DE102016112977B4 - Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiter-Wafers oder mehrerer Halbleiter-Wafer und Schutzabdeckung zum Abdecken des Halbleiter-Wafers - Google Patents

Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiter-Wafers oder mehrerer Halbleiter-Wafer und Schutzabdeckung zum Abdecken des Halbleiter-Wafers Download PDF

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Abstract

Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiter-Wafers (102, 202), wobei der Halbleiter-Wafer (102, 202) aufweist:• eine erste Hauptprozessierseite (102t) und eine zweite Hauptprozessierseite (102b), die der ersten Hauptprozessierseite (102t) gegenüberliegt;• wobei der Halbleiter-Wafer (102, 202) auf der ersten Hauptprozessierseite (102t) mindestens einen Schaltkreisbereich (102s) mit mindestens einem elektronischen Schaltkreis (104) aufweist; wobei das Verfahren aufweist:• Bilden einer den mindestens einen Schaltkreisbereich (102s) zumindest teilweise umgebenden Versteifungsstruktur (106), welche den Halbleiter-Wafer (102, 202) versteift, wobei die Versteifungsstruktur (106) zumindest über einem Teil des mindestens einen Schaltkreisbereichs (102s) eine Aussparung (106a) aufweist;• Bilden eines Füllkörpers (402) in der Aussparung (106a), welcher mit dem Schaltkreisbereich (102s) in körperlichem Kontakt ist und sich von der Versteifungsstruktur (106) unterscheidet; und/oder Bilden einer Versteifungsstruktur-Abdeckung (306) über der Aussparung (106a), wobei die Versteifungsstruktur (106) zwischen der Versteifungsstruktur-Abdeckung (306) und dem Schaltkreisbereich (102s) angeordnet ist;• Dünnen des Halbleiter-Wafers (102, 202), der die Versteifungsstruktur (106) sowie die Versteifungsstruktur-Abdeckung (306) und/oder den Füllkörper (402) aufweist, von der zweiten Hauptprozessierseite (102b) aus.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiter-Wafers oder mehrerer Halbleiter-Wafer und eine Schutzabdeckung zum Abdecken des Halbleiter-Wafers.
  • Im Allgemeinen kann ein Halbleiterchip (auch als integrierte Schaltung, IC, Chip oder Mikrochip bezeichnet) in der Halbleitertechnologie auf und/oder in einem Wafer (bzw. einem Substrat oder einem Träger) prozessiert, vereinzelt und eingebettet werden. Ein fertig hergestellter Chip (z.B. eine eingebettete integrierte Schaltung) kann in oder auf einem Träger montiert und kontaktiert werden, um eine bestimmte Funktionalität, wie z.B. das Schalten elektrischer Ströme, bereitzustellen. Um resistive Verluste des Chips zu reduzieren, was insbesondere bei hohen elektrischen Strömen dessen Leistungsaufnahme verringert, kann der Chip insgesamt möglichst dünn hergestellt werden, so dass ein vertikaler Strompfad durch den Chip hindurch so kurz wie möglich ist. Zum Herstellen solcher Chips werden entsprechend dünne Wafer benötigt, z.B. zur Herstellung von Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs), Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (auch als IGBT bezeichnet, engl. „insulated-gate bipolar transistor“) oder emitter-gesteuerten Dioden (auch als Emcon-Diode bezeichnet, engl. „emitter controlled diode“).
  • Die Bearbeitung entsprechend dünner Wafer kann eine besondere Herausforderung darstellen, da diese sehr empfindlich und mechanisch nicht belastbar sind. Herkömmlicherweise wird ein dünner Wafer daher mechanisch versteift, um einer Beschädigung des dünnen Wafers durch dessen Deformation entgegenzuwirken. Die Versteifung des dünnen Wafers kann beispielsweise erforderlich werden, während dessen Rückseite auf die gewünschte Dicke gedünnt wird. Ebenso können andere Prozesse, wie beispielsweise Transport des Wafers oder Reinigen des Wafers, eine Versteifung erfordern.
  • Herkömmlicherweise wird zur Versteifung des Wafers dessen Rückseite selektiv abgeschliffen, so dass der Rand des Wafers stehen bleibt (z.B. auch als rückseitiger Stützring bezeichnet), welcher den gedünnten Bereich des Wafers umgibt. Alternativ oder zusätzlich wird der Wafer während des Dünnens oder nach dem Dünnen mit seiner Vorderseite auf einen planaren Träger geklebt, welche ein zusammen ein verklebtes Laminat bilden.
  • Allerdings ist es nur mit großem Aufwand zu verhindern, dass der zum Bekleben der Vorderseite des Wafers verwendete Kleber in direkten Kontakt mit den elektronischen Schaltkreisen kommt. Daher wird herkömmlicherweise ein Kleber verwendet, welcher sich leicht wieder lösen lässt, so dass Beschädigungen an den elektronischen Schaltkreisen, welche auf der Vorderseite des Wafers befinden, möglichst vermieden werden. Dennoch lässt sich eine Benetzung der Vorderseite mit dem Kleber nicht vermeiden, und selbst leicht lösbare Kleber sind nur mit erheblichem Aufwand rückstandsfrei zu entfernen. Dies wird durch polymerbasierte Kleber erreicht, welche allerdings die Temperaturen, welchen das verklebte Laminat ausgesetzt werden kann, beschränkt (z.B. auf weniger als 200°C). Ebenso vergrößern leicht wieder zu lösende Kleber die Gefahr, dass sich das Laminat vorzeitig löst.
  • Das verklebte Laminat erschwert das chemisch-mechanische Polieren der Rückseite des Wafers oder macht dieses im Wesentlichen unmöglich. Insbesondere erschwert die nicht planare Rückseite des Laminats dessen weitere Verarbeitung und macht weitere Anpassungen nötig, z.B. wenn ein Wafer-Chuck verwendet werden soll.
  • US 2006 / 0 040 467 A1 beschreibt einen Wafer, welcher eine Randverdickung aus Polymer zur Versteifung aufweist, und einen Chuck, welcher eine Nut aufweist, die die Randverdickung aufnehmen kann, wenn der Wafer auf dem Chuck aufgelegt ist, wobei der Chuck eine Ansaugvorrichtung ist, auf welche der Wafer aufgelegt und pneumatisch festgehalten werden kann.
  • US 2016 / 0 086 838 A1 beschreibt einen wiederverwendbaren Unterstützungsring, der an einem Wafer lösbar befestigt werden kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen werden ein Verfahren und eine Schutzabdeckung bereitgestellt, welche das Bearbeiten eines Halbleiter-Wafers oder mehrerer Halbleiter-Wafer vereinfachen. Anschaulich kann der Kontakt eines Schaltkreisbereiches des Halbleiter-Wafers, in dem ein oder jeder elektronischer Schaltkreis (auch als Halbleiterschaltkreis oder integrierter Schaltkreis bezeichnet) angeordnet ist, mit einem Kleber im Wesentlichen vermieden werden, z.B. indem eine ringförmige Versteifungsstruktur zwischen den planaren Träger und den oder jeden Schaltkreis angeordnet wird. Die Versteifungsstruktur kann anschaulich als Abstandshalter eingerichtet sein, so dass ein Kontakt des planaren Trägers und/oder eines Klebstoffs mit dem oder jedem Schaltkreis vermieden werden kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine zusätzliche Versteifungswirkung bereitgestellt werden, indem ein Füllkörper verwendet wird, welcher den aufgrund des Abstandshalters hohlliegenden Schaltkreisbereich zusätzlich abstützt. Der Füllkörper kann anschaulich eine flächige Versteifungswirkung bereitstellen, welche so wenig Kraft wie möglich auf den Schaltkreisbereich ausübt. Beispielsweise kann der Schaltkreisbereich frei von einem Klebstoff sein oder bleiben. Mit anderen Worten kann der Füllkörper den Schaltkreisbereich mit dem planaren Träger mechanisch koppeln.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das bereitgestellte Verfahren und/oder die Schutzabdeckung eine Wiederverwendung der zur Versteifung verwendeten Komponenten ermöglichen, so dass der erforderliche Materialaufwand verringert und/oder das Bearbeiten mehrerer Halbleiter-Wafer erleichtert wird. Beispielsweise lassen sich dadurch Kosten (z.B. Lagerhaltungskosten und/oder Herstellungskosten) sparen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine, z.B. wiederverwendbare, Schutzabdeckung und/oder eine, z.B. wiederverwendbare, Versteifungsstruktur bereitgestellt sein oder werden, welche das Bearbeiten eines Halbleiter-Wafers oder mehrerer Halbleiter-Wafer vereinfachen kann und Kosten sparen kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren aufweisen, einen Halbleiter-Wafer zu bearbeiten, welcher eine erste Hauptprozessierseite und eine zweite Hauptprozessierseite aufweist, die der ersten Hauptprozessierseite gegenüberliegt; wobei der Halbleiter-Wafer auf der ersten Hauptprozessierseite mindestens einen Schaltkreisbereich mit mindestens einem elektronischen Schaltkreis aufweist. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Bearbeiten des Halbleiter-Wafers aufweisen: Bilden einer den mindestens einen Schaltkreisbereich zumindest teilweise umgebenden Versteifungsstruktur, welche den Halbleiter-Wafer versteift, wobei die Versteifungsstruktur zumindest über einem Teil des mindestens einen Schaltkreisbereichs eine Aussparung aufweist; Dünnen des Halbleiter-Wafers, der die Versteifungsstruktur aufweist, von der zweiten Hauptprozessierseite aus.
  • Das Dünnen des Halbleiter-Wafers kann aufweisen, von diesem Material zu entfernen, d.h. von der mittels des Dünnens bearbeiteten Hauptprozessierseite des Halbleiter-Wafers. Beispielsweise kann das Dünnen des Halbleiter-Wafers ein Trennen des Halbleiter-Wafers auf der zweiten Hauptprozessierseite aufweisen, z.B. mittels Zerteilens, mittels Abtragens und/oder mittels Spanens.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren aufweisen, einen Halbleiter-Wafer zu bearbeiten, welcher eine erste Hauptprozessierseite und eine zweite Hauptprozessierseite aufweist, die der ersten Hauptprozessierseite gegenüberliegt; wobei der Halbleiter-Wafer auf der ersten Hauptprozessierseite mindestens einen Schaltkreisbereich mit mindestens einem elektronischen Schaltkreis aufweist. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Bearbeiten des Halbleiter-Wafers aufweisen: Bilden einer den mindestens einen Schaltkreisbereich zumindest teilweise umgebenden Versteifungsstruktur, welche den Halbleiter-Wafer versteift, wobei die Versteifungsstruktur zumindest über einem Teil des mindestens einen Schaltkreisbereichs eine Aussparung aufweist; Dünnen des Halbleiter-Wafers, der die Versteifungsstruktur aufweist, indem Material von der zweiten Hauptprozessierseite des Halbleiter-Wafers entfernt wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren aufweisen, einen ersten Halbleiter-Wafer und einen zweiten Halbleiter-Wafer zu bearbeiten, von denen jeder Halbleiter-Wafer Folgendes aufweist: eine erste Hauptprozessierseite und eine zweite Hauptprozessierseite, die der ersten Hauptprozessierseite gegenüberliegt; und einen Schaltkreisbereich mit mindestens einem elektronischen Schaltkreis auf der ersten Hauptprozessierseite. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren aufweisen: Bilden einer den mindestens einen Schaltkreisbereich des ersten Halbleiter-Wafers zumindest teilweise (d.h. teilweise oder vollständig) umgebenden Versteifungsstruktur, welche den ersten Halbleiter-Wafer versteift, wobei die Versteifungsstruktur zumindest über einem Teil des mindestens einen Schaltkreisbereichs des ersten Halbleiter-Wafers eine Aussparung aufweist; Bearbeiten des ersten Halbleiter-Wafers; Entfernen der Versteifungsstruktur von dem ersten Halbleiter-Wafer; und Versteifen des zweiten Halbleiter-Wafers mittels der Versteifungsstruktur.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren aufweisen, einen Halbleiter-Wafer zu bearbeiten, welcher eine erste Hauptprozessierseite und eine zweite Hauptprozessierseite aufweist, die der ersten Hauptprozessierseite gegenüberliegt; wobei der Halbleiter-Wafer auf der ersten Hauptprozessierseite mindestens einen Schaltkreisbereich mit mindestens einem elektronischen Schaltkreis aufweist. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Bearbeiten des Halbleiter-Wafers aufweisen: Bilden einer Schutzabdeckung über dem Schaltkreisbereich, wobei die Schutzabdeckung zumindest über einem Teil des mindestens einen Schaltkreisbereichs eine Aussparung aufweist, welche zu dem Schaltkreisbereich hin geöffnet ist derart, dass zwischen der Schutzabdeckung und dem Schaltkreisbereich ein Hohlraum gebildet ist; Bearbeiten des Halbleiter-Wafers, der die Schutzabdeckung aufweist, von der zweiten Hauptprozessierseite aus.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren aufweisen, einen Halbleiter-Wafer zu bearbeiten, welcher eine erste Hauptprozessierseite und eine zweite Hauptprozessierseite aufweist, die der ersten Hauptprozessierseite gegenüberliegt; wobei der Halbleiter-Wafer auf der ersten Hauptprozessierseite mindestens einen Schaltkreisbereich mit mindestens einem elektronischen Schaltkreis aufweist. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Bearbeiten des Halbleiter-Wafers aufweisen: Bilden einer Schutzabdeckung über dem Schaltkreisbereich, wobei die Schutzabdeckung zumindest über einem Teil des mindestens einen Schaltkreisbereichs eine Aussparung aufweist, welche zu dem Schaltkreisbereich hin geöffnet ist; staubdichtes (z.B. vakuumdichtes) Abdichten der Aussparung mittels eines Verschlusses; Bearbeiten des Halbleiter-Wafers, der die Schutzabdeckung aufweist, von der zweiten Hauptprozessierseite aus.
  • Das Abdichten der Aussparung kann mittels eines Füllkörpers, der in der Aussparung angeordnet wird, erfolgen und/oder mittels einer Versteifungsstruktur-Abdeckung, welche über der Aussparung angeordnet wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Verschluss gebildet werden, indem die Aussparung mittels einer Versteifungsstruktur-Abdeckung (in einem Abstand von dem Schaltkreisbereich) abgedeckt wird; und/oder indem ein Füllkörper in der Aussparung angeordnet wird.
  • Das Bilden der Schutzabdeckung kann aufweisen: staubdichtes Verschließen der Aussparung, indem ein Füllkörper in der Aussparung gebildet wird und/oder indem die Aussparung mittels einer Versteifungsstruktur-Abdeckung abgedeckt wird.
  • Als staubdicht verschlossen kann verstanden werden, dass optional zwar Gas in die Aussparung eindringen kann, allerdings im Wesentlichen kein Feststoff, z.B. in Form von Staub. Damit kann eine Verschmutzung verhindert werden. Staub kann verstanden werden als feinste feste Teilchen (Feststoffpartikel), die in einem Gas, insbesondere in der Luft aufgewirbelt, schweben können, z.B. aufweisend eine Partikelgröße in einem Bereich von ungefähr 0,1 µm (Mikrometer) bis ungefähr 10 µm. Optional kann die Aussparung auch gasdicht verschlossen werden, so dass z.B. auch kein Gas eindringen kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren ferner aufweisen: Bilden eines Füllkörpers in der Aussparung, welcher mit dem Schaltkreisbereich in körperlichem Kontakt ist und sich von der Versteifungsstruktur unterscheidet. Alternativ oder zusätzlich kann das Verfahren aufweisen: Bilden einer Versteifungsstruktur-Abdeckung über der Aussparung, wobei die Versteifungsstruktur zwischen der Versteifungsstruktur-Abdeckung und dem Schaltkreisbereich angeordnet ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Füllkörper zumindest eines von Folgenden aufweisen: ein kleineres Elastizitätsmodul als die Versteifungsstruktur; ein kleineres Kompressionsmodul als die Versteifungsstruktur; eine kleinere Scherfestigkeit als die Versteifungsstruktur; eine kleinere Viskosität als die Versteifungsstruktur; eine kleinere Dichte als die Versteifungsstruktur; eine kleinere Härte als der Schaltkreisbereich; und/oder eine größere Porosität als die Versteifungsstruktur.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bilden des Füllkörpers aufweisen, ein Material in Aussparung anzuordnen, welches zumindest eines von Folgenden aufweisen: ein kleineres Elastizitätsmodul als die Versteifungsstruktur; ein kleineres Kompressionsmodul als die Versteifungsstruktur; eine kleinere Scherfestigkeit als die Versteifungsstruktur; eine kleinere Viskosität als die Versteifungsstruktur; eine kleinere Dichte als die Versteifungsstruktur; eine kleinere Härte als der Schaltkreisbereich; und/oder eine größere Porosität als die Versteifungsstruktur.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Bilden des Füllkörpers aufweisen ein Material in die Aussparung hinzubringen und/oder dieses darin zu verfestigen, während der Halbleiter-Wafer die Versteifungsstruktur aufweist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Material durch eine Öffnung der Versteifungsstruktur-Abdeckung hindurch in die Aussparung hineingebracht werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Material durch eine Öffnung der Versteifungsstruktur hindurch in die Aussparung hineingebracht werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Material durch eine Öffnung zwischen der Versteifungsstruktur und der Versteifungsstruktur-Abdeckung hindurch in die Aussparung hineingebracht werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bilden des Füllkörpers aufweisen, eine verformbare Hülle in die Aussparung hinzubringen, welche darin mittels des Materials verformt wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bilden des Füllkörpers aufweisen, eine Trennschicht in die Aussparung hinzubringen, welche zwischen das Material und den Schaltkreisbereich angeordnet ist oder wird. Alternativ oder zusätzlich zu der Trennschicht kann beispielsweise eine reversible Schutzschicht über dem Schaltkreisbereich gebildet sein oder werden. Die Trennschicht und/oder die Schutzschicht können eine ausreichende Temperaturfestigkeit gegenüber nachfolgenden Prozessen aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Material ein Fluid aufweisen und/oder viskos sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Fluid verstanden werden als ein gasförmiges Material (d.h. ein Gas) und/oder als ein flüssiges Material (d.h. eine Flüssigkeit), z.B. eine Mischung davon (z.B. ein Aerosol). Das Fluid kann eine Viskosität aufweisen, z.B. eine kleiner Viskosität als der Schaltkreisbereich (oder allgemeiner eine kleinere Viskosität als ein Festkörper), z.B. kleiner als 106 Pascal·Sekunden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Material ein Treibmittel und/oder ein Gas aufweisen, zum Beispiel in dem Fluid gelöst.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bilden des Füllkörpers aufweisen, den Füllkörper an eine Topografie des Schaltkreisbereichs anzupassen. Das Anpassen kann beispielsweise erfolgen, indem der Füllkörper in fluidem und/oder viskosem Zustand in die Aussparung gebracht wird und darin aushärtet. Alternativ oder zusätzlich kann das Anpassen beispielsweise erfolgen, indem der Füllkörper mechanisch mittels der Topografie verformt wird (z.B. indem eine oder mehrere Poren des Füllkörpers kollabieren). Beispielsweise kann der Füllkörper bei einer kleineren Kraft verformt und/oder komprimiert sein oder werden als der Schaltkreisbereich. Alternativ oder zusätzlich kann der Füllkörper ein kompressibles Material aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. ein mehr oder leichter kompressibles Material als der Schaltkreisbereich.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Füllkörper ein Laminat aufweisen oder daraus gebildet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Füllkörper ein Polymer aufweisen oder daraus gebildet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Füllkörper eine Temperaturstabilität von 400°C oder mehr aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Füllkörper eine Temperaturstabilität von 900°C oder mehr aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Füllkörper (z.B. dessen Trennschicht) und/oder kann die Schutzschicht eine kleinere Adhäsion (z.B. Haftkraft, z.B. Klebekraft) zu dem Schaltkreisbereich aufweisen als die Versteifungsstruktur zu dem Schaltkreisbereich.
  • Als Adhäsion kann die Haftkraft (auch als Adhäsionskraft bezeichnet) zwischen zwei Kontaktflächen verstanden werden, z.B. zwischen zweiunterschiedlichen oder gleichen Strukturen (z.B. eine Schicht oder ein Bereich), welche von Molekularkräften vermittelt werden. Die Strukturen können sich in festem oder in flüssigem Zustand befinden. Im Zusammenhang mit einem Klebstoff kann unter Adhäsion die Haftung von des Klebstoffs an einer Kontaktfläche oder zwischen zwei Kontaktflächen (z.B. den Fügeteiloberflächen) verstanden werden. Die Adhäsion kann mit anderen Worten als Haftwirkung verstanden werden. Die Größe der Adhäsion kann von der Größe der Kontaktflächen, deren topografischen Beschaffenheit und/oder deren chemischer Zusammensetzung beeinflusst werden. Eine größere Adhäsion kann eine größere Haftkraft (auf die Größer der Kontaktfläche normiert) zur Folge haben, z.B. eine größere Klebekraft. Die Haftkraft lässt sich durch einen Zugversuch (indem beide Strukturen auseinander gezogen werden) ermitteln und gegebenenfalls auf die in Kontakt stehende Fläche normieren, so dass diese vergleichbar ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Füllkörper (z.B. dessen Trennschicht) und/oder kann die Schutzschicht eine kleinere Adhäsion (z.B. Haftkraft, z.B. Klebekraft) zu dem Schaltkreisbereich aufweisen als die Versteifungsstruktur zu der Versteifungsstruktur-Abdeckung.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Füllkörper (z.B. dessen Trennschicht) und/oder kann die Schutzschicht frei von einer Adhäsion (z.B. Haftkraft, z.B. Klebekraft) zu dem Schaltkreisbereich sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bilden der Versteifungsstruktur aufweisen, die Versteifungsstruktur und den Schaltkreisbereich zusammenzufügen, während der Füllkörper an der Versteifungsstruktur befestigt ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bilden der Versteifungsstruktur-Abdeckung aufweisen, die Versteifungsstruktur-Abdeckung und die Versteifungsstruktur zusammenzufügen, während der Füllkörper an der Versteifungsstruktur-Abdeckung befestigt ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Versteifungsstruktur-Abdeckung einen Vorsprung aufweisen, welcher sich in die Aussparung hinein erstreckt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bilden der Versteifungsstruktur-Abdeckung aufweisen, die Versteifungsstruktur und die Versteifungsstruktur-Abdeckung miteinander zu verbinden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren ferner aufweisen: Entfernen (und/oder Ablösen) der Versteifungsstruktur-Abdeckung von der Versteifungsstruktur; und Bearbeiten eines zusätzlichen Halbleiter-Wafers, welcher die Versteifungsstruktur-Abdeckung aufweist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren ferner aufweisen: Herausbringen des Füllkörpers aus der Aussparung; und Hineinbringen des Füllkörpers in eine Aussparung eines zusätzlichen Halbleiter-Wafers (auch als zweite Halbleiter-Wafers bezeichnet).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Versteifungsstruktur-Abdeckung einen Halbleiter und/oder eine Keramik aufweisen und/oder ein Polymer, z.B. ein Gemisch aus mehreren Polymeren.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Keramik und/oder der Schaltkreisbereich den Halbleiter aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Versteifungsstruktur-Abdeckung gebildet sein oder werden, indem ein keramikbildendes Polymer in die Keramik umgewandelt wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein thermischer Ausdehnungskoeffizient der Versteifungsstruktur-Abdeckung in einem Bereich von ungefähren 50 % bis ungefähr 150% eines thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Schaltkreisbereichs liegen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bilden einer Versteifungsstruktur-Abdeckung aufweisen, eine zerstörungsfrei lösbare Verbindung zwischen der Versteifungsstruktur-Abdeckung und der Versteifungsstruktur zu bilden. Die zerstörungsfrei lösbare Verbindung (auch als reversible Verbindung oder lösbare Verbindung bezeichnet) kann beispielsweise mittels eines Klebers oder mittels einer magnetischen Kraft gebildet sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bilden einer Versteifungsstruktur-Abdeckung aufweisen, die Versteifungsstruktur-Abdeckung und die Versteifungsstruktur miteinander zu verbinden mittels eines lichtsensitiven Klebers, mittels eines thermosensitiven Klebers und/oder mittels eines Formschlusses.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Kleber mittels Licht und/oder Wärme lösbar eingerichtet sein. Beispielsweise kann der Kleber eine kleinere Umwandlung-Lichtintensität (bei einer Umwandlung-Lichtwellenlänge) und/oder eine kleinere Umwandlungstemperatur aufweisen als der Schaltkreisbereich und/oder als die Versteifungsstruktur.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bilden der Versteifungsstruktur aufweisen, die Versteifungsstruktur und den Schaltkreisbereich (z.B. stoffschlüssig) miteinander zu verbinden, z.B. mittels eines Klebers, mittels anodischen Bondens und/oder mittels Laserstrahlschweißens. Das anodische Bonden und/oder das Laserstrahlschweißen können eine unlösbare Verbindung bilden. Das Schweißen kann mittels lokaler Wärmezufuhr erfolgen, z.B. bis zum lokalen Schmelzen der Versteifungsstruktur und/oder des Schaltkreisbereichs, und kann optional aufweisen eine zusätzliche Krafteinwirkung (Druck) auf diese auszuüben, welche die Versteifungsstruktur und den Schaltkreisbereich gegeneinander presst. Das Bonden mittels einer chemischen Reaktion der Versteifungsstruktur und des Schaltkreisbereichs miteinander erfolgen, welche in Gang gesetzt wird, indem diese elektrostatisch (entgegengesetzt) aufgeladen werden. Optional können die Versteifungsstruktur und/oder der Schaltkreisbereich erwärmt werden, z.B. auf eine Temperatur unterhalb einer Schmelztemperatur der Versteifungsstruktur und/oder des Schaltkreisbereichs, z.B. unterhalb einer Temperatur, bei der die chemische Reaktion selbstständig (ohne elektrostatische Aufladung) nicht beginnen würde.
  • Eine stoffschlüssige Verbindung kann als Verbindung verstanden werden, bei denen die Verbindungspartner durch atomare oder molekulare Kräfte zusammengehalten werden. Die stoffschlüssige Verbindung kann eine unlösbare Verbindung (auch als irreversible Verbindung bezeichnet) sein, d.h. die sich nur durch Zerstörung der Verbindungspartner aufheben lässt. Die stoffschlüssige Verbindung kann aufweisen: Bonden, Schweißen und/oder Kleben. Beispielsweise kann eine unlösbare Verbindung mittels einer Chemisorption gebildet sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die unlösbare stoffschlüssige Verbindung eine atomar-stoffschlüssige Verbindung aufweisen oder daraus gebildet sein, d.h. mittels atomarer Kräfte (z.B. mittels chemischer Bindungen zwischen den Verbindungspartnern) zusammengehalten werden, z.B. mittels starker atomarer Kräfte (wie beispielsweise bei einer Chemisorption).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Versteifungsstruktur und der Schaltkreisbereich stoffschlüssig miteinander verbunden sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Versteifungsstruktur und der Schaltkreisbereich monolithisch (z.B. integral) miteinander verbunden sind.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Dünnen mittels Abtragens und/oder mittels Spanens erfolgen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Dünne mittels Ätzens und/oder mittels Schleifens erfolgen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Halbleiter-Wafer ferner eine Ätzstopplage aufweisen, an welcher das Ätzen stoppt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Versteifungsstruktur eine Vertiefung aufweisen, welche die Aussparung umgibt; und der Schaltkreisbereich kann zumindest teilweise in der Vertiefung angeordnet sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Dünnen ein mechanisches Bearbeiten aufweisen oder daraus gebildet sein, welches an der Versteifungsstruktur stoppt. Beispielsweise kann die Versteifungsstruktur eine größere (z.B. mechanische) Beständigkeit gegenüber dem Dünnen (z.B. eine größere mechanische Härte) aufweisen als zumindest der Schaltkreisbereich.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Versteifungsstruktur eine größere Ausdehnung als der Schaltkreisbereich aufweisen entlang der Hauptprozessierseite (bzw. entlang einer lateralen Richtung) und/oder quer zu der Hauptprozessierseite (bzw. entlang einer vertikalen Richtung).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Versteifungsstruktur eine größere Ausdehnung als der Schaltkreisbereich aufweisen entlang einer ersten Richtung quer zu einer Grenzfläche zwischen der Versteifungsstruktur und dem Schaltkreisbereich und/oder entlang einer zweiten Richtung parallel zu der Grenzfläche.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können der Schaltkreisbereich und/oder die Versteifungsstruktur Silizium (Si) oder Siliziumkarbid (SiC) oder Galliumnitrid (GaN) aufweisen oder daraus gebildet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Versteifungsstruktur zumindest eine Öffnung aufweisen, welche sich von der Aussparung (von dieser weg) durch einen Abschnitt der Versteifungsstruktur hindurch erstreckt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Versteifungsstruktur mehrere Segmente aufweisen oder daraus gebildet sein. Einander benachbarte Segmente der mehreren Segmente können beispielsweise einen Abstand voneinander aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein thermischer Ausdehnungskoeffizient der Versteifungsstruktur in einem Bereich von ungefähr 50% bis ungefähr 150% eines thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Schaltkreisbereichs sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Versteifungsstruktur einen Halbleiter und/oder eine Keramik aufweisen oder daraus gebildet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Keramik und/oder der Schaltkreisbereich den Halbleiter aufweisen oder daraus gebildet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Versteifungsstruktur gebildet sein oder werden, indem ein keramikbildendes Polymer in die Keramik umgewandelt ist oder wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren ferner aufweisen: Entfernen (und/oder Lösen) der Versteifungsstruktur von dem Halbleiter-Wafer; und Bearbeiten eines zusätzlichen Halbleiter-Wafers, welcher die Versteifungsstruktur-Abdeckung aufweist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Versteifungsstruktur eine größere Dicke als 200 µm und/oder als der Schaltkreisbereich aufweisen; und/oder der Halbleiter-Wafer, der die Versteifungsstruktur aufweist, kann ein Dicke größer als 500 µm aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Halbleiter-Wafer ein Substrat und ein darauf oder zumindest darüber epitaktisch gebildetes Material in dem Schaltkreisbereich aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. auf dem die Versteifungsstruktur gebildet wird. Das Material muss nicht notwendigerweise epitaktisch gebildet sein oder werden. Optional kann zwischen dem Substrat und dem Material eine Ätzstopplage und/oder eine Opferschicht gebildet sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Dünnen aufweisen, das epitaktisch gebildete Material freizulegen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das epitaktisch gebildete Material als Schicht (auch als Nutzschicht oder Epi-Schicht bezeichnet) ausgebildet sein. Die Schicht kann den Schaltkreisbereich aufweisen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann in der Schicht, die das epitaktisch auf dem Substrat gebildete Material aufweist, zumindest ein Halbleiterbauelement gebildet sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der mindestens eine elektronische Schaltkreis ein Halbleiterbauelement oder mehrere Halbleiterbauelemente aufweisen oder daraus gebildet sein. Die mehreren Halbleiterbauelemente können beispielsweise miteinander verschaltet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Dünnen aufweisen, den mindestens einen elektronischen Schaltkreis freizulegen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann, während der zweite Wafer bearbeitet wird, die Versteifungsstruktur den mindestens einen Schaltkreisbereich des zweiten Halbleiter-Wafers zumindest teilweise umgeben, wobei die Versteifungsstruktur zumindest über einem Teil des mindestens einen Schaltkreisbereichs des zweiten Halbleiter-Wafers die Aussparung aufweist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Schutzabdeckung die Versteifungsstruktur und die Versteifungsstruktur-Abdeckung aufweisen, wobei die Aussparung eine Durchgangsöffnung in der Versteifungsstruktur aufweist (welche z.B. an die Versteifungsstruktur-Abdeckung angrenzt).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Versteifungsstruktur-Abdeckung und die Versteifungsstruktur monolithisch miteinander verbunden sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Schutzabdeckung nur auf einem Randbereich des Halbleiter-Wafers aufliegen, wobei der Randbereich den Schaltkreisbereich umgibt, z.B. ausschließlich auf dem Randbereich des Halbleiter-Wafers.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Schutzabdeckung zum Abdecken eines Schaltkreisbereiches eines Halbleiter-Wafers Folgendes aufweisen: eine Versteifungsstruktur, welche von einer Aussparung durchdrungen ist; und eine Versteifungsstruktur-Abdeckung, welche derart zum Abdecken der Aussparung eingerichtet ist, dass die Schutzabdeckung und der Halbleiter-Wafer zusammengefügt einen staubdichten Hohlraum bilden; und/oder ein Füllkörper, welcher in der Aussparung angeordnet ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Schutzabdeckung zum Abdecken eines Schaltkreisbereiches eines Halbleiter-Wafers Folgendes aufweisen: eine Versteifungsstruktur, welche von einer Aussparung durchdrungen ist; und eine Versteifungsstruktur-Abdeckung und/oder einen Füllkörper, wobei die Versteifungsstruktur-Abdeckung derart zum Abdecken der Aussparung eingerichtet ist, dass die Schutzabdeckung und der Halbleiter-Wafer zusammengefügt einen staubdichten Hohlraum begrenzen; wobei der Füllkörper derart zum Einstecken in die Aussparung eingerichtet ist, dass die Aussparung mittels des Füllkörpers abgedichtet wird, wenn die Schutzabdeckung und der Halbleiter-Wafer zusammengefügt sind.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Schutzabdeckung zum Abdecken eines Schaltkreisbereiches eines Halbleiter-Wafers Folgendes aufweisen: eine Versteifungsstruktur, welche derart von einer Aussparung durchdrungen ist, dass die Schutzabdeckung und der Halbleiter-Wafer zusammengefügt einen Hohlraum bilden; und
    einen Verschluss, welcher zum staubdichten Abdichten des Hohlraums eingerichtet ist (an ein Hohlraum-Verschluss).
  • Der Verschluss kann eine Versteifungsstruktur-Abdeckung aufweisen, welche derart zum Abdecken der Aussparung eingerichtet ist, dass die Schutzabdeckung und der Halbleiter-Wafer zusammengefügt einen staubdichten Hohlraum bilden. Alternativ oder zusätzlich kann der Verschluss einen Füllkörper aufweisen, welcher derart zum Einstecken in die Aussparung eingerichtet ist, dass dieser die Aussparung darin eingesteckt staubdicht abdichtet.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Verschluss eine kleinere Adhäsion (z.B. Haftkraft, z.B. Klebekraft) zu dem Schaltkreisbereich aufweisen als die Versteifungsstruktur zu dem Schaltkreisbereich.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Verschluss eine kleinere Adhäsion (z.B. Haftkraft, z.B. Klebekraft) zu dem Schaltkreisbereich aufweisen als die Versteifungsstruktur zu der Versteifungsstruktur-Abdeckung.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Verschluss frei von einer Adhäsion zu dem Schaltkreisbereich sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiter-Wafers eingerichtet sein, der Folgendes aufweist: eine erste Hauptprozessierseite und eine zweite Hauptprozessierseite, die der ersten Hauptprozessierseite gegenüberliegt; wobei der Halbleiter-Wafer auf der ersten Hauptprozessierseite mindestens einen Schaltkreisbereich mit mindestens einem elektronischen Schaltkreis aufweist. Das Verfahren kann Folgendes aufweisen: Bilden einer den mindestens einen Schaltkreisbereich zumindest teilweise umgebenden Versteifungsstruktur, welche den Halbleiter-Wafer versteift, wobei die Versteifungsstruktur zumindest über einem Teil des mindestens einen Schaltkreisbereichs eine Aussparung aufweist; Bilden eines Füllkörpers in der Aussparung, welcher mit dem Schaltkreisbereich in körperlichem Kontakt ist und sich von der Versteifungsstruktur unterscheidet; und Dünnen des Halbleiter-Wafers, der die Versteifungsstruktur und den Füllkörper aufweist, von der zweiten Hauptprozessierseite aus.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann sich der Füllkörper von der Versteifungsstruktur und/oder von der Versteifungsstruktur-Abdeckung unterscheiden, in zumindest einer chemischen Zusammensetzung, einer Dichte, einer Porosität und/oder einem Gasanteil.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Bilden des Füllkörpers aufweisen ein Material in die Aussparung hinzubringen und/oder dieses darin aufzuschäumen, während der Halbleiter-Wafer die Versteifungsstruktur aufweist. Das Aufschäumen kann beispielsweise mittels eines Treibmittels erfolgen. Alternativ oder zusätzlich kann das Aufschäumen erfolgen, indem dem Material in der Aussparung ein Gas zugeführt (zugemischt) wird, und/oder indem das Material mit einem Gas versetzt in der Aussparung entspannt wird (d.h. unter einem erhöhten Druck eingebracht wird und/oder darin ausgast). Mittels des Aufschäumens kann ein poröser Füllkörper gebildet sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein poröser Füllkörper eine mechanische Belastung auf den Schaltkreisbereich reduzieren.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Adhäsionskraft des Füllkörpers (z.B. zu der Versteifungsstruktur und/oder zu der Versteifungsstruktur-Abdeckung) kleiner sein als eine Gewichtskraft des Füllkörpers. Damit kann eine mechanische Belastung auf den Schaltkreisbereich reduziert sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Gewichtskraft des Füllkörpers kleiner sein als eine Gewichtskraft der Versteifungsstruktur und/oder der Versteifungsstruktur-Abdeckung. Damit kann eine mechanische Belastung auf den Schaltkreisbereich reduziert sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Halbleiter-Wafer (z.B. dessen Nutzschicht) einen Randbereich aufweisen, welcher den Schaltkreisbereich umgibt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Versteifungsstruktur-Abdeckung in einen Abstand von dem Schaltkreisbereich angeordnet sein oder werden. Alternativ oder zusätzlich kann der Füllkörper an eine Topografie des Schaltkreisbereichs angepasst sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren aufweisen: Bilden eines Halbleiter-Wafers, welcher eine Nutzschicht und eine Versteifungsstruktur aufweist, wobei die Versteifungsstruktur und die Nutzschicht miteinander verbunden sind; wobei die Versteifungsstruktur auf einer ersten Seite (auch als erste Hauptprozessierseite bezeichnet) der Nutzschicht angeordnet ist und eine Aussparung aufweist, wobei die Aussparung zumindest einen Teil eines Schaltkreisbereiches der Nutzschicht freilegt; und Dünnen des Halbleiter-Wafers, indem eine zweite Seite (auch als zweite Hauptprozessierseite bezeichnet) des Halbleiter-Wafers bearbeitet wird, wobei die zweite Seite des Halbleiter-Wafers und die erste Seite des Halbleiter-Wafers einander gegenüberliegen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren Folgendes aufweisen: Bilden eines ersten Halbleiter-Wafers, welcher eine erste Nutzschicht, eine Versteifungsstruktur-Abdeckung und eine Versteifungsstruktur zwischen diesen aufweist, wobei die Versteifungsstruktur zwischen der ersten Nutzschicht und der Versteifungsstruktur-Abdeckung angeordnet ist und mit diesen verbunden ist; wobei die Versteifungsstruktur eine Aussparung aufweist; wobei die Aussparung zumindest einen Teil eines Schaltkreisbereiches der ersten Nutzschicht freilegt und mittels der Versteifungsstruktur-Abdeckung abdeckt ist; und Bearbeiten des Halbleiter-Wafers.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren ferner aufweisen: Lösen der Versteifungsstruktur von dem ersten Halbleiter-Wafer und/oder von der Versteifungsstruktur-Abdeckung; und Bilden eines zweiten Halbleiter-Wafers, welcher eine zweite Nutzschicht aufweist mittels der Versteifungsstruktur-Abdeckung und/oder mittels der Versteifungsstruktur.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren Folgendes aufweisen: Abdecken eines Schaltkreisbereichs des Halbleiter-Wafers mittels einer Schutzabdeckung; wobei die Schutzabdeckung auf einer ersten Seite des Halbleiter-Wafers angeordnet ist und eine Aussparung aufweist, welche zu dem Schaltkreisbereich hin geöffnet ist derart, dass zwischen der Abdeckung und dem Schaltkreisbereich ein Hohlraum gebildet ist; und Bearbeiten einer zweiten Seite des Halbleiter-Wafers, welcher die Schutzabdeckung aufweist (d.h. wenn der Schaltkreisbereich mittels der Abdeckung abgedeckt ist), wobei die zweite Seite der ersten Seite gegenüberliegt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der mindestens eine elektronische Schaltkreis ein integrierter Schaltkreis sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der mindestens eine elektronische Schaltkreis genau ein elektronisches Bauelement oder mehrere elektronische Bauelemente aufweisen oder daraus gebildet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Füllkörper (bzw. dessen Material) frei von einem Klebstoff und/oder einer Klebewirkung sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Füllkörper einen Halbleiter und/oder eine Keramik aufweisen, z.B. einen Schaum daraus.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Füllkörper ein Polymer aufweisen, z.B. einen Schaum daraus.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Füllkörper ein Metall aufweisen, z.B. einen Schaum daraus.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Füllkörper ein Verbundmaterial aufweisen, welches mit einem Elastomer und/oder mit einem Schaum beschichtet ist.
  • Als Klebstoff kann ein nichtmetallischer Werkstoff verstanden werden, welcher die zu verbindenden Komponenten mittels einer Flächenhaftung (d.h. mittels Adhäsion) und seiner inneren Festigkeit (d.h. mittels Kohäsion) verbindet.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Entfernen des Füllkörpers aus der Aussparung rückstandsfrei erfolgen. Dies erleichtert die nachfolgende Verarbeitung und kann einer Kontamination mit Material des Füllkörpers verhindern.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Füllkörper die Aussparung vakuumdicht und/oder staubdicht abdichten. Alternativ oder zusätzlich kann die Versteifungsstruktur-Abdeckung die Aussparung vakuumdicht und/oder staubdicht abdichten.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Versteifungsstruktur und der Füllkörper staubdicht (z.B. vakuumdicht) miteinander verbunden sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Versteifungsstruktur und die Versteifungsstruktur-Abdeckung staubdicht (z.B. vakuumdicht) miteinander verbunden sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Versteifungsstruktur, die Versteifungsstruktur-Abdeckung und der Füllkörper ein festes Material aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Versteifungsstruktur und/oder die Versteifungsstruktur-Abdeckung eine größere vertikale Ausdehnung (Dicke) aufweisen als der Schaltkreisbereich. Alternativ oder zusätzlich können die Versteifungsstruktur und/oder die Versteifungsstruktur-Abdeckung eine Platte (d.h. einen plattenförmigen Träger) aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. eine selbstragende Platte (d.h. welche sich nicht allein aufgrund der eigenen Gewichtskraft irreversibel verformt).
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
  • Es zeigen
    • 1A, 1B und 1C jeweils einen Halbleiter-Wafer in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
    • 1D einen Halbleiter-Wafer in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Draufsicht;
    • 2A, 2B, 2C, 2D und 2E jeweils einen Halbleiter-Wafer in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
    • 3A, 3B, 3C und 3D jeweils einen Halbleiter-Wafer in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
    • 4A, 4B und 4C jeweils einen Halbleiter-Wafer in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
    • 5A, 5B und 5C jeweils einen Halbleiter-Wafer in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
    • 6A, 6B und 6C jeweils einen Halbleiter-Wafer in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
    • 7A, 7B und 7C jeweils einen Halbleiter-Wafer in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
    • 8A einen Füllkörper in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
    • 8B und 8C jeweils einen Halbleiter-Wafer in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
    • 9A, 9B und 9C jeweils einen Halbleiter-Wafer in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
    • 10A, 10B und 10C jeweils Halbleiter-Wafer in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
    • 11A, 11B und 11C jeweils Halbleiter-Wafer in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
    • 12A, 12B, 12C und 12D jeweils einen Halbleiter-Wafer in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
    • 13A einen Halbleiter-Wafer in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Draufsicht;
    • 13B, 13C und 13D jeweils einen Halbleiter-Wafer in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
    • 14A, 14B und 14C jeweils einen Halbleiter-Wafer in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
    • 15A, 15B, 15C und 15D jeweils einen Halbleiter-Wafer in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
    • 16A, 16B und 16C jeweils einen Halbleiter-Wafer in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
    • 17A, 17B und 17C jeweils einen Halbleiter-Wafer in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
    • 18A und 18B jeweils einen Halbleiter-Wafer in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
    • 18C einen Füllkörper in einem Verfahren in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht; und
    • 19A, 19B und 19C jeweils einen Halbleiter-Wafer in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht.
  • In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben“, „unten“, „vorne“, „hinten“, „vorderes“, „hinteres“, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung. Der Begriff „beispielhaft“ wird hier in der Bedeutung „als Beispiel, Exemplar oder Veranschaulichung dienend“ verwendet. Jede Ausführungsform oder Gestaltung, die hier als „beispielhaft“ beschrieben ist, ist nicht unbedingt als bevorzugt oder vorteilhaft gegenüber anderen Ausführungsformen oder Gestaltungen zu verstehen.
  • Der Begriff „über“ in Bezug auf abgeschiedenes Material, eine Struktur oder einen Körper, welches „über“ einer Seite oder Fläche gebildet wird, kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen verstanden werden, als dass das abgeschiedene Material, die Struktur oder der Körper „direkt auf“, z.B. in direktem (z.B. körperlichem) Kontakt mit, der genannten Seite oder Fläche gebildet wird. Der Begriff „über“ in Bezug auf ein abgeschiedenes Material, welches „über“ einer Seite oder Fläche gebildet wird, kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen verstanden werden, als dass das abgeschiedene Material „indirekt auf“ der genannten Seite oder Fläche gebildet wird, wobei eine oder mehrere zusätzliche Schichten zwischen der genannten Seite oder Fläche und dem abgeschiedenen Material, der Struktur oder dem Körper angeordnet sind oder werden.
  • Der Begriff „seitlich“ oder „lateral“ mit Bezug auf die „seitliche“ bzw. „laterale“ Ausdehnung einer Struktur (oder eines Substrats, eines Wafer oder eines Trägers) oder „seitlich“ bzw. „lateral“ angrenzend, kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen verwendet werden, um eine Ausdehnung oder eine Lagebeziehung entlang einer Oberfläche eines Substrats, eines Wafers oder eines Trägers zu bezeichnen. Das bedeutet, dass eine Oberfläche eines Substrats (beispielsweise eine Oberfläche eines Trägers oder einer Oberfläche eines Wafers) als Referenz dienen kann, die allgemein als die Hauptbearbeitungsfläche (z.B. auf einer Hauptprozessierseite) des Substrats, des Trägers oder des Wafers bezeichnet wird. Ferner kann der Begriff „Breite“, der im Hinblick auf eine „Breite“ einer Struktur (oder eines Strukturelements) verwendet wird, hier verwendet werden, um die seitliche (bzw. laterale) Ausdehnung einer Struktur zu bezeichnen.
  • Ferner kann der Begriff „Höhe“, der in Bezug auf eine Höhe einer Struktur (oder eines Strukturelements) verwendet wird, hier verwendet werden, auf die Ausdehnung einer Struktur entlang einer Richtung senkrecht zu der Oberfläche eines Substrats (z.B. senkrecht zu der Hauptbearbeitungsfläche eines Substrats) zu bezeichnen, d.h. eine vertikale Ausdehnung. Der Begriff „Dicke“, der im Hinblick auf eine „Dicke“ einer Schicht verwendet wird, kann hier verwendet werden, um die räumliche Ausdehnung der Schicht senkrecht zu der Oberfläche des Trägers (des Materials), auf dem die Schicht abgeschieden wird, zu bezeichnen, d.h. eine vertikale Ausdehnung. Wenn die Oberfläche des Trägers parallel zu der Oberfläche des Substrats (beispielsweise zu der Hauptbearbeitungsfläche) ist, kann die Dicke der auf dem Träger aufgebrachten Schicht gleich der Höhe der Schicht sein. Ferner kann eine „vertikale“ Struktur eine Struktur bezeichnen, die sich in einer Richtung senkrecht zu der seitlichen Richtung (z.B. senkrecht zu der Hauptbearbeitungsoberfläche eines Substrats) erstreckt, und eine „vertikale“ Ausdehnung kann eine Ausdehnung entlang einer Richtung senkrecht zu einer lateralen Richtung (beispielsweise eine Ausdehnung senkrecht zu der Hauptbearbeitungsfläche eines Substrats) bezeichnen.
  • Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe „verbunden“, „angeschlossen“ sowie „gekoppelt“ verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung, z.B. elektrisch leitend. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Begriff „Fluid“ verstanden werden als ein flüssiges Material und/oder ein gasförmiges Material aufweisend oder daraus gebildet, z.B. eine Mischung daraus. Der Begriff „Fluid“ kann verstanden werden, als dass das Material fließfähig (auch als viskos bezeichnet) ist, z.B. allein aufgrund seiner Gewichtskraft.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Verbindung zwischen zwei Strukturen (z.B. Körpern oder Bereichen) verstanden werden als ein mechanischer Zusammenhalt, welcher die Beweglichkeit zwischen zwei Strukturen einschränkt oder verhindert.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsform kann der Begriff „lichtsensitiv“ im Zusammenhang mit einem Material oder einer Struktur verstanden werden, als dass dessen chemische Struktur mittels Licht verändert werden kann (d.h. dass dieses umgewandelt werden kann), z.B. indem dieses einer Umwandlung-Lichtintensität oder mehr, z.B. mit einer Wellenlänge aus einem Umwandlung-Wellenlängenbereich, ausgesetzt wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsform kann der Begriff „thermosensitiv“ im Zusammenhang mit einem Material oder einer Struktur verstanden werden, als dass dessen chemische Struktur mittels thermischer Energie (auch als Wärme bezeichnet) verändert werden kann, z.B. indem dieses auf eine Umwandlungstemperatur oder mehr gebracht wird.
  • Eine lösbare Verbindung (z.B. zwischen zwei Komponenten, z.B. zwischen der Versteifungsstruktur und dem Randbereich) kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen verstanden werden als eine zerstörungsfrei lösbare Verbindung. Mit anderen Worten kann die lösbare Verbindung zwischen zwei Komponenten entfernt werden, ohne die zwei Komponenten zu beschädigen. Die lösbare Verbindung zwischen zwei Komponenten kann (z.B. thermisch, mechanisch und/oder chemisch) weniger beständig sein als jede der zwei Komponenten. Die unlösbare Verbindung zwischen zwei Komponenten kann (z.B. thermisch, mechanisch und/oder chemisch) beständiger sein als jede der zwei Komponenten. Beispielsweise kann die unlösbare Verbindung nur durch eine Zerstörung zumindest einer der zwei Komponenten aufgehoben werden.
  • Beispielsweise kann die lösbare Verbindung zwischen den zwei Komponenten eine Kraft (auch als Haftkraft bezeichnet) vermitteln, welche kleiner ist als deren Bruchkraft. Auf die Fläche der Verbindung bezogen kann die Bruchkraft der Zugfestigkeit (in Kraft pro Fläche) entsprechen. Die unlösbare Verbindung kann zwischen den zwei Komponenten eine Kraft (auch als Haftkraft bezeichnet) vermitteln, welche größer ist als deren Bruchkraft.
  • Die Bruchkraft kann verstanden werden als Kraft, welche benötigt wird, um die Komponente zu brechen oder zu zerreißen.
  • Der Begriff „Beständigkeit“ im Zusammenhang mit einer Bearbeitung (z.B. dem Dünnen) kann verstanden werden als Widerstandsfähigkeit gegenüber einer thermischen, mechanischen und/oder chemischen Veränderung (d.h. thermische Beständigkeit, mechanische Beständigkeit, chemische Beständigkeit), welche durch das Bearbeiten bewirkt wird, z.B. gegenüber einer chemischen Reaktion (z.B. Oxidation), einer thermischen Einwirkung und/oder gegenüber einem Materialabtrag. Eine größere Beständigkeit hat eine langsamere Veränderung zur Folge, z.B. keine Veränderung. Beispielsweise kann eine Struktur (z.B. ein Bereich oder eine Schicht) und/oder kann ein Material von dem Bearbeiten weniger und/oder langsamer verändert werden je größer dessen Beständigkeit ist. Die Beständigkeit kann auf eine bestimmte Art der Bearbeitung bezogen sein und/oder für verschiedene Arten der Bearbeitung voneinander abweichen.
  • Die mechanisch weniger beständige Struktur (z.B. Bereich oder Schicht) und/oder das mechanisch weniger beständige Material kann beispielsweise eine kleinere Bruchfestigkeit, Bruchkraft, Zugfestigkeit oder Härte aufweisen als die mechanisch mehr beständige Struktur (z.B. Bereich oder Schicht) und/oder das mechanisch beständigere Material. Die chemisch weniger beständige Struktur (z.B. Bereich oder Schicht) und/oder das chemisch weniger beständige Material kann beispielsweise eine kleinere chemische Reaktivität gegenüber einem chemischen Bearbeitungsmittel aufweisen als die chemisch beständigere Struktur (z.B. Bereich oder Schicht) und/oder das mechanisch mehr beständige Material.
  • Eine Beständigkeit kann beispielsweise reduziert sein oder werden, indem eine Oberfläche vergrößert ist oder wird. Damit kann beispielsweise einem chemisch reaktiven Ätzmittel eine größere Oberfläche bereitgestellt sein oder werden, an dem das Ätzmittel angreifen kann. Alternativ oder zusätzlich kann eine Beständigkeit erhöht sein oder werden, indem eine mechanische Härte und/oder Bruchkraft erhöht und/oder eine chemische Reaktivität gegenüber dem Ätzmittel reduziert (auch als Passivieren bezeichnet) wird. Die chemische Reaktivität kann die Fähigkeit eines Materials beschreiben, eine chemische Reaktion einzugehen, z.B. die Geschwindigkeit mit der die chemische Reaktion erfolgt oder die Energieschwelle, die nötig ist, um die Rektion in Gang zu setzen (auch als Aktivierungsenergie bezeichnet).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann als temperaturstabil im Zusammenhang mit einer Temperatur verstanden werden, als dass eine Struktur oder ein Material zumindest bis zu der Temperatur belastet werden kann, ohne seine Funktion zu verlieren. Beispielsweise kann die Struktur oder das Material zumindest bis zu der Temperatur keine oder kaum chemischen Reaktionen mit deren Umgebung eingehen und/oder chemisch stabil bleiben. Beispielsweise kann die Struktur oder das Material zumindest bis zu der Temperatur ihren Aggregatszustand und/oder ihre chemische Zusammensetzung beibehalten. Beispielsweise kann die Struktur oder das Material zumindest bis zu der Temperatur ihre Form und/oder ihr Volumen beibehalten (d.h. ohne sich strukturell zu verändern). Beispielsweise kann die Temperatur, bis zu der die Struktur oder das Material temperaturstabil ist, eine Umwandlungstemperatur sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Chip (auch als integrierter Schaltkreis oder integrierter elektronischer Schaltkreis bezeichnet) als dünner Chip oder als sehr dünner Chips ausgebildet sein. Ein dünner Chip kann eine Dicke im Bereich von etwa 70 µm bis etwa 250 µm aufweisen. Ein sehr dünner Chip kann eine Dicke im Bereich von etwa 5 µm bis etwa 70 µm und aufweisen. Der Chip kann optional dicker als ein dünner Chip sein, z.B. in einem Bereich von ungefähr 250 µm bis ungefähr 1 mm (Millimeter).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Chip einen vertikalen Strompfad aufweisen und/oder bereitstellen (d.h. einen Strompfad durch den Chip hindurch), z.B. zwischen zwei Kontaktpads, welche auf gegenüberliegenden Seiten des Chips angeordnet sind (z.B. auf dessen Rückseite und dessen Vorderseite).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Schaltkreisbereich (kann Teil einer Nutzschicht sein) als Bereich verstanden werden, welcher zum Herstellen einzelner elektronischer Bauelemente und/oder elektronischer Schaltkreise vorgesehen ist und/oder prozessiert wird. Beispielsweise kann der Schaltkreisbereich zumindest abschnittsweise chemisch verändert, beschichtet und/oder strukturiert werden. Der Schaltkreisbereich aufweisend zumindest ein elektronisches Bauelement kann auch als Bauelementschicht bezeichnet sein. Der Schaltkreisbereich kann einen Halbleiterbereich aufweisen oder daraus gebildet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Halbleiterbereich (z.B. der Schaltkreisbereich) prozessiert sein oder werden, um ein oder mehrere elektronische Bauelemente, z.B. separiert voneinander oder miteinander verschaltet, zu bilden. Mehrere miteinander verschaltete Bauelemente können beispielsweise einen elektronischen Schaltkreis bilden. Im Allgemeinen kann ein elektronischer Schaltkreis (auch als Chip oder Halbleiterchip bezeichnet) oder können elektronische Schaltkreise in dem Halbleiterbereich gebildet sein oder werden.
  • Jeder oder der Chip kann eine aktive Chipfläche aufweisen. Die aktive Chipfläche kann in einem Teil des Halbleiterbereichs angeordnet sein oder werden und kann zumindest ein elektronisches Bauelement (genau ein elektronisches Bauelement oder mehrere elektronische Bauelemente), wie zumindest einen Transistor, zumindest einen Widerstand, zumindest einen Kondensator, zumindest eine Diode oder dergleichen aufweisen. Das zumindest eine elektronische Bauelement kann zum Ausführen von Operationen, z.B. Rechenoperationen oder Speicheroperationen eingerichtet sein. Alternativ oder zusätzlich kann das zumindest eine elektronische Bauelement zum Auszuführen von Schaltoperationen oder Verstärkungsoperationen eingerichtet sein, z.B. in einer Leistungselektronik (z.B. unter Verwendung von Leistungsbauelementen).
  • Verschiedene elektronische Bauelemente, wie z.B. ein Transistor und/oder eine Diode können für Hochvolt-Anwendungen (auch als Hochspannungsdiode oder Hochspannungstransistor bezeichnet) eingerichtet sein oder werden. Alternativ oder zusätzlich kann das zumindest eine elektronische Bauelement einen Transistor und/oder eine Diode aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. einen Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET), eine emitter-gesteuerte Diode und/oder einen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Chip (auch als integrierter elektronischer Schaltkreis bezeichnet) von dem Halbleiterbereich (bzw. von dem Halbleiter-Wafer) vereinzelt werden, indem Material von einer Schnittfuge (auch als Kerf bezeichnet) des Halbleiterbereichs entfernt wird (auch als Zerteilen oder Zerschneiden des Halbleiterbereichs bezeichnet). Beispielsweise kann das Entfernen von Material aus der Schnittfuge des Halbleiterbereichs durch Ritzen und Brechen, Spalten, Klingen-Zerteilung (Separation/Trennung), Plasma-Zerteilung (Separation/Trennung), Laser-Zerteilung oder mechanisches Sägen erfolgen (beispielsweise indem eine Trennsäge verwendet wird). Nach dem Vereinzeln des Halbleiterchips kann dieser elektrisch kontaktiert und nachfolgend verkapselt (z.B. geschlossen oder halboffen) werden, z.B. mittels eines Formmaterials und/oder in einen Chipträger (auch als Chipgehäuse bezeichnet), welcher für die Verwendung in einem elektronischen Gerät geeignet ist. Beispielsweise kann der Chip mittels Drähten innerhalb des Chipträgers verbunden werden und/oder der Chipträger kann auf einer Leiterplatte und/oder auf einen Leiterrahmen (beispielsweise ein IGBT oder ein Leistungs-MOSFET) gelötet werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können der Schaltkreisbereich und der Randbereich sowie optional die Versteifungsstruktur, optional die Versteifungsstruktur-Abdeckung und/oder optional der Füllkörper eines der nachstehenden Halbleitermaterialien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Begriff Halbleitermaterial kann als eine chemische Zusammensetzung verstanden werden, welche ein halbleitendes Basismaterial aufweist oder daraus gebildet ist und/oder in einem undotierten Zustand halbleitend ist, d.h. eine elektrische Leitfähigkeit aufweist in einem Bereich von ungefähr 10-6 Siemens/Meter bis ungefähr 106 Siemens/Meter. Während des Prozessierens des Wafers kann das halbleitende Basismaterial beispielsweise zumindest abschnittsweise dotiert sein oder werden, was dessen elektrische Leitfähigkeit in den dotierten Stellen erhöht (z.B. über 106 Siemens/Meter).
  • Das Halbleitermaterial bzw. das halbleitende Basismaterial kann beispielsweise einen Elementhalbleiter (auch als Halbleiter bezeichnet, z.B. Silizium oder Germanium) oder einen Verbindungshalbleiter (z.B. Siliziumkarbid, Galliumnitrid oder SiGe) aufweisen oder daraus gebildet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Schaltkreisbereich oder zumindest der mindestens eine elektronische Schaltkreis eine größere Dotierstoffkonzentration aufweisen als der Randbereich, als der Füllkörper, als die Versteifungsstruktur-Abdeckung und/oder als die Versteifungsstruktur.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Halbleiter-Wafer (z.B. ein rekonfigurierter Wafer), z.B. dessen Substrat, und/oder kann ein Halbleiterbereich (z.B. der Schaltkreisbereich) ein Halbleitermaterial (z.B. das halbleitende Basismaterial) eines Typs oder verschiedener Typen aufweisen oder daraus gebildet sein, einschließlich Gruppe IV-Halbleiter (z.B. Silizium oder Germanium), Verbindungshalbleiter, z.B. Gruppe III-V-Verbindungshalbleiter (beispielsweise Galliumarsenid), Gruppe-III-Halbleiter, Gruppe V-Halbleiter oder halbleitende Polymere. In mehreren Ausführungsformen kann der Halbleiter-Wafer, z.B. dessen Substrat und/oder der Halbleiterbereich (z.B. dessen Schaltkreisbereich) aus Silizium (dotiert oder undotiert) gebildet sein oder werden. In mehreren alternativen Ausführungsformen kann der Halbleiter-Wafer, z.B. dessen Substrat, ein Silizium-auf-Isolator-(SOI)-Wafer sein. Als Alternative kann jedes andere geeignete Halbleitermaterial für den Halbleiter-Wafer und/oder den Halbleiterbereich verwendet werden, beispielsweise eine Halbleiterverbindung (halbleitende chemische Verbindung) wie Galliumphosphid (GaP), Indiumphosphid (InP), Siliziumkarbid (SiC) oder Galliumnitrid (GaN), aber auch jede geeignete ternäre Halbleiterverbindung oder quaternäre Halbleiterverbindung, wie beispielsweise Indium-Galliumarsenid (InGaAs).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können der Randbereich und der Schaltkreisbereich sowie optional die Versteifungsstruktur (auch als Stützschicht bezeichnet) und/oder optional die Versteifungsstruktur-Abdeckung einen Halbleiterbereich aufweisen oder daraus gebildet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Versteifungsstruktur, der Füllkörper und/oder die Versteifungsstruktur-Abdeckung ein Oxid (z.B. ein Halbleiteroxid wie Siliziumdioxid oder ein Metalloxid) aufweisen oder daraus gebildet sein. Alternativ oder zusätzlich kann der Füllkörper porös sein. Beispielsweise kann der Füllkörper ein poröses Oxid oder poröses Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein (z.B. Silizium, Silizium-Germanium und/oder SiC). Alternativ oder zusätzlich können die Versteifungsstruktur und/oder die Versteifungsstruktur-Abdeckung das Halbleitermaterial (z.B. Silizium, Silizium-Germanium und/oder SiC) aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. das Halbleitermaterial des Schaltkreisbereichs. Optional kann die Versteifungsstruktur ein epitaktisches Material aufweisen oder daraus gebildet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Querschnitt des oder jedes Halbleiter-Wafers eine beliebige Form aufweisen, beispielsweise kreisförmig, elliptisch, polygonal (z.B. rechteckig, z.B. quadratisch) sein, z.B. eine Mischung davon. Anschaulich kann die Form des Querschnitts an die Gegebenheiten angepasst sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Füllkörper mittels physikalischen Schäumens gebildet sein oder werden. Das physikalische Schäumen kann ein kontinuierliches Schäumen (auch als Extrusion bezeichnet) und/oder ein diskontinuierliches Schäumen aufweisen, z.B. ein Spritzgießen. Das Schäumen kann aufweisen, ein Material, aus dem der Füllkörper gebildet wird, zu entspannen (d.h. das Material kann sich ausdehnen, wobei ein Druck in dem Material abnimmt). Das Material kann ein Fluid aufweisen oder daraus gebildet sein. Das Fluid kann ein flüssiges Material aufweisen, in dem ein Gas (z.B. Stickstoff oder Kohlendioxid) gelöst und/oder eingebracht ist. Beispielsweise kann das Fluid mittels einer Düse in die Aussparung eingebracht sein oder werden, z.B. durch eine Öffnung der Versteifungsstruktur und/oder durch eine Öffnung der Versteifungsstruktur-Abdeckung hindurch. Nach dem Aufschäumen kann das flüssige Material in einen festen Zustand überführt werden (zum Beispiel mittels Erstarrens), das heißt in ein festes Material. Das aufgeschäumte und verfestigte Material kann auch als fester Schaum (Schaumstoff) bezeichnet sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann zum Aufschäumen des Materials ein Fluid (z.B. ein Gas, wie Stickstoff oder Kohlendioxid, aufweisend oder daraus gebildet) kann in das Material (z.B. in Schmelze vorliegend) eingeleitet sein oder werden. Beispielsweise kann das Fluid entweder direkt in die Aussparung eingeleitet werden oder in eine Düse mittels dessen das Material in die Aussparung hinein gebracht wird.
  • Das Fluid kann in dem Material (z.B. in Schmelze vorliegend) gelöst sein oder werden, z.B. indem das Fluid und das Material bei oder oberhalb eines Löslichkeitsdruckes zusammengefügt werden. Weiterhin kann das Fluid expandieren, sobald der Druck des Materials reduziert wird, z.B. auf oder unterhalb des Löslichkeitsdruckes (z.B. indem das Material in die Aussparung gelangt). Mittels der Expansion des Materials (anschaulich Aufschäumen) kann ein geschäumter Füllkörper bereitgestellt sein oder werden, welcher z.B. ein kompakte Außenhaut und/oder einen mikrozellularen Schaum aufweist oder daraus gebildet ist. Die Anzahl und Größe der Schaumzellen kann von der Nukleierung (Anzahl von Kristallisationskeimen) und von anderen physikalischen Parametern wie Druck, Temperatur und Formfüllgrad abhängen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Füllkörper mittels chemischen Schäumens gebildet sein oder werden. Das chemische Schäumen kann aufweisen, dem Material ein festes Treibmittel zuzugeben, z.B. in Form von Pulver oder Granulat. Das Treibmittel kann eingerichtet sein, sich unter Abgabe eines Gases (z.B. Kohlendioxid) zu zersetzen. Mit anderen Worten kann das Treibmittel zum Freisetzen eines Gases eingerichtet sein, z.B. bei oder oberhalb einer Umwandlungstemperatur des Treibmittels (anschaulich eine Zerfallstemperatur). Zum Freisetzen des Gases (d.h. zum Starten des Zerfallsprozesses) kann das Material auf oder über die Umwandlungstemperatur erwärmt sein oder werden. Weist das Material einen Druck gleich oder größer des Löslichkeitsdruckes auf, kann das freigesetzte Gas in dem Material gelöst werden. Alternativ oder zusätzlich kann das Gas expandieren, sobald der Druck des Materials reduziert ist oder wird, z.B. auf oder unterhalb des Löslichkeitsdruckes (z.B. indem das Material in die Aussparung gelangt). Alternativ kann das Material auf oder über die Umwandlungstemperatur erwärmt werden, nachdem das Material in die Aussparung hinein gebracht worden ist, so dass das Gas erst in der Aussparung freigesetzt wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird ein Trägersystem aufweisend die Versteifungsstruktur und optional aufweisend die Versteifungsstruktur-Abdeckung und/oder optional aufweisend den Füllkörper bereitgestellt. Das Trägersystem kommt gemäß verschiedenen Ausführungsformen ohne eine Kleberschicht über dem Schaltkreisbereich (zum Beispiel dem aktiven Bereichen der Chips) aus. Das bereitgestellte Trägersystem kann eine ausreichende mechanische Stabilität (zum Versteifen) aufweisen und das weitere Bearbeiten des Halbleiter-Wafers erleichtern, z.B. mittels Schleifens der Rückseite und/oder mittels eines Hochtemperatur-Prozesses. Der Hochtemperatur-Prozess kann aufweisen, den Halbleiter-Wafer einer Temperatur (anschaulich eine hohe Temperatur, auch als Hochtemperatur bezeichnet) auszusetzen, welche größere ist als die Temperaturstabilität herkömmlicher Klebermaterialien, zum Beispiel größer als ungefähr 250°C, z.B. größer als ungefähr 500°C, z.B. größer als ungefähr 600°C, z.B. größer als ungefähr 700°C, z.B. größer als ungefähr 800°C, z.B. größer als ungefähr 900°C.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein auf der Vorderseite des Halbleiter-Wafers angeordneter Ring (auch als Stützring bezeichnet) verwendet werden, zum Beispiel in Kombination mit einer oder mehreren zerlegbaren Komponenten (zum Beispiel die Versteifungsstruktur, die Versteifungsstruktur-Abdeckung und/oder die Nutzschicht) und/oder ohne die Verwendung eines Klebers in körperlichem Kontakt mit dem Schaltkreisbereich (zum Beispiel dem aktiven Bereich der Chips).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsform kann der Halbleiter-Wafer zumindest eines von Folgendem aufweisen:
    • • eine epitaktische Schicht über einem Ätzstopp (z.B. über einer Ätzstopplage), zum Beispiel in körperlichem Kontakt mit diesem, oder
    • • eine epitaktische Schicht im körperlichen Kontakt mit dem Substrat (d.h. ohne Ätzstopp).
  • Die epitaktische Schicht ermöglicht, dass in dem Schaltkreisbereich ein elektronischer Schaltkreis auf Epitaxialschicht-Basis gebildet sein oder werden kann. Die Schicht muss nicht notwendigerweise epitaktisch sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsform kann die Versteifungsstruktur zumindest eines von Folgendem aufweisen oder daraus gebildet sein:
    • • einen Ring (Beispielsweise kann die Versteifungsstruktur ringförmig ausgebildet sein);
    • • einen Überhang;
    • • kristallines SiC, z.B. polykristallines SiC (auch als Poly-SiC bezeichnet) und/oder einkristallines SiC;
    • • Glas (mit anderen Worten Siliziumdioxid);
    • • eine Verbindung zu dem Randbereich des Halbleiter-Wafers, welche mittels eines Hochtemperaturklebers bereitgestellt ist oder wird (zum Beispiel wenn die Versteifungsstruktur kristallines SiC und/oder Glas aufweist oder ausgebildet ist) ;
    • • eine Verbindung zu dem Randbereich, welche mittels anodischen Bondens bereitgestellt ist oder wird (zum Beispiel wenn die Versteifungsstruktur Glas aufweist oder ausgebildet ist); und/oder
    • • eine Verbindung zu dem Randbereich, welche mittels Laserschweißens bereitgestellt ist oder wird (zum Beispiel wenn die Versteifungsstruktur Glas aufweist oder ausgebildet ist).
  • Optional kann das Trägersystem eine Versteifungsstruktur-Abdeckung aufweisen. Die Versteifungsstruktur-Abdeckung kann verhindern dass Verunreinigung an den Schaltkreisbereich gelangen. Wird ein Füllkörper verwendet, der ein Polymer aufweist, kann die Versteifungsstruktur-Abdeckung das Ausgasen des Polymers eindämmen oder im Wesentlichen verhindern. Die Versteifungsstruktur-Abdeckung kann dann gesteuert und/oder geregelt entgast werden, um einen Druckaufbau, der den Halbleiter-Wafer verformen könnte, zu verhindern.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Versteifungsstruktur-Abdeckung zumindest eines von Folgendem aufweisen oder daraus gebildet sein:
    • • Glas;
    • • Poly-SiC;
    • • ternäres Karbid; und/oder
    • • ein Polymer.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsform kann das Trägersystem eine Versteifungsstruktur aufweisen und ferner zumindest eines von Folgendem aufweisen oder daraus gebildet sein:
    • • eine Versteifungsstruktur-Abdeckung aufweisend Glas oder daraus gebildet, einen Füllkörper (z.B. aufweisend einen Polymerschaum oder daraus gebildet), und eine Verbindung zum Randbereich, welche mittels eines UV lösbaren Klebers (d.h. ein Kleber welcher mittels ultravioletten Lichts gelöst werden kann) bereitgestellt ist oder wird;
    • • eine Versteifungsstruktur-Abdeckung aufweisend Glas oder daraus gebildet, einen Füllkörper (z.B. aufweisend einen Polymerschaum oder daraus gebildet), und eine Verbindung zum Randbereich, welche mittels eines thermisch lösbaren (auch als thermo release bezeichnet) Klebers (d.h. ein Kleber welcher mittels Wärme gelöst werden kann, d.h. mittels thermischer Energie) bereitgestellt ist oder wird;
    • • eine Versteifungsstruktur-Abdeckung aufweisend Glas oder daraus gebildet, einen Füllkörper (z.B. aufweisend einen Polymerschaum oder daraus gebildet), und eine Verbindung zum Randbereich, welche mittels eines Formschlusses (z.B. mittels eines Drehverschlusses) bereitgestellt ist oder wird;
    • • eine Versteifungsstruktur-Abdeckung aufweisend Poly-SiC oder daraus gebildet, einen Füllkörper (z.B. aufweisend einen Polymerschaum oder daraus gebildet), und eine Verbindung zum Randbereich, welche mittels eines UV lösbaren Klebers (d.h. ein Kleber welcher mittels ultravioletten Lichts gelöst werden kann) bereitgestellt ist oder wird;
    • • eine Versteifungsstruktur-Abdeckung aufweisend Poly-SiC oder daraus gebildet, einen Füllkörper (z.B. aufweisend einen Polymerschaum oder daraus gebildet), und eine Verbindung zum Randbereich, welche mittels eines thermisch lösbaren (auch als thermo release bezeichnet) Klebers (d.h. ein Kleber welcher mittels Wärme gelöst werden kann, d.h. mittels thermischer Energie) bereitgestellt ist oder wird; oder
    • • eine Versteifungsstruktur-Abdeckung aufweisend Poly-SiC oder daraus gebildet, einen Füllkörper (z.B. aufweisend einen Polymerschaum oder daraus gebildet), und eine Verbindung zum Randbereich, welche mittels eines Formschlusses (z.B. mittels eines Drehverschlusses) bereitgestellt ist oder wird.
  • Optional können die Versteifungsstruktur und die Versteifungsstruktur-Abdeckung dasselbe Material aufweisen oder daraus gebildet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsform können die Versteifungsstruktur und der Schaltkreisbereich (bzw. die Nutzschicht) dieselbe Form aufweisen (zum Beispiel rund oder quadratisch).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsform kann die Versteifungsstruktur eine laterale Ausdehnung aufweisen gleich zu der lateralen Ausdehnung der Nutzschicht oder größer. Weist die Versteifungsstruktur eine laterale Ausdehnung größer als die Nutzschicht auf, kann die Nutzschicht besser geschützt werden, zum Beispiel deren empfindliche Kante. Weist die Versteifungsstruktur eine laterale Ausdehnung größer als die Nutzschicht auf, kann die Versteifungsstruktur optional eine Vertiefung aufweisen, in welche die Nutzschicht hinein greift (so dass der Überhang gebildet ist oder wird). Damit kann anschaulich ein Anschlag zum mechanischen Dünnen des Halbleiter-Wafer bereitgestellt sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsform kann die Versteifungsstruktur eine größere Härte aufweisen als der Schaltkreisbereich (bzw. die Nutzschicht). Damit kann ermöglicht werden, dass ein mechanisches Bearbeiten mittels der Versteifungsstruktur gestoppt werden kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsform kann die Versteifungsstruktur einen größeren Elastizitätsmodul aufweisen als der Schaltkreisbereich (bzw. die Nutzschicht). Damit kann ermöglicht werden, dass ein mechanisches Bearbeiten mittels der Versteifungsstruktur gestoppt werden kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsform kann zumindest eine Komponente des Trägersystems (zum Beispiel die Versteifungsstruktur, die Versteifungsstruktur-Abdeckung und/oder die Nutzschicht) wiederverwendet werden (recycelt werden), zum Beispiel wenn die Komponente Glas, Silizium und/oder SiC (z.B. Poly-SiC) aufweist oder ausgebildet ist. Beispielsweise kann die Versteifungsstruktur wiederverwendet werden, wenn diese Glas oder SiC (z.B. Poly-SiC) aufweist oder ausgebildet ist. Zum Wiederverwenden der Versteifungsstruktur kann die Versteifungsstruktur-Abdeckung optional von dieser entfernt werden, zum Beispiel wenn die Versteifungsstruktur-Abdeckung Silizium ausweist oder daraus gebildet ist. Das Silizium kann beispielsweise mittels Ätzens entfernt werden. Das Wiederverwenden einer Komponente kann verstanden werden, als dass die Komponente verwendet wird um mehrere Halbleiter-Wafer nacheinander zu versteifen.
  • 1A, 1B und 1C veranschaulichen jeweils einen Halbleiter-Wafer in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht (z.B. mit Ansichtsrichtung entlang einer Hauptprozessierseite 102t, 102b), z.B. den ersten Halbleiter-Wafer 102 und/oder den zweiten Halbleiter-Wafer 202.
  • Das Verfahren kann in 100a aufweisen, den Halbleiter-Wafer 102, 202 bereitzustellen. Der Halbleiter-Wafer 102, 202 kann eine erste Hauptprozessierseite 102t (anschaulich eine Vorderseite) und eine zweite Hauptprozessierseite 102b (anschaulich eine Rückseite) aufweisen. Die zweite Hauptprozessierseite 102b und die erste Hauptprozessierseite 102t einander gegenüberliegende Seiten des Halbleiter-Wafers 102, 202 sein.
  • Der Halbleiter-Wafer 102, 202 kann auf der ersten Hauptprozessierseite 102t mindestens einen Schaltkreisbereich 102s aufweisen, in welchem mindestens ein elektronischer Schaltkreis 104 gebildet ist oder wird.
  • Der Halbleiter-Wafer 102, 202 kann ferner einen Randbereich 102r aufweisen, welcher den Schaltkreisbereich 102s zumindest teilweise umgibt. Beispielsweise kann der Randbereich 102r ringförmig um den Schaltkreisbereich 102s herum erstreckt sein. Optional kann sich der Randbereich 102r von der ersten Hauptprozessierseite 102t zu der zweiten Hauptprozessierseite 102b erstrecken.
  • Der Randbereich 102r und der Schaltkreisbereich 102s können beispielsweise monolithisch (z.B. integral) miteinander verbunden sein.
  • Das Verfahren kann in 100b aufweisen: Bilden einer den mindestens einen Schaltkreisbereich 102s zumindest teilweise umgebenden Versteifungsstruktur 106. Die Versteifungsstruktur 106 kann zum Versteifen des Halbleiter-Wafers 102, 202 eingerichtet sein. Beispielsweise kann die Versteifungsstruktur 106 eine Dicke 106d (auch als vertikale räumliche Ausdehnung 106d bezeichnet) aufweisen, welche größer ist als eine Dicke 102d des Halbleiter-Wafers 102 vor dem Bilden der Versteifungsstruktur 106 (z.B. dessen Randbereich 102r). Alternativ oder zusätzlich kann die Versteifungsstruktur 106 eine Dicke 106d (allgemeiner eine vertikale Ausdehnung 106d) aufweisen, welche größer ist als eine Dicke 104d des Schaltkreisbereichs 102s.
  • Das Bilden der Versteifungsstruktur 106 kann aufweisen, die Versteifungsstruktur 106 und den Randbereich 102r des ersten Halbleiter-Wafers 102 zusammenzufügen, z.B. mittels einer unlösbaren Verbindung (z.B. stoffschlüssig). Mit anderen Worten kann zwischen der Versteifungsstruktur 106 und dem Randbereich 102r des zweiten Halbleiter-Wafers 102 eine unlösbare Verbindung gebildet sein oder werden, z.B. mittels anodischen Bondens oder mittels Laserstrahlschweißens. Alternativ kann eine lösbare Verbindung gebildet sein oder werden (z.B. wenn die Versteifungsstruktur 106 wieder zerstörungsfrei abgelöst werden soll), wie nachfolgend genauer beschrieben wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Versteifungsstruktur 106 eine größere vertikale Ausdehnung 106d (auch als Dicke 106d bezeichnet) als der Schaltkreisbereich 102s aufweisen (z.B. quer zu der ersten Hauptprozessierseite 102t, d.h. quer zu einer Grenzfläche zwischen der Versteifungsstruktur 106 und dem Schaltkreisbereich 102s).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Versteifungsstruktur 106 entlang eines geschlossenen Pfades erstreckt sein. Beispielsweise kann die Versteifungsstruktur 106 ringförmig ausgebildet sein (auch als Stützring 106 bezeichnet). Anschaulich kann die Versteifungsstruktur 106 auf einer Vorderseite 102t des Halbleiter-Wafers 102 angeordnet sein (z.B. aufweisend einen vorderseitigen Stützring 106 oder daraus gebildet).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Versteifungsstruktur 106 eine Dicke 106d aufweisen größer als ungefähr 200 µm (Mikrometer), z.B. größer als ungefähr 300 µm, z.B. größer als ungefähr 400 µm, z.B. größer als ungefähr 500 µm, z.B. größer als ungefähr 600 µm, z.B. größer als ungefähr 700 µm. Alternativ oder zusätzlich kann der Halbleiter-Wafer 102 inklusive der Versteifungsstruktur 106 eine Dicke 106d, 102d (d.h. die Summe aus Dicke 106d und Dicke 102d) aufweisen, größer als ungefähr 500 µm, z.B. größer als ungefähr 600 µm, z.B. größer als ungefähr 700 µm, z.B. größer als ungefähr 800 µm, z.B. größer als ungefähr 900 µm, z.B. größer als ungefähr 1000 µm.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Versteifungsstruktur 106 eine größere Härte aufweisen als der Halbleiter-Wafer 102 (vor dem Bilden der Versteifungsstruktur 106), z.B. eine größere Härte als dessen Schaltkreisbereich 102s und/oder dessen Randbereich 102r. Alternativ oder zusätzlich kann die Versteifungsstruktur 106 ein größeres Elastizitätsmodul aufweisen als der Halbleiter-Wafer 102 (vor dem Bilden der Versteifungsstruktur 106), z.B. ein größeres Elastizitätsmodul als dessen Schaltkreisbereich 102s und/oder dessen Randbereich 102r.
  • Das Versteifen kann verstanden werden, als dass der Halbleiter-Wafer 102 nach dem Bilden der Versteifungsstruktur 106 eine größere Federkonstante aufweist als vor dem Bilden der Versteifungsstruktur 106, z.B. gegenüber einer Torsion oder Verbiegung. Mit anderen Worten kann eine Kraft (auch als Rückstellkraft bezeichnet), welche einer Verformung des Halbleiter-Wafers 102 entgegenwirkt, nach dem Bilden der Versteifungsstruktur 106 größer sein als vor dem Bilden der Versteifungsstruktur 106. Beispielsweise kann die Federkonstante und/oder die Rückstellkraft mittels des Bildens der Versteifungsstruktur 106 mindestens ungefähr verdoppelt, mindestens ungefähr verdreifacht, mindestens ungefähr vervierfach, mindestens ungefähr verfünffacht oder mindestens ungefähr verzehnfacht sein oder werden.
  • Die Versteifungsstruktur 106 kann zumindest über einem Teil des mindestens einen Schaltkreisbereichs 102s eine Aussparung 106a aufweisen. Die Aussparung 106a kann den Teil des Schaltkreisbereichs 102s freilegen. Mit anderen Worten kann sich die Aussparung 106a durch die Versteifungsstruktur 106 hindurch erstrecken. Beispielsweise kann die Aussparung 106a von einem Abschnitt der Versteifungsstruktur 106 zumindest teilweise umgeben sein (d.h. teilweise oder vollständig), z.B. von einem ringförmigen Abschnitt der Versteifungsstruktur 106 (z.B. von einem Stützring 106).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein thermischer Ausdehnungskoeffizient der Versteifungsstruktur 106 in einem Bereich von ungefähr 50% bis ungefähr 150% eines thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Schaltkreisbereichs 102s und/oder des Randbereichs 102r liegen, z.B. in einem Bereich von ungefähr 75% bis ungefähr 125%, z.B. in einem Bereich von ungefähr 90% bis ungefähr 110%. Damit können thermisch induzierte Spannungen reduziert werden.
  • Das Verfahren kann in 100c aufweisen: Dünnen des Halbleiter-Wafers 102, der die Versteifungsstruktur 106 aufweist, von der zweiten Hauptprozessierseite 102b aus. Die Dicke 106d, 102d des Halbleiter-Wafers 102 (inklusive der Versteifungsstruktur 106) kann mittels des Dünnens reduziert sein oder werden, z.B. über die gesamte laterale Ausdehnung 106l des Halbleiter-Wafers 102, 202. Beispielsweise kann mittels des Dünnens der Schaltkreisbereich 102s freigelegt sein oder werden. Im Allgemeinen kann das Dünnen des Halbleiter-Wafers 102, 202 aufweisen, von diesem Material zu entfernen, z.B. von der mittels des Dünnens bearbeiteten Hauptprozessierseite des Halbleiter-Wafers 102, 202.
  • Das Dünnen kann aufweisen, den Randbereich 102r und/oder die Rückseite des Halbleiter-Wafers 102, 202 zumindest teilweise zu entfernen. Optional kann der Randbereich 102r stehen gelassen werden. Dann kann in mittels des Dünnens eine Vertiefung gebildet sein oder werden, welche von dem Randbereich 102r umgeben wird. Der Randbereich 102r kann anschaulich einen rückseitigen Stützring aufweisen oder daraus gebildet sein.
  • Alternativ oder zusätzlich kann das Dünnen unter Verwendung einer Opferschicht (z.B. aufweisend ein poröses Material, wie beispielsweise poröses Silizium) erfolgen, an der das Abtrennen erfolgt, wie nachfolgend noch genauer beschrieben wird (vergleiche 19A).
  • Die im Folgenden beschriebenen Halbleiter-Wafer 102, 202 können wie in 100c bearbeitet werden.
  • 1D veranschaulicht einen Halbleiter-Wafer 102 gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Draufsicht (z.B. auf die erste Hauptprozessierseite 102t blickend) nach dem Bilden der Versteifungsstruktur 106, z.B. vor dem Dünnen und/oder nach dem Dünnen.
  • Optional kann die Versteifungsstruktur 106 eine Vertiefung 106v aufweisen, welche die Aussparung 106a umgibt (vergleiche 17A bis 17C). Alternativ oder zusätzlich kann der Schaltkreisbereich 102s zumindest teilweise in der Vertiefung 106v angeordnet sein oder werden und/oder von dieser zumindest teilweise freigelegt sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Versteifungsstruktur 106 (oder die Aussparung 106a) eine größere laterale Ausdehnung 106l als der Schaltkreisbereich 102s (d.h. als dessen laterale Ausdehnung 1041) aufweisen (z.B. entlang der ersten Hauptprozessierseite 102t und/oder quer zu der ersten Hauptprozessierseite 102t).
  • 2A, 2B, 2C, 2D und 2E veranschaulichen Halbleiter-Wafer 102, 202 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht.
  • Das Verfahren kann in 200a aufweisen, einen ersten Halbleiter-Wafer 102 bereitzustellen. Der erste Halbleiter-Wafer 102 kann eine erste Hauptprozessierseite 102t und eine zweite Hauptprozessierseite 102b aufweisen. Die zweite Hauptprozessierseite 102b und die erste Hauptprozessierseite 102t einander gegenüberliegende Seiten des ersten Halbleiter-Wafers 102 sein.
  • Das Verfahren kann in 200b aufweisen: Bilden einer den mindestens einen Schaltkreisbereich 102s des ersten Halbleiter-Wafers 102 zumindest teilweise umgebenden Versteifungsstruktur 106. Das Bilden der Versteifungsstruktur 106 kann aufweisen, die Versteifungsstruktur 106 und den Randbereich 102r des ersten Halbleiter-Wafers 102 zusammenzufügen, z.B. mittels einer lösbaren Verbindung (z.B. stoffschlüssig und optional formschlüssig stoffschlüssig). Mit anderen Worten kann zwischen der Versteifungsstruktur 106 und dem Randbereich 102r des zweiten Halbleiter-Wafers 102 eine lösbare Verbindung gebildet sein oder werden, z.B. mittels eines Klebers, z.B. mittels eines thermosensitiven Klebers.
  • Die formschlüssige Verbindung kann optional mittels einer Vertiefung 106v bereitgestellt sein oder werden (vergleiche 17A bis 17B). Beispielsweise können der Randbereich 102r und die Versteifungsstruktur 106 zueinander passende Einsteckabschnitte aufweisen und/oder einander umgreifen.
  • Das Verfahren kann in 200c aufweisen: Bearbeiten des ersten Halbleiter-Wafers 102. Das Bearbeiten kann zumindest eines von Folgenden aufweisen: chemisches Bearbeiten (z.B. Reinigen, Dotieren, Ätzen, Implantieren, Reagieren, etc.); thermisches Bearbeiten (z.B. Bestrahlen, Erwärmen, Kühlen, Aufschmelzen, Erstarren, etc.); und/oder mechanisches Bearbeiten (z.B. Spanen, Schleifen, Polieren, Fräsen, Sägen, Zerteilen, etc.), z.B. ein subtraktives Bearbeiten (Wegnehmen von Material) oder ein additives Bearbeiten (Hinzufügen von Material). Das Bearbeiten kann beispielsweise aufweisen, die erste Hauptprozessierseite 102t zu bearbeiten, z.B. chemisch zu Verändern und/oder Abzutragen. Alternativ oder zusätzlich kann das Bearbeiten aufweisen, die zweite Hauptprozessierseite 102b zu bearbeiten, z.B. chemisch zu Verändern und/oder Abzutragen. Beispielsweise kann das Bearbeiten aufweisen, den ersten Halbleiter-Wafer 102 mittels chemischen Bearbeitens und/oder mittels mechanischen Bearbeitens zu Dünnen (vergleiche beispielsweise 1C).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bearbeiten ein subtraktives Bearbeiten aufweisen, wie beispielsweise Zerteilen, Abtragen oder Spanen.
  • Das Abtragen kann als eine Gruppe von (thermischen und/oder chemischen) Bearbeitungsprozessen verstanden werden, welche zur Hauptgruppe Trennen gehören. Diese Gruppe von Bearbeitungsprozessen kann im Gegensatz zum Spanen oder Zerteilen, auf nicht-mechanischem Wege einzelne Werkstückschichten oder -teile abtrennen. Das Abtragen kann beispielsweise aufweisen: thermisches Abtragen (z.B. Laserstrahlbearbeitung, Plasmaätzen), chemisches Abtragen (z.B. Ätzen), elektrochemisches Abtragen (z.B. Elektroerodieren).
  • Das Spanen (auch als Zerspanen bezeichnet) kann als Gruppe von mechanischen Bearbeitungsprozessen verstanden werden, bei denen einzelne Werkstückschichten oder -teile mechanisch abgetrennt werden in Form von Spänen. Das Spanen kann als zerspanendes Bearbeiten verstanden werden, welches mittels einer geometrisch unbestimmten Schneide erfolgt.
  • Das Zerteilen kann aufweisen, den Halbleiter-Wafer 102 in mehrere Teile zu trennen, z.B. ohne Spanbildung, z.B. mittels Reißens, mittels Brechens und/oder mittels Schneidens.
  • Das Verfahren kann in 200d aufweisen: Entfernen der Versteifungsstruktur 106 von dem ersten Halbleiter-Wafer 102. Beispielsweise kann das Entfernen aufweisen, die Versteifungsstruktur 106 von dem ersten Halbleiter-Wafer 102 zu lösen, z.B. indem die lösbare Verbindung zwischen der Versteifungsstruktur 106 und dem Randbereich 102r des Halbleiter-Wafers 102 gelöst wird.
  • Das Verfahren kann in 200e aufweisen: Versteifen eines zweiten Halbleiter-Wafers 202 (auch als zusätzlicher Halbleiter-Wafer 102 bezeichnet) mittels der Versteifungsstruktur 106 (z.B. wie vorangehend oder nachfolgend beschrieben ist). Das Versteifen des zweiten Halbleiter-Wafers 202 kann aufweisen, die Versteifungsstruktur 106 und den Randbereich 102r des zweiten Halbleiter-Wafers 202 zusammenzufügen, z.B. mittels einer lösbaren Verbindung (z.B. stoffschlüssig und optional formschlüssig) oder mittels einer unlösbaren Verbindung. Beispielsweise kann zwischen der Versteifungsstruktur 106 und dem Randbereich 102r des zweiten Halbleiter-Wafers 202 eine lösbare Verbindung gebildet sein oder werden, z.B. mittels eines Klebers, z.B. mittels eines thermosensitiven Klebers.
  • Die formschlüssige Verbindung kann optional mittels einer Vertiefung 106v bereitgestellt sein oder werden (vergleiche 17A bis 17B). Beispielsweise können der Randbereich 102r und die Versteifungsstruktur 106 zueinander passende Einsteckabschnitte aufweisen und/oder einander umgreifen.
  • 3A, 3B, 3C und 3D veranschaulichen jeweils einen Halbleiter-Wafer in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht, z.B. den ersten Halbleiter-Wafer 102 und/oder den zweiten Halbleiter-Wafer 202.
  • Das Verfahren kann in 300a aufweisen, einen Halbleiter-Wafer 102, 202 bereitzustellen. Der Halbleiter-Wafer 102, 202 kann eine erste Hauptprozessierseite 102t und eine zweite Hauptprozessierseite 102b aufweisen. Die zweite Hauptprozessierseite 102b und die erste Hauptprozessierseite 102t können einander gegenüberliegende Seiten des Halbleiter-Wafers 102, 202 sein.
  • Das Verfahren kann in 300b aufweisen: Bilden einer Schutzabdeckung 302 über dem Schaltkreisbereich 102s. Die Schutzabdeckung 302 kann die Versteifungsstruktur 106 aufweisen oder daraus gebildet sein.
  • Optional kann das Bilden der Schutzabdeckung 302 in 300c aufweisen: Bilden einer Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 über dem Schaltkreisbereich 102s. Mit anderen Worten kann die Schutzabdeckung 302 die Versteifungsstruktur 106 und eine Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 aufweisen oder daraus gebildet sein. Anschaulich kann die Versteifungsstruktur 106 einen Abstandhalter (z.B. einen Abstandhalter-Ring) aufweisen oder daraus gebildet sein, welche einen Abstand 106d (entspricht der Dicke 106d der Versteifungsstruktur 106) der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 von dem Schaltkreisbereich 102s des Halbleiter-Wafers 102 definiert.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 einen planaren Träger aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. aus einem versteifenden Material gebildet, wie beispielsweise ein Metall, Glas oder Siliziumkarbid. Beispielsweise kann die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 frei von einem Polymer sein oder bleiben, zum Beispiel von einer Beschichtung damit. Damit kann ein Ausgasen vermieden werden, welches durch das Polymer verursacht werden könnte. Stellen die durch das Ausgasen freigesetzten Stoffe keine Beeinträchtigung dar, kann die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 ein Polymer aufweisen oder daraus gebildet sein. In ähnlicher Weise kann die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 frei von einem Polymer sein oder bleiben, zum Beispiel von einer Beschichtung damit, wenn eine hohe Temperaturbeständigkeit (auch als thermische Beständigkeit bezeichnet) der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 erforderlich ist. Werden an die Temperaturbeständigkeit keine besonderen Anforderungen gestellt, kann die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 ein Polymer aufweisen oder daraus gebildet sein.
  • Das Bilden der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 kann aufweisen, die Versteifungsstruktur 106 und die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 zusammenzufügen, z.B. mittels einer lösbaren Verbindung (z.B. formschlüssig und/oder stoffschlüssig) und/oder z.B. staubdicht (z.B. vakuumdicht). Mit anderen Worten kann zwischen der Versteifungsstruktur 106 und der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 eine lösbare Verbindung gebildet sein oder werden, z.B. stoffschlüssig (z.B. mittels eines Klebers, z.B. mittels eines thermosensitiven Klebers) oder formschlüssig.
  • Die formschlüssige Verbindung kann beispielsweise einen Drehverschluss aufweisen. Beispielsweise können die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 und die Versteifungsstruktur 106 zueinander passende Gewinde oder Eingriffabschnitte (z.B. zum Bilden eines Steck-Dreh-Verschlusses, wie beispielsweise einen Bajonettverschluss) aufweisen.
  • Alternativ oder zusätzlich kann die Verbindung mittels einer magnetischen Kraft vermittelt werden. Mit anderen Worten kann eine magnetische Verbindung bereitgestellt sein oder werden. Zum Bilden der magnetischen Verbindung kann die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 und/oder die Versteifungsstruktur 106 einen Dauermagneten aufweisen. Optional kann alternativ oder zusätzlich zu dem Dauermagneten der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 oder dem Dauermagneten der Versteifungsstruktur 106 ein ferromagnetisches Material verwendet werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Schutzabdeckung 302 zumindest über einem Teil des Schaltkreisbereichs 102s eine Aussparung 106a (z.B. eine Vertiefung und/oder eine Durchgangsöffnung) aufweisen, welche zu dem Schaltkreisbereich 102s hin geöffnet ist. Beispielsweise kann zwischen der Schutzabdeckung 302 (z.B. zwischen deren Versteifungsstruktur-Abdeckung 306) und dem Schaltkreisbereich 102s ein Hohlraum 106a gebildet sein. Der Hohlraum 106a kann zumindest auf der ersten Hauptprozessierseite 102t geschlossen sein, z.B. vakuumdicht und/oder staubdicht.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein thermischer Ausdehnungskoeffizient der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 106 in einem Bereich von ungefähr 50% bis ungefähr 150% eines thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Schaltkreisbereichs 102s und/oder des Randbereichs 102r liegen, z.B. in einem Bereich von ungefähr 75% bis ungefähr 125%, z.B. in einem Bereich von ungefähr 90% bis ungefähr 110%. Damit können thermisch induzierte Spannungen reduziert werden.
  • Das Verfahren kann in 300d aufweisen: Bearbeiten des Halbleiter-Wafers 102, der die Schutzabdeckung 302 aufweist, von der zweiten Hauptprozessierseite 102b aus. Das Bearbeiten kann zumindest eines von Folgenden aufweisen: chemisches Bearbeiten (z.B. Reinigen, Dotieren, Ätzen, Implantieren, Reagieren, etc.); thermisches Bearbeiten (z.B. Bestrahlen, Erwärmen, Kühlen, Aufschmelzen, Erstarren, etc.); und/oder mechanisches Bearbeiten (z.B. Spanen, Schleifen, Polieren, Fräsen, Sägen, Zerteilen, etc.). Das Bearbeiten kann beispielsweise aufweisen, die erste Hauptprozessierseite 102t zu bearbeiten, z.B. chemisch zu Verändern und/oder Abzutragen. Alternativ oder zusätzlich kann das Bearbeiten aufweisen, die zweite Hauptprozessierseite 102b zu bearbeiten, z.B. chemisch zu Verändern und/oder Abzutragen. Beispielsweise kann das Bearbeiten aufweisen, den ersten Halbleiter-Wafer 102 mittels chemischen Bearbeitens und/oder mittels mechanischen Bearbeitens zu Dünnen (vergleiche beispielsweise 1C). Alternativ oder zusätzlich kann das Bearbeiten aufweisen, eine oder mehrere Schichten abzuscheiden (wenn benötigt). Das Bearbeiten des Halbleiter-Wafers 102, der die Schutzabdeckung 302 aufweist, kann z.B. beim Schleifen des Halbleiter-Wafers 102 benötigt werden, wenn z.B. eine Kontamination des Schaltkreisbereichs mit Schleifrückständen verhindert werden soll. Optional kann die Schutzabdeckung 302 nach dem Schleifen entfernt sein oder werden, und der Halbleiter-Wafers 102 kann ohne Schutzabdeckung 302 weiter bearbeitet werden (anschaulich kann die Schutzabdeckung 302 nach dem Dünnen optional sein).
  • 4A, 4B und 4C veranschaulichen jeweils einen Halbleiter-Wafer 102, 202 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht, z.B. den ersten Halbleiter-Wafer 102 und/oder den zweiten Halbleiter-Wafer 202.
  • Der Halbleiter-Wafer 102, 202 kann die Versteifungsstruktur 106 und optional die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 aufweisen, welche über dem Schaltkreisbereich 102s angeordnet sind. Die Versteifungsstruktur 106 und optional die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 können beispielsweise Teil der Schutzabdeckung 302 sein oder diese bilden.
  • Das Verfahren kann in 400a aufweisen: Bilden eines Füllkörpers 402 in der Aussparung 106a. Der Füllkörper 402 kann mit dem Schaltkreisbereich 102s oder zumindest mit mindestens ein elektronischer Schaltkreis 104 in körperlichem Kontakt sein. Im Allgemeinen kann der Füllkörper 402 die Aussparung 106a zumindest teilweise ausfüllen (d.h. teilweise oder vollständig).
  • Die Versteifungsstruktur 106 kann anschaulich als Hülse dienen welche den Füllkörper 402 aufnimmt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Füllkörper 402 zumindest ein Material 402m der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: ein Metall; ein Übergangsmetall, ein Oxid (z.B. ein Metalloxid oder ein Übergangsmetalloxid); ein Dielektrikum; ein Polymer (z.B. ein Kohlenstoff-basiertes Polymer oder ein Silizium-basiertes Polymer); eine Keramik (z.B. ein Oxinitrid; ein Nitrid; ein Karbid und/oder ein Glas oder glasartiges Material); ein Halbmetall (z.B. Kohlenstoff); einen Halbleiter; ein Halbleiteroxid; ein halborganisches Material, und/oder ein organisches Material.
  • Beispielsweise kann der Füllkörper 402 einen Kunststoff aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. ein Polymer (z.B. ein Kohlenstoff-basiertes Polymer oder ein Silizium-basiertes Polymer). Beispielsweise kann der Füllkörper 402 ein Verbundmaterial aufweisen oder daraus gebildet sein. Das Verbundmaterial kann eine Matrix und ein Füllmaterial aufweisen oder daraus gebildet sein. Das Füllmaterial kann ein faserförmiges Material sein, z.B. eine Glasfaser, eine Kohlenstofffaser oder eine Naturfaser. Die Matrix kann den Kunststoff aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. ein Epoxidharz. Alternativ oder zusätzlich kann das Füllmaterial ein Gas oder ein Fluid aufweisen oder daraus gebildet sein (z.B. wenn der Füllkörper 402 Poren 402p aufweist). Beispielsweise können die Poren 402p in eine Matrix aus Kunststoff oder Metall eingebettet sein. Beispielsweise kann der Kunststoff einen Thermoplast oder ein Duromer aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. einen Lack, ein Vergussmaterial (z.B. Vergussharz) und/oder ein Harz (z.B. ein Kunstharz). Der Kunststoff kann eine billigere Herstellung ermöglichen und/oder in einem flüssigen Zustand in die Aussparung 106a hinein gebracht werden, wie nachfolgend genauer beschreiben wird.
  • Alternativ oder zusätzlich kann der Füllkörper 402 eine Keramik oder ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein (z.B. wenn der Füllkörper 402 vorkonfiguriert in die Aussparung 106a eingebracht wird). Dies kann eine hohe Temperaturstabilität des Füllkörpers 402 ermöglichen. Beispielsweise kann der Füllkörper 402 einen Metallschaum aufweisen oder daraus gebildet sein. Alternativ oder zusätzlich kann der Füllkörper 402 ein Fasergewirr aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. aus Glasfasern.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Füllkörper 402 eine Temperaturstabilität von ungefähr 150°C oder mehr aufweisen, z.B. von ungefähr 500°C oder mehr, z.B. von ungefähr 600°C oder mehr, z.B. von ungefähr 700°C oder mehr, z.B. von ungefähr 800°C oder mehr, z.B. von ungefähr 900°C oder mehr. Die Temperaturstabilität des Füllkörpers 402 kann das Bearbeiten des Halbleiter-Wafers 102 erleichtern, z.B. wenn dieser auf eine Hochtemperatur gebracht wird, z.B. auf 400°C oder mehr zum Aktivieren eines Dotierstoffes oder auf 900°C oder mehr zum Tempern des Halbleiter-Wafers 102. Die Temperaturstabilität in Verbindung mit einer Temperatur kann verstanden werden, als dass der Füllkörper 402 (bzw. dessen Material 402m) zumindest bis zu der Temperatur chemisch stabil ist, d.h. im Wesentlichen keine strukturellen oder chemischen Veränderungen aufweist, z.B. keine Phasenübergänge und/oder keine chemische Reaktion mit einem anderen Material (z.B. keine Oxidation).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Füllkörper 402 eine kleinere Adhäsion (z.B. keine) zu dem Schaltkreisbereich 102s oder zumindest zu dem mindestens einen elektronischen Schaltkreis 104 aufweisen als die Versteifungsstruktur 106 zu dem Randbereich 102r. Mit anderen Worten kann der Füllkörper 402 eine kleinere Haftvermittlung (z.B. im Wesentlichen keine) zu dem Schaltkreisbereich 102s oder zumindest zu dem mindestens einen elektronischen Schaltkreis 104 aufweisen als die Versteifungsstruktur 106 zu dem Randbereich 102r. Beispielsweise kann die Grenzfläche zwischen dem Füllkörper 402 und dem Schaltkreisbereich 102s oder zumindest zu dem mindestens einen elektronischen Schaltkreis 104 frei von einer Verbindung (z.B. einer Klebverbindung) sein. Beispielsweise kann der Füllkörper 402 in die Aussparung 106a eingesteckt (z.B. kraftschlüssig verbunden), eingelegt (z.B. lose), oder eingegossen sein oder werden. Im Gegensatz dazu kann die Versteifungsstruktur 106 mit dem Randbereich 102r verbunden sein oder werden. Der Füllkörper 402 kann in körperlichen Kontakt mit dem Schaltkreisbereich 102s gebracht sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Adhäsionskraft des Füllkörpers 402 zu dem Schaltkreisbereich 102s kleiner sein als eine Gewichtskraft des Füllkörpers 402, z.B. weniger als ungefähr 50% der Gewichtskraft des Füllkörpers 402 betragen, z.B. weniger als ungefähr 25% der Gewichtskraft des Füllkörpers 402 betragen. Damit kann erreicht werden, dass der Füllkörper 402 möglichst wenig Kraft auf den Schaltkreisbereich 102s ausübt und/oder leichter entfernt werden kann.
  • Optional kann der Füllkörper 402 einen Abstand zu der Versteifungsstruktur 106 aufweisen oder zwischen diesen kann zumindest abschnittsweise ein Spalt gebildet sein, z.B. wenn dieser eine kleinere laterale Ausdehnung aufweist als die Aussparung 106a. Dies kann es erleichtern den Füllkörper 402 in der Aussparung 106a anzuordnen, z.B. wenn der Füllkörper 402 in die Aussparung 106a hineingelegt wird (z.B. vorkonfiguriert). Beispielsweise kann der Spalt ein Entlüften ermöglichen, wenn der Füllkörper 402 mit der Versteifungsstruktur 106 zusammengefügt ist und/oder diese gemeinsam über dem Schaltkreisbereich 102s angeordnet werden.
  • Alternativ oder zusätzlich kann der Füllkörper 402 in körperlichem Kontakt mit der Versteifungsstruktur 106 sein, z.B. zumindest abschnittsweise, beispielsweise kann der Füllkörper 402 passgenau zu der Aussparung 106a eingerichtet sein (beispielsweise wenn der Füllkörper 402 und die Versteifungsstruktur 106 miteinander verbunden sind). Dies kann ein genaues Anordnen erleichtern und/oder kann eine Schutzwirkung gegenüber Staub entfalten. Mit anderen Worten können die Versteifungsstruktur 106 und der Füllkörper 402 Teil der Schutzabdeckung 302 sein oder diese bilden. Optional kann bei Verwendung des passgenauen Füllkörpers 402 (z.B. staubdichten) auf die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 verzichtet werden.
  • Der Füllkörper 402 und die Versteifungsstruktur 106 können sich voneinander unterscheiden, in zumindest ihrer chemischen Zusammensetzung, ihrer Porosität, ihrer Härte und/oder ihrem Elastizitätsmodul.
  • Optional kann bei Verwendung des Füllkörpers 402 auf die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 verzichtet werden.
  • Optional kann das Verfahren in 400a aufweisen: Bearbeiten des Halbleiter-Wafers 102, der die Schutzabdeckung 302 aufweist, von der zweiten Hauptprozessierseite 102b aus, z.B. analog zu dem Bearbeiten in 300d.
  • Alternativ oder zusätzlich kann das Verfahren in 400b aufweisen: Bilden der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 über der Aussparung 106a, z.B. wenn der Halbleiter-Wafer 102 noch keine Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 aufweist. Optional kann bei Verwendung der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 auf den Füllkörper 402 verzichtet werden. Ebenso kann auf den Füllkörper 402 verzichtet werden, wenn das nachfolgende Bearbeiten (z.B. Dünnen) des Halbleiter-Wafers 102, 202 nur mittels Ätzens erfolgt (anschaulich resultiert heraus eine kleinere mechanische Belastung als bei einem mechanischen Bearbeiten).
  • Die Versteifungsstruktur 106 kann zwischen der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 und dem Schaltkreisbereich 102s angeordnet sein oder werden. Optional können die Versteifungsstruktur 106 und die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 zusammengefügt, z.B. miteinander verbunden, sein oder werden, z.B. wenn diese gemeinsam (d.h. als Einheit verbunden) über dem Schaltkreisbereich 102s angeordnet werden.
  • Beispielsweise kann das Verfahren in 400c aufweisen: Bilden des Füllkörpers 402 in der Aussparung 106a und der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 über der Aussparung 106a und über dem Füllkörper 402. Der Füllkörper 402 kann mit der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 und/oder mit dem Schaltkreisbereich 102s in körperlichen Kontakt gebracht sein oder werden.
  • Das Bilden der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 kann optional nach dem Bilden des Füllkörpers 402 erfolgen, z.B. wenn der Füllkörper 402 vorkonfiguriert (d.h. in einem festen Zustand) in die Aussparung 106a hineingebracht wird, z.B. hineingelegt (z.B. lose) oder hineingesteckt (z.B. kraftschlüssig verbunden) wird. Dann kann der Füllkörper 402 mittels der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 abgedeckt sein oder werden.
  • Das Bilden der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 kann vor dem Bilden des Füllkörpers 402 erfolgen, z.B. wenn das Material 402m des Füllkörpers 402 in einem fluiden (z.B. flüssigen Zustand) in die Aussparung 106a hineingebracht wird, z.B. hineingespritzt (z.B. mittels einer Düse). Dann kann Hohlraum 106a mittels des Füllkörpers 402 ausgefüllt sein oder werden.
  • Im Allgemeinen kann der Füllkörper 402 die Aussparung 106a zumindest teilweise ausfüllen. Beispielsweise kann zwischen der Versteifungsstruktur 106 und dem Füllkörper 402 ein Spalt gebildet sein und/oder diese können in körperlichem Kontakt miteinander gebildet sein (z.B. wenn der Füllkörper 402 passgenau zu der Aussparung 106a eingerichtet ist).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Füllkörper 402 ein kleineres Elastizitätsmodul als die Versteifungsstruktur 106, als der Schaltkreisbereich 102s und/oder als die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 (bzw. deren Material) aufweisen, z.B. ungefähr halb so groß oder kleiner, z.B. ungefähr ein Viertel so groß oder kleiner, z.B. ungefähr ein Zehntel so groß oder kleiner.
  • Alternativ oder zusätzlich kann der Füllkörper 402 ein kleineres Kompressionsmodul als die Versteifungsstruktur 106, als der Schaltkreisbereich 102s und/oder als die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 (bzw. deren Material) aufweisen, z.B. ungefähr halb so groß oder kleiner, z.B. ungefähr ein Viertel so groß oder kleiner, z.B. ungefähr ein Zehntel so groß oder kleiner.
  • Alternativ oder zusätzlich kann der Füllkörper 402 (bzw. dessen Material 402m) eine kleinere Scherfestigkeit als die Versteifungsstruktur 106, als der Schaltkreisbereich 102s und/oder als die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 (bzw. deren Material) aufweisen, z.B. ungefähr halb so groß oder kleiner, z.B. ungefähr ein Viertel so groß oder kleiner, z.B. ungefähr ein Zehntel so groß oder kleiner.
  • Alternativ oder zusätzlich kann das Material 402m des Füllkörpers 402 (z.B. wenn dieses in einem fluiden Zustand in die Aussparung 106a hinein gebracht wird) eine kleinere Viskosität als die Versteifungsstruktur 106, als der Schaltkreisbereich 102s und/oder als die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 (bzw. deren Material) aufweisen, z.B. ungefähr halb so groß oder kleiner, z.B. ungefähr ein Viertel so groß oder kleiner, z.B. ungefähr ein Zehntel so groß oder kleiner, z.B. ungefähr ein Hundertstel so groß oder kleiner, z.B. ungefähr ein Tausendstel so groß oder kleiner.
  • Alternativ oder zusätzlich kann der Füllkörper 402 (bzw. dessen Material 402m) eine kleinere Dichte (z.B. räumlich über den Füllkörper 402 gemittelt) als die Versteifungsstruktur 106, als der Schaltkreisbereich 102s und/oder als die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 (bzw. deren Material) aufweisen, z.B. ungefähr halb so groß oder kleiner, z.B. ungefähr ein Viertel so groß oder kleiner, z.B. ungefähr ein Zehntel so groß oder kleiner.
  • Alternativ oder zusätzlich kann der Füllkörper 402 (bzw. dessen Material 402m) eine kleinere Härte als die Versteifungsstruktur 106, als der Schaltkreisbereich 102s und/oder als die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 (bzw. deren Material) aufweisen, z.B. ungefähr halb so groß oder kleiner, z.B. ungefähr ein Viertel so groß oder kleiner, z.B. ungefähr ein Zehntel so groß oder kleiner.
  • Alternativ oder zusätzlich kann der Füllkörper 402 (bzw. dessen Material 402m) eine größere Porosität als die Versteifungsstruktur 106, als der Schaltkreisbereich 102s und/oder als die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 (bzw. deren Material) aufweisen, z.B. ungefähr doppelt so groß oder mehr, z.B. ungefähr vierfach so groß oder mehr, z.B. ungefähr zehnfach so groß oder mehr.
  • 5A, 5B und 5C veranschaulichen jeweils einen Halbleiter-Wafer 102, 202 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht, z.B. den ersten Halbleiter-Wafer 102 und/oder den zweiten Halbleiter-Wafer 202.
  • Das Verfahren kann in 500a aufweisen, zum Bilden des Füllkörpers 402 ein festes Material 402m in die Aussparung 106a hineinzulegen 501, z.B. einen vorkonfigurierten Füllkörper 402. Das Bilden des Füllkörpers 402 kann in 500a erfolgen, während der Halbleiter-Wafer 102, 202 die Versteifungsstruktur 106 aufweist oder alternativ gemeinsam mit der Versteifungsstruktur 106. Das Bilden des Füllkörpers 402 kann in 500a vor dem Bearbeiten (z.B. Dünnen) des Halbleiter-Wafers 102, 202 erfolgen.
  • Alternativ oder zusätzlich kann das Verfahren in 500a aufweisen, zum Entfernen des Füllkörpers 402 ein festes Material 402m aus der Aussparung 106a herauszubringen 501, z.B. den vorkonfigurierten Füllkörper 402. Das Entfernen des Füllkörpers 402 kann erfolgen, während der Halbleiter-Wafer 102, 202 die Versteifungsstruktur 106 aufweist oder alternativ gemeinsam mit der Versteifungsstruktur 106. Das Entfernen des Füllkörpers 402 kann in 500a nach dem Bearbeiten (z.B. Dünnen) des Halbleiter-Wafers 102, 202 erfolgen. Der Entfernte Füllkörpers 402 kann optional zum Versteifen eines zusätzlichen Halbleiter-Wafer verwendet werden, z.B. gemeinsam mit der Versteifungsstruktur 106 (z.B. wenn diese zerstörungsfrei entfernt wird).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Entfernen des Füllkörpers 402 rückstandsfrei erfolgen.
  • Das Verfahren kann in 500b aufweisen, zum Bilden des Füllkörpers 402 ein viskoses Material 402m (d.h. in einem fluiden Zustand) in die Aussparung 102a hineinzubringen 503, z.B. hineinzuspritzen (z.B. mittels einer Düse). Nachfolgend kann zum Bilden des Füllkörpers 402 das viskose Material 402m in der Aussparung 106a verfestigt werden, z.B. indem dessen Temperatur gesenkt wird und/oder indem dieses aushärtet (beispielsweise, wenn das viskose Material 402m einen Kunststoff und/oder ein Lösungsmittel aufweist). Das Bilden des Füllkörpers 402 kann in 500b erfolgen, während der Halbleiter-Wafer 102, 202 die Versteifungsstruktur 106 aufweist. Das verfestigte Material 402m kann den Füllkörper 402 bilden. Eine Adhäsion beim Aushärten des viskosen Material 402m kann beispielsweise verhindert werden, wenn sich das viskose Material 402m chemisch von dem Schaltkreisbereich 102s unterscheidet, zwischen diesen keine chemische Reaktion oder Benetzung stattfindet und/oder indem eine Trennschicht zwischen diesen verwendet wird, wie nachfolgend noch genauer beschrieben wird.
  • Beispielsweise kann Adhäsion beim Aushärten des viskosen Material 402m verhindert werden, wenn das viskose Material 402m den Schaltkreisbereich 102s nur schlecht oder gar nicht benetzt, d.h. wenn die Kohäsionskraft (innerhalb) des viskosen Materials 402m größer ist als die Adhäsionskraft gegenüber dem Schaltkreisbereich 102s.
  • Das Verfahren kann alternativ oder zusätzlich in 500b aufweisen, zum Entfernen des Füllkörpers 402 das Material 402m des Füllkörpers 402 in einen fluiden Zustand (zu verflüssigen) zu überführen, z.B. zu Schmelzen, zu Verdampfen, zu Veraschen oder mittels eines Lösungsmittels zu lösen (z.B. wenn das Material 402m einen Kunststoff aufweist). Das Entfernen 503 des Füllkörpers 402 kann in 500b erfolgen während der Halbleiter-Wafer 102, 202 die Versteifungsstruktur 106 aufweist und/oder nachdem diese entfernt ist. Das Herausbringen des Materials 402 aus der Aussparung 106a kann es erleichtern die Versteifungsstruktur 106 und/oder die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 wiederzuverwenden. Das Entfernen des Füllkörpers 402 aus der Aussparung 106a kann beispielsweise erfolgen, nachdem die Versteifungsstruktur 106 von dem Halbleiter-Wafer 102, 202 entfernt ist oder wird.
  • Beispielsweise kann der Füllkörper 402 ein Material 402m aufweisen oder daraus gebildet sein oder werden, welches eine Schmelztemperatur von 200°C oder weniger aufweist, z.B. ein tierisches oder pflanzliches Polymer und/oder ein Wachs (z.B. ein tierisches, pflanzliches oder synthetisches Wachs). Dies kann es erleichtern das Material 402m des Füllkörpers 402 zwischen einem fluiden Zustand und einem festen Zustand zu überführen (z.B. Schmelzen und Erstarren).
  • Das Verfahren kann in 500c aufweisen, zum Bilden des Füllkörpers 402 eine Vielzahl Poren 402p zu bilden, z.B. ein Netzwerk von untereinander verbundenen Poren 402p (auch als offenporig bezeichnet). Mit anderen Worten kann das Verfahren in 500b aufweisen einen porösen Füllkörper 402 zu bilden. Der poröse Füllkörper 402 kann eine Vielzahl Poren 402p aufweisen, z.B. ein Netzwerk von untereinander verbundenen Poren 402p.
  • Die Poren können in 500c in der Aussparung 106a gebildet sein oder werden, z.B. indem das Material 402m des Füllkörpers 402 entspannt wird. Alternativ kann das Verfahren in 500c aufweisen einen Füllkörper 402, welcher die Vielzahl Poren 402p aufweist (z.B. vorkonfiguriert) in der Aussparung 106a einzulegen. Der poröse Füllkörper 402 kann eine Vielzahl Poren 402p aufweisen, z.B. ein Netzwerk von untereinander verbundenen Poren 402p.
  • Die Porosität (auch als Hohlraumanteil bezeichnet) kann als dimensionslose Größe verstanden werden, welche das Verhältnis von Hohlraumvolumen zu Gesamtvolumen eines Materials oder einer Struktur (z.B. des Füllkörpers 402) beschreibt. In den Poren 402p kann ein fluides Material (z.B. ein Gas oder eine Flüssigkeit) angeordnet sein oder werden, z.B. diese ausfüllend. Die Porosität kann als räumlich gemittelte Größe verstanden werden, z.B. gemittelt über einen Bereich, ein Material oder eine Struktur (z.B. einen Körper). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Porosität das Produkt aus einer räumlichen Dichte der Poren 402p mit ihrer mittleren Größe sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein poröses Material, ein poröser Bereich oder eine poröse Struktur (z.B. ein poröser Körper, z.B. der Füllkörper 402) verstanden werden als eine Porosität aufweisend in einem Bereich von ungefähr 5% bis ungefähr 95%, z.B. in einem Bereich von ungefähr 10% bis ungefähr 90%. Die Dichte eines porösen Materials, eines porösen Bereichs oder einer porösen Struktur (z.B. des Füllkörpers 402) kann verstanden werden als dass die Poren 402p in der Dichte berücksichtigt werden, d.h. dass die Dichte über das feste Material und die Poren räumlich gemittelt wird. Je größer die Porosität ist, umso kleiner kann die Dichte sein.
  • Das Bilden der Poren 402p kann aufweisen ein viskoses Material 402m in der Aussparung 106a anzuordnen und das viskose Material 402m in der Aussparung 106a aufzuschäumen. Das Aufschäumen kann aufweisen ein Gas, welches in dem Material 402m angeordnet ist, zu expandieren (d.h. zu entspannen), z.B. indem der Druck des viskosen Materials 402m reduziert wird. Nachfolgend kann das Material 402m in einen festen Zustand überführt werden und somit die feste Matrix eines Schaums bilden.
  • 6A, 6B und 6C veranschaulichen jeweils einen Halbleiter-Wafer 102, 202 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht, z.B. den ersten Halbleiter-Wafer 102 und/oder den zweiten Halbleiter-Wafer 202.
  • Das Verfahren kann in 600a aufweisen, zum Bilden des Füllkörpers 402 das Material 402m (z.B. in einem fluiden Zustand, d.h. ein Gas und/oder eine Flüssigkeit aufweisend) durch eine Öffnung 306o der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 hindurch in die Aussparung 106a hineinzubringen 501. Das Verfahren kann in 600a optional aufweisen, die Öffnung 306o in der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 zu bilden, z.B. bevor das Material 402m in die Aussparung 106a hineingebracht 501 ist oder wird. Alternativ oder zusätzlich kann das Verfahren in 600a optional aufweisen, die Öffnung 306o der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 zu verschließen, z.B. nachdem das Material 402m in die Aussparung 106a hineingebracht 501 ist oder wird. Das Bilden der Öffnung 306o kann erfolgen, indem ein Teil der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 entfernt wird, z.B. mittels Ätzens oder mittels eines Lasers. Das Verschließen der Öffnung 306o kann z.B. mittels des Materials 402m erfolgen, z.B. indem dieses an oder in der Öffnung 306o verfestigt wird (d.h. dass ein Verschluss mittels des Materials 402m gebildet wird). Alternativ kann ein anderer Verschluss verwendet werden. Das Hineinbringen des Materials 402m in die Aussparung 106a kann erfolgen, bevor der Halbleiter-Wafer 102, 202 bearbeitet (z.B. gedünnt) wird.
  • Alternativ oder zusätzlich das Verfahren kann in 600a aufweisen, zum Entfernen des Füllkörpers 402 das Material 402m (in einem fluiden Zustand) durch eine Öffnung 306o der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 hindurch aus der Aussparung 106a herauszubringen 501. Beispielsweise kann das Material 402m zuvor verflüssigt sein oder werden. Das Verfahren kann in 600a optional aufweisen, die Öffnung 306o in der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 zu bilden, z.B. bevor das Material 402m aus der Aussparung 106a herausgebracht 501 ist oder wird. Alternativ oder zusätzlich kann das Verfahren kann in 600a optional aufweisen, die Öffnung 306o der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 zu verschließen, z.B. nachdem das Material 402m aus der Aussparung 106a herausgebracht 501 ist oder wird. Das Bilden der Öffnung 306o kann erfolgen, indem ein Verschluss der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 entfernt wird, z.B. mittels Ätzens, mittels eines Lösungsmittels oder mittels eines Lasers. Das Verschließen der Öffnung 306o kann z.B. mittels des Materials 402m erfolgen, z.B. indem dieses an oder in der Öffnung 306o verfestigt wird (d.h. dass ein Verschluss mittels des Materials 402m gebildet wird). Alternativ kann ein anderer Verschluss verwendet werden. Das Herausbringen des Materials 402m aus der Aussparung 106a kann erfolgen nachdem der Halbleiter-Wafer 102, 202 bearbeitet (z.B. gedünnt) wird. Das Herausbringen des Materials 402m aus der Aussparung 106a kann es erleichtern, die Versteifungsstruktur 106 und/oder die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 wiederzuverwenden. Das Entfernen des Füllkörpers 402 aus der Aussparung 106a kann beispielsweise erfolgen, nachdem die Versteifungsstruktur 106 von dem Halbleiter-Wafer 102 entfernt ist oder wird.
  • Das Verfahren kann in 600b aufweisen, zum Bilden des Füllkörpers 402, das Material 402m (z.B. in einem fluiden Zustand, d.h. ein Gas und/oder eine Flüssigkeit aufweisend) durch eine Öffnung 106o der Versteifungsstruktur 106 hindurch in die Aussparung 106a hineinzubringen 501. Das Verfahren kann in 600b optional aufweisen, die Öffnung 106o in der Versteifungsstruktur 106 zu bilden, z.B. bevor das Material 402m in die Aussparung 106a hineingebracht 501 ist oder wird. Die Öffnung 106o kann sich von der Aussparung 106a weg durch einen Abschnitt der Versteifungsstruktur 106 hindurch erstrecken (auch als Durchgangsöffnung 106o bezeichnet). Das Hineinbringen des Materials 402m in die Aussparung 106a kann erfolgen bevor der Halbleiter-Wafer 102, 202 bearbeitet (z.B. gedünnt) wird.
  • Das Bilden der Öffnung 106o kann erfolgen, indem ein Teil der Versteifungsstruktur 106 entfernt wird, z.B. mittels mechanischen Abtrags, Ätzens oder mittels eines Lasers.
  • Optional kann das Verfahren kann in 600b aufweisen, die Öffnung 106o der Versteifungsstruktur 106 zu verschließen, z.B. nachdem das Material 402m in die Aussparung 106a hineingebracht 501 ist oder wird. Das Verschließen der Öffnung 106o kann z.B. mittels des Materials 402m erfolgen, z.B. indem dieses an oder in der Öffnung 106o verfestigt wird (d.h. dass ein Verschluss mittels des Materials 402m gebildet wird). Alternativ kann ein anderer Verschluss verwendet werden.
  • Alternativ oder zusätzlich das Verfahren kann in 600b aufweisen, zum Entfernen des Füllkörpers 402 das Material 402m (in einem fluiden Zustand) durch eine Öffnung 106o der Versteifungsstruktur 106 hindurch aus der Aussparung 106a herauszubringen 501. Das Verfahren kann in 600b optional aufweisen, die Öffnung 106o in der Versteifungsstruktur 106 zu bilden, z.B. bevor das Material 402m aus der Aussparung 106a herausgebracht 501 ist oder wird. Das Bilden der Öffnung 106o kann erfolgen, indem ein Verschluss der Versteifungsstruktur 106 entfernt wird, z.B. mittels Ätzens, mittels eines Lösungsmittels oder mittels eines Lasers. Das Herausbringen des Materials 402m aus der Aussparung 106a kann erfolgen, nachdem der Halbleiter-Wafer 102, 202 bearbeitet ist oder wird. Das Herausbringen des Materials 402m aus der Aussparung 106a kann es erleichtern die Versteifungsstruktur 106 und/oder die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 wiederzuverwenden. Das Entfernen des Füllkörpers 402 aus der Aussparung 106a kann beispielsweise erfolgen, nachdem die Versteifungsstruktur 106 von dem Halbleiter-Wafer 102 entfernt ist oder wird.
  • Optional kann das Verfahren in 600b optional aufweisen, die Öffnung 106o der Versteifungsstruktur 106 zu verschließen, z.B. nachdem das Material 402m aus der Aussparung 106a herausgebracht 501 ist oder wird. Das Verschließen der Öffnung 106o kann z.B. mittels des Materials 402m erfolgen, z.B. indem dieses an oder in der Öffnung 306o verfestigt wird (d.h. dass ein Verschluss mittels des Materials 402m gebildet wird). Alternativ kann ein anderer Verschluss verwendet werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Öffnung 106o in Form eines Kanals gebildet sein oder werden. Ein Kanal kann als Durchgangsöffnung verstanden werden, welche von einer Umfangswandung der Versteifungsstruktur 106 vollständig umgeben ist. Anschaulich kann der Kanal Seitenwände, eine Deckenwand und eine Bodenwand aufweisen (d.h. anschaulich ein Tunnel sein).
  • Der Kanal kann optional einen Querschnitt (quer zu einer Richtung von der Aussparung 106a weg geschnitten) aufweisen, welcher die eine Richtung von der Aussparung 106a weg zunimmt oder abnimmt (z.B. trichterförmig). Beispielsweise kann der Querschnitt (z.B. die Breite und/oder Höhe des Kanals) in die Richtung von der Aussparung 106a weg abnehmen. Damit kann ein großer Auslassbereich an der Aussparung 106a erreicht werden, was das Einbringen und/oder Ausbringen erleichtern kann. Alternativ kann der Querschnitt (z.B. die Breite und/oder Höhe des Kanals) in die Richtung von der Aussparung 106a weg zunehmen. Damit kann ein möglichst großer Querschnitt der Versteifungsstruktur 106 erhalten bleiben, was deren Versteifungswirkung erhöht.
  • Das Verfahren kann in 600c aufweisen, zum Bilden des Füllkörpers 402 eine verformbare Hülle 602 in die Aussparung 106a hinzubringen 501, z.B. einzulegen. Nachfolgend kann die verformbare Hülle 602 mittels des Materials 402m verformt werden, z.B. indem das Material 402m (z.B. in fluidem Zustand) in die verformbare Hülle 602 hineingebracht wird und/oder indem ein in der verformbaren Hülle 602 angeordnetes Material 402m in einen gasförmigen Zustand überführt wird, z.B. mittels Verdampfens des Materials 402m. Das Material 402m kann beispielsweise ein leicht flüchtiges Material 402m aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. mit einer Siedetemperatur von unter 200°C (z.B. einen Kohlenwasserstoff).
  • Optional kann das Material 402m in der verformbaren Hülle 602 in einen festen Zustand überführt (auch als verfestigen bezeichnet) werden (z.B. bevor der Halbleiter-Wafer 102, 202 bearbeitet wird), z.B. mittels Erstarrens des Materials 402m. Beispielsweise kann das Material 402m ein (z.B. synthetisches, tierisches oder pflanzliches) Polymer und/oder ein (z.B. tierisches, pflanzliches oder synthetisches) Wachs aufweisen oder daraus gebildet sein.
  • Optional kann die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 über der Aussparung 106a angeordnet sein oder werden, z.B. vor oder während des Verformens der verformbaren Hülle 602 oder alternativ nachdem die Hülle 602 verformt worden ist.
  • Das Verfahren kann alternativ oder zusätzlich in 600c aufweisen, zum Entfernen des Füllkörpers 402 die verformbare Hülle 602 aus der Aussparung 106a herauszubringen 501. Optional kann vor dem Herausbringen der verformbaren Hülle 602 das Material 402m aus der verformbaren Hülle 602 herausgebracht werden, z.B. durch eine Öffnung der verformbaren Hülle 602 hindurch.
  • Die verformbare Hülle 602 kann einen Kunststoff aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. ein Elastomer oder ein Thermoplast. Beispielsweise kann das Verformen der verformbaren Hülle 602 aufweisen, diese (z.B. deren Elastomer) elastisch oder plastisch zu dehnen. Das elastische Dehnen kann verstanden werden, als dass die verformbare Hülle 602 in ihren ursprünglichen Zustand zurückkehren kann. Beispielsweise kann die verformbare Hülle 602 ein Elastomer aufweisen oder daraus gebildet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die verformbare Hülle 602 eine Trennschicht 1502 bereitstellen, welche das Material 402m von dem Schaltkreisbereich 102s separiert, und so anschaulich einen körperlichen Kontakt der beiden miteinander und/oder ein Verkleben der beiden miteinander verhindert.
  • Um anschaulich die Versteifungswirkung zu erhöhen, kann das Material 402m in der verformbaren Hülle 602 optional einen Druck größer als außerhalb der verformbaren Hülle 602 aufweisen. Alternativ kann das Material 402m in der verformbaren Hülle 602 verfestigt werden, z.B. vor dem Bearbeiten des Halbleiter-Wafers 102, 202.
  • 7A, 7B und 7C veranschaulichen jeweils einen Halbleiter-Wafer 102, 202 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht, z.B. den ersten Halbleiter-Wafer 102 und/oder den zweiten Halbleiter-Wafer 202.
  • Das Verfahren kann in 700a aufweisen, den Füllkörper 402 an eine Topografie des Schaltkreisbereichs 102s oder zumindest an eine Topografie des mindestens einen elektronischen Schaltkreises 104 anzupassen. Das Anpassen kann in 700a aufweisen, das Material 402m in einem fluiden Zustand mit dem Schaltkreisbereich 102s oder zumindest mit dem mindestens einen elektronischen Schaltkreis 104 in körperlichen Kontakt zu bringen. Alternativ oder zusätzlich kann das Anpassen in 700a aufweisen, das Material 402m des Füllkörpers 402 zu verfestigen (z.B. auszuhärten) während dieses mit dem Schaltkreisbereich 102s oder zumindest mit dem mindestens einen elektronischen Schaltkreis 104 in körperlichem Kontakt ist.
  • Das Verfahren kann in 700b aufweisen, den Füllkörper 402 an eine Topografie des Schaltkreisbereichs 102s oder zumindest an eine Topografie des mindestens einen elektronischen Schaltkreises 104 anzupassen. Das Anpassen kann in 700b aufweisen, eine Anzahl von Poren 402p des Füllkörpers 402 zu reduzieren, indem der Füllkörper 402 mit dem Schaltkreisbereich 102s oder zumindest mit dem mindestens einen elektronischen Schaltkreis 104 in körperlichem Kontakt gebracht ist oder wird. Anschaulich können die Hohlräume, bzw. deren Wände, welche mittels der Poren 402p bereitgestellt sind, eingedrückt werden. Das Anpassen kann beispielsweise erfolgen, indem ein Kraft auf den Füllkörper 402 übertragen wird, welche diesen gegen den Schaltkreisbereich 102s oder zumindest gegen den mindestens einen elektronischen Schaltkreis 104 presst.
  • Beispielsweise kann der Füllkörper 402 einen festen Schaum aufweisen oder daraus gebildet sein, der ein Polymer aufweist oder daraus gebildet ist, z.B. Kunstharz oder Teflon. Mit anderen Worten kann der Schaum einen Polymerschaum aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. einen Kunstharzschaum und/oder einen Teflonschaum.
  • Das Verfahren kann in 700c aufweisen, den Füllkörper 402 an eine Topografie des Schaltkreisbereichs 102s oder zumindest an eine Topografie des mindestens einen elektronischen Schaltkreises 104 anzupassen. Das Anpassen kann in 700c aufweisen eine Trennschicht 1502, z.B. die verformbare Hülle 602, mit dem Schaltkreisbereich 102s oder zumindest mit dem mindestens einen elektronischen Schaltkreis 104 in körperlichen Kontakt zu bringen, z.B. indem diese verformt wird. Das Anpassen kann in 700c aufweisen, die Trennschicht 1502, z.B. die verformbare Hülle 602, über den Schaltkreisbereich 102s oder zumindest über den mindestens einen elektronischen Schaltkreis 104 auszubreiten.
  • 8A veranschaulicht einen Füllkörper 402 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Füllkörper 402 ein Laminat aufweisen oder daraus gebildet sein. Das Laminat kann mehrere (zwei oder mehr) Schichten 802, 804 aufweisen oder daraus gebildet sein. Die mehreren Schichten 802, 804 können miteinander verbunden sein oder werden, z.B. monolithisch oder stoffschlüssig (z.B. verklebt). Das Laminat kann eine Versteifungswirkung erhöhen, ohne die mechanische Belastung auf den Schaltkreisbereich 102s zu erhöhen.
  • Eine erste Schicht 802 des Laminats kann eine kleinere Porosität aufweisen als eine zweite Schicht 804 des Laminats. Die zweite Schicht 804 des Laminats kann mit dem Schaltkreisbereich 102s oder zumindest mit dem mindestens einen elektronischen Schaltkreis 104 in körperlichen Kontakt gebracht sein oder werden. Anschaulich kann die erste Schicht 802 eine Trägerschicht sein und die zweite Schicht 804 kann eine Opferschicht sein.
  • Beispielsweise kann die erste Schicht 802 ein Material der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: ein Metall; ein Übergangsmetall, ein Oxid (z.B. ein Metalloxid oder ein Übergangsmetalloxid); ein Dielektrikum; ein Polymer (z.B. ein Kohlenstoff-basiertes Polymer oder ein Silizium-basiertes Polymer); eine Keramik (z.B. ein Oxinitrid; ein Nitrid; ein Karbid und/oder ein Glas oder glasartiges Material); ein Halbmetall (z.B. Kohlenstoff); einen Halbleiter; ein Halbleiteroxid; ein halborganisches Material, und/oder ein organisches Material.
  • 8B und 8C veranschaulichen jeweils einen Halbleiter-Wafer 102, 202 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht, z.B. den ersten Halbleiter-Wafer 102 und/oder den zweiten Halbleiter-Wafer 202.
  • Das Verfahren kann in 800b aufweisen, zum Bilden der Versteifungsstruktur 106, die Versteifungsstruktur 106 mit dem Schaltkreisbereich 102s und/oder mit dem Randbereich 102r zusammenzufügen 801. Das Zusammenzufügen 801 kann aufweisen, die Versteifungsstruktur 106 zumindest mit dem Randbereich 102r zu verbinden, z.B. stoffschlüssig und/oder formschlüssig. Das stoffschlüssige Verbinden kann mittels eines Klebers, mittels anodischen Bondens und/oder mittels Laserstrahlschweißens erfolgen. Das anodische Bonden und/oder das Laserstrahlschweißen kann eine Verbindung ermöglichen, welche eine Temperaturstabilität von ungefähr 400°C oder mehr aufweist, z.B. von ungefähr 500°C oder mehr, z.B. von ungefähr 600°C oder mehr, z.B. von ungefähr 700°C oder mehr, z.B. von ungefähr 800°C oder mehr, z.B. von ungefähr 900°C oder mehr. Das Kleben kann eine lösbare Verbindung ermöglichen. Beispielsweise kann das Kleben mittels eines lichtsensitiven Klebers und/oder mittels eines thermosensitiven Klebers erfolgen. Mit anderen Worten kann der Kleber entweder zum Aushärten und/oder zum Trennen mittels Licht oder mittels thermischer Energie eingerichtet sein.
  • Das Verfahren kann alternativ oder zusätzlich in 800b aufweisen, zum Entfernen der Versteifungsstruktur 106 diese von dem Randbereich 102r zu trennen 801, z.B. wenn diese lösbar miteinander verbunden sind. Das Trennen 801 kann zerstörungsfrei erfolgen, z.B. wenn diese lösbar miteinander verbunden sind. Beispielsweise kann das Trennen 801 der Verbindung zwischen der Versteifungsstruktur 106 und dem Randbereich 102r erfolgen, indem der Kleber (z.B. ein lichtsensitiver Klebers und/oder ein thermosensitiver Kleber) gelöst wird, zumindest mittels Licht (z.B. infrarotes und/oder ultraviolettes Licht) oder mittels thermischer Energie. Das zerstörungsfreie Trennen 801 kann ein Wiederverwenden der Versteifungsstruktur 106 ermöglichen und/oder erleichtern.
  • Sind die Versteifungsstruktur 106 und der Randbereich 102r unlösbar miteinander verbunden, kann das Trennen 801 erfolgen, indem diese mechanisch bearbeitet werden (z.B. indem der Halbleiter-Wafers 102, 202 zerteilt wird), z.B. mittels Reißens, Brechens, Spaltens, Schneidens, usw. Soll die Versteifungsstruktur 106 wiederverwendet werden, kann das Trennen 801 erfolgen, indem der Randbereich 102r zerteilt wird. Optional kann der an der Versteifungsstruktur 106 verbleibende Teil des Randbereichs 102r nachfolgend entfernt werden, z.B. chemisch (z.B. mittels Ätzens) oder mechanisch (mittels Schleifens). Beispielsweise kann das chemische Entfernen des verbleibenden Teils des Randbereichs 102r erleichtert sein oder werden, wenn sich dieser von der Versteifungsstruktur 106 in seiner chemischen Zusammensetzung unterscheidet. Beispielsweise kann der Randbereich 102r Silizium aufweisen oder daraus gebildet sein und die Versteifungsstruktur 106 kann Glas aufweisen oder daraus gebildet sein.
  • Mittels der entfernten Versteifungsstruktur 106 kann optional das Versteifen mindestens eines zusätzlichen Halbleiter-Wafers 102, 202 erfolgen.
  • Das Verfahren kann in 800c aufweisen, zum Bilden der Versteifungsstruktur 106 diese und den Schaltkreisbereich 102s und/oder den Randbereich 102r zusammenzufügen 801, während der Füllkörper 402 an der Versteifungsstruktur 106 befestigt ist oder bleibt, z.B. formschlüssig, stoffschlüssig und/oder kraftschlüssig. Das Zusammenfügen 801 kann in 800c eingerichtet sein, wie vorangehend beschrieben ist. Der Schaltkreisbereich 102s oder zumindest der mindestens eine elektronische Schaltkreis 104 können frei von einer Verbindung (z.B. einer Klebeverbindung) zu dem Füllkörper 402 sein oder bleiben, z.B. frei von einem Kleber. Der Füllkörper 402 kann in körperlichen Kontakt mit dem Schaltkreisbereich 102s gebracht sein oder werden.
  • Das Verfahren kann alternativ oder zusätzlich in 800c aufweisen, zum Entfernen der Versteifungsstruktur 106 diese von dem Randbereich 102r zu trennen 801, während der Füllkörper 402 an der Versteifungsstruktur 106 befestigt ist oder bleibt, z.B. mittels Licht (z.B. infrarotes und/oder ultraviolettes Licht) oder mittels thermischer Energie. Das Trennen 801 kann in 800b eingerichtet sein, wie vorangehend beschreiben ist.
  • Mittels der entfernten Versteifungsstruktur 106 und des daran befestigen Füllkörpers 402 kann optional das Versteifen mindestens eines zusätzlichen Halbleiter-Wafers 102, 202 erfolgen.
  • 9A und 9B veranschaulichen jeweils einen Halbleiter-Wafer 102, 202 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht, z.B. den ersten Halbleiter-Wafer 102 und/oder den zweiten Halbleiter-Wafer 202.
  • Das Verfahren kann in 900a aufweisen, zum Bilden der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 diese und die Versteifungsstruktur 106 zusammenzufügen 801. Das Zusammenzufügen 801 kann aufweisen, die Versteifungsstruktur 106 mit der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 zu verbinden, z.B. stoffschlüssig und/oder formschlüssig. Das Verbinden kann mittels eines Klebers, mittels anodischen Bondens und/oder mittels Laserstrahlschweißens erfolgen. Das anodische Bondens und/oder das Laserstrahlschweißen kann eine Verbindung ermöglichen, welche eine Temperaturstabilität von ungefähr 400°C oder mehr aufweist, z.B. von ungefähr 500°C oder mehr, z.B. von ungefähr 600°C oder mehr, z.B. von ungefähr 700°C oder mehr, z.B. von ungefähr 800°C oder mehr, z.B. von ungefähr 900°C oder mehr. Das Kleben und der Formschluss können jeweils eine lösbare Verbindung ermöglichen. Beispielsweise kann das Kleben mittels eines lichtsensitiven Klebers und/oder mittels eines thermosensitiven Klebers erfolgen. Mit anderen Worten kann der Kleber entweder zum Aushärten und/oder zum Trennen mittels Licht (z.B. infrarotes und/oder ultraviolettes Licht) oder mittels thermischer Energie eingerichtet sein.
  • Die formschlüssige Verbindung zwischen der Versteifungsstruktur 106 und der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 kann beispielsweise ein Drehverschluss aufweisen ausgebildet sein. Beispielsweise können die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 und die Versteifungsstruktur 106 zueinander passende Gewinde oder Eingriffabschnitte (z.B. zum Bilden eines Steck-Dreh-Verschlusses, wie beispielsweise einen Bajonettverschluss) aufweisen.
  • Das Verfahren kann alternativ oder zusätzlich in 900a aufweisen, zum Entfernen der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 diese von der Versteifungsstruktur 106 zu trennen 801, z.B. wenn diese lösbar miteinander verbunden sind. Das Trennen kann zerstörungsfrei erfolgen, z.B. wenn diese lösbar miteinander verbunden sind. Beispielsweise kann das Trennen 801 der Verbindung zwischen der Versteifungsstruktur 106 und der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 erfolgen, indem der Kleber (z.B. ein lichtsensitiver Klebers und/oder ein thermosensitiver Kleber) gelöst wird, zumindest mittels Licht (z.B. infrarotes und/oder ultraviolettes Licht) oder mittels thermischer Energie. Alternativ oder zusätzlich kann das Trennen 801 der Verbindung zwischen der Versteifungsstruktur 106 und der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 erfolgen, indem der Formschluss aufgehoben wird. Das zerstörungsfreie Trennen 801 kann ein Wiederverwenden der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 ermöglichen und/oder erleichtern.
  • Sind die Versteifungsstruktur 106 und Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 unlösbar miteinander verbunden, kann das Trennen 801 erfolgen, indem diese mechanisch bearbeitet werden (z.B. indem der Halbleiter-Wafers 102, 202 zerteilt wird), z.B. mittels Reißens, Brechens, Spaltens, Schneidens, usw. Soll die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 wiederverwendet werden, kann das Trennen 801 erfolgen, indem die Versteifungsstruktur 106 zerteilt wird. Optional kann der an der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 verbleibende Teil der Versteifungsstruktur 106 nachfolgend entfernt werden, z.B. chemisch (z.B. mittels Ätzens) oder mechanisch (mittels Schleifens). Beispielsweise kann das chemische Entfernen des verbleibenden Teils der Versteifungsstruktur 106 erleichtert sein oder werden, wenn sich dieser von der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 in ihrer chemischen Zusammensetzung unterscheidet. Beispielsweise kann die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 Silizium aufweisen oder daraus gebildet sein und die Versteifungsstruktur 106 kann Glas aufweisen oder daraus gebildet sein, oder andersherum.
  • Mittels der entfernten Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 kann optional das Abdecken und/oder Versteifen mindestens eines zusätzlichen Halbleiter-Wafers 102, 202 erfolgen, z.B. staubdicht und/oder vakuumdicht.
  • Beispielsweise kann zum Bearbeiten des Schaltkreisbereichs 102s auf der ersten Hauptprozessierseite 102t (z.B. des Schaltkreisbereich 102s) die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 entfernt werden. Der Halbleiter-Wafer 102, 202 kann optional während des Bearbeitens der ersten Hauptprozessierseite 102t (z.B. des Schaltkreisbereich 102s) die Versteifungsstruktur 106 aufweisen.
  • Das Verfahren kann in 900b aufweisen, zum Bilden der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 diese und die Versteifungsstruktur 106 zusammenzufügen 801, während der Füllkörper 402 an der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 befestigt ist oder bleibt, z.B. formschlüssig, stoffschlüssig und/oder kraftschlüssig. Das Zusammenfügen 801 kann in 900b eingerichtet sein, wie vorangehend beschrieben ist. Der Schaltkreisbereich 102s oder zumindest der mindestens eine elektronische Schaltkreis 104 können frei von einer Verbindung (z.B. einer Klebeverbindung) zu dem Füllkörper 402 sein oder bleiben, z.B. frei von einem Kleber. Der Füllkörper 402 kann in körperlichen Kontakt mit dem Schaltkreisbereich 102s gebracht sein oder werden.
  • Das Verfahren kann alternativ oder zusätzlich in 900b aufweisen, zum Entfernen der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 diese von der Versteifungsstruktur 106 zu trennen 801, während der Füllkörper 402 an der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 befestigt ist oder bleibt, z.B. mittels Licht (z.B. infrarotes und/oder ultraviolettes Licht) oder mittels thermischer Energie. Das Trennen 801 kann in 900b eingerichtet sein, wie vorangehend beschreiben ist.
  • Mittels der entfernten Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 und des daran befestigen Füllkörpers 402 kann optional das Versteifen und/oder Abdecken mindestens eines zusätzlichen Halbleiter-Wafers 102, 202 erfolgen, z.B. staubdicht und/oder vakuumdicht.
  • Beispielsweise können zum Bearbeiten des Schaltkreisbereichs 102s auf der ersten Hauptprozessierseite 102t die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 und der Füllkörper 402 entfernt werden. Der Halbleiter-Wafer 102, 202 kann optional während des Bearbeitens der ersten Hauptprozessierseite 102t (z.B. des Schaltkreisbereich 102s) die Versteifungsstruktur 106 aufweisen.
  • Das Verfahren kann in 900c aufweisen, zum Bilden der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 diese und die Versteifungsstruktur 106 zusammenzufügen 801, während der Füllkörper 402 an der Versteifungsstruktur 106 befestigt ist oder bleibt, z.B. formschlüssig, kraftschlüssig und/oder stoffschlüssig. Das Zusammenfügen 801 kann in 900c eingerichtet sein, wie vorangehend beschrieben ist. Der Schaltkreisbereich 102s oder zumindest der mindestens eine elektronische Schaltkreis 104 können frei von einer Verbindung (z.B. einer Klebeverbindung) zu dem Füllkörper 402 sein oder bleiben, z.B. frei von einem Kleber. Der Füllkörper 402 kann in körperlichen Kontakt mit dem Schaltkreisbereich 102s gebracht sein oder werden.
  • Das Verfahren kann alternativ oder zusätzlich in 900c aufweisen, zum Entfernen der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 diese und die Versteifungsstruktur 106 voneinander zu trennen 801 während der Füllkörper 402 an der Versteifungsstruktur 106 befestigt ist oder bleibt, z.B. mittels Licht (z.B. infrarotes und/oder ultraviolettes Licht) oder mittels thermischer Energie. Das Trennen 801 kann in 900c eingerichtet sein, wie vorangehend beschreiben ist.
  • Mittels der entfernten Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 kann optional das Versteifen und/oder Abdecken mindestens eines zusätzlichen Halbleiter-Wafers 102, 202 erfolgen, z.B. staubdicht und/oder vakuumdicht.
  • 10A, 10B und 10C veranschaulichen jeweils einen Halbleiter-Wafer 102, 202 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht, z.B. den ersten Halbleiter-Wafer 102 und/oder den zweiten Halbleiter-Wafer 202.
  • Das Verfahren kann in 1000a aufweisen, eine Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 über der Versteifungsstruktur 106 anzuordnen, welche einen Vorsprung 306v aufweist, der sich in die Aussparung 106a hinein erstreckt. Damit kann das Volumen des Aussparung 106a und damit der Materialbedarf für den Füllkörper 402 reduziert werden.
  • Das Verfahren kann in 1000b aufweisen: Entfernen (und/oder Ablösen) der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 von der Versteifungsstruktur 106 eines ersten Halbleiter-Wafers 102 und Hinzufügen der Versteifungsstruktur 106 zu einem zweiten Halbleiter-Wafer 202, welcher optional nachfolgend bearbeitet werden kann. Mit anderen Worten kann ein Bearbeiten des zweiten Halbleiter-Wafers 202 erfolgen, welcher die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 aufweist. Mit anderen Worten kann zumindest die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 wiederverwendet 1002 werden. Optional kann ein Füllkörper 402 in der Aussparung 106a des ersten Halbleiter-Wafers 102 und/oder in der Aussparung 106a des zweiten Halbleiter-Wafers 202 angeordnet sein oder bleiben.
  • Das Verfahren kann in 1000c aufweisen: Entfernen (und/oder Ablösen) des Füllkörpers 402 von dem Schaltkreisbereich 102s des ersten Halbleiter-Wafers 102 und Hinzufügen des Füllkörpers 402 zu einem zweiten Halbleiter-Wafer 202, welcher optional nachfolgend bearbeitet werden kann. Mit anderen Worten kann zumindest der Füllkörper 402 wiederverwendet 1002 werden.
  • Das Verfahren kann in 1000c aufweisen: Herausbringen des Füllkörpers 402 aus einer Aussparung 106a des ersten Halbleiter-Wafers 102 und Hineinbringen des Füllkörpers 402 in eine Aussparung 106a des zweiten Halbleiter-Wafers 202.
  • 11A, 11B und 11C veranschaulichen jeweils einen Halbleiter-Wafer 102, 202 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht, z.B. den ersten Halbleiter-Wafer 102 und/oder den zweiten Halbleiter-Wafer 202.
  • Das Verfahren kann in 1100a aufweisen: Entfernen (und/oder Ablösen) der Versteifungsstruktur 106 (z.B. von einem ersten Halbleiter-Wafer 102) von dem Randbereich 102r des ersten Halbleiter-Wafers 102 und Hinzufügen der Versteifungsstruktur 106 zu einem zweiten Halbleiter-Wafer 202, welcher optional nachfolgend bearbeitet werden kann. Mit anderen Worten kann zumindest die Versteifungsstruktur 106 wiederverwendet 1002 werden.
  • Das Verfahren kann in 1100b aufweisen: Entfernen (und/oder Ablösen) der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 gemeinsam mit dem Füllkörper 402 (z.B. als miteinander verbundene Einheit) von der Versteifungsstruktur 106 eines ersten Halbleiter-Wafers 102 und Hinzufügen des Füllkörpers 402 gemeinsam mit der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 zu einem zweiten Halbleiter-Wafer 202, welcher optional nachfolgend bearbeitet werden kann. Mit anderen Worten können zumindest die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 und der Füllkörper 402 wiederverwendet 1002 werden, z.B. als miteinander verbundene Einheit.
  • Das Verfahren kann in 1100b aufweisen: Herausbringen des Füllkörpers 402 aus der Aussparung 106a des ersten Halbleiter-Wafers 102 und Hineinbringen des Füllkörpers 402 in eine Aussparung 106a des zweiten Halbleiter-Wafers 202.
  • Das Verfahren kann in 1100c aufweisen: Entfernen (und/oder Ablösen) der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 gemeinsam mit dem Füllkörper 402 sowie der Versteifungsstruktur 106 (z.B. als miteinander verbundene Einheit) von dem von einem ersten Halbleiter-Wafer 102 und Hinzufügen der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 gemeinsam mit dem Füllkörper 402 sowie der Versteifungsstruktur 106 zu einem zweiten Halbleiter-Wafers 202, welcher optional nachfolgend bearbeitet werden kann. Mit anderen Worten können die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306, die Versteifungsstruktur 106 und der Füllkörper 402 gemeinsam (z.B. als miteinander verbundene Einheit) wiederverwendet 1002 werden.
  • 12A, 12B, 12C und 12D veranschaulichen jeweils einen Halbleiter-Wafer 102, 202 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht.
  • Das Verfahren kann in 1200a aufweisen, zum Bilden der Versteifungsstruktur 106 ein Halbleitermaterial 1202 auf der ersten Hauptprozessierseite 102t des Halbleiter-Wafers 102, z.B. über dessen Randbereich 102r, anzuordnen. Das Halbleitermaterial 1202 kann mittels einer Gasphasenabscheidung, z.B. einer physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD) und/oder einer chemischen Gasphasenabscheidung (CVD), abgeschieden werden und optional geätzt und/oder oxidiert werden. Das Halbleitermaterial 1202 kann optional epitaktisch aufgewachsen werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Versteifungsstruktur 106 (bzw. deren Material) und der Randbereich 102r bzw. der Schaltkreisbereich 102s monolithisch (z.B. integral) miteinander verbunden sein. Der Randbereich 102r und der Schaltkreisbereich 102s können monolithisch (z.B. integral) miteinander verbunden sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Aussparung 106a durch die Versteifungsstruktur 106 hindurch oder zumindest in diese hinein gebildet werden, indem Material von der Versteifungsstruktur 106 entfernt wird (z.B. mittels thermischen Bearbeitens, chemischen Bearbeitens und/oder mechanischen Bearbeitens) oder indem das Material mittels einer Maske abgeschieden wird. Beispielsweise der Schaltkreisbereich 102s mittels der Maske abgedeckt sein oder werden.
  • Nach dem Bilden der Versteifungsstruktur 106 kann in 1200a das Bilden des mindestens einen elektronischen Schaltkreises 104 erfolgen, z.B. indem der Schaltkreisbereich 102s in einem oder mehreren Abschnitten dotiert wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Halbleitermaterial 1202 Silizium aufweisen oder daraus gebildet sein. Alternativ kann das Halbleitermaterial 1202 Gallium aufweisen oder daraus gebildet sein.
  • Optional kann Sauerstoff, Stickstoff oder Kohlenstoff in die Versteifungsstruktur 106 eingebaut werden, z.B. in Form einer Halbleiterverbindung wie beispielsweise Siliziumkarbid oder Galliumnitrid. Alternativ kann mittels des Sauerstoffs, Stickstoffs oder Kohlenstoffs eine Keramik gebildet sein oder werden, z.B. Siliziumoxid.
  • In verschiedenen Ausführungsformen können die Versteifungsstruktur 106 und der Randbereich 102r dasselbe Halbleitermaterial (beispielsweise SiC), denselben Halbleiter (beispielsweise Si) und/oder dieselbe chemische Zusammensetzung aufweisen oder daraus gebildet sein. In verschiedenen Ausführungsformen können die Versteifungsstruktur 106 und der Schaltkreisbereich 102s dasselbe Halbleitermaterial (beispielsweise SiC) und/oder denselben Halbleiter (beispielsweise Si) aufweisen oder daraus gebildet sein. Beispielsweise können die Versteifungsstruktur 106 und der Schaltkreisbereich 102s mittels desselben Prozesses abgeschieden werden, z.B. auf einem Substrat 1302 (vergleiche 13B) .
  • Das Verfahren kann in 1200b aufweisen, zum Bilden der Versteifungsstruktur 106 ein Polymer 1204 über dem Randbereich 102r anzuordnen, z.B. ein keramikbildendes Polymer 1204. Das keramikbildende Polymer 1204 kann eingerichtet sein, bei oder oberhalb einer Aktivierungstemperatur (anschaulich eine Umwandlungstemperatur, welche die Umwandlung aktiviert) unter Bildung einer Keramik chemisch zu reagieren und/oder zu zerfallen. Zum Bilden der Versteifungsstruktur 106 kann das keramikbildende Polymer 1204 auf oder über die Aktivierungstemperatur gebracht sein oder werden. Alternativ zu dem keramikbildenden Polymer, kann die Versteifungsstruktur 106 ein Harz oder ein Silizium-basiertes Polymer aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. ein Silikon. Das Harz oder das Silikon können beispielsweise im viskosen Zustand aufgebracht sein oder werden und nachfolgend aushärten.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das keramikbildende Polymer Kohlenstoff und Silizium (z.B. in Form von Silane) aufweisen sowie optional mindestens einen Wasserstoffliganden und/oder optional mindestens eine Allylgruppe. Beispielsweise kann das keramikbildende Polymer Carbosilane aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. Allyl-Hydrido-Polycarbosilane. Das keramikbildende Polymer kann beispielsweise zu SiC reagieren. Dabei aus dem keramikbildende Polymer Wasserstoff freigesetzt werden.
  • Optional kann nach dem Bilden der Versteifungsstruktur 106 in 1200b das Bilden des mindestens einen elektronischen Schaltkreises 104 erfolgen, z.B. indem der Schaltkreisbereich 102s in einem oder mehreren Abschnitten dotiert wird. Alternativ kann der mindestens eine elektronische Schaltkreis 104 vor dem Bilden der Versteifungsstruktur 106 gebildet worden sein.
  • Das Verfahren kann in 1200c aufweisen, zum Bilden der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 ein Polymer 1204 über dem Füllkörper 402 und/oder über der Versteifungsstruktur 106 anzuordnen, z.B. ein keramikbildendes Polymer 1204. Das keramikbildende Polymer 1204 kann eingerichtet sein bei oder oberhalb der Aktivierungstemperatur unter Bildung einer Keramik chemisch zu reagieren und/oder zu zerfallen. Zum Bilden der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 kann das keramikbildende Polymer 1204 auf oder über die Aktivierungstemperatur gebracht sein oder werden. Alternativ zu dem keramikbildenden Polymer, kann die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 ein Harz oder ein Silizium-basiertes Polymer aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. ein Silikon. Das Harz oder das Silikon können beispielsweise im viskosen Zustand aufgebracht sein oder werden und nachfolgend aushärten.
  • Das Verfahren kann in 1200d aufweisen, eine (vergrabene) Ätzstopplage 1206 in dem Halbleiter-Wafer 102, 202 zu bilden.
  • Die Ätzstopplage 1206 kann optional mit dem Schaltkreisbereich 102s in körperlichem Kontakt sein. Dies kann es ermöglichen, das Dünnen des Halbleiter-Wafers 102, 202 mittels Ätzens, an der Ätzstopplage 1206 zu stoppen. Mit anderen Worten kann der Halbleiter-Wafer 102, 202 eine Ätzstopplage 1206 aufweisen, an welcher das Dünnen (z.B. das Ätzen) stoppt.
  • Erfolgt das Dünnen mittels eines mechanischen Bearbeitens, z.B. mittels Spanens, oder mittels eines nicht ätzenden Abtragens, kann die Ätzstopplage 1206 weggelassen werden. Das Verwenden der Ätzstopplage 1206 erleichtert das kräftefreie Dünnen des Halbleiter-Wafers 102, 202 und kann damit ermöglichen, den Füllkörper 402 optional wegzulassen.
  • 13A veranschaulicht einen Halbleiter-Wafer 102, 202 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Draufsicht (z.B. auf die erste Hauptprozessierseite 102t blickend).
  • Das Verfahren kann in 1300a aufweisen, mehrere Segmente 116a, 116b, 116c, 116d der Versteifungsstruktur 106 zu bilden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die mehreren Segmente 116a, 116b, 116c, 116d gebildet werden, indem Material von der Versteifungsstruktur 106 entfernt wird (z.B. mittels thermischen Bearbeitens, chemischen Bearbeitens und/oder mechanischen Bearbeitens) oder indem Material mittels einer Maske abgeschieden wird. Zwischen einander benachbarten Segmenten 116a, 116b, 116c, 116d kann jeweils eine Öffnung 106o der Versteifungsstruktur 106 angeordnet sein oder werden. Mit anderen Worten können die einander benachbarten Segmente 116a, 116b, 116c, 116d einen Abstand voneinander aufweisen. Beispielsweise kann zumindest der Randbereich 102r mittels der Maske abschnittsweise abgedeckt sein oder werden, z.B. an den Abschnitten, an denen die Öffnung 106o gebildet werden sollen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Versteifungsstruktur 106 mindestens zwei Segmente 116a, 116c aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. drei Segmente, vier Segmente (wie in 13A dargestellt), fünf Segment, sechs Segmente, sieben Segmente, acht Segmente, neun Segmente, zehn Segmente oder mehr als zehn Segmente, z.B. zwanzig Segmente, fünfzig Segmente, hundert Segmente oder mehr als hundert Segmente.
  • 13B, 13C und 13D veranschaulichen jeweils einen Halbleiter-Wafer 102, 202 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht.
  • Das Verfahren kann in 1300b aufweisen: Bilden des Schaltkreisbereichs 102s über einem Substrat 1302. Das Bilden des Schaltkreisbereichs 102s kann aufweisen, eine Schicht 1304 (auch als Nutzschicht 1304 bezeichnet) über dem Substrat 1302 zu bilden. Das Substrat 1302 kann ein erstes Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. mit einer ersten chemischen Zusammensetzung.
  • Die Nutzschicht 1304 kann einen Halbleiterbereich aufweisen oder daraus gebildet sein. Nutzschicht 1304 bzw. deren Halbleiterbereich kann ein zweites Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. mit einer zweiten chemischen Zusammensetzung. Optional können das erste Halbleitermaterial und das zweite Halbleitermaterial gleich sein, z.B. Si, GaN oder SiC. Alternativ oder zusätzlich können sich das erste Halbleitermaterial und das zweite Halbleitermaterial unterscheiden, z.B. in zumindest ihrer chemischen Zusammensetzung, z.B. ein einer Dotierstoffkonzentration, und/oder in ihrem Halbleiter. Beispielsweise kann Si auf SiC abgeschieden sein oder werden.
  • Zum Bilden der Dotierstoffkonzentration in der Nutzschicht 1304 kann ein Dotierstoff in diese eingebracht sein oder werden, z.B. in deren Schaltkreisbereich 102s. Mittels des Dotierstoffs können ein oder mehrere dotierte Abschnitte des Schaltkreisbereichs 102s gebildet sein oder werden. Der oder jeder dotierte Abschnitte des Schaltkreisbereichs 102s kann Teil des mindestens einen elektronischen Schaltkreises 104 sein.
  • Das zweite Halbleitermaterial kann optional ein einkristallines Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. gleich zu dem ersten Halbleitermaterial. Beispielsweise können die Nutzschicht 1304 und das Substrat 1302 (d.h. deren Materialien) eine epitaktische Relation zueinander aufweisen. Mit anderen Worten können die Kristallstrukturen der Nutzschicht 1304 und des Substrats 1302 eine definierte Orientierung zueinander aufweisen, z.B. dieselbe Orientierung. Die Nutzschicht 1304 kann beispielsweise epitaktisch auf dem Substrat 1302 aufgewachsen sein oder werden, z.B. homoepitaktisch oder heteroepitaktisch. Mit anderen Worten kann die Nutzschicht 1304 eine epitaktische Schicht (EPI-Schicht) aufweisen oder daraus gebildet sein.
  • Beispielsweise können die Nutzschicht 1304 und das Substrat 1302 (im Fall von Homoepitaxie) in ihrer Kristallstur und/oder in ihrer chemischen Zusammensetzung übereinstimmen. Beispielsweise kann EPI-Galliumnitrid 1304 über einem Galliumnitrid-Substrat 1302 gebildet sein oder werden. Alternativ kann EPI-Siliziumkarbid 1304 über einem Siliziumkarbid-Substrat 1302 gebildet sein oder werden.
  • Alternativ können sich die Nutzschicht 1304 und das Substrat 1302 (im Fall von Heteroepitaxie) in ihrer Kristallstur und/oder chemischen Zusammensetzung unterscheiden. Beispielsweise kann EPI-Galiumnitrid 1304 über einem SiliziumSubstrat 1302 gebildet sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat 1302 ein Halbleiter-Substrat 1302 sein und/oder darauf kann eine epitaktisch gebildete Halbleiterschicht 1304 den Schaltkreisbereich 102s aufweisen.
  • Optional kann zwischen dem Substrat 1302 und der Nutzschicht 1304 eine Ätzstopplage 1206 gebildet sein oder werden, wie vorangehend beschrieben ist. Alternativ oder zusätzlich kann zwischen dem Substrat 1302 und der Nutzschicht 1304 eine Opferschicht 1902 gebildet sein oder werden, wie nachfolgend noch genauer beschrieben ist (vergleiche 19A).
  • Das Verfahren kann in 1300b aufweisen: Bilden eines Schaltkreisbereichs 102s in der Nutzschicht 1304, zum Beispiel indem der mindestens eine elektronische Schaltkreis 104 in der Nutzschicht 1304 gebildet wird. Der Schaltkreisbereich 102s oder zumindest der mindestens eine elektronische Schaltkreis 104 können die Nutzschicht 1304 in eine vertikale Richtung zumindest teilweise durchdringen (d.h. teilweise oder vollständig). Mit anderen Worten kann die Nutzschicht 1304 den Schaltkreisbereichs 102s aufweisen. Ferner kann die Nutzschicht 1304 den Randbereich 102r aufweisen, welche den Schaltkreisbereich 102s umgibt.
  • Das Verfahren kann in 1300c aufweisen, zum Dünnen des Halbleiter-Wafers 102, 202 das epitaktisch gebildete Material freizulegen, z.B. auf der zweiten Hauptprozessierseite 102b. Dazu kann das Substrat 1302 beispielsweise zumindest teilweise entfernt sein oder werden sowie optional die Ätzstopplage 1206. Weist der Halbleiter-Wafer 102, 202 die Ätzstopplage 1206 auf, kann in einem ersten Dünnen-Teilschritt die Ätzstopplage 1206 freigelegt werden (z.B. mittels eines ersten Ätzmittels, welches an der Ätzstopplage 1206 stoppt) und in einem zweiten Dünnen-Teilschritt die Ätzstopplage 1206 entfernt werden (z.B. mittels eines zweiten Ätzmittels, welches die Ätzstopplage 1206 entfernt).
  • Das erste Ätzmittel kann das Substrat 1302 schneller ätzen als die Ätzstopplage 1206. Das zweite Ätzmittel kann die Nutzschicht 1304 langsamer ätzen als die Ätzstopplage 1206.
  • Das Verfahren kann in 1300d aufweisen, zum Dünnen des Halbleiter-Wafers 102, 202 den mindestens einen elektronischen Schaltkreis 104 freizulegen, z.B. auf der zweiten Hauptprozessierseite 102b. Dazu kann das Substrat 1302 beispielsweise zumindest teilweise entfernt sein oder werden und optional zumindest ein Teil der Nutzschicht 1304 sowie optional die Ätzstopplage 1206.
  • Optional kann der mindestens einen elektronischen Schaltkreis 104 in 1300d prozessiert werden, z.B. indem ein oder mehrere Schichten darauf abgeschieden und/oder strukturiert werden, z.B. auf der ersten Hauptprozessierseite 102t und/oder auf der zweiten Hauptprozessierseite 102b. Beispielsweise können die ein oder mehreren Schichten eine Metallisierungsschicht aufweisen oder daraus gebildet sein, welche z.B. zumindest ein Kontaktpad aufweist.
  • 14A, 14B und 14C veranschaulichen jeweils einen Halbleiter-Wafer 102, 202 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht, z.B. den ersten Halbleiter-Wafer 102 und/oder den zweiten Halbleiter-Wafer 202.
  • Das Verfahren kann in 1400a aufweisen: Bilden einer Schutzabdeckung 302 auf der ersten Hauptprozessierseite 102t des Halbleiter-Wafers 102, 202. Die Schutzabdeckung 302 kann eingerichtet sein, den Schaltkreisbereich 102s berührungsfrei abzudecken.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Schutzabdeckung 302 eine Versteifungsstruktur 106 aufweisen, welche von einer Aussparung 106a durchdrungen ist. Ferner kann die Schutzabdeckung 302 eine Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 aufweisen, welche an die Aussparung 106a angrenzt. Die Aussparung 106a kann einen Hohlraum bilden, wenn die Schutzabdeckung 302 und der Schaltkreisbereich 102s zusammengefügt sind.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Schutzabdeckung 302 (bzw. deren Versteifungsstruktur 106) nur mit einem Randbereich 102r des Halbleiter-Wafers 102, 202 in körperlichen Kontakt sein, welcher den Schaltkreisbereich 102s umgibt.
  • Das Verfahren kann in 1400b aufweisen: Bilden einer Schutzabdeckung 302 auf der ersten erste Hauptprozessierseite 102t des Halbleiter-Wafers 102, 202. Die Schutzabdeckung 302 kann eingerichtet sein, den Schaltkreisbereich 102s adhäsionsfrei abzudecken und optional abzustützen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Schutzabdeckung 302 eine Versteifungsstruktur 106 aufweisen, welche von einer Aussparung 106a durchdrungen ist. Ferner kann die Schutzabdeckung 302 einen Füllkörper 402 aufweisen, welcher in der Aussparung 106a angeordnet ist. Der Füllkörper 402 kann die Aussparung 106a im Wesentlichen ausfüllen und optional mit dem Schaltkreisbereich 102s in körperlichen Kontakt gebracht sein, wenn die Schutzabdeckung 302 und der Schaltkreisbereich 102s zusammengefügt sind, z.B. staubdicht und/oder vakuumdicht.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Versteifungsstruktur 106 nur mit einem Randbereich 102r des Halbleiter-Wafers 102, 202 in körperlichen Kontakt sein, welcher den Schaltkreisbereich 102s umgibt.
  • Das Verfahren kann in 1400c aufweisen: Bilden einer Schutzabdeckung 302 auf der ersten Hauptprozessierseite 102t des Halbleiter-Wafers 102, 202. Die Schutzabdeckung 302 kann eingerichtet sein, den Schaltkreisbereich 102s adhäsionsfrei abzudecken und optional abzustützen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Schutzabdeckung 302 eine Versteifungsstruktur 106 aufweisen, welche von einer Aussparung 106a durchdrungen ist. Ferner kann die Schutzabdeckung 302 eine Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 aufweisen, welche an die Aussparung 106a angrenzt und diese abdeckt, z.B. staubdicht und/oder vakuumdicht. Ferner kann die Schutzabdeckung 302 einen Füllkörper 402 aufweisen, welcher in der Aussparung 106a angeordnet ist. Der Füllkörper 402 kann die Aussparung 106a im Wesentlichen ausfüllen und optional mit dem Schaltkreisbereich 102s und/oder mit der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 in körperlichen Kontakt gebracht sein, wenn die Schutzabdeckung 302 und der Schaltkreisbereich 102s zusammengefügt sind.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Versteifungsstruktur 106 nur mit einem Randbereich 102r des Halbleiter-Wafers 102, 202 in körperlichen Kontakt sein, welcher den Schaltkreisbereich 102s umgibt.
  • Optional können die Versteifungsstruktur 106 und die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 in 1400a und 1400c monolithisch miteinander verbunden sein.
  • 15A, 15B, 15C und 15D veranschaulichen jeweils einen Halbleiter-Wafer 102, 202 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht, z.B. den ersten Halbleiter-Wafer 102 und/oder den zweiten Halbleiter-Wafer 202.
  • Das Verfahren kann in 1500a aufweisen, zum Bilden des Füllkörpers 402 mittels einer Düse 1504 ein Material 402m in die Aussparung 106a hinzubringen und/oder dieses darin aufzuschäumen, während der Halbleiter-Wafer 102, 202 die Versteifungsstruktur 106 aufweist.
  • Das Aufschäumen kann beispielsweise mittels eines Treibmittels erfolgen. Alternativ oder zusätzlich kann das Aufschäumen erfolgen, indem dem Material 402m in der Aussparung 106a ein Gas zugeführt (zugemischt) wird (z.B. mittels der Düse 1504), und/oder indem das Material 402m mit einem Gas versetzt in der Aussparung 106a entspannt wird (d.h. unter einem erhöhten Druck eingebracht wird und/oder darin ausgast).
  • Optional kann zwischen dem Füllkörper 402 und dem Schaltkreisbereich 102s eine Trennschicht 1502 gebildet sein oder werden. Die Trennschicht 1502 kann beispielsweise keine Adhäsionskraft zu dem Schaltkreisbereich 102s aufweisen oder zumindest weniger als zu dem Material 402m des Füllkörpers 402. Alternativ oder zusätzlich kann eine Adhäsionskraft der Trennschicht 1502 zu dem Schaltkreisbereich 102s kleiner sein als eine Gewichtskraft des Füllkörpers 402, z.B. weniger als ungefähr 50% der Gewichtskraft des Füllkörpers 402 betragen, z.B. weniger als ungefähr 25% der Gewichtskraft des Füllkörpers 402 betragen. Damit kann erreicht werden, dass der Füllkörper 402 möglichst wenig Kraft auf den Schaltkreisbereich 102s ausübt und/oder leichter entfernt werden kann. Die Trennschicht 1502 kann beispielsweise eine Folie aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. eine Polymerfolie.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Einbringen des Materials 402m in die Aussparung 106a mittels einer Düse 1504 erfolgen, z.B. mittels eines Druckprozesses.
  • Das Verfahren kann in 1500b aufweisen einen Halbleiter-Wafer 102, 202 bereitzustellen, welcher ein Substrat 1302 und eine epitaktisch (z.B. homoepitaktisch) abgeschiedene Nutzschicht 1304 aufweist, sowie optional eine Ätzstoppschicht 1206 (auch als Ätzstopplage 1206 bezeichnet) zwischen diesen.
  • Die Nutzschicht 1304 kann eine vertikale Ausdehnung aufweisen, welche gleich oder größer der Dicke 104d des Schaltkreisbereichs 102s ist.
  • Optional kann der Halbleiter-Wafer 102, 202 den mindestens einen elektronischen Schaltkreis 104 aufweisen, welcher in der Nutzschicht 1304 gebildet ist.
  • Das Verfahren kann in 1500c aufweisen, die Versteifungsstruktur 106 auf der Hauptprozessierseite 102t des Halbleiter-Wafers 102, 202, welcher ein Substrat 1302 und eine epitaktisch (z.B. homoepitaktisch) abgeschiedene Nutzschicht 1304 aufweist anzuordnen. Optional kann zwischen dem Substrat 1302 und der Nutzschicht 1304 eine Ätzstopplage 1206 angeordnet sein oder werden.
  • Das Verfahren kann in 1500c optional aufweisen, die Versteifungsstruktur 106 mit der Nutzschicht 1304 zu verbinden, z.B. mittels eines Klebers, mittels anodischen Bondens und/oder mittels Laserstrahlschweißens.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Dicke 106d der Versteifungsstruktur 106 größer sein als eine Dicke 104d der Nutzschicht 1304, zum Beispiel ungefähr das Doppelte der Dicke 104d der Nutzschicht 1304 oder mehr, zum Beispiel ungefähr das Dreifache der Dicke 104d der Nutzschicht 1304 oder mehr, zum Beispiel ungefähr das Vierfache der Dicke 104d der Nutzschicht 1304 oder mehr. Dies kann die Versteifungswirkung verbessern.
  • Das Verfahren kann in 1500d aufweisen, die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 und den Füllkörper 402 über dem Schaltkreisbereich 102s anzuordnen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 und der Füllkörper 402 nacheinander über dem Schaltkreisbereich 102s angeordnet werden, z.B. einzeln (d.h. mit einem zeitlichen Abstand voneinander). Alternativ können die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 und der Füllkörper 402 gemeinsam über der Versteifungsstruktur 106 angeordnet werden, z.B. bereits miteinander verbunden.
  • Das Verfahren kann in 1500d optional aufweisen, die Versteifungsstruktur 106 mit der Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 zu verbinden, z.B. mittels eines Klebers, mittels anodischen Bonden und/oder mittels Laserstrahlschweißens.
  • 16A, 16B und 16C veranschaulichen jeweils einen Halbleiter-Wafer 102, 202 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht, z.B. den ersten Halbleiter-Wafer 102 und/oder den zweiten Halbleiter-Wafer 202.
  • Das Verfahren kann in 1600a aufweisen, das Substrat 1302 zumindest teilweise (d.h. teilweise oder vollständig) zu entfernen (z.B. von der zweite Hauptprozessierseite 102b aus), zum Beispiel mittels Schleifen und/oder Ätzens. Beispielsweise kann das Verfahren in 1600a aufweisen, die Ätzstopplage 1206 zumindest teilweise freizulegen.
  • Beispielsweise kann das Ätzen an der Ätzstopplage 1206 stoppen. Zum Ätzen kann ein Ätzmittel verwendet werden, welches das Substrat 1302 schneller ätzt als die Ätzstopplage 1206. Damit kann erreicht werden, dass das Ätzen an der Ätzstopplage 1206 gestoppt werden kann. Alternativ zum Ätzen kann ein anderer subtraktiver Bearbeitungsprozess verwendet werden.
  • Beispielsweise kann das Schleifen nach einer vorbestimmten Zeit gestoppt werden. Damit kann erreicht werden, dass das Schleifen vor oder an der Nutzschicht 1304 stoppt. Alternativ zum Schleifen kann ein anderer subtraktiver Bearbeitungsprozess verwendet werden.
  • Das Verfahren kann in 1600b aufweisen (z.B. nach 1600a), die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 und den Füllkörper 402 von der Versteifungsstruktur 106 zu entfernen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 und der Füllkörper 402 nacheinander von der Versteifungsstruktur 106 entfernt werden, z.B. einzeln (d.h. mit einem zeitlichen Abstand voneinander). Alternativ können die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 und der Füllkörper 402 gemeinsam von der Versteifungsstruktur 106 entfernt werden, z.B. als miteinander verbundene Einheit.
  • Das Verfahren kann in 1600c optional aufweisen (z.B. nach 1600b), die Ätzstopplage 1206 (wenn vorhanden) zu entfernen, zum Beispiel mittels Abtragens oder mittels Spanens, zum Beispiel mittels Ätzens (z.B. selektiv). Beispielsweise kann das Ätzen an der Ätzstopplage 1206 stoppen. Zum Ätzen kann ein Ätzmittel verwendet werden, welches die Ätzstopplage 1206 schneller ätzt als den Schaltkreisbereich 102s. Damit kann erreicht werden, dass das Ätzen an dem Schaltkreisbereich 102s stoppt.
  • Das Verfahren kann in 1600c aufweisen, die Halbleiter-Wafer 102, 202 zu bearbeiten. Das Bearbeiten kann zumindest eines von Folgenden aufweisen: chemisches Bearbeiten (z.B. Reinigen, Dotieren, Ätzen, Implantieren, Reagieren, etc.); thermisches Bearbeiten (z.B. Bestrahlen, Erwärmen, Kühlen, Aufschmelzen, Erstarren, etc.); und/oder mechanisches Bearbeiten (z.B. Spanen, Schleifen, Polieren, Fräsen, Sägen, Zerteilen, etc.).
  • Das Bearbeiten kann beispielsweise aufweisen, die erste Hauptprozessierseite 102t zu bearbeiten, z.B. zu tempern und/oder eine oder mehrere Schichten auf der ersten Hauptprozessierseite 102t abzuscheiden.
  • Alternativ oder zusätzlich kann das Verfahren in 1600c aufweisen, einen Messprozess durchzuführen. Beispielsweise kann das Verfahren in 1600c aufweisen, den mindestens einen elektronischen Schaltkreis 104 elektrisch zu testen, z.B. indem dieser (z.B. mittels Kontaktpads) elektrisch kontaktiert und gemessen wird.
  • Das Testen kann aufweisen: Ankontaktieren der diversen Kontaktpads der zu testenden Struktur(en) (Teststruktur(en)), z.B. der oder des Chips (z.B. Halbleiter-Chips, d.h. HL-Chips) und eine elektrische Charakterisierung der zu testenden Struktur(en) durchzuführen, z.B. indem deren elektrischer Leckstrom, elektrischer Widerstand und/oder deren Spannungsabfall erfasst und/oder aufgezeichnet wird.
  • Optional kann das Verfahren in 1600c den Randbereich 102r (wenn dieser als rückseitiger Stützring verwendet wurde) zu entfernen. Alternativ oder zusätzlich kann das Verfahren in 1600c aufweisen, den Halbleiter-Wafer 102, 202 zu belichten und/oder den mindestens einen oder jeden elektronischen Schaltkreis 104 zu vereinzeln.
  • 17A, 17B und 17C veranschaulichen jeweils einen Halbleiter-Wafer 102, 202 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht, z.B. den ersten Halbleiter-Wafer 102 und/oder den zweiten Halbleiter-Wafer 202.
  • Das Verfahren kann in 1700a aufweisen, eine Versteifungsstruktur 106 bereitzustellen und oder zu bilden, welche eine Vertiefung 106v aufweist. Die Vertiefung 106v kann mit der Aussparung 106a eine gemeinsame Durchgangsöffnung bilden. Mit anderen Worten kann die Vertiefung 106v an die Aussparung 106a angrenzen und/oder diese umgeben.
  • Die Versteifungsstruktur 106 kann derart eingerichtet sein, dass der Schaltkreisbereich 102s zumindest teilweise in die Vertiefung 106v hinein erstreckt ist. Beispielsweise kann die Nutzschicht 1304 in die Vertiefung 106v zumindest teilweise hinein erstreckt sein. Die Vertiefung 106v kann in lateraler Richtung von einem Rand der Versteifungsstruktur 106 umgeben sein oder werden.
  • Die Versteifungsstruktur 106 kann in lateraler Richtung eine größere Ausdehnung 106l aufweisen als der Randbereich 102r (bzw. als die Nutzschicht 1304). Mit anderen Worten kann die Versteifungsstruktur 106 in lateraler Richtung über den Randbereich 102r hervor stehen und/oder diese umgreifen (auch als Überhang bezeichnet). Anders ausgedrückt kann zumindest ein Teil der Versteifungsstruktur 106 (d.h. der Überhang) in lateraler Richtung (d.h. seitlich) neben dem Randbereich 102r angeordnet sein oder werden.
  • Die Vertiefung 106v kann eine laterale Ausdehnung 116b aufweisen, welche größer ist als eine laterale Ausdehnung 106b der Aussparung 106a. Alternativ oder zusätzlich kann die Vertiefung 106v eine laterale Ausdehnung 116b aufweisen welche gleich oder größer der lateralen Ausdehnung des Randbereichs 102r oder zumindest der Nutzschicht 1304 ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Vertiefung 106v eine Tiefe 116v aufweisen, welche gleich oder größer ist als die Dicke 104d des Schaltkreisbereichs 102s und/oder welche gleich oder größer als die Dicke der Nutzschicht 1304. Die Nutzschicht 1304 kann eine vertikale Ausdehnung (anschaulich Dicke) aufweisen, welche gleich oder größer der Dicke 104d des Schaltkreisbereichs 102s ist.
  • Das Verfahren kann in 1700a optional aufweisen, den Füllkörper 402 (wenn vorhanden) und/oder die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 (wenn vorhanden) über dem Schaltkreisbereich 102s anzuordnen, z.B. einzeln oder als miteinander verbundene Einheit. Das Verfahren kann in 1700a optional aufweisen, die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 (wenn vorhanden) und/oder den Füllkörper 402 (wenn vorhanden) mit der Versteifungsstruktur 106 zu verbinden.
  • Das Verfahren kann in 1700b aufweisen, eine Nutzschicht 1304 bereitzustellen und oder zu bilden, z.B. über dem Substrat 1302.
  • Das Verfahren kann in 1700b optional aufweisen: Bilden eines Schaltkreisbereichs 102s in der Nutzschicht 1304, zum Beispiel, indem der mindestens eine elektronische Schaltkreis 104 in der Nutzschicht 1304 gebildet wird. Der Schaltkreisbereich 102s oder zumindest der mindestens eine elektronische Schaltkreis 104 können die Nutzschicht 1304 in eine vertikale Richtung zumindest teilweise durchdringen (d.h. teilweise oder vollständig).
  • Das Verfahren kann in 1700b aufweisen, eine Versteifungsstruktur 106 bereitzustellen und oder zu bilden, welche eine Vertiefung 106v aufweist. Die Vertiefung 106v kann mit der Aussparung 106a eine gemeinsame Durchgangsöffnung bilden. Mit anderen Worten kann die Vertiefung 106v an die Aussparung 106a angrenzen.
  • Die Versteifungsstruktur 106 kann derart eingerichtet sein, dass die Nutzschicht 1304 zumindest teilweise in die Vertiefung 106v hinein erstreckt ist.
  • Das Verfahren kann in 1700b optional aufweisen, die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 (wenn vorhanden) und/oder den Füllkörper 402 (wenn vorhanden) über dem Schaltkreisbereich 102s anzuordnen, z.B. einzeln oder als miteinander verbundene Einheit, und/oder mit der Versteifungsstruktur 106 zu verbinden.
  • Das Verfahren kann in 1700c aufweisen, den Halbleiter-Wafer 102, 202 zu Dünnen von der zweiten Hauptprozessierseite 102b her, beispielsweise indem das Substrat 1302 zumindest teilweise (d.h. teilweise oder vollständig) entfernt wird und oder die Nutzschicht 1304 bzw. der Schaltkreisbereich 102s freigelegt werden. Das Dünnen kann beispielsweise mittels eines mechanischen subtraktiven Bearbeitungsprozess erfolgen, z.B. mittels Schleifens.
  • Das Dünnen kann eingereichten sein, an der Versteifungsstruktur 106 zu stoppen. Anschaulich kann die Versteifungsstruktur 106 eine mechanische Barriere gegenüber dem Dünnen bilden, z.B. gegenüber dem subtraktiven Bearbeitungsprozess. Damit kann ein exaktes Stoppen des Dünnens erreicht werden. Mittels Variation der Tiefe 116v der Vertiefung 106v kann die Dicke des verbleibenden Halbleiter-Wafers (z.B. des Schaltkreisbereich 102s) eingestellt werden.
  • Das Verfahren kann in 1700c optional aufweisen, die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 (wenn vorhanden) und/oder den Füllkörper 402 (wenn vorhanden) von der Versteifungsstruktur 106 zu entfernen, z.B. einzeln oder als miteinander verbundene Einheit.
  • Das Verfahren kann in 1700c optional aufweisen, den Halbleiter-Wafer 102, 202 nachfolgend zu bearbeiten. Das Bearbeiten kann zumindest eines von Folgenden aufweisen: chemisches Bearbeiten (z.B. Reinigen, Dotieren, Ätzen, Implantieren, Reagieren, etc.); thermisches Bearbeiten (z.B. Bestrahlen, Erwärmen, Kühlen, Aufschmelzen, Erstarren, etc.); und/oder mechanisches Bearbeiten (z.B. Spanen, Schleifen, Polieren, Fräsen, Sägen, Zerteilen, etc.). Das Bearbeiten kann beispielsweise aufweisen, die erste Hauptprozessierseite 102t zu bearbeiten, z.B. zu tempern und/oder eine oder mehrere Schichten auf der ersten Hauptprozessierseite 102t abzuscheiden.
  • Alternativ oder zusätzlich kann das Verfahren in 1700c aufweisen, einen Messprozess durchzuführen. Beispielsweise kann das Verfahren in 1700c aufweisen, den mindestens einen elektronischen Schaltkreis 104 elektrisch zu testen, z.B. wie voranstehend beschrieben ist.
  • 18A und 18B veranschaulichen jeweils einen Halbleiter-Wafer 102, 202 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht, z.B. den ersten Halbleiter-Wafer 102 und/oder den zweiten Halbleiter-Wafer 202.
  • Das Verfahren kann in 1800a aufweisen, einen Füllkörper 402 zu bilden, welcher mehrere Säulen und/oder ein Gitter aufweist. Beispielsweise kann der Füllkörper 402 eine Vielzahl von Hohlräumen aufweisen, welche den Füllkörper 402 durchdringen. Der Füllkörper 402 kann beispielsweise eine Vielzahl Säulen aufweisen, z.B. ein Netzwerk von untereinander verbundenen Säulen.
  • Das Verfahren kann in 1800b aufweisen, eine Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 zu bilden, welche mehrere Öffnungen 306o und/oder ein Gitter aufweist. Beispielsweise kann die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 eine Vielzahl von Öffnungen 306o aufweisen, welche die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 durchdringen. Alternativ oder zusätzlich kann die Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 eine Vielzahl Streben aufweisen, z.B. ein Netzwerk von untereinander verbundenen Streben. Um ein Eindringen von Staub durch die Öffnungen 306o hindurch in die Aussparung 106a zu verhindern, kann optional ein Füllkörper 402 in der Aussparung 106a werden, welcher mit der Versteifungsstruktur 106 staubdicht verbunden ist (z.B. spaltfrei).
  • 18C veranschaulicht einen Füllkörper 402 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Füllkörper 402 ein Laminat aufweisen oder daraus gebildet sein. Das Laminat kann mehrere (zwei oder mehr) Schichten 802, 804 aufweisen oder daraus gebildet sein. Die mehreren Schichten 802, 804 können miteinander verbunden sein oder werden, z.B. unlösbar stoffschlüssig (z.B. monolithisch) oder lösbar stoffschlüssig (z.B. verklebt).
  • Eine erste Schicht 802 des Laminats kann eine größere Härte und/oder ein größeres Elastizitätsmodul aufweisen als eine zweite Schicht 804 des Laminats. Die zweite Schicht 804 des Laminats kann mit dem Schaltkreisbereich 102s oder zumindest mit dem mindestens einen elektronischen Schaltkreis 104 in körperlichen Kontakt gebracht sein oder werden. Anschaulich kann die erste Schicht 802 eine Trägerschicht sein und die zweite Schicht 804 kann eine elastische Absorberschicht sein. Die zweite Schicht 804 kann beispielsweise ein Polymer aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. ein Elastomer.
  • Beispielsweise kann die erste Schicht 802 ein Material der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: ein Metall; ein Übergangsmetall, ein Oxid (z.B. ein Metalloxid oder ein Übergangsmetalloxid); ein Dielektrikum; ein Polymer (z.B. ein Kohlenstoff-basiertes Polymer oder ein Silizium-basiertes Polymer); eine Keramik (z.B. ein Oxinitrid; ein Nitrid; ein Karbid und/oder ein Glas oder glasartiges Material); ein Halbmetall (z.B. Kohlenstoff); einen Halbleiter; ein Halbleiteroxid; ein halborganisches Material, und/oder ein organisches Material.
  • 19A, 19B und 19C veranschaulichen jeweils einen Halbleiter-Wafer in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht (z.B. mit Ansichtsrichtung entlang einer Hauptprozessierseite 102t, 102b), z.B. den ersten Halbleiter-Wafer 102 und/oder den zweiten Halbleiter-Wafer 202.
  • Das Verfahren kann in 1900a aufweisen, den Halbleiter-Wafer 102, 202 bereitzustellen. Der Halbleiter-Wafer 102, 202 kann eine erste Hauptprozessierseite 102t (anschaulich eine Vorderseite) und eine zweite Hauptprozessierseite 102b (anschaulich eine Rückseite) aufweisen. Die zweite Hauptprozessierseite 102b und die erste Hauptprozessierseite 102t können einander gegenüberliegende Seiten des Halbleiter-Wafers 102, 202 sein.
  • Der Halbleiter-Wafer 102, 202 kann auf der ersten Hauptprozessierseite 102t mindestens einen Schaltkreisbereich 102s aufweisen, in welchem mindestens ein elektronischer Schaltkreis 104 gebildet ist oder wird.
  • Der Halbleiter-Wafer 102, 202 kann ferner einen Randbereich 102r aufweisen, welcher den Schaltkreisbereich 102s zumindest teilweise umgibt. Beispielsweise kann der Randbereich 102r ringförmig um den Schaltkreisbereich 102s herum erstreckt sein. Optional kann sich der Randbereich 102r von der ersten Hauptprozessierseite 102t zu der zweiten Hauptprozessierseite 102b erstrecken.
  • Der Halbleiter-Wafer 102, 202 kann ferner eine Opferschicht 1902 aufweisen, welche z.B. an den Schaltkreisbereich 102s angrenzt und/oder z.B. abschnittsweise von dem Randbereich 102r umgeben ist.
  • Der Randbereich 102r und der Schaltkreisbereich 102s können beispielsweise monolithisch (z.B. integral) miteinander verbunden sein.
  • Das Bereitstellen des Halbleiter-Wafer 102, 202 kann beispielsweise aufweisen: Bilden einer Opferschicht 1902 in oder über einem Substrat 1302 (z.B. aufweisend z.B. einen Halbleiterbereich, welcher später zumindest teilweise entfernt werden soll); und Bilden des Schaltkreisbereichs 102s über der Opferschicht 1902.
  • Beispielsweise kann der Schaltkreisbereichs 102s ein epitaktisch gebildetes Material (z.B. das Halbleitermaterial 1202) aufweisen oder daraus gebildet sein. Das Material muss nicht notwendigerweise epitaktisch gebildet sein oder werden. Das epitaktische Material ermöglicht, dass in dem Schaltkreisbereich ein elektronischer Schaltkreis 104 auf Epitaxialschicht-Basis gebildet sein oder werden kann
  • Das Verfahren kann in 1900b aufweisen: Bilden einer den mindestens einen Schaltkreisbereich 102s zumindest teilweise umgebenden Versteifungsstruktur 106. Die Versteifungsstruktur 106 kann zum Versteifen des Halbleiter-Wafers 102, 202 eingerichtet sein. Beispielsweise kann die Versteifungsstruktur 106 eine Dicke 106d (auch als vertikale räumliche Ausdehnung 106d bezeichnet) aufweisen, welche größer ist als eine Dicke 102d des Halbleiter-Wafers 102 vor dem Bilden der Versteifungsstruktur 106 (z.B. dessen Randbereich 102r). Alternativ oder zusätzlich kann die Versteifungsstruktur 106 eine Dicke 106d (allgemeiner eine vertikale Ausdehnung 106d) aufweisen, welche größer ist als eine Dicke 104d des Schaltkreisbereichs 102s.
  • Das Bilden der Versteifungsstruktur 106 kann aufweisen, die Versteifungsstruktur 106 und den Randbereich 102r des ersten Halbleiter-Wafers 102 zusammenzufügen, z.B. mittels einer stoffschlüssigen Verbindung. Beispielsweise kann zwischen der Versteifungsstruktur 106 und dem Randbereich 102r des zweiten Halbleiter-Wafers 102 eine unlösbare Verbindung gebildet sein oder werden, z.B. mittels anodischen Bondens oder mittels Laserstrahlschweißens. Alternativ kann eine lösbare Verbindung gebildet sein oder werden (z.B. wenn die Versteifungsstruktur 106 zerstörungsfrei wieder abgelöst werden soll), wie vorangehend beschrieben ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Versteifungsstruktur 106 entlang eines geschlossenen Pfades erstreckt sein. Beispielsweise kann die Versteifungsstruktur 106 ringförmig ausgebildet sein (auch als Stützring 106 bezeichnet). Anschaulich kann die Versteifungsstruktur 106 auf einer Vorderseite 102t des Halbleiter-Wafers 102 angeordnet sein (z.B. aufweisend einen vorderseitigen Stützring 106 oder daraus gebildet).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Versteifungsstruktur 106 eine Dicke 106d aufweisen größer als ungefähr 200 µm (Mikrometer), z.B. größer als ungefähr 300 µm, z.B. größer als ungefähr 400 µm, z.B. größer als ungefähr 500 µm, z.B. größer als ungefähr 600 µm, z.B. größer als ungefähr 700 µm. Alternativ oder zusätzlich kann der Halbleiter-Wafer 102 inklusive der Versteifungsstruktur 106 eine Dicke 106d, 102d (d.h. die Summe aus Dicke 106d und Dicke 102d) aufweisen, größer als ungefähr 500 µm, z.B. größer als ungefähr 600 µm, z.B. größer als ungefähr 700 µm, z.B. größer als ungefähr 800 µm, z.B. größer als ungefähr 900 µm, z.B. größer als ungefähr 1000 µm.
  • Die Versteifungsstruktur 106 kann zumindest über einem Teil des mindestens einen Schaltkreisbereichs 102s eine Aussparung 106a aufweisen. Die Aussparung 106a kann den Teil des Schaltkreisbereichs 102s freilegen. Mit anderen Worten kann sich die Aussparung 106a durch die Versteifungsstruktur 106 hindurch erstrecken. Beispielsweise kann die Aussparung 106a von einem Abschnitt der Versteifungsstruktur 106 zumindest teilweise umgeben sein (d.h. teilweise oder vollständig), z.B. von einem ringförmigen Abschnitt der Versteifungsstruktur 106 (z.B. von einem Stützring 106).
  • Das Verfahren kann in 1900c aufweisen: Dünnen des Halbleiter-Wafers 102, der die Versteifungsstruktur 106 aufweist, von der zweiten Hauptprozessierseite 102b aus. Die Dicke 106d, 102d des Halbleiter-Wafers 102 (inklusive der Versteifungsstruktur 106) kann mittels des Dünnens reduziert sein oder werden, z.B. über die gesamte laterale Ausdehnung 106l des Halbleiter-Wafers 102, 202. Beispielsweise kann mittels des Dünnens der Schaltkreisbereich 102s freigelegt sein oder werden.
  • Das Dünnen kann aufweisen, den Randbereich 102r und/oder die Rückseite des Halbleiter-Wafers 102, 202 zumindest teilweise abzutrennen (z.B. eine Schicht von dem Halbleiter-Wafers 102, 202 abzutrennen, auch als Exfoliation bezeichnet), z.B. zumindest einen Teil des Substrats 1302 oder das Substrat 1302 vollständig. Mit anderen Worten kann unter dem Dünnen des Halbleiter-Wafers 102, 202 von der zweiten Hauptprozessierseite 102b aus auch verstanden werden, dass ein Teil des Wafers abgetrennt wird. Im Allgemeinen kann das Dünnen des Halbleiter-Wafers 102, 202 aufweisen, von diesem Material zu entfernen, z.B. von der mittels des Dünnens bearbeiteten Hauptprozessierseite des Halbleiter-Wafers 102, 202.
  • Das Bilden der Opferschicht 1902 in 1900a kann aufweisen ein Opfermaterial über dem Substrat 1302 abzuscheiden oder das Substrat 1302 zu implantieren. Beispielsweise kann das Verfahren in 1900a aufweisen, eine (vergrabene) Opferschicht 1902 in dem Halbleiter-Wafer 102, 202 zu bilden. Die Opferschicht 1902 kann optional mit dem Schaltkreisbereich 102s in körperlichem Kontakt sein. Dies kann es ermöglichen, das Dünnen des Halbleiter-Wafers 102 (z.B. mittels Ätzens oder mechanischen Trennens), an der Opferschicht 1902 zu bewirken. Mit anderen Worten kann der Halbleiter-Wafer 102, 202 eine Opferschicht 1902 aufweisen, an welcher das Dünnen (z.B. das Ätzen oder Abtrennen) erfolgt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Opferschicht 1902 gegenüber dem Dünnen eine kleinere (z.B. thermische, mechanische und/oder chemische) Beständigkeit aufweisen als der Schaltkreisbereich 102s und/oder als das Substrat 1302 sowie optional als die Versteifungsstruktur 106 und/oder als der Randbereich 102r.
  • Beispielsweise kann die Opferschicht 1902 mehr Hohlräume (z.B. Kavitäten) oder zumindest einen größeren Volumenanteil, welcher hohl ist, aufweisen als der Schaltkreisbereich 102s und/oder als das Substrat 1302 sowie optional als die Versteifungsstruktur 106 und/oder als der Randbereich 102r. Beispielsweise kann die Opferschicht 1902 eine größere Porosität aufweisen als der Schaltkreisbereich 102s und/oder als das Substrat 1302 sowie optional als die Versteifungsstruktur 106 und/oder als der Randbereich 102r. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann als Porosität eine dimensionslose Messgröße verstanden werden, welche das Verhältnis von Hohlraumvolumen zu Gesamtvolumen eines Materials, Bereichs oder Abschnitts bezeichnet. Beispielsweise kann die Opferschicht 1902 poröses Silizium aufweisen oder daraus gebildet sein.
  • Beispielsweise kann eine Porosität der Opferschicht 1902 (d.h. das Volumen von Hohlräumen in der der Opferschicht 1902 zu dem Volumen der der Opferschicht 1902) kleiner sein als ungefähr 50% (z.B. kleiner als ungefähr 25%, z.B. kleiner als ungefähr 10%, z.B. kleiner als ungefähr 5%, z.B. kleiner als ungefähr 1%) und/oder größer als ungefähr 10%, z.B. größer als ungefähr 25%, z.B. größer als ungefähr 50%.
  • Die Opferschicht 1902, z.B. deren chemische Zusammensetzung und/oder körperliche Struktur, kann derart eingerichtet sein, dass die der Opferschicht 1902 gegenüber dem Dünnen (z.B. mittels einer mechanischen Kraft oder mittels eines Ätzmittels) eine geringere Beständigkeit aufweist als der Schaltkreisbereich 102s und/oder als das Substrat 1302 sowie optional als die Versteifungsstruktur 106 und/oder als der Randbereich 102r.
  • Die Beständigkeit der Opferschicht 1902 kann beispielsweise kleiner sein als ungefähr 75% (z.B. kleiner als ungefähr 50%, z.B. kleiner als ungefähr 25%, z.B. kleiner als ungefähr 5%, z.B. kleiner als ungefähr 1%, z.B. kleiner als ungefähr 0,1%, z.B. kleiner als ungefähr 0,01%, z.B. kleiner als ungefähr 0,001%%, z.B. kleiner als ungefähr 0,0001%) der Beständigkeit des Schaltkreisbereichs 102s und/oder des Substrats 1302 sowie optional der Versteifungsstruktur 106 und/oder des Randbereichs 102r. Beispielsweise kann sich die Selektivität zwischen porösem Silizium (z.B. in der Opferschicht 1902) und monokristallinem Silizium (z.B. in dem Substrat und/oder in dem Schaltkreisbereich 102s) um einen Faktor 10-5 unterscheiden. Einen ähnlichen Unterschied in der Selektivität lässt sich zwischen Siliziumdioxid (SiO2) (z.B. in der Opferschicht 1902) und Silizium (z.B. in dem Substrat und/oder in dem Schaltkreisbereich 102s) erreichen, z.B. bei der Verwendung von Flusssäure (HF) als Bearbeitungsfluid. Die Selektivität kann die Geschwindigkeit repräsentieren, mit der z.B. das Ätzen eines Bereichs oder Materials erfolgt. Allgemeiner ausgedrückt kann eine große Selektivität beschreiben, dass eine bestimmte chemische Reaktion bevorzugt erfolgt. Die Selektivität kann indirekt proportional zu der Beständigkeit sein.
  • Beispielsweise kann die Opferschicht 1902 eine kleinere mechanische Härte, kleinere Bruchkraft, kleinere Zugfestigkeit, größere chemische Reaktivität und/oder größere Rauheit (z.B. aufgrund einer porösen Oberfläche) aufweisen als der Schaltkreisbereich 102s und/oder als das Substrat 1302 sowie optional als die Versteifungsstruktur 106 und/oder als der Randbereich 102r. Zumindest eines von der chemischen Reaktivität, Rauheit, Dotierstoffkonzentration, Störstellendichte, Porosität und/oder Weichheit (entspricht der inversen Härte) der Opferschicht 1902 kann kleiner sein als ungefähr 75% (z.B. kleiner als ungefähr 50%, z.B. kleiner als ungefähr 25%, z.B. kleiner als ungefähr 5%, z.B. kleiner als ungefähr 1%, z.B. kleiner als ungefähr 0,1%, z.B. kleiner als ungefähr 0,01%, z.B. kleiner als ungefähr 0,001%%, z.B. kleiner als ungefähr 0,0001%) der entsprechenden chemischen Reaktivität, Rauheit, Dotierstoffkonzentration, Störstellendichte, Porosität und/oder Weichheit des Schaltkreisbereichs 102s und/oder des Substrats 1302 sowie optional er Versteifungsstruktur 106 und/oder des Randbereichs 102r.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Dünnen aufweisen, den Schaltkreisbereichs 102 und das Substrat 1302 chemisch voneinander zu trennen (z.B. mittels chemischer Exfoliation). Mit anderen Worten kann das Dünnen erfolgen, indem der Halbleiter-Wafer 102, 202 entlang der Opferschicht 1902 durchtrennt wird.
  • Das Dünnen kann beispielsweise erfolgen, indem die Opferschicht 1902 abgetragen wird, z.B. mittels thermischen Abtragens (z.B. Laserstrahlbearbeitung, Plasmaätzen), chemischen Abtragens (z.B. Ätzen), Wasserstrahlschneidens und/oder elektrochemischen Abtragens (z.B. Elektroerodieren). Das Dünnen kann beispielsweise erfolgen, indem die Opferschicht 1902 mittels eines Ätzmittels zumindest teilweise entfernt wird. Damit kann eine Verbindung des Substrats 1302 und des Schaltkreisbereichs 102a chemisch gelöst werden.
  • Alternativ oder zusätzlich (zu dem chemischen Trennen) kann das Dünnen aufweisen, den Schaltkreisbereichs 102 und das Substrat 1302 mechanisch voneinander zu trennen (z.B. mittels mechanischer Exfoliation), z.B. mittels Spaltens, Reißens oder Brechens. Beispielsweise kann das Dünnen erfolgen, indem eine mechanische Kraft 1901 auf das Substrat 1302 ausgeübt wird, welche von dem Schaltkreisbereich 102a weggerichtet wird. Damit kann erreicht werden, dass die Opferschicht 1902 mechanisch versagt und die Verbindung des Substrats 1302 und des Schaltkreisbereichs 102a aufgehoben wird. Die mechanische Kraft 1901 kann größer sein als die Bruchkraft (bzw. bezogen auf die Fläche größer als die Zugfestigkeit) der Opferschicht 1902.
  • Optional kann das Verfahren kann in 1900b aufweisen: Bilden eines Füllkörpers 402 in der Aussparung 106a; und/oder Bilden einer Versteifungsstruktur-Abdeckung 306 über der Aussparung 106a, wie vorangehend beschrieben ist.
  • Optional kann das Verfahren kann in 1900c aufweisen: Entfernen von Rückständen der Opferschicht 1902 (falls vorhanden) von dem Halbleiter-Wafer 102, 202 (der den Schaltkreisbereich 102s aufweist), z.B. mittels Ätzens.

Claims (22)

  1. Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiter-Wafers (102, 202), wobei der Halbleiter-Wafer (102, 202) aufweist: • eine erste Hauptprozessierseite (102t) und eine zweite Hauptprozessierseite (102b), die der ersten Hauptprozessierseite (102t) gegenüberliegt; • wobei der Halbleiter-Wafer (102, 202) auf der ersten Hauptprozessierseite (102t) mindestens einen Schaltkreisbereich (102s) mit mindestens einem elektronischen Schaltkreis (104) aufweist; wobei das Verfahren aufweist: • Bilden einer den mindestens einen Schaltkreisbereich (102s) zumindest teilweise umgebenden Versteifungsstruktur (106), welche den Halbleiter-Wafer (102, 202) versteift, wobei die Versteifungsstruktur (106) zumindest über einem Teil des mindestens einen Schaltkreisbereichs (102s) eine Aussparung (106a) aufweist; • Bilden eines Füllkörpers (402) in der Aussparung (106a), welcher mit dem Schaltkreisbereich (102s) in körperlichem Kontakt ist und sich von der Versteifungsstruktur (106) unterscheidet; und/oder Bilden einer Versteifungsstruktur-Abdeckung (306) über der Aussparung (106a), wobei die Versteifungsstruktur (106) zwischen der Versteifungsstruktur-Abdeckung (306) und dem Schaltkreisbereich (102s) angeordnet ist; • Dünnen des Halbleiter-Wafers (102, 202), der die Versteifungsstruktur (106) sowie die Versteifungsstruktur-Abdeckung (306) und/oder den Füllkörper (402) aufweist, von der zweiten Hauptprozessierseite (102b) aus.
  2. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die Versteifungsstruktur (106) mit der Versteifungsstruktur-Abdeckung (306) bzw. dem Füllkörper (402) verbunden ist; und/oder wobei die Versteifungsstruktur-Abdeckung (306) mit dem Füllkörper (402) verbunden ist.
  3. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 2, wobei Bilden des Füllkörpers (402) aufweist, ein Material in die Aussparung (106a) hinzubringen und/oder dieses darin zu verfestigen, während der Halbleiter-Wafer (102, 202) die Versteifungsstruktur (106) aufweist.
  4. Verfahren gemäß Anspruch 3, wobei das Material durch eine Öffnung (306o) der Versteifungsstruktur-Abdeckung (306) und/oder durch eine Öffnung (106o) der Versteifungsstruktur (106) hindurch in die Aussparung (106a) hineingebracht wird.
  5. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 3 oder 4, wobei Bilden des Füllkörpers (402) aufweist eine verformbare Hülle in die Aussparung (106a) hinzubringen, welche darin mittels des Materials verformt wird.
  6. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das Bilden des Füllkörpers (402) aufweist, den Füllkörper (402) an eine Topografie des Schaltkreisbereichs (102s) anzupassen.
  7. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der Füllkörper (402) ein Laminat aufweist und/oder eine größere Porosität als die Versteifungsstruktur (106) aufweist.
  8. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der Füllkörper (402) eine kleinere Adhäsion zu dem Schaltkreisbereich (102s) aufweist als die Versteifungsstruktur (106).
  9. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, ferner aufweisend: Entfernen der Versteifungsstruktur-Abdeckung (306) von der Versteifungsstruktur (106); und Bilden eines zusätzlichen Halbleiter-Wafers (102, 202) aufweisend einen zusätzliche Schaltkreisbereich (102s) mittels der Versteifungsstruktur-Abdeckung (306).
  10. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, ferner aufweisend: Herausbringen des Füllkörpers (402) aus der Aussparung (106a); und Hineinbringen des Füllkörpers (402) in eine Aussparung (106a) eines zusätzlichen Halbleiter-Wafers (102, 202) aufweisend einen zusätzliche Schaltkreisbereich (102s).
  11. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei das Dünnen mittels Abtragens und/oder mittels Spanens erfolgt.
  12. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei die Versteifungsstruktur (106) eine Vertiefung (106v) aufweist, welche die Aussparung (106a) umgibt; und wobei der Schaltkreisbereich (102s) zumindest teilweise in der Vertiefung (106v) angeordnet wird.
  13. Verfahren gemäß Anspruch 12, wobei das Dünnen ein mechanisches Bearbeiten aufweist, welches an der Versteifungsstruktur (106) stoppt.
  14. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, ferner aufweisend: Entfernen der Versteifungsstruktur (106) von dem Halbleiter-Wafer (102, 202); und Bearbeiten eines zusätzlichen Halbleiter-Wafers (102, 202), welcher die Versteifungsstruktur (106) aufweist.
  15. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei der Halbleiter-Wafer (102, 202) ein Substrat und ein darauf epitaktisch gebildetes Material in dem Schaltkreisbereich (102s) aufweist.
  16. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei das Dünnen aufweist den mindestens einen elektronischen Schaltkreis (104) freizulegen.
  17. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 16, wobei die Versteifungsstruktur (106) einen Halbleiter und/oder eine Keramik aufweist.
  18. Verfahren zum Bearbeiten eines ersten Halbleiter-Wafers (102) und eines zweiten Halbleiter-Wafers (202), von denen jeder aufweist: • eine erste Hauptprozessierseite (102t) und eine zweite Hauptprozessierseite (102b), die der ersten Hauptprozessierseite (102t) gegenüberliegt; • auf der ersten Hauptprozessierseite (102t) mindestens einen Schaltkreisbereich (102s) mit mindestens einem elektronischen Schaltkreis (104); wobei das Verfahren aufweist: • Bilden einer den mindestens einen Schaltkreisbereich (102s) des ersten Halbleiter-Wafers (102) zumindest teilweise umgebenden Versteifungsstruktur (106), welche den ersten Halbleiter-Wafer (102) versteift, wobei die Versteifungsstruktur (106) zumindest über einem Teil des mindestens einen Schaltkreisbereichs (102s) des ersten Halbleiter-Wafers (102) eine Aussparung (106a) aufweist; • Bilden eines Füllkörpers (402) in der Aussparung (106a), welcher mit dem Schaltkreisbereich (102s) in körperlichem Kontakt ist und sich von der Versteifungsstruktur (106) unterscheidet; und/oder Bilden einer Versteifungsstruktur-Abdeckung (306) über der Aussparung (106a), wobei die Versteifungsstruktur (106) zwischen der Versteifungsstruktur-Abdeckung (306) und dem Schaltkreisbereich (102s) angeordnet ist; • Bearbeiten des ersten Halbleiter-Wafers (102), der die Versteifungsstruktur (106) sowie die Versteifungsstruktur-Abdeckung (306) und/oder den Füllkörper (402) aufweist; • Entfernen der Versteifungsstruktur (106) von dem ersten Halbleiter-Wafer (102); und • Versteifen des zweiten Halbleiter-Wafers (202) mittels der Versteifungsstruktur (106).
  19. Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiter-Wafers (102, 202), wobei der Halbleiter-Wafer (102, 202) aufweist: • eine erste Hauptprozessierseite (102t) und eine zweite Hauptprozessierseite (102b), die der ersten Hauptprozessierseite (102t) gegenüberliegt; • wobei der Halbleiter-Wafer (102, 202) auf der ersten Hauptprozessierseite (102b) mindestens einen Schaltkreisbereich (102s) mit mindestens einem elektronischen Schaltkreis (104) aufweist; wobei das Verfahren aufweist: • Bilden einer Schutzabdeckung (302) über dem Schaltkreisbereich (102s), wobei die Schutzabdeckung (302) zumindest über einem Teil des mindestens einen Schaltkreisbereichs (102s) eine Aussparung (106a) aufweist, welche zu dem Schaltkreisbereich (102s) hin geöffnet ist; • staubdichtes Abdichten der Aussparung (106a) mittels eines Verschlusses; wobei der Verschluss gebildet wird, indem die Aussparung (106a) mittels einer Versteifungsstruktur-Abdeckung (306) abgedeckt wird und/oder indem ein Füllkörper (402) in der Aussparung (106a) angeordnet wird; • Bearbeiten des Halbleiter-Wafers (102, 202), der die Schutzabdeckung (302) sowie die Versteifungsstruktur-Abdeckung (306) und/oder den Füllkörper (402) aufweist, von der zweiten Hauptprozessierseite (102b) aus.
  20. Verfahren gemäß Anspruch 19,wobei der Füllkörper (402) mit dem Schaltkreisbereich (102s) in körperlichem Kontakt ist und sich von der Versteifungsstruktur (106) unterscheidet, und/oder wobei die Versteifungsstruktur (106) zwischen der Versteifungsstruktur-Abdeckung (306) und dem Schaltkreisbereich (102s) angeordnet ist.
  21. Verfahren gemäß Anspruch 19 oder 20, der Halbleiter-Wafer (102, 202) ferner aufweisend: wobei die Schutzabdeckung (302) auf einem Randbereich (102r) des Halbleiter-Wafers (102, 202) aufliegt, welcher den Schaltkreisbereich (102s) umgibt.
  22. Schutzabdeckung (302) zum Abdecken eines Schaltkreisbereiches (102s) eines Halbleiter-Wafers (102, 202), die Schutzabdeckung (302) aufweisend: • eine Versteifungsstruktur (106), welche derart von einer Aussparung (106a) durchdrungen ist, dass die Schutzabdeckung (302) und der Halbleiter-Wafer (102, 202) zusammengefügt einen Hohlraum über dem Schaltkreisbereich (102s) bilden; und • einen Verschluss (306, 402), welcher zum staubdichten Abdichten des Hohlraums eingerichtet ist; • wobei der Verschluss eine Versteifungsstruktur-Abdeckung (306) zum Abdecken der Aussparung (106a) und/oder einen Füllkörper (402) zum Anordnen in der Aussparung (106a) aufweist.
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