JP6323587B1 - 接合用ペースト、および該接合用ペーストで接合されてなる物品 - Google Patents
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Abstract
Description
しかし、はんだ代替材として上記したような従来の導電性接着剤を電子部品の接続に用いた場合には、初期的な接合強度、接続抵抗等の特性、及び、それらの特性の耐湿性、耐熱衝撃性、耐高温放置性等の各種耐久試験による安定性という面で、満足な導電性接合用ペーストが得られていないのが現状である。
この問題に対し、液状分散媒の量を増加させることにより、ペーストの粘度を低下させることはできる。しかし、接合時に加熱することによりペースト中の液状分散媒は揮散し、接合完了時には存在しなくなるにも関わらず、ペースト中の液状分散媒の量を増やすと、接合強度が低下してしまうという新たな問題が生じた。
本発明は、金属微粒子を高い比率で含有しながらも低粘度で塗工適性に優れる接合用ペーストであって、初期および冷熱サイクル試験後の接合強度に優れる物品を形成できる接合用ペーストを提供することを目的とする。
[1]金属粒子(A)と焼結促進剤(B)と液状分散媒(C)とを含有し、
金属粒子(A)は金属粒子(A)100質量%中、金属ナノ粒子を25〜100質量%含有し、
前記(A)〜(C)の合計100質量%中に、金属粒子(A)を80質量%以上含み、焼結促進剤(B)を0.1〜1.5質量%含む接合用ペースト。
[3]前記接合用ペーストを焼結させた場合の示差熱曲線(DTA曲線)のピーク高さが、焼結促進剤(B)を含有していない接合用ペーストを焼結させた場合の示差熱曲線のピーク高さの1.5倍以上である、前記[1]〜[2]記載の接合用ペースト。
[4]焼結促進剤(B)の融点が150〜250℃である、前記[1]〜[3]いずれか1項に記載の接合用ペースト。
[5]焼結促進剤(B)が下記式にて示される化合物である、前記[1]〜[4]いずれか1項に記載の接合用ペースト。
[7]金属ナノ粒子の平均粒径が2〜200nmである、前記[1]〜[6]いずれか1項に記載の接合用ペースト。
金属部材同士、金属部材と半導体素子、または金属部材とLED素子との間を、前記焼結体で接合することを特徴とする、
物品の製造方法。
例えば金、銀、銅、ニッケル、クロム、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、インジウム、ケイ素、アルミニウム、タングステン、モリブデン、および白金等の金属粉、ならびにこれらの合金、ならびにこれらの複合粉が挙げられる。また、核体と、前記核体物質とは異なる物質で被覆した微粒子、具体的には、例えば、銅を核体とし、その表面を銀で被覆した銀コート銅粉等が挙げられる。また、例えば酸化銀、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化ルテニウム、ITO(スズドープ酸化インジウム)、AZO(アルミドープ酸化亜鉛)、およびGZO(ガリウムドープ酸化亜鉛)等の金属酸化物の粉末、ならびにこれらの金属酸化物で表面被覆した粉末等が挙げられる。
使用する金属の種類は1種でもよいし、2種以上を組み合わせて使用してもよい。
金属ナノ粒子の平均粒径は、ナノレベルであれば特に限定されない。例えば、1〜500nmの金属ナノ粒子を使用することが好ましく、2〜300nmを使用することがより好ましくは、2〜200nmの金属ナノ粒子を使用することが特に好ましい。金属ナノ粒子は、特定の粒径範囲のものを単独で使用してもよいし、異なる粒径範囲のものを複数組み合わせて使用してもよい。
金属ナノ粒子を必須とする金属粒子(A)を使用することにより、粒子表面の活性が上がり、ナノサイズ効果により融点が下がり低温での焼結が可能となる。低温焼結により電子部品の実装時の温度を下げることが可能になるので熱ストレスを低減できる。そして、金属ナノ粒子は、焼結により互いに結合してサイズが大きくなると、通常サイズの金属材料(バルク金属材料)と同等の高い融点を示すようになるので、実装後は耐熱温度を向上できる。
なお、本発明における金属粒子(A)のうち、金属ナノ粒子の平均粒径は、ナノトラック UPA−EX150 (日機装社製)用いて、体積粒度分布の累積粒度(D50)を測定した。また、ナノサイズ以外の金属粒子の平均粒径は、島津製作所社製レーザー回折粒度分布測定装置「SALD−3000」を用いて、体積粒度分布の累積粒度(D50)を測定した。
被覆前の金属ナノ粒子と前記脂肪酸との合計100質量%中、被覆前の金属ナノ粒子は70〜99質量%、前記脂肪酸は1〜30質量%であることが好ましく、被覆前の金属ナノ粒子は80〜95質量%、前記脂肪酸は5〜20質量%であることがより好ましい。前記脂肪酸の量が5〜20質量%であることによって、被覆後の金属ナノ粒子の凝集を抑制でき、優れた接合強度を発現できる。
なお、前記脂肪酸で被覆された金属ナノ粒子を用いる場合は、被覆後の金属ナノ粒子全体を、金属粒子(A)に含まれる金属ナノ粒子とするものとする。
液状分散媒(C)のうち、比較的沸点の低いものとしては、トルエン、シクロヘキサン、ヘキサン、イソプロパノール、メチルエチルケトン、酢酸エチル等が挙げられる。液状分散媒(C)のうち、比較的沸点の高いのものとしては、カルビトールアセテート、メトキシプロピルアセテート、シクロヘキサノン、ジイソブチルケトン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、イソボルニルシクロヘキサノール、オクタノール、炭化水素系溶剤に含まれるイソパラフィン系溶剤等が挙げられる。
これら液状分散媒(C)は、適宜単独で、または複数用いることができる。
なお、本発明の接合用ペーストは、導電ペーストであり、接合した物品としては、電子基板にある電気回路とその上に搭載する電子部品に展開できる。具体的には、ICチップなどが挙げられる。
添加する分散剤の量としては、接合用ペースト100質量%中、5質量%以下、好ましくは1質量%以下、さらに好ましくは、0.5質量%以下である。凝集防止効果の点から0.1質量%以上が好ましく、焼結の際残らないように5質量%以下であることが好ましい。
本発明は、上記接合用ペーストを少なくとも第1の部材に塗布する工程と、前記第1の部材上の接合用ペーストに第2の部材を接触させ、焼成することにより、第1の部材と第2の部材とを接合することができる。
接合する部材の種類は特に限定されず、金属部材、電子素子、プラスチック材料、セラミック材料等を挙げることができる。金属部材同士、金属部材と半導体素子、金属部材とLED素子とを接合することが好ましい。
即ち、金属部材同士、金属部材と半導体素子、または金属部材とLED素子との間に、本発明の接合用ペーストを挟み、加熱し、液状分散媒(C)を除去すると共に、金属粒子(A)の少なくとも一部を溶融し、焼結体を形成し、金属部材同士、金属部材と半導体素子、または金属部材とLED素子との間を、前記焼結体で接合することが好ましい。
電子素子としては、半導体素子、LED素子を挙げることができる。
半導体素子としては、シリコン(ケイ素)やゲルマニウムのほかに、ヒ化ガリウム、リン化ガリウム、硫化カドミウムなどが用いられる。LED素子としてはアルミニウム、窒化珪素、ダイヤモンド、黒鉛、酸化イットリウム及び酸化マグネシウムなどが用いられる。特に、炭化ケイ素や窒化ガリウム等のパワーデバイス素子を使用することができる。
プラスチック材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート等を挙げることができる。
セラミック材料としては、例えば、ガラス、シリコン等を挙げることができる。
第1の部材及び第2の部材は、同じ種類だけではなく、異なる種類の部材であってもよい。上記部材は、接合強度を大きくするため適宜コロナ処理、メッキ等で加工してもよい。
焼成装置としては、熱風オーブン、赤外線オーブン、リフローオーブン、マイクロウエーブオーブンおよび光焼成装置等が挙げられる。光焼成装置の場合、照射する光の種類はとくに限定されないが、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、ケミカルランプ、キセノンランプ、カーボンアーク灯、レーザー光等が挙げられる。これら装置を適宜単独でまたは複数用いることができる。
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々に改変することができる。
銀粉Aの製造方法
セパラブル4口フラスコに冷却管、温度計、窒素ガス導入管、攪拌装置を取り付け、窒素雰囲気下、室温で攪拌しながらトルエン200部およびヘキサン酸銀22.3部を仕込み、0.5Mの溶液とした後に、分散剤としてジエチルアミノエタノール2.3部(金属1molに対し0.2mol倍)、オレイン酸2.8部(金属1molに対し0.1mol倍)を添加し溶解させた。その後、還元剤として濃度20%のこはく酸ジヒドラジド(以下、SUDHという)水溶液73.1部(金属1molに対しヒドラジド基2mol倍)を滴下すると液色が淡黄色から濃茶色に変化した。さらに反応を促進させるために40℃に昇温し、反応を進行させた。静置、分離した後、水相を取り出すことで過剰の還元剤や不純物を除去し、さらにトルエン層に数回蒸留水を加え、洗浄、分離を繰り返した後、乾燥させて銀粉Aを得た。銀粉Aの平均粒径は0.01μm(=10nm)であった。
銀粉A:95部、焼結促進剤:1.24部、液状分散媒:3.76部を混合し、接合用ペーストを調製した。
表1、2に示す組成に従って、実施例1と同様に接合用ペーストを調製した。
実施例3、および比較例1で得られた各接合用ペーストについて測定したDTA曲線を図1に示す。測定装置は、株式会社リガク製示差熱天秤 Thermo Plus EV02を使用した。測定条件は、大気中で昇温速度は10℃/min.、試料量10mgとした。横軸は温度であり、縦軸は示差熱曲線(DTA曲線)である。DTA曲線のピーク高さを比較したところ、実施例3のピーク高さは比較例1のピーク高さの1.7倍であった。即ち、わずかな量の焼結促進剤によって、金属粒子の溶融(焼結)が促進されることが確認できた。
調製した各接合用ペーストを鋼板に下記条件で塗工し、その塗工適性を下記基準で判断した。
<塗工条件>
・メタルマスク:開口部4mm角、板厚50μm(セリアコーポレーション製)
・メタルスキージ:40mm×250mm、厚み1mm(セリアコーポレーション製)
<評価基準>
○:接合用ペーストが、開口部(4mm角)全体に均一に付着している状態。塗工適性良好。または、接合用ペーストの粘度が25℃において80Pa・s以上、120Pa・s未満。
△:接合用ペーストが、開口部の一部(2〜3mm角の範囲)に付着するが、付着していない部分がある状態。または、接合用ペーストの粘度が25℃において120Pa・s以上、200Pa・s未満。
×:接合用ペーストが、開口部のうち、2mm角範囲以下にしか付着せず、付着した部分がひび割れしている状態。塗工適性不良。または、接合用ペーストの粘度が25℃において200Pa・s以上。
前記塗工条件にて、適性調製した各接合用ペーストを下記基材1に塗工し、下記基材2を貼り付けた。これを250℃×60分間、大気雰囲気で焼結して試験片を得た。
基材1:銅板 1.3cm×1.3cm(厚み2mm)
基材2:Siチップ 5mm×5mm(厚み300μm)
なお、塗工時の接合用ペーストの厚みは用いたメタルマスクの板厚:50μmである。
得られた試験片について、冷熱サイクル試験の前・後の接合強度(ダイシェア強度)[MPa]を測定した。
[冷熱サイクル試験]
試験片を−40℃の温度条件で10分保持した後、250℃の温度条件で10分間保持する処理工程を1サイクルとし、この処理を1000サイクル行った。
試験条件
・測定高さ:100μm
・測定スピード:500μm/s
具体的には基材1を固定し、基材1と焼結体との界面を起点として基材2に向かって高さ100μmの位置を、500μm/sの速度で押し、接合が破壊される強度を求めた。
○:20MPa以上。良好。
△:10〜20MPa未満。
×:10MPa未満。不良。
Claims (6)
- 金属粒子(A)と焼結促進剤(B)と液状分散媒(C)とを含有し、
金属粒子(A)は金属粒子(A)100質量%中、金属ナノ粒子を25〜100質量%含有し、
前記(A)〜(C)の合計100質量%中に、金属粒子(A)を80質量%以上含み、焼結促進剤(B)を0.1〜1.5質量%含み、
金属ナノ粒子が銀粉であり、
金属ナノ粒子の平均粒径が2〜200nmであり、
金属ナノ粒子の表面の少なくとも一部が、炭素数が3〜22である飽和または不飽和の脂肪酸により被覆されており、
焼結促進剤(B)が下記式にて示される化合物であり、
エポキシ樹脂を含まない接合用ペースト。
- 前記接合用ペーストを焼結させた場合の示差熱曲線(DTA曲線)のピーク高さが、焼結促進剤(B)を含有していない接合用ペーストを焼結させた場合の示差熱曲線(DTA曲線)のピーク高さの1.5倍以上である、請求項1に記載の接合用ペースト。
- 焼結促進剤(B)の融点が150〜250℃である、請求項1又は2に記載の接合用ペースト。
- 金属粒子(A)100質量%中に、金属ナノ粒子を80〜100質量%以上含む、請求項1〜3いずれか1項に記載の接合用ペースト。
- 金属部材同士、金属部材と半導体素子、または金属部材とLED素子との間に、請求項1〜4いずれか1項に記載の接合用ペーストを挟み、加熱し、液状分散媒(C)を除去すると共に、金属粒子(A)の少なくとも一部を溶融し、焼結体を形成し、
金属部材同士、金属部材と半導体素子、または金属部材とLED素子との間を、前記焼結体で接合することを特徴とする物品の製造方法。 - 金属部材同士、金属部材と半導体素子、または金属部材とLED素子とが、請求項1〜4いずれか1項に記載の接合用ペーストから形成される焼結体で接合されている物品。
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