TWI547732B - 使用超音波將玻璃基材自載具之脫黏 - Google Patents

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Description

使用超音波將玻璃基材自載具之脫黏
本申請案主張受益於2009年8月27日提出申請的12/548585美國專利申請案。
本發明關於用於根據薄基材製造元件的方法與設備。特定而言，本發明是關於用於在由載具基材所支撐的薄基材表面上製造元件的方法與設備。本發明實用於例如在使用載具基材於具有厚度少於500 μm的薄、可撓玻璃基材表面上製造諸如顯示器裝置的光電元件。
傳統TFT LCD顯示器是透過形成薄膜半導體電晶體於玻璃基材表面上而製造。盛行之所使用的玻璃基材厚度為約500-700 μm。LCD平板製造業者已經在生產線上針對該等相對厚的基材展開大量的資本調查。
TFT元件下方的玻璃基材的趨勢是逐漸變得更薄更輕。對於某些顯示器應用而言(特別是對可攜式裝置而言，例如膝上型電腦及手持裝置等)，期望具有厚度少於500 μm(諸如300 μm、100 μm或更薄)的玻璃基材。一種達成在元件中具有如此低厚度的方法是首先基於較厚的玻璃基材製造元件，接著以化學及/或機械性方式薄化該基材。當操作此製程時，期望能直接在薄基材上製造元件，因而消除薄化步驟。
然而，處理此般薄玻璃基材對於平板製造商而言存在一嚴重的技術挑戰，因為在不特意修改製程的情況下，許多生產線並非設計成具有處理此非常薄的基材。
一項針對厚玻璃基材的習知製程的建議修改方法為透過使用諸如相容於下游製程步驟的黏結劑(諸如黏膠)將薄玻璃基材黏結到載具玻璃基材。黏結的基材之較大的結合厚度能解決傳統TFT製造線上的處理問題。
一旦在由載具基材支撐的薄的功能性玻璃基材上形成半導體元件，功能性基材需要從載具基材釋放。然而，施行脫黏而不至於造成功能性基材及/或形成於其上的元件損壞並非易事。
因此，需要有效的方法將薄的功能性基材從載具基材脫黏。
本發明滿足此需求及其他需求。
在此揭露本發明的數種態樣。應瞭解到，該等態樣可、或不可彼此重疊。因此，一個態樣的一部份可能落入另一態樣的範疇之中，反之亦然。
每一態樣皆由許多實施例說明，轉而能包括一個以上的特定實施例。應瞭解該等實施例可、或不可彼此重疊。因此，一個實施例(或該實施例的特定實施例)的一部份可能或不可落入另一實施例(或該實施例的特定實施例)的範圍之中，反之亦然。
本發明所揭露者是導向用於製造一元件的製程，該元件包含一薄的功能性基材，該薄的功能性基材具有一第一表面、相對於該第一表面的一第二表面以及介於該第一表面與第二表面之間的厚度T1，該製程包含以下步驟：
(A)　透過在黏結界面使用一黏結劑之一層，將該功能性基材的該第一表面黏結至具有一厚度T2的一載具基材；
(B)　處理該功能性基材的該第二表面；以及
(C)　透過施加一超音波至該黏結界面，使該載具基材從該功能性基材釋放。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，T2>T1。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，T1≦500 μm。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，在步驟(B)中，一功能性部件形成於該功能性基材的該第二表面上。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，該功能性基材與該載具基材二者皆包含玻璃材料。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，在步驟(A)中所使用的該黏結劑包含矽膠附著劑以及全氟化橡膠之至少一者。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，該黏結劑之該層為一橡膠，其具有(a)範圍在10-90的Shore A硬度以及(b)至多183 nm的粗糙度。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，介於該在具基材與該黏結劑之該層之間的該黏結具有在以20 mm/min(毫米/分鐘)的剝離速度及剝離角90度測量時至少0.5 kN/m(千牛頓/公尺)的剝離強度。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，在步驟(C)中，透過液體浴將該超音波施加至該黏結界面。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，在步驟(C)中，透過液體浴將該超音波施加至該黏結界面，該水浴包含一有機溶劑，該有機溶劑具有低於20℃的水的表面張力，其諸如乙醇。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，在步驟(C)中，透過一傳感器將該超音波施加至該黏結界面。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，在步驟(C)中，該超音波施加至該功能性基材與該載具基材之間的該黏結界面之該周邊區域。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，在步驟(C)中，相較於該載具基材與該功能性基材之間的該黏結界面之中心區域，以較大的功率將該超音波施加至該周邊區域。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，步驟(C)進一步包含以下步驟：在施加該超音波至該黏結界面後，從該載具基材剝離該功能性基材。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，在從該載具基材剝離該功能性基材之步驟期間，該剝離半徑為至少5 cm，在某些實施例中為至少10 cm，在某些其他實施例中為至少20 cm，在另外一些實施例中為至少30 cm。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，從該載具基材剝離該功能性基材之步驟包含使用一脫黏滾子。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，該功能性基材具有至多400 μm的厚度T1，在某些實施例中至多為300 μm，在某些實施例中至多為200 μm，在某些實施例中至多為100 μm，在某些實施例中至多為50 μm。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，在步驟(A)，該黏結界面處的該黏結劑之該層具有至多300 μm的厚度，在某些實施例為至多200 μm，在某些其他實施例至多為150 μm，在某些其他實施例至多為100 μm，在某些實施例為1 μm至80 μm，在某些實施例為5 μm至60 μm，在某些實施例為10 μm至50 μm。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，在步驟(C)中，經施加超音波以致步驟(B)中形成的該功能性部件不致於損壞。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，在步驟(C)中，該超音波是經選擇而具有在20至400 kHz範圍內的頻率，以及0.1至500 Watt範圍內的功率。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，其中，在步驟(C)中，該超音波是以實質上均勻的功率施加至介於該載具基材與該功能性基材之間的該黏結界面。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，該黏結劑之該層對於該載具基材的附著比對於該功能性基材之附著更強。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，在步驟(C)的末期，該載具基材持續黏結至該黏結劑之該層。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，步驟(A)包含：
(A01)在該載具基材之一表面上施加該黏結劑之一預聚合層；以及接著，
(A02)聚合該預聚合層以獲得黏結至該載具基材的該黏結劑之一聚合層；以及
(A03)將該功能性基材之該第一表面放置於黏結劑之該聚合層上，以達成與該功能性基材的黏結，該黏結比該黏結劑及該載具基材之間的黏結弱。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，步驟(A)包含：
(A11)在該載具基材之一表面上形成一第一塗層之一第一層；
(A12)在該第一塗層之該第一層與該功能性基材之該第一表面之間施加該黏結劑。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，在步驟(A11)，該第一塗層的該第一層包含一矽烷。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，該功能性基材包含諸如聚醯亞胺(polyimide)之類的聚合物以及玻璃之多層。
在本發明所揭露的該製程之某些實施例中，在步驟(C)之後，在處理另一功能性基材的循環中，再使用黏結至該黏結劑之層的該載具基材。
本發明之製程的一個或多個實施例具有以下優點。
使用超音波脫黏方法能夠在顯示器製造業者當前的設備及製造條件內使用薄的玻璃基材。薄玻璃基材比塑膠和不鏽鋼基材更容易因彎折應力而斷裂。使用超音波脫黏方法減少了玻璃基材中會引發機械性劣化的基材彎折應力。
該製程能夠在載具基材受清潔後再使用之，此舉會減少總成本。
該超音波脫黏方法相容於數種黏結方法。只要基材-載具之黏結在整體結構中是最微弱的，則超音波方法能夠從載具釋放基材而不會對於功能性基材表面上形成的功能性部件造成不當的負面影響。超音波釋放基材能夠在大面積區域上平行執行。
此處理方法消除或減少了在0.5 mm厚的玻璃上製造顯示器及HF蝕刻或研磨基材使之下達<0.3 mm厚度的需要。就HF的使用及廢棄層面而言，本發明之處理方法產生了更對環境友善的方法。
使用此超音波脫黏方法保留(或不會劣化)玻璃基材固有的邊緣強度。此脫黏方法減少玻璃基材邊緣的斷裂與損壞，因而減少顯示器製造業者之設施中的機械性失效。
本發明額外的特徵及優點將在隨後的說明書中詳細提出，且對於此技術領域中熟習技藝者而言，透過說明書部份本發明的特徵及優點是明顯易懂的，或透過操作在所撰寫的說明書、其申請專利範圍與伴隨的圖式中所描述的本說明，可認識到本發明額外的特徵及優點。
應瞭解到，前文中大體的敘述以及隨後的詳細敘述僅是示例性描述本發明，且其欲提供瞭解本發明如所其請求的本質與特質的全覽或梗概。
本說明書包括伴隨的圖式，以提供本發明之更進一步的瞭解，且該等圖式併入並且構成本說明書的一部份。
除非以其他方式指示，否則所有在說明書與申請專利範圍中用於某些物理性質的數字(諸如表達成份之重量百分比、尺寸及量值)，應理解為在所有範例中可因「約」一詞而有所更動。亦應瞭解在本說明書及專利申請範圍中所用的精確數值形成額外本發明之實施例。申請人已致力確保範例中揭露的數值之準確度。任何所測量的數值能夠以固有形式含有某些因其個別測量技術中察現的標準差所造成的某些誤差。
如在此所使用，於描述及主張本發明時，使用不定冠詞「一」意味著「至少一個」，且不應限制為「僅有一個」，除非在文中有明確的相反指示。因此，例如除非內文以其他方式清楚指示，否則「一黏結劑」一詞包括具有二個以上此類黏結劑的實施例。
本發明能夠有利地應用至基於玻璃基材製造光電元件上，諸如習知TFT顯示器元件。然而，此技術領域中具一般技藝者在閱讀本發明而受本發明之教示所助益，應易於瞭解到只要製造程序中需要涉及在兩個基材間使用黏結劑的脫黏步驟，則本發明可應用至其他元件的製造上，諸如基於金屬或有機基材之元件。本發明此後將進一步說明製造TFT顯示器元件的內容，即使在此所請求的本發明不僅限於此類製程。
在可攜式顯示器產品中逐漸受到注目的是該產品更薄且在重量上更輕，諸如該等具有至多500 μm(包括400及300 μm等)厚的玻璃基材之產品。高度期望在主要設計以處理較厚玻璃基材(諸如約700 μm厚)的生產線上製造此類產品，以減少需要開發與安裝特別適用於薄玻璃基材之生產線的高成本投資。
一種方法是在500 μm或700 μm厚的玻璃功能性基材上製造標準顯示器。在功能性元件製造後，隨即使用蝕刻或研磨製程以薄化該功能性基材至低於500 μm，諸如400、300、200或甚至100 μm。
為了消除該薄化步驟，建議暫時將功能性基材黏結至暫時性載具基材的載具黏結製程。在元件在功能性基材上製造後，功能性基材從載具基材脫黏，而載具基材具有再利用的潛能。在2009年5月6日提出申請的歐洲專利申請案09305404.7號(標題為”Carrier for Glass Substrate”)詳細描述此類載具黏結製程，其相關部份在此為本發明所仰賴並且其全文併入本發明做為參考。
有別於黏結方法，亦可使用諸如有機類附著膜、橡膠、直接玻璃對玻璃黏結或無機附著層。類似的是，存在用於弱化此足以使功能性基材脫層(delaminate)的暫時性黏結的數種不同方法。這些弱化方法已經過最適化以黏結材料與機構，但多數所建議的方法需要某一定量的基材彎折。即使所製造的元件是剛性的，一定量的拉張彎折應力會在功能性基材受剝離或撬離載具基材時引發。為了避免基材斷裂或對任何已形成於功能性基材上的功能性元件造成負面影響，由將功能性基材剝離或撬離載具基材引發的拉張彎折應力應如期望般減少。透過在脫黏步驟期間利用超音波，本發明所揭露之方法能助於減少或消除脫黏期間所施加的彎折應力。
在本發明申請日當前的顯示器市場之一般習知TFT元件中，諸如電路的電晶體、電阻器、電感器及導線等功能性部件形成在高準確度的玻璃基材表面上。因此，在本發明所揭露的製程中，功能性基材可為玻璃基材。在特定期望的實施例中，功能性基材具有至多500 μm的厚度，諸如150、200、250、300、350、400及450 μm。如前所論述，此類薄的功能性基材在與載具基材結合時，能受益於經設計與製造特別用於厚基材(諸如具有厚度約600及700 μm者)之標準習知設備。只要適合能在表面上製造期望的功能性部件，對於本發明而言，玻璃功能性基材的組合並非關鍵。下列示範性商業玻璃之組合可適合於本發明所揭露的功能性基材：購自美國紐約Corning之Corning Incorporated的Eagle XG(此後稱之“Corning”)；購自Corninig的Jade；購自日本Nippon Electric Glass的OA-20；以及購自日本Asahi的AN-100。然而，其未排除可基於或包含其他材料的功能性基材，例如：有機聚合物，諸如聚酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碸(polysulfone)、聚醚及聚烯烴等；玻璃陶瓷材料，諸如含β-鋰輝石、β-石英、尖晶石或其他結晶相之材料；陶瓷材料，諸如氧化鋯、方矽石(cristobalite)；以及結晶材料，諸如單晶矽、SiC及GaAs等。功能性基材可由單一勻相材料製成，諸如裸玻璃基材之例。在其他實施例中，功能性基材(諸如玻璃基材)可以任何能提供期望性質(諸如防止磨損的保護、附著調控及/或減少易脆性)的聚合物或分子塗佈。例如，全氟化十八烷基三氯矽烷(perfluoro octadecyltrichlorosilane)可用於調控玻璃對橡膠的附著，而1-50 μm厚的聚醯亞胺塗層可用於保護玻璃表面免受接觸損壞。在其他實施例中，功能性基材可為複合、多層的結構，包括(但不限於)：(i)承載先前生成於其上的光學或電子部件之薄片材料以及(ii)玻璃封包，其包括兩個玻璃薄片，該二薄片夾著某些先前生成於其之間的某些光學或電子元件。
載具可由工業或其他較低等級的玻璃基材製成，其具有太高的夾雜物、索紋(cord)、條痕(streak)缺陷層級以致於無法用作顯示器基材。然而，該等物理或光學上的缺陷不會阻礙其做為載具基材之用。該載具亦可透過熔融式、流孔式(slot)、浮式(float)或其他薄片形成方法形成。該載具可和功能性基材面積相等或稍大。倘若載具稍大，其將保護功能性基材免於在元件處理方法期間邊緣衝擊。例如，載具可稍微調大尺寸5 mm並且具有修整、磨圓、研磨的邊緣，以耐受一般在元件製造設備中所經受的衝擊。載具亦可具有異於功能性基材的幾何形狀。功能性基材亦能夠鋪貼於較大的載具基材上。載具亦可具有表面特徵結構、溝槽或多孔性，而能夠黏結材料附著或定位。只要在載具基材與功能性附著在一起時其結合的剛度相容於一般處理設備，則透過載具基材本身，其能具有與功能性基材相同的厚度與剛度。
介於功能性基材與載具基材之間的黏結劑可為例如有機類附著膜、橡膠或無機附著層，其視後續步驟所需的製程條件而定。對於污染物敏感的半導體材料與元件於功能性基材之下游處理中形成之處，需要低脫氣黏結劑。在某些實施例中，黏結劑層為橡膠是有利的，特別是非極性橡膠，其範例包括矽膠類橡膠、氟化矽膠類橡膠以及全氟化橡膠。在這些橡膠之中，全氟化橡膠特別適合許多應用，因為其氫原子全部由氟原子置換並且其能夠達到完全交聯，而一起造成低度脫氣(例如，在325℃浸透1小時後，無偵測到脫氣)以及高度的熱穩定性與化學穩定性(例如，熱穩定性高達400℃，且其具有比矽膠及氟化矽膠更高的化學耐受度)。比起矽膠類橡膠，全氟化橡膠能夠產生更高的黏結能量予以玻璃，對於視功能性及載具基材而定的一些應用而言，其可為一額外的優勢。
矽膠類橡膠的優點在於，其附著程度可透過改變交聯劑(固化時所用)的量而簡單調整。然而，最終產物中未反應的交聯劑及/或低分子量物料可能產生在製造電子部件期間無法被接受的脫氣度。如前文所論述，全氟化橡膠一般無脫氣問題。
當黏結劑施加至介於功能性基材與載具基材之間的黏結界面時，其可為液體或實質上為固體之形式。在一示範性實施例中，黏結劑可以雙面附著膠帶的形式導入。在另一實施例中，黏結劑首先以預聚合液體或固體之形式施加，其後經受由例如熱或照射起始化誘發的聚合。視應用而定，黏結劑可覆蓋載具基材之全表面以及功能性基材的第一表面，或者其一部份。部份覆蓋率可用於調整黏結劑與功能性基材之載具基材之間的黏結強度，或二者之間的黏結強度。以液態或固態形式施加預聚合黏結劑可由此技術領域中具一般技術者已知的習知設備與製程操作，該等製程諸如澆鑄、流塗、刷塗、噴塗、浸塗及網板印刷等。
視應用及後續製程條件而定，黏結劑可(i)首先施加至載具基材表面，經受聚合，然後附接至功能性基材的第一表面；或者(ii)首先施加至功能性基材的第一表面，經受聚合，然後附接至載具基材的表面；或者(iii)直接同時施加至功能性基材之第一表面與載具基材之表面，然後聚合；以在兩片基材之間施行期望的黏結。在某些實施例中，期望黏結劑層具有充分平滑的表面，與功能性基材之第一表面直接接觸。最後，倘若黏結劑的預聚合層首先施加至載具基材表面，在聚合期間其能夠以平滑、疏水化壓製基材覆蓋，該基材為例如透過氣相沉積全氟化矽烷(例如全氟十二烷基三氯矽烷，perfluorodecyltrichlorosilane)薄層而疏水化的玻璃薄片。壓製基材的表面品質以及其施加在黏結劑上的負載可改變，以控制在聚合步驟末期黏結劑的表面粗糙度與厚度。大體而言，倘若黏結劑的預聚合層先施加至載具基材表面，隨後聚合，之後功能性基材附接至聚合的黏結劑層，則在聚合的黏結劑與載具基材之間可獲得比黏結劑與功能性基材間之黏結更強的黏結。這是因為介於由聚合反應所造成的聚合黏結劑之間的黏結能夠含有共價鍵，然而後續形成的功能性基材與聚合黏結劑之間的黏結大部分為凡得瓦力類型。
視應用而定，黏結劑可顯現與功能性基材及載具基材之更強的黏結，或者實質上與該二基材相同等級的黏結。然而，在某些實施例中，特別期望黏結劑對載具基材呈現比對功能性基材第一表面更強的黏結。在某些實施例中，附著促進劑在黏結劑施加至載具基材表面前施加至該表面，以達成期望的載具基材與黏結劑之間的附著程度。可透過改變矽膠的硫化而促進附著。見Gent,The Journal of Adhesion,79,315-325頁(2003)。對於其他橡膠，附著促進劑可有助於達成黏結的需求等級。見Lger,Macromol. Symp. 149,197-205頁(2000)。舉例而言，在全氟化橡膠及由玻璃構成的支撐件的情況中、一種以上的例如FDS(全氟化十八烷基三氯矽烷，perfluoro octadecyltrichlorosilane)之氟化矽烷可用做附著促進劑。氟化矽烷可以氣態沉積於玻璃上，以致氟化鏈會滲透全氟化橡膠，於是改善橡膠與玻璃支撐件之間的附著。此類載具基材的較強之黏結會造成功能性基材傾向從黏結劑與載具基材脫黏，而助於後續的操控與處理功能性基材。在某些實施例中，高度期望且極可能承載附著劑層的載具基材可再使用及再循環以供處理另一功能性基材。在該等實施例中，黏結劑與載具基材之間的較強黏結特別有益。如前文所述，可透過在施加附著劑至載具基材表面但在附著劑附接至功能性基材前聚合黏結劑，而實現載具基材的此類較強的黏結。另一方面，期望基材與附著劑之間有較弱的黏結，可在黏結層施加至載具基材表面前，施加附著減少層至該表面。
視應用而定，功能性基材與載具基材之間的黏結劑厚度可大範圍改變，例如，在1 μm至數千微米之範圍，在某些實施例中至多1000 μm，諸如1 μm至300 μm，1 μm至200 μm，1 μm至100 μm，1 μm至50 μm。在功能性基材具有低於500 μm之厚度時，功能性基材與載具基材的總厚度少於1000 μm，期望黏結劑具有1 μm至200 μm之厚度，諸如1 μm至100 μm，1 μm至50 μm，10 μm至100 μm，或10 μm至80 μm。黏結劑厚度可由施加的黏結劑量與施加的方法控制。黏結劑的楊氏模數(Young’s modulus)之範圍亦可為廣泛的。舉例而言，其可在1至10 MPa之數量級，例如在1至5 MPa之數量級。
Shore A硬度是用於測量軟性材料之硬度的標準化測試。類似其他硬度測試，壓痕器在一給定的力量下穿透材料，而壓痕深度(即材料對穿透的抵抗度)用於測定Shore A硬度值。在存在於功能性基材與載具基材之間的黏結劑為橡膠時，高度期望黏結劑具有10至90的Shore A硬度，在某些實施例中為10至80，在某些實施例中為10至70，諸如10至60，15至60，10至50，20至50及30至50等。
粗糙度(Ra)是使用掃描式干涉顯微鏡測量，該顯微鏡含有一參考表面，該表面上，指示表面品質的干涉指紋(fingerprint)為已知。為了測定樣品的粗糙度，光源照明樣品與參考表面二者。從樣品與參考表面反射的光結合以給予一干涉指紋，該干涉指紋是視樣品的粗糙度而定，且其會轉成以奈米表示的粗糙度值。發現到黏結功能性基材第一表面的黏結劑之表面粗糙度為至多183 nm，例如至多180 nm，至多175 nm，至多170 nm，至多160 nm，至多150 nm，至多140 nm，至多130 nm，至多120 nm，或甚至至多110 nm，其特別利於黏結劑與功能性基材之間的期望黏結，該黏結實質上能低於聚合黏結劑預聚合層所形成於黏結劑與載具基材之間的黏結。如前所述，透過聚合黏結劑的預聚合層步驟期間所用的壓制基材表面的品質，能控制黏結劑聚合層的表面粗糙度。
透過將功能性基材放置在黏結劑表面上，能夠達成將功能性基材的第一表面附接至先前黏結至載具基材的黏結劑之聚合層。如前所提，在沒有進一步處理的情況下，黏結劑與功能性基材第一表面之間的黏結大體上是由凡得瓦力引發，且該黏結雖足夠，但大體上是微弱的，而能助於後續在黏結劑與功能性基材之間的界面處脫黏。功能性基材的第一表面可經化學修飾，例如透過施加塗層以增加或減少黏結劑與功能性基材之間的附著。
如前所述，黏結劑表面與功能性基材之間界面處的傾向脫黏在某些實施例中受到高度期望，以致在脫黏步驟末期，黏結劑層持續附著至載具基材之表面。無論如何形成，黏結劑(諸如橡膠)與載具基材之間的黏結需要具有一剝離強度，該強度需充分高以致一旦處理載具基材-功能性基材組件已經完成後，將功能性基材從橡膠剝離時，黏結劑層持續附接至載具基材。在計量上，介於黏結劑表面與載具基材之間的黏結需要具有在以剝離速度20 mm/min(毫米/分鐘)及剝離角度90度下測量時至少0.5 kN/m(千牛頓/米)的剝離強度，以達成此功能性。剝離強度是使用設以測量拉張強度的INSTRON機器測量。對於在黏結劑層與載具基材之間的界面處的給定的剝離速度與角度(即20 mm/min及90度)而言，拉張負載在測量期間受到監控並且將其轉化成能量。
一旦包含由黏結劑所接合的功能性基材與載具基材的組件形成，功能性基材的第二表面可以類似具有組件厚度之單一厚基材的方式處理。此類處理能包括(但不限於)減少厚度、表面修飾(諸如研磨、粗糙化、膜沉積、蝕刻、暴露至入射光與黏結至額外基材或膜等)以及於其上製造功能性部件。各種功能性部件可形成在功能性基材的第二表面上。此類功能性部件可包括光學、機械、電子元件或其組合或其混合。光學部件之非限制性的範例包括：顯示器、色彩濾光片、平面導波部件與元件、透鏡、光放大器、多工器以及解多工器等。機械部件之非限制性範例包括：MEMS及閥等。電子部件的非限制性範例包括：電晶體、二極體、電容器、電阻器、電感器、天線、收發器、導體、感測器、光二極體及上述者之組成與其混合等。功能性部件可為材料之功能性層或其一部份，例如，該功能性層可為單一層的矽(非晶形、多晶或單晶)。相關技術領域中具通常技藝者瞭解用於在功能性基材的第二表面上製造此類功能性部件所需的製程條件與材料。在形成功能性部件的步驟期間，該組件可經受高溫、各種化學溶液、蒸氣、各種能量層級與劑量的照射、機械振動、機械擦洗、刷洗及加速與減速等。高度期望選自該黏結劑的材料以及介於黏結劑與該二基材之間的黏結強度能夠耐受此類製程條件。
根據本發明，功能性基材從載具基材的脫黏是借助於施加至黏結界面的超音波。視所製造的元件之應用而定，期望使脫黏主要是發生在黏結劑與功能性基材之間的界面，在此實例中，期望黏結劑與功能性基材之間有較弱的黏結；或者脫黏主要是發生在黏結劑層與載具基材之間，期望黏結劑與載具基材之間有較弱的黏結；或者是在該二界面，在此實例中，期望黏結劑雙側的黏結足夠脆弱，以在釋放階段斷裂。如前文所述，大體而言，較期望使脫黏發生在黏結劑層與功能性基材之間的界面，以助於後續處理功能性基材，且使可能具有黏結劑層的載具基材再使用與循環。
可透過使用一般超音波單元施加超音波能量。代表性頻率為20-400 kHz，諸如從20至300 kHz。一個選項是超音波清潔浴。範例性設備是由Bransonic and Sonix IV Corporation所販售。更精密的單元是類似於超音波掃瞄顯微鏡所含者。這些設備能夠掃過所施加的超音波能量之頻率、位置以及量值。超音波頻率與功率經控制以瞄準穿透的音波束之特定深度與區域。以此方式，超音波功率可傳遞至介於功能性基材與載具基材之間的黏結層。此設備的範例是由Sonix,Inc.所販售。另一選項是用於牙科的超音波工具。這些設備透過磁致伸縮(magnetostriction)產生能量，並且提供傳送超音波能量的局部化液體流。該超音波單元的範例性販售商是Bonart Medical Technology。
在特別有利的實施例中，將該組件放置到施加超音波的液體浴中。液體將超音波傳輸到黏結界面。不欲為特定理論所囿，相信液體介質中由施加超音波所引發的微空穴的塌陷會引發黏結界面斷裂而使基材分離。用於液體浴的示範性液體為去離子水。
發現到組件所放置的液體介質的表面張力影響超音波脫黏製程的效能。一般而言，液體浴中液體介質的表面張力愈低，則脫黏製程愈有效。不欲為特定理論所囿，相信表面張力愈低，液體能夠愈容易溼潤且滲透黏結界面的裂縫，而因此超音波更加容易傳播深入黏結界面，引發完整的斷裂與分離。因此，在液體浴中含有具相對低的表面張力之液體是有利的。最後，乙醇、丙酮、乙醇與丙酮的混合物、水與乙醇的混合物、水和丙酮的混合物與包含界面活性劑的水溶液等可較純去離子水對液體浴更有利，因該等溶液給予較低的表面張力。乙醇是對用於光電應用(諸如顯示器裝置)的功能性基材特別有利的超音波耦合介質，因其對於用在他們製造製程中的材料具相容性。
在其他實施例中，超音波透過耦合介質從傳感器(transducer)施加到載具/功能性基材組件而非透過液體浴。此類耦合介質可為波導件，或施加到該組件之局部區域的液體，其將超音波傳輸到組件的局部區域。
期望超音波是以較高的強度施加到組件的邊緣區域，因為脫黏與分離一般是從黏結界面的邊緣起始，並且傳播至較深的區域。到該程度，期望至少在脫黏步驟的初始階段方向式施加超音波。此超音波的定位亦可在分離製程期間調整，以隨功能性基材從載具基材脫黏而移動。
將超音波能量單獨施加到黏結界面能夠引發黏結界面斷裂並且釋放功能性基材及/或載具基材。在替代性實施例中，施加超音波是與其他脫黏技術結合使用，其他脫黏技術是諸如滾子脫黏、撬離(prying)以及蝕刻等。施加超音波可與蝕刻及其他機械性脫黏同時完成。其他實施例中，施加超音波可在機械性撬離以及滾子脫黏或蝕刻之前完成。尚有其他實施例，其中施加超音波是在蝕刻步驟之後執行。在任何此類實施例中，施加超音波可減少其他脫黏工作的強度，因此造成較少對於功能性基材及/或載具基材的機械性或化學性傷害。特別而言，施加超音波減少或消除由機械性彎折或撬離引發的張應力，減少或消除脫黏期間化學蝕刻的需求，因此能夠增強脫黏步驟的產率。
組件的溫度以及超音波的頻率、方向與強度都是決定脫黏製程效能的重要參數。熟習此技藝者能夠選擇功能性參數與一些基於本發明所揭露的教示的測試。大體而言，溫度愈高，脫黏趨於更有效。此外，溫度能夠影響其他與施加超音波一併使用的脫黏技術(特別是蝕刻)之效能。
當脫黏滾子用於脫黏步驟，或倘若基材受撬離，期望剝離半徑至少為5 cm，在某些實施例中為至少10 cm，在某些實施例中為至少20 cm，在某些其他實施例中為至少30 cm。剝離半徑愈大，基材在剝離期間經受的應力愈低。
在某些實施例中，於脫黏步驟期間，當施加超音波時垂直放置基材組件。在其他實施例中，在此製程期間，基材是實質上水平放置。然而，為了減少基材的重力於功能性基材及/或載具基材從組件其餘部份分離期間對於張應力的負面影響，期望在基材彼此分離時(無論是施加超音波期間或之後)組件是實質上垂直放置。
接著，透過參考附加的圖式而更進一步說明本發明。
第1圖概略繪示根據本發明用於製造TFT顯示器的一個實施例之製程。在1A，提供由玻璃基材所製成的載具基材101，其具有約400 μm的厚度。在步驟(1)中，施加一層預聚合全氟化聚合物103至載具基材101的一個主要表面，以得到結構1B。在步驟(2)中，使預聚合物層103熱固化，而得到實質上無脫氣的橡膠層105，其做為黏結劑層以將載具基材黏結到稍後添加的功能性基材。在步驟(2)中，暫時性壓制基材(圖中未示)可用於在聚合期間覆蓋層103，且隨後移除以獲得聚合層105，該層105具有實質上平滑的表面或者具有表面粗糙度受到控制的表面。步驟(3)中，包含載具基材101與橡膠之聚合層105的結構1C的頂部隨後放置功能性基材107以得到結構1D。107可為薄玻璃基材，其厚度為約300μm，適於在其上製造TFT。在後續步驟(4)，基材107的相對側經處理以獲得具有結構1E的組件，該組件包括含TFT與其他功能性部件之層109。隨後，在步驟(5)，超音波施加至結構1E以助於將功能性基材107從橡膠層105與載具基材101趨於分離(結構1F)。在此實施例中需注意到，在步驟(5)結束時，橡膠層105仍黏結至載具基材101。
第1圖中步驟(5)的超音波之施加可以各種方式執行。在第2圖，完整組件1E浸在容器201的液體浴中，該液體浴包含例如液體乙醇203，透過傳感器從多方向經由容器壁將超音波205施加至液體浴中。此多方向的施加超音波可傳輸到介於功能性基材107與橡膠層105之間的黏結界面，以達成其之間有利的脫黏。在第3圖中，完整組件1E浸在容器301的液體浴中，該液體浴包含例如液體乙醇303，透過傳感器以比第2圖所示之更聚焦的方式將超音波305施加至液體浴中。此方向性的施加超音波可傳輸到介於功能性基材107與橡膠層105之間的黏結界面的目標區域，以達成其之間有利的脫黏。超音波305能夠受到導引以掃描黏結界面的全部區域以造成依序的脫黏。超音波305能受導引穿過功能性基材或 載具基材，其取決於製程最適化以及功能性部件109的相容性。
第4圖概略繪示在不將完整組件1E放置於液體浴中的情況下的超音波輔助脫黏製程。相反地，從傳感器407透過使用波導件(諸如液體介質與耦合劑等)導引超音波405從載具基材下方至黏結界面的目標區域。類似第3圖的實施例，超音波束能受導引以掃描黏結界面的全部區域而造成依序的脫黏而不使用全面、大規模的液體浴。
第5圖概略性繪示第4圖之實施例的稍微變更型式。在第5圖中，超音波束直接朝黏結界面的邊緣區域瞄準，導致從邊緣處起始潛在更快的脫黏。類似於第4圖，耦合劑503可為液體流。
如第6圖所示，在施加超音波期間或之後，分離具有表面功能性層109的功能性基材107可透過脫黏滾子601的協助而從橡膠層105與載具基材101分離，該脫黏滾子601透過例如附著劑或真空而附接109的表面。如圖所見，由於使用脫黏滾子，基材107與功能性部件層109在脫黏期間經受機械性張應力，無論是在最終滾子輔助脫黏步驟期間或之前，施加超音波都可減少該張應力。
第7圖顯示使用撬離板701與703的可能性，該等撬離板個別暫時性透過雙面附著劑附接101與109之表面(結構7A與7B)，以將功能性基材107從橡膠層105脫附(見結構7B)。由於施加超音波至黏結界面，此撬離程序獲得助益，且比其他無施加超音波的方式更容易操作。
透過下述非限制性範例而進一步說明本發明。
範例
[範例1]
使用脆性二氧化矽無機附著劑將功能性基材暫時黏結到載具基材，該功能性基材暴露至劇烈的超音波浴。觀察到微裂隙與液體穿透進入附著層。此顯示暴露至超音波能夠弱化黏結劑與功能性基材之間的黏結並且助於分離。
[範例2]
使用橡膠性附著劑(表面張力γS=17mJ/m2)將功能性基材暫時黏結到載具基材的附著強度是依循由第1圖所繪示之製程於水(表面張力γL=72mJ/m2)超音波浴中無失敗地製造及測試。相同的裝置在丙酮(一種相較於水為低表面張力的液體，γL=23mJ/m2)中測試，且觀察到脫層。
對於熟習此技藝者而言，顯然可在不背離本發明之範疇與精神下對本發明製作各種修改型式及替代形式。因此，申請人欲本發明涵蓋此發明的修改型式與替代型式，其落入附加的申請專利範圍及其等效物之範疇內。
101．．．載具基材
103．．．預聚合層
105．．．聚合層
107．．．功能性基材
109．．．功能性部件層
201．．．容器
203．．．液體乙醇
205．．．超音波
301．．．容器
303．．．液體乙醇
305．．．超音波
405．．．超音波
407．．．傳感器
503．．．耦合劑
601．．．脫黏滾子
701、703．．．撬離板
在伴隨的圖式中：
第1圖是根據一本發明之實施例、用於製造TFT顯示器之製程的概略說明圖。
第2圖概略繪示根據本發明之一實施例，透過液體浴施加超音波至一組件的步驟，該組件包含透過黏結劑層而黏結至功能性基材的載具基材。
第3圖概略繪示根據本發明之另一實施例，透過液體浴施加超音波至一組件的步驟，該組件包含透過黏結劑層而黏結至功能性基材的載具基材。
第4圖概略繪示根據本發明之一實施例，透過波導件施加超音波至一組件的步驟，該組件包含透過黏結劑層而黏結至功能性基材的載具基材。
第5圖概略繪示根據本發明之另一實施例，透過波導件施加超音波至一組件的步驟，該組件包含透過黏結劑層而黏結至功能性基材的載具基材。
第6圖概略繪示根據本發明之一實施例，透過使用脫黏滾子，將功能性基材剝離藉黏結劑層黏結至之的載具基材之步驟。
第7圖概略繪示根據本發明之一實施例，透過使用黏結至該功能性與載具基材的撬離板，將功能性基材撬離藉黏結劑層黏結至之的載具基材之步驟。
101．．．載具基材
105．．．聚合層
107．．．功能性基材
109．．．功能性部件層
503．．．耦合劑

Claims (13)

  1. 一種用於製造一元件的製程，該元件包含一薄的功能性基材，該薄的功能性基材具有一第一表面、相對於該第一表面的一第二表面、以及介於該第一表面與第二表面之間的厚度T1，該製程包含以下步驟：(A)透過在黏結界面使用黏結劑之一層，將該功能性基材的該第一表面黏結至具有一厚度T2的一載具基材；(B)處理該功能性基材的該第二表面；以及(C)藉由將一超音波朝該黏結界面的一目標區域瞄準，而將該超音波施加至該黏結界面，以使該載具基材從該功能性基材釋放，該目標區域僅為該黏結界面之一部分。
  2. 如請求項1所述之製程，其中在步驟(A)中所使用的該黏結劑包含一矽膠附著劑以及全氟化橡膠之至少一者。
  3. 如請求項1或2所述之製程，其中在步驟(C)中，透過一液體浴將該超音波施加至該黏結界面，該液體浴包含一有機溶劑，該有機溶劑具有低於20℃的水的表面張力。
  4. 如請求項1或2所述之製程，其中步驟(C)進一步包含以下步驟：在施加該超音波至該黏結界面後，從該載具基材剝離該功能性基材。
  5. 如請求項1或2所述之製程，其中在步驟(C)中，經施加該超音波以致步驟(B)中形成的該功能性部件不致於損壞。
  6. 如請求項1或2所述之製程，其中該黏結劑之該層對於該載具基材的附著比對於該功能性基材之附著更強。
  7. 如請求項6所述之製程，其中在步驟(C)的末期，該載具基材持續黏結至該黏結劑之該層。
  8. 如請求項1或2所述之製程，其中步驟(A)包含以下步驟：(A01)在該載具基材之一表面上施加該黏結劑之一預聚合層；以及接著，(A02)聚合該預聚合層以獲得黏結至該載具基材的該黏結劑之一聚合層；以及(A03)將該功能性基材之該第一表面放置於黏結劑之該聚合層上，以達成與該功能性基材的黏結，該黏結比該黏結劑及該載具基材之間的黏結弱。
  9. 如請求項1或2所述之製程，其中步驟(A)包含以下步驟：(A11)在該載具基材之一表面上形成一第一塗層之一第一層；(A12)在該第一塗層之該第一層與該功能性基材之該第一表面之間施加該黏結劑之該層。
  10. 如請求項9所述之製程，其中在步驟(A11)，該第一塗層的該第一層包含一矽烷。
  11. 如請求項1或2所述之製程，其中在該超音波掃描該黏結界面的全部區域的同時，該超音波被引導通過該功能性基材或該載具基材，從而造成該載具基材依序從該功能性基材脫黏。
  12. 如請求項1或2所述之製程，其中該超音波藉由一波導件從一傳感器引導，以引導該超音波朝向該目標區域。
  13. 如請求項1或2所述之製程，其中該目標區域包括該黏結界面之一邊緣，且其中該超音波直接朝該邊緣之區域瞄準。
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WO (1) WO2011031507A1 (zh)

Families Citing this family (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9991311B2 (en) 2008-12-02 2018-06-05 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Dual active layer semiconductor device and method of manufacturing the same
US9721825B2 (en) 2008-12-02 2017-08-01 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Method of providing a flexible semiconductor device and flexible semiconductor device thereof
US8697228B2 (en) * 2009-05-06 2014-04-15 Corning Incorporated Carrier for glass substrates
JP5594522B2 (ja) * 2009-07-03 2014-09-24 日本電気硝子株式会社 電子デバイス製造用ガラスフィルム積層体
EP2667407B1 (de) 2009-09-01 2019-01-23 EV Group GmbH Verfahren zum Ablösen eines Produktsubstrats (z.B. eines Halbleiterwafers) von einem Trägersubstrat mittels eines Lösungsmittels und Schallwellen durch Verformung eines auf einem Filmrahmen montierten flexiblen Films
KR101055473B1 (ko) * 2009-12-15 2011-08-08 삼성전기주식회사 기판 제조용 캐리어 부재 및 이를 이용한 기판의 제조방법
KR101030029B1 (ko) * 2010-01-06 2011-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US9064686B2 (en) * 2010-04-15 2015-06-23 Suss Microtec Lithography, Gmbh Method and apparatus for temporary bonding of ultra thin wafers
TWI510300B (zh) * 2010-04-27 2015-12-01 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 剝離方法及剝離裝置
EP2624326A4 (en) * 2010-09-29 2017-05-10 Posco Method for manufacturing a flexible electronic device using a roll-shaped motherboard, flexible electronic device, and flexible substrate
KR101304282B1 (ko) * 2011-05-31 2013-09-11 코스텍시스템(주) 임시 본딩된 디바이스 웨이퍼의 디본딩 방법
US20130061869A1 (en) * 2011-09-06 2013-03-14 Brewer Science Inc. Use of megasonic energy to assist edge bond removal in a zonal temporary bonding process
US10543662B2 (en) 2012-02-08 2020-01-28 Corning Incorporated Device modified substrate article and methods for making
US8790996B2 (en) 2012-07-16 2014-07-29 Invensas Corporation Method of processing a device substrate
TWI484251B (zh) * 2012-07-18 2015-05-11 The heavy method of the display device
US10014177B2 (en) * 2012-12-13 2018-07-03 Corning Incorporated Methods for processing electronic devices
WO2014093775A1 (en) * 2012-12-13 2014-06-19 Corning Incorporated Glass and methods of making glass articles
TWI617437B (zh) 2012-12-13 2018-03-11 康寧公司 促進控制薄片與載體間接合之處理
US9340443B2 (en) 2012-12-13 2016-05-17 Corning Incorporated Bulk annealing of glass sheets
US10086584B2 (en) 2012-12-13 2018-10-02 Corning Incorporated Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers
KR102077248B1 (ko) 2013-01-25 2020-02-13 삼성전자주식회사 기판 가공 방법
TWI622103B (zh) * 2013-03-14 2018-04-21 康寧公司 處理電子裝置的方法
EP2969997A1 (en) * 2013-03-15 2016-01-20 Corning Incorporated Bulk annealing of glass sheets
US20140342148A1 (en) * 2013-05-15 2014-11-20 Corning Incorporated Glass structures and methods of creating and processing glass structures
KR101772787B1 (ko) * 2013-05-31 2017-08-29 미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤 전자 부재의 박리 방법 및 적층체
US20150099110A1 (en) * 2013-10-07 2015-04-09 Corning Incorporated Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers
US10510576B2 (en) * 2013-10-14 2019-12-17 Corning Incorporated Carrier-bonding methods and articles for semiconductor and interposer processing
WO2015056602A1 (ja) 2013-10-16 2015-04-23 日本電気硝子株式会社 ガラスフィルム積層体の製造方法、ガラスフィルム積層体、電子デバイスの製造方法
KR20150056316A (ko) 2013-11-15 2015-05-26 삼성디스플레이 주식회사 소자 기판 제조 방법 및 상기 방법을 이용하여 제조한 표시 장치
WO2015156891A2 (en) 2014-01-23 2015-10-15 Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Method of providing a flexible semiconductor device and flexible semiconductor device thereof
WO2017034644A2 (en) 2015-06-09 2017-03-02 ARIZONA BOARD OF REGENTS a body corporate for THE STATE OF ARIZONA for and on behalf of ARIZONA STATE UNIVERSITY Method of providing an electronic device and electronic device thereof
US10381224B2 (en) 2014-01-23 2019-08-13 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Method of providing an electronic device and electronic device thereof
JP2017506204A (ja) * 2014-01-27 2017-03-02 コーニング インコーポレイテッド 高分子表面の担体との制御された結合のための物品および方法
KR102353030B1 (ko) 2014-01-27 2022-01-19 코닝 인코포레이티드 얇은 시트와 캐리어의 제어된 결합을 위한 물품 및 방법
JP6188614B2 (ja) * 2014-03-27 2017-08-30 富士フイルム株式会社 積層体、保護層形成用組成物、キット、および、半導体デバイスの製造方法
SG11201608442TA (en) 2014-04-09 2016-11-29 Corning Inc Device modified substrate article and methods for making
KR102466741B1 (ko) 2014-05-13 2022-11-15 아리조나 보드 오브 리젠츠 온 비하프 오브 아리조나 스테이트 유니버시티 전자 디바이스를 제공하는 방법
US9751293B2 (en) 2014-12-04 2017-09-05 Industrial Technology Research Institute Laminated substrate separating device and method for separating laminated substrate
US9741742B2 (en) 2014-12-22 2017-08-22 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Deformable electronic device and methods of providing and using deformable electronic device
US10446582B2 (en) 2014-12-22 2019-10-15 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Method of providing an imaging system and imaging system thereof
JP6450637B2 (ja) * 2015-04-21 2019-01-09 株式会社ディスコ リフトオフ方法及び超音波ホーン
KR102573207B1 (ko) 2015-05-19 2023-08-31 코닝 인코포레이티드 시트와 캐리어의 결합을 위한 물품 및 방법
CN117534339A (zh) 2015-06-26 2024-02-09 康宁股份有限公司 包含板材和载体的方法和制品
FR3038128B1 (fr) * 2015-06-26 2018-09-07 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'un dispositif electronique
WO2017066924A1 (en) * 2015-10-20 2017-04-27 Schott Glass Technologies (Suzhou) Co. Ltd. Method for post-processing of bonded article
CN106739424B (zh) 2015-11-20 2020-02-14 财团法人工业技术研究院 取下贴合装置及应用此装置的取下方法与贴合方法
CN106793488B (zh) 2015-11-20 2019-04-30 财团法人工业技术研究院 软性电子装置与软性电子装置制作工艺方法
CN105607311B (zh) * 2016-01-04 2020-06-02 京东方科技集团股份有限公司 起角装置及其使用方法
JP6686449B2 (ja) * 2016-01-12 2020-04-22 Ａｇｃ株式会社 防汚層付きガラス基体およびディスプレイ用前面板
US9704820B1 (en) * 2016-02-26 2017-07-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor manufacturing method and associated semiconductor manufacturing system
JP6670683B2 (ja) * 2016-06-07 2020-03-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎラミナテック キャリア基板と樹脂層からなるワークの分離方法および分離装置
FR3053046B1 (fr) 2016-06-24 2018-08-10 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de collage reversible entre deux elements
DE102016112977B4 (de) * 2016-07-14 2023-11-09 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiter-Wafers oder mehrerer Halbleiter-Wafer und Schutzabdeckung zum Abdecken des Halbleiter-Wafers
TW201825623A (zh) 2016-08-30 2018-07-16 美商康寧公司 用於片材接合的矽氧烷電漿聚合物
TWI821867B (zh) 2016-08-31 2023-11-11 美商康寧公司 具以可控制式黏結的薄片之製品及製作其之方法
CN109983537A (zh) * 2016-12-01 2019-07-05 艾利丹尼森零售信息服务公司 印刷电子装置的功能性衬底
JP6858587B2 (ja) * 2017-02-16 2021-04-14 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
WO2019036710A1 (en) 2017-08-18 2019-02-21 Corning Incorporated TEMPORARY BINDING USING POLYCATIONIC POLYMERS
JP6976828B2 (ja) * 2017-11-24 2021-12-08 株式会社ディスコ 剥離装置
JP7431160B2 (ja) 2017-12-15 2024-02-14 コーニング インコーポレイテッド 基板を処理するための方法および結合されたシートを含む物品を製造するための方法
FR3077284B1 (fr) 2018-01-30 2020-03-06 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede d'encapsulation d'un dispositif microelectronique, par des substrats fins ou ultrafins, facilement manipulables
JP6431631B1 (ja) * 2018-02-28 2018-11-28 株式会社フィルネックス 半導体素子の製造方法
CN108539050B (zh) * 2018-03-12 2020-07-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性面板的分离方法
KR102572801B1 (ko) * 2018-03-20 2023-08-29 코닝 인코포레이티드 디본딩 서포트 장치 및 이를 이용한 디본딩 방법
JP7027215B2 (ja) * 2018-03-27 2022-03-01 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
CN108615700A (zh) * 2018-04-26 2018-10-02 上海空间电源研究所 一种薄型太阳电池刚性-柔性衬底有机键合转移工艺方法
CN109004108B (zh) * 2018-08-02 2021-03-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的制造方法和显示面板
JP7182975B2 (ja) * 2018-09-26 2022-12-05 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッド用基板の製造方法
JP7146354B2 (ja) * 2019-01-22 2022-10-04 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
DE102019207990B4 (de) * 2019-05-31 2024-03-21 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks und System zum Bearbeiten eines Werkstücks
JP7262903B2 (ja) * 2019-08-26 2023-04-24 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
JP7262904B2 (ja) * 2019-08-26 2023-04-24 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
CN111044453A (zh) * 2019-12-27 2020-04-21 浙江锋源氢能科技有限公司 一种基材表面涂层结合力的测定方法
JP7446834B2 (ja) * 2020-01-31 2024-03-11 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
JP7511979B2 (ja) 2020-07-20 2024-07-08 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
JP7511980B2 (ja) * 2020-07-21 2024-07-08 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
KR20220014471A (ko) 2020-07-28 2022-02-07 삼성디스플레이 주식회사 반도체 소자 분리 장치 및 이를 이용한 발광 소자의 제조 방법
US11908723B2 (en) * 2021-12-03 2024-02-20 International Business Machines Corporation Silicon handler with laser-release layers
TWI812550B (zh) * 2022-11-24 2023-08-11 天虹科技股份有限公司 鍵合基板的分離方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003085965A (ja) * 2001-09-10 2003-03-20 Canon Inc リフトオフ法、リフトオフ装置、このリフトオフ法を用いて作成したｔｍｒ素子、および、このｔｍｒ素子を利用した磁気メモリ
TW558743B (en) * 2001-08-22 2003-10-21 Semiconductor Energy Lab Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
JP2009186916A (ja) * 2008-02-08 2009-08-20 Asahi Glass Co Ltd 表示装置用パネルの製造方法

Family Cites Families (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US724331A (en) 1901-01-08 1903-03-31 Alphonso Raymond Incrustation preventive and method of manufacture.
US5091331A (en) 1990-04-16 1992-02-25 Harris Corporation Ultra-thin circuit fabrication by controlled wafer debonding
JP2673623B2 (ja) * 1991-10-01 1997-11-05 旭化成工業株式会社 合成樹脂の成形法
US5281560A (en) 1993-06-21 1994-01-25 Corning Incorporated Non-lead sealing glasses
JPH0883861A (ja) * 1994-07-12 1996-03-26 Nitto Denko Corp 半導体パッケージ被覆用金属箔材料および半導体装置
JP3081122B2 (ja) * 1994-07-18 2000-08-28 シャープ株式会社 基板搬送用治具及びそれを用いた液晶表示素子の製造方法
GB9424659D0 (en) * 1994-12-07 1995-02-01 Belron Int Nv Releasing of bonded screens
CN1132223C (zh) 1995-10-06 2003-12-24 佳能株式会社 半导体衬底及其制造方法
US5882532A (en) 1996-05-31 1999-03-16 Hewlett-Packard Company Fabrication of single-crystal silicon structures using sacrificial-layer wafer bonding
US6127199A (en) 1996-11-12 2000-10-03 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US6054363A (en) 1996-11-15 2000-04-25 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing semiconductor article
EP0849788B1 (en) 1996-12-18 2004-03-10 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing semiconductor article by making use of a substrate having a porous semiconductor layer
JPH10202657A (ja) * 1997-01-21 1998-08-04 Aica Kogyo Co Ltd 接着体の分離方法
DE59807348D1 (de) * 1997-02-05 2003-04-10 Rolic Ag Zug Photovernetzbare Silanderivate
TW376585B (en) 1997-03-26 1999-12-11 Canon Kk Semiconductor substrate and process for producing same
CA2233115C (en) 1997-03-27 2002-03-12 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor substrate and method of manufacturing the same
JPH1126733A (ja) 1997-07-03 1999-01-29 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置，アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
MY118019A (en) 1998-02-18 2004-08-30 Canon Kk Composite member, its separation method, and preparation method of semiconductor substrate by utilization thereof
US6555443B1 (en) 1998-11-11 2003-04-29 Robert Bosch Gmbh Method for production of a thin film and a thin-film solar cell, in particular, on a carrier substrate
JP2000223683A (ja) 1999-02-02 2000-08-11 Canon Inc 複合部材及びその分離方法、貼り合わせ基板及びその分離方法、移設層の移設方法、並びにｓｏｉ基板の製造方法
JP2000252342A (ja) * 1999-03-01 2000-09-14 Seiko Epson Corp 薄板の搬送方法および液晶パネルの製造方法
US6375738B1 (en) 1999-03-26 2002-04-23 Canon Kabushiki Kaisha Process of producing semiconductor article
US6664169B1 (en) * 1999-06-08 2003-12-16 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing semiconductor member, process for producing solar cell, and anodizing apparatus
US6337288B1 (en) * 1999-06-28 2002-01-08 Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc. Process for the production of electronic parts
JP2001077304A (ja) * 1999-06-28 2001-03-23 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 電子部品の製造法
US6455152B1 (en) * 1999-08-31 2002-09-24 3M Innovative Properties Company Adhesive coating method and adhesive coated article
JP2001284622A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Canon Inc 半導体部材の製造方法及び太陽電池の製造方法
JP2001291689A (ja) * 2000-04-07 2001-10-19 Fujikoshi Mach Corp ウェーハの研磨装置
DE10032283A1 (de) 2000-07-03 2002-01-17 Infineon Technologies Ag Trennvorrichtung für Werkstückträger und Verfahren zum Trennen von Werkstücken von einem Träger
US6938783B2 (en) * 2000-07-26 2005-09-06 Amerasia International Technology, Inc. Carrier tape
FR2817394B1 (fr) 2000-11-27 2003-10-31 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu par ce procede
US6420243B1 (en) 2000-12-04 2002-07-16 Motorola, Inc. Method for producing SOI wafers by delamination
JP2002237515A (ja) * 2001-02-07 2002-08-23 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 薄葉化半導体基板の剥離装置および剥離法
FR2821697B1 (fr) 2001-03-02 2004-06-25 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de couches minces sur un support specifique et une application
FR2823596B1 (fr) 2001-04-13 2004-08-20 Commissariat Energie Atomique Substrat ou structure demontable et procede de realisation
JP2003109773A (ja) 2001-07-27 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、半導体装置およびそれらの作製方法
TW554398B (en) 2001-08-10 2003-09-21 Semiconductor Energy Lab Method of peeling off and method of manufacturing semiconductor device
FR2828579B1 (fr) 2001-08-13 2004-01-30 St Microelectronics Sa Procede de manipulation d'une plaquette de silicium mince
US6949294B2 (en) * 2002-02-15 2005-09-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Radiation curing silicone rubber composition and adhesive silicone elastomer film
FR2837620B1 (fr) 2002-03-25 2005-04-29 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d'elements de substrat a substrat
US7223672B2 (en) 2002-04-24 2007-05-29 E Ink Corporation Processes for forming backplanes for electro-optic displays
FR2874455B1 (fr) 2004-08-19 2008-02-08 Soitec Silicon On Insulator Traitement thermique avant collage de deux plaquettes
EP1363319B1 (en) 2002-05-17 2009-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of transferring an object and method of manufacturing a semiconductor device
TWI272641B (en) 2002-07-16 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
US20050136625A1 (en) 2002-07-17 2005-06-23 Debora Henseler Ultra-thin glass devices
FR2842647B1 (fr) 2002-07-17 2004-09-17 Soitec Silicon On Insulator Procede de transfert de couche
DE20215401U1 (de) * 2002-10-07 2004-02-19 Schott Glas Verbund aus einem Dünnstsubsrat und einem Trägersubstrat mit lösbarem Verbindungsmittel
AU2003283248A1 (en) 2002-10-07 2004-05-04 Schott Ag Extremely thin substrate support
EP1429381B1 (en) 2002-12-10 2011-07-06 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies A method for manufacturing a material compound
FR2850390B1 (fr) 2003-01-24 2006-07-14 Soitec Silicon On Insulator Procede d'elimination d'une zone peripherique de colle lors de la fabrication d'un substrat composite
TWI222545B (en) 2003-02-27 2004-10-21 Toppoly Optoelectronics Corp Method of transferring a thin film device onto a plastic sheet and method of forming a flexible liquid crystal display
FR2855908B1 (fr) 2003-06-06 2005-08-26 Soitec Silicon On Insulator Procede d'obtention d'une structure comprenant au moins un substrat et une couche ultramince
US20050001201A1 (en) 2003-07-03 2005-01-06 Bocko Peter L. Glass product for use in ultra-thin glass display applications
DE10339998B3 (de) 2003-08-29 2005-01-27 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Verbinden einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats mit einer Oberfläche eines Trägers
FR2859312B1 (fr) 2003-09-02 2006-02-17 Soitec Silicon On Insulator Scellement metallique multifonction
JP2005079553A (ja) 2003-09-03 2005-03-24 Seiko Epson Corp 転写方法、剥離方法、及び剥離装置
US7091108B2 (en) 2003-09-11 2006-08-15 Intel Corporation Methods and apparatuses for manufacturing ultra thin device layers for integrated circuit devices
DE10348946B4 (de) 2003-10-18 2008-01-31 Schott Ag Bearbeitungsverbund für ein Substrat
EP2259300B1 (en) 2003-10-28 2020-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacture of semiconductor device
JP2005136214A (ja) 2003-10-30 2005-05-26 Nec Corp 薄膜デバイス基板の製造方法
JP2006135272A (ja) * 2003-12-01 2006-05-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板のサポートプレート及びサポートプレートの剥離方法
US7084045B2 (en) 2003-12-12 2006-08-01 Seminconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US7138338B2 (en) * 2004-03-29 2006-11-21 Nanya Technology Corporation Method and composite hard mask for forming deep trenches in a semiconductor substrate
WO2005114621A1 (en) * 2004-05-14 2005-12-01 Impaq, Inc. Peel-off label and methods of utilizing the same
EP1605502A1 (en) 2004-06-08 2005-12-14 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Transfer method for the manufacturing of electronic devices
US8232182B2 (en) 2004-09-07 2012-07-31 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of electronic and photonic systems on flexible substrates by layer transfer method
JP4842534B2 (ja) * 2004-10-29 2011-12-21 矢崎総業株式会社 接着体の分離方法
JP2008532317A (ja) 2005-02-28 2008-08-14 シリコン・ジェネシス・コーポレーション レイヤ転送プロセス用の基板強化方法および結果のデバイス
GB2444189B (en) * 2005-08-02 2011-09-21 World Properties Inc Silicone compositions, methods of manufacture, and articles formed therefrom
US7166520B1 (en) 2005-08-08 2007-01-23 Silicon Genesis Corporation Thin handle substrate method and structure for fabricating devices using one or more films provided by a layer transfer process
US7545042B2 (en) * 2005-12-22 2009-06-09 Princo Corp. Structure combining an IC integrated substrate and a carrier, and method of manufacturing such structure
TWI285424B (en) * 2005-12-22 2007-08-11 Princo Corp Substrate including a multi-layer interconnection structure, methods of manufacturing and recycling the same, method of packaging electronic devices by using the same, and method of manufacturing an interconnection device
TWI379409B (en) * 2006-09-29 2012-12-11 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing semiconductor device
JP5019370B2 (ja) * 2007-07-12 2012-09-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 基板の洗浄方法および洗浄装置
US20090120368A1 (en) * 2007-11-08 2009-05-14 Applied Materials, Inc. Rotating temperature controlled substrate pedestal for film uniformity

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW558743B (en) * 2001-08-22 2003-10-21 Semiconductor Energy Lab Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
JP2003085965A (ja) * 2001-09-10 2003-03-20 Canon Inc リフトオフ法、リフトオフ装置、このリフトオフ法を用いて作成したｔｍｒ素子、および、このｔｍｒ素子を利用した磁気メモリ
JP2009186916A (ja) * 2008-02-08 2009-08-20 Asahi Glass Co Ltd 表示装置用パネルの製造方法

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