JP7446834B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
研磨パッドの研磨面から引き離すときに前記純水供給部材によって前記研磨パッドの研磨面に供給される純水中に気泡を発生させるための気泡発生部材と、を含む、基板処理装置が開示される。
ロードモジュール100は、研磨および洗浄などの処理が行われる前の基板WFを基板処理装置1000内へ導入するためのモジュールである。一実施形態において、ロードモジュール100は、SMEMA(Surface Mount Equipment Manufacturers Association)の機械装置インタフェース規格(IPC-SMEMA-9851)に準拠するように構成される。
、ローラシャフト204などを介して電気的に接地される。これは、基板WFが帯電して基板WF上の電子デバイス等を損傷することを防止するためである。また、一実施形態において、ロードモジュール100に、基板WFの帯電を防止するためにイオナイザー(図示せず)を設けてもよい。
図1に示される基板処理装置1000は、2つの搬送モジュール200A、200Bを備えている。2つの搬送モジュール200A、200Bは同一の構成とすることができるので、以下において、一括して搬送モジュール200として説明する。
図2は一実施形態による、研磨モジュール300を概略的に示す斜視図である。図1に示される基板処理装置1000は、2つの研磨モジュール300A、300Bを備えている。2つの研磨モジュール300A、300Bは同一の構成とすることができるので、以下において、一括して研磨モジュール300として説明する。
マイザ358から噴射される液体は、例えば、純水であり、気体は、例えば、窒素ガスである。
ド本体306に対して相対的に上下動可能となっている。圧力室Prには流体路316が連通しており、加圧空気等の加圧流体が流体路316を通じて圧力室Prに供給されるようになっている。圧力室Prの内部圧力は調整可能となっている。したがって、基板WFの研磨パッド352に対する押圧力とは独立してリテーナ部材308の研磨パッド352に対する押圧力を調整することができる。
<気泡発生部材>
乾燥モジュール500は、基板WFを乾燥させるための装置である。図1に示される基板処理装置1000においては、乾燥モジュール500は、研磨モジュール300で研磨された後に、搬送モジュール200の洗浄部で洗浄された基板WFを乾燥させる。図1に示されるように、乾燥モジュール500は、搬送モジュール200の下流に配置される。
アンロードモジュール600は、研磨および洗浄などの処理が行われた後の基板WFを基板処理装置1000の外へ搬出するためのモジュールである。図1に示される基板処理装置1000においては、アンロードモジュール600は、乾燥モジュール500で乾燥された後の基板を受け入れる。図1に示されるように、アンロードモジュール600は、乾燥モジュール500の下流に配置される。一実施形態において、アンロードモジュール600は、SMEMA(Surface Mount Equipment Manufacturers Association)の機械装置インタフェース規格(IPC-SMEMA-9851)に準拠するように構成される。
理装置を開示する。
350 研磨テーブル
352 研磨パッド
352a 研磨面
353 流路
355 開口部
357 貫通孔
370 研磨液供給部材
372 第1の配管
376 第1の弁
378 研磨液流量コントローラ
380 純水供給部材
382 第2の配管
386 第2の弁
388 純水流量コントローラ
390 気泡発生部材
391 気体供給部材
392 第3の配管
396 第3の弁
398 気体流量コントローラ
399 超音波振動子
900 制御装置
1000 基板処理装置
S101 研磨液供給ステップ
S102 接触ステップ
S103 相対運動ステップ
S104 純水供給ステップ
S106 気泡発生ステップ
S108 圧力解除ステップ
S110 引き離しステップ
SL 研磨液
WF 基板
Claims (8)
- 開口部および前記開口部に連通する流路を有するテーブルと、
貫通孔を有し、前記貫通孔が前記開口部に連通するように前記テーブルに貼り付けられた、基板を研磨するための研磨パッドと、
前記基板を保持して前記研磨パッドの研磨面に接触させたり前記研磨面から引き離したりするためのトップリングと、
前記流路、前記開口部、および前記貫通孔を介して前記研磨パッドの研磨面に研磨液を供給するための研磨液供給部材と、
前記流路、前記開口部、および前記貫通孔を介して前記研磨パッドの研磨面に純水を供給するための純水供給部材と、
前記基板を前記研磨パッドの研磨面から引き離すときに前記純水供給部材によって前記研磨パッドの研磨面に供給される前記純水中に気泡を発生させるための気泡発生部材と、
を含む、基板処理装置。 - 前記気泡発生部材は、前記純水供給部材から前記研磨パッドの研磨面に供給される前記純水に空気または不活性ガスを含む気体を注入するための気体供給部材を含む、
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記気泡発生部材は、前記純水供給部材から前記研磨パッドの研磨面に前記純水を供給するための前記流路に設けられた超音波振動子を含む、
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記純水供給部材から前記研磨パッドの研磨面に供給される前記純水の流量を調整するための純水流量コントローラと、前記気体供給部材から前記研磨パッドの研磨面に供給される前記気体の流量を調整するための気体流量コントローラと、前記純水流量コントローラによる前記純水の流量および前記気体流量コントローラによる前記気体の流量を制御するための制御装置と、をさらに含む、
請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記制御装置は、前記基板を前記研磨パッドの研磨面から引き離すときに前記純水流量コントローラによる前記純水の流量および前記気体流量コントローラによる前記気体の流量を制御することによって前記純水と前記気体の流量比率を調整するように構成される、
請求項4に記載の基板処理装置。 - 開口部および前記開口部に連通する流路を有するテーブルと、
貫通孔を有し、前記貫通孔が前記開口部に連通するように前記テーブルに貼り付けられた、基板を研磨するための研磨パッドと、
前記基板を保持して前記研磨パッドの研磨面に接触させたり前記研磨面から引き離したりするためのトップリングと、
を含む、基板処理装置による基板処理方法であって、
基板を研磨するための、前記流路、前記開口部、および前記貫通孔を介して前記研磨パッドの研磨面に研磨液を供給する研磨液供給ステップと、
基板を保持する前記トップリングを降下させて、前記基板を前記研磨パッドの研磨面に接触させる接触ステップと、
前記基板と前記研磨パッドとを相対運動させる相対運動ステップと、
前記流路、前記開口部、および前記貫通孔を介して前記研磨パッドの前記研磨面に純水を供給する純水供給ステップと、
前記純水供給ステップによって前記研磨パッドの研磨面に供給される純水中に気泡を発生させる気泡発生ステップと、
前記気泡発生ステップによって純水中に気泡を発生させながら前記基板を前記研磨パッドの研磨面から引き離す引き離しステップと、
を含む、基板処理方法。 - 前記気泡発生ステップは、前記純水供給ステップによって前記研磨パッドの研磨面に供給される前記純水に空気または不活性ガスを含む気体を注入する気体注入ステップを含む、
請求項6に記載の基板処理方法。 - 前記気泡発生ステップは、前記純水供給ステップにおいて前記研磨パッドの研磨面に純水を供給するための流路に設けられた超音波振動子を振動させる振動ステップを含む、
請求項6に記載の基板処理方法。
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