CN114250043B - 自熔接型导电连接材料、包括其的键合模块及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及自熔接型导电连接材料、包括其的键合模块及其制造方法，更具体地说，涉及一种可以电性、物理性、化学性地接合节距为50μm以下或60～220μm的微型LED芯片和电路板的微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料、包括其的微型LED芯片‑电路板键合模块及其制造方法。其中，所述自熔接型导电连接材料，包括：包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂；及导电粒子，在20～30℃具有30，000～300，000cps的粘度。

Description

自熔接型导电连接材料、包括其的键合模块及其制造方法
技术领域
本发明涉及自熔接型导电连接材料、包括其的键合模块及其制造方法，更具体地说，涉及一种可以电性、物理性、化学性地接合节距(pitch)为50μm以下或50～220μm的微型LED芯片和电路板的微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料、包括其的微型LED芯片-电路板键合模块及其制造方法。
背景技术
通常，发光二极管(以下称为LED)指芯片(chip)尺寸为300μm以上的。作为进行这种芯片(chip)尺寸为300μm以上的LED封装(packaging)工艺的过程之一，将实施连接LED芯片和基板或引线框架而使其电性连接的工序，并作为连接LED芯片和基板或引线框架而使其电性连接的方法，包括引线键合(Wire Bonding)方法、焊锡膏(solder paste)方法、倒装焊接(flip chip bonding)方法(＝热压粘合LED芯片下端的电极垫和基板的电极的方式)等。
引线键合(Wire Bonding)方法是使用金(Au)而以引线(Wire)方式连接LED芯片和基板或引线框架的方法，相比焊锡膏方法及倒装焊接方法，因电阻高存在电气特性降低的问题。因此，通常利用焊锡膏方法或倒装焊接方法来连接LED芯片和基板或引线框架。
同时，从LED技术的发展上看，目前正在得到最广泛使用的是具有出色的画质和屏幕响应速度的OLED(Organic Light Emitting Diodes：有机发光二极管)，而微型(micro)LED技术作为引领OLED技术的新一代技术而备受关注。微型LED的优点是厚度更薄、电力效率更高、分辨率也更高，并能改善老化(Burn in)现象。
微型LED与前述的芯片(chip)的尺寸为300μm以上的LED不同，芯片的尺寸约为30～90μm，形成约50μm以下的极微细节距(pitch；形成在微型LED芯片上的端子的中心线与相邻端子的中心线之间的距离)。
并且，作为另一例，微型LED与前述的芯片(chip)尺寸为300μm以上的LED不同，芯片的尺寸约为100～250μm，形成约50～220μm的极微细节距(pitch；形成在微型LED芯片的端子的中心线与相邻端子的中心线之间的距离)。
为了连接微型LED芯片与基板或引线框架而电性接通而利用前述的焊锡膏方法(＝在形成于LED芯片的端子涂抹极少量材料来连接基板或引线框架的方法)的话，因微型LED芯片的节距较窄，会存在发生短路(short)的问题。并且，在利用倒装焊接方法连接微型LED芯片与基板或引线框架的情况下，因倒装焊接方法执行高温热压粘合工艺，会出现微型LED芯片受损的问题。因此，连接形成极微细节距的微型LED芯片与基板或引线框架时，需要一种可以使微型LED芯片不受损地连接的连接材料及接触方法。
(专利文献1)KR10-1618878B1
发明内容
要解决的技术问题
本发明为了解决所述问题而提出，其目的在于提供一种自熔接型导电连接材料、包括其的键合模块及其制造方法，在具有50μm以下或50～220μm的节距(pitch)的微型LED芯片与电路板的键合方面，不仅具有优异的粘附力，而且连接电阻低，印刷性、绝缘性以及自熔接性优异。
解决问题的手段
本发明为了解决所述本发明的目的而提出，本发明公开一种自熔接型导电连接材料，包括：包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂；及导电粒子，在20～30℃具有30，000～300，000cps的粘度。
所述包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂包括：第一环氧树脂，在20～30℃具有35，000～150，000cps的粘度；第二环氧树脂，在20～30℃具有1，000～30，000cps的粘度。
所述第一环氧树脂的环氧当量为245～275g/eq，所述第二环氧树脂的环氧当量为180～230g/eq。
所述包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂以1:2～9.2的重量比包含第一环氧树脂及第二环氧树脂。
所述包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂以1:0.1～1的重量比包含第一环氧树脂及第二环氧树脂。
所述包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂包含如以下化学式1的化合物。
【化学式1】
所述化学式1中，R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7及R8分别是独立的氢原子、C1～C12的直链烷基或C3～C12的粉碎型烷基，A1，A2，A3及A4分别是独立的-CH2-，-CH2CH2-，-CH2CH2CH2-，-CH2CH2CH2CH2-或-CH2CH2CH2CH2CH2-，E是C3～C30的亚烷基，R9及R10分别是独立的R11是氢原子、C1～C12的直链烷基或C3～C12的粉碎型烷基，G1及G2分别是独立的-CH2-，-CH2CH2-，-CH2CH2CH2-，-CH2CH2CH2CH2-，-CH2CH2CH2CH2CH2-或-CH2CH2CH2CH2CH2CH2-，n是满足1～10的有理数。
所述自熔接型导电连接材料按整体重量％计，包含28.34～45重量％的有机官能团烷氧基硅烷改性环氧树脂及35～55重量％的导电粒子。
所述自熔接型导电连接材料按整体重量％计，包含12.5～28.34重量％的有机官能团烷氧基硅烷改性环氧树脂及55～74重量％的导电粒子。
所述自熔接型导电连接材料还包括：选自还原剂、硅烷偶联剂、固化剂及固化促进剂中的一种以上。
所述自熔接型导电连接材料按整体重量％计，包含：还原剂5～30重量％，硅烷偶联剂0.5～1.5重量％，固化剂2.83～4.5重量％及固化促进剂2.83～4.5重量％。
所述自熔接型导电连接材料按整体重量％计，包含还原剂5～15重量％，硅烷偶联剂0.5～1.5重量％，固化剂1.25～2.83重量％及固化促进剂1.25～2.83重量％。
所述导电粒子的粒径为2～75μm。
所述自熔接型导电连接材料可以接合微型LED芯片和电路板。
并且，本发明公开一种通过自熔接型导电连接材料的涂布及干燥制作而成的自熔接型导电连接膜。
并且，本发明公开一种键合模块，包括：至少一个以上的微型LED芯片，一个表面上形成多个第一端子；电路板，相对于所述第一端子，一个表面上形成多个第二端子；以及权利要求1至3任一所述的自熔接型导电连接材料，夹杂在所述微型LED芯片与所述电路板之间而连接微型LED芯片和电路板。
键合模块满足以下相关式1及2。
【相关式1】
5μm≤B-A≤87μm
【相关式2】
1.2≤B/A≤30
所述相关式1及2中，A表示所述自熔接型导电连接材料所包括的导电粒子的粒径，B表示所述微型LED芯片的尺寸。
键合模块满足以下相关式3至6。
【相关式3】
3μm≤A≤25μm
【相关式4】
30μm≤B≤90μm
【相关式5】
10μm≤C≤30μm
【相关式6】
20μm≤D≤80μm
所述相关式3中，A表示所述自熔接型导电连接材料所包括的导电粒子的粒径，所述相关式4中，B表示所述微型LED芯片的尺寸，所述相关式5中，C表示形成在所述微型LED芯片上的第一端子的尺寸，所述相关式6中，D表示形成在所述微型LED芯片上的第一端子的中心线与相邻的第一端子的中心线之间的距离(pitch)。
键合模块满足以下相关式1及2。
【相关式1】
55μm≤B-A≤245μm
【相关式2】
2.2≤B/A≤50
所述相关式1及2中，A表示所述自熔接型导电连接材料所包括的导电粒子的粒径，B表示所述微型LED芯片的尺寸。
键合模块满足以下相关式3至6。
【相关式3】
5μm≤A≤45μm
【相关式4】
100μm≤B≤250μm
【相关式5】
30μm≤C≤110μm
【相关式6】
60μm≤D≤220μm
所述相关式3中，A表示所述自熔接型导电连接材料所包括的导电粒子的粒径，所述相关式4中，B表示所述微型LED芯片的尺寸，所述相关式5中，C表示形成在所述微型LED芯片上的第一端子的尺寸，所述相关式6中，D表示形成在所述微型LED芯片上的第一端子的中心线与相邻第一端子的中心线之间的距离(pitch)。
所述电路板可以是玻璃电路板、印刷电路板(PCB)或软性印刷电路板(FPCB)。
本发明公开一种具有自熔接型导电连接材料的键合模块的制造方法，包括如下步骤：第一步骤，准备一个表面上形成多个第一端子的至少一个以上的微型LED芯片一个表面上形成多个第二端子的电路板；第二步骤，在电路板的形成多个第二端子的一个表面，印刷权利要求1至3任一所述的自熔接型导电连接材料；第三步骤，相对于所述多个第二端子，面对面地配置所述微型LED芯片的多个第一端子，在所述自熔接型导电连接材料的一个表面，临时粘接微型LED芯片；以及第四步骤，对所述自熔接型导电连接材料进行热处理。
发明的效果
本发明的自熔接型导电连接材料、包括其的键合模块及其制造方法的效果在于，因包括包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂，除了玻璃等无机被附材料，还与形成在微型LED芯片及电路板的端子所使用的金属之间的粘附力也优异，印刷性、滴涂特性、绝缘性及自熔接性优异。
并且，本发明的自熔接型导电连接材料、包括其的键合模块及其制造方法除了实现稳定的导电特性之外，不对微型LED芯片施加压力，可以使微型LED芯片所受的物理损害最小化。
附图说明
图1概略性地示出本发明的自熔接型导电连接材料(Self-assembled conductivebonding paste)的导通实施形态，示出导电粒子在热处理过程中熔融，凝聚在微型LED芯片的第一端子与电路板的第二端子，实现微型LED芯片与电路板之间的电性导通。
图2是本发明的一个优选实施例的微型LED芯片的剖视图。
图3是本发明的一个优选实施例的微型LED芯片-电路板键合模块的剖视图。
附图标记的说明
1：导电粒子 10：电路板
11：第二端子 20：微型LED芯片
21：第二端子 100：自熔接型导电连接材料
具体实施方式
在下文中，将参考附图进行详细描述，以使本发明所属技术领域的普通技术人员能够容易地实施本发明。本发明可以以各种不同的形式实现，并且不限于在此描述的实施例。在附图中，为了清楚地说明主题，省略了与描述无关的部分，并且在整个说明书中，为相同的元件附加相同的附图标记。
以下描述本发明的自熔接型导电连接材料、包括其的键合模块及其制造方法。
参照图1描述本发明的自熔接型导电连接材料、包括其的键合模块及其制造方法的导通实施方式，本发明的微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料(Self-assembledconductive bonding paste)100无需施加压力而仅通过热处理而使导电粒子(conductiveparticle)1熔融，熔融的导电粒子1仅在微型LED芯片20的第一端子(电极部位；electrode)21与电路板10的第二端子(电极部位；electrode)11上有选择地产生自熔接的效果。其中，除本发明的自熔接型导电连接材料100的导电粒子1之外的构成组件部分没有残留的导电粒子1，因此粘附力优异、连接电阻低，而且绝缘性优异。
并且，参照图2，本发明的微型LED芯片20的芯片尺寸(a)为100～250μm，优选100～200μm，更优选120～180μm，进一步优选140～160μm的LED芯片，微型LED芯片20的节距(pitch)(b)为60～220μm，优选60～150μm，更优选60～120μm，进一步优选80～120μm，再进一步优选90～110μm。节距(b)表示形成在微型LED芯片20的第一端子21的中心线与相邻第一端子21的中心线之间的距离(pitch)。
并且，形成在微型LED芯片20的第一端子21的尺寸(d)为30～110μm，优选30～90μm，更优选30～70μm，进一步优选40～60μm。并且，形成在微型LED芯片20的第一端子21的高度(c)为0.1～4μm，优选0.1～3μm。
另外，作为本发明的另一例，本发明的微型LED芯片20的芯片尺寸(a)为30～90μm，优选30～70μm，更优选30～60μm的LED芯片，微型LED芯片20的节距(pitch)(b)为50μm以下，优选10～50μm，更优选20～40μm。
并且，形成在微型LED芯片20的第一端子21的尺寸(d)为5～30μm，优选10～30μm，更优选10～25μm，进一步优选15～25μm。并且，形成在微型LED芯片20的第一端子21的高度(c)为0.1～4μm，优选1～3μm。
本发明的微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料可以接合微型LED芯片和电路板，包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂及导电粒子。
首先，本发明的包含有机官能团(organo functional group)的烷氧基硅烷改性环氧树脂是环氧树脂、二聚体(dimer)及包含有机官能团的烷氧基硅烷通过反应及合成而制成的树脂，本发明的微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料包括包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂，除了PCB、FPCB等有机材料的电路板之外，还与玻璃等无机被附基材、微型LED芯片及形成在电路板的端子所用的金属之间的粘附力优异，印刷性、滴涂(dispensing)特性、绝缘性及自熔接性优异。
并且，本发明的包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂可以包括以下化学式1所表示的化合物。
【化学式1】
所述化学式1中，R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7及R8分别是独立的氢原子，C1～C12的直链烷基或C3～C12的粉碎型烷基，优选氢原子或C1～C12的直链烷基，更优选氢原子或C1～C3的直链烷基。
并且，所述化学式1中，A1，A2，A3及A4分别是独立的-CH2-，-CH2CH2-，-CH2CH2CH2-，-CH2CH2CH2CH2-或-CH2CH2CH2CH2CH2-，优选-CH2-，-CH2CH2-或-CH2CH2CH2-。
并且，所述化学式1中，E是C3～C30的亚烷基，优选C10～C20的亚烷基，更优选C16～C18的亚烷基。
并且，所述化学式1中，R9及R10分别是独立的 优选/>
并且，所述化学式1中，R11为氢原子，C1～C12的直链烷基或C3～C12的粉碎型烷基，优选氢原子或C1～C12的直链烷基，更优选氢原子或C1～C3的直链烷基。
并且，所述化学式1中，G1及G2分别是独立的-CH2-，-CH2CH2-，-CH2CH2CH2-，-CH2CH2CH2CH2-，-CH2CH2CH2CH2CH2-或-CH2CH2CH2CH2CH2CH2-，优选-CH2CH2CH2-，-CH2CH2CH2CH2-或-CH2CH2CH2CH2CH2-。
并且，所述化学式1中，n是1～10，优选满足1～5的有理数。
并且，按本发明的自熔接型导电连接材料整体重量％计，本发明的包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂为12.5～28.34重量％，优选12.5～22.75重量％，更优选14～21重量％，进一步优选15.75～19.25重量％，若包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂小于12.5重量％，则本发明的自熔接型导电连接材料无法被制作成材料(paste)状态或会产生短路(short)等不良，若超过28.34重量％，则会出现包括本发明的自熔接型导电连接材料的微型LED芯片-电路板键合模块的电气特性降低以及工艺不良等问题。
并且，作为另一例，按本发明的自熔接型导电连接材料整体重量％计，本发明的包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂为28.34～45重量％，优选28.6～43.1重量％，更优选32.2～39.5重量％，进一步优选34.0～41.3重量％，若包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂小于28.34重量％，本发明的自熔接型导电连接材料无法被制作成材料(paste)状态或会产生短路(short)等不良，若超过45重量％，则会出现包括本发明的自熔接型导电连接材料的微型LED芯片-电路板键合模块的电气特性降低以及工艺不良等问题。
另外，本发明的包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂可以包括第一环氧树脂及第二环氧树脂。
本发明的第一环氧树脂包括以所述化学式1表示的化合物，本发明的第一环氧树脂在20～30℃，优选在23～27℃具有35，000～150，000cps的粘度，优选40，000～100，000cps，更优选50，000～90，000cps，进一步优选60，000～80，000cps，若粘度小于35，000cps，则在电路板或微型LED芯片上印刷自熔接型导电连接材料之后，会出现难以维持印刷现象的问题，若超过150，000cps，则可能存在制造自熔接型导电连接材料时，难以混合及分散的问题。
并且，本发明的第一环氧树脂的环氧当量为245～275g/eq，优选250～270g/eq，更优选255～265g/eq，如果环氧当量小于245g/eq，则会出现粘附力下降的问题，若超过275g/eq，会导致环氧出现胶(gel)化的问题。
本发明的第二环氧树脂可以包括以所述化学式1表示的化合物，本发明的第二环氧树脂在20～30℃，优选在23～27℃具有1，000～30，000cps的粘度，优选5，000～20，000cps，更优选8，000～17，000cps，进一步优选10，000～14，000cps，若粘度小于1，000cps，则在电路板或微型LED芯片上印刷自熔接型导电连接材料后，会出现难以维持印刷现象的问题，若超过30，000cps，则可能存在制造自熔接型导电连接材料时，难以混合及分散的问题。
并且，本发明的第二环氧树脂的环氧当量可以是180～230g/eq，优选185～225g/eq，若环氧当量小于180g/eq，则会出现粘附力下降的问题，若超过230g/eq，会导致环氧出现胶(gel)化的问题。
进而，本发明的包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂以1:0.1～1的重量比包括第一环氧树脂及第二环氧树脂，优选1:0.2～0.8的重量比，更优选1:0.4～0.63的重量比，若重量比小于1:0.1，则因粘度高而造成工艺方面的问题，若重量比超过1:1，则会出现印刷问题导致的电气特性降低的问题。
并且，本发明的另一例中，包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂以1:2～9.2的重量比包括第一环氧树脂及第二环氧树脂，优选1:2.5～7.5的重量比，更优选1:3.5～5的重量比，若重量比小于1:2，则会出现工艺方面的问题，若重量比超过1:9.2，则会出现印刷性方面的问题。
其次，本发明的导电粒子是电性地导通微型LED芯片和电路板的物质，按本发明的自熔接型导电连接材料整体重量％计，可以包括55～74重量％，优选61.2～74.8重量％，更优选64.6～78.2重量％，若导电粒子小于55重量％，则会出现无法导通的问题，若超过74重量％，则会出现短路(short)问题。
并且，作为本发明的另一例，导电粒子是电性地导通微型LED芯片和电路板的物质，按本发明的自熔接型导电连接材料整体重量％计，可以包括35～55重量％，优选36.8～55.2重量％，更优选41.4～50.6重量％，若导电粒子小于35重量％，则会出现无法导通的问题，若超过55重量％，则会出现短路(short)问题。
本发明的导电粒子可以包含选自铋(Bi)，锡(Sn)，铟(In)，银(Ag)，铜(Cu)，锌(Zn)，锑(Sb)，镍(Ni)及它们的合金中的一种以上，优选包括选自铋(Bi)，锡(Sn)和银(Ag)的合金以及铋(Bi)和锡(Sn)的合金中的一种以上，更优选包括铋(Bi)和锡(Sn)的合金。
作为本发明的导电粒子而包含铋(Bi)、锡(Sn)及银(Ag)的合金时，相对于铋100重量份，可以包含锡58.2～87.4重量份，优选65.5～80.1重量份，更优选69.1～76.5重量份。并且，作为导电粒子而包含铋(Bi)、锡(Sn)及银(Ag)的合金时，相对于铋100重量份，可以包含银0.41～0.63重量份，优选0.46～0.58重量份，更优选0.49～0.55重量份。
另外，作为本发明的导电粒子而包含铋(Bi)及锡(Sn)的合金时，以1:0.57～0.87的重量比包含铋及锡，优选1:0.65～0.8的重量比，更优选1:0.68～0.77的重量比。
并且，本发明的导电粒子的粒径可以是2～75μm，优选5～45μm，更优选10～38μm，进一步优选10～25μm。若导电粒子的粒径小于2μm，则因粘度高而印刷性方面出现问题，若超过75μm，则相比微型LED芯片，粒子的尺寸较大而导致微型LED芯片贴装方面的问题。
另外，本发明的微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料在20～30℃，优选在23～27℃具有100，000～300，000cps的粘度，优选150，000～240，000cps，更优选170，000～225，000cps，若粘度小于100，000cps或超过300，000cps，则会出现无法印刷的问题。
并且，本发明的另一实施例中，在20～30℃，优选在23～27℃具有30，000～90，000cps的粘度，优选40，000～80，000cps，更优选45，000～70，000cps，若粘度小于30，000cps，则电气特性方面会存在问题，若超过90，000cps，则会导致印刷不良及电气特性方面的问题。
进而，本发明的微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料还可以包括选自还原剂、硅烷偶联剂、固化剂及固化促进剂中的一种以上，优选地，包括还原剂、硅烷偶联剂、固化剂及固化促进剂。
首先，按本发明的自熔接型导电连接材料整体重量％计，包括本发明的还原剂5～15重量％，优选7～13重量％，更优选8～12重量％，进一步优选9～11重量％，若还原剂小于5重量％，则难以还原而导致电性问题，若超过15重量％，则粘度增高的同时，会出现经时问题。
并且，本发明的另一实施例中，按自熔接型导电连接材料整体重量％计，包括还原剂5～30重量％，优选5～15重量％，更优选7～13重量％，进一步优选8～12重量％，再进一步优选9～11重量％，若还原剂小于5重量％，则难以还原而导致电性问题，若超过30重量％，则粘度增高的同时，会出现经时问题。
本发明的还原剂可以包括选自松香类还原剂、有机酸类还原剂、金属性还原剂及胺盐还原剂中的一种以上，优选有机酸类还原剂，更优选作为有机酸类还原剂的己二酸(adipic acid)及柠檬酸(citric acid)中的一种以上。
具体地说，本发明的还原剂可以包括选自氯化锌，氯化锌和无机卤化物的混合物，氯化锌和无机酸的混合物，熔融盐，磷酸，磷酸的衍生物，有机卤化物，肼，胺盐还原剂，有机酸，乙酸，乳酸，具有两个羧基的草酸，丙二酸，琥珀酸(南瓜酸)，戊二酸，己二酸，庚二酸，辛二酸，邻苯二甲酸，柠檬酸，活性松香和失活松香中的一种以上。
其次，本发明的硅烷偶联剂是为了提高与玻璃等无机材料制成的基材之间的粘附力而包括的物质，按本发明的自熔接型导电连接材料整体重量％计，可以包括0.5～1.5重量％，优选0.7～1.3重量％，更优选0.8～1.2重量％，进一步优选0.9～1.1重量％，若硅烷偶联剂小于0.5重量％，则会出现粘附力降低的问题，若超过1.5重量％，则会出现经时问题。
本发明的硅烷偶联剂可以包括选自乙烯基三甲氧基硅烷(vinyltrimethoxysilane)，乙烯基三乙氧基硅烷(vinyltriethoxysilane)，2-(3，4氯己基)乙基三甲氧基硅烷(2-(3，4epoxycyclohexyl)ethyltriethoxysilane)，3-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷(3-glycidyloxypropyl methyldimethoxysilane)，3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷(3-glycidyloxypropyl trimethoxysilane)，3-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷(3-glycidyloxypropyl methyldiethoxysilane)，3-缩水甘油基氧基丙基三乙氧基硅烷(3-glycidyloxypropyl triethoxysilane)，对苯乙烯基三甲氧基硅烷(p-styryltrimethoxysiane)，3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷(3-methacryloxypropyl methyldimethoxysilane)，3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(3-methacryloxypropyl trimethoxysilane)及3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷(3-methacryloxypropyl methyldiethoxysilane)中的一种以上，优选包括选自2-(3，4环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷，3-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷，3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷和3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷中的一种以上。
其次，按本发明的自熔接型导电连接材料整体重量％计，本发明的固化剂为1.25～2.83重量％，优选1.4～2.1重量％，更优选1.57～1.93重量％，若固化剂小于1.25重量％，则会出现未固化的问题，若超过2.83重量％，则会出现粘度提高的问题。
并且，本发明的另一实施例中，按自熔接型导电连接材料整体重量％计，固化剂为2.83～4.5重量％，优选2.83～4.3重量％，更优选3.2～4.0重量％，若固化剂小于2.83重量％，则会出现未固化的问题，若超过4.5重量％，则会出现粘度提高的问题。
并且，本发明的固化剂包括选自胺类固化剂，酸酐类固化剂，酚类固化剂，多硫醇固化剂，潜在性固化剂及阳离子固化剂中的一种以上。并且，潜在性固化剂可以包括选自咪唑类固化剂，酰肼类固化剂，三氟化硼-胺络合物固化剂，胺酰亚胺类固化剂，多胺类固化剂，叔胺类固化剂，烷基脲类固化剂及双氰胺(Dicyandiamide)类固化剂中的一种以上。
其次，按本发明的自熔接型导电连接材料整体重量％计，本发明的固化促进剂为1.25～2.83重量％，优选1.4～2.1重量％，更优选1.57～1.93重量％，若固化促进剂小于1.25重量％，则会出现未固化的问题，若超过2.83重量％，则会出现经时问题。
并且，本发明的另一实施例中，按本发明的自熔接型导电连接材料整体重量％计，固化促进剂为2.83～4.5重量％，优选2.83～4.3重量％，更优选3.2～4.0重量％，若固化剂小于2.83重量％，则会出现未固化的问题，若超过4.5重量％，则会出现经时问题。
另外，本发明的固化促进剂可以包括选自胺类固化促进剂，酚类固化促进剂及咪唑类固化促进剂中的一种以上，优选1H-咪唑，2-甲基咪唑，2-十一烷基咪唑，2-十七烷基咪唑，1，2-二甲基咪唑，2-乙基-4-甲基咪唑，2-苯基咪唑，2-苯基-4-甲基咪唑，1-苄基-2-甲基咪唑，1-苄基-2-苯基咪唑及它们的改性物中的一种以上。
并且，在150～180℃的温度下进行热处理后，本发明的微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料可以具有0.5～2kgf/cm的粘附力。
并且，在150～180℃的温度下进行热处理后，本发明的微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料可以具有0.1～1Ω/cm的连接电阻。
并且，本发明包括：对自熔接型导电连接材料进行涂布及干燥而制成的自熔接型导电连接膜。
所述自熔接型导电连接膜是对前述自熔接型导电连接材料进行涂布及干燥而制作成膜状的构件，可具有多种结构。
尤其，所述自熔接型导电连接膜是经过一定过程而将自熔接型导电连接材料制成薄膜形态的产物，该过程包括涂布及干燥过程。
进而，本发明提供一种包括本发明的微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料的微型LED芯片-电路板键合模块。
参照图3进行描述，本发明的微型LED芯片-电路板键合模块包括：至少一个以上的微型LED芯片20，一个表面上形成多个第一端子21；电路板10，相对于所述第一端子21，一个表面上形成多个第二端子11；及自熔接型导电连接材料100，夹杂在所述微型LED芯片20与所述电路板10之间而电性连接微型LED芯片20与电路板10。
其中，微型LED芯片20可以是前述的图2中的微型LED芯片20，电路板10可以是玻璃电路板，印刷电路板(PCB)或软性印刷电路板(FPCB)。
另外，本发明的微型LED芯片-电路板键合模块满足以下相关式1及2。
【相关式1】
55μm≤B-A≤245μm，优选55μm≤B-A≤190μm，更优选75μm≤B-A≤160μm，进一步优选100μm≤B-A≤140μm
所述相关式1中，A表示自熔接型导电连接材料100所包括的导电粒子1的粒径，B表示微型LED芯片20的尺寸。
若不满足相关式1，则会在安装微型LED芯片20时出现连接不良的问题。
【相关式2】
2.2≤B/A≤50，优选2.2≤B/A≤20，更优选2.2≤B/A≤16，进一步优选5≤B/A≤15
所述相关式1及2中，A表示自熔接型导电连接材料100所包括的导电粒子1的粒径，B表示微型LED芯片20的尺寸。
若不满足相关式2，则会在安装微型LED芯片20时出现连接不良的问题。
并且，本发明的微型LED芯片-电路板键合模块满足以下相关式3至6。
【相关式3】
5μm≤A≤45μm，优选10μm≤A≤38μm
所述相关式3中，A表示自熔接型导电连接材料100所包括的导电粒子1的粒径。
若不满足相关式3，则会在安装微型LED芯片20时出现连接不良的问题。
【相关式4】
100μm≤B≤250μm，优选100μm≤B≤200μm，更优选100μm≤B≤160μm
所述相关式4中，B表示微型LED芯片20的尺寸。
若不满足相关式4，则可能会出现使用微型LED芯片20的显示器的分辨率下降的问题。
【相关式5】
30μm≤C≤110μm，优选30μm≤C≤75μm，更优选30μm≤C≤70μm
所述相关式5中，C表示形成在微型LED芯片20的第一端子21的尺寸。
若不满足相关式5，则会出现电连接方面的问题。
【相关式6】
60μm≤D≤220μm，优选80μm≤D≤110μm
所述相关式6中，D表示形成在所述微型LED芯片20的第一端子21的中心线与相邻第一端子21的中心线之间的距离(pitch)。
若不满足相关式6，则会出现电连接方面的问题。
并且，本发明的微型LED芯片-电路板键合模块的另一实施例满足以下相关式7及8。
【相关式7】
5μm≤B-A≤87μm，优选5μm≤B-A≤62μm，更优选15μm≤B-A≤57μm
所述相关式7中，A表示自熔接型导电连接材料100所包括的导电粒子1的粒径，B表示微型LED芯片20的尺寸。
若不满足相关式7，则会出现贴装微型LED芯片20时连接不良的问题。
【相关式8】
1.2≤B/A≤30，优选1.2≤B/A≤20，更优选1.5≤B/A≤10，进一步优选2≤B/A≤7
所述相关式7及8中，A表示自熔接型导电连接材料100所包括的导电粒子1的粒径，B表示微型LED芯片20的尺寸。
若不满足相关式8，则会出现贴装微型LED芯片20时连接不良的问题。
并且，本发明的微型LED芯片-电路板键合模块满足以下相关式9至12。
【相关式9】
3μm≤A≤38μm，优选3μm≤A≤25μm，更优选5μm≤A≤25μm
所述相关式9中，A表示自熔接型导电连接材料100所包括的导电粒子1的粒径。
若不满足相关式9，则会出现贴装微型LED芯片20时连接不良的问题。
【相关式10】
30μm≤B≤90μm，优选30μm≤B≤70μm，更优选30μm≤B≤60μm
所述相关式10中，B表示微型LED芯片20的尺寸。
若不满足相关式10，则会出现使用微型LED芯片20的显示器的分辨率下降的问题。
【相关式11】
10μm≤C≤30μm，优选10μm≤C≤25μm，更优选10μm≤C≤20μm
所述相关式11中，C表示形成在微型LED芯片20的第一端子21的尺寸。
若不满足相关式11，则电连接方面会出现问题。
【相关式12】
20μm≤D≤80μm，优选20μm≤D≤70μm，更优选20μm≤D≤60μm
所述相关式12中，D表示形成在所述微型LED芯片20的第一端子21的中心线与相邻第一端子21的中心线之间的距离(pitch)。
若不满足相关式12，则电连接方面会出现问题。
另外，制造本发明的微型LED芯片-电路板键合模块的方法包括第一步骤至第四步骤。
首先，制造本发明的微型LED芯片-电路板键合模块的方法的第一步骤中，准备一个表面上形成多个第一端子的至少一个以上的微型LED芯片和一个表面上形成多个第二端子的电路板。
其次，制造本发明的微型LED芯片-电路板键合模块的方法的第二步骤中，在电路板的形成多个第二端子的一面，印刷本发明的自熔接型导电连接材料。其中，印刷可以在20～30℃的温度下进行，优选23～27℃的温度。
其次，制造本发明的微型LED芯片-电路板键合模块的方法的第三步骤中，相对于多个第二端子，面对面地配置微型LED芯片的多个第一端子，在自熔接型导电连接材料一个表面临时粘接微型LED芯片。其中，临时粘接可以在20～30℃的温度下进行，优选23～27℃的温度。
最后，制造本发明的微型LED芯片-电路板键合模块的方法的第四步骤中，可以对自熔接型导电连接材料进行热处理。热处理使用加热工具(Heating tool)，在140～230℃，优选在150～180℃下，进行1分钟～20分钟的加热，优选2～15分钟，更优选3～8分钟。若热处理温度小于140℃，则会出现导电粒子未熔接的问题，若超过230℃，会因零件的劣化或树脂的过度固化而导致粘附力下降。
加热工具只要是加热本发明的自熔接型导电连接材料而使导电粒子熔融的工具，不做特别限制，例如，可以包括加热炉或回流干燥台等。
以上以实施例为中心描述了本发明，但是这些仅仅是示例，并不是为了限定本发明的实施例，在不脱离本发明的本质特性的范围内，可以实施多种修改和应用。例如，可以修改实施本发明实施例中未具体示出的组件。并且，与这种变形和应用相关的差异也包括在所附权利要求书中规定的本发明的范围内。
实施例1：微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料的制造
通过混合包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂17重量％，导电粒子(粒径：10～25μm，以42:58的重量比包含Sn及Bi的合金)68重量％，还原剂己二酸10重量％，硅烷偶联剂3-乙二氧基丙基甲基二乙氧基硅烷1重量％，双氰胺型固化剂1.75重量％，固化促进剂2-十一烷基咪唑1.75重量％，进行绝缘处理之后，制造出自熔接型导电连接材料。
包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂是以1:0.54的重量比混合第一环氧树脂及第二环氧树脂的树脂，第一环氧树脂包括如以下化学式1-1表示的化合物，是在25℃具有70，000cps的粘度，环氧当量为260g/eq的树脂。并且，第二环氧树脂包括如以下化学式1-1表示的化合物，是在25℃具有12，000cps的粘度，环氧当量为205g/eq的树脂。
【化学式1-1】
所述化学式1-1中，R1，R2，R3及R4为氢原子，R5，R6，R7及R8是甲基，
A1，A2，A3及A4是-CH2-，E是C17的亚烷基，R9及R10是(*表示与Si结合的结合部位)，R11是氢原子，G1是-CH2CH2CH2-，n是满足1的有理数。
实施例2：微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料的制造
以与实施例1相同的方法制造自熔接型导电连接材料。但是，与实施例1不同的是，作为包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂，使用以1:0.33的重量比混合第一环氧树脂及第二环氧树脂的树脂来制造自熔接型导电连接材料。
实施例3：微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料的制造
以与实施例1相同的方法制造自熔接型导电连接材料。但是，与实施例1不同的是，作为包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂，使用以1:0.18的重量比混合第一环氧树脂及第二环氧树脂的树脂来制造自熔接型导电连接材料。
实施例4：微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料的制造
以与实施例1相同的方法制造自熔接型导电连接材料。但是，与实施例1不同的是，作为包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂，使用以1:0.67的重量比混合第一环氧树脂及第二环氧树脂的树脂来制造自熔接型导电连接材料。
实施例5：微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料的制造
以与实施例1相同的方法制造自熔接型导电连接材料。但是，与实施例1不同的是，作为包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂，使用以1:0.82的重量比混合第一环氧树脂及第二环氧树脂的树脂来制造自熔接型导电连接材料。
实施例6～11：微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料的制造
以与实施例1相同的方法制造自熔接型导电连接材料。但是，如以下表1所示地，改变混合的包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂、导电粒子及己二酸的重量％来制造自熔接型导电连接材料。
实施例12：微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料的制造
以与实施例1相同的方法制造自熔接型导电连接材料。但是，与实施例1不同的是，作为包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂，仅使用第一环氧树脂制造自熔接型导电连接材料。
实施例13：微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料的制造
以与实施例1相同的方法制造自熔接型导电连接材料。但是，与实施例1不同的是，作为包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂，仅使用第二环氧树脂制造自熔接型导电连接材料。
比较例1：微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料的制造
以与实施例1相同的方法制造自熔接型导电连接材料。但是，与实施例1不同的是，不使用包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂，而使用双酚A型环氧树脂(YD128，国都化学，粘度：11，500～13，500cps，环氧当量：184～190g/eq)制造自熔接型导电连接材料。
比较例2：微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料的制造
以与实施例1相同的方法制造自熔接型导电连接材料。但是，与实施例1不同的是，不使用包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂，而使用双酚F型环氧树脂(YDF-170，国都化学，粘度：2，000～5，000cps，环氧当量：160～180g/eq)制造自熔接型导电连接材料。
比较例3：微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料的制造
以与实施例1相同的方法制造自熔接型导电连接材料。但是，与实施例1不同的是，不使用包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂，而使用NBR改性环氧树脂(KR-415，国都化学，粘度：50，000～100，000cps，环氧当量：375～425g/eq)制造自熔接型导电连接材料。
比较例4：微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料的制造
以与实施例1相同的方法制造自熔接型导电连接材料。但是，与实施例1不同的是，不使用包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂，而使用CTBN改性环氧树脂(KR-170，国都化学，粘度：30，000～60，000cps，环氧当量：200～235g/eq)制造自熔接型导电连接材料。
【表1】
实验例1
对实施例1～13及比较例1～4中制造的自熔接型导电连接材料，分别以如下的物性评估标准进行评估，其结果如表2。
(1)微型LED芯片-电路板键合模块的制造
准备一个表面上形成两个第一端子的微型LED芯片(微型LED芯片的尺寸：150μm，第一端子的尺寸：50μm，微型LED芯片上形成的第一端子的中心线与相邻第一端子的中心线之间的距离(pitch)：100μm，第一端子高度：2μm)和一个表面上形成两个第二端子的电路板(电路板的尺寸：150μm，第二端子的尺寸：50μm，电路板上形成的第二端子的中心线与相邻第二端子的中心线之间的距离(pitch)：100μm，第二端子高度：10μm)。
将实施例1～15及比较例1～4中制造的导电连接材料，分别在电路板上以45μm的厚度印刷，然后，相对于电路板的第二端子，面对面地配置微型LED芯片的第一端子，在实施例1～15及比较例1～4中制造的导电连接材料的各个表面临时粘接微型LED芯片。然后，在180℃的干燥箱进行8分钟的热处理(固化及自熔接)而制造微型LED芯片-电路板键合模块。
(2)连接电阻测定(Ω/cm)
对制造的各微型LED芯片-电路板键合模块，利用测定器(Keithley社2000Multimeter)，以4-probe方式施加测试电流1mA而测定初始连接电阻，从而计算其平均值。
(3)粘附力测定(kgf/cm)
对制造的各微型LED芯片-电路板键合模块，使用Dage4000(Nordson社)装置，以0.5mm/秒的速度测定剪切强度，从而测定粘附力。
(4)绝缘性测定
对制造的各微型LED芯片-电路板键合模块，利用多功能测试仪(HIOKI社，3244-60CARD HITESTER)，检查端子之间导电与否，测定绝缘性。
(5)自熔接性测定
对制造的各微型LED芯片-电路板键合模块，利用多功能测试仪(HIOKI社，3244-60CARD HITESTER)，检查通过材料连接的微型LED芯片及电路板的端子的导电与否，并用高倍率显微镜确认而测定自熔接性。
(6)印刷性测定
对制造的各微型LED芯片-电路板键合模块，用肉眼(或显微镜)检查外观以测定印刷性。
(7)粘度测定
利用Malcom社的PCU-205，依据JIS测定法，在25℃的温度范围，测定实施例1～13及比较例1～4中制造的自熔接型导电连接材料的粘度。
【表2】
/>
如所述表2所示，实施例1中制造的自熔接型导电连接材料相比其他实施例及比较例中制造的自熔接型导电连接材料，连接电阻、绝缘性、自熔接性相对优异，而且粘附力也优异。具体地，相比实施例中制造的自熔接型导电连接材料，比较例1中制造的自熔接型导电连接材料的粘附力明显降低，比较例2中制造的自熔接型导电连接材料不仅粘附力明显降低，印刷性也明显差，比较例3中制造的自熔接型导电连接材料的连接电阻明显差，绝缘性、自熔接性及印刷性也明显差，比较例4中制造的自熔接型导电连接材料的粘附力降低，印刷性也明显差。
下面追加描述本发明的自熔接型导电连接材料、包括其的键合模块及其制造方法的其他实施例及比较实验例。
实施例14：微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料的制造
混合包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂35.84重量％，导电粒子(粒径：10～25μm，以42:58的重量比包含Sn及Bi的合金)46重量％，还原剂己二酸10重量％，硅烷偶联剂3-乙二氧基丙基甲基二乙氧基硅烷1重量％，双氰胺型固化剂3.58重量％，固化促进剂2-十一烷基咪唑3.58重量％，进行绝缘处理后，制造出自熔接型导电连接材料。
包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂是以1：4的重量比混合第一环氧树脂及第二环氧树脂的树脂，第一环氧树脂包含如以下化学式1-1表示的化合物，是在25℃具有70，000cps的粘度，环氧当量为260g/eq的树脂。并且，第二环氧树脂是包含如以下化学式1-1表示的化合物，在25℃具有12，000cps的粘度，环氧当量为205g/eq的树脂。
【化学式1-1】
所述化学式1-1中，R1，R2，R3及R4是氢原子，R5，R6，R7及R8是甲基，A1，A2，A3及A4是-CH2-，E是C17的亚烷基，R9及R10是(*表示与Si结合的结合部位)，R11是氢原子，G1是-CH2CH2CH2-，n是满足1的有理数。
实施例15：微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料的制造
以与实施例14相同的方法制造自熔接型导电连接材料。但是，与实施例14不同的是，作为包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂，使用以1:3的重量比混合第一环氧树脂及第二环氧树脂的树脂来制造自熔接型导电连接材料。
实施例16：微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料的制造
以与实施例14相同的方法制造自熔接型导电连接材料。但是，与实施例14不同的是，作为包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂，使用以1:2.33的重量比混合第一环氧树脂及第二环氧树脂的树脂来制造自熔接型导电连接材料。
实施例17：微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料的制造
以与实施例14相同的方法制造自熔接型导电连接材料。但是，与实施例14不同的是，作为包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂，使用以1:5.67的重量比混合第一环氧树脂及第二环氧树脂的树脂来制造自熔接型导电连接材料。
实施例18：微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料的制造
以与实施例14相同的方法制造自熔接型导电连接材料。但是，与实施例14不同的是，作为包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂，使用以1:9的重量比混合第一环氧树脂及第二环氧树脂的树脂来制造自熔接型导电连接材料。
实施例19～24：微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料的制造
以与实施例14相同的方法制造自熔接型导电连接材料。但是，如以下表3所示地，改变混合的包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂、导电粒子及己二酸的重量％来制造自熔接型导电连接材料。
实施例25：微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料的制造
以与实施例14相同的方法制造自熔接型导电连接材料。但是，与实施例14不同的是，作为包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂，仅使用第一环氧树脂制造自熔接型导电连接材料。
实施例26：微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料的制造
以与实施例14相同的方法制造自熔接型导电连接材料。但是，与实施例14不同的是，作为包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂，仅使用第二环氧树脂制造自熔接型导电连接材料。
比较例1：微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料的制造
以与实施例14相同的方法制造自熔接型导电连接材料。但是，与实施例14不同的是，不使用包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂，而使用双酚A型环氧树脂(YD128，国都化学，粘度：11，500～13，500cps，环氧当量：184～190g/eq)制造自熔接型导电连接材料。
比较例2：微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料的制造
以与实施例14相同的方法制造自熔接型导电连接材料。但是，与实施例14不同的是，不使用包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂，而使用双酚F型环氧树脂(YDF-170，国都化学，粘度：2，000～5，000cps，环氧当量：160～180g/eq)制造自熔接型导电连接材料。
比较例3：微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料的制造
以与实施例14相同的方法制造自熔接型导电连接材料。但是，与实施例14不同的是，不使用包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂，而使用NBR改性环氧树脂(KR-415，国都化学，粘度：50，000～100，000cps，环氧当量：375～425g/eq)制造自熔接型导电连接材料。
比较例4：微型LED芯片键合用自熔接型导电连接材料的制造
以与实施例14相同的方法制造自熔接型导电连接材料。但是，与实施例14不同的是，不使用包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂，而使用CTBN改性环氧树脂(KR-170，国都化学，粘度：30，000～60，000cps，环氧当量：200～235g/eq)制造自熔接型导电连接材料。
【表3】
实验例1
对实施例14～26及比较例1～4中制造的自熔接型导电连接材料，分别以如下物性评估法为基准而实施了评估，其结果如表4。
(1)微型LED芯片-电路板键合模块的制造
准备一个表面上形成两个第一端子的微型LED芯片(微型LED芯片的尺寸：50μm，第一端子的尺寸：20μm，微型LED芯片上形成的第一端子的中心线与相邻第一端子的中心线之间的距离(pitch)：30μm，第一端子高度：1μm)和一个表面上形成两个第二端子的电路板(电路板的尺寸：50μm，第二端子的尺寸：20μm，电路板上形成的第二端子的中心线与相邻第二端子的中心线之间的距离(pitch)：30μm，第二端子高度：5μm)。
将实施例14～26及比较例1～4中制造的导电连接材料，分别在电路板上以15μm的厚度印刷，然后，相对于电路板的第二端子，面对面地配置微型LED芯片的第一端子，在实施例14～26及比较例1～4中制造的导电连接材料的各个表面临时粘接微型LED芯片。然后，在180℃的干燥箱进行8分钟的热处理(固化及自熔接)而制造微型LED芯片-电路板键合模块。
(2)连接电阻测定(Ω/cm)
对制造的各微型LED芯片-电路板键合模块，利用测定器(Keithley社2000Multimeter)，以4-probe方式施加测试电流1mA而测定初始连接电阻，从而计算其平均值。
(3)粘附力测定(kgf/cm)
对制造的各微型LED芯片-电路板键合模块，使用Dage4000(Nordson社)装置，以0.5mm/秒的速度测定剪切强度，从而测定粘附力。
(4)绝缘性测定
对制造的各微型LED芯片-电路板键合模块，利用多功能测试仪(HIOKI社，3244-60CARD HITESTER)，检查端子之间导电与否，测定绝缘性。
(5)自熔接性测定
对制造的各微型LED芯片-电路板键合模块，利用多功能测试仪(HIOKI社，3244-60CARD HITESTER)，检查通过材料连接的微型LED芯片及电路板的端子的导电与否，并用高倍率显微镜确认而测定自熔接性。
(6)印刷性测定
对制造的各微型LED芯片-电路板键合模块，用肉眼(或显微镜)检查外观以测定印刷性。
(7)粘度测定
利用Malcom社的PCU-205，依据JIS测定法，在25℃的温度范围，测定实施例14～26及比较例1～4中制造的自熔接型导电连接材料的粘度。
【表4】
/>
如所述表4所示，实施例14中制造的自熔接型导电连接材料相比其他实施例及比较例中制造的自熔接型导电连接材料，连接电阻、绝缘性、自熔接性相对优异，而且粘附力也优异。具体地，相比实施例中制造的自熔接型导电连接材料，比较例1及2中制造的自熔接型导电连接材料的粘附力明显降低，印刷性也明显差，比较例3中制造的自熔接型导电连接材料的连接电阻明显差，绝缘性、自熔接性及印刷性也明显差，比较例4中制造的自熔接型导电连接材料的粘附力降低，印刷性也明显差。
本领域的普通技术人员可以容易地对本发明实施简单的更改或变形，并且这种更改或变形都包括在本发明的范围内。

Claims (16)

1.一种自熔接型导电连接材料，其特征在于，
包括：包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂；及导电粒子，
在20～30℃具有30，000～300，000cps的粘度，
所述包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂包括：
第一环氧树脂，在20～30℃具有35，000～150，000cps的粘度；及
第二环氧树脂，在20～30℃具有1，000～30，000cps的粘度，
所述第一环氧树脂的环氧当量为245～275g/eq，
所述第二环氧树脂的环氧当量为180～230g/eq。
2.根据权利要求1所述的自熔接型导电连接材料，其特征在于，
所述包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂以1:2～9.2的重量比包含第一环氧树脂及第二环氧树脂。
3.根据权利要求1所述的自熔接型导电连接材料，其特征在于，
所述包含有机官能团的烷氧基硅烷改性环氧树脂以1:0.1～1的重量比包含第一环氧树脂及第二环氧树脂。
4.根据权利要求1所述的自熔接型导电连接材料，其特征在于，
所述自熔接型导电连接材料还包括：选自还原剂、硅烷偶联剂、固化剂及固化促进剂中的一种以上。
5.根据权利要求4所述的自熔接型导电连接材料，其特征在于，
所述自熔接型导电连接材料按整体重量％计，包含：还原剂5～30重量％，硅烷偶联剂0.5～1.5重量％，固化剂2.83～4.5重量％及固化促进剂2.83～4.5重量％。
6.根据权利要求4所述的自熔接型导电连接材料，其特征在于，
所述自熔接型导电连接材料按整体重量％计，包含还原剂5～15重量％，硅烷偶联剂0.5～1.5重量％，固化剂1.25～2.83重量％及固化促进剂1.25～2.83重量％。
7.根据权利要求4所述的自熔接型导电连接材料，其特征在于，
所述自熔接型导电连接材料接合微型LED芯片和电路板。
8.根据权利要求1所述的自熔接型导电连接材料，其特征在于，
所述导电粒子的粒径为2～75μm。
9.一种自熔接型导电连接膜，其特征在于，
通过权利要求1至8中任一项所述的自熔接型导电连接材料的涂布及干燥而制成。
10.一种键合模块，其特征在于，包括：
至少一个以上的微型LED芯片，一个表面上形成多个第一端子；
电路板，相对于所述第一端子，一个表面上形成多个第二端子；以及
权利要求1至8中任一项所述的自熔接型导电连接材料，夹杂在所述微型LED芯片与所述电路板之间而连接微型LED芯片和电路板。
11.根据权利要求10所述的键合模块，其特征在于，
满足以下相关式1及2，
【相关式1】
5μm≤B-A≤87μm
【相关式2】
1.2≤B/A≤30
所述相关式1及2中，A表示所述自熔接型导电连接材料所包括的导电粒子的粒径，B表示所述微型LED芯片的尺寸。
12.根据权利要求11所述的键合模块，其特征在于，
满足以下相关式3至6，
【相关式3】
3μm≤A≤25μm
【相关式4】
30μm≤B≤90μm
【相关式5】
10μm≤C≤30μm
【相关式6】
20μm≤D≤80μm
所述相关式3中，A表示所述自熔接型导电连接材料所包括的导电粒子的粒径，
所述相关式4中，B表示所述微型LED芯片的尺寸，
所述相关式5中，C表示形成在所述微型LED芯片上的第一端子的尺寸，
所述相关式6中，D表示形成在所述微型LED芯片上的第一端子的中心线与相邻的第一端子的中心线之间的距离。
13.根据权利要求10所述的键合模块，其特征在于，
满足以下相关式7及8，
【相关式7】
55μm≤B-A≤245μm
【相关式8】
2.2≤B/A≤50
所述相关式7及8中，A表示所述自熔接型导电连接材料所包括的导电粒子的粒径，B表示所述微型LED芯片的尺寸。
14.根据权利要求13所述的键合模块，其特征在于，
满足以下相关式9至12，
【相关式9】
5μm≤A≤45μm
【相关式10】
100μm≤B≤250μm
【相关式11】
30μm≤C≤110μm
【相关式12】
60μm≤D≤220μm
所述相关式9中，A表示所述自熔接型导电连接材料所包括的导电粒子的粒径，
所述相关式10中，B表示所述微型LED芯片的尺寸，
所述相关式11中，C表示形成在所述微型LED芯片上的第一端子的尺寸，
所述相关式12中，D表示形成在所述微型LED芯片上的第一端子的中心线与相邻第一端子的中心线之间的距离。
15.根据权利要求10所述的键合模块，其特征在于，
所述电路板是玻璃电路板、印刷电路板或软性印刷电路板。
16.一种具有自熔接型导电连接材料的键合模块的制造方法，其特征在于，
包括如下步骤：第一步骤，准备一个表面上形成多个第一端子的至少一个以上的微型LED芯片一个表面上形成多个第二端子的电路板；
第二步骤，在电路板的形成多个第二端子的一个表面，印刷权利要求1至8中任一项所述的自熔接型导电连接材料；
第三步骤，相对于所述多个第二端子，面对面地配置所述微型LED芯片的多个第一端子，在所述自熔接型导电连接材料的一个表面，临时粘接微型LED芯片；以及
第四步骤，对所述自熔接型导电连接材料进行热处理。
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