TWI550917B - 發光裝置 - Google Patents

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Description

發光裝置
本發明係關於一種可用於LED燈泡、聚光燈等照明器具等之發光裝置。
一般而言，使用發光元件之發光裝置因小型且電力效率良好並可發出鮮豔之顏色而被眾所周知。該發光裝置之發光元件為半導體元件，故而不僅燈泡碎裂等之擔心較少，且具有初始驅動特性優異、振動或接通、斷開點燈之重複性較強等特徵。由於具有此種優異特性，故而使用發光二極體(LED：Light Emitting Diode)、雷射二極體(LD：Laser Diode)等發光元件之發光裝置一直被作為各種光源而利用。
發光裝置主要包括發光元件、配置有該發光元件且具有將該發光元件與外部電源等電性地連接之導電配線之基材、及被覆該基材上之發光元件之密封構件。又，既存在諸如表面安裝型之COB(晶片板載(Chip On Board))之類，於發光元件之周圍形成樹脂框之類型者。進而，亦存在藉由使密封構件含有螢光體，而發出來自發光元件之光與藉由螢光體而得以波長轉換之光之混色光之發光裝置。
於此種使用螢光體之發光裝置中，長波側之螢光體(例如，發出紅色光之CASN系螢光體)之吸收光譜與短波側之螢光體(例如，發出黃色光之YAG(Yttrium Aluminum Garnet，釔鋁石榴石)系螢光體)之發光光譜一部分重複。 因此，藉由短波側之螢光體所得之波長轉換光之一部分被長波側之螢光體吸收，發光效率降低從而發光裝置之輸出降低。又，為了演色性之提昇，補充被吸收之波長之第3螢光體(例如，發出綠色光之氯矽酸鹽)為必需。然而，若使其含有氯矽酸鹽，則對於發出紅色光之螢光體(以下稱為紅色螢光體。對於其他色亦同樣地，例如將發出黃色光之螢光體稱為黃色螢光體，將發出綠色光之螢光體稱為綠色螢光體)之激發，不僅會使用發出藍色光之發光元件(以下稱為藍色發光元件。對於其他色亦同樣地，例如將發出藍綠色光之發光元稱為藍綠色發光元件。)之發光亦使用來自綠色螢光體之綠色光，故而存在發光效率降低之問題。
因此，提出有將2種螢光體區域(即，含有螢光之區域)分離之發光裝置(例如，參照專利文獻1)。於專利文獻1中所記載之發光裝置中，含有綠色螢光體而密封第1藍色發光元件之綠色密封樹脂、與含有紅色螢光體而密封第2藍色發光元件之紅色密封樹脂藉由隔壁分離。
又，例如，專利文獻2及非專利文獻1之發光裝置具有內側之區域即燈泡色區域、及外側之區域即白色區域2個螢光體區域。而且，於內側之燈泡色區域上，紅色螢光體與黃色螢光體混合而含有，於外側之白色區域中含有黃色螢光體。該發光裝置習藉由分別個別地控制燈泡色區域與白色區域中流過之電流並調整2個區域之發光強度比而調整色溫度者。
又，於專利文獻3中，揭示有由樹脂狀框所包圍之區域藉由樹脂性隔壁而以矩形分隔的發光裝置。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2010-34184號公報
[專利文獻2]實用新型登錄第3156731號公報
[專利文獻3]日本專利特開2012-004519號公報
[非專利文獻]
[非專利文獻1]Paragon Semiconductor Lighting Technology Co., Ltd. E-Series [平成23年6月17日檢索]，網際網路<URL:http://www．paragonled．com/eng/series_e.html#>
然而，於先前之技術中，存在以下所述之問題。
於專利文獻1中所記載之發光裝置中，1個螢光體區域為被覆1個發光元件程度較小之區域，因而發光元件之發光可毫無問題地擴散至螢光體區域之整體。然而，於為了獲得更高輸出之發光裝置，而使發光元件之數量增加之情形時，螢光體區域之面積必然變大，因發光元件之配置或螢光體區域之分離之形狀而發光效率或亮度分佈(光度分佈)變得不充分。
又，專利文獻2及非專利文獻1之發光裝置係各區域分成內側與外側之同心圓形狀。而且，專利文獻2及非專利文獻1之發光裝置於燈泡色區域混合存在有2種螢光體，故存 在藉由短波側之螢光體所得之波長轉換光之一部分被長波側之螢光體吸收，從而發光效率降低之問題。
又，專利文獻3之發光裝置儘管於複數個區域間形成有樹脂性隔壁，但因該樹脂性隔壁會被著色成白色或乳白色而不具透光性，故存在藉由該不具透光性之樹脂性隔壁，自複數個區域中的一區域放出之光難以與自鄰接於該一區域之其他區域放出之光混合之問題。又，於螢光體區域劃分成2塊之態樣中，因配置於一區域中之遠離其他區域之位置上之發光元件至其他區域之距離較大，故存在自該一區域放出之光難以與自其他區域放出之光混合從而混色性劣化之問題。
又，於專利文獻3之發光裝置中，如圖1所示，螢光體區域係相對於其中心線而劃分成2塊，於各個區域上分散有不同顏色之螢光體。因此，存在無法進行以中心線為中心而左右具有不同之配向特性且良好之發光之問題。於專利文獻3之圖11~13所示之態樣中，螢光體區域亦以其中心點為中心而劃分成4塊，在相對於中心點而對稱之區域302、303上分別分散有黃色之螢光體或綠色之螢光體。因此，與上述同樣地，存在無法進行以中心點為中心而左右具有不同之配向特性且良好之發光之問題。
本發明係鑒於上述問題點而完成者，其目的在於提供一種發光效率較高、且亮度分佈優異、進而具有較高之混色性及配向特性之發光裝置。
為了解決上述課題，本發明之發光裝置之特徵在於：其係具備基材、配置於上述基材上之複數個發光元件、及密封上述發光元件之密封構件者；且上述基材具有藉由自該基材上之某一點向基材外周以放射狀延伸之假想線而劃分之複數個區域，並且於上述複數個區域中之鄰接之2個區域間具有透光性之壁構件，於上述複數個區域中之各區域，分別設置有包含螢光體之密封構件，自上述複數個區域中之鄰接之2個區域中的一區域即第1區域發出之光之色調與自另一區域即第2區域發出之光之色調不同。
再者，以下，適當地將設置有至少一部分包含螢光體之密封構件(亦包括壁構件)之區域稱為螢光體區域。又，螢光體或發光元件所發出之發光波長(或簡稱為波長)係指峰值波長。又，於本發明中，作為「透光性」之構件，可使用作為發光裝置之發光而欲提取至發光裝置外之光之透過率為50%以上者，較佳為使用70%以上者，進而較佳為使用80%以上者。所謂欲提取至發光裝置外之光可根據目的而任意選擇，於下述之實施形態1~3中為螢光體及發光元件之發光。
根據此種構成，基材藉由自基材上之某一點向基材外周以放射狀延伸之假想線而劃分成複數個區域(螢光體區域)，一區域具有自該一區域內所包含之1個發光元件放射之光容易到達至該一區域內之更多螢光體上之形狀。即，該一區域不具有阻礙來自該一區域內之發光元件之光之行進之面，故而來自1個發光元件之光可於更廣泛之 範圍內激發相同之區域內之螢光體。因此，對於該區域所包含之全部發光元件，當使來自各發光元件之光重合之情形時，來自各發光元件之光以更大之重疊性多重地重合。於自螢光體側觀察其之情形時，1個螢光體粒子係藉由更多發光元件而激發，從而發光裝置之發光效率變得極高。
又，因以放射狀劃分螢光體區域，故於使用透光性者作為壁構件之情形時，藉由使第1區域及第2區域之中心角更小，可使該第1區域之遠離第2區域之部分至其他區域之距離變小，藉此，自該第1區域之遠離第2區域之部分放出之光變得容易與自第2區域放出之光混合，從而可獲得較高之混色性。
又，本發明之發光裝置亦可為於上述構成中，上述複數個區域之中上述一區域中所包含之螢光體與上述另一區域中所包含之螢光體不同。
根據此種構成，可防止一螢光體之波長轉換光之一部分被另一螢光體吸收，故而可抑制發光效率之降低。又，上述一區域中所包含之螢光體與上述另一區域中所包含之螢光體不同，藉此可使自上述一區域發出之光之色調與自上述另一區域發出之光之色調不同。
又，本發明之發光裝置之特徵在於：於上述構成中，上述螢光體包含：第1螢光體，其吸收來自上述發光元件之光之至少一部分並發出比來自上述發光元件之光之波長更長之波長之光；及第2螢光體，其為吸收來自上述發光元 件之光之至少一部分之螢光體，且發出比來自上述發光元件之光之波長及來自上述第1螢光體之光之波長之兩者更長之波長之光；包含上述第1螢光體之第1區域之總面積與包含上述第2螢光體之第2區域之總面積之比率為2：3~3：2。
根據此種構成，包含上述第1螢光體之第1區域之總面積與包含上述第2螢光體之第2區域之總面積之比率為2：3~3：2，故而可發出演色性良好之光。
又，本發明之發光裝置之特徵在於：於上述構成中，上述基材上之某一點為上述基材之中心。
根據此種構成，因複數個區域係自基材之中心以放射狀劃分，故而發光裝置之發光之中心容易與基材之中心一致。
又，本發明之發光裝置亦可為於上述構成中，上述複數個區域以上述基材上之某一點為中心而具有相同之中心角。上述中心角尤佳為90°。
根據此種構成，因中心角相同，故而容易製作發光裝置且可使量產性提昇。
又，本發明之發光裝置較佳為於上述構成中，上述第1區域或上述第2區域之至少其中一者存在複數個，且複數個上述第1區域彼此或上述第2區域彼此位於以上述基材上之某一點為中心點而旋轉180°之位置上。
根據此種構成，可使亮度分佈(光度分佈)接近均一，進而可使配向特性良好。
進而較佳為上述第1區域及上述第2區域存在複數個，且複數個上述第1區域彼此及上述第2區域彼此位於以上述基材上之某一點為中心點而旋轉180°之位置上。
又，本發明之發光裝置較佳為除上述構成外，進而包括於上述基材之外周以包圍上述密封構件之方式而設置之光反射構件。
根據此種構成，因藉由光反射構件而包圍，故容易將作為密封構件之原料之密封材料填充於基材上之螢光體區域上。又，藉由光反射構件而包圍，從而可使發光裝置之光之提取效率提昇。
又，本發明之發光裝置較佳為除上述構成外，進而於上述壁構件內具備一個或複數個第2發光元件。
根據此種構成，可不設置用以配置第2發光元件之新的區域地配置第2發光元件，故而可抑制發光裝置之大型化。又，於使用發出與發光元件或螢光體之發光波長不同之波長之光者作為第2發光元件之情形時，可藉由來自第2發光元件之光而補充該波長區域之光。
又，本發明之發光裝置較佳為於上述構成中，上述壁構件不含有螢光體。
根據此種構成，因壁構件不含有螢光體，故而壁構件內之光不會藉由螢光體而散射，從而可高效地提取壁構件內之光。
又，本發明之發光裝置之特徵在於：於上述構成中，藉由自上述發光元件發出且未被上述第1螢光體及上述第2螢 光體吸收而透過上述密封構件之光、來自上述第1螢光體之光、及來自上述第2螢光體之光之混色而發出白色光。
根據此種構成，可提供一種發光效率較高之白色發光裝置。
又，本發明之發光裝置較佳為於上述構成中，上述第2發光元件發出來自上述發光元件之光之波長、與來自上述第1螢光體之光之波長之間之波長之光。
根據此種構成，第2發光元件發出來自發光元件之光之波長與來自第1螢光體之光之波長之間之光，藉此可補充不足之該波長區域之光。於發光裝置為發出白色光者之情形時，藉此，可獲得演色性較高之白色光。
於本發明之發光裝置中，於尤佳之態樣中，上述發光元件為發出藍色光之發光元件；上述第1螢光體為發出黃色光之螢光體，上述第2螢光體為發出紅色光之螢光體。
根據此種構成，可提供一種來自藍色發光元件之藍色光、來自黃色螢光體之黃色光、及來自紅色螢光體之紅色光良好地混色而發出演色性較高之白色光之發光裝置。
又，於本發明之發光裝置中，於尤佳之態樣中，上述第2發光元件為發出藍綠色光之發光元件。
根據此種構成，於發光元件為發出藍色光之發光元件，第1螢光體為發出黃色光之螢光體，第2螢光體為發出紅色光之螢光體之情形時，第2發光元件為發出藍綠色光之發光元件，藉此可良好地補充不足之該波長區域之光，可提 供一種演色性較高之白色發光裝置。
又，本發明之發光裝置之特徵在於：於上述構成中，於上述第1區域及上述第2區域，分別配置有複數個上述發光元件。
本發明之發光裝置之構成尤其適合於在各區域配置有複數個發光元件之情形。
又，本發明之發光裝置之特徵在於：於上述構成中，上述發光元件之至少一部分與上述第2發光元件之至少一部分串聯連接。
根據此種構成，將發光元件與第2發光元件串聯連接，藉此可使串聯連接之發光元件及第2發光元件中流過之電流均一化，可使該發光元件與該第2發光元件中流過之電流大致相同。因此，可獲得大致相同之光輸出。
又，本發明之發光裝置之特徵在於：於上述構成中，配置於上述第1區域之發光元件之至少一部分與配置於上述第2區域之發光元件之至少一部分串聯連接。根據此種構成，將配置於鄰接之2個區域上之發光元件彼此串聯連接，藉此可使串聯連接之發光元件中流過之電流均一化，可使該發光元件中流過之電流大致相同。因此，可獲得大致相同之光輸出。
又，本發明之發光裝置較佳為除上述構成外，進而具備被覆上述密封構件之透明構件。
根據此種構成，進而具備透明構件，藉此可改善發光裝置整體、尤其是發光裝置之外周部之色差。
根據本發明，可提供一種發光效率較高、且亮度分佈優異、進而具有較高之混色性及良好之配向特性之發光裝置。
以下，一面參照圖式一面對本發明之實施形態之發光裝置進行說明。再者，各圖式所示之構件之尺寸或位置關係等有時會為了使說明明確化而誇張。進而於以下之說明中，同一名稱、符號原則上表示同一或同質之構件，從而適當省略詳細說明。
又，於以下之說明中所參照之圖2中，為了便於說明，而省略透明構件9之圖示，光反射構件6以雙點劃線僅表示出外形，且於使其透過之狀態下圖示。又，於第1區域10a、第2區域10b、及分離區域11上，為了使發光元件(第1發光元件2a及第2發光元件2b：以下適當稱為發光元件2a、2b)之配置及連接關係明瞭化，而圖示有發光元件2a、2b及導線W。進而，發光元件2a、2b全部為相同朝向，於俯視觀察圖示時，設定上側(+側)為P電極(P)，下側(-側)為N電極(N)而進行說明。
本發明之實施形態之發光裝置100之特徵在於：其係具備基材1、配置於基材1之安裝區域1a上之複數個發光元件(第1發光元件2a)、及密封發光元件(第1發光元件2a)之密封構件(第1密封構件7a、第2密封構件7b)之發光裝置100；且基材1具有藉由自基材1上之某一點(較佳為基材之中心 (重心))向基材外周以放射狀延伸之假想線而劃分之複數個區域(第1區域10a、第2區域10b)，並且於複數個區域中之鄰接之2個區域間(即第1區域10a與第2區域10b之間)具有透光性之壁構件8，於複數個區域中之各區域，分別設置有包含螢光體之密封構件(第1密封構件7a、第2密封構件7b)，自複數個區域中之鄰接之2個區域中之一區域(例如第1區域10a)發出之光之色調與自另一區域(例如第2區域10b)發出之光之色調不同。亦可藉由使一區域中所包含之螢光體與另一區域中所包含之螢光體不同，而使自上述一區域發出之光之色調與自上述另一區域發出之光之色調相異。
對本實施形態1中將基材劃分成4個區域之情形詳細地進行說明。
(實施形態1) <<發光裝置>>
一面參照圖1~圖3一面對本發明之實施形態1之發光裝置100詳細地進行說明。於以下之說明中，首先對發光裝置100之整體構成進行說明，然後對各構成進行說明。
<整體構成>
發光裝置100係用於例如LED燈泡、聚光燈等照明器具等上之裝置。此處，如圖1~圖3所示，發光裝置100主要包含：基材1；複數個發光元件2a、2b，其配置於基材1上之安裝區域1a上；導電構件40，其構成形成於基材1上且構成正極3及負極4；保護元件5，其配置於正極3；導線W，其將發光元件2a、2b或保護元件5等電子零件與正極3或負 極4等連接；光反射構件6，其形成於基材1上；密封構件(第1密封構件7a及第2密封構件7b：以下適當稱為密封構件7a、7b)，其被覆發光元件2a；壁構件8，其被覆發光元件2b；及透明構件9，其形成於安裝區域1a上。而且，此處，如圖2所示，螢光體區域係於分離區域11上形成有壁構件8而以放射狀劃分成4塊。即，壁構件8以基材1之中心點(重心)為中心向第1方向(例如自X軸之原點(基材1之中心點)沿著X軸向左側延伸之方向)延伸之假想線I1、向相對於第1方向順時針旋轉90°之第2方向延伸之假想線I2、向相對於第1方向順時針旋轉180°之第3方向延伸之假想線I3、向相對於第1方向順時針旋轉270°之第4方向延伸之假想線I4而形成，螢光體區域藉由以上述之方式形成之壁構件8，而劃分成4個扇型之區域。由於基材係自基材之中心以放射狀劃分，故而容易製作發光裝置。又，由於基板係自基材之中心以放射狀劃分，故而容易使光良好地混合。該4個扇型之區域包括設置有第1密封構件7a之區域即第1區域10a、及設置有第2密封構件7b之區域即第2區域10b，且第1區域10a及第2區域10b分別各含有2個。而且，如圖2所示，第1區域10a與第2區域10b交替地配置。此處，於第1區域10a及第2區域10b上，配置有同種類之第1發光元件2a。第1區域10a及第2區域10b之中心角(即，通過基材之中心之2邊所成之角)亦可相同，尤佳為90°。藉由以此方式構成，可使發光裝置之製作變得容易且量產性提昇。又，於形成有壁構件8之區域即分離區域11上，配置有第2 發光元件2b，且藉由壁構件8而被覆。然而，分離區域11上並非必需配置有第2發光元件2b。當於壁構件8內配置有第2發光元件2b之情形時，藉由將自第2發光元件發出之光之波長設定為來自發光元件之光之波長與自第1螢光體或第2螢光體發出之光之波長之間之波長，可補充來自發光裝置100之光之光譜之中不足之波長之光。因此，可使演色性提昇。
又，較佳為第1區域彼此或第2區域彼此位於以基材之中心為中心點而旋轉180°之位置上。藉由以此方式構成，於通過基材之中心之剖面中，相對於該中心呈左右對稱地配置相同之螢光體區域。又，於通過基材之中心且通過第1區域與第2區域之間(壁構件所處之位置)之剖面中，相對於該中心呈左右對稱地形成來自第1區域之光與來自第2區域之光大致相同程度地混合之配置。因此，可使亮度分佈(光度分佈)接近均一，進而可使配向特性良好。
<基材>
基材1係用以配置發光元件2a、2b或保護元件5等電子零件者。如圖1及圖2所示，基材1可形成為矩形平板狀。又，於基材1上，如圖2所示區劃有用以配置複數個發光元件2a、2b之安裝區域1a。再者，基材1之尺寸或形狀並不特別限定，可根據發光元件2a、2b之數量或排列間隔等、目的及用途而適當選擇。再者，作為一例係16 mm×19 mm。
作為基材1之材料，較佳為使用絕緣性材料，且較佳為 使用自發光元件2a、2b放出之光或外光等難以透過之材料。又，較佳為使用具有某程度之強度之材料。具體而言，可列舉陶瓷、或樹脂。又，亦可將於金屬板之表面設置有絕緣層之構件用作基材1之材料。
<安裝區域>
安裝區域1a係用以配置複數個發光元件2a、2b之區域。如圖2所示，安裝區域1a區劃於基材1之中央之區域上，且形成為圓形狀。再者，此處，密封構件7a、7b、及壁構件8之最外框即光反射構件6之內側之緣成為安裝區域1a之外框。安裝區域1a之尺寸或形狀並不特別限定，可根據發光元件2a、2b之數量或排列間隔等、目的及用途而適當選擇。
安裝區域1a亦可作為由與基材1相同之材料所構成之區域，但較佳為例如於安裝區域1a上形成反射光之金屬膜，經由該金屬膜於該金屬膜上配置複數個發光元件2a、2b。藉由以此方式於安裝區域1a上形成金屬膜並於其上配置複數個發光元件2a、2b，可使朝向基材1之安裝區域1a側之光亦藉由金屬膜而反射。從而，可減輕出射光之損耗，且可使發光裝置100之光之提取效率提昇。作為金屬膜之材料，並不特別限定，較佳為使用例如Ag(銀)或Au(金)，尤佳為使用Ag。Au具有容易吸收光之特性，例如藉由於鍍Au之表面進而形成包含TiO2粒子之膜等高光反射率之膜，可提高光反射率。又，Ag比起Au其相對於可見光之光反射率更高，故而與單獨以Au進行鍍敷相比，可使發光裝置 100之光之提取效率提昇。再者，形成於安裝區域1a上之金屬膜之厚度並不特別限定，可根據目的及用途而適當選擇。
<發光元件>
發光元件2a、2b係藉由施加電壓而自發光之半導體元件。如圖2所示，發光元件2a、2b於基材1之安裝區域1a上配置有複數個，該複數個發光元件2a、2b形成為一體而構成發光裝置100之發光部即進行自發光元件2a、2b之發光之部位。具體而言，此處，於2個第1區域10a、10a，分別配置有複數個第1發光元件2a而構成第1區域10a、10a之發光部。又，於2個第2區域10b、10b，分別配置有複數個第1發光元件2a而構成第2區域10b、10b之發光部。進而，此處，於分離區域11，配置有複數個第2發光元件2b而構成分離區域11之發光部。
如圖2所示，發光元件2a、2b之各者可形成為矩形狀。又，發光元件2a、2b係於其上表面之一側設置有P電極(P)，於發光元件2a、2b之另一側設置有N電極(N)之面朝上(FU，Face Up)元件。
作為發光元件2a、2b，具體而言較佳為使用發光二極體，可根據用途選擇任意之發光波長者。例如，作為藍色~綠色(波長430 nm~570 nm之光)之發光元件2a、2b，可使用氮化物系半導體(InXAlYGa1-X-YN，0≦X，0≦Y，X+Y≦1)等。又，作為紅色(波長620 nm~750 nm之光)之發光元件2a、2b，可使用GaAlAs、AlInGaP等。
例如，作為第1發光元件2a，可使用藍色(波長430 nm~490 nm之光)者，作為第2發光元件2b，可使用第1螢光體及第2螢光體之發光波長均與第1發光元件2a之波長不同之波長之發光元件，例如使發光裝置之演色性提昇之波長之發光元件(例如，藍綠色(波長490 nm~520 nm之光))。作為如此之第2發光元件2b，較佳為使用第1螢光體及第2螢光體之發光波長與第1發光元件2a之發光波長之間之發光波長的發光元件。從而，藉由第2發光元件2b，可補充第1螢光體及第2螢光體之發光波長與第1發光元件2a之發光波長之間之波長之光。因此，可提供一種演色性較高之發光裝置。
其中，發光元件2a、2b之成分組成或發光色、尺寸等並不限定於上述，可根據目的而適當選擇。又，發光元件2a、2b亦可包含不僅輸出可見光區域之光亦輸出紫外線或紅外線之元件。又，為了高輸出化，發光元件2a、2b之合計之個數較佳設定為例如10個以上、20~400個之範圍內。
[發光元件之配置]
於複數個第1區域10a之各者上配置有複數個發光元件2a，於複數個第2區域10b之各者上配置有複數個發光元件2a。具體而言，如圖2所示，於2個第1區域10a、10a、及2個第2區域10b、10b上配置有第1發光元件2a。又，於分離區域11上配置有第2發光元件2b。如圖2所示，第1發光元件2a於基材1上，沿縱向及橫向分別以特定之間隔排列，此處，於2個第1區域10a、10a之各者上各16個地，於2個 第2區域10b、10b之各者上各12個地，合計鋸齒狀配置有56個。此處，所謂鋸齒狀配置係指自於縱向及橫向上分別以等間隔排列之狀態(格子狀之配置)，每隔1行沿縱向錯開之配置、或每隔1列沿橫向錯開之配置。藉由設為鋸齒狀配置，與設為格子狀之配置之情形相比而言可增大鄰接之發光元件間之距離，故而可抑制發光元件之發光被鄰接之發光元件吸收之情況。如圖2所示，第2發光元件2b於基材1上，以沿縱向排列一行及沿橫向排列一行之方式，即形成十字狀之方式，分別以特定之間隔排列，此處，合計配置有12個。
又，如圖2所示，發光元件2a、2b於基材1上配置成縱行橫行，相鄰之發光元件彼此藉由導電性之導線W串聯連接從而電性地連接。再者，此處之串聯連接係指相鄰之發光元件之P電極(P)與N電極(N)藉由導線W而電性地連接之狀態。再者，下述之並聯連接係指相鄰之發光元件之P電極(P)彼此或N電極(N)彼此藉由導線W及導電構件40而電性地連接之狀態。
又，較佳為第1區域10a及第2區域10b之發光元件即第1發光元件2a之至少一部分與分離區域11之發光元件即第2發光元件2b串聯連接。此處，如圖2所示，以分離區域11上之第2發光元件2b之P電極(P)及N電極(N)之一者與相鄰之第1發光元件2a之P電極(P)及N電極(N)之一者串聯連接之方式藉由導線W而連接。
若於1行上，配置有順方向電壓降(以下稱為Vf)不同之元 件，則存在如下情形：由於發光元件之Vf之偏差而導致光輸出變化，於發光裝置上產生亮度不均(發光不均)，並且於複數個發光裝置間之亮度分佈(光度分佈)上產生差。然而，藉由將發光元件串聯連接，可抑制亮度不均或亮度分佈之差之產生。此處，Vf係指為了使電流相對於發光元件(發光二極體)沿順方向流過而所需之電壓，即為了使發光元件發出光而所需之電壓。例如，若將Vf較高之發光元件與Vf較低之發光元件並聯連接，則Vf較低之發光元件中流過之電流變得較大。
即，藉由將發光元件串聯連接，可使各發光元件中流過之電流均一化。例如若將Vf較高之發光元件與Vf較低之發光元件並聯連接，則Vf較低者中流過之電流較大，若串聯連接，則兩個發光元件中流過之電流大體相同。因此即便於使用Vf不同之複數個發光元件之情形時，藉由串聯連接亦可使各發光元件中流過之電流均一化，從而可使各發光元件以大體相同程度之強度發光。尤其是，因發光波長不同之第1發光元件2a與第2發光元件2b存在Vf亦不同之傾向，故而藉由將該等串聯連接，可使其以大體相同程度之強度發光，從而可縮小發光裝置100之亮度不均。因同樣之理由，較佳為將第1區域之10a之第1發光元件2a之至少一部分與第2區域10b之第1發光元件2a之至少一部分串聯連接。亦可將第1區域10a之第1發光元件2a、第2區域10b之第1發光元件2a、及第2發光元件2b串聯連接。於圖2所示之發光裝置100中，設置有複數個將第1發光元件2a與第 2發光元件2b串聯連接所成之群，並將該等並聯連接。各群之發光元件數量較佳為相同。於發光元件之總數較少之情形時，亦可將全部發光元件串聯連接。又於該串聯電路上，亦可形成所謂之梯子狀之配線(階梯)，從而形成對應於各種電源之發光裝置，其中梯子狀之配線係例如將相鄰之發光元件並聯地連接而將該組視作1個發光元件，並將該組彼此串聯連接者。再者，若第1發光元件2a與第2發光元件2b之材料或尺寸不同，則存在即便使電流均一化亦無法形成相同程度之發光強度之情形。因此，第1發光元件2a與第2發光元件2b較佳為使材料或面積、形狀相同。例如使用為相同之GaN系半導體發光元件且發光波長不同者。又，第1發光元件2a與第2發光元件2b較佳為選擇發光波長相近之發光元件之組合，可列舉例如：藍色(波長430 nm~490 nm之光)與藍綠色(波長490 nm~520 nm之光)、或藍色(波長430 nm~490 nm之光)與綠色(波長520 nm~570 nm之光)之組合。
導線W可根據目的而自由地配線，較佳為將同數個發光元件串聯連接，並將該等並聯連接。例如圖2所示，將17個發光元件串聯連接，並將4個該串聯連接而成者並聯連接。進而較佳為於全部被並聯連接之串聯連接中，串聯連接有相同數量之第1發光元件2a(例如藍色發光元件)與第2發光元件(例如藍綠色發光元件)。例如圖2所示，於全部4個串聯連接中，每14個藍色發光元件、3個藍綠色發光元件地進行串聯連接。又，如下所述，藉由改變壁構件8之 寬度，可改變第1區域10a及第2區域10b之大小，從而形成適於各區域之發光元件數量之大小，如圖2所示，若為第1區域10a與第2區域10b之發光元件數量之差並不太大之情形，則即便不改變壁構件8之寬度亦無問題。
又，各區域之第1發光元件2a較佳為尺寸、輸出、波長等特性分別大體同等。再者，藉由改變各區域之面積或發光元件2a之數量，可使各區域之發光強度變化。藉此，可調整第1區域10a及第2區域10b之發光強度比，從而獲得所期望之色調。例如，於加強黃色傾向之情形時，只要加強黃色之螢光體區域之發光即可。
<導電構件(正極及負極)>
導電構件40係構成正極3及負極4者，且係用以將基材1上之複數個發光元件2a、2b或保護元件5等電子零件與外部電源電性地連接，對該等電子零件施加來自外部電源之電壓者。即，導電構件40(正極3及負極4)係發揮作為用以使其自外部通電之電極、或其一部分之作用者。
如圖2所示，正極3及負極4具有大致矩形狀之焊墊部(供電部)3a、4a、及線狀之配線部3b、4b，且將焊墊部3a、4a與配線部3b、4b連接而構成。以施加於焊墊部3a、4a之電壓經由配線部3b、4b而向包含複數個發光元件2a、2b之發光部施加之方式構成。焊墊部3a、4a係用以被施加來自外部電源之電壓者。如圖2所示，焊墊部3a、4a於基材1上，作為一對而形成在相對於基材1之中心點(重心)對稱之位置上。而且，焊墊部3a、4a藉由例如導電性之導線，與未圖 示之外部電源電性地連接。
酷線部3b、4b係用以將自外部電源施加於焊墊部3a、4a之電壓向安裝區域1a上之發光元件2a、2b傳遞者。如圖2所示，配線部3b、4b以自焊墊部3a、4a延伸之方式形成，並且藉由沿著安裝區域1a之周圍形成而形成為大致圓形。
構成正極3及負極4之導電構件40之素材較佳為使用Au。其原因在於：如下所述，於使用熱導性提昇之Au作為導線W之材料之情形時，可將同素材之導線W牢固地接合。再者，符號AM係表示焊墊部3a為正極3之陽極標記，符號70係用以識別發光元件2a、2b之焊接位置之識別標記，符號80係發光裝置100之溫度測量點，該等或其他導電部位亦可使用與正極3及負極4相同之材料。
<保護元件>
保護元件5係用以保護包含複數個發光元件2a、2b之發光部，使其免於因過大之電壓施加而造成之元件破壞或性能劣化之元件。如圖2所示，保護元件5配置於正極3之配線部3b之一端部。但是，保護元件5亦可配置於負極4之配線部4b之一端部。
具體而言，保護元件5包括若施加規定電壓以上之電壓則成為通電狀態之曾納二極體(Zener Diode)。雖省略了圖示，但保護元件5係與上述之發光元件2a、2b同樣地具有P電極(P)及N電極(N)之半導體元件，且以相對於發光元件2a、2b之P電極(P)與N電極(N)形成逆並聯(即，將發光元件2a、2b之P電極(P)與保護元件5之N電極電性地連接，將發 光元件2a、2b之N電極(N)與保護元件5之P電極電性地連接)之方式，藉由導線W而與負極4之配線部4b電性地連接。
如圖2所示，保護元件5係藉由下述之光反射構件6而覆蓋。因此，保護元件5及連接於保護元件5之導線W受到保護而免於塵埃、水分、外力等之影響。
<光反射構件>
光反射構件6係用以使自發光元件2a、2b出射之光反射者，且不具透光性。如圖2所示，光反射構件6以覆蓋配線部3b、4b之一部分、保護元件5及連接於其之導線W之方式形成。因此，即便於以如上述般容易吸收光之Au形成配線部3b、4b或導線W之情形時，自發光元件2a、2b出射之光亦不到達配線部3b、4b或導線W而是藉由光反射構件6反射。從而，可減輕出射光之損耗，由此可使發光裝置100之光之提取效率提昇。進而，藉由利用光反射構件6覆蓋配線部3b、4b之一部分、保護元件5及連接於其之導線W，可保護配線部3b、4b之一部分、保護元件5及連接於其之導線W，使其免於塵埃、水分、外力等之影響。
如圖1及圖2所示，光反射構件6以包圍安裝區域1a之方式圓形地形成於基材1上。藉由如此以包圍安裝區域1a之周圍之方式形成光反射構件6，可使朝向安裝區域1a之周圍(外側)之光亦藉由光反射構件6a而反射。從而，可減輕出射光之損耗，進而可使發光裝置100之光之提取效率提昇。
又，如圖2所示，光反射構件6較佳為以覆蓋安裝區域1a之周緣之一部分之方式形成。藉由如此以覆蓋安裝區域1a之周緣之一部分之方式形成光反射構件6，可使得於配線部3b、4b與安裝區域1a之間，不會形成露出基材1之區域。從而，可使自發光元件2a、2b出射之光於形成有光反射構件6之內部之區域上藉由光反射構件6而全部反射，故而可最大限度地減輕出射光之損耗，進而可使發光裝置100之光之提取效率進一步提昇。又，光反射構件6形成得比發光元件2a、2b高。
作為光反射構件6之材料，較佳為使用絕緣材料。又，為了確保某程度之強度，可使用例如：熱固性樹脂、熱塑性樹脂等。更具體而言，可列舉：苯酚樹脂、環氧樹脂、BT(Bismaleimide-triazine，雙馬來醯亞胺-三嗪)樹脂、PPA(Polyphthalamide，聚鄰苯二甲醯胺)或矽酮樹脂等。又，藉由使難以吸收來自發光元件2a、2b之光且相對於成為母體之樹脂之折射率差較大之反射構件(例如TiO2、Al2O3、ZrO2、MgO)等之粉末分散於該等成為母體之樹脂中，可高效地使光反射。再者，光反射構件6之尺寸並不特別限定，可根據目的及用途而適當選擇。
於使用樹脂作為光反射構件6之材料之情形時，其硬化既可於填充密封構件7a、7b之步驟之前，與壁構件8之硬化同時進行，亦可於填充密封構件7a、7b之步驟、或形成透明構件9之步驟之後，與密封構件7a、7b、或透明構件9之硬化同時進行。於該情形時，此處之「形成」係指硬化 之前之狀態，例如所謂「形成壁構件8」係指並不使壁構件8硬化而僅形成壁構件8。光反射構件6之形成可使用樹脂噴出裝置。
<密封構件>
密封構件7a、7b係含有螢光體者，且係用以保護配置於基材1上之發光元件2a、2b及導線W等使其免於塵埃、水分、外力等之影響之構件。密封構件7a、7b包括：第1密封構件7a，其含有第1螢光體且於基材1上形成複數個第1區域10a；及第2密封構件7b，其含有與第1螢光體之發光波長不同之發光波長之第2螢光體且於基材1上形成複數個第2區域10b。作為一例，可列舉第1螢光體之發光波長比第2螢光體之發光波長短之情形，具體而言，第1螢光體為黃色螢光體且第2螢光體為紅色螢光體之情形。於該情形時，只要使用藍色發光元件作為第1發光元件2a，便可提供一種來自藍色發光元件之藍色光、來自黃色螢光體之黃色光、及來自紅色螢光體之紅色光良好地混色而發出演色性較高之白色光之發光裝置。
第1密封構件7a於形成有複數個第1區域10a、10a之各處，被覆複數個第1發光元件2a。第2密封構件7b於形成有複數個第2區域10b、10b之各處，被覆複數個第1發光元件2a。如此，藉由分離成第1區域10a與第2區域10b，可抑制第2螢光體(例如紅色螢光體)對第1螢光體(例如黃色螢光體)之發光之吸收。
又，於本實施形態1之發光裝置中，包含第1螢光體之第 1區域10a之總面積與包含第2螢光體之第2區域10b之總面積之比率較佳為2：3~3：2。
只要包含第1螢光體之第1區域10a之總面積與包含第2螢光體之第2區域10b之總面積之比率為2：3~3：2，則於第1區域10a與第2區域10b難以在發光強度上產生極端之差，從而可使亮度分佈接近均一。又，該比率於使用紅色螢光體(例如CASN或SCASN)作為第2螢光體，使用黃色螢光體(例如YAG)作為第1螢光體而獲得白色之情形時，尤其適合。即，於此種將第1螢光體與第2螢光體混合於1個區域上之先前之發光裝置中，藉由較第1螢光體更少量之第2螢光體可獲得白色，但於將第1螢光體與第2螢光體配置於不同區域上之本實施形態1之發光裝置中，為了獲得與先前之發光裝置相同程度之白色，遠多於先前之量之第2螢光體成為必需。認為其原因在於：於先前之發光裝置中，第1螢光體所發出之一部分光被第2螢光體吸收且受到波長轉換，故而自發光裝置提取之波長轉換光之均衡藉由少量之第2螢光體與多量之第1螢光體而得以調和，但若將第1螢光體與第2螢光體配置於不同區域上，則一方面第2螢光體對第1螢光體之發光之吸收得以抑制，另一方面藉由第2螢光體而得以波長轉換之光亦相對地減少。從而，為了於此種本實施形態1之發光裝置中獲得白色，較佳為將包含第1螢光體之第1區域10a之總面積與包含第2螢光體之第2區域10b之總面積之比率設定為上述之比率。進而，若設定為大致相同程度(較佳為1：1)則容易進行製造，故而較佳。
作為密封構件7a、7b之材料，較佳為具有可透過來自發光元件2a、2b之光之透光性者。作為具體之材料，可列舉：矽酮樹脂、環氧樹脂、脲樹脂等。又，除了此種材料以外，根據所期望亦可使其含有著色劑、光擴散劑、填料等。
再者，密封構件7a、7b既可由單一之構件形成，或者亦可形成為2層以上之複數層。又，密封構件7a、7b之填充量只要為足以被覆發光元件2a、2b、導線W等之量即可。又，於使密封構件7a、7b具有透鏡功能之情形時，亦可使密封構件7a、7b之表面突起而形成炮彈型形狀或凸透鏡形狀。
第1密封構件7a及第2密封構件7b之硬化既可同時進行，亦可分開進行。例如，於第1密封構件7a與第2密封構件7b鄰接(密接)而設置之情形時，藉由使第1密封構件7a及第2密封構件7b同時硬化，可使該等構件一體化，從而可形成構件彼此不易剝離之構造。
[第1區域及第2區域之配置]
如圖2所示，於本實施形態中，複數個第1區域10a及複數個第2區域10b係以放射狀劃分成4塊而形成，且俯視時，配置在相對於安裝區域1a之中心形成為旋轉對稱之位置上。較佳為於使其以安裝區域1a之中心為旋轉中心旋轉180°時，第1區域10a彼此、及第2區域10b彼此以具有大體一致之旋轉對稱性之方式形成。又，第1區域10a及第2區域10b較佳為以均等之間隔配置。此處，包括複數個第1區 域10a及複數個第2區域10b之螢光體區域係藉由分離區域11而劃分，該分離區域11包括通過安裝區域1a之中心之第1直線區域、及通過安裝區域1a之中心且與第1直線區域正交之第2直線區域。
具體而言，包括第1區域10a及第2區域10b之螢光體區域係於將複數個發光元件2a、2b呈縱行橫行地配置於基材1上時，係藉由分離區域11而劃分，其中該分離區域11包括通過安裝區域1a之中心且與縱行平行之平行直線區域(例如第1直線區域)、及通過安裝區域1a之中心且與平行直線區域正交之垂直直線區域(例如第2直線區域)。即，藉由通過旋轉中心且與縱行平行之第2假想線Y、及通過旋轉中心且與第2假想線Y正交之第1假想線X而劃分。即，以第1假想線X及第2假想線Y與基材1之各邊平行之位置關係，劃分螢光體區域。
其中，第1假想線X及第2假想線Y可以發光裝置之任意方向為基準而設定。例如，可將發光裝置之外形上之任意一邊、或與將陽極和陰極連結之假想線平行之線設為第1假想線X或第2假想線Y。又，發光元件2a、2b可選擇例如放射狀等任意之配置，但藉由呈縱行橫行而規則地配置而可使量產性提昇。又，第1區域及第2區域形成在相對於安裝區域之中心形成為旋轉對稱之位置上，故而可形成外觀優異、美觀者，且可使配光特性提昇。
於本實施形態中，設置有壁構件8，故而螢光體區域係藉由沿著第1假想線X及第2假想線Y而形成之壁構件8而劃 分，包括2個第1區域10a、10a、及2個第2區域10b、10b之合計4個區域。
關於該4個區域之配置，當俯視觀察圖2時，於右上之區域上形成有一第1區域10a，於與該第1區域10a為點對稱(或線對稱)之位置即左下之區域上形成有另一第1區域10a。同樣地，當俯視觀察圖2時，於左上之區域上形成有一第2區域10b，於與該第2區域10b為點對稱(或線對稱)之位置即右下之區域上形成有另一第2區域10b。因此，4個螢光體區域係自安裝區域1a之中心部均等地劃分。
其次，參照圖4、5，與以同心圓形狀劃分螢光體區域之比較例之發光裝置加以比較，對相對於安裝區域1a之中心以放射狀形成第1區域10a及第2區域10b之優點進行說明。
圖4(a)係以放射狀劃分螢光體區域之本發明之發光裝置。圖4(b)係以同心圓形狀劃分螢光體區域之比較例之發光裝置，且係使內側區域120與外側區域130之面積比與本發明之發光裝置中之第1區域10a之面積之合計與第2區域10b之面積之合計之面積比(大約為1：1)為同程度者，使內側框110之寬度與圖4(a)之本發明之發光裝置之壁構件8為同程度者。設定為此種形狀之原因在於：當於此種發光裝置中獲得演色性良好之白色光(例如相當於先前之燈泡色之色)之情形時，為了取得黃色光與藍色光之混合色和紅色光與藍色光之混合色之均衡，較佳為使2個螢光體區域之面積相同。然而，於該情形時，若欲藉由同心圓形狀使外側區域與內側區域2個螢光體區域之面積相同，則外側 區域之徑方向之寬度變得相當窄，從而發光效率降低。
如圖4(a)所示，於本發明之發光裝置100中，第2區域10b具有自第2區域10b內所包含之1個第1發光元件2a放射之光容易到達至第2區域10b內之更多螢光體上之形狀。即，於本發明之發光裝置100中，例如第2區域10b並不具有阻礙來自第2區域10b內之第1發光元件2a之光之行進之面。因此，來自1個發光元件(第1發光元件2a)之光可於更廣泛之範圍內激發相同區域內之螢光體(圖4(a)中，以第1發光元件2a周圍之框101、102表示自第1發光元件2a發出之光所到達之範圍之一例)。因此，對於第2區域10b內所包含之全部第1發光元件2a，當使來自各第1發光元件2a之光重合之情形時，來自各第1發光元件2a之光以更大之重疊性多重重合。換而言之，於自螢光體側觀察之情形時，1個螢光體粒子係藉由更多第1發光元件2a而激發，從而發光裝置100之發光效率變得極高。再者，於將發光元件置於壁構件8之附近之情形時(左上之第2區域10b)與置於中央之情形時(右下之第2區域10b)在光之擴展度上多少會存在差(以框101表示將第1發光元件2a置於壁構件8之附近之情形時光所到達之範圍之一例，以框102表示將第1發光元件2a置於第2區域10b之中央之情形時光所到達之範圍)，作為整體，發光元件之光容易遍及其區域整體。
與此相對地，如圖4(b)所示，於先前之發光裝置200中，外側區域130具有自外側區域130內所包含之1個第1發光元件2a放射之光難以到達至外側區域130內之其他區域 之同心圓形狀。即，於先前之發光裝置200中，先前之發光裝置200具有阻礙來自第2區域10b內之第1發光元件2a之光之行進之內側框110。因此，同心圓形狀之發光裝置200中，於由同心圓形狀之內側框110及外側框140所包圍之外側區域130，來自1個發光元件(第1發光元件2a)之光受接近之內側框110及外側框140阻攔，而僅擴散至外側區域130之有限之極小一部分範圍內(圖4(b)中，以第1發光元件2a周圍之框103、104表示自第1發光元件2a發出之光所到達之範圍)，故而來自1個發光元件之發光僅可激發極少一部分螢光體。因此，對於外側區域130內所包含之全部第1發光元件2a，當使來自各第1發光元件2a之光重合之情形時，來自各第1發光元件2a之光並不太重合。換而言之，於自螢光體側觀察之情形時，激發1個螢光體粒子之第1發光元件2a之數量更少，因而發光裝置200之發光效率變得極低。
進而補充一下，本發明之發光裝置100中之1個區域(例如，1個第2區域10b)之面積相當於同心圓形狀之發光裝置200中之外側區域130之面積之大約一半。而且，來自1個發光元件之光所擴散之範圍於本發明之發光裝置100之形狀時為1個第2區域10b之大約全域，與此相對，於同心圓形狀之情形時，如上所述僅為外側區域130之極小一部分，完全不到外側區域130之面積之一半。從而，於發光元件之發光所到達之範圍存在較大之差，故而本發明之發光裝置100之形狀可較高效地活用發光元件之發光。再 者，於使螢光體區域僅左右分離之情形時，以中心線為中心左右之螢光體不同，故而無法獲得充分之配光特性。根據本發明，可提供一種以放射狀劃分螢光體區域、使自一發光元件發出之光遍及第2區域10b之大致全域，從而發光效率較高且配向特性優異之發光裝置。
其次，參照圖5、6，對螢光體區域之面積之調整進行說明。
各螢光體區域所必需之發光元件數量取決於所使用之螢光體或所要求之色調，通常，黃色螢光體之區域之元件數量：紅色螢光體之區域之元件數量為1：1~3：2左右。
作為將2種螢光體區域分離(例如，將黃色螢光體與紅色螢光體配置於不同區域上)之發光裝置特有之問題，可列舉：與先前之燈泡色之發光裝置(將黃色螢光體與紅色螢光體配置於1個區域者)不同，對於色調調整而言發光元件之個數亦很重要。於先前之燈泡色之發光裝置中，混合有各螢光體之密封構件配置於全部發光元件之上，故而藉由調整各螢光體之濃度比，可實現色調調整。與此相對地，將螢光體區域分離之發光裝置於一部分發光元件之上僅配置有1種螢光體，故而可用於各螢光體之波長轉換之發光有限，僅藉由螢光體濃度之變更難以實現色調調整(例如，於僅使黃色螢光體之濃度增加之情形時，儘管黃色光增加，但黃色與藍色混合所成之白色光幾乎不增加)。因此，色調調整必需使發光元件之個數亦增減而進行。
如圖5(a)、(b)所示，於本發明之發光裝置100中，藉由 隨著第1發光元件2a之增減，而調整分離區域11之寬度，既可使第1區域10a與第2區域10b之發光元件數量為相同程度，又可容易地調整第1區域10a、10a、及第2區域10b、10b之面積。
此處，於同心圓形狀之情形中，當欲整體上配置一定以上之發光元件時，藉由使外側框140與內側框110接近而使外側區域130狹窄，從而可使外側區域130與內側區域120之發光元件之數量為相同程度，或者使外側區域130之發光元件數量比內側區域120之發光元件少。然而，如上所述，若令外側區域130較狹窄則光容易受內側框110及外側框140阻擋，從而導致發光效率之降低。因此，為了提高發光效率，必需擴大外側區域130之面積。如圖6(a)、(b)所示，於同心圓形狀之發光裝置200中，亦可變更內側框110之寬度而調整內側區域120之面積。然而，如上所述，若欲擴大外側區域130之面積且於整體上配置一定以上之發光元件，則外側區域130之發光元件數量會比內側區域120之發光元件數量多。因此，於使外側區域130與內側區域120之發光元件之數量為相同程度，或者使外側區域130之發光元件數量較少之情形時，同心圓形狀並不適合。
然而若為本發明之形狀，則可無如上所述之制約地自由改變各區域之大小。
另外，本發明之形狀與同心圓形狀之情形時相比存在以下之優點。
於同心圓形狀之情形時，外側區域130受內側框110阻擋 而使得密封構件難以擴展，故而密封構件必需自複數個部位注入。此時，由於注入量之不均或密封構件之擴展度之不均，而容易產生密封構件之偏位或不均。另一方面，就本發明之構造而言，無論於第1區域10a、10a、第2區域10b、10b之哪個區域內均可藉由自一個部位進行之注入而填充密封構件，故而密封構件不易偏位。再者，此處以同心圓形狀作為比較例進行了說明，但並不限於圓形，於除此以外之形狀，例如多邊形(矩形等)同心形狀之情形時亦相同。
<壁構件>
壁構件8係劃分沿著分離區域，例如沿著第1假想線X及第2假想線Y而形成且包括第1區域10a及第2區域10b之螢光體區域之構件。即壁構件8係以自基材1突起之方式設置於第1區域10a、10a之間、第2區域10b、10b之間、及第1區域10a與第2區域10b之間，作為分隔該等之壁而形成。藉由利用壁構件8分隔螢光體區域，而使得注入密封構件7a、7b變得容易，且製造變得容易。又，壁構件8係以被覆第2發光元件2b之方式，設置於分離區域11上，且形成得比發光元件2a、2b高。又，此處，如圖3所示，壁構件8之剖面形成為弧狀。其中，既可使壁構件8之表面突起而形成炮彈型形狀，亦可形成凸透鏡形狀。
作為壁構件8之材料，具有可透過來自發光元件2a、2b之光之透光性。作為具體之材料，可列舉：矽酮樹脂、環氧樹脂、脲樹脂等。由於壁構件8具有透光性，故而可使 第1區域10a及第2區域10b之發光色混合，從而可改善色差。又，除了此種材料以外，亦可使其含有螢光體，但就壁構件8之螢光體而言，較佳為比起第1區域10a及第2區域10b之螢光體含量較少，進而，更佳為壁構件8不含有螢光體。若壁構件8之螢光體較少，則壁構件8中之光難以藉由壁構件8之螢光體而散射，又，若不含有螢光體，則不會藉由螢光體而散射。因此，可高效地提取壁構件8中之光、此處為第2發光元件2b之光。
再者，於壁構件8包含螢光體之情形時，螢光體區域成為將包括第1區域10a及第2區域10b之螢光體區域(不含壁構件之螢光體區域)與包括壁構件8之螢光體區域合併而成者。進而對於壁構件8，根據所期望亦可使其含有著色劑、光擴散劑、填料等。又，壁構件8之填充量只要為足以被覆發光元件2b、導線W等之量即可。而且如上所述，藉由使壁構件8之寬度變化，使得第1區域10a、10a及第2區域10b、10b之面積之調整變得容易。
再者，光反射構件6與壁構件8無論哪個先形成均可，亦可同時形成，但較佳為先形成壁構件8，再以被覆壁構件8之端部之方式形成光反射構件6，藉此可防止壁構件8覆蓋於光反射構件6之上。又，亦可僅形成任一者。壁構件8之形成可使用樹脂噴出裝置。
再者，於噴出樹脂之後，若經過一段時間則樹脂會擴散，故而為了保持壁之形狀較佳為暫時使該樹脂硬化。尤其是於量產步驟之情形時，各步驟間之間隔變大，若不暫 時硬化，則構成壁之樹脂會擴散而變低。
<螢光體>
螢光體係作為波長轉換構件吸收來自發光元件2a、2b之光之至少一部分並發出具有不同波長之光之螢光構件。螢光體包括：第1螢光體，其含有於第1密封構件7a中；及第2螢光體，其含有於第2密封構件7b中，且具有與第1螢光體之發光波長不同之發光波長。進而，如上所述，於壁構件8中含有螢光體之情形時，除了可採用與第1螢光體或第2螢光體相同之螢光體以外，還可採用與第1螢光體及第2螢光體之發光波長不同之發光波長之第3螢光體。於使用第3螢光體之情形時，藉由選擇第1螢光體及第2螢光體之發光波長與第1發光元件2a之發光波長之間之發光波長之螢光體，可使發光裝置100之演色性提昇。於該情形時，第2發光元件2b亦可使用與第1發光元件2a相同者。
此處，本發明之發光裝置100為了防止螢光體之發光被其他螢光體吸收，而將不同種類之螢光體分離地配置於第1區域10a、第2區域10b上。然而，若為儘管是不同種類之螢光體但相互之吸收較少者，則亦可使用複數種螢光體作為第1螢光體。再者，此處之「吸收較少」係指與第2螢光體相比而言吸收較少。一般情況下，會選擇發光波長相近者或組成相近者。同樣地，就第2螢光體而言亦可使用複數種螢光體作為第2螢光體。其中，較佳為第1螢光體及第2螢光體均使用1種螢光體(原因在於可使吸收最少)。
作為螢光體之材料，可使用例如YAG系螢光體、或氮化 物系螢光體、氮氧化物系螢光體等。而且，於第1螢光體之發光波長短於第2螢光體之發光波長之情形時，作為第1螢光體，例如可列舉為短波側之螢光體且發出黃色光之YAG系螢光體，作為第2螢光體，可列舉為長波側之螢光體且發出紅色光之諸如(Sr,Ca)AlSiN3：Eu(SCASN)、CaAlSiN3：Eu(CASN)之類的CASN系螢光體、或SrAlSiN3：Eu。再者，第3螢光體只要選擇與第1螢光體及第2螢光體之發光波長不同之發光波長之螢光體即可。
<導線>
導線W係用以將發光元件2a、2b、保護元件5等電子零件與正極3、負極4等電性地連接之導電性之配線。作為導線W之材料，可列舉：Au、Cu(銅)、Pt(鉑)、Al(鋁)等金屬、及使用其等之合金而成者，尤佳為使用熱導率等優異之Au。
<透明構件>
如圖3所示，透明構件9係將密封構件7a、7b作為一體而被覆之構件。藉由具備透明構件9，可改善發光裝置整體尤其是發光裝置之外周部之色差。再者，所謂「將密封構件7a、7b作為一體而被覆」係指將第1區域10a、10a、第2區域10b、10b此4個區域作為1個整體，而被覆第1區域10a、10a、第2區域10b、10b、分離區域11。即，並非係指以分離區域11為邊界，例如分成第1區域10a、10a、第2區域10b、10b此4個區域而被覆密封構件7a、7b。具體而言，此處透明構件9自上方被覆密封構件7a、7b及壁構件 8，以剖面視時形成大致橢圓弧狀(凸透鏡形狀)之方式設置於安裝區域1a上。透明構件9可藉由向由光反射構件6所包圍之安裝區域1a內注入樹脂等構件而形成於基材1上。
作為透明構件9之材料，較佳為具有可透過來自發光元件2a、2b之光之透光性者。作為具體之材料，可列舉：矽酮樹脂、環氧樹脂、脲樹脂等。又，除了此種材料以外，根據所期望，亦可使其含有著色劑、填料等。再者，亦存在藉由發光裝置使其含有光擴散劑之情形，但於本案中，較佳為不使其含有光擴散構件而形成。
再者，透明構件9既可由單一之構件形成，或者亦可形成為2層以上之複數層。又，透明構件9之填充量只要為足以被覆密封構件7a、7b及壁構件8之量即可。再者，於使透明構件9具有透鏡功能之情形時，亦可使透明構件9之表面突起，形成如圖3所示之凸透鏡形狀或炮彈型形狀。圖3所示之凸透鏡形狀可藉由例如透明構件9之表面張力而形成。
此處，於第1密封構件7a、第2密封構件7b及透明構件9為樹脂之情形中，當利用表面張力製造密封構件7a、7b時，藉由於透明構件9之形成前使第1密封構件7a與第2密封構件7b硬化，可防止第1密封構件7a與第2密封構件7b之混合。若不使第1密封構件7a與第2密封構件7b硬化而形成透明構件9，則會由於密封構件7a、7b與透明構件9之混合，而使得第1密封構件7a與第2密封構件7b越過壁構件8而混合。
又，於形成透明構件9之步驟之後，使第1密封構件7a、第2密封構件7b及透明構件9同時硬化，藉此可使該等構件一體化，從而可形成構件彼此不易剝離之構造。其中，較佳為以第1密封構件7a與第2密封構件7b不混合之方式下形成，可列舉例如以密封構件7a、7b之表面低於壁構件8(硬化結束)之方式形成之情形。再者，此處之「形成」係指硬化之前之狀態、或者硬化之後之狀態，例如所謂「形成壁構件8」係指不使壁構件8硬化而僅是成形壁構件8，或者於成形壁構件8之後使其硬化。透明構件9之形成可使用樹脂噴出裝置。
其次，參照圖7、8對本發明之效果進行說明。
於圖7、8中，A係本實施形態1之發光裝置100，B係關於先前之發光裝置之資料，該先前之發光裝置係將YAG系螢光體及SCASN系螢光體、以及氯矽酸鹽3種螢光體混合於單一之密封樹脂中，藉此密封藍色發光元件者(3混合型之發光裝置)。再者，於發光裝置100中，第1密封構件7a含有YAG系螢光體，第2密封構件7b含有SCASN系螢光體，壁構件8不含有螢光體。又，於發光裝置100中，使用藍色發光元件作為第1發光元件2a，使用藍綠色發光元件作為第2發光元件2b。各螢光體及藍色發光元件使用與先前之發光裝置相同者。
圖7係表示發光效率(lm/w)及演色性之曲線圖，Ra為平均演色評價數。圖8係表示相對於第1假想線X之方向(0°方向)、及第2假想線Y之方向(90°方向)之功率相關比、基於 色度圖之色度、色溫度之曲線圖，Po為功率相關比，x及y為色度，Tcp為色溫度，θ°為配光角度。
如圖7所示，本發明之發光裝置就演色性而言與先前之發光裝置相同。進而，於本發明之發光裝置中，與先前之發光裝置相比，發光效率(lm/w)提高了約20%。
從而，於本發明之發光裝置中，與先前之3混合型之發光裝置相比演色性幾乎不降，而發光效率(lm/w)提高。
又，如圖8所示，可以說本發明之發光裝置於第1假想線X之方向(0°方向)及第2假想線Y之方向(90°方向)上，具有與先前之發光裝置大體同等之良好之配光特性。
[發光裝置之動作]
根據以上已說明之發光裝置100，於使發光裝置100驅動時，自發光元件2a、2b向所有方向前進之光中，向上方前進之光被提取至發光裝置100之上方之外部。又，向下方或橫向等前進之光於基材1之安裝區域1a之底面或側面反射，被提取至發光裝置100之上方。此時，於基材1之底面即安裝區域1a上較佳為被覆有金屬膜，於安裝區域1a之周圍較佳為形成有光反射構件6，因而該部位對光之吸收得到抑制，並且光藉由金屬膜或光反射構件6而反射。藉此，可高效地提取來自發光元件2a、2b之光。
根據本實施形態1之發光裝置，可提供一種發光效率較高且亮度分佈優異、進而具有較高之混色性及配向特性之發光裝置。
(實施形態2)
圖10係本發明之實施形態2之發光裝置之俯視圖。相對於實施形態1中將形成於基材1上之螢光體區域以放射狀劃分成4塊，實施形態2中係將其以放射狀劃分成6塊，於該點上兩者不同。
如圖10所示，實施形態2之發光裝置100之特徵在於：其係具備基材1、配置於基材1之安裝區域1a上之複數個發光元件(第1發光元件2a)、及密封發光元件(第1發光元件2a)之密封構件之發光裝置100，且基材1具有藉由自基材1上之某一點(較佳為基材之中心(重心))向基材外周以放射狀延伸之假想線I1~I6而劃分之6個區域，並且於6個區域中之鄰接之2個區域間具有透光性之壁構件8，於6個區域中之各區域上，分別設置有包含螢光體之密封構件，自6個區域中之鄰接之2個區域中的一區域發出之光之色調與自另一區域發出之光之色調不同。
如圖10所示，基材1上之螢光體區域係於分離區域11上形成有壁構件8而以放射狀劃分成6塊。即，壁構件8以基材1之中心點(重心)為中心向第1方向(例如自X軸之原點(基材1之中心點)沿著X軸向左延伸之方向)延伸之假想線I1、向相對於第1方向順時針旋轉60°之第2方向延伸之假想線I2、向相對於第1方向順時針旋轉120°之第3方向延伸之假想線I3、向相對於第1方向順時針旋轉180°之第4方向延伸之假想線I4、向相對於第1方向順時針旋轉240°之第5方向延伸之假想線I5、向相對於第1方向順時針旋轉300°之第6方向延伸之假想線I6而形成，螢光體區域藉由以上述之方 式形成之壁構件8，而劃分成6個扇型之區域。該6個扇型之區域包括設置有第1密封構件7a之區域即第1區域10a、及設置有第2密封構件7b之區域即第2區域10b，且第1區域10a及第2區域10b分別各含有3個，而且，如圖10所示，第1區域10a與第2區域10b交替地配置，就相鄰之區域而言，在第1區域10a與第2區域10b中不同。
根據本實施形態2之發光裝置，螢光體區域以放射狀劃分成6塊，故而比起劃分成4塊之情形，第1區域10a及第2區域10b之中心角變得更小。於第1區域10a之中心角較大之情形時，第1區域10a之鄰接於第2區域10b之區域至第2區域10b之距離較小，故而自第1區域10a之與第2區域10b鄰接之區域放出之光有可能與自該第1區域10a之相鄰之第2區域10b放出之光混合，但自第1區域10a之中心區域放出之光因第1區域10a之該中央區域至第2區域10b之距離較大之故，而難以與自該第1區域10a之相鄰之第2區域10b放出之光混合。同樣地，於第2區域10b之中心角較大之情形時，自第2區域10b之中心區域放出之光難以與自該第2區域10b之相鄰之第1區域10a放出之光混合。然而，於第1區域10a之中心角更小之情形時，第1區域10a之該中央區域至第2區域10b之距離較小，故而自第1區域10a之中心區域放出之光容易與自該區域之相鄰之第2區域10b放出之光混合。同樣地，於第2區域10b之中心角更小之情形時，自第2區域10b之中心區域放出之光容易與自該第2區域10b之相鄰之第1區域10a放出之光混合。從而，根據本實施形態2 之發光裝置，螢光體區域以放射狀劃分成6塊，故而較劃分成4塊之情形，第1區域10a及第2區域10b之中心角更小。因此，自第2區域10b之中心區域放出之光變得容易與自該區域之相鄰之第1區域10a放出之光混合，從而可獲得較高之混色性。
(實施形態3)
圖11係本發明之實施形態3之發光裝置之俯視圖。相對於實施形態1中將形成於基材1上之螢光體區域以放射狀劃分成4塊，實施形態3中係將其以放射狀劃分成8塊，於該點上兩者不同。
如圖11所示，實施形態3之發光裝置100之特徵在於：其係具備基材1、配置於基材1之安裝區域1a上之複數個發光元件(第1發光元件2a)、及密封發光元件(第1發光元件2a)之密封構件之發光裝置100，且基材1具有藉由自基材1上之某一點(較佳為基材之中心(重心))向基材外周以放射狀延伸之假想線I1~I8而劃分之8個區域，並且於8個區域中之鄰接之2個區域間具有透光性之壁構件8，於8個區域中之各區域，分別設置有包含螢光體之密封構件，自8個區域中之鄰接之2個區域中的一區域發出之光之色調與自另一區域發出之光之色調不同。
如圖11所示，基材1上之螢光體區域係於分離區域11上形成有壁構件8而以放射狀劃分成8塊。即，壁構件8以基材1之中心點(重心)為中心向第1方向(例如自X軸之原點(基材1之中心點)沿著X軸向左延伸之方向)延伸之假想線I1、 向相對於第1方向順時針旋轉45°之第2方向延伸之假想線I2、向相對於第1方向順時針旋轉90°之第3方向延伸之假想線I3、向相對於第1方向順時針旋轉135°之第4方向延伸之假想線I4、向相對於第1方向順時針旋轉180°之第5方向延伸之假想線I5、向相對於第1方向順時針旋轉225°之第6方向延伸之假想線I6、向相對於第1方向順時針旋轉270°之第7方向延伸之假想線I7，向相對於第1方向順時針旋轉315°之第8方向延伸之假想線I8而形成，螢光體區域藉由以上述之方式形成之壁構件8，而劃分成8個扇型之區域。該8個扇型之區域包括設置有第1密封構件7a之區域即第1區域10a、及設置有第2密封構件7b之區域即第2區域10b，且第1區域10a及第2區域10b分別各含有4個，而且，如圖11所示，第1區域10a與第2區域10b交替地配置，就相鄰之區域而言，在第1區域10a與第2區域10b中不同。
根據本實施形態3之發光裝置，螢光體區域以放射狀劃分成8塊，故而比起劃分成4塊之情形第1區域10a及第2區域10b之中心角變得更小。如上所述，於第1區域10a之中心角較大之情形時，自第1區域10a之中心區域放出之光難以與自該區域之相鄰之第2區域10b放出之光混合，同樣地，於第2區域10b之中心角較大之情形時，自第2區域10b之中心區域放出之光難以與自該區域之相鄰之第1區域10a放出之光混合。然而，於第1區域10a之中心角更小之情形時，自第1區域10a之中心區域放出之光變得容易與自該區域之相鄰之第2區域10b放出之光混合，同樣地，於第2區 域10b之中心角更小之情形時，自第2區域10b之中心區域放出之光變得容易與自該區域之相鄰之第1區域10a放出之光混合。從而，根據本實施形態3之發光裝置，螢光體區域以放射狀劃分成8塊，故而較劃分成4塊之情形，第1區域10a及第2區域10b之中心角更小。因此，自第2區域10b之中心區域放出之光變得容易與自該區域之相鄰之第1區域10a放出之光混合，從而可獲得較高之混色性。
又，可使第1區域彼此或第2區域彼此配置於以基材之中心為中心點而旋轉180°之位置上，於通過基材之中心之剖面中，相對於該中心呈左右對稱地配置相同之螢光體區域。因此，可使亮度分佈(光度分佈)接近均一，進而可使配向特性良好。
以上，對本發明之實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態，可於不脫離本發明之主旨之範圍內進行變更。
即，上述所示之發光裝置之形態係例示用以使本發明之技術思想具體化之發光裝置者，本發明並非將發光裝置限定於上述之形態。又，並不將技術方案之範圍中所示之構件等特定於實施形態之構件。尤其是，只要無特定之記載，則實施形態中所記載之構成零件之尺寸、材料、形狀、其相對配置等便並非將本發明之範圍僅限於此之主旨，而僅為單純之說明例。
例如，亦可如圖9所示，對於分離區域11之寬度，使與發光元件2a、2b之縱行平行之平行直線區域的寬度比與平 行直線區域正交之垂直直線區域之寬度更寬，藉此使第2區域10b、10b之面積小於第1區域10a、10a之面積。
又，第1區域10a與第2區域10b亦可鄰接(密接)而設置。又，亦可為第1螢光體之發光波長比第2螢光體之發光波長更長者。進而，作為基材1，對此處使用基板之情形進行了說明，但作為基材1亦可為樹脂封裝體等。而且，所載置之發光元件2a、2b之數量並不限定，只要於2個第1區域10a、10a上分別載置2個以上第1發光元件2a，於2個第2區域10b、10b上分別載置2個以上第1發光元件2a即可。又，作為發光元件2a、2b，此處對使用面朝上(FU)元件之情形進行了說明，但亦可為面朝下(FD，Face Down)元件或雙面電極構造之元件。
又，作為其他實施形態，亦可將壁構件8設定為非透光性之構件。藉由將壁構件8設定為反射性構件，與光反射構件6同樣地，可使自第1發光元件2a出射之光藉由壁構件8而反射，從而可使第1發光元件2a之光之提取效率提昇。於該情形時，作為壁構件8之材料，可使用與光反射構件6之材料相同者。
再者，藉由發光元件或發光裝置之形態，亦可為不具備第2發光元件2b、保護元件5、光反射構件6、壁構件8、透明構件9、導電構件40、導線W、金屬膜等之構成者。
1‧‧‧基材(基板)
1a‧‧‧安裝區域
2a‧‧‧第1發光元件
2b‧‧‧第2發光元件
3‧‧‧正極
3a‧‧‧焊墊部
3b‧‧‧配線部
4‧‧‧負極
4a‧‧‧焊墊部
4b‧‧‧配線部
5‧‧‧保護元件
6‧‧‧光反射構件
7a‧‧‧第1密封構件
7b‧‧‧第2密封構件
8‧‧‧壁構件
9‧‧‧透明構件
10a‧‧‧第1區域
10b‧‧‧第2區域
11‧‧‧分離區域
40‧‧‧導電構件
70‧‧‧識別標記
80‧‧‧溫度測量點
100‧‧‧發光裝置
AM‧‧‧陽極標記
W‧‧‧導線
I1‧‧‧假像線
I2‧‧‧假像線
I3‧‧‧假像線
I4‧‧‧假像線
N‧‧‧電極
P‧‧‧電極
X‧‧‧第1假想線
Y‧‧‧第2假想線
圖1係表示本發明之實施形態1之發光裝置之整體構成之立體圖。
圖2係表示本發明之實施形態1之發光裝置之構成之俯視圖。
圖3係圖1之A-A剖面圖。
圖4(a)係對本發明之發光裝置中之、發光元件之光對螢光體之激發進行說明之模式圖，(b)係對螢光體區域為同心圓形狀之比較例之發光裝置中之、發光元件之光對螢光體之激發進行說明之模式圖。
圖5(a)、(b)係對本發明之發光裝置中之、發光元件之增減時之第1區域及第2區域之面積之調整進行說明之模式圖。
圖6(a)、(b)係對螢光體區域為同心圓形狀之比較例之發光裝置中之、發光元件之增減時之內側區域及外側區域之面積調整進行說明之模式圖。
圖7係針對本發明之發光裝置及使用3種螢光體之先前之發光裝置，表示發光效率(lm/w)及演色性之曲線圖。
圖8係針對本發明之發光裝置及使用3種螢光體之先前之發光裝置，表示相對於第1假想線X之方向(0°方向)、及第2假想線Y之方向(90°方向)之功率相關比、基於色度圖之色度、色溫度之曲線圖。
圖9係表示本發明之實施形態1之另一態樣之發光裝置之構成之俯視圖。
圖10係表示本發明之實施形態2之發光裝置之構成之俯視圖。
圖11係表示本發明之實施形態3之發光裝置之構成之俯 視圖。
1‧‧‧基材(基板)
1a‧‧‧安裝區域
2a‧‧‧第1發光元件
2b‧‧‧第2發光元件
3‧‧‧正極
3a‧‧‧焊墊部
3b‧‧‧配線部
4‧‧‧負極
4a‧‧‧焊墊部
4b‧‧‧配線部
5‧‧‧保護元件
6‧‧‧光反射構件
7a‧‧‧第1密封構件
7b‧‧‧第2密封構件
8‧‧‧壁構件
10a‧‧‧第1區域
10b‧‧‧第2區域
11‧‧‧分離區域
40‧‧‧導電構件
70‧‧‧識別標記
80‧‧‧溫度測量點
100‧‧‧發光裝置
AM‧‧‧陽極標記
I1‧‧‧假像線
I2‧‧‧假像線
I3‧‧‧假像線
I4‧‧‧假像線
N‧‧‧電極
P‧‧‧電極
W‧‧‧導線
X‧‧‧第1假想線
Y‧‧‧第2假想線

Claims (19)

  1. 一種發光裝置，其係具備基材、配置於上述基材上之複數個發光元件、及密封上述發光元件之密封構件者；上述基材具有藉由自該基材上之某一點向基材外周以放射狀延伸之假想線而劃分之複數個區域，並且於上述複數個區域中之鄰接之2個區域間，具有沿上述假想線而設置於上述基材上之透光性之壁構件；藉由上述壁構件來將上述複數個區域劃分；於上述複數個區域之各區域，分別設置有包含螢光體之密封構件；自上述複數個區域中之鄰接之2個區域中的一區域即第1區域發出之光之色調係與自另一區域即第2區域發出之光之色調不同。
  2. 如請求項1之發光裝置，其中上述第1區域中所包含之螢光體與上述第2區域中所包含之螢光體不同。
  3. 如請求項1或2之發光裝置，其中上述螢光體包含：第1螢光體，其吸收來自上述發光元件之光之至少一部分並發出比來自上述發光元件之光之波長更長之波長的光；及第2螢光體，其為吸收來自上述發光元件之光之至少一部分之螢光體，且發出比來自上述發光元件之光之波長及來自上述第1螢光體之光之波長之兩者更長之波長的光；且包含上述第1螢光體之第1區域之總面積與包含上述第2螢光體之第2區域之總面積之比率為2：3~3：2。
  4. 如請求項1或2之發光裝置，其中上述基材上之某一點為上述基材之中心。
  5. 如請求項1或2之發光裝置，其中上述複數個區域以上述基材上之某一點為中心而具有相同之中心角。
  6. 如請求項5之發光裝置，其中上述中心角為90°。
  7. 如請求項1或2之發光裝置，其中上述第1區域或上述第2區域之至少其中一者存在複數個，且複數個上述第1區域彼此或上述第2區域彼此位於以上述基材上之某一點為中心點而旋轉180°之位置上。
  8. 如請求項1或2之發光裝置，其中進而上述第1區域及上述第2區域存在複數個，且複數個上述第1區域彼此及上述第2區域彼此位於以上述基材上之某一點為中心點而旋轉180°之位置上。
  9. 如請求項1或2之發光裝置，其係於上述壁構件內進而具備一個或複數個第2發光元件。
  10. 如請求項1或2之發光裝置，其中上述壁構件不含有螢光體。
  11. 如請求項2之發光裝置，其中藉由自上述發光元件發出且未被上述第1螢光體及上述第2螢光體吸收而透過上述密封構件之光、來自上述第1螢光體之光、及來自上述第2螢光體之光的混色而發出白色光。
  12. 如請求項9之發光裝置，其中上述第2發光元件發出來自上述發光元件之光之波長、與來自上述第1螢光體之光之波長之間之波長之光。
  13. 如請求項2之發光裝置，其中上述發光元件為發出藍色光之發光元件；上述第1螢光體為發出黃色光之螢光體，上述第2螢光體為發出紅色光之螢光體。
  14. 如請求項13之發光裝置，其中上述第2發光元件為發出藍綠色光之發光元件。
  15. 如請求項1或2之發光裝置，其中於上述第1區域及上述第2區域分別配置有複數個上述發光元件。
  16. 如請求項9之發光裝置，其中上述發光元件之至少一部分與上述第2發光元件之至少一部分串聯連接。
  17. 如請求項1或2之發光裝置，其中配置於上述第1區域之發光元件之至少一部分與配置於上述第2區域之發光元件之至少一部分串聯連接。
  18. 如請求項1或2之發光裝置，其係進而具備被覆上述密封構件之透明構件。
  19. 如請求項1或2之發光裝置，其包含包圍上述發光元件之周圍之光反射構件。
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