JP2018027690A - ポリイミド層含有フレキシブル基板、ポリイミド層含有フレキシブル太陽電池用基板、フレキシブル太陽電池およびそれらの製造方法 - Google Patents
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- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 title claims abstract description 267
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 title claims abstract description 261
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 225
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 389
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 386
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 122
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 122
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 112
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 83
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims abstract description 83
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 72
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 54
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims abstract description 19
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims abstract description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 17
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 16
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 12
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 12
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 29
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 12
- -1 tetracarboxylic acid compound Chemical class 0.000 abstract description 11
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000376 reactant Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 527
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 52
- 239000010408 film Substances 0.000 description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 description 46
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 35
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 28
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 24
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 23
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 19
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 18
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 14
- 229910015372 FeAl Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 9
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 6
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 6
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 6
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 5
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N bpda Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUSNPFGLKGCWGN-UHFFFAOYSA-N 3-[4-(3-aminopropyl)piperazin-1-yl]propan-1-amine Chemical compound NCCCN1CCN(CCCN)CC1 XUSNPFGLKGCWGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QYIMZXITLDTULQ-UHFFFAOYSA-N 4-(4-amino-2-methylphenyl)-3-methylaniline Chemical group CC1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C QYIMZXITLDTULQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KMKWGXGSGPYISJ-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[2-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propan-2-yl]phenoxy]aniline Chemical compound C=1C=C(OC=2C=CC(N)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 KMKWGXGSGPYISJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 5-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)oxy]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(OC=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZHBXLZQQVCDGPA-UHFFFAOYSA-N 5-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)sulfonyl]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(S(=O)(=O)C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 ZHBXLZQQVCDGPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001209 Low-carbon steel Inorganic materials 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000009388 chemical precipitation Methods 0.000 description 2
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UAYWVJHJZHQCIE-UHFFFAOYSA-L zinc iodide Chemical compound I[Zn]I UAYWVJHJZHQCIE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000368 zinc sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229960001763 zinc sulfate Drugs 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKKYOQYISDAQER-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(3-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=C(OC=3C=C(N)C=CC=3)C=CC=2)=C1 DKKYOQYISDAQER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFDUHJPVQKIXHO-UHFFFAOYSA-N 3-aminobenzoic acid Chemical compound NC1=CC=CC(C(O)=O)=C1 XFDUHJPVQKIXHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UITKHKNFVCYWNG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-dicarboxybenzoyl)phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 UITKHKNFVCYWNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPRYUDHUFLKFL-UHFFFAOYSA-N 4-[3-(4-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=CC(OC=2C=CC(N)=CC=2)=C1 WUPRYUDHUFLKFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCRRFJIVUPSNTA-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 JCRRFJIVUPSNTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNVDOKOOMPHOSP-UHFFFAOYSA-N 4-amino-n-(4-amino-2-methoxyphenyl)benzamide Chemical compound COC1=CC(N)=CC=C1NC(=O)C1=CC=C(N)C=C1 ZNVDOKOOMPHOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GLFKFHJEFMLTOB-UHFFFAOYSA-N Cc1ccc(C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)c2cc(C)c(C)cc2)cc1C Chemical compound Cc1ccc(C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)c2cc(C)c(C)cc2)cc1C GLFKFHJEFMLTOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000989747 Maba Species 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004018 acid anhydride group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930188620 butyrolactone Natural products 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 1
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical group [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010960 cold rolled steel Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VAYGXNSJCAHWJZ-UHFFFAOYSA-N dimethyl sulfate Chemical compound COS(=O)(=O)OC VAYGXNSJCAHWJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- ZHDTXTDHBRADLM-UHFFFAOYSA-N hydron;2,3,4,5-tetrahydropyridin-6-amine;chloride Chemical compound Cl.NC1=NCCCC1 ZHDTXTDHBRADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006358 imidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】面方向の熱膨張係数が15ppm/K以下である普通鋼またはステンレスからなる金属箔1である金属基板5、あるいは当該普通鋼またはステンレスからなる金属箔1の表面に、銅、ニッケル、亜鉛もしくはアルミニウムの1種からなる金属層またはこれらの合金層2を有する金属基板5上に、層厚が1.5〜100μmで、かつガラス転移点温度が300〜450℃であり、その面方向における100〜250℃の熱膨張係数が15ppm/K以下であるポリイミド層3が形成され、ポリイミド層がテトラカルボン酸化合物とジアミノ化合物との反応物から構成されたポリイミド層含有フレキシブル基板10。
【選択図】図1
Description
例えば、特許文献1は、Si、Fe、Cu、Mn、ScおよびZr等、複数の金属元素を含有するアルミニウム合金を使用することを開示する。
特許文献2は、この耐絶縁性の低下防止のために、マグネシウムを2.0〜7.0質量%含有するアルミニウム合金を使用することを開示する。
しかしながら、高いフレキシブル性を維持しつつ、高耐熱性、平滑性、および金属の拡散防止性を高めることが求められている。
本発明の実施の形態について図1を用いて説明する。
本発明の第一の実施形態は、面方向の熱膨張係数が15ppm/K以下である普通鋼またはステンレス(以下、SUSと略す)の金属箔1からなる金属基板と、金属基板の上に形成された、層厚が1.5〜100μmで、かつガラス転移点温度が300〜450℃であるポリイミド層3とを有するポリイミド層含有フレキシブル基板10である。
金属基板の厚さは10〜200μmであればフレキシブル基板を軽量化でき、太陽電池の重量を軽減できるので好ましい。
CIGS太陽電池では、発電層への金属元素、特にFe原子の拡散が生じると、変換効率が低下することが知られており、基材にガラスではなく金属を用いる際は特にFe原子の拡散防止が重要となる。この課題を解決するには、本発明の第二の実施形態である普通鋼もしくはSUSの金属箔1の上に直接耐熱ポリイミドを積層するのではなく、普通鋼もしくはSUSの金属箔1の表面に、銅、ニッケル、亜鉛もしくはアルミニウムの1種からなる金属層またはこれらの合金層(以下、金属層または合金層2と称する)を有する金属基板と、金属層または合金層2上に形成された、層厚が1.5〜100μmで、かつガラス転移点温度が300〜450℃であるポリイミド層3とを有するポリイミド層含有フレキシブル基板とすればよい。これは、金属基板とポリイミド層との間にFe原子を含まない層が設けられることで、Fe原子の拡散距離が長くなり、発電層へのFe原子の拡散が抑制されることによる。
上記を除いて、第一の実施形態と同様の構成である。
金属層または合金層2を有する金属基板の端面は、金属箔1(地鉄)が露出するため、耐食性を高めるには端面を樹脂等で被覆する方が好ましい。
めっきなどにより金属層または合金層2が形成された金属箔1を、以後、金属層または合金層付きの金属基板5と称する。Cu、Ni又はZnのめっきを行う際には、一般的なCu、Ni又はZnのめっき浴を用いて、電解めっき法や無電解めっき法を行うのが実績も豊富で良い。
従来技術により製造されたアルミニウム(以下、「Al」と略す場合もある。)含有金属層付き金属箔では、Cu含有、Ni含有、あるいはZn含有金属層付き金属箔と比べてフレキシブル性が低下する傾向にある。これは、一般に、普通鋼層もしくはSUS層の上にアルミニウムあるいはアルミニウムを主とするめっきなどによる金属層または合金層2を形成すると、普通鋼層またはSUSからなる金属箔1とAl含有の金属層または合金層2との界面に、Fe−Al系合金層4(例えば、FeAl3,Fe2Al8Si、FeAl5Siなどの金属間化合物)が層状に形成され、このFe−Al系合金層4は非常に硬くて脆く、めっきを施した鋼もしくはSUSがハンドリングなどの際に極端に弾塑性変形すると、このFe−Al系合金層4は金属箔層1の変形に追随できず、最終的に、金属箔1とAl含有の金属層または合金層2との剥離、および、Al含有の金属層または合金層2の割れを誘発することがあるためである。
この課題を解決するため、本発明の第三の実施形態においては、以下に示すような金属箔1にAl含有の金属層または合金層2が形成された構成の金属基板5とする。
本実施形態に係るAl含有の金属層または合金層2付きの金属基板5を用いることにより、フレキシブル性を満足することができる。
ポリイミド層3を積層させた上で、さらに金属箔1とAl含有の金属層または合金層2との界面に生成するFe−Al系合金層4が、厚さ0.1〜8μmであり、かつ、Al7Cu2Fe金属間化合物、または、FeAl3基の金属間化合物を含めば、前述のより一層高いレベルの弾塑性変形性を満足できるので好ましい。この効果はポリイミド層3を積層したのみ、あるいはFe−Al系合金層4を上述のように制御したのみでは充分には得られず、両者を同時に施して初めて得られる。その理由の詳細は引き続き解明中であるものの、上記のように制御されたFe−Al系合金層4の熱膨張係数が、ポリイミド層3の面方向における熱膨張係数と基材である鋼層1の熱膨張係数の中間的な値となることで、積層体に生じる応力を緩和して剥離や割れを防止するためと予想している。このAl7Cu2Fe金属間化合物、または、FeAl3基の金属間化合物は、Fe−Al系合金層4中に、面積%で、50%以上を含まれることが好ましく、90%以上を含まれることがより好ましい。
本発明者らが鋭意検討したところ、ポリイミド層3を積層させた上で、Al含有の金属層または合金層2と、金属箔1との間のFe−Al系合金層4が粒状に分散することで、従来の割れや、Al含有の金属層または合金層2の剥離を抑制し、強固に金属箔1とAl含有の金属層または合金層2とを結合できることを見出した。この効果はポリイミド層3を積層したのみ、あるいはFe−Al系合金層4を上述のように制御したのみでは充分には得られず、両者を同時に施して初めて得られる。その理由の詳細は引き続き解明中であるものの、従来の層状のFe−Al系合金層4とは異なり、Fe−Al系合金層4が粒状で金属箔1に食い込むような形で存在することで積層体に生じる応力を緩和して達成されているものと考えられる。
式(2)が適用される粒状合金のサイズは、球相当直径が1.5μm以上の範囲であるが、この範囲におけるAl含有の金属層または合金層2の密着性は、粒状のFe−Al系合金の平均粒径により、その間隔に最適範囲がある。定性的には、平均粒径が小さい場合には、金属箔1への食い込みも小さくなるため、粒子間隔は小さいほうが望ましく、平均粒径が大きい場合には、100μm程度までは粒子間隔を広げても効果が期待できるということである。
(a)剛直な直鎖構造のポリイミドを形成する。
(b)エーテル結合やメチレン結合といった回転自由度の大きい構造を有していない。
(c)線熱膨張係数の低減作用を有すると推定されるアミド基を有する。
ここで、第一の実施形態に係るポリイミド層含有フレキシブル基板10の製造方法においては、金属層または合金層2を形成する工程は不要である。
ここで、ポリアミド酸溶液およびポリイミド溶液を総称してプレポリイミド層と称することとする。プレポリイミド層を塗布後、乾燥[溶媒の加熱除去](S3)、およびイミド化[加熱硬化処理](S4)によって、金属層または合金層2に接着したポリイミド層3を形成する。第一の実施形態に係るポリイミド層含有フレキシブル基板10の製造方法においては、金属箔上に接着したポリイミド層3を形成する。
なお、ポリイミド溶液を塗布した場合は、すでにイミド化されているのでステップ4(S4)は実施しない。
ポリイミド層含有フレキシブル基板の基板部となるAl含有の金属層または合金層付きの金属基板として、膜厚が150μmのアルミニウムめっき鋼箔を使用した。当該アルミニウムめっき鋼箔は、上記した形態例1に準拠して作製し、100μmの鋼箔の両面に25μmのアルミニウム層を有している。また、使用した原料鋼の鉄以外の主要成分は表1に示す通りである。
[熱膨張係数(CTE)]
Al含有の金属層または合金層付きの金属基板上に形成するポリイミドの面方向における熱膨張係数は、サーモメカニカルアナライザー/SS6100(セイコーインスツル株式会社製)を用いて次のように測定した。Al含有金属層付き金属箔上にポリイミド層を形成した後、当該金属箔をエッチング除去してフィルム状としたポリイミドを、荷重5gで260℃まで昇温速度10℃/分で昇温し、その後5℃/分で室温まで冷却し、降温時のポリイミドフィルムの面方向における寸法変化から100℃から250℃までの熱膨張係数を算出した。
また、金属基板の面方向における熱膨張係数は、上記フィルム状としたポリイミドの代わりに金属基板を使用する以外は上記と同様の方法で熱膨張係数を算出した。
ポリイミドのガラス転移点温度は、粘弾性アナライザ RSA−II(レオメトリックサイエンスエフィー株式会社製)を用いて次のように測定した。Al含有金属層付き金属箔上にポリイミド層を形成した後、当該金属箔をエッチング除去してフィルム状としたポリイミドを、10mm幅にカットし、1Hzの振動を与えながら、室温から400℃まで10℃/分の速度で昇温した際の、損失正接(Tanδ)の極大値をガラス転移点温度とした。
金属基板上に形成したポリイミド層の外側の表面層をブルカー社製の原子間力顕微鏡(AFM)「Multi Mode8」を用いて表面観察をタッピングモードで行った。10μm角の視野観察を5回行い、その平均値を表面粗度の値とした。表面粗さ(Ra)は、算術平均粗さ(JIS B 0601-1994)を表す。
Al含有の金属層または合金層付きの金属基板を構成する金属の、ポリイミド層および光電変換層中への混入(拡散)の有無を次のようにして測定した。検出装置としては、グロー放電発光分光分析装置 GD−PROFILER2(株式会社堀場製作所製(JOBIN YVON社製))を使用した。本装置により、ポリイミド層および光電変換層について、標的金属元素(Al、Fe、Si等)に対応する波長毎の光強度を検出して発光スペクトルを作成し、そのスペクトルから当該金属に対応するピークのピーク強度を測定する。得られたピーク強度から、次のようにして標的金属元素の含有量(混入量)を求める。
(2)標的金属元素ごとに、標準試料各濃度の発光スペクトルのピーク強度を測定し、金属元素濃度換算用の検量線(出力電圧(V)−濃度(質量%))を作成する。
(3)ポリイミド層、光電変換層からサンプリングした各試料について、分光分析を行い、発光スペクトルのピーク強度を測定する。
(4)各金属元素の発光スペクトルのピーク強度は検出器の出力電圧(V)で検出されるので、(2)で作成した検量線から金属元素の濃度(質量%)を読み取る。
(5)当該濃度が0.1質量%未満の場合は検出限界以下とする。
合成例1
熱電対および攪拌機を備えると共に窒素導入が可能な反応容器に、N,N−ジメチルアセトアミドを入れた。この反応容器に2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル(m−TB)を投入した。次に3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)およびピロメリット酸二無水物(PMDA)を加えた。モノマーの投入総量が15wt%で、各酸無水物のモル比率(BPDA:PMDA)が20:80となるように投入した。その後、3時間撹拌を続け、ポリアミド酸aの樹脂溶液を得た。このポリアミド酸aの樹脂溶液の溶液粘度は20,000mPa・sであった。なお、溶液粘度は、E型粘度計による25℃でのみかけ粘度の値である(以下、同様)。
熱電対および攪拌機を備えると共に窒素導入が可能な反応容器に、N,N−ジメチルアセトアミドを入れた。この反応容器に2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)を投入し、容器中で撹拌しながら溶解させた。次に、ピロメリット酸二無水物(PMDA)を加えた。モノマーの投入総量が15wt%となるように投入した。その後、3時間撹拌を続け、ポリアミド酸bの樹脂溶液を得た。このポリアミド酸bの樹脂溶液の溶液粘度は3,000mPa・sであった。
熱電対および攪拌機を備えると共に窒素導入が可能な反応容器に、N,N−ジメチルアセトアミドを入れた。この反応容器に4,4−ジアミノジフェニルエーテル(4,4−DAPE)を投入し、容器中で撹拌しながら溶解させた。次に、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)を加えた。モノマーの投入総量が15wt%となるように投入した。その後、3時間撹拌を続け、ポリアミド酸cの樹脂溶液を得た。このポリアミド酸cの樹脂溶液の溶液粘度は3,000mPa・sであった。
実施例1
上記したAl含有金属層付きの金属基板である、膜厚150μmのアルミニウムめっき鋼箔(普通鋼の金属箔にアルミニウム層をめっきにより形成した金属基板)を準備した。この箔に上記合成例1で準備したポリアミド酸溶液aを塗布し、乾燥させ、110〜140℃の温度が積算時間で5分間、320〜380℃の温度が積算時間で5分間以上となる加熱条件を経て、硬化後膜厚3μmのポリイミド層を形成した。このようにして得られたAl含有金属層付きの金属基板の表面にポリイミド層を備えた、ポリイミド層含有フレキシブル基板におけるポリイミド層のTgは360℃であり、面方向における熱膨張係数は6×10−6/K、ポリイミド層表面の表面粗度は2.5nmであった。
作製したフレキシブル太陽電池について、上記発光スペクトル法によりポリイミド層および光電変換層中の金属分を分析したところ、いずれにも拡散による金属の混入は認められなかった。
実施例1と同様のAl含有金属層付きの金属基板(アルミニウムめっき鋼箔)、ポリアミド酸溶液aを用い、110〜140℃の温度が積算時間で3分間、320〜380℃の温度が積算時間で5分間以上となる加熱条件を経て、硬化後膜厚3μmのポリイミド層を形成した。形成したポリイミド層のTgは360℃であり、面方向における熱膨張係数は15×10−6/K、ポリイミド層表面の表面粗度は2.1nmであった。その後、実施例1と同様にフレキシブル太陽電池を形成し、ポリイミド層および光電変換層中の金属分を分析したところ、いずれにも拡散による金属の混入は認められなかった。
実施例1と同様のAl含有金属層付きの金属基板(アルミニウムめっき鋼箔)、ポリアミド酸溶液aを用い、110〜140℃の温度が積算時間で1分間、320〜380℃の温度が積算時間で5分間以上となる加熱条件を経て、硬化後膜厚3μmのポリイミド層を形成した。形成したポリイミド層のTgは360℃であり、面方向における熱膨張係数は33×10−6/K、ポリイミド層表面の表面粗度は3.9nmであった。その後、実施例1と同様にフレキシブル太陽電池を形成し、ポリイミド層中の金属分を分析したところ、拡散によるポリイミド層中へのFe、Alの混入が確認された。しかし、光電変換層中にはこれらの混入は確認されなかった。
実施例1と同様のAl含有金属層付きの金属基板(アルミニウムめっき鋼箔)に、上記合成例2で準備したポリアミド酸溶液bを塗布し、乾燥させ、110〜140℃の温度が積算時間で5分間、320〜380℃の温度が積算時間で5分間以上となる加熱条件を経て、硬化後膜厚3μmのポリイミド層を形成した。形成したポリイミド層のTgは300℃であり、面方向における熱膨張係数は50×10−6/K、ポリイミド層表面の表面粗度は2.2nmであった。その後、実施例1と同様にフレキシブル太陽電池を形成し、ポリイミド層中の金属分を分析したところ、拡散によるポリイミド層中へのFe、Alの混入が確認された。しかし、光電変換層中にはこれらの混入は確認されなかった。
実施例1と同様のAl含有金属層付きの金属基板(アルミニウムめっき鋼箔)、ポリアミド酸溶液aを用い、イミド化後の膜厚が下記厚みとなるように、ポリアミド酸溶液aの塗布厚みを変更して塗布し、110〜140℃の温度が積算時間で1分間、320〜380℃の温度が積算時間で5分間以上となる加熱条件を経て、硬化後膜厚1μmのポリイミド層を形成した。形成したポリイミド層のTgは360℃であり、面方向における熱膨張係数は34×10−6/K、ポリイミド層表面の表面粗度は3.2nmであった。その後、実施例1と同様にフレキシブル太陽電池を形成し、ポリイミド層中の金属分を分析したところ、拡散によるポリイミド層中へのFe、Alの混入が確認された。さらに、Fe、Alがポリイミド層を通過し、光電変換層中へも拡散混入していることが確認された。
実施例1と同様のAl含有金属層付きの金属基板(アルミニウムめっき鋼箔)に、上記合成例2で準備したポリアミド酸溶液bを、イミド化後の膜厚が下記厚みとなるように塗布し、乾燥させ、110〜140℃の温度が積算時間で5分間、320〜380℃の温度が積算時間で5分間以上となる加熱条件を経て、硬化後膜厚1μmのポリイミド層を形成した。形成したポリイミド層のTgは300℃であり、面方向における熱膨張係数は50×10−6/K、ポリイミド層表面の表面粗度は4.1nmであった。その後、実施例1と同様にフレキシブル太陽電池を形成し、ポリイミド層中の金属分を分析したところ、拡散によるポリイミド層中へのFe、Alの混入が確認された。さらに、Fe、Alがポリイミド層を通過し、光電変換層中へも拡散混入していることが確認された。
実施例1と同様のAl含有金属層付きの金属基板(アルミニウムめっき鋼箔)に、上記合成例3で準備したポリアミド酸溶液cを塗布し、乾燥させ、110〜140℃の温度が積算時間で5分間、320〜380℃の温度が積算時間で5分間以上となる加熱条件を経て、硬化後膜厚3μmのポリイミド層を形成した。形成したポリイミド層のTgは280℃であり、面方向における熱膨張係数は55×10−6/K、ポリイミド層表面の表面粗度は2.8nmであった。その後、実施例1と同様にフレキシブル太陽電池を形成し、ポリイミド層中の金属分を分析したところ、拡散によるポリイミド層中へのFe、Alの混入が確認された。さらに、Fe、Alがポリイミド層を通過し、光電変換層中へも拡散混入していることが確認された。
上記した各種箔、形態例1および2、ならびに従来技術により製造されたAl含有金属層付きの金属基板について、そのAl含有の金属層と金属箔との密着性を以下の方法により評価した。
また別な形態例として、厚さ0.3mmの表面平滑性の異なる2種の普通鋼、表面平滑性の異なる2種のSUS430(SUS)、普通鋼上に電解NiめっきしたNiめっき鋼、普通鋼上に電解亜鉛めっきしたZnめっき鋼、普通鋼上に電解銅めっきしたCuめっき鋼を作製し、その後厚みが30μmとなるまで7パスで圧延して、表面平滑性の異なる2種の普通鋼箔(実施例5,13)、表面平滑性の異なる2種のSUS箔(実施例6,14)、Ni含有金属層付きの金属基板(Niめっき鋼箔、実施例7)、Zn含有金属層付きの金属基板(Znめっき鋼箔、実施例8)、Cu含有金属層付きの金属基板(Cuめっき鋼箔、実施例9)をそれぞれ得た。それら金属基板と、形態例1に係るAl含有金属層付きの金属基板(Alめっき鋼箔、実施例10)、形態例2のAl含有金属層付きの金属基板(Alめっき鋼箔、実施例11)ならびに従来技術で製造した膜厚30μmのAl含有金属層付きの金属基板(Alめっき鋼箔、ビッカース硬度約900Hv、実施例12)の金属基板の表面の平滑性(Ra(nm))を表3に示す。
また、上記の各種物性測定および性能試験方法の記載と同様の条件で、実施例5〜14の各金属基板の熱膨張係数を測定し、その結果を表3に示す。
形態例1(実施例10)および形態例2(実施例11)に係るAl含有金属層付きの金属基板は上記よりは性能は劣るが充分な密着性を有している。
実施例13、14では金属の表面平滑性が前述の好ましい範囲(Raで20〜80nm)から外れていたため、密着性がやや低下しているのに対し、実施例5〜11に係る金属基板にキャスト法でポリイミド層を成膜したポリイミド層含有フレキシブル基板では、アンカー効果により密着性が向上した。
また、普通鋼箔、SUS箔では、光電変更層中への金属の混入はみられなかった。Ni含有金属層付きの金属基板(Niめっき鋼箔)、Zn含有金属層付きの金属基板(Znめっき鋼箔)、Cu含有金属層付きの金属基板(Cuめっき鋼箔)、Al含有金属層付きの金属基板(Alめっき鋼箔)では、ポリイミド層中及び光電変換層のいずれの層にも金属の混入はみられなかった。
Claims (15)
- 面方向の熱膨張係数が15ppm/K以下である普通鋼またはステンレスからなる金属箔である金属基板と、
前記金属基板上に形成された、層厚が1.5〜100μmで、かつガラス転移点温度が300〜450℃であるポリイミド層と
を有するポリイミド層含有フレキシブル基板。 - 面方向の熱膨張係数が15ppm/K以下である普通鋼またはステンレスからなる金属箔の表面に、銅、ニッケル、亜鉛もしくはアルミニウムの1種からなる金属層またはこれらの合金層を有する金属基板と、
前記金属層または前記合金層上に形成された、層厚が1.5〜100μmで、かつガラス転移点温度が300〜450℃であるポリイミド層と
を有するポリイミド層含有フレキシブル基板。 - 前記金属層または前記合金層がアルミニウム層またはアルミニウム合金層である
請求項2に記載のポリイミド層含有フレキシブル基板。 - 前記ポリイミド層は、その面方向における100℃から250℃までの熱膨張係数が15×10−6/K以下である
請求項1〜3のいずれかに記載のポリイミド層含有フレキシブル基板。 - 前記ポリイミド層の前記金属基板と接触しない側の表面の表面粗度が10nm以下である
請求項1〜4のいずれかに記載のポリイミド層含有フレキシブル基板。 - 400℃で10分間の熱処理後、前記ポリイミド層の前記金属基板と接触しない側の表面における、前記金属基板を形成する金属の含有量が、発光スペクトル検出法による測定において検出限界以下である
請求項1〜5のいずれかに記載のポリイミド層含有フレキシブル基板。 - 請求項1〜6のいずれかに記載のポリイミド層含有フレキシブル基板を用いてなる
ポリイミド層含有フレキシブル太陽電池用基板。 - 請求項7に記載のポリイミド層含有フレキシブル太陽電池用基板と、
前記ポリイミド層上に形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成された光電変換層と、
前記光電変換層上に形成された透明電極と
を有するフレキシブル太陽電池。 - 前記光電変換層中における、前記金属基板を形成する金属の含有量が、発光スペクトル検出法による測定において検出限界以下である
請求項8に記載のフレキシブル太陽電池。 - 前記ポリイミド層の前記金属基板と接触しない側の表面における、前記金属基板を形成する金属の含有量が、発光スペクトル検出法による測定において検出限界以下である
請求項8または9に記載のフレキシブル太陽電池。 - 面方向の熱膨張係数が15ppm/K以下である普通鋼またはステンレスからなる金属箔である金属基板の上に、ポリイミド前駆体溶液を塗布する工程と、
前記ポリイミド前駆体溶液を熱処理して乾燥およびイミド化による硬化をさせ、層厚が1.5〜100μmで、かつガラス転移点温度が300〜450℃であるポリイミド層を形成する工程と
を有するポリイミド層含有フレキシブル基板の製造方法。 - 面方向の熱膨張係数が15ppm/K以下である普通鋼またはステンレスからなる金属箔の表面に、銅、ニッケル、亜鉛もしくはアルミニウムの1種からなる金属層またはこれらの合金層を形成して金属基板を形成する工程と、
前記金属層またはこれらの前記合金層上に、ポリイミド前駆体溶液を塗布する工程と、
前記ポリイミド前駆体溶液を熱処理して乾燥およびイミド化による硬化をさせ、層厚が1.5〜100μmで、かつガラス転移点温度が300〜450℃であるポリイミド層を形成する工程と
を有するポリイミド層含有フレキシブル基板の製造方法。 - 前記金属箔の表面に前記金属層またはこれらの合金層を形成して金属基板を形成する工程において、前記金属層または前記合金層としてアルミニウム層またはアルミニウム合金層を形成する
請求項12に記載のポリイミド層含有フレキシブル基板の製造方法。 - 請求項11〜13のいずれかに記載のポリイミド層含有フレキシブル基板の製造方法により、前記ポリイミド層含有フレキシブル基板を用いてなるポリイミド層含有フレキシブル太陽電池用基板を製造する
ポリイミド層含有フレキシブル太陽電池用基板の製造方法。 - 請求項14に記載のポリイミド層含有フレキシブル太陽電池用基板の製造方法により製造したポリイミド層含有フレキシブル太陽電池用基板の前記ポリイミド層上に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に光電変換層を形成する工程と、
前記光電変換層上に透明電極を形成する工程と
を有するフレキシブル太陽電池の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012110841 | 2012-05-14 | ||
JP2012110841 | 2012-05-14 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014515644A Division JP6247206B2 (ja) | 2012-05-14 | 2013-05-14 | ポリイミド層含有フレキシブル基板、ポリイミド層含有フレキシブル太陽電池用基板、フレキシブル太陽電池およびそれらの製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018027690A true JP2018027690A (ja) | 2018-02-22 |
JP6529553B2 JP6529553B2 (ja) | 2019-06-12 |
Family
ID=49583760
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014515644A Active JP6247206B2 (ja) | 2012-05-14 | 2013-05-14 | ポリイミド層含有フレキシブル基板、ポリイミド層含有フレキシブル太陽電池用基板、フレキシブル太陽電池およびそれらの製造方法 |
JP2017157508A Active JP6529553B2 (ja) | 2012-05-14 | 2017-08-17 | ポリイミド層含有フレキシブル基板、ポリイミド層含有フレキシブル太陽電池用基板、フレキシブル太陽電池およびそれらの製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014515644A Active JP6247206B2 (ja) | 2012-05-14 | 2013-05-14 | ポリイミド層含有フレキシブル基板、ポリイミド層含有フレキシブル太陽電池用基板、フレキシブル太陽電池およびそれらの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150136209A1 (ja) |
JP (2) | JP6247206B2 (ja) |
CN (1) | CN104284777B (ja) |
WO (1) | WO2013172355A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2015147106A1 (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-01 | 株式会社カネカ | 化合物半導体太陽電池の製造方法 |
JP2016195162A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-17 | 株式会社神戸製鋼所 | 金属基板 |
HUE055503T2 (hu) | 2016-03-02 | 2021-11-29 | Flisom Ag | Flexibilis fotovoltaikus berendezés többrétegû hordozóval |
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US10636734B2 (en) | 2018-02-02 | 2020-04-28 | Compass Technology Company, Ltd. | Formation of fine pitch traces using ultra-thin PAA modified fully additive process |
US10468342B2 (en) | 2018-02-02 | 2019-11-05 | Compass Technology Company, Ltd. | Formation of fine pitch traces using ultra-thin PAA modified fully additive process |
JP7085419B2 (ja) * | 2018-03-14 | 2022-06-16 | 東洋鋼鈑株式会社 | 圧延接合体及びその製造方法 |
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CN109817852A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-28 | 武汉依麦德新材料科技有限责任公司 | 一种锂离子电池外包装材料及其制备方法 |
DE102019104841A1 (de) | 2019-02-26 | 2020-08-27 | Endress+Hauser SE+Co. KG | Messgerät mit einem Sensorelement und einer Mess- und Betriebsschaltung |
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Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2013
- 2013-05-14 JP JP2014515644A patent/JP6247206B2/ja active Active
- 2013-05-14 WO PCT/JP2013/063452 patent/WO2013172355A1/ja active Application Filing
- 2013-05-14 US US14/400,720 patent/US20150136209A1/en not_active Abandoned
- 2013-05-14 CN CN201380025071.0A patent/CN104284777B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-08-17 JP JP2017157508A patent/JP6529553B2/ja active Active
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JP7320254B2 (ja) | 2019-08-21 | 2023-08-03 | 河村産業株式会社 | 面状発熱体 |
JP2021104661A (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-26 | 住友電気工業株式会社 | 回路基板用積層体およびその製造方法 |
JP7327159B2 (ja) | 2019-12-27 | 2023-08-16 | 住友電気工業株式会社 | 回路基板用積層体およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6247206B2 (ja) | 2017-12-13 |
WO2013172355A1 (ja) | 2013-11-21 |
CN104284777A (zh) | 2015-01-14 |
US20150136209A1 (en) | 2015-05-21 |
JPWO2013172355A1 (ja) | 2016-01-12 |
CN104284777B (zh) | 2017-10-27 |
JP6529553B2 (ja) | 2019-06-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20171116 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20171121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181030 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181211 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190416 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190514 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6529553 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |