TWI532646B - The tape is attached to the device and the tape is attached to the method - Google Patents

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Description

條帶貼著裝置及條帶貼著方法
本發明係有關於在對半導體晶圓之切割用條帶的貼著等所使用之條帶貼著裝置及條帶貼著方法，尤其係有關於適合將條帶貼著於低剛性之貼著對象物的裝置等。
在半導體製程在將切割用條帶貼著於半導體晶圓時，例如如第17圖所示，將晶圓42載置於基座41後，利用在表面貼著橡膠的輥44或圓筒形的塊件等從上方推壓條帶43而貼著。可是，因為此方法是在大氣中作業，所以空氣易混入晶圓42與條帶43之間。在此狀態進行切割(晶片分割)時，在晶片發生裂開或碎片。
因此，提議在真空環境下貼著條帶的貼著裝置。例如，在專利文獻1，記載一種條帶貼著裝置50，如第18圖所示，係包括：室52，係在內部具有氣密空間51；橡膠片56，係將氣密空間51隔間成第1及第2氣密空間53、54，並將晶圓55載置於上面；架座58，係在橡膠片56的上方保持條帶57；以及第1及第2空氣流路59、60，係將第1及第2氣密空間53、54切換成真空/大氣狀態。
在條帶貼著裝置50，在將第1及第2氣密空間53、54設為真空狀態後，僅將第2氣密空間54切換成大氣壓，使在第1及第2氣密空間53、54之間產生差壓。藉此，使橡膠片56膨脹，並將晶圓55向上推，而使晶圓55與條帶57的黏著面(背面)抵接。若依據本條帶貼著裝置50，可在真空環境下將條帶57與晶圓55黏合，並可防止空氣混入兩者之間。
專利文獻
專利文獻1：專利第4143488號公報
如上述所示，若依據專利文獻1所記載的條帶貼著裝置，可防止空氣混入晶圓與條帶之間。可是，要求除了那種性能以外，還可降低在貼著條帶時對晶圓所施加之負荷的裝置。
即，隨著電子機器的小型化等，電路邁向微細化的超薄型半導體晶片正普及化。當然，在成為該半導體晶片之源的晶圓亦急速地邁向薄型化。這種薄型的晶圓不僅原本的強度低，而且易發生翹曲。因而，該晶圓對來自上下的推壓或撞擊極弱，可能在貼著條帶時發生裂開或碎片。又，在感測器用之晶片的情況，可能搭載危的構造物(例如反射光的超小型反射鏡等)。在此情況，亦因為可能在貼著條帶時引起構造物的損壞，所以要求慎重的處理。
這種問題未限定為將條帶貼著於晶圓的情況，例如在將條帶貼著於超薄型之玻璃板的情況等，只要是將條帶貼著於低剛性之貼著對象物的情況，大致會一樣地發生。
因此，本發明係鑑於上述之習知技術的問題點而開發者，其目的在於提供一種條帶貼著裝置等，該條帶貼著裝置在將條帶貼著於低剛性之貼著對象物時，可降低對貼著對象物的負荷，以防止貼著對象物的損壞或受損。
為了達成該目的，本發明之一形態的條帶貼著裝置，其特徵在於包括：容器，係在內部具有氣密空間；彈性片，係將該氣密空間隔間成位於上方的第1氣密空間與位於下方的第2氣密空間，並將條帶貼著對象物載置於該第1氣密空間側；條帶保持構件，係在該第1氣密空間內保持條帶，並使該條帶位於與載置於該彈性片的條帶貼著對象物隔著既定距離的位置；及氣壓切換手段，係切換該第1及第2氣密空間的加壓及降壓；在將該第1及第2氣密空間設為真空狀態後，將該第2氣密空間進行加壓，使該彈性片膨脹，並將該條帶貼著對象物向上推，而貼著於該條帶時，控制該第2氣密空間的加壓量，一面使該彈性片的膨脹速度從低速往高速分段地變化，一面將該條帶貼著對象物貼著於該條帶。
又，本發明之一形態的條帶貼著方法，其特徵在於：使用條帶貼著裝置，在將該第1及第2氣密空間設為真空狀態後，將該第2氣密空間進行加壓，使該彈性片膨脹，並將該條帶貼著對象物向上推，而貼著於該條帶時，控制該第2氣密空間的加壓量，一面使該彈性片的膨脹速度從低速往高速分段地變化，一面將該條帶貼著對象物貼著於該條帶；該條帶貼著裝置係包括：容器，係在內部具有氣密空間；彈性片，係將該氣密空間隔間成位於上方的第1氣密空間與位於下方的第2氣密空間，並將條帶貼著對象物載置於該第1氣密空間側；條帶保持構件，係在該第1氣密空間內保持條帶，並使該條帶位於與載置於該彈性片的條帶貼著對象物隔著既定距離的位置；及氣壓切換手段，係切換該第1及第2氣密空間的加壓及降壓。
如以上所示，若依據本發明，在將條帶貼著於低剛性的貼著對象物時，可減低對貼著對象物的負荷，而防止貼著對象物的損壞或受損。
其次，一面參照圖面一面詳細說明本發明的實施形態。在此，以將本發明的條帶貼著裝置應用於對半導體晶圓貼著切割用條帶的情況為例加以說明。
第1圖表示本發明之條帶貼著裝置之一實施形態。此條帶貼著裝置1大致上由以下之構件所構成，裝置本體2；供排氣機構3，係向裝置本體2供給空氣(潔淨空氣)及氮氣，或從裝置本體2抽出空氣等；及控制部4，係控制空氣等的供給排出時序。
裝置本體2是用以進行貼著操作的裝置。裝置本體2形成圓筒形。此裝置本體2包括：室(容器)6，係在內部具有氣密空間5；橡膠片10，係將氣密空間5隔間成第1氣密空間7與第2氣密空間8，並在上面載置圓板形的晶圓9；條帶架12，係在橡膠片10的上方保持條帶11；第1供排氣管13，係向第1氣密空間7供給氮氣，或從第1氣密空間7抽出空氣；第2供排氣管14，係向第2氣密空間8供給空氣，或從第2氣密空間8抽出空氣；及真空度感測器15，係檢測出氣密空間5的真空度。
室6係由以二分割所形成之上側室(上蓋)6a及下側室(基座)6b所構成向上方凹下的凹部形成於上側室6a的內側。用以確保氣密空間5之氣密性的密封環16配置於上側及下側室6a、6b之間。
上述的第1及第2供排氣管13、14舖設於下側室6b的內部。在這些管中第2供排氣管14的開口部，如第2A、B圖所示，附設鑽設多個小孔的網孔蓋14a。
又，在下側室6b的上面，如第1圖所示，形成具有既定高度的複數片間隔片17。這些間隔片17如第3A、B圖所示，配置成以第2供排氣管14之開口部為中心的十字形。
進而，在下側室6b的上面，如第1圖所示，設置伸縮自如的橡膠片10。橡膠片10例如利用氯丁二烯橡膠或乙丙烯橡膠等在氣體遮斷性優異的彈性體形成較佳。此外，為了防止橡膠片10受損，間隔片17亦利用與橡膠片10相同的材料形成較佳。
在橡膠片10的周邊部上，如第4A圖所示，設置上視圖上圓環形的套環18。藉由以螺絲將套環18固定於下側室6b，而固定橡膠片10。在套環18，如第4A、B圖所示，形成複數個槽19。利用這些槽19，套環18之內側空間7a與外側空間7b連通。此外，槽19亦可形成於後述的條帶架12，亦可形成於套環18及條帶架12之雙方。
在套環18的上面，如第1圖所示，載置上視圖上圓環形的條帶架12。在條帶架12的上面，貼著在背面塗布UV硬化性樹脂、熱硬化性樹脂等之黏著劑的條帶11。條帶11係在被賦予固定張力之狀態貼著，藉此，防止條帶11的變形或皺紋。
此外，條帶11的安裝未限定為對條帶架12之上面的貼著，亦可作成利用2片架從表背夾入條帶11，只要是不會使條帶11產生變形或皺紋者，任何形態都可。
供排氣機構3由以下之構件所構成，供給氮氣的氮氣供給源21；供給空氣的空氣供給源22；真空泵23，係抽空氣或氮氣；第1電磁閥24，係設置於氮氣供給源21及真空泵23與第1供排氣管13之間；第2電磁閥26，係設置於空氣供給源22及真空泵23與第2供排氣管14之間；第3電磁閥27，係設置於第2電磁閥26與空氣供給源22之間；及流量控制閥28，係設置於第2電磁閥26與第3電磁閥27之間。
第1電磁閥24係為了將第1供排氣管13與氮氣供給源21或真空泵23選擇性連接所包括。第2電磁閥26係為了將第2供排氣管14與第3電磁閥27或真空泵23選擇性連接所包括。又，第3電磁閥27係為了將第2供排氣管14與流量控制閥28或空氣供給源22選擇性連接所包括。流量控制閥28係為了限制空氣流量所包括。
控制部4係因應於真空度感測器15的輸出或內建之定時器4a的輸出，控制第1至第3電磁閥24、26、27的動作，而控制裝置本體2之第1及第2氣密空間7、8的加壓/降壓。
其次，一面參照第1圖至第15圖，一面說明使用具有該構成之條帶貼著裝置1的貼著方法。此外，在此，以條帶11之黏著劑使用UV硬化性樹脂的情況為例加以說明。
首先，在第1圖，使第2電磁閥26向真空泵23側打開，而對第2氣密空間(位於橡膠片10之下方的氣密空間)8進行降壓環境氣體化。在該狀態，打開上側室6a，並將半導體晶圓9載置於橡膠片10的上面中央。接著，將條帶11的背面(黏著面)貼著於條帶架12的上面，而且將已貼著對準機11的條帶架12載置於套環18上。
在關閉上側室6a後，如第7圖所示，將第1電磁閥24向真空泵23側打開，而將第1供排氣管13與真空泵23連接。因而，從第1氣密空間(位於條帶10之上方的氣密空間)7抽空氣，而進行降壓環境氣體化(第5圖的步驟S1)。
此時，如第8圖所示，將第1電磁閥24間歇地向氮氣供給源21側打開，而向第1氣密空間7注入氮氣。這是為了降低第1氣密空間7的氧氣濃度，以在氧氣濃度低的環境下進行貼著作業。
即，UV硬化性樹脂係厭氣性強，在氧氣濃度高的環境下黏貼時，硬化作用降低。因而，在後面的製程照射紫外線時，未硬化的UV硬化性樹脂就殘留。在此情況，在從條帶11剝離切割後的晶圓9(晶片)時，晶片難剝離。因而，如上述所示，向第1氣密空間7注入氮氣，使氧氣濃度降低，以防止UV硬化性樹脂的硬化作用降低。
注入氮氣作業可如第圖9所示進行。具體而言，在已從第1氣密空間7抽空氣之狀態，第1氣密空間7的真空度達到第1設定真空度後，將第1供排氣管13與氮氣供給源21連接，再向第1氣密空間7注入氮氣(步驟S11至S13)。然後，至第1氣密空間7的真空度達到第2設定真空度持續注入氮氣，在達到第2設定真空度的時間點判別氮氣的注入次數是否達到設定次數(步驟S14至S15)。若判別結果是達到設定次數，重新抽真空，而抽氮氣(步驟S16)，在使第1氣密空間7之殘留氧氣濃度變成1%以下之狀態，對該空間7進行降壓環境氣體化。在此，第1設定真空度、第2設定真空度及設定次數係可任意地設定。
此外，注入氮氣製程係如上述所示，因為是顧慮到UV硬化性樹脂的特性，所以在使用UV硬化性樹脂以外之黏著劑的情況可省略。
接著，如第10圖所示，在保持第1氣密空間7之真空壓的狀態，關閉第2電磁閥26，而關閉第2供排氣管14，使第2氣密空間8變成密閉。此時，在第2氣密空間8，因為發生自然洩漏，而一些空氣流入，所以在第1及第2氣密空間7、8之間產生一些差壓。
結果，橡膠片10緩慢地膨脹，將橡膠片10上的晶圓9緩慢地向上推。利用這種低速之向上推，使晶圓9與條帶11的黏著面抵接(第5圖的步驟S2)，使晶圓9的中心首先與條帶11接觸。
即，在將晶圓9載置於如橡膠片10之不穩定之基座上的情況，若以高速將晶圓9向上推，晶圓9的姿勢不一致地傾斜，晶圓9在橡膠片10上滑動，而位置易位移。相反地，藉由緩慢地將晶圓9向上推，可在仍然不動地保持晶圓9之姿勢或位置下，使晶圓9與條帶11接觸，而可確實地從晶圓9的中心貼著。
接著，如第11圖所示，將第2電磁閥26向空氣供給源22側打開，而且將第3電磁閥27向流量控制閥28側打開，圶限制流量之狀態向第2供排氣管14供給空氣。藉此，將第2氣密空間8設為降壓環境氣體，而使第1及第2氣密空間7、8之間的差壓變大，使橡膠片10的膨脹速度從低速變成中速(第5圖的步驟S3)。
此中速貼著與後述的高速貼著相比，橡膠片10的膨脹速度慢，晶圓9之向上推壓力小。在本製程，藉由以低壓進行晶圓9對條帶11的壓住，在不會對晶圓9施加過大的負荷下，逐漸擴大條帶11與晶圓9的貼著區域。
在晶圓9與條帶11抵接的部分，因為條帶11貼著於晶圓9而將晶圓9補強，所以抑制晶圓9的裂開或碎片。本製程係在最低限度地抑制對晶圓9的負荷下，擴大如上述所示之補強的區域，將條帶11及條帶架12與晶圓9一起向上推，例如使晶圓9之上面的約5成至7成與條帶11抵接。
此外，中速貼著時之橡膠片10的膨脹速度(膨脹壓力)被設定成能將晶圓9以不會使其損壞之壓住壓力壓在條帶11的速度(膨脹壓力)。其中，因為不會損壞之壓住壓力係根據晶圓9之厚度或形狀(翹曲的程度)等而異，所以實際運轉時的速度係因應於所使用之晶圓9的狀態而適當地決定。
然後，在貼著區域達到晶圓之上面的約5成至7成，而發生晶圓9之裂開或碎片的危險性變低的階段，如第12圖所示，將第3電磁閥27向空氣供給源22側打開，使第1及第2氣密空間7、8之間的差壓變成更大。藉此，使橡膠片10的膨脹速度從中速變成高速(第5圖的步驟S4)，使晶圓9對條帶11的壓住壓力增加。利用此高速貼著，將晶圓9之上面整體貼著於條帶11。
又，在高速貼著時，將條帶11及晶圓9壓在上側室6a的頂面，矯正晶圓9的翹曲，而且提高晶圓9與條帶11的密接性。此時，因為條帶11作用為保護晶圓9之上面的保護構件，所以晶圓9的表面不會受損。
該低速貼著、中速貼著及高速貼著的切換係可利用自動控制進行，例如可利用在控制部4所內建的定時器4a，構成為因應於時間經過而切換。
接著，如第13圖所示，關閉第1及第2電磁閥24、26，而關閉第1及第2供排氣管13、14，並將第1及第2氣密空間7、8密閉。依此方式，在既定時間保持將晶圓9壓在條帶11之狀態，使條帶11與晶圓9的黏著穩定(第5圖步驟S5)。
接著，如第14圖所示，在仍然關閉第2電磁閥26下，將第1電磁閥24向氮氣供給源21側打開，向第1氣密空間7供給氮氣。藉此，以低速使橡膠片10收縮，並使條帶11、晶圓9及條帶架12緩慢地下降(第5圖步驟S6)。
然後，使條帶架12與套環18抵接後，亦以低速使橡膠片10繼續收縮，而從晶圓9的下面將橡膠片10緩慢地剝離。藉此，在剝離橡膠片10時，防止大的拉伸負荷施加於晶圓9。
接著，如第15圖所示，將第2電磁閥26向真空泵23側打開，從第2氣密空間8抽空氣。藉此，以高速使橡膠片10收縮，並使平坦化(第5圖步驟S7)。最後，打開上側室6a，與條帶架12一起取出已貼著晶圓9之狀態的條帶11，而作業結束。
如以上所示，若依據本實施形態，在將晶圓9貼著於條帶11時，如第6圖所示，因為一面將橡膠片10的膨脹速度從低速分段地向高速切換一面貼著(第5圖步驟S2至S4)，所以可在將對晶圓9的負荷抑制成最低限度之狀態貼著。因而，即使是低剛性的晶圓9，亦可一面防止晶圓9之破損或損壞，一面貼著條帶11。
又，若依據本實施形態，進行低速貼著，因為首先使晶圓9的中心與條帶11接觸，在以後的中速貼著及高速貼著，可從晶圓9的中心向外周依序逐漸貼著。因而，即使在晶圓9與條帶11之間存在空氣的情況，亦可一面使空氣向外側逃出，一面將晶圓9貼著於條帶11，而可防止空氣混入兩者之間。
進而，若依據本實施形態，如第3A圖所示，將以第2供排氣管14的開口部為中心配置成十字形的複數個間隔片17形成於下側室6b的上面。因而，在將第2氣密空間8設為降壓環境氣體時，可防止空氣殘留。
即，在未設置間隔片17的情況，如第16A圖所示，在經由第2供排氣管14吸入空氣時，橡膠片10被第2供排氣管14吸入，而封閉第2供排氣管14的開口部。結果，無法從第2氣密空間8吸入空氣，而空氣殘留。
這種狀態例如在第5圖之步驟S1的抽真空時發生，而第2氣密空間8相對第1氣密空間7為正壓，無法使橡膠片10變成完全平坦化。又，在該狀態移至第5圖之步驟S2的低速貼著製程時，因為第2氣密空間8相對第1氣密空間7為正壓，所以正當解除了第2氣密空間8之抽空氣時，橡膠片10以比較快的速度開始膨脹，而以比所要更高旳速度將晶圓9向上推。這在轉移至第5圖之步驟S3的中速貼著製程時亦一樣地發生，而無法適當地控制晶圓9對條帶11的壓住壓力。
相對地，在設置了間隔片17的情況，如第16B圖所示，經由第2供排氣管14吸入空氣，亦橡膠片10與間隔片17抵接，而妨礙對第2供排氣管14的吸入，此時，第2氣密空間8內的空氣如第3A圖之箭號D所示，因為從相鄰之間隔片17的空隙向第2供排氣管14流入，所以亦不會發生間隔片17妨礙來自第2氣密空間8之抽空氣的事。
依此方式，藉由設置間隔片17，在第5圖之步驟S1的抽真空時，可防止空氣殘留於第2氣密空間8，在以後之步驟S2、S3的製程，可適當地控制晶圓9之向上推速度、或晶圓9對條帶11的壓住壓力。
此外，間隔片17的高度無特別限定。可因應於來自第2氣密空間8之抽真空壓力或橡膠片10的材質適當地決定。又，間隔片17的配置形狀未限定為十字形，例如，亦可作成以第2供排氣管14的開口部為中心之放射狀等其他的形狀，進而未特別使其具有規則性，亦可作成將複數個間隔片17離散地配置於第2供排氣管14之開口部的周邊。
又，若依據本實施形態，如第2A、B圖所示，因為將網孔蓋14a附設於第2供排氣管14的開口部，所以可在防止往第2供排氣管14之橡膠片10的吸入下，擴大吸入空氣時的有效截面積(第2供排氣管14的直徑)。
雖然以上說明了本發明之實施形態，但是本發明未限定為該構成，可在申請專利範圍所記載之本發明的範圍內進行各種變更。
例如，在該實施形態，雖然舉例表示將本發明的條帶貼著裝置應用於切割用條帶對線圈彈簧的貼著，但是本發明亦可廣泛應用於在實施形態所舉例表示者以外的情況，例如將保護用條帶貼著於玻璃板的情況等。
又，在該實施形態，雖然以低速貼著、中速貼著及高速貼著之三階段的速度切換將晶圓9貼著於條帶11，但是在具有充分之厚度之晶圓9的情況，或橡膠片10的材質是難滑動的情況，亦可作成省略低速貼著，而從中速貼著開始操作。
進而，在該實施形態，雖然在低速貼著時，利用第2氣密空間8側的自然洩漏使橡膠片10緩慢地膨脹，但是未必要利用自然洩漏，亦可藉由向第2氣密空間8供給比中速貼著時更少量的空氣，使橡膠片10的膨脹速度低速化。
又，在該實施形態，雖然作為向第1及第2氣密空間7、8供給氣體的供給源，包括氮氣供給源21及空氣供給源22，但是向第1及第2氣密空間7、8所供給之氣體只要是可進行第1及第2氣密空間7、8之加壓及降壓者即可，亦可係氮氣、空氣以外的氣體。
進而，在該實施形態，雖然配合半導體晶圓的一般形狀，裝置本體2、橡膠片10及條帶架12各自形成為圓筒形、圓形及圓環形，但是裝置本體2等的形狀未限定如此，例如亦可採用矩形等其他的形狀。
又，在該實施形態，雖然第1及第2氣密空間7、8之任一個都將供給氣體的供給口及吸入的吸入口共用化，但是亦可作成這些係個別地設置。
雖然該實施形態的一部分或全部係記載成如以下的附記所示，但是未限定為以下所示者。
(附記1)一種條帶貼著裝置，係包括：容器，係在內部具有氣密空間；彈性片，係將該氣密空間隔間成位於上方的第1氣密空間與位於下方的第2氣密空間，並將條帶貼著對象物載置於該第1氣密空間側；條帶保持構件，係在該第1氣密空間內保持條帶，並使該條帶位於與載置於該彈性片的條帶貼著對象物隔著既定距離的位置；及氣壓切換手段，係切換該第1及第2氣密空間的加壓及降壓；該條帶貼著裝置係在將該第1及第2氣密空間設為真空狀態後，將該第2氣密空間進行加壓，使該彈性片膨脹，並將該條帶貼著對象物向上推，而貼著於該條帶時，控制該第2氣密空間的加壓量，一面使該彈性片的膨脹速度從低速往高速分段地變化，一面將該條帶貼著對象物貼著於該條帶。
(附記2)如附記1之條帶貼著裝置，其中至該條帶貼著對象物與該條帶的抵接面積達到既定量為止，利用能以不會發生損壞的壓住壓力將該條帶貼著對象物壓在該條帶的第1速度使該彈性片膨脹，然後，將該彈性片的膨脹速度切換成比該第1速度更快的第2速度，使該條帶貼著對象物之貼著面的整體與該條帶抵接。
(附記3)如附記2之條帶貼著裝置，其中在以該第1速度使彈性片膨脹之前，以比該第1速度更慢的第3速度，使該彈性片膨脹，而使該條帶貼著對象物的中心部與該條帶抵接。
(附記4)如附記3之條帶貼著裝置，其中在將該第1及第2氣密空間設為真空狀態後，藉由在仍然保持該第1氣密空間之真空狀態下封閉該第2氣密空間，而以該第3速度使該彈性片膨脹。
(附記5)如附記2、3或4之條帶貼著裝置，其中在以該第2速度使彈性片膨脹時，在該條帶貼著對象物與該條帶抵接之狀態，將該條帶貼著對象物與該條帶向上推，而推到該氣密空間的頂面。
(附記6)如附記1至5之任一項之條帶貼著裝置，其中包括間隔片，該間隔片設置於該彈性片的下面與該氣密空間的底面之間，並配置於從該第2氣密空間吸入氣體之吸氣口的周邊。
(附記7)如附記6之條帶貼著裝置，其中設置複數個該間隔片，該複數個間隔片配置成以該吸氣口為中心的十字形或放射形。
(附記8)如附記1至7之任一項之條帶貼著裝置，其中將網孔蓋附設於從該第2氣密空間吸入氣體之吸氣口。
(附記9)如附記1至8之任一項之條帶貼著裝置，其中將UV硬化性樹脂製的黏著劑塗布於該條帶的黏著面；在將該第1及第2氣密空間設為真空狀態時，向該第1氣密空間間歇地供給氮氣。
(附記10)一種條帶貼著方法，係使用條帶貼著裝置，在將該第1及第2氣密空間設為真空狀態後，將該第2氣密空間進行加壓，使該彈性片膨脹，並將該條帶貼著對象物向上推，貼著於該條帶；該條帶貼著裝置係包括：容器，係在內部具有氣密空間；彈性片，係將該氣密空間隔間成位於上方的第1氣密空間與位於下方的第2氣密空間，並將條帶貼著對象物載置於該第1氣密空間側；條帶保持構件，係在該第1氣密空間內保持條帶，並使該條帶位於與載置於該彈性片的條帶貼著對象物隔著既定距離的位置；及氣壓切換手段，係切換該第1及第2氣密空間的加壓及降壓；該條帶貼著方法係在將該條帶貼著對象物向上推時，控制該第2氣密空間的加壓量，一面使該彈性片的膨脹速度從低速往高速分段地變化，一面將該條帶貼著對象物貼著於該條帶。
(附記11)如附記10之條帶貼著方法，其中至該條帶貼著對象物與該條帶的抵接面積達到既定量為止，利用能以不會發生損壞的壓住壓力將該條帶貼著對象物壓在該條帶的第1速度使該彈性片膨脹，然後，將該彈性片的膨脹速度切換成比該第1速度更快的第2速度，使該條帶貼著對象物之貼著面的整體與該條帶抵接。
(附記12)如附記11之條帶貼著方法，其中在以該第1速度使彈性片膨脹之前，以比該第1速度更慢的第3速度，使該彈性片膨脹，而使該條帶貼著對象物的中心部與該條帶抵接。
(附記13)如附記12之條帶貼著方法，其中在將該第1及第2氣密空間設為真空狀態後，藉由在仍然保持該第1氣密空間之真空狀態下封閉該第2氣密空間，而以該第3速度使該彈性片膨脹。
(附記14)如附記11、12或13之條帶貼著方法，其中在以該第2速度使彈性片膨脹時，在該條帶貼著對象物與該條帶抵接之狀態，將該條帶貼著對象物與該條帶向上推，而推到該氣密空間的頂面。
(附記15)如附記10至14之任一項之條帶貼著方法，其中將UV硬化性樹脂製的黏著劑塗布於該條帶的黏著面；在將該第1及第2氣密空間設為真空狀態時，向該第1氣密空間間歇地供給氮氣。
本專利申請係主張以在2010年3月16日所申請之日本專利申請特願2010-58629為基礎的優先權，在此取入該揭示的全部。
【工業上的可應用性】
本發明係可應用於在對半導體晶圓貼著切割用條帶等所使用之條帶貼著裝置及條帶貼著方法。
1．．．條帶貼著裝置
2．．．裝置本體
3．．．供排氣機構
4．．．控制部
4a．．．定時器
5．．．氣密空間
6．．．室
6a．．．上側室
6b．．．下側室
7．．．第1氣密空間
7a．．．套環之內側空間
7b．．．套環之外側空間
8．．．第2氣密空間
9．．．半導體晶圓
10．．．橡膠片
11．．．切割用條帶
12．．．條帶架
13．．．第1供排氣管
14．．．第2供排氣管
14a．．．網孔蓋
15．．．真空度感測器
16．．．密封環
17．．．間隔片
18．．．套環
19．．．槽
21．．．氮氣供給源
22．．．空氣供給源
23．．．真空泵
24．．．第1電磁閥
26．．．第2電磁閥
27．．．第3電磁閥
28．．．流量控制閥
第1圖係表示本發明之條帶貼著裝置之一實施形態的剖面圖。
第2A圖係將第1圖之第2供排氣管之開口部放大表示的上視圖。
第2B圖係第2A圖之ⅡB-ⅡB剖面圖。
第3A圖係將第1圖之間隔片放大表示的上視圖。
第3B圖係第3A圖之ⅢB-ⅢB剖面圖。
第4A圖係將第1圖之橡膠片及套環放大表示的上視圖。
第4B圖係第4A圖之ⅣB-ⅣB剖面圖。
第5圖係表示使用條帶貼著裝置之條帶貼著方法之步驟的主流程圖。
第6圖係表示第1及第2氣密空間之壓力轉移之狀態的圖。
第7圖係貼著條帶時的製程圖，是表示抽真空製程的圖。
第8圖係貼著條帶時的製程圖，是表示注入氮氣製程的圖。
第9圖係表示抽真空製程時之注入氮氣步驟的副流程圖。
第10圖係貼著條帶時的製程圖，是表示低速貼著製程的圖。
第11圖係貼著條帶時的製程圖，是表示中速貼著製程的圖。
第12圖係貼著條帶時的製程圖，是表示高速貼著製程的圖。
第13圖係貼著條帶時的製程圖，是表示穩定化製程的圖。
第14圖係貼著條帶時的製程圖，是表示橡膠收縮製程的圖。
第15圖係貼著條帶時的製程圖，是表示橡膠平坦化製程的圖。
第16A圖係用以說明第4A圖及第4B圖之間隔片之作用效果的圖，係表示未設置間隔片之形態的圖。
第16B圖係用以說明第4A圖及第4B圖之間隔片之作用效果的圖，係表示設置間隔片之形態的圖。
第17圖係表示相關之條帶貼著方法之一例的圖。
第18圖係表示相關之條帶貼著方法之其他的例子的圖。
1．．．條帶貼著裝置
2．．．裝置本體
3．．．供排氣機構
4．．．控制部
4a．．．定時器
5．．．氣密空間
6．．．室
6a．．．上側室
6b．．．下側室
7．．．第1氣密空間
8．．．第2氣密空間
9．．．半導體晶圓
10．．．橡膠片
11．．．切割用條帶
12．．．條帶架
13．．．第1供排氣管
14．．．第2供排氣管
15．．．真空度感測器
16．．．密封環
17．．．間隔片
18．．．套環
21．．．氮氣供給源
22．．．空氣供給源
23．．．真空泵
24．．．第1電磁閥
26．．．第2電磁閥
27．．．第3電磁閥
28．．．流量控制閥

Claims (9)

  1. 一種條帶貼著裝置，其特徵在於包括：容器，係在內部具有氣密空間；彈性片，係將該氣密空間隔間成位於上方的第1氣密空間與位於下方的第2氣密空間，並將條帶貼著對象物載置於該第1氣密空間側；條帶保持構件，係在該第1氣密空間內保持條帶，並使該條帶位於與載置於該彈性片的條帶貼著對象物隔著既定距離的位置；及氣壓切換手段，係切換該第1及第2氣密空間的加壓及降壓；在將該第1及第2氣密空間設為真空狀態後，將該第2氣密空間進行加壓，使該彈性片膨脹，並將該條帶貼著對象物向上推，而貼著於該條帶時，控制該第2氣密空間的加壓量，一面使該彈性片的膨脹速度從低速往高速分段地變化，一面將該條帶貼著對象物貼著於該條帶；至該條帶貼著對象物與該條帶的抵接面積達到既定量為止，利用能以不會發生損壞的壓住壓力將該條帶貼著對象物壓在該條帶的第1速度使該彈性片膨脹，然後，將該彈性片的膨脹速度切換成比該第1速度更快的第2速度，使該條帶貼著對象物之貼著面的整體與該條帶抵接。
  2. 如申請專利範圍第1項之條帶貼著裝置，其中在以該第1速度使彈性片膨脹之前，以比該第1速度更慢的第3速度，使該彈性片膨脹，而使該條帶貼著對象物的中心 部與該條帶抵接。
  3. 如申請專利範圍第2項之條帶貼著裝置，其中在將該第1及第2氣密空間設為真空狀態後，藉由在仍然保持該第1氣密空間之真空狀態下封閉該第2氣密空間，而以該第3速度使該彈性片膨脹。
  4. 如申請專利範圍第1項之條帶貼著裝置，其中在以該第2速度使彈性片膨脹時，在該條帶貼著對象物與該條帶抵接之狀態，將該條帶貼著對象物與該條帶向上推，而推到該氣密空間的頂面。
  5. 如申請專利範圍第1項之條帶貼著裝置，其中包括間隔片，該間隔片設置於該彈性片的下面與該氣密空間的底面之間，並配置於從該第2氣密空間吸入氣體之吸氣口的周邊。
  6. 如申請專利範圍第5項之條帶貼著裝置，其中設置複數個該間隔片，該複數個間隔片配置成以該吸氣口為中心的十字形或放射形。
  7. 如申請專利範圍第1項之條帶貼著裝置，其中將網孔蓋附設於從該第2氣密空間吸入氣體之吸氣口。
  8. 如申請專利範圍第1項之條帶貼著裝置，其中將UV硬化性樹脂製的黏著劑塗布於該條帶的黏著面；在將該第1及第2氣密空間設為真空狀態時，向該第1氣密空間間歇地供給氮氣。
  9. 一種條帶貼著方法，其特徵在於：使用條帶貼著裝置，該條帶貼著裝置係包括： 容器，係在內部具有氣密空間；彈性片，係將該氣密空間隔間成位於上方的第1氣密空間與位於下方的第2氣密空間，並將條帶貼著對象物載置於該第1氣密空間側；條帶保持構件，係在該第1氣密空間內保持條帶，並使該條帶位於與載置於該彈性片的條帶貼著對象物隔著既定距離的位置；及氣壓切換手段，係切換該第1及第2氣密空間的加壓及降壓；在將該第1及第2氣密空間設為真空狀態後，將該第2氣密空間進行加壓，使該彈性片膨脹，並將該條帶貼著對象物向上推，而貼著於該條帶時，控制該第2氣密空間的加壓量，一面使該彈性片的膨脹速度從低速往高速分段地變化，一面將該條帶貼著對象物貼著於該條帶；其中，至該條帶貼著對象物與該條帶的抵接面積達到既定量為止，利用能以不會發生損壞的壓住壓力將該條帶貼著對象物壓在該條帶的第1速度使該彈性片膨脹，然後，將該彈性片的膨脹速度切換成比該第1速度更快的第2速度，使該條帶貼著對象物之貼著面的整體與該條帶抵接。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5893887B2 (ja) * 2011-10-11 2016-03-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
CN104025278B (zh) * 2011-12-27 2017-03-29 夏普株式会社 装载闭锁装置和具备它的真空处理装置
JP5687647B2 (ja) * 2012-03-14 2015-03-18 株式会社東芝 半導体装置の製造方法、半導体製造装置
CN104037113B (zh) * 2013-03-04 2018-05-08 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理腔室的供气装置以及去夹持方法
JP6053150B2 (ja) * 2013-03-15 2016-12-27 リンテック株式会社 光照射装置および照射方法
CN104692028B (zh) * 2015-02-02 2017-04-05 电子科技大学 一种可选择真空吸附或电磁吸附的传送带吸附装置
JP5797863B1 (ja) * 2015-05-29 2015-10-21 オリジン電気株式会社 接合部材製造装置及び接合部材の製造方法
JP6573231B2 (ja) * 2016-03-03 2019-09-11 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理方法
JP7000129B2 (ja) * 2017-11-15 2022-01-19 芝浦メカトロニクス株式会社 成膜装置
KR102516339B1 (ko) 2018-04-06 2023-03-31 삼성전자주식회사 광 조사기용 덮개 구조물과 이를 구비하는 광 조사장치 및 이를 이용한 다이 접착 방법
SG11202010427SA (en) * 2018-04-24 2020-11-27 Disco Hi Tec Europe Gmbh Device and method for attaching protective tape on semiconductor wafer
CN110687753B (zh) * 2018-07-06 2020-12-04 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种气动装置和光刻装置
JP7521902B2 (ja) * 2020-02-14 2024-07-24 株式会社ディスコ テープ貼着装置
JP2022062986A (ja) * 2020-10-09 2022-04-21 富士電機株式会社 半導体検査装置および半導体ウエハの検査方法
CN113363219B (zh) * 2021-05-11 2024-02-06 苏州通富超威半导体有限公司 一种bga产品、热压设备及热压工艺

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5307568A (en) * 1991-09-09 1994-05-03 Tokyo Electron Limited Gas supply system
JPH0686342U (ja) * 1993-05-21 1994-12-13 川崎製鉄株式会社 真空ピンセット
JPH10233430A (ja) * 1997-02-19 1998-09-02 Nitto Denko Corp 粘着テープ貼付け装置
JP4022306B2 (ja) * 1998-03-03 2007-12-19 不二越機械工業株式会社 ウェーハの接着方法及び接着装置
JP2001284218A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Canon Inc 保管庫、露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法
JP4143488B2 (ja) * 2003-06-30 2008-09-03 Ｎｅｃエンジニアリング株式会社 テープ貼付装置
CN100440474C (zh) * 2004-05-25 2008-12-03 有限会社都波岐精工 胶带粘结装置
JP4666519B2 (ja) * 2006-09-08 2011-04-06 リンテック株式会社 シート貼付装置

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