアミド、Ｎ－アセチル－２－ピロリドン、ピリジン、ジメチルスルホン、テトラメチレンスルホン、ジメチルテトラメチレンスルホン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、シクロペンタノン、γ－ブチロラクトン、α－アセチル－γ－ブチロラクトン等の極性溶媒が好適なものとして挙げられる。

　また、後述するように絶縁層形成工程前に脱気工程を行う場合であって、真空下でポリイミド樹脂組成物を脱気する場合には、溶媒の常温での蒸気圧は、２５，０００Ｐａ以下であることが好ましく、中でも１０，０００Ｐａ～１Ｐａの範囲内、特に１，０００Ｐａ～１０Ｐａの範囲内であることが好ましい。溶媒の蒸気圧が高いと、脱気の際に溶媒が蒸発してポリイミド樹脂組成物の濃度や粘度が変化するおそれがあるからである。また、溶媒の蒸気圧が低すぎると、ポリイミド樹脂組成物の乾燥時に溶媒が除去され難いからである。

　（ｃ）その他の成分
　本発明に用いられるポリイミド樹脂組成物は、少なくともポリイミド前駆体もしくはポリイミドおよび溶媒を含有していればよい。
　ポリイミド樹脂組成物は、感光性ポリイミド樹脂組成物であってもよい。なお、感光性ポリイミド樹脂組成物については、上記「Ａ．フレキシブルデバイス用基板　２．平坦化層」の項に記載した感光性ポリイミドおよび感光性ポリイミド前駆体と同様である。

　ポリイミド樹脂組成物は、塩基性水溶液によって現像可能であることが好ましい。

　ポリイミド樹脂組成物には、必要に応じて、レベリング剤、可塑剤、界面活性剤、消泡剤等の添加剤が含有されていてもよい。

　（２）絶縁層の形成方法
　本発明においては、金属基材上にポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する。

　金属基材上にポリイミド樹脂組成物を塗布する方法としては、上記「Ａ．フレキシブルデバイス用基板　２．平坦化層」の項に記載したものと同様である。

　ポリイミド樹脂組成物の塗布後は、熱処理により溶媒を除去する。この際、ポリイミド樹脂組成物がポリイミド前駆体を含有する場合には、熱処理によりポリイミド前駆体のイミド化も行う。
　ポリイミド前駆体をイミド化する際、熱処理の好ましい温度範囲は、通常２００℃～４００℃程度である。熱処理温度が２００℃より低いと、イミド化の進行が完全に進まず、物性面で不十分となる。一方、熱処理温度が高温になると、最終硬化膜の物性は向上する傾向にあるが、４００℃超の高温となると、他の構成部材に悪影響を与えるおそれがあるので、他の構成部材の耐熱性を考慮に入れた上で、イミド化温度を決定することが望ましい。また、熱処理前に、熱処理温度より低温の５０℃～２００℃で事前加熱を行ってもよい。熱処理としては、具体的には、２５０℃～３５０℃で、１０分～１２０分加熱を行うことができる。
　この熱処理は、公知の方法であればいずれの方法でもよく、具体的に例示すると、空気又は窒素雰囲気下の循環オーブン、ホットプレートによる加熱などが挙げられる。

　また、絶縁層を金属基材上に部分的に形成する場合、その形成方法としては、上記「Ａ．フレキシブルデバイス用基板　２．平坦化層」の項に記載したものと同様である。

　絶縁層の表面粗さＲａについては、「Ｆ．薄膜素子用基板　１．絶縁層」の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
　また、絶縁層のその他の点については、上記「Ａ．フレキシブルデバイス用基板　２．平坦化層」の項に記載した平坦化層と同様であるので、ここでの説明は省略する。

　３．密着層形成工程
　本発明における密着層形成工程は、絶縁層上に、無機化合物を含む密着層を形成する工程である。密着層は、絶縁層と薄膜素子部との間で十分な密着力を得るために設けられる層である。
　なお、密着層については、上記「Ａ．フレキシブルデバイス用基板　１．密着層」の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。

　４．脱気工程
　本発明においては、上記絶縁層形成工程前に、所定の方法で算出した相対溶存酸素飽和率が９５％以下となるように、ポリイミド樹脂組成物を脱気する脱気工程を行うことが好ましい。
　なお、脱気工程については、後述の第２実施態様の項に記載するものと同様であるので、ここでの説明は省略する。

　（II）第２実施態様
　本発明の薄膜素子用基板の製造方法の第２実施態様は、下記方法で算出した相対溶存酸素飽和率が９５％以下となるように、ポリイミド樹脂組成物を脱気する脱気工程と、金属基材上に、上記ポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを有し、上記絶縁層の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とするものである。
＜相対溶存酸素飽和率の算出方法＞
まず、ポリイミド樹脂組成物に含まれる溶媒に空気を３０分以上バブリングした溶存酸素飽和溶媒を用いて、全く酸素が溶存していない上記溶媒の溶存酸素量の測定値が０、上記溶存酸素飽和溶媒の溶存酸素量の測定値が１００となるように、溶存酸素量計の校正を行う。次に、校正された上記溶存酸素量計により、ポリイミド樹脂組成物を大気下で１時間以上静置した基準ポリイミド樹脂組成物の溶存酸素量の相対値と、ポリイミド樹脂組成物を脱気した脱気ポリイミド樹脂組成物の溶存酸素量の相対値とを測定する。そして、上記基準ポリイミド樹脂組成物の溶存酸素量の相対値を１００％としたときの、上記脱気ポリイミド樹脂組成物の溶存酸素量の相対値を、相対溶存酸素飽和率とする。

　ここで、液体中の泡は、気体がガス状のままで液体中に混合している状態である。この泡は、外部から混入するだけでなく、液体から発生することが非常に多く見られる。一方、溶存気体とは、液体中に溶解している気体を意味し、これは泡のように目で見ることはできない。本発明は、この液体中の「溶存気体」を除去するものである。
　気体の液体に対する溶解量は、液体の種類、温度や圧力、さらには接液材質によって変化し、飽和量以上の溶存気体は泡となって出現する。つまり、泡のない状態の液体であっても、温度や圧力等が変化すると泡を発生することになる。一方で、液体中に泡が存在しても、所定の温度や圧力等である場合、または気体の溶解量が飽和値に満たない場合、泡は液体中に溶解してなくなってしまう。すなわち、単に泡を除去するだけでは不十分であり、溶存気体を除去することが重要である。

　したがって、ポリイミド樹脂組成物が大気と充分な時間接していて、ポリイミド樹脂組成物に空気が定常的に溶解した状態においては、少しの圧力や温度の変化で飽和量以上の溶存気体が泡として発生してしまうことが予想される。しかしながら、空気が定常的に溶解した状態のポリイミド樹脂組成物の溶存気体量を１００％としたとき、ポリイミド樹脂組成物の溶存気体量が９５％程度である場合には、圧力や温度の変化によってもすぐには溶存気体の飽和量を超えることがないため、泡の発生を抑制することが可能になる。

　溶存気体について、ポリイミド樹脂組成物が大気に接している状況下では、ポリイミド樹脂組成物中に溶解している気体の大部分は窒素または酸素となる（大気中の存在量が酸素の次に多いアルゴンでも酸素の1/20以下であるため）。窒素は不活性ガスのため測定が困難であるが、酸素は測定可能である。また、多くの溶媒に関して同一温度・同一圧力下での溶媒に対する酸素と窒素の溶解度の比は１．４～２．０であり（酸素の方が溶解しやすい）、大気中では窒素の分圧は酸素の分圧より３．７倍程度高いので、ヘンリーの法則から、大気に接している状態では、窒素が酸素の１．９～２．７倍程度溶解していると考えられる。この比は、圧力が高くない状態では、溶媒の種類が同じであれば一定であり、溶媒の種類が変わっても変動幅は１．９～２．７倍程度とさほど大きくないので、溶存酸素量を求めることにより、窒素および酸素を合せた溶存気体の量を見積ることが可能である。

　溶存酸素量は、水以外の溶媒中では絶対値を測定することが困難である。そこで、本発明においては、ポリイミド樹脂組成物に含まれる溶媒に空気を３０分以上バブリングした溶存酸素飽和溶媒の溶存酸素量を基準として、相対値（相対溶存酸素飽和率）で評価する。

　本発明の薄膜素子用基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
　図１６は、本発明の薄膜素子用基板の製造方法により製造される薄膜素子用基板の一例を示す概略断面図である。本発明においては、所定の方法で算出した相対溶存酸素飽和率が９５％以下となるようにポリイミド樹脂組成物を脱気した後、金属基材上にポリイミド樹脂組成物を塗布し、熱処理によりイミド化して、図１６に例示するように金属基材５２上に絶縁層５３を形成する。この際、表面粗さＲａが３０ｎｍ以下となる絶縁層５３が形成される。このようにして薄膜素子用基板５０が得られる。

　ポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する場合、ポリイミド樹脂組成物を塗布して乾燥する際に塗膜の表面にスキン層が生成し、溶媒や水が蒸発し難くなったり、気体が脱離し難くなったりするおそれがある。そのため、ポリイミド樹脂組成物中に気泡が含まれていたり、ポリイミド樹脂組成物中に気体が溶存していたりすると、気泡を内包する絶縁層が形成されてしまう。
　これに対し本発明においては、絶縁層を形成する前にポリイミド樹脂組成物を脱気するので、絶縁層中の気泡を低減することができる。特に、所定の方法で算出した相対溶存酸素飽和率が９５％以下となるように、ポリイミド樹脂組成物を脱気するので、絶縁層においてマイクロメートルオーダーの気泡だけでなくナノメートルオーダーの気泡も低減することができる。これにより、表面粗さＲａが３０ｎｍ以下の表面平滑性に優れる絶縁層を形成することが可能である。また、金属基材表面に凹凸が存在する場合であっても、金属基材上に絶縁層を形成することで金属基材表面の凹凸を平坦化することができ、薄膜素子用基板の表面平滑性を改善することができる。よって、本発明により製造される薄膜素子用基板を用いることにより、特性の良好な薄膜素子を得ることが可能となる。

　図１７は、本発明の薄膜素子用基板の製造方法により製造される薄膜素子用基板の他の例を示す概略断面図である。本発明においては、図１７に例示するように絶縁層５３上に無機化合物を含む密着層５４を形成することが好ましい。

　本発明において、密着層は無機化合物を蒸着して形成されるものであり膜厚が薄いことから、絶縁層が表面平滑性に劣る場合には絶縁層上に形成される密着層の表面平滑性も低下するが、上述したように絶縁層が表面平滑性に優れていれば絶縁層上に形成される密着層の表面平滑性も良好なものとなる。したがって、絶縁層上に密着層を形成する場合であっても、薄膜素子の特性の低下を防ぐことが可能である。

　また本発明において、絶縁層上に密着層を形成する場合には、薄膜素子部との密着性を高めることができる。したがって、薄膜素子部の製造時に水分や熱が加わって絶縁層の寸法が変化した場合であっても、薄膜素子部を構成する部材、例えばＴＦＴを構成する電極や半導体層に、剥離やクラックが生じるのを防ぐことができる。

　また本発明によれば、金属基材によって水分や酸素の透過を低減することができるので、水分や酸素による薄膜素子部の劣化を抑制することができ、また素子内の湿度を保ち、湿度変化による特性の低下を抑制することができる。
　さらに、一般に金属基材は熱伝導性に優れるので、薄膜素子用基板に放熱性を付与することができる。すなわち、薄膜素子用基板は、水分の遮断性が高いとともに、熱を速やかに伝導もしくは放射することができる。例えば薄膜素子用基板を有機ＥＬ素子に用いる場合、有機ＥＬ素子の発光時の発熱による悪影響を抑制することができ、発光特性を長期間に亘って安定して維持することができるとともに、発光ムラのない均一な発光を実現し、かつ寿命の短縮や素子破壊を低減することが可能である。
　また、金属基材を有することで、薄膜素子用基板の強度を高めることができるので、耐久性を向上させることができる。

　本発明により製造される薄膜素子用基板は、例えば上記第１実施態様の項に記載した図１３（ａ）～図１５（ｂ）のように用いられるものである。

　１．脱気工程
　本発明における脱気工程は、所定の方法で算出した相対溶存酸素飽和率が９５％以下となるように、ポリイミド樹脂組成物を脱気する工程である。

　なお、ポリイミド樹脂組成物については、上記第１実施態様の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。以下、ポリイミド樹脂組成物の脱気について説明する。

　ポリイミド樹脂組成物を脱気する方法としては、所定の方法で算出した相対溶存酸素飽和率を９５％以下とすることができる方法であれば特に限定されるものではなく、例えば、真空脱気、超音波脱気、多孔質膜を用いた脱気、非多孔質膜を用いた脱気などが挙げられる。真空脱気は、ポリイミド樹脂組成物を減圧して溶存気体の溶解度を下げる方法である。超音波脱気は、ポリイミド樹脂組成物に超音波振動を与えて分子振動で溶存気体を追い出す方法である。多孔質膜または非多孔質膜を用いた脱気は、膜への気体透過とポリイミド樹脂組成物中の気体の濃度差、圧力差を応用してポリイミド樹脂組成物中の溶存気体を除去する方法である。これらの脱気方法は、単独で用いてもよく、組み合わせてもよい。中でも、真空脱気、真空脱気および超音波脱気の併用、インラインでの多孔質膜または非多孔質膜を用いた脱気が好ましい。

　真空脱気の際の圧力としては、ポリイミド樹脂組成物中の溶存酸素を除去することができれば特に限定されるものではなく、ポリイミド樹脂組成物に用いる溶媒の蒸気圧に応じて適宜設定することが好ましい。中でも、真空脱気の際の圧力は、ポリイミド組成物に用いる溶媒の蒸気圧の１．１倍以上であることが好ましい。具体的に、真空脱気の際の圧力は、５０，０００Ｐａ～１Ｐａの範囲内であることが好ましく、中でも１０，０００Ｐａ～１Ｐａの範囲内、特に１，０００Ｐａ～１Ｐａの範囲内であることが好ましい。圧力が高いと脱気の効果が得られにくく、圧力が低いと溶媒が揮発してポリイミド樹脂組成物の濃度や粘度が変わり絶縁層の形成に悪影響を及ぼすからである。
　また、真空脱気の際の時間としては、ポリイミド樹脂組成物中の溶存酸素を除去することができれば特に限定されるものではなく、例えば１分～６０分程度とすることができる。

　超音波脱気の際の超音波の周波数としては、ポリイミド樹脂組成物中の溶存酸素を除去することができれば特に限定されるものではないが、１５ｋＨｚ～４００ｋＨｚ程度であることが好ましい。

　超音波脱気の際の温度としては、ポリイミド樹脂組成物中の溶存酸素を除去することができれば特に限定されるものではないが、０℃～１００℃の範囲内であることが好ましく、中でも０℃～８０℃の範囲内、特に０℃～５０℃の範囲内が好ましい。温度が低いとポリイミド樹脂組成物の粘度が高い場合には脱気効率が低下し、温度が高いとポリイミド樹脂組成物の保存安定性等の特性が変化するおそれがあるからである。
　また、超音波脱気の際の時間としては、ポリイミド樹脂組成物中の溶存酸素を除去することができれば特に限定されるものではなく、例えば１分～６０分程度とすることができる。

　多孔質膜または非多孔質膜を用いた脱気には、例えば、ＥＲＣ社製の脱気装置を用いることができる。

　本発明において、脱気工程は後述の絶縁層形成工程の直前に行うことが好ましい。ここで、絶縁層に気泡が内包される理由としては、上述したようなポリイミド樹脂組成物に含まれる気泡やポリイミド樹脂組成物中に溶存する気体、さらにはポリイミド樹脂組成物に含まれる水が関係するものと考えられる。脱気後のポリイミド樹脂組成物を任意の時間で放置すると、ポリイミド樹脂組成物中で気泡が発生したり、ポリイミド樹脂組成物中に気体が溶解したり、ポリイミド樹脂組成物が吸湿したりするおそれがある。したがって、絶縁層に内包される気泡を効果的に低減するには、絶縁層形成工程の直前に脱気工程を行うことが好ましいのである。

　なお、「直前」とは、ポリイミド樹脂組成物を脱気した後、ポリイミド樹脂組成物を塗布するまでの時間が６０分以下である場合をいう。上記時間は、好ましくは２０分以下、より好ましくは１０分以下である。

　本工程においては、下記方法で算出した相対溶存酸素飽和率が９５％以下となるように、ポリイミド樹脂組成物を脱気する。
＜相対溶存酸素飽和率の算出方法＞
まず、ポリイミド樹脂組成物に含まれる溶媒に空気を３０分以上バブリングした溶存酸素飽和溶媒を用いて、全く酸素が溶存していない上記溶媒の溶存酸素量の測定値が０、上記溶存酸素飽和溶媒の溶存酸素量の測定値が１００となるように、溶存酸素量計の校正を行う。次に、校正された上記溶存酸素量計により、ポリイミド樹脂組成物を大気下で１時間以上静置した基準ポリイミド樹脂組成物の溶存酸素量の相対値と、ポリイミド樹脂組成物を脱気した脱気ポリイミド樹脂組成物の溶存酸素量の相対値とを測定する。そして、上記基準ポリイミド樹脂組成物の溶存酸素量の相対値を１００％としたときの、上記脱気ポリイミド樹脂組成物の溶存酸素量の相対値を、相対溶存酸素飽和率とする。

　上記の溶存酸素量の測定に用いられる溶存酸素量計としては、例えば「Ｂ－５０６」（飯島電子工業株式会社製）などの酸素センサーを用いることができる。
　上記相対溶存酸素飽和率は、９５％以下であり、９０％以下であることが好ましく、８５％以下であることがより好ましい。

　２．絶縁層形成工程
　本発明における絶縁層形成工程は、金属基材上に、上記ポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する工程である。
　なお、絶縁層形成工程については、上記第１実施態様の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
　また、金属基材については、上記「Ｆ．薄膜素子用基板　２．金属基材」の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。

　３．金属基材表面処理工程
　本発明においては、上記絶縁層形成工程前に、上記金属基材に薬液処理を施す金属基材表面処理工程を有することが好ましい。
　なお、金属基材表面処理工程については、上記第１実施態様の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。

　４．密着層形成工程
　本発明においては、上記絶縁層形成工程後に、絶縁層上に、無機化合物を含む密着層を形成する密着層形成工程を有していてもよい。
　なお、密着層形成工程については、上記第１実施態様の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。

　Ｊ．薄膜素子の製造方法
　次に、本発明の薄膜素子の製造方法について説明する。
　本発明の薄膜素子の製造方法は、上述の薄膜素子用基板の製造方法により製造される薄膜素子用基板上に、薄膜素子部を形成する薄膜素子部形成工程を有することを特徴とするものである。

　本発明においては、表面平滑性に優れる薄膜素子用基板上に薄膜素子部を形成するので、特性に優れる薄膜素子を得ることができる。
　また、薄膜素子用基板は酸素や水蒸気に対するガスバリア性を有するので、水分や酸素による素子性能の劣化を抑制することができ、また素子内の湿度を一定に保ち湿度変化による特性の劣化を抑制することができる。さらに、薄膜素子用基板はガスバリア性だけでなく放熱性を有するので、例えば薄膜素子部として有機ＥＬ素子を作製した場合、発光特性を長期間に亘って安定して維持することができるとともに、発光ムラのない均一な発光を実現し、かつ寿命の短縮や素子破壊を低減することが可能である。
　また、薄膜素子用基板において絶縁層上に密着層が形成されている場合には、薄膜素子用基板上に密着性良く薄膜素子部を形成することができ、薄膜素子の製造時に水分や熱が加わってポリイミドを含む絶縁層の寸法が変化した場合であっても、薄膜素子部を構成する部材に剥離やクラックが生じるのを防ぐことができる。

　なお、薄膜素子部については、上記「Ｇ．薄膜素子」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。

　Ｋ．ＴＦＴの製造方法
　次に、本発明のＴＦＴの製造方法について説明する。
　本発明のＴＦＴの製造方法は、上述の薄膜素子用基板の製造方法により製造される薄膜素子用基板上に、ＴＦＴを形成するＴＦＴ形成工程を有することを特徴とするものである。

　図１３（ａ）～図１５（ｂ）は、本発明のＴＦＴの製造方法により製造されるＴＦＴの例を示す概略断面図である。図１３（ａ）に例示するＴＦＴ６０は、トップゲート・ボトムコンタクト構造を有するＴＦＴを備え、図１３（ｂ）に例示するＴＦＴ６０は、トップゲート・トップコンタクト構造を有するＴＦＴを備えている。図１４（ａ）に例示するＴＦＴ６０は、ボトムゲート・ボトムコンタクト構造を有するＴＦＴを備え、図１４（ｂ）に例示するＴＦＴ６０は、ボトムゲート・トップコンタクト構造を有するＴＦＴを備えている。図１５（ａ）、（ｂ）に例示するＴＦＴ６０は、コプレーナ型構造を有するＴＦＴを備えている。なお、図１３（ａ）～図１５（ｂ）に示すＴＦＴの各構成については、上記「Ａ．薄膜素子用基板の製造方法」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。

　本発明においては、表面平滑性に優れる薄膜素子用基板上にＴＦＴを形成するので、電気的性能の良好なＴＦＴを得ることができる。
　また、薄膜素子用基板は酸素や水蒸気に対するガスバリア性を有するので、ＴＦＴを用いて有機ＥＬ表示装置を作製した場合には水分や酸素による素子性能の劣化を抑制することができ、またＴＦＴを用いて電子ペーパーを作製した場合には素子内の湿度を一定に保ち湿度変化による表示特性の劣化を抑制することができる。さらに、薄膜素子用基板はガスバリア性だけでなく放熱性を有するので、ＴＦＴを用いて有機ＥＬ表示装置を作製した場合、発光特性を長期間に亘って安定して維持することができるとともに、発光ムラのない均一な発光を実現し、かつ寿命の短縮や素子破壊を低減することが可能である。
　また、薄膜素子用基板において絶縁層上に密着層が形成されている場合には、薄膜素子用基板上に密着性良くＴＦＴを形成することができ、ＴＦＴの製造時に水分や熱が加わってポリイミドを含む絶縁層の寸法が変化した場合であっても、電極や半導体層に剥離やクラックが生じるのを防ぐことができる。

　なお、ＴＦＴについては、上記「Ｂ．フレキシブルデバイス用ＴＦＴ基板」の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。また、ＴＦＴの用途については、上記「Ｈ．ＴＦＴ」の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。

　本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

　以下、本発明について実施例および比較例を用いて具体的に説明する。
　［製造例］
　１．ポリイミド前駆体溶液の調製
　（製造例１）
　４，４’－ジアミノジフェニルエーテル（ＯＤＡ）　４．０ｇ（２０ｍｍｏｌ）とパラフェニレンジアミン（ＰＰＤ）　８．６５ｇ（８０ｍｍｏｌ）とを５００ｍｌのセパラブルフラスコに投入し、２００ｇの脱水されたＮ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）に溶解させ、窒素気流下、オイルバスによって液温が５０℃になるように熱電対でモニターし加熱しながら撹拌した。それらが完全に溶解したことを確認した後、そこへ、少しずつ３０分かけて３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸２無水物（ＢＰＤＡ）　２９．１ｇ（９９ｍｍｏｌ）を添加し、添加終了後、５０℃で５時間撹拌した。その後室温まで冷却し、ポリイミド前駆体溶液１を得た。

　（製造例２）
　反応温度および溶液の濃度が、１７重量％～１９重量％になるようにＮＭＰの量を調整した以外は、製造例１と同様の方法で、下記表１に示す配合比でポリイミド前駆体溶液２～１５およびポリイミド前駆体溶液Ｚ（比較例）を合成した。
　酸二無水物としては、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）、ｐ－フェニレンビストリメリット酸モノエステル酸二無水物（ＴＡＨＱ）、ｐ－ビフェニレンビストリメリット酸モノエステル酸二無水物（ＢＰＴＭＥ）を用いた。ジアミンとしては、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル（ＯＤＡ）、パラフェニレンジアミン（ＰＰＤ）、1,4-Bis(4-aminophenoxy)benzene（4APB）、2,2′-Dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl（TBHG）、2,2′-Bis(trifluoromethyl)-4,4′-diaminobiphenyl（TFMB）の１種または２種を用いた。

　（製造例３）
　感光性ポリイミドとするために、上記ポリイミド前駆体溶液１に{[(4,5-dimethoxy-2-nitrobenzyl) oxy]carbonyl} 2,6-dimethyl piperidine (DNCDP)を溶液の固形分の１５重量％添加し、感光性ポリイミド前駆体溶液１とした。

　（製造例４）
　感光性ポリイミドとするために、上記ポリイミド前駆体溶液１に２－ヒドロキシ－５－メトキシ－桂皮酸とピペリジンとから合成したアミド化合物（ＨＭＣＰ）を溶液の固形分の１０重量％添加し、感光性ポリイミド前駆体溶液２とした。

　（線熱膨張係数および吸湿膨張係数の評価）
　上記ポリイミド前駆体溶液１～１５およびポリイミド前駆体溶液Ｚを、ガラス上に貼り付けた耐熱フィルム（ユーピレックスＳ　５０Ｓ：宇部興産（株）製）に塗布し、８０℃のホットプレート上で１０分乾燥させた後、耐熱フィルムから剥離し、膜厚１５μｍ～２０μｍのフィルムを得た。その後、そのフィルムを金属製の枠に固定し、窒素雰囲気下、３５０℃、１時間熱処理し（昇温速度　１０℃／分、自然放冷）、膜厚９μｍ～１５μｍのポリイミド１～１５およびポリイミドＺのフィルムを得た。
　また、上記感光性ポリイミド前駆体溶液１および２を、ガラス上に貼り付けた耐熱フィルム（ユーピレックスＳ　５０Ｓ：宇部興産（株）製）に塗布し、１００℃のホットプレート上で１０分乾燥させた後、高圧水銀灯により３６５ｎｍの波長の照度換算で２０００ｍＪ／ｃｍ²露光後、ホットプレート上で１７０℃１０分加熱した後、耐熱フィルムより剥離し、膜厚１０μｍのフィルムを得た。その後、そのフィルムを金属製の枠に固定し、窒素雰囲気下、３５０℃、１時間熱処理し（昇温速度　１０℃／分、自然放冷）、膜厚６μｍの感光性ポリイミド１および感光性ポリイミド２のフィルムを得た。

　＜線熱膨張係数＞
　上記の手法により作製したフィルムを幅５ｍｍ×長さ２０ｍｍに切断し、評価サンプルとして用いた。線熱膨張係数は、熱機械的分析装置Ｔｈｅｒｍｏ　Ｐｌｕｓ　ＴＭＡ８３１０（リガク社製）によって測定した。測定条件は、評価サンプルの観測長を１５ｍｍ、昇温速度を１０℃／min、評価サンプルの断面積当たりの加重が同じになるように引張り加重を１ｇ／２５０００μｍ²とし、１００℃～２００℃の範囲の平均の線熱膨張係数を線熱膨張係数（C.T.E.）とした。

　＜湿度膨張係数＞
　上記の手法により作製したフィルムを幅５ｍｍ×長さ２０ｍｍに切断し、評価サンプルとして用いた。湿度膨張係数は、湿度可変機械的分析装置Ｔｈｅｒｍｏ　Ｐｌｕｓ　ＴＭＡ８３１０改（リガク社製）によって測定した。温度を２５℃で一定とし、まず、湿度を１５％ＲＨの環境下でサンプルが安定となった状態とし、概ね３０分～２時間その状態を保持した後、測定部位の湿度を２０％ＲＨとし、さらにサンプルが安定になるまで３０分～２時間その状態を保持した。その後、湿度を５０％ＲＨに変化させ、それが安定となった際のサンプル長と２０％ＲＨで安定となった状態でのサンプル長との違いを、湿度の変化（この場合５０－２０の３０）で割り、その値をサンプル長で割った値を湿度膨張係数（C.H.E.）とした。この際、評価サンプルの断面積当たりの加重が同じになるように引張り加重を１ｇ／２５０００μｍ²とした。

　（基板反り評価）
　厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４－ＨＴＡ箔（東洋精箔製）上に、上記のポリイミド前駆体溶液１～１５およびＺ、ならびに感光性ポリイミド前駆体溶液１，２を用い、イミド化後の膜厚が１０μｍ±１μｍになるように線熱膨張係数評価のサンプル作成と同様のプロセス条件で、ポリイミド１～１５およびＺのポリイミド膜、ならびに感光性ポリイミド１，２のポリイミド膜を形成した。その後、ＳＵＳ３０４箔およびポリイミド膜の積層体を幅１０ｍｍ×長さ５０ｍｍに切断し、基板反り評価用のサンプルとした。

　このサンプルを、ＳＵＳ板表面にサンプルの短辺の片方のみをカプトンテープにより固定し、１００℃のオーブンで１時間加熱した後、１００℃に加熱されたオーブン内で、サンプルの反対側の短辺のＳＵＳ板からの距離を測定した。そのときの距離が、０ｍｍ以上０．５ｍｍ以下のサンプルを○、０．５ｍｍ超１．０ｍｍ以下のサンプルを△、１．０ｍｍ超のサンプルを×と判断した。
　同様にこのサンプルを、ＳＵＳ板表面にサンプルの短辺の片方のみをカプトンテープにより固定し、２３℃８５％Ｒｈの状態の恒温恒湿槽に１時間静置したときの、サンプルの反対側の短辺のＳＵＳ板からの距離を測定した。そのときの距離が、０ｍｍ以上０．５ｍｍ以下のサンプルを○、０．５ｍｍ超１．０ｍｍ以下のサンプルを△、１．０ｍｍ超のサンプルを×と判断した。
　これらの評価結果を以下に示す。

　ＳＵＳ３０４箔の線熱膨張係数は１７ｐｐｍ／℃であることから、ポリイミド膜と金属箔との線熱膨張係数の差が大きいと積層体の反りが大きいことが確認された。
　また、表２より、ポリイミド膜の吸湿膨張係数が小さいほど高湿環境下での積層体の反りが小さいことがわかる。

　２．平坦化層（絶縁層）の形成
　（平坦化層（絶縁層）の形成１）
　１５ｃｍ角に切り出した厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４－ＨＴＡ箔（東洋精箔製）上に、上記ポリイミド前駆体溶液１～１５をダイコーターでコーティングし、８０℃のオーブン中、大気下で６０分乾燥させた後、窒素雰囲気下、３５０℃、１時間熱処理し（昇温速度　１０℃／分、自然放冷）、膜厚６μｍ～１２μｍのポリイミド１～１５のポリイミド膜を形成し、積層体１～１５を得た。
　積層体１～１５のうち、積層体１，２，３，５，６，８，９，１０，１２，１５は、温度や湿度環境の変化に対しても反りが発生しなかった。一方、積層体４，７，１１，１３，１４は、反りが目立った。

　（平坦化層（絶縁層）の形成２（平坦化層（絶縁層）パターン））
　１５ｃｍ角に切り出した厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４－ＨＴＡ箔（東洋精箔製）上に、上記ポリイミド前駆体溶液１をダイコーターでコーティングし、８０℃のオーブン中、大気下で６０分乾燥させた後、ポリイミド前駆体膜上に、正方形のＳＵＳ箔の三辺について外縁部より１５ｍｍ幅でレジストが除去されるように、レジスト製版し現像と同時にポリイミド前駆体膜を現像し、その後、レジストパターンを剥離したのち、窒素雰囲気下、３５０℃、１時間熱処理し（昇温速度　１０℃／分、自然放冷）、外縁部の平坦化層が除去された積層体１Ｐを得た。
　積層体１Ｐは、温度や湿度環境の変化に対しても反りが発生しなかった。

　（平坦化層（絶縁層）の形成３（平坦化層（絶縁層）パターン））
　上記積層体１０のポリイミド膜上に、正方形のＳＵＳ箔の三辺について外縁部より１５ｍｍ幅でレジストが除去されるように、レジストパターンを形成した。ポリイミド膜が露出している部分を、ポリイミドエッチング液TPE-3000（東レエンジニアリング製）を用いて、除去後、レジストパターンを剥離し、外縁部の平坦化層が除去された積層体１０Ｐを得た。
　積層体１０Ｐは、温度や湿度環境の変化に対しても反りが発生しなかった。

　（平坦化層（絶縁層）の形成４（平坦化層（絶縁層）パターン））
　１５ｃｍ角に切り出した厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４－ＨＴＡ箔（東洋精箔製）上に、上記感光性ポリイミド前駆体溶液１および２をそれぞれダイコーターでコーティングし、８０℃のオーブン中、大気下で６０分乾燥させた。次いで、正方形のＳＵＳ箔の三辺について外縁部より１５ｍｍ幅で（紫外線が照射されないように）マスクし、高圧水銀灯により３６５ｎｍの波長の照度換算で２０００ｍＪ／ｃｍ²露光後、ホットプレート上で１７０℃１０分加熱した後、窒素雰囲気下、３５０℃、１時間熱処理し（昇温速度　１０℃／分、自然放冷）、膜厚３μｍの感光性ポリイミド１および感光性ポリイミド２のポリイミド膜を形成し、積層体１１および１２を得た。
　積層体１１，１２は、温度や湿度環境の変化に対しても反りが発生しなかった。

　（平坦化層の形成５（金属箔表面凹凸））
　まず、上記積層体１の両面にドライフィルムレジストをラミネートした。次いで、積層体１のＳＵＳ箔側から２００μｍ幅のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）で筋状にレジストが除去されるように露光し、積層体１の平坦化層側から全面露光した後、レジスト製版を行った。その後、塩化第二鉄溶液を用いて、レジストの開口部にてＳＵＳ箔の厚みが９μｍ残存するようにＳＵＳ箔をハーフエッチングした後、レジストパターンを剥離することにより、ＳＵＳ箔が２００μｍ幅でハーフエッチングされた積層体１Ｈを得た。
　積層体１Ｈは、温度や湿度環境の変化に対しても反りが発生しなかった。

　（平坦化層の形成６（金属箔表面凹凸））
　まず、上記積層体１の両面にドライフィルムレジストをラミネートした。次いで、積層体１のＳＵＳ箔側から５０μｍ角のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）で等間隔にレジストが除去されるように露光し、積層体１の平坦化層側から全面露光した後、レジスト製版を行った。その後、塩化第二鉄溶液を用いて、レジストの開口部にてＳＵＳ箔の厚みが９μｍ残存するようにＳＵＳ箔をハーフエッチングした後、レジストパターンを剥離することにより、ＳＵＳ箔が５０μｍ角でハーフエッチングされた積層体１Ｈ′を得た。
　積層体１Ｈ′は、温度や湿度環境の変化に対しても反りが発生しなかった。

　（平坦性評価）
　積層体１およびＳＵＳ箔の表面粗さＲａを測定した。
　まず、Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ　Ｖ　ｍｕｌｔｉｍｏｄｅ（Ｖｅｅｃｏ社製）を用いて、タッピングモードで、カンチレバー：ＭＰＰ１１１００、走査範囲：５０μｍ×５０μｍ、走査速度：０．５Ｈｚにて、表面形状を撮像し、得られた像から算出した粗さ曲線の中心線からの平均のずれを算出することより、積層体１の表面粗さＲａを求めた。積層体１の５０μｍ×５０μｍにおける表面粗さＲａは６．２ｎｍであった。
　次いで、Ｎｅｗ　Ｖｉｅｗ　５０００（Ｚｙｇｏ社製）を用いて、対物レンズ：１００倍、ズームレンズ：２倍、Ｓｃａｎ　Ｌｅｎｇｔｈ：１５μｍにて、５０μｍ×５０μｍの範囲の表面形状を撮像し、得られた像から算出した粗さ曲線の中心線からの平均のずれを算出することより、積層体１の表面粗さＲａを求めた。積層体１の５０μｍ×５０μｍにおける表面粗さＲａは９．３ｎｍであった。

　同様に、Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ　Ｖ　ｍｕｌｔｉｍｏｄｅ（Ｖｅｅｃｏ社製）を用いて測定した、ＳＵＳ３０４－ＨＴＡ箔（東洋精箔製）の５０μｍ×５０μｍにおける表面粗さＲａは１２８ｎｍ、Ｎｅｗ　Ｖｉｅｗ　５０００（Ｚｙｇｏ社製）を用いて測定した５０μｍ×５０μｍにおける表面粗さＲａは１５０ｎｍであった。

　３．ＳＵＳ箔の表面処理
　厚さ２０μｍのＳＵＳ３０４－ＨＴＡ箔（東洋精箔製）を１５ｃｍ角に切り出し、下記表３に示す薬液および処理条件にて表面処理を行った。
　表面処理前のＳＵＳ箔および表面処理後の各ＳＵＳ箔表面の、ポリイミド樹脂組成物の溶媒であるＮＭＰに対する接触角について、接触角測定器（協和界面化学（株）製ＤＭ５００型）を用いて測定（マイクロシリンジから液滴１．５μＬを滴下して２秒後）した。接触角については、同一サンプル上で５点測定し、その平均値から算出した。
　また、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）を用いて、表面処理前のＳＵＳ箔および表面処理後の各ＳＵＳ箔表面における検出全元素と炭素の原子数の存在比を算出した。
　さらに、表面処理前のＳＵＳ箔および表面処理後の各ＳＵＳ箔について、上記ポリイミド前駆体溶液１をダイコーターでコーティングし、８０℃のオーブン中、大気下で６０分乾燥させて、塗布性を確認した。その結果、表面処理前のサンプルについては、時折ピンホールが発生した。また、処理例４については、時折塗布ムラが発生した。処理例１，２，３，５，６のサンプルについては、ピンホールや塗布ムラは発生せず、塗布性は良好であった。

　また、表面処理を施していない各種のＳＵＳ箔について、ポリイミド樹脂組成物の溶媒であるＮＭＰに対する接触角を測定した。

　表面処理を施していない各種のＳＵＳ箔については、接触角の値にばらつきが見られた。これは、ＳＵＳ箔表面の有機成分の残存度合いに差があるためだと思われる。

　４．ポリイミド前駆体溶液（ポリイミド樹脂組成物）の脱気
　上記ポリイミド前駆体溶液１を固形分１０％となるようにＮＭＰ溶媒で希釈した後、ガラス製のサンプル管に５０ｍＬずつ分取した。
　（脱気方法）
　（１）超音波
　分取したサンプルについて、サンプル管の蓋を閉めたまま超音波洗浄機ＵＴ－１０６(シャープマニファクチャリングシステム株式会社製)を用いて、１００Ｗ　３７ｋＨｚで室温で１０分間超音波処理をした。
　（２）真空
　分取したサンプルについて、サンプル管の蓋をあけて、検体乾燥機に入れ、真空ポンプを用いて減圧し、圧力が３００Ｐａ未満に到達後１５分間減圧処理を行った。この際、最終到達圧力は２３０Ｐａであった。

　（溶存酸素量の測定）
　脱気したサンプルについて直ちに、酸素センサー「Ｂ－５０６」「ＭＡ－３００Ｇ」「ＷＡ－ＢＲＰ」（飯島電子工業株式会社製）を用いて溶存酸素量の測定を行った。
　まず、基準として、Ｎ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）に空気を３０分以上バブリングした溶存酸素飽和溶媒（溶存酸素飽和ＮＭＰ）について、酸素センサーを用いて溶存酸素量を測定し、全く酸素が溶存していないＮＭＰの溶存酸素量の測定値が０、溶存酸素飽和ＮＭＰの溶存酸素量の測定値が１００となるように、酸素センサーの校正を行った。次に、校正した酸素センサーにより、大気下で１時間静置した基準ポリイミド前駆体溶液の溶存酸素量の相対値と、脱気したサンプルの溶存酸素量の相対値とを測定した。続いて、脱気したサンプルについて、基準ポリイミド前駆体溶液の溶存酸素量の相対値を１００％としたときの、脱気したサンプルの溶存酸素量の相対値（相対溶存酸素飽和率）を算出した。比較として、大気下で１時間静置したＮＭＰについても測定を行った。

　真空と比べて、超音波のみでは脱気の効果が小さいことが明らかとなった。また、真空のみでも、超音波と真空を組み合わせても、脱気の効果としてはさほど変わらないことが明らかとなった。

　（脱気後の経時変化）
　超音波（１０分）および真空（１５分）にて脱気したサンプルについて、さらに大気下で静置し、溶存酸素量の経時変化を観測した。１０分後までは低い溶存酸素量が維持されたが、それ以上の時間が経過すると大気からの吸収により脱気の効果が下がり、１２０分経過では脱気前に完全に戻ることがわかった。

　５－１．絶縁層の平坦性
　（絶縁層１の形成）
　上記表３の処理例１の表面処理を施したＳＵＳ箔上に、上記ポリイミド前駆体溶液１をイミド化後の膜厚が７μｍ±１μｍになるようにスピンコーターでコーティングし、１００℃のホットプレートで１５分間乾燥後、窒素雰囲気下、３５０℃１時間熱処理し（昇温速度１０℃／分、自然放冷）、絶縁層１を形成した。
　（絶縁層２の形成）
　上記表３の表面処理前のＳＵＳ箔を用いて、上記絶縁層１の形成と同様にして、絶縁層２を形成した。
　（絶縁層３の形成）
　ポリイミド前駆体溶液１をガラス製のサンプル管に５０ｍＬ分取したサンプルについて、サンプル管の蓋を閉めたまま超音波洗浄機ＵＴ－１０６(シャープマニファクチャリングシステム株式会社製)を用いて、１００Ｗ　３７ｋＨｚで室温で１０分間超音波処理をした。その後、サンプル管の蓋をあけて、検体乾燥機に入れ、真空ポンプを用いて減圧し、圧力が３００Ｐａ未満に到達後２０分間減圧処理を行った。次いで、上記表３の処理例１の表面処理を施したＳＵＳ箔上に、脱気後のポリイミド前駆体溶液１を、イミド化後の膜厚が７μｍ±１μｍになるようにスピンコーターでコーティングし、１００℃のホットプレートで。１５分間乾燥後、窒素雰囲気下、３５０℃１時間熱処理し（昇温速度１０℃／分、自然放冷）、絶縁層３を形成した。

　（表面粗さの測定）
　絶縁層１～３の表面粗さＲａを測定した。
　Ｎｅｗ　Ｖｉｅｗ　５０００（Ｚｙｇｏ社製）を用いて、（１）対物レンズ：１０倍、ズームレンズ：１倍、Ｓｃａｎ　Ｌｅｎｇｔｈ：１５μｍにて、１０００μｍ×１０００μｍの範囲、（２）対物レンズ：５０倍、ズームレンズ：１倍、Ｓｃａｎ　Ｌｅｎｇｔｈ：１５μｍにて、２００μｍ×２００μｍの範囲、（３）対物レンズ：１００倍、ズームレンズ：１倍、Ｓｃａｎ　Ｌｅｎｇｔｈ：１５μｍにて、１００μｍ×１００μｍの範囲、（４）対物レンズ：１００倍、ズームレンズ：２倍、Ｓｃａｎ　Ｌｅｎｇｔｈ：１５μｍにて、５０μｍ×５０μｍの範囲の表面形状をそれぞれ撮像し、得られた像から算出した粗さ曲線の中心線からの平均のずれを算出することより、各絶縁層の表面粗さＲａ（単位：ｎｍ）を求めた。

　表面処理により、絶縁層表面の平坦性が上がることが明らかとなった。また、脱気を併用することによりさらに効果が上がることも明らかとなった。

　５－２．絶縁層の平坦性
　（絶縁層１の形成）
　まず、上記ポリイミド前駆体溶液１を上記表５の脱気方法３にて脱気した。次いで、ガラスに貼り付けた９０ｍｍ角の厚さ２０μｍのＳＵＳ３０４－ＨＴＡ箔（東洋精箔製）に、脱気後のポリイミド前駆体溶液１をイミド化後の膜厚が７μｍ±１μｍになるようにスピンコーターでコーティングし、１００℃のホットプレートで１５分間乾燥後、窒素雰囲気下、３５０℃１時間、熱処理し（昇温速度　１０℃／分、自然放冷）、絶縁層１を形成した。
　（絶縁層２の形成）
　まず、厚さ２０μｍのＳＵＳ３０４－ＨＴＡ箔（東洋精箔製）を１５ｃｍ角に切り出し、１０％硫酸を用いて室温下で１分間表面処理を行った。次いで、上記ポリイミド前駆体溶液１を上記表５の脱気方法３にて脱気した。続いて、表面処理後のＳＵＳ箔を９０ｍｍ角に切り出したサンプルをガラスに貼り付け、脱気後のポリイミド前駆体溶液１をイミド化後の膜厚が７μｍ±１μｍになるようにスピンコーターでコーティングし、１００℃のホットプレートで１５分間乾燥後、窒素雰囲気下、３５０℃１時間、熱処理し（昇温速度　１０℃／分、自然放冷）、絶縁層２を形成した。
　（絶縁層３の形成）
　ガラスに貼り付けた９０ｍｍ角の厚さ２０μｍのＳＵＳ３０４－ＨＴＡ箔（東洋精箔製）に、上記ポリイミド前駆体溶液１をイミド化後の膜厚が７μｍ±１μｍになるようにスピンコーターでコーティングし、１００℃のホットプレートで１５分間乾燥後、窒素雰囲気下、３５０℃１時間、熱処理し（昇温速度　１０℃／分、自然放冷）、絶縁層３を形成した。

　（表面粗さＲａの測定）
　表面粗さの測定は上述と同様である。

　脱気により、絶縁層表面の平坦性が上がることが明らかとなった。また、表面処理を併用することによりさらに効果が上がることも明らかとなった。

　６．密着層の平坦性
　（密着層の形成）
　ポリイミド前駆体溶液１をガラス製のサンプル管に５０ｍＬ分取したサンプルについて、サンプル管の蓋を閉めたまま超音波洗浄機ＵＴ－１０６(シャープマニファクチャリングシステム株式会社製)を用いて、１００Ｗ　３７ｋＨｚで室温で１０分間超音波処理をした。その後、サンプル管の蓋をあけて、検体乾燥機に入れ、真空ポンプを用いて減圧し、圧力が３００Ｐａ未満に到達後２０分間減圧処理を行った。
　１０％硫酸に１分間浸漬させた、厚さ１００μｍのＳＵＳ３０４－ＨＴＡ基材（小山鋼材社製）上に、脱気処理を行ったポリイミド前駆体溶液１を用いて、イミド化後の膜厚が７μｍ±１μｍになるようにスピンコーターでコーティングし、１００℃のオーブン中、大気下で６０分乾燥させた後、窒素雰囲気下、３５０℃１時間、熱処理し（昇温速度　１０℃／分、自然放冷）、絶縁層を形成した。
　次に、絶縁層上に、第１密着層としてのアルミニウム膜をＤＣスパッタリング法（成膜圧力０．２Ｐａ（アルゴン）、投入電力１ｋＷ、成膜時間１０秒）により厚さ５ｎｍで形成した。次いで、第２密着層としての酸化シリコン膜をＲＦマグネトロンスパッタリング法（成膜圧力０．３Ｐａ（アルゴン：酸素＝３：１）、投入電力２ｋＷ、成膜時間３０分）により厚さ１００ｎｍで形成した。これにより、薄膜素子用基板を得た。

　（表面粗さの測定）
　絶縁層について、Ｎｅｗ　Ｖｉｅｗ　５０００（Ｚｙｇｏ社製）を用いて測定した５０μｍ×５０μｍにおける表面粗さＲａは１３．２ｎｍであった。
　密着層について、Ｎｅｗ　Ｖｉｅｗ　５０００（Ｚｙｇｏ社製）を用いて測定した５０μｍ×５０μｍにおける表面粗さＲａは２３．５ｎｍであった。また、Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ　Ｖ　ｍｕｌｔｉｍｏｄｅ（Ｖｅｅｃｏ社製）を用いて測定した５０μｍ×５０μｍにおける表面粗さＲａは１５．９ｎｍであった。

　［実施例１］
　厚さ１００μｍのＳＵＳ３０４－ＨＴＡ板（小山鋼材社製）上に、上記ポリイミド前駆体溶液１を用いて、イミド化後の膜厚が７μｍ±１μｍになるようにスピンコーターでコーティングし、１００℃のホットプレートオーブン中、大気下で６０分乾燥させた後、窒素雰囲気下、３５０℃１時間、熱処理し（昇温速度　１０℃／分、自然放冷）、平坦化層を形成した。
　次に、平坦化層上に、第１密着層としてのアルミニウム膜をＤＣスパッタリング法（成膜圧力０．２Ｐａ（アルゴン）、投入電力１ｋＷ、成膜時間１０秒）により厚さ５ｎｍで形成した。次いで、第２密着層としての酸化シリコン膜をＲＦマグネトロンスパッタリング法（成膜圧力０．３Ｐａ（アルゴン：酸素＝３：１）、投入電力２ｋＷ、成膜時間３０分）により厚さ１００ｎｍで形成した。これにより、フレキシブルデバイス用基板を得た。

　平坦化層について、Ｎｅｗ　Ｖｉｅｗ　５０００（Ｚｙｇｏ社製）を用いて測定した５０μｍ×５０μｍにおける表面粗さＲａは１３．２ｎｍであった。
　密着層について、Ｎｅｗ　Ｖｉｅｗ　５０００（Ｚｙｇｏ社製）を用いて測定した５０μｍ×５０μｍにおける表面粗さＲａは２３．５ｎｍであった。また、Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ　Ｖ　ｍｕｌｔｉｍｏｄｅ（Ｖｅｅｃｏ社製）を用いて測定した５０μｍ×５０μｍにおける表面粗さＲａは１５．９ｎｍであった。

　ボトムゲート・ボトムコンタクト構造のＴＦＴを上記フレキシブルデバイス用基板上に作製した。まず、厚さ１００ｎｍのアルミニウム膜をゲート電極膜として成膜した後、レジストパターンをフォトリソグラフィー法で形成した後に燐酸溶液でウェットエッチングし、アルミニウム膜を所定パターンにパターニングしてゲート電極を形成した。次に、そのゲート電極を覆うように厚さ３００ｎｍの酸化ケイ素をゲート絶縁膜として全面に形成した。このゲート絶縁膜は、ＲＦマグネトロンスパッタリング装置を用い、６インチのＳｉＯ_２ターゲットに投入電力：１．０ｋＷ（＝３Ｗ／ｃｍ^２）、圧力：１．０Ｐａ、ガス：アルゴン＋Ｏ_２（５０％）の成膜条件で形成した。この後、レジストパターンをフォトリソグラフィー法で形成した後にドライエッチングを施し、コンタクトホールを形成した。次に、ゲート絶縁膜上の全面に厚さ１００ｎｍのチタン膜、アルミニウム膜、ＩＺＯ膜をソース電極及びドレイン電極とするために蒸着した後、レジストパターンをフォトリソグラフィー法で形成した後に過酸化水素水溶液、燐酸溶液で連続的にウェットエッチングし、チタン膜を所定パターンにパターニングしてソース電極及びドレイン電極を形成した。このとき、ソース電極及びドレイン電極は、ゲート絶縁膜上であってゲート電極の中央部直上以外に離間したパターンとなるように形成した。

　次に、ソース電極及びドレイン電極を覆うように、全面に、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：１のＩｎＧａＺｎＯ系アモルファス酸化物薄膜（ＩｎＧａＺｎＯ_４）を厚さ２５ｎｍとなるように形成した。アモルファス酸化物薄膜は、ＲＦマグネトロンスパッタリング装置を用い、室温（２５℃）、Ａｒ：Ｏ_２を３０：５０とした条件下で、４インチのＩｎＧａＺｎＯ（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１）ターゲットを用いて形成した。その後、アモルファス酸化物薄膜上にレジストパターンをフォトリソグラフィーで形成した後、シュウ酸溶液でウェットエッチングし、そのアモルファス酸化物薄膜をパターニングし、所定パターンからなるアモルファス酸化物薄膜を形成した。こうして得られたアモルファス酸化物薄膜は、ゲート絶縁膜上であってソース電極及びドレイン電極に両側で接触するとともに該ソース電極及びドレイン電極を跨ぐように形成されていた。続いて全体を覆うように、厚さ１００ｎｍの酸化ケイ素を保護膜としてＲＦマグネトロンスパッタリング法で形成した後、レジストパターンをフォトリソグラフィー法で形成した後にドライエッチングを施した。大気中３００℃１時間のアニールを施した後、アクリル系のポジ型レジストを用いてＥＬの隔壁層を形成し、ＴＦＴ基板を作製した。

　上記ＴＦＴ基板上に白色となるようにＥＬ層を蒸着した後、電極としてＩＺＯ膜を蒸着し、バリアフィルムを用いてＥＬの封止を行った。次にＰＥＮフィルム上に形成したフレキシブルなカラーフィルターを貼り合わせ、フレキシブルな対角４．７インチ、解像度８５ｄｐｉ、３２０×２４０×ＲＧＢ（ＱＶＧＡ）のアクティブマトリックス駆動のフルカラーＥＬディスプレイを作製した。作製したフルカラーＥＬディスプレイについて、スキャン電圧１５Ｖ、ベータ電圧１０Ｖ、電源電圧１０Ｖにて作動を確認した。作製したフルカラーＥＬディスプレイについて２４時間の連続作動および作製後６ヶ月後における作動を確認した。

　［実施例２］
　１０％硫酸に１分間浸漬させた、厚さ１００μｍのＳＵＳ３０４－ＨＴＡ基材（小山鋼材社製）上に、上記ポリイミド前駆体溶液１を用いて、イミド化後の膜厚が７μｍ±１μｍになるようにスピンコーターでコーティングし、１００℃のオーブン中、大気下で６０分乾燥させた後、窒素雰囲気下、３５０℃１時間、熱処理し（昇温速度　１０℃／分、自然放冷）、絶縁層を形成した。
　次に、絶縁層上に、第１密着層としてのアルミニウム膜をＤＣスパッタリング法（成膜圧力０．２Ｐａ（アルゴン）、投入電力１ｋＷ、成膜時間１０秒）により厚さ５ｎｍで形成した。次いで、第２密着層としての酸化シリコン膜をＲＦマグネトロンスパッタリング法（成膜圧力０．３Ｐａ（アルゴン：酸素＝３：１）、投入電力２ｋＷ、成膜時間３０分）により厚さ１００ｎｍで形成した。これにより、薄膜素子用基板を得た。

　ボトムゲート・ボトムコンタクト構造のＴＦＴを上記薄膜素子用基板上に作製した。まず、厚さ１００ｎｍのアルミニウム膜をゲート電極膜として成膜した後、レジストパターンをフォトリソグラフィー法で形成した後に燐酸溶液でウェットエッチングし、アルミニウム膜を所定パターンにパターニングしてゲート電極を形成した。次に、そのゲート電極を覆うように厚さ３００ｎｍの酸化ケイ素をゲート絶縁膜として全面に形成した。このゲート絶縁膜は、ＲＦマグネトロンスパッタリング装置を用い、６インチのＳｉＯ_２ターゲットに投入電力：１．０ｋＷ（＝３Ｗ／ｃｍ^２）、圧力：１．０Ｐａ、ガス：アルゴン＋Ｏ_２（５０％）の成膜条件で形成した。この後、レジストパターンをフォトリソグラフィー法で形成した後にドライエッチングを施し、コンタクトホールを形成した。次に、ゲート絶縁膜上の全面に厚さ１００ｎｍのチタン膜、アルミニウム膜、ＩＺＯ膜をソース電極及びドレイン電極とするために蒸着した後、レジストパターンをフォトリソグラフィー法で形成した後に過酸化水素水溶液、燐酸溶液で連続的にウェットエッチングし、チタン膜を所定パターンにパターニングしてソース電極及びドレイン電極を形成した。このとき、ソース電極及びドレイン電極は、ゲート絶縁膜上であってゲート電極の中央部直上以外に離間したパターンとなるように形成した。

　次に、ソース電極及びドレイン電極を覆うように、全面に、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：１のＩｎＧａＺｎＯ系アモルファス酸化物薄膜（ＩｎＧａＺｎＯ_４）を厚さ２５ｎｍとなるように形成した。アモルファス酸化物薄膜は、ＲＦマグネトロンスパッタリング装置を用い、室温（２５℃）、Ａｒ：Ｏ_２を３０：５０とした条件下で、４インチのＩｎＧａＺｎＯ（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１）ターゲットを用いて形成した。その後、アモルファス酸化物薄膜上にレジストパターンをフォトリソグラフィーで形成した後、シュウ酸溶液でウェットエッチングし、そのアモルファス酸化物薄膜をパターニングし、所定パターンからなるアモルファス酸化物薄膜を形成した。こうして得られたアモルファス酸化物薄膜は、ゲート絶縁膜上であってソース電極及びドレイン電極に両側で接触するとともに該ソース電極及びドレイン電極を跨ぐように形成されていた。続いて全体を覆うように、厚さ１００ｎｍの酸化ケイ素を保護膜としてＲＦマグネトロンスパッタリング法で形成した後、レジストパターンをフォトリソグラフィー法で形成した後にドライエッチングを施した。その後、大気中３００℃１時間のアニールを施し、ＴＦＴを作製した。

　［比較例１］
　表面処理を施していないＳＵＳ基材を用いたこと以外は実施例２と同様にして、ＴＦＴの作製を行った。

　［評価］
　表面処理を行っていないＳＵＳ基材上に作製したＴＦＴ（比較例１）の電気特性を評価したところ、表面処理を行ったＳＵＳ基材上に作製したＴＦＴ（実施例２）に比べ、電界効果移動度の低下が見られた。また、比較例１のＴＦＴの一部でゲート電極とソース電極またはドレイン電極間に短絡が見られた。これらはＳＵＳ基材上に形成された絶縁層の表面平坦性が低いことに起因すると考えられる。尚、このような電極間の短絡はＴＦＴ以外でも、ディスプレイなどの配線にも起こりうる。この為、ＳＵＳ基材上に形成された絶縁層の平坦化は必要である。

　［実施例３］
　まず、上記ポリイミド前駆体溶液１を上記表５の脱気方法３にて脱気した。次いで、厚さ１００μｍのＳＵＳ３０４－ＨＴＡ基材（小山鋼材社製）上に、脱気後のポリイミド前駆体溶液１をイミド化後の膜厚が７μｍ±１μｍになるようにスピンコーターでコーティングし、１００℃のオーブン中、大気下で６０分乾燥させた後、窒素雰囲気下、３５０℃１時間、熱処理し（昇温速度　１０℃／分、自然放冷）、絶縁層を形成した。
　次に、絶縁層上に、第１密着層としてのアルミニウム膜をＤＣスパッタリング法（成膜圧力０．２Ｐａ（アルゴン）、投入電力１ｋＷ、成膜時間１０秒）により厚さ５ｎｍで形成した。次いで、第２密着層としての酸化シリコン膜をＲＦマグネトロンスパッタリング法（成膜圧力０．３Ｐａ（アルゴン：酸素＝３：１）、投入電力２ｋＷ、成膜時間３０分）により厚さ１００ｎｍで形成した。これにより、薄膜素子用基板を得た。

　［比較例２］
　下記に示すように絶縁層を形成した以外は、実施例３と同様にして薄膜素子用基板およびＴＦＴを作製した。
　厚さ１００μｍのＳＵＳ３０４－ＨＴＡ基材（小山鋼材社製）上に、上記ポリイミド前駆体溶液１をイミド化後の膜厚が７μｍ±１μｍになるようにスピンコーターでコーティングし、１００℃のオーブン中、大気下で６０分乾燥させた後、窒素雰囲気下、３５０℃１時間、熱処理し（昇温速度　１０℃／分、自然放冷）、絶縁層を形成した。

　［評価］
　脱気を行っていないポリイミド前駆体溶液１を用いて作製したＴＦＴ（比較例２）の電気特性を評価したところ、脱気処理を行ったポリイミド前駆体溶液１を用いて作製したＴＦＴ（実施例３）に比べ、電界効果移動度の低下が見られた。また、比較例２のＴＦＴの一部でゲート電極とソース電極またはドレイン電極間に短絡が見られた。これらはＳＵＳ基材上に形成された絶縁層の表面平坦性が低いことに起因すると考えられる。尚、このような電極間の短絡はＴＦＴ以外でも、ディスプレイなどの配線にも起こりうる。この為、ＳＵＳ基材上に形成された絶縁層の平坦化は必要である。

　［実施例４］
　まず、上記ポリイミド前駆体溶液１を上記表５の脱気方法３にて脱気した。１０％硫酸に１分間浸漬させた、厚さ１００μｍのＳＵＳ３０４－ＨＴＡ基材（小山鋼材社製）上に、脱気したポリイミド前駆体溶液１を用いて、イミド化後の膜厚が７μｍ±１μｍになるようにスピンコーターでコーティングし、１００℃のオーブン中、大気下で６０分乾燥させた後、窒素雰囲気下、３５０℃１時間、熱処理し（昇温速度　１０℃／分、自然放冷）、絶縁層を形成した。これにより、薄膜素子用基板を得た。

　トップゲート・ボトムコンタクト構造のＴＦＴを上記薄膜素子用基板上に作製した。まず、Ｃｒをターゲットにしたスパッタリング装置（キャノンアネルバ社製ＳＰＦ－７３０）により、マスクを用いてパターン状のソース電極およびドレイン電極を形成した。このときソース電極およびドレイン電極の厚みは５０ｎｍとした。
　次いで、チオフェン系有機半導体を用いて、アルバック社製蒸着装置ＶＰＣ－０６０によって、マスクを用いてパターン形成することにより有機半導体層を形成した。このとき、有機半導体層の膜厚は５０ｎｍとした。
　次に、上記のソース電極、ドレイン電極および有機半導体層が形成された基板にゲート絶縁膜としてフォトレジスト（アクリル系ネガレジスト）をスピンコートした。その後、基板を１２０℃で２分乾燥させ、３５０ｍＪ／ｃｍ^２でパターン露光し、現像し、２００℃のオーブンで３０分熱処理させることにより、パターン状のゲート絶縁膜を形成した。
　続いて、上記ゲート絶縁膜が形成された面上に、Ｃｒをターゲットにしたスパッタリング装置（キャノンアネルバ社製ＳＰＦ－７３０）により、パターン状のゲート電極形状の開口部を有するメタルマスクを用いて、膜厚５０ｎｍのクロム膜を形成した。次いで、２００ｎｍのアルミニウム膜を蒸着し、ゲート電極を形成することにより、ＴＦＴを作製した。

　［評価］
　作製したＴＦＴのトランジスタ特性を測定した結果、電界効果移動度の低下や、ゲート電極とソース電極またはドレイン電極との間で短絡が見られることがなく、トランジスタとして駆動していることが分かった。

　１　…　フレキシブルデバイス用基板
　２　…　金属箔
　３　…　平坦化層
　４　…　密着層
　４ａ　…　第１密着層
　４ｂ　…　第２密着層
　１０Ａ　…　ＴＦＴ基板
　１０Ｂ　…　電極基板
　３０　…　有機ＥＬ表示装置
　４０　…　電子ペーパー
　５０　…　薄膜素子用基板
　５２　…　金属基材
　５３　…　絶縁層
　５４　…　密着層
　６０　…　ＴＦＴ
　６３　…　ポリイミド樹脂組成物

Claims

　金属箔と、前記金属箔上に形成され、ポリイミドを含む平坦化層と、前記平坦化層上に形成され、無機化合物を含む密着層とを有することを特徴とするフレキシブルデバイス用基板。
　前記平坦化層がポリイミドを主成分とすることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のフレキシブルデバイス用基板。
　前記密着層の表面粗さＲａが２５ｎｍ以下であることを特徴とする請求の範囲第１項または第２項に記載のフレキシブルデバイス用基板。
　前記密着層を構成する前記無機化合物が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、酸化クロムおよび酸化チタンからなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求の範囲第１項から第３項までのいずれかに記載のフレキシブルデバイス用基板。
　前記密着層が多層膜であることを特徴とする請求の範囲第１項から第４項までのいずれかに記載のフレキシブルデバイス用基板。
　前記密着層が、前記平坦化層上に形成され、クロム、チタン、アルミニウム、ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、酸化クロムおよび酸化チタンからなる群から選択される少なくとも１種からなる第１密着層と、前記第１密着層上に形成され、酸化ケイ素からなる第２密着層とを有することを特徴とする請求の範囲第５項に記載のフレキシブルデバイス用基板。
　前記密着層の厚みが、１ｎｍ～５００ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求の範囲第１項から第６項までのいずれかに記載のフレキシブルデバイス用基板。
　前記平坦化層の表面粗さＲａが２５ｎｍ以下であることを特徴とする請求の範囲第１項から第７項までのいずれかに記載のフレキシブルデバイス用基板。
　前記平坦化層の吸湿膨張係数が０ｐｐｍ／％ＲＨ～１５ｐｐｍ／％ＲＨの範囲内であることを特徴とする請求の範囲第１項から第８項までのいずれかに記載のフレキシブルデバイス用基板。
　前記金属箔上に前記平坦化層が部分的に形成されていることを特徴とする請求の範囲第１項から第９項までのいずれかに記載のフレキシブルデバイス用基板。
　前記平坦化層の厚みが１μｍ～１０００μｍの範囲内であることを特徴とする請求の範囲第１項から第１０項までのいずれかに記載のフレキシブルデバイス用基板。
　前記平坦化層の線熱膨張係数が０ｐｐｍ／℃～２５ｐｐｍ／℃の範囲内であることを特徴とする請求の範囲第１項から第１１項までのいずれかに記載のフレキシブルデバイス用基板。
　前記平坦化層の線熱膨張係数と前記金属箔の線熱膨張係数との差が１５ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする請求の範囲第１項から第１２項までのいずれかに記載のフレキシブルデバイス用基板。
　前記金属箔の厚みが１μｍ～１０００μｍの範囲内であることを特徴とする請求の範囲第１項から第１３項までのいずれかに記載のフレキシブルデバイス用基板。
　請求の範囲第１項から第１４項までのいずれかに記載のフレキシブルデバイス用基板と、前記フレキシブルデバイス用基板の密着層上に形成された薄膜トランジスタとを有することを特徴とするフレキシブルデバイス用薄膜トランジスタ基板。
　前記薄膜トランジスタが、酸化物半導体層を有することを特徴とする請求の範囲第１５項に記載のフレキシブルデバイス用薄膜トランジスタ基板。
　請求の範囲第１５項または第１６項に記載のフレキシブルデバイス用薄膜トランジスタ基板を備えることを特徴とするフレキシブルデバイス。
　金属箔、前記金属箔上に形成され、ポリイミドを含む平坦化層、および前記平坦化層上に形成され、無機化合物を含む密着層を有するフレキシブルデバイス用基板と、
　前記フレキシブルデバイス用基板の密着層上に形成された背面電極層および薄膜トランジスタと、
　前記背面電極層上に形成され、少なくとも有機発光層を含むエレクトロルミネッセンス層と、
　前記エレクトロルミネッセンス層上に形成された透明電極層と
　を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
　金属箔、前記金属箔上に形成され、ポリイミドを含む平坦化層、および前記平坦化層上に形成され、無機化合物を含む密着層を有するフレキシブルデバイス用基板と、
　前記フレキシブルデバイス用基板の密着層上に形成された背面電極層および薄膜トランジスタと、
　前記背面電極層上に形成された表示層と、
　前記表示層上に形成された透明電極層と
　を有することを特徴とする電子ペーパー。
　金属基材と、前記金属基材上に形成され、ポリイミドを含む絶縁層とを有する薄膜素子用基板であって、
　前記絶縁層の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜素子用基板。
　前記金属基材表面の前記絶縁層に用いられるポリイミド樹脂組成物に含まれる溶媒に対する接触角が３０°以下であることを特徴とする請求の範囲第２０項に記載の薄膜素子用基板。
　前記金属基材が鉄を主成分とすることを特徴とする請求の範囲第２０項または第２１項に記載の薄膜素子用基板。
　前記金属基材表面にて、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）により検出された全元素に対する炭素（Ｃ）の元素量の比が０．２５以下であることを特徴とする請求の範囲第２０項から第２２項までのいずれかに記載の薄膜素子用基板。
　前記絶縁層の吸湿膨張係数が０ｐｐｍ／％ＲＨ～１５ｐｐｍ／％ＲＨの範囲内であることを特徴とする請求の範囲第２０項から第２３項までのいずれかに記載の薄膜素子用基板。
　前記絶縁層の線熱膨張係数が０ｐｐｍ／℃～２５ｐｐｍ／℃の範囲内であることを特徴とする請求の範囲第２０項から第２４項までのいずれかに記載の薄膜素子用基板。
　前記絶縁層の線熱膨張係数と前記金属基材の線熱膨張係数との差が１５ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする請求の範囲第２０項から第２５項までのいずれかに記載の薄膜素子用基板。
　請求の範囲第２０項から第２６項までのいずれかに記載の薄膜素子用基板と、前記薄膜素子用基板上に形成された薄膜素子部とを有することを特徴とする薄膜素子。
　請求の範囲第２０項から第２６項までのいずれかに記載の薄膜素子用基板と、前記薄膜素子用基板上に形成された薄膜トランジスタとを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
　金属基材に薬液処理を施す金属基材表面処理工程と、
　前記金属基材上にポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する絶縁層形成工程と
　を有し、前記絶縁層の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜素子用基板の製造方法。
　前記金属基材表面処理工程にて、前記金属基材表面の前記ポリイミド樹脂組成物に含まれる溶媒に対する接触角が３０°以下となるように、薬液処理を施すことを特徴とする請求の範囲第２９項に記載の薄膜素子用基板の製造方法。
　前記金属基材が鉄を主成分とすることを特徴とする請求の範囲第２９項または第３０項に記載の薄膜素子用基板の製造方法。
　前記ポリイミド樹脂組成物が、ポリイミド前駆体を含むことを特徴とする請求の範囲第２９項から第３１項までのいずれかに記載の薄膜素子用基板の製造方法。
　前記金属基材表面処理工程後の前記金属基材表面にて、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）により検出された全元素に対する炭素（Ｃ）の元素量の比が０．２５以下であることを特徴とする請求の範囲第２９項から第３２項までのいずれかに記載の薄膜素子用基板の製造方法。
　下記方法で算出した相対溶存酸素飽和率が９５％以下となるように、ポリイミド樹脂組成物を脱気する脱気工程と、
　金属基材上に、前記ポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する絶縁層形成工程と
　を有し、前記絶縁層の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜素子用基板の製造方法。
＜相対溶存酸素飽和率の算出方法＞
まず、ポリイミド樹脂組成物に含まれる溶媒に空気を３０分以上バブリングした溶存酸素飽和溶媒を用いて、全く酸素が溶存していない前記溶媒の溶存酸素量の測定値が０、前記溶存酸素飽和溶媒の溶存酸素量の測定値が１００となるように、溶存酸素量計の校正を行う。次に、校正された前記溶存酸素量計により、ポリイミド樹脂組成物を大気下で１時間以上静置した基準ポリイミド樹脂組成物の溶存酸素量の相対値と、ポリイミド樹脂組成物を脱気した脱気ポリイミド樹脂組成物の溶存酸素量の相対値とを測定する。そして、前記基準ポリイミド樹脂組成物の溶存酸素量の相対値を１００％としたときの、前記脱気ポリイミド樹脂組成物の溶存酸素量の相対値を、相対溶存酸素飽和率とする。
　前記絶縁層形成工程の直前に前記脱気工程を行うことを特徴とする請求の範囲第３４項に記載の薄膜素子用基板の製造方法。
　前記絶縁層の吸湿膨張係数が０ｐｐｍ／％ＲＨ～１５ｐｐｍ／％ＲＨの範囲内であることを特徴とする請求の範囲第２９項から第３５項までのいずれかに記載の薄膜素子用基板の製造方法。
　前記絶縁層の線熱膨張係数が０ｐｐｍ／℃～２５ｐｐｍ／℃の範囲内であることを特徴とする請求の範囲第２９項から第３６項までのいずれかに記載の薄膜素子用基板の製造方法。
　前記絶縁層の線熱膨張係数と前記金属基材の線熱膨張係数との差が１５ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする請求の範囲第２９項から第３７項までのいずれかに記載の薄膜素子用基板の製造方法。
　前記絶縁層形成工程後に、前記絶縁層上に、無機化合物を含む密着層を形成する密着層形成工程を有することを特徴とする請求の範囲第２９項から第３８項までのいずれかに記載の薄膜素子用基板の製造方法。
　前記密着層を構成する前記無機化合物が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、酸化クロムおよび酸化チタンからなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求の範囲第３９項に記載の薄膜素子用基板の製造方法。
　前記密着層が多層膜であることを特徴とする請求の範囲第３９項または第４０項に記載の薄膜素子用基板の製造方法。
　前記密着層が、前記絶縁層上に形成され、クロム、チタン、アルミニウム、ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、酸化クロムおよび酸化チタンからなる群から選択される少なくとも１種からなる第１密着層と、前記第１密着層上に形成され、酸化ケイ素からなる第２密着層とを有することを特徴とする請求の範囲第４１項に記載の薄膜素子用基板の製造方法。
　請求の範囲第２９項から第４２項までのいずれかに記載の薄膜素子用基板の製造方法により製造される薄膜素子用基板上に、薄膜素子部を形成する薄膜素子部形成工程を有することを特徴とする薄膜素子の製造方法。
　請求の範囲第２９項から第４２項までのいずれかに記載の薄膜素子用基板の製造方法により製造される薄膜素子用基板上に、薄膜トランジスタを形成する薄膜トランジスタ形成工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
　前記薄膜トランジスタが、酸化物半導体層を有することを特徴とする請求の範囲第４４項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。