TWI553665B - A conductive composition and a conductive molded article using the same - Google Patents

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Motohiro Takiguchi
Kazutomo Kawahara
Koshi Ochi
Masahiro Iwamoto
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Mitsuboshi Belting Ltd
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Description

導電性組合物及使用其之導電性成形體
本發明係關於一種可用於形成導電性接著劑或電極等之導電性組合物及包含由該導電性組合物形成之導電性部位(導電性接著層、電極、配線等)之成形體(導需性成形體)。
銀漿料等含有導電性金屬粉(導電性填料)之導電性組合物(導電性漿料)係用於形成電子零件等之電極或電路。其中對於含有熱塑性或熱硬化性樹脂之導電性漿料而言，通常由所使用之樹脂之收縮導致導電性填料間接觸而表現出導電性，又，由於樹脂存在，從而可確保對基材之密接性或接著性。因此，對於此種含有黏合劑之導電性漿料而言，為獲得充分之導電性，擴大導電性金屬粉間之接觸面積變得重要。自該觀點而言，嘗試使用金屬薄片(薄片狀之金屬粉)作為導電性金屬粉。
例如，於專利文獻1中，揭示有含有薄片狀之銀粉及有機樹脂之導電性漿料。該文獻中，作為有機樹脂，廣泛例示有聚酯樹脂、改性聚酯樹脂(胺基甲酸酯改性聚酯樹脂等)、聚醚胺基甲酸酯樹脂、聚碳酸酯胺基甲酸酯樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、環氧樹脂、酚樹脂、丙烯酸系樹脂、聚醯胺醯亞胺、硝化纖維素、纖維素-乙酸酯-丁酸酯、纖維素-乙酸酯-丙酸酯等有機樹脂，尤其於實施例中，自耐彎曲性等觀點而言，使用聚酯樹脂及胺基甲酸酯改性聚酯樹脂。
又，於專利文獻2中，揭示有平均粒徑與BET(Brunauer-Emmett- Tellern，布厄特)比表面積存在特定關係之薄片狀銀粉。而且該文獻中，作為導電性漿料中所使用之樹脂，例示有環氧樹脂、丙烯酸系樹脂、聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、苯氧樹脂、聚矽氧樹脂等，於實施例中使用聚酯樹脂。
上述情況中，期望進一步改善導電性或接著性。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2008-171828號公報
專利文獻2：日本專利特開2012-92442號公報
因此，本發明之目的在於提供一種即便含有樹脂成分亦可實現優異之導電性的導電性組合物及具有由該導電性組合物形成之導電性部位的成形體。
本發明之其他目的在於提供一種可於不損及對基材之密接性或接著性的情況下改善或提高導電性的導電性組合物及具有由該導電性組合物形成之導電性部位的成形體。
本發明之進一步之目的在於提供一種導電性及散熱性優異的導電性接著劑及具備藉由該導電性接著劑直接接著之接合基材的成形體。
本發明者等人為解決上述課題而進行了潛心研究，結果發現：藉由在導電性組合物中對金屬薄片(薄片狀金屬粉)組合金屬奈米粒子與特定之樹脂成分，可獲得較高之導電性；又，即便具有如此高之導電性，亦可兼具對基材之優異之密接性或接著性；進而，於要求較高之散熱性之導電性接著劑用途等中，亦可確保充分之導電性與散熱性 (進而密接性)，從而完成了本發明。
即，本發明係提供一種導電性組合物，其係含有導電性金屬粉與樹脂成分之組合物，並且導電性金屬粉含有金屬薄片與金屬奈米粒子，樹脂成分含有芳香族胺骨架(或芳香族胺或來自芳香族胺之骨架)。
於此種組合物中，金屬薄片可具有金屬(或金屬結晶)以薄片狀(或二維地)成長(或結晶成長)而成之結晶結構。尤其，金屬薄片可為將X射線繞射之(111)面、(200)面之繞射積分強度分別設為I111、I200時，下述式所示之值X為20%以下的金屬薄片。
X=[I200/(I111+I200)]×100(%)
於本發明之組合物中，金屬奈米粒子之平均粒徑例如可為2~200 nm(例如3~150 nm)左右。又，關於金屬薄片與金屬奈米粒子之比例，例如可為前者/後者(重量比)=99/1~30/70左右。
上述樹脂成分可為熱硬化性樹脂成分。於代表性態樣中，樹脂成分可為包含熱硬化性樹脂(或熱硬化性樹脂前驅物)及硬化劑(或交聯劑)、並且熱硬化性樹脂及/或硬化劑含有芳香族胺骨架之熱硬化性樹脂成分，尤其於此種熱硬化性樹脂組合物中，硬化劑可包含芳香族胺系硬化劑。
於更具體之態樣中，樹脂成分可為含有環氧樹脂與包含芳香族胺系硬化劑之硬化劑的環氧樹脂成分，或含有聚異氰酸酯化合物與包含芳香族胺系硬化劑之硬化劑的聚異氰酸酯樹脂成分。尤其樹脂成分可為含有環氧當量為600 g/eq以下之環氧樹脂、及包含芳香族胺系硬化劑之硬化劑的環氧樹脂成分。
芳香族胺系硬化劑例如可為具有胺基直接取代於芳香環上而成之結構的芳香族胺系硬化劑。
於本發明之組合物中，關於導電性金屬粉與樹脂成分之比例， 例如可為前者/後者(重量比)=9/1~50/50左右。具代表性的是金屬薄片與金屬奈米粒子之比例為前者/後者(重量比)=97/3~35/65，導電性金屬粉與樹脂成分之比例為前者/後者(重量比)=97/3~70/30。
本發明之導電性組合物尤其可為導電性接著劑(例如晶片接合劑)。於更具體之態樣中，可為用以使金屬基材[導線架，例如由金屬(銅、銅合金等)形成之導線架，由金屬形成進而經鍍敷處理而成之導線架等]與半導體基材(半導體晶片，例如半導體基材，於半導體基材上形成有金屬膜之半導體晶片)接著的導電性接著劑(晶片接合劑)。再者，於形成有金屬膜之半導體晶片中，可用作用以使導線架與半導體晶片之金屬膜接著的導電性接著劑。
本發明進而提供一種成形體(導電性成形體)，其至少具有由上述導電性組合物形成之導電性部位(或導電膜)。此種成形體(電性、電子零件等)可為以下成形體：具備包含兩個基材、與介於該基材間且使兩個基材接著之導電性接著劑之接合基材，並且導電性接著劑為由上述導電性組合物形成之導電性部位的成形體。此種成形體例如可由以下構件所形成：由金屬形成之基材(導線架等)、由半導體形成之基材(半導體晶片等)、及介於該等基材間並使該等接著之上述導電性組合物。
又，本發明提供一種導電性成形體，其係至少具有由含有金屬薄片、金屬奈米粒子與樹脂成分之導電性組合物形成之導電性部位(或導電膜)者，並且將導電性部位之X射線繞射之(111)面、(200)面之繞射積分強度分別設為I111、I200時，下述式所示之值X為25%以下(尤其為20%以下，尤佳為10%以下)。
X=[I200/(I111+I200)]×100(%)
上述導電性成形體具體而言係具備包含兩個基材、與介於該基材間且使兩個基材接著之導電性接著劑之接合基材的成形體，並且可 為導電性接著劑係由含有金屬薄片、金屬奈米粒子與樹脂成分之導電性組合物形成，且導電性接著劑之值X為25%以下(尤其為20%以下，尤佳為10%以下)的導電性成形體。
再者，於導電性部位或導電性接著劑具有特定厚度之情形時，X之值可於與基材接觸之側(基材側)或表面側等進行測定。於X之值因此種測定部位的不同而稍有差異的情形時，亦較佳為X之值在上述範圍內。
於此種導電性成形體中，只要導電性組合物為含有金屬薄片、金屬奈米粒子與樹脂成分(可具有芳香族胺骨架之樹脂成分)之導電性組合物，則並無特別限定，無需為與上述導電性組合物相同之組成，例如可使用不具有芳香族胺骨架之樹脂成分(例如環氧樹脂成分等熱硬化性樹脂成分)作為樹脂成分。尤其至少金屬薄片及金屬奈米粒子可為與上述導電性組合物相同之成分，於更佳之態樣中，樹脂成分亦可為與上述相同之樹脂成分(即，具有芳香族胺骨架之樹脂成分)。通常，金屬薄片可為具有金屬(或金屬結晶)以薄片狀(或二維地)成長(或結晶成長)而成之結晶結構的金屬薄片，尤其可為上述X值為25%以下(尤其為20%以下，尤佳為10%以下)之金屬薄片。即，藉由使用此種金屬薄片，意外地於導電性成形體中亦可容易地形成保持金屬薄片之結晶狀態之導電性部位或導電性接著劑。
本發明之導電性組合物中，儘管含有作為黏合劑之樹脂成分，亦可實現優異之導電性。而且，可於不損及對基材之密接性或接著性的情況下實現此種導電性之改善或提高。又，本發明之導電性組合物由於導電性與散熱性(導熱性)優異，進而亦可確保充分之密接性，故尤其作為導電性接著劑而有用。
<導電性組合物>
本發明之導電性組合物係包含特定之導電性金屬粉及特定之樹脂成分。
[導電性金屬粉]
導電性金屬粉至少含有金屬薄片(薄片狀金屬粉、板狀金屬粉、鱗片狀金屬粉)與金屬奈米粒子。
(金屬薄片)
作為構成金屬薄片之金屬(金屬原子)，例如可列舉：過渡金屬(例如鈦、鋯等元素週期表第4族金屬；釩、鈮等元素週期表第5族金屬；鉬、鎢等元素週期表第6族金屬；錳、錸等元素週期表第7族金屬；鐵、鎳、鈷、釕、銠、鈀、銥、鉑等元素週期表第8~10族金屬：銅、銀、金等元素週期表第11族金屬等)、元素週期表第12族金屬(例如鋅、鎘等)、元素週期表第13族金屬(例如鋁、鎵、銦等)、元素週期表第14族金屬(例如鍺、錫、鉛等)、元素週期表第15族金屬(例如銻、鉍等)等。金屬可為單獨一種或組合兩種以上。
具代表性的金屬包括元素週期表第8~10族金屬(鐵、鎳、銠、鈀、鉑等)、元素週期表第11族金屬(銅、銀、金等)、元素週期表第13族金屬(鋁等)、元素週期表第14族金屬(錫等)等。
金屬除了金屬單體外，亦可為金屬之合金、金屬與非金屬之化合物(例如金屬氧化物、金屬氫氧化物、金屬硫化物、金屬碳化物、金屬氮化物、金屬硼化物等)之形態。通常，金屬大多情況下為金屬單體或金屬合金。
尤其，金屬較佳為至少含有銀等貴金屬(尤其元素週期表第11族金屬)之金屬(例如金屬單體、金屬合金)，尤佳為貴金屬單體(例如銀 單體等)。
該等金屬薄片可單獨使用或組合使用兩種以上。
金屬薄片並無特別限定，可為(i)具有金屬(或金屬結晶)以薄片狀(或二維地)成長(或結晶成長)而成之結晶結構(結晶結構1)之金屬薄片、(ii)具有多數個微晶聚集而成之結晶結構(結晶結構2)之金屬微粒子(或球狀微粒子)的薄片化(或扁平化)物等之任一種。
再者，金屬薄片(i)主要具有使結晶單體成長而成長為薄片狀之金屬的結晶結構，相對於此，金屬薄片(ii)通常係將具有多數個微晶聚集而成之結晶結構之金屬微粒子(或其凝聚物)薄片化(或扁平化)，故薄片化物亦主要具有多數個微晶聚集而成之結晶結構。又，金屬薄片(ii)係以物理方式薄片化，故容易於金屬表面生成微細之凹凸。
主要具有結晶結構1之金屬薄片(i)於晶界之電阻之方面而言小於結晶結構2，故較佳，但結晶面中佔薄片之大部分面積之板面[例如於如銀薄片般之面心立方格子之情形時主要為(111)面]之表面能較低，亦難以生成界面上之金屬鍵，故有無法確保充分之導電性之情形。另一方面，金屬薄片(ii)由於具有結晶結構2，故晶界之電阻大於結晶結構1，但或許因表面之微細凹凸而較結晶結構1更容易發生金屬薄片界面上之燒結，亦可期待由金屬鍵所得之低電阻化。
自此種觀點而言，金屬薄片只要根據所期望之用途或導電性等而適當選擇即可，於本發明中，尤其可較佳地使用金屬薄片(i)。即便為此種金屬薄片(i)，亦藉由與後述之金屬奈米粒子及樹脂成分組合而可確保金屬薄片間之充分之接觸，或許因此而可確保較高之導電性，進而該等成分協同作用，相較於使用金屬薄片(ii)之情形而可實現更高之導電性。
再者，金屬薄片之結晶性之程度可將X射線繞射之繞射強度作為指標而估測。於粉末X射線繞射法中，具有藉由結晶成長而賦予異向 性(配向性)之結晶結構1之金屬薄片中，對平面或板面之繞射主要對應於(111)面並以較大之強度表現出，而對形成厚度之面之繞射主要對應於(200)面，其強度表現得極小。另一方面，多數個微晶聚集而成之金屬薄片(ii)中，異向性(配向性)較小，自(111)面、(200)面之繞射強度之差異較小。因此，(111)面之強度越大，(200)面之強度越小，則結晶結構1之比例越變大。具體而言，可將以下金屬薄片作為主要具有結晶結構1之金屬薄片(即，金屬薄片(i))，即，將X射線繞射(2θ/θ掃描法)之(111)面、(200)面之繞射積分強度分別設為I111、I200時，下述式所示之值X之值成為25%以下(例如，0~22%)、較佳為20%以下(例如0~18%)、進而佳為15%以下(例如0~12%)、尤其為10%以下(例如0~9%)的金屬薄片，。
X=[I200/(I111+I200)]×100(%)
再者，若使用此種金屬薄片，則於成形後(例如對導電性組合物進行硬化處理後)亦可高效地獲得於後述之導電性部位或導電性接著劑中維持上述X之值的導電性成形體。
再者，金屬薄片(ii)中，上述X之值可為通常超過25%(例如27~40%)，較佳為30%以上(例如32~40%)左右，通常可為27~40%左右。
金屬薄片可使用市售品，亦可使用藉由慣用之方法而合成者。例如，金屬薄片(i)可使用藉由日本專利第3429985號公報、日本專利第4144856號公報、日本專利第4399799號公報、日本專利特開2009-144188號公報等中揭示之製造方法而合成者，或該等文獻中揭示之金屬薄片。又，金屬薄片(ii)可使用上述專利文獻1或2中揭示之方法而合成。
金屬薄片之平均粒徑例如可為0.1~20 μm，較佳為0.3~15 μm(例如0.5~12 μm)，進而佳為0.7~10 μm(例如0.8~7 μm)左右，通 常可為1~10 μm左右。再者，金屬薄片之平均粒徑例如可利用雷射繞射散射式粒度分佈測定法等而測定。於此種測定法中，平均粒徑(中心粒徑)係作為體積基準之值而測定。
金屬薄片之平均厚度例如可為5~1000 nm，較佳為20~500 nm，進而佳為50~300 nm，通常可為10~300 nm左右。
又，金屬薄片之縱橫比(平均粒徑/平均厚度)例如可為5~100，較佳為7~50，進而佳為10~30左右。
金屬薄片之BET比表面積可自0.3~7 m2/g左右之範圍內選擇，例如可為0.5~6 m2/g，較佳為1~5 m2/g，進而佳為1.2~4 m2/g左右，通常可為1~5 m2/g左右。
金屬薄片之搖實密度可自0.1~7 g/cm3(例如0.2~6 g/cm3)左右之範圍內選擇，例如可為0.3~5 g/cm3，較佳為0.5~4.5 g/cm3，進而佳為1~4 g/cm3左右，通常可為1.2~4 g/cm3(例如1.5~3.5 g/cm3)左右。
(金屬奈米粒子)
金屬薄片係與金屬奈米粒子組合使用。藉由將金屬薄片與此種金屬奈米粒子(進而與特定之樹脂成分)組合，可高效地實現較高之導電性或密接性。其理由雖不確定，但可考慮以下情況亦為其一個原因：金屬奈米粒子介於金屬薄片之間，由此金屬薄片間之接觸面積以物理方式增大，或藉由金屬奈米粒子之燒結而形成金屬鍵。尤其此種效果具有補充金屬界面之接觸之特徵，故與如上述之單晶結構之金屬薄片組合時，大多情況下較為顯著。然而，即便單純地組合金屬薄片與金屬奈米粒子，亦有無法確保充分之接觸的情形，藉由進一步組合後述特定之樹脂成分，可實現高導電性。
金屬奈米粒子之形態只要為非薄片狀即可，可為纖維狀等，通常可為球狀(或大致球狀)。再者，金屬奈米粒子(球狀金屬奈米粒子)之縱橫比例如可為3以下(例如1~2.5)，較佳為2以下(例如1~1.5)。
再者，構成金屬奈米粒子之金屬與上述金屬薄片之項中揭示之金屬相同。金屬薄片與金屬奈米粒子之構成金屬可相同亦可不同。金屬奈米粒子可為單獨一種或組合兩種以上。
金屬奈米粒子之平均粒徑(D50)只要為奈米級(nanosize)即可，可自1~800 nm(例如2~600 nm)左右之範圍內選擇，例如可為3~500 nm(例如5~300 nm)，較佳為5~200 nm(例如7~180 nm)，進而佳為10~150 nm(例如20~120 nm)左右，通常可為1~300 nm(例如2~200 nm，較佳為3~150 nm，進而佳為4~100 nm)左右。再者，平均粒徑可使用電子顯微鏡(穿透式電子顯微鏡、掃描式電子顯微鏡等)或雷射繞射散射式粒度分佈測定法而測定。
再者，金屬奈米粒子可使用市售品，亦可使用藉由慣用之方法而合成者。例如，作為市售品，可列舉：德力科學研究所製造之Silvest C-34、Silvest H-1、Silvest E-20，三井金屬礦業製造之ST-M、SPH02J，DOWA Electronics股份有限公司製造之超精細銀粉-1、銀奈米粒子乾粉-1、銀奈米粒子乾粉-2，DOWA High-tech股份有限公司製造之G-13、G-35、GS-36，福田金屬箔粉工業製造之AgC-101、AgC-111、AgC-114、AgC-141、AgC-152、AgC-153、AgC-154等。
又，作為金屬奈米粒子之製造方法，可列舉日本專利特開2005-281781號公報、日本專利特開2005-298921號公報、日本專利特開2006-124787號公報、日本專利特開2006-152344號公報、日本專利特開2007-146271號公報、日本專利特開2007-321215號公報、日本專利特開2008-223101號公報、日本專利特開2009-30084號公報、日本專利特開2009-62598號公報、日本專利特開2009-74171號公報、日本專利特開2009-120940號公報、日本專利特開2010-202943號公報、日本專利特開2010-229544號公報等中揭示之方法。
再者，金屬薄片之平均粒徑與金屬奈米粒子之平均粒徑的比例 (比)例如可為前者/後者=2/1~5000/1(例如3/1~3000/1)，較佳為4/1~2000/1(例如5/1~1500/1)，進而佳為10/1~1000/1左右。
金屬薄片與金屬奈米粒子(球狀金屬奈米粒子等)之比例可自前者/後者(重量比)=99/1~5/95(例如98/2~10/90)左右之範圍內選擇，例如可為97/3~15/85(例如96/4~20/80)，較佳為95/5~25/75(例如93/7~27/73)，進而佳為90/10~30/70(例如88/12~35/65)，尤佳為85/15~40/60(例如80/20~45/55)左右，通常可為80/20~40/60左右。尤其，金屬薄片與金屬奈米粒子之比例可為前者/後者(重量比)=99/1~10/90(例如98.5/1.5~15/85)，較佳為98/2~20/80(例如97.5/2.5~30/70)，進而佳為97/3~35/65(例如96/4~40/60)左右，通常可為99/1~30/70左右。
[樹脂成分]
於本發明中，構成導電性組合物之樹脂成分具有芳香族胺骨架(或來自芳香族胺之骨架)。藉由對金屬薄片組合金屬奈米粒子與具有芳香族胺骨架之樹脂成分，可實現高導電性，可確保對基板之充分之密接性。其理由雖不確定，但亦可設想：存在具有芳香族胺骨架之樹脂以某種形式促進金屬薄片彼此、金屬薄片與金屬奈米粒子、進而金屬奈米粒子彼此之接觸或燒結(金屬鍵之形成)之情形，此外，具有剛直之芳香族胺骨架之樹脂結構、與金屬薄片及金屬奈米粒子之組合中形成之剛直之金屬網狀結構的相容性良好。
作為樹脂成分，可為熱塑性樹脂(或熱塑性樹脂成分，例如聚醯胺樹脂、聚酯樹脂等縮合系樹脂；(甲基)丙烯酸系樹脂等加成聚合系樹脂)、熱硬化性樹脂成分等之任一種，於本發明中，可較佳地使用熱硬化性樹脂成分。作為熱硬化性樹脂(或熱硬化性樹脂成分)，例如可列舉：環氧樹脂、酚樹脂、胺基樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂(聚異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯樹脂)、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚醯亞胺樹脂 等。
樹脂成分根據樹脂之態樣而含有芳香族胺骨架。再者，芳香族胺骨架可具有游離之胺基，亦可含有於樹脂單體中。例如於樹脂成分為熱塑性樹脂之情形時，可列舉以芳香族胺作為聚合成分(或單體)之樹脂[例如以含有芳香族二胺(後述之上述環氧樹脂成分之項中例示的芳香族胺系硬化劑等)之二胺成分作為聚合成分的聚醯胺樹脂；以具有芳香族胺骨架之自由基聚合性單體(例如(甲基)丙烯酸-2-乙基胺基苯酯、(甲基)丙烯酸-4-(苯甲醯基胺基)苯酯等)作為聚合成分的加成聚合系樹脂((甲基)丙烯酸系樹脂等)等]等。
另一方面，於樹脂成分為熱硬化性樹脂成分之情形時，可列舉：以芳香族胺作為聚合成分(或單體)之熱硬化性樹脂(例如縮水甘油胺型芳香族環氧樹脂、苯胺樹脂等)，或含有芳香族胺作為硬化劑(或交聯劑)、硬化促進劑或起始劑等之熱硬化性樹脂成分[例如含有熱硬化性樹脂(例如環氧樹脂、酚樹脂、聚異氰酸酯化合物等)與包含芳香族胺系硬化劑(例如環氧樹脂、酚樹脂或聚異氰酸酯化合物之硬化劑)之硬化劑(或硬化促進劑)的熱硬化性樹脂成分等]等。
具有芳香族胺骨架之樹脂成分可為單獨一種或組合兩種以上。
再者，於樹脂成分中，芳香族胺骨架(例如芳香族胺或來自芳香族胺之骨架)之比例亦取決於樹脂之態樣，例如可為樹脂成分總體之1重量%以上(例如2~100重量%)，較佳為3重量%以上(例如4~90重量%)，進而佳為5重量%以上(例如7~80重量%)左右。
尤其於樹脂成分為熱硬化性樹脂成分之情形時，芳香族胺骨架相對於熱硬化性樹脂成分總體之比例(例如芳香族胺系硬化劑之比例)可為樹脂成分總體之3重量%以上(例如4~100重量%)，較佳為5重量%以上(例如7~90重量%)，進而佳為10重量%以上(例如15~80重量%)左右。
具代表性之樹脂成分中包含如下熱硬化性樹脂成分，該熱硬化性樹脂成分包含熱硬化性樹脂(或熱硬化性樹脂前驅物)及硬化劑(或交聯劑)，且硬化性樹脂及/或硬化劑含有芳香族胺骨架。其中，較佳為含有熱硬化性樹脂(例如環氧樹脂、聚異氰酸酯化合物)與包含芳香族胺系硬化劑(後述化合物等)之硬化劑的熱硬化性樹脂成分。若使用芳香族胺系硬化劑，則可更高效地實現高導電性。其理由雖不確定，但亦可設想：介於金屬薄片間之金屬奈米粒子之燒結(金屬鍵之形成)速度、與由芳香族胺系硬化劑所得之硬化速度的平衡有助於高效的低電阻化。
於此種情形時，芳香族胺系硬化劑之比例亦取決於熱硬化性樹脂之種類等，例如相對於熱硬化性樹脂100重量份，可為0.1~800重量份，較佳為0.5~500重量份，進而佳為1~300重量份(例如2~200重量份)，尤佳為3~150重量份(例如5~100重量份)左右。
以下，以更具體之例，對環氧樹脂成分與聚異氰酸酯樹脂成分進行詳述。
(環氧樹脂成分)
作為具代表性之環氧樹脂成分，包含含有環氧樹脂與包含芳香族胺系硬化劑之硬化劑。
環氧樹脂並無特別限定，可為單官能型環氧樹脂[例如縮水甘油醚類(例如苯基縮水甘油醚、鄰苯基苯基縮水甘油醚等芳香族單縮水甘油醚)、氧化環烯烴類(例如4-乙烯基環氧環己烷、環氧六氫鄰苯二甲酸二烷基酯等)等]、多官能型環氧樹脂之任一種，通常可至少使用多官能型環氧樹脂(或環氧化合物)而構成。
環氧樹脂例如可為縮水甘油醚型、縮水甘油胺型、縮水甘油酯型、脂環式型(具有環氧環烷烴骨架之環氧樹脂)等之任一種。再者，於多官能型環氧樹脂中，環氧基之個數為2以上即可，例如可為2~ 150(例如2~120)，較佳為2~100(例如2~80)，進而佳為2~50(例如2~30)左右。
作為具體之多官能型環氧樹脂(具有2個以上之環氧基之環氧樹脂)，可大致分為脂肪族環氧樹脂(多官能脂肪族環氧樹脂)、脂環族環氧樹脂[例如，雙官能脂環族環氧樹脂(例如3,4-環氧環己基甲基-3,4-環氧環己烷羧酸酯等)、三官能以上之脂環族環氧樹脂(例如2,2-雙(羥甲基)-1-丁醇與3,4-環氧環己烷羧酸之三酯等之烷三醇至六醇與環氧環烷烴羧酸之三酯至六酯等)等]、芳香族環氧樹脂、含氮型環氧樹脂(含氮型多官能環氧樹脂，例如異三聚氰酸三縮水甘油酯等)等。
作為脂肪族環氧樹脂，例如可列舉：雙官能脂肪族環氧樹脂[例如脂肪族二縮水甘油醚(例如丁二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚等烷二醇二縮水甘油醚；聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚等聚C2-4烷二醇二縮水甘油醚)、環己烷二甲醇二縮水甘油醚等二縮水甘油醚型雙官能脂肪族環氧樹脂；芳香族二羧酸之氫化物(例如四氫鄰苯二甲酸、六氫鄰苯二甲酸等)之二縮水甘油酯、二聚酸縮水甘油酯等縮水甘油酯型雙官能脂肪族環氧樹脂]、三官能以上之脂肪族環氧樹脂(例如三羥甲基丙烷三縮水甘油醚、甘油三縮水甘油醚、季戊四醇三或四縮水甘油醚等烷三醇至六醇之三至六縮水甘油醚等)等。
作為芳香族環氧樹脂，例如可列舉：縮水甘油醚型芳香族環氧樹脂{例如多縮水甘油氧基芳烴類[例如二縮水甘油氧基萘(例如1,5-二(縮水甘油氧基)萘、1,6-二(縮水甘油氧基)萘、2,6-二(縮水甘油氧基)萘、2,7-二(縮水甘油氧基)萘、2,7-二(2-甲基-2,3-環氧丙氧基)萘等)、2,2'-二縮水甘油氧基聯萘等多縮水甘油氧基萘類等]；多縮水甘油氧基芳烴類(上述例示之多縮水甘油氧基萘類等)直接鍵結或經由連結基(例如，亞甲基、伸乙基等伸烷基或亞烷基等)連結而成之化合物[例如 1,1'-亞甲基雙(2,7-二縮水甘油氧基萘)或雙(2,7-二縮水甘油氧基萘基)甲烷等多(二縮水甘油氧基萘基)C1-10烷烴]；三至八(縮水甘油氧基芳基)烷烴[例如1,1,2,2-四(4-縮水甘油氧基苯基)乙烷、1,1,1-三(縮水甘油氧基苯基)甲烷等三至六(縮水甘油氧基苯基)C1-10烷烴]；雙酚型環氧樹脂；酚醛清漆型環氧樹脂；二縮水甘油基苯胺等}、縮水甘油酯型芳香族環氧樹脂[例如芳香族二羧酸(鄰苯二甲酸等)之二縮水甘油酯等]、縮水甘油胺型芳香族環氧樹脂[例如N,N-二縮水甘油基苯胺；四縮水甘油基二胺基二苯基甲烷、四縮水甘油基間二甲苯二胺等四至八縮水甘油基多胺；三縮水甘油基對胺基苯酚；N,N-二縮水甘油基-4-縮水甘油氧基苯胺(或N,N-雙(2,3-環氧丙基)-4-(2,3-環氧丙氧基)苯胺)等]等。
作為雙酚型環氧樹脂，可列舉：雙酚類或其環氧烷(例如環氧乙烷、環氧丙烷等C2-4環氧烷)加成物之二縮水甘油醚。作為雙酚類，例如可列舉：聯苯酚；雙酚A、雙酚B、雙酚E、雙酚F等雙(羥基苯基)C1-10烷烴；2,2-雙(3-甲基-4-羥基苯基)丙烷、雙酚G等雙(羥基C1-10烷基苯基C1-10烷烴；雙酚PH等雙(羥基C6-10芳基苯基)C1-10烷烴；雙酚Z、雙酚TMC等雙(羥基苯基)C5-10環烷烴；雙酚AP、雙酚BP；雙酚AF；雙酚S；雙酚M；雙酚P等。再者，於雙酚類之環氧烷加成物中，相對於雙酚類之羥基1莫耳之環氧烷的加成莫耳數例如可為1莫耳以上(例如1~20莫耳)，較佳為1~15莫耳，進而佳為1~10莫耳左右。
作為酚醛清漆型環氧樹脂，可列舉：以酚化合物作為聚合成分之酚醛清漆樹脂之縮水甘油醚化物。於此種酚醛清漆型環氧樹脂中，作為酚化合物(具有酚性羥基之化合物)，可列舉：酚類[例如苯酚；烷基酚(例如甲酚、乙基苯酚、第二丁基苯酚、第三丁基苯酚、1,1,3,3-四甲基丁基苯酚、癸基苯酚、十二烷基苯酚等C1-20烷基酚，較佳為 C1-12烷基酚，進而佳為C1-4烷基酚)、芳烷基酚(例如1,1-二甲基-1-苯基甲基苯酚等C6-10芳基C1-10烷基酚)等取代酚]、萘酚類(例如萘酚等)、雙酚類(例如聯苯酚、雙酚A等上述例示之雙酚類)等。該等酚化合物可為單獨一種或組合兩種以上而構成酚醛清漆樹脂。
又，酚醛清漆樹脂可為改性酚醛清漆樹脂。例如酚醛清漆樹脂可為含有非酚化合物骨架[例如芳香脂肪族骨架(例如苯二甲基骨架等C6-10芳烴二C1-4伸烷基骨架)、脂環族骨架(例如二環戊二烯骨架等橋聯環式脂肪族烴骨架)等]之酚醛清漆樹脂，亦可為經鹵化(例如溴化)的酚醛清漆樹脂。
作為具代表性之酚醛清漆型環氧樹脂，例如可列舉：以酚性化合物作為聚合成分之酚醛清漆型環氧樹脂[例如苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、烷基酚酚醛清漆型環氧樹脂(例如甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等)、萘酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚酚醛清漆型環氧樹脂(例如雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚F酚醛清漆型環氧樹脂等)等]、以酚性化合物作為聚合成分之改性酚醛清漆型環氧樹脂[例如芳烷基酚醛清漆型環氧樹脂(例如含有苯二甲基骨架之苯酚酚醛清漆樹脂等)、含有二環戊二烯骨架之酚醛清漆型環氧樹脂(例如含有二環戊二烯骨架之苯酚酚醛清漆型環氧樹脂)、含有聯苯骨架之酚醛清漆型環氧樹脂(例如含有聯苯骨架之苯酚酚醛清漆型環氧樹脂)、溴化酚醛清漆型環氧樹脂(例如溴化苯酚酚醛清漆型環氧樹脂)等以上述酚性化合物作為聚合成分之改性酚醛清漆型環氧樹脂]等。
再者，酚醛清漆型環氧樹脂之數量平均分子量例如可為1,000~1,000,000，較佳為5,000~500,000，進而佳為10,000~100,000左右。
環氧樹脂可為單獨一種或組合兩種以上。
環氧樹脂之環氧當量並無特別限定，可自800 g/eq以下(例如50~750 g/eq)左右之範圍內選擇，例如可為700 g/eq以下(例如70~650 g/eq)，較佳為600 g/eq以下(例如80~550 g/eq)，尤佳為500 g/eq以下(例如100~450 g/eq)左右。
再者，於組合多官能型環氧樹脂與單官能型環氧樹脂之情形時，該等之比例可自前者/後者(重量比)=99.9/0.1~30/70(例如，99.5/0.5~40/60)左右之範圍內選擇，例如可為99/1~50/50，較佳為97/3~60/40，進而佳為95/5~70/30左右。
環氧樹脂成分除了含有作為主劑之環氧樹脂(及視需要之其他環氧樹脂)外，亦含有包含芳香族胺系硬化劑之硬化劑(環氧樹脂硬化劑)。
作為芳香族胺系硬化劑，例如包含：多胺基芳烴(例如對苯二胺、間苯二胺等二胺基芳烴，較佳為二胺基C6-10芳烴)、多胺基-烷基芳烴(例如二乙基甲苯二胺等二胺基-烷基芳烴，較佳為二胺基-單至三C1-4烷基C6-10芳烴)、多(胺基烷基)芳烴(例如二甲苯二胺等二(胺基烷基)芳烴，較佳為二(胺基C1-4烷基)C6-10芳烴)、多(胺基芳基)烷烴(例如二胺基二苯基甲烷等二(胺基芳基)烷烴，較佳為二(胺基C6-10芳基)C1-6烷烴)、多(胺基-烷基芳基)烷烴(例如4,4'-亞甲基雙(2-乙基-6-甲基苯胺)等二(胺基-烷基芳基)烷烴，較佳為二(胺基-C1-4烷基C6-10芳基)C1-6烷烴)、雙(胺基芳基烷基)芳烴(例如1,3-雙[2-(4-胺基苯基)-2-丙基)]苯、1,4-雙[2-(4-胺基苯基)-2-丙基)]苯等雙(胺基C6-10芳基C1-10烷基)C6-10芳烴等)、二(胺基芳基)醚(例如二胺基二苯基醚等二(胺基C6-12芳基)醚，較佳為二(胺基C6-10芳基)醚等)、二(胺基芳氧基)芳烴(例如1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯等二(胺基C6-12芳基氧基)C6-12芳烴，較佳為二(胺基C6-10芳基氧基)C6-10芳烴)、二(胺基芳基)碸(例如二胺基二苯基碸等二(胺基C6-12芳基)碸，較佳為二(胺基C6-10芳基)碸等)等。芳香族胺系硬化劑可為單獨一種或組合兩種以上。
該等之中，尤佳為胺基直接取代於芳香環上而成之芳香族胺[例 如多(胺基芳基)烷烴、二(胺基芳基)醚等]。
再者，硬化劑若含有芳香族胺系硬化劑，則可與其他硬化劑組合。作為其他硬化劑，例如可列舉：非芳香族胺系硬化劑{例如脂肪族胺系硬化劑(例如乙二胺、六亞甲基二胺、二伸乙基三胺、三伸乙基四胺、四伸乙基五胺、二乙胺基丙胺等(聚)伸烷基多胺等)、脂環族胺系硬化劑(例如薄荷烷二胺、異佛爾酮二胺、雙(4-胺基-3-甲基環己基)甲烷、3,9-雙(3-胺基丙基)-2,4,8,10-四氧雜螺[5.5]十一烷等單環式脂肪族多胺；降烷二胺等交聯環式多胺等)、咪唑系硬化劑[咪唑類(例如2-乙基咪唑、2-苯基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑等烷基咪唑；2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑等芳基咪唑)、咪唑類之鹽(例如甲酸鹽、酚鹽、苯酚酚醛清漆鹽等有機鹽；碳酸鹽等鹽)、環氧化合物(例如雙酚A之二縮水甘油醚等聚環氧化合物)與咪唑類之反應物(或加成物)等]等}、酚樹脂系硬化劑(例如苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂等上述酚醛清漆型環氧樹脂之項中例示之酚醛清漆樹脂等)、酸酐系硬化劑(例如十二烯基琥珀酸酐、己二酸酐等脂肪族羧酸酐；四氫鄰苯二甲酸酐、甲基四氫鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、甲基六氫鄰苯二甲酸酐、甲基雙環庚烯二甲酸酐、甲基環己烯二羧酸酐等脂環族羧酸酐：鄰苯二甲酸酐、偏苯三甲酸酐、均苯四甲酸二酐、二苯基酮四羧酸酐等芳香族羧酸酐)、聚胺基醯胺系硬化劑、聚硫醇系硬化劑、潛伏性硬化劑(三氟化硼-胺錯合物、雙氰胺、甲醯肼(carboxylic acid hydrazide)等)等。該等硬化劑可為單獨一種或組合兩種以上。再者，硬化劑亦有用作硬化促進劑之情形。
再者，於組合芳香族胺系硬化劑與其他硬化劑之情形時，該等之比例可自前者/後者(重量比)=99.9/0.1~30/70(例如99.5/0.5~40/60)左右之範圍內選擇，例如可為99/1~50/50，較佳為98/2~70/30，進 而佳為97/3~80/20左右。
硬化劑(或芳香族胺系硬化劑)之比例亦取決於硬化劑之種類或環氧樹脂與硬化劑之組合，例如相對於環氧樹脂100重量份，可為0.1~500重量份，較佳為1~300重量份，進而佳為2~200重量份(例如3~100重量份)左右，通常可為4~80重量份(例如5~60重量份)左右。
再者，硬化劑之比例視硬化劑之種類不同，亦可根據環氧樹脂之環氧當量而適當選擇，例如相對於環氧樹脂之環氧基1當量，硬化劑之官能基(胺基等)例如可為0.1~4.0當量，較佳為0.3~2.0當量，進而佳為0.5~1.5當量之比例。
又，環氧樹脂成分可含有硬化促進劑。作為硬化促進劑，並無特別限定，可列舉慣用之環氧樹脂用之硬化促進劑，例如膦類(例如乙基膦、丙基膦、苯基膦、三苯基膦、三烷基膦等)、胺類(例如哌啶、三乙胺、苄基二甲胺、三乙醇胺、二甲基胺基乙醇、三伸乙基二胺、三(二甲基胺基甲基)苯酚、N,N-二甲基哌等二級~三級胺類或其鹽等)等。又，視組合不同，亦可將上述例示之硬化劑(例如咪唑類等)用作硬化促進劑。硬化促進劑可單獨使用或組合使用兩種以上。
硬化促進劑之比例並無特別限定，亦取決於與環氧樹脂或硬化劑之組合，例如相對於環氧樹脂100重量份，可為0.01~100重量份，較佳為0.05~80重量份，進而佳為0.1~50重量份左右，通常可為0.5~30重量份(例如1~25重量份)左右。
(聚異氰酸酯樹脂成分)
作為具代表性之聚異氰酸酯樹脂成分，包含如下聚異氰酸酯樹脂成分，該聚異氰酸酯樹脂成分含有聚異氰酸酯化合物與包含芳香族胺系硬化劑之硬化劑。
作為聚異氰酸酯化合物，除了聚異氰酸酯以外，亦包含：聚異氰酸酯之改性體{例如封閉異氰酸酯[經封閉劑(例如吡唑、烷基吡唑 (3-甲基吡唑等)、鹵吡唑(3-氯吡唑等)等吡唑化合物；醇類；酚類；醚亞胺類；咪唑類等)封閉之聚異氰酸酯]、多聚物(二聚物、三聚物等)、碳二醯亞胺體、縮二脲體、脲基甲酸酯體、脲二酮體等}、聚異氰酸酯與多羥基化合物[烷二醇(乙二醇、丙二醇等)、二至四烷二醇(二乙二醇等)、聚醚多元醇、聚酯多元醇、三官能以上之多元醇(甘油、三羥甲基丙烷、季戊四醇等)等]或多胺化合物反應而成之末端異氰酸酯預聚物等。
作為聚異氰酸酯，例如可大致分為脂肪族聚異氰酸酯、脂環族聚異氰酸酯、芳香脂肪族聚異氰酸酯、芳香族聚異氰酸酯等。
作為脂肪族聚異氰酸酯，例如可列舉：脂肪族二異氰酸酯{例如烷烴二異氰酸酯[例如1,6-六亞甲基二異氰酸酯、2,2,4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯、2,4,4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯、離胺酸二異氰酸酯等C2-20烷烴-二異氰酸酯，較佳為C4-12烷烴-二異氰酸酯等)等]等}，具有3個以上之異氰酸酯基之脂肪族聚異氰酸酯(例如1,3,6-六亞甲基三異氰酸酯、1,4,8-三異氰酸酯基辛烷等三異氰酸酯等)等。
作為脂環族聚異氰酸酯，例如可列舉：脂環族二異氰酸酯[環烷烴二異氰酸酯(例如甲基-2,4-環己烷二異氰酸酯、甲基-2,6-環己烷二異氰酸酯等C5-8環烷烴-二異氰酸酯等)、異氰酸酯基烷基環烷烴異氰酸酯(例如異佛爾酮二異氰酸酯等異氰酸酯基C1-6烷基-C5-10環烷烴-異氰酸酯)、二(異氰酸酯基烷基)環烷烴[例如1,4-二(異氰酸酯基甲基)環己烷等二(異氰酸酯基C1-6烷基)C5-10環烷烴]、二(異氰酸酯基環烷基)烷烴[例如4,4'-亞甲基雙環己基異氰酸酯)等雙(異氰酸酯基C5-10環烷基)C1-10烷烴等]、聚環烷烴二異氰酸酯(降烷二異氰酸酯等)等}、具有3個以上之異氰酸酯基之脂環族聚異氰酸酯(例如1,3,5-三異氰酸酯基環己烷等三異氰酸酯等)等。
作為芳香脂肪族聚異氰酸酯，例如可列舉：二(異氰酸酯基烷基) 芳烴[例如二甲苯二異氰酸酯、四甲基二甲苯二異氰酸酯等雙(異氰酸酯基C1-6烷基)C6-12芳烴等]等芳香脂肪族二異氰酸酯。
作為芳香族聚異氰酸酯，可列舉：芳香族二異氰酸酯{例如芳烴二異氰酸酯[例如鄰、間或對-苯二異氰酸酯，氯苯二異氰酸酯，甲苯二異氰酸酯，萘二異氰酸酯等C6-12芳烴-二異氰酸酯等]、二(異氰酸酯基芳基)烷烴[例如二苯基甲烷二異氰酸酯(MDI)(2,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯等)、聯甲苯胺二異氰酸酯等雙(異氰酸酯基C6-10芳基)C1-10烷烴，較佳為雙(異氰酸酯基C6-8芳基)C1-6烷烴等]、多(異氰酸酯基芳基)醚(例如二(異氰酸酯基苯基)醚等)、多(異氰酸酯基芳基)碸(例如二(異氰酸酯基苯基)碸等)等]等}、具有3個以上之異氰酸酯基之芳香族聚異氰酸酯(例如4,4'-二苯基甲烷-2,2',5,5'-四異氰酸酯等三或四異氰酸酯等)等。
該等聚異氰酸酯化合物可為單獨一種或組合兩種以上。聚異氰酸酯化合物通常大多情況下係至少使用二異氰酸酯化合物而構成。
於聚異氰酸酯化合物中，異氰酸酯基(-NCO)之含有比例例如可為3~70重量%，較佳為5~60重量%，進而佳為7~50重量%左右。
聚異氰酸酯樹脂成分除了含有作為主劑之聚異氰酸酯化合物外，亦含有包含芳香族胺系硬化劑之硬化劑(或交聯劑或聚異氰酸酯硬化劑)。
作為芳香族胺系硬化劑，可列舉上述環氧樹脂成分之項中例示之硬化劑，較佳態樣亦與上述相同。芳香族胺系硬化劑可為單獨一種或組合兩種以上。
再者，硬化劑若含有芳香族胺系硬化劑，則可與其他硬化劑[例如非芳香族胺系硬化劑(上述環氧樹脂成分之項中例示之非芳香族胺系硬化劑等)、多元醇化合物等]組合。
再者，於組合芳香族胺系硬化劑與其他硬化劑之情形時，該等 之比例可自前者/後者(重量比)=99.9/0.1~30/70(例如99.5/0.5~40/60)左右之範圍內選擇，例如可為99/1~50/50，較佳為98/2~70/30，進而佳為97/3~80/20左右。
硬化劑(或芳香族胺系硬化劑)之比例亦取決於硬化劑之種類或聚異氰酸酯化合物與硬化劑之組合，例如相對於聚異氰酸酯化合物100重量份，可為0.1~500重量份，較佳為1~300重量份，進而佳為2~200重量份(例如3~100重量份)左右，通常可為4~80重量份(例如5~60重量份)左右。
關於導電性金屬粉與具有芳香族胺骨架之樹脂成分(例如環氧樹脂成分、聚異氰酸酯樹脂成分等)之比例，例如可自前者/後者(重量比)=99.9/0.1~20/80(例如99.7/0.3~30/70)左右之範圍內選擇，例如可為99.5/0.5~40/60(例如99.3/0.7~45/55)，較佳為99/1~50/50(例如98.5/1.5~55/45)，進而佳為98/2~60/40(例如97.5/2.5~60/40)，尤佳為97/3~60/40(例如96.5/3.5~65/35)左右，通常可為99/1~60/40(例如98/2~65/35，較佳為97/3~70/30，進而佳為96/4~80/20)。於本發明中，藉由組合金屬薄片與金屬奈米粒子與特定之樹脂成分，即便樹脂成分之比例較大，亦可高效地獲得導電性或密接性優異之導電性組合物。
(其他成分)
本發明之導電性組合物可進而含有溶劑(或分散介質)。此種含有溶劑之組合物(尤其是漿料狀組合物)適合用作塗佈用組合物(塗佈用導電性組合物)。作為溶劑，並無特別限定，例如可列舉：水、醇類{例如脂肪族醇類[例如甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇、己醇、庚醇、辛醇(1-辛醇、2-辛醇等)、癸醇、月桂醇、十四醇、十六醇、2-乙基-1-己醇、十八醇、十六碳烯醇、油醇等飽和或不飽和C1-30脂肪族醇，較佳為飽和或不飽和C8-24脂肪族醇等]、脂環族醇類[例如環己 醇等環烷醇類；松脂醇、二氫松脂醇等萜醇類(例如單萜醇等)等]、芳香脂肪族醇(例如苄醇、苯乙醇等)、多元醇類(乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇、聚乙二醇等(聚)C2-4烷二醇等二醇類；甘油等具有3個以上之羥基之多元醇等)等}、二醇醚類(例如乙二醇單甲醚(甲基溶纖劑)、乙二醇單乙醚(乙基溶纖劑)、乙二醇單丁醚(丁基溶纖劑)、二乙二醇單甲醚(甲基卡必醇)、二乙二醇單乙醚(乙基卡必醇)、二乙二醇單丁醚(丁基卡必醇)、三乙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚、二丙二醇單甲醚、三丙二醇丁醚等(聚)烷二醇單烷基醚；2-苯氧基乙醇等(聚)烷二醇單芳基醚等)、二醇酯類(例如卡必醇乙酸酯等(聚)烷二醇乙酸酯等)、二醇醚酯類(例如乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單丁醚乙酸酯等(聚)烷二醇單烷基醚乙酸酯)、烴類[例如脂肪族烴類(例如己烷、三甲基戊烷、辛烷、癸烷、十二烷、十四烷、十八烷、七甲基壬烷、四甲基十五烷等飽和或不飽和脂肪族烴類)、脂環式烴類(環己烷等)、鹵化烴類(二氯甲烷、氯仿、二氯乙烷等)、芳香族烴類(例如甲苯、二甲苯等)等]、酯類(例如乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸苄酯、乙酸異冰片酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯等)、醯胺類(甲醯胺、乙醯胺、N-甲基甲醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等單或二C1-4醯基醯胺類等)、酮類(丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁酮等)、醚類(二乙醚、二丙醚、二烷、四氫呋喃等)、有機羧酸類(乙酸等)等。該等溶劑可為單獨一種或組合兩種以上。
該等溶劑之中，廣泛使用脂肪族醇(例如乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇、2-乙基-1-己醇、辛醇、癸醇等烷醇；乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇、1,4-丁二醇等(聚)烷二醇；甘油等)、脂環族醇類(例如環己醇等環烷醇；松脂醇、二氫松脂醇等萜醇等)、二醇醚類[例如溶纖劑類(甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丁基溶纖劑等C1-4烷基溶纖劑 等)、卡必醇類(甲基卡必醇、乙基卡必醇、丙基卡必醇、丁基卡必醇等C1-4烷基卡必醇等)等]、二醇醚酯類[例如溶纖劑乙酸酯類(乙基溶纖劑乙酸酯等C1-4烷基溶纖劑乙酸酯)、卡必醇乙酸酯類(例如丁基卡必醇乙酸酯等C1-4烷基卡必醇乙酸酯等)等]等。此種溶劑使導電性組合物(或導電性漿料)產生適度之黏度，並且容易使金屬薄片、金屬奈米粒子及環氧樹脂成分均勻混合，因而較佳。
又，本發明之導電性組合物亦可根據用途而於不損及本發明之效果之範圍內含有慣用之添加劑，例如著色劑(染料或顏料等)、色調改良劑、染料固定劑、光澤賦予劑、金屬抗腐蝕劑、穩定劑(抗氧化劑、紫外線吸收劑等)、界面活性劑或分散劑(陰離子性界面活性劑、陽離子性界面活性劑、非離子性界面活性劑、兩性界面活性劑等)、分散穩定劑、增稠劑或黏度調整劑、保濕劑、搖變性賦予劑、調平劑、消泡劑、殺菌劑、填充劑、反應性稀釋劑等。該等添加劑可單獨使用或組合使用兩種以上。
再者，如上所述，本發明之導電性組合物可為含有溶劑之導電性組合物。此種含有溶劑之導電性組合物(或導電性漿料)中，固形物成分濃度亦取決於用途，可自10重量%以上(例如20~99重量%)左右之範圍內選擇，例如可為20重量%以上(例如30~98重量%)，較佳為40重量%以上(例如50~97重量%)，進而佳為60重量%以上(例如70~95重量%)，通常可為50~90重量%(例如60~80重量%)。
又，本發明之導電性組合物(尤其是含有溶劑之導電性組合物)之黏度並無特別制限，可根據用途而適當選擇，例如於25℃下可為1~300 Pa．s(例如3~200 Pa．s)，較佳為5~150 Pa．s(例如7~100 Pa．s)，進而佳為10~100 Pa．s左右。若黏度過小，則塗佈(例如點膠塗佈(dispense coating))時有滴液之虞，若黏度過大，則有發生拉絲之虞。黏度例如是於下述條件下測定。
測定機器：流變計
測定條件：剪切強度5(1/s)，直徑4 cm，2°錐
再者，本發明之導電性組合物並無特別限定，可藉由混合各成分而獲得，具代表性的是可藉由使導電性金屬粉與含有金屬奈米粒子之樹脂成分(進而視需要之其他成分)分散於溶劑(或分散介質)中而獲得。
[導電性組合物之用途及成形體]
本發明之導電性組合物(或導電性漿料)可用於形成需要導電性(或導電性部位)之各種成形體(導電性成形體)。例如，本發明之導電性組合物因具有導電性，故可用作用以於基材上形成配線或電路(或電極)之組合物。尤其，本發明之導電性組合物因可實現高導電性或導熱性，並且對基材之密接性或接著性優異，故適合用作導電性接著劑。
即，本發明之導電性成形體至少具有由導電性組合物形成之導電性部位(或導電膜)。更具體而言，導電性成形體於配線或電路用途中，可將由導電性組合物形成於基材上之導電性部位作為配線或電路(或電極)而使用。又，導電性成形體於導電性接著劑用途中，具備包含兩個基材、與介於該基材間且使兩個基材接著(直接接著)之導電性接著劑之接合基材，上述導電性接著劑係由導電性組合物形成。於此種導電性成形體中，形成導電性部位之導電性組合物只要為含有金屬薄片、金屬奈米粒子與樹脂成分之導電性組合物，則並無特別限定，無需為與本發明之導電性組合物相同之組成，例如可使用不具有芳香族胺骨架之樹脂成分(例如環氧樹脂成分等熱硬化性樹脂成分)作為樹脂成分。尤其至少金屬薄片及金屬奈米粒子可為與上述導電性組合物相同之成分，於更佳態樣中，樹脂成分可為與上述相同之樹脂成分(即具有芳香族胺骨架之樹脂成分)。通常，金屬薄片可為具有金屬(或 金屬結晶)以薄片狀(或二維地)成長(或結晶成長)而成之結晶結構的金屬薄片，尤其可為以下金屬薄片：將X射線繞射之(111)面、(200)面之繞射積分強度分別設為I111、I200時，上述式所示之值X為25%以下(例如，0~22%)、較佳為20%以下(例如，0~18%)、進而佳為15%以下(例如，0~12%)、尤佳為10%以下(例如，0~9%)的金屬薄片。再者，於形成導電性部位之導電性組合物為本發明之導電性組合物之情形或並非本發明之導電性組合物之情形時，均較佳為於將導電性部位之X射線繞射之(111)面、(200)面之繞射積分強度分別設為I111、I200時，上述式所示之值X為25%以下(例如，0~22%)，較佳為20%以下(例如，0~18%)，進而佳為15%以下(例如，0~12%)，尤佳為10%以下(例如，0~9%)。
此種成形體可藉由在基材上塗佈(或塗敷)導電性組合物，並進行硬化處理而獲得。再者，導電性組合物通常不於基材上形成其他接著層等而直接塗佈。
作為基材(或基板)，並無特別限定，可根據用途而適當選擇。構成基材之材質可為無機材料(無機素材)，亦可為有機材料(有機素材)。
作為無機材料，例如可列舉：玻璃類(鈉玻璃、硼矽酸玻璃、冕牌玻璃(crown glass)、含鋇玻璃、含鍶玻璃、含硼玻璃、低鹼玻璃、無鹼玻璃、結晶化透明玻璃、二氧化矽玻璃、石英玻璃、耐熱玻璃等)、陶瓷{金屬氧化物(氧化矽、石英、礬土(alumina)或氧化鋁、氧化鋯、藍寶石、肥粒鐵(ferrite)、二氧化鈦(titania)或氧化鈦、氧化鋅、氧化鈮、莫來石、氧化鈹等)、金屬氮化物(氮化鋁、氮化矽、氮化硼、氮化碳、氮化鈦等)、金屬碳化物(碳化矽、碳化硼、碳化鈦、碳化鎢等)、金屬硼化物(硼化鈦、硼化鋯等)、金屬複氧化物[鈦酸金屬鹽(鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鉛、鈦酸鈮、鈦酸鈣、鈦酸鎂等)、鋯酸 金屬鹽(鋯酸鋇、鋯酸鈣、鋯酸鉛等)等]等}、金屬(鋁、銅、金、銀等)、半導體(由導體、半導體、絕緣體等形成之半導體等)。
作為有機材料，例如可列舉：聚甲基丙烯酸甲酯系樹脂、苯乙烯系樹脂、氯乙烯系樹脂、聚酯系樹脂[包含聚伸烷基芳酯系樹脂(聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等均或共聚伸烷基芳酯等)、聚芳酯系樹脂或液晶聚合物]、聚醯胺系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚碸系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、纖維素衍生物、氟樹脂等。
該等材料之中，較佳為耐熱性較高之材料，例如半導體、玻璃、金屬等無機材料，工程塑膠[例如芳香族聚酯系樹脂(聚萘二甲酸乙二酯等聚伸烷基芳酯系樹脂、聚芳酯系樹脂等)、聚醯亞胺系樹脂、聚碸系樹脂等]、液晶聚合物、氟樹脂等塑膠。
再者，於導電性接著劑用途中，兩個基材可為相同或不同之基材。作為具體之基材之組合之例，可根據用途而適當選擇，可列舉由金屬形成之基材與由金屬形成之基材的組合、由金屬形成之基材與由半導體形成之基材的組合等。再者，於用作金屬彼此之接著劑之情形時，若可將金屬與金屬接著，則金屬可形成於非金屬之基材(例如半導體、塑膠等)上。作為更具體之例，例如於半導體領域中可列舉：一片基材為導線架[例如由金屬(銅、銅合金等)形成之導線架]、另一基材為半導體基板(或半導體晶片)[例如半導體基材(矽基板等)、於半導體基材(矽基板等)上形成有金屬膜(鈦、鉑、金等)之半導體晶片等]的組合等。
基材之表面可進行氧化處理[表面氧化處理，例如放電處理(電暈放電處理、輝光放電等)、酸處理(鉻酸處理等)、紫外線照射處理、火焰處理等]、表面凹凸處理(溶劑處理、噴砂處理等)等表面處理。
基材之厚度可根據用途而適當選擇，例如可為0.001~10 mm， 較佳為0.01~5 mm，進而佳為0.05~3 mm左右。
作為導電性組合物對基材之塗佈方法，例如可列舉：流動塗佈法、旋塗法、噴霧塗佈法、網版印刷法、柔版印刷法、澆鑄法、棒式塗佈法、淋幕式塗佈法、輥塗法、凹版塗佈法、浸漬塗佈法、狹縫式塗佈法、光微影法、噴墨法等。導電性組合物可根據用途而對基材之整個面形成於一部分或全部上。例如於形成配線或電路之情形時，能以圖案狀形成導電性組合物之塗膜，於用作導電性接著劑之情形時，可對應於兩個基材間之被接著部位之形狀而形成導電性組合物之塗膜。
再者，於以圖案狀形成塗膜之情形時，例如可利用網版印刷法、噴墨印刷法、凹版印刷法(例如凹版印刷法(gravure printing)等)、套版印刷法(offset printing)、凹版套版印刷法、柔版印刷法等而塗佈。
塗佈後可自然乾燥，亦可加熱乾燥。加熱溫度可根據溶劑之種類而選擇，例如可為50~200℃，較佳為80~180℃，進而佳為100~150℃(尤其為110~140℃)左右。加熱時間例如可為1分鐘~3小時，較佳為5分鐘~2小時，進而佳為10分鐘~1小時左右。
塗佈後之膜(塗膜)為導電性組合物未硬化(前驅物)之狀態，通常進行硬化處理。硬化處理通常可藉由至少加熱(或煅燒或加熱處理)而進行。
於硬化處理或加熱處理中，加熱溫度(熱處理溫度)例如可為100~350℃，較佳為120~320℃，進而佳為150~300℃(例如180~250℃)左右。又，加熱時間對應於加熱溫度等，例如可為10分鐘~5小時，較佳為15分鐘~3小時，進而佳為20分鐘~1小時左右。
所得之導電性部位或導電膜(硬化處理後之塗膜，燒結圖案)之厚度可根據用途自0.01~10000 μm左右之範圍內適當選擇，例如可為 0.01~100 μm，較佳為0.1~50 μm，進而佳為0.3~30 μm(尤其為0.5~10 μm)左右。於本發明中，可形成較厚之膜，例如0.3 μm以上(例如0.3~100 μm)、較佳為0.5 μm以上(例如0.5~50 μm)、進而佳為1 μm以上(例如1~30 μm)左右之厚度的金屬膜。即便為此種厚膜，亦可於不損及對基材之密接性之情況下製成高導電性之金屬膜。
[實施例]
以下，根據實施例對本發明進行更詳細說明，但本發明並不限定於該等實施例。實施例及比較例中所使用之各種成分如下所述。
(芳香族胺樹脂成分A)
對雙酚A丙氧基二縮水甘油醚(和光純藥製造，環氧當量228 g/eq)3.75重量份混合芳香族多胺[東京化成製造，4,4'-亞甲基雙(2-乙基-6-甲基苯胺)]1.25重量份，製作芳香族胺樹脂成分A。
(芳香族胺樹脂成分B)
對雙酚A丙氧基二縮水甘油醚(和光純藥製造，環氧當量228 g/eq)3.73重量份混合芳香族多胺(和光純藥製造，4,4'-二胺基二苯基醚)1.27重量份，製作芳香族胺樹脂成分B。
(芳香族胺樹脂成分C)
對二聚酸之二縮水甘油酯(三菱化學製造，「jER871」，環氧當量420 g/eq)4.24重量份混合芳香族多胺[東京化成製造，4,4'-亞甲基雙(2-乙基-6-甲基苯胺)]0.76重量份，製作芳香族胺樹脂成分C。
(芳香族胺樹脂成分D)
對苯酚酚醛清漆型環氧樹脂(三菱化學製造，「jER152」，環氧當量174 g/eq)3.56重量份混合芳香族多胺[東京化成製造，4,4'-亞甲基雙(2-乙基-6-甲基苯胺)]1.44重量份，製作芳香族胺樹脂成分D。
(芳香族胺樹脂成分E)
對封閉異氰酸酯(旭化成化學製造，「Duranate SBN-70D」，以吡 唑衍生物將1,6-六亞甲基二異氰酸酯封閉所得之聚異氰酸酯，樹脂含量為70重量%，NCO率為10.10%)5.75重量份(樹脂成分為4.02重量份)混合芳香族多胺[東京化成製造，4,4'-亞甲基雙(2-乙基-6-甲基苯胺)]0.98重量份，製作芳香族胺樹脂成分E。
(非芳香族胺樹脂成分A)
對雙酚A丙氧基二縮水甘油醚(和光純藥製造，環氧當量228 g/eq)4.75重量份混合雙氰胺(三菱化學製造，「DICY-7」)0.25重量份，製作非芳香族胺樹脂成分A。
(非芳香族胺樹脂成分B)
對封閉異氰酸酯(旭化成化學製造，「Duranate SBN-70D」，以吡唑衍生物將1,6-六亞甲基二異氰酸酯封閉所得之聚異氰酸酯，樹脂含量為70重量%，NCO率為10.10%)6.58重量份(樹脂成分4.61重量份)混合脂肪族多胺(東京化成製造，三伸乙基四胺)0.39重量份，製作非芳香族胺樹脂成分B。
(銀薄片A)
依據日本專利第4144856號公報之實施例2製作銀薄片A。所得之銀薄片A之平均粒徑(D50)為6.2 μm，X=[I200/(I111+I200)]×100之值(%)為5.01%。
(銀薄片B)
依據專利第4399799號公報之實施例2製作銀薄片B。所得之銀薄片A之平均粒徑(D50)為2.2 μm，X=[I200/(I111+I200)]×100之值(%)為7.88%。
(銀薄片C)
使用市售之銀薄片(三井金屬礦業製造，「Q03R薄片2」。利用球磨機對將銀鹽液相還原而製作之球狀銀粉進行扁平化而成者)。銀薄片C之平均粒徑(D50)為1.1 μm，X=[I200/(I111+I200)]×100之值(%)為 30.78%。
(銀奈米粒子a)
使用市售之銀奈米粒子(Mitsuboshi Belt製造，「MDot-SLP」，將銀鹽液相還原而製作之球狀銀粉)。銀奈米粒子a之由穿透式電子顯微鏡測定所得之平均粒徑(D50)為63 nm，粒徑分佈為1~200 nm。
(銀奈米粒子b)
使用市售之銀奈米粒子(三井金屬礦業製造，「EHD」，將銀鹽液相還原而製作之球狀銀粉)。銀奈米粒子b之由掃描式電子顯微鏡測定所得之平均粒徑(D50)為650 nm，粒徑分佈為380~800 nm。
(銀奈米粒子c)
於2,2,4-三甲基戊烷1.0 L中，添加硝酸銀2.5 g、辛胺4.9 g、亞麻油酸2.0 g並加以溶解。於其中一邊攪拌一邊以滴加速度0.1 L/小時之速度滴加含有硼氫化鈉0.03 M之丙醇溶液1.0 L，攪拌3小時。藉由蒸發器將所得之黑色之貴金屬鹽溶液濃縮，添加2.0 L之甲醇，生成作為褐色沈澱物之球狀粒子後，藉由抽氣過濾而回收該沈澱物。使藉由上述操作而獲得之沈澱物分散於2,2,4-三甲基戊烷中，再次添加2.0 L之甲醇，除去剩餘之保護膠體，生成褐色之沈澱物。進行三次清洗、回收步驟，使回收之沈澱物再次分散於2,2,4-三甲基戊烷中，過濾、乾燥，獲得銀奈米粒子c。作為銀，含有75重量%之銀，剩餘25重量%為保護膠體成分。銀奈米粒子c之由穿透式電子顯微鏡測定所得之平均粒徑(D50)為5 nm，粒徑分佈為1~10 nm。
再者，以下示出各種物性、特性之測定方法或評價方法。
(平均粒徑)
銀薄片之平均粒徑(D50)係使用雷射繞射散射式粒度分佈測定裝置(日機裝製造，「Microtrac」)測定之體積基準中心粒徑。
又，銀奈米粒子之平均粒徑(D50)係使用穿透式電子顯微鏡測定 之體積基準中心粒徑。再者，假設粒子為圓球狀並進行體積轉換。
(結晶性)
銀薄片之結晶性係如以下般測定。
將擠壓環放置於自試樣固持器之試樣面下降約2 mm之位置，放入銀薄片粉末。使試樣面密接於玻璃板後，自相反側以擠壓夾具對擠壓環進行擠壓，以試樣面變得平坦之方式緊固銀薄片粉末，製作測定試樣。
使用X射線繞射裝置(RIGAKU製造，RINT1200)，測定條件為2θ/θ掃描法，X射線之波長為CuKα射線(λ=0.15418 nm)，以掃描角35-55°進行測定，將自來源於銀之約38°之(111)面及約44°之(200)面之繞射峰之積分強度值分別設為I111、I200，算出[I200/(I111+I200)]×100(%)。
又，導電性組合物(或其硬化物)之結晶性係如以下般測定。
利用敷料器將導電性組合物塗佈於聚四氟乙烯(PTFE)板上，於120℃下加熱30分鐘，繼而於200℃下加熱90分鐘，製作厚度約200~400 μm之膜狀硬化物。自聚四氟乙烯板剝離膜狀硬化物，對以敷料器塗佈之面(表面側)及與PTFE板接觸之面(PTFE側)分別進行XRD測定。測定係於與測定銀薄片時相同之條件下進行，將自來源於銀之約38°之(111)面及約44°之(200)面之繞射峰之積分強度值分別設為I111、I200，算出[I200/(I111+I200)]×100(%)。
(電阻率)
使用敷料器將導電性組合物塗佈於載玻片上，於120℃下乾燥30分鐘後，於特定之條件下進行乾燥、煅燒(實施例6及參考例4中不加乾燥而於120℃下煅燒30分鐘，其他例中於120℃下乾燥30分鐘後，於200℃下煅燒90分鐘)，形成厚度15 μm之導電膜，根據由四探針法所得之表面電阻與由觸針式膜厚計所得之膜厚算出電阻率。
(剝離試驗)
使用敷料器將導電性組合物塗佈於載玻片(基板)上，於120℃下乾燥30分鐘後，於特定之條件下進行乾燥、煅燒(實施例6及參考例4中不加乾燥而於120℃下煅燒30分鐘，其他例中於120℃下乾燥30分鐘後，於200℃下煅燒90分鐘)，形成厚度15 μm之導電膜。
於形成於玻璃基板上之導電膜上貼附寬度24 mm之透明膠帶(Nichiban公司製造)，施加5 kg重左右之荷重後，使荷重摩擦以使導電膜與透明膠帶之間之氣泡消失，藉此去除氣泡而使透明膠帶與基板密接。其後，固定基板並提拉透明膠帶，一邊注意使基板與膠帶之角度成為約90度一邊以約0.6秒之速度一口氣剝離，於導電膜之剝離完全未附著於膠帶上之情形時判定為密接性良好(A)，於導電膜之一部分或全部剝離之情形時判定為密接性不良(B)。
(接著強度)
使用導電性組合物，於厚2 mm之銅板上貼附3.5 mm×3.5 mm之矽晶片，於120℃下乾燥30分鐘後，於200℃下煅燒90分鐘，使矽晶片[於矽上以鈦、鉑、金之順序藉由濺鍍而設有膜的矽晶片(接著面為金)]與銅板接著後，測定剪切強度，藉此進行評價。硬化後之接著層之厚度為30 μm，測定樣品數設定為4。
(熱導率)
使用所測定之電阻率值，使用依據維德曼-夫蘭茲定律之式λ=L×T/ρv(λ為熱導率，L為勞倫茲數(2.44×10-8W．Ω．K-2)，T為絕對溫度(298 K)，ρv為電阻率)測定熱導率。
(實施例1)
藉由三輥研磨機將50重量份之銀薄片A、50重量份之銀奈米粒子a、5重量份之芳香族胺樹脂成分A、作為溶劑之三乙二醇單丁醚(和光純藥製造)10重量份混練，獲得導電性組合物。而且，對所得導電性 組合物評價各種特性。
又，測定硬化物之X=[I200/(I111+I200)]×100(%)，結果表面側為4.83%，PTFE側為1.65%。
(實施例2)
於實施例1中，使用75重量份之銀薄片A代替50重量份，使用25重量份之銀奈米粒子a代替50重量份，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性組合物。而且，對所得導電性組合物評價各種特性。
又，測定硬化物之X=[I200/(I111+I200)]×100(%)，結果表面側為2.72%，PTFE側為3.18%。
(實施例3)
於實施例1中，使用5重量份之芳香族胺樹脂成分B代替5重量份之芳香族胺樹脂成分A，並且使用10重量份之戊二醇/松脂醇混合溶劑(重量比=1/2)代替10重量份之三乙二醇單丁醚，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性組合物。而且，對所得導電性組合物評價各種特性。
(實施例4)
於實施例1中，使用5重量份之芳香族胺樹脂成分C代替5重量份之芳香族胺樹脂成分A，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性組合物。而且，對所得導電性組合物評價各種特性。
(實施例5)
於實施例1中，使用5重量份之芳香族胺樹脂成分D代替5重量份之芳香族胺樹脂成分A，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性組合物。而且，對所得導電性組合物評價各種特性。
(實施例6)
於實施例1中，使用6.73重量份(樹脂成分5重量份)之芳香族胺樹脂成分E代替5重量份之芳香族胺樹脂成分A，並且使用9重量份之二 乙二醇單丁醚(和光純藥製造)代替10重量份之三乙二醇單丁醚，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性組合物。而且，對所得導電性組合物評價各種特性。
(實施例7)
於實施例1中，使用50重量份之銀薄片B代替50重量份之銀薄片A，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性組合物。而且，對所得導電性組合物評價各種特性。
又，測定硬化物之X=[I200/(I111+I200)]×100(%)，結果表面側為3.74%，PTFE側為2.25%。
(實施例8)
於實施例1中，使用50重量份之銀薄片C代替50重量份之銀薄片A，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性組合物。而且，對所得導電性組合物評價各種特性。
又，測定硬化物之X=[I200/(I111+I200)]×100(%)，結果表面側為32.04%，PTFE側為33.52%。
(實施例9)
於實施例1中，使用50重量份之銀奈米粒子b代替50重量份之銀奈米粒子a，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性組合物。而且，對所得導電性組合物評價各種特性。
(實施例10)
於95重量份之銀薄片A、6.67重量份之銀奈米粒子c(作為銀為5重量份)、5重量份之芳香族胺樹脂成分A中，以漿料中之銀濃度成為80重量%之方式添加作為溶劑之松脂醇(和光純藥製造)，藉由三輥研磨機進行混練，獲得導電性組合物。而且，對所得導電性組合物評價各種特性。
又，測定硬化物之X=[I200/(I111+I200)]×100(%)，結果表面側為 1.89%，PTFE側為1.35%。
(實施例11)
於90重量份之銀薄片A、13.33重量份之銀奈米粒子c(銀為10重量份)、5重量份之芳香族胺樹脂成分中，以漿料中之銀濃度成為80重量%之方式添加作為溶劑之松脂醇(和光純藥製造)，藉由三輥研磨機進行混練，獲得導電性組合物。而且，對所得導電性組合物評價各種特性。
又，測定硬化物之X=[I200/(I111+I200)]×100(%)，結果表面側為2.69%，PTFE側為2.44%。
(實施例12)
於實施例1中，使用10重量份之芳香族胺樹脂成分A代替5重量份，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性組合物。而且，對所得導電性組合物評價各種特性。
又，測定硬化物之X=[I200/(I111+I200)]×100(%)，結果表面側為3.21%，PTFE側為1.23%。
(實施例13)
於實施例10中，使用10重量份之芳香族胺樹脂成分A代替5重量份，除此以外，以與實施例10相同之方式獲得導電性組合物。而且，對所得導電性組合物評價各種特性。
又，測定硬化物之X=[I200/(I111+I200)]×100(%)，結果表面側為2.81%，PTFE側為1.36%。
(參考例1)
於實施例1中，不使用銀薄片A，並且使用100重量份之銀奈米粒子a代替50重量份之銀奈米粒子a，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性組合物。而且，對所得導電性組合物評價各種特性。
(參考例2)
於實施例1中，不使用銀薄片A，並且使用50重量份之銀奈米粒子a及50重量份之銀奈米粒子b代替50重量份之銀奈米粒子a，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性組合物。而且，對所得導電性組合物評價各種特性。
又，測定硬化物之X=[I200/(I111+I200)]×100(%)，結果表面側為33.23%，PTFE側為34.21%。
(參考例3)
於實施例1中，使用5重量份之非芳香族胺樹脂成分A代替5重量份之芳香族胺樹脂成分A，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性組合物。而且，對所得導電性組合物評價各種特性。
(參考例4)
於實施例1中，使用6.97重量份(樹脂成分為5重量份)之非芳香族胺樹脂成分B代替5重量份之芳香族胺樹脂成分A，並且使用10重量份之二乙二醇單丁醚(和光純藥製造)代替10重量份之三乙二醇單丁醚，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性組合物。而且，對所得導電性組合物評價各種特性。
將結果示於表1中。再者，於表1中，所謂「胺型」係指「胺樹脂成分」之簡稱。
對本發明詳細且參照特定之實施態樣進行了說明，但業者明確，可於不偏離本發明之精神與範圍的情況下加以各種修正或變更。
本申請案係基於2012年9月27日提出申請之日本專利申請案2012-215005及2012年11月16日提出申請之日本專利申請案2012-252058者，其內容以參照之方式引用至本文。
[產業上之可利用性]
本發明之導電性組合物可實現較高之導電性，故可用於各種用途，例如可用作用以形成配線、電路、電極等之組合物或導電性接著劑等。尤其由於可於不損及較高之密接性的情況下實現較高之導電性或散熱性，故適合用作接著兩個基材間之導電性接著劑。

Claims (15)

  1. 一種導電性組合物，其係含有導電性金屬粉與樹脂成分之組合物，並且導電性金屬粉含有金屬薄片與金屬奈米粒子，上述金屬薄片具有金屬結晶以薄片狀成長而成之結晶結構，並係將X射線繞射之(111)面、(200)面之繞射積分強度分別設為I111、I200時，下述式所示之值X為20%以下者，上述金屬奈米粒子之平均粒徑(D50)為3~500nm，且上述樹脂成分含有芳香族胺骨架，X=[I200/(I111+I200)]×100(%)。
  2. 如請求項1之導電性組合物，其中金屬薄片與金屬奈米粒子之比例為前者/後者(重量比)=99/1~30/70。
  3. 如請求項1之導電性組合物，其中樹脂成分為熱硬化性樹脂成分。
  4. 如請求項1之導電性組合物，其中樹脂成分係包含熱硬化性樹脂及硬化劑，且熱硬化性樹脂及/或硬化劑含有芳香族胺骨架之熱硬化性樹脂成分。
  5. 如請求項4之導電性組合物，其中硬化劑包含芳香族胺系硬化劑。
  6. 如請求項4之導電性組合物，其中樹脂成分係含有環氧樹脂與包含芳香族胺系硬化劑之硬化劑的環氧樹脂成分，或含有聚異氰酸酯化合物與包含芳香族胺系硬化劑之硬化劑的聚異氰酸酯樹脂成分。
  7. 如請求項4之導電性組合物，其中樹脂成分係含有環氧當量為600g/eq以下之環氧樹脂、及包含芳香族胺系硬化劑之硬化劑的環氧樹脂成分。
  8. 如請求項5之導電性組合物，其中芳香族胺系硬化劑係具有胺基直接取代於芳香環上而成之結構的芳香族胺系硬化劑。
  9. 如請求項1之導電性組合物，其中導電性金屬粉與樹脂成分之比例為前者/後者(重量比)=99/1~50/50。
  10. 如請求項1之導電性組合物，其中金屬薄片與金屬奈米粒子之比例為前者/後者(重量比)=97/3~35/65，導電性金屬粉與樹脂成分之比例為前者/後者(重量比)=97/3~70/30。
  11. 如請求項1之導電性組合物，其係導電性接著劑。
  12. 如請求項1至11中任一項之導電性組合物，其係用以使金屬基材與半導體基材接著之導電性接著劑。
  13. 一種導電性成形體，其至少具有由如請求項1至12中任一項之導電性組合物形成之導電性部位。
  14. 如請求項13之成形體，其係具備包含兩個基材、與介於該基材間且使兩個基材接著之導電性接著劑之接合基材的成形體，並且導電性接著劑係由如請求項1至12中任一項之導電性組合物形成之導電性部位。
  15. 一種導電性成形體，其係至少具有由含有金屬薄片、金屬奈米粒子與樹脂成分之導電性組合物形成之導電性部位者，上述金屬薄片具有金屬結晶以薄片狀成長而成之結晶結構，並且將導電性部位之X射線繞射之(111)面、(200)面之繞射積分強度分別設為I111、I200時，下述式所示之值X為20%以下，且上述金屬奈米粒子之平均粒徑(D50)為3~500nm，X=[I200/(I111+I200)]×100(%)。
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